光刻胶

光刻胶（resist） 概 述 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED,LCD,OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。 德国ALLRESIST公司是从事光刻用电子化学品研发、生产和销售的专业公司，有丰富的经验和悠久的传统。可以为您提供各种标准工艺所用的紫外光刻胶，电子束光刻胶（抗蚀剂）以及相关工艺中所需要的配套试剂。 北京汇德信科技有限公司作为德国ALLRESIST的国内独家代理经销商，为国内用户提供高品质的光刻胶以及配套服务。 产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 我们每个月20号左右都会向德国厂商下订单，产品将于第二个月中旬到货，您可以根据实际情况，合理安排采购时间。具体的订购情况，请联系我们的销售人员。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

光刻胶检测系统,光刻胶测试系统用于检测光刻胶的光谱灵敏度(波长特性)。这是一种光谱系统，它将连续的光(大约240纳米宽)照射到一种光敏材料上，例如光阻剂。标准配置两种光源。一种是能照射强线谱光的深紫外光灯，另一种是能照射连续谱光的氙灯。规格波长范围:波长波段一次照射约240nm辐照有:高度方向:89mm(5-13步)波长方向80mm(约240nm)辐照时间:0.01-1200s辐照步骤:1-13步

-SNR负性光刻胶，完全针对微机械加工微电子应用，高对比度，环氧树脂类负性光刻胶。具有垂直侧壁的高纵横比成像近紫外（350-400nm）处理单旋涂膜厚度为1.5至200µ m高度耐化学性和耐温度性与已建立的SU-8光刻工艺完全兼容SNRSeriesViscosity(cP)Thickness(um)Exposure Energy(mJ/㎠ )C5534 - 8100 - 120C71656 - 13110 - 125C104559 - 21120 - 140C15150013 - 46125 - 180C25549018 - 70135 - 200C501590040 - 155165 - 295C752720060 - 240190 - 360

DJ MicroLaminates成立于二零零九年，以销售电子光刻胶材料技术，并提供产品开发，工艺开发服务和市场开发活动。由DJ MicroLaminates开发的产品有针对性的技术，以满足先进的MEMS制造和晶圆级封装的需求。DJ MicroLaminates目前开发的光刻胶干膜(TDFS)，是层压板预切晶圆或基板尺寸。SUEX TDFS是感光厚环氧树脂片，应用于晶圆级封装和MEMS。该片材由两个被剥离的聚酯薄膜保护层（PET）中间包含的阳离子固化改性环氧树脂的光阻构成。环氧树脂的光阻中含有无锑的光酸生成剂，并在一个严格控制的无溶剂的过程中制备，它能提供均已的涂层。该方法应用于负性光阻的开发，该种光阻对在350-400nm的范围内的紫外线辐射敏感。 DJ MicroLaminates提供的产品是SUEX, SUEX Plus,以及ADEX系列的环氧树脂负性光刻胶干膜，厚度范围在5微米至超过1mm内。干膜很容易层压在基板表面，并可在几分钟内预备使用。SUEX适合并且与以下物质有良好的粘合性：硅，氮化硅，铜，金，玻璃，聚合物和其它金属和氧化物。标准厚度：100um，150um，200um，250um，350um，500um，650um，750um和1mm 一般储存温度：使用之前，应在21℃至25℃温度中存放15-18小时，这样为最佳效果，并易于加工。 SUEX/SUEX Plus/ADEX干膜光刻胶1）总处理时间：小于5分钟2）卓越的厚度均匀性，边缘无光3）高热稳定性-高韧性4）无锑化学环境，无材料浪费 选择干膜的优势1）无需昂贵的匀胶和烘胶设备2）对Fab环境要求较低3）整片晶圆上厚度均匀4）无需去边工艺5）100%平坦化（真空压膜）6）胶膜内部成份分布均匀7）适合UV和X射线曝光8）高透过率9）生产过程中减少了溶剂使用10）绿色环保

产品应用进口硅片直径:2~8英寸 掺杂:N/P 晶向:100/110/111 电阻率:0.001~20000Q.cm国产硅片直径:2~8英寸 掺杂:N/P 晶向:100/110/111 电阻率:0.001~20000Q.cm高阻硅片(进口)FZ硅片直径:2~8英寸 掺杂:N/P 电阻率:10Q.cm~20kΩ.cm及以上MCZ硅片直径:2~8英寸 掺杂:N/P 电阻率:10Q.cm~20kQ.cm及以上测试片直径:2~8英寸,该类片可作为工艺陪片使用,或者作为对电学性能没有要求的正片使用外延片直径:2~8英寸,根据用户提供的衬底和外延层详细指标进行定制氧化硅片(国产/进口)直径:2~8英寸 氧化层厚度:200A~20um 氧化层厚度3um,需根据用户需求定制Dummy直径:2~12英寸 一般作为没有洁净度要求的单项工艺测试SOI硅片直径:4~8英寸 根据用户提供顶层硅、氧化硅、载片这三层的指标参数,检索库存或特殊定做其他特殊硅片1.超厚硅片2.招薄硅片3.金属化硅片(硅片表面镀有各类金属,Cr,Ti,Ni,Cu,Au ,Pt等)4.氮化硅硅片(普通LPCVD生长,或低应力SiN)5.超平硅片6.特殊晶向硅片7740玻璃片(Corning)BF33玻璃片(Sochott)直径:4～8英寸 厚度:300um~5mm,参数及包装标准:表面光洁度:0.5nm(两面光学研磨) 可定制切边:32.5±1mm(4寸) 导角:0.05~0.2mm石英片直径:2~6英寸 厚度:200um~5mm 分为单晶石英片和熔融石英玻璃片铌酸锂,钽酸锂GaNd等特殊材质衬底直径:2~4英寸砷化镓片直径 2~6英寸 晶向 100蓝宝石直径 2~6英寸 晶向 CA.R.M等.厚度:200um~1mm产品型号类型型号光源胶厚适用范围微流控胶SU-8 2000系列Near UV(350-400nm),推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray0.5-650um高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,适用于MEMS工艺,钝化层,微流控以及光电子器件SU-8 3000系列5-100um高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,较2000系列具有更好的基底粘附性,更不易在工艺过程中产生内应力积累,适用于MEMS工艺,微流控,光电器件制作以及作为芯片绝缘、保护层使用HTG910-Line95-168um厚胶,适用于电镀KMPRNear UV(350-400nm),推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray5-115um高分辨率,垂直性好,显影适用TMAH&KOH,易去胶,耐干法刻蚀SU-8干膜-Line5-1000um多种厚度选择,深宽比5,粗糙度小,耐腐蚀电子束胶SML系列(耐刻蚀)E-beam50-5000nmEM RESIST,5nm线宽,高分辨率,高深宽比,垂直性好,耐刻蚀,与基底粘附性好PMMA国产E-beam40-7um高分辨率,涵盖40k-1000k多种分子量,适用于掩模版制作,金属剥离lift-off和电镀掩模等工艺PMMA/MMA(进口)E-beam,X-ray&deepUV imaging50-5000nmMicroChem,950K,495K两种分子量,线宽0.1um,与基底粘附性好,适用于电子束光刻,多层T-Gate剥离,晶圆减薄等PMMA(进口)E-beam30-2000nm高分辨率电子束胶,具有35K,120K,350K,495K,950K等多种分子量,适用于各种电子束光刻SU-8GM1010E-beam,X-ray500-700nm可用于做高宽比较大的纳米结构HSQE-beam,X-ray30-950nm高分辨率,耐刻蚀,垂直性好,最常用的电子束负胶Lift-off胶ROL-7133g/h/i-Line2.2-4um负性光刻胶,倒角75~80°,粘附性好,使用普通正胶显影液,适用于制作金属电极或导线LOR/PMGI-SF与g/h/i-Line,DUV,193nm,E-beam光刻胶兼容50nm-6um高分辨率,可用于0.25um Lift-off工艺,粘附性好,良好的耐热稳定性,易去胶,作为双层胶的底层胶使用HTIN160-Line1.2-2um高分辨率负胶,400nm线宽,高对比度、高宽容度、易去胶,应用于负胶光刻、ift-off工艺,制作电极,导线等.NLOFi-Line1.8-12um感光性好,高分辨率,耐高温,适用于lift-off工艺NR系列i-Line或g/h-Line0.5-20umFuturrex,粘附性好,耐高温,适用于MEMS、封装、生物芯片等工艺DUV光刻胶HTKN601系列248nm0.4-1.2um高分辨率负胶,300nm线宽,适用于半导体的光刻工艺和金属剥离工艺RD1000248nm150-300nm分辨率高,130nm线宽,国产深紫外光刻胶,已经在量产单位规模使用正胶HTI751-Line0.8-1.2um国产高分辨率正胶,0.35um线宽,高分辨率、低驻波效应、垂直度好,应用于MEMS、IC工艺RDP-8003(55cp)i-Line,Broadband2.3-3.5um国产正胶,高分辨率,工艺宽容性高,应用于MEMS、IC、LEDSPR955系列-Line0.7-3.5um分辨率高,0.35um线宽,广泛使用的高分辨率正胶S18xx系列g-Line0.4-2.7um高分辨率正胶,0.5um线宽,粘附性好,最常用的薄光刻胶,稳定可靠SPR220系列-Line1-10um粘附性好,耐干法/湿法刻蚀,适用于选择性电镀,深硅刻蚀等工艺负胶SU-8 GM10xx系列g/h/i-Line0.1-200um高深宽比,透明度高,垂直性好,适用干微细加工的机械结构(MEMS)和其他的微型系统SU-8Microchem系列Near UV(350-400nm)推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray0.5-650um高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,适用于MEMS工艺,钝化层,微流控以及光电子器件HTG910-Line60-140um适用于选择性电镀NR26-25000P-Line20-120um分辨率高,粘附性好,显影时间短,相对容易去胶临时键合胶激光响应LB210+临时键合TB4130激光响应波长308nm,355nm0.2-0.6um/10-40um激光拆键合,适用于器件晶圆减薄、背面工艺及室温无应力分离等工艺TB1202/12361-50um热滑移拆键合,适用于器件晶圆减薄拿持及其背面工艺等键合胶PermiNex 1000i-Line1-32 um光敏负性,工作温度:200℃,与硅和玻璃粘附性很好PermiNex 2000i-Line1-32 um光敏负性工作温度:200℃、与硅和玻璃粘附性很好兼容水性显影液

三为科学光刻胶专用高压计量泵是采用凸轮传动的高压柱塞泵，输液液体粘度可以达到1000厘泊（cP），高精度无脉冲连续供胶，可以用于涂胶显影机中输送光刻胶，sanotac光刻胶高压计量泵还具有：在线流量和压力变化曲线、客户端流量校正，按体积输送功能和按重量输送功能，Modbus协议，232/485，PLC模拟量输入：0—5V , 4—20 mA；流量精度高、压力脉冲低，重复性好，质量优异。技术特点：1， 压力保护设定：可设置压力上限和压力下限；2， 压力脉冲低 ， 采用凸轮曲线补偿和流量脉冲电子抑制技术；3， 流速单位切换：按体积输送ml/min和按质量输送g/min；4， 流量校准：提供用户参数区用于校准泵的流速，满足不同系统工况需求；5， 流量控制程序： 提供两种运行程序，恒流运行和梯度运行；6， 压力曲线显示：各设备分别显示当前压力曲线，直观判断设备运行状况；7， 流量曲线显示：各设备分别显示当前运行的流量曲线；8， 支持RS-232，RS-485，RS-422；Modbus RTU和 ASCII协议；9， 一对多控制，单泵操作和多元梯度操作自由选择，可扩展1对32操作；10， 运行数据保存：开启或停止数据记录，将压力曲线和流量曲线保存至Excel格式文件中。11， 设置方法保存：保存运行参数设置，如串口端口参数，压力保护值，流量控制程序等。12， 可以实现流体入口天平减重系统的闭环控制（根据客户天平规格定制）。 高粘度高压柱塞泵产品参数：序号产品型号VP-0106VP-0506VP-10061泵头材质不锈钢泵头2输液方式双柱塞并联模式，浮动柱塞设计3流量范围0.01-10.00/min0.01-50.00/min0.01-100.00/min4输送粘度范围0-1000cP0-100cP0-100cP5增量0.01ml/min6流量准确度± 0.5%7流量重复性≤ 0.1%8压力范围≤ 6Mpa9压力脉动≤ 0.05Mpa10流路材料316L不锈钢、PTFE、红宝石、陶瓷11流量校正功能用户端 0.01--100.00ml范围内多参数流量校正功能12通信功能RS232，RS485/422(选配)； Modbus RTU和 ASCII协议13上位机软件 SanoFlu流体控制管理系统14电源220±10%VAC,50Hz15尺寸360×260×160 mm3

microchem 光刻胶SU-8 2000系列永久性环氧负性光刻胶:SU-8 2025,SU-8 2035,SU-8 2050,SU-8 2075 SU-8 2000 特性 &bull 高纵横比成像&bull 0.5 200 ?m 膜 厚度 在 一 个 外套&bull 改善涂层性能&bull 加快干燥速度，提高产量&bull 近UV (350-400 nm)加工&bull 胎侧垂直 处理指南 SU-8 2000光刻胶最常用的是传统的UV (350-400 nm)辐射，尽管i-line (365 nm)是推荐的波长。SU-8 2000也可以用电子束或x射线照射。在曝光后，交联过程分为两个步骤(1)在曝光过程中形成强酸，接着是(2)在曝光后烘烤(PEB)过程中酸催化、热驱动环氧交联。正常的工艺是:旋涂、软烤、曝光、PEB，然后显影。当SU-8 2000结构仍将作为设备的一部分时，建议使用受控硬烘焙技术进一步交叉连接这些结构。整个过程应针对具体应用进行优化. COAT SU-8 2000有12种标准粘度。本加工指南文件涉及四种产品:SU-8 2025、SU-8 2035、SU-8 2050和SU-8 2075。图1所示。提供所需的信息，以选择合适的SU- 8 2000抗蚀剂和旋转条件，以达到所需的薄膜厚度。衬底制备 为了获得最大的工艺可靠性，在使用SU-8 2000抗蚀剂之前，基板应保持清洁和干燥。为了达到最佳效果，底物应该用食人鱼湿蚀刻(使用H2SO4和H2O2)清洗，然后用去离子水冲洗。基片也可以用反应离子蚀刻法清洗(RIE)或任何装有氧气的桶式装置。通常不需要附着力促进剂。对于包括电镀在内的应用，推荐使用MCC引物80/20 (HMDS)对基体进行预处理。 推荐项目1)。为每英寸(25mm)的衬底直径分配1ml的抗蚀剂。2)。以每分钟500转的速度旋转5-10秒，加速度为每秒钟100转。3)。以每分钟2000转的速度旋转30秒，加速度为每秒钟300转。边缘去除(EBR) 在自旋涂覆过程中，光刻胶可能在基板边缘形成。为了最大限度地减少热板的污染，应该去除这个厚珠。这可以通过在晶圆片顶部或底部边缘使用少量溶剂(MicroChem的EBR PG)来实现。大多数自动旋转涂布机现在都有这个功能，可以通过编程自动完成。通过移除任何边缘珠，掩模可以与晶圆片紧密接触，从而提高分辨率和长宽比。 软烤 建议在软烘烤过程中使用具有良好热控制和均匀性的水平热板。不建议使用对流烤箱。在对流烤箱烘烤过程中，抗蚀剂上可能会形成一层表皮。这种皮肤可以抑制溶剂的进化，导致薄膜不完全干燥和/或延长烘烤时间。表2。显示各种SU-8 2000产品在选定薄膜厚度下的推荐软烘焙温度和时间。注意:v要优化烘烤时间/条件，请在规定时间后将晶圆片从热板中取出，并将其冷却到室温。然后，将晶圆片返回到热板。如果薄膜“起皱”，将晶圆片放在热板上几分钟。重复冷却和加热循环，直到“皱纹”不再出现在影片中。光学参数色散曲线和柯西系数如图3所示。这一信息对于基于椭圆度和其他光学测量的薄膜厚度测量是有用的。曝光 为了在SU-8 2000抗蚀剂中获得垂直侧壁，我们建议使用长通滤波器来消除350NM以下的紫外线辐射。欧米茄光学公司()或旭硝子科技玻璃公司(AsahiTechnoglass)推荐的V-42型和UV-D35型滤镜()的推荐滤镜(PL- 360-LP)需要增加约40%的曝光时间才能达到最佳的曝光剂量。 注:在最佳曝光条件下，将显影潜影置于PEB热板上后5-15秒内，而不是之前。应进行接触矩阵实验，以确定最佳剂量。 曝光后烘烤(PEB) PEB应在暴露后直接进行。表5所示。显示推荐的时间和温度。 注:在95°C条件下，经PEB处理1分钟后，SU-8 2000光刻胶涂层应能看到掩膜的图像。如果在PEB期间或之后没有看到可见的潜影，这意味着没有足够的曝光、加热或两者兼备。发展 SU-8 2000型光刻胶已与MicroChem公司的SU-8显影剂一起被设计用于浸没、喷雾或水坑工艺。其他溶剂型显影剂，如乳酸乙酯和二丙酮醇也可以使用。当发展高展弦比和/或厚膜结构时，强烈搅拌是推荐的。表6给出了浸入式工艺的推荐开发时间。这些发展时间是近似的，因为实际溶解速率可能随搅拌作用而变化很大注:使用超声波或megasonic浴可能有助于开发通过或孔的模式或结构与紧密节距。 清洗和干燥 使用SU-8显影剂时，喷洗显影剂图4。光学透过率图像用新鲜溶液冲洗约10秒，然后用异丙醇(IPA)再喷/洗10秒。空气干燥与过滤，加压空气或氮气。注: IPA冲洗过程中产生的白色薄膜表明未曝光的光刻胶发育不良。只需简单地用额外的SU-8显影剂浸没或喷洒基板即可除去白色薄膜并完成显影过程。重复清洗步骤。使用超声波或megasonic浴将激活溶剂，并允许更有效地开发未暴露的抗蚀剂。

microchem 光刻胶SU-8 2000系列永久性环氧负性光刻胶:SU-8 2025,SU-8 2035,SU-8 2050,SU-8 2075 SU-8 2000 特性 &bull 高纵横比成像&bull 0.5 200 ?m 膜 厚度 在 一 个 外套&bull 改善涂层性能&bull 加快干燥速度，提高产量&bull 近UV (350-400 nm)加工&bull 胎侧垂直 处理指南 SU-8 2000光刻胶最常用的是传统的UV (350-400 nm)辐射，尽管i-line (365 nm)是推荐的波长。SU-8 2000也可以用电子束或x射线照射。在曝光后，交联过程分为两个步骤(1)在曝光过程中形成强酸，接着是(2)在曝光后烘烤(PEB)过程中酸催化、热驱动环氧交联。正常的工艺是:旋涂、软烤、曝光、PEB，然后显影。当SU-8 2000结构仍将作为设备的一部分时，建议使用受控硬烘焙技术进一步交叉连接这些结构。整个过程应针对具体应用进行优化. COAT SU-8 2000有12种标准粘度。本加工指南文件涉及四种产品:SU-8 2025、SU-8 2035、SU-8 2050和SU-8 2075。图1所示。提供所需的信息，以选择合适的SU- 8 2000抗蚀剂和旋转条件，以达到所需的薄膜厚度。衬底制备 为了获得最大的工艺可靠性，在使用SU-8 2000抗蚀剂之前，基板应保持清洁和干燥。为了达到最佳效果，底物应该用食人鱼湿蚀刻(使用H2SO4和H2O2)清洗，然后用去离子水冲洗。基片也可以用反应离子蚀刻法清洗(RIE)或任何装有氧气的桶式装置。通常不需要附着力促进剂。对于包括电镀在内的应用，推荐使用MCC引物80/20 (HMDS)对基体进行预处理。 推荐项目1)。为每英寸(25mm)的衬底直径分配1ml的抗蚀剂。2)。以每分钟500转的速度旋转5-10秒，加速度为每秒钟100转。3)。以每分钟2000转的速度旋转30秒，加速度为每秒钟300转。边缘去除(EBR) 在自旋涂覆过程中，光刻胶可能在基板边缘形成。为了最大限度地减少热板的污染，应该去除这个厚珠。这可以通过在晶圆片顶部或底部边缘使用少量溶剂(MicroChem的EBR PG)来实现。大多数自动旋转涂布机现在都有这个功能，可以通过编程自动完成。通过移除任何边缘珠，掩模可以与晶圆片紧密接触，从而提高分辨率和长宽比。 软烤 建议在软烘烤过程中使用具有良好热控制和均匀性的水平热板。不建议使用对流烤箱。在对流烤箱烘烤过程中，抗蚀剂上可能会形成一层表皮。这种皮肤可以抑制溶剂的进化，导致薄膜不完全干燥和/或延长烘烤时间。表2。显示各种SU-8 2000产品在选定薄膜厚度下的推荐软烘焙温度和时间。注意:v要优化烘烤时间/条件，请在规定时间后将晶圆片从热板中取出，并将其冷却到室温。然后，将晶圆片返回到热板。如果薄膜“起皱”，将晶圆片放在热板上几分钟。重复冷却和加热循环，直到“皱纹”不再出现在影片中。光学参数色散曲线和柯西系数如图3所示。这一信息对于基于椭圆度和其他光学测量的薄膜厚度测量是有用的。曝光 为了在SU-8 2000抗蚀剂中获得垂直侧壁，我们建议使用长通滤波器来消除350NM以下的紫外线辐射。欧米茄光学公司()或旭硝子科技玻璃公司(AsahiTechnoglass)推荐的V-42型和UV-D35型滤镜()的推荐滤镜(PL- 360-LP)需要增加约40%的曝光时间才能达到最佳的曝光剂量。 注:在最佳曝光条件下，将显影潜影置于PEB热板上后5-15秒内，而不是之前。应进行接触矩阵实验，以确定最佳剂量。 曝光后烘烤(PEB) PEB应在暴露后直接进行。表5所示。显示推荐的时间和温度。 注:在95°C条件下，经PEB处理1分钟后，SU-8 2000光刻胶涂层应能看到掩膜的图像。如果在PEB期间或之后没有看到可见的潜影，这意味着没有足够的曝光、加热或两者兼备。发展 SU-8 2000型光刻胶已与MicroChem公司的SU-8显影剂一起被设计用于浸没、喷雾或水坑工艺。其他溶剂型显影剂，如乳酸乙酯和二丙酮醇也可以使用。当发展高展弦比和/或厚膜结构时，强烈搅拌是推荐的。表6给出了浸入式工艺的推荐开发时间。这些发展时间是近似的，因为实际溶解速率可能随搅拌作用而变化很大注:使用超声波或megasonic浴可能有助于开发通过或孔的模式或结构与紧密节距。 清洗和干燥 使用SU-8显影剂时，喷洗显影剂图4。光学透过率图像用新鲜溶液冲洗约10秒，然后用异丙醇(IPA)再喷/洗10秒。空气干燥与过滤，加压空气或氮气。注: IPA冲洗过程中产生的白色薄膜表明未曝光的光刻胶发育不良。只需简单地用额外的SU-8显影剂浸没或喷洒基板即可除去白色薄膜并完成显影过程。重复清洗步骤。使用超声波或megasonic浴将激活溶剂，并允许更有效地开发未暴露的抗蚀剂。

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

刻胶（resist） 概 述 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED,LCD,OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。 德国ALLRESIST公司是从事光刻用电子化学品研发、生产和销售的专业公司，有丰富的经验和悠久的传统。可以为您提供各种标准工艺所用的紫外光刻胶，电子束光刻胶（抗蚀剂）以及相关工艺中所需要的配套试剂。 北京汇德信科技有限公司作为德国ALLRESIST的国内独家代理经销商，为国内用户提供高品质的光刻胶以及配套服务。产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等）2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。3. 交货时间短。 我们每个月20号左右都会向德国厂商下订单，产品将于第二个月中旬到货，您可以根据实际情况，合理安排采购时间。具体的订购情况，请联系我们的销售人员。4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 77203. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

KMPR为负性光刻胶，用作DRIE蚀刻掩膜实现高深宽比的图案，它还被广泛用作MEMS与生物器件的电镀模具。因为KMPR减少了Cross-link密度，在Hard baked之前，KMPR比SU-8更容易剥离。KMPR负性光刻胶可在任何(PGMEA),或(TMAH)的显影剂中得到显影。 KMPR 1000系列的特性1）临时或永久的应用程序2）膜厚：2-75 um3）兼容标准水性显影剂4）高宽比成像和垂直侧壁，深宽比：5:15）单一旋途可达100微米6）减少开裂7）优异的金属粘附性8）优异的电镀膜液稳定性 相关溶液：显影液：SU-8 Developer去胶液：Remover PG增附剂：OmniCoat 一般储存温度：-10°C

美国Microchem SU-8 2000系列是高对比度、环氧型负性光刻胶，专门为微加工和微电子领域的应用而研发，可以满足较高的厚度以及对化学和热稳定性高的要求，多年来一直被 MEMS 制造商广泛使用。SU-8 2000采用了改进的配方，单次涂布工艺可实现0.5至200um的胶膜厚度。SU-8光刻胶具有优异的成像特性，由于其在365-400nm波长范围内吸收度很低（推荐选用Cchip-0019型光刻机），胶层可以获得均匀一致的曝光量，因此能够加工近似垂直侧壁和高深宽比的厚膜结构。在微流控芯片加工中，SU-8光刻胶主要用于软光刻工艺，在硅片上加工SU-8光刻胶结构作为模具，用快速模塑法倒模获得PDMS微流控芯片。SU-8 2000和3000系列光刻胶，根据粘度的不同，划分为以下型号。不同型号，厂家给出的匀胶厚度范围如下表。用户可根据所需旋涂的胶膜的厚度选取对应的型号，下表红色标记的型号是常用的型号。如需详细的产品使用说明书，可在“下载中心”查找。

超高分辨率电子束光刻胶：ZEP520A特性ZEP520A是一种有超高分辨率、耐干法蚀刻特性的非化学增幅（断链型）负性电子束光刻胶。是目前世界上性能最好的电子束光刻胶之一，其优良的性能在行业内受到广泛的认可。电子束光刻胶产品表电子束光刻胶专用显影液旋涂曲线超高分辨率ZEP520A分辨率高达 L/S＝25nm/25nm（FT=50nm）显影液：ZED-N50样品测评：用苯甲醚将ZEP 520 A-7稀释2.1倍

简介：中芯启恒SU-8 2000系列光刻胶是负性光刻胶，采用环戊酮溶剂配制而成，在超厚度胶膜涂布工艺中，图案化的结构有较好的稳定性和高分辨率，其膜厚范围比任何其他市售光刻胶更广泛，单次旋涂工艺胶膜厚度可选1-300um范围，可根据需要进行多次旋涂，从而获得更厚的胶膜。自2019年推出后，受到了同行业客户的青睐，在MEMS微加工领域占据越来越多的市场份额。 中芯启恒SU-8 2000系列光刻胶根据粘度不同，划分为以下型号： 备注：不同膜厚可通过调节匀胶机转速获得，因客户实验设备不同，实际参数需进行微调。

Copolymer光刻胶是基于MMA和8.5%甲基丙烯酸的混合物。Copolymer(8.5) MAA并PMMA光刻胶堆叠，是常用在双层剥离工艺实现独立CD控制。标准Copolymer光刻胶被配制在乳酸乙酯和可提供宽范围的粘度(薄膜厚度)。所有PMMA和Copolymer光刻胶的包装：从500毫升到20升。 相关溶液：1）显影液：MIBK:IPA2）去胶剂：Remover PG3）稀释剂：A Thinner 一般储存温度：10-27℃

PMGI & LOR负光刻胶使能高产，广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶，在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化（＜0.25μM），以及非常厚（＞4μm）金属化。这些独特的材料可几乎满足任何客户需要。 PMGI & LOR的特性：1）高分辨，可用于 0.25 μm Lift-off 工艺2）undercut 结构可控，溶解速率易于调节3）在Si，NiFe，GaAs，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力4）与 g-， h-，i-line，DUV，193 nm 和 E-beam 光刻胶等兼容5）良好的耐热稳定性6）去胶容易，剥离干净 应用：金属电梯加工，桥制造，释放层 PMGI & LOR的属性1）覆盖在成像抗蚀剂不会混杂2）在TMAH双叠层一步发展，或KOH开发3）高热稳定性：Tg ~190 C4）快速清除和常规抗剥离干净5）0.25μm微米双层抗蚀成像6）产量高，可用于很厚（＞3μm）金属剥离处理加工环境：温度：20-25°± 1°C 湿度：35-45% ± 2% 相关溶液：显影液：101 Developer去胶剂：Remover PG稀释液：G Thinner 一般储存温度：4-27°C

产品详情 microchem 光刻胶SU-8 2000系列永恒性环氧负性光刻胶:SU-8 2025,SU-8 2035,SU-8 2050,SU-8 2075SU-8 2000是一种高对比度的环氧树脂基光刻胶，适用于微加工和其他微电子应用领域，需要厚、化学和热稳定的图像。SU-8 2000是SU-8的改进配方，多年来被MEMS生产厂家广泛使用。采用更快的干燥速度，更极性的溶剂体系，可改善涂层质量，提高工艺吞吐量。SU-8 2000有12种标准粘度可供选择。薄膜厚度0.5到200微米,可以通过一个单一的涂层工艺实现。暴露的和随后的热交联部分的薄膜是不溶性的液体显影液。SU-8 2000具有良好的成像特性，能够产生非常高的展弦比结构。SU-8 2000在360纳米以上具有非常高的光学传输能力，这使得它非常适合在非常厚的薄膜中近垂直侧壁成像。SU-8 2000非常适合长久应用，它是成像，固化和留在设备上。 SU-8 2000 特性 &bull 高纵横比成像&bull 0.5 200 ?m 膜 厚度 在 一 个 外套&bull 改善涂层性能&bull 加快干燥速度，提高产量&bull 近UV (350-400 nm)加工&bull 胎侧垂直 处理指南SU-8 2000光刻胶最常用的是传统的UV (350-400 nm)辐射，尽管i-line (365 nm)是推荐的波长。SU-8 2000也可以用电子束或x射线照射。在曝光后，交联过程分为两个步骤(1)在曝光过程中形成强酸，接着是(2)在曝光后烘烤(PEB)过程中酸催化、热驱动环氧交联。正常的工艺是:旋涂、软烤、曝光、PEB，然后显影。当SU-8 2000结构仍将作为设备的一部分时，建议使用受控硬烘焙技术进一步交叉连接这些结构。整个过程应针对具体应用进行优化.衬底制备为了获得较大的工艺可靠性，在使用SU-8 2000抗蚀剂之前，基板应保持清洁和干燥。为了达到较高效果，底物应该用食人鱼湿蚀刻(使用H2SO4和H2O2)清洗，然后用去离子水冲洗。基片也可以用反应离子蚀刻法清洗(RIE)或任何装有氧气的桶式装置。通常不需要附着力促进剂。对于包括电镀在内的应用，推荐使用MCC引物80/20 (HMDS)对基体进行预处理。 COATSU-8 2000有12种标准粘度。本加工指南文件涉及四种产品:SU-8 2025、SU-8 2035、SU-8 2050和SU-8 2075。图1所示。提供所需的信息，以选择合适的SU- 8 2000抗蚀剂和旋转条件，以达到所需的薄膜厚度。 推荐项目1)。为每英寸(25mm)的衬底直径分配1ml的抗蚀剂。2)。以每分钟500转的速度旋转5-10秒，加速度为每秒钟100转。3)。以每分钟2000转的速度旋转30秒，加速度为每秒钟300转。边缘去除(EBR)在自旋涂覆过程中，光刻胶可能在基板边缘形成。为了较大限度地减少热板的污染，应该去除这个厚珠。这可以通过在晶圆片顶部或底部边缘使用少量溶剂(MicroChem的EBR PG)来实现。大多数自动旋转涂布机现在都有这个功能，可以通过编程自动完成。通过移除任何边缘珠，掩模可以与晶圆片紧密接触，从而提高分辨率和长宽比。 软烤建议在软烘烤过程中使用具有良好热控制和均匀性的水平热板。不建议使用对流烤箱。在对流烤箱烘烤过程中，抗蚀剂上可能会形成一层表皮。这种皮肤可以抑制溶剂的进化，导致薄膜不完全干燥和/或延长烘烤时间。表2。显示各种SU-8 2000产品在选定薄膜厚度下的推荐软烘焙温度和时间。注意:要优化烘烤时间/条件，请在规定时间后将晶圆片从热板中取出，并将其冷却到室温。然后，将晶圆片返回到热板。如果薄膜“起皱”，将晶圆片放在热板上几分钟。重复冷却和加热循环，直到“皱纹”不再出现在影片中。光学参数色散曲线和柯西系数如图3所示。这一信息对于基于椭圆度和其他光学测量的薄膜厚度测量是有用的。曝光为了在SU-8 2000抗蚀剂中获得垂直侧壁，我们建议使用长通滤波器来消除350NM以下的紫外线辐射。欧米茄光学公司(www.omegafilters.com)或旭硝子科技玻璃公司(AsahiTechnoglass)推荐的V-42型和UV-D35型滤镜(www.atgc.co.jp)的推荐滤镜(PL- 360-LP)需要增加约40%的曝光时间才能达到较好的曝光剂量。 注:在良好曝光条件下，将显影潜影置于PEB热板上后5-15秒内，而不是之前。应进行接触矩阵实验，以确定剂量。 曝光后烘烤(PEB)PEB应在暴露后直接进行。表5所示。显示推荐的时间和温度。 注:在95°C条件下，经PEB处理1分钟后，SU-8 2000光刻胶涂层应能看到掩膜的图像。如果在PEB期间或之后没有看到可见的潜影，这意味着没有足够的曝光、加热或两者兼备。发展SU-8 2000型光刻胶已与MicroChem公司的SU-8显影剂一起被设计用于浸没、喷雾或水坑工艺。其他溶剂型显影剂，如乳酸乙酯和二丙酮醇也可以使用。当发展高展弦比和/或厚膜结构时，强烈搅拌是推荐的。表6给出了浸入式工艺的推荐开发时间。这些发展时间是近似的，因为实际溶解速率可能随搅拌作用而变化很大注:使用超声波或megasonic浴可能有助于开发通过或孔的模式或结构与紧密节距。 清洗和干燥使用SU-8显影剂时，喷洗显影剂图4。光学透过率图像用新鲜溶液冲洗约10秒，然后用异丙醇(IPA)再喷/洗10秒。空气干燥与过滤，加压空气或氮气。注:IPA冲洗过程中产生的白色薄膜表明未曝光的光刻胶发育不良。只需简单地用额外的SU-8显影剂浸没或喷洒基板即可除去白色薄膜并完成显影过程。重复清洗步骤。使用超声波或megasonic浴将激活溶剂，并允许更有效地开发未暴露的抗蚀剂。 物理性质(近似值) 光学性质图4的流程条件。软烤:5分钟，在95°C暴露:180 mJ/cm2硬烘焙:300°C, 30分钟 硬烤SU-8 2000具有良好的机械性能。然而，对于那些将成像电阻作为设备的一部分保留的应用程序，可以将硬烘焙加入到该过程中。这通常只有在设备或部件在常规操作中进行热处理时才需要。一个硬烘焙或终末的固化骤，以确保SU-8 2000的性质不改变在实际使用。SU-8 2000是一种热树脂，因此，当暴露在比以前更高的温度下时，它的性能可以继续变化。我们建议使用比设备运行温度高10℃的烘烤温度。根据需要的固化程度，通常使用的烘焙温度范围在150°C到250°C之间，时间在5到30分钟之间。 注:硬烘烤步骤也适用于退火任何表面裂纹，可能是明显的发展后。推荐的步骤是在150°C的温度下烘烤几分钟。这适用于所有的薄膜厚度。等离子体去除SU-8 2000被设计为一种长久性、高交联的环氧树脂材料，用传统的溶剂型抗剥离剂很难去除。MicroChem的去除剂PG将膨胀，并发射最小交联SU-8 2000。然而，如果使用OmniCoat (30-100 nm)，浸泡在去除剂PG中，可以使SU- 8 2000材料得到干净彻底的提升。如果不使用OmniCoat，则不能完全固化或硬烘焙SU-8 2000。 去除最小交联SU-8 2000，或使用Omnicoat时:将去除剂PG浴加热到50-80℃，并将底物浸泡30-90分钟。实际带钢时间将取决于抗蚀剂厚度和交联密度。有关微化学Omnicoat和去除剂PG的更多信息，请参阅相关产品数据表。 重新工作完全交联的SU-8 2000:晶圆片可以剥离氧化酸溶液，如食人鱼蚀刻，等离子灰，RIE，激光烧蚀和热解。等离子体去除RIE 200W, 80sccm O2, 8sccm CF4, 100mTorr, 10℃ 存储在40-70°F(4-21°C)的温度下，将SU-8 2000储存在阴凉干燥的环境中，避免阳光直射。远离光、酸、热和火源。保质期为自生产之日起十二个月。 处理根据当地的州和联邦法规，SU-8 2000的抗蚀剂可以和其他含有类似有机溶剂的废物一起被丢弃销毁或回收。客户有责任确保处置符合所有联邦、州和当地环境法规的SU-8 2000抗蚀剂和残留物。 环境、健康和安全在使用SU-8 2000抗阻剂前，请参阅产品材料安全数据表。小心轻放。在处理SU-8 2000耐药时，应戴上化学护目镜、化学手套及适当的防护服。不要进入眼睛、皮肤或衣服。使用时应通风良好，避免吸入蒸汽或薄雾。如与皮肤接触，请用肥皂和清水冲洗患处。如不慎与眼睛接触，应立即用清水冲洗，并经常提起眼睑冲洗15分钟。寻求紧急医疗援助。 这些信息基于我们的经验，我们认为是可靠的，但可能不完整。对于这些产品的信息、使用、处理、存储或拥有，或本协议中描述的任何过程的应用或期望的结果，我们不作任何明示或暗示的担保或保证，因为这些产品的使用和处理条件超出了我们的控制。

PMMA(polymethyl methacrylate)是一种非常适合许多成像和非成像微电子应用程序的聚合物材料。通常用于电子束工艺曝光，如T-gate制造。还用于临时晶片接合工艺如晶片减薄，用作保护层和临时粘合剂。PMMA光刻胶是PMMA聚合物被溶解在特定的分子量溶剂中，如苯甲醚（安全的溶剂），然后过滤。传统曝光，直接写曝光或X-射线曝光使聚合物的断链，从而在光刻胶的曝光和未曝光区域之间产生溶解度差异，实现非常高分辨率的图像。PMMA的分类：1）PMMA 495 A系列2）PMMA 495 C系列3）PMMA 950 A系列4）PMMA 950 C系列 PMMA特性：1）溶剂：苯甲醚（A）和氯苯（C）2）非常适合于电子束光刻和X射线曝光3）高分辨率：0.1um，PMMA 950适用于高分辨率的应用，PMMA 495则相对较低4）广范围分子量和粘度应用：电子束光刻、多层T-Gate剥离、晶圆减薄等。 相关溶液：1）显影液：MIBK:IPA 2）去胶剂：Remover PG3）稀释剂：A Thinner 一般储存温度：10-27℃

EVG101 匀胶机 匀喷胶机 光刻胶处理机一、简介研发和小规模生产中的单晶圆光刻胶加工。EVG101光刻胶处理系统在单室设计上可以满足研发工作，与EVG的自动化系统完全兼容。EVG101支持zui大300 mm的晶圆，可配置为旋涂或喷涂和显影。使用EVG先进的OmniSpray涂层技术，在3D结构晶圆上实现光刻胶或聚合物的共形层，用于互连技术。这确保了高粘度光致光刻胶或聚合物的低材料消耗，同时改善了均匀性并防止了扩散。 二、技术参数：晶圆尺寸：高达300mm（12寸）支持模式：旋涂/ OmniSpray/生长晶圆支撑模式：单臂/双EE/边缘/翻动分配模式：- 各种分配泵，可覆盖高达52000cP的各种粘度- 恒压分配系统- EBR / BSR /预湿/碗洗/液体灌注 三、特征：晶圆尺寸可达300 mm自动旋涂或喷涂或使用手动晶圆装载/卸载进行显影利用从研究到生产的快速简便的过程转换成熟的模块化设计和标准化软件注射器分配系统，用于利用小的光刻胶体积，包括高粘度光刻胶占地面积小，同时保持高水平的个人和过程安全性多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）选项： - 采用OmniSpray涂层技术均匀涂覆晶圆的高表面形貌 - 用于后续键合工艺的蜡和环氧树脂涂层 - 旋涂玻璃（SOG）涂层技术/销售热线：邮箱：

Microchem公司的SU-8 胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶，它适于制超厚、高深宽比的MEMS微结构，适合i线，X-Ray，E-beam曝光。具有非常好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光最为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下，曝光均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形。 SU-8 2000系列的特性1）厚度范围，单层涂胶厚度为 0.5 to 200 μm2）高深宽比：10:13）更多挥发性溶剂，与传统去边工艺兼容4）降低了极性溶剂含量减小表面张力5）表面活性成分，改善涂覆效果应用：MEMS，钝化层应用LED微流以及光电子器件制作 SU-8 2000系列的属性1）旋转涂层薄膜：1um to 75um2）耐高温、耐化学性3）光学透明4）与i-line成像设备兼容 SU-8 3000系列的特性1）膜厚5-120 um2）高深宽比：5:13）常用于永久性结构制作，较SU-8 2000具有更好的基底粘附力，更不易于在工艺过程中产生内应 力积累应用：光电器件、微流体、MEMS芯片制作以及作为芯片绝缘、保护层使用相关溶液：稀释剂：SU-8 Thiner显影液：SU-8 Developer去胶液：Remover PG增附剂：OmniCoat 一般储存温度：4-21°C

Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。Blue M光刻胶PI烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全Blue M光刻胶PI烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

EU501光刻胶固化收缩率测试仪的应用固化收缩（cure shrinkage）是UV固化树脂，热固性树脂，如广泛应用的丙烯酸树脂，环氧树脂在缩聚过程中由线型到体型的变化过程。在３Ｄ 打 印 用光敏树脂，牙科材料，胶黏剂，薄膜、涂料等领域，固化收缩率是重要的性能评价指标。适合UV固化树脂，热固性树脂，环氧树脂，UV胶黏剂，UV油墨，UV涂料等固化收缩率的测试。EU501光刻胶固化收缩率测试仪测试原理使用几毫升或更少的树脂样品量，基于固化条件进行固化，测量固化前后的样品厚度变化，通过厚度的减少率获得树脂的固化收缩率。相对传统的比重瓶法，具有样品量更少，测量时间短，没有气泡对测试结果的影响。EU501光敏树脂固化收缩率测试仪测试步骤EU501光刻胶固化收缩率测试仪技术规格树脂固化收缩率测量用激光位移计重复性精度 2μm红色半导体激光 655nm（可视光）激光 class 2(FDA CDRH Part1040.10)输出功率 220μW仪器尺寸（㎜）主机 W130 x D150 x H105检测器 W120 x D165 x H180

美国 International Light 公司的多功能，轻便的辐射度计、照度计，可检测紫外光， 可见光到红外光的各波段，光参量的测量，对任意光学单位都可直接读数。光刻胶紫外曝光测量IL1740-B/IL1440-B326-401nm(UV-B)

美国 International Light 公司的多功能，轻便的辐射度计、照度计，可检测紫外光， 可见光到红外光的各波段，光参量的测量，对任意光学单位都可直接读数。光刻胶紫外曝光测量IL1740-A/IL1440-A320-475nm(UV-A)

兆声去胶技术SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模板清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC-3000是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-3000 (D)兆声辅助光刻胶剥离系统应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-3000 (D)兆声辅助光刻胶剥离系统的特点：台式系统无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干支持12”直径的圆片或9”x9”方片微处理机自动控制IR红外灯 SWC-3000 (D)兆声辅助光刻胶剥离系统选配项：掩模版或晶圆片夹具PVA软毛刷清洗化学试剂清洗(CDU)氮气离子发生器

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在显影液中的溶解度会发生变化。Blue MUltra-Temp惰性气体高温烤箱在工作温度下进行了压力测试，适用于所有惰性气体和不易燃的形成气体（4％的氢气，平衡的氮气）。半导体光刻胶固化-固化烘箱的优点焊接和密封的内部腔室消除了烟雾向绝缘材料的迁移防止产品氧化当气流漏气时，向操作者发出警报，并关闭烤箱加热器，以尽量减少不良后果当门打开时，门开关会关闭加热器和鼓风机，以确保操作人员的安全半导体光刻胶固化-固化烘箱的特性适用于氩气，二氧化碳，氦气和氮气等惰性气体露天重型镍铬丝加热元件独特的内壳/外壳腔室允许冷却液周围的空气在惰性气体内腔室周围循环摄入鼓风机电动机控制面板上有气体流量和腔室压力监控器及调节器大容量水平气流系统6英寸的矿棉绝缘材料Blue M玻璃纤维大门密封圈设计3/8英寸入口连接排气口和风门泄压阀吹扫计时器加热使能灯型号IGF 8880和9980是水冷门Blue M惰性气体高温烘箱的参数NFPA 86 B级烤箱温度：室温+15℃-593℃（1099°F）均匀度：设定值的±2％控制精度：±0.5°C分辨率：±0.1°C额定电压下关闭排气装置空载运行具体规格型号IGF-6680IGF-7780IGF-8880IGF-9980内部容积4.2 立方英尺5.8 立方英尺11.0 立方英尺24.0 立方英尺内部尺寸宽x深x高（厘米）20 x 18 x 20(51x46x51)25 x 20 x 20(64x51x51)38 x 20 x 25(97x50x64)48 x 24 x 36(122x61x91)外部尺寸宽x深x高（厘米）46 x 36 x 71(117x91x180)51 x 38 x 71(130x97x180)86 x 38 x 76(218x97x193)96 x 43 x 81(244x109x206)机器占地面积12.5 平方英尺.14.5 平方英尺24.0 平方英尺32.2 平方英尺电力负载208 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流12.0 kW3815.7 kW4718.8 kW5922.5 kW72240 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW4321.0 kW5425.0 kW6830.0 kW82480 VAC 3Ph 50/60 Hz负载电流16.0 kW2121.0 kW2725.0 kW3230.0 kW41*所有规格如有更改，恕不另行通知。

PMT-2高粘光刻胶液体颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 高粘光刻胶液体颗粒计数器产品优势：应用：创新性、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.1-0.5um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

PMT-2低粘光刻胶液体颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 低粘光刻胶液体颗粒计数器产品优势：应用：创新性、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.1-0.5um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

PMT-2在线光刻胶液体颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 在线光刻胶液体颗粒计数器产品优势：应用：创新性、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.1-0.5um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。

PMT-2离线光刻胶液体颗粒计数器，采用英国普洛帝核心技术创新型的第八代双激光窄光颗粒检测传感器，双精准流量控制-精密计量柱塞泵和超精密流量电磁控制系统，可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线或离线颗粒监测和分析，目前是英国普洛帝分析测试集团向水质领域及微纳米检测领域的重要产品。 离线光刻胶液体颗粒计数器产品优势：应用：创新性、多用途、多模块条件；技术：第八代双激光窄光检测技术应用；软件：分析测试和校准计量相分离消除干扰；输出：IPAD数据采集技术使用；在线优势：清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片等产品的在线颗粒监测和分析，都是PMT-2微纳米监测仪的经典应用场所，并为生产线上的重要组成部分。在线、实时、连续取样、报警提示，能够即时掌握颗粒污染诊断和趋势。离线优势：移动测量和固定测量颗粒大小及多少双模式，解决连续跟踪监测的生产过程难题，无论您是即时测量还是清洁跟踪监测，都会为您提供完善的测试方案，让您的测试更加快捷。应用范围：可以对清洗剂、半导体、超纯水、电子产品、平板玻璃、硅晶片、手机零部件、纯水机、纳米过滤、微米过滤等领域进行固体颗粒污染度检测，及对有机液体、聚合物溶液进行不溶性微粒的检测。技术参数：订制要求：各类液体检测要求；传感器：第八代双激光窄光检测器；测试软件：V8.3分析测试软件集成版&PC版；测试标定：JJG1061或乳胶球或ISO21501；操作方式：彩色液晶触摸屏操作&无线键鼠组合；检测范围：0.1-0.5um；特殊检测：自定义1~100μm或者4~70µ m（c）微粒，0.1μm或者0.1µ m（c）任意检测；取样方式：精准计量泵；进样精度：±1%精确度：±3%典型值；重合精度：1000粒/mL（2.5%重合误差）；模拟输出：4mA～20mA接口；并带超标报警功能（可定制）； 报告方法：颗粒数/ml及污染度等级；输入电压：100V～265V,50Hz～60Hz；售后服务：普洛帝服务中心/中特计量检测研究院。