止泻木碱

仪器信息网讯 8月29日，全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会第四届微光刻分委会年会暨第十三届微光刻技术交流会在青岛成功召开。会议期间，仪器信息网特别采访了GENISYS公司亚太总监陈利奇。据了解，GENISYS公司是一家位于德国慕尼黑的软件供应商，通过软件优化帮助硬件厂商（高端电子束、激光直写等）解决问题，优化微纳加工工艺，广泛应用于半导体器件、光学（波导、光子晶体、量子计算等）等领域。陈利奇向我们透露，用户在做不同的应用和器件时，所需设备的功能也不同，GENISYS会针对每台不同的设备进行软件优化，帮助客户实现应用上的突破，比如能够突破直写尺寸限制，线粗糙度优化限制，通过软件内置的临近效应修正，数据处理等功能实现光通讯、半导体等器件的性能优化。陈利奇认为未来国内软件会迎来高速发展。过去20年，国内企业大部分专注于硬件开发，随着硬件成熟会遇到和国外类似的情况。如何再把硬件的性能提高？此时在物理层面上硬件技术无法突破的地方，就能够通过软件来提供更优方案。以下为现场采访视频：

4月1日，合肥芯碁微电子装备股份有限公司首次公开发现股票并在科创板上市。不过，招股说明书也提示投资者，芯碁微装得发展也面临多种风险因素。其中第十一条指出，芯碁微装得核心零部件等主要向日本Nichia Corporation和美国Texas Instruments或其代理商等境外供应商采购，面临着供应商集中度较高得风险，而且受到日本、美国贸易政策变化影响。根据招股说明书，芯碁微装专业从事以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发、制造、销售以及相应的维保服务，主要产品及服务包括PCB 直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备以及上述产品的售后维保服务，产品功能涵盖微米到纳米的多领域光刻环节。PCB 直接成像设备及自动线系统（PCB 系列）在 PCB 领域，芯碁微装提供全制程高速量产型的直接成像设备，最小线宽涵盖8μm-75μm范围，主要应用于 PCB 制造过程中的线路层及阻焊层曝光环节，是 PCB 制造中的关键设备之一。在最小线宽指标方面，芯碁微装的ACURA 280 产品能够实现8μm的最小线宽，满足目前PCB领域最高端的IC载板制造要求；在产能指标方面， 公司 TRIPOD100T 单机产品能够在最小线宽 35μm、对位精度±12μm 的条件下 实现 300 面/小时的产能，MAS 15T 单机产品能够在最小线宽 15μm、对位精度 ±8μm 的条件下实现 270 面/小时的产能。在市场覆盖方面，芯碁微装该类产品已成功实现对深南电路、胜宏科技、博敏电子、柏承科技、台湾软电、迅嘉电子、富仕电子、科翔 电子、诚亿电子、宏华胜、景旺电子、相互股份、峻新电脑、普诺威、珠海元盛、华麟电路等客户的销售；在PCB阻焊曝光领域，发行人产品已经成功实现 对深南电路、景旺电子、罗奇泰克、红板公司、嘉捷通和珠海元盛等客户的销售。在技术实力方面，与大族激光、江苏影速、天津芯硕、中山新诺等国内同行业厂商相比较，芯碁微装大部分产品在核心技术指标方面具有比较优势，具有较强的市场地位；与以色列Orbotech、日本ORC、日本ADTEC等国际厂商相比较，芯碁微装产品在部分核心技术指标上还存在一定的差距。泛半导体直写光刻设备及自动线系统（泛半导体系列）在泛半导体领域，芯碁微装提供最小线宽在500nm-10μm的直写光刻设备，主要应用于下游IC掩膜版制版以及IC制造、OLED显示面板制造过程中的直写光刻工艺环节。在 OLED 显示面板直写光刻设备领域，为进一步提高设备整体产能，满足面板客户的小批量、多批次生产与研发的需要，芯碁微装开发了OLED直写光刻设备自动线系统（LDW-D1），采用多台 LDW X6 并联自动化生产，可以实现多个机台同时独立工作，整个自动线系统包括数个独立光刻机台和一个公用的机械传送装置，系统通过读码扫描生产信息进行参数调取，可以实时监测各个机台的运作情况并反馈到客户的MES系统，自动生成生产报表和生产日志报警信息，客户可以实时监控生产情况、修改生产工艺参数，从而保证产 品的品质。在市场覆盖方面，芯碁微装凭借技术、性价比、服务等优势已经获得维信诺、中国电子科技集团公司下属研究所、中国科学技术大学等业界知名客户、科研院所认可，有效提升了国产泛半导体直写光刻设备的市场知名度。同时，在该领域的技术研发实力和技术成果转化经验，将为其后续开展晶圆级封装 （WLP）直写光刻设备和 FPD 显示面板高世代产线直写光刻设备的产业化打下 坚实的基础。在技术实力方面，芯碁微装可比公司主要包括瑞典Mycronic、德国Heidelberg等国际厂商以及江苏影速、中山新诺、天津芯硕等国内厂商。该类产品的各项核心技术指标在国内厂商中整体处于较高水平，并在部分性能指标达到了德国Heidelberg竞品的水平，但与全球领先企业瑞典Mycronic相比较还具有较大的差距。发行概况根据招股说明书，本次募投资金主要用于高端PCB激光直接成像（LDI）设备升级迭代项目、晶圆级封装（WLP）直写光刻设备产业化项目、平板显示（FPD）光刻设备研发项目和微纳制造技术研究中心建设项目。附件：合肥芯碁微电子装备招股说明书.pdf

p 　　 strong JJ林俊杰，你在哪儿？浙江大学医学生在SCI论文致谢里向你“表白”！ /strong /p p 　　今年，一条“医学生论文致谢林俊杰”的话题被推上新浪微博热搜。 /p p 　　浙江大学第二附属医院眼科的胡江华同学在其SCI论文致谢部分，感谢了歌手林俊杰，表示 span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong “在过去十年里，林俊杰的歌曲给了我强大的精神支持。” /strong /span /p p style=" text-align: center " img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/1cf1579d-3960-4c17-a7f8-c6f2ebd6a064.jpg" title=" 浙大微博.jpg" alt=" 浙大微博.jpg" width=" 501" height=" 435" style=" width: 501px height: 435px " / br/ strong style=" text-align: center " 浙江大学官方微博　 /strong br/ /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 胡同学表示，导师俞一波教授也支持这一致谢。胡同学说： strong span style=" color: rgb(0, 112, 192) " “作为一个勤勤恳恳的医学科研学生，只能通过人生的第一篇SCI论文致谢，来感谢偶像对自己的影响和鼓励” /span span style=" color: rgb(0, 112, 192) " 。 /span /strong /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/5328f560-1003-4a0b-a17b-81696df93f20.jpg" title=" 导师朋友圈.jpg" alt=" 导师朋友圈.jpg" width=" 480" height=" 549" style=" width: 480px height: 549px " / /p p style=" text-align: center " strong 图为导师俞一波教授在朋友圈表示支持学生致谢林俊杰 /strong br/ /p p 　　另外，她还想传递一个观点： span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong “追星不能盲目，偶像所传播的正能量推动者我们不断进步，会让我们走得更远，成为更好的人“。 /strong /span /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/4cff4681-20f7-4304-a87d-7b4f85934269.jpg" title=" 3.jpg" alt=" 3.jpg" width=" 531" height=" 172" style=" width: 531px height: 172px " / /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/a3dd44fa-a8dd-4794-ad42-2631ea8b2ae0.jpg" style=" width: 530px height: 181px " title=" 1.jpg" width=" 530" height=" 181" / /p p style=" text-align: center" strong 胡江华同学发表的SCI论文(图片来源：BioWorld) /strong /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/a5248e89-21b6-453a-8e42-21dd0b5dc74f.jpg" title=" 2.jpg" alt=" 2.jpg" / /p p style=" text-align: center" strong 论文关于林俊杰的致谢部分(图片来源：BioWorld) /strong /p p style=" text-indent: 2em " 网友纷纷留言称赞：“这是很好的榜样力量!” /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/f797408f-99ae-4e6a-950d-6f7b5ff7ba68.jpg" style=" width: 600px height: 348px " title=" 网友评论.jpg" width=" 600" height=" 348" / /p p style=" text-align: center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201809/uepic/f6ffef8c-2dd3-4f4d-9055-73394dc73c8b.jpg" style=" width: 600px height: 339px " title=" 微信图片_20180926113611.jpg" width=" 600" height=" 339" / /p p style=" text-align: center " strong 图片来源：新浪微博 /strong br/ /p p 　　你的毕业论文里 /p p 　　感谢了谁? /p p 　　写了什么? /p p 　　欢迎在文章下方留言分享！By the way，记得点赞哈！ /p p 　　综合来源：中国青年报（ID：zqbcyol ），新浪微博@浙江大学，BioWorld /p

随着国内各学科的发展和产业的升级，相关的科研院所和企事业单位对各种微纳器件光刻加工的需求日益增多。然而，这些微纳器件光刻需求很难被传统的掩模光刻设备所满足，主要是因为拥有这类的光刻需求的用户不仅需要制备出当前的样品，还需要对光刻结构进行够迅速迭代和优化。为了满足微纳器件对光刻的需求，Quantum Design中国推出了小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3作为微纳器件光刻的解决方案。与传统的掩模光刻相比，MicroWriter ML3根据用户计算机中设计的图形在光刻胶上制备出相应的结构，节省了制备光刻板所需要的时间和经费，可以实现用户对光刻结构快速迭代的需求。此外，MicroWriter ML3 可用于各类正性和负性光刻胶的曝光，最高光刻精度可达0.4 μm，套刻精度±0.5 μm，最高曝光速度可达180mm2/min。目前，MicroWriter ML3在国内的拥有量超过150台，被用于各类微纳器件的光刻加工。 人工智能领域器件制备人工智能相关的运算通常需要进行大量的连续矩阵计算。从芯片的角度来说，连续矩阵运算主要需求芯片具有良好的乘积累加运算（MAC）的能力。可以说，MAC运算能力决定了芯片在AI运算时的表现。高效MAC运算可以由内存内运算技术直接实现。然而，基于的冯诺依曼计算架构的芯片在内存和逻辑运算之间存在着瓶颈，限制了内存内的高速MAC运算。理想的AI芯片构架不仅要有高效的内存内运算能力，还需要具有非易失性，多比特存储，可反复擦写和易于读写等特点。复旦大学包文中教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备出基于单层MoS2晶体管的两晶体管一电容（2T-1C）单元构架[1]。经过实验证明，该构架十分适用于AI计算。在该构架中，存储单元是一个类似1T-1C的动态随机存储器（DRAM），其继承了DRAM读写速度快和耐反复擦写的优点。此外，MoS2晶体管极低的漏电流使得多层级电压在电容中有更长的存留时间。单个MoS2的电学特性还允许利用电容中的电压对漏电压进行倍增，然后进行模拟计算。乘积累加结果可以通过汇合多个2T-1C单元的电流实现。实验结果证明，基于此构架的芯片所训练的神经网络识别手写数字可达到90.3%。展示出2T-1C单元构架在未来AI计算领域的潜力。相关工作发表在《Nature Communication》（IF=17.694）。 图1. 两晶体管一电容（2T-1C）单元构架和使用晶圆尺寸的MoS2所制备的集成电路。（a）使用化学气相沉积法（CVD）批量制备的晶圆尺寸的MoS2。（b）CVD合成的MoS2在不同位置的Raman光谱。（c）在2英寸晶圆上使用MicroWriter ML3制备的24个MoS2晶体管的传输特性。（d）MicroWriter ML3制备的2T-1C单元显微照片。图中比例尺为100 μm。（e）2T-1C单元电路示意图，包括储存和计算模块。（f）2T-1C单元的三维示意图，其中包括两个MoS2晶体管和一个电容组件。（g）2T-1C单元阵列的电路图。（h）典型卷积运算矩阵。 生物微流控领域器件制备酿酒酵母菌是一种具有高工业附加值的菌种，其在真核和人类细胞研究等领域也有着非常重要的作用。酿酒酵母菌由于自身所在的细胞周期不同，遗传特性不同或是所处的环境不同可展现出球形单体，有芽双体或形成团簇等多种形貌。因此获得具有高纯度单一形貌的酿酒酵母菌无论是对生物学基础性研究还是对应用领域均有着非常重要的意义。澳大利亚麦考瑞大学Ming Li课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备了一系列矩形微流控通道[2]。在制备的微流控通道中，通过粘弹性流体和牛顿流体的共同作用对不同形貌的酿酒酵母菌进行了有效的分类和收集。借助MicroWirter ML3中所采用的无掩模技术，课题组可以轻易实现对微流控传输通道长度的调节，优化出对不同形貌酵母菌进行分类的最佳参数。相关工作结果在SCI期刊《Analytical Chemistry》（IF=8.08）上发表。图2.在MicroWriter ML3制备的微流控通道中利用粘弹性流体对不同形貌的酿酒酵母菌进行微流控连续筛选。图3.在MicroWriter ML3制备的微流控流道中对不同形貌的酿酒酵母菌的分类和收集效果。（a）为收集不同形貌酿酒酵母菌所设计的七个出口。（b）不同形貌酵母菌在通过MicroWriter ML3制备的流道后与入口处的对比。（c）MicroWriter ML3制备的微流控连续筛选器件对不同形貌的酵母菌的筛选效果。从不同出口处的收集结果可以看出，单体主要在O1出口，形成团簇的菌主要O4出口。（d）MicroWriter ML3制备的微流控器件对不同形貌的酿酒酵母菌的分类结果，单体（蓝色），有芽双体（黄色）和形成团簇（紫色）。（e）和（f）不同出口对不同形貌的酿酒酵母菌的分离和收集结果的柱状图。误差棒代表着三次实验的误差结果。 医学检测领域器件制备在新冠疫情大流行的背景下，从大量人群中快速筛查出受感染个体对于流行病学研究有着十分重要的意义。目前，新冠病毒诊断采用的普遍标准主要是基于分析逆转录聚合酶链反应，可是在检测中核酸提取和扩增程序耗时较长，很难满足对广泛人群进行筛查的要求。复旦大学魏大程教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备出基于石墨烯场效应晶体管（g-FET）的生物传感器[3]。该传感器上拥有Y形DNA双探针（Y-双探针），可用于新冠病毒的核酸检测分析。该传感器中的双探针设计，可以同时靶向SARS-CoV-2核酸的ORF1ab和N基因，从而实现更高的识别率和更低的检出极限（0.03份μL&minus 1)。这一检出极限比现有的核酸分析低1-2个数量级。该传感器最快的核酸检测速度约为1分钟，并实现了直接的五合一混合测试。由于快速、超灵敏、易于操作的特点以及混合检测的能力，这一传感器在大规模范围内筛查新冠病毒和其他流行病感染者方面具有巨大的前景。该工作发表在《Journal of the American Chemical Society》（IF=16.383）。 图4. 利用MicroWriter ML3制备基于g-FET的Y形双探针生物传感器。（a）Y形双探针生物传感器进行SARS-CoV-2核酸检测的流程图。（b）选定的病毒序列和探针在检测SARS-CoV-2时所靶向的核酸。ORF1ab: 非结构多蛋白基因 S: 棘突糖蛋白基因 E: 包膜蛋白基因 M: 膜蛋白基因 N: 核衣壳蛋白基因。图中数字表示SARS-CoV-2 NC_045512在GenBank中基因组的位置。（c）经过MicroWriter ML3光刻制备的生物传感器的封装结果。图中的比例尺为1 cm。（d）通过MicroWriter ML3制备的石墨烯通道的光学照片。（e）在石墨烯上的Cy3共轭Y型双探针。图中的比例尺为250 μm。 二维材料场效应管器件制备石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门，经历十多年的研究，二维材料表现出的各种优良性能依然吸引着人们。然而，在工业上大规模应用二维材料仍然存在着很多问题，所制成的器件不能符合工业标准。近日，复旦大学包文中教授课题组通过利用机器学习 (ML) 算法来评估影响工艺的关键工艺参数MoS2顶栅场效应晶体管 (FET) 的电气特性[4]。晶圆尺寸的器件制备的优化是利用先利用机器学习指导制造过程，然后使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3进行制备，最终优化了迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等性能。相关工作结果发表在《Nature Communication》（IF=17.694）。图5. MoS2 FETs的逻辑电路图。（a），（b），（c）和（d）各类电压对器件的影响。（e）使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备的正反器和（f）相应实验结果（g）使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备的加法器和（h）相应的实验结果。图6. 利用MoS2 FETs制备的模拟，储存器和光电电路。（a）使用MicroWriter ML3无掩膜光刻机制备的环形振荡器和（b）相应的实验结果。（c）通过MicroWriter ML3制备的基于MoS2 FETs制备的存储阵列和（d-f）相应的实验结果。（g）利用MicroWriter ML3制备的光电电路和（h-i）相应的表现结果。图7. 使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3在晶圆上制备MoS2场效应管。（a）MicroWriter ML3在两寸晶圆上制备的基于MoS2场效应管的加法器。（b），（c）和（d）在晶圆上制备加法器的运算结果。 钙钛矿材料柔性器件制备质子束流的探测在光学基础物理实验和用于癌症治疗的强子疗法等领域是十分重要的一项技术。传统硅材料制备的场效应管装置由于价格昂贵很难被大规模用于质子束流的探测。塑料闪烁体和闪烁纤维也可以被用于质子束流的探测。可是基于上述材料的设备需要复杂的同步和校正过程，因此也很难被大规模推广应用。在最近十年间科学家把目光投向了新材料，为了找出一种同时具有出色的力学性能和造价低廉的材料，用以大规模制质子束流探测设备。钙钛矿材料近来被认为是制备质子束流探测器的理想材料。首先，钙钛矿材料可以通过低温沉积的方法制备到柔性基底上。第二，该材料的制造成本相对较低。钙钛矿材料已被用于探测高能光子，阿尔法粒子，快中子和热中子等领域。对于利用钙钛矿材料制备的探测器探测质子束的领域尚属空白。近日，意大利博洛尼亚大学Ilaria Fratelli教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备出用于质子束探测的3D-2D混合钙钛矿柔性薄膜检测器[5]。在5MeV质子的条件下，探测器的探测束流范围为从4.5 × 105 到 1.4 × 109 H+ cm&minus 2 s&minus 1，可连续检测的辐射最高敏感度为290nCGy&minus 1mm&minus 3，检测下限为72 μGy s&minus 1。该工作结果发表在学术期刊《Advanced Science》（IF=17.521）。图8. MicroWriter ML3在PET柔性基板上制备的3D-2D钙钛矿薄膜器件。（A）MAPbBr3 (3D) 和(PEA)2PbBr4 (2D)钙钛矿材料的结构示意图。（B）通过MicroWriter ML3无掩模激光直写机制备出的检测器，图中标尺长度为500 μm。（c）3D-2D混合钙钛矿材料的低掠射角XRD结果。（d）3D-2D混合钙钛矿材料的AFM表面形貌图。图9. 3D-2D钙钛矿材料的电学和光电学方面的性能。（Ａ）由MicroWriter ML3无掩模光刻机制备柔性器件。（Ｂ）通过MicroWriter ML3制备的柔性器件在不同弯曲程度条件下的电流－电压曲线图。（Ｃ）3D-2D钙钛矿材料柔性器件的PL光谱结果。（Ｄ）3D-2D钙钛矿材料柔性器件的紫外－可见光光谱。参考文献[1] Y. Wang, et al. An in-memory computing architecture based on two-dimensional semiconductors for multiply-accumulate operations. Nature Communications, 12, 3347 (2021).[2] P. Liu, et al. Separation and Enrichment of Yeast Saccharomyces cerevisiae by Shape Using Viscoelastic Microfluidics. Analytical Chemistry, 2021, 93, 3, 1586–1595.[3] D. Kong, et al. Direct SARS-CoV-2 Nucleic Acid Detection by Y-Shaped DNA Dual-Probe Transistor Assay. Journal of the American Chemical Society, 2021, 143, 41, 17004.[4] X. Chen, et al. Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning. Nature Communications, 12, 5953 (2021).[5] L. Basirico, et al. Mixed 3D–2D Perovskite Flexible Films for the Direct Detection of 5 MeV Protons. Advanced Science, 2023,10, 2204815. 小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3简介小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3由英国剑桥大学卡文迪许实验室主任/英国皇家科学院院士Cowburn教授根据其研究工作的需要而专门设计开发的科研及研发生产光刻利器。 图10. a)小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3。MicroWriter ML3 b)在正胶上制备线宽为400 nm的结构，c)正胶上制备的电极结构，d)在SU8负胶上制备的高深宽比结构和e)灰度微结构。 MicroWriter ML3的优势：☛ 实验成本低：相比于传统光刻机，该光刻系统无需掩膜板，同时它也可以用来加工掩膜板，年均可节省成本数万元；☛ 实验效率高：通过在计算机上设计图案就可轻松实现不同的微纳结构或器件的加工，同时具有多基片自动顺序加工功能；☛ 光刻精度高：系统具有多组不同分辨率的激光加工模块(0.4 μm，0.6 μm， 1 μm，2 μm, 5 μm)，且均可通过软件自由切换；☛ 加工速度快：最高可实现180 mm2/min的快速加工；☛ 具有3D加工能力：256级灰度，可实现Z方向的不同深浅的加工；☛ 适用范围广：可根据光刻需求的不同，配备365 nm，385 nm和405 nm波长光源或安装不同波长双光源；☛ 使用成本低：设备的采购，使用和维护成本低于常规的光刻系统。

天眼查显示，合肥芯碁微电子装备股份有限公司“一种用于直写式光刻机的安全防护系统及方法”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118466111A。背景技术运动平台一般会在机台腔体内部进行动作，设计人员对运动平台的安全防护意识比较薄弱，如有操作人员在门板打开的情况进行机台内部调试或者操作时不注意，运动平台容易对操作人员造成伤害；并且，如平台因某些杂物入侵导致平台运动出现问题，曝光时未能采取正确的曝光路径，会导致做板批量报废。平台运动是根据上位机软件进行控制的，若控制模块出现问题或者平台碰到异物时，控制器可立即停止平台运动并把异常信息反馈给上位机，现有技术安全防护方案主要是集中在放板区配置安全光幕，当操作员的手指碰到安全光幕时电动门停止，平台也被上位机软件进行急停操作，在此种防护模式中有几种弊端：平台在安全防护时，更多的是对于驱动器自身问题的急停，如线缆损坏或者驱动器偶发报错，缺少了对于平台的主动急停以及平台急停后的一系列安全防护手段；在平台急停之后，若不登录上位机软件，操作人员不容易得到报警信息，同时延长了排查问题的时间；由于目前是通过软件进行急停以及其他一系列控制的，若发生通讯异常的情况，上位机无法急停平台，可能会导致发生一系列安全事故，需要一套PLC软件联动以及硬件防护的控制措施，来达到机台安全防护的最好效果。发明内容本发明公开了一种用于直写式光刻机的安全防护系统及方法，包括触发模块，该触发模块用于感应门板金属产生触发信号；控制模块，该控制模块与触发模块连接，所述触发模块用于接收触发信号并输出平台急停信号；以及平台急停模块，该平台急停模块与控制模块连接，所述平台急停模块用于接收平台急停信号，使运动平台所有的运动部件失去使能；该用于直写式光刻机的安全防护系统及方法，与PLC软件联动，达到机台安全防护的最好效果，解决了现有技术缺少了对于平台的主动急停以及平台急停后的一系列安全防护手段的问题及操作人员不容易得到报警信息，同时延长了排查问题时间的问题。

文章导读复旦大学微电子学院包文中教授课题组主要的研究领域包括二维层状材料的能带调控、器件工艺及应用，包括二硫化钼（MoS2），黑磷等。近日，其课题组利用小型台式无掩膜光刻直写系统（MicroWriter ML3）在新型二维层状材料MoS2的器件制备、转移和应用等方面取得了一系列瞩目的研究成果。 引言随着电子信息产业的高速发展，集成电路的需求出现了井喷式的增长。使得掩膜的需求急剧增加，目前制作掩膜的主要技术是电子束直写，但该制作效率非常低下，并且成本也不容小觑，在这种背景下人们把目光转移到了无掩膜光刻技术。英国Durham Magneto Optics公司致力于研发小型台式无掩膜光刻直写系统（MicroWriter ML3），为微流控、MEMS、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发过程中，掩膜板的设计通常需要根据实际情况多次改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制DMD微镜矩阵开关，经过光学系统调制，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。同时其还具备结构紧凑（70cm x 70cm x 70cm）、高直写速度，高分辨率（xy：正文包文中教授课题组利用小型台式无掩膜光刻直写系统（MicroWriter ML3）在新型二维层状材料MoS2的器件制备、转移和应用等方面取得了一系列瞩目的研究成果。（一） SMALL: 高性能的具备实际应用前景的晶圆MoS2晶体管 原子层的过渡金属二硫化物（TMD）被认为是下一代半导体器件的重要研究热点。然而，目前大部分的器件都是基于层间剥离来获取金属硫化物层，这样只能实现微米的制备。在本文中，作者提出一种利用化学气相沉积（CVD）制备多层MoS2薄层，进而改善所制备器件的相关性能。采用四探针法测量证明接触电阻降低一个数量。进一步，基于该法制备的连续大面积MoS2薄层，采用小型无掩膜光刻直写系统（MicroWriter ML3）构筑了栅场效应晶体管（FET）阵列。研究表明其阈值电压和场效应迁移率均有明显的提升，平均迁移率可以达到70 cm2v-1s-1，可与层间剥离法制备的MoS2 FET好结果相媲美。本工作创制了一种规模化制备二维tmd功能器件和集成电路应用的有效方法。 图1. (a-e) 利用CVD法制备大面积多层MoS2的原理示意及形貌结果。(g, h, i, j) 单层MoS2边界及多层MoS2片层岛的AFM测试结果，拉曼谱及光致发光谱结果 图2. 利用无掩膜激光直写系统（MicroWriter）在MoS2薄层上制备的多探针（二探针/四探针）测量系统，以及在不同条件下测量的接触电阻和迁移率结果。证明所制多层mos2的平均迁移率可以达到70 cm2v-1s-1 图3. 利用无掩膜光刻直写系统（MicroWriter）制备的大面积规模MoS2 FET阵列，及其场效应迁移率和阈值电压的分布性测量结果，证明该规模MoS2 FET阵列具备优异且稳定的均一特性 （二） Nanotechnology: 用于高性能场效应晶体管的晶圆可转移多层MoS2的制备 利用化学气相沉积（CVD）制备半导体型过渡金属二硫化物（TMD）是一种制备半导体器件的新途径，然而实现连续均匀的多层TMD薄膜制备仍然需要克服特殊的生长动力学问题。在本文中，作者利用多层堆叠（layer-by-layer）及转移工艺，制备出均匀、无缺陷的多层MoS2 薄膜。同时，利用无掩膜光刻直写系统（MicroWriter）在其基础上制备场效应晶体管（FET）器件。分别实现1层、2层、3层和4层MoS2 FRT的制备，并深入研究不同条件下器件的迁移率变化，终发现随着MoS2 堆叠层数的增加，电子迁移率随之增加，但电流开关比反而减小。综合迁移率和电流开关变化，2层/3层MoS2 FET是优设计器件。此外，双栅结构也被证明可以改善对多层mos2通道的静电控制。 图4 (a) 多层MoS2 结构的制备/转移流程示意；(b) 单层/双层MoS2 薄膜的光学形貌；(c) 双层MoS2 薄膜的afm表面形貌结果；(d) 单层/双层MoS2 薄膜的拉曼谱结果 图5 (a) 背栅MoS2 FET阵列制备流程示意；(b) 利用无掩膜激光直写系统（MicroWriter）制备的MoS2 FET器件的表面光学形貌（利用MicroWriter特有的虚拟掩膜对准技术(VMA)，可以高效直观地在感兴趣区域实现图形曝光）；(c-f) 不同结构的MoS2 FET器件的输出特性及转移特性测量结果 图6 (a) 利用MicroWriter在Si/SiO2晶圆上制备的大范围MoS2 FET器件阵列，其中包含1层和2层MoS2；(b) 相应阵列区域的迁移率和阈值电压分布结果，证明其优异的均一特性图7 (a) 双栅MoS2器件的结构原理；(b) 利用无掩膜激光直写系统（MicroWriter）制备的大面积双栅MoS2器件的形貌结果；(c, d) 2层MoS2双栅器件的电学测量结果。相关参考：1. high-performance wafer-scale mos2 transistors toward practical application. small 2018, 18034652. wafer-scale transferred multilayer mos2 for high performance field effect transistors. nanotechnology, 2019, 30,174002

孚光精仪在上海，天津同时发布一款新型激光直写式雾无掩模光刻系统。这款无掩模光刻机是一款高精度的激光直写光刻机。这套无掩模光刻机具有无掩模技术的便利，大大提高影印和新产品研发的效率，节省时间，是全球领先的无掩模光刻系统。这款激光直写无掩模光刻机直接用375nm或405nm紫外激光把图形写到光胶衬底上。 激光直写无掩模光刻系统特色尺寸：925x925x1600mm内置计算机控制接口激光光源：375nm或405nm视频辅助定位系统自动聚焦设置 详情浏览：http://www.f-opt.cn/guangkeji.html 激光直写无掩模光刻机参数线性写取速度：500mm/s位移台分辨率：100nm重复精度： 100nm晶圆写取面积：1—6英寸衬底厚度：250微米-10毫米激光点大小：1-100微米准直精度：500nm Email: info@felles.cn 或 felleschina@outlook.com Web: www.felles.cn （激光光学精密仪器官网） www.felles.cc （综合性尖端测试仪器官网） www.f-lab.cn （综合性实验室仪器官网） Tel: 021-51300728, 4006-118-227

一、项目基本情况项目编号：HTCL-ZB-236129项目名称：哈尔滨工程大学电致发光器件综合特性测量系统及激光直写系统采购及服务预算金额：1030.000000 万元（人民币）最高限价（如有）：1030.000000 万元（人民币）采购需求：1套电致发光器件综合特性测量系统，其他要求详见招标文件。1套激光直写系统，其他要求详见招标文件。合同履行期限：合同签订后12个月内完成所有设备到货、所有设备调试完毕并具备验收条件。本项目( 不接受 )联合体投标。二、获取招标文件时间：2023年11月06日 至 2023年11月10日，每天上午8:30至11:30，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：黑龙江省招标有限公司方式：现场获取。售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和三、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：哈尔滨工程大学　　　　　地址：哈尔滨市南岗区南通大街145号　　　　　　　　联系方式：0451-82519862　　　　　　2.采购代理机构信息名 称：黑龙江省招标有限公司　　　　　　　　　　　　地　址：哈尔滨市南岗区汉水路180号　　　　　　　　　　　　联系方式：陆超、温智伟 电话：0451-82375252　　　　　　　　　　　　3.项目联系方式项目联系人：陆超、温智伟电　话：　　0451-82375252

人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 等应用推动了大算力芯片的需求激增，而随着摩尔定律趋近极限，先进封装正逐渐成为提升芯片性能的关键。当前2.5D、3D-IC、异构集成、Chiplet等诸多先进封装技术帮助芯片设计人员在尺寸更小、功耗更低的芯片中提供更多功能，实现性能的飞跃。然而，这些技术进步也带来了前所未有的挑战，它们对现有的制造工艺、设备和材料提出了更高的要求。越来越多的先进封装涉及处于晶圆制造（“前道”）和芯片封测（“后道”）之间被称为“中道”的工艺，包括重布线(RDL)、凸块制作(Bumping)及硅通孔(TSV)等工艺技术，涉及与晶圆制造相似的光刻、显影、刻蚀、剥离等工序步骤。其中，光刻技术起到了至关重要的作用，光刻设备已广泛应用于先进封装领域的倒装芯片结构封装的Bumping、RDL、2.5D/3D封装的TSV等的制作之中。如今，在板级封装及高端IC载板(Substrate)制造领域，直写光刻已经全面取代了传统光刻；在高端显示、先进封装以及第三代半导体等领域，直写光刻也开始崭露头角。在先进封装大潮之下，国内直写光刻技术龙头芯碁微装正以其卓越的性能和创新的技术解决方案，为行业带来突破性的变革。先进封装来袭，直写光刻崭露头角以去年以来备受关注的台积电CoWoS为例，它是一种2.5D封装技术，由CoW和oS组合而来。先将芯片通过Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板（Substrate）连接，整合成CoWoS。该技术的核心是将不同的芯片堆叠在同一片硅中介层，以实现多颗芯片互联。在硅中介层中，台积电使用微凸块（μBmps）、硅通孔（TSV）等技术，代替传统引线键合，用于裸片间连接，大大提高了互联密度和数据传输带宽。根据采用的中介层不同，台积电把CoWoS封装技术分为3种类型：CoWoS-S（Silicon Interposer）、CoWoS-R（RDL Interposer）和CoWoS-L（Local Silicon Interconnect and RDL Interposer）。 例如CoWoS被用于生产Nvidia、AMD、Amazon和Google等公司的高性能AI芯片，随着AI芯片的晶体管数量不断增加，且因为是用于数据中心和云计算，对尺寸要求不高，因此，未来的AI芯片很可能会越来越大。目前台积电正在通过CoWoS封装技术，开发比AMD的Instinct MI300X和英伟达B200面积更大的AI芯片，封装面积已经达到120mmx120mm。芯碁微装泛半导体销售总监潘昌隆指出，当前台积电主要使用的是CoWoS-S，随着大面积芯片设计越来越多，中介层越来越多，掩模尺寸越来越大，当中介层达到台积电最大reticle的四倍以上（1X reticle≈830mm² ），高于其当前中介层的3.3倍，就将转向CoWoS-L。数据显示，理论上EUV reticle限制为858mm² （26 mm x 33 mm），因此通过拼接六个掩模将实现5148 mm² 的SiP。如此大的中介层不仅可以为多个大型计算小芯片提供空间，还可以为12堆栈HBM内存留出足够的空间，这意味着12288位内存接口带宽高达9.8 TB/秒。而构建5148 mm² SiP是一项极其艰巨的任务，目前Nvidia H100加速器，其封装跨越一个中介层多个掩模大小，成本已经高达30000 美元。因此，更大、更强大的芯片可能会进一步推高封装成本。除了CoWoS-L，一些芯片设计公司也开始研究晶圆级系统(System on Wafer，SoW)，这类设计将整个晶圆作为一个封装单元，逻辑、存储与控制相关的芯片都需要通过封装来集成，RDL的布线将会相当复杂，且RDL层数将会越来越高。对于这两大先进封装技术走向，潘昌隆表示，更大面积的芯片封装将对传统步进式光刻机的使用带来诸多挑战。一是掩模（mask）拼接问题。随着封装面积的增加，单一片掩模无法覆盖整个芯片，需要使用多个掩模并进行拼接。这增加了制造过程中的复杂性，可能导致拼接处的对准误差，影响最终产品的性能和良率。而且封装面积的增大可能会增加生产过程中的翘曲和缺陷，导致良率下降。特别是在掩模拼接区域，任何微小的误差都可能影响整个芯片的性能。而随着芯片集成化和大尺寸晶圆的使用，晶圆翘曲问题也愈发严峻，已成为影响先进封装可靠性的主要挑战之一。二是设计复杂度提高，生产效率下降。大尺寸封装设计需要更复杂的布线和层叠技术，如RDL层的布线将会相当复杂，且层数将会越来越多，这对设计工作和制造工艺都带来了极高的挑战。尤其大尺寸封装设计需要在光刻机中切换掩模来进行同层线路的曝光，这种频繁的掩模切换会降低生产的效率，拉长生产周期。三是设备局限性。传统的步进式投影光刻设备掩模尺寸大多是26×33mm² ，可能没有经验应对大尺寸封装的翘曲等问题。大尺寸封装的光刻需要设备具备处理更大尺寸晶圆/载板和应对翘曲等问题的能力。潘昌隆表示，除了CoWoS和SoW等晶圆级封装，FoPLP封装技术也开始逐渐发力，步进式光刻机在应对这类大面积封装同样力不从心，而直写光刻技术将会是最佳选择。在泛半导体领域，根据是否使用掩模版，光刻技术主要分为掩模光刻与直写光刻。掩模光刻可进一步分为接近/接触式光刻以及投影式光刻。直写光刻也称无掩模光刻，是指计算机控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，无需掩模直接进行扫描曝光。过去很长一段时间，掩模光刻技术是光刻工艺路线中的最佳选择；但随着成本日益高涨，未来，无掩模直写光刻技术或将凭借成本优势及行业布局逐渐受到行业关注。尤其在先进封装领域，直写光刻技术以其独特的优势和广泛的市场潜力，正逐渐成为推动行业创新的关键力量。直写光刻如何改写先进封装市场格局芯碁微装作为国内直写光刻设备的细分龙头，随着国内中高端PCB与 IC载板需求的增长及国产化率需求提升，正不断加快在载板、先进封装、新型显示、掩模版制版、功率分立器件、光伏电镀铜等方面的布局。潘昌隆表示，在先进封装领域，芯碁微装直写光刻设备中除了无掩模带来的成本及操作便捷等优势，在RDL、互联、智能纠偏、适用大面积芯片封装等方面都很有优势，设备在客户端进展顺利，并已经获得大陆头部先进封装客户的连续重复订单。潘昌隆总结了直写光刻技术应用于先进封装的几大优势。首先，掩模的制作往往耗时且成本高昂，直写光刻技术不使用传统步进式光刻所需的掩模，通过数字化的方式直接在硅片上进行图案曝光，大大缩短了产品从设计到市场的时间，并显著降低制造成本。并且直写光刻技术能够适应复杂的RDL设计和多层封装结构，这在传统的步进式光刻中可能难以实现，客户可以更灵活地调整和优化设计，适应不同需求，特别是在研发或样品开发阶段。其次，直写光刻技术减少了掩模交换和拼接的需求，简化了生产流程，从而提高了生产效率。尤其随着封装面积的增大，如CoWoS-L和FoPLP等技术的发展，直写光刻技术能够有效应对大尺寸封装的挑战。它能够处理超出传统掩模尺寸的大面积封装设计，避免了掩模拼接问题，提高了生产效率。同时直接光刻自由多分割和智能涨缩模式应对板级封装中大尺寸多增层曲翘变形有着极佳的品质。最后，对于当前追求国产化和减少对外部依赖的市场需求，大陆在先进制程受限的情况下，正在加大力度发展类CoWoS、Chiplet等先进封装以弥补性能差距，在此背景下，直写光刻技术提供了一种自主可控的解决方案，有助于降低供应链风险，增强国内产业的竞争力。“随着高性能大算力芯片要求不断提高，先进封装技术如CoWoS-L和FoPLP的需求将持续增长。随着大尺寸的RDL与SOW等未来产品的出现，直写光刻技术凭借其在大尺寸封装领域及成本方面的优势，将迎来广阔的市场空间。”潘昌隆表示，目前芯碁微装设备已实现低至2um的线宽距，涉及工艺包括垂直布线TSV、水平布线Bumping的RDL环节等，以灵活的数字掩模和高良品率满足了先进封装客户的要求，目前已有多台设备交付客户端，产品的稳定性和功能已经得到验证。值得注意的是，除了光刻制程，在晶圆切割、智能纠偏领域，直写光刻也展现出显著的技术优势。潘昌隆指出，在芯片制造过程中，需要采用切割工艺对晶圆进行划片，然而传统的金刚石切割、砂轮切割或激光切割会对晶圆造成较为严重的损伤，导致晶圆应力、碎裂、芯片性能下降等问题。目前在先进封装领域，高端的客户开始采用深硅刻蚀(DRIE)工艺的等离子切割来取代传统切割方法。不过DRIE需要一道曝光制程，但是此道曝光工艺不复杂，直写光刻技术能够直接在硅片或其他基底材料上绘制出精确的切割道，这些图案可以是简单的直线、曲线或其他复杂几何形状，并且能够实现更平滑和更精确的切割边缘，减少刀切或激光切割等传统切割方法可能引入的应力和损伤。此外，由于直写光刻使用的是数字光束和虚拟掩模，它不需要为每个不同的切割图案制作和更换物理掩模，这大大节省了成本和时间。另一个CoWoS典型场景是AI芯片中集成的多个HBM，需要将多个DRAM芯片进行堆叠，形成大容量的存储单元。直写光刻技术在此过程中可以用于精确地绘制切割道，以便进行芯片的切割和堆叠。相比传统的切割方式，不仅提高了切割的精度，还有助于实现更紧密的芯片堆叠，从而提升存储密度和性能。此外，直写光刻技术还可以确保切割后的芯片表面平整度高，这对于后续的混合键合（hybrid bonding）等工艺至关重要。“直写光刻技术在这两种切割场景中的应用，不仅可以提高切割的精度和质量，还可以减少生产成本和时间，提高整体的生产效率。”潘昌隆强调，“通过直写光刻技术，可以实现更灵活的设计调整和更快速的产品迭代，满足市场对高性能、高密度芯片的需求。”除此之外，直写光刻技术也越来越多地用于智能纠偏。潘昌隆解释，由于目前在先进封装的晶圆重构封装中存在三大技术难点，第一是芯粒偏移(Die Shift)，这是指在芯片转移过程出现了偏位、涨缩等情况从而导致实际的芯粒位置和预设位置产生了偏差，进而需要纠偏；第二是翘曲(Warpage)，这是由EMC材料和硅片的热膨胀系数不匹配而产生的形变，会导致曝光不良；第三是残胶(Residue)。对于芯粒的偏移问题，直写光刻技术可以通过更改布线或PI层或凸点纠偏的图形矫正以保证RDL层图形的精度。此外，在FoWLP的贴片工艺中，基于直写光刻的PI纠偏方案可以很好地缩小贴片机的贴片误差。因此，在晶粒偏移、衬底翘曲、基片变形等领域，直写光刻技术的自适应调整能力，使之具有良率高、一致性好的优点。由于直写光刻相较于步进式光刻的优势主要体现在无需物理掩模就可实现实时图案调整、提升生产效率与良率等方面，因而能够适应多层和大尺寸封装的复杂纠偏需求。其灵活性和高精度纠偏能力，简化了生产流程，降低了成本，并支持了先进封装技术的快速发展，满足市场对高性能、高密度芯片的需求。机遇与挑战共存，直写光刻生态链正在重塑根据Yole和集微咨询的预估，2022-2026年全球先进封装市场规模将从379亿美元增长至482亿美元，CAGR达到6.2%。未来先进封装技术在整个封装市场的占比正在逐步提升，3D封装、扇型封装(FOWLP/PLP)、微间距焊线技术，以及系统级封装(SiP)等技术的发展成为延续摩尔定律的重要途径。同时，Yole也预测，在IC先进封装领域内，激光直写光刻设备将在未来三年内逐步成熟并占据一定市场份额，具有良好的市场应用前景。诚然，直写光刻技术在先进封装领域开始崭露头角，但目前距离大规模量产使用仍需要克服一系列技术和市场方面的挑战。潘昌隆指出，首先，随着先进封装技术的发展，对光刻精度的要求越来越高。直写光刻技术需要进一步提升其解析度，以满足更小线宽和更高密度的封装需求。其次，直写光刻在良率和产速(UPH)等方面尚不能完全与步进式光刻媲美，而良率的瓶颈主要在于市场上仍然没有专门为直写光刻开发的光刻胶以及配套的光源。传统的光刻胶和介质层材料是为步进式光刻机设计的，直写光刻技术需要与这些材料更好地匹配，以确保光刻质量和效率。最后是许多封装客户对直写光刻技术仍然缺乏了解，需要更多的市场教育和技术普及来提高客户的认知度和接受度，并且如何在市场竞争中突出芯碁微装的独特优势并赢得客户信任也是一大挑战。随着国内半导体产业在先进制程领域发展受限，对先进封装的需求与日俱增，目前大陆在类CoWoS等2.5D、3D封装领域的研发正在加速挺进。芯碁微装在推动先进封装领域的国产化方面，制订并采取了一系列切实有效的计划和措施。“本土化研发是芯碁微装的核心战略之一。公司建立了强大的本土研发团队，专注于技术创新和产品开发，确保技术能够及时响应国内客户的需求。通过本土化研发，芯碁微装能够快速适应市场变化，推动技术进步。”潘昌隆表示，“在提升直写光刻良率、生产效率等方面，芯碁微装也与国内上下游产业链建立了密切的合作。例如在配套的光刻胶上，芯碁微装正与日系、大陆的i线、KrF光刻胶厂商密切合作，进行生产验证、配方调整等工作，提升量产可行性。与此同时，芯碁微装还与国内封装厂、设计公司和晶圆厂等建立了紧密的合作关系，了解客户需求和使用反馈，为他们提供定制化的解决方案。”值得一提的是，芯碁微装致力于提高零部件的国产化比例，目前90%以上的零部件已经实现国产化。这不仅减少了对进口零部件的依赖，增强了供应链的稳定性，还降低了生产成本，提高了产品的市场竞争力。随着技术的不断成熟和市场的逐步认可，整个生态链将被重塑，在生态链的各个环节，从材料供应商到设备制造商，再到最终的封装企业，都开始积极适应这一变革，探索与直写光刻技术相适应的新产品、新工艺和新解决方案。这种跨行业、跨领域的合作，将进一步加速直写光刻技术的创新和应用。相信直写光刻不仅将在先进封装领域扮演越来越重要的角色，而且将成为重塑国内半导体产业链结构和提升产业竞争力的重要推手。

近日，由英国科学院院士Russell Cowburn教授团队研制的小型台式无掩膜直写光刻系统（Durham Magneto Optics, MicroWriter ML3）分别落户中科院沈阳金属所和合肥师范学院，将助力国内各科研院所在新型材料加工、微纳电子、光机电、微流控等诸多重点研究领域取得近一步发展。小型台式无掩膜直写光刻系统（MicroWriter ML3）进入国内科研领域已有十年时间，在国内约有200台设备安装落户。凭借小巧紧凑的结构(70 cm x 70 cm x 70 cm)、友好的操作系统、简单的维护需求、超高的直写速度，特别是无需掩膜版即可直写曝光的特点极大地优化了设计成本和研究效率，深受广大科研用户的喜爱。在小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter优秀表现和Quantum Design中国全博士售后工程师团队的努力下，清华大学、北京大学、中国科技大学、南京大学、复旦大学、中科院等重点高校和研究机构已复购多台小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter，成为MicroWriter的“回头客”。图1中科院沈阳金属所安装的配备0.4 μm镜头的MicroWriter旗舰型无掩膜光刻机 近日，中科院沈阳金属所成功安装了第一套小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3。结合新硬件配置，该系统可以实现0.4 μm的极限分辨率，同时拥有包括0.4 μm、0.6 μm、1 μm、2 μm和5 μm五种特征分辨率镜头，可以实现不同精度下的快速曝光应用。结合无掩膜版图设计，科研人员可以随时尝试修改曝光图形，并可以通过设备特有的虚拟掩膜（Visual Mask aligner）功能实现实时对准观测（如图2所示），极大地提高了科研工作的时效性和便捷性。图2. （左）虚拟掩膜对准的实时界面（蓝色区域是要曝光的电极图案）及（右）终曝光显影结果图3. 0.6 μm宽度的线条阵列曝光结果及局部细节图4. 0.4 μm孔径的点阵曝光结果及局部细节同时，合肥师范学院根据自身教学与科研的需要选择了小型台式无掩膜直写光刻系统Baby Plus型号。相比于功能全面的MicroWriter旗舰机型，Baby Plus着重于客户的基本需求。Baby Plus配备有1 μm和5 μm两个精度的镜头，可以满足大部分的科研需求。图5. Quantum Design工程师为合肥师范学院师生进行无掩膜光刻机操作培训这次在合肥师范学院安装的MicroWriter Baby Plus配备的是405 nm波长光源，特别适用于在正性光刻胶上制备二维微纳结构和三维灰度结构，助力客户在微纳机电，微纳光学等领域的研究以及小批量的试产。Baby Plus也可升级成365 nm波长光源或365 nm-405 nm波长双光源，方便研究人员制备以负性光刻胶为主的结构，满足客户的各种需求。图6.左图为利用405nm光源制备的微纳电极图形，右图为三维灰度图形小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter的广泛应用在助力国内科研发展的同时，也在全球其他知名单位获得持续应用和好评，包括斯坦福大学、东京大学、新加坡国立大学、伯克利大学（UC Berkeley）和美国航天局（NASA）等，证明了国内外研究单位对其广泛应用及可靠性的认可。

全国制鞋标准化技术委员会第一届三次会议日前在福建省龙岩市召开。会上对四项标准进行了审查，分别为国家强制性标准《鞋类钢勾心》、国家标准《鞋类化学试验方法富马酸二甲酯检测方法》、行业标准《鞋类帮面试验方法抗张强度和伸长率》和《鞋类、包装、运输和贮存》。 　　与会委员完善了该四项标准的内容，一致同意秘书处将该标准整理形成报批稿上报。该四项国家、行业标准审查单独形成审查会议纪要。 　　会上，中国皮革协会制鞋办公室主任卫亚非还对制鞋业要密切关注的几个问题和未来中国鞋业市场的预测做了分析。 　　卫亚非从用工环境、内销市场、产业集群、进出口情况、资本运行情况诠释了2009年行业运行情况和特点。 　　她认为，影响鞋业发展的因素已由原来关注的原材料价格、劳动力成本等传统因素方面转向更为关注石油价格、人民币汇率、人口因素、环境保护等。在国际金融危机影响的大环境下，未来还有许多不确定因素。 　　卫亚非指出，制鞋业要密切关注人民币升值、劳动力资源短缺、城市化建设、石油价格、外资零售业的进入、物流业的建设等问题。

论文题目：Room-Temperature and Tunable Tunneling Magnetoresistance in Fe3GaTe2‑ Based 2D van der Waals Heterojunctions发表期刊：ACS Applied Materials & Interfaces IF: 9.5DOI: https://doi.org/10.1021/acsami.3c06167【引言】 基于范德华 (vdW) 异质结构的磁隧道结 (MTJs)具有原子尺度上清晰且锐利的界面，是下一代自旋电子器件的重要材料。传统的Fe3O4、NiFe和Co等材料所制成的MTJ相关器件在10-80K温度下的磁阻率仅为0.2%-3.2%，主要是因为在制备过程中界面处会受到不可避免的损伤。寻找拥有清晰且完整界面的垂直磁各向异性(PMA)的铁磁性晶体就成为了发展MTJ相关器件的关键。二维过渡金属二硫属化物是一种具有清晰的界面二维铁磁材料，近年来成为制备MTJ相关器件的明星材料。然而，在已报道的研究中，尚未有在室温下还展现出一定隧穿磁阻率的相关研究。【成果简介】 近日，华中科技大学相关团队利用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3制备出了基于垂直范德华结构的室温条件下的MTJ器件。器件的上下电极为Fe3GaTe2，中间层为WS2。非线性I-V曲线显示了Fe3GaTe2/WS2/Fe3GaTe2异质结构的隧穿输运行为。在10K的温度下，其隧穿磁阻率可达213%，自旋极化率可达72%。在室温条件下，所制备器件的隧穿磁阻率仍可达11%，此外，隧穿磁阻率可以通过外加电流进行调控，调控范围为-9%-213%，显示出了自旋滤波效应。相关工作以《Room-Temperature and Tunable Tunneling Magnetoresistance in Fe3GaTe2‑ Based 2D van der Waals Heterojunctions》为题在SCI期刊《ACS Applied Materials & Interfaces》上发表。 文中所使用的小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3具有结构小巧紧凑(70 cm x 70 cm x 70 cm)，无掩膜直写系统的灵活性，还拥有高直写速度，高分辨率等特点，为本实验提供了方便高效的器件制备方案。 小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3【图文导读】图1. Fe3GaTe2/WS2/Fe3GaTe2异质结构的MTJ器件结构及表征。（a）Fe3GaTe2/WS2/Fe3GaTe2异质结构的MTJ器件结构的示意图。（b）Fe3GaTe2/WS2/Fe3GaTe2异质结构的MTJ器件各部分的AFM表征。（c）MTJ器件的刨面图。图2. Fe3GaTe2霍尔器件的磁传输特性。（a）利用MicroWriter ML3无掩模光刻机制备的Fe3GaTe2霍尔器件的AFM表征结果。（b）Rxx随温度的变化。（c）不同温度下，Rxy随磁场的变化。图3. Fe3GaTe2/WS2/Fe3GaTe2异质结构的MTJ器件的电磁输运特性。（a）在10K和300K的温度下的I-V曲线。（b）在温度为10K和电流为10nA的条件下，电阻和隧穿磁阻率随磁场的变化。图4. 在10K到300K的温度范围内的磁输运测量结果。(a)隧穿磁阻率在不同温度下的结果。（b）隧穿磁阻率随温度的变化。（c）自旋极化率随温度的变化。图5. 论文中制备的器件与其他论文中器件的自旋极化率比较。【结论】 论文中，华中科技大学相关团队利用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3 制备了基于Fe3GaTe2/WS2/Fe3GaTe2异质结构的MTJ器件。该器件在10K的温度下，隧穿磁阻率高达213%，自旋极化率为72%。与已报道的MTJ器件相比，论文中所制备的器件在室温下的隧穿磁阻率仍可达11%，为自旋电子器件的发展提供了一种可能。此外，在论文中还可以看出，小型台式无掩膜直写光刻系统-MicroWriter ML3得益于其强大的光刻和套刻能力，可以十分方便地实现实验中所设计图形的曝光，是各学科科研中制备各类微纳器件的得力助手。

中国政府采购网5月13日发布《北京量子信息科学研究院科研仪器设备激光直写光刻机单一来源采购公示》，拟采购的货物为激光直写光刻机2台。北京量子信息科学研究院将以单一来源采购方式从Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 在中国大陆的唯一代理商华格科技（苏州）有限公司进行仪器采购，总预算金额1300万元。公示期限为2022年5月13日至2022年5月20日。采用单一来源采购方式的原因为：计划采购的激光直写光刻机需要可加工的最小结构尺寸达 0.3 μm，可以满足工艺的最低要求，而由于激光直写类设备的原理及工艺限制，0.3 μm 基本上是该类设备可以达到的极限。在全球范围内对比了多种激光直写设备，目前只有 Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 的 DWL66+激光直写光刻机可以达到要求。此外，随着芯片工艺的复杂度和芯片面积的不断上升，现有激光直写设备速度较慢的问题逐渐凸显，对流片速度产生了明显的影响。我们计划采购的另一台激光直写光刻机要求在保证最小结构尺寸不大于 0.8 μm 的条件下，曝光速度不小于 800 mm2 /min，并且可以加工 8 英寸晶片，对缩短芯片研发、生产周期具有不可替代的作用。我们在全球范围内对比了多种激光直写设备，目前只有 Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 的 VPG200+激光直写光刻机在不大于 0.8 μm 的最小结构尺寸下具有≥800 mm2 /min 的直写速度。华格科技（苏州）有限公司是 Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 在中国大陆的唯一代理商。综合以上研究要求，特申请以单一来源形式，通过华格科技（苏州）有限公司采购所需的激光直写光刻机。参与本次单一来源采购论证的专家为：北京大学副教授康宁、北京大学副教授吴孝松、中国科学院物理研究所副研究员屈凡明、中国科学院物理研究所副研究员田野、中国科学院物理研究所副研究员宋小会、北京政法职业学院教授孟德花、北京京棉纺织集团有限公司高级经济师刘放。专家论证意见如下：

近年来，实现微纳尺度下的3D灰度结构在包括微机电（MEMS）、微纳光学及微流控研究领域内备受关注，良好的线性侧壁灰度结构可以很大程度上提高维纳器件的静电力学特性，信号通讯性能及微流通道的混合效率等。相比一些获取灰度结构的传统手段，如超快激光刻蚀工艺、电化学腐蚀或反应离子刻蚀等，灰度直写图形曝光结合干法刻蚀可以更加方便地制作任意图形的3D微纳结构。该方法中，利用微镜矩阵（DMD）开合控制的激光灰度直写曝光表现出更大的操作便捷性、易于设计等特点，不需要特定的灰度色调掩膜版，结合软件的图形化设计可以直观地获得灰度结构[1]。由英国皇家科学院院士，剑桥大学Russell Cowburn教授主导设计研制的小型无掩膜激光直写光刻仪（MicroWriter, Durham Magneto Optics），是一种利用图形化DMD微镜矩阵控制的直写曝光光刻设备。该设备可以在无需曝光掩膜版的条件下，根据用户研究需要，直接在光刻胶样品表面上照射得到含有3D灰度信息的曝光图案，为微流控、MEMS、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。此外，它还具备结构紧凑（70cm × 70cm X×70cm）、高直写速度，高分辨率（XY ~ 0.6 um）的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。目前在国内拥有包括清华大学、北京大学、中国科技大学、南京大学等100余家应用单位，受到广泛的认可和好评。结合MicroWriter的直写曝光原理，通过软件后台控制DMD微镜矩阵的开合时间，或结合样品表面的曝光深度，进而可以实现0 - 255阶像素3D灰度直写。为上述相关研究领域内的3D线性灰度结构应用提供了便捷有效的实验方案。图1 利用MicroWriter在光刻胶样品表面上实现的3D灰度直写曝光结果，其中左上、左下为灰度设计原图，右上、右下为对应灰度曝光结果，右上莲花图案实际曝光面积为380 × 380 um，右下山水画图案实际曝光面积为500 × 500 um 图2 利用MicroWriter实现的3D灰度微透镜矩阵曝光结果，其中SEM形貌可见其优异的平滑侧壁结构 厦门大学萨本栋微纳米研究院的吕苗研究组利用MicroWriter的灰度直写技术在硅基表面实现一系列高质量的3D灰度图形转移[2]，研究人员通过调整激光直写聚焦深度以及优化离子刻蚀工艺，获得具有良好侧壁平滑特征的任意3D灰度结构，其侧壁的表面粗糙度低于3 nm，相较此前报道的其他方式所获得的3D灰度结构，表面平滑性表现出显著的优势。MicroWriter的灰度曝光应用为包括MEMS，微纳光学及微流控等领域的研究提供了优质且便捷的解决方案。图3 利用MicroWriter激光直写在硅基表面实现图形转移过程示意图图4 利用MicroWriter激光直写曝光在硅基表面转移所得的3D灰度结构的实际测量结果与理论设计比较，其中图a中红色散点表示实际图形结构的纵向高度，黑色曲线为图案设计结果；图b中左为设计图形的理论各点高度，右为实际转移结果的SEM形貌结果，其中标准各对应点的实际高度。综上可以看出其表现出优异的一致性图5 利用AFM对抛物面硅基转移结构的测量与分析，可以看到起侧壁的表面平滑度可以小至3 nm以下，表现出优异的侧壁平滑性 利用MicroWriter激光直写曝光技术，不仅可以直接制备任意形状的硅基微纳灰度结构，而且可以将制备的3D结构作为模具、电镀模板或牺牲层来应用在其他材料上，如聚合物、金属或玻璃等。这种直观化的激光直写技术在诸多维纳器件研究领域中表现出显著的应用优势和开发前景。 参考文献：[1] Hybrid 2D-3D optical devices for integrated optics by direct laser writing. Light Sci. Appl. 3, e175 (2014)[2] Fabrication of three-dimensional silicon structure with smooth curved surfaces. J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 15(3), 034503 相关参考：英国皇家科学院院士、剑桥大学教授Russell Cowburn介绍：https://www.phy.cam.ac.uk/directory/cowburnr

金鸡报晓已迎春，元宵临近聚福门，Quantum Design China恭祝大家新春愉快，元宵吉祥。上图这幅立体逼真的画作是 Quantum Design China专为您打造的新年特别礼物。看到图像右面的坐标轴，是不是很惊讶？没错，这不是一幅手绘作品，而是借助SwissLitho公司制造的3D纳米结构高速直写设备—NanoFrazor专业定制的三维纳米雄鸡贺卡！ 这幅雄赳赳气昂昂的鸡年贺卡，其尺寸仅有10μm*10μm，深度差为50nm，是目前全球小的三维纳米鸡年贺卡。整只雄鸡的微纳尺寸，以及鸡身立体的轮廓和清晰的线条，都体现了3D纳米结构高速直写机NanoFrazor让人膜拜的高直写精度(XY: 10nm, Z: 1nm)、高形貌感知灵敏度(0.1nm)，另外还有高速直写，无需显影，实时观察直写效果，无临近效应，无电子/离子损伤等有的特点。 NanoFrazor纳米3D结构直写机的问世，源于发明STM和AFM的IBM苏黎世研发中心，是其在纳米加工技术的新研究成果。NanoFrazor纳米3D结构直写机采用直径为5nm的探针，通过静电力控制实现直写3D高精度直写，并通过悬臂一侧的热传感器实现实时的形貌探测，次将纳米尺度下的3D结构直写工艺快速化、稳定化。该技术自问世以来已经多次刷新了上小3D立体结构的尺寸，创造了上小的马特洪峰模型，小立体地图，小刊物封面等记录。2016年10月，瑞士Swisslitho公司又发布了一款NanoFrazor Scholar，这款小型的纳米加工设备竟然可以放置在实验室桌面上，而且分辨率依然可达到XY:10nm；Z:2nm，轻松实现小于20nm的线宽与间距，更加便于课题组内进行纳米原型器件、微纳光学/光子学/磁学，NEMS、超材料等领域纳米机构与器件的设计与制备，是纳米结构和器件加工制备领域的之选。 2017的年味儿少不了科学的情怀，少不了我们对未知的探索和追求，带着NanoFrazor专业定制的全球小的三维纳米雄鸡贺卡，Quantum Design China祝愿大家在新的科学年中创意无限，收获满满！2017，Quantum Design China将继续伴您左右，提供丰富、的科研设备，便捷、专业的售后服务，助力您的科学研究更有说服力，更具创造力！ 相关产品： 3D纳米结构高速直写机NanoFrazor: http://www.instrument.com.cn/netshow/C226568.htm小型台式无掩模光刻系统: http://www.instrument.com.cn/netshow/C155920.htm

3d christmas card made by the nanofrazor in ppa resist.the dimensions: 12μm*7μm , depth from 0 to 60nm 这幅圣诞贺卡的整个画面尺寸仅有12μm*7μm，厚度仅有60nm，图中“Merry Christmas”字迹清晰且格外流畅，风景刻画得栩栩如生，在圣诞的钟声敲响之前，Quantum Design中国子公司献上的这幅Nanofrazor直写的“Merry Christmas”纳米结构一定能够为您带来好的圣诞祝福。 Nanofrazor书写的纳米结构欣赏 Nanofrazor纳米3D结构直写机的问世，源于发明STM和AFM的IBM苏黎世研发中心，是其在纳米加工技术的新研究成果。Nanofrazor纳米3D结构直写机采用直径为5nm的探针，通过静电力控制实现直写3d高精度直写，并通过悬臂一侧的热传感器实现实时的形貌探测，次将纳米尺度下的3D结构直写工艺快速化、稳定化。该技术自问世以来已经多次刷新了上小3D立体结构的尺寸，创造了上小的马特洪峰模型，小立体地图，小刊物封面等记录。2016年10月，瑞士swisslitho公司又发布了一款Nanofrazor S cholar，这款小型的纳米加工设备竟然可以放置在实验室桌面上，而且分辨率依然可达到xy:10nm；z:2nm，轻松实现小于20nm的线宽与间距，更加便于课题组内进行纳米原型器件、微纳光学/光子学/磁学，NEMS、超材料等领域纳米机构与器件的设计与制备，是纳米结构和器件加工制备领域的之选。 Nanofrazor落户澳大利亚墨尔本微纳加工中心 澳洲台Nanofrazor系统也于近日在墨尔本纳米加工中心(MCN)成功安装，该纳米加工中心是澳大利亚大的对外公开的纳米加工洁净室。斯温伯尔大学的Saulius Juodkazis教授率先推动Nanofrazor在MCN的采购，并获得墨尔本大学、莫纳什大学和斯威本科技大学出资支持。他们都将受益于纳米制造新技术带来的许多新的可能性，而这些新的机遇和可能主要来自Nanofrazor的高分辨率和3D纳米结构的制备能力。 相关产品： 3d纳米结构高速直写机nanofrazor : http://www.instrument.com.cn/netshow/c226568.htm

p 　　博士毕业论文正文近一半篇幅与自己所带的学生硕士毕业论文雷同，就连致谢也部分一致。近日，厦门大学附属中山医院院长、党委副书记、厦门大学医学院常务副院长蔡建春，再次被举报其申请厦门大学博士学位的论文涉嫌抄袭。 /p p 　　8月10日，《中国青年报》刊发《院长博士论文被指抄袭学生硕士论文》，指出厦门大学在7月14日宣布“进行调查”后，一直未公布调查结论。8月10日晚，厦门大学官方微博发布了《关于“蔡建春博士论文被指抄袭”调查情况的说明》。 /p p 　　厦门大学表示，蔡建春博士论文与两位学生硕士论文的重合，皆来源于其博士期间主持的两个项目，“不构成对他人科研成果的剽窃，但其在写作及引文上的严重不规范行为属于学术不端。” /p p 　　中国青年报· 中青在线记者进一步调查发现，曾“被抄袭”的硕士生黄安乐硕士毕业论文又与其师兄刘凯华的硕士毕业论文存在大面积相似，而刘凯华也为蔡建春的硕士生。同时，读博期间，蔡建春本人另有多篇文章涉嫌“一稿多投”。 /p p 　　按照厦门大学的说法，蔡建春论文内容出现重合是因为他与学生一同享有项目成果。但该课题成果三度作为学位论文被陆续发表，过高的重合率为何顺利通过审核?蔡建春本人多篇文章涉嫌“一稿多投”或“自我复制”，为何顺利毕业?按照教育部对学术不端的处理规定，为何未见校方公布处罚措施? /p p 　　 strong 厦大称不属剽窃系学术不端 /strong /p p 　　厦门大学表示，8月9日，厦门大学学风委员会认定，蔡建春读博士期间曾主持过“RNA干扰技术在胃癌细胞侵袭力研究中的作用”及“shRNA沉默MMP-9及应对胃癌细胞侵袭力抑制的研究”两个项目，拥有研究成果的所有权，蔡建春指导的两个硕士生黄安乐和黄坤寨将上述两个项目试验结果应用于硕士论文，蔡建春本人也将其运用于博士论文写作中，不构成对他人科研成果的剽窃，但其在写作及引文上的严重不规范行为属于学术不端。 /p p 　　教育部2016年9月起施行的《高等学校预防与处理学术不端行为办法》第二十九条规定，高等学校应当根据学术委员会的认定结论和处理建议，结合行为性质和情节轻重，依职权和规定程序对学术不端行为责任人作出如下处理：通报批评 终止或者撤销相关的科研项目，并在一定期限内取消申请资格 撤销学术奖励或者荣誉称号 辞退或解聘 法律、法规及规章规定的其他处理措施。 /p p 　　中国青年报· 中青在线记者发现，该声明仅表示，学校已按照“学风委员会的认定结论正式启动相应的处理程序”，但并未说明将对蔡建春进行何种处理。 /p p 　　蔡建春2004年到2010年在厦门大学攻读高分子化学与物理专业的博士学位。他的博士毕业论文于2010年2月完成，共4万字左右，其中有近半与其学生黄安乐、黄坤寨的硕士毕业论文相同。黄安乐和黄坤寨分别是福建医科大学2008届、2010届肿瘤学专业硕士毕业生，蔡建春曾担任他们的硕士生导师。蔡建春本人也是福建医科大学医学系本科毕业，2002年获得该校硕士生导师资格。 /p p 　　目前，黄安乐、黄坤寨都是厦门大学附属第一医院的医生。而1998年10月至2012年9月的14年间，蔡建春曾担任该院副院长、党委书记等职务。 /p p 　　8月11日，中国青年报· 中青在线记者联系上了蔡建春的硕士生黄坤寨。他回应称，认同厦门大学的这份通报。 /p p 　　 strong 连环“抄袭”，相互致谢 /strong /p p 　　中国青年报· 中青在线记者发现，蔡建春、黄安乐、黄坤寨论文的致谢部分里，除了提及的部分老师相同外，还都提及了刘凯华。 /p p 　　刘凯华是福建医科大学肿瘤学2007届的硕士研究生，是黄安乐、黄坤寨的师兄，他的指导老师也是蔡建春。目前，他也供职于厦门大学附属第一医院。 /p p 　　刘凯华在硕士毕业论文《RNA干扰建立MMP-9基因稳定沉默的胃癌细胞株BGC823》中的致谢里，也提到了感谢师弟黄安乐。 /p p 　　黄安乐、刘凯华两人硕士论文中的“原创性声明”表明，“本人呈交的学术论文是本人在导师的指导下，独立完成的研究成果”，导师蔡建春均在其上签字。 /p p 　　《中国青年报》此前的报道显示，蔡建春博士论文约4万字，其中有近1.7万字与黄安乐的硕士论文相似。中国青年报· 中青在线记者比对了黄安乐的硕士论文《应用RNA干扰技术的MMP-9 基因沉默胃癌细胞克隆》与刘凯华的硕士论文《RNA干扰建立MMP-9基因稳定沉默的胃癌细胞株BGC823》，发现除文献综述和参考文献外，黄文2.7万多字，其中约7300字与刘文相同。而刘文一共只有约1.3万字。 /p p 　　值得注意的是，黄安乐与刘凯华两人硕士论文相同的内容，也是蔡建春博士论文与刘凯华硕士论文相同的内容。 /p p 　　黄安乐和刘凯华的硕士论文显示，黄文在2005年9月至2008年5月完成，刘文在2006年3月至2007年5月完成。 /p p 　　在两人关于实验目的的阐述上，都出现了“首次”“首先”的字样，黄文指出“首先构建了低分化胃腺癌细胞BGC823的MMP-9基因沉默细胞模型。”而刘文则表述，该研究“尝试在胃癌细胞中对MMP-9基因通过RNA干扰进行沉默，首次构建了MMP-9基因沉默的BGC823细胞株”。 /p p 　　在黄的这篇论文中，除了材料与方法与刘凯华文章基本相同外，黄文结果与分析第一部分的2、3两节也与刘文结果与分析大部分相同。黄文讨论部分的第2节“pGenesi载体介导的稳定RNAi 系统”，与刘文讨论部分的三节中的两节内容高度相似。仅将其中的两处引用作了字词上的改动，如将“考虑到”改为“鉴于”，将“效应”和“半衰期”扩写为“沉默效应”和“半衰期长短”。 /p p 　　黄文得出的结论也与刘文结论部分相似。在图片使用上，黄文与刘文的10张图中有8张相同。 /p p 　　福建医科大学教务处实践教学管理科负责毕业论文(设计)管理工作。中国青年报· 中青在线记者多次联系该科，试图询问几位学生硕士论文相似率极高如何通过查重，但该科电话始终无人接听。 /p p 　　《图书期刊保护试行条例实施细则》第十五条规定，引用非诗词类作品不得超过2500字或被引用作品的十分之一，凡引用一人或多人的作品，所引用的总量不得超过本人创作作品总量的十分之一。 /p p 　　 strong 4年间同一成果申请3个学位，论文大面积雷同 /strong /p p 　　厦门大学官方微博声明中所提到的第一个项目是“RNA干扰技术在胃癌细胞侵袭力研究中的作用”。 /p p 　　中国青年报· 中青在线记者在刘凯华的硕士论文附录里找到了类似的结果，其申请的课题项目为“RNA 干扰技术在胃癌细胞侵袭力研究中的应用”，截至发稿，记者未能查到该项目的公开信息。 /p p 　　也就是说，厦门大学通告所称由蔡建春主持的第一个项目“RNA干扰技术在胃癌细胞侵袭力研究中的作用”，也是刘凯华硕士论文的来源项目。刘凯华论文的附录显示，该项目为获厦门市卫生局重点科研项目，编号WSK200601。 /p p 　　按照前述的调查，黄安乐为刘凯华的师弟，黄文在刘文发表一年后发表，而作为两人导师的蔡建春，又于黄文发表后近2年发表了自己的博士论文。三人是否一同参与了该项目的研究?项目的终结时间是否早于黄安乐、蔡建春的毕业时间?研究是否一直在持续进行?中国青年报· 中青在线记者就项目的详细情况多次拨打厦门市卫计委科教处电话，对方回应称负责人不在。 /p p 　　比对3人的论文，记者发现，在结论部分，未有明显的更新。在结论部分，蔡建春的5条结论中有3条与黄文雷同，最后的小结与黄文小结近似。而黄文的3条结论中有1条与刘文雷同，小结大部分来自于刘文的最后一条结论。也就是说，蔡文的小结与黄文的小结高度相似，而黄文的小结又与刘文的最后一条结论几乎重合。 /p p 　　厦门大学通告提及蔡建春主持的另一项课题为“shRNA沉默MMP-9及应对对胃癌细胞侵袭力抑制的研究”。 /p p 　　中国青年报· 中青在线记者发现，在厦门大学医学院公布的蔡建春履历中，蔡建春曾主持过名为“shRNA沉默MMP-9对胃癌细胞侵袭力抑制的研究”的课题。 /p p 　　厦门大学医学院官网显示，该项目启动于2009年3月，2012年4月终止。属于福建省自然科学基金面上项目，项目批准号为2009D004。 /p p 　　都有谁参与了这个项目?“被抄袭者”是否在列?福建省科技厅计划项目管理系统查询系统显示，上述项目学科为肿瘤外科及普通外科学，成员为7人，其中高级职称成员有3人，中级职称和初级职称各1人。系统显示，项目负责人学历为博士，单位为厦门大学附属第一医院。 /p p 　　中国青年报· 中青在线记者发现，在该项目结束后的第三年，2015年4月底30卷第4期的中华普通外科杂志刊发了《基质金属蛋白酶-9基因沉默胃癌动物模型的建立》。文章注明，该论文为“shRNA沉默MMP-9对胃癌细胞侵袭力抑制的研究”课题项目资助，第一作者为黄坤寨，黄安乐、蔡建春分别为第二、第三作者。 /p p 　　值得注意的是，在黄坤寨及黄安乐的硕士论文中，并未有任何课题来源的标注。而在福建省科技厅计划项目管理系统查询系统上，该项目目前状态为“未立项”。 /p p 　　厦门大学官方微博中称，蔡建春论文写作来源于两个项目的研究成果，不构成对他人科研成果的剽窃。但中国青年报· 中青在线记者发现，在厦门大学论文库存档的蔡建春博士论文电子版中，其原创性声明一页均未填写论文所属的课题组、实验室及获得经费资助，且注明“未有此项内容，可以不作特别声明”。 /p p 　　为询问论文的纸质版一般是否填有课题组和实验室，记者致电厦门大学翔安校区图书馆，该馆一位老师表示，“我们纸本和电子版是一致的”，当问到课题来源信息为何缺失时，该老师称，“可能本来就没有”。 /p p 　　 strong 博士期间蔡建春另有多篇论文涉一稿多投 /strong /p p 　　厦门大学《关于我校硕士、博士研究生在学期间发表学术论文的规定》显示，2005年6月27日起，该校博士研究生获得博士学位之前，必须在全国核心刊物或国际同级学术刊物上，以第一作者(导师为第一作者的，第二作者视同第一作者)以“厦门大学”为第一署名单位发表2篇以上与其学位论文相关的学术论文。 /p p 　　据中国青年报· 中青在线记者不完全查询，蔡建春在2004年至2010年间发表的论文中，符合上述要求的有1篇——《老年人食管鳞状上皮化生和不典型增生及腺癌序列微卫星改变》。该文发表在2007年6月的《中华老年医学杂志》上。 /p p 　　该文第一作者蔡建春，标明来自厦门大学。其他几名作者刘棣、刘凯华、张海萍、钟山及夏宁邵，来源于福建医科大学附属厦门第一医院肿瘤外科厦门市肿瘤中心。实际上，在该文刊发前一个月，上述团队已在《福建医科大学学报》上发表了类似文章《老年人食管鳞状细胞癌、腺癌和化生-不典型增生-腺癌微卫星改变》。 /p p 　　中国青年报· 中青在线记者初步统计，上述两文还与蔡建春的另外一篇论文《Microsatellite alterations in phenotypically normal esophageal squamous epithelium and metaplasia-dysplasia-adenocarcinoma sequence》也存在大面积相似，该文发表于2008 年7月的《 World Journal of Gastroenterology 》(《世界胃肠病学杂志》)。 /p p 　　比对发现，这3篇文章均使用了近似的样本，在材料与方法、结果和讨论部分，除了部分语句经过调整语序外，内容高度相似，使用的表格和图片也几乎相同，在第3篇英文论文中，大部分语句都为直接翻译。 /p p 　　像这样“一稿多投”，内容、图片、表格存在大面积相似的情况还出现在蔡建春的另一组文章中，即《胃癌组织中相关肿瘤抑制基因启动子区甲基化状态》和《老年人胃癌肿瘤抑制基因启动子区甲基化状态》，以及《胃癌组织和正常胃小凹上皮中抑癌基因E—cadherin hMLH1 APC和MGMT的过甲基化》和《胃癌组织中E钙黏素基因启动子甲基化状态的研究》，它们分别发表于2007年4月10日第87卷第14期《中华医学杂志》、2007年7月第41卷第4期《福建医科大学学报》、2007年7月第29卷第7期《中华肿瘤杂志》和2008年2月第23卷第2期《中华普通外科杂志》。 /p p 　　同时，蔡建春曾于2007年署名发表的《老年人胃癌肿瘤抑制基因启动子区甲基化状态》，其中显示，福建医科大学2006届肿瘤学硕士生刘棣为第二作者。中国青年报· 中青在线记者发现，蔡建春该文也与刘棣的硕士毕业论文《胃癌相关基因启动子甲基化状态的研究》中的两张图表和部分结论相似。值得关注的是，刘棣该文并未标注任何课题来源，刘棣的指导教师也为蔡建春。 /p p 　　2008年9月24日印发的厦门大学研究生学术活动规范(试行)第四条规定，研究生不得实施以下违反学术活动规范的行为：引用他人成果不符合著作权法关于合理使用的规定而构成不适当引用，或者引用部分构成引用者成果的主要部分或实质部分 故意重复发表自己内容实质相同的研究成果。 /p p 　　厦门大学生物医学工程研究中心官网显示，自2002年开始，蔡建春的导师张其清曾担任厦门大学医学院副院长、医学院学术委员会主任等职务。 /p p 　　中国青年报· 中青在线记者联系到了张其清，他拒绝回答蔡建春博士论文如何通过查重并取得学位一事。他表示，自2010年以来，蔡建春已经很少跟他联系，关于厦门大学对蔡学术不端的认定，张其清称要“问他自己”。 /p

期刊：ACS NanoIF：18.027文章链接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131 【引言】MoS2是一种典型的二维材料，也是电子器件的重要组成部分。研究者发现，当MoS2与石墨烯接触会产生van der Waals作用，使之具有良好的电学特性，可广泛应用于各类柔性电子器件、光电器件、传感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯异质结构背后的电输运机理尚不明确。这主要是因为传统器件只有两个接触点，不能将MoS2-石墨烯异质结构产生的电学输运特性与二维材料自身的电学特性所区分。此外，电荷转移、应变、电荷在缺陷处被俘获等因素也会对器件的电输运性能产生影响，进一步提高了相关研究的难度。尽管已有很多文献报道MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能，但这些研究主要基于理论计算，缺乏对MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能在场效应器件中的实验研究。 【成果简介】2021年，意大利比萨大学Ciampalini教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3 制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件，在场效应管器件中直接测量了MoS2-石墨烯异质结构的电输运特性。通过比较MoS2的跨导曲线和石墨烯的电流电压特性，发现在n通道的跨导输运被抑制，这一现象明显不同于传统对场效应的认知。借助第一性原理计算发现这一独特的输运抑制现象与硫空位相关。本文中所使用的小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3无需掩膜版，可在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。设备采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便，同时其还具备结构紧凑（70cm X 70cm X 70cm）、高直写速度，高分辨率（XY：图4. MoS2的输运特性。（a）室温条件下，MoS2在0-80V的VG范围内的I-V特性曲线。（b）转移特性显示出强烈的迟滞。红色箭头表面扫频方向，红色虚线为场效应移动的预计值。其中插图为测量器件的光学照片，电极用黑色圆点表示。图5. MoS2覆盖层对石墨烯的电子输运的影响。（a，b）石墨烯上不同MoS2覆盖面积的器件光学照片。（c-g）石墨烯上不同MoS2覆盖面积的转移特性，黑色覆盖率0%，橘色48%，蓝色 55%，黄色69%，紫色79%。图6. 硫空位对场效应的影响。（a）MoS2-石墨烯界面的能带结构和态密度。（b）不同门电压条件下，场效应所导致的电子和空位的分布。蓝色表示电子，红色表示空位。（c，d）在不同门电压条件下，MoS2-石墨烯界面的侧视图以及硫空位（绿色）的位置。图7. 不同硫空位密度条件下，石墨烯导电性能计算值。 【结论】Ciampalini教授课题组首先制备了MoS2-石墨烯二维材料的异质结构，在此基础上使用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3制备了多场效应管器件。通过对多场效应管器件的直接测量，发现了MoS2覆盖层对石墨烯电输运性能的独特抑制作用。为了更好地理解这一独特电输运现象，采用第一性原理的方法，计算了硫空位对石墨烯导电性能的影响。该工作为后续的石墨烯场效应电学及光电器件的研究和应用打下良好的基础。同时，从文中也可以看出，课题组最主要的优势是能够制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件。在制备该器件过程中，需要及时修改相应的参数，得到优化的实验结果，十分依赖灵活多变的光刻手段，小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3可以任意调整光刻图形，对二维材料进行精准套刻，帮助用户快速实现器件制备，助力电输运研究。小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3

在自然界中生物能够对外界刺激做出反应并产生特定的形状变化，这种响应行为对生物体的生存和繁衍至关重要。在众多材料中，水凝胶因其模量适中，刺激响应条件多样以及生物相容性好等因素而引起了广泛关注。随着仿生学以及材料科学的发展，能够感知和响应外部刺激的智能水凝胶致动器在软体机器人、传感和远程操控等领域显示出良好的应用前景。目前，微加工技术已经将响应型水凝胶致动器的尺寸缩小到微米级。然而，如何在微尺度下构建能够对复杂的微环境进行多重响应的水凝胶微致动器仍然是一个挑战。 　　近日，中国科学院理化技术研究所研究员郑美玲团队在双刺激协同响应的水凝胶微致动器的研究工作中取得进展。团队通过非对称飞秒激光直写加工制备了一种双刺激协同响应的水凝胶微致动器。该水凝胶微结构对pH/温度的双重协同响应是通过添加功能单体2-(二甲基氨基)乙基甲基丙烯酸酯实现的。通过水凝胶微结构的拉曼光谱分析，解释了不同pH和温度下协同响应的产生机制，并且展示了由pH或温度控制的聚苯乙烯微球的捕获。该研究为设计和制造可控的微尺度致动器提供了一种策略，并在微机器人和微流体中具有应用前景。研究成果发表于Small 。 　　飞秒激光直写加工技术由于具有超高的空间分辨率、三维加工能力和无需实体掩膜等特点，被广泛用于制备各种三维微结构。研究人员利用含有功能单体的光刻胶，通过调整激光功率、扫描速度和扫描策略实现了具有不对称交联密度的双重响应水凝胶微结构的制备(图1)。 　　进一步地，研究人员制备了含有三个不对称微臂的微致动器来提高对不同环境的刺激响应能力。该微致动器由三个交联密度交替分布的微臂组成。为了更加方便地展示水凝胶微致动器在不同温度及pH条件下的可控性，研究还使用了直径10微米的聚苯乙烯微球作为目标颗粒在不同条件下进行捕获(图2)。 　　此外，研究人员还描述了一种具有双刺激协同响应特性的微致动器(图3)，其具有的更为丰富的形状变化是由温度升高时的氢键断裂与酸性条件下叔胺基的质子化同时作用产生的。该研究提出的双重刺激协同响应特性相较于单一响应刺激赋予了微制动器更大的可操控性，这一特性使其在微操纵和微型软体机器人方面具有潜在应用。图1 双刺激协同响应型水凝胶微致动器的制备与响应机制图2 双重刺激响应型水凝胶微致动器的捕获行为图3 水凝胶微致动器的双重刺激协同响应特性

制造高品质的固态硅基量子器件要求高分辨率的图形书写技术，同时要避免对基底材料的损害。来自IBM实验室的Rawlings等人利用SwissLitho公司生产的3D纳米结构高速直写机NanoFrazor，结合其高分辨热探针扫描技术和高效率的激光直写功能，制备出一种室温下基于点接触隧道结的单电子晶体管（SET）。利用扫描探针可以确定佳焦距下的Z向位置，同时确定扫描探针和激光直写的位置补偿，研究人员在兼顾高分辨和高效率书写条件下得到小于100nm的度。利用CMOS工艺兼容几何图形氧化流程，研究人员在N型简并掺杂（＞1020/cm3）的缘硅基底上制备出该SET器件。所研究的三种器件的特性主要由Si纳米晶和嵌入SiO2中的P原子所控制，进而形成量子点（QDs）。量子点上电子尺寸微小且局域性强，保证了SET在室温情况下的稳定运行。温度测量结果显示在100 – 300 K的范围内，电流主要由热激发产生，但在＜100K时，主要以隧道电流为主。在硅基量子点器件的制备过程中，内部精细的功能器件区域一般要求高分辨率书写，但是在外部电相对粗糙的连接处仅需要高效的相对低分辨率刻蚀，这就是所谓的“混合搭配光刻”(mix-and-match lithography)。但是两种不同原理的书写技术结合应用会增加工作量，同时带来图形转移过程的位置偏差和对样品表面的污染。在本工作中，3D纳米结构高速直写机NanoFrazor系统将激光直写技术与高分辨热探针书写技术（XY: 10nm，Z: 1nm）相结合（如图1所示），这样可以利用热探针技术实现高分辨率区域的图形书写，而利用激光直写技术实现低分辨率区域的快速书写（如图2a所示， 蓝色区域为激光直写区域，深绿色区域为热探针书写区域），后实现一次性书写整体图形的高效性，同时避免了不必要流程所导致的表面污染和位置偏差。 图1：a) 热探针和激光透镜的结构示意图。b) 热探针连接在Z向压电传感器和位移台上，平行激光经透镜聚焦在样品表面。通过摄像头收集反射光实现样品成像，利用探针和激光的位置补偿进行表面书写。 图2：单电子器件（SET）的制作工艺流程示意。a) 器件图形示意，粉色区域为制备SET前的预图形书写区域。图形中央30μm×30μm区域中包含利用激光直写区域（蓝色）和利用热探针技术书写区域（深绿色）；b) 位置校准示意；c) 对书写区域进行定位。d) 利用热探针技术进行高分辨率书写（图2a中深绿色区域）；e) 利用激光直写技术进行低分辨率快速书写（图2a中蓝色区域）；f) 利用RIE实现图形向硅层转移；g) 通过热氧化得到器件通道中的点接触通道。 IBM专门研发设计的NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机所采用的针是具有两个电阻加热区域，针上方的加热区域可以加热到1000℃，二处加热区域作为热导率传感器位于侧臂处，其能感知针与样品距离的变化，精度高达0.1nm。因此，在每行直写进程结束后的回扫过程中，并不是通过针起伏反馈形貌信息，而是通过热导率传感器感应形貌变化，从而实现了比AFM快1000余倍的扫描速度，同避免了针的快速磨损消耗。NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机与传统的微纳加工设备，如纳米醮印、激光直写、聚焦离子束刻蚀FIB、电子束诱导沉积、电子束光刻EBL等技术相比，具有高直写精度 (XY: 高可达10nm, Z: 1nm)以及高直写速度（20mm/s 与EBL媲美），具备实时形貌探测的闭环刻写技术以及无需标记拼接与套刻等特技术优势。加上其性价比高，使用和维护成本低，易操作等特点，成为广受关注的纳米加工设备。拓展阅读：Fast turnaround fabrication of silicon point-contact quantum-dot transistors using combined thermal scanning probe lithography and laser writingC. Rawlings, Y. K. Ryu, M. Rüegg, N. Lassaline, etc.DOI: 10.1088/1361-6528/aae3df

日前，土耳其经济部发布了一项新的通讯No 2012/30，以控制鞋类中的邻苯二甲酸盐。该要求自2012年11月5日起生效。 　　其涵盖的产品范围包括： 　　• 所有种类的男鞋和女鞋 　　• 所有种类的童鞋 　　• 所有种类的划分为男女皆可穿的鞋 　　• 塑料鞋和拖鞋 　　• 在家穿的拖鞋和便鞋 　　• 鞋跟高于3 mm的鞋。 　　进口商需要提交授权实验室签发的证明该产品符合邻苯二甲酸盐要求的合格评定文件。所有的文件将提交给风险追踪控制系统(Risk based Trace control system)，系统将随机进行抽查检验。 　　受限的邻苯二甲酸盐的种类如下，其限值为0.1%： 　　• 邻苯二甲酸二丁酯(DBP) 　　• 邻苯二甲酸丁酯苯甲酯(BBP) 　　• 邻苯二甲酸二异壬酯(DIINP) 　　• 邻苯二甲酸二异癸酯(DIDP) 　　• 邻苯二甲酸二正辛酯(DnOP) 　　• 邻苯二甲酸二(2-乙基己)酯-(DEHP)。

为便于国内外科研学者交流新纳米结构研究成果，共同推动纳米加工学科和新技术的蓬勃发展。2017年6月23日， Quantum Design中国子公司与北京航空航天大学国际交叉科学研究院进行良好合作，在该院校微纳实验平台的基础上举办“NanoFrazor 3D纳米结构高速直写技术研讨会”，对国内外高端纳米加工技术展开详细介绍与讨论，同时就NanoFrazor Explore 3D纳米结构高速直写设备向国内各地课题组开放良好合作机会。 会议中，Quantum Design中国子公司在Swisslitho厂商及国际交叉科学研究院老师们的大力支持下，就微纳米加工技术，微纳器件制备与性能，MEMS/NEMS，光学/光子学等领域进行了现场学术交流，Swisslitho厂商技术指导在NanoFrazor纳米加工平台上现场演示了高通量光刻、纳米叠加等纳米加工工艺操作，毕加索名画及纳米线套刻工艺数秒呈现，引起了大家的大兴趣。 NanoFrazor Explore 3D纳米结构高速直写技术是一种真正意义上的纳米3D图形加工技术，可以实现多种材质的3D微纳结构加工，实现XY轴高10nm加工线宽和间距，1nm的Z向精度，广泛应用于微纳光子学，半导体器件，表面等离子激元，MEMS等研究领域，并取得多项突出研究成果。感谢北京航空航天大学国际交叉科学研究院对本次微纳研讨会成功举行提供的各项支持，期待这项IBM新研发技术能够帮助纳米直写领域的院校及老师们取得更加突出的科研成果！相关产品链接3D纳米结构高速直写机 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C226568.htm无掩模激光直写光刻系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C155920.htm

为什么Microlight3D双光子聚合激光直写技术能实现67nm超高分辨率3D打印?Microlight3D是一家生产用于工业和科学应用的高分辨率微尺度2D和3D打印系统的专业制造商。MicroFAB-3D光刻机是该公司于2019年推出的第一台紧凑台式双光子聚合系统，一经推出便得到客户的广泛好评。 MicroFAB-3D基于双光子聚合激光直写技术，可在各种光敏材料上制造出蕞小尺寸可达67nm的二维和三维特征结构，兼容各种聚合物，包括生物兼容性材料、医用树脂和生物材料，为微流控、微光学、细胞培养、微机器人或人造材料领域开辟了新的前景。双光子聚合激光直写，也称双光子3D打印，基于“双光子吸收效应”， 可以将反应区域限制在焦点附近极小的位置（称之为“体元”），通过纳米级精密移动台，使得该焦点在物质内移动，焦点经过的位置，光敏物质发生变性、固化，因此可以打印任意形状的3D物体。双光子聚合激光直写技术摒弃了传统增材制造（Additive Manufacturing）层层叠加的方法，使得层与层之间的精度大大提高，消除了“台阶效应”，使得我们可以制造低粗糙度、高精度的器件，如各种光学元件、维纳尺度的结构器件等。基于双光子聚合激光直写技术的microFAB-3D完全适用于超高分辨率3D打印，结合合适的光敏材料，“体元”直径可小至67nm，有时甚至可以更小。结合我们专有的软件，microFAB-3D激光可以在材料内部自由移动，创造出一个坚固的结构。 激光甚至可以穿过聚合的部件，因此“体元”可以在单体内部的三维空间中自由移动，可以高精度地创建任何3D形状，例如没有支撑的悬垂物、内部的体块、中空通道结构等等。 由于光敏材料、激光波长和所用的物镜直接影响打印的分辨率，所以我们的532 nm波长确保了低于67nm的超高3D打印分辨率，我们的用户已经实现了在3D结构中小于100nm的横向分辨率!Microlight3D双光子聚合3D纳米光刻机∣主要特征：1、高分辨率3D打印得益于双光子聚合激光直写技术，无论是基础版本还是先进版本，都可以实现至少67nm的刻写分辨率，最高记录67nm 。 2、打印最复杂的结构与传统的3D打印技术不同，双光子聚合激光直写技术摆脱了传统的“一层一层”的光刻方法。可以打印非常复杂的结构而不需要特殊材料支持或后续处理，增强了材料的机械性能。 3、分辨率自动调节我们的软件可以让您在制造过程中可以随时调节打印分辨率。用大“体元”得到更快的打印速度，用小“体元”实现更复杂、更精密的结构。 4、高精度自动定位microFAB-3D先进版本配备了反馈相机和专用软件功能，使您能够在已经有图案的基板甚至光纤的尖端上直接对齐和打印。您可以轻松和精细地调整聚焦点的位置，精度小于1µm。 5、独特的技术、更高的性能创新的纳米3D打印系统依赖于具有独特特点的工业激光器，带来最高的打印分辨率、紧凑性、成本效率和使用灵活性。除此之外，这些工业激光器完全支持长时间运行而无需定期的维护，提供了更好的可靠性与稳定性。 6、从基础版本升级到先进版本MicroFAB-3D可以根据您的需求和预算轻松地升级。您可以使用MicroFAB-3D标准版本探索高分辨率的3D打印，之后升级为MicroFAB-3D高级版本以实现大范围的复制、Voronoi结构光刻等附加功能。Microlight3D双光子聚合3D纳米光刻机∣兼容材料：我们为我们的双光子聚合激光直写3D纳米光刻机提供了10种专利光刻胶，这些树脂的各种性能允许您探索多种应用领域。我们的系统也与各种商业上可用的光刻胶兼容，如Ormocomp, SU8, FormLabs树脂，NOA-line树脂，甚至水凝胶或蛋白质等。这些光刻胶可能是生物兼容的，有的已被认证实现微型医疗设备。如果您想使用定制的、自制的聚合物，我们也可以帮助您调整系统以适应您的工艺。Microlight3D双光子聚合3D纳米光刻机∣应用领域： 微光学和光子学 微流控 2D材料 微型医疗设备 细胞培养与组织工程 微电子学 微机械 光电子 金属材料 传感器 天线 微型机器人Microlight3D双光子聚合3D纳米光刻机∣规格指标：关于生产厂商Microlight3D：Microlight3D是高分辨率微尺度2D和3D打印系统的专业制造商。Microlight3D致力于满足科学家和工业研究人员新的设计加工需求，以及高精度生产任何几何或非几何形状的微型零件。通过结合2D和3D微纳打印技术，Microlight3D为客户提供了制造更大尺寸复杂部件的灵活性。它的目标是为未来的新兴领域提供更快、更复杂的微型制造系统。Microlight3D的设备现用于微光学、微流体、微机器人、超材料、细胞生物学和微电子学等。 Microlight3D在2016年成立于法国格勒诺布尔，在Grenoble Alpes大学(UGA)进行了超过15年的3D微纳打印技术研发。 上海昊量光电作为Microlight3D在中国大陆地区代理商，为您提供专业的选型以及技术服务。对于Microlight3D有兴趣或者任何问题，都欢迎通过电话、电子邮件或者微信与我们联系。关于昊量光电昊量光电 您的光电超市！ 上海昊量光电设备有限公司致 力于引进国 外先 进性与创 新性的光电技术与可 靠产品！与来自美国、欧洲、日本等众多知 名光电产品制造商建立了紧 密的合作关系。代理品牌均处于相关领域的发展前 沿，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国 防及前沿的细分市场比如为量 子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先进激光制造等。 我们的技术支持团队可以为国内前沿科研与工业领域提 供完 整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优 质服务，助力中国智 造与中国创 造! 为客户提 供适合的产品和提 供完 善的服务是我们始终秉承的理念！

近期，由中国光学工程学会、辽宁省科学技术协会主办的全国光电测量测试技术及产业发展大会暨辽宁省第十七届学术年会在大连成功召开。会议同期举办首届“金燧奖”中国光电仪器品牌榜颁奖典礼。仪器信息网作为大会独家合作媒体参与了本次会议，并采访了金燧奖金奖获奖单位代表苏州苏大维格科技集团股份有限公司（以下简称“苏大维格”）董事长陈林森。苏大维格的获奖项目为“激光直写系统”。该项目旨在解决半导体、光电子的图形化问题，传感器的微纳结构化，以及培育催生新产品、新技术服务于产业升级和技术进步。该成果实现了怎样的创新突破，解决了什么样的关键问题，面向的主要用户有哪些？有哪些技术优势？该成果当前的产业化情况如何，取得了怎样的经济效益或社会效益，未来的市场前景如何？随着技术的进步和产业的发展，未来还将对相关技术提出哪些技术需求和挑战？有哪些发展建议？更多内容请观看视频： 首届“金燧奖”中国光电仪器品牌榜由中国光学工程学会联合多家单位于2022年发起，旨在积极面向国家重大战略需求，进一步突出企业的创新主体地位，促进关键核心技术攻关，突破卡脖子技术。本届“金燧奖”重点围绕分析仪器、计量仪器、测量仪器、物理性能测试仪器、环境测试仪器、医学诊断仪器、工业自动化仪器等7个类别进行广泛征集，得到了社会各界积极的参与和热情的响应。经过严格评审，71个优秀仪器产品脱颖而出，遴选出金奖10项、银奖16项、铜奖28项、优秀奖17项。这些产品都是我国自主研发、制造、生产的专精特新的高端光学仪器，较好地展现了我国在高端科学仪器中的自主核心竞争力，提升了民族品牌在激励市场竞争中的自信心，鼓舞了国产厂商的攻关热情。

研究背景光栅和全息图是通过微纳结构表面的衍射来对光信号进行调制的。尽管这种作用方式历史悠久，但人们一直在相关领域不断的探索，以发展功能更为强大的应用。进一步的发展可以基于傅立叶光学来设计、构筑傅里叶面的微纳结构，以生成所需的衍射输出信号。在这种策略中，需要能够地调制波前，理想的样品表面轮廓应该包含正弦波的总和，每个正弦波具有明确的幅度，频率和相位。但是由于技术的局限，通常只能制备有几个深度别轮廓，无法获得复杂的连续“波浪”表面，从而限制了使用简单的数学设计而实现复杂的衍射光学效果。 研究亮点针对以上问题，苏黎世联邦理工的Nolan Lassaline博士等人，提出了一种简单而有效的方法来解决设计和制备间的差距，制备了任意数量的正弦波组成的光学表面。Nolan Lassaline等人使用扫描热探针t-SPL技术与模板法相结合的策略，制备了周期性和非周期性的光学表面结构。多元线性光栅允许利用傅里叶光谱工程调控光信号。同时，Nolan Lassaline等人克服了先前光子学实验的限制，制备了可以在同一入射角同时耦合红色，绿色和蓝色光的超薄光栅。更广泛地，Nolan Lassaline等人还分析设计并且复制了复杂的二维莫尔条纹，准晶体和全息图结构，展示了多种以前无法制备的衍射表面。Nolan Lassaline等人制备任意3D表面的方法，将为光学设备（生物传感器，激光器，超表面和调制器）以及光子学的新兴区域（拓扑结构，转换光学器件和半导体谷电子学）带来新的机遇。图1 一维调制傅里叶曲面实际效果图图2 二维调制傅里叶曲面实际效果图图3 周期性及准周期性傅里叶表面图案 图4 傅里叶表面的应用 高精度三维刻写技术之于本工作的重要意义苏黎世联邦理工的Nolan Lassaline博士使用NanoFrazor的高精度3D功能制备了一些特的3D表面傅里叶光栅，对光波进行调控，有选择地透射或者反射选定波长的光信号，使得光栅只和选定波长的光信号相互作用。这样就可以通过简单的数学模型计算和相关波长相互作用的傅里叶光栅来调控实现的光波输出。以前还没有可以完全控制每个傅里叶光波成分和光栅相互作用的好方法。一些实验尝试使用超表面，或者波浪形表面光栅，但是由于微纳制备技术的限制，（只能使用灰度光刻实现2阶或者多阶深度的表面光栅，或者使用激光干涉光刻制备类似傅里叶波形表面）不能实现对相互作用波长的完全选择。设计或者制备不的表面会和多个波长相互作用降低有用信号的成分并增加系统的复杂性。有鉴于高精度3D纳米直写之于本工作的重要意义，NanoFrazor的高销售工程师Wu博士特别与作者Nolan Lassaline博士进行了制备工艺方面的探讨和交流，其中Nolan Lassaline博士对于NanoFrazor 3D纳米结构高速直写机的评价如下：“In the field of diffractive optics, it has been known for a long time that wavy surface patterns would be ideal for manipulating light. However, due to the limitations of traditional fabrication techniques, it has not been possible to fabricate surfaces with arbitrary wavy profiles. This has ultimately limited the capabilities of diffractive optics, stimulating decades of research aimed at solving this problem. To overcome this limitation, we took advantage of the unique 3D patterning capabilities offered by the NanoFrazor. Amazingly, this allowed us to fabricate wavy metallic diffractive surfaces with an error of only 1.8 nm. We used this remarkable precision to fabricate a variety of previously impossible diffractive surfaces that show promise for both fundamental optics research and practical applications in photonics. We envision that this approach, made possible only by the NanoFrazor, will lead to advanced optical devices of the future. Beyond diffractive optics, these novel 3D surfaces open up many exciting possibilities for science and engineering across a number of different fields.”（ 大意：在衍射光学领域，很久以来人们就知道用波浪状的表面操纵调控光信号是理想的。然而，由于传统纳米制备技术的局限，不能制备出由任意正弦波形组合轮廓的表面。这终限制了衍射光学器件的功能，也激发了数十年来旨在解决这一问题的科研。我们利用NanoFrazor提供的特3D图案化功能终于突破了这一限制。更为惊讶的是，我们能够制备任意波浪形的金属衍射表面，波形误差与设计波形仅为1.8 nm。我们利用NanoFrazor非凡的高精度制备出了各种以前无法实现的衍射表面，有望更深入地探讨基础光学研究和光子学实际应用的许多课题。我们可以预想，NanoFrazor的有加工方法将改革未来先进光学器件的制备。除了衍射光学领域之外，这些新颖制备的3D波浪状表面还将开启科学和工程学许多不同研究领域的令人兴奋的新课题。）图5 傅里叶表面的设计与制备 关于本文当中傅里叶表面的设计及制备流程：A傅里叶表面的设计：先将所要制备的表面轮廓的数学表达公式（这里是在一维的正弦曲线）转换为灰度位图。图中每个像素为10 nm×10 nm，其深度别介于0和255（8位）之间。位图在白色边框内的水平方向上为正弦函数，而垂直方向不变。位图中，白色边框中的像素设置为小深度别。B银基傅里叶表面的制备工艺流程：（1）利用热扫描探针在聚合物抗刻蚀剂层中刻写设计好的纳米结构；（2）利用热蒸发工艺在刻写后的聚合物表面沉积银，厚度大于500nm；（3）利用紫外光固化环氧树脂将显微镜载玻片固定于银层背面；（4）将玻片/环氧树脂/银堆叠结构剥离下来，从而完成制备C通过模板制备得到的银基傅里叶表面。文章作者Nolan Lassaline关于本工作的讲解视频请移步至Quantum Design中国子公司官网（https://qd-china.com/zh/news/detail/2009281332211）观看。关于本工作的更多详细信息，可参考如下信息：（1）原文链接：https://www.nature.com/articles/s41586-020-2390-x?utm_source=other&utm_medium=other&utm_content=null&utm_campaign=JRCN_2_DD01_CN_NatureRJ_article_paid_XMOL（2）Nolan Lassaline博士的视频介绍资料：https://www.youtube.com/watch?v=moGtRjjhbPk

二维(2D)半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比，印刷电子因成本效益、灵活性以及与不同衬底的兼容性而受到关注。目前，印刷的二维晶体管受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以大规模应用。因此，发展简单且环保的策略对于制造低成本、大规模的打印二维材料功能器件具有重要意义。 　　中国科学院化学研究所绿色印刷院重点实验室宋延林课题组在二维原子级厚材料合成和图案化器件方面取得了系列进展，例如，二维MXene与纳米晶复合材料研究(J. Mater. Chem. 2022, 10, 14674-14691；Nano Res. 2022，DOI：10.1007/s12274-022-4667-x)、基于交替堆叠微电极的湿度传感微型超级电容器(Energy Environ. Mater. 2022，DOI：10.1002/eem2.12546)。 　　近日，化学所与清华大学、美国加州大学合作，提出了一种界面捕获效应打印策略。该策略使用低沸点水性超分散二维材料油墨，直写打印二维半导体薄膜阵列，无需添加额外表面活性剂，具体而言，通过对剥离的半导体2H-MoS2纳米片进行分级离心，获得了主要为双层厚度的窄分布纳米片；通过建立表面张力和组分比的三溶剂相图，确定了合适的油墨溶剂。印刷超薄图案(约3nm厚度)主要以单层或两层的MoS2纳米片连续均匀排列，并抑制了咖啡环，空隙率较低(约4.9%)。研究使用商用石墨烯作为电极，制备的晶体管在室温下显示出6.7 cm2V-1s-1的迁移率和2×106的开关比，超过了此前印刷MoS2薄膜晶体管的性能。基于此，科研人员制备了高密度(约47000个/cm2)印刷晶体管阵列。该界面捕获效应打印策略可应用于其他2D材料，包括NbSe2、Bi2Se3和黑磷，为印刷二维材料电子器件提供了新方法和新思路。 　　相关研究成果发表在Advanced Materials(DOI：10.1002/adma.202207392)上。研究工作得到国家自然科学基金、科技部、中科院、北京市科学技术协会及北京市自然科学基金的支持。界面捕获效应和超分散2D纳米片墨水打印原子级厚半导体薄膜器件

推动职业教育发展和培养高技能人才的道路上，福立仪器展现出了企业的社会责任感和对教育事业的支持。近年来，福立仪器不仅助力多个省份的职业院校技能大赛（化学实验技术赛项）成功举办，还为全国职业院校技能大赛（化学实验技术赛项）提供相应设备及技术支持。福立仪器以卓越的仪器性能表现和专业负责的技术服务团队收到了众多职业院校的高度评价与感谢。四川化工职业技术学院向福立致谢福立仪器为【2023 年四川省职业院校技能大赛（高职组）化工生产技术赛项】、【2023年四川省工业和信息化技术技能大赛化工总控工赛项】、【第十四届全国石油和化工行业职业技能竞赛化工总控工赛项】提供了多台高性能的气相色谱仪。气相色谱仪作为化工和化学实验领域的关键分析工具，其性能的可靠性和准确性对实验结果有着至关重要的影响。除了仪器设备支持，福立仪器还派出了经验丰富的工程师技术支持团队，到大赛现场为比赛提供技术支持，保障比赛的顺利举行！特此，四川化工职业技术学院发来感谢信，对福立提供的仪器设备和技术服务表示衷心的感谢和高度的认可。“短短一个半月时间，成功举办了三个赛项，离不开贵公司邓工、胡工等几位优秀工程师在大赛备赛、比赛期间，加班加点、精益求精......工程师专业细致，服务态度很好，高质量协助完成了比赛承办任务。”——福立仪器有覆盖全国范围的专业技术支持团队，包含线上、线下技术支持，能够及时高效响应客户需求。同时福立人一直秉持着认真、负责的态度解决用户问题，满足用户需求，不断追求卓越，精益求精，交出让用户满意的答卷。“福立仪器GC9720plus气相色谱仪在大赛中表现优异，仪器稳定性好，获得大赛专家一致认可。”——福立的仪器以其卓越的精度、稳定可靠的性能和优异的品质，满足了比赛的严苛要求，获得了专家组的高度评价，这不仅是对其产品的肯定，也是对福立技术实力的认可。结 语福立仪器将持续关注和支持职业教育的发展，通过校企合作等多种方式，助力职业教育事业的发展。未来，福立仪器将继续致力于为职业教育提供更优质的产品和服务，共同培育更多高素质技能型人才，为社会的发展贡献力量！福立设备换新方案https://mp.weixin.qq.com/s/lnc7UhvDZvXnKlpYHytBGQ

如今，量子计算研究已成为全球科技发展的一大热点，各主要国家高度关注量子计算的发展，启动国家级量子战略行动计划，大幅增加研发投入，同时开展顶层规划以及研究应用布局。同时，国际产业界也纷纷投资量子计算，如谷歌、IBM、英特尔、微软等巨头企业更是积极推动量子计算产业的发展，其中以谷歌公司在 2019 年首次实现量子霸权，为产业界在量子计算方面发展的标志。据波士顿咨询公司（Boston Consulting Group）预测，量子计算机将很快开始解决许多今天的计算机无法解决的工业问题。那么量子计算机离我们还有多远呢？从当前硬件、算法和计算机架构上来说，量子计算机还不是很成熟。在 20 多年前，澳大利亚的量子计算机专家 Bruce Kane 在《自然》上发表了名为“A silicon-based nuclear spin quantum computer”论述了搭建硅基量子计算机的问题，并指出之中的关键是要将量子比特放置在间距 10—20nm 时所能够实现的一种两比特门。众所周知，我们的电脑是由很多具有特定功能的复杂电路组成，其中就有很多逻辑门电路。这些逻辑门电路及其有序组合就是电脑中形形色色的功能的基础，进而成就了人类数字社会的今天，而逻辑门操作的稳定性和开关特性决定了电脑的很多关键性能，例如计算速度等。这种特殊的两比特门就像是我们通向通用硅基单原子量子计算机的最后一道门一样，来自南方科技大学的贺煜副研究员也许就是开启这扇通向单原子级别硅基量子计算大门的开门人。他和团队成员一起，利用高精度微纳加工方式，将两个磷原子构成的量子点分别放置在相距 13nm（也就是130）的位置上，实现了第一个适用于量子计算机的高速两比特门。图 | 《麻省理工科技评论》中国区“35 岁以下科技创新 35 人”榜单入选者贺煜贺煜现在是南方科技大学量子科学与工程研究院的副研究员、独立 PI、硅量子器件和量子计算方向团队带头人。多年来，他在量子计算和量子网络方面取得了系列开创性成果，利用前沿量子技术操纵单个原子、电子和光子，在微观世界构建未来信息技术。突破关键量子门，推进量子计算机构建从硬件的角度来说，如果能基于硅制作量子计算机无疑是最方便的，因为从材料上来说，硅在地球上的含量是十分富足的。再者，如今的半导体工艺大都基于硅材料，那么与传统半导体工艺的兼容性也能使得量子计算机的构建变得更加方便。在 2019 年，贺煜带领团队证明了硅基磷原子体系第一个两比特门，是满足通用量子计算判据的最后一条，也正是 Bruce Kane 提出的量子计算方案中关键的一环。来自南方科技大学的俞大鹏院士以此推荐贺煜博士入选“35 岁以下科技创新 35 人”榜单，并表示：“这个工作为大规模量子计算芯片奠定了坚实基础，是一个里程碑式的工作。”该成果以封面文章发表在《自然》上，贺煜为第一作者，且该工作被列为“2019 年量子计算实验十大进展”。图 | 贺煜发表在《自然》的论文贺煜创造性地采用扫描隧道显微镜技术（STM）实现纳米尺度芯片加工，成功地以单原子级别的精度将两个磷原子构成的量子点放置在 13 纳米间距上，在硅基量子芯片上实现了第一个高速两比特门——800 皮秒的根号交换门，并实现了利用全统计计数方法对比特读出保真度的优化、参与构建比特读出保真度分析的理论工作等。这是一种高精度的微纳加工方式，可用于制备单原子、单电子量子器件以及人工量子材料，并能够实现单原子尺度的量子计算，为大规模可扩展的硅基量子计算奠定了坚实基础。师从潘建伟院士和陆朝阳教授多年来，贺煜在量子计算和量子网络方面取得了系列开创性成果，用前沿量子技术操纵单个原子、电子和光子，在微观世界构建未来量子信息技术平台。回顾他的求学之路，用“根正苗红”来形容再合适不过。自本科起，贺煜就在中科大这片量子的土壤中成长，并以优异的成绩保送本校硕博连读。期间在导师潘建伟院士和陆朝阳教授的指导下，贺煜主要研究砷化镓自组装量子点，核心成果包括一系列单光子源方面开创性工作，以及首次观察到自发辐射谱线擦除效应——实现量子光学的实验突破，以及单光子向单电子自旋的量子传态等。谈及选择量子技术作为研究方向的原因，他告诉 DeepTech：“之所以一直选择量子物理、量子计算的方向，首先是兴趣爱好，是自己对于微观世界的好奇心和对量子世界的喜爱所驱动，其次是因为量子计算是一个将改变人类未来的前沿科技，尤其是硅量子计算芯片具有很大的产业潜力，希望通过自己的耕耘为社会贡献一份力量，为科学发展做一份努力。”图 | 贺煜发表在《自然-光子学》的论文2015 年以后，贺煜继续在陆朝阳教授团队做了半年的博后研究，结合博士期间的工作，实现了当时世界最高光子数玻色抽样——证明了量子计算机对于第一台电子管计算机 ENIAC 的超越和第一台晶体管计算机 TRADIC 的超越，研究成果以论文形式发表于 2017 年的《自然-光子学》上，并入选“2017 年中国十大科技进展新闻”。论文指出，为完成高性能玻色抽样实验，研究团队克服的技术难点有两个：一是基于砷化镓量子点，研究团队设计了稳定的高亮度单光子源；二是设计并使用了性能卓越的多光子干涉仪（multiphoton interferometers），其传输效率高达 99%。研究团队完成并实现了 3 光子、4 光子以及 5 光子玻色抽样实验，采样率分别为 4.96kHz、151Hz 和 4Hz，都达到之前实验的 24000 倍以上。图 | 贺煜团队开发的高性能玻色抽样实验平台这是一项十分惊人的突破，是首次量子计算机超越传统计算机的案例。火车刚刚出现时比马车还慢，飞机刚刚问世时只能在空中短暂停留，如今都是改变生活的重要科技成果。量子计算机从理论上来说，会比传统计算机快很多，是基于量子比特运行的计算机。通过量子物理学中的两个奇异的原理——“纠缠（entanglement）”和“叠加（superposition）”，量子计算机能以指数形式扩展计算机的处理速度。着眼未来，布局固态量子网络从根本上来说，量子计算机目前仍处在产业发展的初期阶段，但军工、金融、石油化工、材料科学、生物医疗、航空航天、汽车交通等行业都已注意到其巨大的发展潜力。随着时间的推移，预计 2050 年左右将达到每年 3000 亿美元的营业收入，将成为改变世界的下一代技术革命关键领域之一。回顾计算机的发展历史，世界上的第一台计算机是 ENIAC，它生于第二次世界大战，主要任务是计算弹道，是一台军用计算机。而计算机的全面普及其实与商业计算机的出现和网络的构建息息相关。那么量子计算机会不会也沿着这一条“老路”发展呢？这也是一个值得思考的问题。贺煜认为，量子计算机要走向应用，量子网络和通信是十分关键的技术，必须做以突破。如今他任教于南方科技大学，除了量子计算之外，主要研究方向还有量子网络。2017 年，他和团队实现了单光子到单电子的量子传态，开发了一整套全新的单光子频率比特控制和测量方案，验证了单个光子和电子之间的纠缠，并且把光子的量子信息传递到 5 米远的电子自旋上去，为固态量子网络研究的重要突破。图 | 贺煜及研究团队完成的“单光子-单电子”量子传态而谈及接下来的研究方向，贺煜表示：“根据硅量子计算的发展趋势，在南方科技大学量子科学与工程研究院，我将带领硅量子计算团队，研究硅基量子计算芯片和量子计算，从根本问题入手，解决目前的一些技术瓶颈：进行硅基单原子量子器件的基本物理研究；研究新型的硅基原子比特和研究比特耦合技术；利用低温扫描隧道显微镜直写技术构建新型芯片等。并将研发的新工艺和半导体芯片产业化进行对接，为将来的广阔商业前景奠定基础。”

【引言】六方氮化硼（hBN）单晶纳米片的原子平滑表面，为光电应用领域带来了革 命性的突破。在纳米光学方面，hBN的强非线性、双曲线色散和单光子发射等特性，为相应的光学和量子光学器件带来一些有性能。在纳米电子学领域，良好的物理，化学稳定性和较宽的禁带，使hBN成为二维电子器件的关键材料。目前，对hBN的研究重点局限于二维扁平结构，尚未涉其3D立体结构对性能的影响。如果能根据需求对hBN纳米片的高度做出相应调整，将为下一代光电器件中调节光子流，电子流和激子流等性能提供一个有效的方法。 【成果简介】近日，Norris教授课题组利用3D纳米直写技术和反应离子刻蚀的方法制备出可任意调控形貌的hBN纳米3D结构。此类hBN纳米3D结构在光电子器件研究领域尚属次。得意于3D纳米结构高速直写机（NanoFrazor）在光刻胶上能实现亚纳米精度的加工，Norris教授课题组运用该方法制备了光电子学相板、光栅耦合器和透镜等元件。获得的元件通过后续组装过程制备成高稳定、高质量的光学微腔结构。随后，通过缩小图形长度比例的方法，引入电子傅里叶曲面，在hBN上实现复杂的高精度微纳结构，展现了NanoFrazor在3D纳米加工领域的潜力。【图文导读】图1. 使用NanoFrazor制备hBN纳米3D结构流程图（a）左图为利用NanoFrazor在光刻胶表面上实现3D结构制备，右图为通过反应离子刻蚀方法将光刻胶上的3D结构转移到hBN的流程；（b）Mandelbrot分形图案刻蚀在光刻胶上的结果。黑色代表图形的 高处，白色为 低处；（c）光刻胶上的Mandelbrot分形图案通过图（a）中的过程转移到hBN上的结果；（d）图（c）中hBN的SEM（倾转30o）表征结果。图2. 利用NanoFrazor在hBN上制备任意形貌的纳米3D结构（a）白色中线左侧为准备的高密度图形样图，右侧为通过NanoFrazor将高密度图形转移到hBN后的实际结果；（b）将图（a）中的图形转移到hBN后的SEM表征结果；（c）AFM测量图（a）中红色虚直线所示部分的表面形貌；（d）hBN纳米3D结构的高分辨成像，左下角厚度为95 nm，右上角厚度为50 nm；（e）AFM测量hBN中高密度方形结构（29 nm）周期性图样结果，体现了NanoFrazor对制备结构的高度可控性；右上角插图是该周期性结构的快速傅里叶变换（FFT）结果。 图3. 利用NanoFrazor制备的hBN光学微纳元件（a）在130 nm厚hBN上制备螺旋相位板阵列的光学表征结果；（b）单个螺旋相位板的AFM结果；（c）具有球形轮廓的hBN微透镜光学显微照片；（d）微透镜理论图样（左侧）和实际制备结果（右侧）比较；（e）光学微腔的示意图，镜、底镜、hBN微透镜（蓝色）和带横向限制（黑色箭头）的腔模式（红色）；（f）拥有hBN微透镜的微腔角分辨光谱结果；（g）根据制备的微腔几何结构所计算的横向Ince-Gaussian模分布结果；（h）测量的横向Ince-Gaussian分布结果。图4. hBN上制备的电子傅里叶曲面（a）具有六边形晶格的电子傅里叶曲面位图；（d）将两个六边形晶格与一个在平面上旋转10°的晶格叠加而成的位图；（g）两个叠加的六边形晶格的位图，周期分别为55和47 nm，无平面内旋转；（j）将九个位图分别在平面内旋转0、20、40、60、80、100、120、140和160°后的叠加效果；（b）、（e）、（h）、（k）为使用NanoFrazor在光刻胶上制备（a）、（d）、（g）、（j）中图形时所获得的结果；（c）、（f）、（i）、（l）、是把（b）、（e）、（h）、（k）中的图案刻蚀在hBN上的AFM测量结果；（a）-（l）中的插图代表着相应图案的FFT结果。【小结】本文利用NanoFrazor有的3D纳米直写技术在hBN上实现了复杂高精度纳米3D结构的制备,为光电器件性能的应变调控和能带结构调控带来了新的研究方向。这一研究结果表明，NanoFrazor在开拓双曲线超材料、化电子、扭转电子、量子材料和深紫外光电器件等领域新的研究方向上有着重要的作用。

仪器信息网讯 9月23日，全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会第三届年会暨第十二届微光刻技术交流会在合肥顺利落幕。本届会议由全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会主办，合肥芯碁微电子装备股份有限公司（以下简称“芯碁微装”）承办。继大会9月22日进行开幕及首日日程后，23日大会召开了2022年度先进光刻技术交流会、2022年度第三届微光刻分技术委员会年会和2022-2023两届承办方揭牌仪式，会议由中科院重庆研究院王德强研究员和全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会秘书长陈宝钦分别主持。报告人 中国科学技术大学副研究员 徐光伟报告题目 《氧化镓半导体功率电子器件》功率器件广泛应用于电能传输变换的各个环节，因而在各大电脑相关领域应用广泛。功率器件是“弱点控制”和“强电运行”间的桥梁，高性能功率器有助于降低电能传输变换过程中损耗。随着近年来新能源汽车智能化升级需求的爆发，功率半导体市场增速飞快。当前氧化镓材料及器件的研究，呈现出显著的加速发展态势，是日本、美国、欧洲的研究热点和竞争重点。徐光伟在报告中从氧化镓功率器件、模型和电路等方面介绍了课题组在氧化镓功率电子器件的研究内容与进展。报告人 中科院重庆研究院王德强研究员 王德强报告题目 《Cross Disjoint Mortise Confined Solid-State Nanopores for Single-molecule Detection》&《基因改造蚕丝光刻胶》固态纳米孔在单分子检测应用中引起了广泛关注。然而，获得具有高灵敏度和鲁棒性的可控纳米孔需要在纳米孔制造方面取得革命性突破。作为一种方便、低成本的纳米孔制备方法，可控介质击穿技术很难控制纳米孔的位置和数量。这项工作提出了一种使用聚焦镓离子束和受控介电击穿技术制造的交叉分离榫眼约束固态纳米孔（CDM-Nanopore）的概念。由两个不相交的榫眼结构形成的受限域通过受控的介电击穿方法定位了纳米孔制造的位置。随后，王德强研究员又介绍了西南大学家蚕基因组生物学国家重点实验室和中国科学院重庆绿色智能技术研究院联合研发的基因改造蚕丝光刻胶。王德强表示，蚕丝蛋白属于天然蛋白，其力学性能好，生物相容性好，易于改性；结构独特使得其制备简便，分辨率良好，产业成熟，因而原料丰富，成本低廉，是绿色光刻胶的理想原料。下一步，王德强所在团队将瞄准中端需求，实现进口替代；之后，面向高端需求，突破自主可控。报告人 福建省科学研究院 刘辉文报告题目 《电位限制式电子束投影光刻技术原理》最初的电子束投影光刻使用常规掩模，采用透射加吸收高压电子束的原理。部分高压电子撞击到掩蔽层而后吸收，穿过掩模掩蔽层图形时在金属图形侧壁会产生散射并影响分辨率。另外，提高加速电压会造成掩模严重热形变，而减小束流又无法满足生产效率。而电位限制式电子束投影光刻技术采用反射加透射的原理选择性地通过电子，高压电子无法穿过掩模板掩蔽层，穿过掩膜版图案的电子将图案印到涂抹了光刻胶的晶体上。报告中，刘辉文介绍了对电位限制式电子束投影光刻技术进行的不同图形的仿真曝光，得到了分辨率为20nm的图形。从理论上验证了高压电子束能够穿过掩模图形缝隙，并在新型掩模下方形成图形，图形线条连续清晰。电位限制式电子束投影光刻技术能够解决原有电子束投影光刻技术的问题，结合其他技术有望解决电子束投影光刻技术实用化问题。通过本次电磁仿真和计算，从理论上验证了新型电子束投影光刻技术的可行性，为以后实物验证做了前期准备，并有望下一步制作高分辨率的电子束投影光刻系统。报告人 中国科学院微电子研究所 杨尚报告题目 《激光直写仿真及其邻近效应校正》激光直写是利用激光束对基片表面的抗蚀材料实施曝光，显影后在抗蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓。在半导体领域中，激光直写由于其灵活，价格低廉，无需掩模版的优势，常被用于掩模版的刻写和其它例如3D打印等较为灵活的领域。激光直写系统的基本工作原理是由计算机控制高精度激光束扫描，光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形。报告中，杨尚展示了model-based OPC，利用模型匹配工艺条件，从而对版图进行修正。杨尚表示，本次报告只是一个思路的呈现，待其开发成熟，会有更加广阔的应用空间。基于模型的激光直写OPC只适用于图案局部，有着精度高，理论依据充足，自适应性良好的优点。若应用于全图的OPC，则需要加快运行速度也可以采用基于模型优化后的规则，进行rule-based OPC，来完美匹配现有工艺和设备条件等因素，以实现更为精准的OPC修正。2022年度先进光刻技术交流会到此结束，大会进入2022年度第三届微光刻分技术委员会年会环节。《抗蚀剂标准修订工作组》副组长李伟 汇报全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会秘书长陈宝钦 汇报《抗蚀剂标准修订工作组》副组长李伟汇报了有关三项原抗蚀剂标准标准申请修订立项情况。分会秘书长陈宝钦对有关《微电子学微光刻技术术语》国家标准报批修改终稿情况进行了汇报。 大会最后进行了2022-2023年两届承办方交接牌仪式。由分会秘书长陈宝钦主持，第十二届承办单位合肥芯碁微电子装备有限公司方林总经理将会牌交接到第十三届承办单位青岛天仁微纳科技有限公司特派代表李心。2023年，微光刻人将相约青岛。 大会结束后，合肥芯碁组织并邀请专家团队参观了“中国声谷”和合肥芯碁微电子装备股份有限公司。免费直播会议推荐仪器信息网联合电子工业出版社特主办首届“半导体工艺与检测技术”主题网络研讨会。会议旨在邀请领域内专家围绕半导体产业常用的工艺与检测技术，从各种半导体制造工艺及其检测技术等方面带来精彩报告，依托成熟的网络会议平台，为半导体产业从事研发、教学、生产的工作人员提供一个突破时间地域限制的免费学习、交流平台，让大家足不出户便能聆听到精彩的报告。主办单位： 仪器信息网 电子工业出版社直播平台：仪器信息网网络讲堂平台会议官网：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/semiconductor20220920/会议形式：线上直播，免费报名参会（报名入口见会议官网或点击上方图片）通知：第二轮通知|首届“半导体工艺与检测技术”网络会议将于9月26日召开