微波光电导载流子复合寿命测试仪

SPM900 系列少子寿命成像测试仪原理说明非平衡少数载流子少数载流子的寿命是半导体材料的一个重要参数，也是评价半导体质量的一个指标。例如在光伏电池中，少子寿命决定了少子扩散长度， 决定了光吸收层、内建电场区域的厚度设计等重要的器件参数；载流子寿命也可以反映器件中杂质或者缺陷的影响，抑或是存在污染， 进行失效分析，对工艺过程进行优化。载流子的复合在一定温度下，处于热平衡状态的半导体材料，电子- 空穴对的产生和复合保持一种动态平衡，载流子浓度是一定的。然而，外界的作用会破坏这种热平衡，使其处于与热平衡相偏离的状态，随之改变的是载流子的浓度， 多于平衡值的载流子就是非平衡载流子。非平衡少数载流子也称也称少子，通常对于半导体器件的性能起到决定性的作用。当外界作用撤掉后，处于非平衡态的载流子会通过复合而产生衰减，直到载流子浓度恢复到之前的热平衡状态。载流子的复合方式可以分为三类：SRH 复合、辐射复合及俄歇复合（直接和间接）。(a) SRH 复合； (b) 辐射复合； (c) 直接俄歇复合；（d）间接俄歇复合少子寿命测试少子寿命的测量通常包括非平衡载流子的注入和检测两个方面，*常用的注入方法是光注入和电注入。对于间接带隙的半导体，常使用电注入或者微波光电导衰减的方法进行少子寿命测试，间接带隙半导体一般寿命较长， 为毫秒量级。而对于GaAs 这类的直接间隙半导体，复合的能量几乎全部以发光的形式放出，发光效率高，寿命较短（典型的寿命在10-8-10-9s），通常使用时间分辨光致发光光谱（TRPL）的方法来进行测试。激光扫描少子寿命成像测量仪SPM900当外界作用停止以后，少子的浓度（ΔC）随时间t 增长呈指数衰减的规律。由以下方程可知，少子的寿命为当少子浓度衰减到初始浓度1/e 时候所经历的时间。在辐射复合中，发光的强度与少子的浓度相关，因此可以通过检测发光的寿命来获得少子的寿命信息。当在显微镜上加载少子寿命测试模块，就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息，这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计，包含显微镜主体，激光光源，光子计数检测器，单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发，通过控制样品台的移动，可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。少子寿命成像测试应用外延ZnS 薄膜半导体本征带- 浅杂质复合半导体中施主- 受主对复合深能级复合III-V 族载流子杂质俘获过程研究非辐射中心的电子弛豫及复合机制研究半导体外延片缺陷和杂质检测测试软件控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。3D 显示功能少子寿命测试案例MicroLEDMicroLED 显示技术是指以自发光的微米量级的LED 为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED 阵列的显示技术， 在发光亮度、分辨率、对比度、稳定性、能量损耗等方面有很大优势，可以应用在AR/VR，可穿戴光电器件，柔性显示屏等领域。由于MicroLED 的尺寸在微米级别，因此需要在显微镜下进行检测。下图为使用少子寿命成像系统对直径为80 微米的MicroLED 微盘进行测试。单组分拟合，可以看到红圈中的污损位置，虽然影响发光强度，但对发光寿命没有影响钙钛矿测试钙钛矿属于直接带隙半导体材料，具有高光学吸收，高增益系数、高缺陷容忍度、带隙可调，制备成本低等优点，可以广泛应用在光子学与光电信息功能器件等领域，例如钙钛矿太阳能电池，钙钛矿量子点，钙钛矿LED 等材料的研究。对于钙钛矿中的载流子辐射复合的研究对于提供器件的光电转换性能有很大的帮助。以下示例为钙钛矿样品的少子辐射复合发光成像和寿命成像。图中可见此钙钛矿样品有两个寿命组分，且不同寿命组分的相对含量也可以从相对振幅成像图中很直观的看到。晶圆级大尺寸的少子寿命成像测试仪4、6、8 英寸晶圆样品测试，可在此基础上增加小行程电动位移台实现数百纳米至微米尺度的精细扫描显微尺度的少子寿命成像测试仪参数指标 系统性能指标：光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps寿命测量范围500ps-1ms（具体视激光器而定）小尺寸空间分辨率≤ 1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器大尺寸扫描可适用4 英寸、6 英寸、8 英寸样品配置参数：脉冲激光器375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW@50MHz405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW@50MHz450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW@50MHz488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW@50MHz510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW@50MHz635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW@50MHz660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW@50MHz670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW@50MHz其他皮秒或纳秒脉冲激光器具体视材料及激发波长而定科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门小尺寸扫描用电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度＜ 1μm大尺寸扫描用电动位移台XY 轴行程200mm/250mm，单向定位精度≤ 30μm，水平负载：30Kg；光谱仪320mm焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD出口，配置三块68×68mm大面积光栅， 波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD( 可扩展PL mapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm,探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFlμo-FM 寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得发光衰减曲线，实时生成发光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的寿命成像数据，逐点进行多组分发光寿命拟合( 组分数小于等于4），对逐点拟合获得的发光强度、发光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统

产品介绍▼MDPmap是一个紧凑的离线台式检测设备，主要被设计用于生产控制或研发、测量少子寿命、光电导率、电阻率和缺陷信息等参数。其工作状态为稳态或短脉冲激励下（μ-PCD）。MDPmap自动化的样品识别和参数设置可以使该仪器方便地适应各种不同的样品，包括从生长的晶圆到高达95%的金属化晶圆之间不同制备阶段的各种外延片和晶圆片。MDPmap主要优点是其高度的灵活性，它允许集成多达4个激光器，用于从超低注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量，或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。设备特点▼灵敏度：对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的较高分辨率测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率 ，小于5分钟寿命测试范围: 20纳秒到几十毫秒沾污检测：源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染测量能力：从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品灵活性：允许外部激光通过触发器，与探测模块耦合可靠性： 模块化和紧凑台式仪器，更高可靠性，正常运行时间 99%重现性： 99.5%电阻率：无需时常校准的电阻率面扫描Lifetime map of passivated multicrystalline siliconIron contamination map of multicrystalline siliconBor oxygen map of mono siliconTrap density map of mono silicon设备参数▼样品尺寸5mm—300mm（300mm为标配，可根据需求提升至450mm）寿命范围20ns到几毫秒电阻率0.2 - 103 Ohm cm电导类型p/n材质硅晶圆，外延层，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等测量属性少数载流子寿命、光电导性激励源可选四种不同波长（355nm—1480nm），默认值为980nm大小680 x 380 x 450 mm, 重量: 65 kg电源100-250V，50/60 Hz, 5A

美国sinton少子寿命测试仪WCT-120，Suns-VocSinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120硅片少子寿命测试系统 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。 主要应用：分布监控和优化制造工艺 其它应用： 检测原始硅片的性能 测试过程硅片的重金属污染状况 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点： 只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120 常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。 少子寿命测试仪性能参数：1. 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）； 2. 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；3. 测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；4. 电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；5. 注入范围：1013-1016cm-3；6. 感测器范围：直径40-mm；7. 测量样品规格：标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；8. 硅片厚度范围：10–2000 μm；9. 外界环境温度：20°C–25°C；10. 功率要求：测试仪： 40 W ， 电脑控制器：200W ，光源：60W；11. 通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz； 晶体硅硅片、规定以及工艺过程中lifetime测试技术晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 少数载流子寿命（Minority carriers life time）： （1）基本概念： 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 (即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目)；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关, 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。 实验表明, 在小注入条件 (Δp。应当注意的是，只有在小注入时非平衡载流子寿命才为常数，净复合率才可表示为－Δp/τp；并且在小注入下稳定状态的寿命才等于瞬态的寿命。 （2）决定寿命的有关因素： 不同半导体中影响少数载流子寿命长短的因素，主要是载流子的复合机理（直接复合、间接复合、表面复合、Auger复合等）及其相关的问题。对于Si、Ge等间接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶不在Brillouin区的同一点，故导带电子与价带空穴的直接复合比较困难（需要有声子等的帮助才能实现——因为要满足载流子复合的动量守恒），则决定少数载流子寿命的主要因素是通过复合中心的间接复合过程。从而，半导体中有害杂质和缺陷所造成的复合中心（种类和数量）对于这些半导体少数载流子寿命的影响极大。所以，为了增长少数载流子寿命，就应该去除有害的杂质和缺陷；相反，若要减短少数载流子寿命，就可以加入一些能够产生复合中心的杂质或缺陷（例如掺入Au、Pt，或者采用高能粒子束轰击等）。对于GaAs等直接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶都在Brillouin区的同一点，故决定少数载流子寿命的主要因素就是导带电子与价带空穴的直接复合过程。因此，这种半导体的少数载流子寿命一般都比较短。当然，有害的杂质和缺陷将有更进一步促进复合、减短寿命的作用。 （3）少数载流子寿命对半导体器件的影响： 对于主要是依靠少数载流子输运（扩散为主）来工作的双极型半导体器件，少数载流子寿命是一个直接影响到器件性能的重要参量。这时，常常采用的一个相关参量就是少数载流子扩散长度L（等于扩散系数与寿命之乘积的平方根），L即表征少数载流子一边扩散、一边复合所能够走过的平均距离。少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。 对于BJT，为了保证少数载流子在基区的复合尽量少（以获得很大的电流放大系数），则必须把基区宽度缩短到少数载流子的扩散长度以下。因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 简介：少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子是因电子脱离的原子,多子因电子加入而形成的原子. 少子寿命Life Time即少子形成到少子与多子结合的时间.

应用材料范围：● 硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层无接触且非破坏的少子寿命成像测试：(μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测● 符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。MDPpro单晶、多晶晶圆和晶锭少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 上限通量: 240 bricks/day或720 wafers/day● 测试速度: 4 minutes，156×156×400 mm 标准晶锭● 寿命测试范围: 20 ns到几十ms● 产量提升: 1mm的切割标准156×156×400mm标准晶锭● 质量控制: 专为单晶或多晶硅等工艺和材料的质量监控而设计● 污染判断: 产生于坩埚和生产设备中的金属污染 (Fe)● 可靠性: 模块化，坚固耐用的工业仪器，具有更高的可靠性和正常运行时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率：电阻率面扫功能，无需频繁校准应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试● 晶圆切割，熔炉监控，材料优化a.具有自动确定切割标准的多晶硅砖的寿命（τ）图b. 空间分辨p / n电导转换的检测c.多晶硅块的电阻率图

应用材料范围：硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。 MDPmap 单晶和多晶片的少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测， 具有可视化测试的高分辨率● 测试速度: 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率● 寿命测试范围: 20ns到几ms● 玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）● 测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品● 灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合● 可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率: 无需时常校准的电阻率面扫描 应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试 氧化物钝化CZ-Si的寿命 生长的多晶硅的寿命图 a. 铁浓度图 b. 反射图 c. 硼氧相对浓度图 d.电阻率图配置选项● 光斑尺寸可调● 电阻率测试（晶圆片）● 参考晶圆● 方块电阻● 背景光/偏置光选项● 反射率测试(MDP)● 用于光伏的LBIC● BiasMDP● Si晶圆片中的内外铁浓度分布图● 集成的加热台● 多种可选的激发光源

美国sinton少子寿命测试仪WCT-120，Suns-VocSinton instruments 少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120硅片少子寿命测试系统 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。 主要应用：分布监控和优化制造工艺 其它应用： 检测原始硅片的性能 测试过程硅片的重金属污染状况 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。 主要特点： 只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。少子寿命测试仪 硅片少子寿命测试系统 wct-120 常见问题：美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。 少子寿命测试仪性能参数：1. 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）； 2. 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；3. 测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；4. 电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；5. 注入范围：1013-1016cm-3；6. 感测器范围：直径40-mm；7. 测量样品规格：标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；8. 硅片厚度范围：10–2000 μm；9. 外界环境温度：20°C–25°C；10. 功率要求：测试仪： 40 W ， 电脑控制器：200W ，光源：60W；11. 通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz； 晶体硅硅片、规定以及工艺过程中lifetime测试技术晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 少数载流子寿命（Minority carriers life time）： （1）基本概念： 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 对n型半导体，其中非平衡少数载流子——空穴的寿命τ，也就是空穴的平均生存时间，1/τ就是单位时间内空穴的复合几率，Δp/τ称为非平衡空穴的复合率 (即n型半导体中单位时间、单位体积内、净复合消失的电子-空穴对的数目)；非平衡载流子空穴的浓度随时间的变化率为dΔp /dt =－Δp /τp, 如果τp与Δp 无关, 则Δp 有指数衰减规律：Δp = (Δp) exp( -t/τp ) 。 实验表明, 在小注入条件 (Δp。应当注意的是，只有在小注入时非平衡载流子寿命才为常数，净复合率才可表示为－Δp/τp；并且在小注入下稳定状态的寿命才等于瞬态的寿命。 （2）决定寿命的有关因素： 不同半导体中影响少数载流子寿命长短的因素，主要是载流子的复合机理（直接复合、间接复合、表面复合、Auger复合等）及其相关的问题。对于Si、Ge等间接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶不在Brillouin区的同一点，故导带电子与价带空穴的直接复合比较困难（需要有声子等的帮助才能实现——因为要满足载流子复合的动量守恒），则决定少数载流子寿命的主要因素是通过复合中心的间接复合过程。从而，半导体中有害杂质和缺陷所造成的复合中心（种类和数量）对于这些半导体少数载流子寿命的影响极大。所以，为了增长少数载流子寿命，就应该去除有害的杂质和缺陷；相反，若要减短少数载流子寿命，就可以加入一些能够产生复合中心的杂质或缺陷（例如掺入Au、Pt，或者采用高能粒子束轰击等）。对于GaAs等直接跃迁的半导体，因为导带底与价带顶都在Brillouin区的同一点，故决定少数载流子寿命的主要因素就是导带电子与价带空穴的直接复合过程。因此，这种半导体的少数载流子寿命一般都比较短。当然，有害的杂质和缺陷将有更进一步促进复合、减短寿命的作用。 （3）少数载流子寿命对半导体器件的影响： 对于主要是依靠少数载流子输运（扩散为主）来工作的双极型半导体器件，少数载流子寿命是一个直接影响到器件性能的重要参量。这时，常常采用的一个相关参量就是少数载流子扩散长度L（等于扩散系数与寿命之乘积的平方根），L即表征少数载流子一边扩散、一边复合所能够走过的平均距离。少数载流子寿命越长，扩散长度就越大。 对于BJT，为了保证少数载流子在基区的复合尽量少（以获得很大的电流放大系数），则必须把基区宽度缩短到少数载流子的扩散长度以下。因此，要求基区的少数载流子寿命越长越好。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 简介：少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。 少子是因电子脱离的原子,多子因电子加入而形成的原子. 少子寿命Life Time即少子形成到少子与多子结合的时间.

SPM900 系列少子寿命成像测试仪原理说明非平衡少数载流子少数载流子的寿命是半导体材料的一个重要参数，也是评价半导体质量的一个指标。例如在光伏电池中，少子寿命决定了少子扩散长度， 决定了光吸收层、内建电场区域的厚度设计等重要的器件参数；载流子寿命也可以反映器件中杂质或者缺陷的影响，抑或是存在污染， 进行失效分析，对工艺过程进行优化。载流子的复合在一定温度下，处于热平衡状态的半导体材料，电子- 空穴对的产生和复合保持一种动态平衡，载流子浓度是一定的。然而，外界的作用会破坏这种热平衡，使其处于与热平衡相偏离的状态，随之改变的是载流子的浓度， 多于平衡值的载流子就是非平衡载流子。非平衡少数载流子也称也称少子，通常对于半导体器件的性能起到决定性的作用。当外界作用撤掉后，处于非平衡态的载流子会通过复合而产生衰减，直到载流子浓度恢复到之前的热平衡状态。载流子的复合方式可以分为三类：SRH 复合、辐射复合及俄歇复合（直接和间接）。(a) SRH 复合； (b) 辐射复合； (c) 直接俄歇复合；（d）间接俄歇复合少子寿命测试少子寿命的测量通常包括非平衡载流子的注入和检测两个方面，*常用的注入方法是光注入和电注入。对于间接带隙的半导体，常使用电注入或者微波光电导衰减的方法进行少子寿命测试，间接带隙半导体一般寿命较长， 为毫秒量级。而对于GaAs 这类的直接间隙半导体，复合的能量几乎全部以发光的形式放出，发光效率高，寿命较短（典型的寿命在10-8-10-9s），通常使用时间分辨光致发光光谱（TRPL）的方法来进行测试。激光扫描少子寿命成像测量仪SPM900当外界作用停止以后，少子的浓度（ΔC）随时间t 增长呈指数衰减的规律。由以下方程可知，少子的寿命为当少子浓度衰减到初始浓度1/e 时候所经历的时间。在辐射复合中，发光的强度与少子的浓度相关，因此可以通过检测发光的寿命来获得少子的寿命信息。当在显微镜上加载少子寿命测试模块，就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息，这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计，包含显微镜主体，激光光源，光子计数检测器，单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发，通过控制样品台的移动，可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。少子寿命成像测试应用外延ZnS 薄膜半导体本征带- 浅杂质复合半导体中施主- 受主对复合深能级复合III-V 族载流子杂质俘获过程研究非辐射中心的电子弛豫及复合机制研究半导体外延片缺陷和杂质检测测试软件控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路，用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤：包括控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得荧光衰减曲线，实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件，充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据，逐点进行多组分荧光寿命拟合（组分数小于等于4），对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。3D 显示功能少子寿命测试案例MicroLEDMicroLED 显示技术是指以自发光的微米量级的LED 为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED 阵列的显示技术， 在发光亮度、分辨率、对比度、稳定性、能量损耗等方面有很大优势，可以应用在AR/VR，可穿戴光电器件，柔性显示屏等领域。由于MicroLED 的尺寸在微米级别，因此需要在显微镜下进行检测。下图为使用少子寿命成像系统对直径为80 微米的MicroLED 微盘进行测试。单组分拟合，可以看到红圈中的污损位置，虽然影响发光强度，但对发光寿命没有影响钙钛矿测试钙钛矿属于直接带隙半导体材料，具有高光学吸收，高增益系数、高缺陷容忍度、带隙可调，制备成本低等优点，可以广泛应用在光子学与光电信息功能器件等领域，例如钙钛矿太阳能电池，钙钛矿量子点，钙钛矿LED 等材料的研究。对于钙钛矿中的载流子辐射复合的研究对于提供器件的光电转换性能有很大的帮助。以下示例为钙钛矿样品的少子辐射复合发光成像和寿命成像。图中可见此钙钛矿样品有两个寿命组分，且不同寿命组分的相对含量也可以从相对振幅成像图中很直观的看到。晶圆级大尺寸的少子寿命成像测试仪4、6、8 英寸晶圆样品测试，可在此基础上增加小行程电动位移台实现数百纳米至微米尺度的精细扫描显微尺度的少子寿命成像测试仪参数指标系统性能指标：光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps寿命测量范围500ps-1ms（具体视激光器而定）小尺寸空间分辨率≤ 1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器大尺寸扫描可适用4 英寸、6 英寸、8 英寸样品配置参数：脉冲激光器375nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：30ps，平均功率1.5mW@50MHz405nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：25ps，平均功率2.5mW@50MHz450nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：50ps，平均功率1.9mW@50MHz488nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：70ps，平均功率1.3mW@50MHz510nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：75ps，平均功率1.1mW@50MHz635nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：65ps，平均功率4.3mW@50MHz660nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：60ps，平均功率1.9mW@50MHz670nm 皮秒脉冲激光器，脉宽：40ps，平均功率0.8mW@50MHz其他皮秒或纳秒脉冲激光器具体视材料及激发波长而定科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明，12V，100W5 孔物镜转盘，标配明场用物镜：10×，50×，100×监视CCD：高清彩色CMOS 摄像头，像元尺寸：3.6μm*3.6μm，有效像素：1280H*1024V，扫描方式：逐行，快门方式：电子快门小尺寸扫描用电动位移台高精度电动XY 样品台，行程：75*50mm（120*80mm 可选），*小步进：50nm，重复定位精度＜ 1μm大尺寸扫描用电动位移台XY 轴行程200mm/250mm，单向定位精度≤ 30μm，水平负载：30Kg；光谱仪320mm焦距影像校正单色仪，双入口、狭缝出口、CCD出口，配置三块68×68mm大面积光栅， 波长准确度：±0.1nm，波长重复性：±0.01nm，扫描步距：0.0025nm，焦面尺寸：30mm(w)×14mm(h)，狭缝缝宽：0.01-3mm 连续电动可调探测器：制冷型紫外可见光电倍增管，光谱范围：185-900nm（标配，可扩展）光谱CCD( 可扩展PL mapping）低噪音科学级光谱CCD（LDC-DD），芯片格式：2000x256，像元尺寸：15μm*15μm,探测面：30mm*3.8mm，背照式深耗尽芯片，低暗电流，*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度，风冷，*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC）时间分辨率：16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs，死时间＜ 10ns，*高65535 个直方图时间窗口，瞬时饱和计数率：100Mcps，支持稳态光谱测试；OmniFlμo-FM 寿命成像专用软件控制功能：控制样品平移台移动，通过显微镜的明场光学像定位到合适区域，框选扫描区域进行扫描，逐点获得发光衰减曲线，实时生成发光图像等数据处理功能：自动对扫描获得的寿命成像数据，逐点进行多组分发光寿命拟合( 组分数小于等于4），对逐点拟合获得的发光强度、发光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能：直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑，Windows 10 操作系统

灵活的OEM少子寿命测试仪器，用于各种不同样品的少子寿命测量，从单晶硅砖到多晶硅砖，从生长的硅片到不同层或金属化的硅片的过程控制。标准的软件接口，便于连接到许多处理或自动化系统。在众多的少子寿命测量方法中，MDP（微波检测光电导率）采用改进的少子寿命检测技术，是微波检测光电导衰减法检测仪中常用的仪器之一，少子寿命测试仪原理从载流子输运原理出发，建立广义速率方程和偏微分方程系统。拥有先进的灵敏度和分辨率，很大程度提升在线检测的速度和质量，快速出具少子寿命测试的实验报告。 MDPlinescan被设计成一个易于集成的OEM设备，可以集成到各种自动化检测线。关键的是在传送过程中进行少子寿命扫描。样品通常由测量头下面的传送带或机器人系统携带。应用实例包括从晶砖到晶圆检测，单晶少子寿命测试、多晶少子寿命测试，每块晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是经典的通用案例，也用于钝化和扩散后的工艺质量检查，还有许多其他特殊的应用的可能性。易于集成，只需要以太网连接和电源。 MDPlinescan W 包括一个额外的电阻率测量选项。 优点： ◇ 在µ -PCD或稳态激励条件下线扫描少数载流子寿命和电阻率是这个小型设备的重要功能； ◇ OEM设备可以集成到多晶或单晶硅片的生产线上，在不同的制备阶段，直至器件、砖块或晶锭。 ◇ 小巧的尺寸和标准的自动化接口使其易于集成。重点是测量结果的长期可靠性和精确性。 示范性线状扫描图 细节： ◇ 允许单晶圆片调查 ◇ 不同的晶圆级有不同的配方 ◇ 监控物料、工艺质量和稳定性 技术规格: 样品多种尺寸的多晶或单晶晶片，如156mm×156mm、晶砖、电池片等样品尺寸50 x 50 mm² 以上电阻率0.2 - 10³ Ωcm电导类型P,N样品类型硅片、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多的产品可测量的特性少数载流子寿命硬件接口以太网尺寸规格体积：174 x 107 x 205mm；重量：3公斤电源24 V DC, 2 A

WCT-120PL产品分别采用标准QSSPC方法和光致发光法测量硅片的载流子寿命。 瞬态光电导衰减法（PCD）和荧光方法两种互为补充。操作和使用起来和WCT120一样方便。 wct-120pl系统能力主要应用：通过使用QSSPC或短暂的寿命测量和PL测量制造过程监控和优化步骤。其它功能：?初始材料（硅片）质量监控?（硅片）加工过程中的重金属污染晶圆检测?评价表面钝化和发射极的掺杂剂扩散?使用隐含的VOC测量来查找生产过程引入的漏电因素?迭代计算qsspl和QSSPC数据得到衬底掺杂情况上图是wct-120pl得到的一个校准的荧光寿命曲线与一个校准的QSSPC寿命曲线产生寿命数据的载流子密度对照曲线。 更多内容请见附件文件

WCT-120PL产品分别采用标准QSSPC方法和光致发光法测量硅片的载流子寿命。 瞬态光电导衰减法（PCD）和荧光方法两种互为补充。操作和使用起来和WCT120一样方便。 wct-120pl系统能力主要应用：通过使用QSSPC或短暂的寿命测量和PL测量制造过程监控和优化步骤。其它功能：?初始材料（硅片）质量监控?（硅片）加工过程中的重金属污染晶圆检测?评价表面钝化和发射极的掺杂剂扩散?使用隐含的VOC测量来查找生产过程引入的漏电因素?迭代计算qsspl和QSSPC数据得到衬底掺杂情况上图是wct-120pl得到的一个校准的荧光寿命曲线与一个校准的QSSPC寿命曲线产生寿命数据的载流子密度对照曲线。 更多内容请见附件文件

微波探测的光感应电流瞬态图谱检测，非接触且无损伤，用于温度依赖的少数载流子寿命测量以及半导体的界面陷阱和体陷阱能级的电性能表征。MDpicts将在半导体材料的基础研究与开发领域取得广泛的应用。设备特点▼灵敏度：对半导体材料电学缺陷有非常高的灵敏度温度范围：液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度衰减常数范围：20纳秒到几毫秒沾污检测：电学陷阱基本性能确定：激活能和陷阱的俘获截面，受温度和注入水平影响的少子寿命 参数等重复性： 99.5%，测量时间： 60分钟。液氮消耗：2升/次灵活性：从365 nm 到1480nm，根据不同材料选择不同波长激发光源可访问性：基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持 图1. 与温度有关的载流子发射瞬态图2. 不同缺陷的评价 从Arrhenius斜率(图3)可以确定活化能 图3.Arrhenius曲线图 利用这种新型MDPpicts设备，可在20~500k范围内测量温度依赖性的瞬态光电导。Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半导体材料已成功采用了这种方法进行研究。 图4. 不同温度的Cz-Si晶圆片的MD-PICTS图谱

应用材料范围：● 硅|化合物半导体|氧化物|宽带隙材料|钙钛矿|外延层无接触且非破坏的少子寿命成像测试：(μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测。● 符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110可提供灵活OEM方案，用于材料生长和不同外延层工艺少子寿命测试MDPlinescan单晶和多晶少数载流子寿命在线测试设备优势介绍：● 灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的● 高分辨率● 测试速度: 1s内完成对156mm的线扫描，与常规生产速度相匹配● 寿命测试范围: 20ns到几十ms● 测试能力: 从切割的晶圆到所有工艺中的样品● 可靠性: 灵活的OEM方案，具有更高的可靠性，使用时间 99%● 重复性: 99.5%技术参数

仪器简介：少子寿命测试仪性能参数： 测量原理 QSSPC（准稳态光电导）少子寿命测量范围 100 ns-10 ms测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析电阻率测量范围 3&ndash 600 (undoped) Ohms/sq.注入范围：1013-1016cm-3感测器范围 直径40-mm测量样品规格 标准直径: 40&ndash 210 mm （或更小尺寸）硅片厚度范围 10&ndash 2000 &mu m外界环境温度 20° C&ndash 25° C功率要求 测试仪: 40 W 电脑控制器：200W 光源：60W通用电源电压 100&ndash 240 VAC 50/60 Hz主要特点:　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm　　全自动操作及数据处理　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭　　可以选择测试样品上任意位置　　能提供专利的表面化学钝化处理方法　　对各道工序的样品均可进行质量监控：　　硅棒、切片的出厂、进厂检查　　扩散后的硅片　　表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪Best available calibrated measurement of carrier recombination lifetime. Widely used for both monocrystalline and multicrystalline wafers.Product OverviewWCT testers showcase our unique measurement and analysis techniques, including the highly regarded Quasi-Steady-State Photoconductance (QSSPC) lifetime measurement method developed by Sinton Instruments in 1994.The QSSPC technique is ideal for monitoring multicrystalline wafers, dopant diffusions, and low-lifetime samples. This method complements the use of the transient photoconductance technique that is also standard on this instrument.The QSSPC lifetime measurement also yields the implied open-circuit voltage (versus illumination) curve, which is comparable to an I-V curve at each stage of a solar cell process.WCT System CapabilitiesPrimary application:Step-by-step monitoring and optimization of a fabrication process.Other applications:　Sinton Instruments' analysis yields a calibrated carrier injection level for each wafer, so you can interpret lifetime data in a physically precise way. Specific parameters of interest are displayed and logged for each measurement.&bull Monitoring initial material quality&bull Detecting heavy metals contamination during wafer processing&bull Evaluating surface passivation and emitter dopant diffusion&bull Evaluating process-induced shunting using the implied I-V measurementFurther Information技术参数：FAQ:&bull What is the recombination lifetime?&bull How does the solar cell efficiency depend on the lifetime?&bull What determines the lifetime in silicon?&bull How is lifetime measured by the Sinton Instruments tools?&bull How is the data analyzed?&bull Can you measure surface recombination velocity?&bull Does the system measure emitter saturation current density?&bull Can wafers be measured with no surface passivation (&ldquo out of the box&rdquo )?&bull Can any of these instruments do lifetime maps?&bull How do these measurements compare to microwave PCD?&bull What lifetimes can be measured?&bull What is the smallest sample size?&bull How do you measure bulk lifetime on blocks or ingots?&bull At what carrier density should I report the result?&bull Can the lifetime tester be used to detect Fe contamination?&bull How is the instrument calibrated?&bull When should wafers be tested inline?&bull Does the lifetime tester measure the trapping?　Module and Cell Flash Testers frequently asked questions主要特点：常见问题：WT-2000与WCT-120测少子寿命的差异？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）而WT2000是微波光电导。WCT-120/100准稳态光电导法测少子寿命的原理？WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）

载流子瞬态特性分析系统用于太阳能电池瞬态光电性能测量（载流子迁移率测量，瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS），对于光电器件微观机理研究提供了有力的测试工具；多功能一体化高性能瞬态测试平台，不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等，还可以对瞬态光电流谱TPC，瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析，全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用： * 无机半导体光电器件，有机半导体光电器件； * 有机太阳能电池OPV； * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED； * 无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）； * 染料敏化太阳能电池DSSC；主要测量功能 * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强，迁移率（I-V测试 & I-V-L测试，空间电荷限制电流SCLC法） * 载流子密度，载流子动力学过程（瞬态光电流法 TPC） * 载流子寿命，载流子符合动力学过程（瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV） * 载流子迁移率（暗注入瞬态法 DIT，单载流子器件&OLED） * 串联电阻，几何电容，RC时间（电压脉冲法 Pulse Voltage） * 参杂密度，电容率，串联电阻，载流子迁移率（暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV） * 载流子迁移率，载流子密度（光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV） * 载流子复合过程，朗之万函数复合前因子（时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV） * 不同工作点的载流子强度，载流子迁移率（注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV） * 几何电容，电容率（MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV） * 陷阱强弱度，等效电路（阻抗谱测试 IS） * 迁移率，陷阱强弱度，电容，串联电阻（电容VS频率 C-f） * 内建电压，参杂浓度，注入势垒，几何电容（电容VS电压 C-V） * 陷阱分析（深能级瞬态谱DLTS） * 载流子传输时间分析（强度调制光电流谱 IMPS）； * 载流子复合时间、收集效率等分析（强度调制光光电压谱IMVS）； * 点亮电压（电流电压照度特性 I-V-L） * 发光寿命，载流子迁移率（瞬态电致发光法 TEL） *载流子迁移率（TEL瞬态电致发光，Photo-CELIV线性增压抽取载流子） *OLED/钙钛矿LED发光特性测量（发光器件测量）；测量技术： 1）IV/IVL特性：IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法，通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系；*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等； 2）瞬态光电流（TPC）：研究载流子动力学过程和载流子密度等； 3）瞬态光电压（TPV）：研究载流子寿命和复合过程； 4) 双脉冲瞬态光电流（Double Transient Photocurrent）：分析电荷载流子俘获动态过程； 5) 暗注入瞬态法（Dark Injection）：对于单载流子器件和OLED，研究其载流子迁移率； 6) 电压脉冲法（Voltage Pulse）：串联电阻、几何电容和RC效应分析； 7) 暗态线性增压载流子瞬态法（Dark-CELIV）：参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量； 8) 光照线性增压载流子瞬态法（Photo-CELIV）：提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility，及载流子浓度分析等； 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等； 10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析； 11）MIS-CELIV：几何电容和相对介电常数分析； 12）阻抗谱测量（Impedance Spectroscopy）：器件等效电路分析等； 13）电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量； 14）电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量； 15) 深能级瞬态谱（DLTS）：陷阱分析； 16）强度调制光电流谱（IMPS）：载流子传输时间分析； 17）强度调制光光电压谱（IMVS）：载流子复合时间、收集效率等分析； 18）瞬态电致发光测试（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的载流子，磷光寿命测量；另外，我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备： 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统； 2.太阳能电池测量系统（光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统，I-V曲线测量系统），太阳能电池测试仪； 3.太阳能电池I-V曲线测量系统； 4.I-V 数据采集系统； 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器； 6.太阳能电池分选机； 7.太阳能电池I-V测试仪； 8.分光辐射度计， 9.参考电池/标准电池， 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统； 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统； 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统； 13.太阳能电池少数载流子测量系统；

太阳能电池载流子特性分析系统用于太阳能电池瞬态光电性能测量测量（载流子迁移率测量，瞬态光电流测量、光电压测量、瞬态光电性能测量、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS），对于光电器件微观机理研究提供了测试工具；多功能一体化高性能瞬态测试平台，不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等，还可以对瞬态光电流谱TPC，瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析，全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。主要应用： * 无机半导体光电器件，有机半导体光电器件； * 有机太阳能电池OPV； * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED； * 无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）； * 染料敏化太阳能电池DSSC；主要测量功能 * 功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强，迁移率（I-V测试 & I-V-L测试，空间电荷限制电流SCLC法） * 载流子密度，载流子动力学过程（瞬态光电流法 TPC） * 载流子寿命，载流子符合动力学过程（瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV） * 载流子迁移率（暗注入瞬态法 DIT，单载流子器件&OLED） * 串联电阻，几何电容，RC时间（电压脉冲法 Pulse Voltage） * 参杂密度，电容率，串联电阻，载流子迁移率（暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV） * 载流子迁移率，载流子密度（光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV） * 载流子复合过程，朗之万函数复合前因子（时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV） * 不同工作点的载流子强度，载流子迁移率（注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV） * 几何电容，电容率（MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV） * 陷阱强弱度，等效电路（阻抗谱测试 IS） * 迁移率，陷阱强弱度，电容，串联电阻（电容VS频率 C-f） * 内建电压，参杂浓度，注入势垒，几何电容（电容VS电压 C-V） * 陷阱分析（深能级瞬态谱DLTS） * 载流子传输时间分析（强度调制光电流谱 IMPS）； * 载流子复合时间、收集效率等分析（强度调制光光电压谱IMVS）； * 点亮电压（电流电压照度特性 I-V-L） * 发光寿命，载流子迁移率（瞬态电致发光法 TEL） *载流子迁移率（TEL瞬态电致发光，Photo-CELIV线性增压抽取载流子） *OLED/钙钛矿LED发光特性测量（发光器件测量）；测量技术： 1）IV/IVL特性：IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法，通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系；*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等； 2）瞬态光电流（TPC）：研究载流子动力学过程和载流子密度等； 3）瞬态光电压（TPV）：研究载流子寿命和复合过程； 4) 双脉冲瞬态光电流（Double Transient Photocurrent）：分析电荷载流子俘获动态过程； 5) 暗注入瞬态法（Dark Injection）：对于单载流子器件和OLED，研究其载流子迁移率； 6) 电压脉冲法（Voltage Pulse）：串联电阻、几何电容和RC效应分析； 7) 暗态线性增压载流子瞬态法（Dark-CELIV）：参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量； 8) 光照线性增压载流子瞬态法（Photo-CELIV）：提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility，及载流子浓度分析等； 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和郎之万复合因子分析等； 10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析； 11）MIS-CELIV：几何电容和相对介电常数分析； 12）阻抗谱测量（Impedance Spectroscopy）：器件等效电路分析等； 13）电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量； 14）电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量； 15) 深能级瞬态谱（DLTS）：陷阱分析； 16）强度调制光电流谱（IMPS）：载流子传输时间分析； 17）强度调制光光电压谱（IMVS）：载流子复合时间、收集效率等分析； 18）瞬态电致发光测试（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的载流子，磷光寿命测量；另外，我公司提供专业太阳能测试设备制造商为客户提供全套专业的设备： 1.太阳能电池光谱响应测试系统、IPCE测试系统、量子效率测试系统； 2.太阳能电池测量系统（光谱响应测试系统,IPCE测试系统,量子效率测试系统，I-V曲线测量系统），太阳能电池测试仪； 3.太阳能电池I-V曲线测量系统； 4.I-V 数据采集系统； 5.大面积太阳能模拟器/太阳光模拟器/全光谱太阳光模拟器； 6.太阳能电池分选机； 7.太阳能电池I-V测试仪； 8.分光辐射度计， 9.参考电池/标准电池， 10.太阳能模拟器均匀性图像分析系统； 11.有机太阳能电池载流子迁移率测量系统； 12.钙钛矿太阳能电池载流子迁移率测量系统； 13.太阳能电池少数载流子测量系统；

用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征寿命范围20 ns至100 ms（样品电阻率 0.3 Ohm cm）SEMI标准PV9-1110测试速度线扫描 30s完整的面扫秒 5min同时测量寿命μPCD/MDP（QSS）和电阻率直拉硅单晶硅锭中的滑移线自动几何形状识别G12、M10晶砖和晶圆片应用寿命 &电阻率面扫描晶体生长监控（即滑移线）污染监测氧条纹/OSF环p型掺杂硅的铁面扫描图光束感应电流（LBIC）发射极层的方阻更多… 直拉硅单晶硅锭中的滑移线 含有大量缺陷的准单晶硅锭的寿命测量 MDP studio – 操作和评估软件用户友好且先进的操作软件具有：导入和导出功能带有操作员的用户结构所有执行的测量概览样品参数输出单点测量（例如：注入浓度相关的测量）面扫描测试配方 分析功能包线扫描和单点瞬态视图 远程访问基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持配置选项光斑尺寸变化电阻率测量（晶砖和晶圆片） 多晶硅晶圆线扫描背景/偏置光反射测量（MDP）LBICp型掺杂硅中的铁图谱p/n检测条码读取器自动几何识别宽的激光器波长范围 HJT晶圆的寿命 测量多晶硅晶圆线扫描 技术规格材料单晶硅晶锭尺寸125×125至210×210mm2，晶砖长850mm或更长晶圆尺寸直径可达300 mm电阻率范围0.5 – 5 ohm cm。根据要求提供其他范围导电类别p/n可测量的参数 寿命-μPCD/MDP（QSS）、光电导率、电阻率等默认激光器IR激光二极管（980 nm，最大500 mW）和IR激光二极管（905 nm，最大9000 mW）。可根据要求提供其他波长电脑Windows 11或最新版本、.NET Framework更新、2个以太网端口电力要求100 – 250 V AC, 6 A尺寸(宽×高×长)2560 × 1910 × 1440 mm重量约200kg认证根据ISO 9001准则制造，符合CE要求应用铁浓度测定铁浓度的精确测定非常重要，因为铁是硅中最丰富且也是最有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确、快速地测量铁浓度，并具有非常高的分辨率，最好是在线测量。缺陷浓度测定许多寿命测量方法，如QSSPC、μPCD或CDI，以及MDP在极低的注入浓度下都存在异常高的测量寿命。这种效应是由于样品中的捕获中心造成的。这些捕获中心对于了解材料中载流子的行为非常重要，并且也会对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率来测量缺陷密度和这些缺陷中心的活化能。掺杂样品的光电导测量B和P元素的注入在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，还没有方法可以在不接触样品，并由于必要的退火步骤而改变其特性的情况下检查这些注入的均匀性。迄今为止的困难是注入区域的深度通常只有几微米，而且注入剂量非常低。MDP能够以高分辨率和不同注入剂量之间的良好区分来表征这些注入样品。与注入浓度相关的测量少数载流子寿命很大程度上取决于注入浓度（过剩载流子浓度）。从寿命曲线的形状和高度可以推断出有关主要重组中心和捕获中心的信息。

MDPspot W包括一个额外的电阻率测量选项。测量硅的电阻率，可用于没有高度调节可能性的晶圆，或晶砖。必须预先定义这两个选项中的一个。 特点： ◇ 无接触无破坏的电学半导体特性 ◇ 包括μ-PCD测量选项 ◇ 对迄今为止看不见的缺陷的可视化和外延层的研究具有先进的灵敏度 ◇ 集成多达四个激光器，用于宽的注入水平范围◇ 获取单次瞬变的原始数据以及用于特殊评估目的的地图 技术规格: 单晶或多晶片、晶砖、电池、硅片、钝化或扩散等不同生产步骤后的晶片样品尺寸50 x 50 mm² 以上到 12“ 或 210 x 210 mm² 电阻率0.2 - 10³ Ωcm材料晶片、晶砖、部分或完全加工的硅片、化合物半导体等测量参数载流子寿命尺寸360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg电力110/220 V, 50/60 Hz, 3 A 优点： ◇ 台式装置，用于载流子寿命的单点测量，多晶硅或单晶硅在不同的制备阶段，从原生材料到器件。 ◇ 体积小，成本低，使用方便。附带一个基本的软件，用于在小型PC或笔记本上进行结果可视化。 ◇ 适用于硅片到砖，操作高度调节方便。 细节： ◇ 允许单晶圆片调查 ◇ 不同的晶圆级有不同的配方 ◇ 监控物料、工艺质量和稳定性 附加选项：◇ 光斑大小变化◇ 电阻率测量(晶片)◇ 背景/偏置光◇ 反射测量(MDP)◇ 软件扩展◇ 额外的激光器选配MDPspot 应用： 铁浓度测定铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的更多......掺杂样品的光电导率测量B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难……更多......陷阱浓度测定陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。更多......注入相关测量少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。更多......

简介：载流子迁移率测量系统Paios主要用于太阳能电池在稳态，瞬态以及交流条件下的光电性能测量（载流子迁移率测量Photo-CELIV，瞬态光电流测量TPC、瞬态光电性能测量TPV、强度调制光电压谱IMVS、强度调制光电流谱IMPS以及阻抗IS,CV等量测）为光电器件微观机理研究提供了有力的测试平台；多功能一体化高性能瞬态测试平台，不但可以测量器件的载流子迁移率、载流子寿命、载流子动力学过程、阻抗谱等，还可以对瞬态光电流谱TPC，瞬态光电压谱TPV、强度调制光电流谱IMPS、强度调制光电压谱IMVS等进行测量分析，全面分析器件中的载流子特性和瞬态过程。可量测器件类型： * 无机半导体光电器件，有机半导体光电器件； * 有机太阳能电池OPV； * 钙钛矿太阳能电池Perovskite Solar Cell，钙钛矿LED； * 无机太阳能电池（例如：单晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太阳能电池）； * 染料敏化太阳能电池DSSC；主要测量功能： * 最大功率点MPP、FF、Voc、Isc、VS 光强，迁移率（I-V测试 & I-V-L测试，空间电荷限制电流SCLC法） * 载流子浓度，载流子动力学过程（瞬态光电流法 TPC） * 载流子寿命，载流子符合动力学过程（瞬态光电压/瞬态开路电压法 TPV） * 载流子迁移率（暗注入瞬态法 DIT，单载流子器件&OLED） * 串联电阻，几何电容，RC时间（电压脉冲法 Pulse Voltage） * 参杂密度，电容率，串联电阻，载流子迁移率（暗态线性增加载流子瞬态法 Dark-CELIV） * 载流子迁移率，载流子密度（光照线性增加载流子瞬态法 Photo-CELIV） * 载流子复合过程，朗之万函数复合前因子（时间延迟线性增加载流子瞬态法 Delaytime-CELIV） * 不同工作点的载流子强度，载流子迁移率（注入线性增加载流子瞬态法 Injection-CELIV） * 几何电容，电容率（MIS线性增加载流子瞬态法 MIS-CELIV） * 陷阱强弱度，等效电路（阻抗谱测试 IS） * 迁移率，陷阱强弱度，电容，串联电阻（电容VS频率 C-f） * 内建电压，参杂浓度，注入势垒，几何电容（电容VS电压 C-V） * 陷阱分析（深能级瞬态谱DLTS） * 载流子传输时间分析（强度调制光电流谱 IMPS）； * 载流子复合时间、收集效率等分析（强度调制光光电压谱IMVS）； * 点亮电压（电流电压照度特性 I-V-L） * 发光寿命，载流子迁移率（瞬态电致发光法 TEL） *载流子迁移率（TEL瞬态电致发光，Photo-CELIV线性增压抽取载流子） *OLED/钙钛矿LED发光特性测量（发光器件测量）；测量技术： 1）IV/IVL特性：IV和IVL曲线是针对OLED和OPV标准的量测手法，通过曲线可以得到样品的电流电压特性关系、电流电压与光强的特性关系；*对于有机半导体材料可通过空间电荷限制电流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和迁移率等； 2）瞬态光电流（TPC）：研究载流子动力学过程和载流子密度等； 3）瞬态光电压（TPV）：研究载流子寿命和复合过程； 4) 双脉冲瞬态光电流（Double Transient Photocurrent）：分析电荷载流子俘获动态过程； 5) 暗注入瞬态法（Dark Injection）：对于单载流子器件和OLED，研究其载流子迁移率； 6) 电压脉冲法（Voltage Pulse）：串联电阻、几何电容和RC效应分析； 7) 暗态线性增压载流子瞬态法（Dark-CELIV）：参杂浓度、相对介电常数、串联电阻、电荷载流子迁移率测量； 8) 光照线性增压载流子瞬态法（Photo-CELIV）：提取有机太阳能电池片内载流子迁移率mobility，及载流子浓度分析等； 9) 时间延迟线性增压载流子瞬态法（Delaytime-CELIV）：复合动态过程分析和Langevin复合因子分析等； 10）注入线性增压载流子瞬态法（Injection-CELIV）：电荷载流子浓度和电荷载流子迁移率测量分析； 11）MIS-CELIV：载流子迁移率量测 12）阻抗谱测量（Impedance Spectroscopy）：器件等效电路分析等； 13）电容频率测量法（C-f）: 迁移率、陷阱、几何电容和串联电阻测量； 14）电容电压测量法（C-V）：内建电压、参杂浓度和几何电容等测量； 15) 深能级瞬态谱（DLTS）：陷阱分析； 16）强度调制光电流谱（IMPS）：载流子传输时间分析； 17）强度调制光光电压谱（IMVS）：载流子复合时间、收集效率等分析； 18）瞬态电致发光测试（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的载流子，磷光寿命测量； 应用案例：1.第三代太阳能电池的表征2. Consistent Device Simulation Model Describing Perovskite Solar Cells in Steady-State, Transient and Frequency Domain

美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等 Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用 1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。 2）检测晶元重金属含量处理 3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散 4）电池片制造工艺的监控和优化 5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单 1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套7）硬件连接线缆 8）电源供应器一套 9）校准套件 一套

美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等 Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用 1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。 2）检测晶元重金属含量处理 3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散 4）电池片制造工艺的监控和优化 5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单 1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套7）硬件连接线缆 8）电源供应器一套 9）校准套件 一套

MDPpro 850+用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。 特点 ： ◇ 寿命范围：20 ns至100 ms（样品电阻率 0.3 Ohm cm） ◇ SEMI标准：PV9-1110 ◇ 测试速度：线扫描 30 s；完整的面扫秒 5 min ◇ 同时测量：寿命μPCD/MDP（QSS）和电阻率◇ 自动几何形状识别： G12、M10晶砖和晶圆片 应用 : ◇ 寿命 & 电阻率面扫描 ◇ 晶体生长监控（即滑移线） ◇ 污染监测◇ 氧条纹/OSF环 ◇ P 型掺杂硅的铁面扫描图◇ 光束感应电流（LBIC）◇ 发射极层的方阻 ◇ 更多… 技术规格 : 材料单晶硅晶锭尺寸125 x 125至210 x 210 mm2，晶砖长850 mm或更长晶圆尺寸直径可达300 mm电阻率范围0.5 – 5 ohm cm。根据要求提供其他范围导电类别p/n可测量的参数寿命-μPCD/MDP（QSS）、光电导率、电阻率等默认激光器IR激光二极管（980 nm，不超过500 mW）和IR激光二极管（905 nm，不超过9000 mW）。可根据要求提供其他波长电脑Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2个以太网端口电力要求100 – 250 V AC, 6 A尺寸（宽*高*长） 2560 × 1910 × 1440 mm重量约200 kg认证根据ISO 9001准则制造，符合CE要求 直拉硅单晶硅锭中的滑移线含有大量缺陷的准单晶硅锭的寿命测量MDP studio - 操作和评估软件 ：用户友好且先进的操作软件具有：◇ 导入和导出功能◇ 带有操作员的用户结构◇ 所有执行的测量概览◇ 样品参数输出◇ 单点测量（例如：注入浓度相关的测量）◇ 面扫描◇ 测试配方◇ 分析功能包◇ 线扫描和单点瞬态视图配置选项：◇ 光斑尺寸变化◇ 电阻率测量（晶砖和晶圆片）◇ 背景/偏置光◇ 反射测量（MDP）◇ LBIC◇ P型掺杂硅中的铁图谱◇ p/n检测◇ 条码读取器◇ 自动几何识别◇ 宽的激光器波长范围MDPpro850+ 应用 ： 铁浓度测定铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的更多......掺杂样品的光电导率测量B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难……更多......陷阱浓度测定陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。更多......注入相关测量少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。更多...... 远程访问基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持多晶硅晶圆线扫描HJT晶圆的寿命测量

1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。2）检测晶元重金属含量处理3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散4）电池片制造工艺的监控和优化5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套7）硬件连接线缆8）电源供应器一套9）校准套件 一套

Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400: 优越的硅锭测试仪器简单、精确、无接触式地测量初长成态或已加工成型硅棒或硅锭的真实体寿命。遵从SEMI标准PV-13。BLS-I的减震收缩垫能够很好地适应不同的硅锭曲率，所以能够测量各种长成态或已加工成型的硅锭表面。BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.因为少子寿命作为衡量生长和缺陷含量的的最敏感的技术参数，这个工具直接获得长硅的质量参数。作为最易于使用的测量工具BLS，只需要有直径150mm大小的平面。如果只是测量平面样品的话，请选择BCT-400。 BLS-I和BCT-400测量系统可以直接测量单晶或多晶硅锭或硅砖的寿命，而无需进行表面钝化。由于寿命测试是表征晶体生长和杂质缺陷最灵敏的技术之一，使用该系列产品，您可以在晶体长成后立刻对晶硅质量进行评估。BLS-I设备应用灵活，能够测量各种各样的表面（150 mm直径的曲面至平面）。BCT-400设备更加小巧，专为测量平面设计。BCT-400还可以集成到自动化工作站中，同时对测试软件进行相应设置就能实现无缝自动化测量。例 1：对寿命 8 ms 的 n 型硅锭的一次瞬态测试例 2：图为 p 型多晶硅块的寿命测量数据，显示了硅块从底部到顶部典型的寿命变化特征。每次测试结果也包括陷阱浓度和电阻率（此处未显示)。Sinton少子寿命测试仪BLS-I/BCT-400系统功能主要应用:对寿命在 1-10 毫秒范围内的高纯度硅进行测定对未经特殊表面处理的长成态 B-Cz 单晶硅棒进行质量检验对多晶硅锭的寿命和陷阱浓度进行表征其他应用:检测B-O 缺陷、Fe 污染和表面损伤监测 Cz 直拉硅、Fz 区熔硅、多晶硅或 UMG升级冶金硅的初始材料质量Sinton BCT-400少子寿命测量仪BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。Sinton BLS-I少子寿命测量仪BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块 体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源测量参数 少子寿命、电阻率、陷阱密度可测量的少子寿命范围 0.1us-10ms可测量的电阻率范围 0.5-300ohm.cm分析模式准稳态方法少子寿命分析瞬态方法少子寿命分析一般方法少子寿命分析可施加的用于修正陷阱的偏执光范围 0-50suns可以测量的样品的表面类型表面为平的硅块样品（BCT-400）表面不平整的硅块样品（BLS-I）不平整弧度的直径可达150mm光源光谱 白光和红外光感应器的面积 45cm*45cm可测量深度 3mm操作简单、灵敏度高

美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等 Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用 1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。 2）检测晶元重金属含量处理 3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散 4）电池片制造工艺的监控和优化 5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单 1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套7）硬件连接线缆 8）电源供应器一套 9）校准套件 一套如何利用Suns-Voc进行浆料与烧结技术优化少子寿命，PN结的好坏，表面及体内的复合情况,材料质量、钝化效果等" b3 X _6 K$ b1 u" ~- I. E1 V ALife time,Pseudo-EFF, Pseudo-Voc, Pseudo-FF, Ideality factor 对比该曲线与最后测定的I至V曲线，可以准确测量出电池的串联电阻。 Suns-Voc系统特征晶元测定的温控为25°C电压探针的高精准度兼容磁性探针配备全套浓度补正滤色片的疝气灯后支柱可调节高度，准确调节亮度适用标准I至V曲线图及Suns-Voc曲线图不受串联电阻的影响，测定晶片特征Suns-Voc ApplicationsBy either probing the silicon p+ and n+ regions directly or probing the metallization layer (if present), the illumination-Voc curve can be measured. This curve can be displayed as our well-known Suns-Voc plot or in the form of a standard photovoltaic curve which can be used to characterize shunting. The entire curve is measured at the open-circuit voltage, so it is free from the effects of series resistance. Comparing this curve to the final I-V curve gives a precise measure of the series resistance in the cel

美国Sinton公司 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc产品资料 1、 设备组成以及主要功能少子寿命测试仪WCT-120包括如下部分：1）带有涡电流感应器的样品台，2）带有红外滤光片的程控闪光灯光源系统，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套，4）用于信号传输的信号盒，5）程控的电源供应器FPS-300，5）连接各个硬件的连接线等 Suns-Voc包括如下部分：1） 放置样品的测量台，2）带有中性滤光片的程控闪光灯，3）内置WCT-120软件以及NI采集卡的电脑一套（与WCT-120共用），4）用于信号传输的信号盒（与WCT-120共用）5）程控的电源供应器FPS-300（与WCT-120共用），5）连接各个硬件的连接线等 少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc（WCT-120的标准附属设备）的主要功能1）量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2） 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity3） 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density4） 量测得到硅片样品发射极饱和电流密度J05） 量测得到硅片样品在没有做成太阳能电池片之前估计在1个太阳辐照度下的最大开路电压值One-Sun Voc6） WCT-120可以搭配标准附件Suns-Voc一起使用，Suns-Voc可以量测形成PN结后的样品在不同辐照强度下的开路电压值以及通过内建模型计算出样品的最大IV特性参数；最大Teff，最大FF等。同时可以通过计算获得电池片的串联电阻值Rs 2、 技术参数2.1 WCT-120技术参数1） 符合SEMI最新光伏产品少子寿命量测标准，SEMI PV13-0211标准：利用涡电流传感器以非接触测试方法量测硅片,硅块，硅锭过剩载流子复合寿命Test Method for Contactless Excess-Charge-Carrier Recombination Lifetime Measurement in Silicon Wafers, Ingots, and Bricks Using an Eddy-Current Sensor2） 量测原理：利用涡电流法获得硅片样品在准稳态光脉冲下获得的光电导（QSSPC）和瞬态光脉冲下获得的光电导（TPC），并将量测得到的光电导利用载流子迁移率标准等式转换成对应的载流子浓度，并最终得到不同载流子浓度下对应的硅片少子寿命值3） 硅片少子寿命量测范围：0.1us—10ms（在对应的注入浓度（Δn）下）4） 量测（分析）模式包括：准稳态（QSSPC）， 瞬态（Transient），以及一般态（Generalized）三种分析模式三种5） 量测电阻率范围：3–600 (未掺杂样品) Ohms/sq.6） 可调光偏压范围：0-50suns7） 经过校准的注入浓度范围：1013–1016 cm-38） 光源光谱：白光和红外光9） 光源波长：1000nm10） 量测样品感应器大小：直径为40mm11） 感应器感应深度：3000um12） 量测样品大小：直径40-210mm；直径更小的样品也可以量测13） 量测样品厚度：10-2000um；其他厚度样品也可以量测14） 样品的赝开路电压（Implied Voc）： 可以得到样品在做成太阳能电池片之前的赝开路电压（implied Voc）15） 搭配Suns-Voc一起使用：可以搭配Suns-Voc一起使用，Suns-Voc作为WCT-120的附件。16） A/D转换器的分辨率：12bit 最大采样率为5MS/s17） 工作温度：20℃-25℃18） 设备尺寸：22.5 cm 宽 x 28 cm深 x 57 cm 高19） 通用电源电压：100-230VAC, 50/60Hz20） 保质期：一年保修所有硬件和软件2.2 Suns-voc技术参数1） 量测得到样品在开路状态下的赝电流电压（implied IV）曲线：2） 量测得到样品在做成电池片之前获知其本应能够得到的最大效率值，和最大填充因子。3） 可以实现对样品进行双二极管模型分析，得到电池片的J01和J02。4） 得到样品的并联电阻（shunt Resistance）电阻值，分析电池片的漏电状况。5） 经过校准的光源的辐照范围：0.006-6个suns6） 量测样品尺寸：最大为210mm7） 夹具温度可控制在25摄氏度8） 工作温度：18℃-25℃9） 设备损耗功率：260W10）设备尺寸：32 cm 宽 x 28.5 cm深 x 75 cm 高11）量测原理：电池片工作在开路状态，通过量测探针直接量测电池片在不同服照度下的开路电压值，软件内建双二极管模型回推得到J01，J01, Rshunt等参数，也可以通过计算得到电池片的少子寿命值，并可以去除电池片串联电阻Rs的影响回推得到电池片在相应制程下应该得到的最大IV参数（最大效率，最大填充因子等）3、WCT-120&Suns-voc设备应用 1）监测原始材料的质量，对其进行等级分类。 2）检测晶元重金属含量处理 3）评估硅片表面和发射极掺杂扩散 4）电池片制造工艺的监控和优化 5）提供太阳能电池片在加工过程中能够得到的最大IV参数4、WCT-120&Suns-Voc组成清单 1）WCT-120样品台一个2）含有红外滤光片的WCT-120程控闪光灯光源系统一套3）Suns-Voc样品台一个4）带有中性滤光片的Suns-Voc程控闪光灯光源系统一套5）信号盒一个6）带有WCT-120和Suns-Voc软件和NI数据采集卡的电脑一套7）硬件连接线缆 8）电源供应器一套 9）校准套件 一套如何利用Suns-Voc进行浆料与烧结技术优化少子寿命，PN结的好坏，表面及体内的复合情况,材料质量、钝化效果等" b3 X _6 K$ b1 u" ~- I. E1 V ALife time,Pseudo-EFF, Pseudo-Voc, Pseudo-FF, Ideality factor 对比该曲线与最后测定的I至V曲线，可以准确测量出电池的串联电阻。 Suns-Voc系统特征晶元测定的温控为25°C电压探针的高精准度兼容磁性探针配备全套浓度补正滤色片的疝气灯后支柱可调节高度，准确调节亮度适用标准I至V曲线图及Suns-Voc曲线图不受串联电阻的影响，测定晶片特征Suns-Voc ApplicationsBy either probing the silicon p+ and n+ regions directly or probing the metallization layer (if present), the illumination-Voc curve can be measured. This curve can be displayed as our well-known Suns-Voc plot or in the form of a standard photovoltaic curve which can be used to characterize shunting. The entire curve is measured at the open-circuit voltage, so it is free from the effects of series resistance. Comparing this curve to the final I-V curve gives a precise measure of the series resistance in the cel

产品关键词：载流子迁移率、电子迁移率、空穴迁移率、渡越时间、飞行时间、TOF、载流子寿命、迁移率寿命积、瞬态光电流、水平载流子、横向TOF、横向载流子、二维载流子成像mapping▌ 产品简介最早于2012年为行业提供搭建式系统，并于2019年全新推出的业内首款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测量商业化设备。FlyTOF飞行时间法迁移率测量仪是东谱科技HiTran瞬态综合光电特性测量平台中的重要成员。该系统利用飞行时间法（time-of-flight，TOF）测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性，广泛适用于各类半导体材料，如硅基半导体、第二代半导体、第三代宽带隙半导体、有机半导体、钙钛矿半导体、量子点半导体、二维材料半导体、金属-有机框架（MOF）、共价有机框架（COF）等。FlyTOF基于我司的MagicBox主机研制而成，配备便捷的上位机控制和数据测量软件，可助力客户进行快速、准确的测量。FlyTOF是东谱科技源头研发产品，是业内首款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测试商业化设备。迁移特性是半导体最为基础的性质之一，是半导体在电子学和光电子学等领域进行应用的基础。半导体的迁移率定义为单位电场下载流子的平均漂移速度。TOF迁移率测试方法直接由迁移率的定义发展而来。 相比于一些间接的迁移率测试方法，如空间电荷限制电流（SCLC）法等，TOF的方法被认为是最接近“真实”迁移率的一种测量方法。通过TOF瞬态光电流信号的分析，可以得到电子迁移率、空穴迁移率等参数；用户还可以利用这些数据，结合材料的物理模型进行分析，得到杂质浓度、缺陷、能带混乱度、电荷跳跃距离等参数。作为TOF迁移率测试方法商业化应用的先行者，东谱科技已携手客户广泛探索了FlyTOF在有机半导体、硅基半导体、钙钛矿半导体、二维材料、共价有机框架等领域的应用。东谱期待与您共同开拓FlyTOF更多的应用领域。▌ 产品特点□ 载流子迁移率测量值覆盖10^-9~10^6 cm^2/(V.s)□ 专业的信号调教，电磁兼容噪声小□ 行业最先进的TOF测试功能□ 软件自动控制，测试快速便捷□ 快速换样装置，惰性气体氛围测试□ 可实现宽温度范围的变温测试（选配）□ 可通过可视化系统看到光斑照射情况□ 可灵活耦合各种类型的激发光源▌ 产品功能□ 飞行时间法瞬态光电流测量□ 半导体材料电子迁移率测量□ 半导体材料空穴迁移率测量□ 载流子浓度测量□ 载流子寿命测量□ 可选变温测量□ 可选Lateral-TOF测试功能及附件□ 可选配TOF二维扫描（mapping）功能及附件功能说明：标配TOF：纵向TOF；Mapping功能：可以对TOF的信号进行二维平面的成像；Lateral-TOF功能：可以以水平的方式对样品的迁移率进行测试。▌ 产品应用□ 有机半导体□ 量子点半导体□ 元素半导体（Si、Ge等）□ 金属-有机框架（MOF）□ 二维材料□ 宽带隙第三代半导体□ 钙钛矿材料□ 化合物半导体（InGaAs等）□ 共价有机框（COF）□ 其它半导体材料▌ 规格型号规格配置高性能版（E300）标配版（S300）经济版（W300）TOF标配功能√√√Mapping模块可选可选×Lateral-TOF可选可选×* Lateral-TOF：□ 包含显微系统、探针系统、针对Lateral-TOF的光路及电子部件系统等，具有非标性质，详情请与销售专员联系。* 可选配置/部件：□ 337nm 纳秒气体激光器；□ 532nm纳秒调Q固体激光器；□ 355 nm纳秒调Q固体激光器；□ Nd:YAG激光器 1064 nm、532 nm、355 nm、266 nm；□ 可调谐 OPO 激光器，波长范围：210-2400 nm。▌ 测试样例

MDPmap： 单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发。 特点： ◇ 灵敏度：高的灵敏度，用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况 ◇ 测量速度：6英寸硅片5min，分辨率为1mm ◇ 寿命范围：20ns到几十ms ◇ 污染测定：源于坩埚和设备的金属（铁）污染 ◇ 测量能力：从切割好的硅片到完全加工的样品 ◇ 灵活性：固定的测量头可以与外部激光器连接并触发 ◇ 可靠性：模块化和紧凑型台式仪器，可靠性更高，正常运行时间99% ◇ 重复性： 99% ◇ 电阻率：电阻率测绘，无需频繁校准 技术规格: 样品尺寸 直径达300mm（标准台），直径达450mm（定制），*小为5 x 5mm 寿命测量范围 20ns至几十ms以上 电阻率 0.2 - 10³ Ωcm，p-型/n-型 样品材料 硅片、外延层、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多材料 可测量的特性 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 激发波长 选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认) 尺寸规格 体积：680 x 380 x 450毫米；重量：约65公斤 电源 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A 细节：◇ 用于研发或生产监控的灵活测绘工具 ◇ MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具，用于离线生产控制或研发，在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）下，在一个宽的注入范围内测量参数，如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品，包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆，从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。 ◇ MDPmap的主要优点是它的高度灵活性，例如，它允许集成多达四个激光器，用于测量从较低到高的注入水平的寿命，或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算，也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务，预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。 附加选项： ◇ 光斑大小的变化 ◇ 电阻率测量（晶圆） ◇ 方块电阻 ◇ 背景/偏光 ◇ 反射测量（MDP） ◇ 太阳能电池的LBIC（扩散长度测量） ◇ 偏压MDP ◇ 参考晶圆 ◇ 硅的内部/外部铁制图 ◇ 集成加热台 ◇ 灵活的激光器配置 MDPmap 测量案例： 钝化多晶硅的寿命图 多晶硅的铁污染图 单晶硅的硼氧图 单晶硅的缺陷密度图 碳化硅外延片（＞10μm）-少数载流子寿命mapping图（平均寿命τ=0.36μs） 高阻硅片（＞10000Ωcm）-少数载流子寿命mapping图 非钝化硅外延片（20μm）-少数载流子寿命mapping图 MDPmap 应用：铁浓度测定 铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的 更多...... 掺杂样品的光电导率测量 B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难…… 更多...... 陷阱浓度测定 陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。 更多...... 注入相关测量 少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。 更多......

产品说明微波光波超声波萃取仪是一款综合的实验室仪器，可任意选择微波、超声波、光波、紫外线、磁力搅拌多种组合方式，真正实现一机多用。是研究化学反应、化学合成、材料制备、分析化学样品前处理等方法和机制的最佳选择，被广泛用于各大高校和科研单位。工作原理超声波发生器（电源）是将单相电通过变频器件变为交变电能、并以适当的阻抗与功率匹配来推动换能器，作纵向机械振动，振动波通过浸入在样品溶液中的钛合金变幅杆对被破碎的各类细胞产生空化效应，从而达到破碎之目的。微波电源发射控制器是将单相电通过升压磁控管形成微波能量再通过导波管将微波辐射到腔内的样品上，而达到加热目的。光波控制器是将单相电通过红外光波管发出大量红外线来作用在样品上。可编程逻辑控制器通过人工设置的各种数据，来综合控制超声波，微波，和光波的输出能量和时间等参数，达到实验效果。应用领域&bull 无机、有机、材料制备和生物分析等样品前处理&bull 化学反应、有机合成、样品消解或萃取方法等方面研究产品特点&bull 大容量 最高可达1000mL，有效提高了分析灵敏度&bull 参数灵活 时间、温度、功率、转速可调&bull 应用范围广 可广泛用无机、有机和生物分析等样品前处理&bull 安全可靠 微波泄漏量符合国家标准；用户、管理员二级密码；具有超温和传感器异常保护&bull 模式可选 可任意选择微波、超声波、光波、紫外线、磁力搅拌多种组合方式&bull 过程直观 设有反映监视器，一体屏带实时视频窗口监控样品反应状态&bull 智能存储 可预设200组程序，电脑储存，可直接设置、修改和调用&bull 高效率 超声波振荡能量直接作用于容器内样品，声振效率高、能耗低、效果样品举例食材火锅料、胡桃青皮、芒果植物竹片、山茶花、光皮树环保土壤、煤炭、废水药材虫草、虎杖、女贞子有机污染物邻苯二甲酸酯、多氯联苯纳米材料α-Moo3纳米带、纳米级磷酸铁锂

烛龙TM系列多模态光电显微镜基于光电流扫描(PhotonCurrent Scanning imaging)技术，广泛应用于材料或器件分析。通过测量器件表面上的光电流信号来研究器件表面的电荷分布情况。在半导体器件中，当光照射到表面时，光子能量被吸收并激发电子，从而产生电子-空穴对。这些电子-空穴对可能会在外加电场或表面电场的影响下分离，导致产生光电流。因此，通过测量光电流信号的强度和空间分布，可以推断出器件表面的电荷分布情况。光电流成像技术可以用于研究半导体器件的表面电荷分布、载流子分布、表面电势等信息，对于了解器件的性能和特性具有重要意义。【应用案例】1、太阳能电池/光电流测试2、材料微加工和激光改性3、发光材料/荧光寿命测试和Mapping4、二维材料/PL Mapping and Raman Mapping

该系统对测量和评价薄膜电子和空穴的迁移率非常关键，主要是用于EL元件和太阳能电池。该系统由一个短脉冲激光激发的载流子产生氮模具，高速采样电子，样品室和数据处理系统。我们的防噪声系统和独特的信号处理降低了噪声明显，响应速度快，如纳米二阶和高灵敏度已经达到为了测量电子和空穴的迁移率。更换不同的模具（作为一个选项）模具的激光使系统振荡的波长范围从分子与脉冲宽度缩短600皮秒荧光。除此之外，TOF法测量，可选单位系统能通过FET的方法测量的迁移率（选项）。原理：脉冲光照射样品。然后用示波器测量电荷的流动速度光脉冲照射到薄膜样品，被施加电压到薄膜样品。主要应用：测试有机半导体和有机薄膜的载流子迁移率The Model CMM-250 has been designed to measure the electron and hole mobilities which are very critical to evaluation of the thin film to be used for the EL elements and solar cells. The system consists of a short pulse nitrogen excitation die laser for carrier generation, high speed sampling electronics, sample compartment and data processing system. Our noise prevention system and unique signal processing have reduced noise significantly so that fast response such as nano-second order and high detection sensitivity have been achieved in order to measure the electron and hole mobilities. Changing different die ( as an option ) of the die laser enables the system to oscillate the wavelength range from 337nm to 730nm with pulse width shortened in 600 pico second. In addition to this TOF method measurement, the system with an optional unit is capable to measure mobilities by FET method(option).Features? Achievement of time resolution at nano-second enables the system to measure mobility such as 10-7-１0-１cm2/Vsec( this maybe changed depending on the sample and its thickness).? Easy Operation with probe/sample compartment? New designed optics and data processing enabled to obtain high SN ratio dataMeasurementMobility calculationWhile checking the measurement data, mobility can be easily calculated.By putting cursor on the inflection point, mobility can be calculated automatically while seeing the logarithmic converted data.Signal processingIn addition to noise prevention, our unique signal processing enables the system to calculate very small signal data with large noise. The measurement can be applied to the thinner film or high mobility sample, which extends the measurement range.FET Measurement ( Option )Adding the optional probe and software to the system is enabled to measure mobility measurement for FET type element.