镀膜机

美国Denton金/碳镀膜机 丹顿真空公司位于美国费城，是世界著名真空镀膜设备制造商。从1964年成立至丹顿已为全球客户制造了数千台多种规格的蒸发设备、溅射和PECVD镀膜系统，用于大工业生产、科研开发和小规模制造。丹顿用于科研开发和小规模制造的中小型镀膜设备据美国市场占有率之首。Desk V HP 专用电子显微镜样品制备 – SEM TEM FE-SEM 金/碳镀膜机特点● 内置泵系统● 极短的沉积时间● 一致的沉积参数● 图形界面彩色触摸板● 薄膜厚度控制● 样品清洁的蚀刻模式● 多样靶材材料选择● 更多可选功能

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产品简介：钙钛矿镀膜机主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作，广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。 产品型号钙钛矿镀膜机主要特点1、样品位于真空室上方，蒸发源位于真空室下方，向上蒸发镀膜，且蒸发源带有挡板装置。2、设有烘烤加热功能，可在镀膜过程中加热样品，最高烘烤加热温度为180℃。3、设有断水、断电连锁保护报警装置及防误操作保护报警装置。技术参数1、镀膜室：不锈钢材料，采用方形前后开门结构，内带有防污板，腔室尺寸约为600mm×450mm×450mm2、真空排气系统：采用分子泵+机械泵系统3、真空度：镀膜室极限真空≤6×10-4Pa4、系统漏率：≤1×10-7Pa5、蒸发源：安装在真空室的下底上；有机蒸发源4个、容积5ml，2台蒸发电源，可测温、控温，加热温度 400℃，功率0.5KW；无机蒸发源4套、容积5ml，2台蒸发电源，加热电流300A，功率3.2KW； 蒸发源挡板采用自动磁力控制方式控制其开启6、样品架：安装在真空室的上盖上，可放置?120mm的样品、载玻片，旋转速度0-30rpm7、加热温度：RT-180℃，测温、控温8、膜厚控制仪：石英晶振膜厚控制仪，膜厚测量范围0-999999?

Ossila公司浸渍提拉镀膜机英国Ossila公司浸渍提拉镀膜机性能卓越，内置软件，操作简单，价格经济，为科研领域工作者提供一款理想的适用于液相镀膜制备而设计的精密仪器。目前在化学、材料科学的研究中，被广泛应用于溶胶-凝胶（sol-gel）法薄膜材料制备。如硅片、晶片、玻璃、陶瓷、金属等所有固体材料表面薄片材料镀膜工艺，可以控制膜片提出速度，进而控制涂层厚度，保证良好重复性。提供2年的质保，为使用者提供更高的保障。功能特征u 高精度电机---Ossila浸渍提拉镀膜机采用高精度电机，样品浸渍重复性好。u 平滑运动---Ossila浸渍提拉镀膜机采用微频步进电机，基片浸入、提出过程平滑准确，保证浸渍镀膜效果。u 基片兼容性好---各种尺寸、形状和材质的基片都可以，兼容性好。u 浸渍速度可设置范围广---Ossila浸渍提拉镀膜机基片浸提速度自0.01mm/秒至50mm/秒可设置。只需一台浸渍提拉镀膜机,便可以实现不同厚度的浸渍镀膜效果。u 形体小巧---Ossila浸渍提拉镀膜机占地面积小，只需20cmx30cm空间即可工作，适合大多数实验室。u 坚固耐用，防滑式设计---Ossila浸渍提拉镀膜机采用防滑台脚设计，具有牢牢的抓地功能，避免工作过程不会发生位移。u 软件操作简单---Ossila浸渍提拉镀膜机的内置软件(不需外接电脑)可以实现手动和自动控制。用户界面友好，实验编程和参数设置简单。样品的浸入速度、停留时间、提出速度、干燥时间等整个浸渍过程都是可调可控。手动浸渍情况下，用户可独立设置系统的样品浸入和提出。u 全彩显示屏---任何照明条件下、无论从任何角度，彩色显示屏都有良好的可识别性，视觉舒适性好。u 内置安全措施----Ossila浸渍提拉镀膜机内置软件多种安全保护，包括基于软件的碰撞探测功能，为用户提供高级别的安全性。当基片或工作臂碰到提拉镀膜机底座或烧杯底时系统自动停止工作。降低样品、玻璃容器或提拉机本身受损的风险。u 样品提出速度可变---样品提出速度在整个基片长度范围内可调整，以达到不同涂层厚度梯度效果，快速优化胶片厚度。u 用户协议可保存---Ossila浸渍提拉镀膜机可以存储20个不同的用户协议，每个协议可设置保存20个不同的步骤编程，可随时调用，节省时间，尤其适用于多个科学家共用一台设备的非常繁忙的实验室。u 快速释放夹---用户可以快速往工作臂上加样和卸样。u 标尺的磁铁固位---夹子下方有内置磁铁块，可以很方便地将金属标尺固定到位，便于测量(标尺是标配)。技术规格v 最小提取速度：0.01mm.s-1。v 提取速度：50 mm s-1。v 速度再重现性：±0.01%@1mms-1，±0.1% @10mm.s-1，± 0.3% @ 50mm.s-1。v 最长行程：100 mm。v 循环次数：1000个循环。v 定时器最长可设置时间：99:59:59 (时:分:秒)。v 内置软件特征：提出速度可变，重复循环，碰撞检测功能。v 程序数量：20。v 电源：DC24V。v 产品整体尺寸：宽200mmx高350mm (450mm完全展开)x长300mm。v 运输重量5kg。

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高真空镀膜机 Leica EM ACE600 您选择了用于TEM和FE-SEM分析的最高分辨率。Leica EM ACE600是完美的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于最高分辨率分析。这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统，是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。高真空镀膜仪 – 配置您的镀膜体系 – 我们铸造您真正需要的镀膜仪Leica EM ACE600 可以配置如下镀膜方式: 金属溅射镀膜 碳丝蒸发镀膜 碳棒蒸发镀膜（带有热阻蒸发镀膜选配件） 电子束蒸发镀膜 辉光放电 连接VCT样品交换仓，与徕卡EM VCT配套实现冷冻镀膜，冷冻断裂，双复型，冷冻干燥和真空冷冻传输Leica EM ACE 镀膜仪 为您开启最优越的镀膜体验 全新一代ACE系列镀膜仪是徕卡与前沿科学家合作研发的结晶，它涵盖了您在样品制备过程中所需的所有镀膜需求，从常温镀膜到冷冻断裂/冷冻镀膜。让我们开启大门来体验全新镀膜设备的先进技术。我们的理念只有一个，即“力求简约，简便，快速并可靠地实现样品表面镀膜，使您的样品在EM中获得最好的图像”。

派瑞林真空镀膜机用独特的真空气相沉积工艺制备，由活性小分子在基材表面“生长〞出完全敷形的聚合物薄膜涂层 ，具有其他涂层难以比拟的性能优势。它能涂敷到各种形状的表面，包括尖说的校边 ，裂缝里和内表面。可应用于航空航天、新能源汽车、电路板、磁性材料、传感器、硅橡胶、密封件、医疗器械等行业，具有广阔的市场前景。这款MQP-3001小设备腔体小，均匀性良好，适合科研单位进行实验研究，操作简便，稳定性强。公司始终以信誉求发展，以质量求生存为宗旨，坚持以人为本，与时俱进科技创新，公司将一如既往，努力打造优良品牌，同时也真诚地为用户提供周详的服务．有充足的技术及生产加工能力，欢迎广大客户选购本公司真空镀膜设备和派瑞林（Parylene）原材料以及来件涂层加工。

低真空镀膜机 喷金仪|喷碳仪|蒸镀仪 Leica EM ACE200为SEM和TEM分析生产同质和导电的金属或碳涂层，之前从未有过比与Leica EM ACE200涂层系统更方便的设备了。配置为溅射镀膜机或碳丝蒸发镀膜机后，可以在全自动化系统中获得可重复的结果，实现了一台EM ACE200具有喷金仪，喷碳仪，蒸镀仪三种功能。如果您的分析需要这两种方法，徕卡显微系统在一台仪器中提供可互换机头的组合仪表。各个选项，如石英晶体测量、行星旋转、辉光放电和可交换屏蔽共同构成这台低真空镀膜机。 特点理想重现的结果运行自动化的进程，并协助参数设置。小巧紧凑设计紧凑，占地面积小节省了实验室空间。容易清洗具备可拆卸门、卷帘、内部屏蔽、光源、载物台。操作简便直观的触摸屏和一键式操作。

钙钛矿镀膜机主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作，广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。主要特点1、样品位于真空室上方，蒸发源位于真空室下方，向上蒸发镀膜，且蒸发源带有挡板装置。2、设有烘烤加热功能，可在镀膜过程中加热样品，最高烘烤加热温度为180℃。3、设有断水、断电连锁保护报警装置及防误操作保护报警装置。技术参数1、镀膜室：不锈钢材料，采用方形前后开门结构，内带有防污板，腔室尺寸约为600mm×450mm×450mm2、真空排气系统：采用分子泵+机械泵系统3、真空度：镀膜室极限真空≤6×10-4Pa4、系统漏率：≤1×10-7Pa5、蒸发源：安装在真空室的下底上；有机蒸发源4个、容积5ml，2台蒸发电源，可测温、控温，加热温度 400℃，功率0.5KW；无机蒸发源4套、容积5ml，2台蒸发电源，加热电流300A，功率3.2KW；蒸　　　　　 发源挡板采用自动磁力控制方式控制其开启6、样品架：安装在真空室的上盖上，可放置?120mm的样品、载玻片，旋转速度0-30rpm7、加热温度：RT-180℃，测温、控温8、膜厚控制仪：石英晶振膜厚控制仪，膜厚测量范围0-999999A

价格电议氦质谱检漏仪镀膜机检漏上海伯东代理德国 Pfeiffer 多功能多用途氦质谱检漏仪 ASM 340 成功应用于刀具镀膜机检漏。目前市场上常见的金黄色、钴铜色、黑色等钻头、铣刀、模具等，这些器具都是经过镀膜技术加工后的涂层工具。经过涂层处理后的硬质合金刀片可以延长刀具寿命并且满足一些特殊的应用，刀具上的颜色不同也就说明涂镀不同的涂层。镀膜机检漏原因：镀膜机需要在高真空环境下工作，真空度的好坏直接影响镀膜的品质。有时候镀膜机的真空度抽不下来或者真空度不好，可能是接头松动或者有焊缝出现虚焊。传统的检漏方法需要镀膜机停机，充氮气，再在怀疑有漏的地方涂上肥皂泡，整个过程耗时费力容易误判，对于细微的泄漏无法检测。上海伯东代理 Pfeiffer 氦质谱检漏仪利用氦气作为示踪气体，最小漏率小于 5E-13 Pa m3/s，安全环保，检漏时不需要停机，直接在真空泵的旁路接入检漏仪便可以快速高效的完成检测了。上海伯东刀具镀膜检漏客户案例：某客户引进 Platit 镀膜机加装分子泵 Hipace 1500，旋片泵 Duo 35 用于刀具镀膜，与友厂对比，Pfeiffer 真空泵在更短时间达到更高且稳定的真空度。镀膜机检漏方法：采用真空法检漏，镀膜机不需要停机，直接在真空泵的旁路利用波纹管接入检漏仪，在怀疑有漏的地方喷氦气，即可完成检漏。若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东叶女士

热蒸发镀膜机 - 极高性价比！型号：EasyDEP产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：热蒸发舟；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；扩散泵，215L/Sec；5/ 薄膜厚度监控：石英振荡传感器实时厚度控制；6/ 厚度精度：0.5%；7/ 热蒸发源：4英寸热蒸发舟，交流电源；

伯东公司授权代理德国普发pfeiffer 镀膜机-灵活设计适合技术研究、开发和生产,可实现高真空蒸发镀膜,磁控溅射镀膜,离子镀.Pfeiffer Classic 系列镀膜机（高真空镀膜系统）经过大量实验和技术知识积累研发设计,通过ISO 9001认证, ISO 14001认证,低能耗主要应用领域: 半导体,光学,微电子学,显示屏,光电工程,表面处理等行业.Pfeiffer 镀膜机主要型号包含:Pfeiffer Classic 250 镀膜机(科研,小型研发)Pfeiffer Classic 500 镀膜机(科研,小规模生产)Pfeiffer Classic 570 镀膜机 (批量生产)Pfeiffer Classic 580 镀膜机 (生产线大批量生产)Pfeiffer Classic 590 镀膜机 (高吞吐量,通用的制造系统,满足最高工业需求)Pfeiffer Classic 620 镀膜机 (最大吞吐量)伯东公司pfeiffer 德国普发镀膜机 Classic 500,选用pfeiffer分子泵 Hipace 700,可定制,我司将竭诚为您服务pfeiffer 德国普发镀膜机 Classic 500 技术参数:真空腔体容量150 l内部尺寸500 mm高度575 mmDoor OpeningW x H 500 x 575 mm整机漏率1x10-5 mbar x l /s最终压力5x10-7 mbar高真空泵组(标准型)分子泵Hipace 700隔膜泵MD4旋片泵DUO 20真空测量全量程真空计电源电压3 x 400 V频率50/60 HZ水冷Chamber Usage approx (a)500 l/hPump Set Usage approx (a)15 l/h进气温度25 °C压力4 – 6 barIn- and Outlet Nipple3/4"Hot WaterChamber Usage approx (a)500 l/h进气温度70 °C压力4 – 6 barIn- and Outlet Nipple3/8"尺寸占地面积1.4 m2L x W x H1,4 x 1 x 1,9 m重量600 kg最大环境温度40 °C 伯东公司 主要经营产品 德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵 应用于各种条件下的 真空测量(真空计, 真空规管) 氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI 离子源. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部: 叶女士联系

产品详情美国Denton 金/碳镀膜机Vacuum详细介绍 丹顿真空公司位于美国费城，是世界著名真空镀膜设备制造商。 自一九六四年成立至今丹顿已为全球客户制造了数千台多种规格的蒸发设备、溅射和PECVD镀膜系统，用于大型工业生产、科研开发和小规模制造。 丹顿用于科研开发和小规模制造的中小型镀膜设备据美国市场占有率之首。 蒸发膜的厚度分布蒸发源的排放分布特性可用于确定真空室中用于生产均匀厚度涂层的正确几何形状。在大孔径衬底上或者在装载有许多小衬底的架子上生产均匀厚度的涂层可以通过对装有测试件的架子进行重复试验来完成。从一次试运行到下一次试运行，有意改变了几何形状 - 例如蒸发源的偏移量增加了，直到找到最佳排列。在本文中，我们首先测量了位于已知径向距离处的测试件上的涂层的厚度，在真空蒸发室中的单个旋转平板架上，并使用这些数据来查找源发射函数。然后使用已知的发射函数来确定在直径上产生最佳厚度均匀性的源偏移和弧线曲率。 更低的成本...更高的投资回报率 离子辅助沉积可提供高要求的光学应用所需的高品质，无缺陷，低应力，环境稳定（无漂移）的薄膜。 您将受益于： 独立控制离子电流密度和离子能量以优化薄膜性能长期运行，100％氧气或氮气反应气体稳定运行，延长运行时无过程漂移 冷阴极离子源是差分泵浦器件，等离子体腔室的一端通向真空环境。离子源的操作参数和薄膜的质量受控制真空度的参数的影响。在抽速很高的系统中制作好的薄膜要容易得多。当比较IAD薄膜沉积参数时，压力的差异可能是由泵浦速率引起的。 Desk V HP 专用电子显微镜样品制备– 金/碳镀膜机特点(SEM / TEM / FE-SEM)● 内置泵系统● 极短的沉积时间● 一致的沉积参数● 图形界面彩色触摸板● 薄膜厚度控制● 样品清洁的蚀刻模式● 多样靶材材料选择● 更多可选功能

Leica EM ACE600是优良的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于高分辨率分析。这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统，是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。理想重现的结果运行全自动化过程，辅以参数和协议设置。集成的石英测量和自动化3轴载物台移动。容易清洗可拆卸的门、卷帘、内部屏蔽、来源和载物台，确保制备高品质样本的环境清洁。小巧紧凑设计紧凑，占地面积小，节省实验室空间。操作简便直观的触摸屏，松推配合的连接器和免工具的目标变更，舒适的前门锁定。自定义配置配备了仪器，可满足您的具体需求。低温镀膜真空低温传输系统适应将室温镀膜机转换成低温镀膜机。样本能在低温下于受保护的环境中进行镀膜和传输。

Leica EM ACE600是优良的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于高分辨率分析。这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统，是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。理想重现的结果运行全自动化过程，辅以参数和协议设置。集成的石英测量和自动化3轴载物台移动。容易清洗可拆卸的门、卷帘、内部屏蔽、来源和载物台，确保制备高品质样本的环境清洁。小巧紧凑设计紧凑，占地面积小，节省实验室空间。操作简便直观的触摸屏，松推配合的连接器和免工具的目标变更，舒适的前门锁定。自定义配置配备了仪器，可满足您的具体需求。低温镀膜真空低温传输系统适应将室温镀膜机转换成低温镀膜机。样本能在低温下于受保护的环境中进行镀膜和传输。

产品介绍：磁控溅射镀膜机 LSMS-160： 用溅镀方式在样品表面沉积 数微米以下的薄膜，可制备包括各种金 属、半导体、铁磁材料,以及绝缘的氧化 物、陶瓷等物质。磁控溅射镀膜机 LSMS-160产品特点： 纯度高，结构更加完善； 减少环境污染，提高工作效率； 耗电量较低；磁控溅射镀膜机 LSMS-160参数：

臂长：38 48 58 68 78 mm 更长可定制控制：全自动与手动控制模式控制移动精度：1.25 micronAn automated dipping mechanism浸渍镀膜机臂长：38 48 58 68 78 mm 更长可定制浸渍镀膜机控制：全自动与手动控制模式浸渍镀膜机控制移动精度：1.25 micron如有需要请通过我们伯英科技联系我们！DESCRIPTIONVT-04 ::: Description ::: Features ::: Delivery set ::: Software 浸渍镀膜机An automated dipper unit VT-04serves for vertical translation of an object fixed on arm. The dipper unit can be, for instance, employed for automation of multicycle dipping of a substrate into vessel with liquid at the layer deposition from solutions.The dipper unit design provides simple routine for an object fixing in a specialized clamp. The clamp has five degrees of freedom to provide the object position necesssay fot user. A possibility of manual rotation of the arm drive axis is supplemented with a possibility to position all the dipper unit on a vertical stand that provides vertical adjustment and rotation relative the stand axis.For the dipper unit positioning in horizontal plane relative base, XY positioning stage can be employed together with it. Stepper motors of both the dipper unit and XY positioning stage can be driven from the same control program run on host PC.Dipper unit VT-04 is unified with driving mechanism of microdoser DT-03that allows their mutual conversion by simple change of the unit front panel.FEATURESVT-04 ::: Description ::: Features ::: Delivery set ::: Software浸渍镀膜机技术指标：Drive:Step motor a possibility to rotate the driving shaft manuallyFull motion range of the arm:85 mm (max 86 mm)Controllable positioning step of the arm:1.25 micron (0.15625 micron at the step splitting)Maximum weight of fixed object:50 gArm length (from the unit case to mount point):38 48 58 68 78 mmAdditional accessories:— PTFE clamping holder for quick substrate fixing on the dipper lever the substrate thickness up to 4 mm 5 degrees of freedom — clip fastening on vertical rod (rod diam. 8 mm) — NEW! option: changeable front panel for conversion of the dipper into microdoser (see DT-03)Control:From autonomous controller manual control by buttons on the controller, extended control facilities available in a unified software at the controller connection to host PC (via USB port). The controller unit enables control over three stepper motors. The control software allows programming the dipper arm motion including that with use of cusotm scripts.Power supply:220 V 50 Hz (control voltages: 0, +15 (24) V)Overall size:Dipper unit: 50x65x191 mm (w-d-h) /without arm/ Controller unit: 138x195x82 mmWeight:Dipper unit: 1.1 kg Controller unit: 0.8 kgDELIVERY SETVT-04 ::: Description ::: Features ::: Delivery set ::: Software浸渍镀膜机组成模块：CodeNameQ-tyVT-04-010Dipper unit (a vertical translation stage)1VT-04-020Autonomous controller1VT-04-030Set of conneting cables1VT-04-040Control software (for Win32) and operation manual1OPTIONAL:DT-03-015Changeable front panel for the dipper conversion into microdoser (see VT-04)1 * Above pictures are not in the same scale** Host PC is not included in the delivery set SOFTWAREVT-04 ::: Description ::: Features ::: Delivery set ::: Software浸渍镀膜机软件：Control software for dipper VT-04 is a unified program for driving three stepper motors. It is a 32-bit Windows application that runs under Windows XP SP2 and higher operating systems.The software provides control over the stepper motor speed, motion range (in steps of the stepper motor or in mm) and motion direction.The program can be employed for driving three stepper motors. If the device is additionally equipped with XY positioning stage, all the three axes motions can be automated.As an alternative for the unified program, control program for Langmuir—Blodgett trough can be employed in which custom scripts can be used to control the mechanism motion.Minimal configuration of host PC (not included in the delivery set): Celeron 1.7 GHz, RAM 128 MB, HDD 40 GB, VRAM 64 MB, monitor 1024x768x32 bit, MS Windows XP SP2, free USB port.

为SEM和TEM分析生产同质和导电的金属或碳涂层，之前从未有过比与Leica EM ACE200涂层系统更方便的设备了。配置为溅射镀膜机或碳丝蒸发镀膜机后，可以在全自动化系统中获得可重复的结果，实现了一台EM ACE200具有喷金仪，喷碳仪，蒸镀仪三种功能。如果您的分析需要这两种方法，徕卡显微系统在一台仪器中提供可互换机头的组合仪表。各个选项，如石英晶体测量、行星旋转、辉光放电和可交换屏蔽共同构成这台低真空镀膜机。理想重现的结果运行自动化的进程，并协助参数设置。小巧紧凑设计紧凑，占地面积小节省了实验室空间。容易清洗具备可拆卸门、卷帘、内部屏蔽、光源、载物台。操作简便直观的触摸屏和一键式操作。

产品简介：磁控溅射卷绕镀膜机是磁控溅射多用途卷绕镀膜设备，适用于在 PET 和无纺布上镀制金属膜（铜，铝等）功能性薄膜，设备采用先进的磁控溅射镀膜技术，配备直流、射频磁控溅射系统，适合镀制软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。技术参数卷膜条件镀膜材料：PET 和无纺布适用制膜：软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。基材厚度：125～300μm有效镀膜宽幅：≤800 mm最大卷绕直径：Φ400 mm卷绕芯轴内径：4 寸基材卷绕速度：1～2 m/min基材卷绕张力：30 ～ 200 N张力系统：交流伺服溅镀方式：单面真空条件极限真空（空载、洁净）：8×10-4Pa恢复真空时间（空载、清洁）：105Pa ～ 5×10-3Pa≤60 min系统真空漏率：1.0×10-10 Pa.m3/s磁控溅射阴极数量：3 个膜均匀性偏差：≤±10%

ARC-LITE样品制备镀膜机ARC-lite样品制备镀膜机是一种快速的, 在常温状态下对各种封装形式器件和WAFER的样品，进行COATING的设备.　　设备主要特点:1. ARC-lite样品镀膜在常温下进行。 2. ARC-lite可以适用于ASAP-1选择区域精细研磨和ULTRAPOL ADVANCE抛磨后等镀膜,以便使样品在显微镜或其他观察时更为清晰 。3. 快速方便-只用45秒。4. 样片效果比不做镀膜可提高60%。5. 各种形式/尺寸封装和WAFER样品都可适用。6. 价格实惠,小巧方便。7. 可用于emission microscopy, Laser, FIB, voltage, thermal, FMI, probing, and most other backside techniques.

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

克普斯镀膜机真空腔体:——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品的质量；我公司克普斯采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。常见真空腔体技术性能:材质:不锈钢、铝合金等腔体适用温度范围:-190°C~+1500°C(水冷)空封方式:氟胶O型圈或金属无氧铜圈出厂检测事项:1、真空漏率检测1.3*10-10mbar*//s2、水冷水压检测:8公斤24小时无泄漏检测.内外表面处理:拉丝抛光处理、喷砂电解处理、酸洗处理、电解抛光处理和镜面抛光处理等.不锈钢真空腔体加工,铝合金真空腔体的品质获得并通过|S0 -9001质量标准体系认证,所有产品均经过真空氦质谱检漏仪出厂,产品被用与航空航天、科研、核电、镀膜、真空炉业、能源、医药、冶金、化工等诸多行业,如有需要欢迎咨询！克普斯真空为高校、科研院所设计加工高真空、超高真空的真空腔体，可以根据客户的技术要求(PPT)开发设计，也可以按图(草图、CAD图、照片)设计加工。可以加工的真空腔体形状:方腔、圆柱型、D型及其它要求的形状 可以加工的真空腔体材质:不锈钢材质 (304、304L、316316L)、碳钢材质、铝材质、有机玻璃材质等。真空产品设计能力、完善的真空机械加工体系以及快速的服务啦应支持，承接各种规格型号的真空室开发设计、按图定制等。我们为高真空或超高真空应用设计及制造的各种真空腔体，包括为高校和科研院所设计真空试验腔体、真空环境模拟腔体、真空放电测试腔体、真空激光焊接腔体、CVD反应腔体、真空镀膜室等。另外，客戶订制的真空室都可通过我们的工程设计，与您现有的真空系统融合，成为一套功能完整的系统。也可以通过我们的工程设计，预留标准接口及装配位置，方便您日后增配或更换真空部件，实现系统的升级或功能的转换。我们能定制的真空室结构与材质配置多种结构型态:方腔、圆柱型、D型及其它要求的形状:多种材质:不锈钢材质 (304、304L、316,、316L)、碳钢材质、铝材质、有机玻璃材质。所有材质是经过特别选择的，可达到低磁渗透性的要求。我们的开发设计人员均具有10年以上真空行业工作经验，独立开发设计上百套涵盖真空室的相关产品 我们使用业界*的CNC加工中心以及其它配套的加工机械，并业已形成完善的真空机械加工体系。我们的质量保证及售后服务能力我们的产品严格遵照相关标准，并执行原材料检验、加工在线检测、半成品检测及成品出厂检测，对于非标定制的产品与客户联合检测验收 需要特别指出的是对于真空室，所有接缝处、焊接处及法兰连接处都要通过严格的观察检验及氨质谱检漏仪检漏测试，并对整个系统进行漏率测试，系统漏率优于 8.0x10-8 Pa.L/S.实验室真空系统,真空腔体,真空探针台,克普斯镀膜机真空腔体

1/我公司与日本JCU公司合作，成功开发了一种新型磁控溅射彩镀镀膜机，改变了现有装饰镀膜产品色彩单一的状况，大幅提高了装饰镀膜的技术工艺水平2. 可用于如手机壳、化妆品盒盖、化妆品瓶、汽车零部件、洁浴产品部件等镀膜，塑料表面金属化。3. 6个磁控靶，各自配有挡板4. 采用自动化程序控制，实现自我诊断和自我处置，有很高的控制水平和可靠性5. 可配选水蒸汽捕集泵和阳极层离子

磁控溅射镀膜机 - 紧凑，适合科研，极高性价比！型号：AP-MMS1产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属、氧化物等；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：直流磁控溅射，射频磁控溅射；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；5/ 靶枪：2英寸直径 (选配：3英寸)；6/ 直流电源：2KW(800V - 2.5A)；7/ 气体传输模块：MFC控制，氩气，100sccm；

美国AMAT镀膜机PECVD:P5000

牛津镀膜机Plasmalab NGP 1000

英国牛津镀膜机PECVD Plasma system 133

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机） 工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动

产品详情英国HHV真空镀膜机TF500，TF600-适合先进研发和试生产的全功能系统 HHV TF500及TF600系统设计具有高级工艺能力。系统配置可选择多种腔室尺寸和工艺附件，以精确的符合用户需求。这两个型号的系统都可以安装多个镀膜源，也都支持离子束处理选项。有一系列预进样室（Load Lock）和样品操纵装置可供选择，以提高真空镀膜效率。 系统配置不锈钢真空腔室，高真空泵安装在腔室后方。工艺附件布局采用特殊设计，向每个客户提供满意适配化的方案。工艺附件包括热阻及电子束蒸发源、直流及射频溅射源、用于工件刻蚀或辅助沉积的离子源。系统可以同时配置热阻、电子束及磁控溅射源。溅射系统可以配置成向上或向下溅射的结构。工件台选项包括加热、冷却、偏压和预进样操作等。 系统控制选项包括稳定的PLC真空控制系统配合手动操作的工艺附件的简单模式，或者计算机集成控制的自动模式。

产品介绍：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品特点：1、机外壳采用不锈钢SUS304材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用材料制造，无发尘材料，适用100级光刻间净化环境。产品参数：型号HMDS-20HMDS-90HMDS-210容积20L90L210L电源电压AC220V±10%/50Hz±2%AC380V±10%/50Hz±2%输入功率1500W3000W4000W控温范围室温+10℃-250℃温度分辨率0.1℃温度波动度±0.5℃达到真空度133Pa工作室尺寸（mm）300*300*275450*450*450560*640*600外形尺寸（mm）465*465*725850*700*1400720*820*1050载物托架1块2快3块时间单位分钟选配件真空泵：德国品牌，莱宝“DC”双极系列旋片式油泵，真空高，噪音低，运行稳定。连接管：不锈钢波纹管，完全密封将真空泵与烘箱连接。HMDS预处理的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。真空镀膜机的原理：HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。真空镀膜机的一般工作流程：先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。