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寒暑表

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寒暑表相关的耗材

  • 黄骅市自动化仪表厂寒暑表198
    奥淇科化致力为科研单位打造一站式采购平台。在库品规三十余万种,含盖玻璃、试剂、仪器、耗材配件等。店铺未上架产品请联系客服。
  • 安捷伦/是德33500B 33521B 33522B函数任意波形发生器 回收/销售
    33500B系列波形发生器的参数包括采用Trueform信号生成技术,&zwnj 提供比传统DDS发生器更高的功能、&zwnj 保真度和灵活性。&zwnj 技术参数:&zwnj 33500B系列波形发生器采用了Keysight(&zwnj 原Agilent)&zwnj 的Trueform信号生成技术,&zwnj 这一技术使得该系列波形发生器能够提供比传统直接数字合成(&zwnj DDS)&zwnj 发生器更高的保真度和灵活性。&zwnj Trueform技术允许用户轻松生成各种信号,&zwnj 超越了传统DDS发生器的性能预期。&zwnj 此外,&zwnj 33500B系列波形发生器支持通过USB、&zwnj LAN(&zwnj LXI-C)&zwnj 、&zwnj GPIB标准接口轻松连接到PC或网络,&zwnj 进一步增强了其使用便利性和功能性。&zwnj 功能特点:&zwnj 该系列波形发生器具有单通道和双通道输出选项,&zwnj 频率范围包括20MHz和30MHz。&zwnj 用户可以通过软件将20MHz升级到30MHz,&zwnj 或者将函数发生器的型号添加任意波形生成能力,&zwnj 以及将1M点的存储提升到16M点。&zwnj 这些功能使得33500B系列波形发生器非常适合需要高精度和复杂波形生成的应用。&zwnj 软件支持:&zwnj BenchVue软件许可证现在包含在33500B系列波形发生器中,&zwnj 使得连接和控制仪器以及自动执行测试序列变得非常简单。&zwnj 用户可以在MATLAB、&zwnj Microsoft Excel等环境中创建波形并将其下载到波形发生器,&zwnj 从而实现更加灵活和高效的工作流程。&zwnj 综上所述,&zwnj 33500B系列波形发生器通过其先进的Trueform信号生成技术、&zwnj 多样的输出选项、&zwnj 以及强大的软件支持,&zwnj 为用户提供了高性能、&zwnj 高保真度和高度灵活的波形生成解决方案本公司长期 销售/回收/租赁品牌:是德科技(Keysight),安捷伦(Agilent),泰克(Tektronix),福禄克(fluke),吉时利(Keithley),力科(LeCroy),罗德施瓦茨(RS),Micronix(迈克尼斯),litepoint(莱特波特),安立(Anritsu),马可尼(Marconi),Spirent(思博伦),爱德万(ADVANTEST),Aeroflex(艾法斯),爱色丽(X-rite),美能达(MINOLTA),TOPCON(拓普康),横河(Yokogawa)、菊水(Kikusui),松下(Panasonic),日立(HITACHI),惠美(Hameg),健伍(Kenwood),台湾可洛马(c hroma),岩崎(Iwatsu),(HIOKI),利达(LEADER),韦夫特克(Wavetek),WG(WandelGoltermann),施伦伯杰(SOLARTRON chlumberger),美国(AudioPrecision),等品牌。 销售/回收/租赁范围:网络分析仪,频谱分析仪,示波器,综合测试仪,信号分析仪,信号发生器,蓝牙/WI-FI测试仪,电子校准件,数字万用表,数字源表,噪声源,频率计,LCR数字电桥,GPS信号源,多功能校准仪,直流电源,电子负载,功率计,NI GPIB卡,音频分析仪,天馈线测试仪,耐压测试仪,变压器测试仪, 无线连接测试仪,数据采集器,测试仪,阻抗分析仪等!回收光学仪器:色差仪,色温彩照度计,色彩分析仪,分光密度仪,光泽度计,亮度计,光衰减器,光功率计,光模块/等! 东莞市塘厦万鑫通电子仪器有限公司陈经理:17674156651 微信:17674156651
  • 数显万用表
    数显万用表流线形设计,新型防震套,手感舒适;大屏幕LCD显示,字迹清楚;防磁,抗干扰能力强;全权保护功能,防高压打火电路设计;单位符号显示,操作方便。
  • 小鼠耳标及耳标钳
    专为大小鼠制造的耳标,银色的耳标上配以黑色醒目的数字,合金钢材质,抵抗各种腐蚀(盐水也不怕)。耳标一旦安装,不可以再取下,是安全有效的动物标识。货号产品名称规格24220-10耳标Ear Tag,#S,1-100,0.8cm长100个24220-50耳标Ear Tag,#S,1-500,0.8cm长1000个24220-00耳标适配器,耳标钳Ear Tag Applicator,17cm把
  • 放大倍数校准标样MRS-4
    放大倍数校准标样MRS-4:应用 EM - SEM, SE和BSE模式、 SEM/FIB、TEM (特制) 扫描显微镜与表面轮廓仪- STM、AFM,图案高度为100nm? 光镜 – 透射、反射、明/暗场、相差、共焦 化学成像- EDS、WDS、XRF、XPS、Auger等,图案为100nm CrO2 和 Cr在石英上形成。 粒径计算- 含用于校准的系列圆、方形和矩形图案 图案设计MRS-3由高精密度直写电子束制造设备所制,石英上的图案为抗反射的Cr。二次电子像和背散射电子像反差好。图案表面镀有特殊导电材料,使该标样适
  • 带快速接头的数显压力表 | 24224
    产品特点:带快速接头的数显压力表Digital Gauge with Quick-Connect Fitting订货号:24224● 测量真空度至-30“ Hg和压力达到60 psi,精度为±0.25%。● 包括硬边手提箱。● 兼容微型空气采样罐和Aura个人空气采样器。配件:1/8“ 快速连接
  • 放大倍数校准标样MRS-4
    放大倍数校准标样MRS-4:应用 EM - SEM, SE和BSE模式、 SEM/FIB、TEM (特制) 扫描显微镜与表面轮廓仪- STM、AFM,图案高度为100nm? 光镜 – 透射、反射、明/暗场、相差、共焦 化学成像- EDS、WDS、XRF、XPS、Auger等,图案为100nm CrO2 和 Cr在石英上形成。 粒径计算- 含用于校准的系列圆、方形和矩形图案 图案设计MRS-3由高精密度直写电子束制造设备所制,石英上的图案为抗反射的Cr。二次电子像和背散射电子像反差好。图案表面镀有特殊导电材料,使该标样适
  • 放大倍数校准标样MRS-5
    应用? EM - SEM, SE和BSE模式、 SEM/FIB、TEM (特制) 扫描显微镜与表面轮廓仪- STM、AFM,图案高度为100nm光镜 – 透射、反射、明/暗场、相差、共焦化学成像- EDS、WDS、XRF、XPS、Auger等,图案为100nm CrO2 和 Cr在石英上形成。粒径计算- 含用于校准的系列圆、方形和矩形图案 图案设计MRS-3由高精密度直写电子束制造设备所制,石英上的图案为抗反射的Cr。二次电子像和背散射电子像反差好。图案表面镀有特殊导电材料,使该标样适
  • 放大倍数校准标样MRS-5
    应用? EM - SEM, SE和BSE模式、 SEM/FIB、TEM (特制) 扫描显微镜与表面轮廓仪- STM、AFM,图案高度为100nm光镜 – 透射、反射、明/暗场、相差、共焦化学成像- EDS、WDS、XRF、XPS、Auger等,图案为100nm CrO2 和 Cr在石英上形成。粒径计算- 含用于校准的系列圆、方形和矩形图案 图案设计MRS-3由高精密度直写电子束制造设备所制,石英上的图案为抗反射的Cr。二次电子像和背散射电子像反差好。图案表面镀有特殊导电材料,使该标样适
  • 单晶硅标样 615-F 单晶硅标样,含样品座F
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为7%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-D 单晶硅标样,含样品座D
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为5%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-K 单晶硅标样,含样品座K
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为9%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-E 单晶硅标样,含样品座E
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-B 单晶硅标样,含样品座B
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为3%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-G 单晶硅标样,含样品座G
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为8%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-D 单晶硅标样,含样品座D
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为5%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-C 单晶硅标样,含样品座C
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为4%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-K 单晶硅标样,含样品座K
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为9%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-M 单晶硅标样,含样品座M
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为11%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-L 单晶硅标样,含样品座L
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为10%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-A 单晶硅标样,含样品座A
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为2%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-F 单晶硅标样,含样品座F
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为7%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-C 单晶硅标样,含样品座C
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为4%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-E 单晶硅标样,含样品座E
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-A 单晶硅标样,含样品座A
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为2%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-B 单晶硅标样,含样品座B
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为3%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-G 单晶硅标样,含样品座G
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为8%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-P 单晶硅标样,含样品座P
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为13%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-M 单晶硅标样,含样品座M
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为11%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-P 单晶硅标样,含样品座P
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为13%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
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