分子束外延残余气体分析四极质谱仪

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分子束外延残余气体分析四极质谱仪相关的厂商

  • 宜准科技以残余气体分析仪(RGA, Residual Gas Analyzer)为切入点,旨在中国实现系列高精度质谱分析仪器的产业化,以改变这类高端仪器全部依赖进口的局面。 质谱仪的应用范围非常广泛,涉及食品、环境、人类健康、药物、国家安全和其他与分析测试相关的领域,而中国的中高端质谱仪市场完全被国外品牌所垄断。宜准科技已经全面掌握这类小型化高分辨率四极质谱仪的技术和生产,正将产品全面推向国内外市场。
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  • 400-860-5168转4180
    上海续波光电技术有限公司是一家专业从事高性能薄膜沉积及处理设备、光电材料及软件、金刚石合成及应用、激光等离子体仿真和诊断等产品及服务进口的技术贸易服务型公司。公司至今已与法国、德国、英国、瑞士、意大利、美国、加拿大、日本、俄罗斯等国家的多家企业建立了战略合作关系,并服务于国内从事微电子、半导体、光学、纳米技术等领域的研究所和大学。公司从事领域及产品主要包括:加速器质谱仪:第三代14C加速器质谱仪系统(AMS),包括全套可兼容第三代石墨化系统AGE3、气动压样装置PSP、铁制分配器FED、管密封装置TSE、气体电离探测器GID、气体接口系统GIS、碳酸盐处理系统CHS2、同位素比质谱仪IRMS。薄膜制备及处理:磁控溅射仪(magnetron sputtering system)、电子束蒸镀设备(E-beam Evaporation system)、离子束溅射沉积(IBS system)、化学束外延镀膜(CBE/GSMBE)、分子束外延设备(MBE)、离子减薄仪(Ion Milling)、超高真空多功能镀膜设备、高精密光学镀膜设备(Optical Coating system)、刻蚀机(RIE, RIEB)、超导约瑟夫森结制备(Josephson Junction, Qubits)、DLC类金刚石镀膜设备。金刚石制备及应用:纳米晶金刚石制备设备、热丝化学气相沉积(HFCVD)、CVD单晶金刚石合成设备、CVD光学级金刚石窗口合成、微波等离子化学气相沉积(MPCVD)、工具级金刚石涂层制备(tool coating)、金刚石单晶/多晶掺杂(single crystal diamond and doping)、CVD金刚石单晶及其应用、高温高压金刚石单晶(HPHT diamond)、金刚石抛光设备(diamond polishing)、激光切割设备(laser cutting)、钻石净度及切工评定仪器;高能密度物理:辐射流体力学模拟、原子光谱分析软件、多维碰撞辐射软件、三维热辐射CAD软件、状态方程和不透明度、原子物理数据库;微波干涉仪、金刚石靶丸、超高功率输出窗口;激光等离子体气体/固体靶、粒子加速器源、激光等离子体加速器及应用(无损测试)激光器与设计:固体激光器设计软件(Solid-state Laser)、光纤激光器设计软件(Fiber laser)、半导体激光器设计软件(Semiconductor laser)、激光镜面镀膜设备(Lasers coating system)、高功率激光输出窗口(High power output window)、高功率激光热沉片(Heat Sink)、高功率钻石激光器(Diamond Laser)、金刚石窗口镀增透膜(AR coating service);磁场分布测量:微霍尔阵列磁场相机(1D/3D)、大面积磁场分布测量解决方案、永磁转子表磁测量解决方案,多功能表磁测试平台
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  • 400-860-5168转6128
    上海欧格斯特气体技术中心提供超纯环境、流量控制、压力控制、真空获得等解决方案。涡旋真空泵适用行业: 科学仪器(质谱分析、比表面仪、电子显微镜、分子泵前级泵); 高能物理研究(光束线、微波系统); 半导体(手套箱、厌氧烘箱、等离子清洗、特殊气体回收); 光伏(退火炉、长晶炉); 医疗设备(呼吸式癌症检测仪、质子重离子治疗仪); 生物化学研究,航天工业,工业自动化等。 我们的产品技术先进,可靠耐用,符合国内外各类标准,不俱严苛环境以及极端温度和压力条件。同时,从初始概念设计到调试支持,还可根据您的独特需求提供定制化服务。
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分子束外延残余气体分析四极质谱仪相关的仪器

  • 基于20多年稀有气体质谱仪的经验,Thermo Scientific开发了系列新一代多接收稀有气体质谱仪。它结合创造性的新特征和经过实践验证的成熟的同位素质谱技术,开发了Helix MC Plus、Helix SFT和ARGUS VI三款先进的静态真空稀有气体质谱仪,是多接收静态惰性气体质谱迈进的重要一步。Thermo Scientific HELIX SFT质谱是为氦同位素同时分析及高精度跳峰分析而设计的高分辨、多接收系统,可以同时测定3He和4He,也可以用跳峰模式测量任何稀有气体同位素。 主要特点 该系统可同时测量氦同位素,无需跳峰扫描,减少了分析时间,获得了更高的精度和产出效率; 丰度灵敏度:由于HELIX SFT独特的设计,质量4对质量3的贡献小于1ppb; 体积:HELIX SFT的内部体积约1400cc,这是当前技术的重要提升; 分辨率:低质量数接收器,通常用来测定3He,其分辨率大于700,这保证了3He 能够和两个干扰峰HD和H分开; 1010Ω/1011Ω/1012Ω/1013Ω放大器拥有不同的动态范围范围使大部分分析都能在长寿命的法拉第接收器上进行。
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  • 仪器简介:HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。该分子束外延特定分析质谱仪由兼容性材料组成,并能在分子束外延环境中长期使用。 主要特点:钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命 抗污染离子源护罩 双法拉第/ channelplate电子倍增器 技术规格:质量数范围: 1~300 amu 扫描速度: 100amu/s 最小扫描步阶:0.01amu 灵敏度: 0.1 ppm~1ppm 稳定性: 24h以上,峰高变化小于±0.5% 最小检测分压:2 x 10-13 mbar 最大工作压力:1 x 10-4 mbar Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)
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  • 仪器简介 英国Hiden公司的HAL 201 RC超高真空残余气体分析四极质谱仪专为检测超高真空容器中的存在组分而设计,针对真空诊断进行精确的分析。 离子源为镀金离子源,适合应用在总压小于5 x 10-10mbar的领域,其系统与EPIC离子/分子分析质谱仪完全兼容。 主要特点:镀金离子源,以减少离子源脱气 氧化物涂层双铱丝的离子源 双法拉第/ Channeltron电子倍增器检测器 技术规格:质量数范围: 200,300 amu扫描速度: 100amu/s 最小扫描步阶:0.01amu 灵敏度: 0.1 ppm~1ppm 稳定性: 24h以上,峰高变化小于±0.5% 最小检测分压:5 x 10-14 mbar 最大工作压力:1 x 10-4 mbar
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分子束外延残余气体分析四极质谱仪相关的资讯

  • 窥见中国MBE市场——分子束外延专利情况分析
    随着半导体市场,特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长,分子束外延作为一种新发展起来的外延制膜方法而逐渐崭露头角。分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术,它是在超高真空条件下,类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子),以一定的热运动速度,按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。该技术的优点是:使用的衬底温度低,膜层生长速率慢,束流强度易于精确控制,膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜,以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件,这种文件记载了发明创造的内容,并且在一定时期内产生这样一种法律状态,即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国,专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体,囊括了全球90%以上的最新技术情报,相比一般技术刊物所提供的信息早5~6年,而且70%~80%发明创造只通过专利文献公开,并不见诸于其他科技文献,相对于其他文献形式,专利更具有新颖、实用的特征。可见,专利文献是世界上最大的技术信息源,另据实证统计分析,专利文献包含了世界科技技术信息的90%~95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上,对企业组织而言,专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此,通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析,可以从其中得到大量有用信息。基于此,仪器信息网特统计分析了国内分子束外延的专利信息,以期为从业者提供参考。(本文搜集信息源自网络,不完全统计分析仅供读者参考,时间以专利申请日为准)本次统计,以“分子束外延”为关键词进行检索,共涉及专利总数量为593条,其中发明专利540条、实用新型专利52条和外观专利1条。从统计结果可以看出,从1992年开始,分子束外延专利数量整体呈增长趋势,但在2004-2006年之间出现了一个小高峰。这表明分子束外延的研发投入整体在不断增加,相关企业和科研院所数量也在不断增加,从事相关研究的人数也在逐年增加。1992-2003是国内分子束外延技术的起步阶段,2004年进入了发展阶段。从申请人专利量排行可以看出,在专利申请人申请量排名中,中国科学院半导体研究所的表现最为突出共申请专利60件,中国科学院上海微系统与信息技术研究46件专利与中国科学院上海技术物理研究所24件专利,分列第二与第三位。整体来看,相关专利几乎都集中于科研院所,特别是中科院系统内,在专利申请量TOP20中的企业只有新磊半导体科技(苏州)有限公司和苏州焜原光电有限公司。具体来看,科研院所的分子束外延专利主要集中于材料生长、加工工艺等方面;而两家企业的专利主要围绕分子束外延设备方面。据了解,苏州焜原光电有限公司成立于2017年5月,位于苏州吴江汾湖高新区,地处江浙沪两省一市交汇的黄金腹地,由陈意桥博士携美国及国内团队创立,主要从事III-V族化合物半导体材料和器件的研发和生产。该公司技术团队拥有器件及材料结构设计、外延材料生长、器件研制、MBE设备设计及定制化升级改造等多方面人才。可以看出,目前分子束外延的研发主要集中于科研院所,相关设备主要用于科研领域。从发明人专利量排行可以看出,在专利申请人申请量排名中,中国科学院上海技术物理研究所的顾溢研究员的表现最为突出,共申请专相关利22件,其次为冯巍、张永刚等人。顾溢是中科院上海技物所研究员,主要研究领域为III-V族半导体光电材料与器件,包括半导体材料分子束外延、失配材料生长与应变控制、短波红外半导体探测材料及其光电特性等,在大失配异变和赝配In(GaAl)As晶格工程和大尺寸高均匀材料外延及其器件研制方面取得系列成果。通过对专利申请区域进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度,进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出,国内分子束外延相关专利申请主要集中于北京市、上海市、江苏省等,这些地区都是半导体相关研究发达的地区,而分子束外延主要用于科研。从专利技术分类来看,大部分的专利都集中于电学领域(57.77%)。这主要是因为其被广泛应用于半导体器件或其部件的制造或处理(h01l21/02)。具体来讲,主要是其被用于半导体材料得生长等方面。
  • 加拿大OCI公司推出新型多功能分子束外延生长装置IMBE300
    加拿大OCI公司推出新型多功能分子束外延生长装置IMBE300 我司全权代理的加拿大OCI公司近期首次推出世界上最新型多功能分子束外延生长装置IMBE300。该装置在一台装置上同时可集成如下6大技术使之尤为引人瞩目。1. 带有7个蒸发源的MBE2. 低能电子衍射仪3. 俄歇电子能谱仪4. X射线光电子能谱仪5. 反射高能电子衍射仪6. 热脱附质谱仪 该装置实现了如下的设计制造目标:在一个超高真空腔体上完成外延生长过程集成监控,2-D结晶状态跟踪以及原位成分/电子能带分析。具体说来有如下特点。1. 在薄膜生长后无需传送到另外的超高真空室进行分析。2. 在蒸发和表面分析之间只需很短的切换时间。3. 具有传送臂和试样存储机构的样品室。4. 试样传送机构和其他系统兼容,SPM和SEM。敬请国内材料工作者来电咨询合作。参见下面图片说明。
  • 分子束外延占主流——共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备盘点
    随着半导体市场,,特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长,作为化合物半导体研发中相关材料制备的关键仪器,MBE、MOCVD等薄膜沉积与外延设备的市场也在逐年增长和扩大中,不论是海外品牌还是国产品牌,近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度,这些仪器设备大多养在“深闺”,大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能,中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日,科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知(国科发基〔2020〕342号)》,全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中,对化合物半导体薄膜沉积与外延设备的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息(注:本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台,部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全,不完全统计分析仅供读者参考)。共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布北京市共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布本次统计,共涉及化合物半导体薄膜沉积与外延设备的总数量为184台,涉及23省(直辖市/自治区),73家单位。其中,北京市共享设备数量最多达64台,占比35%,涉及14所高校院所,北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多,产品也主要用于科研领域。共享仪器平台主要来自科研用户上传并服务于科研用户,也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看,其主要分布于高校集中的海淀区,该地区共有60台共享设备。化合物半导体材料制备设备主要有MBE和MOCVD。从统计中可以看出,MBE在科研领域中的占比较大,高达73%,MOCVD占比为21%。MBE由于其外延生长时间长,大批量生产性差,对真空条件要求高,目前还无法大规模用于工业化生产中,又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势,主要用于进行生长机制的研究,图中比例仅代表科研领域中的分布情况。虽然MBE成膜质量好,但生产效率低,因此在工业领域中,MOCVD占据主流。不过近年来,众多厂商和科研人员一直在致力于MBE技术的产业化,信息显示,北京意莎普科技发展中心有限公司近年来在推进MBE分子束外延片研发及产业化建设项目。还有知情人士称,深圳地区有人做相关产业化,一次性买入几十台MBE,做2寸的晶圆,做出来多少,就有人收多少。相关仪器设备所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出,这些仪器设备主要用于物理学和材料科学研究,占比分别为36%和32%。需要注意的是,以上统计存在交叉分布的情况,即该仪器同时属于多类学科领域,实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。化合物半导体薄膜沉积与外延设备TOP5品牌MOCVD设备中Aixtron占比那么这些仪器主要有哪些品牌呢?整体来看,化合物半导体薄膜沉积与外延设备中,沈阳科仪、Aixtron和Omicron占比最高,其中沈阳科仪MBE和MOCVD产品均有涉及,Aixtron则聚焦MOCVD设备,Omicron聚焦MBE产品。MBE产品的品牌占比可参考【这类仪器本土品牌在崛起——全国共享MBE盘点】。进一步统计分析了MOCVD的品牌构成,发现MOCVD主要以德国Aixtron的产品为主,占比高达49%。需要注意的是德国Aixtron集团在英国有子品牌Thomas Swan,本次统计未归入Aixtron中。Aixtron是一家总部位于德国的欧洲技术公司,专门为半导体行业的客户制造金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备。2016年10月,中国福建大芯片投资基金LP希望收购Aixtron,但德国经济部撤回了对该收购的批准。Axitron与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片,在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上,产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构),不但均匀性较好,也减少了边缘效应。不过就现阶段而言,大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统,使得Aixtron的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。设备品牌所属国家分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢?统计结果表明,此类产品以德国品牌居多,占比达32%,其次为国产品牌,可以看出中国产品正在崛起。本次统计主要涉及牛津、Aixtron、Thomas Swan、沈阳科仪、Emcore、中科宏微、Veeco、Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten GmbH、DCA、VG、Unisoku、SVTA、国成仪器、RIBER、Neocera、大连齐维科、上海实路、KurJ.Lesker、青岛精诚华旗、湖南顶立、EPGRESS等品牌。

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  • 【转帖】分子束外延生长的优缺点

    MBE有许多优点:①由于MBE是在超高真空系统中操作,使用纯度极高的元素材料,所以可以得到高纯度、高性能的外延薄膜;②生长速率低,大约为一微米每小时,可以精确地控制外延层厚度,制造超薄层晶格结构及其它器件;③生长温度低,可避免高温生长引起的杂质扩散,能得到突变的界面杂质分布;④可在生长腔内安装仪器,例如配置四极质谱仪、反射式高能衍射仪、俄歇电子谱仪、二次离子谱仪和X射线光电子能谱仪等。通过这些仪器可以对外延生长表面情况、外延层结晶学和电学性质等进行原位检测和质量评价。这保证了外延层质量;⑤由于基本能够旋转,保证了外延膜的均匀性。分子束外延技术使异质结构、量子阱与超晶格得到迅速发展,使器件物理学家和工程师们设计出新的具有“带结构工程”的器件,为晶格失配外延生长开辟了器件制造的新领域。MBE存在的不足是:表面形态的卵形缺陷,长须状缺陷及多晶生长,难于控制两种以上V族元素,不利于批量生产等。

分子束外延残余气体分析四极质谱仪相关的耗材

  • 残余应力测试仪品牌
    JH-30残余应力检测仪应用范围1.适于各种金属和非金属材料的盲孔法残余应力定量测量。2.对零件的形状大小和表面没有特殊要求,对零件有轻微的破坏。3.适合于各种环境下工厂和工程现场测量。JH-30残余应力检测仪特点1.数码管显示应变和残余应力高亮8位数码显示,可通过面板按键切换显示,实时查看应变和残余应力值及方向。2.操作简单只需输入被测工件的材料相应的释放系数A,B值,即可自动计算残余应力。自带温度补偿装置,自动清零,无需复杂的软件设置。3.在线打印在线油墨打印测量应变值和残余应力数据,可作为检验依据长期保存。JH-30残余应力检测仪技术指标1、工作环境:a)温度:-20-40℃b)相对湿度:42%-92%;2、应变测量范围:±12800με3、应力测量范围:±2688MPa4、分辨率:1με/字,测量精度高达0.1MPa;5、适用应变片阻值:120Ω±0.56、供桥电压:DC2V,纹波小于0.1mV;7、灵敏系数:±9.999线性可调;8、基本误差限:≤±0.2%9、零漂:≤±2με/小时10、读数值变化:±0.13με/小时11、温漂:≤±0.02%F.S/℃12、可以根据被测工件的材料随意设置相应的释放参数;13、仪器采用八位高亮数码管显示,可任意切换显示应变和应力;14、配有智能打印机。可实时打印三个方向的应变值及计算后的残余应力值δ1、δ2及主应力方向角度θ;15、设有RS232接口,可方便以后软件升级;16、可配置JHZK残余应力精密打孔装置提高测量精度;17、钻孔直径:φ1.0~φ3.0mm18、电源:交流50HZ220V±10%
  • 残余应力测定仪价格
    JH-30残余应力检测仪应用范围1.适于各种金属和非金属材料的盲孔法残余应力定量测量。2.对零件的形状大小和表面没有特殊要求,对零件有轻微的破坏。3.适合于各种环境下工厂和工程现场测量。JH-30残余应力检测仪特点1.数码管显示应变和残余应力高亮8位数码显示,可通过面板按键切换显示,实时查看应变和残余应力值及方向。2.操作简单只需输入被测工件的材料相应的释放系数A,B值,即可自动计算残余应力。自带温度补偿装置,自动清零,无需复杂的软件设置。3.在线打印在线油墨打印测量应变值和残余应力数据,可作为检验依据长期保存。JH-30残余应力检测仪技术指标1、工作环境:a)温度:-20-40℃b)相对湿度:42%-92%;2、应变测量范围:±12800με3、应力测量范围:±2688MPa4、分辨率:1με/字,测量精度高达0.1MPa;5、适用应变片阻值:120Ω±0.56、供桥电压:DC2V,纹波小于0.1mV;7、灵敏系数:±9.999线性可调;8、基本误差限:≤±0.2%9、零漂:≤±2με/小时10、读数值变化:±0.13με/小时11、温漂:≤±0.02%F.S/℃12、可以根据被测工件的材料随意设置相应的释放参数;13、仪器采用八位高亮数码管显示,可任意切换显示应变和应力;14、配有智能打印机。可实时打印三个方向的应变值及计算后的残余应力值δ1、δ2及主应力方向角度θ;15、设有RS232接口,可方便以后软件升级;16、可配置JHZK残余应力精密打孔装置提高测量精度;17、钻孔直径:φ1.0~φ3.0mm18、电源:交流50HZ220V±10%
  • 焊接残余应力检测方法
    金属材料在机械加工和热加工的过程中都会产生不同的残余应力。残余应力的存在对材料的力学性能有着重大的影响,因此,残余应力的检测对于热处理工艺、表面强化处理工艺、消除应力工艺的效果及不良品的控制分析等都有很重要的意义。南京聚航科技有限公司技术先进,服务周到,可针对各类试件、工件提供专业的残余应力检测技术服务。服务方式可根据客户情况,选择将试件邮寄或者我方人员上门两种方式。聚航科技为您提供专业的盲孔法残余应力检测、环芯法残余应力检测、切条法残余应力检测、磁测法残余应力检测等测试服务。根据客户所述说的残余应力检测需求专门为客户提供详尽的检测方案。并根据国内外相关标准,提供测试报告,为客户进行应力分析。我公司所用的测试仪器经省级计量机构检定精度达到0.1级。南京聚航科技有限公司残余应力检测事业部推出的残余应力检测服务是针对机械制造行业中产品毛坯-粗加工-热处理-半精加工-精加工-成品等全过程或某重要工艺的残余应力参数检测服务,金属非金属都可,可以帮助客户建立起一套属于自己产品的残余应力数据库,完善企业产品合格检测标准,让客户充分了解到工艺全流程或重点工艺加工处理后的产品残余应力水平,缩短产品研发时间、优化产品结构和工艺、改善产品安全性能、保证质量、降低成本、完善产品质量管控手段、提高客户产品的成品率、增强产品竞争力。南京聚航科技有限公司遵循保密原则,充分保障客户的商业、技术秘密。南京聚航科技有限公司残余应力检测技术服务行业有:航空:航空飞行器的框架、发动机机匣、涡轮盘、薄壁件等;航天:航天飞行器薄壁件、舱体、支架等; 兵器:装甲钢、铝合金车体、齿轮箱、弹壳、雷达等;轨道交通:车体、转向架、底架横梁等; 其他行业:汽车、机械、船舶、电子等。
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