硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18
C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装,密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC光谱响应400-1100nm感光规格0.5mm ?材质硅 Silicon技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用,包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度,并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中,该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配,以最大限度地减少信号损失,而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2(带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装)和C30902BH(带密封球透镜)构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有极低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用(光功率小于1 pW),可在增益高达250或更高的正常线性模式(VrVbr)下的光子计数器使用,其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下,不需要放大器,单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率:在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型,带内置905 nm过滤器 C30902BH型,带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- (10%Q.E.点)400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用• 激光雷达• 测距• 小信号荧光• 光子计数• 条形码扫描表1。电光特性测试条件:外壳温度=22?C,除非另有规定,请参见下页的注释。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm2光管特性(C30921)光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率(n)1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α(见图15) 带标准/球形透镜窗口(-2)内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管(在空气中) 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees(-2)内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数,Vr,恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/?C探测器温度(见注2)-TC0?C-DTC-20?CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时(不适用于-2)7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/?HzpA/?Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/?Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 ?10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr,光子探测概率为5%(830nm)(见图7和注4) 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率(830nm)(注5)2152%1.在特定直流反向工作电压下,Vop或Vr,随每个装置提供,光斑直径为0.25 mm(C30902EH,SH)或0.10 mm(C30921EH,SH)。在180至250V的电压下运行,设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度(开尔文)可为使用以下方程式计算:[??] = ?? ,项次(??/??∞)式中,R是测量的热敏电阻电阻,单位为?,?? = 3200,R0=5100Ω,T0=298.15 K和r∞ =? ??R e ? 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=(2q(Ids+(IdbM2+PORM)F)BW)?,其中q是电子电荷,Ids是暗表面电流,Idb是暗体电流,F是过量噪声系数,M是增益,PO是器件上的光功率,BW是噪声带宽。对于这些装置,F=0.98(2-1/M)+0.02 M(参考文献:PP Webb,RJ McIntyre,JJ Conradi,“RCA审查”,第35卷第234页,(1974年))。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。(参见盖革模式操作部分)。3.主脉冲后1μs至60秒发生脉冲后。