缸径规

STAINING JAR Round shape一概况及用途： 染色缸的生产，是用普通料玻璃在大炉炉台上用磨具压机压制，皿和盖分别压制后合并即可。 适用于医疗卫生、医学院、方疫站、六专阮校、科研单位，在研究细菌、细胞、植物时对涂有标本的痰液、粘膜液、分泌液、浓汁等细菌标本制片或植物标本制成的载玻片或盖玻片进行染色时作贮存染色液体，浸泡载玻片和盖玻片的染色器具。二造型 染色缸它的造型分为方型，圆形，圆形小型三种。 方型：是一只偏长方形的玻璃缸，缸内有十只左右对称的凹凸槽，是用来插放10片25.4*76mm的载玻片用。缸的上面有一只平面器边凸出的玻璃盖，是以与缸的上沿边相配，固定底与盖的位置，盖是用来防止灰尘污染用。 圆型：是一只口为圆型，体为长方形垂直宽底的玻璃缸，缸内体积亦是长方形，壁的两侧有5对左右对称的凹凸槽，是应以直立插放25.4*76mm的载玻片用，口大而圆是便于插片取片时方便。缸的上口有一圆平面的四边凸出的玻璃盖，是用来与缸口相配合缸底与盖的位置，防止灰尘污染。底大是为了放置平稳。 圆型小型：是一只矮小的，圆口，圆底，方体的玻璃缸，缸内壁有四对左右对称的凹凸槽，用于插放涂有标本的24*24mm的盖玻片用。其它与圆型染色缸相同。 三 、使用方法： 将涂有标本的载玻片，如疾液、粘膜液、分泌液等细菌标本插入染色缸的隔槽内，常用革兰氏染色法，先用碱性染料结晶紫或龙胆紫染料，使标本染上色后，加入碘溶液使染料固定在被染物上，用酒精使一部分阳性菌脱色，再转移到复红染料的染色缸内进行第二次染色。凡是被染成紫色的细菌称为革兰氐阴性菌，凡是能被酒精脱色，又被染成红色的细菌称为革兰氏阳性菌。最后用水冲去载玻片上的多余染料，通过显微镜观察细菌状态，细菌的鞭毛、胞芽（因为未经染色的鞭毛和胞芽细菌呈透明状态不易观察到它的全貌）。利用染色的方法，可以鉴别细菌所属的类型。

产品信息：Agilent J&W 气相填充色谱柱采用高效和严格的填充技术，确保了柱间的重现性和超高柱效，同时经UltiMetal 处理的不锈钢管线可进一步提高惰性并改善组分峰形。订货信息：20% 癸二腈长度外径（英寸）内径 (mm)担体2 ft (0.61 m)1/82Chromosorb PAW19.7 ft (6 m)1/82Chromosorb PAW30 ft (9.14 m)1/82Chromosorb PAW30 ft (9.14 m)1/82Chromosorb PAW目UltiMetal不锈钢镍80/100G3591-81029G3591-80029G3591-8202980/100G3591-81071G3591-8007160/80G3591-81176G3591-80176G3591-8217680/100G3591-81026G3591-80026G3591-82026

U型硅钼棒，硅碳棒高温电热元件垂直悬挂安装时需要固定夹块固定夹持。硅碳棒，硅钼棒硬而脆，安装时应避免外力施压。固定夹块有不锈钢，镀锌的，全瓷的，我司多种规格现货供应。郑州毅信窑炉有限公司2012年成立，订做硅碳棒、硅钼棒、二硅化钼保护管，二硅化钼鼓泡管，及硅钼棒硅碳棒配套夹具，欢迎咨询。硅钼棒加热元件适宜在空气、中性气氛中使用，还原性气氛如氢气等会破坏保护层，氯和硫的蒸汽对元件有直接的损害。硅钼棒卡具上的螺丝不能一次拧得太紧，待元件升到高温时，再次拧紧，因为这时元件有一定的可塑性不易折断。硅钼棒在使用中，接线喷铝处发生炸裂，主要原因有的窑炉全封闭，产生的水蒸气排不出，在硅钼棒接线端发生电解铝反应。接触不好，产热发生炸裂。

产品信息：Agilent J&W 气相填充色谱柱采用高效和严格的填充技术，确保了柱间的重现性和超高柱效，同时经UltiMetal 处理的不锈钢管线可进一步提高惰性并改善组分峰形。订货信息：20% 癸二腈/2% H3PO4长度外径（英寸）内径 (mm)担体2 ft (0.61 m)1/82Chromosorb PAW30 ft (9.14 m)1/82Chromosorb PAW目UltiMetal不锈钢镍80/100G3591-81015G3591-80015G3591-8201580/100G3591-81014G3591-80014G3591-82014

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

气相色谱填充柱〖25% 癸二腈 on Chromosorb P NAW〗部件号描述规格LDPC20618-09025% 癸二腈 on Chromosorb P NAW 80-100mesh 填充柱1/8"*9m1. 柱管无特殊说明均为进口不锈钢管，有PEEK管、镍管、惰化管等柱管材料可选2. 采用进口优质填料,填装均匀3. 柱长度可依据客户要求订做4. 色谱柱两端的螺母压环等连接件均可选购，请及时沟通，以免无法连接

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