霍尔开关

耐高压高灵敏度单极霍尔开关1. 规格说明商品名称耐高压高灵敏度单极霍尔开关（单极感应N极）感应方式磁铁感应电源电压5-24VDC检测距离有效检测距离0-10mm负载电流不超过40MA输出形式NPN三线常闭型输出状态无磁场时输出高电平，有磁场时输出低电平检测物体金属材料外接引线30cm外形规格M6×0.75，全螺纹，长度10mm接线方式红线正极，黑线负极，黄线信号，请勿接反典型应用无刷电机换向、流量传感器、位置传感器、速度传感器2. 详细参数（Ta=25℃，Vsup=5V）参数符号最小值典型值最大值单位电源电压VSUP3.8540V工作电流ISUP69mA输出电流Isink30mA输出上升时间Tr1us输出下降时间Tf1.5us工作点Bop306080Gauss释放点Brp104060Gauss回差Bhys102040Gauss工作温度Ta-40125℃3. 磁电转换特性该传感器设计用于北极响应。当磁通密度（B）大于工作点Bop时，输出以低电平，输出保持不变，直到磁通量（B）小于释放点Brp时，输出以高电平。该产品20元/只，100只起订。

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K和300K3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：1 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Electromagnet电磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 400 特性• 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 限度地减少停机时间 即插即用备用阳极• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统• 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:型号eH 400 / eH 400 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300 V VDC - 离子源直径~ 4 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-3005A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度3.0' - 直径3.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离6-30” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:• 离子辅助镀膜 IAD• 预清洁 Load lock preclean• In-situ preclean• Low-energy etching• III-V Semiconductors• Polymer Substrates 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士T: +86-21-5046-3511 ext 109 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049 M: +86 1391-883-7267 M: +886-939-653-958上海伯东版权所有, 翻拷必究！

霍尔效应是指当电流流动时，导体置于磁场中，导体片上会产生电压。霍尔效应传感器通过提供与磁通密度成正比的输出电压来测量或检测磁场。Lake Shore为各种应用提供一系列霍尔传感器，不仅仅局限于简单的磁场检测应用，例如编码器、非接触式开关和电子罗盘，也适用于现场测量应用。主要特征 ☛ 多种封装类型☛ 有效面积小☛ 单轴或三轴配置☛ 适用于极端环境（低温、辐射、真空）霍尔传感器是一种 4 引线装置。控制电流 (IC) 引线通常连接到一个电流源，如 Lake Shore 的121型。121型可提供多个与各种霍尔传感器兼容的固定电流值。 霍尔电压引线可直接连接到高阻抗电压表等读出仪器上，也可连接到电子电路上进行放大或调节。设备信号电平范围为微伏至数百毫伏。 霍尔传感器的输入与输出并不隔离。事实上，两个端口之间通常只存在输入电阻数量级的阻抗。为防止错误的电流路径导致较大的误差电压，电流供应必须与输出显示器或下游电子设备隔离。不同类型霍尔传感器性能对比 2DexInAs—stableInAs—sensitiveGaAs材料类型使用二维电子气（2DEG）结构的薄膜技术砷化铟块状材料，掺杂后具有高稳定性砷化铟块状材料，掺杂后具有高灵敏度砷化镓薄膜温度范围1 K* ~ 402 K (-272 °C* ~ 125 °C) * 低温版本在研发中1.5 K ~ 375 K (-271.5 °C ~ 102 °C)208 K ~ 373 K (-65 °C ~ 100 °C)233 K ~ 402 K (-40 °C ~ 125 °C)互换性好—灵敏度值范围窄、线性度优异、偏移电压小差—灵敏度范围足够大，需要了解平均灵敏度值差—灵敏度范围足够大，需要了解平均灵敏度值差—灵敏度范围足够大，需要了解平均灵敏度值坚固性好差差好Lake Shore 仪器兼容性F71 或 F41 特斯拉计选择即插即用传感器--完整的传感器校准和温度补偿功能，可提供与完整的高斯计探头相当的精度425 或 475 高斯计使用 HMCBL 电缆；仅使用单一灵敏度值完成现场转换，这意味着高斯计不进行线性和温度补偿425 或 475 高斯计使用 HMCBL 电缆；仅使用单一灵敏度值完成现场转换，这意味着高斯计不进行线性和温度补偿不兼容平面霍尔效应无，是测量未知方位场的理想选择显著，块状材料产生了足够的平面霍尔效应，因此只能精确测量已知方向的磁场显著，块状材料产生了足够的平面霍尔效应，因此只能精确测量已知方向的磁场部分，薄膜元件可能会出现少量的平面霍尔效应误差额定电流下的灵敏度50.5 ~ 52.5 mV/T5.5 ~ 11 mV/T55 ~ 125 mV/T110 ~ 280 mV/T灵敏度温度系数200 ppm/°C50 ppm/°C800 ppm/°C600 ppm/°C额定驱动电流1 mA100 mA100 mA1 mA典型输入电阻800 Ω2 Ω2 Ω750 Ω典型输入电阻温度系数0.7%/°C0.15%/°C0.18%/°C0.2%/°C最佳偏移电压（等效磁场）±25 µ V (0.5 mT)±50 µ V (4.5 mT)±75 µ V (0.6 mT)±2.8 mV (10 mT)

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 2000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性&bull 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时, 最大限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便&bull 等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数型号eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO供电DC magnetic confinement - 电压40-300V VDC - 离子源直径~ 5 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-30010A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离16-45” - 自动控制控制4种气体 * 可选: 可调角度的支架 SidewinderKRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域&bull 离子辅助镀膜 IAD&bull 预清洗 Load lock preclean&bull 预清洗 In-situ preclean&bull Direct Deposition&bull Surface Modification&bull Low-energy etching&bull III-V Semiconductors&bull Polymer Substrates1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请联络上海伯东上海伯东版权所有, 翻拷必究！

霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括 Si、ZnO、SiGe、Sic，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可测量)，广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。产品特点-采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越 -自动控制磁场方向的改变，更加便捷准确 -样品装夹快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片 -产品采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅测量精确而且操作方便 -用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷应用功能-载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数，可以确定电流携带者的类型，是正电荷的空穴还是负电荷的电子，从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性 -载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系，因此通过测量霍尔系数，可以估计材料中载流子的浓度 -迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率，即电荷载流子在材料中移动的能力，从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究 -材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息，可以更全面地评估材料的电性能，为电子器件和电路设计提供重要参考

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列 美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性 无栅极 高电流低能量 发散光束 45可快速更换阳极模块 可选 Cathode / Neutralize 中和器美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用 辅助镀膜 IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性、激活 SM沉积 (DD)离子蚀刻 LIBE光学镀膜Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD) Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜霍尔离子源 eH 系列在售型号:型号eH400eH1000eH2000eH3000eH Linear中和器F or HCF or HCF or HCF or HCF阳极电压50-300 V50-300 V50-300 V50-250 V50-300 V离子束流5A10A10A20A根据实际应用散射角度4545454545气体流量2-25 sccm2-50 sccm2-75 sccm5-100 sccm根据实际应用本体高度3.0“4.0“4.0“6.0“根据实际应用直径3.7“5.7“5.7“9.7“根据实际应用水冷可选可选是可选根据实际应用F = Filament HC = Hollow Cathode xO2 = Optimized for O2 current 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

HSPM-07RT室温永磁铁霍尔测试系统由高精度霍尔测试仪、室温永磁铁夹具平台、测试电脑及软件组成，可在固定磁场下实现霍尔效应的测量，系统结构桌面式结构设计、体积小，测试效率高，是实验室快速检测和工厂质检的不二选择。系统有77K液氮单点选件，提供样品在77K低温下完成霍尔效应测量。 系统采用科学合理的共地设计，内部电学信号线全部采用三同轴线缆，保障了高阻半导体材料的测量，可以准确测量出样品的的载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。室温永磁铁夹具平台，可以轻松移动和翻转磁场，能同时满足快速霍尔和直流霍尔测试，采用PCB插拔样品卡设计，兼顾范德堡和霍尔巴样品。系统特点：&bull 磁场优于 0.7T（室温测量）；磁场优于0.5T（液氮单点选件）&bull 永磁铁通过滑轨移动，可以轻松翻转，同时兼顾快速霍尔和直流霍尔测试&bull 简单的插拔样品卡设计，可实现快速方便的样品处理，兼顾霍尔巴和范德堡样品的霍尔测试&bull 样品卡包含弹簧铍铜探针四探针样品卡、折弯钨探针四探针样品卡和焊接样品卡，满足不同样品测试需求&bull 科学合理的共地和三同轴结构设计，保障了系统高阻测试性能，电阻可至100GΩ&bull 测试腔有气路阀门，可通入氮气、氩气进行保护，也可抽取真空&bull 可增添77K低温选件，测试液氮单点温度下的霍尔参数测试材料：&bull 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等&bull 光伏材料/太阳能电池：A硅（单晶硅、非晶硅）、CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等&bull 有机材料：OFET、OLED等&bull 透明导电金属氧化物TCO：ITO、AZO、ZnO、IGZO（铟镓锌氧化物）等&bull 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等&bull 二维材料：石墨烯、BN、MoS2等参数和指标：主机型号HSPM-07RT标准电阻范围10mΩ-100GΩ迁移率 10-2 -106 cm2/VS载流子浓度 8x102 -8x1023/cm3霍尔电压分辨率为1μV电压激励范围100nV ~ 10V电流激励范围10pA ~ 100mA测试方法范德堡或霍尔巴样品测试四探针样品卡样品尺寸：25mm*25mm焊接样品卡样品尺寸：10mm*10mm可选样品尺寸：50mm*50mm样品接触方式手动探针扎针或焊接样品温度室温，可选77K单点样品环境气氛（氮气或氩气）或真空磁场0.7T（室温）0.5T（液氮单点）永磁铁运动方式手动水平移动及翻转运动磁铁间隙20mm（室温）30mm（77K单点选件）磁场均匀区10mm*10mm*10mm优于5%

PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：1T 电磁体3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %10年内磁场变化＜± 0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：25 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：± 10V3-9-2电压分辨率：1&mu V 4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

华中区销售工程师 周钟平电话：邮箱： 霍尔效应测试系统依据范德堡法测量材料的电运输性能参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。霍尔效应测试系统产品特点自主知识产权产品。采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越。自动控制磁场方向的改变，更加方便准确。样品装夹方式快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。产品工业外观采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅赏心悦目而且操作方便。智能化的用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷。霍尔效应测试系统测试实例山东大学钛酸锶陶瓷样品测试结果太原理工硅化镁样品测试结果霍尔效应测试系统技术参数型号HET-RTHET-HT磁场强度6800Gs5000Gs磁场稳定性±2％/每年温度范围RT100K~600K（可连续变温）温控精度\±0.5K输出电流100pA-100mA迁移率1-107cm2/Volt-sec阻抗10-6 -107?CM载流子浓度107 -1021cm-3样品测量板样品边长5-20mm，厚度10nm-3mm样品边长5-15mm，厚度10nm-1mm主机尺寸570x545x380，单位mm\重量50kg80kg霍尔效应测试系统技术原理　　采用范德堡法测量材料的霍尔系数和电阻率。范德堡法可测量任意形状、厚度（d）均匀的薄片样品的霍尔系数和电阻率，样品和四个电极联接，相邻的电极通入电流，在另一对电极之间测量电位差，利用电极1、2和2、3通入电流分别做两次测量，测得电阻RA和RB，然后根据范德堡公式推导出样品的电阻率ρ和R构成如下关系：　　在垂直样品的磁场（感应强度B）作用下，电流通过样品的一对不相邻电极，如由电极1到电极3，测得电极2、4之间的电位差V2,4 （VH），可计算出霍尔系数。

v 系统功能：用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念，允许轻松升级，该系统适用于各种材料，包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等v 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能，具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器，可扩展该系统温度范围从90K到500Kv 方块电阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sqv 载流子浓度量程：106 ~ 1021 cm-3v 载流子迁移率量程：1 ~ 107 cmv 四个微调探针座，探针直接形成ohm接触，无需焊线或制作PCB板最大样品测量直径：25mm

测量包括：• 迁移率测试• DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs• AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs• 载流子浓度测试• 电阻率测试• 电阻测量• 低电阻范围 1uohm to 1Mohm• 宽电阻范围 1uohm to 100Gohm• 高电阻范围 1ohm to 100Gohm• 范德堡法测试范围• 霍尔巴法测试 磁帽:• 可更换帽• 标准25mm• 在0-130mm间距连续可调• 更大帽直径可选,50mm,75mm 电磁铁:• ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface• ±35V, ±70A电源• 磁场±IT@25mmpolegap• 线圈电阻: 0.5 ? (20°C)• 水冷温度选项:• 低温 3K-300K• 高温300K-1273K 纳米磁学高斯计:• 磁场扫描采用集成高斯计• 磁场校准采用霍尔探头• 高灵敏度的磁场测量• 所有参数可通过软件控制 样品架:• 4,6 or8范德堡或霍尔巴测试设计• 易于样品安装与弹簧连接• 5mmx5mm样品大小(提供更大选件)• 多个样品安装 控制器和软件:• 使用我们软件可逐层的进行迁移率分析• 基于C# 的全自动软件分析• 非常宽的温度测试范围,3-1,300K• 采用高斯计进行磁场的控制• 非常容易的进行范德堡霍尔巴方法样品测试• 提供软件终生升

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

ZH-02霍尔流速计/松装密度仪ZH-02霍尔流速计是根据GB1482-2010-T金属粉末流动性的测定【标准漏斗法(霍尔流速计代替GB1479-84、 GB1482-84标准规范制作。用于测试金属粉末和非金属粉末的流速和松装密度. 漏斗材料有分黄铜和不锈钢【黄铜容易氧化,不锈钢耐磨】本方法仅适用于能自由流过孔径为2.5mm或5.0mm标准漏斗的粉末。本标准的其他部分规定了不能通过孔径为5.0mm标准漏斗的粉末松装密度测定方法。原理:粉末从漏斗孔按一定高度自由落下充满杯子。在松装状态下，以单位体积粉末的质量表示粉末的松装密度。本标准等效采用ISO 3923/1—1979《金属粉末松装密度的测定 第1部分漏斗法》。装置结构1、漏斗：标准漏斗小孔直径d有两种规格，一种是直径2.5 mm；一种是直径5.0 mm 备注：漏斗孔径2.5mm测试粉末的流速 漏斗孔径5.0mm测试粉末松装密度2、漏斗角度：60度3、圆柱杯：容积25±0.05 cm3,内经为31±1mm。4、杯子和漏斗的制作：杯子和漏斗应由非磁性耐腐蚀的金属材料制成，且具有足够的壁厚和硬度，以防变形和过度磨损，通常选用黄铜材料或是不锈钢材料制作。漏斗和杯子的内表面要仔细抛光。5、支架和底座：支架用于固定漏斗。底座必须水平、稳固，不得振动，供安装支架和杯子使用。漏斗小孔底部和杯子上部之间的距离为25mm，可用定位块来调节，漏斗和杯子必须同心。5、天平（用户自备）:要有足够的测量范围，称量试样能精确到0.01g。标准配件：①安装支架②漏斗（根据实际情况）③25ml量杯④溢出盘/接收器⑤高度定位块测试松装密度的步骤：用天平测量一下量杯的重量W1→用手堵住漏斗,倒入一定量的粉末,然后迅速放开手,让粉末自由流出,直到完全溢出量杯→用不锈钢尺子刮平溢出的粉末,然后在测量一下此时量杯和粉末的重量W2→然后通过计算可以得出松装密度等于(W2-W1)除以标准体积量杯V=25ml测试流速的步骤: 称量50g样品,精确到±0.1g→用手堵住漏斗底部小孔，把称量好的50g样品倒进漏斗中→ 瞬间放手让粉末开始自由落下并开始计时，漏斗中粉末一经流完，立即停止计时T→然后通过公式计算50/T得出流速.

Lake Shore 8400系列霍尔效应测量系统结合了先进的交流和直流磁场霍尔效应测量方法，应用领域十分广泛。交流磁场测量选件非常适合测量传统直流场霍尔方法难以测量的新兴材料（迁移率低于1 cm2/Vs，包括半导体和电子材料，如光伏（太阳能电池）和热电材料、新的显示材料和有机电子材料等。8400系列霍尔效应测量系统提供了一个强大的测试平台，可以根据用户具体需求进行配置，包括变温选件、高电阻和低电阻选件以及光学通道等，极大程度上满足用户的测量需求，并大大简化实验过程。主要特征 ☛ 标准直流磁场测试迁移率范围：1 ~ 106 cm2/Vs☛ 可选交流磁场选件测试迁移率低至0.001 cm2/Vs☛ 可选变温范围15 K ~ 1273 K☛ 磁场最达2.2 T☛ 标准电阻范围：0.5 mΩ~10 mΩ，可选200 GΩ☛ 低阻选件电阻低至~0.5 μΩ可测量参数直接测量参数间接测量参数♢ 直流/交流磁场♢ 霍尔系数♢ 霍尔电压♢ 霍尔迁移率♢ 电阻率♢ 磁阻♢ 欧姆检查♢ 载流子类型♢ 四线法电阻♢ 载流子浓度♢ I-V曲线设备参数84048407DCACDCAC测量参数迁移率1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs载流子浓度8 × 102 ~ 8 × 1023 cm-38 × 102 ~ 8 × 1023 cm-3电阻率1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm电学测试参数*标准电阻测试范围读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法 0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS高阻选件配置读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS低阻选件配置电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电流±1 pA ~ ±100 mA±1 pA ~ ±100 mA恒流输出电压100 V100 V环境（磁场和温度）室温下磁场大小**(25 mm [1 in] 极头间隙)1.67 T使用标准50 mm直径极头1.35 T选用100 mm直径极头1.18 T使用标准50 mm直径极头0.95 T选用100 mm直径极头2.08 T 使用标准100 mm直径极头2.23 T 选用 50 mm直径极头1.19 T使用标准100 mm直径极头1.30 T选用 50 mm直径极头变温下磁场大小**(50 mm [2 in] 极头间隙)0.89 T使用标准50 mm直径极头0.88 T选用100 mm直径极头0.63 T使用标准50 mm直径极头0.62 T选用100 mm直径极头1.44 T使用标准100 mm直径极头 0.68 T使用标准100 mm直径极头运行交流磁场频率NA0.05 和 0.1 HzNA0.05 和 0.1 Hz样品尺寸标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm系统标配温度 室温室温单点液氮模块温度77 K77 K闭循环恒温器模块温度标准闭循环恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 400 K 光学型闭循环低温恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 350 K高温炉模块温度室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 磁体极柱直径4 英寸7 英寸极头直径标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)极头间隙（室温工作时）25 mm (1 英寸)25 mm (1 英寸)极头间隙（变温工作时）50 mm (2 英寸)50 mm (2 英寸)磁场均匀性25 mm 极头间隙, 50 mm 直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm极头间隙, 100 mm直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm325 mm极头间隙, 50 mm直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm3冷却（电磁铁和电源）标准7.6 L/min , 闭循环制冷机选件10.3 L/min标准19 L/min , 闭循环制冷机选件 23 L/min三相双极性电磁铁电源最大输出±35 V ±70 A (2.5 kW)±75 V ±135 A (9.1 kW)其他附件冷却水总功耗标准4.25 kW 加闭循环制冷机时7.45 kW标准13.4 kW 加闭循环制冷机时16.6 kW

半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统昊量光电全新推出的半导体参数分析仪RTM2-霍尔源测系统。利用半导体参数分析仪RTM2的集成开关矩阵实现无限的精度和稳定性用于片状、霍尔和电阻张量的测量。半导体参数分析仪RTM2主要功能：&bull 半导体参数分析仪RTM2专为自动精密测量电阻和相关量而设计。半导体参数分析仪RTM2将直流和交流测量与独特的集成开关矩阵结合在一起。&bull 半导体参数分析仪RTM2具有锁定放大器的低噪、具有高端万用表 8 位以上的动态范围和无与伦比的稳定性，可研究 ppb 级效应。nΩ研究变得前所未有的简单。&bull 创新的连接器设计允许传统的 BNC 操作与被动屏蔽或主动防护屏蔽。这将直流阻抗上限扩展到了 Tera-Ohm 范围，并将交流带宽提高了约两个数量级，以测试MΩ器件。&bull 半导体参数分析仪RTM2只需一台设备就能自动记录完整的电阻张量（Rx、Ry、RH），即使是在无图案的薄膜上。&bull 半导体参数分析仪RTM2 可用于材料研究、薄膜表征以及传感器、晶片和设备测试。在快速多路复用设置中进行交流测试的独特能力，可在现场生产过程中实现更严格的元件分选。半导体参数分析仪RTM2开关矩阵的优点：&bull 万用表或锁相放大 器等传统精密设备依赖于与被测设备（DUT）静态连接的四线电阻测量方法。这种方法不可避免地会受到来自被测设备和测量设备本身的各种干扰影响。&bull 惠斯通电桥或平版印刷霍尔条图案等测量安排可用于减少某些干扰的影响，但它们都依赖于实际电阻器或蚀刻图案的精确和稳定的对称性，这在实践中是无法实现的。&bull 相比之下，矩阵开关可以在时域中分离干扰的影响。其中一个例子是van-der-Pauw范德堡方法，它可以精确区分纵向和横向电阻，即使是在没有光刻图案的不规则形状样品上也是如此。&bull 另一个例子是某些直流仪表采用的 "自动归零（auto-zeroing）"，以补偿偏移漂移。但这还不够。半导体参数分析仪RTM2的全矩阵切换功能及其与紧密多路交流测量的完全兼容性为我们带来了无限可能。&bull 可以对偏移和增益漂移进行补偿，从而实现无限的稳定性。这里的 "无限 "是字面意思：可实现的精度不是 7、8 或 10 位数，而是您愿意等待的位数。在自己的实验室里进入计量圈子吧！&bull 还可以对整个仪器的复合非线性进行补偿。这样就可以测试亚ppm 级的 I-V 非线性，从而在较低和较温和的电流密度下看到更高阶的传输物理。半导体参数分析仪RTM2突出亮点&bull 基于集成开关矩阵的可重构设备架构&bull 8 个用户自定义端口（BNC 连接器），功能（输入、输出和/或参考）可自由确定&bull BNC 屏蔽可配置为无源接地或有源屏蔽&bull 使用固定连接（开尔文或霍尔几何）进行传统的交流和直流 4 线测量&bull 交替连接的交流和直流测量（电阻张量测量、范-德-波测量或电阻率测量）&bull 同时测量薄膜纵向和横向电阻的精确绝对值，无需光刻图案&bull 常用测量模式的软件预设，可指定任何用户特定的切换序列&bull 基于 TCP 的通信，可轻松集成到任何环境中（如 Labview、C、Python）半导体参数分析仪RTM2主要的优势：&bull 可替代所有用于电气特性测量的标准设备(例如锁定放大器、SMU、DMM）&bull 通过集成的矩阵开关克服了静态 4 点测量的局限性&bull 提供范-德-波测量和电阻张量测量的预设值，并允许用户进行全面配置&bull 无需进行复杂的样品制备（如平版印刷）。&bull 可轻松连接多种不同的测量装置（如探针台 、低温 恒温器、真空系统等）&bull 节省测量时间，提高样品吞吐量半导体参数分析仪RTM2主要的应用领域&bull 材料研究与表征&bull 固体物理 &bull 半导体物理&bull 磁性器件 &bull 柔性电子器件&bull 自旋电子学 &bull 新型功能电子材料和器件工业研发和晶片/设备测试&bull 微电子设备 &bull 存储器&bull 晶体管、二极管 &bull LED/OLED &bull 太阳能电池 &bull 显示器、TCO &bull 传感器半导体参数分析仪RTM2典型测试示例：&bull 在标准几何结构（开尔文和霍尔布局）中进行超低噪声、高稳定性交流和直流 4 线测量&bull 对不规则、无结构薄膜样品进行范德保开关连接 4 线测量&bull 基础物理学和计量学中的亚ppm 相对变化和非线性测量&bull 零偏移霍尔 4 线测量（即使是非结构化样品，也能准确分离纵向电阻和横向电阻）&bull 比率电阻测量，消除样品和设备漂移&bull 高驱动谐波失真测量&bull 脉冲和测量例程半导体参数分析仪RTM2规格参数：产品详细信息可联系我们或下载数据资料！关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学 、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

• 电阻率测量范围:10-4-109?cm(取决于样本)• 迁移率:1-107cm2/VS(取决于样本)• 载流子浓度: 107 -1021 per cm3 (取决于样本)• 电流源:±2nAto±20mA,±12Vcompliance• 小测试霍尔电压:0.1μV• 支持霍尔巴和范德堡样品测试• 磁场大小:0.6Tor1T永磁铁• 温度 HT head (300-800K) RT head (300K) LT head ( 80-500K)• 样本量 LT ａnd HT heads 5x5mm -15x15mm RT head 10x10mmThickness ≤2 mm for 1T magnetic fieldThickness ≤5 mm for 0.6T magneic field• 通过软件控制电磁铁运动

美国MMR公司，与斯坦福大学合作开发了专利的致冷器，其具有世界上最小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K)，并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。 各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。其主要客户有Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院等。霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。主要参数：1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）3. 磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）4. 温度稳定度：=0.1K5. 温度响应：1K/sec 6. 致冷片：10X14 mm7. 电阻率：10-4~1013 Ohm*cm8. 载流子迁移率：1~107 cm2/volt*sec9. 载流子浓度：103~1019cm-310. 电流范围：1 pA~100mA11. 电压范围：+/-2.4V，最小可测到6X10-6 V12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G OhmsTel: 86 21 62083715

仪器简介：该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 VDP6800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。 目前广泛应有于大学，研究所和半导体厂商。技术参数：磁场强度：0.65T/1T 常温和液氮温度(77K)下测量 输出电流：2nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-6 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品夹具： VDP6800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm 仪器重量：6kg主要特点：1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。7、可与四点探针公用系统

产品简介我公司研发的 LoRa霍尔阀控水表模块，采用LoRa扩频技术进行无线数据传输。具有低功耗、稳定性强、传输距离远等特点，同时配合先进高效的组网算法，通过相邻节点互相中继的方法，实现复杂环境的超长距离通讯。具有安装便利，维护简单、抄收便捷、无需布线、不受安装环境限制等优点。功能特点1.智能分址唤醒机制，有效降低功耗并互不干扰；2.九级中继，实现超远距离和复杂环境下的组网；3.扩频因子和发射功率可修改，改善传输距离与功耗的平衡；4.宽范围信道可设，避免无线干扰；5.支持表端预付费，内嵌5级阶梯水价，告警水量、透支水量可设置；6.具有阀门控制及阀门异常检测功能，阀门动作上报至云平台；7.定期开关阀门防锈死，开关周期可设置；8.电池欠压、传感器故障、磁干扰等异常报警。适用领域1.适用于城镇居民住宅小区等表具较为集中的区域户用计量；2.适用于出租房、学校、酒店商厦、城市水务等场景计量。

M91是一款全新的一体式霍尔分析仪，采用Lake Shore全新的FastHall测量专利技术（专利号：9797965和10073151），从根本上改变了霍尔效应的测量方式，在测量过程中无需翻转磁场，尤其是在使用强磁场超导磁体或测量极低迁移率材料时，可以实现更快、更精确的测量。同时，M91较短的测量窗口减少了样品因热漂移效应带来的误差，单向磁场测试模式消除了由于磁场对准引起的测量偏差，进一步提高了测量结果的准确性。M91 FastHall可以和任何类型的磁体搭配使用，尤其对于强磁场超导磁体研究平台。目前，M91已经推出了与PPMS系统联用的完整解决方案，显著提高了测量的精度、测量速度以及使用便利性，极大的拓宽了材料研究测试范围！M91主要特征 ☛ 全新的FastHall测试技术，测量过程中无需翻转磁场☛ 一体化设计☛ 可适配各种类型磁体☛ 低迁移率材料的测量速度可达传统方法的100倍☛ 通过最小化热漂移提高精度☛ 测试迁移率低至0.001 cm2/(V&bull s)☛ 标准电阻范围从0.5 mΩ~10 MΩ，可选200 GΩM91主要参数 霍尔测量FastHall方法（无需翻转磁场）范德堡法测量样品传统直流磁场测试方法范德堡法/Hall Bar法测量样品测试参数间接测试参数类型霍尔系数，霍尔迁移率，电阻率，载流子浓度迁移率范围0.001 ~ 106 cm2/Vs（FastHall方法）M91标准测试电阻范围10 mΩ ~ 10 MΩ M91+ M9-ADD-HR高阻选件10 mΩ ~ 200 GΩ 解决了传统霍尔测试中的问题 √ 对于低迁移率的材料，尤其是新型半导体材料（如光伏、热电和有机材料），传统的直流霍尔效应测试系统往往难以测量；√ 交流霍尔效应测试系统可以解决上述问题，但测量时间较长，且测试中因热漂移效应产生误差；√ FastHall技术解决了上述两个问题，可以在几秒钟内精确测量流动性极低的材料。更简单，更方便√ 所有测试模块在一个仪表内√ 自动选择最佳激励和测量量程√ 自动执行测量步骤√ 提供完整的霍尔分析√ 易于使用，易与现有实验室系统集成更好、更快的测量√ 使用FastHall测试无需反转磁场√ 低迁移率材料的测量速度可达传统方法的100倍√ 最大限度地减少热漂移，以提高测量精度更低成本√ 新搭建或快速升级现有系统√ 将先进的霍尔测量技术引进实验室√ 可与任意类型磁体一起使用

特斯拉计和高斯计需要霍尔探头来感应磁场，Lake Shore为用户提供多种类型的霍尔探头，以适应不同的场景。请确保所选探头与连接的特斯拉计或高斯计兼容。Lake Shore霍尔探头选型指引FP系列H系列M系列兼容主机F71/F41特斯拉计475/455/425高斯计460/421/420高斯计性能地磁场至35 T地磁场至35 T地磁场至30 T超高的精度和分辨率高精度和分辨率高精度和分辨率DC ~ 50 kHzDC ~ 20 kHzDC ~ 20 kHz外形因素手持式探头手持式探头手持式探头可安装探头——校准过的传感器未校准过的传感器—方向轴向轴向轴向横向横向横向三轴—三轴Lake Shore霍尔探头概览FP系列霍尔探头 ✔ 适用磁场范围广，从地磁场至35 T超强磁场✔ 0.1 mm2超小的传感器有效面积，测试精度更高✔ 内置温度和线性（磁场）补偿功能✔ 多种手柄和测量杆可选，适合各种应用TruZero&trade 技术使探头无需重新校零✔ 易于使用的功能，如有效区域和极性指示器✔ 可根据具体应用定制探头400系列霍尔探头✔ 适用磁场范围广，从地磁场至30~35 T超强磁场✔ 灵活的探头配置，满足您的各种应用需求✔ 提供多种具有不同性能特点的传感器类型✔ 可根据具体应用定制探头

台湾EMT7065霍尔效应仪 霍尔效应仪可以测量Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。EMT7065霍尔效应仪运用先进的Keithley电子仪表，和我们在极端的条件下能够很好的整合一整套系统，我们的霍尔效应仪温度范围可以达到4K-1000K，磁场可以升级到9T。可以结合许多极端环境平台： 从4K到1000K温度不改变样品架制冷机温度可达到1000K宽泛的测量范围无需跟换腔体进行操作坚固设计并安装在冷却器的上端，换样品时不会接触到。许多标准的安装配置可用-可定制适合你的冷端或者样品架安装配置可以使用许多不同的封闭式和开放式循环制冷机提供高温系统以及温度控制器

PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %10年内磁场变化＜± 0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：± 10V3-9-2电压分辨率：1&mu V 4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 霍尔离子源 eH 3000上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的离子源.尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”放电电压 / 电流: 50-300V / 20A操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性&bull 水冷 - 加速冷却&bull 可拆卸阳极组件 - 易于维护 维护时,限度地减少停机时间 即插即用备用阳极&bull 宽波束高放电电流 - 高电流密度 均匀的蚀刻率 刻蚀效率高 高离子辅助镀膜 IAD 效率&bull 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统 安装方便&bull 高效的等离子转换和稳定的功率控制KRI 霍尔离子源 eH 3000 技术参数型号eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE供电DC magnetic confinement - 电压50-250V VDC - 离子源直径~ 7 cm - 阳极结构模块化电源控制eHx-25020A配置- - 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode - 离子束发散角度 45° (hwhm) - 阳极标准或 Grooved - 水冷前板水冷 - 底座移动或快接法兰 - 高度4.0' - 直径5.7' - 加工材料金属电介质半导体 - 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors - 安装距离16-45” - 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架 KRI 霍尔离子源 eH 3000 应用领域 溅镀和蒸发镀膜 PC辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD表面改性, 激活 SM直接沉积 DD若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 叶女士 T: +86-21-5046-3511 ext 107 F: +86-21-5046-1490 M: +86 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究！

HSEM系列电磁铁霍尔效应测试系统由电磁铁、霍尔测试仪、控制器、样品变温选件等部分组成。根据选取配置不同可实现±1.5T的磁场、10K样品温度、1273K样品温度等性能。具有磁场范围大、温区广等特点。可满足客户在不同温度或不同磁场下对材料的电阻率、载流子浓度、载流子类型、霍尔系数、电子迁移率等参数进行测量。系统特点：&bull 具有连续可变的磁场环境，可选±0.8T或±1.5T两种配置&bull 具有较丰富的温度选件，包含：室温、液氮单点、10K-400K闭循环低温选件、室温-1273K高温选件&bull 迁移率范围：0.01-10^6&bull 可测样品电阻范围：10mΩ-100GΩ&bull 载流子浓度：8 × 102 到 8 × 1023 cm-3&bull 室温屏蔽盒为样品提供室温测试环境，提供多种室温样品卡，满足各种规格的样品的霍尔测试。&bull 可通过滑轨快速切换低温恒温器与室温屏蔽盒，可快速切换样品或更换样品环境，提高换样效率。测试材料：&bull 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等&bull 光伏材料/太阳能电池：（A硅（单晶硅、非晶硅）CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等）&bull 有机材料：（OFET、OLED）&bull 透明导电金属氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnOIGZO（铟镓锌氧化物）等）&bull 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等&bull 二维材料：石墨烯、BN、MoS2参数和指标：型号HSEM-08HSEM-15磁场大小±0.8T±1.5T迁移率1*10-2 to 1*106 cm2 / Vs载流子浓度8x102-8x1023/cm3样品阻值范围10mΩ-100GΩ电压激励范围100nV ~ 10V电流激励范围10pA ~ 100mA测试方法范德堡或霍尔巴样品尺寸标准10mm*10mm可定制Φ50mm或其他尺寸支持温度选件液氮选件闭环低温选件高温炉