退火测试仪

仪器简介：ANS-800系列退火点和应变点测定仪为用户提供了按照ASTM C-336标准或者用户按照ASTM C-336修改的测试程序进行测试，通过Orton提供的专门软件，用户选择合适的操作模式、输入相关的信息，Orton软件完成余下的工作，Orton软件按照用户选择的模式控制加热速度、数据采集以及数据分析。玻璃的退火点和应变点是生产过程中广泛使用的控制参数；退火点和应变点温度发生变化，说明玻璃的化学成份发生变化了。按照标准方法ASTM C-336中定义：退火点温度是单一的玻璃纤维(直径0.65mm)在一定的重量的作用下，炉子以4℃/分钟的速度降温，玻璃纤维伸长速度达到0.14mm/分钟时的温度就是玻璃的退火点温度；应变点温度是退火点外推，伸长速度为退火点的伸长速度的0.0316倍的温度点极为应变点。这个测试是在Orton制造的LVDT延伸仪上完成，ANS-800系列可以自动跟踪监测测试样品纤维的伸长以及按照ASTM C-336标准方法计算相应的退火点和应变点。技术参数：1. 最高温度800℃和1000℃；2. 满足ASTM C336标准方法；3. 温度控制：PID控制，自动控制；4. 激光自动监控，软件自动计算退火点和应变点。主要特点：简单：操作者只需经过简单培训即可，将玻璃纤维拉伸到ASTM C-336标准方法要求的尺寸后，操作者将玻璃纤维放置到炉子中，加上砝码，点击计算机屏幕上的“START”按钮，操作者即可离开测试仪器，做其他的工作。快速：在20分钟时间内，退火点和应变点温度显示在计算机的屏幕上。准确、可靠以及重复性好：LVDT系统能自动监控玻璃纤维的伸长，计算机能自动计算玻璃纤维的伸长速度，计算机便自动计算退火点以及应变点温度。彻底消除不同操作人员之间的误差、偏差，对于玻璃纤维样品来说，误差为±1℃。灵活：用户可以完全按照ASTM C-336的操作程序进行操作，或者可以改变升温速度，提高样品退火点以及应变点的测试速度；功能强大：数据采集软件实时显示测试结果以及测试进行过程中的测试条件；数据统计软件则显示不同样品的测试结果，产生一个报告，并可以自动计算一系列纤维样品的平均 退火点和应变点温度。

PFS系列是SiC工艺等高温处理工艺中，配合使用的退火设备。可大对应φ 150mm。产品特性 / Product characteristics&bull 大可对应φ150mm基板&bull 大可加热2000℃&bull 高真空对应&bull 单批次25片一次性处理（也有5片处理机）产品应用 / Product application&bull SiC功率器件用&bull 研究开发&bull 量产用 产品应用 / Product application关于公司 1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

Ta玻璃退火点应变点测量仪退火是一种热处理过程，可使玻璃中存在的热应力尽可能消除或减小至允许值。除玻璃纤维和薄壁小型空心制品外，几乎所有玻璃制品都需要进行退火。退火点温度是均匀的玻璃纤维(直径0.65mm)在一定的重量的作用下，炉子以4℃/分钟的速度降温，玻璃纤维伸长速度达到0.14mm/分钟时的温度就是玻璃的退火点温度；应变点温度是退火点外推，伸长速度为退火点的伸长速度的0.0316倍的温度点即为应变点。该仪器采用拉丝法测试玻璃的退火点和应变点，参考标准ASTM C336，SJT11039-1996电子玻璃退火点和应变点测试方法，JC/T752-1996石英玻璃退火点测试方法；主要参数：1、使用温度：1000℃2、数显温度分辨力：0.1℃3、精度：小于1%4、升温速率：可控制在5±1℃/分；PID控制，自动控制；

快速退火炉RTP-3-04系列采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸样品）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到**的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。产品特点可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。可远程操作：提供远程监控模块。压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。快速控温与高真空：升温速率可达150℃/s，真空度可达到10-3Pa。程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1.5%。全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。产品应用金属电极合金化硬质合金薄膜去应力退火石墨烯生长器件退火材料再结晶、晶化热氧化、热氮化ITO膜致密化薄膜CVD生长搭载电学测试模块变温电阻测量等离子注入/接触退火太阳能电池片键合低介电材料热处理芯片晶圆热处理键合炉其他热工艺需求

退火和淬火炉T max 1300℃· 坚固的内腔特别为热处理应用设计, 如对金属进行热处理· 双层箱体结构且背部通风，炉外表面温度低· 炉壳和炉门边采用不锈钢材质· 平行导向门,可避免操作者与高温面接触, 方便在高温状态下打开· 标准配置包括炉底座(KM 50/13-KM 90/13)· 炉腔采用多层耐火砖结构和特殊绝热设计, 低热损失, 低能耗· 三面加热(左, 右和底部), 内腔温度分布均匀· 加热元件安装在陶瓷管上，腔内自由辐射加热(KM 50/13-KM 90/13)· 底部加热元件被碳硅板覆盖，机械强度高，热传导效果好· 后墙设有排气口附件工具Thermconcept专为退火炉提供丰富的配件, 用于保护气气氛下的退火和硬化及空气气氛下的淬火处理淬火和退火盒· 保护气氛下硬化处理, 最高温度1300℃· 适合处理高速钢和高铬合金钢· 多用途淬火和退火盒, 用于保护气氛· 可消除工件的氧化或脱碳· 操作容易, 效率高· 适用于所有的箱式炉退火罩· 用于保护气氛下硬化和冷却, 最高温度1200℃· 可用于非氧化退火然后淬火处理· 保护气氛也可以是合成气体, 氮气和其它气氛(如氩气和氦气)· 体积小巧, 节省保护气氛· 可选配控制器, 精确测量退火罩内温度硬化盒系统· 用于硬化、碳化和氮化, 最高温度1100℃· 硬化盒可用于所有退火和淬火炉· 可选配保护气气氛下的退火空气气氛下淬火处理· 操作容易, 过程可靠附件和工具· 淬火箔和硬化盒, 用于无氧化钢退火和淬火，最高温度1200℃· 硬化油, 用于温度在50-150℃· 用于清洁, 去油和防腐蚀的工具· 颗粒渗碳剂，氮化粉和退火化合物· 保护气氛蒸馏瓶和硬化盒· 装料装置· 耐热手套· 装卸料工具如铲子, 拉钩, 装料盘· 硬度检测工具 德国Thermconcept公司总部设在德国不莱梅, 拥有丰富的研发、设计和生产的各种马弗炉和加热炉系统的经验，加热炉的温度范围从50℃到2000℃，能够满足绝大多数用户的应用需求。Thermconcept马弗炉和加热炉能够在全世界范围满足客户的需求, 原因是： 技术先进Thermconcept马弗炉和加热炉由世界知名供应商提供的最好材料制成。因而能够保证*实验效果、运行可靠以及长使用寿命。 实用设计Thermconcept马弗炉和加热炉设计和生产均严格遵循国际标准, 我们的目标是提供技术先进的和高性价比的产品。 定制解决方案Thermconcept提供定制实用可靠的加热炉服务，满足您具体的应用需求。 专业服务Thermconcept专业的技术人员会为您提供全方位的专业服务。Themconcept马弗炉和加热炉将会是您实验室的可靠伙伴！ 更多产品请登陆德祥官网：德祥热线：联系我们(终端用户)联系我们(经销商)邮箱：

仪器简介：淬火和退火盒 带或不带保护气接口的淬火和退火盒可以根据需要进行专门制造，用于冷抽真空处理如小件或散 件退火，最高温度1100 ° C

仪器简介：带柄退火罩 带柄退火罩带保护气接口，用于保护气气氛下的退火和硬化及空气气氛下的淬火处理，适于炉型 N 7/H至N 61/H

感应退火是一种快速, 高效, 精确, 可重复, 非接触的加热过程, 适用于金属和其他电传导材质Ambrell 感应设备可以精确的加热局部, 不影响整体的特性Ambrell 感应退火应用:1. 退火不锈钢管2. 将铜管退火, 制成管材和管材3. 退火不锈钢手柄4. 退火铜线接头Ambrell EASYHEAT 感应加热系统可以提高您的产能. 我们有各种功率满足您的需求.为什么选择 Ambrell 感应加热系统1. 提供直接, 精确的加热: 精确的热模式, 加热时毗邻的材料不受影响2. 快速加热: 与烤箱和火柜对比, 加热更迅速3. 能源效率: 大部分消耗的能量转化成有用的加热 没有热机或者冷却循环,消除了待机的热损失4. 清洁无焰: 更安全,可重复加热Ambrell EASYHEAT 感应加热系统技术参数:型号EASYHEAT0112EASYHEAT0224EASYHEATLI 3542EASYHEATLI 5060EASYHEATLI 7590EASYHEATLI 8310最大功率1.2 kW2.4 kW4.2 kW6.0 kW9.0 kW10.0 kW频率150-400 kHz150-400 kHz150-400 kHz150-400 kHz150-400 kHz150-400 kHzLine Voltage105-129/198-250, 1 ph198-2501 ph187-264/370-520, 3p187-264/370-520, 3p187-264/370-520, 3p187-264/370-520, 3pInput Max1.6 kVA3.3 kVA5.2 kVA7.4 kVA11.2 kVA12.4 kVA美国 inTEST 旗下 Ambrell 感应加热设备制造商, 成立于1986年, 为全球超过50个国家累计提供 12,000 台高质量, 高可靠性的感应加热系统. Ambrell 感应加热广泛应用于钎焊, 锻造, 热处理, 熔炼, 金属与塑料结合等行业. Ambrell 感应设备提供节能, 非接触式加热, 有效提高工业加热过程的效率. 上海伯东是美国 Ambrell 感应加热设备中国总代理.上海伯东版权所有, 翻拷必究！

连续退火实验与模拟系统 ——可以对钢板进行快速以及快速冷却实验及模拟 产品介绍 连续退火实验与模拟系统CAS-AYⅡ使用快速加热和气体/雾冷功能的红外金面反射炉实现快速加热和冷却。这个系统可以地实现钢铁材料热处理过程的模拟，可以实现钢板,不锈钢板,和磁性钢板等的通用热处理实验以及热处理过程模拟。 加热腔（红外炉） 冷却腔 特点应用 样品加热和冷却温度控制；薄钢板连续退火模拟实验； 可以实现钢板表面良好的温度均匀性；在各种气氛下对板材退火实验，表面处理实验； 立的冷却腔可以实现速冷却在钢板时效过程中的热处理实验 样品大小 70mmW*220mmL*0.5-2.0mmT(标准样品1.2mmT)；大约可以得到2个标准拉伸试样 设备组成 实验数据 仅加热腔实现冷却（缓冷）数据冷却腔实现冷却（急冷）数据 设备参数温度范围 50℃-1000℃（大1150℃）气氛氮气 空气样品大小 70mmW*220mmL*0.5-2.0mmT 加热速率 大30℃/s 冷却速率 大-70℃/s（1000℃-400℃） 设备尺寸 大约2900mmW*1000mmD*1700mmH 用户单位北京科技大学 宝钢集团有限公司中央研究院（技术中心）

v 应用范围：对重掺杂碳化硅（SiC）表面沉积的过渡金属进行退火，形成良好的欧姆接触v 加工尺寸：4inch、6inchv 加工速度：1000mm/sv 加工精度：±1μmv 平台参数：行程300mm×300mmv 重复定位精度：±0.001mmv 激光器参数:紫外v 稼动率:98%以上v 重大故障间隙时间:＞1000H良率:≥99.5%

产品介绍： 名称：马弗炉/退火和淬火炉型号： N 7/H - N 87/H产地：德国特点：立式箱式炉，炉腔7-87升，最高温1280℃，三面加热 仪器简介： 为适应实验室苛刻的工作环境，如对金属进行热处理时，窑炉必须采用坚固的轻质耐火砖保温结构。炉型N 7/H - N 87/H正是解决该类问题的最佳方案。窑炉可以加配各种配件，如针对保护气加工处理的退火盒、辊道或带淬火槽的冷却站。从而，即便是最苛刻的应用情况如医药领域内的钛不完全退火也可轻松实现，同时无需使用其它昂贵复杂的退火设备。技术参数： 型号最高温度°C内尺寸mm容积 升外尺寸mm连接功率 千瓦 电气连接*重量公斤分钟至最高温度宽深高宽深高N 7/H 128025025012077206405103,0 1相60180N 11/H 1280250350140117207405103,6 1相70180N 11/HR 1280250350140117207405105,5 3相1 70120N 17/HR 1280250500140177208905106,4 &, lt , /P3相1 90120N 31/H 1280350350250318401010132015,0 3相210105N 41/H 1280350500250418401160132015,0 3相260120N 61/H 1280350750250618401410132020,0 3相400120主要特点： 最高温度1280 °C 三面加热（两侧和底部） 安装在支承管上的加热元件自由辐射热量，使用寿命长久 底部加热受SiC抗热板保护 炉腔具备优质的多层轻质耐火砖保温结构 炉侧设有排气口，自N 31/H起位于炉后壁 N 7/H - N 17/HR采用台式构造 自N 31/H起配备支架 平行导向门向下开启（也可根据需要向上打开） 手动和自动配气系统 针对各类控制器的说明参见“测量和调节技术”更多产品详细信息，请登录安赛斯（中国）有限公司官网。如需选型，请直接联系安赛斯（中国）有限公司工作人员。

仪器简介：为适应实验室苛刻的工作环境，如对金属进行热处理时，电炉必须采用坚固的轻质耐火砖保温结构。炉型N 7/H - N 87/H正是解决该类问题的最 佳方案。可以给这些电炉加配各种配件，如针对保护气加工处理的退火盒、辊道或带淬火槽的冷却站。从而，即便是最苛刻的应用情况如医药领域内的钛不完全退火也可轻松实现，同时无需使用其它昂贵复杂的退火设备。技术参数：型号最高温度° C内尺寸mm容积 升外尺寸mm连接功率 千瓦 电气连接*重量公斤分钟至最高温度宽深高宽深高N 7/H 128025025012097206405103,0 1相60180N 11/H 1280250350140117207405103,5 1相70180N 11/HR 1280250350140117207405105,5 3相1 70120N 17/HR 1280250500140177208905106,4 3相1 90120N 31/H 1280350350250318401010132015,0 3相210105N 41/H 1280350500250418401160132015,0 3相260120N 61/H 1280350750250618401410132020,0 3相400120主要特点：最高温度1280 ° C 炉膛很深，带有三面加热（两侧和底部）功能安装在支承管上的加热元件自由辐射热量，使用寿命长久 底部加热受SiC抗热板保护 多层保温结构降低能耗炉侧设有排气口，自N 31/H型箱式炉起位于炉后壁 N 7/H - N 17/HR采用台式构造 自N 31/H起配备底部支架 平行导向门向下开启（防止炉门热辐射） 气压弹簧减震器方便炉门开关。

centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150centrotherm Activator 150 高温炉生产线专为硅-碳化合物（SiC）或镓-氮化合物（GaN） 设备的后植入烧结而设计开发。Activator 150 可用于多种类型炉体， 如研发炉和批量生产炉， 且处理灵活性高。centrotherm 的无金属加热装置的独特设计允许处理温度高达 1850 °C 同时缩短了工艺循环时间。由于占据空间小、购置成本低，所以 Activator 150 可实现生产具有成本效益。 特点：高活化率表面粗糙程度最小温度最高达 1850°C批量规模高达 50硅片（150mm）加热率最高达 150 K/min通过SiH4可实现硅“过压 Centrotherm 小批晕生产用垂直炉管CLV200,科研专属 CLV200 小批晕生产用垂直炉管I 适用于砫衬底的半导体集成电路的生产 centrotherm C LV 200 是一个独立的小批量晶圆 生产设备，能实现各项热处理工艺，适用于少量生产及 研发。cent rot herm 工艺反应 腔体及加热系统有着独特的设计， zui高升温至 11 00 摄氏度。由于一炉尺寸较小（一批至多 50 片晶圆）， CLV 200 炉管能提供 非常灵活的常压及低压工艺，降低顾客研发费用。cent rot herm 的设计在高效， 低耗上非常出色， 同时也具备了生产各种半导体器件的工艺灵活性。 常压工艺退火氧化扩散LPCVD PECVD Zui高温度可达 11 00° C净化间占用面积小 [1.6 m叮售 批量生产 100 mm 至200 mm 晶圆售 一批最高可处理 50 片晶圆售 全自动 cassette -to-cassette 传片

红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，极大程度上改善了电阻式加热的弊病，同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。型号红外退火炉IRLA-1200快速退火炉LRTP-1200石墨烯退火炉GRTP-1200产品图片 温度范围RT-1150℃RT-1200℃控温精度±0.1℃≤0.1℃±0.1℃最大升温速率45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)100℃/s（真空，惰性气体）45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)，降到室温20min左右腔体冷却水冷方式、独立冷却源寸底冷却自然冷却氮气吹扫自然冷却测试气氛真空及氩气、氮气等惰性气体样品大小20 x 20 x 2，单位mm（最大）4英寸30 x 30x 4,单位mm处理材料类型薄膜、粉体、块体、液体温度传感器石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶额定功率4x(1KW-110V/根）18x(1KW-110V/根）4x(1KW-110V/根）温度程序模式温度-时间设置，最高256步，32个程序，循环、保温等功能模糊PID逻辑控温，手动/自动开始，USB485连接工艺气路MFC控制，1路(惰性气体)MFC控制，最多4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气)4路(可选氮气、氩气等)外观尺寸420X320X220，单位mm450×625×535，单位mm420X220X320,单位mm质量20.5kg--20.5kg 应用案例：●快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化 ●强诱导体薄膜的结晶化退火 ●注入离子后的扩散退火 ● SiAu, SiAl, SiMo合金化 ●太阳能电池片键合 ●半导体材料的烧成与退火条件研究 ●低介电材料热处 ●晶体化，致密化 ●电极合金化 ●晶向化和坚化 ●石墨烯等气相沉积 ●碳纳米管等外延生长 ●单晶基板热处理 ●去除有机残留和光刻胶残留，降低残余应力 ●电阻烧结

产品简介：GSL-1100X-MGI-16是一款16通道管式炉，针对于高通量样品烧结，退火和淬火使用，其最高温度可达1100℃。每个加热模块都由独立的温控系统控制，每个炉管都是采用真空法兰密封可对样品在真空或气氛保护环境下进行热处理。产品型号GSL-1100X-MGI-16 1100℃ 16通道管式炉（高通量退火&淬火）炉 主要特点管式炉共有16个通道，其炉管尺寸25 OD x 20 ID x 200 L mm 每个加热模块都有独立的温控系统控制，最高温度可加热到1100℃KF25的快接法兰安装在每根石英管上，可使样品在真空或气氛保护环境下进行热处理加热模块有两种工作位置，水平位置用于样品烧结，垂直位置用于样品淬火。炉体可以由水平位置旋转到垂直位置，可以用于金属样品浇注等实验 技术参数1.工作温度：连续工作温度1000℃，最高工作温度：1100℃( 1小时)2.恒温区长度：30mm(温度均匀性+/- 1℃)60mm(温度均匀性+/- 5℃)3.最大升温速率：10 ℃/ min4.控温精度：+/- 1℃,K型热偶（共16根）伸入到每根炉管内部，以达到准确的温度测量和控制 5.炉管：16根，尺寸：25 OD x 20 ID x 200 L mm6.最大可放入样品量：每个通道最大可放入样品量100g7.最大功率13KW，电压：208 - 240V单相, 50/60Hz8.温控系统：16通道有独立的温控系统，所有温度设置都集中在6英寸触摸屏上操作；采用PID方式调节温度，可设置30段升 降温程序带有超温和断偶程序保护 9.真空法兰：KF25快接法兰，上面安装有机械压力表 10.产品尺寸：2350mm L x 690mm W x 1860mm H，900mm L x 660mm W x 1340mm H11.淬火功能加热模块有两种工作位置，水平位置用于样品烧结，垂直位置用于样品淬火 真空泵（可选）可在本公司选购各种真空泵质量认证CE认证所有电器元件（输入电压24V）都通过了UL/MET/CSA认证质保一年质保期，终生维护（不包含炉管、加热元件和密封圈）注意事项炉管内气压不可高于0.02MPa由于气瓶内部气压较高，所以向炉管内通入气体时，气瓶上必须安装减压阀，建议在本公司选购减压阀，本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全当炉体温度高于1000℃时，炉管内不可处于真空状态，炉管内的气压需和大气压相当，保持在常压状态进入炉管的气体流量需小于200SCCM，以避免冷的大气流对加热石英管的冲击石英管的长时间使用温度＜1100℃对于样品加热的实验，不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热，则需时刻关注压力表的示数，若气压表示数大于0.02MPa，必须立刻打开泄气阀，以防意外发生（如炉管破裂，法兰飞出等）

真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1500 ℃，最快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。 应用：• RTA（快速热退火）• RTO（快速热氧化）• 欧姆接触退火• 植入退火• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD• 硒化，硫化• 结晶和致密化 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试； 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选） AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ； AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2个K型热电偶；6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；8、工艺气体气路配质量流量计；9、配置真空泵及真空规；

退火炉产品概述 414退火炉可在校准过程中对铂电阻温度计进行加热、退火和冷却。其*高温度达到1000℃，可适用于所有类型的铂电阻温度计。在炉体内部配有程序控制器，工作过程中可以达到任意指定的温度范围内。退火炉产品参数

v 主要功能：快速热退火，快速热氧化，快速热氮化，扩散，化合物半导体退火，离子注入后退火，电极合金化等v 样片尺寸：8inch，向下兼容，支持不规整样品退火v 退火温度范围：室温~1200 ℃。v 室温到1000度，最快升温速率120 ℃/secondv 全程热电偶测温，不使用高温计，无需额外校准v 退火温度的重复性、准确性 ± 1 ℃v 两路工艺气体，MFC流量计控制，流量为0-5NLMv 可通入氮气、氧气，可以分别通入或者通入混合气体v 可选择真空退火模式，真空度可达10^-6hpav 配置前级泵，抽速3L/s,极限压力4*10-2paSPS SIMATIC 软件控制工艺过程，可编程序不少于50个，且每个程序可编程步骤不少于50步

RTP快速退火炉是一种先进的半导体材料处理设备，其核心功能是通过快速加热和冷却的方式对材料进行高温处理。以下是关于RTP快速退火炉的详细产品介绍： 工作原理RTP快速退火炉的工作原理基于高温加热和快速冷却的过程。首先，将待处理的材料放置在炉腔中，并通过加热元件（如电阻丝、电热棒等）迅速将材料加热至设定的温度范围，通常为400~1300℃。在加热过程中，炉腔内的温度会被精确控制在恒定的数值范围内，以确保材料能够达到所需的退火温度。随后，通过冷却介质（如氮气、水等）将炉腔内的温度迅速降低至室温，从而避免材料再次发生晶粒长大和相变。 主要特点1. **快速加热和冷却**：RTP快速退火炉能够在极短的时间内完成加热和冷却过程，显著提高生产效率。2. **高温精度**：该设备具有高精度的温度控制系统，能够精确控制样品的温度，实现高质量的热处理。3. **均匀加热**：RTP快速退火炉采用先进的加热技术，确保样品在炉腔内均匀受热，避免温度不均匀导致的材料性能不一致。4. **多功能性**：该设备适用于各种材料的处理，包括硅、氮化物、氧化物等，满足不同工艺需求。5. **节能环保**：RTP快速退火炉通常采用节能设计，具有较低的能耗和环保性能。 应用领域RTP快速退火炉广泛应用于半导体制造、电子、光电、材料科学等领域。具体应用场景包括：* MOS器件的源、漏、栅接触改性* 电阻器、电容器的结构、电性能改良* 掺杂、扩散等工艺步骤的快速实现* 低介电常数介质材料的退火等 选择建议在选择RTP快速退火炉时，需要考虑以下因素：1. **温度范围和控制精度**：根据工艺需求确定所需的最高温度和温度控制精度。2. **加热速率和冷却速率**：考虑加热和冷却速率是否满足工艺要求，以确保快速热处理的实现。3. **样品尺寸和数量**：根据样品尺寸和数量选择适合的炉腔尺寸和容量。4. **控制系统和软件**：选择具有稳定可靠的温度控制系统和易于操作的软件界面的设备。5. **能源消耗和环保要求**：考虑设备的能耗情况和环保性能，选择节能环保的设备。6. **品牌和服务**：选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌，确保产品质量和售后服务的可靠性。 结论RTP快速退火炉作为半导体制造过程中不可或缺的设备，其高效、节能和环保的特点使得它在现代半导体工业中得到了广泛应用。随着技术的不断发展，RTP快速退火炉的性能也将不断优化，为半导体产业的进步提供有力支持。

AS-One系统有两种型号： AS-One 100 系统或AS-One 150 系统该快速退火炉是专门为满足大学、研究实验室和小规模生产的需求而研制的，高可靠且性价比高。该工艺室采用贝壳式设计，可完全进入底板，方便装载和卸载基板，并允许实际清洁腔体快速数字PID温度控制器在整个温度范围内提供精确和可重复的热控制。特征：基本尺寸：Up to 直径100 mm (4-inch) for AS-One 100 Up to 直径150 mm (6-inch) for AS-One 150 Small substrates using susceptors工艺腔体运用不锈钢冷腔室壁技术温度范围标准配置：最高达到1250°C高温配置：最高达到1450°C温度控制标准配置：热电偶和高温计用来测量温度快速数字PID温度控制器在可获得精确的和可重复的热控制真空和气体最多可达5路带MFC的工艺气体，一路清洁气体电脑控制全PC电脑控制，每个配方最多100步骤全数据记录与处理历史的人机界面设计选项：石墨托盘/碳化硅涂层托盘/粗真空泵和涡轮泵/快速冷却系统/其他套件应用： ● 快速热退火 ● 快速热氧化 ● 扩散/接触时退火 ● 化合物退火 ● 结晶或致密化我公司专业销售Annealsys产品，并提供Annealsys产品的售前售后服务，如您对Annealsys产品感兴趣，欢迎前来咨询！

超高温高速退火炉 ——在10s 内将15mm×15mm 的试样加热到1800℃ 型号：HT-RTA59HD 产品介绍： 这款桌面式超高温高速退火炉以大功率点聚焦加热以及超高反射效率可以在10s内将15mm×15mm的试样加热到1800℃，对SiC以及其它高熔点材料进行退火处理。 应用： ● SiC氧化膜的生成和激活；● 半导体开发与研究；● 玻璃基板、陶瓷、复合材料等的热处理；● 作为热处理炉对高熔点材料进行热处理；● 陶瓷材料的热冲击测试。 特点：可以在10s内加热到超高温1800℃；可以加热后直接水淬；红外线灯加热提供清洁加热减少灰尘和气体的生成；紧凑的桌面型设计；通过USB与电脑连接，输入温度参数；在加热过程中，在电脑屏幕显示温度。带水淬的型号：CAS-59AQ设备参数： 温度范围室温-1800℃样品尺寸W15mm×L15mm×T1mm样品支架氧化铝或者高纯碳加热氛围多种热电偶JIS B φ0.3 （W-Re可选） 设备结构以及样品支架：

3英寸、4英寸、6英寸、8英寸真空快速退火炉系统。应用：RTA（快速热退火）； RTO（快速热氧化）；注入退火；扩散；化合物半导体退火；渗氮；渗硅； 结晶化与致密化； 特点：适用于2英寸~8英寸晶圆，高可靠性和低拥有成本。不锈钢冷壁腔体技术； 高工艺重复性，超清洁无污染环境、 高冷却速率低记忆效果。 可实现高达10-6 mbar的高真空环境。 高温计和热电偶控制，高速数字PID温度控制器，边缘高温计视点保障了化合物半导体和小样品的基座的加强温度控制。 使用特点：温度范围：RT to 1000°C；斜坡速率：最高200°C/s；气体混合功能：使用质量流量控制器控制；真空范围：大气压～10-6 Torr，可配置分子泵；本系统提供全电脑控制，应用控制软件兼容window系统。

全自动双腔快速退火炉RTP-DTS-8，晶圆快速退火炉产品特点：兼容6-8英寸WAFER；全自动双腔设计，产能提升； 最高温度可达1250℃；超高温场均匀性； 稳定的温度重现性；满足SIC量产化制程需求。行业应用：其他快速热处理工艺；砷化镓工艺；氧化物、氮化物生长；欧姆接触快速合金；硅化物合金退火；氧化回流技术参数最大产品尺寸6-8寸Cassette or smlf2个温度范围室温~1250℃最高升温速度≤30℃/s（载盘）温度均匀度±3℃≤600℃ ±0.5%＞600℃温度控制重复性±1℃腔体数量双腔

卧式6寸两管退火炉供大规模集成电路、MEMS 生产线用做6"硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer 的相应工艺。一、设备结构:1、操作方式:左(右)手操作方式2、硅片尺寸:圆形6寸片3、工艺布局:满足客户工艺要求4、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程5、送取片方式:手动进出舟。6、外形:主机1台，主机架为卧式两管。二、主要技术参数:1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。2、工作温度范围: 上管:600~1400℃ 下管:200~500℃3、恒温区长度及精度:600mm， 上管:800-1400℃.±0.2℃/24h 下管:200-500℃.±0.2℃/24h4、控制方式:由工控机统一管理工艺5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。

真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1500 ℃，最快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。应用：• RTA（快速热退火）• RTO（快速热氧化）• 欧姆接触退火• 植入退火• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD• 硒化，硫化• 结晶和致密化产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；产品标准配置及规格参数：1、样品最大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选） AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ； AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2个K型热电偶；6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；8、工艺气体气路配质量流量计；9、配置真空泵及真空规；

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：&bull 快速热退火&bull 植入退火&bull 欧姆接触退火&bull 快速热氧化（RTO）&bull 快速热氮化（RTN）&bull 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数：1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：• 快速热退火• 植入退火• 欧姆接触退火• 快速热氧化（RTO）• 快速热氮化（RTN）• 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点： 1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

井式真空光亮退火炉主要用于各种机械零件的真空退火，应力消除被广泛应用于各种金属，合金，水晶材质，光亮退火，真空脱气等等。不同的配置，可通入保护气氛进行氮化，渗碳热处理。 　　城池井式真空退火炉使用预抽真空气氛保护工件产品，操作者首先炉抽空到一定程度的真空炉中充满高纯度的氮气或氨分解保护加热，气氛，从而达到少无氧化加热，亮脱碳的目的。由于使用的搅拌风扇，炉具有高的温度均匀性。长期使用的机械部件，硅，铜，铜线等材质均可达到非氧化光亮退火效果。　　井式真空退火炉外壳为井式炉体结构，真空罐体采用进口高品质不锈钢制造，X光探伤绝无漏气。井式真空退火全部自动控制均有安全保护设计，当炉盖开启时自动切断控制电源，炉盖紧闭时才能开始加热，确保操作人员安全。

高压氧气氛退火炉 产品简介德国SciDre公司推出的高压氧气氛退火炉温度可达850°C，压力可达150个大气压。可用于高压晶体生长的料棒前处理。也可用于含氧晶体的高温退火处理。炉体直径15mm，长度200mm，温度均匀。温度、压力可定制更高。应用领域可用于高压晶体生长的料棒前处理。也可用于含氧晶体的高温退火处理。应用案例高压氧气氛退火装置在钙钛矿化合物Nd1-xSrxNiO3材料制备中的应用进展由于平面四边形配位的低价镍氧化物具有跟铜酸盐超导体类似的电子数和轨道杂化特点，因此，自铜氧化物中发现超导电性以来，低价镍氧化物也一直是广大研究人员的研究热点材料之一。尤其，2019年科学家在SrTiO3衬底上生长的Nd1-xSrxNiO2薄膜中观察到了高达15 K的超导电性，这一报道再次引发了人们对无限层RNiO2（R=Nd，La）化合物的兴趣。优质RNiO2相样品的获得对于从实验上研究其物理机理是至关重要的前提条件。目前已报道的RNiO2相的制备方法是通过向Nd1-xSrxNiO3中加入还原剂进而还原得到Nd1-xSrxNiO2。然而，从NiO中得到Nd1-xSrxNiO3相需要将Ni2+提升至Ni3+x，因此其制备过程中必须要采用高压氧气氛。近期，美国阿贡实验室Bi-Xia Wang等人采用溶胶-凝胶和高压退火结合技术合成了钙钛矿化合物Nd1-xSrxNiO3 (x = 0, 0.1 and 0.2)，文献中所使用的高压退火工艺条件为：烧结温度1000°C， 氧压150-160bar。相关成果已发表在Phys. Rev. Materials（DOI: 10.1103/physrevmaterials.4.084409）。在该项研究中，作者使用的高压退火装置即为德国SciDre公司推出的高压氧气氛退火炉，该设备可实现1100°C高温，160bar高压，也可根据用户需求定制更高的温度和压力。同时，该设备也具备多种安全防护机制，可有效保证设备安全运行，是高压晶体生长的料棒前处理和含氧晶体高温退火处理的利器。 德国SciDre 高压氧气氛退火炉装置 参考文献Bi-Xia Wang, Hong Zheng, E. Krivyakina, O. Chmaissem, Pietro Papa Lopes, J. W. Lynn, Leighanne C. Gallington, Y. Ren, S. Rosenkranz, J. F. Mitchell, and D. Phelan, Phys. Rev. Materials, 4, 084409 – Published 21 August 2020.更多应用案例，请您致电 010-85120277/78/79/80 或 写信至 info@qd-china.com 获取。发表文章1. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1-xSrxNiO2 and Nd1-xSrxNiO3 . Phys. Rev. Materials, 4, 084409 – Published 21 August 2020.用户单位美国阿贡实验室

高真空退火炉 产品介绍 目前高温退火炉加热大都为管式炉或马弗炉，原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温速度慢，效率低下，也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热高速冷却时，具有良好的温度分布。可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却，用石英管保护加热式样，无气氛污染。可在高真空，高出纯度气体中加热。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力.同电阻炉和其他炉相比，红外线反射退火炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现温度控制操作！ 设备优势 高速加热与冷却方式 高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 温度高精度控制 过红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以控制样品的温度。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。 不同环境下的加热与冷却 加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 反射炉温度控制装置 高速升温时，配套的快速反应的高真空退火炉控制装置，本控制装置采用可编程温度控制器。高性能设计，响应速度快。 可选配 进口干泵：抽速≥120L/min，极限真空度≤4pa，噪音小于52db； 进口全量程真空规：刀口法兰接口，真空测量范围5X10-7Pa到1atm 为了高速加热、设备采用PID温度控制，同时采用移相触发技术保证试验温度。 根据设备上的温度控制器输入参数，您也可以简单输入温度程序设定和外部信号。另外还可以在电脑上显示热中的温度数据。 自适应热电偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型 可设定32个程序、256个步骤的程序。 30A、60A、120A内置了SCR电路，所以范围很广。 设备配置 序号 项目 数量 品牌 备注 1 炉体 1 华测 温度至1200℃ 2 加热源 1 GE 3 温度控制器 1 华测 4 电热偶 1 omega 5 温控表 1 欧姆龙 6 稳压电源 1 华测 可定制 7 制冷水机 1 同飞 制冷功率 8 分子泵 1 莱宝 CF法兰，抽速≥40L/s，极限真空度优于-0.8Mpa； 更多应用 1.电子材料 半导体用硅化合化的PRA（加热后急速冷却） 热源薄膜形成激活离子注入后硅化物的形成 2.陶瓷与无机材料 陶瓷基板退火炉 玻璃基板退火炉。 陶瓷张力、挠曲试验退火炉。 3.钢铁和金属材料 薄钢板加热过程的数值模拟。 炉焊接模拟 高真空热处理（1000℃以下） 大气气体熔化过程 压力下耐火钢和合金的热循环试验炉 4.复合材料 耐热性评价炉 无机复合材料热循环试验炉 5.其它 高温拉伸压缩试验炉。 分段分区控制炉 温度梯度炉 炉气分析 超导陶瓷退火炉