半导体

半导体恒温系统在选择的时候除了看必要的品牌，其性价比也是我们需要重视的，无锡冠亚半导体恒温系统是集合公司制冷加热控温人才研发出来的，用户在选择半导体恒温系统的时候，需要注意性价比的选择。　　现在，可以说各类的工业生产大多都需要半导体恒温系统来提供专业制冷，一台高效的半导体恒温系统对于各种工业生产都能够提供较大的帮助，那么，到底什么样的半导体恒温系统性价比比较高呢?这可能是不少企业都非常想了解的一个关键性问题？　　半导体恒温系统的不少技术人员认为，在选择半导体恒温系统的时候，一定要注意几个相关的因素。 一台半导体激光器自动温度控制 半导体恒温系统使用费用是否省钱，我们是看它的综合总花费来看：如购买价格，耗电量，维护费，故障检修费等。半导体恒温系统组耗电量都是不同，有的比较省电，有的又比较耗电，所以在选型的时候，一般都会比较是否有耗电大的可能。　　无锡冠亚的半导体恒温系统以科技为中心，应用国际先进技术，不断推陈出新，紧随市场步伐，满足市场需求，坚持从产品的设计、元器件的采购、筛选，到生产工艺流程、包装运输等都严格 ISO9001-2008 国际质量认证要求规范化管理，力求产品精益求精、价格合理、服务满意周到。　　另外，在选择半导体恒温系统的时候，还要考虑到以上因素相关联的一些问题，比如，选择半导体恒温系统还要考虑是否适合用该行业，那么显而易见的是需要半导体恒温系统组的进行多方面了解，除了用电量外，还需要了解维护费用的高低、故障检修的时间设定等等。　　半导体恒温系统的选择，想必大家也心中有数，性价比对于半导体恒温系统来说也是比较重要的，所以我们选择也是很重要的。

半导体气体传感器是利用半导体气敏元件作为敏感元件的气体传感器，是最常见的气体传感器，广泛应用于家庭和工厂的可燃气体泄露检测装置，适用于甲烷、液化气、氢气等的检测。　　分类　　对于半导体气体传感器，按照半导体与气体的相互作用是在其表面还是在其内部，可分为表面控制型和体控制型两种；按照半导体变化的物理性质，又可分为电阻型和非电阻型两种。电阻型半导体气体传感器是利用半导体接触气体时其阻值的改变来检测气体的成分或浓度；而非电阻型半导体气体传感器则是根据对气体的吸附和反应，使半导体的某些特性发生变化对气体进行直接或间接检测。

高精度半导体恒温箱是半导体行业常用的设备之一，作为比较常用的设备，其保养也是相当重要，那么无锡冠亚高精度半导体恒温箱的保养有哪些要点呢？怎么进行保养比较好呢？　　高精度半导体恒温箱由蒸发器出来的状态为气体的冷媒；经收缩机绝热收缩后期，变成高温高压状态，被收缩后的气体冷媒，在冷凝器中，等压冷却冷凝，经冷凝后转变成液态冷媒，再经节流阀膨胀到低压，变成气液混合物。此中低温低压下的液态冷媒，在蒸发器中摄取被冷物资的热量，从头变成气态冷媒，气态冷媒经管道从头进来收缩机，开头新的轮回，这便是高精度半导体恒温箱轮回的四个过程。　　高精度半导体恒温箱密封部位调养，鉴于装配式高精度半导体恒温箱是由若干块保温板拼而成，因而板之间存在必需的间隙，施工中这类间隙会用密封胶密封，为了避免空气和水份进来，因而在利用中对一些密封无效的部位实时修理.　　高精度半导体恒温箱地面调养，通常小型装配式高精度半导体恒温箱的地面利用保温板，利用高精度半导体恒温箱时应为了避免地面存有大量的冰和水，假如有冰，处理时切不可利用硬物敲打，损害地面。　　高精度半导体恒温箱装配完结或长久停用后再次利用，降温的速率要适宜:每日操纵在8-10℃为宜，在0℃时应保留一段时间。　　高精度半导体恒温箱库板调养，留意利用中应留意硬物对库体的碰撞和刮划，鉴于不妨变成库板的凹下和锈蚀，严重的会使库体片面保温功能下降。　　高精度半导体恒温箱的保养是离不开我们操作人员的细心操作，所以，我们在日常操作中也要善待我们的设备，不要太过粗暴。

半导体系统专用高精度控制电源应用在国内半导体行业中，无锡冠亚的半导体系统专用高精度控制电源中每个配件都是很重要的，其中，关于水泵是比较重要，我们也需要对其有一定的认识。　　半导体系统专用高精度控制电源是一类广泛应用于国内工业生产领域的专业制冷设备，在半导体系统专用高精度控制电源中，水泵的运行是否正常对于保证低温半导体系统专用高精度控制电源设备的正常运转是非常重要的，定期对低温半导体系统专用高精度控制电源的水泵进行检测是非常关键的，那么，怎样合理的评估和检测低温半导体系统专用高精度控制电源水泵的情况好呢?　　半导体系统专用高精度控制电源水泵的情况在较大程度上影响着低温半导体系统专用高精度控制电源设备的整体运行。在半导体系统专用高精度控制电源工作的时候，水泵在运行中，应注意检查各个仪表工作是否正常、稳定，特别注意电流表是否超过电动机额定电流，电流过大，过小应立即停机检查。　　另外，半导体系统专用高精度控制电源设备的水泵相关工作系统能够较好的反映半导体系统专用高精度控制电源设备的工作状态。比如，水泵流量是否正常，检查出水管水流情况，根据水池水位变化，估计水泵运行时间，及时与调度联系。同时，还要检查水泵填料压板是否发热，滴水是否正常，每班不得少于八次。　　半导体系统专用高精度控制电源的水泵性能是很关键的，需要我们认真对待，认真保养，只有每个配件的性能都可以的话，半导体系统专用高精度控制电源才能更好的使用。

半导体热沉恒温台是半导体行业进行控温的设备之一，如果降温效果不好的话，就会影响无锡冠亚半导体热沉恒温台的使用，那么有哪些因素影响半导体热沉恒温台的降温效果呢？　　这种情况的发生和半导体热沉恒温台冷量损失大有关。由于半导体热沉恒温台设备、管路的隔热厚度不够或隔热层受到损坏，导致半导体热沉恒温台冷量损失增大，影响降温效果。在半导体热沉恒温台运行中，一旦发现隔热层外表面有湿润或结霜的部位，就说明半导体热沉恒温台隔热材料的厚度不够或已经受潮，这时要及时增加或更换半导体热沉恒温台隔热材料。此外，半导体热沉恒温台蒸发器水箱盖不严密，空气处理室或密封门封条损坏，送风管道及房间门窗泄漏等。都会使冷量损失增大，要及时采取应对措施。　　每一台半导体热沉恒温台安装的时候，在蒸发器以及管道上都会包一层保温棉，以防冷量损失。如果半导体热沉恒温台机组在制冷速度慢的情况下，企业先要检查管道隔热层的厚度是否不够，或者隔热层是否有损坏。一定要记得包保温棉，并且保证厚度足够!　　检查半导体热沉恒温台 制冷系统中是否存在空气。在安装半导体热沉恒温台时，不管是机组内部，还是水泵，或者是管道，不可以存在有空气，哪怕只有一点点空气，那半导体热沉恒温台是无法正常运行的。此外，水泵的内部有一层膜，安装前一定要记得全部撕掉。不然，水没有办法流通或者流通很慢，直接影响半导体热沉恒温台 运行。  　　检查半导体热沉恒温台压缩机的运动部件是否有磨损，或者是间隙增大，导致输气量下降。压缩机是半导体热沉恒温台 的心脏，压缩机一旦出现问题，半导体热沉恒温台无法运转。因此，压缩机的定期检查及保养工作不可忽略。　　半导体热沉恒温台压缩机效率差也是一方面原因。半导体热沉恒温台在长期运行中，运动部件的磨损、配合间隙增大或密封不严，都会使压缩机实际输气量下降，制冷量减小。要检查制冷压缩机。如果维修不好要及时更换。系统内有空气也会导致这一情况的发生。这时排气压力、温度升高，耗电量增加，制冷量下降。  　　半导体热沉恒温台的降温效果和各个因素息息相关，在运行无锡冠亚半导体热沉恒温台的时候尽量避免这些故障为好。

半导体元器件控温设备中，每个配件都有着不同的作用，由于作用不同，无锡冠亚的半导体元器件控温的阀件和控制器的作用也是不同的。　　半导体元器件控温的水泵，是用于加速水流动的工具，以达到加强水在换热器中换热的效果。半导体元器件控温的水流开关用作管道内流体流量的控制或断流保护，当流体流量到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的压力控制器用作压力控制和压力保护之用，机组有低压和高压控制器，用来控制系统的压力的工作范围，当系统压力到调定值时，开关自动切断（或接通）电路。　　半导体元器件控温的压差控制器用作压力差的控制，当压力差到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。半导体元器件控温的温度控制器用作机组的控制或保护，当温度到达调定值时，开关自动切断（或接通）电路。在我们的产品上，温度的控制常用到，用水箱温度来控制机组的开停机情况。还有些象防冻都需要用到温度控制器。　　半导体元器件控温视液镜用于指示制冷装置中液体管路的制冷剂的状况、制冷剂中的含水量、回油管路中来自油分离器的润滑油的流动状况，有的视液镜带有一指示器，它通过改变其颜色来指出制冷剂中的含水量。（绿色表示干燥，黄色表示潮湿）。因温度变化而引起水的体积变化，膨胀水箱用来贮存这部分膨胀水，对系统起稳压定压的作用，能给系统补偿部分水。　　半导体元器件控温是一项比较新的设备，性能上面要求高一点才能使得半导体元器件控温的运行更加稳定。

1．什么是导体、绝缘体、半导体？ 容易导电的物质叫导体，如：金属、石墨、人体、大地以及各种酸、碱、盐的水溶液等都是导体。 不容易导电的物质叫做绝缘体，如：橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷、纯水、油、空气等都是绝缘体。 所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。如：硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等。半导体大体上可以分为两类，即本征半导体和杂质半导体。本征半导体是指纯净的半导体，这里的纯净包括两个意思，一是指半导体材料中只含有一种元素的原子；二是指原子与原子之间的排列是有一定规律的。本征半导体的特点是导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化。杂质半导体是指人为地在本征半导体中掺入微量其他元素（称杂质）所形成的半导体。杂质半导体有两类：N型半导体和P型半导体。2．半导体材料的特征有哪些？ （1） 导电能力介于导体和绝缘体之间。 （2） 当其纯度较高时，电导率的温度系数为正值，随温度升高电导率增大；金属导体则相反，电导率的温度系数为负值。 （3） 有两种载流子参加导电，具有两种导电类型：一种是电子，另一种是空穴。同一种半导体材料，既可形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。 （4） 晶体的各向异性。

半导体晶片温度控制是目前针对半导体行业所推出的控温设备，无锡冠亚半导体晶片温度控制采用全密闭循环系统进行制冷加热，制冷加热的温度不同，型号也是不同，同时，在选择的时候，也需要注意制冷原理。　　半导体晶片温度控制制冷系统运行中是使用某种工质的状态转变，从较低温度的热源汲取必需的热量Q0，通过一个消费功W的积蓄过程，向较热带度的热源发出热量Qk。在这一过程中，由能量守恒取 Qk=Q0 + W。为了实现半导体晶片温度控制能量迁移，之初强制有使制冷剂能达到比低温环境介质更低的温度的过程，并连续不断地从被冷却物体汲取热量，在制冷技巧的界线内，实现这一过程有下述几种根基步骤:相变制冷:使用液体在低温下的蒸发过程或固体在低温下的消溶或升华过程向被冷却物体汲取热量。平常空调器都是这种制冷步骤。气体膨胀制冷:高压气体经绝热膨胀后可达到较低的温度，令低压气体复热可以制冷。气体涡流制冷:高压气体通过涡流管膨胀后可以分别为热、冷两股气流，使用凉气流的复热过程可以制冷。热电制冷:令直流电通过半导体热电堆，可以在一端发生冷效应，在另一端发生热效应。　　半导体晶片温度控制在运行过程中，高温时没有导热介质蒸发出来，而且不需要加压的情况下就可以实现-80～190度、-70～220度、-88～170度、-55～250度、-30～300度连续控温。半导体晶片温度控制的原理和功能对使用人员来说有诸多优势： 因为只有膨胀腔体内的导热介质才和空气中的氧气接触（而且膨胀箱的温度在常温到60度之间），可以达到降低导热介质被氧化和吸收空气中水分的风险。　　半导体晶片温度控制中制冷原理上如上所示，用户在操作半导体晶片温度控制的时候，需要注意其制冷的原理，在了解之后更好的运行半导体晶片温度控制。

半导体制冷温度控制系统是无锡冠亚针对半导体行业推出的新型设备，用户在选择半导体制冷温度控制系统的时候，需要考虑半导体制冷温度控制系统主要的性能，设计以及其他，才能更好的选择半导体制冷温度控制系统。　　半导体制冷温度控制系统的选用应当依照冷负荷以及准备用于哪方面来思忖。对于低负荷运行工况时间较长的制冷系统，适合选择多机头活塞式压缩机组或螺杆式压缩机组，便于调理和节能，也就是我们常说的双机头半导体制冷温度控制系统，可随着负荷的变化，半导体制冷温度控制系统组自动确定开机的数量，保证开启的压缩机处于工作状态，从而有效节约电能。　　选用半导体制冷温度控制系统时，优先考虑性能系数值较高的机组。依照以往资料统计，正常半导体制冷温度控制系统组整年下运行时间约占分运行时间的1/4以下。因此，在选用半导体制冷温度控制系统组时应优先考虑效率曲线比较平坦的半导体制冷温度控制系统型号。同时，在设计选用时应考虑半导体制冷温度控制系统组负荷的调节范围，半导体制冷温度控制系统组部分负荷性能优良，可根据工厂实际情况选用半导体制冷温度控制系统。　　选用半导体制冷温度控制系统时，应当留意该型号半导体制冷温度控制系统的正常工作范畴，主要是电机的电流限值是表面工况下的轴功率的电流值。　　半导体制冷温度控制系统在选择上无非就是性能、品牌以及价格，在选择合适的半导体制冷温度控制系统的时候，尽量选择高性能的半导体制冷温度控制系统，这样运行更加稳定。

半导体（材料及技术）的发展非常迅猛，如“光伏”太阳能电池，LED半导体照明灯，高光率节能三基色荧光灯等，国家大力提倡节能减排，保护环境，这也是人类长远规划的目的，试着开设“半导体”子版看看人气如何，请版主审查。

请问如何获得各种半导体的带宽及能带位置,有无手册可查询?

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz Pc1W)、A-高频大功率管（f3MHz Pc1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。　　第四部分：用数字表示序号　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管　　二、日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　三、美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。　　四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。　　第一部分：O-表示半导体器件　　第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

半导体激光器又称激光二极管（LaserDiode，LD），是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外，半导体激光器采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低。目前，半导体激光器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域，过去常用的其他激光器，已逐渐被半导体激光器所取代。此外，半导体激光器品种繁多，既有波长较长的红外、红光，也有波长较短的绿光、蓝光，可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围， 提高测量精度。早期的半导体激光器激光性能受温度影响大，光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之间 )，所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展，目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平，光束质量也有了很大提高，因此世界上大多数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源，半导体激光器用作激光粒度仪的光源时，在控制电路上须采取恒流和恒温措施，以保证输出功率的稳定。

图解半导体制程概论来自：《电子技术应用》博客 作者：光子http://blog.chinaaet.com/detail/17334.html介绍：基本介绍了所有的电子元器件的工作原理和工作特性。对电路的理解非常有帮助。 【半导体】具有处于如铜或铁等容易导电的【导体】、与如橡胶或玻璃等不导电的【绝缘体】中间的电阻系数、该电阻比会受到下列的因素而变化。如： 杂质的添加·温度 光的照射·原子结合的缺陷 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9058894285301.jpg █ 半导体的材料 硅(Si)与锗(Ge)为众所周知的半导体材料.这些无素属于元素周期素中的第IV族,其最外壳(最外层的轨道)具有四个电子.半导体除以硅与锗的单一元素构成之处,也广泛使用两种以上之元素的化合物半导体. ●硅、锗半导体 （Si、Ge Semiconductor) 单结晶的硅、其各个原子与所邻接的原子共价电子（共有结合、共有化）且排列得井井有条。利用如此的单结晶，就可产生微观性的量子力学效果，而构成半导体器件。 ●化合物半导体 (Compound Semiconductor) 除硅（Si)之外，第III族与第V族的元素化合物，或者与第IV族元素组成的化合物也可用于半导体材料。 例如，GaAs（砷化镓）、 Gap（磷化砷）、 AlGaAs（砷化镓铝）、 GaN（氮化镓） SiC（碳化硅） SiGe（锗化硅）等均是由2个以上元素所构成的半导体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059051067700.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059206133119.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059290682905.jpg █ 本征半导体与自由电子及空穴 我们将第IV族（最外层轨道有四个电子）的元素（Si、Ge等），以及和第IV族等价的化合物（GaAs、GaN等），且掺杂极少杂质的半导体的结晶，称之为本征半导体（intrinsic semiconductor）。 ●本征半导体（intrinsic semiconductor） 当温度十分低的时候，在其原子的最外侧的轨道上的电子（束缚电子（bound electrons）用于结合所邻接的原子，因此在本征半导体内几乎没有自由载子，所以本征半导体具有高电阻比。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059490838355.jpg ●自由电子（free electrons） 束缚电子若以热或光加以激发时就成为自由电子，其可在结晶内自由移动。 ●空穴（hole） 在束缚电子成为自由电子后而缺少电子的地方，就有电子从邻接的Si原子移动过来，同时在邻接的Si原子新发生缺少电子的地方，就会有电子从其所邻接的Si原子移动过来。在这种情况下，其与自由电子相异，即以逐次移动在一个邻接原子间。缺少电子地方的移动，刚好同肯有正电荷的粒子以反方向作移动的动作，并且产生具有正电荷载子（空穴）的效力。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059632324179.jpg █ 添加掺杂物质的逆流地导体与电子及空穴 将第V族的元素（最外层的轨道有五个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会形成1个自由电子且成为N型半导体。 将第Ⅲ族的元素（最外层的轨道有三个电子）添加在第IV族的元素的结晶，即会产生缺少一个电子的地方且成为P型半导体。 ●N型半导体（N type Semiconductor） N型半导体中，自由电子电成为电流的主流（多数载了），并将产生自由电子的原子，称为“施体（donor）“。施体将带正电而成为固定电荷。不过也会存在极少的空穴（少数载子）。 作为N型掺杂物质使用的元素有：P 磷；As 砷；sb 锑 ●P型半导体（P type Semiconductor） 在P型半导体中，空穴成为电流的主流（多数载子），并将产生空穴的原子，称为“受体（acceptor）”。受体将带负电而成为固定电荷。不过也会存在极少的自由电子（少数载子）。 作为P型掺杂物质使用的元素有：B 硼；in 锌 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059887851531.jpg http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9059983012447.jpg █ 漂移电流及扩散电流 流动于半导体体中的电流有两种：漂移电流与扩散电流。MOS型半导体中漂移电流起着很重要的作用，而双极型半导体中扩散电流的作用很重要。 ●漂移电流（drift current） 与电阻体（哭）相同，由于外加电压所产生的电场，因电子和空穴的电性相吸引而流动所产生的电流。场效应管（FET）内流动的电流称为漂移电流。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060152592260.jpg ●扩散电流（diffusion current） 将P型半导体与N型半导体接合且加电压。如电子从N型半导体注入到P型半导体，而空穴从P型半导体注入到N型半导体，即电子和空穴因热运动而平均地从密度浓密的注入处移动到密度稀薄的地方。以这样的结构所流动的电流称为扩散电流。在双极性（双载子）晶体管或PN接合二极管，扩散电流为主体。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060288624919.jpg █ PN接合和势垒 在接合前，由于P型半导体存在与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体存在与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。将这样的P型半导体和N型半导体接合就会产生势垒。 ●接合前为中性状态 接合前，在P型半导体存在着与受体（负离子化原子）同数的空穴，而N型半导体即存在着与施体（正离子化原子）同数的电子，并在电性上成为电中性。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9060451806881.jpg ●空乏层与势垒（depletion layer＆potential barrier） 将P型与N型半导体接合时，由于P型与N型范围的空穴及电子就相互开始向对方散。因此在接合处附近，电子和空穴再接合后就仅剩下不能移动的受体与施体。该层称为“空乏层”。由于该空乏层会在PN接合部会产生能差，故将该能差称为“势垒”。 http://files.chinaaet.com/images/2011/03/05/9062912097902.jpg █ PN接合面的电压及电流特性 如外加电压到PN接合处，使电流按照外加电压的方向（正负极）流通或不流通。这是二极管基本特性。 ●外加正相电压到PN接合面 从外部在减弱扩散电位的方向（正极在P型而负极在N型）外加电压时，PN接合面的势垒就被破坏了，空穴流从P型半导体注入N型半导体，电子流则从N型半导体注入P型半导体，而扩散电流得以继续流动。电流流动的方向就称为“正向”。 http://files.china

[font=&]半导体激光器又称激光二极管（LaserDiode，LD），是二十世纪八十年代半导体物理发展[/font][font=&]的最新成果之一。[/font][font=&]半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外，半导体激[/font][font=&]光器采用低电压恒流供电方式，电源故障率低、使用安全，维修成本低。目前，半导体激光[/font][font=&]器的使用数量居所有激光器之首，某些重要的应用领域，过去常用的其他激光器，已逐渐被[/font][font=&]半导体激光器所取代。此外，半导体激光器品种繁多，既有波长较长的红外、红光，也有波[/font][font=&]长较短的绿光、蓝光，可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围， 提高测量精度。[/font][font=&]早期的半导体激光器激光性能受温度影响大，光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之[/font][font=&]间 )，所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展，[/font][font=&]目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平，光束质量也有了很大提高，因此世界上大多[/font][font=&]数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源，半导体激光器用作激光粒度仪的光源时，[/font][font=&]在控制电路上须采取恒流和恒温措施，以保证输出功率的稳定。[/font]

小弟是刚入门半导体材料行业，对于材料的物理测试不是很清楚！？ 不知道那位大虾能否指导下关于少数寿命，电阻率，PB含量的测试？有没有关于方法与资料？？那个公司的仪器比较好？

半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展，芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而，芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障，这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题，半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成，包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析：1.失效分析如果芯片出现了故障，失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试，如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等，以找出故障根源，如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制，以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验，如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室（简称：北软检测）成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析，可靠性测试，安全验证等。主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测（2D X-ray，3D X-ray）、超声波扫描显微就（SAT）、缺陷切割观察系统（FIB系统）、体式显微镜、金相显微镜、研磨台（定点研磨，非定点研磨，封装研磨）、激光黑胶层取出系统（自动decap，laser decap）、自动曲线追踪仪（IV）、切割制样模块、扫描电镜（SEM）、能谱成分分析（EDX）、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址：北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人：赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术，可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年，是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果，并不断引入先进的设备和技术，为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备，能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台，依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源，致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代，针对集成电路芯片的失效问题，建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析，如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代，主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面，该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如，该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法，推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期，由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导，主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外，该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队，能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所，能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台，提供专业的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学，其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器，为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持，结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备，可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务，包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室，随着技术的不断更新和进步，相信未来将会涌现更多实验室，并且实验室之间也将进行更多的协作与交流，加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才，可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作，并为客户提供专业的技术支持和服务。此外，在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室，如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才，还通过与多家知名公司合作，积累了丰富的经验和数据资源。同时，这些实验室还开展了大量的研究工作，不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之，半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍，可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况，为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

半导体恒温器中配件比较多，除了压缩机、换热器、蒸发器、膨胀阀等主要配件之外，储液器、油气分离器、干燥过滤器等也是比较重要的，那么，这三种配件在半导体恒温器众的作用有哪些呢？　　油气分离器安装在压缩机和冷凝器之间，压缩机的排气是制冷剂和润滑油的混合气体，通过油分离器的较大的腔体减速，雾状的油就会聚集在冲击的表面上，当聚集成较大的油滴后，流向油分离器的底部，并通过回油装置返回压缩机。　　半导体恒温器的过滤器的作用是为了防止制冷剂里含有水分或由于不可减少的元素等原因使系统里进入水分，当从冷凝器出来的高温液体进入膨胀阀后，液体的温度会大幅度的下降，一般都在零度以下，这时如果系统里含有水分的话，由于膨胀阀通过的截面很小，就会易出现冰堵的现象，影响系统的正常的运行。　　制冷系统中的高压储液器（也称储液筒）是装在冷凝器和膨胀阀之间的，它的功能可归纳为以几个方面，储存冷凝器的凝液，避免凝液在冷凝器中积存过多而使传热面积变小，影响冷凝器的传热效果，在蒸发负荷增大时，供应量也增大，由储液器的存液补给；负荷变小时，需要液量也变小，多余的液体储存在储液罐里。因为出液管是插在液面下，故可防止高压侧的蒸汽和不凝性的气体进入低压侧。同时，储液器也起到过滤和消音的作用，储液器的形式有多种，有单向和双向之分；有一出口和两出口之分；有立式和卧式之分。　　半导体恒温器是目前半导体行业制冷加热控温要求中使用比较多的设备，性能的要求不言而喻，所以，建议向专业厂家购买。

请问哪位大哥大姐有半导体计数器的资料吗，小弟急需？[em06] [em06] [em06] [em06] [em06] [em06]

半导体行业，主要是做形貌观察和成份分析的用什么电镜好？ 日本电子排除，谢谢！

半导体行业加工精密部件，安装曝光机等设备后，怎么测试设备振动对工作环境的影响？

2023年，全球半导体行业仍处于周期底部，导致上游半导体设备产业市场需求出现小幅萎缩，但在国产替代的黄金浪潮推动下，北方华创预计2023年营收为209.7亿至231亿元，成为首家闯入全球TOP 10的中国半导体设备厂商。根据各半导体设备公司公布的财报数据及营收预测，笔者整理了全球前十大半导体设备供应商的销售数据及排名显示，荷兰光刻机巨头荷兰阿斯麦（ASML）2023年营收增长30%，以276亿欧元的销售额，超越美国应用材料（AMAT）排名第一；美国应用材料以265.2亿美元（截至2023年10月29日）的收入排名第二；美国泛林（LAM）以143.17亿美元（截止2023年12月24日）的营收排名第三；日本东京电子（TEL）预估今年度（2023年4月-2024年3月）合并营收目标为1.73万亿日元，排名第四；美国科磊（KLA）预计营收为96亿美元排名第五。[align=center][img=,500,305]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/ed0a3679-2e74-40c4-a72d-bbbb8cee571e.jpg[/img][/align]注：（1）鉴于汇率的变化，以及各半导体企业的财报统计的起止时间上有差异，笔者尽量统计各大企业2023年自然年度的营收，难以拆分的数据则为2022/23年的总营收。（2）上述企业财务数据为整体业务收入，并未拆分出半导体设备业务收入，且部分厂商为预测数据，取中位数计算。因此，上述数据难以详尽，仅供大家参考。从上述数据来看，在业务体量方面，尽管除ASML大幅增长和应用材料小幅增长外，泛林、东京电子、科磊都出现了不同程度的下滑，但上述Top 5的地位基本难以撼动，门槛接近百亿美元的范畴。而排在第六位的日本迪恩士（Screen）预计2023财年销售额为5000亿日元，换算为美元仅科磊的三分之一，日本爱德万（Advantest）预计2023财年销售额为4700亿日元，排名第七。排名第八至第十的分别为中国北方华创、荷兰ASMI和美国泰瑞达（Teradyne）。值得注意的是，得益于国内旺盛的市场需求，北方华创预计2023年营收为209.7亿至231亿元，其增长幅度达42.77%至57.27%，远超其他半导体设备企业，也是首次闯入全球TOP 10的中国半导体设备厂商。由上可知，进入全球前十大半导体设备企业的营收门槛约为26.7亿美元。另外，从前十大半导体设备厂商总部的所属地区来看，美国占4家；日本占3家；荷兰2家；中国大陆1家。由此也可以看出，美国、日本、荷兰在半导体设备领域的强势地位，而中国大陆企业正在逐步突围。[来源：集微网][align=right][/align]

谁有SEM在半导体中的应用，分享一下！谢谢！

半导体制冷温度控制系统是无锡冠亚针对半导体行业推出的新型设备，用户在选择半导体制冷温度控制系统的时候，需要考虑半导体制冷温度控制系统主要的性能，设计以及其他，才能更好的选择半导体制冷温度控制系统。　　半导体制冷温度控制系统的选用应当依照冷负荷以及准备用于哪方面来思忖。对于低负荷运行工况时间较长的制冷系统，适合选择多机头活塞式压缩机组或螺杆式压缩机组，便于调理和节能，也就是我们常说的双机头半导体制冷温度控制系统，可随着负荷的变化，半导体制冷温度控制系统组自动确定开机的数量，保证开启的压缩机处于工作状态，从而有效节约电能。　　选用半导体制冷温度控制系统时，优先考虑性能系数值较高的机组。依照以往资料统计，正常半导体制冷温度控制系统组整年下运行时间约占分运行时间的1/4以下。因此，在选用半导体制冷温度控制系统组时应优先考虑效率曲线比较平坦的半导体制冷温度控制系统型号。同时，在设计选用时应考虑半导体制冷温度控制系统组负荷的调节范围，半导体制冷温度控制系统组部分负荷性能优良，可根据工厂实际情况选用半导体制冷温度控制系统。　　选用半导体制冷温度控制系统时，应当留意该型号半导体制冷温度控制系统的正常工作范畴，主要是电机的电流限值是表面工况下的轴功率的电流值。　　半导体制冷温度控制系统在选择上无非就是性能、品牌以及价格，在选择合适的半导体制冷温度控制系统的时候，尽量选择高性能的半导体制冷温度控制系统，这样运行更加稳定。

半导体芯片高低温测试机在运行的过程中，每个配件的性能都是很关键的，无锡冠亚的半导体芯片高低温测试机中真空泵一旦发生故障的话，就需要及时维修以及保养，这些都是不可少的。　　半导体芯片高低温测试机真空泵完好标准是机体整洁，零部件完整齐全，质量符合要求。真空表、电流表等仪表齐全、灵敏、准确，并有定期检验标志。基础稳固可靠，地脚螺栓和各部螺栓连接紧固、齐整，丝扣外露长度符合规定。管线、阀门等安装合理，标志分明，符合要求。各零部件的安装间隙应达到规定要求。半导体芯片高低温测试机真空泵运行性能要求要注意半导体芯片高低温测试机的润滑良好，油质符合要求，实行“五定”，设备运转平稳无杂音，其振动和噪声不应超过有关规定，设备负荷运转时，温度、压力、流量、电流等参数应符合相关标准。　　半导体芯片高低温测试机真空泵设备及环境要求需要注意泵体清洁，外表无尘灰、油垢。基础底座表面及周围无积水、废液及其他杂物等。阀门及管件接头等处不得有泄漏。填料密封处泄漏不超过规定。　　半导体芯片高低温测试机真空泵日常维护需要注意半导体芯片高低温测试机周围环境应保持清洁、干燥，通风良好，检查冷却水路是否畅通，检查各润滑部位的润滑油是否符合规定。每班必须检查各部紧固螺栓，不得有松动现象，经常检查真空罐中的液位是否正常有效，并进行必要紧固。随时检查真空表、电流表的读数是否正常。随时注意观察半导体芯片高低温测试机运转有无异常声响或振动，必要时可报告有关部门进行状态。操作人员必须严格按《操作规程》进行操作，巡回检查发现问题必须及时处理。　　半导体芯片高低温测试机中真空泵的故障解决也是影响整个半导体芯片高低温测试机运行的效果的，以及后期真空泵的保养也是很重要的，这些都是不可忽视的，望悉知。

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由于使用场所禁止易燃易爆气体，所以不能选用FID检测器。但是TCD的灵敏性距检测要求略低，因此打算采用半导体检测器。请各位前辈指点1、2，帮忙推荐几种性能比较稳定的半导体检测器。