太阳能电池量子效率分布测量系统

- C-Si太阳能电池测试.- Bus-Bar接触.- 太阳能电池I-V测试.- 太阳能电池EL成像.联系方式：025-84615783

太阳能电池硅片清洗花篮 品牌：瑞尼克型号：RNKHL加工定制：是用途：清洗别名：花篮、承载篮用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PTFE，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片.特点：1.外观纯白色。2.耐高低温：可使用温度-200℃～＋250℃。3.耐腐蚀：耐强酸、强碱、王水和有机溶剂，且无溶出、吸附和析出现象。4.防污染：金属元素空白值低。5.绝缘性：不受环境及频率的影响，介质损耗小，击穿电压高。6.耐大气老化，耐辐照和较低的渗透性。7.自润滑性：具有塑料中小的摩擦系数。8.表面不粘性：是一种表面能小的固体材料。9.机械性质较软，具有非常低的表面能。聚四氟乙烯（PTFE）系列产品：培养皿、坩埚、试剂瓶、试管、镊子、药匙、烧瓶、烧杯、漏斗、容量瓶、蒸发皿、表面皿、阀门、接头、离心管等。

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超级多功能量子效率测量系统配件成功问世，一套量子效率测试系统可以测量：薄膜厚度, 折射率，透过率，光学常数, 光谱响应，外量子效率和内量子效率。多功能量子效率测量系统配件是特别为太阳能光伏电池（器件）的测量而设计开发的新一代量子效率测试系统。它可以测量光伏器件的光谱响应（Spectral Response, SR, A/W),外量子效率（External Quantum Efficiency, EQE/IPCE,%) 和内量子效率（Internal Quantum Efficiency, IQE,%）多功能量子效率测量系统配件特色×光路全部采用光纤传导替代自由空间光系统（Free-Space Optics)， 从而可以保证用户长时间使用而不需要准直或调节光路，也不需要日常频繁地移动光学器件或维护，×光路传导系统也规避了周围环境光线对测量的影响。×快速测量EQE/IQE测量（5分钟内就可测量串联光伏电池的全部特性）；×真正全部匹配各种光伏技术（C-Si,多晶硅,硅薄膜电池, CIS/CIGS,有机光谱电池等）；×根据用户的需求提供订制化服务；×集成其它光学测量功能，如”薄膜厚度测量“功能。内量子效率测量系统测量方法多功能量子效率测量系统配件由300-1100nm的光源和1/4m的单色仪构成。内部还配置电动的6位滤波片轮实现高精度地测量。而光电流（Photocurrent)测量是通过锁相放大器和数字控制的chopper实现的。 外量子效率测量系统的软件控制光源（LED),使用高性能光电二极管作为参考，可对串联电池进行偏置测量（Biasing Measurement)。多功能量子效率测量系统配件对于内量子效率（IQE)的测量是通过使用两个积分球与一个微型光谱仪联合实现的。其中微型光谱仪用于确定反射率和透过率，标定（校准）单色仪的输出光谱带宽。对于我们还有重要的配件供用户选择：安装样品的温度控制基座和外部电压偏倚源共选择。多功能量子效率测量系统配件的软件全天候控制这个套系统。该软件基于LABVIEW构建，不仅可以控制系统工作，处理电子和光谱测量，还具有极其广泛的拓展性。软件采用”指导提示性”界面设计，指导用户一步步完成实验操作，从而大大方便用户的使用。即使没有使用经验的人员也能在软件的提示下工作。量子效率测试系统软件提供如下两个工作模块：1) EQE－模块用于测量外部量子效率，控制所有二级模块如温度和偏置测量等》2) IQE－模块用于反射率和透过率，计算内量子效率，定义单色仪的输出带宽，不要激光和特殊校准配件和程序。

太阳能电池硅片清洗花篮PFA四氟清洗花篮 ITO、FTO导电玻璃、硅片PFA清洗架、F4硅片花篮品牌：瑞尼克型号：RNKHL加工定制：是 用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片.目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮。

多功能翘曲度测量仪配件是孚光精仪公司进口的全球领先的翘曲度检测仪器，一套翘曲度测试仪器可以测量：热沉,晶圆(wafer),太阳能电池和硅片翘曲度,应力以及表面形貌。多功能翘曲度测量仪配件是特别为半导体晶圆（wafer)和太阳能电池（solar cell)的翘曲度（warp) 和弯曲度(bow)以及表面形貌(topography)的测量而设计，可以测量晶圆翘曲度（wafer warpage) 和晶圆表面形貌, 晶圆应力,硅片张力,太阳能电池量子效率，既适合科研单位使用，也适合工业客户大产品、高效率的晶圆翘曲度和表面形貌的检测的需要。我们还根据不同晶圆类型提供如下两种硅片翘曲度测量仪：1. 非反射型：适合晶圆表面覆盖晶圆保护膜/胶带（wafer tape)，图案化晶圆 /图样化晶圆（patterned wafer)，粗糙的晶圆的应用；2. 高反射型： 适合晶圆表面光滑 / 镜反射的应用。多功能翘曲度测量仪配件特点：× 适合不同尺寸的晶圆检测，从0.5’‘到12' ' 的直径；* 标准检测能力为： 每小时可检测2000个晶圆或更多太阳能电池；× 同时测量多个晶圆或太阳能电池；× 测量镀膜后的晶圆或solar cell * 分析太阳能电池或晶圆应力和张力；* 对晶圆表面进行图像分析；* 测量图案化晶圆或非图案化的晶圆；* 具有太阳能电池的量子效率测量选项供选择多功能翘曲度测量仪配件参数：× 翘曲度测量范围：1-20微米；* 重复精度： 百分之0.5 （1 sigma) * 给出结果：曲率半径,晶圆弯曲高度，翘曲度，测量日期和时间；* RMS粗糙度mapping: 0.5-20A （可选项）；* 光源：根据用户的应用而配备不同光源；* 探测器：高分辨率探测器阵列并配备亚像素软件；

PFA花篮花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。英特格6英寸晶圆盒晶圆运输盒（ entegris PFA carrier）6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。晶圆容量：25片型号:A194-60MB

铜铟硫（硒），铜铟镓硫（硒），铜锌锡硫（硒）多元半导化合物对可见光的吸收系数和光电转换效率高，抗辐射能力强，吸收层材料禁带宽度可调，性能稳定，无毒等优点，是制作薄膜太阳电池的优良材料。传统方法－真空溅射沉积再进行硫化或硒化反应形成薄膜太阳能电池，在制备过程中很难控制各个元素的蒸发速率和保持衬底温度的稳定，而且由于采用了真空的工艺环节，导致工艺复杂，总成本很高。通过对量子点烧结形成半导体薄是一种新兴的薄膜太阳能电池的制备技术，可以极大简化生产工艺，降低成本制，因此具有非常广泛的应用前景。我们可根据客户需求，提供不同质量的CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子点。由于此款产品为定制款，标价为参考价，具体价格请联系在线客服发射峰 & 吸收峰XRD & TEM & EDS测试

近红外量子点具有玻尔半径大、禁带宽度小、能量转换率较高等特点，在光电器件、通讯、发光二极管、太阳能电池等领域有着广泛应用。由于其发射的近红外波长具有很强的组织穿透性和低背景高分辨率的生物成像性能，因此还被广泛应用于生物领域。应用独特专有技术合成近红外量子点具有粒径分布窄，色彩纯度高，发射近红外光，稳定性好等优异特性，且成本低，易于大规模量产。技术参数：NIR QDs发射峰半峰宽表面基团形态PbS QDs780-1600 nm120-150 nm油酸（或客户指定配体）固态Ag2S QDs850-1250 nm80-200 nm正十二硫醇（或客户指定配体）液态我们可根据客户需求，提供不同表面基团、溶剂、浓度、780-1600nm间任一发射波长的近红外PbS量子点和850nm-1250nm间任一发射波长的近红外Ag2S量子点。由于此款产品为定制款，标价为参考价，具体价格请联系在线客服发射峰 & 吸收峰TEM测试图

产品特点： u即时性內部量子效率测量。u大幅降低紫外光領域的迷光现象，对高量子效率的样品展現出优异的测量性能。搭配低迷光对应光谱仪，实现高感度、高稳定性的光谱解析。u激发光源采用光栅搭配滤光镜分光、可任意选择单一波长。(选配)产品规格： 波长范围240nm~800nm（视所搭配的光谱仪规格）分光元件全息成像光栅，焦点距离F=3、f=135mm波长精度±0.3nm检出元件CCD影像感测器（电子冷却）512ch检出能力1.2nm/pixel受光光纤石英制，金属包覆，固定口径Φ12mm消耗电力100V/200V125VA激发光源系统光源套件Xe灯+光栅分光激发波长范围250nm～700nm波长扫描方式正弦杆移动方式撷取波长（SineBar），手动or自动皆可对应测量系统积分半球设备（HalfMoon）Φ150mm、Φ60mm积分球设备Φ60mm电源消耗电力415VAAC输入100V±10%50/60Hz应用范围： u受紫外光激发的荧光粉体频谱测量uLED所使用的荧光材料频谱测量u光激发频谱测量uLB膜、机能性分子膜的荧光频谱测量u生物发光、散乱光的荧光频谱测量

几十年来一直用于PAFC和PEFC，具有高耐久性。其机械强度高、导电性和透气性适合用作燃料电池气体扩散层(GDL)应用程序。东丽纸- TGP-H PAN碳纤维制成的“TORAYCA”具有高强度和高模量。东丽碳纸中的纤维是通过碳元素而牢固地连接着。主要特点：1、高强度2、良好的透气性和较低的电阻率3、方便处理4、最小的电化学腐蚀配置参数：属性单位TGP-H-030TGP-H-060TGP-H-090TGP-H-120厚度mm0.110.190.280.37体积密度g/cm30.400.440.440.45孔隙度%80787878表面粗糙度μm8888透气性mlmm/(cm2hrmmAq)2500190017001500电阻率贯通面mΩcm80808080面内mΩcm-5.85.64.7热导率贯通面（室温）W/(mk)-1.71.71.7面内（室温）W/(mk)-212121面内（100℃）W/(mk)-232323热膨胀系数面内（25–100℃）×10-6/℃-0.8-0.8-0.8-0.8抗弯曲度MPa40404040弯曲模量GPa8101010抗拉强度N/cm-507090处理方式特氟龙处理尺寸400mm×400mm防湿性5%,10%,20%,30%,40%和50%的防湿

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太阳能模拟器氙灯介绍：太阳能模拟器氙灯是可以进行太阳光辐射模拟的氙灯，其克服了太阳光辐射受时间和气候影响。贺利氏可以提供多种类型的脉冲氙灯，具有高稳定性，高输出，长寿命等特点，同时可以应用于多种领域，满足不同客户的需求。

ZnSe量子点是一种新型环保“绿色”半导体纳米材料，有效克服了Cd系量子点毒性大的缺点，作为宽带隙半导体材料，ZnSe是制造蓝绿波段半导体发光器件的重要材料。应用独特专有技术合成的ZnSe/ZnS量子点具有尺寸均匀，单分散性强，荧光量子产率高，稳定性好，生物毒性低等优异特性；可以广泛应用于蓝光半导体光电器件、太阳能电池、生物标记等领域。发射峰：400-440 nm半峰宽：量子产率：~40%表面基团：十八胺（或客户指定配体）溶剂：甲苯（或客户指定溶剂）我们可根据客户需求，提供不同表面基团、溶剂、浓度、400-440nm间任一发射波长的HMF_ZnSe/ZnS量子点。由于此款产品为定制款，标价为参考价，具体价格请联系在线客服发射峰 & 吸收峰TEM测试图

MBR ELECTRONIC uss 9500超声低温焊锡系统（适用大面积焊接）-软钎焊，无需助焊剂 名称：MBR ELECTRONIC uss 9500超声低温焊锡系统（适用大面积焊接）品牌：MBR型号：USS-9210，USS-9510,USS-1908产地：瑞士产品描述：超声波焊锡工艺，无需助焊剂，可在常压下实现较难焊接材料及特殊母材（如玻璃、陶瓷、铝、钢、钛、硅、金属氧化物、超导体）的焊接。无需助焊剂，不会对母材表面产生腐蚀作用。高能量超声波振动在液态焊料中产生气穴现象清除待焊接母材表面的氧化膜。高压迫使液态焊料进入母材的微孔细缝中，密封住这些微孔细缝，使母材表面更加易于焊接。超声波振动挤出液态焊料中的气泡，实现表面无气孔的完美焊接。超声波焊锡工艺焊接效果好、品质高。在大多数运用中优于粘合剂粘结： - 无气泡 - 热耦合极快 - 耐热达250℃超声低温焊锡系统（适用大面积焊接）特点：√ 可焊接玻璃、陶瓷、铝、金属氧化物等√ 无需助焊剂√ 耐腐蚀大面积超声低温焊锡系统应用领域：用于实验室生产、研发。- 表面处理技术- 薄膜母材(气相沉淀- 传感器- 平板玻璃生产- 光学玻璃- 太阳能电池生产/维修- 半导体- LCD接触- 磁铁/烧结材料- 超导体（如铌）- 厚膜陶瓷母材- 玻璃纤维应用实例：1—将钛棒焊接到蓝宝石基板上2—太阳能电池接触：硅Si单晶片，薄膜太阳能电池、染料敏化太阳能电池3—铌线圈缠绕至微晶玻璃棒4—光学玻璃镀锡5—焊接120μm的玻璃光纤至0.5mm青铜孔中6—铜线电接触至玻璃基板的铝片上7—接触陶瓷碳混合超导体，焊接点直径0.8mm

贺利氏（Heraeus）太阳能模拟氙灯氙灯广泛应用于各个领域，迄今最多地运用在激光的光学汲取。每次脉冲的高光学功率要求使用最佳材质和设计以获得氙灯的较长寿命。按照客户要求，我们可以生产从30W到20KW得的各种特殊规格的氙灯及各种标准灯的替换产品。贺利氏拥有全世界唯一一条全自动氙灯生产线，制造出质量最好的氙灯，其寿命为全世界最长。联系方式联系人：许丹婷 地址：上海市桂林路406号5号楼2楼 [200233]电话：+86 21 33575347 传真：+86 21 33575333Email：info.hns@heraeus.com 公司网址：http://www.heraeus-noblelight.cn

少子寿命测试仪性能参数？ 测量原理 QSSPC（准稳态光电导） 少子寿命测量范围 100 ns-10 ms 测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析 电阻率测量范围 3&ndash 600 (undoped) Ohms/sq. 注入范围：1013-1016cm-3 感测器范围 直径40-mm 测量样品规格 标准直径: 40&ndash 210 mm （或更小尺寸） 硅片厚度范围 10&ndash 2000 &mu m 外界环境温度 20° C&ndash 25° C 功率要求 测试仪: 40 W 电脑控制器：200W 光源：60W 通用电源电压 100&ndash 240 VAC 50/60 Hz -------------------------------------------------------------------------------- 少子寿命测试仪成功使用用户？ 江苏，上海，北京，浙江，西安，四川，河北，河南等地的硅料生产企业及半导体光伏拉晶企业等等。 一、采购项目名称：硅片少子寿命测试系统、溶剂净化系统等 二、采购代理机构 ：杭州求是招标代理有限公司 三、确定成交日期：2010年11月16日 四、本项目公告日期： 2010年11月4日、11月5日 五、项目成交单位： 硅片少子寿命测试系统(z9264)：上海瞬渺光电技术有限公司 -------------------------------------------------------------------------------- 相关资料下载 少子寿命测试仪一款功能强大的少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。少子测试量程从1&mu s到6000&mu s，硅料电阻率下限达0.1&Omega .cm(可扩展至0.01&Omega .cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 　　半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 　　多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响.分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC) 少子寿命是描述半导体 材料特征方程的基本参数之一,对器件特性的精确描述起着重要作用,特别是对以PN结为基本结构的器件,额外载流子的产生与复合在PN结的状态转换过程中起着决定性的作用,因而少子寿命是决定PN结型器件工作特性的关键材料参数之一。 　　太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命.少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结,受PN结电场分离后对外产生光电流,同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压,所以大部分生产商都在生产前检验原始材料的一些关键性参数,光伏工业生产中最常见的测试就是少子寿命的测试,通过对原始材料的寿命测量预测成品太阳电池的效率。 　　少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法（ASTM国际标准-1535）的测试原理，提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试，主要是通过904nm波长的激光激发出硅片,硅棒或硅锭体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而判断该硅片,硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。该设备主要应用于硅棒，硅片的出厂、进厂检查，生产工艺过程的沾污检测等。特别是在太阳能领域，少子寿命将直接关系到成品电池的效率，是必备的检测手段。 　　少子寿命测量仪可测量半导体的少子寿命。少子寿命值反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度，即反映了光生载流子的利用程度。少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性参数，它对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有重要的影响，可以说硅电池的转化效率和少子寿命成正向相关对应关系。 　　少子寿命测量仪采用微波光电导衰减法（SEMI国际标准-1535）的测试原理，即通过激光激发出硅体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而计算出少子寿命值，为半导体提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试。该仪器测量少子寿命的精度达到ns级，分辨率达1％，测试结果准确性好、重复性高，完全能满足太阳能级硅电池的少子寿命测试。目前该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法 主要特点: 　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm 　　全自动操作及数据处理 　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理 　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭 　　可以选择测试样品上任意位置 　　能提供专利的表面化学钝化处理方法 　　对各道工序的样品均可进行质量监控： 　　硅棒、切片的出厂、进厂检查 　　扩散后的硅片 　　表面镀膜后的硅片以及成品电池常见问题： WT-2000与WCT-120测少子寿命的差异？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）而WT2000是微波光电导。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导） 准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。

激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机，它具有较小的尺寸，安装操作非常简单，比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜，可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片，太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位，并监控激光功率等参数，为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离，晶圆背向接触烧结（Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆，通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面，被称作发射极，当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前，边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米）。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割，并配备了一流的机械视图功能，可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。

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短脉冲激光器——Short-pulse laser通过对晶体形状、散热和光腔设计的优化组合,使得INNOSLAB激光器对比其它激光器类型拥有非常多的优点和其它激光器类型不具备的独特性能.-短脉宽和高峰值功率–产生的极其微小的热区域,更适于高精度加工-近似理论值极限的高光束质量-更适合微加工-高功率和功率可提升-更高的生产效率-结构紧凑和性能稳定可靠–低运行成本-高效率-低能耗，利于环保-输出光斑分布的高灵活性-绿色加工和最大的能源效率INNOSLAB短脉冲和超短脉冲激光器标准产品包括以下各种电光调Q的INNOSLAB激光器，使用不同的激活介质,具有不同的脉冲能量、输出功率和波长:-光束质量: M2 -脉冲能量可达到60mJ-脉宽可达到4ns以下-峰值功率可达到7MW-脉冲重复频率可到150 kHz-平均功率可达600W-波长1064、532、355、266nmINNOSLAB激光器和放大器的一个与众不同的杰出特性在于其光束形状可量身定制:从圆形高斯模式到一维线状平顶以及两维方形平顶等等。HD-系列短脉冲激光器——HD-Series short-pulse laserHD-系列是具备高功率和高脉冲能量电光调Q的INNOSLAB激光器.技术参数：-光束质量: M2 -脉冲能量达60mJ-脉宽可小于4ns-峰值功率达7 MW-重复频率可达150kHz-平均功率达600W-波长1064、532、355、266nm主要应用:-光伏领域，如薄膜太阳能电池和晶硅太阳能电池导电层和绝缘层的烧蚀-显示领域，如导电层的织构化，硅片的有序横向晶化-科研领域，如作为染料激光器、OPO以及Ti:宝石激光器的泵浦，粒子成像测速 综述:

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