波长扫描时式多入射角椭偏仪

椭偏仪概述椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量设备。由于并不与样品接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量设备。椭偏仪可测的材料包括：半导体、电介质、聚合物、有机物、金属、多层膜物质。椭偏仪涉及领域有：半导体、通讯、数据存储、光学镀膜、平板显示器、科研、生物、医药等。椭偏法测量优点(1)能测量很薄的膜(1nm)，且精度很高，比干涉法高1~2个数量级。(2)是一种无损测量，不必特别制备样品，也不损坏样品，比其他精密方法如称重法、定量化学分析法简便。(3)可同时测量膜的厚度、折射率以及吸收率。因此可以作为分析工具使用。(4)对一些表面结构、表面过程和表面反应相当敏感，是研究表面物理的一种方法。在半导体制造领域，为了监测硅片表面薄膜生长/蚀刻的工艺，需要对其尺寸进行量测。一般量测的对象分为两种：3D结构与1D结构。3D结构是最接近于真实Device的结构，其量测出来的结果与电性关联度最大。3D结构量测的精度一般是纳米级别的。1D结构就是几层，几十层甚至上百层薄膜的堆叠，主要是用来给研发前期调整工艺稳定性保驾护航的，其测量精度一般是埃数量级的。就逻辑芯片来说，最重要的量测对象是HKMG这些站点各层薄膜的量测。因为这些站点每层薄膜的厚度往往只有几个到十几个埃，而process window更极限，往往只有1-1.5个埃，也就是说对工艺要求极高。而这些金属层又跟电性关联度很大，所以每一家fab都对这些站点的量测非常重视。如何验证这些精度呢？在fab里，一般会撒一组DOE wafer: Baseline wafer，以及Baseline +/-几埃的wafer，然后每片wafer上切中心与边缘的两个点。zai采用TEM或XPS结果作为参考值，与椭偏仪量测结果拉线性，比如R-Square达到0.9以上就算合格。最能精确验证椭偏仪精度的是沉积那些薄膜的机台，比如应用材料等公司的机台，通过调节cycle数可以沉积出不同厚度的薄膜，其名义值往往与椭偏仪的量测值有极其高的线性（比如R-Square在0.95以上)。但为啥不用这些机台的名义值作为参考值啊？因为这些机台本身也是以光学椭偏仪量测出来的值来调整自身工艺的，当然需要一个第三方公证，也就是TEM或XPS。光学椭偏仪的原理上世纪七十年代就有了，已经非常成熟。光学椭偏仪的量测并不是像TEM一样直接观察，而是通过收集光信号再通过物理建模(调节材料本身的光学色散参数与薄膜3D结构参数)来反向拟合出来的。真正决定量测精度的是硬件水平，软件算法，以及物理建模调参时的经验。硬件水平决定信号的强弱，也就是信噪比。软件算法决定在物理建模调参时的速度。因为物理建模调参是一个最花费时间的过程: 需要人为判断计算是过拟合还是欠拟合，需要人为判断算出来的3D结构是否符合制程工艺，需要人为判断材料的光学色散参数是否符合物理逻辑。仪器原理椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。椭圆偏光法涉及椭圆偏振光在材料表面的反射。为表征反射光的特性，可分成两个分量：P和S偏振态，P分量是指平行于入射面的线性偏振光，S分量是指垂直于入射面的线性偏振光。菲涅耳反射系数r描述了在一个界面入射光线的反射。P和S偏振态分量各自的菲涅耳反射系数r是各自的反射波振幅与入射波振幅的比值。大多情况下会有多个界面，回到最初入射媒介的光经过了多次反射和透射。总的反射系数Rp和Rs，由每个界面的菲涅耳反射系数决定。Rp和Rs定义为最终的反射波振幅与入射波振幅的比值。椭偏法这种非接触式、非破坏性的薄膜厚度、光学特性检测技术测量的是电磁光波斜射入表面或两种介质的界面时偏振态的变化。椭偏法只测量电磁光波的电场分量来确定偏振态，因为光与材料相互作用时，电场对电子的作用远远大于磁场的作用。折射率和消光系数是表征材料光学特性的物理量，折射率是真空中的光速与材料中光的传播速度的比值N=C/V；消光系数表征材料对光的吸收，对于透明的介电材料如二氧化硅，光完全不吸收，消光系数为0。N和K都是波长的函数，但与入射角度无关。椭偏法通过测量偏振态的变化，结合一系列的方程和材料薄膜模型，可以计算出薄膜的厚度T、折射率N和吸收率（消光系数）K。市场规模据GIR (Global Info Research)调研，按收入计，2021年全球椭圆偏振仪收入大约40百万美元，预计2028年达到51百万美元，亚太地区将扮演更重要角色，除中美欧之外，日本、韩国、印度和东南亚地区，依然是不可忽视的重要市场。目前椭偏仪被广泛应用到OLED 、集成电路、太阳能光伏、化学等领域。有专家认为，随着国内平板显示、光伏等产业爆发，国内椭偏仪将形成30亿元到50亿元大市场。据专家估计，全球显示面板制造，约有六七成在我国生产。光谱椭圆偏振仪和激光椭圆偏振仪根据不同产品类型，椭圆偏振仪细分为: 光谱椭圆偏振仪和激光椭圆偏振仪。激光椭偏仪采用极窄带宽的激光器作为光源，在单波长下对纳米薄膜样品进行表面和界面的表征。激光椭偏仪作为常规的纳米薄膜测量工具,与光谱椭偏仪相比，具有如下特点：1.对材料的光学常数的测量更精确：这是由激光的窄带单色性质决定的，激光带宽通常远小于1nm，因此能够更准确地获得激光波长下的材料的材料参数。2.可对动态过程进行快速测量：激光良好的方向性使得其强度非常高，因此非常适合对动态过程的实时测量。但激光椭偏仪对多层膜分析能力不足，不如光谱型椭偏仪。椭偏仪的发展进程1887年，Drude第一次提出椭偏理论，并建立了第一套实验装置，成功地测量了18种金属的光学常数。1945年，Rothen第一次提出了“Ellipsometer”(椭偏仪)一词。之后，椭偏 仪有了长足发展，已被广泛应用于薄膜测量领域。根据工作原理, 椭偏仪主要分为消光式和光度式两类。在普通椭偏仪的基础上，又发展了椭偏光谱仪、红外椭偏光谱仪、成像椭偏仪和广义椭偏仪。典型的消光式椭偏仪包括光源、起偏器、补偿器、检偏器和探测器。消光式椭偏仪通过旋转起偏器和检偏器，找出起偏器、补偿器和检偏器的一组方位角(P、C、A), 使入射到探测器上的光强最小。由这组消光角得出椭偏参量Y和D。在椭偏仪的发展初期，作为唯一的光探测器，人眼只能探测到信号光的存在或消失，因而早期椭偏仪的类型都是消光式。消光式椭偏仪的测量精度主要取决于偏振器件的定位精度，系统误差因素较少, 但测量时需读取或计算偏振器件的方位角，影响了测量速度。所以消光式椭偏仪主要适用于对测量速度没有太高要求的场合，例如高校实验室。而在工业应用上主要使用的是光度式椭偏仪。光度椭偏仪对探测器接收到的光强进行傅里叶分析, 再从傅里叶系数推导得出椭偏参量。光度式椭偏仪主要分为旋转偏振器件型椭偏仪和相位调制型椭偏仪。其中旋转偏振器件型椭偏仪包括旋转起偏器型椭偏仪、旋转补偿器型椭偏仪和旋转检偏器型椭偏仪。光度式椭偏仪不需测量偏振器件的方位角，便可直接对探测器接收的光强信号进行傅里叶分析，所以测量速度比消光式椭偏仪快，特别适用于在线检测和实时测量等工业应用领域。对于多层薄膜，一组椭偏参量不足以确定各层膜的光学常数和厚度, 而且材料的光学常数是入射光波长的函数, 为了精确测定光学常数随入射波长的变化关系, 得到多组椭偏参量, 椭偏仪从单波长测量向多波长的光谱测量发展。1975 年，Aspnes 等首次报道了以RAE为基本结构的光谱椭偏仪。它利用光栅单色仪产生可变波长，从而在较宽的光谱范围(近红外到近紫外)内可以测量高达 1000 组椭偏参量，膜厚测量精度可以达到0.001 nm，数据采集和处理时间仅为7s。1984年，Muller 等研制了基于法拉第盒自补偿技术的光谱椭偏仪。这种椭偏仪采集400组椭偏参量仅用时 3s。为了进一步缩短系统的数据采集时间，1990年Kim 等研制了旋转起偏器类型的光谱椭偏仪，探测系统用棱镜分光计结合光学多波段分析仪(OMA) 代替常用的光电倍增管，在整个光谱范围内获取 128 组椭偏参数的时间为 40ms。紫外波段到可见波段消光系数较大或厚度在几个微米以上的薄膜，其厚度和光学常数的测量需使用红外椭偏光谱仪。红外椭偏光谱仪已经成为半导体行业异质结构多层膜相关参量测量的标准仪器。早期的红外椭偏光谱仪是在 RAE、RPE 或 PME 的基础上结合光栅单色仪构成的。常规的红外光源的强度较低，降低了红外椭偏仪的灵敏度。F. Ferrieu 将傅里叶变换光谱仪(FT) 引入到 RAE，使用常规的红外光源，其椭偏光谱可以从偏振器不同方位角连续记录的傅里叶变换光谱得到，从而能够对材料进行精确测量，提高了系统的灵敏度。其缺点是不能实现快速测量。由于集成电路的特征尺寸越来越小，一般椭偏仪的光斑尺寸较大(光斑直径约为 1 mm)，为了提高椭偏仪的空间分辨率，Beaglehole将传统椭偏仪和成像系统相结合，研制了成像椭偏仪。普通椭偏仪测量的薄膜厚度是探测光在样品表面上整个光斑内的平均厚度，而成像椭偏仪则是利用 CCD 采集的椭偏图像得到样品表面的三维形貌及薄膜的厚度分布，从而能够提供样品的细节信息。成像椭偏仪的 CCD 成像单元，将样品表面被照射区域拍摄下来，一路信号输出到视频监视器显示，一路信号输入计算机进行数据处理。CCD 成像单元较慢的响应速度限制了成像椭偏仪在实时监测方面的应用。为了克服这一限制，Chien - Yuan Han 等利用频闪照明技术代替传统照明方式，成功研制了快速成像椭偏仪。与传统椭偏仪相比，由于 CCD 器件干扰了样品反射光的偏振态，且有很强的本底信号，成像椭偏仪的系统误差因素增多，使用前必须仔细校准。探测光与样品相互作用时，若样品是各向同性的，探测光的p分量和s分量各自进行反射，若各向异性，则探测光与样品相互作用后还将会发生光的 p 分量和 s分量的相互转化。标准椭偏仪只考虑探测光的 p 分量和 s 分量各自的反射情况，所以只能用于测量各向同性样品的参量，对于各向异性的样品，需使用广义椭偏仪。国内椭偏技术的研究始于20世纪70年代。70年代中期，我国第一台单波长消光椭偏仪TP-75 型由中山大学莫党教授等设计并制造。1982年，旋转检偏器式波长扫描光度型椭偏仪( TPP-1 型) 也得以问世。随后在80年代中后期西安交通大学研制出了激光光源椭偏仪，同期实现了椭偏光谱仪的自动化。复旦大学的陈良尧教授于1994年研制出了一种同时旋转起偏器和检偏器的新型全自动椭偏仪。该类型椭偏仪曾成功实现商业化，销售给包括德国在内的多家国内外单位使用。1998年，中国科学院上海技术物理研究所的黄志明和褚君浩院士等人研制出了同时旋转起偏器和检偏器的红外椭圆偏振光谱仪。2000年，中国科学院力学所靳刚研究员研制出了我国第一台椭偏光显微成像仪。该仪器可以实现纳米级测量和对生物分子动态变化及其相互作用进行实时观测。2000 年，复旦大学陈良尧和张荣君等人研制出了基于双重傅里叶变换的红外椭偏光谱系统。2013年华中科技大学张传维团队成功研发出椭偏仪原型样机。2014年，华中科技大学的刘世元教授等人使用穆勒矩阵椭偏仪测试了纳米压印光刻的抗蚀剂图案，同时还检测了该过程中遇到的脚状不对称情况，其理论和实验结果都表明该仪器具有良好的敏感性。2015年，国内首台商品化高端穆勒矩阵椭偏仪终于成功面世。主流厂商企业名称国内睿励科学仪器合能阳光复享光学量拓科技赛凡光电武汉颐光科技国外Accurion GmbHK-MacAngstrom Advanced瑟米莱伯J.A.WoollamHORIBAPhotonic LatticeAngstrom Sun大塚电子GaertnerFilm SenseHolmarc Opto-MechatronicsOnto Innovation Inc.AQUILAPARISA TECHNOLOGYDigiPol TechnologiesSentech Instruments海洋光学 以上，就是小编为大家整理的椭偏仪知识大全，附上部分市场主流厂商信息，更多仪器，请点击进入“椭偏仪”专场。 找靠谱仪器，就上仪器信息网【选仪器】栏目。它是科学仪器行业专业导购平台，旨在帮助仪器用户快速找到需要的仪器设备。栏目囊括了分析仪器、实验室设备、物性测试仪器、光学仪器及设备等14大类仪器，1000余个仪器品类。

项目编号：清设招第2022344号项目名称：清华大学高精度光谱椭偏仪采购项目预算金额：120.0000000 万元（人民币）采购需求：包号名称数量是否允许进口产品投标01高精度光谱椭偏仪1套是设备用途介绍：拟采购的椭偏仪设备将应用于测量各类薄膜的膜厚及光学参数（n，k），对特殊结构的材料具有光学性能分析能力。简要技术指标：Psi和Delta精确度测量：直射测量空气（Psi = 45° Delta = 0°），满足：Ψ≤45°±0.02°，Δ≤0°±0.02°(1.5-5eV)；光谱范围覆盖190– 2000nm；入射角：自动量角器，角度可从40°到90°变化，最小步进为0.02°。合同履行期限：合同签订后7个月内交货本项目( 不接受 )联合体投标。

基本信息 关键内容： 椭偏仪 开标时间： 2022-01-24 14:30 采购金额： 155.00万元 采购单位： 华南理工大学 采购联系人： 文老师 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 广东志正招标有限公司 代理联系人： 李小姐 代理联系方式： 立即查看 详细信息 ZZ0211031 多功能椭圆偏振仪采购公告 广东省-广州市-天河区 状态：公告 更新时间： 2021-12-31 招标文件: 附件1 附件： /ECP/view/srplatform/upload/attachmentAjaxFile5.jsp 项目概况 华南理工大学多功能椭圆偏振仪采购项目招标项目的潜在投标人应通过链接http://www.zztender.com/获取招标文件，并于2022年1月24日14点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：ZZ0211031 项目名称：华南理工大学多功能椭圆偏振仪采购项目 预算金额：155万元（人民币） 最高限价（如有）：155万元（人民币） 采购需求： 1、 标的名称：多功能椭圆偏振仪 2、 标的数量：1套 3、 简要技术需求或服务要求： 1） 购置具备水平入射面构造，入射角范围覆盖20～90°，波长范围覆盖193～2500 nm，可实现4*4全穆勒矩阵测量，并配备控温样品台的椭圆偏振测试设备，详见“招标需求”部分。 2） 本项目为科研仪器设备采购。 3） 经政府采购管理部门同意，本项目（多功能椭圆偏振仪）允许采购本国产品或不属于国家法律法规政策明确规定限制的进口产品。 4、 其他：/ 合同履行期限：自合同签订起至履约结束之日止 本项目（不接受）联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：本项目不属于专门面向中小企业采购的项目。 3.本项目的特定资格要求： （1） 应具备《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定的条件，提供以下材料： 1）提供最新的投标人营业执照（或事业单位法人证书，或社会团体法人登记证书，或执业许可证）副本复印件；若以不具有独立承担民事责任能力的分支机构投标，须取得具有法人资格的总公司的授权书，并提供总公司营业执照副本复印件；如投标人为自然人的需提供自然人身份证明。 2）投标人应当具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，提供以下证明之一： ①提供2020年年度审计报告或企业所得税年度汇算清缴报告（适用于在上一年度前成立的法人或其他组织）； ② 2021年任一季度或任一月的财务报表，内容含盖资产负债表和利润表和现金流量表（适用在上一年度或本财务年度成立的法人或其他组织）； ③银行出具的资信证明（适用于法人或其他组织）； ④中国人民银行出具的个人信用报告（适用于自然人）。 3）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力，提供签署及盖章合格的资格声明函。 4）提供2021年任意一个月的依法缴纳税收的证明（如纳税凭证）复印件，如依法免税的，应提供相应文件证明其依法免税；（其中税种不能为社会保险基金）；投标人成立不满三个月的，可不提供缴纳税收的证明。 5）提供2021年任意一个月的依法缴纳社会保险的证明（如缴费凭证）复印件，如依法不需要缴纳社会保障资金的，应提供相应文件证明其依法不需要缴纳社会保障资金；投标人成立不满三个月的，可不提供缴纳社会保险的证明。 6）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录，提供签署及盖章合格的资格声明函。重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。（较大数额罚款按照发出行政处罚决定书部门所在省级政府，或实行垂直领导的国务院有关行政主管部门制定的较大数额罚款标准，或罚款决定之前需要举行听证会的金额标准来认定） （2） ①未列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商（以开标当日资格审查人员在“信用中国”网站（）、中国政府采购网（）的查询结果为准；处罚期限届满的除外。如“信用中国”网站查询结果显示“没有找到您搜索的企业”或“没有找到您搜索数据”，视为没有上述三类不良信用记录）。②若投标人具有分公司的，其所属分公司有上述不良信用记录的，视同该投标人存在不良信用记录。③若投标人为分公司的，其所属总公司（总所）存在上述不良信用记录的，视同该分公司存在不良信用记录。 （3） 供应商有以下情形之一的，不得参加本项目（同一包组）的投标（提供签署及盖章合格的资格声明函） 1）单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一包组投标或者未划分包组的同一招标项目的政府采购活动。如同时参加，则评审时均作无效投标处理。 2）为采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加该采购项目的其他采购活动。 （4） 本项目不接受联合体投标。 三、获取招标文件 时间：2022年1月1日至2022年1月10日（提供期限自本公告发布之日起不得少于5个工作日），每天上午9:00至12:00，下午12:00至17:30（北京时间，法定节假日除外） 地点：链接http://www.zztender.com/ 招标文件获取方式： 步骤一：投标人须在华南理工大学招标中心（新）采购管理与电子招投标系统（网址： http://zbzx.scut.edu.cn:8888/ECP/）进行必要的注册账号并登陆，找到需要投标登记的项目并在线填写获取招标文件资料，投标登记完成后将参与结果截图并发至招标代理机构邮箱（tender@gd.gov.cn），并在邮件正文写清楚报名供应商的名称以及联系方式。否则，投标人将不能进入下一步，由此产生的后果由投标人负责。 步骤二：招标文件于代理机构处线上购标，售后不退。请于2022年1月10日17：30前登录广东志正招标有限公司官网“https://www.zztender.com/”进行操作，从采购公告右侧的“我要购标”入口，相关操作成功后即可下载采购文件，并可在规定的获取采购文件时间段内到采购代理机构现场领取纸质采购文件。（咨询电话020-87554018，李小姐） 售价（元）：￥300.00元，本公告包含的招标文件售价总和。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 2022年1月24日14点30分（北京时间）（自招标文件开始发出之日起至投标人提交投标文件截止之日止，不得少于20日） 地点：广州市天河区龙怡路117号银汇大厦5楼广东志正招标有限公司会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1. 招标项目的详细内容及技术参数、执行标准：详见“招标需求”部分。 2. 经政府采购管理部门同意，本项目（多功能椭圆偏振仪）允许采购本国产品或不属于国家法律法规政策明确规定限制的进口产品。 3. 采购项目需要落实的政府采购政策：《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库[2020]46号）、《关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》(财库[2014]68号)、《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库〔2017〕141号）、《关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库〔2006〕90号、《节能产品政府采购实施意见》的通知（财库〔2004〕185号）、《财政部 发展改革委 生态环境部 市场监管总局 关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）等。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名称：华南理工大学 地址：广州市天河区五山华南理工大学南秀村物资大楼 联系方式：文老师 020-22236003 2.采购代理机构信息 名称：广东志正招标有限公司 地址：广州市天河区龙怡路117号银汇大厦5楼 联系方式：李小姐 020-87554018 85165610 3.项目联系方式 项目联系人：滕小姐、李小姐 电话：020-85165610 广东志正招标有限公司 2022年12月31日 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：椭偏仪 开标时间：2022-01-24 14:30 预算金额：155.00万元 采购单位：华南理工大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：广东志正招标有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 ZZ0211031 多功能椭圆偏振仪采购公告 广东省-广州市-天河区 状态：公告 更新时间： 2021-12-31 招标文件: 附件1 附件： /ECP/view/srplatform/upload/attachmentAjaxFile5.jsp 项目概况 华南理工大学多功能椭圆偏振仪采购项目招标项目的潜在投标人应通过链接http://www.zztender.com/获取招标文件，并于2022年1月24日14点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：ZZ0211031 项目名称：华南理工大学多功能椭圆偏振仪采购项目 预算金额：155万元（人民币） 最高限价（如有）：155万元（人民币） 采购需求： 1、 标的名称：多功能椭圆偏振仪 2、 标的数量：1套 3、 简要技术需求或服务要求： 1） 购置具备水平入射面构造，入射角范围覆盖20～90°，波长范围覆盖193～2500 nm，可实现4*4全穆勒矩阵测量，并配备控温样品台的椭圆偏振测试设备，详见“招标需求”部分。 2） 本项目为科研仪器设备采购。 3） 经政府采购管理部门同意，本项目（多功能椭圆偏振仪）允许采购本国产品或不属于国家法律法规政策明确规定限制的进口产品。 4、 其他：/ 合同履行期限：自合同签订起至履约结束之日止 本项目（不接受）联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：本项目不属于专门面向中小企业采购的项目。 3.本项目的特定资格要求： （1） 应具备《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定的条件，提供以下材料： 1）提供最新的投标人营业执照（或事业单位法人证书，或社会团体法人登记证书，或执业许可证）副本复印件；若以不具有独立承担民事责任能力的分支机构投标，须取得具有法人资格的总公司的授权书，并提供总公司营业执照副本复印件；如投标人为自然人的需提供自然人身份证明。 2）投标人应当具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，提供以下证明之一： ①提供2020年年度审计报告或企业所得税年度汇算清缴报告（适用于在上一年度前成立的法人或其他组织）； ② 2021年任一季度或任一月的财务报表，内容含盖资产负债表和利润表和现金流量表（适用在上一年度或本财务年度成立的法人或其他组织）； ③银行出具的资信证明（适用于法人或其他组织）； ④中国人民银行出具的个人信用报告（适用于自然人）。 3）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力，提供签署及盖章合格的资格声明函。 4）提供2021年任意一个月的依法缴纳税收的证明（如纳税凭证）复印件，如依法免税的，应提供相应文件证明其依法免税；（其中税种不能为社会保险基金）；投标人成立不满三个月的，可不提供缴纳税收的证明。 5）提供2021年任意一个月的依法缴纳社会保险的证明（如缴费凭证）复印件，如依法不需要缴纳社会保障资金的，应提供相应文件证明其依法不需要缴纳社会保障资金；投标人成立不满三个月的，可不提供缴纳社会保险的证明。 6）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录，提供签署及盖章合格的资格声明函。重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。（较大数额罚款按照发出行政处罚决定书部门所在省级政府，或实行垂直领导的国务院有关行政主管部门制定的较大数额罚款标准，或罚款决定之前需要举行听证会的金额标准来认定） （2） ①未列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商（以开标当日资格审查人员在“信用中国”网站（）、中国政府采购网（）的查询结果为准；处罚期限届满的除外。如“信用中国”网站查询结果显示“没有找到您搜索的企业”或“没有找到您搜索数据”，视为没有上述三类不良信用记录）。②若投标人具有分公司的，其所属分公司有上述不良信用记录的，视同该投标人存在不良信用记录。③若投标人为分公司的，其所属总公司（总所）存在上述不良信用记录的，视同该分公司存在不良信用记录。 （3） 供应商有以下情形之一的，不得参加本项目（同一包组）的投标（提供签署及盖章合格的资格声明函） 1）单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一包组投标或者未划分包组的同一招标项目的政府采购活动。如同时参加，则评审时均作无效投标处理。 2）为采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加该采购项目的其他采购活动。 （4） 本项目不接受联合体投标。 三、获取招标文件 时间：2022年1月1日至2022年1月10日（提供期限自本公告发布之日起不得少于5个工作日），每天上午9:00至12:00，下午12:00至17:30（北京时间，法定节假日除外） 地点：链接http://www.zztender.com/ 招标文件获取方式： 步骤一：投标人须在华南理工大学招标中心（新）采购管理与电子招投标系统（网址： http://zbzx.scut.edu.cn:8888/ECP/）进行必要的注册账号并登陆，找到需要投标登记的项目并在线填写获取招标文件资料，投标登记完成后将参与结果截图并发至招标代理机构邮箱（tender@gd.gov.cn），并在邮件正文写清楚报名供应商的名称以及联系方式。否则，投标人将不能进入下一步，由此产生的后果由投标人负责。 步骤二：招标文件于代理机构处线上购标，售后不退。请于2022年1月10日17：30前登录广东志正招标有限公司官网“https://www.zztender.com/”进行操作，从采购公告右侧的“我要购标”入口，相关操作成功后即可下载采购文件，并可在规定的获取采购文件时间段内到采购代理机构现场领取纸质采购文件。（咨询电话020-87554018，李小姐） 售价（元）：￥300.00元，本公告包含的招标文件售价总和。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 2022年1月24日14点30分（北京时间）（自招标文件开始发出之日起至投标人提交投标文件截止之日止，不得少于20日） 地点：广州市天河区龙怡路117号银汇大厦5楼广东志正招标有限公司会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1. 招标项目的详细内容及技术参数、执行标准：详见“招标需求”部分。 2. 经政府采购管理部门同意，本项目（多功能椭圆偏振仪）允许采购本国产品或不属于国家法律法规政策明确规定限制的进口产品。 3. 采购项目需要落实的政府采购政策：《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库[2020]46号）、《关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》(财库[2014]68号)、《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库〔2017〕141号）、《关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库〔2006〕90号、《节能产品政府采购实施意见》的通知（财库〔2004〕185号）、《财政部 发展改革委 生态环境部 市场监管总局 关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）等。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名称：华南理工大学 地址：广州市天河区五山华南理工大学南秀村物资大楼 联系方式：文老师 020-22236003 2.采购代理机构信息 名称：广东志正招标有限公司 地址：广州市天河区龙怡路117号银汇大厦5楼 联系方式：李小姐 020-87554018 85165610 3.项目联系方式 项目联系人：滕小姐、李小姐 电话：020-85165610 广东志正招标有限公司 2022年12月31日

10月30日HORIBA举办了2017 Optical School系列在线讲座第五场——光谱技术在半导体领域中的应用，涉及：拉曼、椭圆偏振、光学光谱和辉光放电，四种光学光谱技术，为大家带来满满的知识技能包。课上同学们积留言互动，那么针对这三种光学光谱技术，大家都有哪些疑问呢，我们一起来看一看。光学光谱1. 什么是CCD TE制冷？CCD探测器的制冷方式一般分为两种：热电制冷（TE）和液氮制冷（LN2）。热电制冷就是通过帕尔贴效应，将热量从芯片带走；液氮制冷是通过液氮气化吸收热量来降低温度。2. 5K和10K的低温是怎么实现的。采用低温恒温器，闭循环低温恒温器或消耗液氦型低温恒温器可以实现5K和10K的低温，将样品放置在低温恒温器中测量。3. PL Mapping测量的是什么？相对宏观测试而言，微观尺寸的光致发光光谱更能表征样品的性质，并且能够展现更多的细节信息，在进行显微测量时，我们对整个样品表面进行扫描，得到所有测量点的光致发光光谱，这个过程称为Mapping。4. MicOS的PL和拉曼光谱仪测试的PL谱是一样的吗？原理上是一样的，都属于光致发光光谱，区别在于：MicOS光谱仪所采用的光谱仪焦距长度跟拉曼光谱仪不一样，光谱分辨率也不一样；拉曼光谱仪主要是为了拉曼测试而设计，它的探测器CCD通常覆盖到1000nm左右，有些型号的拉曼光谱仪不能拓展光谱范围到近红外波段，而MicOS可以灵活方便地拓展光谱范围从紫外到近红外（200-1600nm）。5. 激光测试固体光谱时需要滤光片吗？推荐加滤光片，因为激发激光的能量很强，激发样品的同时，部分激发光会通过反射与信号光一起进入探测系统，可能产生杂散光，为了避免干扰，建议加入滤光片将激发光滤除。因为信号光能量较低，波长比激发光长，所以只需要加入截止波长在激发光和信号光之间的滤光片即可。此外，如果激发光的二级衍射光与信号光波长重叠的话，那么也需要加入滤光片将激发光波长滤除从而消除激发光的二级衍射光。6. 这里的PL发光和寿命测量与荧光光谱仪测得荧光光谱和寿命有什么区别？荧光也是一种光致发光，但是荧光光谱仪通常用氙灯作为激发光源，能量比较低，对于宽带隙材料可能无能为力，定制化光致发光系统用激光作为激发光源，可以成功激发大部分样品。此处提到的寿命测试功能与HORIBA荧光光谱仪的寿命功能原理相同，并无区别，不过MicOS中测量荧光寿命是在显微下测量的，而荧光光谱仪通常是在宏观光路中测量的。7. 使用光纤导入光谱仪（iHR550）时，狭缝的宽度对分辨率还会有影响吗？采用光纤导入信号光到iHR550光谱仪时，一般会采用光纤适配器将光纤连接到光谱仪，此时狭缝宽度对光谱分辨率的影响需要分两种情况讨论：（1）如果光纤出来的信号光光斑通过光纤适配器耦合到光谱仪狭缝上是小于狭缝宽度，那么狭缝宽度的变化对光谱分辨率无影响；（2）如果光纤出来的信号光光斑通过光纤适配器耦合到光谱仪狭缝上是大于狭缝宽度，那么狭缝宽度的变化对光谱分辨率有影响，狭缝越大分光谱分辨率越低。8. 光栅的刻线密度怎么去选择？光栅刻线密度的选择主要考虑两个因素：分辨率和光谱范围。相同焦长光谱仪配置的光栅刻线密度越高，光谱分辨率越高，但是所能使用的长波长范围越窄；光栅刻线密度越低，光谱分辨率越低，但是低刻线密度光栅能覆盖的长波长越长；所以要综合平衡考虑，一块光栅覆盖范围不够可以选择多块光栅以拓展光谱范围。9. MicOS激光照射到样品上的光强和光斑大小?MicOS的激光光斑照射到样品上的光强与所采用的激光器功率大小相关，所采用激光器功率越高照射到样品的光强越大。激光照射到样品的光斑大小与耦合方式（光纤耦合还是自由光路耦合）以及所采用的物镜倍率相关，如采用100倍物镜，采用光纤耦合激光，光斑小于10um；采用自由光路耦合激光，光斑小于2um。拉曼光谱1. 用532nm激光测试的深度为多少？（实验中测试不到厚度为100nm薄膜的Raman光谱）总体来说，入射深度与激光器的波长和材料本身消光系数相关。激光越偏红光，其入射深度越深；消光系数越小，入射深度越深。所以，532 nm针对不同材料的入射深度不一样，一般来说，对单晶硅的入射深度约为1微米。厚度不到100 nm的薄膜需要考虑使用325 nm激光器检测。2. 老师，实际测试比如石墨烯，532,633,785测试D,G,2D频移和相对强度都不一样，这是什么原因呢？可以考虑的原因：三个激光器是否校准好；激光器的能量是否合适，是否某一个激光能量过高将样品破坏。一般石墨烯测试，激光能量的选择建议从低到高尝试；考虑机理方面解释，激光和样品的是否有耦合效应。墨烯测试，推荐532 nm激光器。3. HORIBA提供拉曼与SEM联用的改装服务吗？我们实验室对这个比较干兴趣，想了解一下我们的电镜可不可以改装？国内和国外都有已经完成的案例。若有需求，请进一步联系！4. 我们处理拉曼光谱的时候有时候要使用归一化的方法，这个对结果分析会有影响吗？归一化一般不会对结果分析产生影响。归一化操作是对光谱中所有的拉曼峰等比例的放大和缩小，不会影响峰的位置和形状。若还有担心，可以考虑提高光谱的信噪比。5. 半高宽和强度是怎么成像的？若使用的是Labspec 6软件，至少有两种成像方法可以实现半高宽和强度成像。夹峰法：用线夹住需要成像的峰，在Analysis中，进入 Map characterization中选择对应的Height, area, position, width进行成像。分峰拟合法：对所需成像的峰进行分峰拟合后，直接选择各参数成像。夹峰法，目前多同时可以做三个峰的成像；分峰拟合理论上可以实现所有峰的成像。6. 如何用325nm激光器测拉曼光谱，PL和BPF这两块滤光片怎么用？使用325nm测试和其它的激光器测试类似，需要注意的是：激光器稳定半小时，软件中勾选紫外测试，使用紫外物镜，激光光斑进行聚焦。PL和BPF滤光片都是为了滤去激光器的等离子体线，PL和BPF分别针对测试PL和拉曼。7. 老师，做拉曼成像的时候勾选SWIFT，老是提示不兼容是怎么回事？可以考虑：是否工作在单窗口的模式下；成像区域的选择是否是长方形；控制盒上的开关是拨到SWIFT模式下。8. 100nm薄膜测试不到信号（532nm激发）答案见问题一。9. 老师，可不可以用显微共聚焦拉曼测重金属的浓度？重金属的浓度目前还没有用拉曼直接测试的好方法。但有间接的方法：加入指示剂，通过指示剂间接测试重金属的浓度；做成传感器（DNA/蛋白/小分子等为传感元件），以拉曼信号为输出。10. 老师您好，树脂样品532nm激光器基线上飘严重，降低hole值仍然，切换785nm后基线下飘，这个是荧光引起的吗，应如何调节或者加激光器呢？荧光背景干扰的可能性比较大。缩小Hole只能抑制荧光，不能消除荧光。建议先利用532 nm做个PL光谱看一看。降低激光能量；更换测量点；若荧光背景还是比较高，可以考虑选用紫外和更红外激光器试一试。椭圆偏振1. 请问在测试的时候起偏器不动但是检偏器旋转吗？在UVISEL系列椭偏仪中，起偏器和检偏器均保持固定，由相位调制器PEM起到调制偏振光的作用，没有机械转动的干扰，保证了仪器对椭偏角测试的高精度。2. 为什么可以测SIGe的组分？研究表明SiGe合金的含量与介电方程的实部有关，介电方程实部是通过椭偏仪分析得到的，因此在进行了大量标准样品与实部的关系推导后，可以根据未知含量样品的介电方程实部推算出合金含量。3. 要测试膜厚度，需要这个样品是透明的吗?样品可以是不透明的硅基底或透明的玻璃基底等，待测试薄膜需要是光学透明的，以便椭偏仪分析反射之后的偏振光信号。4. 不转怎么测椭偏角？UVISEL系列椭偏仪采用PEM相位调制技术，调制器虽然保持静止，但其内部光学元件的双光轴相位以50KHz高频发生变化，从而实现偏振光的调制。5. 椭偏仪的入射角是可调的吗？是固定几个值还是连接可调？入射角是连续可调的，但通常测试使用55-75度，主要与样品的布儒斯特角相近即可。例如，大多数半导体样品的布儒斯特角在70度附近，玻璃等样品在55度附近。6. 测SiGe的组分与测带隙宽度有关吗？没有7. 椭偏仪可以测不透明的样品吗？无法用肉眼判断样品是否光学透明，一般来说肉眼看到透明的样品，可透过可见光，而有些样品如SOI中的顶层硅薄膜，可见不透过，但仍然可以使用椭偏测试分析，因为其对近红外透过。8. 可以测碳纳米管吗？可以测试均匀的CNT薄膜，由于光斑大小限制不能测试单根纳米管9. 是相位调制器每变一下，收集一组光强吗？那请问相位改变一个周期内会采集多少组数据来计算psi 和delta。是的，通常8-16点HORIBA科学仪器事业部结合旗下具有近 200 多年发展历史的 Jobin Yvon 光学光谱技术，HORIBA Scientific 致力于为科研及工业用户提供先进的检测和分析工具及解决方案。如：光学光谱、分子光谱、元素分析、材料表征及表面分析等先进检测技术。今天HORIBA 的高品质科学仪器已经成为全球科研、各行业研发及质量控制的首选。

2016年5月5日，科技部在武汉组织召开了首批国家重大科学仪器设备开发专项项目“宽光谱广义椭偏仪设备开发”(项目编号：2011YQ160002)综合验收会议。该项目由武汉光迅科技股份有限公司牵头，华中科技大学为仪器开发技术支持单位，武汉新芯集成电路制造有限公司、武汉珈玮光伏照明有限公司、武汉光电国家实验室(筹)为应用开发单位，武汉颐光科技有限公司为产业化单位。　　天津大学叶声华院士、华东师范大学曾和平教授、中科院上海光机所周常河研究员、北京光学仪器厂骆东淼教授级高工等11名专家组成了本次会议验收技术专家组，叶声华院士任专家组组长。验收会由科技部国家科技评估中心毛建军副主任主持，湖北省科技厅条件处魏敏杰处长等出席会议。　　项目负责人刘世元教授代表项目组对项目执行完成情况进行了详细汇报。截止项目验收时，研制完成宽带消色差补偿器、高精度双旋转补偿器同步控制等核心部件与关键技术，开发出具有自主知识产权的宽光谱广义椭偏仪设备4台 获授权国际发明专利3件，授权国内发明专利29件，软件著作权8件，商标权1件。获日内瓦国际发明奖金奖1项，发表SCI学术论文50篇 形成设计图纸、工程工艺、软件代码等完整技术文档各1套，质量和可靠性保障方案1套 建成中试生产线1条，销售仪器产品2台。　　汇报结束后，专家组现场审阅了相关资料，随后前往产业化单位武汉颐光科技有限公司考察了宽光谱广义椭偏仪设备产品，对产品指标和性能进行了现场测试与考核，并就项目完成情况及产业化进展提出现场质询。经认真讨论，验收专家组认为，该项目实施情况良好，完成了预期目标并达到全部考核指标，一致同意通过验收。　　椭偏仪是一种测量偏振光状态改变的重要科学仪器，本项目研制的广义椭偏仪(也称穆勒矩阵椭偏仪)代表了椭偏仪最高水平，可以测得一个44阶的穆勒矩阵共16个参数，因而可以获得更为丰富的测量信息。椭偏仪广泛应用于材料光学常数、纳米薄膜厚度及表面特性表征等基础科学研究与纳米制造相关产业，应用范围涵盖集成电路、光伏太阳能、平板显示、LED照明、存储、生物、医药、化学、电化学、光学薄膜等众多领域。

近期，Park原子力显微镜公司收购了德国欧库睿因公司，并于2月20日在山东济南鲁能贵和洲际酒店进行了欧库睿因成像椭偏仪产品相关的研讨会。 在本场研讨会上，Park欧库睿因中国销售经理左方青作了《成像椭偏仪》的相关报告介绍。报告分为六个部分：椭偏仪原理介绍；成像椭偏仪介绍；成像椭偏仪的优缺点；成像椭偏仪与传统椭偏仪的比较；Accurion成像椭偏仪的硬件及特点；成像椭偏仪的应用范围和应用案例。 除此之外，左青方还详细介绍了欧库睿因产品、欧库睿因被收购前在中国的销售业绩、客户分布范围以及售后问题等内容。报告人介绍：左方青，Park中国销售代表，成像椭偏仪应用工程师，拥有十年以上成像椭偏仪销售和售后经验。目前专注于帕克Accurion成像椭偏仪和主动隔震台的销售和应用。 本场研讨会持续了四个小时，其中一小时作为讨论。整场讨论会气氛热烈。本场研讨会让我们更加了解了欧库睿因产品的历史，并对如何结合Park现有客户拓展新型多样化的销售渠道等问题做了规划。此后Park中国区技术团队将竭心维护欧库睿因产品的销售和售后，相信欧库睿因的销量和客户满意度将逐步提高。据相关报道，早在2022年10月14日，Park Systems为庆祝这一战略扩张，在德国举行盛大仪式庆祝Accurion公司的并购，双方管理团队齐聚一堂。Accurion新公司名称宣布为：Park Systems GmbH，Accurion Division。“我非常确信，我们选择了一个具有许多协同效应的非常好的合作伙伴。这不仅对Park的业务有利，而且对Accurion的业务也有利，”新的Park Systems公司的首席执行官Stephan Ferneding补充道。Accurion与Park Systems的合并为Park的计量产品带来了一个超越AFM技术的新时代。“通过将成像光谱和椭圆测量模块与Park Systems平台相结合，我们可以轻松地为半导体行业创建新的ISE解决方案。所有这些都将超越AFM扩大我们的业务组合，这是推动我们公司增长的重要一步。”Dr. Park透露。关于Accurion公司Accurion在两个产品线中提供高端可靠的尖端技术：成像椭偏和主动振动隔离。2009年，主动隔振解决方案专家Halcyonics公司和表面分析工具专家Nanofilm Technology 公司并入Accurion公司。回顾其30年的宝贵经验，Accurion为世界各地的客户提供了技术和科学进步，设计和制造了先进的仪器，用于具有挑战性的测量任务。

热烈庆祝量拓科技激光椭偏仪在西安交通大学顺利交货验收。 量拓科技是中国唯一的专业椭偏仪器企业,专业致力于椭偏测量的方法研究、技术开发、产品制造和仪器销售，并提供纳米薄膜层构和物性参数的椭偏测试服务和椭偏测量整体解决方案的专业咨询服务。经过持续的创新发展，目前已成为国际高端激光椭偏仪和光谱椭偏仪的主要厂商。 量拓科技以发展国际领先的椭偏测量技术，提供纳米薄膜检测整体解决方案为企业使命，将通过持之以恒的不懈努力，在国际椭偏测量领域树立源自中国的高端专业椭偏品牌ELLiTOP形象，藉此提升中国在国际椭偏测量领域的实力和地位，实现中国高科技企业贡献世界的梦想。

p　　日前，HORIBA宣布推出新的模块化椭偏仪——Uvisel Plus，该产品采用最新的技术，旨在提高测量的速度及准确性。/pp style="TEXT-ALIGN: center"img title="uvisel-plus-new.jpg" style="HEIGHT: 300px WIDTH: 450px" border="0" hspace="0" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201707/insimg/fc5ecfe0-90a5-458a-b9d7-23094a7b25c4.jpg" width="450" height="300"//pp style="TEXT-ALIGN: center" /pp　　采用最新的FastAcq技术，基于新的电子数据处理和高速单色仪，该设备可以在3分钟内完成190到2100nm范围内的高分辨率样品测量。在测量范围内连续调整光谱分辨率的可能性，使样品扫描变得更智能，更快速。此外，UVISEL Plus还引入了一种新的校准程序，提供更快的性能和更优的精度。由于光路中没有旋转元件及附加组件，该产品为精确的椭圆参数测量提供最纯粹和有效的偏振调制。/pp style="TEXT-ALIGN: center"img title="csm_uvisel-plus-img2_40ebe269fc.jpg" style="HEIGHT: 374px WIDTH: 400px" border="0" hspace="0" src="http://img1.17img.cn/17img/images/201707/insimg/8b954c2b-dc5d-4e66-946a-c02f121e7c8f.jpg" width="400" height="374"//pp　　此外，Uvisel Plus为样本提供的微孔低至50μm，可变角度从40° 到90° ，自动水平映射和各种不同的附件，可以满足各种应用和预算需求。/pp /p

纳米薄层解析的新锐器——光谱椭偏成像系统研制成功　　在中国科学院重大科研装备研制项目的资助下，力学所国家微重力实验室靳刚课题组成功研制出“光谱椭偏成像系统”及其实用化样机。　　该研究是利用高灵敏的光学椭偏测量术，同时结合光谱性能及数字成像技术，具有对复杂二维分布的纳米层构薄膜样品的快速光谱成像定量测量能力。在中科院专家组对仪器性能和各项技术指标进行现场测试的基础上，4月1日，验收专家组一致认为：系统为复杂横向结构的大面积多层纳米薄膜样品的快速表征和物性分析提供了有效手段，是一种纳米薄膜三维结构表征的新方法。　　光谱椭偏成像系统的特点在于：信息量大，可同时测量大面积样品上各微区的连续光谱椭偏参数，从而可以获得相关材料物理参数(如厚度、介电函数、表面微粗糙度、合成材料中的组分比例等)及其空间分布 空间分辨率高，对纳米薄膜的纵向分辨和重复性均达到0.1nm、横向分辨达到微米量级 检测速度快，单波长下获得图像视场内各微区(42万像素以上)的椭偏参量(ψ和Δ)的采样时间达到7秒，比机械扫描式光谱椭偏仪提高2-3个量级 结果直观，形成视场内对比测量，可准确定位和排除伪信号，这是单光束光谱椭偏仪所不具备的 并且系统自动化程度高，操作简便。　　该系统既可应用于单光束光谱椭偏仪所覆盖的领域，也可应用于单波长或分立波长的椭偏成像仪所涉及的领域，适合同时需要高空间分辨和光谱分辨测量的纳米薄膜器件测量的场合，这将为椭偏测量开拓新的应用方向。已成功应用于“863”项目“针对肿瘤标志谱无标记检测蛋白质微阵列生物传感器的研制”等研究工作中，并将在微/纳制造、生物膜构造、新型电子器件、生物芯片及高密度存储器件等领域中发挥重要作用。

据中国科学院力学研究所消息 在中国科学院重大科研装备研制项目的资助下，力学研究所国家微重力实验室靳刚课题组成功研制出“光谱椭偏成像系统”及其实用化样机。 该研究是利用高灵敏的光学椭偏测量术，同时结合光谱性能及数字成像技术，具有对复杂二维分布的纳米层构薄膜样品的快速光谱成像定量测量能力。在中科院专家组对仪器性能和各项技术指标进行现场测试的基础上，验收专家组一致认为：系统为复杂横向结构的大面积多层纳米薄膜样品的快速表征和物性分析提供了有效手段，是一种纳米薄膜三维结构表征的新方法。 光谱椭偏成像系统的特点在于：信息量大，可同时测量大面积样品上各微区的连续光谱椭偏参数，从而可以获得相关材料物理参数(如厚度、介电函数、表面微粗糙度、合成材料中的组分比例等)及其空间分布；空间分辨率高，对纳米薄膜的纵向分辨和重复性均达到0.1nm、横向分辨达到微米量级；检测速度快，单波长下获得图像视场内各微区(42万像素以上)的椭偏参量(ψ和Δ)的采样时间达到7秒，比机械扫描式光谱椭偏仪提高2~3个量级；结果直观，形成视场内对比测量，可准确定位和排除伪信号，这是单光束光谱椭偏仪所不具备的，并且系统自动化程度高，操作简便。 该系统既可应用于单光束光谱椭偏仪所覆盖的领域，也可应用于单波长或分立波长的椭偏成像仪所涉及的领域，适合同时需要高空间分辨和光谱分辨测量的纳米薄膜器件测量的场合，这将为椭偏测量开拓新的应用方向。目前已成功应用于“863”项目“针对肿瘤标志谱无标记检测蛋白质微阵列生物传感器的研制”等研究工作中，并将在微/纳制造、生物膜构造、新型电子器件、生物芯片及高密度存储器件等领域中发挥重要作用。

2012年4月13日，由NOM研究组和武汉光迅科技股份有限公司等单位共同承担的国家重大科学仪器设备开发专项“宽光谱广义椭偏仪设备开发”项目启动会正式在汉举行。科技部条财司副司长吴学梯、省科技厅副厅长周爱清、中国工程院院士天津大学叶声华教授、清华大学机械学院院长尤政教授以及哈尔滨工业大学谭久彬教授等单位专家共80余人参加会议。　　项目启动仪式由两部分组成，即：总体启动会和专项组织分会。总体启动会由省科技厅条件处方国强处长主持，省科技厅周爱清副厅长汇报了项目组织、实施、监理的相关情况并提出几点要求。科技部吴学梯副司长指出，科学仪器设备的自主研发是一项重要的技术创新活动，国家重大科学仪器设备开发专项的设立，是为了提升我国科学仪器设备的自我保障能力和对经济社会发展的支撑能力，加快推进仪器科技成果转化为现实生产力，在专项实施中要进一步强化企业为主体，市场为主导，产学研用相结合。吴司长强调，国家重大科学仪器设备开发专项的目标是形成具有市场竞争力的仪器产品，要注重协同创新，强研发产品的质量控制。项目组织部门要切实做好项目组织实施和监督管理，保障项目技术研发和产业化工作顺利推进。　　“宽光谱广义椭偏仪设备开发”专项启动分会由武汉光迅科技股份有限公司副总经理胡强高主持，华中科技大学刘世元教授为参会的两组两会专家组做了关于项目仪器开发方案、仪器应用开发方案、项目组织管理以及项目进展情况等方面介绍的报告。报告会后与会专家以本项目预期开发的宽光谱广义椭偏仪为中心，围绕吴司长提出仪器设备产业化与市场化的展开了讨论，叶声华院士对研究组前期工作予以肯定并对后期工作提出一些建议。清华大学尤政教授和哈尔滨工业大学谭久彬教授结合自己从事国家项目经验为研究组在设备后期产业化与市场化过程可能遇到的问题提出各自的看法，认为研究组在完成设备原理样机研究的同时也要加强同各合作应用企业的交流，且牵头企业务必要做好设备产业化的工作，保证最终的产品有过硬的质量和较高的市场竞争力。根据财政部、科技部相关要求，宽光谱广义椭偏仪仪器应在2014年完成研发并实现产业化。该项目的实施将为我国纳米材料学研究等领域提供重要的研究工具，对于增强我国在相关科研领域的研发能力，提高仪器企业的市场竞争力将起到重要的推动作用。

Horiba Jobin Yvon将于3月31日上午 9：30－12：00 在复旦大学先进材料楼202室。4月1日上午 9：30－12：00 在西北工业大学航空楼B6174月3日下午 2：00－5：00 在北京大学物理学院 北236房间。举行三场椭偏仪技术交流会。介绍HJY椭偏仪的技术特点和近应用。会上有HJY公司新的MM16液晶调制光谱型椭偏仪的展示。衷心希望大家参加，联系人：俞罡电话：021 64479785e_mail: alexyu@jobinyvon.cn

椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器，广泛应用于材料、物理、化学、生物、医药等领域的研究、开发和制造过程中。近年来，由于以京东方、华星光电为代表的国产显示器件制造商的崛起，椭偏仪的销量不断攀升，带动了一批以颐光科技、量拓等为代表的国产椭偏仪制造商，但一直以来，椭偏仪在科研院所等研究单位的情况缺乏调查。不过，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对椭偏仪的统计分析或可一定程度反映科研用椭偏仪的市场信息。不同地区（省/市/自治区）椭偏仪分布情况北京各高校及研究所椭偏仪数量分布情况据统计，网络管理平台椭偏仪的总数量为132台，涉及23省（直辖市/自治区）。其中，北京、江苏、上海、广东的共享椭偏仪数量最多，分别为30台、16台、16台和12台，北京椭偏仪数量较多，主要是由于其实力强劲的高等院校较多，科研经费充足，可以购买更多的设备。以上四个地区的经济发展水平在全国名列前茅，而且半导体产业发达，对椭偏仪的需求也更高。进一步统计，北京涉及16所高校及研究院所，其中清华大学、中国科学院微电子研究所和中国计量科学研究院的共享椭偏仪数量最多。椭偏仪品牌分布从不同品牌椭偏仪数量分布来看，J. A. Woollam占比最多达38%，其次为Horiba和Sentech分别占比23%和11%，Semilab以6%的份额排第四。值得注意的是，前两名J. A. Woollam和Horiba在椭偏仪市场中的占比合计超过了60%，而国产品牌颐光科技占比仅2%。椭偏仪产地分布从椭偏仪的产地分布可以看出，进口设备中美国产椭偏仪最受科研用户青睐，占比达43%，国产椭偏仪占仅5%。统计结果表明，中国品牌包括了颐光科技、量拓、光机所等厂商。本次椭偏仪盘点中，涉及品牌有J. A. Woollam、Sopra、Semilab、Horiba、Accurion、Sentech、Photonics、上海光机所、JASCO、颐光科技、Angstrom Sun、J.A.Wollam、量拓科技等。

仪器信息网讯 2022年9月2日，Park原子力显微镜公司(Park Systems Corp.) 宣布收购德国欧库睿因公司(Accurion GmbH)。德国欧库睿因公司是一家研发并制造成像椭偏仪和主动隔振器的私营公司。此次收购优化了Park原子力显微镜和白光干涉显微镜联用技术。交易的财务细节没有披露。欧库睿因公司总部位于德国哥廷根，是成像椭偏仪领域的先驱。该公司起初是马克斯-普朗克生物物理化学研究所的衍生公司，成立之时便开始研发用于表征超薄膜的布鲁斯特角显微镜。由于这些显微镜对振动很敏感，主动隔振技术就此应运而生。欧库睿因的成像椭偏仪将椭偏仪和光学显微镜的优点集于一身。强强联合之下创造了一款新兴的计量工具，突破了光学显微镜的测量极限。成像椭偏仪增强的空间分辨率将椭偏仪扩展到微分析、微电子和生物分析的新领域。“这是 Park原子力显微镜公司第一次进行完整品牌收购。我们很高兴这家传奇的高科技公司能成为Park，这也将成为Park企业史上浓墨重彩的一笔。”Park原子力显微镜的CEO朴尚一博士(Dr. Sang-il Park)介绍道，“欧库睿因的成像椭偏仪和主动隔振将与 Park 现有的原子力显微镜系列融合，衍生出许多造福纳米界的新产品，并产生业务协同效应。对我们的客户和投资者来说，这无疑是个令人振奋的好消息。”“我们很荣幸成为 Park原子力显微镜公司的一员。”欧库睿因的联合创始人兼首席执行官 Stephan Ferneding 补充道，“我们很期待 Park原子力显微镜公司以工业制造自动化系统方面的专业知识、优秀的全球销售能力以及专业的售后服务把业务带入全新的领域，创造新机遇。我们不仅具有 30 多年来为全球客户服务的宝贵经验，更还期待今后能在 Park原子力显微镜公司领导下更加快速地成长。”关于德国欧库睿因公司：德国欧库睿因公司（Accurion GmbH）位于德国下萨克森州的哥廷根，公司起源于1991年从德国马克斯-普朗克生物物理化学研究所（Max-Planck Institute for biophysical chemistry in Goettingen）独立出来的高科技公司Nanofilm GmbH。德国欧库睿因公司（Accurion GmbH）新公司于2008年由Nanofilm GmbH战略并购Halcyonics GmbH后更名而成立。公司的产品主要是Nanofilm产品，应用在材料、物理、化学、生物和医学等领域的光学表面及界面分析测量技术；以及Halcyonics产品，为各种高精仪器提供主动减震平台。关于Park原子力显微镜公司(Park Systems Corp.):作为世界领先的原子力显微镜 (AFM) 制造厂商，Park原子力显微镜公司为化学、材料、物理、生命科学、半导体和数据存储行业的研究人员和工程师提供全系列产品。“为科学家和工程师实现纳米级进步，助其解决世界上最紧迫的问题，并推动科学发现和工程创新不断地前进”是Park原子力显微镜公司义不容辞的使命。 Park原子力显微镜的客户大多数是世界前20的半导体公司和亚洲、欧洲和美洲的国家研究型大学。 近年来在10纳米先进制程量测领域取得不菲业绩。Park原子力显微镜公司是韩国证券交易所 (KOSDAQ) 的上市公司，公司总部位于韩国水原，分公司分别位于加利福尼亚州圣克拉拉、曼海姆、巴黎、北京、东京、新加坡、印度和墨西哥城。

HORIBA Scientific 暨华南理工大学测试中心拉曼、SPRi及椭偏光谱技术交流会邀 请 函　　主办：HORIBA Scientific (Jobin Yvon光谱技术)　　协办：华南理工大学分析测试中心　　时间：2011年4月27日(周三)上午8:30　　地点：华南理工大学人文馆报告厅日程安排　　上午：拉曼光谱及SPRi在化学、生物领域的应用专场　　8:30~9:00 来宾签到　　9:00~9:10 开幕词　　9:10~10:00 拉曼光谱仪新进展以及应用 (HORIBA Scientific 沈婧 博士)　　10:00~10:50 拉曼光谱在生物医学领域的应用(暨南大学 黄耀熊 教授)　　10:50~11:00 提问及茶歇　　11:00~11:30 拉曼光谱在食品化学领域的应用(华南理工大学 宋国胜 博士)　　11:30~12:00 SPRi技术以及在生物、食品和卫生安全领域的应用(HORIBA Scientific 沈婧 博士)　　12:00~13:30 午餐及休息　　下午：拉曼光谱及椭圆偏振光谱在新能源、新材料领域的应用专场　　13:30~14:00 来宾签到　　14:00~14:30 拉曼光谱在新材料领域的应用(HORIBA Scientific 武艳红 应用工程师)　　14:30~15:30 椭圆偏振光谱测量技术以及HORIBA Jobin Yvon新型椭偏仪(HORIBA Scientific Dr. Ramdane Benferhat)　　15:30~15:45 提问及茶歇　　15:45~16:45 椭偏仪在新能源材料领域的应用(HORIBA Scientific Dr. Ramdane Benferhat)　　因本次会议场地有限，为方便我们对会议的组织与安排，请您与4月25日前确认参加　　(请点击如下按钮完成网络提交)　　 　　如果您对会议有任何疑问，欢迎您随时与我们联系：　　联系人：Li Su邮件地址：info-sci.cn@horiba.com　　电话：021-62896060-101　　会议地址地图　　 HORIBA Scientific(HORIBA集团科学仪器事业部)　　HORIBA Scientific隶属 HORIBA 集团。一直致力于为用户提供先进的测和分析仪器：包括激光拉曼光谱、椭圆偏振光谱、元素分析、荧光、ICP、粒度表征、油中硫分析、水质和XRF等分析仪器。结合旗下知名品牌的技术优势，包括拥有近200年发展历史的世界光谱制造技术的Jobin Yvon。　　今天，HORIBA Scientific 的各种高端检测分析仪器已经遍布全球各地，并在中国实现了销售和服务的本土化，位于上海、北京、广州三地的产品专家、售后服务团队以及全国各地的代理商机构可充分保障国内用户的技术咨询以及售后服务需求。　　www.horiba.com/cn华南理工大学分析测试中心(计量认证合格单位)　　组建于1982年10月，现有专业技术教师和管理人员共27人分析测试工作十年以上人员占80%，整体的检测分析能力强。中心装备了高分辨透射电镜、热场发射扫描电镜、超导核磁共振谱仪、液-质联用仪、多功能化学电子能谱、电子探针、X 射线荧光光谱仪、拉曼光谱仪、多功能生物质谱、气- 质联用仪、单晶衍射仪等大型精密贵重仪器30台，仪器总价值5000多万元 拥有独立且相对集中的现代化实验室，使用面积达3000m2 是华南地区规模宏大、设备先进、富具特色、　　队伍精良的现代分析测试中心。　　www.scut.edu.cn/test/　　 HORIBA科学仪器快讯第13期第12期

鉴知科普 光谱仪波长标定测量方法波长精度和重复性是光谱仪重要的质量指标之一，两者对仪器的正确使用乃至实验结果有着很大影响；另外，由于温湿度、气压、磕碰等外界因素及仪器本身随着使用年限的增加，光纤发射角、光栅的衍射能力和检测器的探测效率等内部因素的变化，会对光谱仪传感器的响应产生影响，因此，光谱仪需要定期定标才能获得更准确的数据。定义：光谱定标就是明确成像光谱仪每个通道的光谱响应函数，即明确探测仪每个像元对不一样波长光的响应，从而获得通道的中心波长及其通光谱带的宽度。在实际微型光纤光谱仪中，光波波长是由CMOS像素所反映的，因此在实际测量中由于环境和时间的影响会引起光波波长与像素之间的变化，光谱仪中各CMOS像素所对应的实际光波波长必须准确确定，否则测量的准确度就会降低。如下图1所示，大家普遍使用的交叉式光纤光谱仪采用CMOS芯片收集光谱数据，为了得到准确的测量结果，光谱仪在使用前必须进行严格的标定，确定CMOS像素和光波波长的对应关系。图1 普遍使用的交叉式结构的光纤光谱仪常用的光纤光谱仪波长标定是采用特征光谱在CMOS对应的像素点上找到相应的位置，对于SR50C来说，探测用2048单元的线阵CMOS，测量光谱为200~1000nm，每个CMOS对应约0.4nm，光栅方程可以写成 其中，m为衍射级次，d为光栅常量，i为入射角（可以认为是定值），θ为衍射角，在小角度下可以认为（sinθ~θ~x），可知波长与衍射级次近似成线性关系，综合考虑大衍射角度等各种问题，我们可以采用最小二乘法三阶多项式进行拟合，从而得到最小的偏差平方和。式中a0，a1，a2，a3为拟合系数，x1，x2，…，x6为实测像素数，y1，y2，…，y6 为拟合后的波长。利用Matlab软件进行编程求解得到y=a0+a1x1+a2x2+a3x3中的拟合系数。采用汞-氩校准光源进行标定。以鉴知技术研发的微型光纤光谱仪SR50C为例，该光谱仪的汞氩灯光谱如图2所示图2 SR50C的汞氩灯光谱根据光纤光谱仪SR50C的波长标定结果来看，可以看出该产品的光谱范围广，支持200-1000nm范围内的光谱定制，可以实现紫外、可见光、近红外波段的高分辨率光谱检测。

p　　五一节临近，劳动者以何种方式实现自己的经济价值是个低层次问题，劳动者如何实现自己的社会价值是个更重要的问题。/pp　　以前我们买过一台国产的光谱椭偏仪，比较简单的那种，手动调整入射角，手动调平样品，低功耗氙灯提供可见光波段扫描，是上海三科生产的，我们用了四年，一直没什么问题，觉得挺好用。最近因为技术问题想找这家公司，联系到以前的胡经理，他说这个仪器恐怕以后买不到了。我很诧异，忙问为什么，胡经理说原来做这个仪器的几位老工程师都退休了，没人做了，这个牌子没了。其实早几年前三科公司就已经被上海天美收购了，但是三科一直相对独立，虽然天美一直在劝说几位老工程师把技术传承下来，但最终未能成功，胡经理表示很遗憾。同类型的进口产品是国产的至少两倍价钱，我们要再买就要多花很多钱。这样一个不错的仪器就这样消失了，是国家的损失。/pp　　真正的学者一定是想方设法把自己的技艺传承下去的，比如，独孤求败把剑法刻在石壁上，剑宗的风清扬把剑法传给气宗的令狐冲。真正的学者最看重的不是钱财和名誉，而是自己的知识创造能够被更多的人接受和使用。所以准备把技艺带到棺材里的人不是真学者。科技人员对经济利益有诉求很正常，但传承才是他们的最大追求和责任，这是体现劳动者价值的最高形式。/pp　　我认识一位老教授，发明了一种透射电镜的制样方法，可以用来观察金属内部结构以及纤维、薄膜等特殊形貌的材料内部结构。这位老先生最为看重的名，他总认为国家不重视他的发明，但他的方法获得过国家奖，这就是重视，但国家那么大，不可能总把他当个宝贝似的老供着。老先生一直不愿意把方法交给别人，很可能最终也会带到XX里去了。我不知道他的技术值多少钱和多少赞誉，但是没有培养传承人，最终连知道的人都不会有了。/pp　　国家和地方政府的科技扶持政策都是瞄准听起来高大上的项目，像这种小仪器没有一个政府看得上，这些小公司得不到任何来自政府的支持，就靠几个工程师勉力维持，卖几台算几台。这些退休的老工程师以前都是上海光学仪器厂的，九十年代国企倒闭潮中这些有技术的人员都四散而去，成立了一些诸如上海三科的小公司，结果大致类似。在政府官员的政绩思维下，支持这些企业不会产生大的业绩，都希望在热点方向上投资以获得大业绩，但事实证明跟风投资和跟风科研一样不靠谱。假如给这些小企业扶持一下，他们会把仪器做得更好。但现实是，国产仪器一直停留在低端的大众仪器，稍微特殊一点的仪器就没有，为此中国不知道花了多少外汇去购买进口仪器。如此下去，国产仪器永远上不去。/pp　　基金委和科技部似乎都有仪器方面的大项目，但没听说这些经费支持出来什么好用的能够买得到的仪器。仪器开发的经费投入到研究所很可能打水漂，因为仪器开发需要综合性的技术和人员，而研究所和高校的项目承担人员专业基本是同类型的，所以很难做成仪器。十多年前我们曾经花40万委托成都一个研究所做镀膜机，结果拿给我们的东西在我看来是废铁，后来发现连里面的压电陶瓷驱动器都是假的。后来我们找了一个企业做同样的设备，做得非常漂亮。你想想，光中科院以光机光电为主业的研究所就有六个之多，但我们买精度高些的光谱仪还是要靠进口，因为我们的光栅不行，探测器不行，工业设计也不行。所以我做设备，绝对不会去找研究所做，一定要找好的企业做，因为企业对新的零部件跟踪很快，总能给我们找到好用的器件，他们的目的是多快好省解决问题，而科研人员做仪器要摆架子，要显得有多么高深，其实很多他们认为高深的问题在工厂的工程师看来很容易解决。/pp　　关于仪器，对于科研自然十分重要，而我们的钱袋子也很重要，什么时候我们可以用上好的国产仪器，不要让好的国货黯然离去，是不是也应该由政府支持一下和谐国产的小仪器公司?/pp style="text-align: right "span style="font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai "　　本文出自科学网徐耀老师博客：《令人惋惜的国产仪器》/span/ppbr//p

近日，理学（Rigaku）宣布推出ZSX Primus III NEXT，这款新型扫描波长色散x射线荧光光谱仪（WDXRF），不仅采用理学独特的管式配置，并基于ZSX Primus III+成功进行迭代升级，使其成为质量和生产控制等应用中通用XRF的理想选择。ZSX Primus III NEXTZSX Primus III NEXT作为一款扫描型波长色散x射线荧光光谱仪，与能量色散XRF（EDXRF）相比，具有更高的检测灵敏度和光谱分辨率；与常见的管下配置相比，X射线管位于分析样品上方，有效避免了松散粉末和灰尘的污染以及碎片损坏。污染减少，保障了光谱仪的正常运行时间，降低了维护成本。ZSX Primus III NEXT中最重要的升级是集成了数字多通道分析仪(D-MCA)，并对每个驱动单元的有效控制，将定量分析吞吐量提高了21%。这款光谱仪还结合了S-PC LE（轻型元件的气体保护比例计数器），无需为检测器安装检测气瓶，在分析过程中没有气体排放，从而降低了安装要求。除了仪器的功能和性能显著提高外，ZSX Primus III NEXT由理学的“ZSX Guidance”软件驱动，该软件也用于旗舰型号ZSX Primus IV 和 ZSX Primus IVi，允许共享应用条件。ZSX Guidance软件充分利用了D-MCA，提高了效率和精度。该软件也得到了提升，如自动获取和显示分析值中测量偏差的功能，能可靠地支持常规分析；调度器功能进一步简化了日常分析管理（自动启动+自动漂移校正），大大减少了分析操作前所需的准备工作量。此外，这款光谱仪还提供了与ZSX Primus IV和ZSX PrimusIVi兼容的行业特定应用程序包。在装运存储时校准曲线的“Pre-Calibration Package”，包含标准样品和分析条件的“Application Package”，以及专门用于某类产品SQX（无标准分析）的“Master Matching Library”，可帮助用户开启分析操作。Rigaku Holdings首席执行官Jun Kawakami表示：“ZSX Primus III NEXT标志着该产品线的发展，进一步证明了理学对持续改进和客户的承诺。我们还对该系统进行了定价，使其能够更好地达到这一级别的性能水平。”

p style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。/span/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体工艺检测的项目繁多，内容广泛，方法多种多样，可粗分为两类。第一类是半导体晶片在经历每步工艺加工前后或加工过程中进行的检测，也就是半导体器件和集成电路的半成品或成品的检测。第二类是对半导体单晶片以外的原材料、辅助材料、生产环境、工艺设备、工具、掩模版和其他工艺条件所进行的检测。第一类工艺检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "工艺检测的目的不只是搜集数据，更重要的是要把不断产生的大量检测数据及时整理分析，不断揭示生产过程中存在的问题，向工艺控制反馈，使之不致偏离正常的控制条件。因而对大量检测数据的科学管理，保证其能够得到准确和及时的处理，是半导体工艺检测中的一项重要关键。同时半导体检测也涉及大量的科学仪器，针对于此，对一些半导体检测的仪器进行介绍。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/537.html" target="_self"椭偏仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "目前，椭偏仪是测量透明、半透明薄膜厚度的主流方法，它采用偏振光源发射激光，当光在样本中发生反射时，会产生椭圆的偏振。椭偏仪通过测量反射得到的椭圆偏振，并结合已知的输入值精确计算出薄膜的厚度，是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术。在晶圆加工中的注入、刻蚀和平坦化等一些需要实时测试的加工步骤内，椭偏仪可以直接被集成到工艺设备上，以此确定工艺中膜厚的加工终点。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1677.html" target="_self"span style="text-indent: 2em "四探针测试仪/span/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能很高。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现良好接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻很高，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "薄膜应力测试仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单高效，适合常规Fab制程中进行快速QC，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "热波系统/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "热播系统主要用来测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片上同一点的两束激光在硅片表面反射率的变化量来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统内，一束激光通过氩气激光器产生加热的波使硅片表面温度升高，热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化，这一变化量正比于硅片中由杂质粒子注入而产生的晶体缺陷点的数目。由此，测量杂质粒子浓度的热波信号探测器可以将晶格缺陷的数目与掺杂浓度等注入条件联系起来，描述离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ECV设备/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "少子寿命测试仪/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。少子寿命测试仪可以直接获得长硅的质量参数。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/34.html" target="_self"拉曼光谱/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息并应用于分子结构研究的一种分析方法。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。半导体材料研究中，拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布，可测出半磁半导体的组分，外延层的质量，外延层混品的组分载流子浓度。span style="text-indent: 2em " /span/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/31.html" target="_self"红外光谱仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源，单色器，探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同，分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言，当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱法操作简单，不破坏样品，使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况，直接反映了半导体的许多性质，如确定红外透过率和结晶缺陷，监控外延工艺气体组分分布，测载流子浓度，测半导体薄层厚度和衬底表面质量。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "二次粒子质谱/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能，将样品表面原子溅出，由质谱仪测定二次粒子质量，根据质谱峰位的质量数，可以确定二次离子所属的元素和化合物，从而可精确测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "利用二次离子质谱对掺杂元素的极高灵敏度的特点，对样品的注入条件进行分析，在生产中可以进行离子注入机台的校验，并确定新机台的可以投入生产。同时，二次离子质谱对于CVD沉积工艺的质量监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有不可替代的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助CVD工程师进行生长条件的调节，确定最佳沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解，保证芯片的有源区的洁净生长，对器件的电性质量及可靠性起到至关重要的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的深度分布，来保证器件的电学性能达到设计要求。可以帮助LTD进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪以X射线为激发源。辐射固体表面或气体分子，将原子内壳层电子激发电离成光电子，通过分析样品发射出来的具有特征能量的光电子，进而分析样品的表面元素种类、化学状态和电荷分布等信息，是一种无损表面分析技术。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "这种技术分析范围较宽，原则上可以分析除氢以外的所有元素，但分析深度较浅，大约在25~100 Å 范围，不过其绝对灵敏度高，测量精度可达10 nm左右，主要用于分析表面元素组成和化学状态，原子周围的电子密度，特别是原子价态及表面原子电子云和能级结构。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线衍射/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有X射线衍射分析相同数量级，故由不同原子散射的X射线相互干涉，在某些特殊方向上产生强X射线衍射，衍射线在空间分布的方位和强度，与晶体结构密切相关，每种晶体所产生的衍射花样都反映出该晶体内部的原子分配规律。这就是X射线衍射的基本原理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体制造中的大部分材料是多晶材料，比如互连线和接触孔。XRD能够将多晶材料的一系列特性量化。这其中最重要的特性包括多晶相(镍单硅化物，镍二硅化物)，平均晶粒大小，晶体织构，残余应力。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光光谱/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量E≤Eg（能隙）的特征荧光谱。CL谱是一种无损的分析方法，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体量子肼、量子线、量子点等纳米结构的发光性能的研究。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1016.html" target="_self"轮廓仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "而利用先进的3D轮廓仪可以实现对硅晶圆的粗糙度检测、晶圆IC的轮廓检测、晶圆IC减薄后的粗糙度检测。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em font-size: 16px "AOI （自动光学检测）/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "AOI的中文全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是新兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "运用高速高精度视觉处理技术自动检测PCB板上各种不同贴装错误及焊接缺陷。PCB板的范围可从细间距高密度板到低密度大尺寸板，并可提供在线检测方案，以提高生产效率，及焊接质量。通过使用AOI作为减少缺陷的工具，在装配工艺过程的早期查找和消除错误，以实现良好的过程控制。早期发现缺陷将避免将坏板送到随后的装配阶段，AOI将减少修理成本将避免报废不可修理的电路板。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ATE测试机/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "广义上的IC测试设备我们都称为ATE（AutomaticTest Equipment），一般由大量的测试机能集合在一起，由电脑控制来测试半导体芯片的功能性，这里面包含了软件和硬件的结合。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要考虑的最多的，还是电子部分的参数比如，时间，相位，电压电流，等等基本的物理参数。就是电子学所说的，信号处理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "此外，原子力显微镜、俄歇电子能谱、电感耦合等离子体质谱仪、X光荧光分析、气相色谱等都可以用于半导体检测。而随着半导体制程工艺的进步，工艺过程中微小的沾污、晶格缺陷等都可能导致电路的失效等，半导体的工艺检测也凸显的越来越重要。/p

3月13日，国务院印发《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》，明确到2027年，工业、农业、教育、医疗等领域设备投资规模较2023年增长25%以上。《方案》明确了5方面20项重点任务，其中在实施设备更新行动方面，提到要提升教育文旅医疗设备水平，明确指出将“推动符合条件的高校、职业院校（含技工院校）更新置换先进教学及科研技术设备，提升教学科研水平；严格落实学科教学装备配置标准，保质保量配置并及时更新教学仪器设备……”以下为仪器信息网整理的高等职业学校光伏发电技术与应用专业仪器设备装备规范，以飨读者。表1 基础实验仪器设备装备要求实 训 教 学 场 所教学实训 目标仪 器 设 备序 号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准 代码备注合 格示 范电 工 电 子 实 验 室1.理解基 本电路原 理；2.会识读 电气图纸； 3.会根据 测量信号 分析电路 工作特性； 4.掌握常 用电子元 器件识别 的基本检测方法；5.掌握常 用电子仪 器仪表的 使用方法。1电 工 电 子 实 验 台1.能验证电路基本定理定律；2.具有基本电参数的测量功能；3.可完成 R、L、C 等电路元件的特性分析及 电路实验；4.具备单相、三相交流电路的实验功能；5.具有模拟电子电路、 具有数字电子电路的 实验功能；6.具有漏电保护功能。台10202万用表1.直流电压： （0～25）V；20000Ω/V （0～500）V；5000Ω/V； ±2.5%；2.交流电压：（0～500）V；5000Ω/V；±5.0%； 3.电阻： 量程，0～4kΩ~40kΩ~400kΩ~ 4MΩ~40MΩ 25Ω 中心； ±2.5%；4.音频电平： -10dB～+22dB。台10203信号发 生器1.频率范围： 0.1Hz～1MHz；2.输出波形： 正弦波、方波、三角波、脉冲 波；3.输出信号类型： 单频、调频、调幅等； 4.外测频灵敏度：100mV；5.外测频范围： 1Hz～10MHz；6.输出电压： ≥20Vp-p(1MΩ) ，≥10Vp-p(50Ω)；7.数字显示； TTL/CMOS 输出；台10204双踪示 波器1.频宽： 20MHz；2.偏转因数： 5 mV/div～20 V/div； 3.上升时间： ≤17 ns；4.垂直工作方式： CH1、CH2、ALT、CHOP、 ADD ；5.扫描时间因数： 0.2μs/div～0.5s/div； 6.触发方式： 自动、常态、TV-H、TV-V；7.触发源： 内(CH1,CH2,交替)、外、电源； 8.触发灵敏度：内触发不小于 1div，外触 发不小于 0.5Vp-p。台10205交流毫 伏表1.测量范围： 0.2mV～600V；2.频率范围： 10Hz～600kHz；3.电压测试不确定度： ±1%；4.输入阻抗： 1MΩ。台1020表2 基础实训仪器设备装备要求实 训 教 学 场 所教学实训 目标仪 器 设 备序 号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准 代码备注合 格示 范电气控制与PLC控制实训室1. 了解单 相、三相 交流电机 的基本电 气控制原 理 与 方 法 。 2. 掌 握 电气系 统 一般故 障的产生 原因与故 障排除方 法；3. 熟 悉 PLC 基 本 指令编程 方法，掌 握 用 PLC 控制简单 对象的方 法 和 技 能。1电气控 制 与 PLC 控 制实验 装置1.具有可靠的漏电保护功能；2.配有常用低压电器，可在该装置上完成 低压电器控制实验实训项目；3.采用可编程逻辑控制器进行控制实训项 目；4.输入电源：三相四线制，380V±38V， 50Hz；单相 ，220V±22V，10A，50Hz；直 流电源，24V/2A；5．I/O 点＞20；6.可进行 PLC 硬件接线与软件编程功能， 能对 PLC 进行安装与维护操作；7．有可用 PLC 控制的控制对象，实现其动 作执行；8．有可供开放式连接的按钮及 I/O 量和模 拟量输入传感器。套1020电力电子实训室1.理解常 见电力电 子器件工 作原理； 2.理解常 见整流电 路工作原 理；3.理解逆 变电路工 作原理。1电力电 子实训 装置1.具有可靠的漏电保护功能；2.可进行单相、三相不可控整流电路连接 与测试实验；3.可进行单相、三相可控整流电路连接与 测试实验；4.可进行单相桥式有源逆变电路实验； 5.可进行单相交流调压电路实验；6.可进行三相交流调压电路实验；7.可进行六种直流斩波电路(Buck、Cuk、 Boost、Sepic、Buck-Boost、Zeta)的电路 实验；8.可进行单相交直交变频电路实验；9.可进行正弦波(SPWM)逆变电路实验； 10.可进行全桥 DC/DC 变换电路实验。台1020表3 专业实验仪器设备装备要求实 训 教 学 场 所实训教学目标仪 器 设 备序 号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准代码备注合格示范光 伏 原 理 及 应 用 实 验 室1. 了解光照 条件和其它环 境因素对太阳 能电池发电量 的影响；2.了解光伏产 业链不同环节 的生产工艺流 程；3.了解光伏发 电的应用；3.理解控制器、蓄电池、 逆变器的工作 原理，掌握其 使用方法；4.能进行光伏 发电系统的安 装与调试；5.能进行太阳 能电池的电性 能测试。1光伏电 池特性 测试仪1.能测试不同光强度下完整的 I-V 曲线、P-V 曲线、开路电压和短路 电流；2.能测试太阳能电池负载特性及转 换效率等。台20402太阳光 测试仪1.具有检测太阳光强度的功能；2.具有检测太阳光有效辐射 的功 能；3.具有检测分析太阳光光谱 的功 能。套10203环境检 测仪能够检测风速、温度、露点、湿度、 气压、海拔高度等环境参数套124光伏产 品展示 柜（室）1.展示硅砂、工业硅、太阳能级硅、 硅块、硅棒、硅片等原材料；2.展示各型电池片；3.展示单晶硅、多晶硅和非晶硅等 光伏组件以及其它类型光伏电池；4.展示典型光伏产品，如： 太阳能手电筒、太阳能充电器等；5.光伏产业工艺流程展示图。套115光伏发 电实验 装置1.系统包括：光伏组件、控制器、 逆变器、蓄电池、光源和负载；2.系统各部件之间相对独立，可根 据实验要求连接；3.能进行光伏发 电原理 的相关实 验，包括 I-V 特性曲线实验、直流 负载实验、充放电实验、逆变和交 流负载实验。套1020光伏系统安全 应符合GB/T 20047.1-2006表3 专业实验仪器设备装备要求(续)实 训 教 学 场 所实训教学 目标仪 器 设 备序 号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准 代码备注合 格示 范光 伏 材 料 检 测 实 验 室1.能进行硅 片的外观特性检测；2.能利用冷 热探针法测 量半导体类型；3.能利用四 探针电阻率 测量法对半 导体材料电 阻率及薄层 电阻进行检测；4.能进行单 晶硅、非晶 硅的非平衡 少数载流子寿命的测量；5.会对硅片 制绒时的绒 面，丝网印 刷时的栅线 宽度等进行 检测；1游标卡尺测量范围： 0mm～200mm；测量精度：机械游标卡尺 0.02mm；数显游标卡尺 0.01mm。把4040示范数显游标卡尺不少于20把2翘 曲 度 测 量仪翘曲度测量范围:1μm～20μm； 重复精度：0.5%；测量参数：曲率半径、晶圆弯曲高 度、翘曲度。台23P-N 型测试 仪测量范围：电阻率： 0.01Ω ²cm～200Ω ²cm功耗：≤30W。台5104四 探 针 电 阻 率 测 试 仪数字电压表量程：0 mV～199.999mV；灵敏度： 1μV；输入阻抗： 1000MΩ 可测电阻范围： 1μΩ~1MΩ 可测硅片尺寸：Φ15 mm~Φ200mm。台5105半 导 体 少 子 寿 命 测 量仪寿命测试范围： ≥2μs；光脉冲发生装置：重复频率≥25 次/s；脉宽≥60μs；光脉冲关断时间≤5μs；红外光源波长：1.06μm～1.09μm；低输出阻抗，输出功率≥1W； 配用示波器：频带宽度不低于 10MHz。台11表3 专业实验仪器设备装备要求(续)实 训 教 学 场 所实训教学目 标仪 器 设 备序 号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准 代码备注合 格示 范光 伏 材 料 检 测 实 验 室6.会根据单 晶硅和多晶 硅太阳能电 池的电性能 参数进行分 选。6电子天平量程： ≥100g；精度： ≤0.01g；称盘尺寸： ≥150mm³200mm。台127金 相 显 微 镜物镜倍数： 5X、10X、20X、50X、 100X；目镜倍数： 10X；观察功能： 明场、高级暗场、圆偏 光；可配图像分析系统(摄像头、图像 分析软件)。台5108太 阳 能 电 池分选机光谱范围：应符合 GB/T 6495.9－2006（等级 A）要求；辐照强度调节范围：70 mW/cm2～120mW/cm2；辐照不均匀度≤3%；辐照不稳定度≤3%；测试结果一致性≥99%；电性能测试误差≤2%；有效测试面积≥125mm³125mm； 有效测试范围：0.1W～5W；测试参数：短路电流、开路电压、 最大功率、最大电流、填充因子、 转换效率、测试温度。台129椭偏仪光源：氙灯；波长范围：250 nm～830nm； 波长分辨率：1.0 nm；入射角范围：20º~90º 入射角精度：0.001º 椭偏参数精度：D ±0.02º、 Y ±0.01º 光学常数精度优于 0.5% 膜厚准确度： ±0.1nm。台12表4 专业实训仪器设备装备要求实 训 教 学 场 所实训教学 目标仪 器 设 备序号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准代码备注合 格示 范光 伏 组 件 加 工 实 训 室1.了解光 伏组件的组成；2.了解光 伏组件的 生产工艺流程；3.掌握电 池片切割、 测试、焊 接、串接、 敷设、组件 层压、修 边、装框、 接线盒安 装等操作方法；4.掌握光 伏组件光电性能的 检测方法； 5. 掌 握 异 常情况下 的处理方 法。1激光划 片机激光波长： 1.064μm；激光重复频率： 200Hz～50kHz；激光功率： ≥20W；划片线宽：≤300μm；最大划片速度：≥100mm/s；划片精度：≤10μm工作电源： 380V（220V）/50Hz使用电源功率：≥2.5kVA。台122焊接工 作台主、副台面表面铺设专用防静电 毯；带抽气系统， 每个工位配有电源插 座；需配串焊工作台， 用于电池片的焊 接；PID 温度控制， 温度均匀， 任意调 整；配备 125、156 两种电池片焊接模 板。台483光伏电 池组件 层压机层压面积：≥400 mm³600mm；层压高度：≥25 mm；电源 ：交流 380V，三相五线；需要的压力： 0.6 MPa～1.0 MPa；设备总功率：≥25 kW；操作控制方式：手动/半自动；加热方式:油热方式或电热方式； 工作区温度均匀性: ≤3℃ 温控精度: ≤1.5℃ 温控范围:常温～180℃ 抽气速率:30L/s～70L/s；层压时间: ≤14min（含固化时间）；作业真空度:200 Pa～20Pa；抽空时间: ≤6min。台11表4 专业实训仪器设备装备要求(续)实 训 教 学 场 所实训教学目 标仪 器 设 备序 号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准 代码备 注合 格示 范光 伏 组 件 加 工 实 训 室同上4光伏电池 组件测试 仪光谱范围符合 GB/T 6495.9－2006（等级 A）要求；可测电池组件尺寸： ≥2000mm³1100mm； 功率测试范围： 1W～300W；光源：高能脉冲氙灯；光强： 70mW/cm2～120mW/cm2；光管寿命：≥100000 次；辐照不均匀度：≤3%；辐照不稳定度：≤2%；测量范围：电压 0V～100V、电流 0A~ 20A；测量误差：≤1%；电源要求： 220V/50Hz/2kW；测量参数：短路电流、开路电压、最大 功率、最大电流、填充因子、转换效率、 测试温度。台115光伏电池 装框机组框铆角一体；组框长度： 350 mm～2100mm；组框宽度： 350 mm～1200mm。台116焊带裁剪 机钢结构，带打折弯装置和动力放料架。台117裁剪台钢化玻璃工作台面；内有定长钢尺；用于完成 EVA、TPT 铺设前的裁剪。台248光伏组件 分选台台面贴绿色防静电胶皮，带日光灯照明。台249电 池 阵 列 铺设检测 台光源：碘钨灯；光强： 100mW/cm2能对钢化玻璃、串焊好的硅片组、 EVA、 TPT 背板纸进行铺设、检查；底部安装防火板，装有普通节能照明灯； 可测试组件电流、电压。台2410观测架（观 察镜）铝合金框架，镜面 45°可调；用于完成铺设后层压前的电池片位置检 查。台24表4 专业实训仪器设备装备要求（续）实 训 教 学 场 所实训教学目标仪 器 设 备序 号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准代码备注合 格示 范光 伏 发 电 技 术 实 训 室1. 了解光伏 跟踪系统的 原理、组成； 2. 了解风光 互补发电系 统的组成；3.了解离网、 并网光伏发 电系统的组 成；4.理解风光 互补控制原 理；5. 掌握离网 和并网光伏 发电系统的 连接、调试方 法；6. 掌握跟踪 系统的安装 调试方法；7. 掌握风光 互补控制系 统电气安装 方法。1自动跟 踪太阳 能发电 系统实 训装置1.系统构成：光伏发电子系统、跟踪与控 制子系统、并网子系统；2.系统要求： 各子系统及部件相对独立， 可根据实训要求连接电路；光源可模拟太 阳运动轨迹；光伏电池组件具有单轴、双 轴跟踪功能；3.主要功能：能完成单轴、双轴跟踪实训 项目；能完成离网光伏发电实训项目；能 完成并网光伏发电实训项目。套48太阳模拟器性能 应符合 GB/T6495.9－2006、 光伏系统安全应 符合 GB/T20047.1-20062风光互 补 发 电 实训装 置1.系统组成：风力发电子系统（包括风源 和风力发电机）、光伏发电子系统（包括光 源和光伏电池组件）、风光互补控制系统和 负载（包括阻性负载、感性负载、单相负 载、三相负载）；2.系统要求：能对室内的风源进行风速、 风向控制；能对室内光源的光照强度进行 控制； 各子系统及部件相对独立，可根据 实训要求连接电路；3.主要功能：能完成风光互补发电实训项 目。套24表4 专业实训仪器设备装备要求（续）实 训 教 学 场 所实训教学目标仪 器 设 备序 号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准代码备注合 格示 范分 布 式 发 电 系 统 实 训 室1. 了解分布 式发电系统 的工作原理； 2. 了解分布 式发电系统 的电气系统 的组成；3. 了解分布 式发电系统 并网过程；4.理解分布 式电源并网 控制原理；5.熟悉分布 式电源 的运 行特点；6. 掌握分布 式光伏发电 系统的连接、 调试方法；6. 掌握分布 式光伏发电 并网调试。1分布式 光伏发 电 并 网 应 用 系 统1.系统组成：光伏发电子系统、光伏逆变 系统、并网控制系统，气候采集系统；2.系统要求：各子系统及部件相对独立，可根据实训要求连接电路；光伏电池组件 的容量大于 3kWp；光伏逆变器有防止逆流 装置；并网控制系统可监控系统各节点参 数；3.主要功能：能完成分布式光伏发电系统 调试实训项目；能完成分布式光伏发电并 网实训项目。套11光伏发电子应系 统符合GB/T 29319-2012、 光伏逆变系统应 符合 UL1741-2001、光伏发电子系统 应符合IEC 62109-1-20102数字示 波器1.重复带宽≥100MHz；2.采样率≥1.25 GSa/s；3.记录长度≥10kpts；4.输入通道≥2；5.高压探头≥1；6.电流探头≥1。台123电能质 量 分 析 仪1.测量频率： 45 Hz～55 Hz；2.最大电压： 1000V；3.电流： 5A，其他量程可以根据电流钳要 求选配；4.具备电压、 电流、频率、谐波、功率和 能量、闪变和三相不平衡度检测功能等。台—1注：“- ”表示不要求。表4 专业实训仪器设备装备要求（续）实 训 教 学 场 所实训教学目标仪 器 设 备序 号名称规格、主要参数或主要要求单 位数量执行标准代码备注合 格示 范智 能 微 电 网 实 训 室1. 了 解 微 电 网的概念；2. 了 解 微 电 网的一般组 成；3. 了 解 微 电 网的关键技 术；4 ．掌握典型 微电网连接、 调试方法；5. 掌 握 典 型 微电网的运 行流程、并网 和离网运行 切换过程；6. 了 解 微 电 网能量管理 系统设计策 略。1智 能 微 电 网 平 台1.系统组成光伏发电子系统、其他分布式能源（风 电、生物发电等）、同步发电系统、储能系 统、并网子系统、负载、集中控制系统；2.系统要求各子系统及部件相对独立，可根据实训 要求连接电路；至少含两种以上的分布式发 电源和一种以上的储能装置；各子系统配置 有逆变器并受中央控制系统控制；各子系统 可采集有关键数据（电压、电流）输送到中 央控制系统；3.监控与能量管理功能a) 数据采集借助以太网通讯和电压、电流互感器、 传感器对各分布式发电源、能量转换系统、 公共连接点、储能、保护、负荷开关等关键 设备的运行、故障和配置等电气信息进行采 集；b) 设备运行状态监测对发电设备和储能设备，各种断路器、 隔离开关、逆变装置进行状态监测；c) 微电网能量管理策略设定集中控制系统可以进行远程控制微电网 运行策略,例如并网运行、离网运行、经济运 行。4.实训功能要求能完成微电网并网运行实训项目；能完 成微电网、离网运行实训项目；能完成微电 网离网、并网切换实训项目；能完成协调多 种分布式电源及储能装置稳定可靠运行实训。套—1并网子系统应符 合GB/T19939-2005同步发电系统应 符合IEEE1547-2003、储能系统应符合IEC61427-1-2013注：“- ”表示不要求。

2012年12月20日-21日，HORIBA Scientific在北京应用中心举办了期椭圆偏振光谱仪应用培训班，来自于全国各地的HORIBA椭偏用户参加了此次活动。 本期培训活动由本公司资深应用工程师主持，不仅深入浅出地给大家介绍了椭圆偏振光谱仪的原理、建模拟合、样品建模拟合方法基础等理论知识，而且还上机对样品测量及数据处理进行实际演练。 通过此类培训活动，我们旨在为广大用户提供一个学习交流的平台，对大家在日常工作中遇到的问题进行答疑解惑。更重要的是，为广大用户之间的交流提供了一个的广阔的平台。 我们会定期举行类似活动，请关注我们的网站、微博、以及邮件通知。

Cinogy光束质量分析仪—角度响应校准：应用于大角度发散角的激光光束测量1.1 应用范围有不同种类的应用需要考虑角度响应。这些应用大多使用(非常)发散的光束。在这种情况下，我们在一幅图像中有连续的入射角范围。照相机的灵敏度取决于激光束的入射角，这是由过滤器和传感器造成的。1.2 角度线性原因1.3过滤器这里，我们将只考虑吸收滤波器。如果光束没有垂直入射到滤光器上，则通过滤光器的路径较长。较长的路径导致较强的吸收，因此相机(滤光片和传感器)的响应较低。与过滤器相关的效果是各向同性的。但是，如果滤光器相对于传感器倾斜(取决于相机型号)，则会在滤光器倾斜的方向上产生各向异性。入射角αin的线性透射可以用数学方法描述，如果透射指数为垂直光束T0和折射率n已知。因为对吸收性滤光片来说，T0与波长有很大的线性关系，与入射角度有关的相对透射率Trel也与波长密切相关。1.4 传感器角度响应取决于传感器技术、传感器类型、波长和微透镜。通常它不是各向同性的。图1:KAI-16070对单色光(未知波长)的角度线性灵敏度。参考:KAI-16070的 数据表图2 CMX4000白光的角度线性灵敏度如这些示例所示，对于不同类型的传感器，角度响应可能完全不同。因为这种效应还 取决于波长和单个传感器(每个传感器表现出稍微不同的行为)，取决于波长的校准是必要的。两个传感器都显示出各向异性。为了考虑校准中的各向异性，需要比仅在x和y方向上更复杂的测量。2 涂层通过一种特殊的涂层，我们可以消除(主要是抑制)传感器本身的角度产生。剩余的影响角度的灵敏度是由滤波器引起的。这产生了以下主要优点:1）剩余的角度响应是各向同性的，这意味着它不再取决于入射角的方位角。2）剩下的角度响应的校正系数更小，因此更不容易出错。下面的图表显示了CinCam cmos Nano 1.001在940nm下的两个角度响应测量值，前面有CMV4000传感器和OD8吸收滤光片。第1张图表中的摄像机采用默认设置，没有特殊涂层。图3:CMV 4000传感器在x(蓝色)和y(橙色)方向的角度响应，前面有OD8吸收滤光片，在940nm处测量。上半部分显示相对角度响应，下半部分显示测量点和蕞佳拟合曲线之间的相对偏差。第二张图中的相机是用特殊涂层制作的。图4:CMV 4000传感器在x(蓝色)和y(橙色)方向的角度响应，该传感器具有特殊涂层，前面有OD8吸收滤光片，在940纳米处测量。上半部分显示相对角度响应，下半部分显示测量点和蕞佳拟合曲线之间的相对偏差。这里，角度响应是各向同性的、平滑的，对于大角度，下降效应不太明显。CinCam CMOS Nano Plus-X针对传感器和外壳正面之间的极短距离进行了优化。这使得入射角度高达65°时的角度响应测量成为可能。3 角度响应的拟合函数拟合函数是Zernike2多项式，其中入射角的正弦用于半径。这些多项式为入射角的任意方向提供了x和y方向的简单插值。用这种方法，我们可以用少量的系数描述高达±60度的测量结果。4 均匀性由于生产原因，涂层并不在任何地方都具有完全相同的厚度。这导致照相机灵敏度的不均匀性增加。这个缺点通过进一步的均匀性校准来补偿。图5:940纳米无涂层传感器(紫色)和均匀性校准后(绿色)的相对灵敏度。5 精度整体精度取决于以下几点:1）拟合精度。2）角度响应的各向同性。3）垂直光束位置(x，y)的精度。4）顶点到传感器的光学距离的精度(z)。5）蕞大角度下的角度响应下降。通过特殊的涂层，我们可以提高拟合精度和角响应的各向同性。此外，大角度灵敏度的相对下降要弱得多。6 RayCi中的校正要求为了根据角度响应校正图像数据，必须满足以下要求：1）角度响应校准数据必须可用于每个波长。该数据由蕞佳拟合的Zernike多项式系数组成。2）为了生成从每个像素到相应入射角的映射，必须知道光束垂直的x和y传感器位置。3）需要传感器和激光焦点位置之间的光学距离。4）CINOGY Technologies提供外壳和传感器之间的光学距离作为额外的校准数据。5）外壳和焦点之间的距离必须由用户提供。6）软件版本必须是RayCi 2.5.7或更高版本。 昊量光电提供的德国Cinogy公司生产的大口径光束分析仪，相机采用CMOS传感器，其中大口径的CMOS相机可达30mm，像素达到惊人的19Mpixel。是各种大光斑激光器、线形激光器光束、发散角较大的远场激光测量的必不可少的工具。此外CinCam大口径光束分析仪通用的C/F-Mount 接口设计，使外加衰减片、扩束镜、紫外转换装置、红外转换装置更为方便。超过24mm通光孔径的大口径光束分析仪CinCam CMOS-3501和CinCam CMOS-3502更是标配功能齐全的RayCi-Standard/Pro分析软件，该软件可用于光束实时监测 、测量激光光斑尺寸 、质心位置、椭圆度、相对功率测量（归一化数据）、二维/三维能量分布（光强分布） 、光束指向稳定性（质心抖动） 、功率稳定性 （绘制功率波动曲线）、发散角测量等 ，支持测量数据导出 ，测试报告PDF格式文档导出等。主要特点： 1、芯片尺寸大，可达36mm 2、精度高，单像元尺寸可达4.6um 3、支持C/C++, C#, Labview, Java语言等多种语言二次开发主要技术指标：RT option: CMOS/ccd-xxx-RT：响应波长范围：320~1150nmUV option:CMOS/CCD-xxx-UV：响应波长范围：150nm~1150nmCMOS/CCD-xxx-OM：响应波长范围：240nm~1150nmIR option:CMOS-xxx-IR：响应波长范围：400~1150nm + 1470nm~1605nm 关于昊量光电昊量光电 您的光电超市！上海昊量光电设备有限公司致力于引进国外先进性与创新性的光电技术与可靠产品！与来自美国、欧洲、日本等众多知名光电产品制造商建立了紧密的合作关系。代理品牌均处于相关领域的发展前沿，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及前沿的细分市场比如为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先进激光制造等。我们的技术支持团队可以为国内前沿科研与工业领域提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务，助力中国智造与中国创造! 为客户提供适合的产品和提供完善的服务是我们始终秉承的理念！

中国人做事喜欢“谋”、“布局”、“造势”等等听起来似乎很厉害的策略或手段，人们最津津乐道的莫过于神机妙算的诸葛亮，实际上诸葛亮的失败恰恰在于“谋”的太多，没有让时间发挥作用。在现代科学技术领域，什么事情应该由政府主导来“谋”，什么事情应该让市场调节也就是让时间发挥作用，这是个重要的社会管理问题，要让政府主导和市场调节相得益彰、平衡发展。　　拿液晶显示产业来说，2008年至今我国在这个行业已累计投入1.3万亿，液晶显示器的产能达到全世界的60-70%，但是五年前全行业供应链的国产化率只有5%，在突破卡脖子技术政策引导下，目前达到20%国产化率，比之20年前日本接近100%的国产化率相差甚远，时至今日，这个产业链中赚钱最多的还是日本。造成这种局面的原因很复杂，万变不离其宗，无非是客观和主观。客观上，我国全产业链技术落后是主要原因；主观上，不相信自己人能干出来，不给国内供应商机会，这是次要原因。据一位液晶显示行业的资深投资人讲，这个行业是2008年全球经济危机给我国提供了机会，并非我们技术进步和提供市场的必然结果，大批生产线建立起来，大批原料进口过来，日韩工程师大批挖过来，东西自然可以做出来，本质还是大型加工厂，原创或者进口替代的东西占比不大，主要利润还是被国外的材料供应商和设备供应商赚取。这种情况在不显山不露水的科研仪器行业也是如此，因为用仪器的人主要目的是把论文发到国外去，不认为中国的仪器可以或者应该承担这个“工具”角色。　　以前我们买过一台国产的光谱椭偏仪，属于基本款，手动调整入射角，手动调平样品，低功耗氙灯提供可见光波段扫描，很好用，但原来做这个仪器的几位老工程师退休后，没人做了，这个牌子和产品都没了。同类型的进口产品是国产的至少两倍价钱，我们要再买就要多花很多钱。由此可见，国产仪器在仪器市场里只是个可有可无的角色，连舞台上跑龙套的都比不上。假如给这些仪器企业扶持一下，他们会把产品做得更好。国产仪器一直停留在低端的大众仪器，稍微特殊一点的仪器就没有。确实，国产仪器做得不够好。　　先进仪器应该怎么做和谁来做呢？看看发达国家，各种专业的科学家和工程师都在参与仪器设计和制造。我国具有事业单位属性的以光机电为主业的研究所有很多，但这些单位没有给自主品牌的商用光谱仪贡献任何力量，我们的光栅不行、探测器不行、元件加工不行、工业设计也不行，因此光谱仪不行。这些问题的解决首先要有科学家提供的原理设计，再有材料的配合和各专业工程师的合作，才有可能做出来市场认可的仪器。　　来自于政府的资金应该支持特殊行业所需要的特殊仪器，也许几十年就需要一台的那种，这种仪器不可能变成商品。谁受益谁投入是经济上通行的原理，商品化的仪器理论上讲不应该由政府投入研发，因为直接受益的是企事业单位。企业做仪器比研究机构的优势在于可以灵活组织不同专业的人才，成功率更高。十多年前我们曾经花四十万委托一个研究所做涂膜机，结果拿给我们的东西是废铁，因为技术设计有问题。十年后我们找企业用同样的钱做同样的设备，做得非常漂亮。从此以后我做设备，基本不会去找研究所，一定要找好的企业做，因为企业对新的元器件、新的加工技术、新材料的应用、软件的升级换代跟踪很快，总能给我们找到好用又便宜的方案。　　科研仪器是个巨大的市场，而且在我国是个不充分竞争的市场，由于国产仪器实力弱，事实上中国采购者对进口科学仪器基本上没有议价能力。甚至，某些细分领域还会形成内外勾结抬高价格的现象，在缺乏强有力的国产仪器参与时，再严格的政府采购管理也无济于事。　　科学仪器对于科研自然十分重要，而我们的钱袋子也很重要，不计成本的科研没有意义。国家投入大量经费购买进口仪器，二三十年前为不得已，现在经济总量跃居世界第二了，整体工业技术也有了明显提高，如果还是这样对待国产仪器，认为中国人做不好仪器，那就要么是没有“谋”这个事，要么就是利益使然。要想解决这个问题，其实不难，在政府的长远规划下，有组织地让科学家和仪器公司合作起来，提高对仪器公司的重视，让仪器公司在国家精密仪器发展战略里有更多话语权，因为发展科学仪器本质上是商业，而不是科学家的科研计划，只要属于商业，就要让时间起到沉淀技术的作用，让市场发挥资源调节和利益分配的作用。　　首先，把政府各部门投入到科研机构的仪器相关研究经费投入到仪器市场，用来补贴在国产仪器领域发力的企业。企业做事不需要政府立项，该做哪些开发和改进，企业自己会判断和投入，有成果后，政府给予奖励性补贴，这样可以极大促进企业的研发动力。事后奖励要按照仪器的销售情况和科学价值而定，绝不能以项目的方式预先拨付，引入服务于政府的第三方评估后，可以大大降低企业拿钱不干事的风险。　　其次，大幅度降低进口仪器采购预算，对进口仪器的需求严格审核，因为这二三十年内重复采购已经非常严重，很多尖端仪器由于使用单位水平低下而发挥不了应有的作用。　　最后，要求政府采购中逐步提高国产仪器比例，给国产仪器一些技术试错和服务国家的机会。这要求采购方转变观念，科学家想想，如果自己的科研成果只是用先进仪器堆砌的数据给别人工作一些跟风式补充，那这些工作比亚非拉穷国的科研高明不到哪里，他们缺的只是先进仪器而已。反观一下诺奖，哪个是靠先进仪器做出来的？欲工其事，先利其器，这是采购方的逻辑，如果从原始创新的角度看，不是如此。　　以上是政府可以做到的引导性政策，其他交给企业，卖不出去的仪器企业是不会干的，我相信再过二十年，我们一定可以用上好的国产仪器。

为提高用户操作水平，加强与用户的交流，ATAGO(爱拓) 近日在东莞举办多波长阿贝折射仪安装调试用户培训。ATAGO应用工程师一行三人在位于东莞市东城区的广东省计量科学研究院东莞分院测试中心面向计量院测试中心用户培训多波长数显阿贝折射仪的安装调试及维护保养、使用注意事项等内容。 图为安装调试好的DR-M4/1550多波长数显阿贝折射仪 这次培训的仪器是ATAGO（爱拓）公司最新研制的DR-M4/1550多波长数显阿贝折射仪，计量院测试中心主要用于测量眼镜镜片的阿贝数，方便对镜片质量的鉴定。ATAGO（爱拓）多波长数显阿贝折射仪的主要特点是可以测量不同波长下的折射指数或阿贝数(vd 或 ve) ，波长范围从450至1550nm，且能在液晶屏幕上数字显示折射指数与阿贝数，极大地提高了工作效率。被广泛的应用到电子胶水、液晶面板、镜片等材料的检测上。 图为广东省计量科学研究院东莞分院办公楼和测试中心外景 通过对培训的调查，大多数客户都希望能增加培训的次数，多讲解实际操作时发生的案例。今后，ATAGO（爱拓）中国将继续努力，将用户培训越办越好。 　　更多有关ATAGO(爱拓)全线折射仪，旋光仪，糖度仪产品资料及应用技术的资料 请密切关注日本ATAGO 中国分公司网站： www.atago-china.com　　ATAGO(爱拓)是专业的折光仪，折射仪与旋光仪生产厂商，生产多种类型的折光仪/折射仪及旋光仪。提供生产原料及成品的Brix值、折射率、盐度、糖度、物质浓度、旋光度的测量方案!　　详情请点击 www.atago-china.com　　或致电020-38108256　　ATAGO(爱宕)中国分公司咨询

当今社会，各行各业，就连我们的生活，也被智能化，集成化所包围，一键式操作，简单、方便、省时，成为快节奏生活中的必备功能。为了赶此潮流，近来HORIBA科学仪器事业部也推出了一款高度自动化、集成化的仪器：一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE——新型的全自动薄膜测量分析工具。它具体体现在哪些方面呢？接下来我们一起见证。一键式全自动快速椭偏仪 Auto SE 采用工业化设计，操作简单，可在几秒钟内完成全自动测量和分析，并输出分析报告。是用于快速薄膜测量和器件质量控制的理想解决方案。另外，还可进行自动 MAPPING 扫描，进而能够准确分析样品镀膜均匀性全自动集成度高，安装维护简便。另外液晶调制技术，无机械转动部件，重复性好，信噪比高。成像技术，所有样品均可成像，对于透明样品,自动去除样品的背反射信号,使得数据分析更简单.反射式微光斑，覆盖全谱段，利于非均匀样品图案化样品测试。光斑全程可视化。光说不练假把式，奉上仪器参数信息，供各位鉴赏：1. 光谱范围：450-1000 nm2. 多种微光斑自动选择3. 光斑可视技术，可观测任何样品表面4. 自动样品台尺寸：200mmX200mm；XYZ方向自动调节 Z轴高度35mm5. 70度角入射6. CCD探测器HORIBA科学仪器事业部结合旗下具有近 200 年发展历史的 Jobin Yvon 光学光谱技术，HORIBA Scientific 致力于为科研及工业用户提供先进的检测和分析工具及解决方案。如：光学光谱、分子光谱、元素分析、材料表征及表面分析等先进检测技术。今天HORIBA 的高品质科学仪器已经成为全球科研、各行业研发及质量控制的首选。

光学镀膜材料在太阳能行业应用广泛：由化学气相沉降法生成的氧化锌涂层，自然形成金字塔形表面质地，在薄膜太阳能电池领域被用于散射太阳光。将不同折射系数的高分子材料排列组成的全息滤光镜，将太阳光在空间上分成不同颜色的色带（棱镜一样），将不同响应波长的光伏电池调到每个波长的焦距处，从而形成一种新型的多结太阳能电池。位于硅太阳能电池前部的纳米圆柱形硅涂层起米氏散射的作用，因此增加了在更宽入射角范围和偏振情况下的光被太阳能电池的吸收。曲面型光电模块的渲染和原理图。3M可见镜膜能够使模块在可见光区表现为镜像，而在近红外光区变为黑色。对于所有的光学涂层——特别是那些非垂直角度接收阳光或者阳光入射的涂层，表征波长、角度和偏振测定的反射和入射就尤为关键。PerkinElmer公司的自动化反射/透射附件ARTA，可以测定任何入射角度、检测角度、S和P偏振光在250-2500nm的范围内的谱图，从而告诉我们：所有的入射光都去哪儿啦？装备了ARTA的LAMBDA紫外/可见/近红外分光光度计样品3M可见光镜膜：吸收紫外光，反射可见光，透过红外光。仪器PerkinElmer公司的LAMBDA 1050+紫外/可见/近红外分光光度计。150mm积分球，Spectralon涂层积分球包含硅和InGaAs检测器，检测样品200-2500nm的范围内的总透射谱和总反射谱。装备了150mm积分球的LAMBDA紫外/可见/近红外分光光度计ARTA，配备PMT和InGaAs检测器的积分球（60mm），能在水平面上围绕样品旋转340°，进行角度分辨测量。3M薄膜固定在ARTA样品支架上的照片实验结果用150mm积分球附件测量的3M薄膜的总反射和总透射谱图。薄膜在750nm附近具有预期的突变，在此处有将近100%的可见光反射率和约90%的红外光透射率。3M薄膜对于s（左图）和p（右图）偏振光的角度分辨反射谱图。对于所有的偏振情况，直至50˚的范围内反射到透射的转变都很急剧，但是有轻微的蓝移。对于入射角在约50˚以上的情况，s偏振光的转换终止，并且薄膜开始失去对光谱的分光功能。这种情况的一个明显后果就是在冬天或者纬度高于30˚的区域的夏季月份，曲面型光电镜片的工作效率都很低。更多详情，请扫描二维码下载完整应用报告。

▲图 | 太赫兹扫描隧道显微镜系统（来源：资料图）太赫兹，是介于远红外和微波之间的电磁波，具有光子能量低、穿透性好等特点，在高速无线通信、光谱学、无损伤成像检测和学科交叉等领域具备广泛应用前景，被誉为“改变未来世界的十大技术”之一。简单来看，太赫兹扫描隧道显微镜系统就是一个超快摄影机，只不过它要观察和拍摄的对象是分子和原子世界，并且拍摄的帧率在亚皮秒量级。对于非线性太赫兹科学来说，控制太赫兹脉冲的“载波包络相位”，即激光脉冲的载波与包络之间的关系至关重要，特别是用于超快太赫兹扫描隧道显微镜时。太赫兹载波包络相位移相器的设计和实现，在利用太赫兹脉冲控制分子定向、高次谐波生成、阈上电离、太赫兹波前整形等领域，均具备潜在应用价值。（来源：Advanced Optical Materials）1. 为调控太赫兹的载波包络相位提供新方案据介绍，王天武在中科院空天信息研究院（广州园区）-广东大湾区空天信息研究院担任主任和研究员等职务，研究方向为太赫兹技术。目前，其主要负责大湾区研究院的太赫兹科研队伍建设。该研究要解决的问题在于，常规探测手段只能得到静态的原子形貌图像，无法观察物质受到激发，例如经过激光辐照后的动态弛豫过程图像，即无法观察到激子的形成、俄歇复合、载流子谷间散射等过程，而这些机理的研究，对于凝聚态物理学包括产业化应用都非常重要。原因在于，这些动力学过程发生的时间尺度，往往都在皮秒量级，即万亿分之一秒的时间，任何普通调控手段均无法达到这一时间量级。利用飞秒脉冲激光技术，能显著提高扫描隧道显微镜（Scanning Tunneling Microscope，STM）这一扫描探针显微术工具的时间分辨率。但是，目前仍受到多种因素的限制，比如样品和针尖制备困难、针尖的电容耦合效应、脉冲光引起的热膨胀效应等。太赫兹的脉冲宽度位于亚皮秒尺度，其电场分量可被看作一个在很宽范围内、连续可调的交流电流源。因此，将太赫兹电场脉冲与 STM 结合，利用其瞬态电场，即可作用于扫描针尖和样品之间的空隙，从而产生隧穿电流进行扫描成像，能同时实现原子级空间分辨率和亚皮秒时间分辨率。如前所述，太赫兹扫描隧道显微镜系统好比一个超快摄影机。但是，太赫兹电场脉冲和 STM 的实际结合过程，却并非那么简单，中间要攻克诸多难题。其中一个最基础的重要难题，在于太赫兹源的相位调控技术。太赫兹扫描隧道显微镜系统是利用太赫兹激发针尖尖端和样品之间的空隙，来产生隧穿电流并进行采样。不同相位太赫兹源的电场方向不一样，这样一来所激发的隧穿电流的方向亦不相同。根据不同样品施加不同相位的太赫兹源，可以更好地匹配样品，进而发挥系统性能优势，借此得到高质量光谱。因此，通过简单高效的途径，就能控制太赫兹脉冲的载波包络相位，借此实现对于隧道结中近场太赫兹时间波形的主动控制，同时这也是发展超快原子级分辨技术的必备阶段。通常，超短脉冲的载波包络相位，必须通过反馈技术来稳定。除少数例子外，比如用双色场激光等离子体产生的太赫兹辐射源，大多数商业化设备产生的太赫兹脉冲的载波包络相位都是锁定的，例如人们常用的光整流技术生成的太赫兹脉冲。多个太赫兹偏振元件组成的复杂装置，可用于控制太赫兹脉冲的载波包络相位。然而，鉴于菲涅耳反射带来的损耗，致使其插入损耗很大，故无法被广泛应用。另外，在太赫兹波段，大部分天然材料的色散响应较弱、双折射系数较小，很难被设计成相应的载波包络相位控制器件，因此无法用于具有宽频率成分的太赫兹脉冲。与天然材料相比，超材料是一种由亚波长结构衍生而来的、具有特殊光学特性的人工材料，其对电磁波的色散响应和双折射系数，均可进行人为定制。虽然超材料技术发展迅猛。但是，由于近单周期太赫兹脉冲的宽带特性，利用超材料对太赫兹脉冲的载波包络相位进行控制，仍是一件难事。为解决这一难题，王天武用超材料制备出一款芯片——即柔性太赫兹载波包络移相器，专门用于控制太赫兹脉冲的载波包络相位。该芯片由不同结构的超材料阵列组成，可在亚波长厚度和不改变太赫兹电场极化的情况下，实现对太赫兹载波包络相位的消色差可控相移，其对太赫兹脉冲的载波包络相位的相移调制深度高达 2π。相比传统的太赫兹载波包络相位移相器，该移相器具有超薄、柔性、低插损、易于安装和操作等优点，有望成为太赫兹扫描隧道显微镜系统的核心部件。近日，相关论文以《基于超材料的柔性太赫兹载波环移相器》（Flexible THz Carrier-Envelope Phase Shifter Based on Metamaterials）为题发表在 Advanced Optical Materials 上，李彤和全保刚分别担任第一和第二作者，王天武和空天信息创新研究院方广有研究员担任共同通讯作者。▲图 | 相关论文（来源：Advanced Optical Materials）审稿人认为：“此研究非常有趣、简明扼要，研究团队完成了一套完备的工作体系。该芯片的设计和实现，为调控太赫兹的载波包络相位提供了新的解决方案。”2. 建立国际领先的太赫兹科学实验平台据介绍，王天武所在的研究院，围绕制约人类利用太赫兹频谱资源的主要科学问题和技术瓶颈，致力于形成一批引领国际的原创性理论方法和太赫兹核心器件技术，以建立国际领先的太赫兹科学实验平台。他说：“太赫兹扫描隧道显微镜是我们院的一大特色，该设备摒弃了此前施加电压的方式，以太赫兹为激发源，去激发探针尖端和样品之间的间隙，从而产生隧穿电流并进行成像。相关技术在国内属于首创，在国际上也处于领先水平。”在诸多要克服的困难中，太赫兹载波包络相位的调制便是其中之一。入射太赫兹的相位大小对激发的隧穿电流的幅值、相位等信息影响甚大，是提高设备时间和空间分辨率必须要解决的重要问题之一。由于设备腔体比较长，并且腔体内部为高真空环境，与外界空气是隔绝的。传统的太赫兹相位改变方式比较难以实现，因此需要研发新型的相位调制器件。而该课题立项的初衷，正是希望找到一种结构简单、但是对太赫兹载波包络相位调制效率高的方法和装置，以便更好地服务于太赫兹扫描隧道显微镜系统。在文献调研的初始阶段，该团队商定使用超材料来制作太赫兹相位调制器。具体来说，其利用特定的金属分裂环谐振器的几何相位、以及共振相位，来控制太赫兹脉冲的载波包络相位值。之所以选择金属分裂环谐振器作为基本相控单元，是因为在一定条件下，它对太赫兹具有宽谱响应。当任意方向的线偏振波与谐振器耦合时，入射电场分量可映射到平行于谐振器对称轴和垂直于谐振器对称轴，借此可以激发谐振器的对称本征模和反对称本征模。此时，通过改变金属分裂环谐振器的几何相位和共振相位，散射场的某一偏振分量的电场相位会相应延迟，大小可以轻松覆盖 0-2π。但是，由于存在电偶极子的双向辐射，导致金属分裂环谐振器存在明显的反射和偏振损耗。为此，课题组引入了一对正交的定向光栅，利用多光束干涉的方式解决了谐振器插入损耗大的问题。随之而来的另一难题是，由于正交光栅的存在，导致入射波和透射波之间的电场偏振始终是垂直的，在太赫兹扫描隧道显微镜系统的工作中，这是不被允许的。好在样品均是由互易材料制成的，于是这一问题很快迎刃而解。随后，该团队采用常规紫外光刻、电子束沉积以及聚酰亚胺薄膜上的剥离技术，制备出相关样品，并利用太赫兹时域光谱系统，对所制备的样品性能进行表征。当入射的太赫兹脉冲，依次被样品中不同的微结构阵列调制时，研究人员通过太赫兹时域光谱测量，清晰观察到了太赫兹脉冲的时间波形的变化，且与仿真结果十分吻合。此外，课题组还在广角入射和大样品形变时，验证了该样品的鲁棒性。总而言之，该成果为宽带太赫兹载波包络相位的控制，提供了一种新型解决方案，并在不改变太赫兹电场极化的情况下，利用“超材料”在亚波长厚度的尺度上，实现了针对宽带太赫兹载波包络相位的消色差可控相移。关于这一部分成果的相关论文，也已发表在《先进光学材料》期刊。（来源：Advanced Optical Materials）据介绍，此次芯片能把太赫兹的相位最高移动至 2π 大小，并且具有大的光入射角度和良好的柔韧性等优点，在太赫兹扫描隧道显微镜系统，以及其他相关领域有较高的应用价值。但是，该芯片目前仍存在一个缺点，即无法做到太赫兹载波包络相位的连续调制。这是由于，采用的金属分裂环谐振器是单次加工制成的，所能调制的几何相位和共振相位已经确定，无法再被人为改变。因此，使用过程中只能通过加工特定结构的芯片，来实现所需相位的调制。未来，该团队打算将当下比较热门的二维材料、相变材料、液晶材料等材料集成到芯片中，这些材料的优势在于光学性能可被人为改变。同时，其还将综合电、光、热等手段，实现金属分裂环谐振器几何和共振相位的主动控制，从而实现对太赫兹脉冲的连续载波包络相位调制。此外，课题组也会继续优化微加工工艺和原料制备流程，进一步提升芯片的综合性能指标，比如器件的低插入损耗、高工作带宽等，同时也将降低制造成本，以便后续的产业化推广。

此次，滨松光子学株式会社在日本国家研究开发法人新能源与产业技术开发组织（NEDO）主办的“实现IoT社会的创新传感技术开发”项目中，利用独自的微机电系统(MEMS)技术和光学封装技术，成功开发出世界上最小尺寸的波长扫描量子级联激光器(QCL)，其体积约为传统产品的1/150。通过将其与日本产业技术研究所开发的驱动系统结合，实现了高速操作和外围电路简化，同时作为光源安装在分析设备上，使可便携的小型分析设备的开发成为现实。在本开发项目中，我们提高了二氧化硫（SO2）和硫化氢（H2S）的探测灵敏度以及设备的维修性，目标是实现在火山口附近对火山气体成分的长期和稳定的检测。此外，它还可以应用于化工厂和下水道中有毒气体的泄漏检测和大气测量等。图1 世界上最小尺寸的波长扫描QCL，体积约为传统产品的1/150概要在火山爆发的前几个月，火山气体中的二氧化硫（SO2）或硫化氢（H2S）等浓度会开始逐渐上升，因此对该气体浓度的监测是火山爆发预测的常规方法。目前许多研究机构在火山口附近安装了电化学传感器分析设备，通过电极检测来实时分析火山气体的成分。但由于电极与火山气体的接触，容易出现寿命变短和性能降低的问题，因此除了定期更换部件等维护，监测的长期稳定性也是一个难题。这样，长寿命光源和全光学光电检测器分析设备则具有无需大量保养，还具有高灵敏度并长时稳定地进行成分分析的特点。目前因为光源的尺寸较大，尙难以将其安装在火山口附近。 在此背景下，滨松从2020年开始，参与了NEDO与产业技术综合开发机构(产综研)的“实现IoT社会的创新传感技术开发”※1项目，积极投入研究和开发具有全光学，小尺寸，高灵敏度和高可维护性特点的新一代火山气体监测系统。 滨松公司正在该项目中承担了分析设备光源的小型化任务，并成功开发出中红外光※2在7-8微米（μm，μ为百万分之一）范围内可高速改变输出功率的世界上最小尺寸波长扫描QCL（Quantum Cascade Laser）。※3（图1、图2、表）。本次新开发的产品是通过将其与产综研开发的驱动系统相结合，实现了高速操作和外围电路简化，作为光源安装在分析设备上，实现了可便携的小型化分析设备。此外，本项目的目标是进一步提高灵敏度和可维护性，实现长时间稳定地对火山口附近气体进行实时监测。同时也有望应用于化工厂和下水道的有毒气体泄漏检测和大气测量等用途。产品特点 1、开发了世界上最小的波长扫描QCL，体积约为传统产品的1/150。 公司利用独自的MEMS技术，对占据了QCL的大部分体积的MEMS衍射光栅※4进行完全的重新设计，成功开发出新的尺寸约为以前1/10的MEMS衍射光栅。此外，通过采用小型磁铁，减少了不必要的空间，并采用独特的光学封装技术，以0.1微米为单位的高精度实现部件的组装，实现了世界上最小的波长扫描QCL，其体积约为传统产品的1/150。 2、实现中红外光在波长7～8μm的范围内的周期性变化输出 滨松利用多年积累的量子结构设计技术※5通过搭载新开发的QCL元件，实现中红外光在易于吸收SO2或H2S的7-8μm的波长范围内的扫描输出。同时，我们还开发了可变波长QCL，可以从7-8μm范围内选择特定波长进行输出。 3、可高速获取中红外光的连续光谱 与产综研传感系统研究中心开发的驱动系统相结合，实现波长扫描QCL的高速波长扫描。它可以在不到20毫秒的时间内获取中红外光的连续光谱，可捕捉和分析随时间快速变化的现象。图2 波长扫描QCL的结构表 本次开发的波长扫描QCL的主要规格未来计划滨松公司将与NEDO和产综研进一步构建新型高灵敏度和高可维护性的火山气体监测系统，同时推进多点观测等实地测试。此外，公司将在2022年度内推出将该产品与驱动电路或与本司光电探测器相结合的模块化产品，以扩大中红外光的应用。 “注释” *1 实现IoT社会的创新传感技术开发 项目名称:实现IoT社会的创新传感技术开发 / 创新传感技术开发 / 波长扫描中红外激光器 研究开发新一代火山气体防灾技术 业务和项目简介：https://www.nedo.go.jp/activities/ZZJP_100151.html *2 中红外光 是一种波长比可见光长的红外光，一般把波长在4-10μm之间的红外光称为中红外光。 *3 波长扫描QCL（Quantum Cascade Laser） 量子级联激光器(QCL)是一种通过在发光层中采用量子结构，可以在中红外到远红外的波长范围内获得高输出功率的半导体激光光源。波长扫描量子级联激光器是将从量子级联激光器发出的中红外光进行分光，反射到MEMS衍射光栅，再通过对MEMS衍射光栅进行电控，使其的倾斜面发生快速变化，从而实现中红外光的波长快速变化并输出。 *4 MEMS衍射光栅 通过电流工作的小型衍射光栅。衍射光栅是一种利用不同波长的光衍射角度的差异来区分不同波长光的光学元件。 *5 量子结构设计技术 是一种利用纳米级超薄膜半导体叠层产生的量子效应的器件设计技术。在该开发中，滨松公司在QCL的发光层采用了独有的反交叉双重高能态结构（AnticrossDAUTM ）。

红外辐射(760nm-30μm)作为电磁波的一种，蕴含着物体丰富的信息。红外光电探测器在吸收物体的红外辐射后，通过光电转换、电信号处理等手段将携带物体辐射特征的红外信号可视化。其具有全天候观测、抗干扰能力强、穿透烟尘雾霾能力强、高分辨能力的特点，在国防、天文、民用领域扮演着重要的角色，是当今信息化时代发展的核心驱动力之一，是信息领域战略性高技术必争的制高点。众所周知，波长、强度、相位和偏振是构成光的四大基本元素。其中，光的偏振维度可以丰富目标的散射信息，如表面形貌和粗糙度等，使成像更加生动、更接近人眼接收到的图像。因此偏振成像在目标-背景对比度增强、水下成像、恶劣天气下探测、材料分类、表面重建等领域有着重要应用。在短波红外领域，InGaAs/InP材料体系由于其带隙优势，低暗电流，和室温下的高可靠性已经得到了广泛的应用。目前，一些关于短波偏振探测技术的研究已经在平面型InGaAs/InP PIN探测器上开展。然而，平面结构中所必须的扩散工艺导致的电学串扰使得器件难以向更小尺寸发展。同时，平面结构中由对准偏差导致的偏振相关的像差效应也不可避免。与平面结构相比，深台面结构在物理隔离方面具有优势，具有克服上述不足的潜力。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心E03组长期从事化合物半导体材料外延生长与器件制备的研究。E03组很早就开始了对近红外及短波红外探测器材料与器件的研究，曾研制出超低暗电流的硅基肖特基结红外探测器【Photonics Research, 8, 1662(2020)】，研究过短波红外面阵探测器小像元之间的暗电流抑制及串扰问题【Results in Optics, 5, 100181 (2021)】等。最近，E03组研究团队的张珺玚博士生在陈弘研究员，王文新研究员，邓震副研究员地指导下，针对光的偏振成像，并结合亚波长光栅制备技术，片上集成了一种台面型InGaAs/InP基PIN短波红外偏振探测器原型器件。该原型器件具有的深台面结构可以有效地防止电串扰，使其潜在地实现更小尺寸短波红外偏振探测器的制备。图1是利用湿法腐蚀和电子束曝光等微纳加工技术制备红外探测器及亚波长光栅的工艺流程。图2和图3分别是制备完成后的红外探测器光学显微镜图片和不同取向的亚波长光栅结构SEM图片。图1. 集成有亚波长Al光栅的台面型InGaAs PIN基偏振探测器的工艺流程示意图。图2. 两种台面尺寸原型器件的光学显微镜图片 (a) 403 μm×683 μm (P1), (b) 500 μm×780 μm (P0)。图3. 四种角度 (a) 0°, (b) 45°, (c) 90°, (d) 135° Al光栅形貌。图4是不同台面尺寸的P1和P0器件(无光栅)在不同条件下的J-V特性曲线和响应光谱。在1550 nm光激发，-0.1 V偏压下，P1和P0器件的外量子效率分别为 63.2% and 64.8%，比探测率D* 分别达到 6.28×1011 cm？Hz1/2/W 和6.88×1011 cm？Hz1/2/W，表明了原型器件的高性能。图4. InGaAs PIN原型探测器(无光栅)的J-V特性曲线和响应光谱。(a) 无光照下，P1和P0的暗电流密度Jd-V特性曲线；不同入射光功率下，(b) P1和(c) P0的光电流密度Jph-V特性曲线，插图是-0.1V下光电流密度与入射光功率之间的关系曲线； (d) P1和P0的响应光谱曲线。图5表明器件的偏振特性。从图5可以看出，透射率随偏振角度周期性变化，相邻方向间的相位差在π/4附近，服从马吕斯定律。此外， 0°, 45°, 90°和135°亚波长光栅器件的消光比分别为18:1、18:1、18:1和20:1，TM波透过率均超过90%，表明该偏振红外探测器件具有良好的偏振性能。图5. (a) 1550 nm下，无光栅器件和0°, 45°, 90°和135°亚波长光栅器件的电学信号随入射光极化角度的变化关系；(b) 光栅器件透射谱。综上所述，研究团队制备的台面结构InGaAs PIN探测器，其响应范围为900 nm -1700 nm，在1550 nm和-0.1 V (300K) 下的探测率为6.28×1011 cmHz1/2/W。此外，0°，45°，90°和135°光栅的器件均表现出明显的偏振特性，消光比可达18:1，TM波的透射率超过90%。上述的原型器件作为一种具有良好偏振特性的台面结构短波红外偏振探测器，有望在偏振红外探测领域具有潜在的广泛应用前景。近日，相关研究成果以题“Opto-electrical and polarization performance of mesa-structured InGaAs PIN detector integrated with subwavelength aluminum gratings”发表在Optics Letters【47，6173(2022)】上，上述研究工作得到了基金委重大、基金委青年基金、中国科学院青年创新促进会、中国科学院战略性先导科技专项、怀柔研究部的资助。另外，感谢微加工实验室杨海方老师在电子束曝光等方面的细心指导和帮助。物理所E03组博士研究生张珺玚为第一作者。

HORIBA Jobin Yvon, 薄膜部推出了新型MM16高精度，高灵敏，低价格的相调制椭圆偏振光谱仪。 其采用液晶调制技术，2048CCD采集光谱，全谱采集时间仅2s钟，同时椭偏仪在可见光波段采用4× 4的Mueller 矩阵进行数据分析，可以精确的对测量复杂折射率材料进行分析，可广泛应用在平板显示，生物，包装和半导体领域。 目前HORIBA Jobin Yvon 在ex-situ和in-situ领域有着一系列的椭偏仪产品，UVISEL，MM16，DigiSel，PZ2000。其组成了一个高性能的椭偏家族。同时HJY公司还有多种配件可选以扩展椭偏仪的功能，如自动样品台，微光斑反射仪，液体池，高低温样品台等。基于Windows的强大软件工作平台DeltaPsi2使椭偏的数据分析变得更加的简单直观， 具体情况请查阅网站 www.jobinyvon.com 电话：021-64479785传真：021－64479480E-Mail：jjhjy@jobinyvon.cn