蚀刻机

离子蚀刻机 4 IBE伯东公司日本原装进口小型离子蚀刻机, 适用于科研院所, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.离子蚀刻机 4 IBE 技术规格型号4 IBE样品数量尺寸4”φ, 1片离子束入射角度0～± 90考夫曼离子源KDC 40极限真空度 Pa≦1x10-4Pfeiffer 分子泵抽速 l/s350均匀性≤±5%伯东离子蚀刻机主要优点1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.3. 配置使用美国考夫曼离子源4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.离子蚀刻机通不同气体的蚀刻速率Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士,分机109上海伯东版权所有, 翻拷必究！

Hakuto 离子蚀刻机 伯东公司日本原装设计制造离子蚀刻机 IBE. 提供微米级刻蚀, 均匀性: ≤±5%, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, 伯东公司已累计交付约 500套离子刻蚀机.伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 离子刻蚀机 4IBE 离子刻蚀机 20IBE 全自动蚀刻机 MEL 3100离子蚀刻机 IBE 主要型号 伯东提供用于研究分析的小尺寸离子刻蚀机, 用于生产制造的大尺寸离子蚀刻机以及全自动蚀刻机.配置美国 KRI 考夫曼离子源和德国 Pfeiffer 分子泵.型号4 IBE7.5 IBE16 IBE20 IBE-CMEL 3100样品数量尺寸4”φ, 1片4”φ, 1片6”φ, 1片4”φ, 6片6”φ, 4片3”φ-6”φ,1片离子束入射角度0～± 900～± 900～± 900～± 90-考夫曼离子源KDC 40KDC 75KDC 160考夫曼型-极限真空度 Pa≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦8x10-5Pfeiffer 分子泵抽速 l/s35035012501250-均匀性≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%离子蚀刻机特性:1. 采用美国 KRI 考夫曼型离子源, 保障蚀刻速率和均匀性2. 干式制程, 物理蚀刻的特性3. 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.4. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.5. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面.通 Ar 时, 对各种材料的刻蚀速率NS 离子刻蚀机 20IBE-J 视频离子刻蚀机 3-4inch 20IBE 视频离子蚀刻机应用 薄膜磁头 Thin film Magnetic Head, 自旋电子学 Spintronics, MR Sencer微电子机械系统 MEMS Micro-electromechanical Systems射频设备 RF Devices, 光学组件 Optical Component, 超导电性 Super Conductivity Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRI 考夫曼离子源!若您需要进一步的了解离子蚀刻机详细信息, 请联络上海伯东叶女士,分机109

离子蚀刻机 10-M/NS-5上海伯东日本NS进口离子蚀刻机 10-M/NS-5，适合小规模生产使用和实验室研究用的离子刻蚀机。离子蚀刻机 10-M/NS-5 主要技术参数：基片尺寸直径 6英寸 X 1片样品台直接冷却，单独冷却离子源10cm 考夫曼离子源电源WELL-2000(可更换为国内电源上海伯东是日本NS离子蚀刻机中国总代理，NS离子蚀刻机对磁性材料、黄金、铂和合金金属提供最佳蚀刻技术，很容易做各种材料的蚀刻，主要应用于薄膜磁头 (Thin film Magnetic Head)，自旋电子学 (Spintronics)，MR Sencer，微电子机械系统 (MEMS Micro-electromechanical Systems)，射频设备 (RF Devices)，光学组件 (Optical Component)，超导电性 (Super Conductivity)等。可依据客户实际需要，提供客制化服务。NS离子蚀刻机主要优点：干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。配置使用美国考夫曼公司制造的原装离子源。射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。上海伯东主营产品：德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵，干式真空泵，罗茨真空泵，旋片真空泵；应用于各种真空环境下的真空计，氦质谱检漏仪，质谱分析仪以及美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源，美国 HVA 真空阀门，Polycold 冷冻机，离子刻蚀机等。

1.采用高功率高稳定紫外激光器直接烧蚀气化材料，μm级加工线宽，μm级热影响区；2.通过进口精密振镜高速高精度控制光束偏移，实现最高15m/s高速小幅面精密蚀刻；3.通过微米级高速直线电机平台平移实现高速高精度大幅面蚀刻；4. Z轴电动可调，以适应不同厚度材料，满足立体结构蚀刻要求；5.旁轴超分辨率工业相机用于振镜全幅面误差校正、超高精度的对焦、以及在线线宽测量，保证系统长期使用稳定性和精度；6.在线检测激光加工的效果，快速优化加工工艺；7.系统采用大理石台面，提升系统的综合稳定性，所有机械部件精心选配以保证长期精度；8.最小加工线宽5μm，整体加工精度±4μm，局部特征精度＜2μm，加工幅面300*300mm；9. 用于以玻璃、蓝宝石、金属、、陶瓷、有机物等为基底的精密电路或者图形蚀刻。激光精密蚀刻加工相比光刻腐蚀等等，具有以下优点：直接加工成型，无需复杂的掩膜制造、镀膜、光刻腐蚀等工艺流程无污染无耗材，无化学腐蚀高速（扫描速度高达15m/s）高精度（＜±4μm）无材料限制，基底材料玻璃、陶瓷、硅片、有机物等等不限加工线宽最小5μm（更小可定制）加工幅面图形可定义300mm*300mm

反应式离子蚀刻机 性能特点 Capability Features: 用于失效分析的剥层分析解决方案群，世界顶尖反应式离子蚀刻机，物理沉移系统，原子层化学气相沉积系统.RIE/PE and RIE-ICP FA system这些灵活的失效分析工具可以实现从钝化层的去除到各项异性的氧化物的去除，从小管芯或已封装的器件到300mm直径的晶片整个范围的工艺. 去除氮化物钝化层后 刻蚀金属间介质后 四层金属暴露 金属间介质后的失效分析优点:- 工艺灵活，既可采用RIE/PE，也可采用ICP- 先进的管芯工艺：采用等离子体加速器的刻蚀速率比标准的RIE工艺快20倍产品范围：- 可以处理300mm晶片的RIE/PE双模式设备- 快速低损伤的模具刻蚀装置- 处理200mm晶片的双模式设备- 填充用的正硅酸乙酯（TEOS）工艺应用:- 各向同性的聚酰亚胺的去除（RIE或ICP模式）- 各向同性的氮化物（钝化层）的去除（PE或ICP模式）- 各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）的去除（RIE或ICP模式）- 各向异性的低K值氧化物的去除（RIE或ICP模式）- 金属支架的去除（RIE或ICP模式）- 多晶硅的去除（RIE模式）- 铝或铜的去除（ICP模式）

离子蚀刻机 20-M/NS-8上海伯东日本 NS 进口离子蚀刻机 20-M/NS-8，适合中等规模量产使用的离子刻蚀机。离子蚀刻机 20-M/NS-8 主要技术参数：基片尺寸直径 3英寸 X 8片直径 4英寸 X 6片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源WELL-5000(可更换为国内电源 上海伯东是日本NS离子蚀刻机中国总代理，NS离子蚀刻机对磁性材料、黄金、铂和合金金属提供蚀刻技术，很容易做各种材料的蚀刻，主要应用于薄膜磁头 (Thin film Magnetic Head)，自旋电子学 (Spintronics)，MR Sencer，微电子机械系统 (MEMS Micro-electromechanical Systems)，射频设备 (RF Devices)，光学组件 (Optical Component)，超导电性 (Super Conductivity)等。可依据客户实际需要，提供客制化服务。NS离子蚀刻机主要优点：干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。配置使用美国考夫曼公司制造的原装离子源。射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。上海伯东主营产品：德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵，干式真空泵，罗茨真空泵，旋片真空泵；应用于各种真空环境下的真空计，氦质谱检漏仪，质谱分析仪以及美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源，美国 HVA 真空阀门，Polycold 冷冻机，离子刻蚀机等。 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。伯东版权所有, 翻拷必究!

美国Chemcut湿法蚀刻设备Chemcut 半导体制造的水平化学加工设备专注于：&bull 晶圆湿法加工包括铜，钛/钨等金属蚀刻，干膜显影和退膜等&bull 导线框架 (QFN) 和 BGA 等背蚀刻和半蚀刻&bull 导线框架 (QFN) 和集成电路 IC 截板加工湿式加工设备 CC8000CC8000 设计用于加工半导体，IC (引线框架和 IC 基板)，高端HDI PCB / FPC，触控和 LCD 显示屏幕，太阳能和精密金属零件。其独特的喷涂架设计使其能够达到更高水平的蚀刻质量。自启动以来，已成交并安装了700多个系统。晶圆图案制作：&bull 干膜显影&bull 铜蚀刻&bull 钛/钨蚀刻晶圆 Bumping 湿法工艺&bull 光阻显影：与 Pad 制作类似&bull 光阻剥离：需要高喷洒压力 (30 - 40 bars)&bull 种子层 (UBM) 蚀刻：使用喷洒或浸渍技术Chemcut 2300 系列 小批量生产批量和原型系统Chemcut 2300 是一种紧凑，双面，水平，传送带式，振荡喷射处理系统系列，采用了与大型系统相同的成熟技术和质量。 2300 系列非常适用于实验室，原型和小批量印刷电路以及化学机械加工零件，仪表板和铭牌。本系列湿法设备有多种配置，可用于铜和氯化铁蚀刻，碱性氨蚀刻，抗蚀剂显影，化学清洗和抗蚀剂剥离。该机器的特殊版本可用于专业处理，如使用氢氟酸和硝酸混合物进行蚀刻以及高温蚀刻（最高 160°F，71°C）。适用于：&bull 化学清洗&bull 铁蚀刻&bull 铜蚀刻&bull 碱性蚀刻&bull 抗蚀剂显影&bull 抗蚀剥离&bull 宽度 15 到 20 英寸&bull 18 X 24 功能应用于：&bull 原型商店&bull 小批量商店&bull 开发实验室&bull 研发部门&bull 大学&bull 特殊加工&bull 替代化学品&bull 研磨特殊合金&bull 减少废物

用途：表面清洗活化表面蚀刻Tetra 8 RIE 产品特点：适用于8”以下样品的处理等离子蚀刻机，可实现快速且一致的样品表面刻蚀全局的工艺气体通过气浴进气实现了均匀的气体分布电极水冷确保了样品的温度不会偏高工业Windows控制系统，多段程序控制功能，实现一键蚀刻功能适合于研究院、高校、研发中心等使用，也可小批量生产

设备型号：JY 600-2 滚轮蚀刻机输入电压：220V/ 380 V 喷淋区域：宽600 mm 长1200 mm ( 可定制 )设备尺寸：1160 × 1000 × 2000 mm工作原理：电化学腐蚀；雾化喷淋；水平传送，连续进料加热系统：钛管防腐加热，380v/3kw，自动加热温控蚀刻速度：无级调速，0.5-2m/min变频调速机身材质：优质工程塑料，不变形，抗高温作业 绝缘等级：A 级功 率：液泵功率：2.2KW，总功率：5.26 KW 特点：1、采用传动装置，雾化喷淋，结构合理；加工尺寸长度不限制，速度快、精度高；2、效率高使用方便：有效地设计喷淋与被蚀刻金属板的有效面积和蚀刻均匀程度；蚀刻效果、速度和操作者的环境及方便程度等方面都有改善；药液使用充分，大大降低生产成本。应用：1、工作领域：适合单双面图文腐蚀，可在铜/铝/钛金/不锈钢/铁/锌版/钛等金属和金属制品的表面蚀刻和镂空文字、花纹、几何形状。2、是标牌厂、电镀厂、铭牌厂等生产高精度高品位标牌、奖牌礼品、饰品、工业品电蚀刻及反蚀刻精密加工等必备的现代化设备。

离子蚀刻机 10-M / NS-5:适合小规模量产使用和实验室研究基片尺寸直径 6英寸 X 1片样品台直接冷却，单独冷却离子源10cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源伯东离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。离子蚀刻机 10-M / NS-5: 图片： 通不同气体的蚀刻速率 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士

离子蚀刻机 20-M / NS-8上海伯东 NS适合中等规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 3英寸 X 8片直径 4英寸 X 6片基台直接冷却样品台20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源伯东离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。离子蚀刻机 20-M / NS-8 图片： 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :上海伯东 : 罗女士

设备用途：径迹蚀刻法是被动式采样，能测量采样期间内氡的累积浓度（同时给出不确定度）。探测器是聚碳酸脂片或CR-39。至于一定形状的采样盒内，组成采样器。关于采样器，本系统专门研发的静电收集型探测器（EIRM），探测下限（LLD）可至0.6Bq/m3。产品特点：1.可读取探测片序列号；2.自动对焦；3.以.csv 文件格式导出读取结果；4.记录每张图片进行进一步分析；5.详细的径迹形态信息；6.重叠校正及其不确定性估计；7.图像预处理系统：包括图像增强、图像去噪、图像二值化和去除非径迹杂物；8.径迹测量分析系统：对通过预处理后的图像进行标记测量，统计出共有多少径迹及径迹的位置，准备单位径迹的参数测量；9.图像分析系统：具有通过交互方式对单个物体进行参数测量的功能，并对测量结果进行保存，当测量一定数量径迹参数后，执行统计分析软件程序，根据测量结果综合分析，获得径迹判别的参数，并存入数据处理系统。技术特点：1.自动读取64 片方形CR39（1cm×1cm）；2.自动读取16 片圆形CR39（φ2.4cm）；3.可读取12cm×12cm 以内自定义的形状和大小CR39；4.可自定义的轴向移动控制；5.放大倍数：不小于100 倍；6.被动收集型氡探测器（PIRM）：探测下限:12-15 Bq/m3 （60 天）；静电收集型氡探测器（EIRM）：探测下限:0.6 Bq/m3 （60 天）；7.径迹识别能力：单个和重叠径迹，达到分辨100tracks/mm2；8.线性好于3%；9.批量分析大量（≥100,000）图片。

ICP 刻蚀机 ：高密度等离子蚀刻装置NE-550 特点：等离子密度与向基板入射的能量能够单独控制，因此Process window宽。均一性好。离子性蚀刻到radical性蚀刻都能都大幅度控制。构造简单，维护性能优越。来自半导体技术研究所的工艺支持体制。CS（Customer’s Support ）解决方案的综合服务体制。可选Cassette室，提高生产量。 丰富的Process Application：1.ISM: Inductively Super Magnetron有磁场ICP型2.ISM是可以由低电源得到稳定均一的放电，达到Damage最少的蚀刻。3.使用不挥发性材料的次时代memory‐Al2O3,磁性体，Pt, Ir, PZT, SBTO 等4.超高频率器件，光器件。‐绝缘膜，GaAs/AlGaAs(In),AlGaInP,InP,SiC,ZnSe, Sapphire，GaN，STO/Pt, Au/Pt, W, WSi, Ti, Mo, Ta, BCB, Polyimide，BST, STO5.各种传感器器件等Photo Nic结晶。6.MEMS(micromachine）

辛耘科技致力于高端清洗蚀刻设备的研发和生产 拥有强大的研发与软件编写团队 实现完全自主的软硬件售后服务和升级 最大程度地解决了客户的后顾之优 产品涵盖2&rdquo ~12&rdquo 主流湿法工艺以及薄片、大功率器件、高温制程、电镀 、化镀 、等特殊应用、广泛应用于半导体、三五族、微机电、和LED领域 仪器简介：2&rdquo ~12&rdquo 手动/半自动/全自动湿制程设备及干燥机传送技术: Cassette type / Boat type / Cassette-less领域 : 半导体前后段 / LED / 蓝宝石/薄片/ GaAs / MEMS&hellip 制程 : lean/Etching/PRStrip/Solvent/Developer/Reclaim/Plating /High-temp/De-wax/CDU 特点:高稳定性与高可靠度自有的软硬件设计及完善QC系统可提供客制化与量产设计可灵活实现 手动 半自动 全自动及干进干出 功能多种可选择的晶圆传递方式(cassette /cassetteless /both type)友好的人机操作界面完整的全自动生产（包括SMIF、晶圆传递、晶圆盒的自动传递）完善的客服系统唯一可提供cassetteless传输的local厂家应用领域：半导体/三五族/微机电：4&rdquo -12&rdquo 相关清洗、显影、蚀刻等制程LED :蓝宝石基板清洗工艺（切割、研磨、抛光段应用、PSS图形化衬底应用）前后端工序中的清洗、显影、蚀刻、去胶、高温磷酸（侧腐蚀工艺）、化镀金工艺等湿法应用

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

STES 固体径迹蚀刻系统是上海怡星机电设备有限公司推出的一款精 密测量仪器，可实现对环境中的氡累积剂量进行准确的测量。适合环保、高校、核电、研究机构等领域，填补了同类产品中长期缺乏国产仪器的空白。技术特点：1.可实现自动控制自动对焦2.可读取64 片方形CR-39（1cm×1cm）；16 片圆形CR-39（φ2.4cm）3.可读取12cm×12cm 以内自定义的形状和大小CR-394.可读取探测片序列号5.可自定义的轴向移动控制6.图像处理系统：包括图像增强、图像去噪、图像二值化和去除非径迹杂物7.记录每张图片进行进一步分析8.批量分析数以万计视野图片9.以.csv 文件格式导出读取结果，可以Excel 打开10.详细的径迹形态信息11.探测下限：被动收集型氡探测器：9Bq/m3；静电收集型氡探测器：0.6 Bq/m312.重复性好于1%；线性好于3%

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO300A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。占地面积小的NEO300A配置有单个装载端口。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸 - 桥梁工具能力200-300mm - 单个SMIF装载端口-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO） NEO200A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进灰化和蚀刻产品的最新成员。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达200mm的基板兼容。占地面积小的NEO200A配置有双盒式磁带。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 双盒式平台-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）Trymax Semiconductor Equipment的NEO200系列先进等离子灰化/蚀刻系统是最新的光刻胶和蚀刻设备，以惊人的价格提供卓越的性能。专为最大200 mm基板应用而设计。 它配备了一个灵活的装载站，可配置用于处理最大200 mm的所有不同尺寸的基板。 NEO200系列集成了研究和设备制造商紧凑设计的所有要求，可实现最低的拥有成本。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 用于半自动晶圆传输的单个装载平台。-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher氢氟酸气相蚀刻系统MEMS领域设备：准干法氢氟酸气相蚀刻系统，4“、6”、8“范围适用。氢氟酸蚀刻二氧化硅是微电子行业中的一道传统工艺，多以湿法为主，但是湿法工艺容易造成硅表面自然氧化层无法完全去除，进而影响金属和硅的欧姆接触。本氢氟酸气相蚀刻是一套准干法工艺设备，通过对基底的加热，晶圆表面的水分可以很好的控制。由[video width="384" height="288" mp4=""][/video]于晶圆完全不与液体接触，可以进行无粘着MEMS释放。特点：安全酸处理可重复利用HF晶圆夹紧机构适于各种尺寸的晶圆无需安装（装置在湿法酸工作台中使用）上部向下晶圆蚀刻背面保护低运行成本应用：无粘着MEMS释放结构减薄SOI基底上的结构免切割释放蚀刻速率从0到10 μm/hour可调（无粘着）单面二氧化硅蚀刻（蚀刻过程背面保护）4英寸产品型号：VPE1006英寸产品型号：VPE1508英寸产品型号：VPE200蚀刻液：50%HF有机溶液蚀刻速率：2-30 μm/hour加热温度：35-60℃反应室温度控制在反应室内，二氧化硅的腐蚀速率随液体HF的温度略有变化。氢氟酸的温度取决于洁净室的环境温度。此外，在长时间的蚀刻过程中，HF会被加热，导致晶圆之间的蚀刻速率增加，直到系统稳定下来。为了稳定腐蚀速率，我们在容器中开发了一个温度可控的HF反应室。高频的温度可以通过附加的控制器来调节。

MoviPol-5 是一款坚固耐用的便携式电解抛光和蚀刻机，可随地执行高效快速且无损的金相制备。该设备配有一个电池组，可连续运行 1.5 小时。MoviPol-5 可直接用于关键表面，广泛应用于金属安全检查，尤其是大型设备的关键部件，例如管道上的焊接点和大型构件上的其他接头。该方法可有效展示金属微观结构的变化，可防止因裂缝和泄漏可能导致的损伤。野外电解抛光和蚀刻MoviPol-5是一款便携式金相电解抛光和蚀刻装置。结构极为紧凑坚固，适用于任何场合。超快速获取结果一分钟以内即可完成一个表面的制备并立即投入分析。您既可在现场进行分析，也可制作复型用于实验室检测。自动抛光和蚀刻启动抛光枪即可开始电解反应。抛光步骤完成后，MoviPol-5会自动进入蚀刻工序。百分百的自由度MoviPol-5配有可充电电池组，可不间断供电达1.5小时。这就使得MoviPol-5特别适用于现场作业。为了进一步增加现场作业的时间，电池组和电解盒均可以迅速更换。独立的电池充电器（已包含）可以用于实验室工作。高效电池组与TransPol-5通用。内置照明灯通常电解抛光都在光线昏暗的地方进行。内置的LED照明灯确保了抛光/蚀刻过程中的最佳可视控制。方法数据库MoviPol备有一个适用于常见材料的方法数据库。客户无需从零开始，而是从现有方法开始。方法数据库可以保证结果的一致性和可重复性。数据库总共可以储存20种方法。电解盒系统重新添加电解液是一件很麻烦的事，因此MoviPol采用可更换的电解盒。我们无需对储液箱加液，而是将整个电解盒迅速更换，不会泄露一滴液体。这样，加液的工作可以在实验室轻松完成，而无需浪费宝贵的现场时间来完成。可在任何位置工作的蠕动泵MoviPol-5配有一个蠕动泵，即使在不平的地方也可以保证电解液的稳定流动。安全性单向阀确保了只有在真正操作时才有电解液的流动。倾斜传感器可以警示操作者MoviPol-5是否倾斜超过了45度，倾斜超过45度就有电解液泄露的危险。

QATM Qetch 1000(原德国ATM Kristall 680)是一款通过触屏界面直观操作的全自动电解抛光蚀刻。具有独立的抛光蚀刻单元和控制单元，并可以在通风橱中使用。无需知晓试样组织情况，通过扫描功能即可显示材料的电流-电压特征曲线。将电解液储存在1升体积的独立电解槽中进行封盖储存，工作时通过整体更换的方式来更换电解液，极大地方便了抛光蚀刻单元的操作。设备的清洁可以采用水，通过清洗程序完成。优点-自动电化学抛光/腐蚀装置-带QATM软件的触屏操控-可储存200个程序，并可设置密码-实时显示电流和电压-输出电压和过程持续时间可调 性能指标连接电源2 kVA电压极值90 V DC电流极值14 A抛光时间1 sec - 25 min腐蚀时间1 sec - 5 min宽 x 高 x 深330 x 220 x 400mm重量~ 7 kg

AXIC IsoLokICP等离子体系统经济实惠的高性能驱动器和低温等离子体处理系统AXIC公司的AXIC IsoLok电感耦合等离子体(ICP)负载锁定处理系统定义了深度反应离子蚀刻(DRIE)和低温低损伤等离子体增强化学气相沉积(ICP- pecvd)等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计，从通用腔室和机柜单元开始，具有ICP蚀刻或沉积底部电极，可轻松安装到腔室单元并结合负载锁。我们相信您会发现易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是市场上任何其他等离子产品所无法超越的。系统描述在等离子体加工的研究和开发中，一直对高通用性和可靠的负载锁定工具有很大的需求。随着等离子体研究需求的不断变化，任何系统都必须提供最广泛的工艺参数和高度的可重复性，以进行工艺验证。它还必须易于修改以适应新的工艺要求。我们相信我们的IsoLokICP蚀刻/沉积等离子体系统可以满足这些非常苛刻的要求。IsoLokICP系统是一种等离子体工具，可用于研究，工艺开发或小批量生产，可在直径达8″的基板上进行精确蚀刻和沉积。该系统还可以容纳片晶圆或基板与适当的夹具。在设计IsoLokICP工具时，主要目标是创建一个包含负载锁定分段区域的系统，同时保持质量和可靠性。保留专用生产导向系统的过程控制，同时大幅降低成本和维护以及占地面积，是关键要求。IsoLok负载锁定ICP系统独特的机柜和电极设计可以轻松安装在层流模块或洁净室中。经过验证的高质量组件，模块化组件，多功能腔室和电极设计，紧凑的尺寸，自动化和现场验证的工艺配方使IsoLokICP系统成为工程师的“首选系统”。负载锁模块该系统配备了一个真空负载锁定模块，由阳极氧化铝构造。负载锁定系统是大气到真空样品的分级和进入模块。它们是一种方便实用的方法，用于在真空系统中进出样品，而无需将腔室排放到大气中。这大大提高了效率和吞吐量，减少了周期时间，更重要的是减少了污染。负载锁允许在受控的环境条件下交换样品。负载锁可容纳直径从4“到8”的晶圆，具有特定的末端执行器。在负载锁和工艺室之间提供一个隔离阀，以隔离被转移的样品。

日本 Atonarp Aston™ 质谱仪对小开口区域的蚀刻有更高的灵敏度随着特征尺寸和几何形状的不断缩小, 半导体工艺制造商面临着新的挑战. 对于高纵横比 3D-NAND 和关键尺寸的高级节点逻辑触点, 可靠地检测远低于 1%的开口区域的端点对产量和整体生产力至关重要.随着接触宽度随着工艺节点的减小而减小, 接触蚀刻的开口面积减小得更快，因为面积尺寸与接触宽度的平方成反比. 此外, 触点的电阻会负向增加, 从而影响晶体管的电气性能.关键的是, 需要通过场氧化物（二氧化硅）进行接触蚀刻的端点检测 EPD, 以尽可能降低接触电阻, 并确保与晶体管源极或漏极的良好电接触, 但不会出现过度蚀刻，从而导致栅极区域短路或基片损坏。更复杂的接触蚀刻是非平面晶圆拓扑结构，导致不均匀蚀刻和最终电气测试时的“甜甜圈”或“边缘”屈服模式.对于 3D NAND, 关键蚀刻工艺包括用于垂直沟道的小开口面积阶梯蚀刻和高纵横比开口面积，以及通过100层交替二氧化硅（Si02）和氮化硅（Si3N4）层的狭缝蚀刻. 蚀刻 100个交替层需要高速定量终点检测. 高灵敏度也是至关重要的, 因为多层阶梯式蚀刻减少了用于获得急剧阶梯变化终点的蚀刻副产物的丰度, 因为随着阶梯式蚀刻到达底部, 触点行数减少.上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱仪凭借高灵敏度提供解决方案为了确保一致和优化的接触蚀刻, 需要高灵敏度的原位分子诊断来提供蚀刻副产物的实时测量和量化, 并能够检测到明确定义的终点. 随着接触开口面积 OA% 的减少, 诸如光学发射光谱 OES 等传统计量解决方案缺乏准确检测蚀刻终点的灵敏度（低信噪比 SNR 比）. Aston™ 质谱仪 的 OA% 灵敏度显示为 0.25%, 其检测限比 OES（LOD 约 2.5%）高出一个数量级. 此外, Aston™内部产生的基于等离子体的电离源允许它在存在腐蚀性蚀刻气体的情况下工作, 无论处理室中是否存在等离子体源.Aston™ 质谱仪能够进行准确且可操作的端点检测, OA% 是传统 OES 计量解决方案的一个数量级（1/10）. Aston™ 质谱仪解决方案适用于具有高蚀刻吞吐量和大量重复相同步骤的工艺中的实时 EPD. 这是通过高信噪比 SNR 实现的, 从而避免了 OES 设备中常见的模棱两可和复杂的多变量分析算法.小开口面积 OA% (高纵横比 HAR) 蚀刻使用 Aston 的高灵敏度 (SEM) 提供可操作的数据, 以在小开口区域蚀刻实现终点检测Aston 0.3% OA% EPD 实现多种化学蚀刻: x10次OES 和 RGA 缺乏实现小开口区域蚀刻的灵敏度Aston 质谱在使用或不使用等离子的情况下, 均可工作Atonarp Aston™ 质谱仪优点1. 耐腐蚀性气体2. 抗冷凝3. 实时, 可操作的数据4. 云连接就绪5. 无需等离子体6. 功能: 稳定性, 可重复性, 传感器寿命, 质量范围, 分辨率, 最小可检测分压, 最小检测极限 PP,灵敏度 ppb, 检测速率.Atonarp Aston™ 质谱仪半导体行业应用1. 介电蚀刻: Dielectric Etch2. 金属蚀刻: Metal Etch EPD3. CVD 监测和 EPD: CVD Monitoring and EPD4. 腔室清洁 EPD: Chamber Clean EPD5. 腔室指纹: Chamber Fingerprinting6. 腔室匹配: Chamber Matching7. 高纵横比蚀刻: High Aspect Ratio Etch8. 小开口面积 0.3% 蚀刻: Small Open Area 0.3% Etch9. ALD10. ALE若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

ALT蚀刻液酸浓度在线分析仪是一款由禾工科仪自主研发的无人值守的工业过程在线分析滴定仪，取代人工分析，可实现自动取样、上样、信号测量、滴定分析、自动清洗、自动分析、在获取分析结果后根据生产工艺控制加药泵对槽液进行精确配比加药，将槽液指标维持在生产工艺的预设范围内，还可将分析结果和加药量发送给服务器的数据库进行存储和统计，满足现代化生产过程控制的要求。ALT蚀刻液酸浓度在线分析仪采用A8处理器，模块化设计， 七英寸中文人机对话全彩触摸屏，高精度滴定管、电磁切换阀、长寿命溶剂泵，高分辨率的颜色采集模块和多样的检测模块，可通过测量电极的电位变化和颜色变化的自动判断，来指示滴定的终点，根据样品性质，仪器选用不同电极和检测器进行自动颜色滴定、pH滴定、氧化还原滴定、络合滴定、非水滴定和沉淀滴定等多种滴定，适用于化工、环保、食品、制药、造纸、纺织、冶金、金属表面处理、水质处理等领域。ALT蚀刻液酸浓度在线分析仪 功能示意图在线设备的开发标准:结果准确，控制精确，可靠稳定，智能可控。禾工科仪目前具备下列行业及生产控制领域的样品在线检测及现场药水添加系统开发经验:工业涂装工艺流程生产线、印染工艺生产线、PCB印刷生产流水线、冶金治炼流水线、各类化工过程槽液浓度参数控制等领域的酸值、碱值、水质硬度、钙镁等金属与氯氟等非金属离子的在线浓度监测与药水添加系统。ALT蚀刻液酸浓度在线分析仪 产线应用示意图* 根据行业生产线专业定制研发，在线分析，无人值守，可完全替代人工；* 在线分析模块可进行分析自动化进程的编辑、修改和存储；包括在线自动取样，自动上样，自动分析，自动清洗，自动数据存储；计算公式可进行编辑和存储，分析完成后自动计算最终结果并发送给服务器；* 过程控制模块可监控多台在线分析仪的状态，并可根据客户需要开发配合自动化生产控制功能，本设备具有监控报警功能，可设置，液体，电源及分析结果等异常报警功能；★配置清单（基本配置）：数量1、主机控制单元 1套2、高精度滴定馈液单元2套3、搅拌滴定台（通用）1个4、电位滴定（PH滴定）模块1套5、双铂针测量电极1支6、精密辅助泵（含控制系统）2个7、通讯模块（RS232,TCP/IP,MODBUS）1套8、滴定控制软件(在线滴定，自动计算，自动输出)1套9、整机安装及机箱与包装1套10、新机安装培训服务及12个月有限保修服务1台

上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪无等离子体设计,可以实现快速, 化学特定的原位定量气体分析, 与光学发射光谱 OES 对比, Aston™ 质谱仪 的 OA% 灵敏度显示为 0.25%, 适用于半导体工艺中蚀刻计量控制, ALD, 3D-NAND 和新兴的堆叠式 DRAM.半导体蚀刻工艺挑战日益增加蚀刻是半导体制造中常用的工艺之一. 介电蚀刻用于形成绝缘结构, 触点和通孔, 多晶硅蚀刻用于在晶体管中创建栅极, 金属蚀刻去除材料以显示电路连接图案并钻穿硬掩模.连续蚀刻铝 Al, 钨, 铜 Cu,钛 Ti 和氮化钛 TiN 等工艺金属具有挑战性, 因为许多金属会形成非挥发性金属卤化物副产品（例如六氯化钨 WCl6）, 这些副产品会重新沉积在蚀刻侧壁上, 导致成品率降低（通过微粒污染或沉积材料导致短路）.随着半导体行业不断缩小关键特征尺寸并采用垂直扩展 (如 3D-NAND 存储器和全环绕栅极先进技术节点), 各种新的蚀刻挑战已经出现. 这些包括在晶圆上蚀刻更小的特征, 高展弦比 HAR 沟槽蚀刻 (具有小的开放面积百分比- OA%), 以及在新兴的非挥发性存储器和高 k介质中蚀刻金属闸极, 稀土金属等新材料. 对于先进的纳米级工艺, 如蚀刻到硅介质和金属薄膜, 选择性处理, 如原子层蚀刻 ALE 一次去除材料的几个原子层. ALE 提供了比传统蚀刻技术更多的控制. 对于 3D-NAND 和先进 DRAM 来说, 向批量生产过渡的重大挑战包括解决导体蚀刻困难的要求, 满足积极的生产斜坡和实现所需的吞吐量, 以推动成本效益.上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪提供高性能, 嵌入式和可靠的原位定量分子气体计量已经成为验证工艺室和持续监测工艺化学过程的关键工具, 确保生产环境中的高产率和更大吞吐量.Aston™ 质谱分析仪提供全腔室解决方案使用上海伯东 Atonarp Aston™ 质谱仪通过实时, 定量和精确的分子传感器来解决半导体新兴蚀刻工艺技术相关的关键挑战. 通过解决传感器耐久性, 灵敏度, 匹配, 系统集成和易用性等方面的挑战, 日本 Atonarp Aston™ 质谱仪升级了传统的气体分析计量方法. Aston 是一种全室解决方案, 用于在各种工艺步骤中实时监测前体, 反应物和副产物.这些包括基准室和过程指证, 腔室清洁, 过程监测 (包括存在腐蚀性气体), 颗粒沉积和气体污染物凝结. 小的占地面积和灵活的通信接口允许在室内安装和集成到过程设备控制系统. 为了集成到半导体工艺工具中, Aston 质谱分析仪的高性能和可靠性设计用于生产晶圆的大批量生产过程控制.Aston™ 质谱分析仪半导体蚀刻计量控制半导体行业正从二维结构的扩展转向复杂三维结构的挑战性要求. 传统的离线晶圆测量已不足以实现性能和良率目标, 原位蚀刻测量传统上缺乏生产所需的鲁棒性和可重复性. Aston™ 质谱分析仪的结构中嵌入了专利技术, 使其具有卓越的分析和操作性能. 为了满足过程控制和跨工厂生产工具匹配的严格要求, Aston 从头开始设计, 高运行时间和低维护的吞吐量, 长期信号稳定性和可重复性.为了承受腐蚀和沉积过程的恶劣环境, Aston™ 引入了两个的功能: 等离子电离和自清洁 (ReGen™模式). 等离子体电离消除了由于与腐蚀性气体(如NF3, CF4, Cl2)的反应而导致的灯丝降解. 此外, 除去(正硅酸四乙酯) TEOS 等颗粒和蒸汽污染物沉积, 同时定期进行室内清洁循环, 延长了 Aston™ 质谱仪的使用寿命. ReGenTM 模式使仪器能够使用高能等离子离子清洗自身, 通过去除在膜沉积过程中可能发生在传感器和腔室壁上的沉积. 结合这两个功能, 传感器的灵敏度可维持在数百个RF(射频)小时的操作. Aston质谱仪支持的基于测量的控制, 有可能延长清洗间隔 MTBC 的平均时间. MTBC 的增加意味着工具可用性和长期吞吐量的增加. 除了等离子电离器(用于工艺), 传感器还配备了传统的电子冲击 EI 灯丝电离器, 用于基线和校准.分子传感器的分析级是使用微米级精密双曲电极的四极杆. 由高度线性射频(RF)电路驱动, Aston 质谱的HyperQuad 传感器在 2到300 amu的质量范围内具有更高的分析性能.Aston™ 质谱分析仪技术参数参数值质量分辨率0.8u质量数稳定性0.1u灵敏度(FC / SEM)5x10-6 / 5x10-4 A/Torr最低可检测的部分压力(FC / SEM)10-9 / 10-11 Torr检测极限10 ppb最大工作压力1X10-3 Torr每 u 停留时间40 ms每u扫描更新率37 ms发射电流0.4 mA发射电流精度0.05 %启动时间5mins离子电流稳定 ±1%浓度的准确性 1%浓度稳定±0.5%电力消耗350w重量13.7kg尺寸400 x 297 x 341mm高展弦比 HAR 3D 蚀刻随着多模式技术和 3D器件结构的出现, 高度密集的蚀刻和沉积过程驱动了计量需求. 3D多层膜栈, 如 NAND 存储架构, 代表复杂的, 具有挑战性的蚀刻过程, 具有关键的蚀刻角度, 统一的通道直径和形状要求, 尽管高蚀刻纵横比通道 100:1 是常见的. 对于 3D-NAND, 关键导体蚀刻过程包括阶梯蚀刻(下图)和用于垂直通道和狭缝的 HAR 掩模打开. 通过硝酸硅和氧化硅交替层蚀刻需要高速定量终点检测. 对于 DRAM, 蚀刻过程包括 HAR 门, HAR 沟槽和金属隐窝. 对于阶梯蚀刻, 关键是在整个 3D堆栈的每个介质膜对的边缘创建等宽的“步骤”, 以形成阶梯形状的结构. 在器件加工过程中, 这些步骤的大量重复要求蚀刻高吞吐量和严格的过程控制.多功能现场气体计量需要在一个工具中执行多种监测功能:• 检测和量化污染, 交叉污染, 气体杂质和工艺室内的工艺化学• 评估已开发的蚀刻过程在生产工具 / 运行的复杂功能上的性能• 测量刻蚀后的清洁 (包括先进的无晶圆自动清洁 WAC) 作为腔条件对于消除工艺漂移和确保可重复性性能是至关重要的• 快速准确的蚀刻端点检测 EPD, 通过等离子体或气体监测, 因为这是一个关键的控制功能. 举例包括一氧化碳 CO 副产物在介电蚀刻中下降或氯 Cl 反应物在多晶硅和金属蚀刻端点上升.• 全面的实时计量数据, 允许过程等离子体和反应物的动态腐蚀控制, 以管理要求的腐蚀剖面Aston™ 质谱分析仪无等离子体终点检测虽然光学发射光谱 OES 已被广泛用于蚀刻 EPD, 但低开放面积 OA 和 HAR 设计的趋势使其在许多蚀刻任务中无效. OES 技术需要等离子体'开'和发光物种. 随着昏暗和远程等离子体越来越多地用于 3D设备和原子水平蚀刻 ALE 工艺, 需要更多敏感的数据和分析技术来实现迅速和确定的 EPD. 此外, 脉冲等离子体通常用于管理 HAR 和 低 OA% 工艺的蚀刻剖面, 这使得 OES 对于 EPD 来说是一个不切实际的解决方案. 在3D 结构中, 多层薄膜和多个接触深度阻碍了每一行触点到达底部时端点的光学发射信号的急剧步进变化其他 OES 限制包括:• 在电介质蚀刻中, 在 OA 5% 的模式上进行 EPD一直具有挑战性, 因为 OES 在低浓度下具有低信噪比.在高压Si深蚀刻(例如博世工艺)中, 要求 OA% 的 EPD低于 0.3%, OES 中较大的背景噪声水平抑制了对发射种数量的任何变化的检测.• 在金属蚀刻中, OA% 可能低于10%, 这取决于所涉及的互连尺寸. 对于接触和通过蚀刻, OA 可以在0.1-0.5%之间或更低, 这取决于所涉及的特征的大小. 在钨 W 蚀刻的情况下, 随着 OA的减小, 氯 Cl 反应物的消耗减少, 由于材料运输到 HAR 蚀刻特征, 蚀刻趋于放缓. 这两个因素都降低了反应气的消耗率. 因此, 由于等离子体中反应物的耗尽, 很难看到在终点处 OES信号的显著变化.Aston™ 质谱仪可以利用蚀刻反应物和 EPD 的副产物. 此外, Aston 能够在小的, 有限体积的传感器上运行周期性清洗, 以保持其性能(灵敏度), 在延长晶圆运行次数的情况下获得更大的正常运行时间. 然而, OES 要求在腔室上有一个需要保持清洁的访问窗口，以获得足够强度的稳定信号。通常，加热石英窗用于减缓工艺产品的堆积. 使用 Aston™质谱分析仪，在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱的影响, 也不受射频功率脉冲期间等离子体强度波动的影响.图 3a/3b 显示了 CO+和 SiF3 +的副产物 OA%下降到0.25%的电介质腐蚀EPD数据数据清楚地显示了线性行为和在低浓度下的检测不受等离子体发射的背景光谱影响. Aston 质谱的 ppb 灵敏度是针对 0.1%以下的 OA性能.原子级蚀刻 ALE在三维结构中, ALE 过程中的逐层去除需要脉冲射频电源来控制自由基密度和较低的离子能量, 以减少表面损伤和保持方向性. 在这样的光源中, 等离子体的整体光强较低, 并表现出波动幅度. 通常等离子体离晶圆区很远(距晶圆区25厘米), 而且等离子体激发的副产物很少, 使得光学测量不切实际.在 ALE中, 由于每个周期都是自我限制的, 端点检测可能不那么重要. 然而, 在缺乏气体分析的情况下, 工艺工程师对监测腔室和工艺健康状况“视而不见”, 因为无法看到化学状态, 特别是在工艺步骤 (吸附/净化/反应/净化) 之间过渡时的动态状态, ALE 的自限性并不能使它不受过程漂移的影响. 此外, 由于 ALE 不是基于等离子体的, 因此过程中的化学变化不一定可以通过等离子体监测检测到.有一种误解, 认为 ALE 技术实际上是一次一个原子层 相反, 它们每循环的去除/沉积量可能比单分子膜多一点(或少一点). 由于真空泵性能, 晶圆温度或离子轰击能量 (电压) 的变化分别导致表面饱和度和表面反应性的变化, 工艺移位(Å/周期的变化)可能发生.在 ALE (下图)中,由于等离子体的使用不一致, 化学监测方面的差距就不那么明显了. 在这种情况下, Aston™ 质谱仪具有以下优点:• 在每个工艺步骤中建立一个腔室化学状态的指证. 这可以参照其自身的正常行为, 也可以参照标准腔• 描述和监控与化学变化相关的动态过程中, 从一个步骤过渡到下一个步骤• 监测在 ALE 循环第一步之后从系统中清除吸附物质的时间. 等离子体通常用于产生吸附物质(自由基), 但它是在远离晶圆片的地方产生的• 监测 ALE 循环第二步反应产物的变化. 等离子体光强通常较低, 因为它使用了低占空比的脉冲射频• 监测反应产物和反应物在ALE循环第二步后被净化的时间结论原子级蚀刻只能使用像上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱仪这样的分子传感器进行真正的测量和监测. 它的高灵敏度, 速度和对等离子体强度变化的低敏感性产生可靠的定量测量, 即使在低浓度的反应物和副产物, 具有低于1% 水平的高精度, 可以监测微妙的过程漂移和过程变化效应, 提供了可用于机器学习模型的见解.利用其高扫描速度, 通过监测反应产物减少的时间来实现步进时间优化, 因为它是表面反应活性变化的指示, 增加了总体吞吐量.ALE 是先进的蚀刻技术, 上海伯东 Aston 质谱仪为 ALE 提供了先进的化学计量技术, 可以测量和控制反应及其持续时间, 为大批量生产提供了可靠的解决方案.若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

这款蚀刻和清洁系统专为满足当今晶圆、光掩模和基板的前沿应用的特殊工艺需求而设计。这款高效的蚀刻和清洁系统CESx124、126、128或133是理想选择，可满足不同大小尺寸的晶片、光掩模和衬底，不论是从小直径还是非常大直径。CESx可以配置多种工艺分配选项，Megasonic喷嘴对DI H20或化学药品的处理分配选项；用于化学制剂的低压喷嘴；化学加热器和DI-H20；用于表面搅拌以加快反应的刷子，和/或DI H20等。特点：• 专为重要控制和安全而设计的系统。• 多达9x9英寸/ 300mm直径的基板兼容性。• 主轴组件具有直流无刷伺服电机，可实现精确的速度控制和分度。• 特氟龙涂层不锈钢臂可调节臂速度和行进位置。• 径向排气腔，用于最大层流，盖子顶部有N2进料。• DI-H20加热器，用于清洁和干燥辅助。• 过程中包含化学相容性材料PVDF或可选的PTFE。• 独立式聚丙烯柜。• 微处理器控制功能可以在存储器中保留三十（30）步的配方，每个配方有三十（30）步。配方和步骤的数量均可根据要求扩展。• 内置安全联锁和双重控制。• 用联锁装置冲洗整个工艺区域和基材的pH值，以禁止进入工艺区域并控制排放和主轴转速直到安全。• 按钮盖打开/关闭。• 触摸屏图形用户界面（GUI），易于编程和安全锁定，并带有屏幕错误报告。• 用于化学和房屋排水的排水分流阀。• 设计符合SEMI S2 / S8准则。技术参数：• 产品：蚀刻和剥离系统• 型号：CESx124• 可用机械臂：4• 最大基板尺寸：13英寸直径• 最大主轴速度：2500• 配方：高达30• 分配管路：12主营产品：Laurell匀胶机Harrick等离子清洗机Thetametrisis膜厚仪Microxact探针台ALD原子层沉积系统TRION反应离子刻蚀机Uvitron紫外固化箱NXQ紫外曝光光刻机Novascan紫外臭氧清洗机Nilt纳米压印机Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加热板Annealsys高温退火炉Kinematic程序剪切仪Laurell EDC系统，湿站系统Wabash/Carver自动压片机

这款蚀刻和清洁系统专为满足当今晶圆、光掩模和基板的前沿应用的特殊工艺需求而设计。这款高效的蚀刻和清洁系统CESx124、126、128或133是理想选择，可满足不同大小尺寸的晶片、光掩模和衬底，不论是从小直径还是非常大直径。CESx可以配置多种工艺分配选项，Megasonic喷嘴对DI H20或化学药品的处理分配选项；用于化学制剂的低压喷嘴；化学加热器和DI-H20；用于表面搅拌以加快反应的刷子，和/或DI H20等。特点：• 专为重要控制和安全而设计的系统。• 多达9x9英寸/ 300mm直径的基板兼容性。• 主轴组件具有直流无刷伺服电机，可实现精确的速度控制和分度。• 特氟龙涂层不锈钢臂可调节臂速度和行进位置。• 径向排气腔，用于最大层流，盖子顶部有N2进料。• DI-H20加热器，用于清洁和干燥辅助。• 过程中包含化学相容性材料PVDF或可选的PTFE。• 独立式聚丙烯柜。• 微处理器控制功能可以在存储器中保留三十（30）步的配方，每个配方有三十（30）步。配方和步骤的数量均可根据要求扩展。• 内置安全联锁和双重控制。• 用联锁装置冲洗整个工艺区域和基材的pH值，以禁止进入工艺区域并控制排放和主轴转速直到安全。• 按钮盖打开/关闭。• 触摸屏图形用户界面（GUI），易于编程和安全锁定，并带有屏幕错误报告。• 用于化学和房屋排水的排水分流阀。• 设计符合SEMI S2 / S8准则。 技术参数：• 产品：蚀刻和剥离系统• 型号：CESx124• 可用机械臂：4• 最大基板尺寸：13英寸直径• 最大主轴速度：2500• 配方：高达30• 分配管路：12 主营产品： Laurell匀胶机 Harrick等离子清洗机Thetametrisis膜厚仪 Microxact探针台ALD原子层沉积系统TRION反应离子刻蚀机Uvitron紫外固化箱NXQ紫外曝光光刻机 Novascan紫外臭氧清洗机Nilt纳米压印机Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加热板Annealsys高温退火炉Kinematic程序剪切仪Laurell EDC系统，湿站系统 Wabash/Carver自动压片机

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO200A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进灰化和蚀刻产品的最新成员。 它是一个全自动的单室系统，可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达200mm的基板兼容。占地面积小的NEO200A配置有双盒式磁带。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 双盒式平台-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）Trymax Semiconductor Equipment的NEO200系列先进等离子灰化/蚀刻系统是最新的光刻胶和蚀刻设备，以惊人的价格提供卓越的性能。专为最大200 mm基板应用而设计。 它配备了一个灵活的装载站，可配置用于处理最大200 mm的所有不同尺寸的基板。 NEO200系列集成了研究和设备制造商紧凑设计的所有要求，可实现最低的拥有成本。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 用于半自动晶圆传输的单个装载平台。-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

Oxyphen 径迹蚀刻膜/核孔膜/纤维素膜/精确过滤膜/细胞过滤膜/微生物过滤/无菌过滤/透气除尘膜/透气防水膜/压力平衡膜 Oxyphen GmbH 成立于 1953 年，生产微孔轨道蚀刻膜。Oxyphen 开发和制造了用于汽车、医疗保健和工业市场的定制膜和膜设备。从膜开发到膜组件的构建，再到大批量生产，Oxyphen为客户提供完整的服务。Oxyphen GmbH注于开发和生产由聚酯制成的轨道蚀刻膜/核孔膜。还增加了用于工业用途的层压轨道蚀刻膜，并于1993年继续开发用于控制药物释放的微孔轨道蚀刻膜。Oxyphen拥有两家生产工厂，一家在德国，另一家在瑞士。两者都通过了ISO 9001：2008和ISO TS 16 949：2008认证，并具有完整的洁净室能力。Oxyphen 经济蚀刻膜/核孔膜产品Oxyphen 与汽车、医疗和工业市场的客户合作，为特定的透气和过滤应用开发组件和组件。产品类型包括圆盘，卷筒的轨道蚀刻膜，Oxypad 蚀刻膜自粘片（用于保护电子设备防水防灰尘），Oxyphen 压力补偿元件（用与透气放液体灰尘等污染）以及基于膜的组件开发和定制化解决方案。Oxyphen产品类型：Oxypad, Oxydisc, Oxyseal, 卷筒蚀刻膜，组件及模块，定制化解决方案 1、 Oxypad 径迹蚀刻膜不含 PFOA 的疏水性和疏油性滤膜透气膜可以通过手动或自动组装以各种标准和可定制尺寸进行集成，具有不同的膜特性。OxyPad 可使用未层压的 UNIQUE-MEM 和层压 ROTRAC 膜技术。Oxypad 材料有PET， PC 及按需求提供的其他材料。Oxyphen 自粘膜垫用于透气通风，防止液体进入，防止灰尘和污垢，实现可靠持久的设备通风，保持压力平衡，并防止水，灰尘及其他有害物质的进入应用包括汽车及电池行业，例如高级驾驶辅助系统（ADAS））通风，Oxhphen 开发的针对汽车应用的疏水膜透气系统提供保护、气流以在正常运行期间保持足够的压力补偿，并且易于组装。还可以应用于汽车照明，透气膜提供高气流，防止液体、细小灰尘和颗粒以及湿气进入照明系统。电池的安全放水透气应用，保护关键内部组件免受液体、灰尘、污垢和其他污染物的侵入，以防止在热失控时发生潜在的爆炸。2. Oxydisc 圆盘径迹蚀刻膜状的易于组装的疏水膜和亲水膜，用于过滤和通风的而应用，Oxyphen 的两种膜技术 UNIQUE-MEM 和 ROTRAC 均以这种光盘形式提供。 规范Unique-Mem 轨道蚀刻膜RoTrac轨道蚀刻膜带宽 （mm）10、13、14.5、20 和定制尺寸优质原材料PET – 天然略带亲水性PC – 天然略带疏水性PET-膜/PET-无纺布 –更硬PET膜/PP无纺布 – 更柔软孔径范围0.1μm 至 10μm0.2μm 至 3.0μm孔密度范围每厘米 105 至 109 个孔22×106 之二 3×10每厘米 8 个孔2厚度范围8μm 至 50μm90μm 至 220μm温度范围– 40°C 和 160°C（适用于应用 200°C）– 40°C 和 130°C（适用于应用 160°C）空气流量范围高达 800 升/（棒 cm2 分钟）高达 37 升/（bar cm2 分钟）亲水处理各种亲水处理可提高膜的水流速和润湿能力（例如：PVP处理）疏水/疏油处理：等级高达7.5级 AATCC TM 118 （英语）耐盐雾性试验2根据 IEC 60068-2-52，基于客户的验证耐温试验1符合 ISO 16750-4冰水冲击试验1&2符合 ISO 16750-4耐候性测试符合 ISO 16750-4耐化学性试验1符合 LV124/ ISO 16750-5知识产权保护1IP 64/65/66/67/68，符合 DIN 40050 3. 径迹蚀刻膜卷材Oxyphen 的轨道蚀刻卷材膜（可以是层压、非层压或纤维基）由优质聚酯 （PET） 或聚碳酸酯 （PC） 原材料制成，非常适合内部和大规模制造集成。根据应用要求，这些膜可以进行亲水、疏水或疏油性能处理，并从 310 毫米宽的线轴转换为 8 毫米的狭缝卷。Oxyphen 提供两种类型的轨道蚀刻膜——未层压 Unique-Mem 和层压 RoTrac 膜。两者都以卷材形式提供。未层压的 UNIQUE-MEM 轨道蚀刻膜的特点是圆柱形孔以不同角度穿透膜。它们由单个无支撑的膜层组成，根据孔密度，该膜层可以是透明的或半透明的。层压ROTRAC膜是Unique-Mem膜技术，可提供疏水性或亲水性，由无纺布材料（PP或PET）支撑，以形成更坚固的膜。Oxyphen轨道蚀刻膜的多孔结构可以根据特定应用所需的过滤效率、流速或进水压力来调整孔径和孔密度。膜可以通过热焊或超声波焊接密封到大多数塑料外壳上.产品应用领域包括汽车，细胞和组织 ，消费类，诊断 ，电子，医疗，个人护理产品等。4. Oxyseal 压力补偿元件为了防止油性液体、水、灰尘、污垢、盐分或其他污染物进入您的电子设备，OxySeal 压力补偿装置可以部署为一种简单的即插即用通风解决方案，适用于具有倒圆柱形开口的外壳。这些注塑成型的塞子使用疏水性轨道蚀刻膜，也可以处理为疏油，由热塑性弹性体密封件组成，不需要额外的锚栓或紧固件来确保紧密配合。Oxyphen 蚀刻膜/核孔膜在电子学的应用电子制造商在设计产品时了解保护的重要性。透气过程对于每天使用的高科技和低技术设备的正常运行至关重要。无论是为了释放压力、允许冷却，还是保护外壳免受外部环境的影响，防水透气产品都可以使需要密封或封闭系统的电子设备正常运行并限度地延长使用寿命。Oxyphen 的轨道蚀刻膜广泛用于许多标准和定制的电子通风应用，充当压力释放阀，并提供保护，防止灰尘和湿气侵入外壳内——这与机械通风口或物理开口不同。也没有可以粘住或仅在一个方向上工作的运动部件。具体应用包括传感器外壳保护，个人护理设备如电动牙刷、剃须刀等的设备保护。Oxyphen 蚀刻膜/核孔膜在电子学的应用防止液体和污垢以及可靠的压力补偿对于避免在车辆的整个生命周期内损坏敏感电子元件至关重要。Oxyphen 的汽车膜产品旨在确保电池组、雷达传感器或照明外壳等关键部件的连续功能，用于下一代汽车设计具体应用包括：电动汽车电池通风口，雷达传感器保护通风口，汽车照明通风口，Oxyphen轨道蚀刻膜解决方案在不牺牲气流性能的情况下提供的蒸汽透过率，以避免故障和降低照明。Oxyphen 蚀刻膜/核孔膜在生命科学的应用Oxyphen轨道蚀刻膜非常适合细胞和组织应用，因为它们具有高度可控的膜性能参数，以及膜厚度和孔径的广泛变化，可用于调节营养物质向细胞的运输，以促进生长和细胞恢复。这些膜可用于细胞培养以及组织工程，旨在创建可以解决制药、再生医学、诊断和研究应用的人造器官、皮肤和组织。可用于细胞培养小室的生产，开发人造器官，皮肤和组织等。Oxyphen 蚀刻膜/核孔膜在诊断领域的应用了获得准确和可靠的诊断测试性能，Oxyphen 的轨道蚀刻膜技术可以提供更高的精度和控制。从床旁 （POC） 诊断到大型自动化实验室测试系统、体外诊断或快速免疫测定应用，轨道蚀刻膜通过其可控的孔径和密度提供可重复且可靠的表面过滤、颗粒捕获以及透气和保护。当过滤掉唾液、血液或其他目标体液的某些分析物时，Oxyphen 膜的过滤效率非常出色，可去除测试流中不需要的物质，以确保分析准确。细胞的一致捕获和回收、颗粒截留和反冲洗也是生命科学应用（如微流体系统、快速检测和样品回收）中可能需要的潜在关键功能。Oxyphen 蚀刻膜好的过滤能力可实现高过滤精度和控制，从而获得更准确，可靠的测试。Oxyphen 蚀刻膜/核孔膜在医疗领域的应用Oxyphen 的轨道蚀刻膜具有高度明确的孔隙结构，以及可调节的孔径和流量参数，为无菌过滤或透气应用提供可靠的解决方案。我们的技术在输液过滤器等医疗设备中显示优越效果，因为可以通过选择正确的孔径并将膜流速与给药溶液的启动压力相关联来确定过滤和保留率。当医疗器械制造商与 Oxyphen 合作时，他们可以放心，我们将与他们合作，根据他们的需求优化保留和流程。此外，还可以通过超声波焊接或其他各种组装方法方便地进行安装。应用包括无菌过滤，Oxyphen 轨道蚀刻膜具有高的VFE和BFE 效率，无菌透气，既能平衡医疗设备的压力，同时防止液体或者细菌，病毒进入设备。可用于输液过滤器。

一、适用范围：广泛应用于电路板助焊剂、电解液、松香水、蚀刻液、电镀液、乳化液、以及蓄电池配酸、氯化铁,氯化铜,剥锡铅PCB蚀刻作业流程等各类制程溶液比重、浓度监控等领域。二、工作原理：浮球法比重浓度变送器是通过将一个具有特定参数的浮球完全浸没在液体中。三、当液体的相对密度（也称比重）发生变化时，浮球感应的浮力也将发生变，依据阿基米德浮力法原理，可以计算出被测液体的相对密度、比重、波美度、化学真溶液的浓度值。MAY-1001FLUX的传感器必须垂直安装，且液体不能有大的波动，为了解决液体在流动时对测量数据产生的影响，在测量槽里设计了多层液体缓冲档板，再通过对进液口限流阀的控制，可以使循环的液体平稳地通过测量槽，最终得到一个稳定的比重测量数据。四、功能特性：①　MAY-1001FLUX 智能型比重浓度变送器，具比重/波美/盐度/浓度功能②　具数字及曲线显示实时测值、历史数据等功能③　具中英文操作界面，中文/英文可选④　4.3寸 触屏人机交互设置界面⑤　图文显示测试参数清晰明了，流程指引容易操作⑥　防腐蚀材质，没有易耗易损品⑦　手动/自动温度补偿功能⑧　可自建比重对应浓度之曲线，内建波美曲线⑨　用户自定义上下限报警，触屏输入，操作简单易懂，现场可接报警灯；⑩　所有的用户设置参数保存在设备内置的NAND Flash高速存储器中，掉电不丢失；⑪ 　标配多组信号模拟输出：可选4-20mA、RS485/232数字量、开关量（异常报警,上下限2路输出⑫ 　具100组测试数据纪录功能，上下限报警、停电自动记录、校正…等信息⑬ 　IP67 防护设计，适合开放槽、PVC材质配比槽、304材质配比槽安装五、技术参数：型号：MAY-1001比重浓度精度：0.001g/cm³ 传感器类型：浮球法测量范围：比重0~2.200SG,波美度0~75°Bé，盐度0-1000PPT，浓度0-100.0%品牌：秒准（Mayzum）液位测量范围：0~1000mm（选配）液位测量精度0.1mm信号输出类型：开关量（比重浓度上限、下限，液位上、下限）/RS485/4-20MA显示控制器：4.3寸彩色触摸屏、工作电压、电流：DC 12-24V 2A工作环境：温度：-10~60℃，湿度：10～90%RH标准配置：变送器1个，传感器1个，安装辅件1套选配：液位探头、配比槽比重控制器,药液比例控制器、蚀刻液比重感测器、液体比重感测器、蚀刻液比重传感器、液体比重传感器、实时比重监控仪，在线比重控制器，氯化铁比重控制探头，氯化铜比重传感器，剥锡铅PCB蚀刻液比重传感器，药液自动添加控制器，药液比例添加控制仪、松香比重控制器，盐水比重传感器，盐水盐度传感器，电解液比重控制器

秒准酸洗液蚀刻液在线比重密度计MAY-1001EDP电镀液在线比重浓度监控仪，蚀刻液在线密度计，电解液在线比重计，助焊剂比重在线分析控制器，化抛液比重控制器，氯化铁比重分析仪，酸洗密度控制器，电解液药液比重控制仪，电镀液比重感测器，化抛液药液比例控制器、在线电镀液比重计、蚀刻液比重浓度监控仪、助焊剂比重浓度监控仪、电镀液比重浓度监控仪、药液比重控制仪、电解液在线浓度检测仪、氯化铁在线比重浓度监控仪、电镀液密度比重计、化抛液比重分析仪、氯化铁比重浓度监控仪MAY-1001比重在线分析控制器用于过程中监控比重值，并可根据检测值进行添加和调整，MAY-1001具有自动加药、手动加药两种模式，可选定时定量加药，也可以进行动态调配，适用于多重工艺参数的稳定控制。一、秒准酸洗液蚀刻液在线比重密度计MAY-1001EDP技术参数:1.连续监测控制液体的比重，适用于各种工业制程。2.适用于氯化铁，氯化铜，剥锡铅PCB蚀刻作业流程。3.工业制程上药液比例控制，如盐水混合等。4.可换算各种药品浓度如（ppm，%，波美…….等）。5.大型蓄电池电解液比重监测。二、适用范围：广泛应用于酸洗、电解液、蚀刻液、电镀液、以及蓄电池配酸等各类制程溶液比重、浓度监控等领域。三、秒准酸洗液蚀刻液在线比重密度计MAY-1001EDP功能特性：1、MAY-1001SK智能型比重浓度变送器，具比重/波美/浓度功能2、具数字及曲线显示实时测值、历史数据等功能3、具中英文操作界面，中文/英文可选4、4.3寸 触屏人机交互设置界面5、图文显示测试参数清晰明了，流程指引容易操作6、防腐蚀材质，没有易耗易损品7、手动/自动温度补偿功能7、可自建比重对应浓度之曲线，内建波美曲线9、用户自定义上下限报警，触屏输入，操作简单易懂，现场可接报警灯；10、所有的用户设置参数保存在设备内置的NAND Flash高速存储器中，掉电不丢失；11、标配多组信号模拟输出：可选4-20mA、RS485/232数字量、开关量（异常报警,上下限2路输出）12、具100组测试数据纪录功能，上下限报警、停电自动记录、校正…等信息13、IP67 防护设计，适合开放槽、PVC材质配比槽、304材质配比槽安装四、秒准酸洗液蚀刻液在线比重密度计MAY-1001EDP秒准MAYZUM技术参数：型号：MAY-1001FLUX比重浓度精度：0.001g/cm³ 比重浓度传感器类型：浮球法校准要求：测量小范围（0.02以内）时需要定期校准品牌：秒准（Mayzum）液位测量范围：0~1000mm（选配）液位测量精度0.1mm信号输出类型：开关量（比重浓度上限、下限，液位上、下限）显示控制器：4.3寸彩色触摸屏工控电脑测量槽尺寸：150*180*170mm（长、宽、高） 工作电压、电流：DC 12-24V 2A工作环境：温度：-10~60℃，湿度：10～90%RH标准配置：显示控制器1台、比重浓度探头1台、配比槽1个、通讯线3条选配：液位探头五、效果流程图：