波长扫描时式多入射角椭偏仪

ES0S3是针对科研和工业环境中薄膜测量领域推出的波长扫描式高精度多入射角光谱椭偏仪，此系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见、近红外、到远红外。ESS03采用宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量。ESS03系列多入射角光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数（如，膜层厚度、表面微粗糙度等）和光学参数（如，折射率n、消光系数k、复介电常数&epsilon 等），也可用于测量块状材料的光学参数。ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。技术特点：极宽的光谱范围 采用宽光谱光源、宽光谱扫描德系统光学设计，保证了仪器在极宽的光谱范围下都具有高准确度，非常适合于对光谱范围要求极其严格的场合。灵活的测量设置仪器的多个关键参数可根据要求而设定（包括：波长范围、扫描步距、入射角度等），极大地提高了测量的灵活性，可以胜任要求苛刻的样品。原子层量级的检测灵敏度国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级地纳米薄膜，膜厚精度达到0.05nm。非常经济的技术方案 采用较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量，仪器整体成本得到有效降低。 应用领域：ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。ESS03适合很大范围的材料种类，包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测，光谱范围覆盖半导体地临界点，这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围（从次纳米量级到10微米左右）。ESS03可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。薄膜相关应用涉及物理、化学、信息、环保等，典型应用如：半导体：如：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）；平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等；功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等；生物和化学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。节能环保领域：LOW-E玻璃等。ESS03系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。典型应用包括：玻璃新品研发和质量控制等。技术指标：项目技术指标光谱范围ESS03VI：370-1700nmESS03UI：245-1700nm光谱分辨率（nm）可设置入射角度40° -90° 手动调节，步距5，重复性0.02准确度&delta (Psi): 0.02 ° ,&delta (Delta): 0.04° （透射模式测空气时）膜厚测量重复性（1）0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率n测量重复性（1）0.001 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)单次测量时间典型0.6s / Wavelength / Point（取决于测量模式）光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）可测量样品最大尺寸直径200 mm样品方位调整高度调节范围：10mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式（管理员、操作员）&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库选配件自动扫描样品台聚焦透镜 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。可选配件： NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

ES03是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的高精度多入射角光谱椭偏仪，仪器波长范围从紫外到近红外。ES03多入射角光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数（如，厚度）和物理参数（如，折射率n、消光系数k），也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。 ES03系列适合于对样品进行实时和非实时的检测。特点：原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级的纳米薄膜，膜厚精度达到0.05nm。秒级的快速测量 快速椭偏采样方法、高信噪比的信号探测、自动化的测量软件，在保证高精度和准确度的同时，10秒内快速完成一次全光谱椭偏测量。膜厚测量范围大 膜厚范围从次纳米量级到10微米左右。一键式仪器操作对于常规操作，只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程，丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。应用：ES03适合于科研和工业产品环境中的新品研发或质量控制。ES03系列多种光谱范围可满足不同应用场合。比如：ES03V适合于测量电介质材料、无定形半导体、聚合物等的实时和非实时检测。ES03U适合于很大范围的材料种类，包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测，光谱范围覆盖半导体的临界点，这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围（从次纳米量级到10微米左右）。ES03可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。典型应用如：平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等；功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等；生物和化学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等ES03也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。典型应用包括：玻璃新品研发和质量控制等。技术指标：项目技术指标光谱范围ES03V：370-1000nmES03U：245-1000nm光谱分辨率1.5nm单次测量时间典型10s,取决于测量模式准确度&delta (Psi): 0.02 ° ,&delta (Delta): 0.04° （透射模式测空气时）膜厚测量重复性（1）0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率测量重复性（1）1x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)入射角度40° -90° 手动调节，步距5° ，重复性0.02° 光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）样品台尺寸可放置样品尺寸：直径170 mm样品方位调整高度调节范围：0-10mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式（管理员、操作员）&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库选配件自动扫描样品台聚焦透镜 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。

EMPro是针对高端研发和质量控制领域推出的极致型多入射角激光椭偏仪。EMPro可在单入射角度或多入射角度下进行高精度、高准确性测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；亦可用于实时测量快速变化的纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的绝对厚度测量。EMPro采用了量拓科技多项专利技术。特点：原子层量级的极高灵敏度百毫秒量级的快速测量简单方便的仪器操作应用：EMPro适合于高精度要求的科研和工业产品环境中的新品研发或质量控制。EMPro可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。EMPro可应用的纳米薄膜领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。 技术指标： 项目技术指标仪器型号EMPro31激光波长632.8nm (He-Ne Laser)（1）膜层厚度精度0.01nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)（1）折射率精度1x10-4 (对于Si基底上100nm的SiO2膜层)单次测量时间与测量设置相关，典型0.6s结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）激光光束直径1mm入射角度40° -90° 可手动调节，步进5° 样品方位调整Z轴高度调节：± 6.5mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准：光学自准直和显微对准系统样品台尺寸平面样品直径可达&Phi 170mm最大的膜层范围透明薄膜可达4000nm吸收薄膜则与材料性质相关最大外形尺寸887 x 332 x 552mm (入射角为90º 时)仪器重量（净重）25Kg选配件水平XY轴调节平移台真空吸附泵软件ETEM软件：中英文界面可选；l多个预设项目供快捷操作使用；l单角度测量/多角度测量操作和数据拟合；方便的数据显示、编辑和输出丰富的模型和材料数据库支持 注：(1)精度：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。性能保证： 高稳定性的He-Ne激光光源、先进的采样方法以及低噪声探测技术，保证了高稳定性和高准确度高精度的光学自准直系统，保证了快速、高精度的样品方位对准稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用

ESS01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的波长扫描式、高精度自动变入射角度光谱椭偏仪，此系列仪器波长范围覆盖紫外、可见、近红外到远红外。ESS01采用宽光谱光源结合单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量。ESS01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数（如，厚层厚度、表面为粗糙度等）和光学参数（如，折射率n、消光系数k、复介电常数&epsilon 等），也可用于测量块状材料的光学参数。ESS01适合多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。技术特点：极宽的光谱范围 采用宽光谱光源、宽光谱扫描的系统光学设计，保证了仪器在极宽的光谱范围下都具有高准确度，非常适合于对光谱范围要求极其严格的场合。灵活的测量设置仪器的多个关键参数可根据要求而设定（包括：波长范围、扫描步距、入射角度等），极大地提高了测量的灵活性，可以胜任要求苛刻的样品。原子层量级的检测灵敏度国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级地纳米薄膜，膜厚精度达到0.05nm。非常经济的技术方案 采用较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量，仪器整体成本得到有效降低。 应用领域：ESS01系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。ESS01适合很大范围的材料种类，包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测，光谱范围覆盖半导体地临界点，这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围（从次纳米量级到10微米左右）。ESS01可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。薄膜相关应用涉及物理、化学、信息、环保等，典型应用包括：半导体：如：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）；平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等；功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等；生物和化学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。节能环保领域：LOW-E玻璃等。ESS01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。典型应用包括：玻璃新品研发和质量控制等。技术指标：项目技术指标光谱范围ESS01VI：370-1700nmESS01UI：245-1700nm光谱分辨率（nm）可设置入射角度40° -90° 自动调节准确度&delta (Psi): 0.02 ° ,&delta (Delta): 0.04° （透射模式测空气时）膜厚测量重复性（1）0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率n测量重复性（1）0.001(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)单次测量时间典型0.6s / Wavelength / Point（取决于测量模式）光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）可测量样品最大尺寸直径&Phi 200 mm样品方位调整高度调节范围：10mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式（管理员、操作员）&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库选配件自动扫描样品台聚焦透镜 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。

Film Sense FS-1&trade 多波长椭偏仪 型号：Film Sense FS-1&trade Film Sense FS-1&trade 多波长椭偏仪采用寿命长 LED 光源和非移动 式部件椭偏探测器，可在操作简单的紧凑型椭偏仪中实现快速和可 靠地薄膜测量。大多数厚度 0–1000 nm 的透明薄膜只需要简单的 1 秒测量，就 可以获得非常精密和准确的数据。 Film Sense FS-1&trade 多波长椭偏仪采用寿命长 LED 光源和非移动 式部件椭偏探测器，可在操作简单的紧凑型椭偏仪中实现快速和可 靠地薄膜测量。大多数厚度 0–1000 nm 的透明薄膜只需要简单的 1 秒测量，就 可以获得非常精密和准确的数据。还可以测量大多数样品的光学常 数和其他薄膜特性。Film Sense FS-1&trade 多波长椭偏仪 这款功能强大的多波长椭偏仪，售价只是单一波长椭偏仪和光谱椭偏仪的中等水平。FS-1 可应用于研究实验室，超净间，原位工艺腔体以及工业质量控制等诸多领域 主要特点n 4 个 LED 光源：蓝色（465nm），绿色（525nm）， 黄色（580nm），红色（635nm）n 椭偏仪探测器中无可移动部件n 膜厚精密性，大多数样品精密度优于 0.001nm（1 秒获取数据），对于亚单原子薄膜精密度等于0.001nmn 集成计算机，可实现对设备控制和数据分析，自带 浏览器界面，可兼容任何现代计算机，笔记本或平 板电脑 优势n 寿命长（长达 50,000 小时），更换 LED 灯便宜，校准时 间短或无需 PM 程序n 快速测量（10ms 内获得多波长数据）和长期性能稳定n 测量准确，只有椭偏仪可以实现n 软件设置和维护简单标准 FS-1 配置n 65°入射角n 手动放置样品和调节高度n 样品尺寸zui大直径 200mm 和厚度 23mmn 样品偏转范围+/-20n 样品上光束尺寸 5 x 12 mmn 结构紧凑(180 x 400 mm) 和轻巧(4.8 kg)性能FS-1 多波长椭偏仪擅长测量膜厚范围 0-1000nm 的透明单一薄 膜的厚度和折射率。下表列出的是针对各种不同样品，包括多 层膜样品，FS-1 获得的标准测量精密度和准确性数据。 应用领域n 半导体行业：二氧化硅和氮化物，高介电和低介电 材料，非晶和多晶材料，硅薄膜，光刻胶n 光学薄膜行业：高和低指数薄膜，如 SiO2, TiO2, Ta2O5, MgF2 等n 显示屏行业：TCO（如 ITO），非晶硅薄膜，有机薄 膜（OLED 技术）n 数据存储行业：宝石，如碳膜n 工艺研发：原位表征薄膜沉积（速率和光学常数） VS 工艺条件，可兼容 MBE, MOCVD, ALD 和磁控溅射 等设备n 化学和生物：在液体细胞实验中探测亚单原子层材 料吸附n 工业：在线监测和控制膜厚 In Situ 在线测量功能n 亚单原子膜厚精密度n 多工艺条件下测定薄膜光学常数 n&k 和沉积速率，不 会破坏真空n 监测和控制多层膜结构沉积n FS-API 界面，外置软件控制（兼容 LabVIEW&trade ）n 兼容大多数薄膜沉积技术：磁控溅射，ALD，MBE，MOCVD，电子束蒸发等In Situ 在线测量 产品包括 FS-1&trade 多波长椭偏仪，带紧凑自动 mapping 样品 台，可以实现快速，准确和可靠的薄膜均匀性测量。特点和参数n 4 段波长的椭偏数据（465, 525, 580, 635 nm），寿命长 的 LED 光源，探测器内无可移动部件n 可对 0-1000nm 透明薄膜进行准确的厚度测量n 标准浓厚重复性 0.015 nmn 集成聚焦探针，标准光斑尺寸 0.8 x 1.9 mm （其他尺寸 可选）n 电动 Z 轴样品台自动准直n 灵活扫描图案编辑器n 测量参数等值线绘制聚焦光束选件 样品上光束尺寸减小到 0.8 x 1.9 mm 或 0.3 x 0.7 mm 聚焦光束检测聚焦光束检测系统包括一个 FS-1 多波长椭偏仪，带光束聚焦光学器件和一个手动位移台。该系统 非常适合用于手动检测和在图案化半导体晶圆上 进行质量控制测量。 可进行科研测量，带小尺寸光斑和相机成像功能 手动位移台，可容纳 4’，5’，6’晶圆 样品上光束尺寸 0.3 x 0.7 mm 样品上光束位置视频图像 FS-XY150n 标准晶圆 map 时间：60s（150mm 晶圆上取 49 个点）n 结构紧凑：600x600 mm, 16 kgn 样品台行程（X,Y）：150 x 150 mm, 精度：5 μmFS-RT300n 标准晶圆 map 时间：90s（300mm 晶圆上取 49 个点）n 结构紧凑：400x500 mm, 22 kgn 样品台行程：R (线性) ：150 mm, 精度：12 μmn 角度（旋转）360°，精度：0.1°

EM13LD 系列是采用先进的测量技术，针对普通精度需求的研发和质量控制领域推出的多入射角激光椭偏仪。 EM13LD系列采用半导体激光器作为光源，可在单入射角度或多入射角度下对样品进行准确测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；亦可用于实时测量纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的绝对厚度测量。 EM13LD系列采用了量拓科技多项专利技术。特点：次纳米的高灵敏度国际先进的采样方法、稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了能够测量极薄纳米薄膜，膜厚精度可达到0.5nm。3秒的快速测量国际水准的仪器设计，在保证精度和准确度的同时，可在3秒内快速完成一次测量，可对纳米膜层生长过程进行测量。简单方便的仪器操作用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行高级测量设置。应用：EM13LD系列适合于普通精度要求的科研和工业环境中的新品研发或质量控制。EM13LD系列可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。EM13LD可应用的纳米薄膜领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。技术指标: 项目技术指标仪器型号EM13 LD/635 (或其它选定波长)激光波长635 nm (或其它选定波长，高稳定半导体激光器)膜厚测量重复性（1）0.5nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率测量重复性（1）5x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)单次测量时间与测量设置相关，典型3s最大的膜层范围透明薄膜可达1000nm吸收薄膜则与材料性质相关光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）激光光束直径2mm入射角度40° -90° 可手动调节，步进5° 样品方位调整Z轴高度调节：± 6.5mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准：光学自准直和显微对准系统样品台尺寸平面样品直径可达&Phi 170mm最大外形尺寸887 x 332 x 552mm (入射角为90º 时)仪器重量（净重）25Kg选配件水平XY轴调节平移台，真空吸附泵软件(ETEM)* 中英文界面可选* 多个预设项目供快捷操作使用* 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合* 方便的数据显示、编辑和输出* 丰富的模型和材料数据库支持 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。 性能保证:稳定性的半导体激光光源、先进的采样方法，保证了稳定性和准确度 高精度的光学自准直系统，保证了快速、高精度的样品方位对准 稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量 分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量 一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间 一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用 可选配件： NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

EM12是采用先进的测量技术，针对中端精度需求的研发和质量控制领域推出的精致型多入射角激光椭偏仪。 EM12可在单入射角度或多入射角度下对样品进行准确测量。可用于测量单层或多层纳米薄膜样品的膜层厚度、折射率n和消光系数k；也可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；亦可用于实时测量纳米薄膜动态生长中膜层的厚度、折射率n和消光系数k。多入射角度设计实现了纳米薄膜的绝对厚度测量。 EM12采用了量拓科技多项专利技术。特点：次纳米量级的高灵敏度国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了能够测量极薄纳米薄膜，膜厚精度可达到0.2nm。1.6秒的快速测量国际水准的仪器设计，在保证精度和准确度的同时，可在1.6秒内快速完成一次测量，可对纳米膜层生长过程进行测量。简单方便的仪器操作用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出。丰富的模型库、材料库方便用户进行高级测量设置。应用：EM12适合于中端精度要求的科研和工业环境中的新品研发或质量控制。EM12可用于测量单层或多层纳米薄膜层构样品的薄膜厚度、折射率n及消光系数k；可用于同时测量块状材料的折射率n和消光系数k；可用于实时测量快速变化的纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k。EM12可应用的纳米薄膜领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。可应用的块状材料领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。技术指标:项目技术指标仪器型号EM12激光波长632.8nm (He-Ne Laser)膜厚测量重复性（1）0.2nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率测量重复性（1）2x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)单次测量时间与测量设置相关，典型1.6s最大的膜层范围透明薄膜可达4000nm吸收薄膜则与材料性质相关光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）激光光束直径1-2mm入射角度40° -90° 可手动调节，步进5° 样品方位调整Z轴高度调节：± 6.5mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准：光学自准直和显微对准系统样品台尺寸平面样品直径可达&Phi 170mm最大外形尺寸887 x 332 x 552mm (入射角为90º 时)仪器重量（净重）25Kg选配件水平XY轴调节平移台真空吸附泵软件ETEM软件：中英文界面可选；多个预设项目供快捷操作使用；单角度测量/多角度测量操作和数据拟合；方便的数据显示、编辑和输出丰富的模型和材料数据库支持 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。性能保证:稳定性的He-Ne激光光源、先进的采样方法，保证了高稳定性和高准确度高精度的光学自准直系统，保证了快速、高精度的样品方位对准稳定的结构设计、可靠的样品方位对准，结合先进的采样技术，保证了快速、稳定测量分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量一体化集成式的仪器结构设计，使得系统操作简单、整体稳定性提高，并节省空间一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用 可选配件：NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片VP01真空吸附泵VP02真空吸附泵样品池

Film Sense FS-1&trade 多波长椭偏仪采用寿命长 LED 光源和非移动 式部件椭偏探测器，可在操作简单的紧凑型椭偏仪中实现快速和可 靠地薄膜测量。大多数厚度 0–1000 nm 的透明薄膜只需要简单的 1 秒测量，就 可以获得非常精密和准确的数据。还可以测量大多数样品的光学常 数和其他薄膜特性。FS-1 这款功能强大的多波长椭偏仪，售价只是单一波长椭偏仪和光谱椭偏仪的中等水平。FS-1 可应用于研究实验室，超净间，原位工艺腔体以及工业质量控制等诸多领域 主要特点? 4 个 LED 光源：蓝色（465nm），绿色（525nm）， 黄色（580nm），红色（635nm）? 椭偏仪探测器中无可移动部件? 膜厚精密性，大多数样品精密度优于 0.001nm（1 秒获取数据），对于亚单原子薄膜精密度等于0.001nm? 集成计算机，可实现对设备控制和数据分析，自带 浏览器界面，可兼容任何现代计算机，笔记本或平 板电脑优势? 寿命长（长达 50,000 小时），更换 LED 灯便宜，校准时 间短或无需 PM 程序? 快速测量（10ms 内获得多波长数据）和长期性能稳定? 测量准确，只有椭偏仪可以实现? 软件设置和维护简单标准 FS-1 配置? 65°入射角? 手动放置样品和调节高度? 样品尺寸最大直径 200mm 和厚度 23mm? 样品偏转范围+/-20? 样品上光束尺寸 5 x 12 mm? 结构紧凑(180 x 400 mm) 和轻巧(4.8 kg)性能FS-1 多波长椭偏仪擅长测量膜厚范围 0-1000nm 的透明单一薄 膜的厚度和折射率。下表列出的是针对各种不同样品，包括多 层膜样品，FS-1 获得的标准测量精密度和准确性数据。

Film Sense FS-1&trade 多波长椭偏仪采用寿命长 LED 光源和非移动 式部件椭偏探测器，可在操作简单的紧凑型椭偏仪中实现快速和可 靠地薄膜测量。大多数厚度 0–1000 nm 的透明薄膜只需要简单的 1 秒测量，就 可以获得非常精密和准确的数据。还可以测量大多数样品的光学常 数和其他薄膜特性。FS-1 这款功能强大的多波长椭偏仪，售价只是单一波长椭偏仪和光谱椭偏仪的中等水平。FS-1 可应用于研究实验室，超净间，原位工艺腔体以及工业质量控制等诸多领域 主要特点? 4 个 LED 光源：蓝色（465nm），绿色（525nm）， 黄色（580nm），红色（635nm）? 椭偏仪探测器中无可移动部件? 膜厚精密性，大多数样品精密度优于 0.001nm（1 秒获取数据），对于亚单原子薄膜精密度等于0.001nm? 集成计算机，可实现对设备控制和数据分析，自带 浏览器界面，可兼容任何现代计算机，笔记本或平 板电脑优势? 寿命长（长达 50,000 小时），更换 LED 灯便宜，校准时 间短或无需 PM 程序? 快速测量（10ms 内获得多波长数据）和长期性能稳定? 测量准确，只有椭偏仪可以实现? 软件设置和维护简单标准 FS-1 配置? 65°入射角? 手动放置样品和调节高度? 样品尺寸最大直径 200mm 和厚度 23mm? 样品偏转范围+/-20? 样品上光束尺寸 5 x 12 mm? 结构紧凑(180 x 400 mm) 和轻巧(4.8 kg)性能FS-1 多波长椭偏仪擅长测量膜厚范围 0-1000nm 的透明单一薄 膜的厚度和折射率。下表列出的是针对各种不同样品，包括多 层膜样品，FS-1 获得的标准测量精密度和准确性数据。

Film Sense 多波长椭偏仪 FS-1&trade Film Sense FS-1&trade 多波长椭偏仪采用寿命长， LED 光源和非移动 式部件椭偏探测器，可在操作简单的紧凑型椭偏仪中实现快速和可靠地薄膜测量。大多数厚度 0–1000 nm 的透明薄膜只需要简单的 1 秒测量，就可以获得准确的数据。还可以测量大多数样品的光学常数和其他薄膜特性。 Film Sense FS-1&trade 多波长椭偏仪 这款功能强大的多波长椭偏仪，FS-1可应用于研究实验室，超净间，原位工艺腔体以及工业质量控制等诸多领域。主要特点1. 4 个 LED 光源：蓝色（465nm），绿色（525nm）， 黄色（580nm），红色（635nm）。2. 椭偏仪探测器中无可移动部件。3. 大多数样品精密度在于 0.001nm（1 秒获取数据），对于亚单原子薄膜精密度等于0.001nm。4. 集成计算机，可实现对设备控制和数据分析，自带浏览器界面，可兼容任何现代计算机，笔记本或平板电脑。优势1. 寿命长（长达50,000小时），更换 LED 灯便宜，校准时间短或无需PM程序2. 快速测量（10ms 内获得多波长数据）和长期性能稳定3. 测量准确，椭偏仪可以实现4. 软件设置和维护简单标准 FS-1 配置1. 65°入射角2. 手动放置样品和调节高度3. 样品尺寸最大直径200mm 和厚度23mm4. 样品偏转范围+/-205. 样品上光束尺寸 5 x 12 mm6. 结构紧凑(180 x 400 mm) 和轻巧(4.8 kg) 性能 FS-1多波长椭偏仪擅长测量膜厚范围 0-1000nm 的透明单一薄膜的厚度和折射率。下表列出的是针对各种不同样品，包括多层膜样品。应用领域1. 半导体行业：二氧化硅和氮化物，高介电和低介电材料，非晶和多晶材料，硅薄膜，光刻胶。2. 光学薄膜行业：高和低指数薄膜，如 SiO2, TiO2, Ta2O5, MgF2 等。3. 显示屏行业：TCO（如 ITO），非晶硅薄膜，有机薄 膜（OLED 技术）。4. 数据存储行业：宝石，如碳膜。5. 工艺研发：原位表征薄膜沉积（速率和光学常数） VS 工艺条件，可兼容 MBE, MOCVD, ALD 和磁控溅射等设备。6. 化学和生物：在液体细胞实验中探测亚单原子层材料吸附。7. 工业：在线监测和控制膜厚。

多波长椭偏仪（仅需25万！）姓名：李工(William) 电话： 邮箱：AUTFS1椭偏仪是利用椭圆偏振的方法对样品进行光学表征。在该系统中由偏振态发生器（PSG）发射已知偏振态的光斜入射到样品上，然后偏振态检测器（PSD）检测反射光的偏振状态。如下图所示由样品引起的发射光偏振态的变化可以由P偏振光和S偏振光的反射率的比值决定。比值为复数，如下图所示： 其中tan（Y）定义了P偏振光和S偏振光反射率比值的大小，D定义了P偏振光和S偏振光的相位差。由于该方法测量的是一个比值，因此对光的强度的变化，以及样品缺陷造成的散射不敏感，并且在每个波长测量两个参量可获得两个常量例如：薄膜厚度和折射率，此外D对薄膜厚度非常敏感，可以使薄膜厚度测量精度到0埃。上海昊量光电推出的多波长椭偏仪采用长寿命的LED光源，可分别提供465nm、525nm、580nm和635nm四种不同波长，并使用无移动部件的椭圆偏振检测器，紧凑的系统提供快速可靠的薄膜测量。通过1秒的测量可以精确的测量0-1000nm的大多数透明薄膜的厚度。并可以获得n和k等光学常量。相比于单波长椭偏仪，多波长椭偏仪可测定薄膜厚度，对于透明薄膜测量厚度至少可达1μm，不存在厚度周期性问题；可确定样品其它其它参数特性例如薄膜粗糙度、多层膜厚度等；对数据分析提供检测依据，一个良好的分析模型应该适用于不同波长的数据；对于非常薄的薄膜（20nm）多波长椭偏仪提供的数据信息量可以与光谱椭偏仪相媲美。 应用案例：原位测量： AUTFS-1 Mounted on Kurt Lesker ALD Chamber AUT FS-1 Mounted on AJA Sputter Chamber选配件：1、聚焦选项：将样品上的光束缩小至0.8 x 1.9 mm 或0.3 x 0.7 mm2、聚焦束检验选项 3、自动成像系统产品特点： 多波长椭偏检测器中无移动部件优异的测量精度（优于0.001nm）可原位测量

EMPro-PV是针对光伏太阳能电池高端研发和质量控制领域推出的极致型多入射角激光椭偏仪。 EMPro-PV用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面减反膜镀层的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可测量光滑平面材料上的单层或多层纳米薄膜的膜层厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系数k。EMPro-PV融合多项量拓科技专利技术，采用一体化样品台技术，兼容测量单晶和多晶太阳电池样品，并实现二者的轻松转换。一键式多线程操作软件，使得仪器操作简单安全。特点：粗糙绒面纳米薄膜的高灵敏测量先进的光能量增强技术、低噪声的探测器件以及高信噪比的微弱信号处理方法，实现了对粗糙表面散射为主和极低反射率为特征的绒面太阳电池表面镀层的高灵敏检测。原子层量级的极高灵敏度和准确度国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了极高的准确度和稳定性，测量绒面减反膜膜厚精度优于0.03nm，折射率精度优于0.0003。百毫秒量级的快速测量国际水准的仪器设计，在保证极高精度和准确度的同时，可在几百毫秒内快速完成一次测量，可满足快速多点检测和批量检测需求。简单方便安全的仪器操作一键式操作设计，用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出，丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。应用：EMPro-PV适合于光伏领域中高精度要求的工艺研发和生产现场的质量控制。可用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面上单层减反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。典型纳米膜层包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等。应用领域包括晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池等。EMPro-PV也可用于测量光滑平面基底上镀的纳米单层膜或双层膜，包括膜层的厚度，以及在632.8nm下的折射率n和消光系数k。也可用于测量块状材料（包括，液体、金属、半导体、介质等）在632.8nm下的折射率n和消光系数k。应用领域包括半导体、微电子、平板显示等。技术指标：项目技术指标仪器型号EMPro-PV版本号31激光波长632.8nm (He-Ne Laser)膜厚测量重复性（1）0.01nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)0.03nm (对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层)折射率精度（1）1x10-4 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)3x10-4 (对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层)单次测量时间与测量设置相关，典型0.6s结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）激光光束直径1mm入射角度40° -90° 可手动调节，步进5° 样品方位调整一体化样品台轻松变换可测量单晶或多晶样品；可测量156*156mm电池样品上每个点Z轴高度调节：± 6.5mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准：光学自准直显微和望远对准系统样品台尺寸平面样品直径可达&Phi 170mm兼容125*125mm和156*156mm的太阳能电池样品最大的膜层测量范围粗糙表面样品：与绒面物理结构及材料性质相关光滑平面样品：透明薄膜可达4000nm，吸收薄膜与材料性质相关最大外形尺寸(长x宽x高)887 x 332 x 552mm (入射角为90º 时)仪器重量（净重）25Kg选配件水平XY轴调节平移台真空吸附泵软件ETEM软件：l 中英文界面可选l 太阳能电池样品预设项目供快捷操作使用l 单角度测量/多角度测量操作和数据拟合l 方便的数据显示、编辑和输出l 丰富的模型和材料数据库支持 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。性能保证：高稳定性的He-Ne激光光源、先进的采样方法以及低噪声探测技术，保证了高稳定性和高准确度一体化样品台技术，兼容单晶和多晶硅太阳电池样品,轻松变换可实现准确测量高精度的光学自准直显微和望远系统，保证了快速、高精度的样品方位对准新型样品调节技术，有效提高样品定位精度，并节省操作时间新型光电增强技术和独特的噪声处理方法，显著降低生产现场噪声的影响一体化集成式仪器整体设计，保证了系统稳定性，并节省空间分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用

EM12是采用先进的测量技术，针对中端精度需求的光伏太阳能电池研发和质量控制领域推出的精致型多入射角激光椭偏仪。EM12-PV用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面减反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可测量光滑平面材料上的单层或多层纳米薄膜的膜层厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系数k。EM12-PV融合多项量拓科技专利技术，采用一体化样品台技术，兼容测量单晶和多晶太阳电池样品。一键式多线程操作软件，使得仪器操作简单安全。特点：粗糙绒面纳米薄膜的测量先进的光能量增强技术、低噪声的探测器件以及高信噪比的微弱信号处理方法，实现了对粗糙表面散射为主和极低反射率为特征的绒面太阳电池表面纳米镀层的检测。次纳米量级的高灵敏度和准确度国际先进的采样方法、稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了高准确度和稳定性，测量绒面减反膜的厚度精度优于0.2nm。1.6秒的快速测量国际水准的仪器设计，在保证极高精度和准确度的同时，可在1.6秒内快速完成一次测量，可满足快速多点检测和批量检测需求。简单方便安全的仪器操作一键式操作设计，用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出，丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。应用：EM12-PV适合于光伏领域中端精度要求的工艺研发和生产现场的质量控制。EM12-PV可用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面上单层减反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n，典型纳米膜层包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等，应用领域包括晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池等。EM12-PV也可用于测量光滑平面基底上的单层或双层纳米薄膜，包括膜层的厚度，以及在632.8nm下的折射率n和消光系数k。也可用于测量块状材料（包括，液体、金属、半导体、介质等）在632.8nm下的折射率n和消光系数k。应用领域包括半导体、微电子、平板显示等。技术指标：项目技术指标仪器型号EM12-PV激光波长632.8nm (He-Ne Laser)膜厚测量重复性（1）0.2nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)0.2nm (对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层)折射率精度（1）2x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)2x10-3 (对于绒面Si基底上80nm的Si3N4膜层)单次测量时间与测量设置相关，典型1.6s光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）激光光束直径1-2mm入射角度40° -90° 可手动调节，步进5° 样品方位调整一体化样品台轻松变换可测量单晶或多晶样品可测量156*156mm电池样品上每个点Z轴高度调节：± 6.5mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准：光学自准直显微和望远对准系统样品台尺寸平面样品直径可达&Phi 170mm兼容125*125mm和156*156mm的太阳能电池样品最大的膜层厚度范围粗糙表面样品：与绒面物理结构及材料性质相关光滑平面样品：透明薄膜可达4um，吸收薄膜与材料性质相关最大外形尺寸887 x 332 x 552mm (入射角为90º 时)仪器重量（净重）25Kg选配件水平XY轴调节平移台真空吸附泵软件ETEM软件：中英文界面可选太阳能电池样品预设项目供快捷操作使用单角度测量/多角度测量操作和数据拟合方便的数据显示、编辑和输出 丰富的模型和材料数据库支持 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量25次所计算的标准差。性能保证：稳定的He-Ne激光光源、先进的采样方法以及低噪声探测技术，保证了稳定性和准确度一体化样品台技术，兼容单晶和多晶硅太阳电池样品,轻松变换可实现准确测量高精度的光学自准直显微和望远系统，保证了快速、高精度的样品方位对准新型样品调节技术，有效提高样品定位精度，并节省操作时间新型光电增强技术和独特的噪声处理方法，显著降低生产现场噪声的影响一体化集成式仪器整体设计，保证了系统稳定性，并节省空间分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用

低成本高效益的光谱椭偏仪SENproSENpro椭偏仪是椭偏仪应用的智能解决方案。它具有角度计，入射角度步进值5°。操作简单，快速测量和直观的数据分析相结合，以低成本效益高的设计来测量单层和多层膜的厚度和光学常数。 成本效益SENpro是具成本效益的光谱椭偏仪，同时不影响先进测量性能。 可变入射角光谱椭偏仪SENpro包括可变入射角的角度计，40°—90°，步进值5°，用于优化椭偏测量。 步进扫描分析器SENpro具有独特的步进扫描分析器。在数据采集过程中，偏振器和补偿器固定，以提供高的椭偏测量精度。 光谱椭偏仪SENpro具有操作简单，测量速度快，能对不同入射角的椭偏测量数据进行组合分析等特点。光谱范围为370到1050 nm。SENpro的光谱范围与精密的SpectraRay/4软件相结合，可以轻易地确定单层膜和复合层叠膜的厚度和折射率。 具有成本效益的桌面式SENpro包括可见光到近红外椭偏仪光学，5°步进角度计，样品台、激光准直器、光纤耦合稳定光源和探测器单元。SENpro配备了用于系统控制和数据分析的光谱椭偏仪软件SpectraRay/4 ，用于包括建模，拟合和报告输出。即使对于初学者，该程序文件操作都非常容易。SpectraRay/4 支持计算机控制的用于均匀性测量的自动扫描。 SENpro专注于薄膜测量的速度和精度，不管是何种薄膜应用。测量范围从1 nm的极薄层膜到15 μm的厚层膜。 对于各种各样的应用，SpectraRay/4都提供了预定义的配方。

SpecEl-2000-VIS椭偏仪通过测量基底反射的偏振光，进而测量薄膜厚度及材料不同波长处的折射率。波长范围200-900nm。SpecEl通过PC控制来实现折射率，吸光率及膜厚的测量。集成的精确测量系统SpecEl由一个集成的光源，一个光谱仪及两个成70° 的偏光器构成，并配有一个32位操作系统的PC.该椭偏仪可测量0.1nm-5um厚的单膜，分辨率0.1nm，测量时间5-15秒，并且折射率测量可达0.005%。配置说明波长范围:380-780 nm (标准) 或450-900 nm (可选)光学分辨率:4.0 nm FWHM测量精度:厚度0.1 nm 折射率 0.005%入射角:70° 膜厚:单透明膜1-5000 nm光点尺寸:2 mm x 4 mm (标准) 或 200 µ m x 400 µ m (可选)采样时间:3-15s (最小)动态记录:3 seconds机械公差 (height):+/- 1.5 mm, 角度 +/- 1.0° 膜层数:至多32层参考:不用

椭偏仪是一种利用偏振态的变化 后光束探测样品反应技术。不像反射仪，椭偏仪参数（PSI和Del）是在非正常的入射角得到。改变入射角。可以得到更多的数据集，这将有助于精炼模型，减少不确定性和提高用户的数据信心。因此，可变角度椭偏仪比固定角度的椭偏仪系统具有更强大的功能 。目前有两种方法改变入射角，手动或自动模式。Ansgtrom Sun公司设计角度调整模型，通过5度间隔后精确预置槽移动手臂手动调节角度和电动精密测角0.01度分辨率两种模型。此外，测角垂直布局设计，样品可以水平放置，这是更安全的处理样品时。可靠的和足够的原始数据集，更多膜的性能参数，如薄膜或涂层 厚度，光学常数（折射率n，消光系数k指数）、接口、孔隙度甚至成分可以通过建模。在这个意义上，先进的软件是一个必须为高性能光谱椭偏仪（SE）工具。我们开发了TFprobe 3 x版软件的系统设置。仿真，测量，分析，数据管理和2D / 3D图形演示的一体机。 此外，SE200工具覆盖了很宽的波长范围内，从深紫外线（DUV）在可见光到近红外（250～1100nm），标准配置。DUV范围适合衡量超薄膜，如纳米厚度范围。一个例子是在硅晶片上的原生氧化层，这是典型的2nm厚的唯一。深紫外光谱椭偏仪也是必不可少的，用户需要测量多种材料的带隙。客户留言： “I want to thank Dr. Sun and his team at Angstrom Sun Technologies for all of their help with the purchasing of our Spectroscopic Ellipsometer. Dr. Sun and his team took the time to talk with us about our needs and what would best suit them. After we placed the order we experienced an exceptionally quick shipping timeframe (on site two weeks later). Once we received the well packaged ellipsometer, and with the help of one other person we were able to unbox and set up the ellipsometer. Following their well documented instructions, we had the ellipsometer ready to run. Dr. Sun answered our remaining questions and we were able to start taking measurements on our own. After we had worked with the program more, anytime a question would arise, Dr. Sun and his team’s prompt replies kept us working in the right direction into full functionality. Support included helping with the uploading of our own NK table as well as help with the modeling. Thank you Dr. Sun for taking the time to help us better understand Ellipsometry and for putting out an exceptional product”来自美国科罗拉多的 Benjamin SheppardSE系列型号：Spectroscopic Ellipsometer SE200BA-M300Spectroscopic Ellipsometer SE200BA-MSPSpectroscopic Ellipsometer SE200BM-M300Spectroscopic Ellipsometer SE200BM-M450Spectroscopic Ellipsometer SE200BM-SolarSpectroscopic Ellipsometer SE300BM Spectroscopic Ellipsometer SE500BA

激光椭偏仪SE 500adv，结合椭偏反射CER的SE 500adv 椭偏仪SE 500adv将激光椭偏仪和反射仪结合在一个系统中。这种组合允许零度反射法用于快速薄膜分析，并且允许透明膜以激光椭偏仪的亚埃精度将可测量的厚度范围扩展到25埃米，从而明确地确定厚度。高性能、高可靠性，拥有业内最高测量精度。可测量两层膜厚度，或一层膜厚度和折射率。CER模式，可结合反射式膜厚仪和激光椭偏仪，给出测量数据。选件与SE400选件相同 迄今为止最简单易用的椭偏仪 &bull SE 500adv结合椭偏测量和反射测量 &bull 可消除椭偏测量对透明膜厚度的周期不确定性 &bull 膜厚测量范围可扩展至25000 nm. &bull 激光波长632.8 nm &bull 反射计光谱范围450 nm-920 nm &bull 光斑直径80 μm &bull 150 mm (z-tilt)样品台 &bull 角度计，可变入射角度，步进5° &bull LAN连接电脑 　　CER组合椭偏仪SE 500advanced可作为激光椭偏仪，CER组合式椭偏仪或反射膜厚仪FTPadvanced操作。比常规激光椭偏仪有更好的适应性。 作为椭偏仪操作 　　单角度和多角度测量，可测量最多三层膜的厚度和光学参数，测量波长632.8nm，有最高的测量精度。 作为反射式膜厚仪FTPadvanced操作 　　白光正入射测量，可测量透明膜或弱吸收薄膜，厚度最大可达25μm。配置更先进的软件FTPexpert后能够测量多层膜。 作为CER组合椭偏仪操作 　　解决了透明膜的周期不确定性问题，并由于确定的膜厚周期，折射率测量精度显著增加。可测量透明膜的Cauchy系数。 技术指标: Ψ,Δ精度，90°位置透射测量:δ(Ψ)=0.002°, δ(Δ)=0.002°长时稳定性:δ(Ψ)=±0.01°, δ(Δ)=±0.1°膜厚精度:0.1 &angst for 100 nm SiO2 on Si折射率精度:5×10-4 for 100 nm SiO2 on Si精度定义为30次测量的标准差 长时稳定性为90°位置时24小时内测量的差值 选项 &bull 手动x-y样品台，行程50 mm &bull Mapping地貌图扫描 (x-y, 最大200 mm, 真空吸附) &bull 摄像选项，用于样品校准和表面监视 &bull 30 μm微细光斑 &bull 第二激光波长1550 &bull 自动对焦 &bull SIMULATION软件 厚度确定椭偏测量和反射测量的结合允许通过自动识别循环厚度周期来快速且明确地确定透明膜的厚度。 宽的测量范围激光椭偏仪和反射仪的结合将透明薄膜的厚度范围扩展到25μm，更多地取决于光度计的选项。 扩展激光椭偏仪的极限性能优异的多角度手动角度计和角度精度优越的激光椭偏仪允许测量单层薄膜和层叠膜的折射率、消光系数和膜厚。 SE 500adv结合了椭偏仪和反射仪，除了测量透明膜层厚度的模糊性。它把可测量的厚度扩展到25m，因此SE 500adv扩展了标准激光椭偏仪SE 400adv的能力，特别适用于分析较厚的介质膜、有机材料、光阻、硅和多晶硅薄膜。 SE 500adv可作为激光椭偏仪、膜厚探针和CER椭偏仪使用。因此，它提供了标准激光椭偏仪从未达到的大灵活性。作为椭偏仪，可以进行单角度和多角度测量。当用作膜厚探针时，在正常入射下测量透明或弱吸收膜的厚度。 SE 500adv中的椭偏测量和反射测量的组合包括椭圆测量光学部件、角度计、组合反射测量头和自动准直透镜、样品台、氦氖激光光源、激光检测单元和光度计。 SE 500adv的选项支持在微电子、微系统技术、显示技术、光伏、化学等领域的应用。

光谱椭偏仪DUV-VIS-NIR光谱椭偏仪可配置从DUV到NIR的波长范围。DUV范围可用于测量超薄膜，如纳米厚度范围。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常仅为约1至2nm厚。当用户需要测量许多材料的带隙时，深紫外光谱椭偏仪也是必不可少的。可见或近红外范围用于测量相对厚或非常厚的涂层。当然，如果必须确定光学常数，则应将工具的波长范围配置为该范围。其他配置，如波长分辨率，角度范围等，将根据所需的应用进行考虑。 光谱椭偏仪特征：• 基于Window软件，易于操作；• 先进的光学设计，实现zui佳系统性能；• 高功率DUV-VIS-NIR光源，适用于宽带应用；• 基于阵列的探测器系统，确保快速测量；• 用户可以根据需要定义任意数量的图层；• 能够用于实时或在线厚度，折射率监测；• 系统配有全面的光学常数数据库；• 高级TFProbe 3.3.X软件允许用户对每个胶片使用NK表，色散或有效介质近似（EMA）；• 三种不同的用户级别控制：工程师模式，系统服务模式和简易用户模式；• 灵活的工程模式，适用于各种配方设置和光学模型测试；• 强大的一键式按钮解决方案，用于快速和常规测量；• 可按照用户偏好配置测量参数，操作简便；• 系统全自动校准和初始化；• 直接从样品信号获得精确的样品对齐接口，无需外部光学元件；• 精确的高度和倾斜程度调整；• 适用于许多不同类型的不同厚度的基材；• 各种选项，附件可用于特殊配置，如绘图阶段，波长扩展，焦点等；• 2D和3D输出图形以及用户数据管理界面； 光谱椭偏仪应用：• 半导体制造（PR，氧化物，氮化物......）• 液晶显示器（ITO，PR，Cell gap ......）• 法医学，生物学材料• 油墨，矿物学，颜料，调色剂• 制药，医疗器械• 光学涂层，TiO2，SiO2，Ta2O5 ......• 半导体化合物• MEMS / MOEMS中的功能薄膜• 无定形，纳米和硅晶圆• 太阳能电池薄膜，CdTe，CdS，CIGS，AZO，CZTS .... 光谱椭偏仪技术参数： 型号 SE200 (DUV-Vis) SE300 (Vis) SE450 (Vis-Nir) SE500 (DUV-Vis-Nir)探测器类型CCD或CMOS阵列CCD或CMOS阵列CCD或CMOS和InGaAs阵列CCD或CMOS和InGaAs阵列波长范围（nm）190至1100370至1100370-1700190-1700波长点测量波长范围和波长数据点均在用户配方中自定义（数据点仅受分辨率限制）波长分辨率0.01 -3nm0.01 -3nm0.01至3nm0.01至3nm数据采集时间100毫秒到10秒，用户自定义入射角范围20至90度入射角分辨率带手动测角仪的5度预设步骤，用于SExxx-BM配置 程序控制0.001度分辨率，配有自动测角仪，适用于SExxx-BA配置偏光光学旋转偏振器，分析器和/或补偿器的组合光束尺寸准直光束，光束尺寸可在1至5mm范围内调节光圈 可选的聚焦光束模式（可拆卸）可用于减小光斑尺寸光源（D2 + TH）/氙THTH（D2 + TH）/氙其他型号：红外光谱椭偏仪TFProbe IRSE光谱椭偏仪显微分光光度计 SE-MSP光谱椭偏仪 SE-SOLAR太阳能光伏光谱椭偏仪带自动监测 SE200BM，SE300BM和SE500BM显微分光光度计DUV-VIS-NIR MSP100/MSP300/MSP400/MSP450/MSP500

产品简介：SE-Mapping光谱椭偏仪是一款可定制化Mapping绘制化测量光谱椭偏仪，采用行业前沿创新技术，配置全自动Mapping测量模块，通过椭偏参数、 透射/反射率等参数的测量，快速实现薄膜全基片膜厚以及光学参数自定义绘制化测量表征分析。SE-Mapping光谱椭偏仪广泛应用OLED，LED，光伏，集成电路等工业应用中,实现大尺寸全基片膜厚、光学常数以及膜厚分布快速测量与表征。 产品型号SE-Mapping光谱椭偏仪主要特点1、全基片椭偏绘制化测量解决方案2、支持产品设计以及功能模块定制化，一键绘制测量3、配置Mapping模块，全基片自定义多点定位测量能力4、丰富的数据库和几何结构模型库，保证强大数据分析能力5、采用氘灯和卤素灯复合光源，光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm)6、高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置，实现Psi/Delta光谱数据高速采集7、具备全基片自定义多点自动定位测量能力，提供全面膜厚检测分析报告8、数百种材料数据库、多种算法模型库，涵盖了目前绝大部分的光电材料技术参数1、自动化程度：固定角+ mapping2、应用定位：检測型3、基本功能：Psi/Delta、N/C/S、R等光谱4、分析光谱：380-1000nm(可扩至193-2500nm)5、单次测量时间：0.5-5s6、重复性测量精度：0.01nm7、光斑大小：大光斑2-3mm,微光斑200um8、入射角调节方式：固定角9、入射角范围：65°10、找焦方式：手动找焦11、Mapping1程：300x300mm12、支持样件尺寸：最大至300mm可选配件3真空泵4透射吸附组件

产品简介：SE-VE 是一款超高性价比、快速测量光谱椭偏仪，紧凑集成设计，使用简便，可一键快速测量表征各式光学薄膜膜厚以及光学常数等信息。高性价比光学椭偏测量解决方案，紧凑集成化设计，极致用户操作体验，一键快速测量分析，人机交互设计，使用便捷，丰富的数据库和几何结构模型库，保证强大数据分析能力，广泛应用于科研/企业中各种单层到多层薄膜膜厚以及光学常数等快速表征分析。 产品型号SE-VE光谱椭偏仪主要特点1、采用高性能进口复合光源，光谱覆盖可见到近红外范围 (400-800nm)2、高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置，实现Psi/Delta光谱数据高速采集3、数百种材料数据库、多种算法模型库，涵盖了目前绝大部分的光电材料技术参数1、自动化程度：固定角2、应用定位：经济型3、基本功能：Psi/Delta、N/C/S、R等光谱4、分析光谱：400-800nm5、单次测量时间：0.5-5s6、重复性测量精度：0.05nm7、光斑大小：大光斑1-3mm8、入射角调节方式：固定角9、入射角范围：65°10、找焦方式：手动找焦11、Mapping行程：不支持12、支持样件尺寸：最大至160mm可选配件1温控台2真空泵3透射吸附组件

产品简介：SE-L光谱椭偏仪是一款全自动高精度光谱椭偏仪，集众多科技专利技术，采用行业前沿创新技术，配置全自动测量模块。通过椭偏参数、 透射/反射率等参数的测量，快速实现光学参数薄膜和纳米结构的表征分析。SE-L光谱椭偏仪广泛应用于半导体薄膜结构：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件、平板显示、光伏太阳能、功能性涂料、生物和化学工程、块状材料分析等领域。 产品型号SE-L光谱椭偏仪主要特点1、高精度自动测量光学椭偏测量解决方案2、全自动变角、调焦等控制平台，一键快速测量3、软件交互式界面配合辅助向导式设计，易上手、操作便捷4、丰富的数据库和几何结构模型库，保证强大数据分析能力5、采用氘灯和卤素灯复合光源，光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm)6、高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置，实现Psi/Delta光谱数据高速采集7、全自动椭偏测量技术，基于行业领先电机控制技术，全自动调整测量角度，高精度控制样件台，实现样件快速自动对准找焦8、颐光专利技术确保在宽光谱范围内，提供优质稳定的各波段光谱9、数百种材料数据库、多种算法模型库，涵盖了目前绝大部分的光电材料技术参数1、自动化程度：自动变角2、应用定位：自动型3、基本功能：Psi/Delta、N/C/S、R/T等光谱4、分析光谱：380-1000nm(可扩至193-2500nm)5、单次测量时间：0.5-5s6、重复性测量精度：0.01nm7、光斑大小：大光斑2-3mm,微光斑200um8、入射角调节方式：自动变角9、入射角范围：45-90°10、找焦方式：自动找焦11、Mapping行程：支持100x100mm(可选配)12、支持样件尺寸：最大至200mm可选配置波段选择V:380-1000nmUV:245-1000nmXN:210-1650nmDN+:193-2500nm角度选择自动:45-90°其他选择Mapping选择:100×100mm(供参考,按需定制)温控台:室温一600℃(供参考,按需定制)可选配件1温控台2Mapping扩展模块3真空泵4透射吸附组件

产品简介：SE-VM 是一款高精度快速测量光谱椭偏仪。可通过椭偏参数、 透射/反射率等参数的测量，快速实现光学参数薄膜和纳米结构的表征分析，适用于薄膜材料的快速测量表征。支持多角度，微光斑，可视化调平系统等高兼容性灵活配置，多功能模块定制化设计。高精度椭偏测量解决方案；超高精度、快速无损测量；支持多角度、微光斑、可视化调平系统功能模块灵活定制；丰富的数据库和几何结构模型库，保证强大数据分析能力。广泛应用于镀膜工艺控制、tooling校正等测量应用,实现光学薄膜、纳米结构的光学常数和几何特征尺寸快速的表征分析。 产品型号SE-VM光谱椭偏仪主要特点1、采用高性能进口复合光源，光谱覆盖可见到近红外范围 (380-1000nm)2、高精度旋转补偿器调制、PCRSA配置，实现Psi/Delta光谱数据高速采集3、支持系列配置灵活，可根据不同应用场景支持多功能模块化定制4、数百种材料数据库、多种算法模型库，涵盖了目前绝大部分的光电材料技术参数1、自动化程度：手动变角2、应用定位：通用型3、基本功能：Psi/Delta、N/C/S、R/T等光谱4、分析光谱380-1000nm(可扩至210-1650nm)5、单次测量时间：0.5-5s6、重复性測量精度：0.01nm7、光斑大小：大光斑2-3mm,微光斑200μm8、入射角调节方式：手动变角9、入射角范围：55-75°(5°步进),90°10、找焦方式：手动找焦11、Mapping行程：不支持12、支持样件尺寸：最大至180mm可选配件1温控台2Mapping扩展模块3真空泵4透射吸附组件

ES01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的高精度全自动光谱椭偏仪，系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见到红外。ES01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数（如，厚度）和物理参数（如，折射率n、消光系数k），也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。ES01系列光谱椭偏仪适合于对样品进行实时和非实时检测。特点：原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级的纳米薄膜，膜厚精度达到0.05nm。秒级的快速测量 快速椭偏采样方法、高信噪比的信号探测、自动化的测量软件，在保证高精度和准确度的同时，10秒内快速完成一次全光谱椭偏测量。一键式仪器操作 对于常规操作，只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程，丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。应用：ES01系列尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发。ES01系列多种光谱范围可满足不同应用场合。比如：ES01V适合于测量电介质材料、无定形半导体、聚合物等的实时和非实时检测。ES01U适合于很大范围的材料种类，包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测，光谱范围覆盖半导体的临界点，这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围（从次纳米量级到10微米左右）。 ES01系列可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。典型应用如：半导体：如：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）；平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等；功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等；生物和化学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。ES01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。典型应用包括：玻璃新品研发和质量控制等。技术指标：项目技术指标光谱范围ES01V：370-1000nmES01U：245-1000nm光谱分辨率1.5nm单次测量时间典型10s,取决于测量模式准确度&delta (Psi): 0.02 ° ,&delta (Delta): 0.04° （透射模式测空气时）膜厚测量重复性（1）0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率精度（1）1x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)入射角度40° -90° 自动调节，重复性0.02° 光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）样品台尺寸可放置样品尺寸：直径170 mm样品方位调整高度调节范围：0-10mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式（管理员、操作员）&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库选配件自动扫描样品台聚焦透镜注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。可选配件： NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

激光椭偏仪 SE 400adv激光椭偏仪SE 400adv测量透明薄膜的厚度和折射率指数，具有测量速度、亚埃级别的厚度精度和折射率测定的精度。多角度测量允许使用激光椭偏仪SE 400adv表征吸收膜特征。 亚埃精度稳定的氦氖激光器保证了0.1埃精度的超薄单层薄膜厚度测量。 扩展激光椭偏仪的极限性能优异的多角度手动角度计和角度精度优越的激光椭偏仪允许测量单层薄膜和层叠膜的折射率、消光系数和膜厚。 高速测量我们的激光椭偏仪SE 400adv的高速测量速度使得用户可以监控单层薄膜的生长和终点检测，或者做样品均匀性的自动扫描。 激光椭偏仪SE 400adv可用于从可选择的、应用特定的入射角度表征单层薄膜和基片。自动准直透镜确保在大多数平坦反射表面的吸收或透明衬底上进行精确测量。多角度测量的完全集成支持(40°—90°,5°步进)，可用于确定层叠的厚度、折射率和消光系数。为了补偿激光椭偏测量中厚度测量的模糊性，在厚度测量中也采用了多角度测量。 SENTECH激光椭偏仪SE 400adv，用于超薄单层薄膜的厚度测量。小型台式仪器由椭偏仪光学部件、角度计、样品台、自动准直透镜、氦氖激光光源和检测单元组成。我们的激光椭偏仪SE 400adv的选项支持在微电子、光伏、数据存储、显示技术、生命科学、金属加工等领域的应用。

膜厚测试仪椭偏仪应力双折射仪，能够快速、精准测量双折射相位差及其空间分布和方向。广泛应用于玻璃、晶体、聚合物薄膜、镜片、晶片等质量分析和控制领域。 日本Photonic-lattice公司成立于1996年，以日本东北大学的光子晶体的研究技术为核心，成立的合资公司，尤其是其光子晶体制造技术领先世界，并由此开发出的测量仪器。根据应用不同，我们特别开发出5款不同的的膜厚测试仪/椭偏仪，每一款产品各具不同的特点。PHL紧凑型桌面式椭偏仪 SE-101型号SE-101重复性厚度0.1nm,折射率0.001测量速度0.05秒/测量点光源636nm 半导体激光器测量点1mm入射角70度测量尺寸4英寸,仪器尺寸和重量250x175x218.3mm/4kg数据接口千兆以太网（摄像机信号），RS-232C功率AC100-240V（50/60Hz）软件SE-View凑型桌面式椭偏仪 SE-102型号SE-102重复性厚度0.1nm,折射率0.001测量速度0.05秒/测量点光源636nm 半导体激光器测量点1mm入射角70度测量尺寸4英寸,1轴自动，2轴手动仪器尺寸和重量300x235x218.3mm/4kg数据接口千兆以太网（摄像机信号），RS-232C功率AC100-240V（50/60Hz）软件SE-View快速映射椭偏仪 ME-110型号ME-110重复性厚度0.1nm,折射率0.001测量速度每分钟1000个点以上光源636nm 半导体激光器测量点0.5mm入射角70度测量尺寸6英寸仪器尺寸和重量650x650x1740mm/120kg数据接口千兆以太网（摄像机信号），RS-232C功率AC100-240V（50/60Hz）软件SE-View型号ME-110重复性厚度0.1nm,折射率0.001测量速度每分钟1000个点以上光源636nm 半导体激光器测量点0.0055-0.5mm入射角70度测量尺寸6英寸仪器尺寸和重量650x650x1740mm/120kg数据接口千兆以太网（摄像机信号），RS-232C功率AC100-240V（50/60Hz）软件SE-View允许厚度分布的测量，例如，透明电极膜和取向膜与基底玻璃的透明基板型号ME-110-T重复性厚度0.1nm,折射率0.001测量速度每分钟1000个点以上光源636nm 半导体激光器测量点0.5mm入射角70度测量尺寸6英寸仪器尺寸和重量650x650x1740mm/120kg数据接口千兆以太网（摄像机信号），RS-232C功率AC100-240V（50/60Hz）软件SE-View高速，高解析度的表面分布测量

产品型号SE-i 光谱椭偏仪技术参数1、自动化程度：固定变角2、应用定位：原位定制型3、基本功能：Psi/Delta、N/C/S等光谱4、分析光谱：380-1000nm，支持按需定制化5、单次测量时间：0.5-5s6、重复性测量精度：0.01nm7、入射角范围：65°（支持定制）

产品简介INSTEC HCP421V-ELP 椭偏仪冷热台专为椭圆偏振仪设计，其专用上盖支持70°的出入射角度，台体温度范围 -190℃ ~ 400℃，同时允许光学观察和样品气体环境控制。上盖与底壳构成一个真空腔，也可往内充入氮气等保护气体，来防止样品在负温下结霜，或高温下氧化。功能特点INSTEC HCP421V-ELP 椭偏仪冷热台椭偏仪专用冷热台，70°出入射角，-190℃~400℃ 可编程控温（负温需配液氮制冷系统），26 mm加热区，可充入保护气体的真空腔，可从温控器或电脑软件控制，可提供软件SDK。温控参数&bull 温度范围：-190℃ ~ 400℃（负温需配液氮制冷系统）&bull 加热块材质：银&bull 传感器/温控方式：100Ω铂RTD / PID控制&bull 最大加热/制冷速度：30℃/min&bull 最小加热/制冷速度：±0.01℃/min&bull 温度分辨率：0.01℃&bull 温度稳定性：±0.05℃（25℃）±0.1℃（25℃）&bull 软件功能：可设温控速率，可设温控程序，可记录温控曲线光学参数&bull 适用光路：斜反射光路&bull 窗片：可拆卸与更替的窗片&bull 最小物镜工作距离：5 mm&bull 入射角度/出射角度：70.0° / 70.0°&bull 负温下窗片除霜：吹气除霜管路结构参数&bull 加热区/样品区：26 mm&bull 样品腔高：4.3 mm&bull 放样：水平抽出上盖后置入样品&bull 气氛控制：气密腔/真空腔，可充入保护气体

AutoSE-一键式全自动快速椭偏仪全自动化&高集成度&可视化光斑操作简单，测试快速，为一般操作工人设计一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE——新型的全自动薄膜测量分析工具。采用工业化设计，操作简单，可在几秒钟内完成全自动测量和分析，并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制理想的解决方案。主要特点1. 液晶调制技术，无机械转动部件，重复性，信噪比高2. 技术成像系技术，所有样品均可成像，对于透明样品,自动去除样品的背反射信号,使得数据分析更简单.3. 反射式微光斑，覆盖全谱段，利于非均匀样品图案化样品测试4. 全自动集成度高，安装维护简便5. 一键式操作软件，快速简单6. 自动MAPPING扫描，分析样品镀膜均匀性 技术参数1. 光谱范围：450-1000 nm2. 多种微光斑自动选择3. 光斑可视技术，可观测任何样品表面4. 自动样品台尺寸：200mmX200mm；XYZ方向自动调节 Z轴高度35mm5. 70度角入射6. CCD探测器

SpectraRay/4:光谱椭偏测量/分析软件SENDURO全自动光谱椭偏仪包括基于测量处方的仅在几秒钟内即可完成的快速数据分析。椭圆仪的设计是为了便于操作：放置样品，自动样品对准，自动测量和分析结果。在全自动模式下使用光谱椭偏仪非常适合于质量控制和研发中的常规应用。 建模测量参数可以模拟作为波长、光子能量、倒数厘米、入射角、时间、温度、薄膜厚度测量和其他参数的函数 自动扫描我们光谱椭偏仪的自动扫描的选项具有预定义或用户定义的模式、广泛的统计以及数据的图形显示，如2D颜色、灰度、轮廓、+/-偏离平均值和3D绘图。 交互模式：设定测量参数并开始薄膜厚度测量通过从材料库或从已有的散射模型中拖放来构建模型定义和改变参数以将计算的光谱与实测光谱拟合交互式改进以实现模型通过从预定义或定制的模板中进行选择，将结果作为word文档报告输出将所有实验数据、协议和记录保存在同一个实验文件中 配方模式：SpectraRay/4配方模式的优点是两步操作选择和从材料库执行预定义的配方。该配方包括厚度测量参数、模型、拟合参数和报告模板。 SpectraRay/4，SENTECH专利所有的光谱椭偏测量软件，包括数据采集、建模、拟合和椭偏测量、反射和传输数据的扩展报告。它支持可变角度、多实验和组合光度测量。SpectraRay/4包括基于SENTECH厚度测量和文献数据的庞大的材料数据库。大量的散射模型允许对几乎任何类型的材料建模。 SpectraRay/4提供了用户友好的面向工作流的接口来操作SENTECH光谱椭偏测量工具以及建模、拟合和表示椭偏测量数据的综合工具集。用户界面结合了面向操作人员的配方模式以及用于交互式测量和建模的高级模式。 SpectraRay/4具有单轴和双轴各向异性材料测量、薄膜厚度测量和层测量的功能。该软件可处理样品效应，如去极化，非均匀性，散射(米勒矩阵)，以及背面反射。 SpectraRay/4包括用于数据导入和导出(包括ASCII)、文件管理、光谱的算术操作、显示、打印和报告输出(Word文件格式*.doc)的通用光谱椭偏测量软件包的所有实用程序。脚本程序使得它非常灵活，适用于自动化日常测量，为苛刻的应用所研发，并可控制第三方硬件，如传感器，加热台，样品电池或低温恒温器。

仪器简介：典型应用： Assessment of two dimensional morphologiesMicrocontact printingInvestigation of two dimentional surface pattern全自动扫描。 表面等离子共振（SPR） 测量时间在亚毫秒量级，可以灵敏地测量亚单分子层的厚度，光学常数，质量分布，是用来研究快速反应动力学的理想工具，它已成为生物传感领域的一种标准技术。 SPR实验简单，功能强大。 软件通过四种模块来实现功能： 1 角-角反射率扫描 2 动力学模块的快速角跟踪 3 反射率跟踪 4 数据处理 我们可以为用户提供SPR传感片。 波导模法 适合各向异性的介质薄膜的测量，它更适合用来描述厚度超过500 nm的薄膜，凭借它的高精度，其他技术还没办法与之竞争。对特定偏振态的测量要选择相应的折射率，再进行数据处理，这是与椭偏法最主要的不同，而且所有的折射率分量都要同时考虑。 布鲁斯特角显微镜法 清晰呈现分子方位，倾斜度，旋转度，典型的测量区域是20-200μm,反射率系数为10-6时就可以清晰成像。它比荧光显微镜方法更有优势，因为不需要作荧光标记，这样就会避免一些不必要的影响。 接触角法 可以获得关于表面成分的重要信息。在固相衬底上的液滴形状由表面张力和地球重力决定，通过分析三相线可以获得接触角。 软件可以自动区分液滴或平面，这与很多商用的程序不同，这就避免了繁杂的输入，使测量快速，精确，友好。技术参数：将多种表面测量方法组合在一起.包括:椭偏仪表面等离子体共振光谱分析仪波导模分析仪反射计分析仪布鲁斯特角显微镜分析仪表面等离子体共振显微成像光谱分析仪成像椭偏仪接触角分析仪主要特点：功能强大。多才多艺椭偏法： 可以获得： 精度在0.1nm的薄层厚度 衬底的光学常数 分子取向 表面质量分布 表面结构形态 快速获取数据功能使观测诸如腐蚀、吸附等过程成为可能，测量不具有破坏性，适合多种样品的测量，即使液－液界面也可以实现。 椭偏仪的应用十分广泛： Assessment of scaling lawsIon distributionPhotochemistyAdsorption isothermsCorrosionCharacterization of thin filmsGlass transition in confined geometriesDetermination of optical constantsSwelling experiment配用不同的测量模块,可以进行 多区域测量 椭偏反射扫描 动力学模块（可记录温度，表面张力，湿度，PH值） 所有的重要参数都可以在线控制，软件非常人性化，因为它是由在自身科研领域就用到椭偏仪的科学家设计的。 成像椭偏法 横向解析度为2μm, 纵向解析度为0.1nm,可以清晰呈现单分子层结构。