硅传感器

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硅传感器相关的厂商

  • 安徽天光传感器有限公司创建于1991年,占地面积22000平方米。主要研发、生产、销售:称重传感器,电力覆冰检测传感器,扭矩传感器,拉力传感器,轴销传感器,压力传感器,拉压力传感器以及相配套测控仪表等产品。二十多年来天光不断吸取国内外的先进技术,引进国外领先的设备与工艺,学习与吸收现代企业管理理念,先后研发、生产了百余种测力传感器及配套仪器仪表,产品广泛应用于军工、航空航天、油田、交通、医药、冶金建材、教学等行业的计量与自动化过程中的检测等方面,其半导体应变计的生产工艺、设备及产量为国内领先,已申报发明专利。2008年我公司荣幸为北京奥运会主体育场鸟巢提供专用传感器,并获得好评。 陈圆圆180 5523 0933
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  • 湖北五岳传感器有限公司是中国第一支高温熔体压力传感器的诞生公司,成立20多年来,一直专注于PT111系列、PT124系列、PT131、PY1366B、PT167B系列传感器,压力传感器,压力变送器,高温压力传感器,熔体压力传感器,流体压力传感器,高温熔体压力传感器,高温熔体压力变送器,挤出机熔体压力传感器,化纤挤出机压力传感器,橡胶挤出机压力传感器,塑料机械熔体压力传感器,工业熔体压力传感器,和PY909、PY208、PY508、PY600、PY708系列高温熔体压力传感器智能数字显示压力仪表的开发,研制,销售及工程配套。是国内替代同类进口高温熔体压力传感器产品的最大生产商。五岳牌高温熔体压力传感器,变送器系列及高温熔体压力传感器智能数显仪表等产品在塑料,化纤,橡胶,石化等诸多工业门类的应用始终居于领导地位。五岳系列高温熔体压力传感器、高温熔体压力变送器、智能数字显示压力仪表还出口到东南亚、港澳台、韩国、中东及世界其它地区。同时维修美国DYNISCO意大利GEFRAN的同类高温熔体压力传感器产,提供关于各类高温熔体压力传感器的技术支持、使用维护!湖北五岳传感器有限公司荣誉榜:在中国制造出:第一支高温熔体压力传感器;第一支超高温熔体压力传感变送器;第一支**高温熔体压力传感器;第一台**高温熔体压力表;第一支高温熔体压力变送器;第一家与国际著名挤出业龙头企业合作的公司。
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  • 福建省莆田市衡力传感器有限公司是一家集专业高精度传感器研发、设计、生产、销售为一体的传感器制造厂家。 公司位于中国海峡西岸经济中心地,素有东方“夏威夷”之称,海上女神妈祖故乡——福建莆田。公司主要以生产称重、非标等数字传感器为主,目前产品已销往全国各省市地区,在河南、河北、山东等地设有办事处,打开东南亚、南亚等国际市场,为进一步实现以技术创市场的目标,公司与国内著名院校结成研发队伍,实现了“销售一代、试制一代、研发一代”的技术成建设,为衡力发展国内市场,走向国际市场,成为数字化传感器专家型企业,奠定了雄厚的技术基础。 十年来福建省莆田市衡力传感器有限公司严格依照国际计量组织(OIML)相关建议组织生产,在生产上建立起以ISO为标准的基础质量体系,并积极引进CE认证、5S管理,不但保证了产品品种全,性能好,还具有防腐、防水、防震等持久耐用特点,产品近年来在机械、衡器、化工、钢铁、科研等行业广受好评,在市场上获得了衡力“以优质创市场,技术创品牌”的良好口碑。 规范化、数字化、专业化、国际化、服务化是衡力走向国际化一流传感器企业的五大战略标准,当公司初步达成专业化、数字化、规范化三大目标时,下一个目标就是向国际化、服务化迈进,为向客户提供一个具有专业技术、一流服务、高附加值专业数字化传感器品牌进军.....
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硅传感器相关的仪器

  • 激光能量传感器说明: Ophir 提供两类能量传感器,热释电和光电二极管传感器。热释电传感器在最大25000 个/ 秒的脉冲率和最大20ms 的脉冲宽度下测量重复脉冲能量和平均功率。光电二极管能量传感器用于超低能量脉冲激光(低至200 pJ)。请注意脉冲率不超过每5 秒1 个脉冲的单次脉冲能量可使用热传感器进行测量。光电二极管能量传感器Ophir 光电二极管激光能量传感器能够在高达20 kHz 的频率下测量低至10pJ 的低能量脉冲。硅光电二极管用于UV 和可见光谱,锗光电二极管用于IR。热释电激光能量传感器热释电传感器用于在高达25 kHz 频率下测量重复脉冲能量。此类传感器使用一个热释电晶体,该晶体产生于吸收的热量成比例的电荷。热释电传感器的响应时间取决于热量进入晶体并对晶体加热所花费的时间。对于金属型热释电探测器,响应时间为几十微秒,因此金属型热释电探测器可在高重复频率下运行。对于BF 和BB 型,响应时间以毫秒为单位,相应的重复频率较低。Ophir 热释电探测器采用独特的专有电路,使其能够测量长脉冲及短脉冲,并在高占空比下工作,即脉冲宽度大至总周期时间的30%。
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  • DT-670系列硅二极管温度传感器在更宽的温度范围内可提更高的精度。DT-670系列传感器符合标准电压-温度响应曲线,因此该系列可互换,且对于许多应用不需要单独标定。SD封装中的DT-670传感器有四个误差等级,其中三个适用于1.4 K至500 K温度范围内的通用低温应用,另一个可为30 K至室温的应用提供卓越的精度。DT-670传感器也有第七个公差带,B和E,只能作为裸芯片使用。对于需要更高精度的应用,DT-670-SD二极管可在整个1.4 K至500 K温度范围内进行标定。DT-670-SD√ 1.4 K-500 K温度范围内具有超高精度√ 30 K-500 K温度范围内极小误差√ 坚固可靠的SD封装设计,可承受重复热循环并尽可能地减少传感器自发热√ 符合标准曲线DT-670温度响应曲线√ 多种封装选项DT-670E-BR√ 温度范围1.4 K-500 K√ 裸装传感器是尺寸极小、热响应时间超快的二极管传感器√ 无磁传感器DT-621-HR√ 温度范围:1.4K-325K*√ 无磁封装√ 用于表面安装的裸露平面基板* 标定的低到1.4K,未标定的(曲线DT-670)低到20KDT-670E-BR极小尺寸+超快热响应DT-670E-BR裸片传感器提供了硅二极管产品中更小的物理尺寸和更快的热响应时间。这对尺寸和热响应时间至关重要的应用来说是一个重要的优势,包括用于蜂窝通信的焦平面阵列和高温超导滤波器。 DT-621-HR微型硅二极管DT-621传感器组件在其有效范围内显示出精确、单调的温度响应。传感器芯片与环氧圆顶直接接触,导致20 K温度下测试电压升,并阻止全量程曲线DT-670一致性。所以对于低于20 K的使用,需要标定。二极管测温二极管测温是基于在恒定电流(通常为10 µ A)下偏置的p-n结中正向电压降的温度依赖性。由于电压信号相对较大,在0.1V和6V之间,因此二极管易于使用,仪器操作也很简单。 Lake Shore SD封装:业界极坚固、多功能的封装SD封装直接将传感器与蓝宝石底座安装、气密密封和焊接Kovar导线,是业内极其坚固耐用、用途广泛的低温温度传感器,具有极佳的样品与芯片连接性能。该设计使导线上的热量可以绕过芯片,因此可以在 500 K 温度下工作数千小时(取决于型号),并且与大多数超高真空应用兼容。它可以铟焊到样品上,而不会改变传感器的标定。如果需要,也可提供不带Kovar引线的 SD 封装。DT-670温度传感器温度特性 典型的DT-670电压特性 典型的DT-670灵敏度特性DT-670误差带曲线
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  • LI-200R太阳总辐射传感器设计用于室外无遮挡日光的环境,测量总太阳辐射,包括直射和漫反射的太阳辐射,波长范围400~1100nm。测量结果单位为W/m2。LI-200R具有良好的兼容性,缆线长度有多种选择,兼容大多数数采。 LI-200R采用无过滤的硅光电二级管,在室外无遮挡自然光照情况下测量结果与一 级热电堆一致。传感器头部设计精巧,能快速导流雨水,能获得精准的余弦响应。应用领域l 微气象研究l 能量平衡测量l 光伏系统最优化l 天气监测等产品特点l 耐受各种天气,能够牢固地在室外长期放置l 专为测量无遮挡自然条件下总太阳辐射设计l 入射角82°范围内保证灵敏度均一l 可拆卸传感器头部,且安装拆卸简便,方便维护校准技术参数l 绝对校准:在自然日光下使用Eppley日照强度计(PSP)进行校准,l 典型误差:± 3%(入射角60°以内)l 灵 敏 度:典型75 μA /1000 W/m2l 线 性 度:最大偏差为1%(3000W/m2以内)l 响应时间:1μsl 温度相关:0.15%/℃l 余弦校正:入射角82°以内l 方位角误差:在45°仰角时,360°方位角范围内误差小于1%l 倾斜误差:不会因固定方位而导致误差l 工作环境:-40~65℃,0~95%RH(非冷凝)l 检测器:高稳定性硅光伏检测器(蓝光加强)l 传感器外壳:阳极铝防水外壳带丙烯酸漫射器,不锈钢螺丝;传感器基部带O型密封圈l 尺 寸:2.36 Dia. x 3.63 cm Hl 重 量:头部:24g; 2米线,带螺丝底座:60gl 缆线长度:2m,5m,15m,50m
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硅传感器相关的资讯

  • 上海应物所制出超高灵敏硅纳米线DNA传感器
    在最新一期的Nano Letters上(Nano Lett., 2011, 11 (9), pp 3974–3978, DOI:10.1021/nl202303y),中科院上海微系统与信息技术研究所王跃林/李铁课题组与上海应用物理研究所樊春海课题组以快报形式报导了他们在超高灵敏硅纳米线DNA传感器方面的合作研究进展。  研究人员在传统半导体加工技术的基础上,利用硅材料自身的工艺选择性,基于自上而下方法发展了硅纳米线加工技术,并实现了纳米级尺寸的精确控制。硅纳米线不但宽度可以达到20纳米,而且其三角形截面具有更大的比表面积,有利于器件性能的提高,为批量制备高检测灵敏度的阵列FET生物传感器迈出了坚实的一步。  通过对硅纳米线进行硅烷化修饰、表面单分子膜层自组装以及单链DNA探针的固定,他们研制的DNA传感器成功实现了对低至1 fM 的DNA靶标分子的响应,这是目前已报导的最灵敏的基于硅纳米线FET的DNA传感器。  这种DNA传感器还可以实现对单碱基错配的分析和对多种病原DNA序列的同时检测。
  • 背照式CMOS图像传感器工艺中_硅晶圆背面抛光的新技术!
    新加坡科技研究局微电子研究所Institute of Microelectronics Agency for Science的Venkataraman等人与奥地利Nexgen Wafer Systems公司以及新加坡格罗方德公司GlobalFoundries的工程师组成研究团队,共同开发出一种新的晶圆背面抛光技术。在光检测与测距(LiDAR)等各种应用中,背照式三维堆叠CMOS图像传感器备受该领域专家们关注。这种三维集成器件的重要挑战之一,是对单光子雪崩二极管(SPAD)晶圆的精确背面抛光,该晶圆与CMOS晶圆堆叠,晶圆背面抛光通常通过背面研磨和掺杂敏感湿法化学蚀刻硅的组合来实现。研究团队开发了一种湿法蚀刻工艺,基于HF:HNO3:CH3COOH定制化学试剂,能够在p+/ p硅过渡层实现蚀刻停止,掺杂剂选择性高达90:1。他们证明了全晶圆300mm内厚度变化仅约300nm的可行性。此外,也对HNA蚀刻硅表面的着色和表面粗糙度进行了表征,最后,提出一种湿法锥蚀方法来降低表面粗糙度。该研究成果发表于2023年5月30日至6月2日在美国佛罗里达州奥兰多召开的第73届电子组件与技术会议(ECTC)上。论文录用日期为2023年8月3日,并被IEEE Xplore 收录。这项突破将有可能推动背照式CMOS图像传感器在汽车智能驱动等领域的应用。
  • 某国产厂商连续斩获超14亿元车规级传感器订单
    截止日前,2023年四方光电股份有限公司(以下简称“四方光电”)及其子公司陆续发布6则公告,披露收到国内外多家客户项目定点通知书,为欧洲著名主机厂、韩国著名主机厂、国际知名汽车空调企业、国内知名新能源主机厂的8个项目供应车规级传感器产品和总成。根据客户预测,以上项目总金额约为14.1亿元。公告称,如后续订单陆续顺利转化,预计将对公司本年及未来年度的经营业绩产生积极影响,具体影响金额及影响时间将视订单的具体情况而定。据了解,四方光电是一家从事智能气体传感器和高端气体分析仪器的科创板上市企业,2003年成立于武汉光谷,构建了基于非分光红外(NDIR)、光散射探测(LSD)、超声波(Ultrasonic)、紫外差分吸收光谱(UV-DOAS)、热导(TCD)、激光拉曼(LRD)、金属氧化物半导体(MOX)等原理的气体传感技术平台,广泛应用于空气品质、环境监测、工业过程、安全监控、医疗健康、智慧计量等领域。公司车载传感器业务主要包括汽车舒适系统传感器、车内空气改善装置、安全系统传感器及高温气体传感器,汽车舒适系统传感器主要包括车规级CO2传感器总成、车规级PM2.5传感器总成、AQM空气质量传感器总成、温湿度传感器总成等;车内空气改善装置主要包括负离子、香氛发生器等;安全系统传感器主要包括制冷剂泄漏监测传感器、动力电池热失控监测传感器等;高温气体传感器主要包括发动机用氧气传感器、发动机用氮氧传感器。自 2017 年取得 IATF16949:2016 汽车质量管理体系认证,获得主机厂一级供应商资格以来,公司车载传感器产品线进一步延伸,产品应用范围从最初的中高端车型覆盖至更广阔的车型。附公告详情:2023年2月8日公告四方光电股份有限公司于近日收到1家欧洲著名主机厂(根据与上述客户签署的保密协议,不能披露客户的具体名称)1个项目定点通知书,确认公司为其供应车规级PM2.5传感器总成。根据上述客户预测,上述1个项目定点包括4个车型平台,预计生命周期分别为8年、8年、9年及9年,总金额约为3.56亿元。2023年3月23日公告四方光电股份有限公司于近日收到1家欧洲著名主机厂(根据与上述客户签署的保密协议,不能披露客户的具体名称)1个项目定点通知书,确认公司为其提供定制开发服务与车规级PM2.5与CO2传感器总成、车规级PM2.5与AQS空气质量传感器总成产品。根据上述客户预测,上述1个项目定点包括4个车型平台,预计生命周期分别为8年、8年、9年及9年,总金额约为2.32亿元(含税)。2023年6月6日公告四方光电股份有限公司于近日收到1家韩国著名主机厂(根据与上述客户签署的保密协议,不能披露客户的具体名称)1个项目定点通知书,确认公司为其供应车规级PM2.5传感器总成产品,根据上述客户预测,上述1个项目定点包括6个车型平台,预计生命周期分别为6年、6年、7年、8年、8年、8年,总金额约为1.47亿元。2023年11月10日公告四方光电股份有限公司(陆续收到1家国际知名汽车空调企业(根据与上述客户签署的保密协议,不能披露客户的具体名称)3个项目定点通知书,确认公司为其供应车规级PM2.5传感器,根据上述客户预测,上述3个项目定点预计生命周期均为7年,总金额约为12,812万元(含税)。2023年11月14日公告四方光电股份有限公司下设全资子公司武汉四方汽车电子有限公司(以下简称“四方汽车电子”)于近日收到1家国内知名新能源主机厂(根据与上述客户签署的保密协议,不能披露客户的具体名称)1个项目定点通知书,确认四方汽车电子为其供应车规级CO2传感器产品,根据上述客户预测,上述1个项目定点包括4个车型平台,预计生命周期均为5年,总金额约为4.20亿元(含税)。2023年12月16日公告四方光电股份有限公司于近日收到1家欧洲著名主机厂(根据与上述客户签署的保密协议,不能披露客户的具体名称)1个项目定点通知书,确认公司为其供应车规级AQS空气质量传感器总成,根据上述客户预测,上述1个项目定点包括4个车型平台,本次定点项目从2025年开始交付,预计生命周期为10年,总金额约为1.27亿元。

硅传感器相关的方案

硅传感器相关的资料

硅传感器相关的论坛

  • 【资料】传感器产业发展新动向

    传感器(Sensor)技术(Technology)是现代科技的前沿技术,传感器产业也是国内外公认的具有发展前途的高技术产业,它以其技术含量高、经济效益好、渗透能力强、市场前景广等特点为世人瞩目。 我国自动化方面的专家呼吁:目前复杂系统越来越复杂,仪器仪表自动化已经陷入低谷,其主要原因之一是传感技术的落后,一方面表现为传感器在感知信息方面的落后;另一方面也表现为传感器自身在智能化和网络化方面的技术落后。 分析仪器产业迫切需要新型传感器。分析仪器是我国科技、经济和社会持续发展的基础,红外测温仪无论在工业过程控制、设施农业、生物医学、环境控制、食品安全乃至航空航天、国防工程等领域,均迫切需要各类新型传感器作为信息摄取源的小型化、红外测温仪专用化、简用化、家庭化(甚至个人化)的新一代分析仪器,实现更灵敏、更准确、更快速、更可靠地实时检测,以迅速改变我国分析仪器的落后状况。 而技术推动是加速传感器技术发展的保证和机遇。几十年来,风速仪以微电子技术为基础,促进了传感器技术的发展。未来10~20年,传统硅技术将进入成熟期(预测为2014年~2017年)。届时,直径300mm硅晶片将大量用于生产,使得硅的低成本制造技术和硅的应用(Application)技术将得到空前的发展,这无疑将为研制生产微型传感器、智能传感器等新型传感器提供技术保障。从总体发展看,传统硅技术将一直延续到2047年(即晶体管发明100周年)才趋于饱和(即达到芯片特征尺寸的极限)和衰退。而当前微电子技术仍将依循“等缩比原理”和“摩尔定律”两条基础规律走下去,在尽力逼近传统硅技术极限中,不断扩展硅的跨学科横向应用(如MEMS等)和突破“非稳态物理器件”风速仪(量子、分子器件),而上述微电子技术发展中的两大方向正是当前乃至未来20年传感器技术的主要发展方向。 同时,多学科、多种高新技术的交叉融合,推动了新一代传感器的诞生与发展。例如:我国重点开发的MEMS(微电子与微机械的结合)、MOMES(MEMS与微光学的结合)、智能传感器(MEMS与CPU、信息控制技术的结合)、生物化学传感器(MEMS与生物技术、电化学的结合)等以及今后将大力开发的网络化传感器(MEMS网络技术的结合)、纳米传感器(纳米技术与传感技术的结合)均是多学科、多种学科技术交叉融合的新一代传感器。

  • 陶瓷压力传感器原理及应用

    2kV,输出信号强,长期稳定性好。高特性,低价格的陶瓷传感器将是压力传感器的发展方向,在欧美国家有全面替代其它类型传感器的趋势,在中国也越来越多的用户使用陶瓷传感器替代扩散硅压力传感器。

  • 力传感器_力传感器种类_力传感器用法

    [align=center][/align]力传感器在大家的生活中是无处不在的,力传感器是一种相对比较耐用的机电类产品,在使用力传感器的时候需要注意保证它的测试精度,如果这个没办法把握的话那测量的结果就不准确了,也没有可参考的价值,那么在使用力传感器的时候这个精度要怎么去注意呢?力传感器周围应尽量设置一些“挡板”,甚至用薄金属板把力传感器罩起来。这样可防止杂物玷污力传感器及某些可动部分,而这种“沾污”往往会使可动部分运动不爽,而影响称量精度。系统有无运动不爽现象,可以用以下方法判别。即在秤台上加或减大约千分之一额定负荷看看显示仪是否有反映,有反映,说明可动部分未受“沾污”。力传感器所有通向显示电路或从电路引出的导线,均应采用屏蔽电缆。屏蔽线的联接及接地点应合理。若未通过机械框架接地,则在外接地,但屏蔽线互相联接后未接地,是浮空的。注意:有3只力传感器是全并联接法,力传感器本身是4线制,但在接线盒内换成6线制接法。力传感器输出信号读出电路不应和能产生强烈干扰的设可”控硅,接触器等)及有可观热量产生的设备放在同一箱体中,若不能保证这一点,则应考虑在它们之间设置障板隔离之,并在箱体内安置风扇。用以测量力传感器输出信号的电子线路,应尽可能配置独立的供电变压器,而不要和接触器等设备共用同一主电源。力传感器应采用铰合铜线(截面积约50mm2)形成电气旁路,以保护它们免受电焊电流或雷击造成的危害。力传感器使用中,必须避免强烈的热辐射,尤其是单侧的强烈热辐射。力传感器电气连接方面备(如力传感器的信号电缆,不和强电电源线或控制线并行布置(例如不要把力传感器信号线和强电电源线及控制线置于同一管道内)。若它们必须并行放置,那么,它们之间的距离应保持在50CM以上,并把信号线用金属管套起来。尽量采用有自动定位(复位)作用的结构配件,如球形轴承、关节轴承、定位紧固器等。他们可以防止某些横向力作用在力传感器上。要说明的是:有些横向力并不是机械安装引起的,如热膨胀引起的横向力,风力引起的横向力,及某些容器类衡器上的搅拌器的振动引起的横向力即不是机械安装引起的。某些衡器上有些必须接到秤体上的附件(如容器秤的输料管道等),我们应让他们在力传感器加载主轴的方向上尽量柔软一些,以防止他们“吃掉”传感器的真实负荷合而引起误差。要轻拿轻放尤其是由合金铝制作弹性体的小容量力传感器,任何冲击、跌落,对其计量性能均可能造成极大损害。对于大容量的测力传感器,一般来说,它具有较大的自重,故而要求在搬运、安装时,尽可能使用适当的起吊设备(如手拉葫芦、电动葫芦等)。安装传感器的底座安装面应平整、清洁,无任何油膜,胶膜等存在。安装底座本身应有足够的强度和刚性,一般要求高于力传感器本身的强度和刚度。测力传感器虽然有一定的过载能力,但在测力系统安装过程中,仍应防止力传感器的超载。要注意的是,即使是短时间的超载,也可能会造成力传感器永久损坏。在安装过程中,若确有必要,可先用一个和力传感器等高度的垫块代替力传感器,到最后,再把力传感器换上。在正常工作时,力传感器一般均应设置过载保护的机械结构件。若用螺杆固定力传感器,要求有一定的紧固力矩,而且螺杆应有一定的旋入螺纹深度。一般而言,固定螺杆因采用高强度螺杆。力传感器包含范围:[color=#333333]气体流量传感器丨微型压力传感器丨绝对压力变送器丨微量氧传感器丨[/color][color=#333333]数字温湿度[/color][color=#333333]传感器丨[url=http://mall.ofweek.com/category_54.html]力传感器[/url]丨煤气检测传感器丨气压感应器丨一氧化碳传感器丨h2传感器丨压阻式压力变送器丨硫化氢传感器丨co2气体传感器丨光离子传感器丨ph3传感器丨百分氧传感器丨bm传感器[/color][color=#333333]丨[/color][color=#333333]风速传感器丨voc传感器丨[/color][color=#333333]光纤应变传感器[/color][color=#333333]丨位置传感器丨[/color][color=#333333]meas压力[/color][color=#333333]传感器丨[/color][color=#333333]称重传感[/color][color=#333333]器丨甲烷传感器丨微流量传感器丨光纤应变传感器丨称重传感器丨三合一传感器丨sst传感器丨gss传感器丨ch4传感器丨氟利昂传感器丨硫化物传感器丨o3传感器丨双气传感器丨压电薄膜传感器丨一氧化氮传感器丨透明度传感器丨二氧化硫传感器丨氰化氢传感器丨煤气检测传感器丨燃气检测传感器丨电流氧传感器[/color]

硅传感器相关的耗材

  • SI440硅二极管温度传感器
    Si-440硅二极管温度传感器适合在测量较宽温度范围时应用,在高温度的达500K。SI440有多种封装形式,适合在不同结构中使用,其CAP封装传感器是目前世界上体积最小的二极管传感器。温度范围:1.5K-500K激励电流:10uA重复性:75mK @4.2K, 0.35K @77K, 0.25K @273K磁场影响:0.1T@40K以下不建议使用灵敏度:38mV/K@4.2K1.7mV/K@77K2.3mV/K@273K标准误差范围:1.5K-30K30K-100K100K-400K±0.25K±1.0K±2.0K校准:R级 4.2K-500KRR级1.5K-500K封装形式:典型温度响应及灵敏度曲线:典型用户:中科院物理所中科院合肥物质科学研究院北京航空航天大学中国科学技术大学中科院合肥物质科学研究院中国科学院大连化学物理研究所清华大学山东大学华南理工大学北京大学北京大学浙江大学西安交通大学香港大学人民大学东南大学香港浸会大学兰州近物所山东大学复旦大学中国科学技术大学 中国科学技术大学浙江大学西安交通大学复旦大学中科院物理所复旦大学物理系上海大学北京大学复旦大学物理系北京邮电大学中国科学院上海应用物理研究所中科院物理所中国科学技术大学中科院合肥物质科学研究院北京大学中科院物理所北京理工大学云南大学北京工业大学福建物质结构研究所中科院物理所山西大学物理电子工程学院厦门大学北京师范大学上海交通大学北京大学清华大学中山大学南京大学南京大学清华大学中科院理化所复旦大学香港中文大学南京大学复旦大学北京大学中科院物理所扬州大学中科院理化所北京工业大学广东工业大学
  • Cryogenic Control System Si410型硅二极管温度传感器
    Si410型硅二极管温度传感器 科学仪器公司(Scientific Instruments)的Si410型硅二极管传感器工作温度范围宽,尺寸小。在很宽的温度范围内是线性的,在低温范围灵敏度高。硅二极管传感器和标准的V/T曲线可互换。Si430硅二极管传感器在测量温度范围很宽时有很大的应用价值。他们和Si430在低于400K时可以互换,但能经受住高温至500K。新的可用于CAP安装(电容式安装)的封装后的二极管是目前市场上体积最小的。尺寸大小 下列的尺寸是标准的.用户可以定制另外的安装模式和装配方式。使用温度范围:1.5K-450K灵敏度:40mv/K电极引线材料磷青铜线双极引线或四极引线,粘合线,聚酰亚胺包层,引线标准:32AWG(美线标)或36AWG(美线标),导线有色标。磷青铜线有良好的导电性能,但导热性能较差。电阻率为2.7Ohms/feet。标准铜线双极引线,Teflon(特氟纶)包层,引线标准:30AWG(美线标)四极引线,Teflon(特氟纶)包层,引线标准:36AWG(美线标)导线有色标。铜线有良好的导电和导热性能。电阻率为0.6 milli-Ohms/feet。锰铜线双极引线或四极引线,粘合线,聚亚安酯包层,引线标准:36AWG(美线标)或36AWG(美线标),导线没有色标。磷青铜线有良好的导电性能,但导热性能较差。电阻率为11.8 Ohms/feet。锰铜线使用不方便。电极引线配置双极引线配置该配置没有电极引线电阻补偿,因此会引入微量传感器电阻/电压误差。误差大小和引线长度成正比。四极引线配置 该配置可以通过补偿电极引线电阻达到最高精度。传感器精度/互换性 我们的传感器具有&ldquo 分组&rdquo /&ldquo 互换&rdquo 的优点。目前我们可提供五个级别的互换/精度。非校准型非校准传感器提供给客户作为该类特殊传感器的代表,但没有具体的校准信息。分组型一些传感器表现出和标准曲线可互换的电阻和输出电压曲线。科学仪器公司(Scientific Instruments)提供的分组传感器包括以下几种:Si-410 硅二极管RO-105 氧化]钌RO-600氧化]钌我们通过透彻地分析和理解传感器材料的性能,从而有能力提供可互换的传感器。分组传感器的最根本的优点是他们都遵从标准的V/T 或 R/T 曲线,从而省去为单独每一个传感器校准的费用。每一个Si-410传感器都在液氦、液氮和冰下测试,每一个传感器在液氦中测试时,必须可以在误差± 0.01 K范围内重复十次以上,然后根据下表分组:校准型 除了热电偶外,科学仪器公司(Scientific Instruments)可以为所有传感器单独提供校准。传感器被放入校准低温保持器中,用NIST标准(而非ITS-90标准)来记录数据。备注标准配置 Si-410和Si-420型传感器通常安装在一个镀金的铜容器中,有四根36AWG(美线标)磷青铜线电极引线,采用聚酰亚胺包层,带有色标。容器直径0.093&rdquo ,长0.25&rdquo .还可以用最优惠的价格提供各类不同长度的磷青铜线或锰铜线。也可提供其他类型的封装,可以联系本公司咨询具体的要求。客户要求的校准每一个单独的Si-410 型传感器可以在10或100 mA下在不同温度校准,可以达到以下精度:± 0.05 K from 1.5 K to 25 K ± 0.10 K from 25 K to 450 K
  • 位置传感器,开关
    位置传感器,开关 型号:GUH10GUH10型位置传感器一、简介GUH10型位置传感器是采用美国SPRAGUE公司生产的霍尔开关集成电路为核心,配以本质安全电源组合而成的霍尔磁敏新型电子传感器,它输入的磁信号,输出的是电信号,其输出的波形前后沿陡直,可以直接驱动晶体管,可控硅,继电器等小型电气。该传感器为本质安全型设计,具有无触点、无火花、长寿命、高可靠、体积小、重量轻,安装使用方便等优点,可为矿山、石油等场所的提升机后备保护做传感器。二、技术参数:a)工作电压:本质安全电源DC5Vb)工作电流:本质安全电源DC5mA(传感器无输出时)c)输出电流:不小于2mA(DC5V时)e)表面磁场:不小于4000高斯
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