AGSe 硒镓银(AgGaSe2)NIR-IR近红外非线性晶体
AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料,对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 ' AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦,AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生,应用波长可达到中红外的17 μm。技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, μm0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/Vd36 = 39.5 @10,6 μm 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 μm5.3 μmno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 μm0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 μm) 对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。