一,Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nmSi雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿;隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响;APD温度补偿提高探测模块的稳定性。Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nm ,Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nm通用参数产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源产品应用光纤传感纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAPD-100M-BBAPD-200M-BBAPD-300M-BBAPD-400M-BBAPD-500M-BBAPD-1G-BBAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050ΩNEP0.180.180.180.180.180.180.2pW/√(Hz)输出耦合方式 DC/AC DC/AC DC/AC DC/AC DC AC AC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm二, Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nmSi雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿;隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响;APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm,Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm通用参数产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源产品应用光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号APD-100M-BAPD-200M-BAPD-300M-BAPD-400M-BAPD-500M-BAPD-1G-BAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050Ω饱和功率13131313131330uWNEP0.180.180.180.180.180.20.2pW/√(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mm三,硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz)光电探测器是一种额定带宽,固定增益的光电探测器,用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入,输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔,可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈,这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用,可以方便适配外部光学部件,如滤光片,衰减片,镜头,FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源,该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz),硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz)通用参数产品特点:低噪声,小于±lmV过冲小,过冲电压小于2.5%增益稳定:增益误差小于1%暗偏置电压输出噪声:小于ImV (rms)应用领域:&bull 显示面板检测&bull LED照明频闪分析&bull 玩具灯闪烁频率及功率测量&bull 气体分析参数PN#PDAM005B-SiPDAM36A5B6G-SIPDAM20A6B4G-InGaAs电器特性输入电压±9VDC, 60mA±9VDG 100mA±9VDC. 100mA探头Silicon PINSilicon PINInGaAs PIN感光面2.65mm * 2.65mm3.6mm * 3.6mmDiameters@2 mm波长400 nm - 1100 nm320 nm - 1100 nm800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可选扩展) 2600nm)峰值响应0.62A/W @850nm0.6 A/W @960nm0.9 A/W@1550nm43.6mV/uW @850nm1 mV/nW @960nm9mV/uW@1550nm饱和光功率113pW@ 850nm (Hi-Z)6uW @960nm (Hi-Z)660 uW@1550nm (Hi-Z)带宽DC &bull -5MHzDC - 200kHzDC - 5MHzNEP7.2 pW/4HZ1/22.2 pW/HZ1/264.5 pW/HZ1/2输出噪声(RMS)700 uV1 mV ・ typ1.3 mV .typ暗电流偏置(MAX)±5 mV±1 mV±5 mV上升沿/下降沿(10%—90%)65 ns1.7 us68ns输出电压Hi-Z0- SV (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)5000 &bull 2.5V (50ohm)0 &bull 25V (50ohm)0 &bull 25V (50ohm)增益倍数Hi-Z67.5 kV/A1.68 MV/A10 kV/A50033.8 kV/A0.84 MV/A5kV/A增益精度(typ)±1%±1%±1%其他参数拨动开关拨动开关拨动开关输出接口BNCBNCBNC尺寸53*50*50mm53*50*50mm53*50*50mm重量150g150g150g操作温度10-50deg10-50deg10-50deg存储温度・ 25°C - 70°C-25°C - 70°C-25°C - 70°C 硅基光电探测器,带放大,固定增益,型号参考目录波长带宽上升时间增益RMS噪声NEP感应面积工作温度电源Hi-Z 负载50Ω 负载PDA12A8B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 140MHz2.5 nS1*104 V/A5*103 kV/A850µ V .typ2*10-11 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含(±9V)PDA12A7B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 50MHz7 nS5*104 V/A2.5*104 kV/A800µ V .typ6.3*10-12 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含(±9V)PDA25A6B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 5MHz68 nS1*105 V/A5*104 V/A700µ V .typ5.3*10-12 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含(±9V)PDA36A5B6G-VIS320 - 1100 nmDC - 200KHZ1.7 µ S1.68*106 V/A8.4*105 V/A1mV .typ2.2*10-12 W/√HZ3.6mm*3.6mm10-50℃包含(±9V)PDA25A4B8G-VIS400 - 1100 nmDC - 20KHZ18 µ S1*108 V/A—1.5mV .typ1.8*10-13 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含(±9V)四,硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nmAPD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nm,硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nm通用参数特点使用高灵敏度Si APD。有四种类型,具有不同的光谱响应范围和感光区域。针对APD评估优化的高灵敏度检测板。APD和高速电流电压放大器电路安装在紧凑的电路板上。高速电流-电压放大器电路具有低噪声配置,是APD信号读出的理想选择,工作速度快,灵敏度高。易于操作,单个5 V电源操作内置温度补偿偏置电压电路通过热传感器控制偏置电压,以保持APD增益恒定。增益稳定到±2.5%典型值。在25±10°C的环境温度下,通常高压电源固有的波纹噪声也被最小化。小巧轻便电路板大小不超过名片大小,重量仅37克。定制设计的模块具有不同的尺寸和规格产品应用APD评估空间透光条形码阅读器激光雷达光学测距仪光通信型号参考 Type no.感光面积(mm)频率带宽-3 dB(Hz) Type of APD峰值灵敏度波长(nm)C12702-03&varphi 1.04 k to 100 MStandard type800C12702-04&varphi 3.04 k to 80 MC12702-11&varphi 1.04 k to 100 MShort-wavelength type620C12702-12&varphi 3.04 k to 40 M注意:装运前,增益(M)预设为30。(Note: Gain (M) is preset to 30 prior to shipping.)结构/绝对最大额定值 Type No. 感光面积(mm) 电源电压 VCurrent consumption (mA)消耗电流 电路板尺寸 (mm) 输出阻抗 (Ω)Weight (g)Absolute maximum ratings绝对最大额定值Supply voltage(V)Maximum Incident light level(mW)最大入射光水平工作温度Topr(°C)储存温度Tstg(°C)Min.Typ.Max.Typ.Max.C12702-03&varphi 1.0 +4.75 +5 +5.25 +50 +80 80 × 50 × 22 50 37 +7 10 0 to +60 -20 to +70C12702-04&varphi 3.0C12702-11&varphi 1.0C12702-12&varphi 3.0注:即使是暂时超过绝对最大额定值,也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值范围内使用产品。电气和光学特性(典型Ta=25°C,Vcc=5 V,除非另有说明)光电转换器部分(APD) Type No.光谱响应范围λ(nm)峰值灵敏度波长λp(nm)光敏性 SM=1 (A/W)增益温度稳定性*1 25 °C ± 10 °C, M=(%)λ=800 nmλ=620 nmTyp.Max.C12702-03400 to 10008000.5- ±2.5 ±5C12702-04C12702-11200 to 1000620-0.42C12702-12高速放大器部分 Type No截止频率-3 dB噪声等效功率NEP(pW/Hz1/2) 反馈电阻(kΩ) 光电灵敏度*1including APD, M=30 (104 V/W) 最小定向限制 (nW rms)High bandLow bandλ=800 nmλ=620 nmMin. (MHz)Typ. (MHz)Min. (kHz)Typ. (kHz)Typ.Max.Typ.Max.Min.Typ.Max.Min.Typ.Max.C12702-0390100 3 40.30.6--9.1-6.4-6.8-7.1-3.06.0C12702-0470800.40.8--3.0-2.1-2.3-2.4-3.67.2C12702-1190100--0.51.03.9-2.3-2.5-2.7-5.010.0C12702-123040--1.02.03.0-1.8-1.9-2.0-6.312.6*1: 装运前,增益预设为30。(*1: Gain is preset to 30 prior to shipping.)五, SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mmC3A系列光电检测模块将光电二极管,放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建,也适用于在用户产品中进行集成。模块安装方便,并可实现光路的密封。模块可使用宽范围正负电源进行工作,模块内部含有线性整流电路以降低输入噪声并提高信噪比。系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管,诸如Si或InGaAs。 采用1 mm2 硅光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。 SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm,SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm技术参数产品特点● 尺寸小巧● 4个φ6mm通孔实现同轴安装● 可实现光密和气密● 多种传感器选择● 可切换的20dB增益● 宽电源输入: ±5至±20V产品应用● Q调制激光器监控● 锁模激光器输出监控● 微弱可见光探测器项目数值光电探测器Si探测器光敏面大小φ1.2mm (1.1 mm2)光学窗口Plane borosilicate glass响应波长范围320 – 1100nm峰值波长960nm灵敏度0.45A/W @660nm 0.55A/W @830nm方向性±60º NEP6*10-15 W/Hz1/2工作带宽0 ~ 25MHz跨阻增益50k V/A @ 0dB Gain500k V/A @20dB Gain输出电压范围0~+3V (into Hi-Z)0~+1.5V (into 50Ω)输出阻抗50Ω输入工作电压V+: +5 ~ +20VV- : -5 ~ -20V工作温度10~50 º C最大压力差±50kPa响应光谱C3A-S1010光电探测器尺寸
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