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炔基

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炔基相关的资讯

  • 大连化物所铜催化不对称炔丙基转化研究取得新进展
    p   近日,中国科学院大连化学物理研究所研究员胡向平领导的研究团队在铜催化不对称炔丙基转化研究中取得新进展,通过运用一种脱硅活化的新策略,成功实现了Cu-催化的炔丙醇酯与β-萘酚及富电子苯酚间的不对称[3+2]环加成反应,相关研究结果以通讯形式发表在最新一期的《德国应用化学》(Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 5014-5018)上。 /p p   在炔丙基转化反应中,有效形成亚丙二烯基铜活性中间体是实现反应的关键。针对传统的由端基炔丙基化合物形成亚丙二烯基铜活性中间体能力不足的缺点,该研究利用铜能高效促进Csp-Si键开裂的特点,提出以三甲基硅基保护的炔丙醇酯为底物,通过脱硅活化的策略,实现亚丙二烯基铜活性中间体的不可逆形成。基于这一反应策略,研究组利用自主发展的高位阻手性P,N,N-配体,成功实现了炔丙醇酯与β-萘酚及富电子苯酚间的不对称[3+2]环加成反应。这是该研究组继2014年提出脱羧活化的炔丙基转化策略(Angew. Chem. Int. Ed. 2014, 53, 1410-1414)后,在炔丙基转化反应中实现的又一催化活化策略。这些反应策略的提出与实现有效拓展了催化不对称炔丙基转化反应研究的思路。 /p p   上述研究工作得到国家自然科学基金委的资助。 /p p style=" text-align: center " img style=" width: 500px height: 216px " title=" W020160419304595129181.jpg" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/dc0e2990-2b81-4183-b6ca-5d3434096321.jpg" width=" 500" height=" 216" / /p p style=" text-align: center "    span style=" font-size: 14px " 大连化物所铜催化不对称炔丙基转化研究取得新进展 /span /p p style=" text-align: center " & nbsp /p
  • 新型催化剂实现炔烃加氢制烯烃
    近日,中国科学院大连化学物理研究所研究员陈萍、郭建平团队与厦门大学副教授吴安安团队合作,在催化炔烃选择加氢反应研究中取得新进展。合作团队利用金属配位氢化物,发展出一类新型碱土金属钯基三元氢化物催化剂,并应用于炔烃选择性加氢反应中,实现高选择性催化炔烃加氢制烯烃。相关研究成果发表于《美国化学会志》。  炔烃是一类重要的化工产物,炔烃选择性氢化制烯烃是石油化工以及精细化工中的重要过程。目前研究较多的催化剂主要是金属合金、负载型单原子催化剂等。合作团队提出一种不同的催化剂设计策略,利用碱(土)金属稳定金属氢化物制备出三元配位氢化物催化剂,用于炔烃选择加氢反应,通过催化剂中的阴离子和碱土金属阳离子协同作用调控炔烃、烯烃及反应中间体的吸附与加氢能垒,实现炔烃高选择性氢化制烯烃。  郭建平表示,新型催化剂在活性中心组成、结构、反应动力学性质、催化作用机制等方面显著不同于常规多相炔烃选择加氢催化剂。该研究丰富了炔烃选择性加氢催化剂体系,并基于金属配位氢化物材料组成与结构的多样性,为寻找更加高效的炔烃选择性加氢催化剂提供了更多可能。  相关论文信息:https://doi.org/10.1021/jacs.1c09489
  • 编辑视点:塑化剂魅影,酒鬼变“鬼酒”
    我要测讯 近日,媒体曝出第三方检测得出酒鬼酒中的塑化剂含量超标高达260%。塑化剂使酒鬼变成了“鬼酒”。   媒体称,检测报告显示,酒鬼酒中共检测出3种塑化剂成分,分别为邻苯二甲酸二(2-乙基)己酯(DEHP)、邻苯二甲酸二异丁酯 (DIBP)和邻苯二甲酸二丁酯(DBP)。   自从2011年11月,台湾曝出塑化剂导致的食品安全事故以来,国内屡屡曝出塑化剂导致的食品安全事件,塑化剂为何屡禁不止?   笔者了解到,就在2012年4月中国酒业协会白酒分会理事会议和2012年7月中国酒业协会全国白酒国家评委会上,再次加强严控白酒产品塑化剂含量的要求。然而短短的几个月,中国酒业协会白酒分会常务理事成员——酒鬼酒股份有限公司就被爆出塑化剂含量超标高达260%。   单单只是酒鬼酒有塑化剂超标的问题吗?笔者了解到,白酒的检测项目一般主要为:酒精度、总酸、总酯、己酸乙酯或乙酸乙酯(根据香型和标准)、固形物、甲醇、杂醇油、铅、锰、糖精钠等指标。据行业知情人士透露,塑化剂超标是白酒行业的特性。根据中国酒业协会调查结果,通过对全国白酒产品大量全面的测定,白酒产品中基本上都含有塑化剂成份,最高2.32 mg/kg,最低0.495 mg/kg,平均0.537 mg/kg。其中高档白酒含量较高,低档白酒含量较低。塑化剂超标现象被白酒生产企业长时间漠视。   据今年8月中国酒业协会发布的《关于白酒产品塑化剂有关问题的说明》显示,国内还没有白酒产品中塑化剂相关安全标准。   附录:   酒产品中的塑化剂,主要源于塑料接酒桶、塑料输酒管、酒泵进出乳胶管、封酒缸塑料布、成品酒塑料内盖、成品酒塑料袋包装、成品酒塑料瓶包装、成品酒塑料桶包装等。   溶进白酒产品塑化剂最高值是酒泵进出乳胶管,目前所有白酒企业都在使用该设备。每10米乳胶管可在白酒中增加塑化剂含量0.1mg/kg,有的企业用一次酒泵(50米乳胶管),还有的企业多达4~5次。   网友评论:   雾里看花168:我国目前对邻本二甲酸的限制至少落后20年 很多领域都没有具体的限制。是该想一想了!方便面的包装呢?是不是超标。“举一反三”是中国骨古代的成语,现代用的太少!往往是查出一个就处理一个!类似的就睁一只眼闭一只眼!   西北风:增塑剂从何而来呢?从目前了解的工艺情况,显然添加的意思不大。那得追溯原材料、包装材料、生产过程中接触到的管道和容器入手考察下吧。   Sodaba:往往冲在前面的容易中枪!一点不假~单是看看民间的饮酒吧~前段时间去买溶剂乙醇,当然了需要食品级的乙醇,在去乙醇供应商的那个地方竟然听到一个消息:本地区市面上销售的烧酒竟然是和我们用的溶剂一样的东西勾兑的!里面的甲醇有时候可是不低啊!哎~从本质还可以不顾你的安全,其包装材质的控制也就宽松到不知所重啦~   hza123:白酒都有塑化剂,看来标准是严重拖后腿啊。   huangza:白酒中塑化剂标准好像还没有吧。
  • III-V族半导体与硅的有效耦合,打破硅基光子半导体性能限制
    近几十年以来,伴随着大数据、传感器、云应用等多种新兴技术的快速发展,数据流量也呈现出指数级增长的态势。使用电子电路的传统集成电路,通过摩尔定律推动电子器件的体积缩小、性能增加,从而推动数据流量的进一步增长。根据摩尔定律,电子器件上可以容纳的晶体管数量,大概每两年增加一倍。而数据流量的不断激增,给电子器件的带宽、速度、成本和功耗等诸多方面都带来了较大的挑战。换言之,传统电子设备的发展即将到达极限。此时,使用光子或光粒子将光与电子进行结合的光子集成电路,尤其是硅基光电子器件,因能够建立高速、低成本的连接,并实现对大量数据的一次性处理,在数据通信领域具有显著优势。从硅基光电子学技术目前的发展来看,以硅材料为基础的微电子器件已经能够处理被动光学功能,但却很难有效地完成主动任务,比如产生光(激光)或检测光(光电探测器)等数据生成和读取时需要用到的关键步骤。那么,要想在完成主动功能的同时增强器件的性能,就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物,也就是元素周期表中 III 族和 V 族的材料。可问题是,如今 III-V 族半导体化合物还无法与硅实现良好的配合。近期,来自香港科技大学的薛莹研究助理教授和该校刘纪美(Kei-May Lau)教授,带领团队设计出一种名为横向纵横比捕获(lateral aspect ratio trapping,LART)的方法。薛莹据介绍,其作为一种选择性直接外延生长的技术,能够在不需要厚缓冲层的条件下,在绝缘的硅衬底(silicon-on-insulator,SOI)上,横向选择性地生长 III-V 族材料。基于该技术,研究人员在 SOI 晶圆上制造了 III-V 分布式反馈激光器,能与硅层呈共平面配置,实现 III-V 族激光器与硅波导之间的高效耦合。另外,这种特殊的 III-V 族绝缘层结构,还为激光器提供了良好的光学约束。据了解,该光泵浦分布式反馈激光器具有约 17.5µJcm-2 的低激光阈值、1.5µm 的稳定单模激光、超过 35dB 的边模抑制比和 0.7 的自发辐射系数。这些数据结果也充分表明,单片生长激光器在晶圆级硅光子集成电路方面迈出了重要一步,或将推动集成硅基光电子学领域的发展。近日,相关论文以《在(001)SOI 上选择性生长的面内 1.5µm 分布式反馈激光器》(In-Plane 1.5 µm Distributed Feedback Lasers Selectively Grown on(001)SOI)为题在Laser & Photonics Reviews上发表,并被选为期刊封面。薛莹是第一作者,刘纪美担任通讯作者。“我们的方法解决了 III-V 族器件与硅的不匹配问题,实现了 III-V 族器件的优异性能,并使 III-V 族器件与硅的耦合变得更加高效。”薛莹对媒体表示。Laser & Photonics Reviews期刊当期封面不过,需要说明的是,虽然该技术有望在传感和激光雷达、生物医学、人工智能、神经和量子网络等研究领域获得应用,但要想将它更好地应用于现实生活,还必须克服一些关键的科学挑战。因此,基于目前的研究,该课题组打算从高输出功率、长寿命、低阈值、高温下工作等维度入手,进一步增强与硅波导集成的 III-V 族激光器的能力。另外,值得一提的是,薛莹目前的研究兴趣主要集中在集成光子学、电子光子集成电路、硅光子学、纳米光子学等领域,并已经在以高效、可扩展和低成本的方式,缓解基于硅的光子集成电路的性能限制方面,做出了重要突破与创新。基于此,她曾在近期荣获 2023 年 Optica 基金会挑战赛资助的 10 万美元奖金,该奖项旨在表彰 10 名在利用光学和光子学,并解决全球问题方面具有杰出想法的早期职业专业人员。显而易见,这笔资助将有助于推进她接下来的研究。
  • 月旭产品之“打鬼捉妖记”
    日常的检测实验中,您是否会遇到这样的诡异情况。某次样品谱图中,突然出现了一个异常的峰,同样的条件再重复一次实验,可能又不出现了。异常的峰忽大忽小,时有时无,“飘忽不定”,“神出鬼没”。面对这样的异常,您是否摸不着头脑,恼火而又无从下手呢?小旭今天就带您一起经历色谱分析中的“打鬼捉妖”。鬼峰描述:色谱分离过程中,特别是在梯度洗脱或仪器使用时间过久容易产生时有时无的色谱峰,我们俗称鬼峰(Ghost peak)。鬼峰的来源:● 水有很多途径带来杂质● 净化系统本身● 存储容器引入和放置时间太长导致细菌生长● 各种流动相添加剂,盐,酸,碱● 仪器系统时间较久已不再纯净● 有机污染物等那么,我们如何做鬼峰的排查呢?当出现鬼峰时,首先可通过液相色谱仪器软件中的“进直接样品”或“进直接标准样品”的功能,检查污染是否来自进样系统。该功能无进样动作,仅记录当前色谱条件下的流动相基线。再进样0μL(有进样动作),可排查鬼峰可能来源。样品污染的排查样品污染,可分为样品本身污染或降解,样品溶剂污染,样品溶液在样品瓶中放置时发生降解等污染情况。对于样品本身污染或降解,可排查不同的样品批次之间或者新鲜样品的检测情况做对比;样品溶剂污染,可新配稀释剂;样品溶液在样品瓶中放置时发生降解的情况,则要考察样品在不同稀释剂及不同材质样品瓶或不同品牌样品瓶中的稳定性。进样系统的污染排查建议更换对样品溶解性更好的洗针液(Needle Wash),常用的洗针液如90%甲醇或乙腈的水溶液。流动相污染若是流动相的污染,则要排查清楚鬼峰的来源是来自流动相中的缓冲盐、添加剂、水还是有机试剂。举例子,若方法流动相中含有缓冲盐相:● 去掉缓冲盐运行空针若鬼峰没有,即缓冲盐含杂质;● 若还有鬼峰,则延长高比例水相等度运行,运行空针,鬼峰变大,即污染来自水相;● 若鬼峰没有变大,即来自有机相。色谱柱污染若是色谱柱污染,首先建议按照色谱柱的说明书进行色谱柱的日常冲洗或是异常冲洗。同时也可结合色谱条件及样品性质,调整色谱柱清洗方法。如反相色谱条件中,分析方法zui高比例有机相偏低(如仅到40%),则建议每隔30-40针即梯度冲洗色谱柱。其他系统性问题造成的鬼峰其他系统性的问题造成的鬼峰,比如在紫外检测器中,梯度方法两相比例的改变,基线有一定改变,应尽量避免梯度变化速率过大而带来的梯度鬼峰。再如,压力仪的T型接头,连接管路的90°转折角等,也会容易产生鬼峰,应尽量避免管路弯折。如果以上排查都解决不了鬼峰的问题,怎么办!!快来看看收鬼峰zui强法器,Ghost-Buster Column杂质捕集小柱,该小柱可以有效吸附去除系统中的极性较弱的杂质,从而防止系统中的杂质峰对目标峰的干扰。其安装在梯度混合器和进样器之间,不仅能够去除流动相中的杂质,还可以有效去除管路和混合器中的杂质。
  • 中国科大实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控
    中国科学技术大学郭光灿院士团队在硅基半导体自旋量子比特操控研究中取得重要进展。该团队郭国平教授、李海欧研究员与中科院物理所张建军研究员等人,和美国、澳大利亚的研究人员及本源量子计算公司合作,实现了硅基自旋量子比特的超快操控,其自旋翻转速率超过540MHz,是目前国际上已报道的最高值。研究成果以“Ultrafast coherent control of a hole spin qubit in a germanium quantum dot”为题,于1月11日在线发表在国际知名期刊《自然⋅通讯》上。硅基半导体自旋量子比特以其长量子退相干时间和高操控保真度,以及其与现代半导体工艺技术兼容的高可扩展性,成为量子计算研究的核心方向之一。高操控保真度要求比特在拥有较长的量子退相干时间的同时具备更快的操控速率。传统方案利用电子自旋共振方式实现自旋比特翻转,这种方式的比特操控速率较慢。研究人员发现,利用电偶极自旋共振可以实现更快速率的自旋比特操控。电偶极自旋共振的一种方案是通过嵌入器件中的微磁体结构所产生的“人造自旋轨道耦合”来实现,但这会使自旋量子比特感受到更强的电荷噪声,从而降低自旋量子比特的退相干时间,同时降低自旋量子比特阵列的平均操控保真度,阻碍硅基自旋量子比特单元的二维扩展。另一种有效方案是使用材料中天然存在的自旋轨道耦合进行自旋量子比特操控。硅基锗量子点中的空穴载流子处于P轨道态,因而天然具有较强的本征自旋轨道耦合效应和较弱的超精细相互作用。利用电偶极自旋共振技术,仅通过单个交变电场即可实现对空穴自旋量子比特的全电学控制,大大简化了量子比特的制备工艺,有利于实现硅基自旋量子比特单元的二维扩展。鉴于此,近几年硅基锗空穴体系中的自旋轨道耦合研究和实现超快自旋量子比特操控成为该领域关注的热点。自旋轨道耦合场的方向会影响自旋比特操控速率及比特初始化与读取的保真度。因此,测量并确定自旋轨道耦合场的方向是实现高保真度自旋量子比特的首要任务。研究组在2021年首次在硅基锗量子线空穴量子点中实现了朗道g因子张量和自旋轨道耦合场方向的测量与调控[NanoLetters21, 3835-3842 (2021)]。在此基础上,李海欧等人进一步优化器件性能,在耦合强度高度可调的双量子点中完成了自旋量子比特的泡利自旋阻塞读取,观测到了多能级的电偶极自旋共振谱。通过调节和选择共振谱中所展示的不同自旋翻转模式,实现了自旋翻转速率超过540MHz的自旋量子比特超快操控。研究人员通过建模分析,揭示了超快自旋量子比特操控速率的主要贡献来自于该体系的强自旋轨道耦合效应(超短的自旋轨道耦合长度)。研究结果表明硅基锗空穴自旋量子比特是实现全电控量子比特操控与扩展的重要候选体系,为实现硅基半导体量子计算奠定了重要研究基础。图1. (a)硅基锗量子线空穴双量子点和自旋比特操控示意图,(b)自旋比特翻转速率随微波功率增加而增加, (c)微波功率为9dBm时,自旋比特操控速率可达542MHz。中科院量子信息重点实验室博士后王柯和博士研究生徐刚(已毕业)为论文共同第一作者。中科院量子信息重点实验室郭国平教授、李海欧研究员和中科院物理所张建军研究员为论文共同通讯作者。该工作得到了科技部、国家基金委、中国科学院以及安徽省的资助。李海欧研究员得到了中国科学技术大学仲英青年学者项目的资助。
  • 有机光电二极管 - 超越硅光电二极管的新星
    【重点摘要】硅光电二极管的刚性结构给大面积低成本扩展带来困难,限制了它在一些新兴应用中的使用。通过详细的表征方法,揭示了基于聚合物体异质结的有机光电二极管中,收集电荷的电极对低频噪声的影响。经过优化的有机光电二极管在可见光范围内的各项指标(响应时间除外)可媲美低噪声硅光电二极管。溶液处理制备的有机光电二极管提供了一些设计机会,例如用于生物识别监测的大面积柔性环形有机光电二极管,其性能可达到硅器件的水平。【硅光电二极管的局限性】 数十年来,硅光电二极管一直是光检测技术的基石,但它们的结构刚性给大面积低成本扩展应用带来许多局限。这给新兴的光电检测应用带来挑战。为实现更大面积的光电检测以及柔性基片上低成本光电二极管的制作,我们需要寻找新的材料体系。【有机光电二极管的低频噪声特性】 有机光电二极管常基于聚合物制成,具有结构灵活性等优势。研究人员通过详细的表征方法学,考察了这类二极管低频电子噪声的来源,发现负责收集电荷的电极对低频噪声有重要影响。这为设计低噪声的有机光电二极管奠定了基础。【有机光电二极管的指标表现】 经过优化设计后,有机光电二极管的大多数指标已可达到商用硅光电二极管的水平,特别是在可见光范围内。例如响应度、灵敏度、线性度、功耗等。它们的响应时间仍比不上硅二极管,但对大多数视频速率的应用已经足够。【应用展望】 溶解性的有机光电二极管制造过程为它们带来了许多应用机会。例如,大面积柔性的环形有机光二极管可用于生物识别监测。此类二极管成本低,可在多种非平面基片上制作,性能已达商用硅器件的水平。它们有望在新兴的光电子学领域大放异彩。图1 硅光电二极管(SiPD)与有机光电二极管(OPD)性能比较(A) OPD 尺寸结构。(B)测量所得光谱响应度。EQE,外量子效率。(C) 测量所得光照度依赖的光电流和响应度。LDR,线性动态范围。(D) 测量所得均方根噪声电流、噪声当量功率 (NEP)和特定探测度统计框图(_N_代表数据点数量)。Max,最大值 Min,最小值。图2 SiPD 和 OPD 中的稳态暗电流密度和电子噪声特性(A) 电压依赖的暗电流密度。Exp.,实验值。(B) 反向偏置下,建模和测量所得均方根噪声电流比较。图3 SiPD 和 OPD 中的时域响应特性(A) 负载电阻依赖的 10-90% 上升和下降响应时间。(B) 525 nm处频率依赖的归一化响应度。图4 弯曲 OPD(Flex-OPD)及其在光电容积图(PPG)中的应用(A) Flex-OPD 器件几何结构。PES,聚醚砜。(B) 小面积、大面积 Flex-OPD 和大面积 OPD 中的均方根噪声电流、响应度、NEP 和特定探测度统计框图。(C) S1133 SiPD 和环形 Flex-OPD PPG 阵列原理图(上) 手指反射模式 PPG 信号的 SiPD 和不同功率红色 LED驱动的环形 Flex-OPD PPG 阵列比较(下)。
  • 中科院青岛能源所石墨炔作为催化剂应用研究获进展
    p style=" text-align: center " img title=" 001.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201711/insimg/60d0cd7a-7ebb-4aef-90aa-cec1436c2dc8.jpg" / /p p   中科院青岛生物能源与过程研究所新型能源碳素材料团队研发了一种氮掺杂的石墨炔材料,用作氧还原反应,表现出优异的催化性能,相关工作近日发表于《应用材料与界面》。 /p p   石墨炔是一种新型碳材料,由炔键和苯环连接而成,具有特殊的sp杂化(一种较常见的杂化方式)碳原子,已被报道在光催化、电催化以及生物方面均表现出优异特性。研究利用石墨炔材料独特的炔键引起碳骨架中部分碳原子带正电的特性,进一步通过氮修饰,将石墨炔材料成功应用于氧还原电催化反应,表现出优异的氧还原催化性能。 /p p   石墨炔中碳原子被氮取代后,其电荷结构将被调控,与氮相邻的碳原子表现出更强的正电性,可作为氧还原反应的活性中心。由于石墨炔材料具有不同于常规碳材料(石墨烯、碳纳米管、石墨、无定形碳等)的特殊sp杂化碳原子,氮原子可以通过取代sp杂化碳,得到新的氮掺杂方式,理论和实验结果表明这种新的掺杂方式可以有效提高碳材料的催化性能。所制得的氮取代的石墨炔材料的氧还原催化性能与商业碳载铂催化剂相当。该工作显示石墨炔在电催化材料和燃料电池中的巨大应用前景,也为解决氧还原反应中铂等贵金属催化剂高昂的成本和储量有限的问题,提供了重要的途径。 /p
  • 半导体所硅基外延量子点激光器研究取得进展
    硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础,将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上,提升芯片的信息传输和处理能力,可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅(Si)材料发光效率低,因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓(GaAs)外延在CMOS兼容Si基衬底上,并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨胀系数失配等问题,因而在与CMOS兼容的无偏角Si衬底上研制高性能硅基外延激光器需要解决一系列关键的科学与技术难点。   近期,中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队,在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。该团队采用分子束外延技术,在缓冲层总厚度2700nm条件下,将硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm-2量级。科研人员采用叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区,并首次提出和将“p型调制掺杂+直接Si掺杂”的分域双掺杂调控技术应用于有源区,研制出可高温工作的低功耗片上光源。室温下,该器件连续输出功率超过70mW,阈值电流比同结构仅p型掺杂激光器降低30%。该器件最高连续工作温度超过115°C,为目前公开报道中与CMOS兼容的无偏角硅基直接外延激光器的最高值。上述成果为实现超低功耗、高温度稳定的高密度硅基光电子集成芯片提供了关键方案和核心光源。   6月1日,相关研究成果以Significantly enhanced performance of InAs/GaAs quantum dot lasers on Si(001) via spatially separated co-doping为题,发表在《光学快报》(Optics Express)上。国际半导体行业杂志Semiconductor Today以专栏形式报道并推荐了这一成果。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。图1.硅基外延量子点激光器结构示意及器件前腔面的扫描电子显微图像。图2.采用双掺杂调控的器件与参比器件在不同工作温度下的连续输出P-I曲线,插图为双掺杂调控激光器在115℃、175mA连续电流下的光谱。
  • 硅基近红外光电转换取得突破
    p   近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈沁课题组联合东南大学的王琦龙教授紧密合作,在低成本高效硅基热电子红外光电探测器方面取得了系列进展。他们首先提出了Au纳米颗粒修饰Si金字塔结构的方案,实验证明他们制备的这些器件的性能与那些精心设计、成本高昂的Si基近红外光电探测器性能相当,有望应用在大规模热光伏电池和低成本红外检测中。相关研究成果发表在近期的Nanotechnology期刊上。 /p p   据悉,科研团队所采用的工艺十分简单:通过使用标准的各向异性化学湿蚀刻法来实现Si基金字塔的构建 然后在其表面溅射一层Au薄膜 接着通过快速热退火法形成修饰的金纳米颗粒 随后在金字塔那面通过磁控溅射沉积ITO薄膜,在另一面通过热蒸发沉积铝膜作为背电极 最后,样品通过铟锡焊接到芯片载体上,就完成了探测器的制作。 /p p   他们发现金字塔表面增强了入射光子与Au纳米颗粒之间的耦合效应,因为这种金字塔表面减少了背反射光并使得光子在Au纳米颗粒内部多次反射,增加了入射光走的距离,而且Au纳米粒子的引入还使得器件的局部电磁场产生了增强,从而使光子可以被显著吸收,提高了光电转换量子效率。 /p p   科研团队进一步采用了Au纳米颗粒—介质—金反射镜的结构,利用无序金属纳米颗粒的宽带高光学吸收和Au/TiO2/Si组成的全向肖特基结,在光学与电学两个方面同时入手提高光电转换的内外量子效率。这种密集的随机热点分布大大提升了光吸收与热电子发射的效率,光电响应度是目前最高结果之一,硅光电响应截止波长扩展到近2um,展示了有效的近红外硅基光电应用。 /p p /p
  • 首次!中国科大实现硅基半导体量子芯片的自旋调控
    中国科大郭光灿院士团队在硅基半导体锗纳米线量子芯片研究中取得重要进展。该团队郭国平、李海欧等人与中科院物理所张建军和本源量子计算有限公司合作,首次在硅基锗空穴量子点中实现朗道g因子张量和自旋轨道耦合场方向的测量与调控,对于该体系更好地实现自旋量子比特操控及寻找马约拉纳费米子有着重要的指导意义。研究成果以“Anisotropicg-factor and Spin-Orbit Field in a Germanium Hut Wire Double Quantum Dot”为题,发表在5月12日出版的国际纳米器件物理知名期刊《Nano Letters》上。近年来对自旋轨道耦合的研究一直是半导体量子计算和拓扑量子计算研究的热点。半导体材料中的自旋轨道相互作用能够使粒子的自旋与轨道这两个自由度耦合在一起,该机制在实现自旋电子学器件、自旋量子比特操控及寻找马约拉纳费米子中起着举足轻重的作用。在半导体自旋量子比特操控研究中,现有的自旋量子比特的操控方式依赖于样品制备中集成的微波天线或微磁体这些可以产生人造调制磁场的结构,这使得量子比特大规模扩展时在可寻址和芯片结构制备方面受到制约。同时,微磁体结构会使自旋量子比特感受到更强的电荷噪声,导致自旋量子比特退相干时间的降低。因此,一种可行的解决方案是用材料中存在的自旋轨道耦合来实现全电学的自旋量子比特操控。具体对于一维硅基锗纳米线空穴量子点而言,由于空穴载流子体系中本身存在着很强的自旋轨道耦合,我们可以利用电偶极自旋共振技术,通过施加交变电场实现对自旋量子比特的全电学控制,大大简化了量子比特的制备工艺,有利于实现硅基量子计算自旋比特单元的二维扩展。在自旋轨道耦合的电偶极自旋共振操控方式下,比特的操控速率与自旋轨道耦合强度成正比,因此我们可以通过改变外加电场的方式来增强自旋轨道耦合强度从而实现更快的比特操控速率。除此之外,自旋轨道耦合场的方向也会影响自旋量子比特的操控速率以及比特初始化与读取的保真度,因此在利用自旋轨道耦合实现自旋量子比特操控时,确定和调控自旋轨道耦合场的方向显得尤为重要。图1. 硅基锗纳米线空穴双量子点中g因子张量及自旋轨道耦合场方向。李海欧、郭国平等人在制备的高质量的硅基锗空穴载流子双量子点中观察到了自旋阻塞效应,并在自旋阻塞区域测量了由自旋弛豫引起的漏电流大小随磁场大小及磁场方向的变化关系,通过理论分析,研究人员得到了该体系具有强各向异性的g因子张量,同时确定了自旋轨道耦合场的方向位于锗纳米线衬底面内并与锗纳米线方向成59°,说明体系中除了存在垂直于锗纳米线的Rashba自旋轨道耦合,还存在着沿着纳米线方向的可能是由界面不对称性引起的Dresselhaus自旋轨道耦合。我们可以通过改变纳米线的生长方向使得上述两种自旋轨道耦合方向相反大小相等,从而实现自旋轨道耦合的开关,当体系处于“sweet spot”(即自旋轨道耦合完全关闭)时,由自旋轨道耦合引起的退相干过程会大幅度地被抑制,自旋量子比特的退相干时间会得到有效地延长。这一发现对该体系在自旋量子比特制备与操控研究中,在保持超快比特操控速率的同时进一步延长比特的退相干时间提供了新的思路,为全电控规模化硅基自旋量子比特芯片研究奠定了物理基础。中科院量子信息重点实验室郭国平教授、李海欧研究员为论文共同通讯作者,中科院量子信息重点实验室博士生张庭、刘赫以及中科院物理研究所博士后高飞为论文共同第一作者。该工作得到了科技部、国家基金委、中国科学院、安徽省以及中国科学技术大学的资助。论文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.1c00263
  • 上海微系统所在硅基宽光谱探测研究方面取得系列进展
    半导体是信息时代的基石,集成电路是电子信息系统的“脖子”,而硅片是占比最大的集成电路耗材,因此硅基技术的源头和底层创新事关集成电路发展和产业安全。硅因禁带宽度的物理限制,使其无法有效探测到1100 nm以上的红外光波,而探测波段决定探测能力,不同波段反应不同信息,因此将硅基器件探测范围从可见光拓展至红外波段,实现宽光谱探测,具有十分重要的意义,也是科研工作者面临的极限挑战之一。   针对硅基宽光谱探测器中界面光压构筑、隧穿机制构建和纳米谐振构造等关键科学问题,中科院上海微系统所郑理副研究员团队取得系列进展,相关成果相继发表在Nature Communications、IEEE Transactions on Electron Devices和IEEE Electron Device Letters等期刊上。   硅与红外敏感材料界面能带工程是实现硅基高性能宽光谱探测器的前提。利用硅和量子点天然的能带偏移特征,设计了一种无需界面能带调控的光压三极管(PVTRI)结构,该器件不仅兼具高响应度和高探测率特征,还具有可辨识的红外与可见光响应时间,从而赋予了该器件自调谐功能,而且其响应时间及光电流方向亦可通过偏压进行调控。该研究为硅基宽光谱探测芯片提供了新的思路(Nature Communications,DOI:10.1038/s41467-021-27050-9,论文链接:https://www.nature.com/articles/s41467-021-27050-9)。
  • 酒鬼酒塑化剂超标260%
    没人愿意相信这是真的。号称天下第一酒的酒鬼酒,一直以酝酿湘西千年文化,传承湘西古老秘方自居,号称“无上妙品”,其酒鬼酒系列也成功跻身高端白酒行列。但是,让人无法想象的是,酒鬼酒却存在意想不到的致命危险。   酒鬼酒中的塑化剂含量竟然超标高达260%,这是21世纪网将酒鬼酒送第三方检测得出的答案。   21世纪网在酒鬼酒实际控制人中糖集团的子公司北京中糖酒类有限公司购买了438元/瓶的酒鬼酒,并送上海天祥质量技术服务有限公司进行检测。   检测报告显示,酒鬼酒中共检测出3种塑化剂成分,分别为邻苯二甲酸二(2-乙基)己酯(DEHP)、邻苯二甲酸二异丁酯 (DIBP)和邻苯二甲酸二丁酯(DBP)。   其中,酒鬼酒中邻苯二甲酸二丁酯(DBP)的含量为1.08㎎/㎏。而2011年6月卫生部签发的551号文件《卫生部办公厅官员通报食品及食品添加剂中邻苯二甲酸酯类物质最大残留量的函》,这份文件规定DBP的最大残留量为0.3㎎/㎏,酒鬼酒中的塑化剂DBP明显超标,超标达260%。   塑化剂即我们常说的增塑剂,塑化剂是2011年5月台湾重大食品安全事件的主角,此后,塑化剂的“阴霾”效应不断扩散,在饮料、方便食品以及药物不断被曝出塑化剂超标后,其杀伤力让很多人谈“塑”色变。   食品中塑化剂超标将对人体有严重的危害,台湾大学食品研究所教授孙璐西认为塑化剂毒性比三聚氰胺毒20倍。长期食用塑化剂超标的食品,会损害男性生殖能力,促使女性性早熟以及对免疫系统和消化系统造成伤害,甚至会毒害人类基因。   而“传承湘西悠久的民间传统工艺,独创中国白酒馥郁香型”的酒鬼酒,业绩突飞猛进之时,却把大量带毒的酒不断抛向市场,让信赖其品质的消费者无辜受害。   同时,据21世纪网了解到的情况,塑化剂超标在白酒行业里不只是酒鬼酒一家,其他品牌的白酒,也存在塑化剂超标的情况。   酒鬼酒塑化剂超标260%   在获知相关线索后,21世纪网便联系相关检测机构询问检测事宜。   21世纪网首先和国家食品质量监督检验中心联系检测,虽然无数次沟通,几经曲折之后,国家食品质量监督检验中心同意以白酒样品检测。   为保证检测的样品为酒鬼酒厂家的正品,21世纪网来到酒鬼酒实际控制人中国糖业酒类集团公司所在地即中国北京西城区西外大街110号中糖大厦。中糖集团子公司北京中糖酒类有限责任公司的酒鬼酒专卖店就位于中堂大厦一层,此店也是酒鬼酒在北京年数最久的专卖店。   21世纪网在此地买了价位为438元/瓶的50度酒鬼酒4瓶(国家食品质量监督检验中心最开始同意检测要求数量4瓶)。   但是,最终国家食品质量监督检验中心以没有酒鬼酒公司开具的带有公章的检测介绍信为名拒绝检测。   而后21世纪网获知,天祥集团即Intertek集团可以做白酒塑化剂检测。且Intertek集团在伦敦证券交易所上市,是英国富时100指数成份股之一。   资料显示,Intertek专门做质量和安全服务,其客户包括众多的国际知名品牌、跨国公司和本地企业,以及政府机构,壳牌(Shell)、佳能(Canon)、麦当劳(McDonalds)、英国石油(BP)、宜家(IKEA)、雀巢(Nestlé)等都是其客户。   同时,天祥集团已被众多国家和地区的认可机构和权威机构所认可,在中国已经被中国合格评定国家认可委员会(CNAS)、中国计量认证(CMA)等认证。   考虑到天祥集团具备检测资质,且为国际知名品牌、跨国公司以及政府机构提供检测服务,21世纪网便决定由天祥集团进行检测。   随后,21世纪网把酒鬼酒原封不动寄往上海的天祥集团进行16种塑化剂的检测。   5个工作日之后的10月31日下午,21世纪网收到了发自天祥集团的检测报告,检测显示,酒鬼酒中共检测出3种塑化剂成分,分别为邻苯二甲酸二(2-乙基)己酯(DEHP)、邻苯二甲酸二异丁酯 (DIBP)和邻苯二甲酸二丁酯(DBP),其含量分别为0.49㎎/㎏、0.41㎎/㎏和1.08㎎/㎏。   参照2011年6月卫生部签发的551号文件的规定: 邻苯二甲酸酯类物质是可用于食品包装材料的增塑剂,不是食品原料,也不是食品添加剂,严禁在食品、食品添加剂中人为添加。食品、食品添加剂中的邻苯二甲酸二(2-乙基己)酯(DEHP)、邻苯二甲酸二异壬酯 (DINP)和邻苯二甲酸二正丁酯(DBP)最大残留量分别为1.5㎎/㎏、9.0㎎/㎏和0.3㎎/㎏。   如此可见,DEHP的含量在正常范围内,为0.49㎎/㎏。而酒鬼酒中邻苯二甲酸二丁酯(DBP)的含量为1.08㎎/㎏,明显超出0.3㎎/㎏的标准,超标达260%。
  • 酒鬼酒回应被指“强盗逻辑”
    业内称白酒添塑化剂并非不可能,且塑料导管等可致塑化剂渗入,酒鬼酒今日起继续停牌   昨日一则关于“酒鬼酒塑化剂含量超标260%”的新闻在网上传开,“塑化剂毒性比三聚氰胺毒20倍”的消息让国人再次惊恐起来。昨日酒鬼酒紧急停牌,其副总经理范震回应时表示,不承认检测机构资质,而且国标中无塑化剂检测一项,因此不存在超标问题,酿酒也无需添加塑化剂。对此,网上和业内均有人质疑其为“强盗逻辑”,难道没有该项检测就可含毒?   因酒鬼酒塑化剂风波,昨日白酒板块被拖累,全线下跌。关于国内白酒增加塑化剂是潜规则的消息也不断传开。中国酒业协会昨日发布的一份《关于白酒产品塑化剂有关问题的说明》称,白酒产品中基本上都含有塑化剂成份,但已知白酒生产过程中自身发酵环节不产生塑化剂,白酒产品中的塑化剂属于特定迁移导致。   酒鬼酒昨日盘后发布公告称,为核实媒体相关报道事宜,经公司申请,公司股票自2012年11月20日起继续停牌,待公司刊登相关核查公告后复牌。   专家称塑化剂比三聚氰胺毒20倍   根据媒体报道,第三方检测结果显示酒鬼酒塑化剂含量超标260%。该报告结果显示,酒鬼酒被检测出3种塑化剂成分,分别为邻苯二甲酸二(2-乙基)己酯(DEHP)、邻苯二甲酸二异丁酯(DIBP)和邻苯二甲酸二丁酯(DBP)。其中,邻苯二甲酸二丁酯(DBP)的含量为1.08㎎/㎏,而卫生部文件规定DBP的最大残留量为0.3㎎/㎏,酒鬼酒中的塑化剂DBP超标260%。   该报道还称送检的样品为酒鬼酒实际控制人中糖集团的子公司北京中糖酒类有限公司所出售的438元/瓶的酒鬼酒,由上海天祥质量技术服务有限公司进行检测。   此外,该报道还采访了台湾大学食品研究所教授孙璐西,其认为“塑化剂毒性比三聚氰胺毒20倍。长期食用塑化剂超标的食品,会损害男性生殖能力,促使女性性早熟以及对免疫系统和消化系统造成伤害,甚至会毒害人类基因”。   酒鬼酒辩称:不是用塑料包装,用不上塑化剂?   昨日上述报道一出,激起千层浪。酒鬼酒证券部人士对外称,“公司早上才知道网上曝出塑化剂的事,为了维护股民的利益及时申请了停牌。今天生产部门已经把产品送到相关部门核实、送检,结果出来后会通过公告的方式公布。”   上述人士还表示,“公司的产品一向都是检验合格才出厂的,白酒本身是不含塑化剂的、也无需添加,是否包装方面的问题目前还不确定,因为酒鬼酒不是用塑料瓶包装的。”   酒鬼酒副总经理范震昨日的回应,也与上述人士的大同小异。范震表示,首先,公司已经和报道这一事件的媒体进行了沟通,目前还不能确定媒体送检的就是酒鬼酒公司的产品,而且作出检测的上海天祥质量技术服务有限公司是一家商业检测机构,其检测标准、检测手段不具权威性。   第二,白酒行业检验的国家标准里,没有塑化剂检验这一项,因此也就不存在所谓超标2.6倍的问题。由于国家检测没有这方面的要求,酒鬼酒公司也不具备塑化剂检验的手段。   第三,酒鬼酒生产仍使用传统工艺,包括酒鬼酒在内的整个白酒行业,酿酒过程中都不需要添加任何塑化剂产品来多酿酒、酿好酒,没有利益驱动。   专家称为提高品质酒企有添加塑化剂的可能   不是用塑料瓶包装,就用不上塑化剂?没有国标,不用检验塑化剂,所以就不存在超标一说?   面对酒鬼酒的回应,安徽高炉家酒董事长林劲峰昨日介绍说,目前塑化剂相关指标并不在国家检测标准的范畴,而且一般的仪器也检测不出来。但其也表示,在过去,酒的生产过程中,有一些跟塑料制品接触的环节,有可能会因此出现塑料溶解,导致出现塑化剂超标的问题。   除了白酒可能接触塑料制品外,昨日有分析人士甚至表示,国内白酒增加塑化剂已经是公开的秘密,为了让年份不够的酒液看起来好看,增加各种增粘剂固化,伪造粮食酒内的糖分多粘杯挂杯的效果。   北京大学人类营养运动医学专家李可基教授则表示,企业这么做可能是有意而为之,目的是让酒的品质看起来更好。他表示,塑化剂不是食品添加剂,国家严禁将其添加到食品当中,但在食品包装上可使用。食品中被检出塑化剂,也有可能是食品包装渗入微量塑化剂或者是在制作的过程中,设备管道上的塑化剂制品渗入所导致。   一名不愿透露姓名的国家白酒酿造高级技师则表示,白酒里含有塑化剂不是企业特意加进去,更多原因是没有在流程管理上控制好。塑化剂主要存在在包装、罐装里。   他还指出塑化剂对白酒的味道或者保持等并没有任何有利影响。有的企业会严重超标是因为,“劣质老化的塑料管更容易导致塑化剂含量偏高。建议白酒企业采用不锈钢软管来降低塑化剂含量。”   中国酒业协会的说明指出,通过对全国白酒产品大量全面的测定,白酒产品中基本上都含有塑化剂成份,最高2.32mg/kg,最低0.495mg/kg,高档白酒含量较高。已知白酒生产过程中自身发酵环节不产生这些塑化剂主要源于塑料接酒桶、酒泵进出乳胶管、成品酒塑料瓶包装等。   相关链接   酒鬼酒被做空?汇添富两基金“踩雷”   昨日,记者也翻查该公司三季报公布的前十大流通股东名单,发现汇添富旗下两基金持834万股,全国社保基金一一七组合持股843.22万股,山东省国际信托-泽熙瑞金1号持股313.41万股等均在其中。但上述机构或已经出逃,因为大智慧统计显示,酒鬼酒10月份以来主力资金净额流出2.7亿元,换手率85.34%,下跌13.02%。   高换手率的背后是什么?其半年报显示,6个月时间酒鬼酒做到2011年近全年业绩。7-9月,公司净利润为1.97亿元,同比增长高达685.28%。   但有终端市场调查显示,酒鬼酒在大众消费市场并不火爆。本报也在8月14日时报道《复兴OR做局,酒鬼酒超预期业绩的背后》,指出酒鬼酒:接待用酒+绑定经销商+行业红利造就业绩翻倍,也被爆经销商边卖酒边买股私募也边囤酒边加仓。更有市场人士爆料称,酒鬼酒的部分经销商在这场局中股市上赚的钱缓解了他们大肆压货的压力。   如今酒鬼酒在股价年涨102%之际,突然遭遇利空袭击,更像是被做空,不知后市复牌,酒鬼酒的经销商、公司内部人员以及基金机构等各个利益相关方,会如何选择下一步路。
  • 天美公司参加第十四届全国硅基光电子材料及器件研讨会
    2020年9月24日至26日,由南京大学电子科学与工程学院、浙江大学硅材料国家重点实验室、江苏大学新材料研究院共同承办的“第十四届全国硅基光电子材料及器件研讨会(2020)” 顺利召开,会议的主旨是为在全国硅基光电子学领域从事科研、教学、生产和应用的科技工作者提供一个探讨学术、促进交流的平台,聚焦国内外最新科技进展,探讨急需解决的科学问题以及未来发展方向。  天美仪拓实验室设备(上海)有限公司(以下简称天美公司)应邀作为赞助商之一,全程参加了此次会议。会议期间,天美公司对于用户提出的需求进行相关的解答,也会进一步急用户之所急,进一步的开发出符合用户需求的产品。通过为其两天的会议,天美公司与客户进行了深入的交流,更加深了彼此的相互了解。天美公司作为知名供应商,将在硅基发光材料、结构与器件以及新型硅基光电功能器件的仪器表征应用上,作出进一步的技术升级,服务广大客户,让广大客户得到满意的科研结果,助力其科研发展。
  • 硅表面生长纳米激光器技术问世
    据美国物理学家组织网近日报道,美国加利福尼亚大学伯克利分校科学家利用新技术直接在硅表面生长出了极微小的纳米柱,形成一种亚波长激光器,这一成果将为制造纳米光学设备如激光器、光源检测仪、调制器、太阳能电池等带来新的突破。   硅材料奠定了现代电子学的基础,但它在发光领域还有很多不足之处。工程人员转向了另外一族名为III-V半导体的新材料,以此来制造光基元件,如发光二极管和激光器。   加利福尼亚大学伯克利分校的研究人员通过金属—有机化学蒸发沉积的方法,在400摄氏度条件下,用一种III-V族材料铟镓砷在硅表面生长出纳米柱。这种纳米柱有着独特的六角形晶体结构,能将光线控制在它微小的管中,形成一种高效导控光腔。它能在室温下产生波长约950纳米的近红外激光,光线在其中以螺旋形式上下传播,经过光学上的相互作用而得以放大。   研究人员指出,将III-V和硅结合制成单一的光电子芯片面临的最大障碍是,目前制造硅基材料的工业生产设备无法与制造III-V设备兼容。“要让III-V半导体在硅表面上生长,与硅制造设备兼容是关键,但由于经济和技术方面的原因,目前的硅电子生产设施很难改变。我们选用了一种能和CMOS(互补金属氧化半导体,用于制造集成线路)兼容的生长工艺,在硅芯片上成功整合了III-V纳米激光器。传统方法生长III-V半导体,要在700摄氏度或更高温度下进行,这会毁坏硅基电子元件。而新工艺在400摄氏度下就能生长出高质量III-V材料,保证了硅基电子元件正常发挥功能。”主要研究人员、加州大学伯克利分校电学工程与计算机科学教授康妮张-哈斯南说。   张-哈斯南还指出,这种亚波长激光器技术将对多科学领域产生广泛影响,包括材料科学、晶体管技术、激光科学、光电子学和光物理学,促进计算机、通讯、展示和光信号处理等领域光电子学的革命。“最终,我们希望加强这些激光的特征性能,以实现光子和电子设备的结合。”
  • 上海微系统所在硅基胶体量子点片上发光取得重要进展
    PbS胶体量子点(CQDs)由于具有带隙宽、可调谐以及溶液可加工性强等优点,已广泛应用于气体传感、太阳能电池、红外成像、光电探测以及片上光源的集成光子器件中。然而PbS CQDs普遍存在发射效率低和辐射方向性差的问题,因此科学家们尝试利用半导体等离子体纳米晶或全介质纳米谐振腔来增强PbS CQDs的近红外荧光发射,使其成为更高效、更快的量子发射器。但是普遍存在光场限制能力弱,Q值低的问题。   针对这些问题,近日中国科学院上海微系统与信息技术研究所武爱民研究员团队与浙江大学金毅副教授团队合作在Nanophotonics发表最新文章,将BIC引入到PbS CQDs发光应用中,提出了一种支持对称保护BIC的硅超表面通过激发相邻的高Q泄露导波模式来增强室温下PbS CQDs的自发辐射的方案,实现了硅基量子点近红外片上发光。   该超表面由亚波长尺寸的硅棒周期性排列而成(图1a),结构具有各向异性且与偏振相关。其反射率是入射光角度和波长的函数,当TE偏振激发时,对称保护型BIC会出现在布里渊区的Γ点处(图1b),对应的电场分布如图1c所示。基于洛伦兹拟合方法分别从仿真和实验反射谱中提取出Q值曲线(图1d),两者趋势一致,且激发的高Q导波模式可以有效的增强量子点的发射。由图1e的实验结果可以看出,制备的超表面使包覆的PbS CQDs的荧光辐射显著增强,并且在波长1408 nm处的发射峰的Q值高达251。随后,研究人员利用实验简单演示了该系统的传感潜力。将稀疏度为4/1000 μm2,直径为60 nm的Au纳米颗粒随机分布在涂敷PbS CQDs的超表面顶部,通过与不含Au纳米颗粒的样品相比,PL峰从1408 nm红移到1410 nm,且强度出现明显的增强(图1f)。该研究成果不仅为实现支持BIC的介电超表面可以有效地增强PbS CQDs的发射性能提供了设计指导与实验验证,并为PbS CQDs在硅基片上光源和集成传感器等各种实际应用提供了新思路。   研究团队提出的基于BIC超表面增强PbS CQDs近红外发射的新方法,是一种普适、高效、功能广泛的方法。该方法证明了BIC系统在荧光增强方面的有效性,它是提高PbS胶体量子点在光源和荧光传感器等各种应用中的最好选择之一。通过提高制造精度或者合并的BIC可以进一步提高增强效果,并且可以通过改变几何尺寸来调节工作波长。这种无源超表面结构可以在商用CMOS平台上以简单的工艺制造,因此它可以结合到硅光子集成中,用于硅基片上光源以及荧光传感器,在多通道通信,近场传感和红外成像等领域都有广阔的应用前景。   相关成果以“Fluorescence Enhancement of PbS Colloidal Quantum Dots from Silicon Metasurfaces Sustaining Bound States in the Continuum”为题在线发表在Nanophotonics (https://doi.org/10.1515/nanoph-2023-0195)上。   这项工作的作者包括 Li Liu, Ruxue Wang, Yuwei Sun, Yi Jin*, Aimin Wu*,其中上海微系统所博士研究生刘丽为该文章的第一作者,浙江大学金毅副教授和上海微系统所武爱民研究员为论文的共同通讯作者。上述研究工作得到了国家重点研发计划项目(2021YFB2206502)、中科院青促会(2021232)、上海市学术带头人项目(22XD1404300)和国家自然科学基金委(61875174,62275259)的支持。图1:(a)硅超表面的结构示意图;(b)TE偏振激发时,反射率是入射角和入射波长的函数。在Γ处形成了一个对称保护型BIC,对应波长为1391 nm;(c)对称保护型BIC的Ey电场分布。灰线表示结构边界;(d)与BIC相邻的泄露导波模式在同一能带上的Q值随入射角度的变化。虚线为实验结果,实线为仿真结果。插图为硅超表面的SEM图像;(e)在同一块SOI衬底表面旋涂PbS CQDs,超表面结构区域(黑色曲线)和无结构区域(红色曲线)的实测PL谱。插图为顶部涂敷PbS CQDs的超表面的SEM图像;(f)在超表面结构上引入随机Au纳米颗粒前(红色曲线)和后(黑色曲线)的实测PL谱。插图为表面随机分布Au纳米颗粒的顶部涂敷PbS CQDs的超表面的SEM图像。
  • 首块激光器和光栅集成的硅芯片问世
    据美国物理学家组织网8月10日(北京时间)报道,新加坡数据存储研究所的魏永强(音译)和同事首次构建出一种由一个激光器和一个光栅集成的新型硅芯片,其中的光栅能让光变得更强并确保激光器输出1500纳米左右波长的光,而通讯设备标准的操作波长正是1500纳米。   光纤在传输数据时需要让不同波长的激光束同时通过,但这些不同波长的光波容易相互串扰,因此需要对激光器进行精确谐调,让其发出特定波长的光以避免这种串扰。使用光栅可以解决这个问题。   科学家们之前使用传统方法试图将一个激光器和一个光栅集成于一块硅芯片中,但都没有获得成功。激光器一般由几层半导体薄层构成,而光栅则由硅蚀刻而成,所有的材料都必须精确地对齐。传统的方法是,将激光器和光栅种植于一块独立的半导体芯片上,整个过程大约需要50多步,而且要求硅晶表面的粗糙度非常低,小于0.3纳米。   在新硅芯片中,激光器置于一面镜子和一个弯曲的光栅之间。光栅就像一块具有选择能力的镜子,仅仅将某一特定波长的光反射回激光器中,这样就制造出了一个光共振腔,使激光活动只针对特定波长,因此提供了通讯领域要求的精确性。   魏永强对这款新芯片进行测试后发现,其性能优异,发出光的功率为2.3毫瓦,而且只发出特定波长的光。   魏永强表示:“从实际应用角度来考虑,我们需要将多光源激光器集成在一块芯片上,因此将多个激光器和光栅整合在一块硅芯片上将是我们下一步面临的挑战。我们计划通过利用能处理更广谱波长的同样的光栅结构来按比例扩展最新的单波长激光器。新设备标志着我们很快就能对集成在单硅芯片上的通讯设备进行商业化生产。”
  • 破译蛋白质结构的秘诀:利用富含炔基的羧基选择性交联剂增加交联覆盖率
    大家好,本周为大家分享一篇发表在Anal. Chem.上的文章,Alkynyl -Enrichable Carboxyl-Selective Crosslinkers to Increase the Crosslinking Coverage for Deciphering Protein Structures,该文章的通讯作者是中国科学院大连化学物理研究所的赵群和张丽华研究员。化学交联结合质谱技术 (CXMS) 的交联覆盖范围对于决定其破译蛋白质的结构的能力具有重要意义。目前,交联质谱技术中最常用的交联剂的类型为针对赖氨酸侧链的N-羟基琥珀酰亚胺 (NHS) 酯基交联剂。然而,此种交联剂存在一定的局限性,尤其是对于含有赖氨酸数目较少的蛋白质;其他类型的氨基酸残基,如羧基等,也可以进行交联反应,以补充赖氨酸残基的局限性并提高 CXMS 的交联覆盖率,然而,羧基的低固有化学反应活性损害了羧基选择性交联剂在复杂样品中的应用。鉴于此,本文开发了三种具有不同反应基团(如酰肼、氨基和氨氧基)的富含炔基的羧基选择性交联剂,以此提高针对酸性残基的交联效率并实现复杂样品的深入交联分析。文章要点:(1)本工作系统地评估了三种交联剂的交联效率,给出了氨基功能化交联剂 BAP 的最佳反应性。此外,结合BAP交联剂于高效的交联富集策略对大肠杆菌裂解物进行交联分析。在 ≤1% 的错误发现率 (FDR) 下,共鉴定出 392 种蛋白质中涉及到的 1291 个 D/E-D/E 交联。(2) 研究结果显示,BAP 与赖氨酸靶向交联剂具有明显的结构互补性,这提高了CXMS 进行蛋白质结构解析的能力。本工作是羧基选择性交联剂首次实现全细胞裂解物的全蛋白质组交联分析。总的来说,这项工作不仅扩展了一个针对酸性残基的十分具有前途的 CXMS 工具包,同时还为提高羧基选择性交联剂的性能提供了有价值的指导。图1 三种交联剂BHP、BAP和BOP的化学性质。(A) 三功能交联剂的化学结构:两个反应性基团用红色表示,一个可修饰的手柄用橙色表示。三种交联剂的Cα原子之间的最大距离约束利用软件Chem3D 19.0计算得出。(B) 利用软件pLink 2.0分析三种交联剂与蛋白质进行交联质谱实验的MS/MS谱。(C) 三种交联剂的反应效率直方图。(D) 酰胺化反应的机理。图2 三种交联剂BHP、BAP和BOP在BSA蛋白质、六蛋白混合物和E. coli 70S ribosome结构分析中的性能。(A) 三种交联剂与BSA的反应中鉴定出的交联的维恩图。(B) 交联的Cα−Cα 距离分布的直方图,通过映射到BSA的晶体结构来验证。(C) BSA中交联残基分布的二维 (2D) 热图。颜色插入表示交联的距离分布。(D) 六蛋白混合物的环形二维交联图。黑线表示蛋白质内的交联,红线表示蛋白质间的交联。(E) 将交联映射到TXN2 (UniProtID:Q99757,PDB:1W4V)、CA2 (UniProtID:P00921,PDB:6SKS)和E. coli 70S ribosome (PDB:5KCS)的X射线晶体结构上,由BAP(红线)和BSP(黄线)鉴定。图3 基于BAP的交联平台,用于大肠杆菌裂解液的全蛋白质组分析,包括蛋白质复合物交联、点击化学、链霉亲和素富集、分馏和LC-MS/MS分析。图4 通过BAP对大肠杆菌裂解液的全蛋白质组分析。(A)富集前后鉴定的谱图数目的比较。黑色和红色分别对应于常规肽和交联肽的谱图。(B)将由BAP(红线)和BSP(黄线)鉴定的交联映射到蛋白质的X射线晶体结构上。(C)将交联映射到由BAP专门鉴定的蛋白质的X射线晶体结构上。 (D)使用Xplor-NIH软件包对hns (UniProtID:P0ACFID) 和grcA (UniProtID:P68066) 的AF2预测结构进行细化。用BAP和BSP鉴定出的交联分别用红色和黄色标记。在本工作中,作者开发并表征了三种新的可富集的羧基选择性交联剂,它们具有不同的反应基团酰肼、氨基和氨基氧基。其中,氨基功能化交联剂 BAP 对于所有不同复杂度的蛋白质样品均表现出最佳的交联反应活性和鉴定覆盖率。此外,BAP扩展到大肠杆菌裂解液的交联分析与高效的交联富集相结合。本工作首次使用羧基选择性交联剂,以实现全细胞裂解液的全蛋白质组范围内的交联分析。因此,以上所有结果表明,本工作开发的 BAP 是一个很有前途的工具包,可以提高蛋白质结构分析的交联覆盖率。此外,本项工作还可以为提高羧基选择性交联剂的性能提供有价值的指导。参考文献:Gao H, Zhao Q, Gong Z, et al. Alkynyl-Enrichable Carboxyl-Selective Crosslinkers to Increase the Crosslinking Coverage for Deciphering Protein Structures [published online ahead of print, 2022 Aug 29]. Anal Chem.2022 10.1021/acs.analchem.2c02205. doi:10.1021/acs.analchem.2c02205
  • 科学家制成彩色高效硅基发光二极管
    据物理学家组织网2月18日报道,硅纳米晶体的尺寸仅为几纳米,却具有很高的发光潜力。现在,来自德国卡尔斯鲁厄理工学院(KIT)和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体,成功制造出了高效的硅基发光二极管(SiLEDs),其不含重金属,却能够发射出多种颜色的光。相关研究报告发表在近期出版的《纳米快报》杂志上。   硅虽然在微电子和光伏产业占据着主导地位,但长期以来其却一直被认为不适合发光二极管的制造。然而,这在纳米尺度却并非正确,由成百上千的原子构成的微小硅纳米晶体能够产生光线,也具备成为高效光发射器的巨大潜力。迄今为止,硅基发光二极管的制造一直局限于红色的可见光谱范围和近红外线,因此制造可发出彩色光的二极管可谓绝对新颖。   KIT科学家发现,通过采用不同大小的单分散的纳米粒子,能够改变二极管所发出光的颜色。其可由深红色光谱区域调谐至橘黄色的光谱区域,外量子效率亦可达1.1%。值得一提的是,制成的硅基发光二极管具有令人惊讶的长期稳定性,这在此前从未实现过。操作组件寿命的增长是因为只采用了同一尺寸的纳米粒子,这能有效增强敏感的薄膜元件的稳定性,而可导致短路的过大尺寸粒子则被排除在外。   此款彩色硅基发光二极管还具有不含有任何重金属的优势。与其他使用硒化镉、硫化镉或硫化铅的研究小组不同,科研团队此次采用的硅纳米粒子完全不具毒性,而且地球上的硅储量丰富,成本低廉,更有利于硅基发光二极管的进一步发展。   此外,新型发光二极管惹人注目的方面亦在于其发光区域的同质性。研究人员表示,随着液态处理的硅基发光二极管或能以低成本大批量制成,纳米粒子“群体”也将进入新的领域,相关潜力将难以估计,而教科书上有关半导体元件的描述或许也将被改写。
  • 长电科技:车规级功率器件产线“跑出加速度”
    目前,长电科技在上海临港加速建设公司首座大规模生产车规级芯片成品的先进封装基地,以服务国内外汽车电子领域客户和行业合作伙伴。该项目作为专业的汽车芯片封测工厂,将配备高度自动化的汽车芯片专用生产线,并建立完善的车规级业务流程。其目标是全面打造车规级芯片智能制造和精益制造的灯塔工厂,并以零缺陷为目标,为客户提供稳健的生产过程控制和完备的质量检验流程,以满足车规芯片制造的严苛要求。与此同时,长电科技在江阴搭建车规级封装中试线,强化与客户的合作,帮助客户提前锁定未来临港汽车芯片先进封装基地的产能。中试线于2023年底设备陆续进场,2024年第一季度成功通线,并率先推出两款碳化硅(SiC)塑封模块样品,主要以单面散热外形封装为主,满足客户双芯片和多芯片并联方案。其中一款单面散热模块采用双面银烧结与铜线键合工艺,实现多颗SiC芯片并联,持续工作结温达175℃,在800V电池系统中输出电流有效值高达700Arms。另一款小型化封装模块,在原有压力银烧结工艺的基础上,探索新型创新烧结工艺,不仅解决了外溢和裂纹风险,而且使生产效率得到显著提升。以上两款SiC封装器件是应对新能源汽车主牵引驱动器的高功率密度、高可靠性等需求研发的重要产品,涵盖750V/1200V耐压等级,可应对纯电及混动应用场景下的不同需求挑战。作为封测行业的领军企业,长电科技以创新研发为动力,以应用为驱动,以可靠性为核心,与国内外重要客户形成联合开发模式,在模块设计、模块制造和单管封装等方面形成核心能力。公司从封装协同设计、仿真、封装可靠性验证、材料及高压、高频、高功率测试方面给予客户高效技术支持服务,并且持续与相关产品头部企业合作开发新的解决方案并实现量产落地。未来,长电科技将持续为客户提供高品质、高效率、低成本的解决方案,助力客户在新能源汽车领域取得更大的成功。
  • “名家芯思维”-硅基光电子集成技术与应用研讨会暨第72期国际名家讲堂
    p   “名家芯思维”-硅基光电子集成技术与应用研讨会 /p p   暨第72期国际名家讲堂 /p p   2018年7月18日至21日,南京 /p p   http://www.csoe.org.cn/html/list_1739.html /p p   一、活动介绍 /p p   汇集行业内全球顶级专家,举办硅基光电子集成技术与应用系列活动,把大规模集成半导体工艺和光电子应用结合,实现高速万物互联。旨在为地区汇智聚力,推动我国硅电子集成技术高速发展,在核心芯片技术领域弯道超车。 /p p   2018年,人工智能是产业发展的热门方向,活动促进人工智能与光电子信息领域的紧密融合和双向驱动,将为光联万物产业生态注入新的基因,为地区发展增添新的动力。邀请国内外知名科学家、行业领袖、产业精英等人共同参与,共话硅光子集成技术的发展趋势,以此来协助地方进行科技资源统筹和前沿产业化技术研究。 /p p   二、组织机构 /p p   主办单位 /p p   工业和信息化部人才交流中心(MIITEC) /p p   比利时微电子研究中心(IMEC) /p p   承办单位 /p p   中国光学工程学会、江北新区IC智慧谷 /p p   协办单位 /p p   南京江北新区人力资源服务产业园 /p p   南京江北新区产业技术研创园 /p p   Luceda Photonics /p p   南京集成电路产业服务中心(ICISC) /p p   三、活动内容 /p p   (一)第72期国际名家讲堂-硅光 /p p   1、活动时间:2018年7月18-19日(周三、周四) /p p   2、活动地点:南京江北新区产业技术研创园腾飞大厦A座5楼 /p p   3、专家:Dries Van Thourhout(比利时根特大学教授) /p p   4、讲堂概况 /p p   涵盖了硅光子技术的基本原理及其应用,包括光子技术、设计、封装和测试等方面。此外,它还强调了硅光子系统是如何开发和正在向市场过渡的。 /p p   5、讲师介绍 /p p   Dries Van Thourhout /p p   根特大学教授 /p p   根特大学的工程物理学硕士和博士学位。美国新泽西州克劳福德山的贝尔实验室工作两年,致力于InP/InGaAsP单片集成器件的设计、加工和表征。现担任比利时根特大学全职教授,并成为合作UGent-VUB MSc光子课程的主席。 /p p   他的研究重点是集成光子器件的设计、制造和表征,现在在研究电信、数据通信、光互连和传感的应用。已经提交了14项专利,发表和共同撰写了超过200篇期刊论文,其中包括几篇发表在高级期刊上,如自然光子学、自然纳米技术和NANO LETTERS。 /p p   他在所有主要会议的领域(OFC, ECOC, APC, CLEO)提交了关于硅光子学的邀请论文和教程。已经协调了几个欧洲项目(FP6 PICMOS、FP7 WADIMOS、FP7 SMARTFIBER),在更多项目上做出了贡献,并拥有ERC资助(ULPPIC)。2012年,他获得了享有盛誉的“范· 德· 弗拉姆斯学院奖”。 /p p   6、讲堂大纲 /p p   (1)基础知识(波导光学原理、无源元件、有源器件、光纤耦合方法) /p p   (2)技术, 包括包装 (基本CMOS技术步骤硅光子学领域的关键技术挑战、不同类型的硅光子学平台、基本部件性能的测量方法、光纤接口、单光纤和光纤阵列、混合光源集成、热方面) /p p   (3)应用与市场前景 (数据通信、传感) /p p   (4)硅光子学技术的获取 (成本分摊访问模型、可用的技术、如何获取晶圆制造、包装和设计服务) /p p   7、注册费用 /p p   报名截止日期为7月18日 /p p   国信芯世纪南京信息科技有限公司为本期国际名家讲堂开具发票,发票内容为培训费。请于2018年7月18日前将注册费汇至以下账户,并在汇款备注中注明款项信息(第72期+单位+参会人姓名)。 /p p   付款信息: /p p   户 名:国信芯世纪南京信息科技有限公司 /p p   开户行:中国工商银行股份有限公司南京浦珠路支行 /p p   帐 号:4301014509100090749 /p p   或请携带银行卡至活动现场,现场支持POS机付款。 /p p   (1)注册费用:4600元/期(2天) /p p   (2)芯动力合作单位、中国光学工程学会学员:4140元/期 /p p   (3)学生福利: /p p   全国高校学生(本硕博)参加国际名家讲堂,享受标准注册费半价福利 /p p   全国高校教师(付费注册)可免费携带1名学生 /p p   在南京举办的国际名家讲堂,南京本地学校学生可享受专享注册费:1000元/人 /p p   (4)老学员福利: /p p   凡已付费参加任意一期2018年国际名家讲堂,均可本人半价注册费参加后续6个月内任意一期2018年国际名家讲堂 /p p   报名地址:http://b2b.csoe.org.cn/meeting/show.php?itemid=10 /p p   报名扫描二维码: /p p   (二)IC家园 - 硅光实操(免费参与,审核通过) /p p   1、活动时间:2018年7月20日(周五) /p p   2、活动地点:南京江北新区产业技术研创园腾飞大厦A座5楼 /p p   3、专家:曹如平(Luceda光子公司大中国区负责人) /p p   陈昇祐(Mentor Graphics MEMS、物联网周边器件和硅光子方向负责人) /p p   4、讲堂概况 /p p   可靠并且差异化的硅光设计制作 – 基于IPKISS和Tanner软件的硅光设计上机操作课程 /p p   5、讲师介绍 /p p   曹如平 /p p   Luceda光子公司大中国区负责人 /p p   曹如平博士就职于Luceda Photonics公司(比利时),担任应用工程师和亚洲业务发展经理,致力于帮助集成光电路设计者寻找并实施适当的设计自动化解决方案,以实现高效、可靠、易扩展的芯片设计流程。此前就职于Mentor Graphics公司,并从其与里昂纳米科技研究所(法国里昂中央理工学院)的合作科研项目取得博士学位。 /p p   陈昇祐 /p p   Mentor Graphics MEMS、 /p p   物联网周边器件和硅光子方向负责人 /p p   陈昇祐,毕业于清华大学电机工程学系,拥有18年半导体行业经验。硕士毕业后任职于台湾積体电路制造公司(TSMC),为21项国内外半导体器件已公告专利的唯一或主要发明人,2011年加入明导电子科技(Mentor, A Siemens Business),目前在IC设计方案事业部(IC Design Solutions Division)负责MEMS、物联网周边器件、硅光芯片(Silicon Photonics)方面与全球各大晶圆厂的合作。 /p p   6、实操大纲 /p p   (1)基础知识 (硅光设计流程、工艺设计套件(PDK)、元件建模和仿真的概念、版图设计、线路仿真、虚拟制造、物理验证(DRC)) /p p   (2)硅光线路的全流程设计 (从线路布局到建模仿真:使用IPKISS.eda,Tanner S-Edit,L-Edit和L-Edit Photonics的线路原理图和布局布线、用Caphe工具进行线路建模仿真、使用Calibre DRC执行设计规则检查,包括擅长于验证光集成设计的Calibre eqDRC) /p p   (3)自定义光子元件设计 (参数化元件设计、元件物理仿真和优化、创造使用于IPKISS.eda和Tanner L-Edit的自定义元件库) /p p   7、背景介绍 /p p   Luceda Photonics协助光子集成设计工程师享有像电子集成设计工程师一样的“首次即成功”的设计体验。 /p p   Luceda Photonics的软件工具和服务,是基于五十多年的光子集成芯片设计经验的累积。全球的产业研发团队和科研机构已经使用Luceda团队的专长服务,包括工艺设计包PDK的开发、光子集成芯片的设计和验证。 /p p   Luceda公司是比利时imec微电子研究中心、根特大学、和布鲁塞尔自由大学的分离子公司。Luceda是光子集成设计领域的领军企业,为全球的龙头企业服务,近几年的复合年均增长率(CAGR)超过100%。 /p p   Mentor, A Siemens Business是电子硬件和软件设计解决方案的世界领导者,主要产品为集成电路芯片和系统开发的各种设计、仿真、验证、测试工具。领先的工具包括:芯片物理验证工具 Calibre & reg 系列及OPC、芯片测试工具 Tessent & reg DFT, SoC验证软件CDC ,Questa & reg 及 Veloce & reg 硬件仿真器、模拟电路仿真软件AFS& #8482 ,硅光子及集成电路設計软件Tanner, FPGA设计软件, PCB 设计Xpedition& reg 及高速电路分析软件Hyperlynx。 /p p   报名地址:http://b2b.csoe.org.cn/meeting/show.php?itemid=11 /p p   报名扫描二维码: /p p   (三)名家芯思维-硅基光电子集成技术和应用(免费参与) /p p   1、活动时间:2018年7月21日(周六) /p p   2、活动地点:南京新华传媒粤海国际大酒店翔宇厅 /p p   (南京市江东中路363号-南京国际博览中心东门) /p p   3、主题:“大规模集成半导体工艺与光电子应用结合,实现高速万物互联” /p p   4、会议议程(以现场日程为准): /p p   报名地址: /p p   http://b2b.csoe.org.cn/meeting/show.php?itemid=12 /p p   报名扫描二维码: /p p   5、报告人介绍(部分): /p p   周治平,教育部长江学者,北京大学信息科学技术学院教授,博士生导师,1993年获美国乔治亚理工学院博士学位。1987年至2005年在美国留学工作。曾任美国乔治亚理工学院微电子研究中心资深研究员及CMOS工艺中心主任。2005年全职回国后,曾任武汉光电国家实验室(筹)主任助理,华中科技大学微纳光电子学系主任。研究领域包括微电子、纳米光电子、硅基光电子、光电子集成、光传感、及光通信等。在中国创建了一个晶体管厂,在美国创建了一个以CMOS芯片为基础的研究平台。 /p p   OSA Fellow, SPIE Fellow, IET Fellow 中国光学学会荣誉理事,中国光学工程学会常务理事 IEEE中国武汉分会创会主席(2006-2008),Photonics Research创刊主编(2012-现在),Electronics Letters中国版主编(2008-2010)。承担过国家基金委重点项目,科技部973,863项目,以及工业界支持的多个横向项目。多次主持IEEE,SPIE,OSA, 及中国光学学会等举办的国际学术会议。主编出版中外物理学精品书系《硅基光电子学》 发表论文,书籍章节,特邀报告460余篇,专利20余项。 /p p   余明斌,上海微技术工业院硅光子资深总监。他于1982获得西安理工大学物理学学士学位,分别于1989年和1995年获得西安交通大学半导体和微电子学硕士和博士学位。 /p p   他在1998加入南洋理工大学任职研究员之前是西安理工大学的教授,物理系主任,理学院副院长。他于2000加入新加坡微电子研究院IME。在IME他的研究方向为硅集成工艺技术研发,Si的纳米电子器件,硅光子学集成和硅通孔(TSV)技术的发展和应用。是IME硅光集成方向的创始人和学术带头人。目前,他在SITRI从事硅光子集成和工艺开发和应用工作。 /p p   他在国际学术期刊和会议上发表了300多篇论文和8项美国专利。他目前的研究兴趣包括硅光电子器件和集成电路技术,3D-IC TSV集成。 /p p   余明斌因在硅光集成方面的工作,在2010年获得新加坡总统科技奖。2011年新加坡微电子研究院(工业工程)优秀奖。2011年新加坡工程师学会IES著名工程成就奖(杰出的硅光子学研究)。 /p p   江伟,南京大学现代工程与应用科学学院教授,博士生导师。江苏省光通信系统与网络工程研究中心副主任。回国前任美国罗得格斯(新泽西州立)大学 (Rutgers, the State University of New Jersey)电子和计算机工程系副教授(暨终身教职)。长期致力于以硅基光子学研究。在硅片上做出了首个光子晶体高速电光调制器。被Nature Photonics, Laser Focus World等广泛报道。提出高密度波导集成的新思路和物理原理,并在硅基波导上实现,为高性能光学相控阵开辟了道路,受到Phys.org关注。获美国国防先进研究计划局(DARPA)青年教授奖(Young Faculty Award),美国电气与电子工程师协会一区(IEEE Region 1)杰出教学奖等荣誉。 /p p   潘栋,博士,美国费吉尼亚大学博士后和麻省理工学院研究学者。SiFotonics创始人兼CEO,主要从事Ge/Si光电器件、高速模拟电路,单片100G/400G硅基光集成芯片和及其解决方案等产品开发。纳米量子器件红外探测和Ge/Si激光器的发明人,表论文30篇,专利20多项。 /p p   四、参与机构(拟) /p p   五、酒店预订 /p p   1、酒店名称:南京瑞斯丽酒店 /p p   2、酒店地址:南京浦口区浦滨路207号近扬子科创中心 /p p   (酒店距离江北新区产业技术研创园步行约5分钟路程) /p p   3、协议价格: /p p   奢华型大床/双人房 480元/间(发票由会务公司开具会议服务费) /p p   4、预定方式:请需要预订酒店的学员在7月17日12点前联系工作人员。 /p p   预定酒店联系人: /p p   郁大鹏 18017813372 /p p   邮箱:icqy@miitec.cn /p p   5、接驳车线路时间如下: /p p   (临江路地铁1号口有免费接驳车送至研创园,步行5分钟到达酒店) /p p   孵鹰大厦接驳线(临江路地铁1号线-孵鹰大厦) /p p   l 临江路地铁1号口-孵鹰大厦 /p p   始发时间-依维柯-7:40/8:00/8:05/8:15/8:20/8:25/8:35/8:40/8:45 /p p   大客车-7:50/8:10/8:20/8:30/8:40/8:50 /p p   l 孵鹰大厦-临江路地铁1号口 /p p   始发时间-依维柯-16:00/16:20/16:40/17:05/17:25/17:35/17:55/18:05/18:15/19:00/19:20 /p p   大客车-17:10/17:20/17:40/17:50/18:10/18:20 /p p   l 孵鹰大厦-临近路地铁1号口(晚班) /p p   始发时间-依维柯-19:40/20:00/20:20/20:40/21:00 /p p   六、联系方式 /p p   联系人:王海明 /p p   邮箱:wanghaiming@csoe.org.cn /p p   电话:022-59013420,15900391856 /p p /p
  • 酶工程: 回归本源方能“兼济天下”
    目前,食品、饲料、纺织等传统工业正借助生物技术通往美好未来,而未来之“美”一定程度上来自于生物技术之“酶”。   酶是一种生物催化剂,具有作用专一性强、催化效率高等特点,能够替代传统工艺或化学品,达到提高效率、降低污染、节能减排的目的。酶工程是研究酶的开发、生产和应用的技术性学科。   世界领先的酶制剂企业诺维信(中国)投资有限公司研发中心高级研发总监吴文平表示,酶工程研究并非距离实际应用遥不可及的空中楼阁,而是已经和产业化实践紧密结合,并且在食品、饲料、洗涤剂、制药等领域的研究和应用都已相当成熟。   上述应用意味着酶工程已起到了“兼济天下”的作用,并正在延伸至更广泛的领域。   吴文平向《中国科学报》指出,在推而广之的过程中,酶工程研究也遇到了问题:酶制剂的应用成本偏高,需要开发更高效、廉价的酶制剂。   尽管近些年基因工程、蛋白工程等相关学科的发展推动了上述问题的解决,但吴文平强调,酶工程也应重视回归本源,即发现和开拓更多的野生微生物资源,因为大多数酶制剂是由微生物来源的,而大自然在过去许多亿年的进化历程中已为我们造就出了许许多多高效的微生物,这是酶工程的基础和本源。另外,开发高效的重组蛋白质表达生产系统也是降低酶制剂成本的有效途径。   他认为,这些是当前酶工程研究不可忽视的问题。“但是这些基础工作现在很少有人愿意做了,很大程度上是由于耗时耗力但很不容易出成果。酶工程研究最重要的应该是把挖掘自然界微生物资源和现代生物技术手段相结合。”   此外,对于未来发展方向,吴文平表示,合成生物学正在为酶工程带来新契机,通过基因和全合成、代谢调控以及未来高效的生物体的集成等方式,促进酶的修饰、改造和生产,“高效生物体的合成生物学起到实际作用仍然需要较长时间,但在未来几十年有可能为酶工程带来巨大变化”。
  • 壁纸行业亟待新规出台
    近日,经走访昆明大商汇等多家墙面装饰材料卖场后发现,每家壁纸 专营店都代理了几十甚至上百种品牌壁纸,每个品牌又区分出多种系列,上百种花色,材料方面包括了纯纸,胶面,无纺布等 在元素上有中国风格,欧式风情,卡通图案等多种系列,让人看得眼花缭乱。几乎每家店内都堆放着几十本厚重的壁纸样本供消费者翻阅选择,其中不乏一些“洋品牌”,最常见的是韩国壁纸,也有美国、英国、德国等国外品牌。因为号称是“洋品牌”,所以壁纸的样本背面全是让人看不懂的外文,几乎看不见标有中文字样的产品介绍。在一家专卖进口壁纸的壁纸店里,销售员拿出的几卷壁纸上只找到了一些德文符号。“这个品牌的壁纸是纯进口的,已经没有现货了,订货的话需要等段时间。”   价格水分大   销售人员表示,这些“洋品牌”价格一般比国产货贵上很多,而且打折的幅度很小。业内人士表示,无论是哪个品牌的进口壁纸,在产品的外包装上都应有中文标识,否则很有可能是“山寨”产品,实际上绝大多数产品产地都在中国,好一点的话,就是合资的,所谓的纯进口货基本不存在。   其实,消费者根本分辨不出所谓进口货的质量真伪,而且所有店内样品均未标明价格。询问店内销售人员,他们都说得“天花乱坠”,大都以“这个系列做工图样较复杂,要1000余元一卷,纸质更厚一些的,算下来大概600元一卷”等含糊的报价回复消费者。当问及某进口壁纸价格时,同一品牌两家不同的壁纸行给出的价格竟有天壤之别,行业价格十分混乱。“不标价格早已是行业内大家都默认的规矩,这其中存在着价格虚高。”中林建材城内宏旺墙纸总汇的老板说。   采访中,当问及是否有合格证和保修范围事宜时,昆明旺通装饰经营部何老板称他的产品都有合格证书,并保证如果出现任何质量问题的话可以终身保修。当问及有没有保修卡或保修凭证时,该老板却称没有。关于质保的说法互相矛盾,根本无法分辨,消费者权益难以得到保障。   行业亟待新规出台   据了解,目前整个壁纸行业存在缺乏科学管理、产品质量没保证、价格虚高、售后服务跟不上等问题。   根据中国装饰装修材料协会信息,2009年12月底由国家环保部编制的“壁纸行业规范”要出台,新标准将弥补旧标准的不足。但直到现在,仍未见到相关行业规范的出台,昆明市装饰材料行业协会负责人呼吁,新规应尽快出台。新规的出台将有利于规范市场的产品、价格及来源。有了新标准,壁纸销售商也会加强自律,那些信用不良的商家将会逐渐被淘汰出局,这在一定程度上会改善目前壁纸市场纷乱复杂的局面。   对于应如何选购壁纸,昆明市装饰材料行业协会负责人表示,单凭肉眼去看,普通消费者通常不能分辨出优劣,但可以要求商家提供产品的相关证书,正规店铺出售的壁纸一般会有相关的证书。例如市民最关心的环保性能,商家应能提供其环保检测合格证书。真正环保的壁纸都有此证书,就连粘贴用的乳胶粉及胶水都有检测报告。另外,市民可尽量选择明码标价或品牌直销的壁纸店,多走几家多做对比。对于“山寨货”,市民虽难以肉眼分辨,但可要求商家出示相关的证明,或者向商家提出查看没有拆封的整卷墙纸的商品身份证——条形码。国外的正规品牌一般都是不同型号、不同花色拥有不同的独立条形码,即使是同一个型号下不同花色也拥有不同的条形码可供区分真伪。
  • 用于工业废气处理的新型硅基微孔材料研制成功
    近日,中科院大连化学物理研究所研究员朱向学和研究员李秀杰团队在脱除不同分子尺寸的挥发性有机化合物(VOCs)吸附材料的研究方面取得了新进展。团队制备了富含开放微孔的新型硅基材料,可以用于VOCs的高效脱除,相关成果发表在《化学工程杂志》上。VOCs治理是大气污染治理的重要组成部分,是我国改善空气质量、打赢蓝天保卫战的重要抓手。吸附脱除或吸附脱除与燃烧法组合工艺是目前工业VOCs 废气处理最常用方法,其核心和关键在于高效吸附材料,尤其是在高湿气氛、多组分复杂工况条件下高效大容量吸附材料的开发。针对常用沸石吸附材料孔道结构单一,难以实现高湿气氛下多组分VOCs高效吸附的问题,团队提出了沸石晶化前驱体液可控水解和自组装的合成策略。通过对水解过程(模板剂类型及含量、碱度等)和自组装过程(干燥条件等)的调控,制备得到了具有丰富开放微孔结构的新型硅基吸附材料(MIS),并实现了MIS材料孔结构的灵活调变。在优选条件下,团队制备得到的MIS材料的微孔孔容约0.28cm3/g,且微孔分布较宽(0.5至2.0 nm),具有吸附不同分子尺寸VOCs的能力。进一步研究发现,在高湿度条件下间二甲苯吸附过程中,MIS材料表现出较MCM-41、Silicalite-2、硅胶、SBA-15和多级孔ZSM-5等传统吸附剂更优异的吸附性能,同时在多次循环吸附—脱附实验中未见吸附量降低;在丙酮、异丙醇、甲苯、苯乙烯、间二甲苯和三甲苯等不同分子尺寸VOCs的吸附中均表现出优异的吸附性能。该工作为相关新型吸附材料的开发提供了新思路。相关论文信息:https://doi.org/10.1016/j.cej.2022.140077
  • 活动回顾|祝贺2021年中国硅业大会暨第三届新能源材料(硅基)产业技术高层交流会圆满结束
    12月23日,由中国有色金属工业协会和云南曲靖市人民政府共同主办的“2021年硅业大会“在云南省曲靖市落下帷幕。东西分析应邀出席了此次大会。会议现场硅产业是我国有色金属行业的重要组成部分,近年来一直受到国内外广泛关注。工业硅细分产品为合金硅、有机硅、多晶硅等产品,其上游为如硅块、热电、还原剂、石油焦等化工原料制造业,其下游主要为电子器件、日化产品、光伏、半导体、汽车制造等。其应用已经渗透到信息产业、新能源等相关行业中,在我国经济社会发展中具有特殊的地位,是新能源、新材料产业发展不可或缺的重要材料,展现了广阔的应用前景。而中国硅业大会正是我国硅业研讨产业发展大势,促进企业深度交流与合作、推动产业健康可持续发展的重要盛会。此次大会分别安排“硅业大会“、”硅业分会第四届二次理事会“、”高纯晶硅材料分论坛“、”工业硅有机硅材料分论坛“、”晶硅光伏产业分论坛“等多个主题活动。吸引了来自政府部门、行业协会、科研院所、相关生产企业、设备制造、辅助材料生产商、金融机构、相关媒体等领导和代表逾300人参会。 东西分析作为国内较早成立的民营企业之一,研发生产科学分析仪器已有三十多年的历史,涉及光谱、色谱、质谱等系列上百款产品,可为硅产业原材料、制备加工工艺过程、中间体及成品等各环节质量控制提供如电感耦合等离子体发射光谱仪、原子吸收、气质联用、电感耦合等离子体质谱仪等分析检测设备、相关解决方案及技术支持。ICP-7700电感耦合等离子体发射光谱仪ICP-7760HP全谱直读型电感耦合等离子体发射光谱仪AA-7090塞曼型原子吸收分光光度计GC-MS 3200气相色谱(四极)质谱联用仪为期三天的研讨会很快就结束了。本届会议不仅为企业代表提供了交流平台,也就新环境下硅产业的健康发展等热点进行了深入的探讨,起到了行业盛会交流、服务和指导的作用。东西分析愿与硅产业的同仁一道为我国乃至世界的硅产业发展尽自己的绵薄之力!
  • 酒鬼酒否认停产 拒绝塑化剂超标白酒召回
    被曝塑化剂严重超标的酒鬼酒11月27日晚间公告,针对媒体报道的《酒鬼酒今起全面暂停生产》,公司澄清称,目前公司未全面停产,曲酒(基酒)生产正常,未停产,已排查至包装环节,并称正对可能导致塑化剂超标的设施彻底更换,将于11月30日前完成整改工作。   此前接受央视采访时,酒鬼酒总经理夏心国表示,初步锁定塑化剂可能肇事的三大“元凶”:包装线上的小塑料导管、塑料酒瓶塞,以及曾临时使用的塑料输酒管。   酒鬼酒方面表示,停产之后,灌装机中的小塑料导管将更换成不锈钢材质,目前不锈钢材质的导管已经在定制当中,未来塑料瓶塞也有可能换成软木塞,待更换设备后再恢复生产。公司方面还表示,目前并没有产品召回的计划。   记者从部分经销商处获悉,目前酒鬼酒滞销严重,退货无门。在酒鬼酒公司的所在地湖南省湘西自治州,多位经销商对外称,酒鬼酒公司曾派人摸底经销商手中50度酒鬼酒的存货量,此前被媒体送检的酒鬼酒正是这一种。经销商猜测,这一举措或是召回的先兆。   对此,夏心国昨日明确表示,公司尚未有产品召回的计划。“不召回的原因是想集中精力把风险排查和整改工作做到位。”夏心国说,“公司方面已经派出大量销售员工去跟经销商沟通,大部分经销商也都能理解。”一些经销商同时表示,塑化剂事件发生后起初几天,酒鬼酒的销量急剧下降,几乎没有人来拿货。但这几天以来,已有一些消费者前来购买,酒鬼酒的销量正逐步回升。   11月27日下午,在酒鬼酒召开的电话会议上,面对众多问题,该公司董秘张儒平不正面回答,并多次表示,如果质监局有要求,一定会回应。他表示,公司并没有全面停产,只有50度酒鬼酒有塑化剂。   对于投资者最关心的“退货问题”,张儒平表示,经销商如果要退货,公司会收,若不退,公司不予处理。因为质监局没有塑化剂的具体要求。   张儒平表示,初步估计,被检出塑化剂超标的50度酒鬼酒市场存货金额约5000万元,目前没有产品召回计划。他同时承认,塑化剂风波对公司今年年底和明年第一季度销售造成影响。   资深酒业观察研究人士孙延元在接受《国际金融报》记者采访时认为,白酒内塑化剂人为添加的可能性很低,所以对于其来源,最终只能追溯到塑料管等容器方面,酒鬼酒公布的答案应该是正确合理的。   “酒鬼酒公司此时选择停止生产线,这种暂避锋芒的行为是明智的。”孙延元对《国际金融报》记者表示,酒鬼酒内含有塑化剂的事实已经被确认,任何的辩驳对于如今酒鬼酒所处的形势起不到任何有利作用,甚至会有反效果。   “消费者需要的是公司改正错误的事实证据。”孙延元说,酒鬼酒如今进行整改,并将导管换成不锈钢材质的行为,就是在补救和改正自己的错误。   显然,酒鬼酒含有塑化剂事件对产品品牌造成了严重的影响,众多消费者也会因为这场“塑化剂风波”保持观望态度。   “酒鬼酒现在要做的就是休整和等待。”孙延元进一步告诉记者,当前,食品安全问题十分敏感,只有公司积极改正,把好质量关口,向消费者进行承诺,才是平稳度过这次危机的正确措施
  • 国家质检总局:酒鬼酒塑化剂超标属实
    国家质检总局21日下午在官网公布湖南省质监局报告酒鬼酒样品初检情况表示DBP最高检出值为1.04mg/kg,湖南省质量技术监督局已经督促企业查明产出邻苯二甲酸酯类物质的原因,认真进行整改。   国家质检总局21日下午在官网公布《湖南省质监局报告酒鬼酒样品初检情况》,该公告表示,经湖南省产商品质量监督检验院对50度酒鬼酒样品进行检测,截止目前检验结果,其中DBP最高检出值为1.04mg/kg。湖南省质量技术监督局已经督促企业查明产出邻苯二甲酸酯类物质的原因,认真进行整改。   这一数据与媒体之前报道的酒鬼酒邻苯二甲酸二丁酯(DBP)含量为1.08㎎/㎏基本一致,按照2011年6月卫生部签发的551号文件《卫生部办公厅官员通报食品及食品添加剂中邻苯二甲酸酯类物质最大残留量的函》,酒鬼酒中的塑化剂DBP确实明显超标。   网易财经企图联系酒鬼酒多位相关负责人予以置评,但其电话一直未能接通。此前,酒鬼酒一位负责人坚称其产品符合相关标准,不会召回相关产品。   台湾大学食品科技研究所孙璐西教授向网易财经表示,酒鬼酒中被指超标的DBP,毒性超过此前台湾塑化剂风波中的主角DEHP。   孙璐西教授称,塑化剂DEHP会危害男性生殖能力,促使女性性早熟。DBP虽不具致癌性,但与DEHP相比,同样具睪丸、精子的生殖毒性,而且可能造成女童性早熟、婴孩生殖器畸形、男童有女性化倾向等问题。   她同时表示,酒鬼酒中超标的DBP,毒性超过此前台湾塑化剂风波中的主角DEHP。DBP和DEHP每日耐受量有所不同,DBP每日耐受量为0.01毫克/公斤体重/天,DEHP每日耐受量为0.05毫克/公斤体重/天,耐受量越低,毒性则越高。由此可见,DBP的毒性更高。   据此测算,酒鬼酒的检测结果是DBP含量为1.08毫克/KG,即喝1公斤的酒就会摄入1.08毫克的DBP。而以一个60公斤的成年男子来算,每人每天耐受量为0.6毫克(0.01毫克*60=0.6毫克)。这也就意味着,每天喝一公斤酒鬼酒的话,就超出人体耐受量0.48毫克(1.08mg-0.6mg=0.48mg)。   不过,多位专家均向网易财经表示,酒鬼酒人为恶意添加塑化剂的可能性不大,应为制酒过程由设备或其它原料的污染所致。湖南质监局也称,未发现酒鬼酒人为添加塑化剂行为。   今日,央视新闻在其官方微博称,质检部门近期完成的国产白酒样品中,有部分样品检出微量塑化剂(邻苯二甲酸脂类物质)。对检出的白酒产品,已责成相关地方质监部门对生产企业进行了排查。但未发现有人为故意向白酒中添加塑化剂的情况。
  • 26.81%!中国创造硅太阳能电池效率新世界纪录
    11月19日,隆基绿能(601012)在第十六届中国新能源国际博览会暨高峰论坛上表示,公司自主研发的硅异质结电池转换效率达到26.81%,并经德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)的最新认证。据了解,新纪录是继2017年日本公司创造单结晶硅电池效率纪录26.7%以来,时隔五年诞生的最新世界纪录,也是光伏史上第一次由中国太阳能科技企业创造的硅电池效率世界纪录。推动光伏产业降本增效“世界太阳能之父”、新南威尔士大学教授马丁.格林11月19日通过视频宣布,隆基绿能26.81%的电池效率是目前全球硅基太阳能电池效率的最高纪录(不分技术路线)。隆基绿能创始人、总裁李振国表示:“提升转换效率、降低度电成本是光伏产业发展的永恒主题。太阳能电池效率是光伏科技创新的灯塔,每一次0.01的突破都充满挑战。尤其是晶硅电池在目前的光伏市场中占比近95%,所以晶硅太阳能电池的极限效率决定了、也展示了光伏技术的发展潜力和光伏产业的发展方向,在整个光伏领域具有重要的意义。”中国科学技术协会党组书记张玉卓表示,此次打破世界纪录在我国光伏产业发展史上具有里程碑意义,这不仅充分彰显了我国光伏企业硅太阳能电池制造的科技实力,也有力提振了我国在更多科技领域走向世界前列的信心和决心。记者了解到,光伏制造业和光伏设备行业的高弹性与高估值很大程度上来源于其降本增效过程中众多颠覆性技术创新带来的价值重塑。HJT(异质结)是未来具有想象力的技术路线,而发电成本则依赖于太阳能电池的光电转换效率。隆基绿能此次公布的硅异质结电池转换效率达到26.81%,将为实现“双碳”目标提供重要科技支撑。近期连续三次刷新世界纪录据了解,此次突破世界纪录的隆基绿能高效晶硅异质结电池研发团队从2021年6月至今,不断打破并刷新原先的硅异质结电池世界纪录,从25.26%提升到26.81%,实现了一年四个月的时间里绝对值增加1.55%。尤其是在一个多月时间内,隆基绿能就分别以26.74%、26.78%、26.81%“连中三元”,刷新硅太阳能电池效率新纪录,再次印证了隆基绿能持续聚焦科技研发,推动产业进步的决心。业内人士表示,这种成熟的技术和全硅片大面积的世界纪录在整个光伏技术开发历史上也是非常罕见的。隆基绿能此次突破硅太阳能电池效率世界纪录也受到了来自国际能源署、全球能源转型委员会、世界可持续发展工商理事会、全球各国行业协会及行业组织等的关注。李振国曾多次表示,惟有依靠科技创新,抓住全球能源变革的机会,以创新驱动增长,才能按计划实现低碳、乃至零碳的跨越式发展,增强全球的气候韧性。光伏科技创新是应对气候变化的有力武器,并会在实现联合国“2030”可持续发展目标过程中发挥关键作用。
  • 微电子所在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展
    硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性,已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一,而且在电子消费产品中得到大规模应用。由于硅基氮化镓横向功率器件电气可靠性十分有限,主要表现在硬开关工作环境中的动态电阻退化效应,这给其在寿命要求较长的领域(如数据中心、基站等电源系统)应用带来了挑战,阻碍了其在ICT电源等大功率领域中的大规模应用。提升硅基氮化镓横向功率器件可靠性的难点在于如何准确测试出器件在长期高压大电流应力工作下的安全工作区,如何保证器件在固定失效率下的寿命。硅基氮化镓横向功率器件在高压大电流场景下的“可恢复退化”与“不可恢复退化”一直以来很难区分,这给器件安全工作区的识别和寿命评估带来了极大挑战。针对上述问题,中国科学院微电子研究所研究员刘新宇团队基于自主搭建的硅基氮化镓横向功率器件动态可靠性测试系统,从物理角度提出了硅基氮化镓横向功率器件开关安全工作区的新定义及表征方法。该技术能够表征硅基氮化镓横向功率器件开发中动态电阻增大的问题及其开发的硅基氮化镓横向功率器件对应的材料缺陷问题。相关研究成果以Characterization of Electrical Switching Safe Operation Area On Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs为题发表在《IEEE电力电子学汇刊》(IEEE Transactions on Power Electronics)上 。研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中国科学院前沿科学重点研究项目以及北京市科学技术委员会项目等的支持。图 (a) 团队自主搭建的自动化硅基氮化镓横向功率器件动态可靠性研究平台;(b) 基于器件是否生成新陷阱的角度区分硅基氮化镓横向功率器件的“可恢复退化”与“不可恢复退化;。(c) 提出一种检测器件发生不可恢复退化的边界的测试方法,以此测试序列表征器件开关安全工作区;(d) 所测试的硅基氮化镓横向功率器件的开关安全工作区。
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