超高真空离子溅射热蒸发镀膜仪

等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件，不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化，在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能；本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa，可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小，节省空间，能够置于试验台上使用，一机多用，性价比突出，非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围：扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作，以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数：供电电压AC220V，60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm真空腔体材质：304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵：浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵：莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

德国韦氏纳米系统专门为大学，研究机构提供了一系列高真空/超高真空桌面型热蒸发镀膜工艺平台。特征：All in One 桌面型紧凑设计模块化易于操作灵活性高满足不同的要求的薄膜工艺VapourStation 高真空型-高真空 可切换换源夹紧系统NanoSphere扩展型--超高真空PicoSphere加强型-近超高真空 我公司专业销售高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品，并提供产品的售前售后服务，如您对高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品感兴趣，欢迎前来咨询！

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

仪器简介：此系统可以配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式，沉积源模式有:磁控溅射源Sputter source电子束蒸发E-beam SourcesK-cell蒸发热蒸发Thermal sources氧化物源Oxide sources此系统高度灵活，软件操作方便，专业为研究机构沉积超纯度薄膜，真正的高真空沉积系统。The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options. 感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备，为广大专业研究人员提供服务！！上海光源同步实验部配置的是磁控溅射（直流和射频均有）和电子束蒸发的组合功能，膜厚均匀性(镀膜500纳米左右厚度)均达到3%，这种组合系统极大地扩展了沉积功能，性能价格比超高，是研究人员的有力工具！！使用此系统的主要用户还有：中国计量院，吉林大学，中国科技大学，中北大学等技术参数：顶部法兰: 12”Radial ports：4 x NW100CF沉积接口: 5 x NW100CF, 4 x NW35CF分子泵: 300ls , 500 ls options样品操作: Quick-open top-lid.极限真空: 5x 10E-10 (24小时烘烤)机柜: Low footprint frame on transport casters样品台操控: Rotation, heating, bias样品操作: Load-Lock （可选）Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4” ，大到8”，12”等膜厚监控: QCM, Ellipsometry烘烤: Internal or jacket全自动软件操作，方便简单：Automation Touch screen pump down and process automation系统尺寸:Width: 1.5mHeight: 1.6mLength (standard): 1.3mLength: (with Loadlock): 2.0m主要特点：Top-loading chamber (500mm直径)超高真空匹配接口多种沉积源模式接口Analysis, load-lock and viewing ports多种样品夹具， 样品台可旋转，加热/冷却，DC/RF偏压 多种沉积源模式:包括 high-rate e-beam, low-rate (high accuracy) e-beam, DC and RF sputtering, thermal, K-cell,oxide sources.

瑞士Safematic电镜制样设备CCU-010 HV_SP-010高真空离子溅射镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010 HV_SP-010高真空离子溅射镀膜仪为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，变换镀膜头非常简单。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。标配FTM膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射仪，可选等离子处理附件✬ 独特的即插即用溅射模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 标配隔膜泵和涡轮泵；全量程真空测量（皮拉尼，冷阴极真空计）✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 HV系列高真空镀膜系统，除了用于SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜之外，还涵盖了最高级的SEM，TEM和薄膜应用。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。LC-006金属大腔室LC-006是当前玻璃腔室的扩大版，为铝制结构。这个可选的金属腔室可容纳6"晶圆或其它大尺寸样品，而且消除了对内爆防护的需求。在CCU-010上选配LC-006, 无需任何修改就可实现更大样品和晶圆的镀膜。SP-010 & SP-011溅射模块 两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV和CCU-010 HV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长，非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材，适合SEM、FIB和各种薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV系列镀膜仪。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。SP-011与CCU-010 HV相结合，可满足诸如DLC，ITO或铁磁溅射材料镀膜等具有挑战性的应用。ET-010等离子刻蚀单元 在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。选用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力；也可在样品镀膜后进行等离子处理，从而对膜层表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪及其版本CCU-010 HV系列高真空镀膜系统专为满足电镜样品制备领域及材料科学薄膜应用的最高要求而设计。CCU-010 HV 高真空溅射和镀碳仪采用优质组件和智能设计，可在超高分辨率应用中提供出色的结果。该设备是全自动抽真空和全自动操作，所有CCU-010 HV系列高真空版本的镀膜仪，均采用TFT 触摸屏，配方可编程，保证结果可重复。CCU-010 HV 标配抽真空系统完全无油，含高性能涡轮泵和前级隔膜泵，均位于内部，外部没有笨重的旋转泵和真空管路。这是一款尺寸合理的桌上型高真空镀膜仪。使用无油抽真空系统可将镀层中的污染或缺陷降至最低。关闭时，该设备可以保持在真空下，这有效地保护了系统免受灰尘和湿气的影响，并为高质量的镀层创造了快速抽真空和有利的真空条件。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪版本有：CCU-010 HV高真空磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 HV高真空热蒸发镀碳仪；CCU-010 HV高真空离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 HV高真空手套箱专用镀膜仪。CCU-010 HV系列高真空镀膜的主要亮点在于实现了两大技术性突破：一是独家采用自动碳纤维供给系统，在不破真空更换碳源的情况下可进行数十次的镀碳运行，比市场上常见的单次、双次或四次碳纤维镀膜方式节省大量的人工操作，既适用于大多数常规镀碳应用，也适用于超薄或超厚碳膜以及温度敏感样品的应用。二是将“镀膜前对样品表面进行等离子清洁（增加附着力）+镀膜+镀膜后对膜层表面进行改性（比如：亲水化）或刻蚀”全流程集于同一台仪器同一次真空下完成，大大提高了镀膜质量，拓宽了应用范围。另外，瑞士制造，是“精密”和“高品质”的代名词；瑞士原厂货源，覃思本地服务，客户买得放心、用得省心！

●主要功能：多靶复合磁控溅射镀膜机，可满足合金膜、单层膜、多层膜、导电膜、非导电膜和反应溅射的需要，具有极高的实用性和通用性（三靶、垂直与共溅射合一、在线清洗基片等），能够提供高水平功能薄膜研制，特别适合于半导体、新能源、磁性材料、储氢材料、二维材料、超硬薄膜、固体润滑薄膜、自洁净薄膜、等领域前沿研究，同时可选配等离子刻蚀功能和辅助镀膜。1. 主体和腔室：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式结构，骨架默认为白色，门板为白色，四只脚轮，可固定，可移动。真空腔室采用优质0Cr18Ni9不锈钢材质（SUS304），腔体尺寸不小于为：ø 450x500mm；真空室为前开门方式，采用铰链连接，自动锁紧，并配有门到位开关，彻底杜绝误操作；真空腔室设置DN100观察窗口，位置在真空腔体正前方。2. 真空系统：2.1 极限真空度≤Pa（空载、经充分烘烤除气并充干燥氮气）。2.2 真空配置。 前级泵为机械真空泵，抽速优于8L/S，超高分子泵一台，抽速1200L/S。2.3 真空测量：采用进口全量程真空计，优选德国莱宝与瑞士inficon。3. 工件盘系统：配备工件盘一套，可安装4英寸基片1片，选配高温工件盘＜800℃。4. 磁控溅射系统：配置三只2-4英寸溅射阴极，三只靶均能兼容直流和射频溅射，并可单独自由切换，磁控靶安装与真空室底部，向上溅射成膜。5.充气系统：二路分别配置MFC质量流量控制器，均为0-100SCCM，准确度±1%F.S，线性±0.5%F.S,重复精度±0.2%F.S。5. 其他：配置断水保护，配置冷水机组，冷水机制冷量为5000Kcal；设备配备小型静音空压机；保修期1年，维修响应时间不超过24小时。6. 操作系统及安全监控：采用人机界面+西门子PLC实现对设备集中自动控制；所有控制系统和电气安装均与主机集成在一起，避免控制柜与主机之间线路放在地上或从顶部引入带来的问题，模块化设计能确保社保维护维修的便捷性。

磁控溅射蒸发镀膜仪VTC-1RF-SPC是一套可实现射频磁控溅射和蒸发镀膜功能的系统，包含射频电源、温控型蒸发镀膜模块、真空系统，水冷设备，磁控溅射靶头，不锈钢腔室等。产品名称VTC-1RF-SPC磁控溅射蒸发镀膜仪产品型号VTC-1RF-SPC主要参数 电源：AC380V/50HZ 额定功率：4.2KW外形尺寸：长840*宽750*高1900mm重量：约310KG不锈钢腔室 内径φ250*高度360mm 腔体前部带有一个CF100的真空密封法兰，密封法兰上面安装了一个石英观察窗口； 腔体右侧带有一个从CF60法兰接口，用于和分子泵进行连接 腔室上部有一个LF250法兰接口，法兰端盖上部固定有溅射靶头和样品台； 腔体左侧带有一个KF63法兰接头，用于连接蒸发模块； 腔体右侧带有一个CF35法兰接口，用于连接薄膜测厚仪； 腔体后部带有两个精密调节针阀，用于控制进气量，通过调节进气量的大小，实现腔体内不同真空度的溅射； 腔体后部预留一个1/16英寸的卡套接口，用于客户后期连接质谱仪的检测管道。腔室真空度： 冷态下，用VRD-48机械泵抽30分钟，≤1Pa 冷态下，用FF-160/700分子泵抽30分钟，≤8*10-4Pa溅射靶头磁控溅射靶头固定在上法兰端盖上，通过焊接波纹管密封，方向朝上，和样品台形成45度夹角 标配1英寸的磁控溅射靶头，内部嵌有冷却水管，可以通水冷实现对磁钢和靶材的冷却，从而能够可以长时间进行溅射； 配有一手动操作的挡板，当第一次溅射清除靶材表面的氧化层和污物层，挡住基片，防止污染基片； 样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：60-100mm。 磁控溅射靶头和法兰端盖可以电动升降 （可选配2英寸磁控溅射靶头）样品台样品台固定在腔体上法兰端盖上，方向垂直朝下样品台通过磁流体密封，可实现样品台旋转样品台旋转速度：0.5-5r/min可调样品台尺寸：φ100mm，通过螺旋压盖固定样品，可选配≤φ100mm的各种尺寸掩膜版，以实现对不同样品尺寸的镀膜制备样品台最高温度可达700度（≤30min），长期使用温度500度，样品台加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PTD调节实现精确控温，控温精度±3℃。样品台和法兰端盖可以电动升降蒸发模块 从腔室右端采用KF50快接法兰与不锈钢腔体进行连接，保证腔室的真空度 采用钨丝作为发热源，并且配有专用的氧化铝坩埚，热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制 标配采用S型热电偶，蒸发工作温度为200-1300度 蒸发模块加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PID调节实现精确控温，控温精度±3℃。 蒸发模块和样品台之间的距离为：60mm 蒸发模块坩埚尺寸：外径φ19.6*内径φ15.4*高度24mm,可选配其它材质坩埚，如不锈钢坩埚等。控制面板控制面板采用一个7寸触摸屏实现集成控制 可在触摸屏上操作真空系统，显示真空度 可在触摸屏上进行样品台加热温控程序的设定和蒸发模块温控系统的设定 可控制样品台的旋转并设置样品台旋转速度 控制电动插板阀的启动和关闭射频电源 输入电源：220V 输出功率：0-300W 输出频率：13.56 MHZ 冷却方式：设备内部的冷却方式为风冷 尺寸：132（长）*442（宽）*405mm（高）（可根据溅射靶材不同选配直流电源）分子泵 分子泵型号：FF-160/700 抽气速率：700L/S 极限压强：6*10-7Pa（不带负载） 启动时间：＜4min 额定转速：36000 R/min 冷却方式：风冷加水冷 抽气口接口尺寸：CF160 带电动插板阀：可在触摸屏中控制电动阀的启动和关闭分子泵控制器 型号：TCP-II 电压：AC220V/50HZ 输出功率：750W 加速时间：5min 输出频率：0-1300HZ复合真空计 型号：ZDF-III 工作电压：AC220V 50/60HZ 电阻规阻值：约85欧 自动保护（电离）＞10Pa 电阻规测量范围：105-10-1Pa 电离规测量范围：100-10-5Pa前级机械泵（选配） 抽真空接口为KF40接口 真空泵：VRD-48，抽速48M3/H(13.3L/S) 电机功率：1500W 电机电源：AC380V/50HZ 极限真空：4*10-2Pa(不带负载) 真空计：ZDZ-52T V01型电阻真空计水冷设备（选配） 型号：KJ-5000 工作电流：1.4-2.1A 制冷量：2361Btu/h 尺寸：55×28×43cm（长×宽×高）膜厚检测仪（选配） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分别率为0.10 &angst LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据

紧凑型、模块化和智能化CCU-010 LV_CT-010为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，可选通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010系列镀膜仪标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能热蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 LV_CT-010精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM/EDS等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳卷轴系统，可在一次真空下进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。一段碳绳蒸发后，新的一段会自动前进，用过的碳绳会掉落到方便的收集盘中。除了易于使用外，自动卷轴系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄碳膜到在中厚碳膜层应用时的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的碳膜厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了CCU-010 LV热蒸发镀碳仪之外，还可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV系列镀膜仪均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，可防止系统被前级泵油污染。

瑞士Safematic CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机紧凑型、模块化和智能化CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，可选通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010系列镀膜仪标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能热蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 LV_CT-010精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM/EDS等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可在一次真空下进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄碳膜到在中厚碳膜层应用时的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的碳膜厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了CCU-010 LV热蒸发镀碳仪之外，还可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV系列镀膜仪均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，可防止系统被前级泵油污染。

瑞士Safematic CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射和/或蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射、蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用溅射和蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪专为SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜和镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。SP-010 & SP-011溅射模块两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长，非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材，适合SEM等导电薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV版本。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可以进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄膜到中厚膜层的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的膜层厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需破真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。HS-010真空储存箱HS-010真空储存箱可在真空条件下存放备用镀膜头、备用行星台或旋转台、所有溅射靶材和碳附件，使它们处于清洁状态。通过集成的真空管路与镀膜主体单元连接，利用CCU-010抽真空系统对储物箱抽真空。可选地，用户也可用外接真空泵替代。舒适的手动锁定装置和放气阀允许对储物箱进行独立的抽真空和放气控制。额外的标准真空腔室可有效地避免蒸碳和溅射金属之间的交叉污染。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。Coating-LAB软件使用基于PC的Coating-LAB软件，可查看包括图表信息在内的处理数据。数据包括压力、电流、电压、镀膜速率和膜厚，镀膜速率为实时曲线。便捷的软件升级和参数设置让此智能工具更为完美。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV普通真空镀膜仪版本作为真空镀膜系统的基础单元，专为 SEM 和 EDX 的常规高质量溅射和/或碳镀膜而设计。客户可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV热蒸发镀碳仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪

电镜制样设备CCU-010 LV_SP离子溅射镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射和/或蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。 特点和优点 ✬ 高性能离子溅射✬ 独特的即插即用溅射模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 LV精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜和镀碳而设计，CCU-010 LV_SP-010为磁控离子溅射镀膜仪。模块化的设计可将低真空单元很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。溅射模块 SP-010 & SP-011两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长-非常适合需要较厚膜的应用；可选多种溅射靶材。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV镀膜主体单元。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。等离子刻蚀单元 ET-010在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀膜后进行等离子刻蚀处理，从而对膜层表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了电镜制样设备CCU-010 LV_SP离子溅射镀膜仪之外，还可以选择：CCU-010 LV热蒸发镀碳仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV版本均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，防止系统被前级泵油污染。

英国真空镀膜公司(Vac Coat)是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者高度认可, 尤其DSR/DST溅射镀膜系列, DCR/DCT热蒸发镀碳系列, 可获得晶粒尺寸很细及无颗粒的高质量均匀薄膜, 十分适用于高分辨率和高质量SEM/TEM/EBSD/EDS样品的制备表征, 已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪配备了热蒸发附件，具有溅射和蒸发两种功能。不但可以用等离子溅射的方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或其他金属单质的薄膜。GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪能够满足扫描电子显微镜样品表面喷金、蒸金或蒸碳过程使用以及非导体材料实验电极的制作，也可以用于材料研究中各种新材料性能的实验。本机体积小，节省实验室空间，操作简单，清理方便，适合初学人员的使用，尤其适用于各大高校的实验室、科研院所、及各企业的实验室的使用。配备了热蒸发附件，可以蒸发碳丝或者其他材料，如铝、不锈钢等材料，同时具有溅射和蒸发的功能。因此扩展了应用范围，特别适用于扫描电镜样品表面喷金或蒸金、蒸碳使用。产品名称GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪产品型号GSL-1100X-SPC-16C安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（带减压阀）4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，承重50kg以上5、通风装置：不需要主要参数1、靶：?50mm2、样品台：?50mm3、真空室：?160mm×110mm4、真空度：4×10-1mbar-2×10-2mbar5、极限电流：50mA6、可设定极限时间：9999s7、极限电压：1600V DC可调8、真空泵：4L两级机械旋转泵，极限真空2×10-2mbar（也可选配国产分子泵）产品规格尺寸：L400mm x W310mm x H390mm 重量：50 kg标准配件1金靶材1个2碳绳1根3热蒸发附件1套4进气针阀1个5保险丝2个可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

ETD-80AF型热蒸发镀膜仪把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积与基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。 配有高位定性的飞跃真空泵 ETD-80AF type thermal evaporation coating instrumentA process in which the substrate or workpiece is placed in a vacuum chamber to vaporized and vaporized by heating the coating material and deposited on the surface of the substrate or the workpiece to form a film or coating. Vacuum pump equipped with high quality 配套泵蒸发靶材蒸发电流操作真空样品仓尺寸样品台尺寸工作电压两升飞跃泵碳棒最大电流100A,工作电流0-80A2*10-2mbar直径 170，高120mm样品台尺寸直径150mm220V，50HZ 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

英国真空镀膜公司(Vac Coat)是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者高度认可, 尤其DSR/DST溅射镀膜系列, DCR/DCT热蒸发镀碳系列, 可获得晶粒尺寸很细及无颗粒的高质量均匀薄膜, 十分适用于高分辨率和高质量SEM/TEM/EBSD/EDS样品的制备表征, 已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

Q150R PLUS 系列全自动真空镀膜仪Q150R Plus适用于钨灯丝/LaB6/部分场发射和台式SEM。通过Q150R E＆ES Plus碳绳镀膜可用于元素分析，Q150R S＆ES Plus可用贵金属靶材溅射镀膜。推荐放大倍数：? Au、Au/Pd可达5万倍? Pt（可选）可达10万倍推荐应用：? 中低倍放大倍数观察? 增强二次电子信号（1nm或更小）? 台式SEM镀膜? 元素分析（EDS）? 敷铜层研究Q150R Plus 功能特点：1）全新升级的用户界面：? 电容式触摸屏，灵敏度高，更易触控使用? 用户界面软件全面更新，使用现代智能技术界面? 全面的文字帮助页面? USB接口可轻松进行软件更新和数据备份? log文件格式为.csv，内含日期、时间和工作参数，导出后可在Excel或类似软件中分析? 16GB的闪存可储存超过1000条镀膜方案? 双核ARM处理器，可实现快速响应的显示2）允许多用户输入和储存镀膜方案，并根据近期的使用来排列每个用户的方案。3）智能逻辑系统自动识别插入头，并显示相应的操作设置和控制。4）系统提示用户确认靶材，然后自动为该材料选择合适参数。5）直观方便的软件，即使新手也能快速输入和存储其处理参数，创建自己的镀膜程序，且系统已存储典型的溅射和镀碳程序可供直接调用。6）如果软件检测到在一段时间内无法达到设定真空度，系统会终止程序，以防真空泵过热。7）可互换的插入头：允许用户将系统配置为溅射镀膜仪、蒸镀仪或辉光放电系统 - 所有这些系统都可集成在一个设备中，节省空间。可选碳绳蒸发。可自动检测识别插入头类型。8）可拆卸腔室，设有防爆罩：可拆卸玻璃腔室，易清洁底座和顶板。如需要，用户可快速更换腔室以避免敏感样品交叉污染。高腔室选项可用于碳蒸发，避免样品过热；提高溅射的均匀性和承载较高尺寸的样品。9）多种样品台可选：Q150R Plus具有可满足大多数要求的样品台。所有样品台都是插入式（无螺丝），易于更换。10）安全性：Q150R Plus符合行业CE标准Q150R Plus系列镀膜仪具有三种型号：1）Q150R S Plus全自动溅射镀膜仪，可溅射不氧化金属。可溅射的靶材包括金、金/钯合金和铂。2）Q150R E Plus全自动碳绳蒸镀仪，适合SEM领域的EDS和WDS应用。3）Q150R ES Plus集成了离子溅射和碳蒸镀两种方式的全自动镀膜系统。镀膜头可在数秒内更换。Q150R Plus是Quorum Technologies出品的国际认可的Q系列镀膜仪的一部分，全球数千家客户使用此类镀膜仪。Q系列旨在为SEM、TEM和薄膜应用提供高质量的镀膜解决方案，Q系列功能多样、价格合理且易于使用。Q150R Plus主要操作参数：离子溅射：溅射电流范围宽，至预设厚度（需选用FTM）终止或定时终止。超长的可设溅射时间，无需破真空，自动内置冷却占空比。蒸镀：稳定的无杂波直流电源控制的脉冲蒸发，确保碳绳蒸镀的重复性。脉冲蒸发电流范围宽。可视化状态指示：大而多色的LED指示灯，使用户在一定距离就可轻松识别过程状态。指示灯可显示以下状态：◆ 初始化中 ◆ 程序运行◆ 空闲状态 ◆ 正在镀膜◆ 程序完成 ◆ 故障停机状态程序完成后音频声音提示覃思科技是英国QUORUM仪器中国区代理商和服务商，更多仪器信息请访问 精研覃思，无微不至，欢迎新老客户来电来函咨询选购！

ETD-100AF型高真空热蒸发镀膜仪采用电阻式蒸发原理，利用大电流加热钼舟或钨丝蓝或固定支架上的镀膜材料，使其在高真空下蒸发，沉积在被镀样品上以获得最佳镀膜效果。 适用范围： 电子显微镜样品制备和清洁光栏，以及科研、教学和企业中的实验活动、工艺试验。使用了大抽速、高压缩比、自然风冷却复合分子泵，确保喷镀时能够迅速抽掉蒸发源和样品放出的气体；正常情况下喷镀室内极少有油蒸气回流，非常清洁。 配有高位定性的飞跃真空泵，涡轮分子泵ETD-100AF is a high vacuum thermal evaporation type small film coating machine. By using the principle of resistance evaporation, the coating material on the molybdenum boat or tungsten blue or fixed bracket is heated by high current, so that it is evaporated under high vacuum and deposited on the plated sample to obtain the best coating effect.Scope of application:Sample preparation and cleaning of optical microscope, as well as scientific research, teaching and experimental activities and process tests in enterprises.A compound molecular pump with large pumping speed, high compression ratio and natural wind cooling is used to ensure that the evaporation source and the gas from the sample can be removed quickly when the spray plating is sprayed. 机械泵靶材蒸发电流加热功率样品仓尺寸工作真空极限真空前级为飞跃真空泵，后级为复合分子泵碳、金等最大电流100A,最大电压10V1000W直径230mm，高280mm2*10Pa2*10Pa 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

SD-800C型热蒸发镀膜仪把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积与基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为热蒸发镀膜，热蒸发镀膜技术是历史最悠久的镀膜技术之一。SD-800C型热蒸发镀膜机一般主要用于蒸发碳。使用超纯的碳纤维绳为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。因为碳原子能够直接沉积在样品表面而不发生横向移动，所以碳能够形成小于1nm的颗粒。参数： 仪器尺寸 ： 340mm×390mm×300mm（W×D×H） 真空样品室： 硼硅酸盐玻璃 170mm×130mm（D×H） 蒸发材料: 碳纤维双丝可A\B分别选择 操作真空： 4×10-2mbar 工作电压： 0-30V /AC 蒸碳电流： 0-100A 蒸碳时间： 0-1s 真空泵： 2升两级机械旋转泵(国产飞越VRD-8)特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、真空保护可避免真空过低造成设备短路。3、碳纤维绳更加细腻均匀、快速，更有利于分析材料结构。

小型高真空不锈钢腔体热蒸发镀膜仪CY-EVP180G-HV本仪器是一款高真空紧凑型热蒸发镀膜仪，蒸发温度从200℃到1700℃，采用钨丝篮作为蒸发源，蒸发源外套高纯氧化铝坩埚。上盖装有可旋转的样品台，能够有效提高成膜的均匀度。仪器拥有高精度的温度控制系统，采用循环加热方式，能够稳定蒸发金属及有机物。采用不锈钢高真空腔体设计，配高精度分子泵，能够达到高真空要求，较高的真空度能够有效提升蒸发镀膜的效率及质量小型高真空热蒸发镀膜仪用途： 本仪器适用于蒸发涂覆大多数金属和某些有机材料薄膜。

SD-3000型离子溅射仪外观亮丽做工精致，旋钮式定时器档位清晰，手感舒适； 特殊定制的真空指示和电流指示表头沉稳大； 前面板上的微泄漏气阀门可以连接多种气体； 调节溅射电流大小，成膜速度快，质量好； 高压输出可使成膜更加牢固快速。 功能控制和定时皆由CPU调度，使用范围广。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 配有高位定性的飞跃真空泵。 SD-3000型是一款针对做电极研究和半导体研究的仪器，相对于基础型溅射仪，SD-3000型的镀层和样品之间更贴合，更有附着力，以便后续的研究。需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料参数：?主机规格：340mm×390mm×300mm（W×D×H）?靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）?靶材：Au（标配）?样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）?靶材尺寸：Ф50mm ?真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar?离子电流表： 最大电流：50mA?定时器： 最长时间：1-360s?微型真空气阀：可连接φ3mm软管?可通入气体： 多种?最高电压： -2800 DCV?机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8）特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。3、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。4、真空保护可避免真空过低造成设备短路。5、同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。6、通过通入不同的惰性气体以达到更纯净的涂层。7、涂层牢固，特别适用于非导体材料实验电极制作和半导体材料的研究。

产品详情Nano-master 离子束刻蚀溅射镀膜一体机 NOC-4000 NANO-MASTER 的 NOC 系列光学镀膜系统提供最先进的原子级清洗、抛光以及光学镀膜技术。 光学样片放置于一个腔体种进行原子级清洗和抛光处理，之后自动传送到第二个腔体中进行光学镀膜，这个过程无需间断真空。系统也可以独立使用其中的一个腔体，每一个都可以实现各自的自动上/下载片功能。 紧凑型设计，占地面积仅为 46”x44”，不锈钢立柜。 工艺过程通过触摸屏 PC 和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，含： 。操作者权限：运行程序。 工艺师权限：添加/编辑和删除程序。 工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除 真空系统包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到 5 x10-7Torr。涡轮分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得最佳的真空传导率，基本可以达到 15 分钟可达到工艺真空，8 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。 在第一个腔体中通过离子束可达到原子级的清洗，离子源安装在腔体顶部，离子源配套 2KV，300mA 的电源。样品台配套 4”或 6”基片夹具、水冷，并可对着离子束流实现+900C 到-900C 旋转。系统配套气动遮板，使得工艺运行前稳定离子束流。 根据应用需要可以升级离子源，以支持更大尺寸晶圆片的处理。 第二个腔体可以根据应用需要配套 ALD、PECVD、磁控、电子束蒸镀、热蒸镀等镀膜。 膜厚监控仪校准后可实现原位膜厚测量，可以工艺时间或工艺膜厚为工艺终点条件，系统支持设定目标膜厚，当达到设定的目标膜厚时全自动结束工艺。水冷保护晶振夹具，膜厚和沉积速率以及晶振寿命可显示，可存储高达 100 个膜厚数据。 系统的两个腔体均配套单片的 Auto L/UL，可实现自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock腔体带独立真空系统和真空计，通过 PC 全自动监控。两个腔体之间可以互相传送样片。整个过程计算机全自动控制。 应用：。光学镀膜。 Sputterint 溅射。IBAD 离子束辅助沉积。离子束刻蚀清洗。 离子束辅助反应性刻蚀。 红外镀膜。表面处理 设备特点：。RF 射频偏压样品台。 膜厚原位监测。 极限真空 5 x 10-7Torr。 最佳的真空传导率设计，具有快速真空能力。 PC 全自动控制，超高的精度及可重复性。 高质量薄层。原子级的超净表面。 原子级清洗和抛光。 LabView 软件的 PC 控制系统。 自动上/下载片。 两个腔体可以分别独立使用并实现自动上下载片。 两腔体之间自动传送，双向传送支持。 菜单驱动，密码保护。 安全互锁。 占地面积 46”D x 44”W 系统可选：。 向下/向上溅射。共溅射。DC, RF 以及脉冲电源。离子束辅助沉积。 电子束源。热蒸镀。等离子源。 ALD 沉积或 PECVD 沉积

热蒸发镀膜机 - 极高性价比！型号：EasyDEP产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：热蒸发舟；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；扩散泵，215L/Sec；5/ 薄膜厚度监控：石英振荡传感器实时厚度控制；6/ 厚度精度：0.5%；7/ 热蒸发源：4英寸热蒸发舟，交流电源；