我们有一台日立的超级SEM (Model S-5200)配了两个背散射电子探头, 一个是普通的背散探头, 另一个是YAG背散探头.从说明书上看YAG探头接收的背散电子出射角很小, 而普通的背散探头接收的背散电子出射方向与样品水平面的夹角要小. 我要问的问题是为什么不同角度的背散电子成像咋这么大. 另一个问题是, JSM6700F SEM 它配了两个二次电子探头, 一个是Inlens探头, 另一个是叫LOW Detector低角度二次电子探头(LEI), 它不在光路内,即outlens类型的, 但它和其他场发射电镜的out-lens 二次电子探头成的象也有很大差别, 这是什么原因呢?请各位大侠百忙之中抽点空释释疑. 谢谢.
现在低真空（包括环境真空）电镜很时髦。本人想了解一下：1、在低真空时，二次电子是如何检测的；2、低真空二次电子探测器由哪些类型及其各自的特点。3、低真空下二次电子像分辨率到底有多高？能和高真空一样吗？我想很多同仁也都会对此感兴趣。望资深大侠不吝传教。
T0718电子产品插头放电测试能力验证，有参加的么？
各种探头靠什么原理来区分不同的电子呢？
样品碰到了二次电子探头一下,现在要在很高对比度下才能看到图象,而且效果很不好,是不是探头坏了,好修吗?谢谢
最近打算购买扫描电镜，FEI Apreo C可以装几个二次电子探头，Apreo S可以装几个二次电子探头？感谢支持
电子透镜的日常修理要注意什么?[em55]
透射电子显微镜(TEM)是一种现代综合性大型分析仪器，在现代科学、技术的研究、开发工作中被广泛地使用。顾名思义，所谓电子显微镜是以电子束为照明光源的显微镜。由于电子束在外部磁场或电场的作用下可以发生弯曲，形成类似于可见光通过玻璃时的折射现象，所以我们就可以利用这一物理效应制造出电子束的“透镜”，从而开发出电子显微镜。而作为透射电子显微镜(TEM)其特点在于我们是利用透过样品的电子束来成像，这一点有别于扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)。由于电子波的波长大大小于可见光的波长(100kV的电子波的波长为0．0037nm，而紫光的波长为400nm)，根据光学理论，我们可以预期电子显微镜的分辨本领应大大优于光学显微镜。事实上，现代电子显微镜的分辨本领已经可达0．1nm。
我用JEOL JEM 2010(HT)和JEOL JEM 2010FEG (UHR)电镜作纳米线顶端的Au催化剂表征的时候(前SAED, 后HRTEM,EELS加上了能量过滤),碰到了这个问题, 就是有的金就得不到结构的信息, Au 的EELS mapping也很难作出来,基本上Au颗粒都是黑的. 我想这可能跟电子束在Au里面的穿透能力(深度)有关, EELS mapping可能跟选的窗口和扣背底时的准确度有关(这个靠自己修正了).所以我想问问, 200 kV的电子束能在Au里面穿透多深. 我看了材料评价的分析电子显微方法上只有非常简单的阐述. 在薄晶体电子显微学里面也没有找到. 不知道哪位老师同学有瞄到过公式或者知道数值, 提示一下小弟. 不甚感谢!
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"独特的环形In-lens二次电子探测器，具有探测效率高、灵敏度高、环形对称的优点，有效的保证了成像的质量。由于Inlens SE探测器的位置和条件的作用，Inlens SE探测器只接收SE1（入射电子束直接激发的二次电子，产生范围较小），而不接收SE2（入射到样品中的电子激发出的二次电子，产生范围较大），这样就提高了分辨率" In_lens 探头为何对探测SE1??????
电子测微仪利用电感原理测量工件尺寸微小变化的仪器，主要由主体和测头两部分组成，配上相应的测量装置能够完成各种精密测量。国内常用的电子测微仪有指针式和数字式两种。电子测微仪具有高精度、智能化、多功能化等特征。具有精度高、操作方便、性能稳定等优点。 电子测微仪采用8位英文数字表示测量数值和测量项目，通过按钮或处部信号，可自动进行校对规调整。具有判定输出信号的标准装备，最适用于自动测量。电子测微仪采用抗干扰措施，使电子测微仪测量的精度、可靠性、稳定性、抗干扰能力都大大增强。电子测微仪具有统计分析、超差报警、绝对零点与相对零点的转换等功能。可利用标准装备的系列通信功能，向电脑、打印机输出数据。 电子测微仪用于机械加工中的机密测量，可配以相应的测量装置，检查工件的厚度、内径、外径、椭圆度、平行度、直线度、径向跳动等，电子测微仪被广泛应用于精密机械制造业、晶体管和集成电路制造业以及国防、科研、计量部门的精密长度测量。
现有新材料，需要以1万倍?4万倍透射电子显微镜的方法检测，测定颗粒直径和颗粒长度！想购置国产设备，求推荐，求报价！
在网上找资料看到这个不错的图片教程，介绍透射电子显微镜简单原理和应用。认识透射电子显微镜的开始：
[align=center]作者：驰奔仪器 Microexplore[/align] 扫描电镜信号出射深度或信号从样品表面发射的面积大小，决定了扫描电镜探测样品信息的空间分辨率。电子束样品相互作用区和被测信号取样区这两个概念对于图像解释和定量x射线显微分析都很重要。 评估电子束样品作用区的三个主要变量1)平均原子序数Z ，原子序数高作用区越小；2)束电子能量Kev ，束电子能量越低，作用区越小；3)倾斜角度θ，倾斜角越大作用区越小在精细电子显微分析中，往往通过蒙特卡洛模拟来判定电子束样品作用区及各种散射信号取样空间。[url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nyjRvaG24e][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,481]http://s15.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nyjRvaG24e&690[/img][/url] 为表征微观表面真实形貌，往往采用低的加速电压或低的电子束着陆电压，减小作用区，降低信号出射深度。 二次电子（SE）信号常用于表征形貌，逃逸深度一般在几个纳米到几十纳米，然而SE信号来源非常复杂，有来自入射束产生的SE1，很大一部分是背散射电子逃逸出表面过程中产生的SE2，还有背散射电子撞机样品室的表面产生的SE3，这些SE可能同时被探测器接收，那么我们就会看到如下两个较为极端情况下，SE信号样品取样区分布和成像效果。事实上只有SE1才能精细表征表面形貌. SE2/3产额与BSE信号产额正相关，因此携带了较为粗糙的形貌信息和成分信息。 当使用高束能量，由于作用区增大，SE的绝大部分是SE2/3，30nm碳膜表层SE1信号反差已经微不足道，电子束成像就几乎无视其存在了，因此图像变得透明，直接看到下面光栅。这种效应可以称为电子束穿透成像效应。[url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nymqSHeq5a][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,624]http://s11.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nymqSHeq5a&690[/img][/url] 我们使用北京的DEMO（驰奔Genesis-I型钨丝枪扫描电镜），[url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nyq1nmYj0b][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,545]http://s12.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nyq1nmYj0b&690[/img][/url]采用3kv、5kv、10kv、15kv、20kv、25kv、30kv，更为连续的加速电压，观察金属表面碳物质附着物，印证电子束穿透成像效应。 [url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nyoNoWAK1e][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,517]http://s15.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nyoNoWAK1e&690[/img][/url] [url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nyoNyg6bbf][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,517]http://s16.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nyoNyg6bbf&690[/img][/url][url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nyoNCbBk16][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,517]http://s7.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nyoNCbBk16&690[/img][/url][url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nyoNx1va98][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,517]http://s9.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nyoNx1va98&690[/img][/url][url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nyoNGcLx73][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,517]http://s4.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nyoNGcLx73&690[/img][/url][url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nyoNKIywac][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,517]http://s13.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nyoNKIywac&690[/img][/url][url=http://photo.blog.sina.com.cn/showpic.html#blogid=149e935230102xgu1&url=http://album.sina.com.cn/pic/0062Af6Pzy7nyoNFnpc3e][img=扫描电镜电子束穿透成像效应,690,517]http://s15.sinaimg.cn/mw690/0062Af6Pzy7nyoNFnpc3e&690[/img][/url]图像解释：3-5kv下表现出良好碳质结构形态，此时电子束的穿透深度大约为500nm ~ 1微米 ，不足以穿透样品且碳质结构表面SE信号为反差主导。10kv，电子束穿透深度大约为2微米，应该没有穿透中心的炭黑部位，此时SE2/3为主导，几无形貌反差，成分反差明显。15kv以上，电子束开始穿透碳黑部位，SE2/3为反差主导，且基底的BSE出现一定形貌反差，加速电压越高，来自基底的SE2/3主导反差越来越高，越来越无视炭黑存在。
做NIL PT-0372 电子电器产品限用物质-电器插头XRF筛查大家进来讨论一下,测试有个疑问的地方.
随着现代信息的不断发展，作为三大支柱产业之一的材料越发显得重要。而材料的结构分析是决定材料性能的关键因素。众所周知，光学显微镜及扫描电镜均只能观察物质表面的微观形貌，无法获得物质内部的信息。而透射电镜可以根据透射电子图象所获得的信息来了解试样内部的结构。鉴于此，现阶段透射电子显微镜（TEM）已经广泛应用在各个学科领域和技术部门，并且已经成为联系和沟通材料性能和内在结构的一个最重要的“桥梁”。1 TEM的概念 透射电子显微镜（TEM）是以波长极短高能电子作为照明源，利用电子透镜使电子与固体样品作用产生的弹性散射电子聚焦成像的一种高分辨率、高放大倍数显微分析仪器。图1为JEM-2100高分辨透射电子显微镜。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/08/201208211425_385009_2105598_3.jpg图1 JEM-2100高分辨透射电子显微镜2 TEM的发展历程 1924年，德国科学家德布洛依（Brogliel.De)提出了微观粒子具有二象性的假设，后来这种假设得到了证实。1932年，德国学者诺尔（Knoll）和鲁卡斯（Ruska）获得了放大12~17倍的电子光学系统中的光阑的像，证明可用电子束和电磁透镜得到电子像，但是这一装置还不是真正的电子显微镜，因为它没有样品台。1932~1933年间，鲁卡斯等对以上装置进行了改进，做出了世界上第一台透射电子显微镜。1934年，电子显微镜的分辨率已达到500Å。1939年德国西门子公司造出了世界第一台商品透射电子显微镜，分辨率优于100Å。1947年，莱保尔发展了TEM的选区衍射模式，把电子显微像和电子衍射对应起来。1956年，赫什用衍射动力学法说明衍射衬度，在不锈钢和铝中观察到位错和层错。目前世界上生产透射电镜的主要是这三家电镜制造商：日本的日本电子（JEOL）和日立（Hitachi）以及美国的FEI。3 TEM的特点 TEM可以进行组织形貌与晶体结构同位分析；具有高的分辨率，可以达到1Å；能够在原子和分子尺度直接观察材料的内部结构；能方便地研究材料内部的相组成和分布以及晶体中的位错、层错、晶界和空位团等缺陷，是研究材料微观组织结构最有力的工具；能同时进行材料晶体结构的电子衍射分析，并能同时配置X线能谱、电子能损谱等测定微区成分仪器。目前，它已经是兼有分析微相、观察图像、测定成分、鉴定结构四个功能结合、对照分析的仪器。4 TEM的三个主要指标 TEM的三个主要指标如下： （1）加速电压（一般在80~3000千伏之间）； （2）分辨率（一般点分辨率在2~3.5 Å之间）； （3）放大倍数（一般在30~80万倍之间）。5 TEM的结构 TEM结构如图2所示。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/08/201208211426_385010_2105598_3.jpg图2 TEM结构 照明系统主要由电子枪和聚光镜组成。电子枪是发射电子的照明光源。聚光镜是把电子枪发射出来的电子会聚而成的交叉点进一步会聚后照射到样品上。照明系统的作用就是提供一束亮度高、照明孔径角小、平行度好、束流稳定的照明源。 成像系统主要由物镜、中间镜和投影镜组成。物镜是用来形成第一幅高分辨率电子显微图像或电子衍射花样的透镜。透射电子显微镜分辨本领的高低主要取决于物镜。因为物镜的任何缺陷都被成像系统中其它透镜进一步放大。欲获得物镜的高分辨率，必须尽可能降低像差。通常采用强激磁，短焦距的物镜。物镜是一个强激磁短焦距的透镜，它的放大倍数较高，一般为100~300倍。目前，高质量的物镜其分辨率可达0.1nm左右。中间镜是一个弱激磁的长焦距变倍透镜，可在0-20倍范围调节。当M1时，用来进一步放大物镜的像；当M1时，用来缩小物镜的像。在电镜操作过程中，主要是利用中间镜的可变倍率来控制电镜的放大倍数。投影镜的作用是把经中间镜放大（或缩小）的像（电子衍射花样）进一步放大，并投影到荧光屏上，它和物镜一样，是一个短焦距的强磁透镜。投影镜的激磁电流是固定的。因为成像电子束进入投影镜时孔镜角很小（约10~3rad）,因此它的景深和焦距都非常大。即使改变中间镜的放大倍数，使显微镜的总放大倍数有很大的变化，也不会影响图像的清晰度。有时，中间镜的像平面还会出现一定的位移，由于这个位移距离仍处于投影镜的景深范围之内，因此，在荧光屏上的图像仍旧是清晰的。 观察和记录装置包括荧光屏和照相机构，在荧光屏下面放置一下可以自动换片的照相暗盒。照相时只要把荧光屏竖起，电子束即可使照相底片曝光。由于透射电子显微镜的焦长很大，虽然荧光屏和底片之间有数十厘米的间距，仍能得到清晰的图像。6 TEM成像原理http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/08/201208211427_385011_2105598_3.jpg6.1高斯成像原理 如图3所示，电子枪产生的电子束经1~2级聚光镜会聚后均匀照射到试样上的某一待观察微小区域，入射电子与试样物质相互作用，由于试样很薄，绝大部分电子穿透试样，其强度分布与所观察试样区的形貌、组织、结构一一对应，透射出试样的电子经物镜、中间镜、投影镜的三级磁透镜放大投射到观察图形的荧光屏上，荧光屏把电子强度分布转变为人眼可见的光强分布，于是在荧光屏上显出与试样形貌、组织、结构相应的图像。即当一束发射角在透镜孔径角以内的入射电子穿过样品，并通过样品下方的物镜后，样品上的每个物点必然在透镜的像平面上有一一对应的像点。6.2阿贝成像原理 当平行入射束与晶体样品作用，除了形成透射束之外，还会产生各级衍射束，通过物镜的聚焦作用在其后焦面上形成衍射振幅的极大值，每个振幅极大值又视为次级光源互相干涉，再于透镜像平面上形成显微放大像。如图4所示。7 TEM的样品及其制备7.1 TEM样品的基本要求 TEM样品的基本要求包括以下： （1）形状尺寸：Φ3，薄区厚度﹤100nm； （2）不失真：无变形，无氧化，不晶化和相变等。7.2 TEM样品的种类和用途 TEM样品的种类和用途包括以下
透射电子显微镜比扫描电子显微镜放大更好的原因是什么
选区电子衍射技术是透射电子显微学中的一个重要组成部分，不仅可以用于对微区的样品进行结构表征，也可以辅助分析样品的生长方向，样品的结晶性等。同时由于在拍摄选区衍射时使用发散的电子束，对样品的辐照损伤较低
急需有关透射电子显微镜的资料
透射电子显微学(黄孝瑛编著_上海科技出版社_1987.05)希望对大家有用[~125482~]
最近看文章,主要是说二次电子能很好的图象.而背散射不能得到,尤其是对轻元素(碳质的颗粒),作者发现背散射电子和透射电子混合就能观察到碳质颗粒,这个时候同时可以作EDS能谱.我马上就要作SEM/EDX如果这种说法对,我想用用,这里我产生下面个问题:这种背射电子和透射电子在普通电镜是否都有?如果是,我作实验的时候可以和作实验的老师谈谈.谢谢!!!!!!!!!
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[size=16px] 电子式粉质仪可以检测什么 电子式粉质仪是一种先进的检测仪器，主要用于小麦粉面筋品质的检验和评价。它可以检测面粉的吸水率、面团形成时间、稳定时间以及衰减度等指标，从而评价面粉筋力强度和吸水量高低。 借助这种检测仪器，可以判定面粉的筋力强度，从而确定面粉用途。例如，高筋面粉适合制作面包、面条，中筋面粉适合制作馒头，而低筋面粉则适合用于蛋糕、糕点等制作。 此外，电子式粉质仪还可以检测粉体材料的物理性质，如颗粒度等。它通过观察和记录试样在受力过程中的形变行为，进而计算出材料的强度、稳定性等物理参数。 总的来说，电子式粉质仪是一种功能强大的检测仪器，广泛应用于面粉及其他粉体材料的检测和评估。[img=,690,690]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/11/202311161127211835_3766_6098850_3.jpg!w690x690.jpg[/img][/size]
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从 1950 年英国 FERRANTI 公司制造出第一台数字式测头移动型三坐标测量仪、 1973 年前西德OPTON 公司完成三维测头设计并与电子计算机配套推出第一个三坐标测量系统以来 , 经过几十年的快速发展 , 坐标测量技术已臻成熟 , 测量精度得到极大提高 , 测量软件功能更加强大 , 操作界面也日益完善 , 生产厂家遍布全球 , 开发出了适于不同用途的三坐标测量机型。几十年的发展充分证明 , 现代三坐标测量系统打破了传统的测量模式 , 具有通用、 灵活、 高效等特点 , 可以通过计算机控制完成各种复杂零件的测量 , 符合机械制造业中柔性自动化发展的需要 , 能够满足现代生产对测量技术提出的高精度、高效率要求 。除用于空间尺寸及形位误差的测量外 , 应用坐标测量机对未知数学模型的复杂曲面进行测量 , 提取复杂曲面的原始形状信息 , 重构被测曲面 , 实现被测曲面的数字化 , 不仅是坐标测量机应用的一个重要领域 , 也是反求工程中的关键技术之一 , 近年来也得到快速发展。
我们用的设备是JEOL，JSM-IT100。但是背散射探头坏了，现在客户反应我们的二次电子探头拍不出第三方（BSE）的效果- -。实际就是PC塑胶件表面的空洞，二次电子由于边缘放电效应导致边缘发光。客户反应BSE探头立体感更强（实际上SE探头更强...但是毕竟客户投诉）需要我们更换。我们想知道JEOL的REF探头（二次电子探头探测背散射电子）能否代替BSE探头？此时图像的明暗是导电性的强弱还是原子的相对原子质量大小影响？dalao们有REF的介绍吗？最好是和BSE的对比，感谢！
透射电子显微镜结构包括两大部分：主体部分为照明系统、成像系统和观察照相室；辅助部分为真空系统和电气系统。1、照明系统 该系统分成两部分：电子枪和会聚镜。电子枪由灯丝(阴极)、栅级和阳极组成。加热灯丝发射电子束。在阳极加电压，电子加速。阳极与阴极间的电位差为总的加速电压。经加速而具有能量的电子从阳极板的孔中射出。射出的电子束能量与加速电压有关，栅极起控制电子束形状的作用。电子束有一定的发散角，经会聚镜调节后，可望得到发散角，很小甚至为0的平行电子束。电子束的电流密度(束流)可通过调节会聚镜的电流来调节。样品上需要照明的区域大小与放大倍数有关．放大倍数愈高，照明区域愈小，相应地要求以更细的电子束照明样品．由电子枪直接发射出的电子束的束斑尺寸较大，相干性也较差。为了更有效地利用这些电子，获得亮度高、相干性好的照明电子束以满足透射电镜在不同放大倍数下的需要，由电子枪子枪发射出来的电子束还需要进一步会聚，提供束斑尺寸不同、近似平行的照明束．这个任务通常由两个被叫做聚光镜的电磁透镜完成．图中C1和C2分别表示第一聚光镜和第二聚光镜．C1通常保持不变，其作用是将电子枪的交叉点成一缩小的像，使其尺寸缩小一个数量级以上．此外，在照明系统中还安装有束倾斜装置，可以很方便地使电子束在2°～3°的范围内倾斜，以便以某些特定的倾斜角度照明样品。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/03/201003241439_207991_1601358_3.jpg[/img]
我们单位购买了一台日本电子公司生产的透射电镜，通过这两年的使用，发现该仪器性能、可靠性都挺好。最近，我们还想再购置一台，但该仪器价格昂贵。不知国产的产品性能怎样，情况如何？请大家发表看法。谢谢！
众所周知,透射电子显微镜是高精密大型仪器,但是很少进入 版面月发帖排行 前十名的. 说明懂得的人还是较少,也说明大家都是人才啊. 操作仪器过程中有什么体会心得给大家共享一下,以促进这儿"少数的人才"共同进步!!!
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