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椭偏光谱仪

仪器信息网椭偏光谱仪专题为您提供2024年最新椭偏光谱仪价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括椭偏光谱仪参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的椭偏光谱仪您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合椭偏光谱仪相关的耗材配件、试剂标物,还有椭偏光谱仪相关的最新资讯、资料,以及椭偏光谱仪相关的解决方案。

椭偏光谱仪相关的仪器

  • 产品详情德国Sentech拥有宽光谱范围的光谱椭偏仪SENresearch 4.0新的SENresearch 4.0设计用于光谱椭偏仪,在宽的光谱范围从190nm(深紫外)到3,500 nm(近红外)。每一台SENresearch 4.0都是客户特定的椭偏光谱解决方案。SENresearch 4.0可以配置用于全穆勒矩阵、各向异性、广义椭偏、散射测量等。使用步进扫描分析器原理实现测量结果。 宽光谱范围和高光谱精度SENresearch 4.0 光谱椭偏仪覆盖宽的光谱范围,从190 nm(深紫外)到3500 nm(近红外)。傅立叶红外光谱仪FTIR提供了高光谱分辨率用以分析厚度高达200μm的厚膜。 没有光学器件运动(步进扫描分析器原理)为了获得测量结果,在数据采集过程中没有光学器件运动。步进扫描分析器(SSA)原理是SENresearch 4.0光谱椭偏仪的一个独特特性。 双补偿器2C全穆勒矩阵测量通过创新的双补偿器2C设计扩展了步进扫描分析器SSA原理,允许测量全穆勒矩阵。该设计是可现场升级和实现成本效益的附件。 SpectraRay/4综合椭偏仪软件SpectraRay/4 是用于先进材料分析的全功能软件包。SpectraRay/4 包括用于与引导图形用户界面进行研究的交互模式和用于常规应用的配方模式。 SENresearch 4.0 是SENTECH新的光谱椭偏仪。每一台SENresearch 4.0光谱椭偏仪都是根据客户具体配置的光谱范围、选项和现场可升级附件而制造的。 SENresearch 4.0 使用快速的傅立叶红外光谱仪FTIR测量至2500 nm或3500 nm的近红外光谱。它提供了宽的光谱范围,具有的信噪比,可选择的光谱分辨率。可测量硅薄膜厚度高达200μm。傅立叶红外光谱仪FTIR的测量速度与二极管阵列配置相比,也可选择高达1700纳米。 新的金字塔形状的自动角度计具有从20度到100度的角度范围。光学编码器确保精度和角度设置的长期稳定性。光谱椭偏仪手臂可以独立移动,用于散射测量和角度分辨透射测量。 SENresearch 4.0 根据步进扫描分析器(SSA)原理进行操作。SSA将强度测量与机械运动分离,从而允许分析更加粗糙的样品。所有光学部件在数据采集期间都处于静止状态。此外,SENresearch 4.0 包括用于自动扫描和同步应用的快速测量模式。 定制的SENresearch 4.0椭偏仪可以配置用于标准和高级应用。例如介电层堆叠、纹理表面、光学和结构(3D)各向异性样品。为各种各样的应用提供了预定义的配方。 SpectraRay/4 是SENresearch 4.0光谱椭偏仪的综合软件。它包括两种操作模式:配方模式和交互模式。配方模式允许轻松执行常规应用程序。交互式模式通过交互式图形用户界面引导通过椭偏测量。 SpectraRay/4 提供了光谱椭偏仪测量和分析的所有工具。
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  • 光谱椭偏仪DUV-VIS-NIR 400-860-5168转3827
    光谱椭偏仪DUV-VIS-NIR光谱椭偏仪可配置从DUV到NIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜,如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常仅为约1至2nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时,深紫外光谱椭偏仪也是必不可少的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。当然,如果必须确定光学常数,则应将工具的波长范围配置为该范围。其他配置,如波长分辨率,角度范围等,将根据所需的应用进行考虑。 光谱椭偏仪特征:• 基于Window软件,易于操作;• 先进的光学设计,实现zui佳系统性能;• 高功率DUV-VIS-NIR光源,适用于宽带应用;• 基于阵列的探测器系统,确保快速测量;• 用户可以根据需要定义任意数量的图层;• 能够用于实时或在线厚度,折射率监测;• 系统配有全面的光学常数数据库;• 高级TFProbe 3.3.X软件允许用户对每个胶片使用NK表,色散或有效介质近似(EMA);• 三种不同的用户级别控制:工程师模式,系统服务模式和简易用户模式;• 灵活的工程模式,适用于各种配方设置和光学模型测试;• 强大的一键式按钮解决方案,用于快速和常规测量;• 可按照用户偏好配置测量参数,操作简便;• 系统全自动校准和初始化;• 直接从样品信号获得精确的样品对齐接口,无需外部光学元件;• 精确的高度和倾斜程度调整;• 适用于许多不同类型的不同厚度的基材;• 各种选项,附件可用于特殊配置,如绘图阶段,波长扩展,焦点等;• 2D和3D输出图形以及用户数据管理界面; 光谱椭偏仪应用:• 半导体制造(PR,氧化物,氮化物......)• 液晶显示器(ITO,PR,Cell gap ......)• 法医学,生物学材料• 油墨,矿物学,颜料,调色剂• 制药,医疗器械• 光学涂层,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......• 半导体化合物• MEMS / MOEMS中的功能薄膜• 无定形,纳米和硅晶圆• 太阳能电池薄膜,CdTe,CdS,CIGS,AZO,CZTS .... 光谱椭偏仪技术参数: 型号 SE200 (DUV-Vis) SE300 (Vis) SE450 (Vis-Nir) SE500 (DUV-Vis-Nir)探测器类型CCD或CMOS阵列CCD或CMOS阵列CCD或CMOS和InGaAs阵列CCD或CMOS和InGaAs阵列波长范围(nm)190至1100370至1100370-1700190-1700波长点测量波长范围和波长数据点均在用户配方中自定义(数据点仅受分辨率限制)波长分辨率0.01 -3nm0.01 -3nm0.01至3nm0.01至3nm数据采集时间100毫秒到10秒,用户自定义入射角范围20至90度入射角分辨率带手动测角仪的5度预设步骤,用于SExxx-BM配置 程序控制0.001度分辨率,配有自动测角仪,适用于SExxx-BA配置偏光光学旋转偏振器,分析器和/或补偿器的组合光束尺寸准直光束,光束尺寸可在1至5mm范围内调节光圈 可选的聚焦光束模式(可拆卸)可用于减小光斑尺寸光源(D2 + TH)/氙THTH(D2 + TH)/氙其他型号:红外光谱椭偏仪TFProbe IRSE光谱椭偏仪显微分光光度计 SE-MSP光谱椭偏仪 SE-SOLAR太阳能光伏光谱椭偏仪带自动监测 SE200BM,SE300BM和SE500BM显微分光光度计DUV-VIS-NIR MSP100/MSP300/MSP400/MSP450/MSP500
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  • 光谱椭偏仪 400-860-5168转1374
    产品简介:光谱椭偏仪SE-Glass 是一款针对玻璃盖板行业定制的专用型光谱椭偏仪,针对玻璃盖板光学镀膜行业通过集成微光斑+可视化调平系统仪消除透明基底背反测量定制开发,快速实现玻璃盖板上多层薄膜物性表征分析。光谱椭偏仪SE-Glass 广泛应用于玻璃基底山减反膜、调光膜、导电膜等薄膜的膜厚,光学常数测量,完美适用于玻璃盖板、光学薄膜等镀膜检测应用。 产品型号SE-Glass光谱椭偏仪主要特点1、针对手机玻璃盖板光学镀膜工艺定制开发专用光谱椭偏仪2、行业领先的旋转补偿器测量技术和光学建模技术3、微光斑集成设计消除玻璃/膜片基底背反影响4、可视化样品台调平模块解决3D玻璃测量定位问题5、业内独创膜片镀膜处理算法直接测量PET膜片镀膜技术参数1、自动化程度:支持自动化方案定制2、应用定位:玻璃专用型3、基本功能:Psi/Delta、N/C/S等光谱4、分析光谱:380-1000nm,支持按需定制化5、单次测量时间:0.5-5s6、重复性测量精度:0.01nm
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  • 光谱椭偏仪 400-860-5168转1374
    产品简介:SE-Mapping光谱椭偏仪是一款可定制化Mapping绘制化测量光谱椭偏仪,采用行业前沿创新技术,配置全自动Mapping测量模块,通过椭偏参数、 透射/反射率等参数的测量,快速实现薄膜全基片膜厚以及光学参数自定义绘制化测量表征分析。SE-Mapping光谱椭偏仪广泛应用OLED,LED,光伏,集成电路等工业应用中,实现大尺寸全基片膜厚、光学常数以及膜厚分布快速测量与表征。 产品型号SE-Mapping光谱椭偏仪主要特点1、全基片椭偏绘制化测量解决方案2、支持产品设计以及功能模块定制化,一键绘制测量3、配置Mapping模块,全基片自定义多点定位测量能力4、丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力5、采用氘灯和卤素灯复合光源,光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm)6、高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置,实现Psi/Delta光谱数据高速采集7、具备全基片自定义多点自动定位测量能力,提供全面膜厚检测分析报告8、数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料技术参数1、自动化程度:固定角+ mapping2、应用定位:检測型3、基本功能:Psi/Delta、N/C/S、R等光谱4、分析光谱:380-1000nm(可扩至193-2500nm)5、单次测量时间:0.5-5s6、重复性测量精度:0.01nm7、光斑大小:大光斑2-3mm,微光斑200um8、入射角调节方式:固定角9、入射角范围:65°10、找焦方式:手动找焦11、Mapping1程:300x300mm12、支持样件尺寸:最大至300mm可选配件3真空泵4透射吸附组件
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  • 光谱椭偏仪 400-860-5168转1374
    产品简介:SE-L光谱椭偏仪是一款全自动高精度光谱椭偏仪,集众多科技专利技术,采用行业前沿创新技术,配置全自动测量模块。通过椭偏参数、 透射/反射率等参数的测量,快速实现光学参数薄膜和纳米结构的表征分析。SE-L光谱椭偏仪广泛应用于半导体薄膜结构:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件、平板显示、光伏太阳能、功能性涂料、生物和化学工程、块状材料分析等领域。 产品型号SE-L光谱椭偏仪主要特点1、高精度自动测量光学椭偏测量解决方案2、全自动变角、调焦等控制平台,一键快速测量3、软件交互式界面配合辅助向导式设计,易上手、操作便捷4、丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力5、采用氘灯和卤素灯复合光源,光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm)6、高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置,实现Psi/Delta光谱数据高速采集7、全自动椭偏测量技术,基于行业领先电机控制技术,全自动调整测量角度,高精度控制样件台,实现样件快速自动对准找焦8、颐光专利技术确保在宽光谱范围内,提供优质稳定的各波段光谱9、数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料技术参数1、自动化程度:自动变角2、应用定位:自动型3、基本功能:Psi/Delta、N/C/S、R/T等光谱4、分析光谱:380-1000nm(可扩至193-2500nm)5、单次测量时间:0.5-5s6、重复性测量精度:0.01nm7、光斑大小:大光斑2-3mm,微光斑200um8、入射角调节方式:自动变角9、入射角范围:45-90°10、找焦方式:自动找焦11、Mapping行程:支持100x100mm(可选配)12、支持样件尺寸:最大至200mm可选配置波段选择V:380-1000nmUV:245-1000nmXN:210-1650nmDN+:193-2500nm角度选择自动:45-90°其他选择Mapping选择:100×100mm(供参考,按需定制)温控台:室温一600℃(供参考,按需定制)可选配件1温控台2Mapping扩展模块3真空泵4透射吸附组件
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  • 光谱椭偏仪 400-860-5168转1374
    产品简介:SE-VM 是一款高精度快速测量光谱椭偏仪。可通过椭偏参数、 透射/反射率等参数的测量,快速实现光学参数薄膜和纳米结构的表征分析,适用于薄膜材料的快速测量表征。支持多角度,微光斑,可视化调平系统等高兼容性灵活配置,多功能模块定制化设计。高精度椭偏测量解决方案;超高精度、快速无损测量;支持多角度、微光斑、可视化调平系统功能模块灵活定制;丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力。广泛应用于镀膜工艺控制、tooling校正等测量应用,实现光学薄膜、纳米结构的光学常数和几何特征尺寸快速的表征分析。 产品型号SE-VM光谱椭偏仪主要特点1、采用高性能进口复合光源,光谱覆盖可见到近红外范围 (380-1000nm)2、高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置,实现Psi/Delta光谱数据高速采集3、支持系列配置灵活,可根据不同应用场景支持多功能模块化定制4、数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料技术参数1、自动化程度:手动变角2、应用定位:通用型3、基本功能:Psi/Delta、N/C/S、R/T等光谱4、分析光谱380-1000nm(可扩至210-1650nm)5、单次测量时间:0.5-5s6、重复性測量精度:0.01nm7、光斑大小:大光斑2-3mm,微光斑200μm8、入射角调节方式:手动变角9、入射角范围:55-75°(5°步进),90°10、找焦方式:手动找焦11、Mapping行程:不支持12、支持样件尺寸:最大至180mm可选配件1温控台2Mapping扩展模块3真空泵4透射吸附组件
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  • 光谱椭偏仪 400-860-5168转1374
    产品简介:SE-VE 是一款超高性价比、快速测量光谱椭偏仪,紧凑集成设计,使用简便,可一键快速测量表征各式光学薄膜膜厚以及光学常数等信息。高性价比光学椭偏测量解决方案,紧凑集成化设计,极致用户操作体验,一键快速测量分析,人机交互设计,使用便捷,丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力,广泛应用于科研/企业中各种单层到多层薄膜膜厚以及光学常数等快速表征分析。 产品型号SE-VE光谱椭偏仪主要特点1、采用高性能进口复合光源,光谱覆盖可见到近红外范围 (400-800nm)2、高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置,实现Psi/Delta光谱数据高速采集3、数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料技术参数1、自动化程度:固定角2、应用定位:经济型3、基本功能:Psi/Delta、N/C/S、R等光谱4、分析光谱:400-800nm5、单次测量时间:0.5-5s6、重复性测量精度:0.05nm7、光斑大小:大光斑1-3mm8、入射角调节方式:固定角9、入射角范围:65°10、找焦方式:手动找焦11、Mapping行程:不支持12、支持样件尺寸:最大至160mm可选配件1温控台2真空泵3透射吸附组件
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  • 椭偏仪 400-860-5168转2255
    SpecEl-2000-VIS椭偏仪通过测量基底反射的偏振光,进而测量薄膜厚度及材料不同波长处的折射率。波长范围200-900nm。SpecEl通过PC控制来实现折射率,吸光率及膜厚的测量。集成的精确测量系统SpecEl由一个集成的光源,一个光谱仪及两个成70° 的偏光器构成,并配有一个32位操作系统的PC.该椭偏仪可测量0.1nm-5um厚的单膜,分辨率0.1nm,测量时间5-15秒,并且折射率测量可达0.005%。配置说明波长范围:380-780 nm (标准) 或450-900 nm (可选)光学分辨率:4.0 nm FWHM测量精度:厚度0.1 nm 折射率 0.005%入射角:70° 膜厚:单透明膜1-5000 nm光点尺寸:2 mm x 4 mm (标准) 或 200 µ m x 400 µ m (可选)采样时间:3-15s (最小)动态记录:3 seconds机械公差 (height):+/- 1.5 mm, 角度 +/- 1.0° 膜层数:至多32层参考:不用
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  • 光谱椭偏仪 400-860-5168转1374
    产品型号SE-i 光谱椭偏仪技术参数1、自动化程度:固定变角2、应用定位:原位定制型3、基本功能:Psi/Delta、N/C/S等光谱4、分析光谱:380-1000nm,支持按需定制化5、单次测量时间:0.5-5s6、重复性测量精度:0.01nm7、入射角范围:65°(支持定制)
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  • 产品特点: ? 400波长以上多通道分光的椭偏仪,高速测量椭圆偏光光谱。? 自动变更反射测量角度,可得到更详细的薄膜解析数据。? 采用正弦杆自动驱动方式,展现测量角度变更时优异的移动精度。? 搭载薄膜分析所需的全角度同时测量功能。? 可测量晶圆与金属表面的光学常数(n:折射率、k:消光系数)。产品规格: 样品对应尺寸100×100mm测量方式偏光片元件回转方式入射/反射角度范围45~90o入射/反射角度驱动方式反射角度可自动变更波长测量范围300~800nm分光元件Poly-chrometer尺寸650(H)×400(D)×560(W)mm重量约50kg
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  • 产品特点: ? 400波长以上多通道分光的椭偏仪,高速测量椭圆偏光光谱。? 自动变更反射测量角度,可得到更详细的薄膜解析数据。? 采用正弦杆自动驱动方式,展现测量角度变更时优异的移动精度。? 搭载薄膜分析所需的全角度同时测量功能。? 可测量晶圆与金属表面的光学常数(n:折射率、k:消光系数)。产品规格: 样品对应尺寸100×100mm测量方式偏光片元件回转方式入射/反射角度范围45~90o入射/反射角度驱动方式反射角度可自动变更波长测量范围300~800nm分光元件Poly-chrometer尺寸650(H)×400(D)×560(W)mm重量约50kg
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  • 低成本高效益的光谱椭偏仪SENproSENpro椭偏仪是椭偏仪应用的智能解决方案。它具有角度计,入射角度步进值5°。操作简单,快速测量和直观的数据分析相结合,以低成本效益高的设计来测量单层和多层膜的厚度和光学常数。 成本效益SENpro是具成本效益的光谱椭偏仪,同时不影响先进测量性能。 可变入射角光谱椭偏仪SENpro包括可变入射角的角度计,40°—90°,步进值5°,用于优化椭偏测量。 步进扫描分析器SENpro具有独特的步进扫描分析器。在数据采集过程中,偏振器和补偿器固定,以提供高的椭偏测量精度。 光谱椭偏仪SENpro具有操作简单,测量速度快,能对不同入射角的椭偏测量数据进行组合分析等特点。光谱范围为370到1050 nm。SENpro的光谱范围与精密的SpectraRay/4软件相结合,可以轻易地确定单层膜和复合层叠膜的厚度和折射率。 具有成本效益的桌面式SENpro包括可见光到近红外椭偏仪光学,5°步进角度计,样品台、激光准直器、光纤耦合稳定光源和探测器单元。SENpro配备了用于系统控制和数据分析的光谱椭偏仪软件SpectraRay/4 ,用于包括建模,拟合和报告输出。即使对于初学者,该程序文件操作都非常容易。SpectraRay/4 支持计算机控制的用于均匀性测量的自动扫描。 SENpro专注于薄膜测量的速度和精度,不管是何种薄膜应用。测量范围从1 nm的极薄层膜到15 μm的厚层膜。 对于各种各样的应用,SpectraRay/4都提供了预定义的配方。
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  • ME-Mapping光谱椭偏仪 400-860-5168转4689
    一、概述 ME-Mapping 光谱椭偏仪是一款可定制化Mapping绘制化测量光谱椭偏仪,配置全自动Mapping测量模块,通过椭偏参数、 透射/反射率等参数的测量,快速实现薄膜全基片膜厚以及光学参数自定义绘制化测量表征和分析。■ 全基片椭偏绘制化测量解决方案;■ 支持产品设计以及功能模块定制化,一键绘制测量;■ 配置Mapping模块,全基片自定义多点定位测量能力;■ 丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力。二、产品特点■ 采用氘灯和卤素灯复合光源,光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm);■ 高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置,实现Psi/Delta光谱数据高速采集;■ 具备全基片自定义多点自动定位测量能力,提供全面膜厚检测分析报告;■ 数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料。三、产品应用 ME-Mapping广泛应用OLED,LED,光伏,集成电路等工业应用中,实现大尺寸全基片膜厚、光学常数以及膜厚分布快速测量与表征。可选配件真空泵透射吸附组件技术参数
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  • SE-VE光谱椭偏仪 400-860-5168转4689
    一、概述 SE-VE 是一款超高性价比、快速测量光谱椭偏仪,紧凑集成设计,使用简便,可一键快速测量表征各式光学薄膜膜厚以及光学常数等信息。■ 超高性价比光学椭偏测量解决方案;■ 紧凑集成化设计,极致用户操作体验;■ 一键快速测量分析,人机交互设计,使用便捷;■ 丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力。二、产品特点■ 采用高性能进口复合光源,光谱覆盖可见到近红外范围 (400-800nm);■ 高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置,实现Psi/Delta光谱数据高速采集;■ 数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料。三、产品应用SE-VE光谱椭偏仪广泛应用于科研/企业中各种单层到多层薄膜膜厚以及光学常数等快速表征分析。可选配件温控台真空泵透射吸附组件技术参数
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  • 光伏椭偏仪 400-860-5168转1374
    产品简介:SE-PV光伏椭偏仪是一款光伏行业领域专用型光谱椭偏仪,针对光伏行业绒面单晶硅或多晶硅太阳能电池表面减反膜测量定制开发,快速实现薄膜物性表征分析。光伏椭偏仪广泛应用于光伏绒面单晶硅或多晶硅表面减反膜椭偏测量应用,实现单层到多层薄膜的薄膜、光学常数和几何特征尺寸快速的表征分析。 产品型号SE-PV光伏椭偏仪主要特点1、光伏专用光谱椭偏测量技术,材料定制库,一键快速调用2、配置可倾斜、大角度样件台,调节绒面单晶硅最佳反射可测反射信息量3、配置进口高功率、高寿命光源,增加经减反绒面后的可测反射信息量4、光伏专用散射矩阵算法描述光与锥形表面的相互作用,保证数据的有效性技术参数1、自动化程度:支持自动化方案定制2、应用定位:光伏专用型3、基本功能:Psi/Delta、N/C/S等光谱4、分析光谱:380-1000nm,支持按需定制化5、单次测量时间:0.5-5s6、重复性测量精度:0.01nm
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  • SE-i 光谱椭偏仪 400-860-5168转4689
    一、概述SE-Vi 是一款集成式原位光谱椭偏仪,针对有机/无机镀膜工艺研究的需要开发的原位薄膜在线监测中的定制化开发,快速实现光学薄膜原位表征分析。二、测试案例成膜工艺监控膜厚表征三、产品应用广泛应用于金属薄膜、有机薄膜、无机薄膜的物理/化学气相沉积,ALD沉积等光学薄膜工艺过程中实际原位在线监测并实时反馈测量物性数据。技术参数
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  • SENDURO 全自动光谱椭偏仪,SENDURO 全自动光谱椭偏仪包括基于测量处方的仅在几秒钟内即可完成的快速数据分析。椭圆仪的设计是为了便于操作:放置样品,自动样品对准,自动测量和分析结果。在全自动模式下使用光谱椭偏仪非常适合于质量控制和研发中的常规应用。 自动对准光谱椭偏仪SENDURO 所特有的全自动光谱椭偏免除了用户根据高度和倾斜度手动地对准样品的麻烦,这对于高精度和可重复的光谱椭偏是必需的。该专利的自动对准传感器大大减少了操作误差,适用于透明和反射样品,即使在弯曲的样品上也可实现自动扫描。 操作简单配方模式非常适合于生产,工艺监控以及研发的常规应用。该光谱椭偏仪带有随机可的配方数据库,可以根据您的具体需要对其进行修改。 步进扫描分析器步进扫描分析器SSA是SENTECH光谱椭偏技术的一个独有特征。分析样品的总时间只需几秒钟。 SENDURO 可测量透明和反射基片上单层薄膜和层叠膜的折射率和厚度。SENDURO 自动扫描则实现了较高的样品速度,化安装工作量和低的维护成本。该光谱椭偏仪的自动扫描具有预定义或用户定义的模式、允许广泛的统计特性和数据图形显示。 SENDURO 是SENTECH自动化,占地面积小,设计紧凑的椭偏仪的代表。测量台包括椭偏仪光学部件、自动倾斜和高度传感器、电动样品台和控制器电子设备,它们全部紧凑的组合。为了达到更高产量的要求,我们的光谱椭偏仪也提供了片盒站装载尺寸到300 mm的大晶片。 SENDURO 以其高样品测量速度,易于操作和自动对准在工业应用中表现出色。应用范围从半导体上的介质膜到玻璃上的多层光学涂层。 SENDURO 优异的光谱椭偏软件具有配方模式和工程模式。配方模式致力于重复应用程序的简单执行。密码控制的用户登录允许不同级别的用户登录。在交互模式下,椭偏测量通过交互式的,指导性的图形用户界面得到增强。此外,可以使用材料数据库和散射模型修改已经存在的配方或建立新的配方。 [RETURN]
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  • SE-VM光谱椭偏仪 400-860-5168转4689
    一、概述 SE-VM 是一款超高精度快速测量光谱椭偏仪,其采用自主研发的椭偏创新技术,具备 1 双旋转补偿器同步控制技术,2 透明基底消背反技术 等技术。快速实现光学参数薄膜和纳米结构的表征分析,适用于薄膜材料的快速测量表征。支持多角度,微光斑,可视化调平系统等高兼容性灵活配置,多功能模块定制化设计。■ 高精度椭偏测量解决方案;■ 超高精度、快速无损测量;■ 支持多角度、微光斑、可视化调平系统功能模块灵活定制;■ 丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力。二、产品特点■ 采用高性能进口复合光源,光谱覆盖可见到近红外范围 (380-1000nm),可支持扩展紫外到近红外范围 (193-2500nm);■ 高精度双旋转补偿器调制、PCrSCrA配置,实现Psi/Delta光谱数据高速采集;■ 支持系列配置灵活,可根据不同应用场景支持多功能模块化定制;■ 数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料。三、产品应用SE-VM广泛应用于镀膜工艺控制、tooling校正等测量应用,实现光学薄膜、纳米结构的光学常数和几何特征尺寸快速的表征分析。可选配件温控台Mapping扩展模块真空泵透射吸附组件技术参数
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  • SENDIRA红外光谱椭偏仪,振动光谱的特点是傅立叶红外光谱仪FTIR。测量红外分子振动模的吸收谱带,分析长分子链的走向和薄膜的组成。红外光谱椭偏仪适用于测量导电膜的电荷载流子浓度。 椭偏振动光谱利用红外光谱中分子振动模的吸收带,可以分析薄膜的组成。此外,载流子浓度可以用傅立叶红外光谱仪FTIR测量。 傅立叶红外光谱仪FTIR完全适用 集成赛默飞世尔Thermo Fisher制造的型号FTIR iS50红外光谱仪。它也适用于一般的振动光谱。 光谱椭偏仪SENDIRA用于测量薄膜厚度,折射率,消光系数以及体材料,单层和多层堆叠膜的相关特性。特别是覆盖层下面的层在可见范围内是不透明的,现在也可以进行测量。同时可以分析材料的组成和大分子基团和分子链的走向。 SENTECH光谱椭偏仪SENDIRA是专门为红外应用(FTIR)设计的。紧凑型测量台包括椭圆仪光学部件,计算机控制角度计,水平样品台,自动准直透镜,商用FTIR和DTGS或MCT探测器。FTIR在400?cm-1 ~6,000?cm-1 (1.7?μm?–?25?μm)光谱范围内提供了极好的精度和分辨率。 光谱椭偏仪SENDIRA主要用于薄层的振动光谱分析。应用范围从介质膜、TCO、半导体膜到有机膜层。SENDIRA是由SpectraRay/4 软件操作,另外还提供了FTIR软件。
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  • 产品特点: ? 椭圆偏振术测量紫外光到可见光波长椭圆参数。? 0.1nm以上奈米级光学薄膜厚度测量。? 400波长以上多通道分光的椭偏仪,高速测量椭圆偏光光谱。? 可自由变换反射测量角度,得到更详细的薄膜解析数据。? 非线性最小平方法解析多层膜、光学常数。产品规格: 膜厚测量范围0.1nm~波长测量范围250~800nm(可选择350~1000nm)感光元件光电二极管阵列512ch(电子制冷)入射/反射角度范围45~90o电源规格AC1500VA(全自动型)尺寸1300(H)×900(D)×1750(W)mm重量约350kg(全自动型) 应用范围: ■半导体晶圆?电晶体闸极(Gate)氧化薄膜、氮化膜,电极材料等?SiO 2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al 2 O 2、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN?光阻剂光学常数(波长色散)■化合物半导体?AlxGa (1-x) As多层膜、非结晶矽■平面显示器?配向膜?电浆显示器用ITO、MgO等■新材料?类钻碳薄膜(DLC膜)、超传导性薄膜、磁头薄膜■光学薄膜?TiO 2、SiO 2、多层膜、抗反射膜、反射膜■平版印刷领域?g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)等于各波长的n、k值评价 应用范例: 非线性最小平方法比对NIST标准样品(SiO 2)膜厚精度确认
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  • 产品特点: ? 椭圆偏振术测量紫外光到可见光波长椭圆参数。? 0.1nm以上奈米级光学薄膜厚度测量。? 400波长以上多通道分光的椭偏仪,高速测量椭圆偏光光谱。? 可自由变换反射测量角度,得到更详细的薄膜解析数据。? 非线性最小平方法解析多层膜、光学常数。产品规格: 膜厚测量范围0.1nm~波长测量范围250~800nm(可选择350~1000nm)感光元件光电二极管阵列512ch(电子制冷)入射/反射角度范围45~90o电源规格AC1500VA(全自动型)尺寸1300(H)×900(D)×1750(W)mm重量约350kg(全自动型) 应用范围: ■半导体晶圆?电晶体闸极(Gate)氧化薄膜、氮化膜,电极材料等?SiO 2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al 2 O 2、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN?光阻剂光学常数(波长色散)■化合物半导体?AlxGa (1-x) As多层膜、非结晶矽■平面显示器?配向膜?电浆显示器用ITO、MgO等■新材料?类钻碳薄膜(DLC膜)、超传导性薄膜、磁头薄膜■光学薄膜?TiO 2、SiO 2、多层膜、抗反射膜、反射膜■平版印刷领域?g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)等于各波长的n、k值评价 应用范例: 非线性最小平方法比对NIST标准样品(SiO 2)膜厚精度确认
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  • ES01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的高精度全自动光谱椭偏仪,系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见到红外。ES01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,厚度)和物理参数(如,折射率n、消光系数k),也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。ES01系列光谱椭偏仪适合于对样品进行实时和非实时检测。特点:原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级的纳米薄膜,膜厚精度达到0.05nm。秒级的快速测量 快速椭偏采样方法、高信噪比的信号探测、自动化的测量软件,在保证高精度和准确度的同时,10秒内快速完成一次全光谱椭偏测量。一键式仪器操作 对于常规操作,只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程,丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。应用:ES01系列尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发。ES01系列多种光谱范围可满足不同应用场合。比如:ES01V适合于测量电介质材料、无定形半导体、聚合物等的实时和非实时检测。ES01U适合于很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体的临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量级到10微米左右)。 ES01系列可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。典型应用如:半导体:如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等);平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等;功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等;生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。ES01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。典型应用包括:玻璃新品研发和质量控制等。技术指标:项目技术指标光谱范围ES01V:370-1000nmES01U:245-1000nm光谱分辨率1.5nm单次测量时间典型10s,取决于测量模式准确度&delta (Psi): 0.02 ° ,&delta (Delta): 0.04° (透射模式测空气时)膜厚测量重复性(1)0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率精度(1)1x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)入射角度40° -90° 自动调节,重复性0.02° 光学结构PSCA(&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度)样品台尺寸可放置样品尺寸:直径170 mm样品方位调整高度调节范围:0-10mm二维俯仰调节:± 4° 样品对准光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式(管理员、操作员)&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库选配件自动扫描样品台聚焦透镜注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。可选配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池
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  • 一、概述 SE-PV系列是颐光科技推出的光伏专用光谱椭偏仪,基于旋转补偿器调制技术,可一次性获取Psi/Delta、N/C/S等偏振信号。该仪器能实现光伏行业中绒面和非绒面样品的薄膜膜厚、光学常数的快速表征。SE-PV采用高功率光源并配有全新的光路设计,可显著提升探测信号的信噪比,采用水平/倾斜一体化样品台,可快速、简便切换测量模式,完成绒面及非绒面样品测量。二、产品特点 ■ 双旋转补偿器配置 ■ 快速切换测量模式(一键切换) 三、产品应用 SE-PV独特的设计可以满足绒面基底上薄膜的量测需求,如下图所示的样品,绒面及其表面增透膜层的设计都是为了降低电池片表面对太阳光的反射,这使得探测信号变弱,大大增加了光学测量难度。 技术参数
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  • 一、概述 ME-L 是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪,凝聚了颐光科研团队在椭偏技术多年的投入,具备 1 全穆勒矩阵测量技术, 2 双旋转补偿器同步控制技术,3 超级消色差补偿器设计技术,4 纳米光栅表征测量技术 等技术。可应用于各种各向同性/异性薄膜材料膜厚、光学纳米光栅常数以及一维/二维纳米光栅材料结构的表征分析。■ 双旋转补偿器(DRC)配置一次测量全部穆勒矩阵16个元素;■ 配置自动变角器、五维样件控制平台等优质硬件模块;■ 软件交互式界面配合辅助向导式设计,易上手、操作便捷;■ 丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力二、产品特点■ 采用氘灯和卤素灯复合光源,光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm);■ 可实现穆勒矩阵数据处理,测量信息量更大,测量速度快、数据更加精准;■ 基于双旋转补偿器设计,一次测量获得全穆勒矩阵16个元素,相对传统光谱椭偏仪可获取更加全面量测信息;■ 颐光核心技术确保在宽光谱范围内,提供优质稳定的各波段光谱;■ 数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料;■ 集成对纳米光栅的分析,可同时测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息。使用颐光科技椭偏仪系列产品,(部分)提及并标注“Eoptics Technology”文献信息:✽ "Atomic-level chemical reaction promoting external quantum efficiency of organic photomultiplication photodetector exceeding 108% for weak-light detection." Science Bulletin(2023).影响因子:18.9,单位:太原理工大学,通讯作者:崔艳霞 等✽ "La-doped PMN–PT transparent ceramics with ultra-high electro-optic effect and its application in optical devices." Journal of Advanced Ceramics(2023).影响因子:16.89,单位:华中科技大学集成电路学院,通讯作者:傅邱云 等✽ "Giant in-plane optical and electronic anisotropy in tellurene: a quantitative exploration." Nanoscale(2022).影响因子:7.79,单位:华中科技数字装备制造国家重点实验室,通讯作者:谷洪刚,刘世元 等✽ "Utilization of Trapped Optical Modes for White Perovskite Light-Emitting Diodes with Efficiency over 12%." Joule (2021).影响因子:39.8,单位:华南理工大学,通讯作者:彭俊彪,叶轩立 等✽ "Delocalization of exciton and electron wavefunction in non-fullerene acceptor molecules enables efficient organic solar cells."Nature Communications(2020).影响因子:17.7,单位:华南理工大学,通讯作者:叶轩立,曹镛 等✽ "Enhanced light emission of quantum dot films by scattering of poly(zinc methacrylate) coating CdZnSeS/ZnS quantum dots and high refractive index BaTiO3 nanoparticles." ACS Nano (2020).影响因子:18.9,单位:南方科技大学,通讯作者:孙小卫 等✽ "24.1% External Quantum Efficiency of Flexible Quantum Dot Light-Emitting Diodes by Light Extraction of Silver Nanowire Transparent Electrodes." Advance Optical Materials (2018).影响因子:10.5,单位:武汉光电国家研究中心,通讯作者:胡彬,王磊 等✽ "Heat-Insulating Multifunctional Semitransparent Polymer Solar Cells." Joule (2018).影响因子:39.8,单位:华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,通讯作者:叶轩立,黄飞 等✽ "Layer-Dependent Dielectric Function of Wafer-Scale 2D MoS2." Advance Optical Materials (2018).影响因子:10.5,单位:华中科技数字装备制造国家重点实验室,通讯作者:刘世元 等✽ "Ellipsometric study of the complex optical constants of a CsPbBr3 perovskite thin film." Journal of Materials Chemistry C(2017).影响因子:8.06,单位:山东大学,通讯作者:连洁 等✽ "High-Performance Polymer Tandem Solar Cells Employing a New n-Type Conjugated Polymer as an Interconnecting Layer." Advance Materials(2016).影响因子:32.08,单位:华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,通讯作者:叶轩立,黄飞 等应用领域显示面板|新型显示材料解决方案集成电路|IC集成电路检测解决方案光伏行业|光伏薄膜测量解决方案玻璃盖板|玻璃盖板测量解决方案LED行业|LED芯片测量应用解决方案科学研究|新材料以及理论模型研究可选配件温控台Mapping模块真空气泵透射夹具技术参数
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  • SpectraRay/4:光谱椭偏测量/分析软件SENDURO全自动光谱椭偏仪包括基于测量处方的仅在几秒钟内即可完成的快速数据分析。椭圆仪的设计是为了便于操作:放置样品,自动样品对准,自动测量和分析结果。在全自动模式下使用光谱椭偏仪非常适合于质量控制和研发中的常规应用。 建模测量参数可以模拟作为波长、光子能量、倒数厘米、入射角、时间、温度、薄膜厚度测量和其他参数的函数 自动扫描我们光谱椭偏仪的自动扫描的选项具有预定义或用户定义的模式、广泛的统计以及数据的图形显示,如2D颜色、灰度、轮廓、+/-偏离平均值和3D绘图。 交互模式:设定测量参数并开始薄膜厚度测量通过从材料库或从已有的散射模型中拖放来构建模型定义和改变参数以将计算的光谱与实测光谱拟合交互式改进以实现模型通过从预定义或定制的模板中进行选择,将结果作为word文档报告输出将所有实验数据、协议和记录保存在同一个实验文件中 配方模式:SpectraRay/4配方模式的优点是两步操作选择和从材料库执行预定义的配方。该配方包括厚度测量参数、模型、拟合参数和报告模板。 SpectraRay/4,SENTECH专利所有的光谱椭偏测量软件,包括数据采集、建模、拟合和椭偏测量、反射和传输数据的扩展报告。它支持可变角度、多实验和组合光度测量。SpectraRay/4包括基于SENTECH厚度测量和文献数据的庞大的材料数据库。大量的散射模型允许对几乎任何类型的材料建模。 SpectraRay/4提供了用户友好的面向工作流的接口来操作SENTECH光谱椭偏测量工具以及建模、拟合和表示椭偏测量数据的综合工具集。用户界面结合了面向操作人员的配方模式以及用于交互式测量和建模的高级模式。 SpectraRay/4具有单轴和双轴各向异性材料测量、薄膜厚度测量和层测量的功能。该软件可处理样品效应,如去极化,非均匀性,散射(米勒矩阵),以及背面反射。 SpectraRay/4包括用于数据导入和导出(包括ASCII)、文件管理、光谱的算术操作、显示、打印和报告输出(Word文件格式*.doc)的通用光谱椭偏测量软件包的所有实用程序。脚本程序使得它非常灵活,适用于自动化日常测量,为苛刻的应用所研发,并可控制第三方硬件,如传感器,加热台,样品电池或低温恒温器。
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  • SE-VF 光谱椭偏仪 400-860-5168转4689
    一、概述SE-m 是一款针对半导体行业定制的微区图形结构测量的专用型光谱椭偏仪,其采用 1 超小微光斑探测测量技术, 2 定制超快测量速度等技术。可应用透明各类衬底上的减反膜、导电膜等薄膜的n/k/d测量,完美适用于微区图形的各种光学参数解析。二、特色功能■ 可定制光斑尺寸,最小可达30um;■ 超快测量,单次测量时间小于0.5秒 ;■ 系列配置灵活,支持功能定制设计;■ 结构紧凑,更适应在线集成测量。三、测量实例微区图形结构测量四、应用场景 应用于光学常数测量,完美适用于各类光学薄膜等镀膜检测应用。
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  • SE 800 PV 激光椭偏仪 SENTECH设计了SE 800 PV,用于表征由SiNx/SiO2、SiNx/SiNy或SiNx/Al2O3组成的多层钝化膜和防反射涂层。分析了单晶和多晶硅太阳电池的折射率指数、吸收和膜厚。在配方模式下进行复杂的测量,速度快,操作容易。 纹路晶片防反射涂层和钝化层可以在单晶和多晶硅晶片上测量。 叠层防反射涂层可以分析SiO2/SiNx、Al2O3/SiNx和SiNx1/SiNx2的涂层。 操作简单 不管是专家还是初学者,光谱椭偏仪SE 800 PV都提供了简单的操作。配方模式特别适合质量控制所需的常规应用。 光谱椭偏仪SE 800 PV是分析结晶和多晶硅太阳能电池防反射膜的理想工具。可以测量单层薄膜(SiNx、SiO2、TiO2、Al2O3)和多层叠层膜(SiNX/SiO2、SiNx1/SiNx2、SiNx/Al2O3)。 SE 800 PV是基于步进扫描分析器测量模式。步进扫描分析器模式允许将测量参数匹配到粗糙的样本表面,同时所有光学部件都处于静止状态。SE 800 PV的光源、光学部件和检测器进行了优化,以符合SENTECH的目标,即快速、准确地测量PV应用的折射率指数、吸收和膜厚。 高测量灵敏度、去偏振校正和特殊的集光光学使SE 800 PV成为在粗糙样品表面进行光伏应用的理想仪器。 光谱椭偏仪SE 800 PV具有操作简单的特点、便于研发应用。SpectraRay/4,SENTECH专有的椭偏仪软件,包括两种操作模式。配方模式允许在质量控制中轻松执行常规应用程序。交互模式具有指导性的图形用户界面,适合于研发应用和新配方的开发。 此外,SE 800 PV满足SENresearch光谱椭偏仪系列的所有要求。
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  • SEMILAB-全光谱椭偏仪GES5E (Spectroscopic Ellipsometer)SEMILAB成立于1989年,总部位于匈牙利布达佩斯,为生产、研发中心,客户遍布全球。在欧洲、和亚洲主要国家都设有分支机构, 在美国设有工厂和研发中心。SEMILAB拥有全球zui优秀的电学和光学表征技术,产品被广泛应用于光伏、半导体、科研以及平板测试领域。凭借先进的测试设备,为客户的生产和质量监控提供一套完整的测试方案,在行业中始终处于领xian地位。公司建成后迅速发展, 自2004年以来相继收购了包括SemiTest、SSM、Sopra、QC Solution、AMS、SDI和Todival Solar在内的业内知名测试公司,同时囊获了IBM的JPV、AMAT的Boxes Cross、以及德国Basler公司的zhuan li技术。随着市场的不断扩张,SEMILAB于2000年进入中国市场,6年后成立代表处,并于2009年在上海成立全资子公司“瑟米莱伯贸易(上海)有限公司”。子公司成立以来,业务量发展迅猛,于2010年成立了TSS寄售维修中心,并于次年在无锡新增了售后服务中心,上海公司随之成为亚洲最大的销售及售后服务中心。公司秉承专ye、团队、激情的文化理念,始终坚持为客户提供最hao的测试方案和完善的售后服务。 产品描述 GES5E全光谱椭偏仪基于椭圆偏振测试技术,采用先进的旋转补偿器,结合光纤专li技术将偏振光信号传输至分段光谱优化的高分辨率单色仪或阵列式多通道摄谱仪,测得线偏振光经过样品反射后的偏振态变化情况,并通过样品光学模型的建立,计算出单层或多层薄膜结构的厚度、折射率和消光系数,实现精确、快速、稳定的宽光谱椭偏测试。GES5E是Semilab针对科研院所和企业研发中心推出的多功能桌面型旗舰产品。为了满足科研院所及研发中心对于复杂薄膜材料和复杂多层薄膜结构的综合型测试需求,GES5E采用了模块化的设计,可自由组合多种扫描和真空变温样品台,多种从135nm深紫外光谱至2400nm近红外光谱的探测器,多种测试光斑尺寸,并可拓展FTIR红外光谱测试模组、EPA薄膜孔隙率测试模组、涡电流法非接触方块电阻测试模组、Mueller Matrix各项异性材料测试模组、Raman结晶率测试模组、反射干涉测试模组、透射率和反射率测试模组等多种功能,为方便用户合理配置,Semilab支持绝大部分模组的后续升级服务。 产品特点业界第yi家光谱型椭偏仪测试设备厂商业界标准测试机构定标设备,参与发布中华人民共和国椭圆偏振测试技术标准非接触、无损测试所测样品无损伤的测量业界最宽测试光谱范围,选配135nm-25um,并可自动切换快速探测模式和高精度探测模式测试功能延展性强,并支持后续升级服务定期免费升级SOPRA材料数据库开放光学模型拟合分析过程,方便用户优化测试菜单主要应用光伏行业:晶硅电池减反膜、薄膜电池透明导电膜、非晶硅微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、有机电池、染剂敏感太阳能电池半导体行业:High-K、Low-K、金属、光刻工艺、半导体镀膜工艺、外延工艺平板显示行业:TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色滤光片光电行业:光波导、减反膜、III-V族器件、MEMS、溶胶凝胶主要技术指标测试速度:<1 sec (快速测试模式) <120 sec (高分辨率测试模式)测量光谱分辨率:<0.5nm@633nm (高分辨率测试模式) <0.8nm@633nm (快速测试模式)最大样品尺寸: 300mm厚度测量范围:0.01nm-50um厚度测试精度:0.02nm @120nm SiO2 on Si折射率测试精度:0.002 @120nm SiO2 on SiSE1000 全光谱椭偏仪(TABLE TOP SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETER)产品描述SE-1000型椭偏仪采用手动变角装置来设定测试的入射角,样品台也采用手动方式,在测试的准确性和灵活性与SE-2000保持一致的情况下,为客户提供了一款极具竞争力的椭偏测试设备。另一方面,SE-1000型全光谱椭偏仪采用了最新设计的光学部件以及最新版本的测试分析软件(SAM/SEA),极大地提高了设备的运行稳定性和数据处理能力 与SE-2000平台一样,SE-1000全光谱椭偏仪同时也是一个多功能测试平台,采用模块化的设计,可集成FTIR红外光谱测试模组、涡电流法非接触式或4PP接触式方块电阻测试模组、Mueller Matrix各项异性材料测试模组、Raman结晶率测试模组、电子迁移率表征模组、LBIC光诱导电流测试模组、反射干涉测试模组等多种功能,用户可根据测试需求合理选择搭配功能产品特点业界第yi家光谱型椭偏仪测试设备厂商业界标准测试机构定标设备,参与发布中华人民共和国椭圆偏振测试技术标准针对研发及实验室测试设计,能降低测试成本模块化设计,可综合监控样品光学和电学特性定期免费升级SOPRA材料数据库开放光学模型拟合分析过程,方便用户优化测试菜单主要应用业界第yi家光谱型椭偏仪测试设备厂商业界标准测试机构定标设备,参与发布中华人民共和国椭圆偏振测试技术标准针对研发及实验室测试设计,能降低测试成本模块化设计,可综合监控样品光学和电学特性定期免费升级SOPRA材料数据库开放光学模型拟合分析过程,方便用户优化测试菜单主要技术指标手动变角范围:45°-75°(最小步进5°)光谱范围:245-990nm最大样品尺寸: 200mm厚度测量范围:0.01nm-50um(取决于样品类型)技术关键词应用关键词
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  • ES0S3是针对科研和工业环境中薄膜测量领域推出的波长扫描式高精度多入射角光谱椭偏仪,此系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见、近红外、到远红外。ESS03采用宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量。ESS03系列多入射角光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,膜层厚度、表面微粗糙度等)和光学参数(如,折射率n、消光系数k、复介电常数&epsilon 等),也可用于测量块状材料的光学参数。ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。技术特点:极宽的光谱范围 采用宽光谱光源、宽光谱扫描德系统光学设计,保证了仪器在极宽的光谱范围下都具有高准确度,非常适合于对光谱范围要求极其严格的场合。灵活的测量设置仪器的多个关键参数可根据要求而设定(包括:波长范围、扫描步距、入射角度等),极大地提高了测量的灵活性,可以胜任要求苛刻的样品。原子层量级的检测灵敏度国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级地纳米薄膜,膜厚精度达到0.05nm。非常经济的技术方案 采用较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量,仪器整体成本得到有效降低。 应用领域:ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。ESS03适合很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体地临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量级到10微米左右)。ESS03可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。薄膜相关应用涉及物理、化学、信息、环保等,典型应用如:半导体:如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等);平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等;功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等;生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。节能环保领域:LOW-E玻璃等。ESS03系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。典型应用包括:玻璃新品研发和质量控制等。技术指标:项目技术指标光谱范围ESS03VI:370-1700nmESS03UI:245-1700nm光谱分辨率(nm)可设置入射角度40° -90° 手动调节,步距5,重复性0.02准确度&delta (Psi): 0.02 ° ,&delta (Delta): 0.04° (透射模式测空气时)膜厚测量重复性(1)0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率n测量重复性(1)0.001 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)单次测量时间典型0.6s / Wavelength / Point(取决于测量模式)光学结构PSCA(&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度)可测量样品最大尺寸直径200 mm样品方位调整高度调节范围:10mm二维俯仰调节:± 4° 样品对准光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式(管理员、操作员)&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库选配件自动扫描样品台聚焦透镜 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。可选配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池
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  • ESS01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的波长扫描式、高精度自动变入射角度光谱椭偏仪,此系列仪器波长范围覆盖紫外、可见、近红外到远红外。ESS01采用宽光谱光源结合单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量。ESS01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,厚层厚度、表面为粗糙度等)和光学参数(如,折射率n、消光系数k、复介电常数&epsilon 等),也可用于测量块状材料的光学参数。ESS01适合多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。技术特点:极宽的光谱范围 采用宽光谱光源、宽光谱扫描的系统光学设计,保证了仪器在极宽的光谱范围下都具有高准确度,非常适合于对光谱范围要求极其严格的场合。灵活的测量设置仪器的多个关键参数可根据要求而设定(包括:波长范围、扫描步距、入射角度等),极大地提高了测量的灵活性,可以胜任要求苛刻的样品。原子层量级的检测灵敏度国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级地纳米薄膜,膜厚精度达到0.05nm。非常经济的技术方案 采用较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量,仪器整体成本得到有效降低。 应用领域:ESS01系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。ESS01适合很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体地临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量级到10微米左右)。ESS01可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。薄膜相关应用涉及物理、化学、信息、环保等,典型应用包括:半导体:如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等);平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等;功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等;生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。节能环保领域:LOW-E玻璃等。ESS01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。典型应用包括:玻璃新品研发和质量控制等。技术指标:项目技术指标光谱范围ESS01VI:370-1700nmESS01UI:245-1700nm光谱分辨率(nm)可设置入射角度40° -90° 自动调节准确度&delta (Psi): 0.02 ° ,&delta (Delta): 0.04° (透射模式测空气时)膜厚测量重复性(1)0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率n测量重复性(1)0.001(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)单次测量时间典型0.6s / Wavelength / Point(取决于测量模式)光学结构PSCA(&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度)可测量样品最大尺寸直径&Phi 200 mm样品方位调整高度调节范围:10mm二维俯仰调节:± 4° 样品对准光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式(管理员、操作员)&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库选配件自动扫描样品台聚焦透镜 注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。
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