光刻机

硅科智能BMA系列半自动光刻机，是现阶段国内市面有上较高性价比的，一款先进的掩膜光刻系统；采用集成化设计,半自动控制,可靠性高,操作简便,不仅具有掩膜曝光系统灵活性,而且还具有高刻写效率,写场范围大,操作成本低,多种光学校准补偿等特点,从成本、性能上均可以取代传统微纳加工工艺中传统光刻机的功能。BMA光刻机简介：1、光刻机组成：高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件箱等组成。2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐3.半开放系统可配合用户进行定制需求设计开发4.支持2-6寸及碎片5.CCD及显微镜对准系统6.支持文件格式：PNG,GDSII等7.采用现代光刻工艺中应用最为广泛的接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。8.工件台为光刻机的一个关键，由掩模样片整体运动台（XY）、掩模样片相对运动台（XY）、转动台、样片调平机构、样片调焦机构、承片台、掩模夹、抽拉掩模台组成。9.应用领域：微电子,微光电,微流控,传感器,新材料,器件制备等。

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 产地：韩国ECOPIA公司，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

详细咨询来电：双面光刻机+EVG610/620光刻机+接触式光刻对准EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备，可以是半自动也可以配置为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备；既可以用作研发设备，也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升，进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时，大幅提高了产能。EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS、）硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体等，涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。1. 高分辨率的顶部和底部显微镜2. 双面光刻和键合对准工艺3. 自动的微米计控制曝光间距4. 自动契型补偿系统5. 优异的全局光强均匀度6. 快速更换不同规格尺寸的硅片7. 高度自动化系统8. Windows图形化用户界面9. 可选配Nanoalign技术包以达到更高的工艺能力10. 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选11. 光刻工艺模拟软件可选12. 三花篮上料台，可选五花篮台

美国OAI成立至今已有35年历史，在光源制造和测量方面一直处于世界领先领域。OAI光源以工作稳定，出光效率高，高均匀性和散射角小著称。且可提供20inch以上的大面积光源。 OAI光功率计在工业上有广泛应用，包括NIKON，CANON，ASM等知名光刻机制造商均使用OAI光功率计。OAI也生产光刻机，尤其是OAI MODEL 800系列双面曝光机，在世界范围内有着非常广泛的应用。OAI MODEL 800MBA双面对准曝光机曝光模式 接近、软/硬接触、真空接触掩膜尺寸最大9"x9"最大适合200mm晶圆曝光

DMD无掩膜光刻机产品负责人：姓名：郭工(Barry)电话：（微信同号）邮箱：DMD无掩膜光刻机SMART PRINT UV是一种基于DMD投影技术的无掩模光刻设备，可兼容多种电阻和基片。SMART PRINT UV可以生产任何微米分辨率的二维形状，而不需要硬掩模。基于改进后的标准投影技术，投影出具有微米分辨率的图像，无掩膜光刻机SmartPrint无需任何进一步步骤，就能直接从数字掩模光刻出您要的图。无掩膜光刻机SmartPrint主要应用是微流体，生物技术和微电子等领域光刻表面微纳图案。DMD无掩膜光刻机主要特性：兼容i、h、g线光刻胶SmartPrint-UV配备了385 nm LED源，以兼容标准i, h和g线光刻胶，如SU8或AZ1500系列适用于各种各样的基材我们的物镜范围经过精心选择，具有较长的工作距离(高达3厘米)，使SP-UV成为一种非接触式技术，因此兼容非标准基材(非平的，灵活的，厚的)。可调直写范围和分辨率——用户可获得四种不同的直写分辨率 直写分辨率1.5um 兼容任何尺寸的样品，最大5平方英寸 对齐方式直观——反馈相机与第二束590nm准直光源叠加使用DMD无掩膜光刻机体积小，性价比高DMD无掩膜光刻机应用领域：DMD无掩膜光刻机指标参数：

URE-2000系列紫外单面光刻机 .URE-2000/A8紫外光刻机 主要产品技术特征及指标： • 曝光面积：200mmx200mm • 分辨力：2um • 对准精度：2um • 掩模尺寸:5英寸、礫寸、9英寸 • 样片尺寸:碟寸、礫寸、8英寸 • wafer chuc棲面：防止光反射涂层 • 掩模样片整体运动范围:X : 10mm Y:10mm • 掩模相对于样片运动行程:X: 5mm Y: 5mm : 6。； • 汞灯功率：100QW （直流） • 曝光能最密度：2 15mW/cm2 • 光源能■控制:光源恒功率（每日测嵐光强，微调recipe（参考356nm波长）； • 曝光峰值波长365 nm • 曝光方式:定时（倒计时方式0.1s—9999.9s） • 光刻版夹具兼容性 • 具有盲曝粗对准功能.产品型号曝光面积光刻分辨力汞灯功率照明不均匀性URE-2000B lOOmmXIOOmm0.8 pm （胶厚2 pm的正胶）1000W13iE （德国欧司朗）刼础2.5%（＜D100mm 范围）URE-2000/35 lOOmmXIOOmm 翎力:1 pm （胶厚2 pm的正胶）350WM流 （徳国欧司朗）3%（饥00mm范围URE-2000/35A 150mmX150mm 1-1.2 pm （胶厚2卩m的正胶）350W进口颤 高陵国欧司朗）6%（0150mm 范围）URE-2000/30 lOOmmxlOOmm(磔寸）潮力:￡1 pm （瞄 1.5|jm 的 IEK）談麟电源 （35OW1：^CD 3%（＜P100mm 范围）URE-2000/25 lOOmmXIOOmm 彻力:1.2 pm （胶厚2 pm的正胶）赦嶙 电源350W 直流，进口3%（＜P100mm 范围）URE-2000/17（台式）lOOmmXIOOmm 彻力:1.5 pm （胶厚2呻的正胶）200瀕口颤（德国欧司朗）5%（0100mm 范围） URE?2000系列双面光刻机URE-2000S/A8型奴面光刻机 主要产品技术特征及指标: • 采用专利技术一积木错位蝇眼透镜消衍射技术和线条陡直增强技术，曝光图形质量好，光刻分辩力高. • 采用国内首创的CCD囲像底面对准，单曝光头正面曝光实现双面对准功能. • 采用新颖的高精度，多自由度掩模一样片精密对准工件台结梅掩模与样片对准过程直观，套刻对准速度快，精度高样片的采 用推拉茹准平板，真空吸附式,操作方便。 • 采用1000W长寿命型汞灯光源，曝光能量高，聚光角度小，光源稳定，持久。 • 支持真空接触曝光，硬接触曝光，压力接触曝光，接近式曝光四种曝光功能。 • 配备循环水冷却系统，照明面温度恒定。 • 具有纳米压印接口功能. • 曝光面积:8英寸；对准精度：M±2 nm （双面，片厚0.8mm） /0.8皿（单面）. • 掩模尺寸：礫寸、5英寸' 7英寸、9英寸. • 光刻分辨力:1pm. • 曝光方式:定时（倒计时方式0.1S-9999.9S任意设定）和定剂量. • 最大胶厚：500 pm （SU8胶,用户提供检测条件）? • 汞灯功率:1000W （直流，进口直流高压汞灯德国欧司朗）. • 照明不均匀性：5% （ 0200mm范围）. 产品型号曝光面积光刻分辨力汞灯功率照明不均匀性URE-2000S/A 6詞1pmlooovmnw^Hj^r （德国欧司朗）2% （OlOOmm 范围）3% （＜P150mm 范围URE-2000S/B篠寸1pmlooovmnMMj^r （德国欧司朗）2% （（plOOmm 范围）URE-2000S/25A l|jm 350W进口直流高压汞灯 （德国欧司朗） 3% （（PlOOmm 范围）5% （0150 mm范围）URE-2000S/25B 磔寸 1pm 350W进口直流高压汞灯 （德国欧司朗）3% （（PlOOmm 范围）URE-2000S/35L（A）6知 1pm 紫外LED进口灯源 1.5% （（PlOOmm 范围） 3%（0150 mm范围）URE-2000S/35L（B）僥寸1pm紫外LED进口灯源1.5% （0100mm 范围） URE-2000S/25S 4钢6知 1pm 350瀕口直流高压汞灯 （德国瞄朗）3% （0100mm 范围）5% （（P150 mm范围） 投影光刻机 .TYG-2000S系列投影光刻机 主要产品技术特粧及指标： • 软件界面友好、科学、直观.可对当前曝光区域，待曝光区域，曝光参数等信息提供实时的图形化• • 通过选 配背面对准模块,可实现双面对准曝光,将该机型升级为具有双面对准曝光功能步进投影光刻机。 • 配置焦面检 测自动控制系统,焦面位置设定后,曝光过程中自动实时完成焦面调整。 • 采用冷光膜与i线照明系统，曝光波长为365nm ,曝光面为冷光，曝光图形方、陡、直. • 支持真空接触曝光，硬接触曝光，压力接触曝光，接近式曝光四种曝光功能. • 采用夸利技术-积木错位蝇眼透镜实现高均匀照明不均匀优于2%。 • 采用先进的离轴对准系统，对准过程自动完成,对各种不同大小的基片， （含碎片）对准十分适用. • 对准精度：±0.5卩m. • 照明均匀性：2%。 • 曝光面积：3mmx3 mm ~ 50mmx50mm. • 调焦台运动灵敏度：1 jim. • 掩模尺寸：3英寸、4英寸、5英寸. • 调焦台运动行程：5mm. • 光刻分辨力：。.3卩m ~ 5 ym. • 检焦：CCD检测，检测精度0.5 pm. .光源：350施形汞灯， • 汞灯功率：1000W （直流，进口直流高圧汞灯德国欧司朗）. 产品型号曝光面积光刻分辨力汞灯功率照明不均匀性TYG-2000/A 0.8pm - 1pm350W2%TYG-2000/T1 0mm x 10mm1pm350W进口直流高压汞灯 (德国欧司郎)+2%TYG-2000/T2 20mmx20mm 2pm350W进口颤mMT （德国欧司朗）±2%TYG-2OOO/T3 50mm x 50mm5pm350味晰汞灯 （曝光谱线：i线）±2%DS-2000系列无掩模光刻机 产品型号技术特征技术参数DS-2000/14G 型采用DMD作为数字掩模，像素数1024x768或1920x1080或 25601600三种选配.采用缩小投影光刻物镜成像，分辨力 lum0采用专利技术一一积木错位蝇眼透镜实 现均明。采用进口精密光栅、进口电机、进口导 轨、进口丝杠实现精确工件定位和曝光 拼接，可适应lOOmmlOOmm基片。 采用CCD检焦系统实现整场调平、自动 逐场调焦或自动选场调焦曝光。具备对准功能。光源：350W球形汞灯（曝光谱线：i线）或紫 外LED 照明不均匀性：2% 物镜倍率： 7.6倍（或14倍与选择的DMD像素尺寸有 关）；曝光场面积：lmmx0.7mm （或 1.9mmxl.8mm ,或2.5mmxl.6mm ,与选 择的DMD像素数有关）；光刻分辨力： 1 p m 工件台运动范围： X :100mm、 Y : 100mm 工件台运动定位精度：0.5pm 调 焦台运动灵敏度：lpm 对准精度：2卩m 调 焦台运动行程：6mm 检焦：CCD检测，检 测精度2微米；转动台行程：±6。以上；直写速 度：40mm2/min 基片尺寸；外径: 1mm—100mm ,厚度：0.1mm--5mm。DS?2000/14K型采用DMD作为数字掩模，像素数1024x768.采用14倍缩小投影光刻物镜成像。 采用专利技术一一积木错位蝇眼透镜实 现均明。具备对准功能。采用进口精密光栅、进口电机、进口导 轨、进口丝杠实现精确工件定位和曝光 拼接，可适应lOOmmlOOmm基片。 采用CCD检焦系统实现整场调平、自动 逐场调焦或自动选场调焦曝光。光源：350W球形汞灯（曝光谱线：i线）或紫 外LED 照明不均匀性：2% 物镜倍率：14 倍；曝光场面积：lmmx0.75mm 光刻分辨 力：1 pm 工件台运动范围：X : 100mm、 Y :100mm 工件台运动定位精度：0.65卩 m 调焦台运动灵敏度：lum 对准精度：2pm 调焦台运动行程：6mm 检焦：CCD检测,检测精度2微米；转动台行 程：±6°以上；基片尺寸；外径： 1mm—100mm ,厚度：0.1mm--5mm。

国产紫外单/双面光刻机URE-2000/A产品名称：URE-2000/A型紫外光刻机 技术特点： 该机采用i线紫外曝光光源，光学系统采用特殊的消衍射和线条陡直增强技术，采用积木错位蝇眼透镜实 现高均匀照明，并配备了双目双视显微镜和CCD图象对准系统（可同时使用），曝光能量高，聚光角度 小，突具厚胶曝光功能，曝光设定采用微机控制，菜单界面友好，操作简便。主要技术指标： 曝光面积：150mm×150mm 分辨力：0.8～1μm（胶厚1.5μm的正胶） 对准精度：±0.6μm 胶厚范围：~500μm（SU8胶） 掩模尺寸:3inch、4inch、5inch、7inch 样片尺寸：直径Ф15mm-Ф150mm、厚度0.1mm-6mm 照明均匀性：±3.5%Ф100mm)；±5.5%(Ф150mm) 汞灯功率：1000W（直流） 掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm θ: ±6°

Nikon 步进光刻机及几种研发常用试验机型资料I线步进式光刻机 / I-line stepper型号：Nikon NSR-I12技术指标及功能广泛应用于生产线，是6英寸，8英寸等主力I线生产机台，适用于I线光刻胶的曝光，操作简单，曝光精度准，解析力最 高可达0.35UM （350NM）---------------------------------------------------------------------Nikon G-line步进光刻机规格型号：Nikon NSR-1755G7技术指标及功能适用于分辨率不低于0.65μm的大规模集成电路工艺器件量产的G-line步进式光刻机。------------------------------------------------------------------Nikon NSR 1755i7B 6英寸分步重复光刻机 技术指标及功能把掩膜版上的图形按照一定的比例缩小复制到涂布有光刻胶的晶圆上，分区域进行步进式曝光。本机台可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圆高精度投影曝光，曝光精度可达500nm。　　　基本指标1. RESOLUTION：0.5μm　　　 2. LENS DISTORTION：≤0.9μm　　　　　　　3. RETICLE ALIGNMENT ACCURACY：≤0.02μm　　　　　　　4. STEPPING ACCURACY：≤0.08μm　　　　　　　5. OVERLAY ACCURACY：≤0.15μm(X,Y)　　　　　　 6. OPEN FLAME(MAX. EXPOSURE AREA)：17.5×17.5mm---------------------------------------------------------------------步进式投影光刻机分辨率:0.35μm， 套刻精度: 75nm, 十字线对准:5:1 ， 150毫米* 150毫米Resolution：0.35μm, overlay accuracy：75nm Reticle：5:1 150mm*150mm

Nikon NSR 2205i12DNikon NSR 2205i12D步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.4µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域产品详情主要技术指标分辨率0.4µ mN.A.0.63曝光光源365nm倍率5:1最大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：60nmFIA：70nm更多服务提供中英文软件及2"、4"、6"、8"设备硅片改造常年提供所有备件、耗材更多型号设备，欢迎致电或继续浏览我们的网站！Nikon NSR G线光刻机

Nikon NSR 2205i14ENikon NSR 2205i14E步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.35µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线，广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域产品详情主要技术指标分辨率0.35µ mN.A.0.63曝光光源365nm倍率5:1最大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm更多服务提供中英文软件及2"、4"、6"、8"设备硅片改造常年提供所有备件、耗材更多型号设备，欢迎致电或继续浏览我们的网站！Nikon NSR G线光刻机

v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻

ARMS SYSTEM无掩模光刻机/直写光刻机UTA-IA UTA系列是将DLP投影仪盒金相显微镜相结合的缩小投影型无掩模曝光系统，其价格低于传统系统（用于掩模光刻的图案投影曝光系统） 可以使用专门为此目的开发的软件来创建想要的图案。特点：显微镜LED曝光单元UTA系列是不需要掩模的用于光刻的图案投影曝光装置。使用金相显微镜盒LED光源DLP投影仪，将具有机微米分辨率的任意图案投影到涂有抗蚀剂的基板上进行曝光。图案可以在PC上自由创建。因为可以在普通的室内环境中在各种大小盒形状的单晶薄片上形成电极，所以它比电子束光刻便宜且简单，不需要制造昂贵的电极图案掩膜。应用：薄膜FET和霍尔效应测量样品的电极形成。从石墨烯/钼原石中剥离电极形成并评估其特性。研发应用的图案形成。技术参数：由于显微镜和DLP的结合，可以用很低的成本来构建系统易于使用的软件可以轻松的创建曝光图案通过物镜放大倍率图案，可以进行大范围的批量曝光可以连接到您自己的显微镜上（可选）分辨率1um

电子束光刻机（多功能超高精度电子束光刻机P21）依托垄断性专利技术，百及纳米推出国际领先的超高精度大面积写场电子束光刻机 P21 系列。 百及纳米首次开发了新一代电子束光刻机的电子束闭环控制新原理。百及超高精度电子束光刻机 P21 是第一款新一代电子束光刻机的代表，在著名电子束光刻机制造商德国 Raith 公司的成熟机型上 升级而成。该系列主要包括 P21-2，P21-4 和 P21-6 三个型号，区别主要在于样品尺寸（2，4，6 英寸晶圆）及扩展使用功能。P21 不仅完整地保留了原电子束光刻机的整体功能，且集多项国际领先的关 键指标于一身，包括： &bull 国际上首次开发的新颖电子束闭环控制系统，能够实现电子束的原位检测与校正 &bull 国际领先的写场拼接精度≤2 nm &bull 电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的空间漂移，将其位置稳定性提高到≤10 nm/h； 有利于通过提高电子束光刻时间实现大尺寸图形的曝光需求。 百及纳米的 P21 系列以常规电子束光刻机为载体，通过独家专利技术对其进行功能及性能指标的大幅提升。P21 光刻机组件均为德国原装制造，以高品质、高性能满足客户的科研高端需求，实现新 一代超高精度电子束光刻功能。

VIL系列纳米图形系统（激光干涉光刻机）具有快速可重构光束传输、主动图形稳定和精确样品定位等强大功能。该系统可以通过使用标准2cm×2cm正方形或用户定义形状的图案场进行重复曝光，在8英寸大面积上产生各种纳米结构，例如1D光栅线和2D柱/孔图案，周期从240 nm到1500 nm。1、 可实现同一晶圆上不同纳米结构的分区光刻；2、 制作各种一维、二维纳米图案；3、 最小线宽低于50nm；4、 与其他同类设备的功能对比图如下： 电子束直写激光直写紫外光刻机激光干涉光刻机设备示例 代表厂商德国的Raith和Vistec, 日本的JEOL和Elionix海德堡和RaithEulithaInterLitho代表性产品型号RaithEBPG Plus海德堡DWL 66+EulithaPhableR 100VIL1000 主要用途高分辨率掩模版制造和纳米结构的制备对分辨率要求不高的掩模版制造和纳米结构制备分辨率适中的纳米结构制备大面积、低成本、高通量制备高分辨率周期性纳米结构，用于微纳光学、生物芯片等新兴应用 刻写的最小物理线宽10nm~300nm60nm40nm价格和维护成本高中中较低自动化程度全自动全自动部分手动全自动设备效率低低高高需要掩模否否是否特征尺寸调制难度难，样品需要重新刻写难，样品需要重新刻写难，需要重新刻写模板容易，几分钟可实现

在电子通信行业蓬勃发展的大背景下，集成电路产业迎来了以光刻技术为核心技术的爆炸式需求。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。实现光刻工艺的设备一般称之为光刻机，或为曝光机。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。光刻机作为生产大规模集成电路的核心设备，有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机等类型。而这些类型的常规光刻机需要定制价格高昂的光学掩膜版，同时，任何设计上的变动都需要掩膜版重新制造也使得它有着灵活性差的劣势。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但逐行扫描的模式使得曝光效率较低。出于同时追求高精度、高效率、强灵活性、低损耗，在投影式光刻机基础上，无掩膜版紫外光刻机应运而生。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。

TTT-07-UV Litho-ACA Pro无掩膜版紫外光刻机的特征尺寸为0.6 μm（光刻镜头C），高性能无铁芯直线驱动电机保证了套刻精度和高达6英寸画幅的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩膜版设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。【产品亮点】高精度、真紫外曝光光刻图案设计灵活所见即所得的精准套刻超大面积拼接灰度曝光高稳定性，操作便捷【应用示例】微流道芯片微纳结构曝光电输运测试/光电测试器件 二维材料的电极搭建太赫兹/毫米波器件制备光学掩膜版的制作【系统升级选项】激光光源主动隔振平台3D重构观测手套箱内集成【安装需求】温度：20-40℃湿度：RH60% 电源：220V，50Hz

Nikon S206DNikon S206D扫描式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.12µ m主要用于8寸及12寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域产品详情主要技术指标分辨率0.12µ mN.A.0.82曝光光源248nm倍率4:1最大曝光现场25mm*33mm对准精度20nm更多服务提供中英文软件及8"、12"设备硅片改造常年提供所有备件、耗材更多型号设备，欢迎致电或继续浏览我们的网站！Nikon NSR G线光刻机

Nikon NSR G线光刻机Nikon NSR G线步进式光刻机光源波长436nm分辨率优于0.65µ m主要用于2寸、4寸、6寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域产品详情主要技术指标分辨率0.65µ mN.A.0.6曝光光源436nm倍率5:1最大曝光现场15mm*15mm17.5mm*17.5mm对准精度140nm更多服务提供中英文软件及2"、4"、6"设备硅片改造常年提供所有备件、耗材更多型号设备，欢迎致电或继续浏览我们的网站！

利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但由于是逐行扫描，曝光效率较低。托托科技的无掩模版光刻设备基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术，实现了高速、高精度、高灵活性的紫外光刻。

SUSS苏斯/休斯，EVG, OAI等系列光刻机用曝光灯HBO系列SUSS苏斯，EVG, OAI公司生产的半导体和太阳能行业用光刻机，目前得到业界的广泛认同，该系列光刻机曝光系统的曝光灯，主要是由德国欧司朗及日本牛尾公司生产的曝光灯进行配套供应。欧司朗/牛尾曝光灯系列，具备良好的光通量，稳定的光强度以及优质的品质受到业界的青睐。目前供苏斯光刻机配套的相关参数如下：HBO short-arc mercury varour lamps for microlithography适用SUSS苏斯光刻机型的曝光灯灯管型号 寿命（H） 适用SUSS苏斯光刻机型HBO 200W/DC 1000H MJB3, MJB4HBO 350W/S 600H MA4, MA6, MA/BA6,MA8, MA150, MJB3, MJB21,UV300/500HBO 1000W/D 1000H MA150,MA200,MA4,MA6, MA/BA6,MA8HBO 5000W/S 1000H MA300以下是欧司朗曝光灯的技术参数,适用于SUSS苏斯，EVG, OAI等光刻机：

Nikon 步进光刻机及几种研发常用试验机型资料I线步进式光刻机 / I-line stepper型号：Nikon NSR-I12技术指标及功能广泛应用于生产线，是6英寸，8英寸等主力I线生产机台，适用于I线光刻胶的曝光，操作简单，曝光精度准，解析力最高可达0.35UM （350NM）---------------------------------------------------------------------Nikon G-line步进光刻机规格型号：Nikon NSR-1755G7技术指标及功能适用于分辨率不低于0.65μm的大规模集成电路工艺器件量产的G-line步进式光刻机。------------------------------------------------------------------Nikon NSR 1755i7B 6英寸分步重复光刻机 技术指标及功能把掩膜版上的图形按照一定的比例缩小复制到涂布有光刻胶的晶圆上，分区域进行步进式曝光。本机台可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圆高精度投影曝光，曝光精度可达500nm。　　　基本指标1. RESOLUTION：0.5μm　　　 2. LENS DISTORTION：≤0.9μm　　　　　　　3. RETICLE ALIGNMENT ACCURACY：≤0.02μm　　　　　　　4. STEPPING ACCURACY：≤0.08μm　　　　　　　5. OVERLAY ACCURACY：≤0.15μm(X,Y)　　　　　　 6. OPEN FLAME(MAX. EXPOSURE AREA)：17.5×17.5mm---------------------------------------------------------------------步进式投影光刻机分辨率:0.35μm， 套刻精度: 75nm, 十字线对准:5:1 ， 150毫米* 150毫米Resolution：0.35μm, overlay accuracy：75nm Reticle：5:1 150mm*150mmNSR 204NSR 204BNSR 1505 G6E

产品介绍： LSLM-500步进式光刻机是一种用于制造集成电路（IC）的装置，其在微小的硅片表面上可以形成数百万个微观电路元件，是复杂工艺的重要组成部分。 主要用途：步进式光刻可将掩模版图案缩小比例转移到待曝光的基板表面。可广泛应用于中小规模集成电路、 半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。主要规格：可将掩模版图案同比例缩小5倍进行曝光；最小线宽：达500nm；可以配合使用多种型号的正光阻 和负光阻。 可溅镀的材料：金属类Al、Cu、Gr、Co、Fe、Ni、Pt、Ag、Ti、Ta；合金类NiFe、CoFe、CoFeB、NiMn、 FeMn、TbFeCo；氧化物类MgO等。 应用领域：中小规模集成电路；半导体元器件；声表面波器件的研制和生产。产品特点：高精准度； 桌上型、体积小、内建计算机； 可客制化硬件与软件，以符合业界需求， 弹性适用于各种基底与形状。 参数：

产品详情800型光学正面和背面光刻机系统 OAI模型800光刻机是半自动,four-camera、光学正面和背面光刻机。它提供极其精确的(1碌m - 2 m碌)对准精度,旨在大大超过任何红外背后对准器性能的一个非常有竞争力的价格。通用模型800光刻机是理想的用于低产量、研发实验室和大学。模型800光刻机配置了各种各样的的OAI紫外线光源,在权力范围2千瓦。光刻机工具可以容纳基质8英寸广场,以及晶片卡盘定位允许方便装卸。这个划算的光刻机还包括机动背后焦点,电动汽车水准和汽车差距设置。建立在隔振平台,固定器总成担保的固定不变的面具对准精度和可重复性。使用易读的操作简化,PLC触摸屏。培训时间短,操作员可以有效地学习使用光刻机在不到一个小时。 Model 800 Optical Front and Backside Mask Aligner SystemThe OAI Model 800 Mask Aligner is a semi-automated, four-camera, optical front and backside mask Aligner. It delivers ultra-precise (1碌m-2碌m) alignment accuracy and is designed to greatly surpass the performance of any IR backside Aligner at an extremely competitive price. The versatile Model 800 mask Aligner is ideal for use in low volume production, R&D labs, and universities.The Model 800 Mask Aligner is configured with a wide variety of OAI UV light sources that range in power up to 2KW. The mask Aligner tooling can accommodate substrates up to 8-inch square, and the wafer chuck is positioned to allow for easy loading and unloading. This cost-effective mask Aligner also features motorized backside focus, motorized auto leveling and auto gap setting.Built on a vibration isolation platform, the fixed mask holder assembly guarantees alignment accuracy and repeatability. Operation is simplified using the easy-to-read, PLC touch-screen. Training time is short an operator can learn to use the mask Aligner effectively in less than one hour.

ASML 光刻机 1460K

步进式光刻机 LSLM-500产品介绍： LSLM-500步进式光刻机是一种用于制造集成电路（IC）的装置，其在微小的硅片表面上可以形成数百万个微观电路元件，是复杂工艺的重要组成部分。 步进式光刻机 LSLM-500主要用途： 步进式光刻可将掩模版图案缩小比例转移到待曝光的基板表面。可广泛应用于中小规模集成电路、 半导体元器件、声表面波器件的研制和生产。步进式光刻机 LSLM-500主要规格： 可将掩模版图案同比例缩小5倍进行曝光；最小线宽：达500nm；可以配合使用多种型号的正光阻 和负光阻。 可溅镀的材料：金属类Al、Cu、Gr、Co、Fe、Ni、Pt、Ag、Ti、Ta；合金类NiFe、CoFe、CoFeB、NiMn、 FeMn、TbFeCo；氧化物类MgO等。 应用领域：中小规模集成电路；半导体元器件；声表面波器件的研制和生产。产品特点： 高精准度； 桌上型、体积小、内建计算机； 可客制化硬件与软件，以符合业界需求， 弹性适用于各种基底与形状。参数：

μMLA桌面式无掩膜激光直写机 / 光刻机The Table-Top Maskless Aligner适合科研领域的实验室与学术研究所μMLA是新一代桌面式激光直写仪的技术，在科研微结构的应用领域中是一台入门级的工具。μMLA具有灵活性和可定制性，可支持毫米大小范围的样品。主要产业应用有：半导体芯片、微机电、微流体、微光学、传感器、掩膜版以及其它有微纳米结构需求的科研领域。关于我们Stella InternationalStella International携手光刻技术领航者-海德堡仪器公司，共同为客户带来综合应用效能，同时建立紧密的合作伙伴关系。为了服务客户更广泛多元的应用领域，Stella International于2016年在苏州成立海德堡仪器演示中心，以海德堡原厂伙伴技术支援，提供客户技术交流平台以及各式前段打样的基础研究，这些年来已服务许多的国内知名大学，研究院所与企业前期研发单位。总代理 品牌介绍德国海德堡 高精密无掩膜激光直写设备 / 光刻机HEIDELBERG MASKLESS AND LASER LITHOGRAPHY SYSTEM德国海德堡设备(Heidelberg Instruments)，创始于1984年，在激光直写设备的发展和设计上持续地改良、在各种应用上客制化。应用范围包括：微电脑和纳米科技, MEMS, 平面屏幕, BGA, ASICS, TFT, Plasma Displays, Micro Optics, 和其他相关领域。销售横跨欧洲、美国、亚洲等超过700个以上销售据点，用于研发、快速原型制作和工业生产系统，是企业研究和发展的伙伴。

仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

在电子通信行业蓬勃发展的大背景下，集成电路产业迎来了以光刻技术为核心技术的爆炸式需求。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。实现光刻工艺的设备一般称之为光刻机，或为曝光机。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。光刻机作为生产大规模集成电路的核心设备，有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机等类型。而这些类型的常规光刻机需要定制价格高昂的光学掩膜版，同时，任何设计上的变动都需要掩膜版重新制造也使得它有着灵活性差的劣势。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但逐行扫描的模式使得曝光效率较低。出于同时追求高精度、高效率、强灵活性、低损耗，在投影式光刻机基础上，无掩膜版紫外光刻机应运而生。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。TTT-07-UV Litho-Y是一款桌面型无掩膜版紫外光刻机。特征尺寸为1.5 µ m（光刻镜头A），高性能无铁芯直线驱动电机保证了套刻精度和2英寸画幅的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩膜版设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。【产品亮点】桌面型光刻机无掩膜光刻2 英寸加工幅面特征尺寸1.2 μm【应用示例】微流道芯片微纳结构曝光电输运测试/光电测试器件二维材料的电极搭建太赫兹/毫米波器件制备光学掩膜版的制作【系统升级选项】主动隔振平台手套箱内集成【安装要求】温度：20-40℃湿度：RH60%电源：220V，50Hz

EVG620系列单面/双面光刻机 一、 简介 EVG公司成立于1980年，公司总部和制造厂位于奥地利，在美国、日本和台湾设有分公司，并在其他各地设有销售代理及售后服务部，产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商，其丰富的产品系列包括：涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备，可配置为半自动也可以为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备；既可以用作研发设备，也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升，进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时，可以大幅提高产能。 二、应用范围EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、微波器件及微电子机械系统（MEMS）、硅片凸点、化合物半导体等领域，涵盖了微纳电子领域微米或亚微米级线条器件的图形光刻应用。 三、主要特点u 双面对准光刻和键合对准工艺u 自动的微米计控制曝光间距u 自动契型补偿系统u 优异的全局光强均匀度u 免维护单独气浮工作台u 高度自动化系统u 快速更换不同规格尺寸的硅片u 可选配Nanoalign技术包以达到更高的工艺能力u 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选u Windows图形化用户界面u 完善的多用户管理（用户权限、界面语言、菜单和工艺控制）u 光刻工艺模拟软件可选u 三花篮上料台，可选五花篮台 四、技术参数设备咨询电话：欢迎您的来电咨询！

Nikon NSR 2005i8ANikon NSR 2005i8A步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.5µ m主要用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域产品详情主要技术指标分辨率0.5µ mN.A.0.6曝光光源365nm倍率5:1最大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：120nmFIA：130nm更多服务提供中英文软件及2"、4"、6"、8" 设备硅片改造常年提供所有备件、耗材更多型号设备，欢迎致电或继续浏览我们的网站！