晶闸管

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晶闸管相关的厂商

  • 西安易恩电气科技有限公司
    西安易恩电气坐落于西安市高新区，是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。“专业专注，全心服务”是公司健康发展之基础。面向未来，易恩将充分发挥自身的技术创新和服务优势，致力成为国际一流的电力电子测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导，在此基础上相继推出全自动IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试系统，分立器件(Si及SiC器件）动态参数测试系统、半导体分立器件测试系统，功率器件图示系统，晶闸管动态参数测试系统，晶闸管静态参数测试系统，IPM参数测试系统、雪崩、浪涌、功率循环、高温阻断、高温反偏、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、新能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。
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  • 库克库伯电气（上海）有限公司
    库克库伯电气（上海）有限公司是美国库克库伯电气公司在中国设立的负责中国及东南亚地区的全资子公司。公司主要经营电力电容器、电抗器、有源滤波器（APF）、无功补偿控制器、晶闸管开关、切换电容接触器、SVG等无功补偿与谐波治理产品。广泛应用于IT、医疗、银行、通信、市政楼宇、轨道交通、港口码头、冶金炼钢、石油化工、汽车制造、自动化生产等多个行业及国家重点工程项目。美国库克库伯电气公司是从事电能质量产品及能效管理系统研发与技术推广的专业化公司，公司始终专注于输配电系统及各行业用户的电能质量，在该领域具有丰富的经验并为用户提供专业合理的解决方案。库克库伯电气以其先进的技术，稳定可靠的电能质量产品和全面的服务理念，使其处于全球的领先地位，并进行全球化的推广，已服务全球四十多个国家和地区，为用户提供安全可靠的无功补偿及能源管理服务。库克库伯电气竭诚为用户提供快捷高效的产品服务，期待与您携手共进、共创辉煌！
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  • 上海慧轩阀门管件有限公司
    上海慧轩阀门管件有限公司是一家集生产、研发、销售、服务于一体的阀门生产企业，公司成立于1997年，工厂坐落于上海市嘉定区绥德路720号，注册资金3000万元。公司拥有二个生产制造加工基地，占地面积2万㎡,年加工能力在1万吨以上，现有员工160多人，工程技术人员约占到20%%。 公司主导产品有闸阀、截止阀、蝶阀、球阀、止回阀、控制阀、电站阀、美标阀、水力控制阀等，产品采用GB、JB、HG、API、ANSI、DIN、JIS、BS等国内外先进标准设计制造。通径从1/2＂至80＂（DN15-2000mm）、压力从150LB至2500LB（2MPa-42MPa）、工作温度为-196℃至800℃。主要材料有灰铸铁、球墨铸铁、铜、碳素钢、不锈钢、合金钢、低温钢、铬钼钢及其他特殊钢材。 “上慧”牌阀门，已广泛应用于石油、化工、电力、冶金、制药、供水、燃气、建筑等行业，主要客户有拜耳材料科技﹑巴斯夫股份公司﹑ 越南电力集团 ，阿尔斯通等国际性知名企业，产品远销到欧洲、美洲、中东、东南亚等20多个国家， 在国内外深受广大客户好评。
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晶闸管相关的仪器

  • 晶闸管 二极管静态参数试验平台
    一、产品简介该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成：1)门极触发参数测试单元2)维持电流测试单元3)阻断参数测试单元4)通态压降参数测试单元5)电压上升率参数测试单元6)擎住电流7)门极电阻8)计算机控制系统9)合格证标签打印10)夹具单元；包含平板夹具和模块夹具二、技术条件主要技术指标：2.1 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT1.阳极电压：12V 2.阳极串联电阻：6Ω 3.门极触发电压：0.3～5.00V±3%±10mV 4.门极触发电流：2～450mA±3%±1 mA 2.2 维持电流测试单元IH1. 阳极电压：12V 2.预导通电流： ＞10A,正弦衰减波；3.维持电流： 2～450mA ±5%±1 mA 4.测试频率：单次；2.3 通态压降测试单元VTM1.平板器件通态电流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；2.模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；3. 电流上升沿时间：≥5ms；4. 通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；5. 测试频率：单次；2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID；反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元1.阻断电压：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；模块单元阻断电压：0.20～4.00kV2. 正反向自动测试：3．正/反向漏电流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；精度：±5%±1 mA；4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。5. 测试频率： 50HZ2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt1.电压：1200V,1600V,2000V三档，分辨率：1V，精度±5%；2. 电压过冲范围：＜50V±10%3. DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；2.6 擎住电流IL：100-1800mA2.7 平板夹具压力范围：6-60KN，气动加压方式三、功能概述3-1测试功能范围该套测试设备主要可测试以下参数：1.门极参数测试：VGT、IGT2.维持电流测试：IH3.阻断参数测试：本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。4.压降单元本测试单元用来测量晶闸管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等参数。5、电压上升率参数测试：dv/dt6、擎住电流IL7、门极电阻：适合门极触发电压在0.95V以上器件测试3-2、测试方法和测试准则及原理满足 IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。
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    厂商： 西安智盈电气
    品牌： --
    型号： ZY-1560R
    价格： 面议
  • 高精度大功率晶闸管综合测试仪
    DBC-226高精度大功率晶闸管综合测试仪系统概述晶闸管综合参数测试系统，是大功率晶闸管测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1. 该测试系统是一套综合的测试系统，综合测试参数多，技术难度大。2. 该测试系统是一套高压大电流的测试设备，对设备的电气性能要求高。3. 该系统是一套动态和静态参数的集成测试系统，因此该设备的结构设计难度大。4. 该系统的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。5. 该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为 Excel 文件进行处理。 6. 该测试系统是晶闸管出厂检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要测试晶闸管。测试参数；1) 门极触发参数测试单元2) 维持电流测试单元3) 擎住电流测试单元4) 阻断参数测试单元5) 通态压降参数测试单元6) 电压上升率参数测试单元7) 关断时间参数测试单元8) 恢复电荷参数测试单元技术条件环境温度：15～40℃相对湿度：下图给出了该测试台湿度与额定电压的关系，请按照以下条件使用。（注：存放湿度不大于 80%。）大气压力： 86Kpa～ 106Kpa电网电压： AC220V±10%无严重谐波电网频率： 50Hz±1Hz测试范围1. 门极参数测试：VGT、IGT2. 维持电流测试：IH3. 擎住电流测试：IL4. 阻断参数测试：VD、VR 、ID、IR5. 压降参数测试：VTM、ITM 、Vr、Ir、Vf、If、6. 电压上升率参数测试：dv/dt7. 关断时间参数测试：Tq8.恢复电荷参数测试：Qrr、Irr、Trr
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    厂商： 西安易恩电气科技有限公司
    品牌： 未知
    型号： DBC-226
    价格： 面议
  • 晶闸管阻断特性测试仪
    阻断特性测试仪的测试原理符合国际及行业相关标准，可对大功率半导体器件（含晶闸管）进行阻断特性的测试。测试电压和漏电流值采用实时数字显示，便于数据的观察和记录。采用手动调压器加压模式，可实现从0～7500V灵活加压并能够随时终止，可有效保护被测器件。具有漏电流超限保护功能并自动报警提示，保护时可快速终止高电压输出。机内自带的液晶示波器，可直观显示被测晶闸管的伏安特性曲线。采用高强度箱式安装结构，箱体底部具有脚轮并配置伸缩式把手，紧凑可靠，便于携带，适于现场使用。技术性能要求：测量结果显示方式：测量数据由数字表显示；伏安特性波形由示波器显示；测量范围：电压测量精度范围:1～7.5KV；分辨率0.01kV；精度：±0.01kV±3％；漏电流测量精度范围：1.0～20.0mA；分辨率0.1mA；精度±1mA±3％；仪器使用环境温度：-10～+50℃；输入电源：220VAC±10%，50Hz；设备功率：≯500W；周围介质平均相对湿度：15～90%(20℃)；仪器重量：约25.0kg；
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    厂商： 西安智盈电气
    品牌： --
    型号： DBC-029-1020
    价格： 面议
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晶闸管相关的资讯

  • 中国南车首家海外功率半导体研发中心落成
    7月25日，中国南车株洲所首家海外功率半导体研发中心在英国顺利落成，这也是我国轨道交通装备制造企业首个海外高端器件研发中心。　　以IGBT为代表的功率半导体器件技术是轨道交通装备关键技术之一，被业界认为是现代机车车辆的“CPU”，它广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、新能源等行业。　　株洲所掌握了最先进的半导体器件全压接技术，产品品种涵盖单一整流管、集整流管、晶闸管、快速整流管、快速晶闸管、GTO、IGCT等多个系列。产品电流等级从200安发展到10000安，电压等级从600伏发展到8500伏，具有广泛的适应性。2006年，株洲所自主研制出世界上第一只直径最大、容量最大的6英寸晶闸管，使我国80万伏超高压直流输电成为现实，输电能力提高60%。2008年，完成对世界著名功率半导体器件企业英国丹尼克斯半导体公司的并购，并将其4英寸IGBT芯片生产线改造为6英寸生产线。同时，在株洲完成了国内第一条高压IGBT封装线的建设。2011年，规划启动了国内首条8英寸IGBT芯片生产线，项目建成后，率先成为国内首家集IGBT芯片设计、模块封装及测试、系统应用的完整产业链。　　本次落成的海外功率半导体研发中心，以中长期项目(二至三年以上的市场项目)为研发重点，研发内容涉及基础研究、工艺改进、产品开发和平台建设，承担新一代IGBT技术开发，新一代HVDC晶闸管和碳化硅技术的研究开发工作，其取得的知识产权将由中国南车和丹尼克斯共同拥有。此举将支撑并引领中国南车大功率半导体器件产业的可持续发展，完善并提升其技术链，对今后IGBT芯片技术国产化进行人才储备也具有里程碑意义。
    时间： 2012-08-13
    作者： 叶子
  • 中国科学家研制出首个半浮栅晶体管
    复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出第一个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管(SFGT)。8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在全球尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。　　据介绍，金属&mdash 氧化物&mdash 半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中最基本的器件，而我们常用的U盘等闪存器件，多采用另一种被称为浮栅晶体管的器件。此次研究人员把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的&ldquo 半浮栅&rdquo 结构器件，称为半浮栅晶体管。它具有高密度和低功耗的明显优势，可取代一部分静态随机存储器(SRAM)，并可应用于动态随机存储器(DRAM)领域以及主动式图像传感器芯片(APS)领域。　　&ldquo 在这些领域，中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。&rdquo 张卫介绍说，作为一种基础电子器件，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模超过300亿美元。它的成功研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多话语权。　　不同于实验室研究的基于碳纳米管、石墨烯等新材料的晶体管，半浮栅晶体管是一种基于标准硅CMOS工艺的微电子器件。SFGT原型器件在复旦大学的实验室中研制成功，而与标准CMOS工艺兼容的SFGT器件也已在国内生产线上被成功制造出来。　　&ldquo 半浮栅晶体管兼容现有主流集成电路制造工艺，具有很好的产业化基础。&rdquo 张卫表示，不过，拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是对核心专利进行优化布局。
    时间： 2013-08-12
    作者： 叶子
  • 靠16名本科生IPO？某功率器件企业因学历被“群嘲”
    近日，一份某国内功率器件制造企业的上市招股书引爆了网络。来源：芯微电子招股书被媒体报道引发“群嘲”乃至“网暴”的这家公司名为黄山芯微电子股份有限公司，而讨论对象居然是学历。根据芯微电子的招股书，员工学历构成中，本科人数16人，占员工总数比例2%；研发人员88人，占比11.1%。而与此相对应的，高中及以下学历员工占83%，生产人员占82%。讲真，如果不看主营业务，没有谁会认为这是一家跟芯片有关的企业。这网友最大的质疑，莫过于这样一家“劳动力密集型”的工厂能玩转芯片制造吗？来源：芯微电子招股书同时，从芯微电子的“出身”来看，似乎也跟吃瓜群众心目中的高大上“芯片制造”扯不上关系。官网介绍，公司创建于1990年，系由原安徽省祁门县黄山电器有限责任公司整体变更设立的股份公司，产品以晶闸管为主。创始人王日新先后在祁门县溶口乡农科站、林化厂、活性炭厂、瓷土加工厂工作。1988年到沈阳工业大学力半导体专业学习了1年多后，算是“半路出家”，1990年成立了乡镇企业黄山电器厂——即芯微电子的前身。来源：芯微电子招股书此外，被报道提及多次的两位女性骨干学历也成为“槽点”。研发部副部长仅初中学历，有晶闸管业背景，30年时间才从车间主任干到了副部长。另一位封装制造一部部长同样是初中学历，13年时间从焊接组组长升到了部长。据介绍，黄山电器2020年才改制为股份公司，并更名为芯微电子。早期的芯微电子，在国内率先实现了晶闸管方形芯片产品国产化量产，一路获得了国家级高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、安徽省技术创新示范企业等荣誉。且不论技术先进性和产品知名度，从乡镇企业到创业板IPO申请获得深交所受理，芯微电子的历史就已经算得上标准的“草根逆袭”了。要知道，国内最先进的芯片制造企业成立不过22年，国内某顶尖芯片设计企业独立只有18年历史，而与芯微电子类似的功率器件企业多采用IDM模式（意味着生产成本和人数），上市的捷捷微电、扬杰科技立时间均晚于芯微电子。而更多的本土制造企业在改开大潮中湮没，在国企改制中式微.....在安徽这样人才外流严重的省份，在一个中国半导体很难想到的小城市生存打拼几十年，解决大量低学历人口的就业问题，这一点应该受人尊重。更何况，剥离国家计划、海归人才和各种资本的加持，芯微电子才是无数中国土生土长的小微电子制造企业的“缩影”。高学历是搞芯片制造的必选项吗？在上个世纪还真不一定。毕竟高等教育在国内普及是目前21世纪才见到的结果，而一个企业的成长周期远不止20年。同时，国内“学历内卷”伴随的芯片人才短缺近3年才被频繁提及，而大洋彼岸发明集成电路的美国，此时最缺的反而是产线工人。
    时间： 2022-04-14
    作者： KPC
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  • 晶闸管设计实例中的阻容吸收

    晶闸管的保护内容很多，使用的保护方法也很多。这里叙述的仅是晶闸管本身的过电压保护所常用的阻容吸收以及电阻电容取值计算方法。尽管计算公式很简单，使用很频繁，但还是常有问询者了解此事。　　一、 计算公式　　例如图一是一个晶闸管三相全波整流桥。每只晶闸管两端都并联了一组串联的电阻R和电容C，这就是所谓的“阻容吸收”。http://www.p-e-china.com/uploadfile/Article/201207/20120704134752666.jpg　　图一 晶闸管阻容吸收示意图　　王兆安和张明勋主编的“电力电子设备设计和应用手册”第二版第五章5.2.1节，提供了计算公式：　　吸收电容： C = (2～4)×10-3 IT(AV) (μf)式中IT(AV)为晶闸管中通过的通态电流平均值。系数(2～4)表示2、3、4三数字中自选。电容交流电压选晶闸管两端交流有效值的1.5倍。如电容以直流电压标称，则选晶闸管两端交流有效值的5倍。　　吸收电阻： R = 10～30 Ω (10到30欧自选)　　电阻功率： P ≥ f•C•10-6•(UARM)2 (瓦)　　式中：f 为电源频率(Hz)　　C为上式计算的吸收电容值(μf)UARM 为晶闸管两端反向工作峰值电压(V)　　二、 实例　　晶闸管三相全波整流桥，阻性负载，输入电压交流有效值380V，输出直流电流平均值ID = 1500A，计算每只晶闸管上阻容吸收的电阻、电容值。http://www.p-e-china.com/uploadfile/Article/201207/20120704134826627.jpg　　经计算，每只晶闸管两端反向工作峰值电压为：　　V = 380V × 1.41 = 536V　　每只晶闸管通过的通态平均电流为　　IT(AV) = 0.333 ID = 1500×0.333 = 500A　　1，吸收电容： C = (2～4)×10-3 IT(AV)　　= 3×10-3×500 = 1.5μf (取系数为3)　　电容耐压(交流) VC(AC) = 380 × 1.5 = 570V　　电容耐压(直流) VC(DC) = 38 × 5 = 1900V　　2，取吸收电阻： R = 30 Ω　　吸收电阻功率 P ≥ f•C•10-6•(UARM)2　　= 50 × 1.5 ×10-6×(536)2　　= 21.55瓦　　选用30Ω、50瓦电阻。　　文章来源：中国电力电子朱英文：高级工程师，中国电力电子产业网特约顾问

  • 晶闸管串联时器件数量的确定是怎样的？

    一、问题的提出　　在高压领域使用晶闸管往往会遇到一只晶闸管的耐压(正反向重复峰值电压)不够，承担不了加在晶闸管两端的峰值电压，于是需要晶闸管串联使用。比如高压晶闸管整流桥的每一个臂、高压无功补偿反并联无触点开关等，这样的晶闸管串联组件常称为：“晶闸管高压阀体”。　　举例来说：加在一个高压整流桥臂两端的电压为有效值10000伏，其电压的最大值即峰值为14100伏，如选用正反向重复峰值电压为4000伏的晶闸管，则需几只串联?　　首先要解释一下何为晶闸管的正反向重复峰值电压?所谓正反向重复峰值电压即为该晶闸管所能承担的最高电压。这是出厂时测试后定下的。我国标准规定其条件是：1，在结温125℃时测得，2，测得PN结雪崩电压值后减去100V，3，取正反向两个方向上述值的最小值定为“重复峰值电压”。由此可以看到出厂时留的余量只有100V，在电网中使用，往往高次谐波的峰值比基波峰值高许多，甚至几倍。所以设计时除了留有足够的的裕量外，还要十分认真地采取均压和过电压保护措施，以免晶闸管电压击穿现象发生。　　二、晶闸管串联桥臂串联器件数的确定　　王兆安、张明勋主编的“电力电子设备设计和应用手册(第二版)第4章4.1.3节提出　　了一个计算公式：http://www.p-e-china.com/uploadfile/Article/201206/20120601140813814.jpg　　式中：　　KCU — 过电压冲击系数，取1.3-----1.6 ，根据设备中过电压保护措施的完备情况而定;　　UAM — 臂的工作峰值电压，指的正向峰值电压UATM 或臂的反向峰值电压UARM ，计算时取两者之较大者;　　Kb — 电网电压升高系数，一般取1.05—1.1，特殊情况可取更高值;　　KAU — 电压的设计裕度，一般取1—2，根据器件的可靠程度及对设备的可靠性要求而定;　　KU — 均压系数，一般取0.8—0.9;　　URM — 串联器件的额定重复峰值电压。　　三、实例计算　　KCU 取1.4 ，因为电网电压冲击情况较多;　　UAM = 14100V ;　　Kb 取1.1;　　KAU 高压使用时裕度取1.5;　　KU = 0.85，均压系数取中;　　URM = 4000V　　代入：http://www.p-e-china.com/uploadfile/Article/201206/20120601140855192.jpg　　结论是用10只4000V晶闸管串联。　　四、晶闸管串联后出现的问题　　1， 均压：要求所加的电压均匀地分摊在每只晶闸管上，即每只器件分摊的电压基本一致。　　2， 触发信号的传送：因为每只晶闸管各处于不同的电位上，每只器件的触发信号不可能有共同的零点。　　3， 同时触发：上例中十只晶闸管串联，不允许个别器件不触发，要不就会发生高压全加于这一只器件上，而导致该器件电压击穿。　　上述问题将在下篇文章“晶闸管设计实例4——串联时的技术措施”中叙述。文章来源：中国电力电子朱英文，高级工程师，中国电力电子产业网特约顾问

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晶闸管相关的耗材

  • 905nm 脉冲激光器 75W 30ns
    总览905nm 脉冲激光器应用于光触发晶闸管（LTT）或光触发集成电源电路（IGBT）,Licht-zündbare晶闸管（LZT）或集成电路905nm 脉冲激光器 75W 30ns,905nm 脉冲激光器 75W 30ns通用参数规格峰值输出功率 75W正向电流（Max. 值）25A脉冲宽度（FWHM）30ns占空比0.10% 波长905±10nm工作电压6.0V(100ns/1kHz)阈值电流0.3A工作温度-40℃-+85℃连接器ST,FC可选输出功率(不含光纤)(8A,25°C,100ns脉冲宽度)180 mW1m HCS/PCF 200/230Cm, NA=0.37尺寸图公司简介筱晓(上海)光子技术有限公司成立于2014年,是一家被上海市评为高新技术企业和拥有上海市专精特新企业称号的专业光学服务公司，业务涵盖设备代理以及项目合作研发，公司位于大虹桥商务板块，拥有接近2000m² 的办公区域，建有500平先进的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室，为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。十年来,依托专业、强大的技术支持，以及良好的商务支持团队，筱晓的业务范围正在逐年增长。目前业务覆盖国内外各著名高校、顶级科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室，奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。主要经营激光器/光源半导体激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子级联激光器、FP激光器、VCSEL激光器）气体激光器（HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器）光纤激光器（连续激光器、超短脉冲激光器）光学元件光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件激光分析设备高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪，激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等光纤处理设备光纤拉锥机、裸光纤研磨机
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： EdgeWave
    价格： 面议
  • HVA 真空层流闸阀 13000系列
    伯东美国HVA 真空层流闸阀 13000系列独特的气缸设计使冲击和振动减少到最小，以一个层流端口嘴为特征,有效的从气流中密封阀动装构，这个HVA 不锈钢阀门真空闸阀提供了的业界最小的接口，为了额外的保护，在阀体上部和下部都有安装净化清洗流道以使惰性气体流入来防止工业废气进入这些地方。 另一个特点是有一个正面的关闭装置使这个真空阀门真空闸阀可以保持密封的完整性，甚至在遇到动力随着压力下降而损失的时候。上海伯东是美国HVA 真空阀门在中国地区唯一指定总代理商。HVA 真空层流闸阀 13000系列 产品特点：1. 气动驱动2. 不锈钢焊接波纹管3. 标准或者定制法兰 4. 电磁阀控制并带有手动超控5. 两个分开的支架可以实现100%电导（全开）或者0%电导（全关）6. 在打开的位置,一个流孔从流动路程和所有内部部件是隔离开的。这个孔口提供了一个通过发力的清洁的连续的流动路程并且减少了和任何一个阀体装置的工业废气接触.7. 关闭位置使用一个传统的密封胶圈以产生1x10E-9Torr的真空密封.8.线性驱动允许使用焊接波纹管来密封驱动器并且减少旋转密封圈的必要性。9. 阀体和所有主要内部部件在1100 ℃, 1x10E-6Torr的真空炉中焊接的, 确保了最大的完整性. 这就减少在传统的焊接波纹管阀门里发现的虚漏和缺陷了.10.在保养方面, 支架部分可以拆掉而不用把真空闸阀从整个系统中拆卸出来。HVA 真空层流闸阀 13000系列 技术参数：连接形式：标准或定制法兰主体材料：不锈钢公称通径：DN40-DN300 mm漏率:2x10E-10 AtmCC/Sec压力范围: 1x10E-9 Torr 烘烤温度:200℃适用介质：水、蒸汽、空气、高腐蚀气体密封形式：软密封型驱动方式：气动使用寿命:视系统而定伯东美国HVA 真空层流闸阀 13000系列产品部件图： HVA 真空层流闸阀 13000系列 应用领域：伯东美国HVA 真空层流闸阀 13000系列产品应用：可以用在蚀刻,化学蒸汽沉积等其他要用高腐蚀气体,可能损坏其他阀门的加工中。标准真空阀门真空闸阀不可能承受不断的工业废气侵入. 广泛的半导体应用已经证明这些高真空阀门真空闸阀是过程工艺系统的一笔宝贵财富.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗先生伯东版权所有, 翻拷必究!
    供应商： 伯东公司德国普发真空pfeiffer
    品牌： HVA
    价格： 面议
  • HVA 真空闸阀 真空插板阀 71000 系列
    上海伯东美国 HVA 长寿命严厉过程真空闸阀 71000 系列是专为最苛刻的真空环境而设计. 真空闸阀 71000 系列由坚固的不绣钢刚坯在 1100°C, 1x10-6 mbar 条件下加工成形, 真空闸阀两侧密封的门上双密封设计, 阀门内部几乎没有移动部件, 最大限度减少粒子的生成. 免维护设计(不绣钢波纹管与工艺过程分离). 适用于 MOCVD, ALD, PECVD 等典型的严酷的应用.上海伯东是美国HVA 真空阀门在中国地区唯一指定总代理商。HVA 真空闸阀 真空插板阀 71000 系列 产品优势：1.易于系统集成, 几乎满足所有应用2.不绣钢波纹管与工艺过程分离 - 免维护3.真空闸阀坚固的双重密封设计和低粒子 4.使用寿命 250,000 cycles 启闭次数5.高压和机械加工的不锈钢阀体6.真空闸阀口径 DN 50-200 mm7.手动或气动控制8.标准法兰口 KF, ISO, CF, ANSI, JIS 或客户定制9真空闸阀最大烘烤温度 250°C10.全部美国设计, 制造, 组装, 原装进口HVA 真空闸阀 真空插板阀 71000 系列 技术参数： 阀门材质: - 阀门主体 304 不锈钢 - 焊接波纹管轴封 AM - 350 阀门密封方式 - 高真空 氟橡胶 真空: - 压力范围 高真空 1x10-9 mbar - 漏率 2x10-9 mbar l/S - 差压关闭 2 bar (任意位置) - 开启前最大压力 ≤ 1 bar 烘烤温度（不含电磁阀）: - 佛橡胶密封 150 °c, 可选配置最大 250 °c - 驱动方式 手动 60 °c, 气动 60 °c - 气体 80 psig (5.5 bar) - 电磁 4.0 Watts - 供电 120 VAC 50 /60 Hz - 可选电压 24, 200, 240 VAC 50/60 Hz 或 12, 24 VDC - 位置指示器,最大 115 VAC 或 28 VDC, 20 mA 使用寿命: 250,000 启闭次数 (具体视实际使用情况决定) 公称通径: DN 50 - 200 mmHVA 长寿命严厉过程真空闸阀 71000 系列部件图 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东罗先生伯东版权所有, 翻拷必究!
    供应商： 伯东公司德国普发真空pfeiffer
    品牌： HVA
    价格： 面议
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