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俄歇仪

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俄歇仪相关的论坛

  • 俄歇电子能谱仪

    俄歇电子能谱仪

    近年来，在测定表面的化学成份方面，俄歇电子能谱法（AES）作为一种最广泛使用的分析方法而显露头角。这种方法的优点是：在靠近表面5-20埃范围内化学分析的灵敏度高；数据分析速度快；能探测周期表上He以后的所有元素。虽然最初俄歇电子能谱单纯作为一种研究手段，但现在它已成为常规分析手段了。它可以用于许多领域，如半导体技术、冶金、催化、矿物加工和晶体生长等方面。俄歇效应虽然是在1925年时发现的，但真正使俄歇能谱仪获得应用却是在1968年以后。 3-3-1 工作原理 当一个具有足够能量的入射电子使原子内层电离时，该空穴立即就被另一电子通过L1→K跃迁所填充。这个跃迁多余的能量EK-EL1如使L2能级上的电子产生跃迁，这个电子就从该原子发射出去称为俄歇电子。这个俄歇电子的能量约等于EK-EL1-EL2。这种发射过程称为KL1L2跃迁。此外类似的还会有KL1L1、LM1M2、MN1N1等等。 从上述过程可以看出，至少有两个能级和三个电子参与俄歇过程，所以氢原子和氦原子不能产生俄歇电子。同样孤立的锂原子因为最外层只有一个电子，也不能产生俄歇电子。但是在固体中价电子是共用的，所以在各种含锂化合物中也可以看到从锂发生的俄歇电子。俄歇电子的特点是： ①俄歇电子的能量是靶物质所特有的，与入射电子束的能量无关。下图是一些主要的俄歇电子能量。可见对于Z=3-14的元素，最突出的俄歇效应是由KLL跃迁形成的，对Z=14-40的元素是LMM跃迁，对Z=40-79的元素是MNN跃迁。大多数元素和一些化合物的俄歇电子能量可以从手册中查到。 [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/08/200608300909_25075_1609228_3.jpg[/img] ②俄歇电子只能从20埃以内的表层深度中逃逸出来，因而带有表层物质的信息，即对表面成份非常敏感。正因如此，俄歇电子特别适用于作表面化学成份分析。 3-3-2 俄歇电子能谱仪 俄歇能谱仪包括电子光学系统、电子能量分析器、样品安放系统、离子枪、超高真空系统。以下分别进行介绍。 1 电子光学系统 电子光学系统主要由电子激发源（热阴极电子枪）、电子束聚焦（电磁透镜）和偏转系统（偏转线圈）组成。电子光学系统的主要指标是入射电子束能量，束流强度和束直径三个指标。其中AES分析的最小区域基本上取决于入射电子束的最小束斑直径；探测灵敏度取决于束流强度。这两个指标通常有些矛盾，因为束径变小将使束流显著下降，因此一般需要折中。2 电子能量分析器 这是AES的心脏，其作用是收集并分开不同的动能的电子。 由于俄歇电子能量极低，必须采用特殊的装置才能达到仪器所需的灵敏度。目前几乎所有的俄歇谱仪都使用一种叫作筒镜分析器的装置。 [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/08/200608300910_25076_1609228_3.gif[/img]分析器的主体是两个同心的圆筒。样品和内筒同时接地，在外筒上施加一个负的偏转电压，内筒上开有圆环状的电子入口和出口，激发电子枪放在镜筒分析器的内腔中（也可以放在镜筒分析器外）。由样品上发射的具有一定能量的电子从入口位置进入两圆筒夹层，因外筒加有偏转电压，最后使电子从出口进入检测器。若连续地改变外筒上的偏转电压，就可在检测器上依次接收到具有不同能量的俄歇电子，从能量分析器输出的电子经电子倍增器、前置放大器后进入脉冲计数器，最后由X-Y记录仪或荧光屏显示俄歇谱 俄歇电子数目N随电子能量E的分布曲线[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/08/200608300912_25077_1609228_3.gif[/img]若将筒镜分析器与电子束扫描电路结合起来可以形成扫描俄歇显微镜（下图）。电子枪的工作方式与扫描电镜类似，两级透镜把电子束斑缩小到3微米，扫描系统控制使电子束在样品上和显像管荧光屏上产生同步扫描，筒镜分析器探测到的俄歇电子信号经电子倍增器放大后用来对荧光屏光删进行调制，如此便可得到俄歇电子像。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/08/200608300913_25078_1609228_3.jpg[/img]

  • 日本电子公司（JEOL）—— 俄歇电子谱仪（AES）应用工程师

    职位：俄歇电子谱仪（AES）应用工程师（1人）工作内容：为用户提供仪器应用支持，帮助新用户做样品测试，对产品做技术讲解。应聘要求：1. 常驻北京，可以承担一定的出差任务（不超过1/3工作日）。2. 喜欢学习，乐于钻研仪器技术。诚实有信，实事求是。3. 具有材料学/化学/化工或相关学科硕士（含）以上学位。有电子光学类仪器的使用经验，熟悉俄歇电子能谱或XPS技术者优先。4. 具有良好的口头表达能力。熟练使用常规办公软件。5. 有耐心，愿意尽心尽力帮助用户解决困难。具有良好的自我管理能力。薪酬待遇：1. 日本电子公司（JEOL）提供完备的社保福利，严格执行法律规定的休假制度。2. 实际薪酬根据应聘人资历面试后确定。有意者请提供简历。联系人：李女士（li.qun@jeol.com.cn）此贴长期有效，直到职位招满。

  • XPS谱中俄歇峰如何扣除？

    请教一下，XPS谱中的俄歇峰如何扣除？附：材料中含有Fe离子和Co离子，但是Fe在786ev附近有个俄歇峰，对Co的3价峰干扰挺大；同时Co在716ev附近也有个俄歇峰，对Fe三价的卫星峰干扰也挺大。如何扣除这两种俄歇峰的影响，从而只得到光电子的数据呢？谢谢！

  • 俄歇电子能谱的实验教材

    这是清华大学仪器分析实验有关电子能谱实验的教材。由于很多人对XPS还比较了解，对俄歇电子能谱并不是非常了解。但在材料分析和器件分析，尤其是薄膜材料分析中，俄歇电子能谱具有重要的作用。希望对大家有帮助！朱永法2006.8.19

  • 【分享】俄歇电子能谱基本原理 及应用

    俄歇电子能谱基本原理 　　入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子。外层电子向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以X光的形式放出，即产生特征X射线，也可能又使核外另一电子激发成为自由电子，这种自由电子就是俄歇电子。对于一个原子来说,激发态原子在释放能量时只能进行一种发射：特征X射线或俄歇电子。原子序数大的元素，特征X射线的发射几率较大，原子序数小的元素，俄歇电子发射几率较大，当原子序数为33时，两种发射几率大致相等。因此，俄歇电子能谱适用于轻元素的分析。 　　如果电子束将某原子K层电子激发为自由电子，L层电子跃迁到K层，释放的能量又将L层的另一个电子激发为俄歇电子，这个俄歇电子就称为KLL俄歇电子。同样，LMM俄歇电子是L层电子被激发，M层电子填充到L层，释放的能量又使另一个M层电子激发所形成的俄歇电子。 　　对于原子序数为Z的原子,俄歇电子的能量可以用下面经验公式计算： EWXY(Z)=EW(Z)-EX(Z)-EY(Z+Δ)-Φ (10.6) 　　式中， EWXY(Z)：原子序数为Z的原子，W空穴被X电子填充得到的俄歇电子Y的能量。 EW(Z)-EX(Z)：X电子填充W空穴时释放的能量。 EY(Z+Δ)：Y电子电离所需的能量。 　　因为Y电子是在已有一个空穴的情况下电离的，因此，该电离能相当于原子序数为Z和Z+1之间的原子的电离能。其中Δ=1/2-1/3。根据式(10.6)和各元素的电子电离能，可以计算出各俄歇电子的能量，制成谱图手册。因此，只要测定出俄歇电子的能量，对照现有的俄歇电子能量图表，即可确定样品表面的成份。 　　由于一次电子束能量远高于原子内层轨道的能量，可以激发出多个内层电子，会产生多种俄歇跃迁，因此,在俄歇电子能谱图上会有多组俄歇峰，虽然使定性分析变得复杂，但依靠多个俄歇峰,会使得定性分析准确度很高，可以进行除氢氦之外的多元素一次定性分析。同时,还可以利用俄歇电子的强度和样品中原子浓度的线性关系,进行元素的半定量分析,俄歇电子能谱法是一种灵敏度很高的表面分析方法。其信息深度为1.0-3.0nm,绝对灵敏可达到10-3单原子层。是一种很有用的分析方法。

  • 医疗器械WEEE的要求

    1、新版WEEE（2012/19/EU）发布后，在过渡期内（2012年8月—2018年8月），电子电气设备和老版的分类基本一致，其中医疗器械也在其中，但是感染性医疗器械除外，我们的产品在使用后，部分会被感染，或者说产品的某个部件会被感染，那这样是不是就算感染性医疗器械，可以不遵守WEEE？ 2、2018年8月15日之后，WEEE指令明确提出报废前可能感染的医疗器械不适用该指令，那这样我们也是可以不遵守WEEE？ 3、了解了中国关于废弃电器电子产品的一些要求，《废弃电器电子产品回收处理管理条例》中明确指出：产品维修、翻新以及经维修、翻新后作为旧货再使用的活动，不适用。那欧盟的WEEE是不是也不适用产品的维修、翻新和旧货再使用，只适用报废的产品？有没有大神和战友们了解的，或者做过这方面的，求指点！多谢了！！！

  • 【求助】请问俄歇能够测出含量在1％以下的元素吗

    本人想测量一下半导体薄膜中掺杂元素的掺杂情况，也就是想看看是否掺进去，以及相对含量是多少，这个能用俄歇能谱解决吗？这种掺杂元素与主体元素相比，应该在1%以下，不知俄歇能否测出？敬求各位大侠指教！

  • 特征X荧光之俄歇电子篇 可能理解不透彻 请大家指教

    [size=18px]前几天在重新温习X荧光知识的时候，突然出现了一个名字-俄歇电子，这个名称还就在我的脑子中挥之不去了，当时一时间想不起什么才是俄歇电子，后来在网上查了查，把自己的理解和大家分享一下，大家也看看我说的对不对，欢迎大家交流指教。一说到俄歇电子，我看到有的仪器是以根据俄歇电子能谱，来研究固体表面结构和表面物理化学性质的变化等，所以我就对这一概念就更加好奇了。我查到俄歇电子能谱（Auger Electron Spectronmetry，简称AES）。首先先要明确的就是我理解的一个概念，就是当X射线照射样品时，并非所有产生的空穴都会形成特征X荧光，就是我们之前举例说的跃迁-回迁-释放能量的过程，在这个过程中不是所有空穴都会产生特征X荧光的，我的理解是当X射线照射样品时，如下图（特征X射线产生）：[/size][img=,530,519]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2024/03/202403191439566241_1826_2645693_3.jpg!w530x519.jpg[/img][size=18px]当x射线照射样品后1号电子获得能量跃迁，出现空穴，2号电子进行空穴的填补，并释放特征X荧光，重点来了，在2号去补缺空穴时释放的特征X荧光恰好激发了3号电子，使之形成了新的空穴，这个被激发跃迁的3号电子就是俄歇电子。不知道我这样的理解对不对，请专家指教。同时也请大家帮我看看对不对，一起讨论下！[/size]

  • 【求助】關於WEEE的一些疑問？

    我是OEM/ODM廠，也有出自已品牌的產品，有客人要求買我們品牌的產品賣德國，WEEE應該由品牌持有人(我公司)負責還是由客人(買家)負責呢?請各方大佬指點，謝！！

  • 【求助】请问Sn的俄歇峰位置

    我检测晶界处的Sn偏聚情况，Sn的俄歇峰在440ev处，是不是有些偏离或者不正常啊？ 确切的位置是在多少ev处呢？C峰和O峰都在什么位置？谢谢

  • 各位老师 对于PEGCMS 560500漏气调谐的一些问题

    最近刚开始用实验室的这台GCMS，我看手册上说检查漏气主要看氮气和氧气峰与氦气峰（氮气20.2%， 氧气5.8，真空3.1e-5）的比例，但是我发现在调谐页面如果改变一些参数，这个比例会变化。 意味着不能在自动调谐之后再看这些峰的比例，如果这样的话，假如我确定仪器没有漏的情况下，怎么办？问题比较初级，谢谢各位了http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/default/emyc1010.gif

  • 【讨论】SEM中是否包含俄歇电子信息

    在电子束的激发下，样品表面在产生二次电子的同时，产生有俄歇电子，俄歇电子的能量在1000eV左右，那么在二次电子接收器接收二次电子的时候，是否也同时接收了俄歇电子。

  • Q-Exactive的一些参数求助

    本人在用Q-E的液质做一些关于脂质组学方面的内容，从文献上看到几句话不太懂，希望能请教一下各位大神们。MS1 spectra were acquired under operator control with target mass resolving power ofRP= 70,000 at m/z 200 to distinguish precursor ions ofmolecular species with similar m/zvalue, and MS2 spectra were acquired with target mass resolving power of RP= 17,500 at m/z 200为什么设置分辨率的时候后面要带上at m/z 200 这个东西，着实不懂。

  • ICP-OES操作中一些常见的术语

    经常操作ICP-OES，你不得不承认，，一些常见的术语可能有点让你迷糊，比如以下：原子发射线（Atom line）：从原子的激发态跃迁回到基态所产生的发射光谱，一般在元素后标 "I"，如Ba I 553.5离子线（ion line）：从原子的离子态跃迁回到基态所产生的发射光谱，一般在元素后标 "II"，“III”，表示一次电离，二次电离原子的离子谱线，如 Ba II 455.4 nm。离子化干扰（Ionization interference）：由于样品引入等离子体中，如果分析溶液产生电离而增加自由电子，将改变等离子体中的电离平衡而造成干扰。基体效应（Matrix effects）：由分析溶液中被分析物之外的物质造成的干扰。谱线干扰（Spectral interference）：由于不能将分析物的谱线从相邻的干扰物的谱线分开而造成的干扰。您日常中是否有遇到，欢迎分享！

  • PE600的一些问题 高手们进来哈

    公司最近新来了PE600[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url] 对于我一点也不懂的来说 该如何的去学习啊 要从哪方面下手啊 要懂得哪些东西 希望好心人上传些资料上来哈

  • 【求助】PE 调谐的问题

    我使用PE，DRC-e的仪器，想问下，目前使用三通进样，平时调谐时，有时是一管进10ppb调谐液，另个管进纯水,有时两管同时进调谐液，这样调谐只是会响应值相差一倍么？各位大侠，在有使用三通进样（内标）的时候，都是咋进调谐液的呢？如何调的？详细点最好！谢了

  • ESS-1样品中有一些元素的结果的问题

    俺遇到一个问题:ESS-1样品中有一些元素的结果是以ug/g表示的,而有些却是以%表示的,对于%表示看不懂,所以请求各位前辈帮助一下.例如:ESS-1样品中Fe2O3的结果以3.40±0.13%,如果我取样0.1135g,[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原吸[/color][/url]做出来是30.5mg/L,含水率是2.25%,我做出来的结果是27491mg/kg,那么我做出来土壤铁是不是在它不确定值之内呢?

  • 关于ECD的斜率

    我用岛津的GC2010 plus 仪器做木材中五氯苯酚测试，检测器用的是ECD，开机3个小时，ECD基线的斜率在10000左右，请问这个是正常的吗？我设定的条件是进样口250度，色谱柱初始温度50度，ECD300度，1nA。一般ECD的斜率在多少范围里面才算是正常？

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    PE的气质，离子源刚洗过，气密性合格，柱子安装没问题，调谐液刚加。调谐电压开始很高，大于2000V,后来调谐不通过，提示：unable to detect initial beam.AutoTune will terminate.请问是不是电子倍增器坏了？

  • 请问俄歇谱仪的能量分辨率具体怎么理解？

    看了一个PPT，能量分辨率是这么定义的：通常给的分辨率啥的都是FWHM，实际谱峰和理想谱峰相比有一定展宽，这是由仪器聚集性能和出口缝处有一定宽度有关系。请问FWHM是半峰宽的意思吗？聚集性能和出口缝是什么意思呢？另外还有一句话，谱仪的能量分辨率由CMA决定，通常CMA的分辨率小于5%，E一般为1000—2000eV，所以“”得它”E约为5—10eV。请问能量分辨率是一个百分比是什么意思呢？后面的E又是什么意思？

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