等离子体增强原子层沉积系统

什么是原子层沉积技术原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 20 世纪 60 年代，前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术（与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关）进行了研究。后来，芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术（1974年，由 Tuomo Suntola 教授申请专利）。在俄罗斯，它过去和现在都被称为分子层沉积，而在芬兰，它被称为原子层外延。后来更名为更通用的术语“原子层沉积”，而术语“原子层外延”现在保留用于（高温）外延 ALD。 Part 01.原子层沉积技术基本原理 一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤： 1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物 原子层沉积（ ALD ）原理图示 涂层的层数（厚度）可以简单地通过设置连续脉冲的数量来确定。蒸气不会在表面上凝结，因为多余的蒸气在前驱体脉冲之间使用氮气吹扫被排出。这意味着每次脉冲后的涂层会自我限制为一个单层，并且允许其以原子精度涂覆复杂的形状。如果是多孔材料，内部的涂层厚度将与其表面相同！因此，ALD 有着越来越广泛的应用。 Part 02. 原子层沉积技术案例展示 原子层沉积通常涉及 4 个步骤的循环，根据需要重复多次以达到所需的涂层厚度。在生长过程中，表面交替暴露于两种互补的化学前驱体。在这种情况下，将每种前驱体单独送入反应器中。 下文以包覆 Al2O3 为例，使用第一前驱体 Al(CH3)3（三甲基铝，TMA）和第二前驱体 H2O 或氧等离子体进行原子层沉积，详细过程如下：反应过程图示 在每个周期中，执行以下步骤： 01 第一前驱体 TMA 的流动，其吸附在表面上的 OH 基团上并与其反应。通过正确选择前驱体和参数，该反应是自限性的。 Al(CH3)3 + OH = O-Al-(CH3)2 + CH4 02使用 N2 吹扫去除剩余的 Al(CH3)3 和 CH4 03第二前驱体（水或氧气）的流动。H2O（热 ALD）或氧等离子体自由基（等离子体 ALD）的反应会氧化表面并去除表面配体。这种反应也是自限性的。 O-Al-(CH3)2 + H2O = O-Al-OH(2) + (O)2-Al-CH3 + CH4 04使用 N2 吹扫去除剩余的 H2O 和 CH4，继续步骤 1。 由于每个曝光步骤，表面位点饱和为一个单层。一旦表面饱和，由于前驱体化学和工艺条件，就不会发生进一步的反应。 为了防止前驱体在表面以外的任何地方发生反应，从而导致化学气相沉积（CVD），必须通过氮气吹扫将各个步骤分开。 Part 03. 原子层沉积技术的优点 由于原子层沉积技术，与表面形成共价键，有时甚至渗透（聚合物），因此具有出色的附着力，具有低缺陷密度，增强了安全性，易于操作且可扩展，无需超高真空等特点，具有以下优点： 厚度可控且均匀通过控制沉积循环次数，可以实现亚纳米级精度的薄膜厚度控制，具有优异的重复性。大面积厚度均匀，甚至超过米尺寸。 涂层表面光滑完美的 3D共形性和 100% 阶梯覆盖：在平坦、内部多孔和颗粒周围样品上形成均匀光滑的涂层，涂层的粗糙度非常低，并且完全遵循基材的曲率。该涂层甚至可以生长在基材上的灰尘颗粒下方，从而防止出现针孔。 ALD 涂层的完美台阶覆盖性 适用多类型材料所有类型的物体都可以进行涂层：晶圆、3D 零件、薄膜卷、多孔材料，甚至是从纳米到米尺寸的粉末。且适用于敏感基材的温和沉积工艺，通常不需要等离子体。 可定制材料特性适用于氧化物、氮化物、金属、半导体等的标准且易于复制的配方，可以通过三明治、异质结构、纳米层压材料、混合氧化物、梯度层和掺杂的数字控制来定制材料特性。 宽工艺窗口，且可批量生产对温度或前驱体剂量变化不敏感，易于批量扩展，可以一次性堆叠和涂覆许多基材，并具有完美的涂层厚度均匀性。

项目编号：0773-2240SHHW0019项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目预算金额：663.0789000 万元（人民币）最高限价（如有）：663.0789000 万元（人民币）采购需求：项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目包件1：反应离子束刻蚀系统；数量及单位：1台；简要技术参数：3、等离子体源3.1、射频发生器：最大功率300瓦，13.56MHz，带自动匹配单元；★3.2、ICP源发生器：最大功率3000瓦，2.0MHz，带自动匹配单元；包件2：感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统；数量及单位：1台；简要技术参数：★1、SiO2的标准沉积速率：≥40 nm/min；高速沉积速率：≥500 nm/min2、SiO2薄膜沉积厚度：≥6um。其余详见本项目招标文件。合同履行期限：自合同签订之日起250天内；本项目( 不接受 )联合体投标。

table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" width=" 600" tbody tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 成果名称 /p /td td width=" 526" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 原子层沉积系统 /p /td /tr tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 单位名称 /p /td td width=" 526" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 中科院物理研究所 /p /td /tr tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 联系人 /p /td td width=" 175" p style=" line-height: 1.75em " 郇庆 /p /td td width=" 159" p style=" line-height: 1.75em " 联系邮箱 /p /td td width=" 192" p style=" line-height: 1.75em " qhuan_uci@yahoo.com /p /td /tr tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 成果成熟度 /p /td td width=" 526" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " □正在研发 √已有样机 & nbsp □通过小试 & nbsp □通过中试 □可以量产 /p /td /tr tr td width=" 122" p style=" line-height: 1.75em " 合作方式 /p /td td width=" 526" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " √技术转让 & nbsp √技术入股 & nbsp □合作开发& nbsp √其他 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介： /strong br/ & nbsp & nbsp /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/1d453046-e68e-4e65-ab38-25f533935dee.jpg" title=" ALD.jpg" width=" 350" height=" 261" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 350px height: 261px " / /p p style=" line-height: 1.75em " & nbsp br/ /p p style=" line-height: 1.75em " & nbsp & nbsp 原子层沉积（ALD）技术，由于采取自限性的生长模式，因此可以在原子尺度上调控沉积薄膜的厚度，从而形成具有优异的台阶覆盖性和平整性，并可用于制备高深宽比材料和对多孔纳米材料进行修饰。我们自行研制的ALD系统与市场上现有商业化产品相比，具有如下特点：1）复杂完善的管路气路，在自制控制器和软件的配合下，可高度自动化完成生长过程；2）全金属密封，适于各种类型反应；3）圆筒型反应腔体，最高烘烤温度达到350℃，前驱体及载气利用率高；4）特殊设计的样品台，适用于包括粉末样品在内的各类基底；5）可选配四极质谱和石英膜厚检测仪，对反应过程实时监控。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp ALD是一项简单和实用的技术，在微电子、太阳能电池、光子晶体以及催化等许多领域都有广泛的应用前景。我们目前研发的系统主要针对科研应用，国内每年需求量在数十台至上百台。 /p /td /tr /tbody /table p br/ /p

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 基本信息 关键内容： 原子层沉积 开标时间： 2021-10-28 09:00 采购金额： 135.00万元 采购单位： 中山大学 采购联系人： 郑老师 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 采联国际招标采购集团有限公司 代理联系人： 林先生 代理联系方式： 立即查看 详细信息 广东省中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目公开招标公告 广东省-中山市 状态：公告 更新时间：2021-10-09 广东省中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目公开招标公告 广东省中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目公开招标公告 发布日期：2021年10月8日 项目概况 中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在高校电子招投标平台（http://www. szbidding.com）获取招标文件，并于2021年10月28日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：中大招（货）2021 907号/CLF0121GZ09ZC90 项目名称：中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目 预算金额：135.0000000 万元（人民币） 采购需求： 中山大学根据国家招投标法律法规和学校管理要求,拟以公开招标方式采购下列货物及其相关服务。欢迎符合资格条件的供应商投标。 1、招标采购项目内容及数量：等离子增强原子层沉积系统， 1套（本项目允许产自中华人民共和国关境外的进口货物投标；本项目不属于专门面向中小企业采购项目。本项目所属行业属于工业。具体内容及要求详见公告附件招标文件）。 2、项目预算及经费来源： 项目预算135万元人民币。经费来源为财政性资金。 合同履行期限：交货时间：收到发货通知 150个日历天以内。交货地点：中山大学深圳校区。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无。 3.本项目的特定资格要求：（1）具备投标条件的中华人民共和国的法人或其它组织或者自然人；（2）符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条相关规定；（3）必须具有制造标的物或合法的供货和相关项目及安装售后服务的能力（4）投标人未被列入“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）“失信被执行人”、“重大税收违法案件当事人名单”、“政府采购严重违法失信名单”；不处于中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间；（以代理机构于评标当天在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）及中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)查询结果为准，同时对信用信息查询记录进行存档。如相关失信记录已失效或查询不到，则必须出具其信用良好的承诺书原件扫描件）（5）本项目不允许联合体投标。不接受中标备选方案。 三、获取招标文件 时间：2021年10月01日 至 2021年10月13日，每天上午9:00至12:00，下午12:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：高校电子招投标平台（http://www. szbidding.com） 方式：详见“其他补充事宜”。 售价：￥400.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2021年10月28日 09点00分（北京时间） 开标时间：2021年10月28日 09点00分（北京时间） 地点：广州市新港西路135号中山大学西南区415号生物楼中山大学政府采购与招投标管理中心会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、招标文件获取方式：本项目以电子招投标形式进行，投标人可于中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn）、高校电子招投标平台（http://www. szbidding.com）或采联国际招标采购集团有限公司（http://www.chinapsp.cn/）浏览招标公告，确认参与项目的合格投标人应使用企业数字证书（CA）登录高校电子招投标平台，缴纳平台服务费400元/标段（分项）后下载电子招标文件（格式为*.HZBJ）。高校电子招投标平台是获取电子招标文件的唯一途径。 2、报名方式及时间：2021年10月1日9:00至2021年10月13日17:00；登录高校电子招投标平台，凭企业数字证书（CA）在网上报名及获取招标文件及资料，否则不能参与本项目的投标。无高校电子招投标平台企业数字证书（CA）的投标商需按该平台电子认证的要求，提前办理企业数字证书（CA）。办理方式详见网址：http://ca.zhulong.com.cn/ 。本项目不需要现场报名确认，若报名期限届满后，获取招标文件的潜在投标人不足三家的，采购人将可能顺延报名期限并予公告。请各投标人留意网上公告，采购人不再另行通知。 3、电子投标文件的递交：投标人须在提交投标文件截止时间前完成电子投标文件（格式为*.HTBJ）的上传，网上确认电子签名，并打印“上传投标文件回执”，递交网址：http://www.szbidding.com。如果投标文件于递交投标文件截止时间未能上传完毕，该投标文件将视为无效投标文件。投标截止时间前未完成投标文件传输的，视为撤回投标文件。在递交投标文件截止时间前，投标人可以替换投标文件。 注：因合同签订和项目归档要求，中标人需在中标结果公告发布后的两个工作日内补交一正两副三套纸质版本投标文件至招标代理机构。 4、开标时间（投标截止时间）及地点：2021年10月28日9:00（具体时间按招标文件要求）于广州市新港西路135号中山大学西南区415号生物楼中山大学政府采购与招投标管理中心会议室，参加开标的投标授权代表需持有效身份证件。（学校停车场地有限，不对外提供停车场地） 5、评标时间及地点：2021年10月28日上午于中山大学政府采购与招投标管理中心（投标人不参加）。 6、本项目的发布、修改、澄清和补充通知将在中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn）、高校电子招投标平台（http://www.szbidding.com/）及采联国际招标采购集团有限公司（http://www.chinapsp.cn/）发布，敬请各投标人留意，采购人不再另行通知。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名称：中山大学 地址：广州市新港西路135号 联系方式：郑老师 020-84115084转810 2.采购代理机构信息 名 称：采联国际招标采购集团有限公司 地 址：广州市越秀区环市东路472号粤海大厦7、23楼 联系方式：林先生 020-87651688-344 3.项目联系方式 项目联系人：林先生 电 话： 020-87651688-344 附件： （货2021-907，发售稿)中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目.pdf × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：原子层沉积 开标时间：2021-10-28 09:00 预算金额：135.00万元 采购单位：中山大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：采联国际招标采购集团有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 广东省中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目公开招标公告 广东省-中山市 状态：公告 更新时间： 2021-10-09 广东省中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目公开招标公告 广东省中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目公开招标公告 发布日期：2021年10月8日 项目概况 中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在高校电子招投标平台（http://www. szbidding.com）获取招标文件，并于2021年10月28日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：中大招（货）2021 907号/CLF0121GZ09ZC90 项目名称：中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目 预算金额：135.0000000 万元（人民币） 采购需求： 中山大学根据国家招投标法律法规和学校管理要求,拟以公开招标方式采购下列货物及其相关服务。欢迎符合资格条件的供应商投标。 1、招标采购项目内容及数量：等离子增强原子层沉积系统， 1套（本项目允许产自中华人民共和国关境外的进口货物投标；本项目不属于专门面向中小企业采购项目。本项目所属行业属于工业。具体内容及要求详见公告附件招标文件）。 2、项目预算及经费来源： 项目预算135万元人民币。经费来源为财政性资金。 合同履行期限：交货时间：收到发货通知 150个日历天以内。交货地点：中山大学深圳校区。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无。 3.本项目的特定资格要求：（1）具备投标条件的中华人民共和国的法人或其它组织或者自然人；（2）符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条相关规定；（3）必须具有制造标的物或合法的供货和相关项目及安装售后服务的能力（4）投标人未被列入“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）“失信被执行人”、“重大税收违法案件当事人名单”、“政府采购严重违法失信名单”；不处于中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间；（以代理机构于评标当天在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）及中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)查询结果为准，同时对信用信息查询记录进行存档。如相关失信记录已失效或查询不到，则必须出具其信用良好的承诺书原件扫描件）（5）本项目不允许联合体投标。不接受中标备选方案。 三、获取招标文件 时间：2021年10月01日 至 2021年10月13日，每天上午9:00至12:00，下午12:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：高校电子招投标平台（http://www. szbidding.com） 方式：详见“其他补充事宜”。 售价：￥400.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2021年10月28日 09点00分（北京时间） 开标时间：2021年10月28日 09点00分（北京时间） 地点：广州市新港西路135号中山大学西南区415号生物楼中山大学政府采购与招投标管理中心会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、招标文件获取方式：本项目以电子招投标形式进行，投标人可于中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn）、高校电子招投标平台（http://www. szbidding.com）或采联国际招标采购集团有限公司（http://www.chinapsp.cn/）浏览招标公告，确认参与项目的合格投标人应使用企业数字证书（CA）登录高校电子招投标平台，缴纳平台服务费400元/标段（分项）后下载电子招标文件（格式为*.HZBJ）。高校电子招投标平台是获取电子招标文件的唯一途径。 2、报名方式及时间：2021年10月1日9:00至2021年10月13日17:00；登录高校电子招投标平台，凭企业数字证书（CA）在网上报名及获取招标文件及资料，否则不能参与本项目的投标。无高校电子招投标平台企业数字证书（CA）的投标商需按该平台电子认证的要求，提前办理企业数字证书（CA）。办理方式详见网址：http://ca.zhulong.com.cn/ 。本项目不需要现场报名确认，若报名期限届满后，获取招标文件的潜在投标人不足三家的，采购人将可能顺延报名期限并予公告。请各投标人留意网上公告，采购人不再另行通知。 3、电子投标文件的递交：投标人须在提交投标文件截止时间前完成电子投标文件（格式为*.HTBJ）的上传，网上确认电子签名，并打印“上传投标文件回执”，递交网址：http://www.szbidding.com。如果投标文件于递交投标文件截止时间未能上传完毕，该投标文件将视为无效投标文件。投标截止时间前未完成投标文件传输的，视为撤回投标文件。在递交投标文件截止时间前，投标人可以替换投标文件。 注：因合同签订和项目归档要求，中标人需在中标结果公告发布后的两个工作日内补交一正两副三套纸质版本投标文件至招标代理机构。 4、开标时间（投标截止时间）及地点：2021年10月28日9:00（具体时间按招标文件要求）于广州市新港西路135号中山大学西南区415号生物楼中山大学政府采购与招投标管理中心会议室，参加开标的投标授权代表需持有效身份证件。（学校停车场地有限，不对外提供停车场地） 5、评标时间及地点：2021年10月28日上午于中山大学政府采购与招投标管理中心（投标人不参加）。 6、本项目的发布、修改、澄清和补充通知将在中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn）、高校电子招投标平台（http://www.szbidding.com/）及采联国际招标采购集团有限公司（http://www.chinapsp.cn/）发布，敬请各投标人留意，采购人不再另行通知。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中山大学 地址：广州市新港西路135号 联系方式：郑老师 020-84115084转810 2.采购代理机构信息 名 称：采联国际招标采购集团有限公司 地 址：广州市越秀区环市东路472号粤海大厦7、23楼 联系方式：林先生 020-87651688-344 3.项目联系方式 项目联系人：林先生 电 话： 020-87651688-344 附件： （货2021-907，发售稿)中山大学材料学院等离子增强原子层沉积系统采购项目.pdf

p 　　很多涉及原子层沉积技术(ALD)的人都知道，选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷，详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说，选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应，即由于ALD的化学反应特性，薄膜生长的成核现象取决于基底表面。通常来说，在ALD领域人们已经在研究如何尽可能减小这种影响。例如，等离子体ALD一般会有可忽略不计的延迟，但对于选择性ALD来说，成核延迟现象却被放大了。 /p p style=" text-align: center" img style=" width: 450px height: 234px " src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/bcc86ec1-e447-400c-8d88-439d8b625aec.jpg" title=" 02.jpg" height=" 234" hspace=" 0" border=" 0" vspace=" 0" width=" 450" / /p p 　　有意思的是，虽然等离子体ALD一般没有成核延迟现象，但它仍然可被用于选择性ALD。我在埃因霍温的大学同事已登载了相关发现(http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.7b04701)。它的要点是在等离子体曝光之后再次重复应用抑制剂，这个过程可用视频中所示的三步ABC ALD方法操作。 /p p 　　 strong 以下视频中解释了选择性等离子体ALD技术的全新概念： /strong /p script src=" https://p.bokecc.com/player?vid=65C25DD24223E8749C33DC5901307461& siteid=D9180EE599D5BD46& autoStart=false& width=600& height=490& playerid=2BE2CA2D6C183770& playertype=1" type=" text/javascript" /script p 　　那么问题来了，人们会选择哪种ALD设备来研究选择性ALD呢。 strong 我相信我们系统中的一些功能会很有用，例如： /strong /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 可应用多种化学前驱物。气箱可容纳多路气体并由MFC进行流量控制 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 可应用抑制剂分子(如在前驱物注入过程中通入NH3或CO) /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 将氢基作为抑制剂：在前驱物注入前使用氢等离子体(或其他等离子体)来抑制特定表面的生长 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆& nbsp 氟化物等离子体：将CFX或F作为抑制剂，在前驱物注入前使用此等离子体，或进行选择性ALD生长时，即每隔几个生长周期就在同一个腔体内进行一次刻蚀的步骤(注意O2等离子体可刻蚀Ru，H2等离子体可刻蚀ZnO)。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 用于抑制生长的自组装单分子膜(SAMS)注入 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 多腔体集成系统，比如与感应耦合等离子体-化学气相沉积(ICP-CVD)腔室(生长非晶硅)、溅射(sputter)腔室或原子层刻蚀(ALE)腔室结合使用 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 用于原表面改性或刻蚀的基底偏压 /p p 　　 strong 牛津仪器的设备可实现优异的控制效果，包括： /strong /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 通过MFC，快速ALD阀门和快速自动压力控制，可获得精准可调的前驱物/气体注入，以实现一面成核另一面不成核的现象。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 使用预真空室和涡轮增压分子泵保持系统的的高真空度，以使抑制现象长时间不受影响。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 使用等离子体可清洁腔体和恢复腔体氛围。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp ◆ 带实时诊断功能的生长监控设备：椭圆偏正光谱测量、质谱分析法及发射光谱法 /p p 　　基于选择性ALD提出的与刻蚀相结合的方法再次让我想到原子尺度工艺处理的问题，我在之前发表的一篇博文中对此进行了讨论。可以想象，通过结合选择性ALD及其他工艺，可以生长出新的超材料(特异材料)和独特结构。例如，通过在选择性曝光的铜中生长石墨烯，或通过周期性刻蚀同一平面的沉积(例如局部选择性ALD)，可有效地仅在结构侧边生长材料。因此不论是在普通等离子刻蚀机或带基底偏压特性的FlexAL，结合带导向的离子曝光法也许会是个优势。总得来说，我很期待能有令人惊喜的新发现，新结构和新材料能在可控的方式下诞生。 /p

采用原子层沉积（ALD）技术的下一代储存技术 随着人工智能(AI), 深度学习,大数据, game 及 5G移动技术快速发展，导致数据储存量上升，半导体内存被要求低耗化。为解决这个问题目前商用化的有 Dram，Flash Memory(NAND) 等储存技术变更到新一代储存技术为一大难题。为了每秒以千兆，无延迟处理高容量数据以目前的技术很难实现。新一代技术需要像DRAM速度要快，兼具flash memory的关闭电源数据也会保存等特性，还需低耗。目前超越基准储存的新概念半导体储存有 Ferroelectric RAM(FRAM 或 FeRAM), magnetic RMA( MRAM), phase-charge ram(PRAM 或 PCRAM)和 resistive RAM(RRAM) 等都在研发阶段，而且受到关注度也比较高。这些储存技术特点是关闭电源数据也不会丢失的非挥发性(Nonvolitile), 很快的进行switching信息储存。 但因为不能进行长时间switching，内部构造粗糙，不足的高集成度,费用也比较高等原因，仅在特定领域使用。为改善这些，全世界都在用核心的ALD工程来进行研究。采用新一代储存的原子沉积(ALD) 技术fram是储存强诱电体的电极数据，一边储存是0，另外一边储存1为基本构造，和dram相似，但有非挥发性的特点。很长时间pzt材料用于强诱电体，缺点为当厚度变薄的时电极无法维持的问题。最近受到关注的有使用ALD技术，厚度为数nm沉积的 Metal Oxide-doped HFO2， 适用与28nm node的高集成密度。MRAM是自主阻抗储存,根据外部磁气场,磁性层的磁化方向，利用自主阻抗变化显示数据的1, 0。即，磁气场方向一样时表示为 0，不同时表示为1。无高速低电压动作及特性热化，而且集成度也很高。多数研究中用tunnel oxide 适用ALD技术沉积的MgO或 ZnO等。PRAM是利用物质相(phase)变化的非挥发性储存，相从非晶致状态变化到结晶致状态时储存数据。相转移物质使用GST germanium-antimony-tellurium (gst) ，使用ALD技术 step coverage制作了优Xiu的 PRAM储存。rram是绝缘体或半导体的阻抗变化储存。通过氧气空缺，从绝缘物质做成阻抗变化识别0, 1来使用。绝缘物质为通过原子层沉积的SiO2, HFO2,HfAlO, Ta2O5等。许多高校及研究所还在使用原子沉积技术（ Lucida Series ALD）进行新一代储存研究得到hen好的结果。原子沉积(ALD)技术大部分用在新一代储存，优点为原子单位厚度调节及均匀性， 步进覆盖好，对于未来新一代储存商用化做到很大贡献。

1、应用背景 　　等离子体是区别于固体、液体和气体的第四种物质聚集状态。在高能环境下，原子的外层电子摆脱原子核的束缚成为自由电子，失去电子的原子变成带正电的离子，这个过程叫电离，这种电离气体就是等离子体，通常由带电离子、自由电子、基态/激发态分子原子和自由基等粒子组成。等离子体在自然界中广泛存在，如太阳、恒星、星际物质、闪电等都是等离子体。 　　激光诱导等离子体(Laser-Induced Plasma, LIP)是通过激光与物质相互作用产生的一种高温、高密度的等离子体状态物质。当高能量的激光脉冲照射到物体表面时，会使得物质迅速加热并部分或完全电离，形成等离子体。伴随形成的等离子体羽流的演化过程具有超高速、持续时间短(一般几百纳秒)、强自发光背景和小空间尺度的特点，这使得其观测变得具有挑战性。 　　本次实验采用中智科仪的逐光IsCMOS像增强相机(TRC411)，拍摄了激光诱导等离子体羽流的形貌演化过程。基于逐光IsCMOS像增强相机的纳秒级快门门控、高精度的时序同步技术和变延迟序列推扫功能，记录了等离子体羽流的完整演化过程。 2、实验方案 　　实验设备： 　　中智科仪逐光IsCMOS像增强相机，型号：TRC411-S-HQB-F F2UV100大通量紫外镜头。 　　实验室所用激光器为镭宝Dawa-200灯泵浦电光调Q纳秒Nd:YAG激光器，波长1064nm，重复频率1-20Hz。采用激光器Q-out输出触发TRC411相机的方式，对相机Gate通道进行变延迟序列推扫，寻找相机与激光器的同步时刻。 　　实验流程： 　　1.实验材料被激发的等离子体羽发光在200nm-500nm左右，因此在镜头前端安装一个430nm的带通滤光片，屏蔽掉1064nm的激发激光和其他杂散光。需要注意观察成像画面中是否有强反射材料，比如样品台的光滑金属反光面或螺丝帽等，为了防止这些强烈反射面的反射光对相机造成损害，需要使用黑色电工胶带将它们遮挡或覆盖。 　　2. 激光器的Q-out触发输出接到示波器，测得同步输出的TTL信号电平为5V@1MΩ，频率与激光输出频率匹配，均为5Hz。TRC411相机可接受的最大外触发信号电平为5V，保守起见，在触发线末端加入了6dB衰减器，将激光器Q-out输出电平减半。 　　3. 由于等离子体的发光强度较大，无法确定所使用的滤光片的衰减倍率是否足够，因此首先将镜头光圈调至最小，设置增益为1800，Gate时间13ns(对应光学门宽3ns)。 　　软件参数设置如下表： 　　4. 对Gate通道进行变延迟序列扫描，最终找到Gate延时起止时刻在700ns至1100ns之间时，可以捕获到等离子体的发光信号。 　　软件参数设置界面： 3、实验结果 　　序列采集SEQ曲线： 　　根据曲线可以看到实验材料被激发的等离子体发光持续时间约为400ns。 　　高功率纳秒脉冲激光激发产生的完整等离子体羽形貌演变过程： 4、结论 　　中智科仪逐光IsCMOS像增强相机具有短至纳秒级的快门，超短的门控可以屏蔽背景噪声，提高信噪比。相机内置的高精度时序控制器可以确保相机与脉冲激光器的同步工作，在确定的延迟捕获等离子体信号。相机的变延迟序列扫描功能可以使相机快速拍摄不同延迟时刻的等离子体信号，获得完整的等离子体演化过程。诸多优势展示了TRC411相机在等离子体诊断方面的重要应用价值。 　　免责说明：中智科仪(北京)科技有限公司公众号发布的所有内容，包括文字和图片，主要基于授权内容或网络公开资料整理，仅供参考。所有内容的版权归原作者所有。若有内容侵犯了您的权利，请联系我们，我们将及时处理。 5、解决方案 　　由中智科仪自主研发生产的逐光IsCMOS像增强相机采用高量子效率低噪声的2代Hi-QE以及第3代GaAs像增强器，光学门宽短至500皮秒 全分辨率帧速高达98幅/秒 内置皮秒精度的多通道同步时序控制器，由SmartCapture软件进行可视化时序设置，完全适合时间分辨快速等离子现象。 　　1. 500皮秒光学快门 　　以皮秒精度捕捉瞬态现象，并大幅降低背景噪声。 　　2.超高采样频率 　　逐光IsCMOS相机目前全分辨率下可达98帧，提供高速数据采集速率，同时可提供实验效率。此外设置使用其中16行的区域下，可以达到1300帧以上。 　　3.精准的时序控制 　　逐光IsCMOS像增强相机具有三路独立输入输出的时序同步控制器，最短延迟时间为10皮秒，内外触发设置可实现与激光器以及其他装置精准同步。 　　4. 创新“零噪声”技术 　　得益于单光子信号的准确识别，相机的暗噪声及读出噪声被完全去除。

如何让您的锂电池发挥更大效能？试试先进原子层沉积(ALD)技术！当今世界正处于转变期，全力迈向电动社会——一个节能减排、实现气候目标并抵御严峻气候变化的社会。为了实现这一转变，我们需要新的材料和技术，而锂已成为这一转变的标志性元素。 可持续、可预测的锂供应链对于电动汽车（EV）、储能和电力网络的重要性日益明显。据国际能源协会 (IEA) 称，到 2040 年，锂将成为需求量zui大的矿物质。并且到 2030 年，对锂的需求量预计将达到 200 万吨，才能满足quan球 2000 GWh 的能源需求。这在十年内增长了 4 倍，而电动汽车的快速普及甚至可能使实际的需求量超过这一预测。 图 1. 与 2020 年相比，2040 年清洁能源技术对特定电池相关矿物的需求增长。STEPS 和 SDS 代表与气候政策相关的两种不同情景，用于估算需求，其中 STEPS 是国际能源机构提出的有可能的情景。指数单位是任意的，以显示增长。 01/地球上有多少锂？ 据美国地质调查局估计，地壳蕴含约 880 亿吨锂，其中约四分之一（220 亿吨）可开采，即储量。根据每辆电动汽车需要 8 千克锂的数量估计，我们可以生产近 30 亿辆电动汽车，这约为目前道路上汽车数量的两倍。 这样的锂储量可以支撑到本世纪中叶。值得庆幸的是，随着我们发明出更好的开采方法，锂储量也会随着时间的推移而增加。 从供应角度来看，这或许是个好消息，但利润率远低于应有的水平。尽管目前的锂储量可能满足当前的电动转型需求，但主要问题之一是锂的生产能力。 未来十年必须扩大锂产量，以满足增长四倍的需求。因此，即使有足够的锂，如果生产速度和工厂产量无法满足需求，人为短缺和供应链问题将会一直存在。 02/能否缓解这种关键材料短缺的情况？ 也许你还记得电影《无限》中，布莱德利库珀服用了一颗药丸，让他能够充分发挥大脑的潜力。那么，如果我们能用锂做同样的事情呢？ 我们可能会错误地认为电池在工作时会耗尽其全部电量。然而，由于界面不稳定性以及与电解质的寄生反应，大多数先进的锂离子电池正极只能在电压小于等于 4.2V 时工作。因此，为了避免活性材料的大量损失和晶体结构的重新排列，正极只能使用约 50% 的板载锂含量。 目前研究人员一直在努力制造稳定的高电压正极、稳定的负极和互补电解质，但已出现的少数材料仍然存在库仑效率低和结构退化的问题。如果不能保持较高的可逆容量，那么它们在较高电压下工作也是徒劳的。 值得注意的是，以 Wh 为单位测量的能量容量等于电池的标称容量（以安培小时 (Ah) 为单位）乘以电压 (V)。在较小的电压下运行，我们只能使用电池潜在能量容量的一小部分。 但如果像《无限》中那样，我们能设计出一种获得更多电池能量的方案吗？也许解决方法只是几纳米的材料。 03/ 使用Forge Nano ALD 原子层沉积技术提升电池效能 Forge Nano 推出了一种名为 Atomic Armor&trade 的解决方案，以解决电极结构不稳定的问题并从电池中释放更多容量。 该方法采用原子层沉积(ALD) 技术，在电池电极材料表面包覆薄膜，可实现厚度可控、均匀致密的纳米涂层。该技术可保护活性材料免受与电解质的寄生反应的影响，当电池在更高的电压和温度下工作时，电解质的化学性质会变得不稳定。 但更重要的是，Forge Nano 的 原子层沉积（ALD）工艺还可以防止过度反应。 图 2.电化学循环前未包覆的 NCA (a) 和 Al2O3 包覆的 NCA (b) 的 TEM 图像，以及在 3-4.8 V 电压下（1C/1C 充放电率）循环 100 次后分别从电池中提取的相同正极（c,d）的 TEM 图像。 图 2 很好地展示了 ALD 涂层在高电压下保持正极颗粒结构完整性的能力。TEM 图像显示，在 3.0 – 4.8V 的电压窗口下循环 100 次 1C/1C 循环后，未进行包覆的 NCA 颗粒出现了明显的裂纹和晶体结构退化。然而， Al2O3 ALD 涂层不仅防止了晶格的重大变化，还阻止了表面裂纹向颗粒内部的扩展。 事实上，通过防止这些失效机制，ALD 可以大幅提高电池的di一周期库仑效率，使电池可以在更高的电压下工作。这不仅意味着初始容量更高，而且可逆容量也更高，从而使相同的电池能够提供比以前更多的能量。 让我们来看看使用 Forge Nano 的 Atomic Armor&trade 技术升级电极材料的一些测试数据。 图 3. 使用原始石墨负极和涂有 Atomic Armor&trade 涂层的石墨负极的电池在 4.2V 电压下循环的相对容量。 图 3 比较了在 4.2V 电压下未包覆涂层的石墨负极的电池和使用 Forge Nano ALD技术包覆涂层的负极的电池的相对容量。通过使用该技术保护电极，我们的可逆容量增加了 11%，甚至无需在更高电压下循环。由于电极表面的反应不会损失锂，我们可以来回移动的锂量大大增加，从而从电池中获得更多能量。 图4 .未包覆涂层的 LCO 电池在 4.4V 电压下工作时的放电容量，耐久性循环为 0.5C/1C，而使用相同配方进行涂层包覆的电池在 4.5V 电压下运行时的放电容量。 图 4 则进一步提高了这一性能。图 4 显示了未进行涂层包覆的电池在 4.4V 电压下循环时的放电容量，以及使用 Forge Nano ALD 技术进行电极涂层包覆的电池在 4.5V 电压下循环时的放电容量。更高的电压运行与受保护的电极相结合，电池的初始放电容量提高了 18%。此外，更高的工作电压不会影响电池的使用寿命，这意味着使用原子盔甲技术，可以从电池中获得更多能量，而不会牺牲电池的使用寿命。 图 4 中的电池是可用于消费电子应用的电池示例，其目标循环次数为 200 次。如果这是一部手机，较高的放电容量意味着一次充电可以使用两天，而不是一天。 04/减少锂需求 虽然我们不一定能改变未来对锂的需求，但我们肯定能更有效地利用锂，从而较大限度地减轻锂的开采负担。随着电池能够在更高电压下工作，可逆容量增加 10-18% 不等，我们在不改变电池中锂含量的情况下输出更多的能量。 例如，北美电池制造生态系统计划到 2030 年输出 1000 GWh 的容量。如果每块电池的容量只提高 10%，那么现在这 1000 GWh 的工厂产出额定值为 1100 GWh，这将减少对多个新千兆工厂的需求，并每年节省 10 万吨加工锂的原料需求，相当于每年节省 100 万吨矿石开采过程中开采出的地下材料。这也相当于每年节省 110 万至 370 万吨二氧化碳排放量和 180 万至 800 万立方米用水量。 事实上，根据麦肯锡公司对锂供应的研究，虽然我们可以在短期内满足锂的需求，但预计到 2030 年，锂的供应将出现约 40 万吨的缺口。图 5 显示了目前到 2030 年的能源和锂需求预测。如果所有电池都使用 Forge Nano 的 ALD 技术包覆涂层，容量的提高将减少锂的需求量，以目前已知的供应量，足以满足到 2030 年的所有能源需求。在zui好的情况下，即所有电池都使用 Forge Nano ALD 技术提升电池容量，到 2030 年，锂可能仍然过剩。 图 5. 到 2030 年的锂和能源需求以及已知的锂供应量。Atomic Armor&trade 基础方案显示了千兆工厂产量增加 10% 后的锂需求。Atomic Armor&trade 高方案显示了产量增加 18% 后的锂需求。 通过使用 Forge Nano 的 Atomic Armor&trade 技术可以有效地利用锂，大大减轻锂生产的负担。使得公司可以安全地提供更高的产能产出，而不必担心供应链短缺；作为消费者，我们也不必担心锂供应短缺时会支付天价。 让 Forge Nano 的 Atomic Armor&trade 技术成为锂电池发挥更大效能的良药！

牛津仪器等离子技术最近更新的App包括一个明确和互动的元素周期表、详细的等离子体、离子束和原子层沉积工艺信息。它允许iPhone和iPad用户查阅工艺化学的相关信息，可以通过简单的周期表界面实现任何材料的刻蚀和沉积。 　　这个周期表App可以免费下载,将吸引大量的工业和学术界的用户。同时，它也是一个优秀的教学设备,可以展示单个元素属性和电子构型。

引言氨(NH3)，作为一种每年产量超过1.5亿吨的基本化学品，是现代社会发展和人口增长的重要基石。工业上的哈伯-博世法，即在高温高压下将氮气和氢气转化成氨，这一过程消耗世界上3-5%的天然气以制取氢气以及世界上1-2%的能源储备，同时每年向大气中排放数百万吨的二氧化碳(CO2)。与生物固氮酶类似，光催化过程能在温和的条件下将N2还原为NH3，为更清洁和更可持续的NH3生产提供了一条无碳化道路。近期的研究表明，氧化物半导体表面氧空位(Ovac)对于N2吸附和活化具有很大的潜力。而传统的引入氧空位的方法如H2焙烧同样会在氧化物体相引入空位，进而引入体相缺陷，导致载流子的复合，降低材料的光催化性能。因此，如何只在表面上引入氧空位而不影响体相是一个很大的挑战。成果简介近日，美国麦克仪器公司用户天津大学巩金龙教授（通讯作者）领导的科研团队在Angew. Chem. Int. Ed.上发表了题为“Promoted Fixation of Molecular Nitrogen with Surface Oxygen Vacancies on Plasmon-Enhanced TiO2 Photoelectrodes”的研究论文。在这篇文章中，研究者首次发现了利用无定形TiO2中Ovac来提升光固氮性能的新方法。通过原子层沉积的表面自限制生长机制，在等离子体增强金红石TiO2/Au纳米棒表面均匀包覆含有Ovac的无定形TiO2层。这层无定形TiO2薄膜中的Ovac可以促进N2吸附和活化，促进了紫外光驱动TiO2以及可见光驱动金表面等离子体产生的激发电子将氮气还原为氨。这一发现为在常规条件下(即室温常压)下进行光催化固氮研究提供了一种新的方法。图1 TiO2/Au/a-TiO2光电极的制备过程和形貌a-d) TiO2/Au/a-TiO2光电极的制备过程；e-h) TiO2/a-TiO2、原始TiO2、TiO2/Au和TiO2/Au/a-TiO2的SEM图像；i-l) TiO2/a-TiO2、原始TiO2、TiO2/Au和TiO2/Au/a-TiO2的HRTEM图像(j图内插：原始TiO2 NR的选区电子衍射)。

仪器信息网讯 2013 年5 月14 日，由牛津仪器等离子技术公司主办的“牛津仪器纳米级等离子工艺研讨会”在北京举行，来自广大企业及科研院所的160余名用户参加了此次会议。 会议现场 　　会议就微纳米技术在科研领域的新发展、未来的加工趋势、微纳米结构及器件应用等内容进行了探讨和交流。 牛津仪器商务发展总监 Frazer Anderson先生 　　牛津仪器商务发展总监Frazer Anderson先生首先介绍了牛津仪器及牛津仪器等离子体技术公司的基本情况。牛津仪器的业务主要分为纳米分析部、工业分析部和服务三大部分。其业务收入目前38%来自亚洲、32%来自欧洲、北美占27%，其他区域占3%。 　　牛津仪器等离子体技术公司属于纳米分析部，作为等离子体与沉积处理系统的领导供应商，成立于1982年，拥有超过30年的工艺经验，超过6000件的工艺库，能刻蚀、沉积或使用超过50%的元素周期表中的自然界元素。应用领域包括高亮度发光二极管(HBLED)、微机电系统MEMS、第三代光伏发电及下一代半导体技术等。拥有遍布全球的销售服务网络，并在英国、德国、中国、美国、日本、新加坡等设立了分公司与办事机构。 中科院半导体所半导体集成技术研究中心主任 杨富华教授 　　杨富华教授介绍了中科院半导体所、半导体技术研究中心、纳米技术在中科院半导体所的应用、半导体所采用的牛津仪器等离子体技术公司的产品使用情况等。他表示举办这样的交流会对于科研人员更好的了解相关领域的前沿动态及技术交流很有帮助。等离子体技术对于未来的科研工作非常重要，我们的研究人员一定要懂得仪器的使用原理，更好的操作仪器，获取出色的研究成果。同时他提出对于仪器公司来说，要想提高在中国的市场占有率，需要在仪器质量、价格、服务及技术打包方案等方面做更多的关注。 牛津仪器MEMS首席工艺科学家 Mark McNie先生 　　Mark McNie在报告中主要介绍了深硅刻蚀和低温纳米刻蚀技术在微机电系统(MEMS)中的应用。目前微机电系统的主要应用领域包括微机械、微流体、传感器及生物医药等领域。其发展趋势主要在于一体化和复杂化。 台湾工研院微系统技术中心经理 Dr.Lin Ching-Yuan 　　Lin Ching-Yuan博士在报告中指出微机电系统(MEMS)的市场规模到2017年将达到210亿美元，其2011年的市场规模为102亿美元，年均复合增长率将达到13%。未来在消费品和生物应用领域将发挥重要的角色，晶圆级的组合结构设计、3D一体化设计将成为MEMS的发展趋势，MEMS技术在半导体及移动电话领域的应用需求依然强劲。 牛津仪器首席技术官 Dr. Mike Cooke 　　Mike Cooke博士介绍了ALD(Atomic layer deposition)原子层沉积系统及其应用。ALD是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法，该技术作为一种先进的薄膜生长技术，已经在高介电和半导体薄膜生长等多方面得到了应用。新型高介电栅介质材料，纳米材料和纳米技术以及3D电子器件等是推动ALD发展重要的需求动力。 　　另外，此次交流会中Mike Cooke博士还就纳米薄膜加工工艺面临的问题及解决方案作了介绍。 牛津仪器III-V族刻蚀应用首席工艺科学家 邓力刚博士 　　邓博士在报告中介绍了激光干涉、光谱发射技术在III-V族刻蚀中的应用，这两种技术均可以很好的用于刻蚀监测及控制刻蚀深度。III-V 族刻蚀工艺优化中应注意了解材料特点，保持腔体干净，另外好的掩膜对于获取良好的刻蚀结果也十分重要。 牛津仪器HBLED产品经理 Dr.Mark Dineen 　　Mark Dineen博士介绍说PlasmaPro 1000 Astrea刻蚀设备，可以为PSS, GaN 和AlGaInP提供大批量刻蚀提供解决方案。牛津仪器在高亮度发光二极管(HBLED)产业中已具备15年以上的供应设备经验， HBLED制造业要求高产量、高性能和低使用者成本， PlasmaPro1000 Astrea大批量刻蚀设备完全符合以上要求。 牛津仪器Ion Beam产品经理 梁杰荣博士 　　梁杰荣博士介绍说，Ion Beam(离子束)技术可广泛的用于金属、氧化物和半导体的刻蚀与沉积。随着离子源栅网设计技术的持续改进，将使离子束技术更好的用于纳米结构的精细刻蚀。高离子能量及低压操作将为高质量的光学涂层和金属沉积提供理想的环境。 中科院半导体所 王晓东教授 　　王晓东教授介绍了Ion Beam Optofab3000 离子束沉积的应用情况。Optofab3000型离子束溅射系统的离子束能量可达几十至1000eV，被溅射出的原子带有10-20eV的能量，比蒸发镀膜高约100倍，薄膜的粘附性及致密度显著提高，靶材的表面原子逐层被撞出来，薄膜以原子层级生长，均匀性好。 牛津仪器半导体设备部区域销售经理王宏主持会议 　　会议中，与会人员在听取报告后，还就自己感兴趣的问题同专家进行了沟通和交流。现场还特别设置了墙报展，各位专家分别将自己的研究内容同与会人员就行了探讨。 现场交流 撰稿编辑：秦丽娟

化学气相沉积是使几种气体在高温下发生热化学反应而生成固体的方法，等离子体化学气相沉积是通过能量激励将工作物质激发到等离子体态从而引发化学反应生成固体方法。因为等离子体具有高能量密度、高活性离子浓度、故而可以引发在常规化学反应中不能或难以实现的物理变化和化学变化，且具有沉积温度低、能耗低、无污染等优点，因此等离子体化学气相沉积法得到了广泛的应用。微波等离子体也具有等离子体洁净、杂质浓度低的优点，因而微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）成为制备高质量金刚石的优先方法，也是目前有发展前景的高质量金刚石（单晶及多晶）沉积方法之一。MPCVD设备反应腔示意图金刚石具有优异的力学、电学、光学、热学、声学性能，在众多领域具有广泛的用途。而这些用途的实现在很大程度上依赖于高取向和单晶金刚石以及大面积透明金刚石膜。由于金刚石生长过程中普遍存在缺陷以及难以获取大面积范围内均匀温度场等参数，导致金刚石的取向发生改变，使高取向和单晶金刚石以及大面积透明金刚石膜的获得十分困难。因此，目前金刚石研究面临的大挑战和困难是如何制备优质单晶、多晶金刚石样品。 德国iplas公司基于 CYRANNUS® 多天线耦合技术，解决了传统的单天线等离子技术的局限。CYRANNUS® 技术采用腔外多天线设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，减少杂质来源，提高晶体纯度（制备的金刚石单晶纯度可达VVS别以上）。MPCVD系统可合成饰钻石 同时稳定的微波发生器也易于控制，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石及薄膜提供了有力保证。 MPCVD系统可合成优质大尺寸金刚石薄膜 MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。相关产品链接 微波等离子化学气相沉积系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C184528.htm

引言 异质催化剂的合成通常借助于传统的湿法化学法，包括浸渍法、离子交换和沉积-沉淀法等。然而，这些方法合成的催化材料往往具有非常复杂的结构和活性位点分布不均匀等问题，这些问题会显著降低催化剂的催化性能，特别是在选择性上，阻碍了科学家们在原子水平上理解催化剂的结构-活性关系。此外，在苛刻的反应条件下通过烧结或浸出造成的活性组分的损失会导致催化剂的大面积失活。因此，亟待发展一种简便的方法来调控催化剂的活性位结构和其在原子水平上的局部化学环境，从而促进对反应机理的理解和高稳定性催化剂的合理设计。 原子层沉积(ALD, Atomic layer deposition)是一种用于薄膜生长的气相催化剂合成技术，目前已成为一种异质催化剂合成的替代方法。和化学气相沉积(CVD, Chemical vapor deposition)一样，其原理是基于两种前驱体蒸汽交替进样，并在载体表面上发生分子层面上的“自限制”反应，实现目标材料在载体表面上的沉积。通过改变沉积周期数、次序和种类等方法可以实现对催化剂活性位结构的原子精细控制，进而为研究者提供了一种 “自下而上”可控合成催化剂的新策略。 美国Arradiance公司的GEMStar系列台式原子层沉积系统(如图1所示)，在小巧的机身（78 * 56 * 28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅可在8英寸基体上实现厚度均匀的膜沉积（其厚度均匀性高于99%），而且适合对具有超高长径比孔径的3D结构进行均匀薄膜覆盖，在高达1500：1长径比微纳深孔内部也可均匀沉积。图1. 美国Arradiance公司生产的GEMStar系列台式三维原子层沉积系统 在本篇文章中，我们将介绍利用ALD方法在负载型单金属 和双金属催化剂精细设计方面的进展和ALD方法在设计高效催化剂方面的特点与优势。同时，我们也整理了利用ALD技术制备单原子和双原子结构金属催化剂的方法与策略以及利用氧化物可控沉积调控金属催化活性中心周围的微环境，从而实现提升催化剂活性、选择性和稳定性的方法。后我们也将展望ALD技术在催化剂制备领 域中应用的潜力。ALD合成负载型催化剂 近年来，研究者对各种氧化物和碳基材料基底上的金属ALD催化剂进行了广泛研究。由于高温下ALD生长的金属原子在氧化物和碳基基底上的高迁移率，沉积物通常以金属纳米粒子形式存在，而不是二维金属薄膜。如图2a所示，金属纳米颗粒的尺寸大小和负载量可以通过调整ALD循环次数和沉积温度变化来进行调控，且金属颗粒的尺寸分布通常非常狭窄。近期，中国科学技术大学的路军岭课题组使用ALD技术发展了一种双金属纳米粒子的合成新策略，即使用较低的沉积温度和合适的反应物，在负载的单金属纳米粒子表面增加二金属组分，获得原子可控的双金属纳米粒子（如图2b, PtPd双金属纳米粒子）。研究发现，在较低的温度下，金属基底会促进金属前驱体在其上的成核和ALD生长，而金属氧化物通常是惰性的，因此不能在低温下与金属前驱体反应和开始成核。图2. ALD合成（a）单金属Pt纳米粒子，（b） 双金属PtPd纳米粒子，（c）Pt 单原子催化剂在N掺杂的石墨烯上，（d）Pd单原子催化剂在g-C3N4上，（e）二聚的Pt2/石墨烯催化剂。 原子分散的金属催化剂，由于其特的催化性能和大的原子利用效率，越来越受人们的关注。使用ALD技术从气相中获得单原子催化剂具有很大的挑战性，因为ALD生长通常在高温下进行，金属的聚集会显著加剧，但考虑到ALD的自限特性，仍是有可能的。加拿大西安大略大学孙学良教授团队从事了先驱性的工作，在250℃下，对N掺杂的石墨烯表面进行五十次Pt ALD循环合成了Pt单原子催化剂（如图2c）。DFT计算表面，Pt单原子与N原子成键，其HER活性相对于商业Pt/C显著增强(~37倍)。类似的，路军岭团队通过调控石墨烯上的含氧官能团种类和数量，在150℃下对石墨烯表面进行一次Pd ALD循环（Pd(hfac)2-HCHO），合成了原子分散的Pd单原子催化剂（如图2d），没有观察到Pd团簇和纳米粒子的形成。除此之外，使用ALD技术还可以合成原子的超细金属团簇，如二聚物等。如图2d所示，路军岭团队报道了Pt2二聚体可以通过ALD技术在石墨烯载体上创建适当的成核位点 “自下而上”制备获得，即Pt1单原子沉积，并在起始位点上进行Pt原子的选择性二次组装。氧化物包覆实现金属催化剂的纳米尺度编辑 对于负载型金属催化剂来讲，其载体不仅仅是作为基底，也会通过电子转移或金属—氧化物相互作用，显著的调制金属纳米颗粒的电子性质。当氧化物层包覆在金属纳米颗粒上时，会形成新的金属-氧化物界面(如图3a)，可以进一步改变金属纳米颗粒的电子性能和形貌，有望进一步提升其催化性能（如图3b）。金属纳米颗粒通常含有低配位位点（lcs）和高配位的台阶(HCSs)，通过氧化物ALD沉积的选择性阻挡某些活性位点，局部改变其几何形态，影响催化过程中的化学键断裂和生成，导致不同的反应途径（如图3c）。另外，物理氧化包覆层还可以提高纳米颗粒的稳定性，在恶劣的反应条件下防止金属组分的烧结和浸出(如图3d)。在原子层面上控制氧化膜厚度，从而在高比表面材料上实现高的均匀性，使得ALD成为在纳米尺度上提高纳米金属催化剂催化性能的理想工具，且不会产生质量迁移的问题。图3. （a）ALD氧化物包覆负载型纳米离子生成新的金属——氧化物界面ALD合成,（b）ZnO包覆Pt纳米粒子催化剂显著提高催化活性，（c）ALD氧化铝包覆Pd/Al2O3显著提高催化选择性，（d）TiO2包覆层显著提高Co@TiO2催化剂催化稳定性。 总结和展望 催化剂的原子合成，是阐明催化作用的关键机制和设计先进高性能催化剂的关键。ALD特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料。这些ALD催化剂具有较高的均匀性，使其相对于传统方法制备的催化剂，拥有更好的或可观的催化性能，并可作为模型催化剂有助于阐明催化剂的结构-性能关系。 参考文献：[1] Lu J. et.al, Acta Phys. -Chim. Sin. 2018, 34 (12), 1334–1357.[2] F. H. et al. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 9758.[3] Elam, J. W. Nat. Commun. 2014, 5, 3264.[4] Liu, L. M. et al. Nat. Commun. 2016, 7, 13638.[5] You, R. et al. Nano Res. 2017, 10, 1302.[6] Huang, X. H. et al. Nat. Commun. 2017,8, 1070.[7] Elam, J. W. ACS Catal. 2016, 6, 3457.[8] Lu, J. ACS Catal. 2015,5, 2735.[9] Huber, G. W. Energy Environ. Sci. 2014, 7, 1657.

文章名称：Experimental study platform for electrocatalysis of atomic-level controlled high-entropy alloy surfaces期刊和影响因子：Nature Communications IF=17.7DOI：https://doi.org/10.1038/s41467-023-40246-5研究背景： 高熵合金由于出色的热动力学和化学性能，使其在电催化领域受到了学术界的广泛关注。制备原子级可控合金对于提高表面催化性能和设计新型催化剂至关重要。尽管已有的研究对合金组分，元素构成和原子分布等问题对催化性能的影响做了相关的研究，然而对于Pt基合金在催化前和催化后合金表面原子结构变化的原子级透射电镜表征相关工作尚显不足。对于合金表面原子的排布和在空位处合金成分的表征尚属空白。 2023年7月，日本东北大学课题组利用Advance Riko公司的电弧等离子体沉积系统-APD制备了原子级可控的高熵合金，研究了电催化对合金表面原子的影响。得益于APD系统可多靶位同时进行精准等离子溅射的功能，课题组实现了同一种高熵合金不同晶向结构的制备，对多组分合金表面微观结构与其催化性能之间的详细关系进行了深入研究。同时，APD系统的真空传输配件避免了制备样品在传递过程中受到空气的影响。相关研究结果以《Experimental study platform for electrocatalysis of atomic-level controlled high-entropy alloy surfaces 》为题，在SCI期刊Nature Communications上发表。 文中使用的电弧等离子体沉积系统-APD可以在 1.5 nm 到 6 nm 范围内精确控制纳米颗粒的直径，具有活性好，产量高等优势。只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管等形成新的纳米颗粒催化剂。电弧等离子体沉积系统-APD图文导读： 图1. 利用Advance Riko公司的APD系统为电催化研究所准备的不同高熵合金示意图。为了实现制备不同高熵合金成分的需求，APD系统可以溅射合金靶材或者同时溅射多个靶材来实现。通过XPS的研究表明，通过APD系统所制备的高熵合金表面成分高度可控。图2. 通过上述方法制备的Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt合金不同晶向的表征结果。(a, c, e)为样品横截面的通过STEM获得的HAADF表征结果。(b, d, f)为对应样品的EDS Mapping结果。图3. APD系统所制备的Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt合金的循环伏安曲线(CV)和氧化还原反应(ORR)在电位循环中的变化。(a, c, e)为在0.05V-1.0V 的范围内CV曲线随可逆氢电极电位的变化关系。(b, d, f)为Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt的ORR随着电位循环的变化，循环电压为0.6V-1V。图4. APD系统所制备的Pt/Cr-Mn-Fe-Co-Ni/Pt合金在电位循环后的退化情况。(a, d, g)分别为合金样品的(111)，(110)和(100)方向的低倍HAADF表征结果。(b, e, h)分别为(a, d, g)中所对应的黄色方框区域的高分辨HAADF图像。(c, f, i)分别为在电位循环前和经过5000次循环后所对应的(b, e, h)区域的EDS结果的对比图。文章结论： 日本东北大学课题组使用APD系统制备了原子级可控的Pt高熵合金，通过高分辨透射电镜表征，从原子级的尺度上研究了电催化对合金表面的影响。通过与Pt-Co二元表面相比，高熵合金表面的氧还原反应性能优于 Pt-Co 二元表面，证明了该平台的有用性。该研究填补了高熵合金用于电催化领域原子级机理上的空白，为该领域的研究提供了理论基础！

目前的科创板上市公司中，大都是各自领域的“领跑者”，即将正式登陆科创板的拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”、“公司”）就是典型代表。　　拓荆科技成立于2010年4月，是辽宁省及沈阳市重点培育的上市后备企业和中国半导体设备五强企业，主要从事高端半导体专用薄膜沉积设备的研发、生产以及技术服务，产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，是目前国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。公司产品已广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用。同时已展开10nm及以下制程产品验证测试，在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。　　薄膜沉积设备技术门槛高，研发难度大。拓荆科技立足自主创新，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，并达到国际先进水平。其中，公司先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术，不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线产能，减少客户产线的生产成本。　　拓荆科技的产品已基本全面实现了我国芯片制造产业在介质薄膜沉积设备领域摆脱对海外厂商的依赖，补强了我国在集成电路产业链关键环节的实力，为我国建立芯片体系贡献力量。　　公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。拓荆科技经过十多年的技术积累，已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，一举打破了薄膜沉积设备长时间被欧美和日本厂商垄断的局面。凭借长期技术研发和工艺积累，拓荆科技已经成为可与国际巨头直接竞争的半导体高端设备制造厂商。　　作为注册制改革的“试验田”和定位于支持“硬科技”产业的融资板块，科创板成立近三年以来，基础制度不断完善，上市条件的包容度和适应性不断提升和增强，吸引了一大批硬科技企业选择到科创板发行融资，其中不乏大量尚未盈利、存在特殊股权结构的硬科技企业。在科创板这块“试验田”支持硬科技发展的示范引领作用下，拓荆科技选择到科创板发行股票上市获得融资支持，持续加大研发投入。　　拓荆科技在科创板发行上市主要是为开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发、开发Thermal ALD和大腔室PE ALD，以及升级SACVD设备，研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备募集社会资金，并借助募集资金开发中国台湾市场。在加强产品技术研发的同时，拓荆科技上市后，还将逐步培育和完善国内相关产业链，通过与国内供应商的深度合作与磨合，推动设备关键部件的开发及验证，提高设备零部件的国产化率以及产品品质。同时，公司还将利用国产设备厂商的综合优势，为客户提供定向的技术开发与服务，以此助力半导体产业链发展，保障产业链的技术先进性。

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目-公开招标公告 河南省-郑州市-金水区 状态：公告 更新时间： 2024-08-21 项目概况 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目招标项目的潜在投标人应在河南省公共资源交易中心网站获取招标文件，并于2024年09月12日09时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1、项目编号：豫财招标采购-2024-902 2、项目名称：河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目 3、采购方式：公开招标 4、预算金额：27,000,000.00元 最高限价：27000000元 序号 包号 包名称 包预算（元） 包最高限价（元） 1豫政采(2)20241346-1 包1 12470000 12470000 2 豫政采(2)20241346-2 包2 14530000 14530000 5、采购需求（包括但不限于标的的名称、数量、简要技术需求或服务要求等） 5.1采购货物名称及数量： 包1：双面对准紫外光刻系统1套、感应耦合等离子体深硅刻蚀机1套、离子束刻蚀机1套。 包2：反应离子刻蚀机1套、等离子体增强化学气相沉积系统1套、高真空电子束共沉积系统1套、半自动匀胶显影系统1套、湿法清洗系统1套、晶圆检查显微镜系统2套、晶圆划切系统1套、探针式轮廓仪1套。 5.2标包划分：本项目共划分2个标包； 5.3采购货物技术性能指标：具体参数详见招标文件第五章“采购需求” 5.4核心产品： 包1：双面对准紫外光刻系统 包2：等离子体增强化学气相沉积系统 5.5采购范围：采购货物的供货、运输、保险、装卸、安装、检测、调试、试运行、验收交付、培训、技术支持、售后保修及相关伴随服务； 5.6资金来源：财政资金，已落实； 5.7交货期： 包1：合同生效后15个月内完成供货、安装、调试完毕 包2：合同生效后12个月内完成供货、安装、调试完毕 5.8交货地点：采购人指定地点； 5.9质量要求：符合国家现行验收规范和标准，满足采购人的相关要求； 6、合同履行期限：自合同签订至质保期结束 7、本项目是否接受联合体投标：否 8、是否接受进口产品：是 9、是否专门面向中小企业：否 二、申请人资格要求： 1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2、落实政府采购政策满足的资格要求： 无 3、本项目的特定资格要求 无 三、获取招标文件 1.时间：2024年08月22日 至 2024年08月28日，每天上午00:00至12:00，下午12:00至23:59（北京时间，法定节假日除外。） 2.地点：河南省公共资源交易中心网站 3.方式：登录《河南省公共资源交易中心-市场主体》凭CA数字证书下载投标项目所含全部资料 4.售价：0元 四、投标截止时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：通过《河南省公共资源交易中心-市场主体》电子交易平台上传 五、开标时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：河南省公共资源交易中心远程开标室(二)-6 六、发布公告的媒介及招标公告期限 本次招标公告在《河南省政府采购网》、《中国政府采购网》、《河南省公共资源交易中心网》上发布， 招标公告期限为五个工作日 。 七、其他补充事宜 1.根据《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》(财库[2016]125号) 和豫财购【2016】15号的规定，采购人或采购代理机构应当在供应商递交投标文件或响应文件时查询供应商信用记录。查询时将查询网页、内容进行截图或拍照，以作证据留存，截图或拍照内容要完整清晰。对列入失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的供应商，采购人、采购代理机构应当拒绝其参加政府采购活动。查询渠道：失信被执行人（查询网站“全国法院失信被执行人名单信息公布与查询”）重大税收违法失信主体（查询网站“信用中国”）、政府采购严重违法失信行为记录名单（查询网址“中国政府采购网”）。 2.本项目执行促进中小型企业发展政策（监狱企业、残疾人福利性企业视同小微企业）、强制采购节能产品、优先采购节能环保产品等政府采购政策。 3.招标代理费：按照计价格[2002]1980号、发改价格[2003]857号和发改价格[2011]534号文件的取费标准的60%由中标人以现金或转账的形式向采购代理机构缴纳。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1. 采购人信息 名称：河南省科学院 地址：郑州市郑东新区崇实里228号 联系人：何小波 联系方式：0371-65753601 2.采购代理机构信息（如有） 名称：信人建设管理有限公司 地址：河南省郑州市金水区文化路9号永和国际1702室 联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043 3.项目联系方式 项目联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：轮廓仪,物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2024-09-12 09:00 预算金额：2700.00万元 采购单位：河南省科学院 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：信人建设管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目-公开招标公告 河南省-郑州市-金水区 状态：公告 更新时间： 2024-08-21 项目概况 河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目招标项目的潜在投标人应在河南省公共资源交易中心网站获取招标文件，并于2024年09月12日09时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1、项目编号：豫财招标采购-2024-902 2、项目名称：河南省科学院中原量子谷仪器共享中心七期（第一批）建设项目 3、采购方式：公开招标 4、预算金额：27,000,000.00元 最高限价：27000000元 序号 包号 包名称 包预算（元） 包最高限价（元） 1 豫政采(2)20241346-1 包1 12470000 12470000 2 豫政采(2)20241346-2 包2 14530000 14530000 5、采购需求（包括但不限于标的的名称、数量、简要技术需求或服务要求等） 5.1采购货物名称及数量： 包1：双面对准紫外光刻系统1套、感应耦合等离子体深硅刻蚀机1套、离子束刻蚀机1套。 包2：反应离子刻蚀机1套、等离子体增强化学气相沉积系统1套、高真空电子束共沉积系统1套、半自动匀胶显影系统1套、湿法清洗系统1套、晶圆检查显微镜系统2套、晶圆划切系统1套、探针式轮廓仪1套。 5.2标包划分：本项目共划分2个标包； 5.3采购货物技术性能指标：具体参数详见招标文件第五章“采购需求” 5.4核心产品： 包1：双面对准紫外光刻系统 包2：等离子体增强化学气相沉积系统 5.5采购范围：采购货物的供货、运输、保险、装卸、安装、检测、调试、试运行、验收交付、培训、技术支持、售后保修及相关伴随服务； 5.6资金来源：财政资金，已落实； 5.7交货期： 包1：合同生效后15个月内完成供货、安装、调试完毕 包2：合同生效后12个月内完成供货、安装、调试完毕 5.8交货地点：采购人指定地点； 5.9质量要求：符合国家现行验收规范和标准，满足采购人的相关要求； 6、合同履行期限：自合同签订至质保期结束 7、本项目是否接受联合体投标：否 8、是否接受进口产品：是 9、是否专门面向中小企业：否 二、申请人资格要求： 1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2、落实政府采购政策满足的资格要求： 无 3、本项目的特定资格要求 无 三、获取招标文件 1.时间：2024年08月22日 至 2024年08月28日，每天上午00:00至12:00，下午12:00至23:59（北京时间，法定节假日除外。） 2.地点：河南省公共资源交易中心网站 3.方式：登录《河南省公共资源交易中心-市场主体》凭CA数字证书下载投标项目所含全部资料 4.售价：0元 四、投标截止时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：通过《河南省公共资源交易中心-市场主体》电子交易平台上传 五、开标时间及地点 1.时间：2024年09月12日09时00分（北京时间） 2.地点：河南省公共资源交易中心远程开标室(二)-6 六、发布公告的媒介及招标公告期限 本次招标公告在《河南省政府采购网》、《中国政府采购网》、《河南省公共资源交易中心网》上发布， 招标公告期限为五个工作日 。 七、其他补充事宜 1.根据《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》(财库[2016]125号) 和豫财购【2016】15号的规定，采购人或采购代理机构应当在供应商递交投标文件或响应文件时查询供应商信用记录。查询时将查询网页、内容进行截图或拍照，以作证据留存，截图或拍照内容要完整清晰。对列入失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单及其他不符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定条件的供应商，采购人、采购代理机构应当拒绝其参加政府采购活动。查询渠道：失信被执行人（查询网站“全国法院失信被执行人名单信息公布与查询”）重大税收违法失信主体（查询网站“信用中国”）、政府采购严重违法失信行为记录名单（查询网址“中国政府采购网”）。 2.本项目执行促进中小型企业发展政策（监狱企业、残疾人福利性企业视同小微企业）、强制采购节能产品、优先采购节能环保产品等政府采购政策。 3.招标代理费：按照计价格[2002]1980号、发改价格[2003]857号和发改价格[2011]534号文件的取费标准的60%由中标人以现金或转账的形式向采购代理机构缴纳。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1. 采购人信息 名称：河南省科学院 地址：郑州市郑东新区崇实里228号 联系人：何小波 联系方式：0371-65753601 2.采购代理机构信息（如有） 名称：信人建设管理有限公司 地址：河南省郑州市金水区文化路9号永和国际1702室 联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043 3.项目联系方式 项目联系人：郭朋飞 赵琳杰 联系方式：18638282043

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-06-17 招标文件: 附件1 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 项目概况 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年07月08日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0164 项目名称：北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 预算金额：1000.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：1000.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 8英寸多腔原子层沉积系统 1套 1000万元 是 注：1.交货时间：合同签订后240日内交货并安装完毕。 2.交货地点：北京大学用户指定地点。 3.简要技术需求及用途：栅叠层结构是影响碳CMOS器件性能的重要因素，为提高碳基器件的性能，通过多腔体互连实现连续真空环境下栅介质与栅金属材料的沉积，从而改善碳基CMOS的性能与可靠性，因此采购8英寸多腔原子层沉积系统是项目完成所必须。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章；单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年06月17日 至 2022年06月24日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：只接受电汇或网银购买 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第二会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为“购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称”。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午16:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0164 报名包号 汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） √否 汇款/转账凭证 （汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言“项目编号+用途”，例如：ZC22-0164标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版：报名成功后电子版招标文件将于每工作日下午16:30以后以邮件形式发送至报名登记邮箱； （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045； 2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告“项目联系方式”中项目联系人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 其他详见附件下载 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座六层16室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话： 010-8237 0045、15801412428、15910847865 （定稿）ZC22-0164北京大学8英寸多腔原子层沉积系统项目招标公告.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：原子层沉积 开标时间：2022-07-08 09:00 预算金额：1000.00万元 采购单位：北京大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：北京明德致信咨询有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-06-17 招标文件: 附件1 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目公开招标公告 项目概况 北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年07月08日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0164 项目名称：北京大学8英寸多腔原子层沉积系统采购项目 预算金额：1000.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：1000.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 8英寸多腔原子层沉积系统 1套 1000万元 是 注：1.交货时间：合同签订后240日内交货并安装完毕。 2.交货地点：北京大学用户指定地点。 3.简要技术需求及用途：栅叠层结构是影响碳CMOS器件性能的重要因素，为提高碳基器件的性能，通过多腔体互连实现连续真空环境下栅介质与栅金属材料的沉积，从而改善碳基CMOS的性能与可靠性，因此采购8英寸多腔原子层沉积系统是项目完成所必须。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章；单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年06月17日 至 2022年06月24日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：只接受电汇或网银购买 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年07月08日 09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第二会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为“购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称”。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午16:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0164 报名包号 汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） √否 汇款/转账凭证（汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言“项目编号+用途”，例如：ZC22-0164标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版：报名成功后电子版招标文件将于每工作日下午16:30以后以邮件形式发送至报名登记邮箱； （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045；2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告“项目联系方式”中项目联系人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 其他详见附件下载 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座六层16室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话： 010-8237 0045、15801412428、15910847865 （定稿）ZC22-0164北京大学8英寸多腔原子层沉积系统项目招标公告.docx

MoS2(二硫化钼)，由于其优异的带隙结构(直接带隙为1.8 eV)，高表面体积比和的场效应晶体管(FET，field effect transistor)性能，已成为具代表性的二维过渡金属硫族化合物（TMDC, transition-metal dichalcogenide）。使用纳米晶（Nano-Crystal，NC）修饰MoS2，即可以保持每个组成部分的立特性，同时又提供了复合材料产生的协同特性，大的扩展了MoS2材料的应用领域。控制纳米晶（NC）在 MoS2基底上的形貌，包括浓度，尺寸大小和表面体积比，对电子器件的整体性能影响是至关重要的。原子层沉积技术（ALD，Atomic layer deposition）是基于自限制的表面化学反应，对缺乏表面活化学反应基团的二维材料可实现选择性表面纳米晶修饰，其中NC大小可以通过循环次数来控制。美国斯坦福大学化学工程学院的Stacey F. Bent教授，通过使用台式三维原子层沉积系统-ALD发现了一种合成ZnO修饰MoS2基杂化纳米结构（纳米片或纳米线）的新方法。ZnO纳米晶的特性，包括浓度、大小和表面体积比，可以通过控制ZnO循环次数以及ALD磺化处理得到的MoS2衬底的性能来进行系统的合成和调控。通过材料化学成分（XPS以及 Raman），显微镜观察(TEM, SEM)和同步加速器X射线技术(GIWAXS) 分析ZnO与ALD沉积次数的相互关系，并结合量子化学计算的结果，作者阐明了ZnO在MoS2衬底上的生长机理及其与MoS2衬底性能的关系。MoS2纳米片的缺陷密度和晶粒尺寸可以由MoO3的硫化温度进行控制，ZnO纳米晶会选择性地在MoS2表面的缺陷位置处成核，且尺寸随着ALD循环次数的增加而增大。ALD循环次数越高，ZnO纳米晶的聚结作用越强，使得ZnO在MoS2衬底表面的覆盖和自身尺寸大幅增长。此外，复合结构的几何形貌可以通过改变MoS2衬底的取向进行调控，即采用MoS2的垂直纳米线（NWs，nanowires）作为ALD ZnO NCs的衬底，可以大幅改善复合结构的表面体积比。该类材料有望用于一些新拓展的领域，尤其是依赖过渡金属卤化物和NCs相互耦合结构的，如基于p−n异质结的传感器或光电器件。该工作发表在2020年的国际知名期刊ACS Nano (2020, 14, 1757−1769)上。图1. （a）ZnO@MoS2复合纳米结构示意图；（b）800°C-MoS2表面的HR-STEM图像；（c）两步合成二硫化钼的工艺，即在三个不同的退火温度下（600,800,和1000°C）下使用H2S硫化ALD 合成的MoO3；（d）600 °C-, 800 °C-, 和1000 °C-MoS2的Raman光谱图,（e）Zn 2p XPS谱图（循环次数为50次）,（f）相对原子比 Zn/(Zn + Mo),（g）TEM图像，（h）表面覆盖度，（i）MoS2表面ZnO颗粒的数密度及（g）GIWAXS（grazing incidence wide-angle X-ray scattering，掠入射小角X射线散射） 图样（不同沉积次数下）；（k）800 °C-MoS2 纳米线的SEM，TEM和HR-TEM图像；（l）DEZ（diethylzinc，二乙基锌）反应的量子化学计算结果,在MoS2的边缘位和基面上进行DFT分析,黄色和绿色原子分别表示S和Mo。 上述工作中作者团队采用的原子层沉积设备来自于美国ARRADIANCE公司的GEMStar系列台式三维原子层沉积系统-ALD(如图2所示)，其在小巧的机身（78 * 56 * 28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性小于99%，而且更适合对超高长径比的孔径3D结构等实现均匀薄膜覆盖，对高达1500：1长径比的微纳深孔内部也可实现均匀沉积。GEMStar系列ALD系统广泛应用于高深宽比结构沉积，半导体微纳结构制备，微纳粉末包覆等，服务于锂离子电池，超电容器，超电容器，LED等研究领域。图2. 美国ARRADIANCE公司生产的GEM-tar系列台式三维原子层沉积系统 参考文献：[1]. Il-Kwon, et al., Synthesis of a Hybrid Nanostructure of ZnO-Decorated MoS2 by Atomic Layer Deposition., ACS nano., 2020,14(2), 1757-1769.

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次）招标公告 安徽省-马鞍山市-雨山区 状态：公告 更新时间： 2023-01-18 招标文件: 附件1 附件2 安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次）招标公告 信息时间：2023-01-18 招标公告信息 安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次）招标公告 项目概况 安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次）的潜在投标人应在马鞍山市公共资源交易系统获取招标文件，并于2023年02月08日09时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：MASCG-0-F-H-2023-0025 项目名称：安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次） 预算金额：300万元 最高限价：300万元 采购需求：采购1台等离子体增强原子层沉积等设备，具体内容详见招标文件。 合同履行期限：自合同签订之日起6个月内供货并安装调试完毕 本项目是否接受联合体投标：否 二、申请人的资格要求 1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2、落实政府采购政策需满足的资格要求： 2.1本项目是否专门面向中小企业：否 2.1.1本项目符合财政部、工业和信息化部制定的《政府采购促进中小企业发展管理办法》第六条规定，为非专门面向中小企业采购项目。具体原因如下：本项目为材料高峰学科建设设备采购，本设备生产需要专业技术。按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形。 2.1.2如对此项内容有疑问,可通过书面形式（纸质提交或登录马鞍山市公共资源交易系统在线提交）进行质疑。具体要求详见采购文件中“质疑与投诉”内容。” 3、本项目的特定资格要求：无 4、投标人不得存在以下不良信用记录情形之一： （1）投标人被人民法院列入失信被执行人的； （2）投标人被市场监督管理部门列入企业经营异常名录的； （3）投标人被税务部门列入重大税收违法案件当事人名单的； （4）投标人被政府采购监管部门列入政府采购严重违法失信行为记录名单的； （5）投标人或其法定代表人或配备项目经理（项目负责人）被人民检察院列入行贿犯罪档案的。 5、已从马鞍山市公共资源交易系统获取招标文件。 6、投标人须符合下列情形之一（不良行为记录以《马鞍山市公共资源交易主体不良行为信息处理暂行办法》（马公管〔2016〕35号）为准）： （1）开标日前两年内未被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录或记不良行为记录累计未满5分的。 （2）最近一次被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录累计记分达5分到9分(含9分)且公布日距开标日超过3个月。 （3）最近一次被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录累计记分达10分到19分(含19分)且公布日距开标日超过6个月。 （4）最近一次被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录累计记分达20分到29分(含29分)且公布日距开标日超过12个月。 （5）最近一次被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录累计记分30分以上(含30分)且公布日距开标日超过24个月。 三、获取招标文件 时间：2023年01月18日至2023年02月03日17时30分（北京时间）。 地点：马鞍山市公共资源交易系统 方式：进入马鞍山市公共资源交易系统获取 售价：免费 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 2023年02月08日09时00分（北京时间）。 开标地点：马鞍山市雨山区印山东路2009号（印山东路与湖东中路交叉口）汇通大厦附楼五楼第5开标室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、本项目需落实的（节能环保、中小微型企业扶持）等相关政府采购政策详见招标文件。 2、获取招标文件和其他相关资料时间期限：同招标文件获取时间。 3、本项目不收取投标保证金。 4、获取招标文件注意事项：（1）投标人进入马鞍山市公共资源交易中心网（网址：http://zbcg.mas.gov.cn）办理网上用户登记，然后登录马鞍山市公共资源新版交易系统(http://zbcg.mas.gov.cn/TPBidderNew/)获取招标文件和其他相关资料。网上用户登记详见《马鞍山市公共资源电子化交易网上用户登记流程须知》。（2）如本项目有两个或两个以上包别，投标人参加其中任何一个包别的投标，必须从马鞍山市公共资源交易系统获取该包别的招标文件和其他相关资料。（3）网上资料获取、投标技术支持联系电话：400-998-0000，0555-5200194。 5、电子投标文件制作：详见《马鞍山市公共资源新版交易系统投标人端操作手册》，网址：http://zbcg.mas.gov.cn/masggzy/0be0099b-bc8b-4033-88d5-8ed94c8522d1/85681480-2d0f-4b0d-b9f4-bb8e42e536c5/马鞍山市公共资源新版交易系统投标人端操作手册.docx 6、根据《关于积极应对疫情做好公共资源交易工作保障经济平稳运行的通知》（马公管办〔2020〕10号）文件要求，本项目采取投标人远程解密的方式解密电子投标文件，投标人不得派代表前往开标现场。若本项目有现场陈述、现场演示等要求，详见招标文件。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系 1、采购人信息 名称：安徽工业大学 地址：安徽省马鞍山市湖东路59号 联系方式：张满堂0555-2311291 2、采购代理机构信息 名称：马鞍山市兴马项目咨询有限公司 地址：马鞍山市雨山区印山东路2009号（印山东路与湖东中路交叉口）汇通大厦主楼七楼 联系方式：0555-5200272、5200278 3、项目联系方式 项目联系人：高杨、戴玉玲 电话：0555-5200272、5200278 办理流程公开 提交时间：2023-01-18 14:55:01 办理时间：0天1小时39分 招标文件正文.pdf 交易公告.pdf × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：原子层沉积 开标时间：2023-02-08 09:00 预算金额：300.00万元 采购单位：安徽工业大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：马鞍山市兴马项目咨询有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次）招标公告 安徽省-马鞍山市-雨山区 状态：公告 更新时间： 2023-01-18 招标文件: 附件1 附件2 安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次）招标公告 信息时间：2023-01-18 招标公告信息 安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次）招标公告 项目概况 安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次）的潜在投标人应在马鞍山市公共资源交易系统获取招标文件，并于2023年02月08日09时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：MASCG-0-F-H-2023-0025 项目名称：安徽工业大学材料高峰学科建设设备采购包别1（第二次） 预算金额：300万元 最高限价：300万元 采购需求：采购1台等离子体增强原子层沉积等设备，具体内容详见招标文件。 合同履行期限：自合同签订之日起6个月内供货并安装调试完毕 本项目是否接受联合体投标：否 二、申请人的资格要求 1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2、落实政府采购政策需满足的资格要求： 2.1本项目是否专门面向中小企业：否 2.1.1本项目符合财政部、工业和信息化部制定的《政府采购促进中小企业发展管理办法》第六条规定，为非专门面向中小企业采购项目。具体原因如下：本项目为材料高峰学科建设设备采购，本设备生产需要专业技术。按照本办法规定预留采购份额无法确保充分供应、充分竞争，或者存在可能影响政府采购目标实现的情形。 2.1.2如对此项内容有疑问,可通过书面形式（纸质提交或登录马鞍山市公共资源交易系统在线提交）进行质疑。具体要求详见采购文件中“质疑与投诉”内容。” 3、本项目的特定资格要求：无 4、投标人不得存在以下不良信用记录情形之一： （1）投标人被人民法院列入失信被执行人的； （2）投标人被市场监督管理部门列入企业经营异常名录的； （3）投标人被税务部门列入重大税收违法案件当事人名单的； （4）投标人被政府采购监管部门列入政府采购严重违法失信行为记录名单的； （5）投标人或其法定代表人或配备项目经理（项目负责人）被人民检察院列入行贿犯罪档案的。 5、已从马鞍山市公共资源交易系统获取招标文件。 6、投标人须符合下列情形之一（不良行为记录以《马鞍山市公共资源交易主体不良行为信息处理暂行办法》（马公管〔2016〕35号）为准）： （1）开标日前两年内未被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录或记不良行为记录累计未满5分的。 （2）最近一次被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录累计记分达5分到9分(含9分)且公布日距开标日超过3个月。 （3）最近一次被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录累计记分达10分到19分(含19分)且公布日距开标日超过6个月。 （4）最近一次被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录累计记分达20分到29分(含29分)且公布日距开标日超过12个月。 （5）最近一次被马鞍山市、县公共资源交易监督管理部门记不良行为记录累计记分30分以上(含30分)且公布日距开标日超过24个月。 三、获取招标文件 时间：2023年01月18日至2023年02月03日17时30分（北京时间）。 地点：马鞍山市公共资源交易系统 方式：进入马鞍山市公共资源交易系统获取 售价：免费 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 2023年02月08日09时00分（北京时间）。 开标地点：马鞍山市雨山区印山东路2009号（印山东路与湖东中路交叉口）汇通大厦附楼五楼第5开标室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、本项目需落实的（节能环保、中小微型企业扶持）等相关政府采购政策详见招标文件。 2、获取招标文件和其他相关资料时间期限：同招标文件获取时间。 3、本项目不收取投标保证金。 4、获取招标文件注意事项：（1）投标人进入马鞍山市公共资源交易中心网（网址：http://zbcg.mas.gov.cn）办理网上用户登记，然后登录马鞍山市公共资源新版交易系统(http://zbcg.mas.gov.cn/TPBidderNew/)获取招标文件和其他相关资料。网上用户登记详见《马鞍山市公共资源电子化交易网上用户登记流程须知》。（2）如本项目有两个或两个以上包别，投标人参加其中任何一个包别的投标，必须从马鞍山市公共资源交易系统获取该包别的招标文件和其他相关资料。（3）网上资料获取、投标技术支持联系电话：400-998-0000，0555-5200194。 5、电子投标文件制作：详见《马鞍山市公共资源新版交易系统投标人端操作手册》，网址：http://zbcg.mas.gov.cn/masggzy/0be0099b-bc8b-4033-88d5-8ed94c8522d1/85681480-2d0f-4b0d-b9f4-bb8e42e536c5/马鞍山市公共资源新版交易系统投标人端操作手册.docx 6、根据《关于积极应对疫情做好公共资源交易工作保障经济平稳运行的通知》（马公管办〔2020〕10号）文件要求，本项目采取投标人远程解密的方式解密电子投标文件，投标人不得派代表前往开标现场。若本项目有现场陈述、现场演示等要求，详见招标文件。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系 1、采购人信息名称：安徽工业大学 地址：安徽省马鞍山市湖东路59号 联系方式：张满堂0555-2311291 2、采购代理机构信息 名称：马鞍山市兴马项目咨询有限公司 地址：马鞍山市雨山区印山东路2009号（印山东路与湖东中路交叉口）汇通大厦主楼七楼 联系方式：0555-5200272、5200278 3、项目联系方式 项目联系人：高杨、戴玉玲 电话：0555-5200272、5200278 办理流程公开 提交时间：2023-01-18 14:55:01 办理时间：0天1小时39分 招标文件正文.pdf 交易公告.pdf

原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。过去20年，ALD工艺及设备已经广泛应用于逻辑和存储器件的大批量制造，不断推动诸如动态随机存取存储器（DRAM）、先进的鳍式场效应晶体管（FinFET）以及栅极环绕晶体管等器件性能的改进与创新。随着摩尔定律放缓，ALD工艺逐渐渗透到更多应用领域，如超摩尔（More-than-Moore，MtM）器件的生产中，正在推动新的架构、材料和性能的改进。调研机构Yole Développement报告显示，全球晶圆厂产能扩张的举措正在推动ALD设备销量的飙升。预计未来几年，ALD设备在超摩尔应用的市场规模将持续增长，其中2020-2026年的年复合增长率为12%，在2026年有望达到6.8亿美元。紧跟2022市场需求，SRII推出两款重磅新品拓展应用布局致力于满足半导体制造领域不断增长的技术需求，业界领先的ALD设备制造商和服务商—青岛四方思锐智能技术有限公司（以下简称思锐智能或SRII）旗下Beneq品牌全新设计并重磅推出了两款用于半导体器件制造的新产品：Prodigy和Transform300。SRII旗下Beneq品牌半导体业务负责人Patrick Rabinzohn表示：“进入2022年，更多样化、更复杂的新兴半导体应用正在崛起，Prodigy专为化合物半导体制造而设计，包括射频集成电路（GaAs / GaN / InP）、LED、VCSEL、光探测器等相关领域的MEMS制造商和代工厂，将受益于全新的Prodigy系列，以高性价比实现具有市场竞争力的ALD批量处理能力，并有效提升器件的性能和可靠性。Transform300则在原本优势的Transform系列上继续扩充，进一步适用300mm晶圆产品的ALD镀膜需求，具备卓越的通用性及多功能性，同样也是FAB-READY，可轻松集成到客户的产线上。”Prodigy为化合物半导体以及MEMS器件提供具有市场竞争力的ALD解决方案全新Transform300产品进一步匹配新兴半导体应用Prodigy为化合物半导体和MEMS器件的ALD量产技术树立了新标杆，能够满足由高端ALD技术支持的众多细分市场，是为8”及以下晶圆和多种材料提供最佳钝化及薄膜沉积的理想量产方案。Prodigy不仅集成了SRII最新ALD技术，更具备高性价比，易于实现批量处理工艺以提升目标产品性能，适用于75-200mm晶圆产品。值得一提的是，Transform300是目前市面上唯一一款结合等离子体增强和热法ALD有序工艺的300mm ALD集群工具。至此，Transform系列可为IDM和代工厂提供集单片、批量、等离子体增强及热法等众多功能于一体的工艺平台，旨在满足逻辑和存储等超大规模集成电路（VLSI）制造、CMOS图像传感器、功率器件、Micro-OLED/LED、先进封装和更多超摩尔领域的应用场景。加强产业深度合作，以先进技术赋能垂直行业创新万物互联时代到来，广泛类型的传感器产品重要性日益凸显。以CMOS传感器（CIS）这一典型的超摩尔应用为例，随着芯片集成度的提升，CIS芯片的结构也在不断创新，例如以堆叠方式将图像传感器、存储器以及更多逻辑元件进行统一封装。为了实现更优异的感光能力，往往需要表面钝化层来减少光子的损失，或通过抗反射涂层让更多的光子到达接收器。在这样深沟槽镀膜的场景中，ALD可以实现100%覆盖，或以不同镀膜材料、不同镀膜层数等方式组成不同的折射率、不同的叠层膜配比，从而更好地满足客户差异化的需求。Patrick Rabinzohn表示：“高质量、高保形性和均匀性的薄膜是ALD十分擅长的领域，目前已成为CIS应用的主流。与此同时，为了面向更多超摩尔应用，ALD工艺在全球范围也在不断开发与完善。SRII是这一全球合作的积极参与者，正在持续联合学术界、研究机构、材料供应商、设备子部件和工具供应商以及计量系统供应商等上下游机构/厂商展开紧密合作，实现互惠互利、创新发展，从而确保自有ALD工艺的领先地位。“目前，在中国市场，SRII与国家智能传感器创新中心及各大科研院校已经建立战略合作关系，共同专注CIS、MEMS等重要领域的联合研发，致力于加速超摩尔领域的产业落地。

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 基本信息 关键内容： 物理气相沉积,原子层沉积 开标时间： 2021-09-03 14:00 采购金额： 795.00万元 采购单位： 浙江大学宁波五位一体校区教育发展中心 采购联系人： 王鸯鸯 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 宁波中基国际招标有限公司 代理联系人： 徐承 代理联系方式： 立即查看 详细信息 宁波中基国际招标有限公司关于浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目的公开招标公告 浙江省-宁波市-鄞州区 状态：公告 更新时间： 2021-08-13 项目概况 浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目招标项目的潜在投标人应在政府采购云平台（www.zcygov.cn）获取（下载）招标文件，并于 2021年09月03日 14:00（北京时间）前递交（上传）投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：CBNB-20211438G 项目名称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目 预算金额（元）：7950000 最高限价（元）：3500000,2350000,2100000 采购需求： 标项一 标项名称: 等离子体增强化学气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 3500000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项二 标项名称: 物理气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 2350000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项三 标项名称: 全自动匀胶显影系统 数量: 1 预算金额（元）: 2100000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 合同履约期限：标项 1、2、3，自合同签订生效后开始至双方合同义务完全履行后截止。 本项目（否）接受联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；未被“信用中国”（www.creditchina.gov.cn)、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求：标项1、2、3：单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同投标人，不得参加同一标项的投标。为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的投标人，不得再参加本项目的投标。 三、获取招标文件 时间：2021年08月13日至2021年08月20日 ，每天上午00:00至12:00 ，下午12:00至23:59（北京时间，线上获取法定节假日均可，线下获取文件法定节假日除外） 地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 方式：1.本项目招标文件实行“政府采购云平台”在线获取，不提供招标文件纸质版。供应商获取招标文件前应先完成“政府采购云平台”的账号注册；2.潜在供应商登陆政采云平台，在线申请获取招标文件（进入“项目采购”应用，在获取招标文件菜单中选择项目，申请获取招标文件；仅需浏览招标文件的供应商可点击“游客，浏览招标文件”直接下载招标文件浏览）；3.招标公告附件内的招标文件仅供阅览使用，投标人只有在“政府采购云平台”完成获取招标文件申请并下载了招标文件后才视作依法获取招标文件（法律法规所指的供应商获取招标文件时间以供应商完成获取招标文件申请后下载招标文件的时间为准）。注：请投标人按上述要求获取招标文件，如未在“政采云”系统内完成相关流程，引起的投标无效责任自负。 售价（元）：0 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2021年09月03日 14:00（北京时间） 投标地点（网址）：（1）“电子加密投标文件”：政采云平台（www.zcygov.cn）在线提交；（2）“电子备份投标文件”：中基招标会议中心（宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦1楼）开标室 开标时间：2021年09月03日 14:00 开标地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.供应商认为采购文件使自己的权益受到损害的，可以自获取采购文件之日或者采购文件公告期限届满之日（公告期限届满后获取采购文件的，以公告期限届满之日为准）起7个工作日内，对采购文件需求的以书面形式向采购人提出质疑，对其他内容的以书面形式向采购人和采购代理机构提出质疑。质疑供应商对采购人、采购代理机构的答复不满意或者采购人、采购代理机构未在规定的时间内作出答复的，可以在答复期满后十五个工作日内向同级政府采购监督管理部门投诉。质疑函范本、投诉书范本请到浙江政府采购网下载专区下载。 2.其他事项：2.1.采购项目需要落实的政府采购政策：（1）对小微企业的产品给予价格优惠（监狱企业、残疾人福利性单位视同小微企业；残疾人福利性单位属于小型、微型企业的，不重复享受政策）；（2）优先采购节能环保产品（注：所采购的货物在政府采购节能产品、环境标志产品实施品目清单范围内，且具有国家确定的认证机构出具的、处于有效期之内的节能产品、环境标志产品认证证书）。2.2.本次政府采购活动有关信息在浙江政府采购网公布，视同送达所有潜在投标人。 2.3特别提醒事项：（1）供应商应于提交投标文件截止时间前将电子加密投标文件上传到政府采购云平台www.zcygov.cn，未上传电子加密投标文件，视为供应商放弃投标。（2）供应商在“政府采购云平台”完成“电子加密投标文件”的上传递交之外，还可以（邮寄形式或派人现场提交，以招标代理机构联系人签收时间为准）在投标截止时间前提交以介质（U盘）存储的数据电文形式的“备份投标文件”。（3）电子招投标有关事项说明：①本项目通过“浙江政府采购网（http://zfcg.czt.zj.gov.cn）”实行电子投标，供应商须安装客户端软件，并按照采购文件和电子交易平台的要求制作投标文件。客户端软件下载方式：供应商可通过“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端”进行下载。②供应商须申领CA，CA申领及相关操作可参考“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端-CA驱动和申领流程”。供应商在进行上述操作时，如遇技术问题可致电400-881-7190进行咨询。（4）疫情期间特别提醒事项：①采用邮寄方式提交电子备份投标文件，需按以下要求递交：供应商须在投标截止时间前将电子备份投标文件邮寄至规定地点，由招标代理工作人员进行签收。各供应商自行考虑邮寄在途时间，邮寄过程中无论何种因素导致电子备份投标文件未按时递交的后果，均由供应商自行负责。电子备份投标文件递交时间以招标代理实际收到电子备份投标文件的时间为准。迟到的电子备份投标文件将被拒收。请各供应商确保密封包装在邮寄过程密封包装完好，并在邮寄包裹上注明项目名称，因邮寄过程的密封破损造成不符合开标要求的，本招标代理及招标人概不负责。电子备份投标文件邮寄地址为：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼。收件人：王鸯鸯，联系方式：0574-88090157,13373888477②采用现场递交方式递交电子备份投标文件，在投标当天投标人员需持绿色“甬行码”、佩戴口罩且体温测量正常后方可进入开标现场（以开标当日测量体温为准）递交电子备份投标文件。若供应商因未按上述要求办理而导致无法准时进入开标现场的，由供应商自行负责。 七、对本次采购提出询问、质疑、投诉，请按以下方式联系 1.采购人信息 名 称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹） 地 址：宁波市鄞州区钱湖南路1号 传 真：/ 项目联系人（询问）：郑老师 项目联系方式（询问）：0574-88229887 质疑联系人：杨国义 质疑联系方式：0574-88130160 2.采购代理机构信息 名 称：宁波中基国际招标有限公司 地 址：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼 传 真：0574-87425386 项目联系人（询问）：王鸯鸯、徐承 项目联系方式（询问）：0574-88090157、87425387 质疑联系人：蒋海佳 质疑联系方式：0574-87423685 3.同级政府采购监督管理部门 名 称：宁波市政府采购管理办公室 地 址：宁波市海曙区中山西路19号 传 真：/ 联系人 ：徐老师 监督投诉电话：0574-89388441 若对项目采购电子交易系统操作有疑问，可登录政采云（https://www.zcygov.cn/），点击右侧咨询小采，获取采小蜜智能服务管家帮助，或拨打政采云服务热线400-881-7190获取热线服务帮助。 CA问题联系电话（人工）：汇信CA 400-888-4636；天谷CA 400-087-8198。 附件信息： 430.4K × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2021-09-03 14:00 预算金额：795.00万元 采购单位：浙江大学宁波五位一体校区教育发展中心 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：宁波中基国际招标有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 宁波中基国际招标有限公司关于浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目的公开招标公告 浙江省-宁波市-鄞州区 状态：公告 更新时间： 2021-08-13 项目概况 浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目招标项目的潜在投标人应在政府采购云平台（www.zcygov.cn）获取（下载）招标文件，并于 2021年09月03日 14:00（北京时间）前递交（上传）投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：CBNB-20211438G 项目名称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目 预算金额（元）：7950000 最高限价（元）：3500000,2350000,2100000 采购需求： 标项一 标项名称: 等离子体增强化学气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 3500000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项二 标项名称: 物理气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 2350000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项三 标项名称: 全自动匀胶显影系统 数量: 1 预算金额（元）: 2100000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 合同履约期限：标项 1、2、3，自合同签订生效后开始至双方合同义务完全履行后截止。 本项目（否）接受联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；未被“信用中国”（www.creditchina.gov.cn)、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求：标项1、2、3：单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同投标人，不得参加同一标项的投标。为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的投标人，不得再参加本项目的投标。 三、获取招标文件 时间：2021年08月13日至2021年08月20日 ，每天上午00:00至12:00 ，下午12:00至23:59（北京时间，线上获取法定节假日均可，线下获取文件法定节假日除外） 地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 方式：1.本项目招标文件实行“政府采购云平台”在线获取，不提供招标文件纸质版。供应商获取招标文件前应先完成“政府采购云平台”的账号注册；2.潜在供应商登陆政采云平台，在线申请获取招标文件（进入“项目采购”应用，在获取招标文件菜单中选择项目，申请获取招标文件；仅需浏览招标文件的供应商可点击“游客，浏览招标文件”直接下载招标文件浏览）；3.招标公告附件内的招标文件仅供阅览使用，投标人只有在“政府采购云平台”完成获取招标文件申请并下载了招标文件后才视作依法获取招标文件（法律法规所指的供应商获取招标文件时间以供应商完成获取招标文件申请后下载招标文件的时间为准）。注：请投标人按上述要求获取招标文件，如未在“政采云”系统内完成相关流程，引起的投标无效责任自负。 售价（元）：0 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2021年09月03日 14:00（北京时间） 投标地点（网址）：（1）“电子加密投标文件”：政采云平台（www.zcygov.cn）在线提交；（2）“电子备份投标文件”：中基招标会议中心（宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦1楼）开标室 开标时间：2021年09月03日 14:00 开标地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.供应商认为采购文件使自己的权益受到损害的，可以自获取采购文件之日或者采购文件公告期限届满之日（公告期限届满后获取采购文件的，以公告期限届满之日为准）起7个工作日内，对采购文件需求的以书面形式向采购人提出质疑，对其他内容的以书面形式向采购人和采购代理机构提出质疑。质疑供应商对采购人、采购代理机构的答复不满意或者采购人、采购代理机构未在规定的时间内作出答复的，可以在答复期满后十五个工作日内向同级政府采购监督管理部门投诉。质疑函范本、投诉书范本请到浙江政府采购网下载专区下载。 2.其他事项：2.1.采购项目需要落实的政府采购政策：（1）对小微企业的产品给予价格优惠（监狱企业、残疾人福利性单位视同小微企业；残疾人福利性单位属于小型、微型企业的，不重复享受政策）；（2）优先采购节能环保产品（注：所采购的货物在政府采购节能产品、环境标志产品实施品目清单范围内，且具有国家确定的认证机构出具的、处于有效期之内的节能产品、环境标志产品认证证书）。2.2.本次政府采购活动有关信息在浙江政府采购网公布，视同送达所有潜在投标人。 2.3特别提醒事项：（1）供应商应于提交投标文件截止时间前将电子加密投标文件上传到政府采购云平台www.zcygov.cn，未上传电子加密投标文件，视为供应商放弃投标。（2）供应商在“政府采购云平台”完成“电子加密投标文件”的上传递交之外，还可以（邮寄形式或派人现场提交，以招标代理机构联系人签收时间为准）在投标截止时间前提交以介质（U盘）存储的数据电文形式的“备份投标文件”。（3）电子招投标有关事项说明：①本项目通过“浙江政府采购网（http://zfcg.czt.zj.gov.cn）”实行电子投标，供应商须安装客户端软件，并按照采购文件和电子交易平台的要求制作投标文件。客户端软件下载方式：供应商可通过“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端”进行下载。②供应商须申领CA，CA申领及相关操作可参考“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端-CA驱动和申领流程”。供应商在进行上述操作时，如遇技术问题可致电400-881-7190进行咨询。（4）疫情期间特别提醒事项：①采用邮寄方式提交电子备份投标文件，需按以下要求递交：供应商须在投标截止时间前将电子备份投标文件邮寄至规定地点，由招标代理工作人员进行签收。各供应商自行考虑邮寄在途时间，邮寄过程中无论何种因素导致电子备份投标文件未按时递交的后果，均由供应商自行负责。电子备份投标文件递交时间以招标代理实际收到电子备份投标文件的时间为准。迟到的电子备份投标文件将被拒收。请各供应商确保密封包装在邮寄过程密封包装完好，并在邮寄包裹上注明项目名称，因邮寄过程的密封破损造成不符合开标要求的，本招标代理及招标人概不负责。电子备份投标文件邮寄地址为：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼。收件人：王鸯鸯，联系方式：0574-88090157,13373888477②采用现场递交方式递交电子备份投标文件，在投标当天投标人员需持绿色“甬行码”、佩戴口罩且体温测量正常后方可进入开标现场（以开标当日测量体温为准）递交电子备份投标文件。若供应商因未按上述要求办理而导致无法准时进入开标现场的，由供应商自行负责。 七、对本次采购提出询问、质疑、投诉，请按以下方式联系 1.采购人信息 名 称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹） 地 址：宁波市鄞州区钱湖南路1号 传 真：/ 项目联系人（询问）：郑老师 项目联系方式（询问）：0574-88229887 质疑联系人：杨国义 质疑联系方式：0574-88130160 2.采购代理机构信息 名 称：宁波中基国际招标有限公司 地 址：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼 传 真：0574-87425386 项目联系人（询问）：王鸯鸯、徐承 项目联系方式（询问）：0574-88090157、87425387 质疑联系人：蒋海佳 质疑联系方式：0574-87423685 3.同级政府采购监督管理部门 名 称：宁波市政府采购管理办公室 地 址：宁波市海曙区中山西路19号 传 真：/ 联系人 ：徐老师 监督投诉电话：0574-89388441 若对项目采购电子交易系统操作有疑问，可登录政采云（https://www.zcygov.cn/），点击右侧咨询小采，获取采小蜜智能服务管家帮助，或拨打政采云服务热线400-881-7190获取热线服务帮助。CA问题联系电话（人工）：汇信CA 400-888-4636；天谷CA 400-087-8198。 附件信息： 430.4K

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 北京大学原子层沉积系统采购项目 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-11-23 招标文件: 附件1 北京大学原子层沉积系统采购项目 项目编号：BMCC-ZC22-0678 发布日期：2022-11-23 16:39 下载 北京大学原子层沉积系统采购项目招标公告 项目概况 北京大学原子层沉积系统采购招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年12月14日09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0678 项目名称：北京大学原子层沉积系统采购项目 预算金额：130万元 最高限价（如有）：130万元 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 原子层沉积系统 1套 130万元 是 注：1.交货时间：签订合同后12个月内交货并安装完毕。2.交货地点：北京大学校园内指定地点。3.简要技术需求及用途：北京大学拟采购原子层沉积系统，用于实现直径为100-200 mm基质的上的保形、均匀的薄膜沉积。可沉积高质量的氧化物、多元氧化物、氮化物、金属及自组装单分子层。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目不接受联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无。 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章； 单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年11月23日至 2022年11月30日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30（北京时间，法定节假日除外）地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：只接受电汇或网银购买 售价：本项目招标文件按本出售, 每本售价500元（含电子文档）；招标文件售后不退。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 时间：2022年12月14日上午09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第三会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为“购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称”。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午16:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0678 报名包号 汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） √否 汇款/转账凭证 （汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言“项目编号+用途”，例如：ZC22-0678标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版招标文件免费下载地址：明德致信公司网站“招标（采购）公告”频道：http://www.zbbmcc.com/node/119。无需注册，按项目名称或编号查找对应项目，点击标题下红色“下载”按钮即可。 （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045； 2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告“项目联系方式”中项目联系人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品、鼓励开展信用担保等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦B座17层09室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山，010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话：010-8237 0045、15801412428、15910847865 北京明德致信咨询有限公司 2022年11月23日 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：原子层沉积 开标时间：2022-12-14 09:00 预算金额：130.00万元 采购单位：北京大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：北京明德致信咨询有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 北京大学原子层沉积系统采购项目 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-11-23 招标文件: 附件1 北京大学原子层沉积系统采购项目 项目编号：BMCC-ZC22-0678 发布日期：2022-11-23 16:39 下载 北京大学原子层沉积系统采购项目招标公告 项目概况 北京大学原子层沉积系统采购招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年12月14日09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0678 项目名称：北京大学原子层沉积系统采购项目 预算金额：130万元 最高限价（如有）：130万元 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 原子层沉积系统 1套 130万元 是 注：1.交货时间：签订合同后12个月内交货并安装完毕。2.交货地点：北京大学校园内指定地点。3.简要技术需求及用途：北京大学拟采购原子层沉积系统，用于实现直径为100-200 mm基质的上的保形、均匀的薄膜沉积。可沉积高质量的氧化物、多元氧化物、氮化物、金属及自组装单分子层。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目不接受联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无。 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章； 单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年11月23日至 2022年11月30日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30（北京时间，法定节假日除外） 地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：只接受电汇或网银购买 售价：本项目招标文件按本出售, 每本售价500元（含电子文档）；招标文件售后不退。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 时间：2022年12月14日上午09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第三会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为“购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称”。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午16:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0678 报名包号 汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） √否 汇款/转账凭证 （汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言“项目编号+用途”，例如：ZC22-0678标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版招标文件免费下载地址：明德致信公司网站“招标（采购）公告”频道：http://www.zbbmcc.com/node/119。无需注册，按项目名称或编号查找对应项目，点击标题下红色“下载”按钮即可。 （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045； 2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告“项目联系方式”中项目联系人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品、鼓励开展信用担保等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦B座17层09室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山，010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话：010-8237 0045、15801412428、15910847865 北京明德致信咨询有限公司 2022年11月23日

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 基本信息 关键内容： 原子层沉积 开标时间： 2022-04-29 09:00 采购金额： 300.00万元 采购单位： 北京大学 采购联系人： 吴老师 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 北京明德致信咨询有限公司 代理联系人： 孙经理 代理联系方式： 立即查看 详细信息 北京大学原子层沉积系统采购项目公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-04-08 北京大学原子层沉积系统采购项目公开招标公告 发布日期：2022-04-08 项目概况 北京大学原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年04月29日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0079 项目名称：北京大学原子层沉积系统采购项目 预算金额：300.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：300.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 原子层沉积系统 1套 300万元 是 注：1.交货时间：自合同生效之日起6个月内到货并安装调试完毕。 2.交货地点：北京大学微纳电子大厦。 3.简要技术需求及用途：北京大学拟采购原子层沉积系统，实现沉积高均一性、高质量、厚度原子级可控、保形性优异的介电薄膜，用于制备先进技术微电子器件、新能源器件等。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章；单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年04月08日 至 2022年04月15日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：本项目只接受电汇或网银购买。（具体方式详见“其他补充事宜”） 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年04月29日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年04月29日 09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第三会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为 购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称 。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午4:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0079 报名包号 汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） 否 汇款/转账凭证 （汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言 项目编号+用途 ，例如：ZC22-0079标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版：报名成功后电子版招标文件将于每工作日下午4:30以后以邮件形式发送至报名登记邮箱； （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045； 2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告 项目联系方式 中项目负责人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 详见附件下载 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座六层16室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山，010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话： 010-8237 0045、15801412428、15910847865 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：原子层沉积 开标时间：2022-04-29 09:00 预算金额：300.00万元 采购单位：北京大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：北京明德致信咨询有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 北京大学原子层沉积系统采购项目公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-04-08 北京大学原子层沉积系统采购项目公开招标公告 发布日期：2022-04-08 项目概况 北京大学原子层沉积系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”）获取招标文件，并于2022年04月29日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：BMCC-ZC22-0079 项目名称：北京大学原子层沉积系统采购项目 预算金额：300.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：300.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 名称 数量 预算金额 是否接受进口产品 01 原子层沉积系统 1套 300万元 是 注：1.交货时间：自合同生效之日起6个月内到货并安装调试完毕。 2.交货地点：北京大学微纳电子大厦。 3.简要技术需求及用途：北京大学拟采购原子层沉积系统，实现沉积高均一性、高质量、厚度原子级可控、保形性优异的介电薄膜，用于制备先进技术微电子器件、新能源器件等。 合同履行期限：按招标文件要求。 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：遵守国家有关法律、法规、规章；单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本项目的投标。为本项目采购需求提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的投标。通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）和中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询信用记录（截止时点为投标截止时间），对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商，没有资格参加本次采购活动。投标人必须购买招标文件并登记备案。 三、获取招标文件 时间：2022年04月08日 至 2022年04月15日，每天上午9:00至11:30，下午13:00至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：线上邮箱报名（具体方式详见“其他补充事宜”） 方式：本项目只接受电汇或网银购买。（具体方式详见“其他补充事宜”） 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年04月29日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年04月29日 09点00分（北京时间） 地点：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座5层第三会议室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 （1）详细报名及获取招标（采购）文件方式，请完整阅读以下全部内容： 1）填写下表，连同电汇底单（网银转账页面或银行回单）扫描件发送至bjmdzx@vip.163.com。邮件主题请务必为 购买标书登记+项目编号（BMCC开头）+项目名称 。报名后我司将回复邮件告知报名结果，请关注邮件及相关附件。 请注意：电汇或网银必须于标书销售截止日下午4:30前到账。 项目编号 BMCC-ZC22-0079 报名包号汇款金额 公司名称 统一社会信用代码 公司通讯地址 项目联系人 联系电话 联系邮箱 需要快递纸质版文件 是(须加收快递费100元） 否 汇款/转账凭证 （汇款或转账的底单扫描件或截图） 2）银行账户信息，电汇购买招标文件、投标保证金及中标服务费收取的唯一账户： 汇款或转账时请务必附言 项目编号+用途 ，例如：ZC22-0079标书款或保证金。 公司名称：北京明德致信咨询有限公司 开 户 行：中国工商银行股份有限公司北京东升路支行 账 号：0200 0062 1920 0492 968 3）招标文件的获取： 电子版：报名成功后电子版招标文件将于每工作日下午4:30以后以邮件形式发送至报名登记邮箱； （2）问题咨询联系方式的说明： 1）有关招标文件购买、中标通知书领取及服务费发票、保证金交纳及退还事宜的联系电话：（010）8237 0045； 2）有关招标文件技术部分的问题咨询：请拨打公告 项目联系方式 中项目负责人的手机号码。 （3）本项目的公告发布媒介：仅在中国政府采购网发布。对其他网站转发本公告可能引起的信息误导、造成供应商的经济或其他损失的，采购人及采购代理不负任何责任。 （4）针对本项目的其他特别说明： 1）需要落实的政府采购政策：促进中小企业、监狱企业、残疾人福利性单位发展，优先采购节能产品、环境标志产品等。 2）投标文件请于开标当日（投标截止时间之前）递交至开标地点，逾期递交文件恕不接受。 3）届时请投标人派代表参加开标仪式。 4）如本公告内容和招标文件内容不一致，以招标文件为准。 详见附件下载 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师，010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：北京明德致信咨询有限公司 地 址：北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座六层16室（邮编：100083） 联系方式：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山，010-8237 0045、15801412428、15910847865 3.项目联系方式 项目联系人：孙经理、刘亚运、吕家乐、王爽、吕绍山 电 话： 010-8237 0045、15801412428、15910847865

超大规模集成电路（ULSI）产业直接关系到国家的经济发展、信息安全和国防建设，是衡量一个国家综合实力的重要标志之一。在半导体芯片制备过程中，约有三分之一的工序要使用等离子体技术，因此配备等离子体工艺腔室的材料刻蚀和薄膜沉积设备是ULSI制造工艺的核心。目前，半导体工艺中最常用的两种等离子体源是CCP（容性耦合等离子体）和ICP（感应耦合等离子体）。等离子体工艺腔室制造过程极为复杂，不仅涉及精密机械加工技术，还要统筹考虑电源、气体、材料等外部参数的优化，以及与晶圆处理工艺的兼容性。如果采用传统的“实验试错法”，不仅成本巨大，而且延长了设备的研发周期，将严重制约我国ULSI产业的快速发展。因此，采用建模仿真与实验诊断相结合的方式、为等离子体工艺腔室的研发与优化提供方案，成为一种必然趋势。等离子体放电过程是极其复杂的，受到多种外界参数的控制，如电源功率与频率、气体成分与压强、腔室尺寸及材料属性等。此外，等离子体系统还包含了多空间尺度和多时间尺度的变化，以及多物理化学场的耦合过程。例如等离子体、鞘层、表面微槽等空间特征尺度相差10个量级；电磁场、带电粒子、中性气体及化学反应等时间特征尺度相差9个量级。如此复杂的等离子体工艺环境，给物理建模和数值仿真都带来了巨大挑战。物理学院PSEG团队在王友年教授的带领下，自2005年开始，历经近二十年时间，在国内率先研发出具有自主知识产权的等离子体工艺腔室仿真软件——MAPS（Multi-Physics Analysis of Plasma Sources）。通过采用物理建模、数值仿真与实验诊断相结合的方法，解决了制约等离子体工艺腔室设计和制造中的一些关键技术难题，为我国研发具有自主知识产权的等离子体工艺腔室提供了技术支撑。MAPS是一款专门面向等离子体工艺腔室的数值模拟软件平台，可以同时为等离子体工艺腔室的参数设计和表面处理工艺（材料刻蚀和薄膜沉积）的结果预测提供模拟服务。基于不同的等离子体模型，MAPS包含不同的数值模拟方法，如粒子/蒙特卡洛碰撞模拟方法、流体力学模拟方法、流体力学/蒙特卡洛碰撞混合模拟方法、整体模型模拟方法等。软件平台包含输入部分、输出部分以及七大模块，分别是等离子体模块、中性气体模块、电磁模块、鞘层模块、化学反应模块、表面模块及实验验证模块。此外，PSEG团队研制了结构可变的大面积、多功能等离子体实验平台和多套CCP和ICP放电平台，并自主研发了射频磁探针、微波发卡探针、光探针、吸收光谱诊断系统、布拉格光栅测温系统、悬浮双探针等诊断工具和集成了商用的Langmuir探针、质谱仪、离子能量分析仪、光谱仪、ICCD及光致解离负离子诊断系统等。这些诊断手段为等离子体源多参数诊断提供条件。大量研究表明，MAPS的模拟结果与实验测量结果在量级和变化趋势上达到一致，证明了MAPS仿真软件的可靠性。近期，针对工业中常用的CCP源，MAPS仿真软件提供了一种新的快速仿真算法：基于多时间步长、泊松方程的半隐式修正、超松弛迭代等，可以将模拟速度提高几十倍。此外，针对ICP源，PSEG团队也建立了一种新的双极扩散近似模型，可以对带有射频偏压的感性耦合放电过程进行仿真。该方法不仅模拟速度快，还适用于低气压放电。MAPS仿真软件具有外界控制参数多、耦合物理场多、数值求解器多、数值仿真模型多等优势，能够对ICP刻蚀机、CCP刻蚀机、PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积）工艺腔室进行仿真，支持对优化工艺过程参数的进一步探索，受到了国内的多家半导体设备制造企业的青睐。近十年中，MAPS仿真软件已分别为北方华创、中微半导体设备（上海）、拓荆科技、苏州迈为、武汉长江存储及理想能源设备（上海）等多家企业提供仿真服务。未来，PSEG团队将继续专注于对MAPS仿真软件的完善和升级，希望可以为半导体、光伏及平板显示等产业的创新与发展注入源源不断的强劲动力。

9月28日消息，国产半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的领先供应商——盛美半导体设备（上海）股份有限公司(以下简称“盛美上海”)今日宣布其对300mm Ultra Fn立式炉干法工艺平台进行了功能扩展，研发出新型Ultra Fn A立式炉设备。该设备的热原子层沉积（ALD）功能丰富了盛美上海立式炉系列设备的应用。公司还宣布，首台Ultra Fn A立式炉设备已于本月底运往中国一家先进的逻辑制造商，并计划于2023年底通过验证。盛美上海董事长王晖表示：“随着逻辑节点的不断缩小，越来越多的客户为满足其先进的工艺要求，努力寻找愿意合作的供应商共同开发。ALD是先进节点制造中增长最快的应用之一，是本公司立式炉管系列设备的关键性新性能。得益于对整个半导体制造工艺的深刻理解和创新能力，我们能够迅速开发全新的湿法和干法设备，以满足新兴市场的需求。全新ALD立式炉设备基于公司现有的立式炉设备平台，搭载差异化创新设计，软件算法优化等实现原子层吸附和均匀沉积。”盛美上海新型热ALD设备可沉积氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜。出厂的首台Ultra Fn A设备将用于28纳米逻辑制造流程，以制造侧壁间隔层。此工艺要求刻蚀速率极低，且台阶覆盖率良好，与其他实现模式相比，Ultra Fn A立式炉设备在模拟中实现了均一性的改善。

2023年4月10日，广西标准化协会在南宁市组织专家对由广西壮族自治区地质矿产测试研究中心(国土资源部南宁矿产资源监督检测中心)提出，广西壮族自治区地质矿产测试研究中心、广东省矿产应用研究所、广西壮族自治区环境保护科学研究院、广西壮族自治区土壤肥料测试中心、中科检测技术服务（广州）股份有限公司、广西壮族自治区生态环境监测中心、谱尼测试集团广西有限公司、广西南环检测科技有限公司、广西北部湾环境科技有限公司、中国有色桂林矿产地质研究院、南宁海关技术中心、广西壮族自治区产品质量检验研究院、广西壮族自治区第六地质队、南方石山地区矿山地质环境修复工程技术创新中心、深圳市金池环境科技有限公司、广西壮族自治区自然资源生态修复中心共同起草的团体标准《土壤和沉积物 硼的测定 电感耦合等离子体质谱法》进行了审定，专家一致同意通过审定。（审定会现场）来自广西分析测试研究中心、广西大学化学化工学院、广西环境科学学会、广西农业科学院农产品质量安全与检测技术研究所、广西博测检测技术服务有限公司等单位专家在听取标准起草单位对标准起草情况的汇报后，对标准进行了逐条逐款认真审定，一致认为团体标准《土壤和沉积物 硼的测定 电感耦合等离子体质谱法》是在深入调研，广泛收集整理相关资料，结合硼测定方法实际的基础上制定，所采用的技术路线正确，内容完整，具有科学性、先进性和可操作性。团体标准《土壤和沉积物硼的测定电感耦合等离子体质谱法》的发布实施，对提高土壤和沉积物中硼的测定效率，高效完成全国土壤普查的工作任务具有积极意义。（审定会现场）广西标准化协会谢宏昭会长/高级工程师、黄林华秘书长/高级工程师，广西壮族自治区地质矿产测试研究中心阳国运正高级工程师、张文捷高级工程师，广东省矿产应用研究所武明丽高级工程师，广西壮族自治区环境保护科学研究院黄月英高级工程师，谱尼测试集团广西有限公司熊刚高级工程师，广西壮族自治区第六地质队蔡春雨高级工程师及编制小组其他成员参加了此次团体标准审定。

在半导体行业，晶圆是用光刻技术制造和操作的。蚀刻是这一过程的主要部分，在这一过程中，材料可以被分层到一个非常具体的厚度。当这些层在晶圆表面被蚀刻时，等离子体监测被用来跟踪晶圆层的蚀刻，并确定等离子体何时完全蚀刻了一个特定的层并到达下一个层。通过监测等离子体在蚀刻过程中产生的发射线，可以精确跟踪蚀刻过程。这种终点检测对于使用基于等离子体的蚀刻工艺的半导体材料生产至关重要。等离子体是一种被激发的、类似气体的状态，其中一部分原子已经被激发或电离，形成自由电子和离子。当被激发的中性原子的电子返回到基态时，等离子体中存在的原子就会发射特有波长的辐射光，其光谱图可用来确定等离子体的组成。等离子体是用一系列高能方法使原子电离而形成的，包括热、高能激光、微波、电和无线电频率。实时等离子体监测以改进工艺等离子体有一系列的应用，包括元素分析、薄膜沉积、等离子体蚀刻和表面清洁。通过对等离子体样品的发射光谱进行监测，可以为样品提供详细的元素分析，并能够确定控制基于等离子体的过程所需的关键等离子体参数。发射线的波长被用来识别等离子体中存在的元素，发射线的强度被用来实时量化粒子和电子密度，以便进行工艺控制。像气体混合物、等离子体温度和粒子密度等参数都是控制等离子体过程的关键。通过在等离子体室中引入各种气体或粒子来改变这些参数，会改变等离子体的特性，从而影响等离子体与衬底的相互作用。实时监测和控制等离子体的能力可以改进工艺和产品。一个基于Ocean Insight HR系列高分辨率光谱仪的模块化光谱装置用于监测等离子体室引入不同气体后，氩气等离子体发射的变化。测量是在一个封闭的反应室中进行的，光谱仪连接光纤和余弦校正器，通过室中的一个小窗口观察。这些测量证明了模块化光谱仪从等离子体室中实时获取等离子体发射光谱的可行性。从这些发射光谱中确定的等离子体特征可用于监测和控制基于等离子体的过程。等离子体监测可以通过灵活的模块化设置完成，使用高分辨率光谱仪，如Ocean Insight的HR或Maya2000 Pro系列（后者是检测UV气体的一个很好的选择）。对于模块化设置，HR光谱仪可以与抗曝光纤相结合，以获得在等离子体中形成的定性发射数据。从等离子体室中形成的等离子体中获取定性发射数据。如果需要定量测量，用户可以增加一个光谱库来比较数据，并快速识别未知的发射线、峰和波段。监测真空室中形成的等离子体时，一个重要的考虑因素是与采样室的接口。仪器部件可以被引入到真空室中，或者被设置成通过视窗来观察等离子体。真空通管为承受真空室中的恶劣条件而设计的定制光纤将部件耦合到等离子体室中。对于通过视口监测等离子体，可能需要一个采样附件，如余弦校正器或准直透镜，这取决于要测量的等离子体场的大小。在没有取样附件的情况下，从光纤到等离子体的距离将决定成像的区域。使用准直透镜可以获得更局部的收集区域，或者使用余弦校正器可以在180度的视野内收集光线。测量条件HR系列高分辨率光谱仪被用来测量当其他气体被引入等离子体室时氩等离子体的发射变化。光谱仪、光纤和余弦校正器通过室外的一个小窗口收集发射光谱，对封闭反应室中的等离子体进行光谱数据采集（图1）。图1：一个模块化的光谱仪设置可以被配置为真空室中的等离子体测量。一个HR2000+高分辨率光谱仪（~1.1nm FWHM光学分辨率）被配置为测量200-1100nm的发射（光栅HC-1，SLIT-25），使用抗曝光纤（QP400-1-SR-BX光纤）与一个余弦校正器（CC-3-UV）耦合。选择CC-3-UV余弦校正器采样附件来获取等离子体室的数据，以解决等离子体强度的差异和测量窗口的不均匀问题。其他采样选项包括准直透镜和真空透镜。结果图2显示了通过等离子体室窗口测量的氩等离子体的光谱。690-900纳米的强光谱线是中性氩（Ar I）的发射线，400-650纳米的低强度线是由单电离的氩原子（Ar II）产生的。图2所示的发射光谱是测量等离子体发射的丰富光谱数据的一个例子。这种光谱信息可用于确定一系列关键参数，以监测和控制半导体制造过程中基于等离子体的工艺。图2：通过真空室窗口测量氩气等离子体的发射。氢气是一种辅助气体，可以添加到氩气等离子体中以改变等离子体的特性。在图3中，随着氢气浓度的增加添加到氩气等离子体中的效果。氢气改变氩气等离子体特性的能力清楚地显示在700-900纳米之间的氩气线的强度下降，而氢气浓度的增加反映在350-450纳米之间的氢气线出现。这些光谱显示了实时测量等离子体发射的强度，以监测二次气体对等离子体特性的影响。观察到的光谱变化可用于确保向试验室添加最佳数量的二次气体，以达到预期的等离子体特性。图3：将氢气添加到氩等离子体中会改变其光谱特性。在图 4 和 5 中，显示了在将保护气添加到腔室之前和之后测量的等离子体的发射光谱。 保护气用于减少进样器和样品之间的接触，以减少由于样品沉积和残留引起的问题。 在图 4中，氩等离子体发射光谱显示在加入保护气之前，加入保护气后测得的发射光谱如图5所示。保护气的加入导致了氩气发射光谱的变化，从400纳米以下和~520纳米处的宽光谱线的消失可以看出。图4：加入保护气之前，在真空室中测量氩等离子体的发射。图5：加入保护气后，氩气发射特性在400纳米以下和~520纳米处有明显不同。结论紫外-可见-近红外光谱是测量等离子体发射的有力方法，以实现元素分析和基于等离子体过程的精确控制。这些数据说明了模块化光谱法对等离子体监测的能力。HR2000+高分辨率光谱仪和模块化光谱学方法在测量等离子体室条件改变时，通过等离子体室的窗口测量等离子体发射光谱，效果良好。还有其他的等离子体监测选项，包括Maya2000 Pro，它在紫外光下有很好的响应。另外，光谱仪和子系统可以被集成到其他设备中，并与机器学习工具相结合，以实现对等离子体室条件更复杂的控制。以上文章作者是海洋光学Yvette Mattley博士，爱蛙科技翻译整理。世界上第一台微型光谱仪的发明者海洋光学OceanInsight，30年来专注于光谱技术和设备的持续创新，在光谱仪这个细分市场精耕细作，打造了丰富而差异化的产品线，展现了光的多样性应用，坚持将紧凑、便携、高集成度以及高灵敏度、高分辨率、高速的不同设备带给客户。2019年，从Ocean Optics更名为Ocean Insight，也是海洋光学从光谱产品生产商转型为光谱解决方案提供商战略调整的开始。此后，海洋光学不仅继续丰富扩充光传感产品线，且增强支持和服务能力，为需要定制方案的客户提供量身定制的系统化解决方案和应用指导。作为海洋光学官方授权合作伙伴，爱蛙科技（iFrogTech）致力于与海洋光学携手共同帮助客户面对问题、探索未来课题，为打造量身定制的光谱解决方案而努力。如需了解更多详情或探讨创新应用，可拨打400-102-1226客服电话。关于海洋光学海洋光学作为世界领先的光学解决方案提供商，应用于半导体、照明及显示、工业控制、环境监测、生命科学生物、医药研究、教育等领域。其产品包括光谱仪、化学传感器、计量检测设备、光纤、透镜等。作为光纤光谱仪的发明者，如今海洋光学在全球已售出超过40万套的光纤光谱仪。关于爱蛙科技爱蛙科技（iFrogTech）是海洋光学官方授权合作伙伴，提供光谱分析仪器销售、租赁、维护，以及解决方案定制、软件开发在内的全链条一站式精准服务。

由于在氢氧化（hydrogen oxidation）和氧还原（oxygen reduction）反应中的高效催化特性，铂基催化剂被广泛地应用于质子交换膜燃料电池当中的关键组成部分，比如阴和阳。然而，当质子交换膜燃料电池在较为严苛的环境下（比如低pH环境(＜1)、高的氧浓度、高湿度等）运行时，商用的铂/碳催化剂会展现出耐用性低的问题。由于Ostwald熟化效应、铂纳米颗粒的脱离、铂纳米颗粒的团聚等问题，铂/碳催化剂的活性会显著下降。因此，开发有效方案来稳固铂基催化剂从而防止其活性在燃料电池运行时的损耗，是非常重要的。 针对上述问题，加拿大西安大略大学的孙学良教授课题组，开创性地利用退火MLD（Molecular Layer Deposition，MLD，分子层沉积）夹层结构来固定铂纳米颗粒，从而实现了铂基催化剂性能的提升，相关结果刊载于Nano Energy（https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2019.03.033）。在孙教授团队的工作中，MLD衍生层是通过三基铝和丙三醇合成在掺氮碳纳米管（nitrogen-doped carbon nanotubes，NCNT）上的，此后通过煅烧获得多孔结构。后，通过ALD工艺，铂纳米颗粒被沉积在MLD-NCNT载体之上。多孔结构有益于稳固铂纳米颗粒、避免团聚以及从载体上脱离。相较于沉积在掺氮碳纳米管（NCNT）上的铂催化剂来说，沉积在MLD-NCNT载体上的Pt催化剂展示出了显著提升的氧化还原反应活性以及耐用性。文中利用X射线吸收光谱等手段，详细揭示了增强的机制。 图1 NCNT-MLD-Pt的制备流程示意图以及出色特性（图片来源：Nano Energy:Rational design of porous structures via molecular layer deposition as an effective stabilizer for enhancing Pt ORR performance） 相较于ALD（Atomic layer deposition，ALD，原子层沉积）来说，MLD技术还比较新。MLD技术可以视为ALD技术的亚类，具有与ALD相似的气相沉积工艺，基于序列及自限制反应，在分子尺度上生长材料，目前比较多涉及的是有机聚合物或者无机-有机杂化材料。由于本质上属于ALD技术的衍生技术，因此MLD技术具备了ALD技术的主要优点：优异的三维共形性、大面积均匀性、良好的工艺重复性、膜厚或组成的控制、分子结构或官能团的裁剪，以及较低的沉积工艺温度。然而，由于MLD工艺中采用有机分子作为前驱体，有机分子前驱体的蒸汽压低、热稳定性差，因而反应活性较低。此外，MLD工艺中的有机分子前驱体存在同质官能团引起的双反应现象，会使得沉积速率变慢，甚至是发生非线性的反应生长速率。所以，利用MLD工艺沉积新材料，对于设备和工艺掌控都提出了较高的要求。 在本文当中，孙教授团队利用MLD沉积铝氧烷所用的设备是美国Arradiance公司生产的型号为Gemstar-8 的台式ALD沉积系统，此套系统直接与手套箱相联，手套箱中为氩气气氛。在本工作之前，孙教授所在课题组已经利用MLD技术合成了铝氧烷，并且将铝氧烷涂层应用于提高碳/硫阴或碱金属阳的电化学特性。制备当中，他们采用三基铝和丙三醇作为前驱体，在150 ℃的条件下将，将前驱体依次通入腔体当中。 另一方面，目前大多数无机-有机杂化物质对于空气中的湿度非常敏感，不稳定。由于Arradiance公司生产的台式ALD系列产品，非常小巧，并且非常友善周到地为用户们预留了可以与各类市场主流手套箱集成的接口，从而使得无机-有机杂化物质在制备完成后可以在惰性环境中转移至其他实验环境或是进行其他实验。 图2 Arradiance台式原子层沉积系统，设计紧凑，功能齐全，堪称“麻雀虽小五脏俱全” 图3 紧凑而友善的设计理念，使得Arradiance ALD系统可以方便地与手套箱集成，满足用户的特殊实验需求

p 　　 strong 仪器信息网讯 /strong 近来，中美贸易大战的背景下，“中国芯”成为热议话题，作为一个装备和工艺高度融合的产业，设计、制造、封测、材料设备等每个关键环节都对半导体的发展起着至关重要的作用。其中，以等离子技术为基础的刻蚀、沉积和生长等工艺设备，就是半导体各项最初设计得以实现的基础。 /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/aaf85acf-1392-40e4-a55c-58a5c78a206e.jpg" title=" 第01.jpg" / /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 研讨会现场 /span /p p 　　5月8日，作为刻蚀、沉积和生长等工艺设备知名供应商，牛津仪器公司在北京主办了“2018等离子技术应用研讨会”，会议邀请来自第三代半导体联盟、北京工业大学、中国科学院半导体所的科研用户专家，以及半导体生产企业的用户专家，从工艺设备用户与供应商不同角度，对等离子技术在半导体生产/研发中应用的最新进展及存在问题进行了交流探讨。会议间隙，仪器信息网编辑也与部分专家、牛津仪器高层就半导体研究进展等进行了简单交流。 /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/834c78ab-5016-4463-9193-04daa98cceba.jpg" title=" 第02.jpg" / /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 牛津仪器等离子技术部亚洲区销售和服务副总裁Ian Wright致辞 /span /p p 　　 strong 关于研讨会：聚焦科研/生产热点——第三代半导体、VCSEL以及功率射频器件 /strong /p p 　　中国科学院半导体所研究员刘剑认为，从半导体发展历史来看，基础研究固然重要，但是市场对应用研究的影响也非常大。基于此，本次研讨会根据当下科研、工业需求热点，选择“宽禁带半导体”(或称为“第三代半导体”)作为主题，同时，报告内容也兼顾了时下工业应用热点——垂直腔面发射激光器(VCSEL)的相关研究。 /p p 　　研讨会由9个专家报告组成，报告内容主要包括第三代半导体现状与趋势、具有窄谱线和高光束质量的VCSEL介绍、VCSEL相关刻蚀和沉积技术、GaN基半导体电子器件研究进展、低损伤刻蚀和沉积技术等。 /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/a2860748-dcd3-42ef-a89f-991cf6935e47.jpg" title=" 第03.png" / /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 用户专家报告 /span /p p 　　(上至下，左至右：第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长 于坤山，北京工业大学教授 徐晨，中科院半导体所研究员 王晓亮，中科院半导体所研究员 王晓东，中科院半导体所研究员 张峰) /p p 　　会后，据刘剑介绍，他本人与牛津仪器已经有多年的合作，近十年前与牛津仪器共同举办了第一届等离子体研讨会，后续几乎每一届的研讨会也都协助举办。他认为，作为科研用户，通过参与这种形式会议，既增进了与仪器设备企业之间的交流，也可以现场讨论一些技术问题。对于半导体生产企业用户，他们多数会有自己的研发，尤其是一些先进的器件、模块，而研讨会中探讨的一些工艺解决方案，就可以为他们的研究提供帮助。 /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/3afa8c17-c9a1-41cb-829b-6450e1228d21.jpg" title=" 第4.png" / /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " 牛津仪器应用专家报告 /span /p p style=" text-align: center " (左至右：牛津仪器Stephanie Baclet博士，杨小鹏博士，黄承扬博士) /p p 　　 strong 我国半导体研究现状、热点如何?牛津仪器关注哪些热点? /strong /p p 　　关于当下半导体相关领域研究进展或研究热点，刘剑表示：“我之前研究领域主要在III-V族半导体材料，但最近又开始回归到传统半导体硅材料，当然也会涉猎部分III-V族半导体材料。从目前来看，类似我们这样的科研工作者，不太容易区分大家具体是做什么材料体系，基本是受一个学科进展的牵引或个人的兴趣，基于不同的材料在做相近的科研。而关于研究热点，其实这次研讨会主题内容中的第三代半导体以及垂直腔面发射激光器(VCSEL)都是当下大家比较关注的。值得一提的是，VCSEL并不是一个新的研究领域，相关研究也有多年的历史，但就是因为IphoneX用了这种3D图像技术之后，VCSEL才重新进入到大众视野。这也成为工业应用热点再次推动了相关科研的一个实例。” /p p 　　中国科学院半导体所研究员张峰介绍说：“我是研究碳化硅的，领域是宽禁带半导体。因为我们国家对宽禁带半导体的布局比较早，包括碳化硅衬底材料、外延材料、器件，还有最后的封装，所以相比传统半导体领域，与世界的差距并没有那么大，也就是2-3年的时间。因此这个领域在未来五到十年内，我们国家有很大希望能够迎头赶上，甚至在某些方面可以达到世界一流的水平。”关于半导体研究热点，他认为：‘从“中兴之痛”事件我们可以看到，半导体研究或关注的热点主要是极大规模集成电路方面，在14纳米、7纳米及5纳米这些制程方面的一个进展。也就是说我们国家在这个方面跟国际的差距还比较大，目前我们实现量产是28纳米，我们希望未来能向14纳米、7纳米及5纳米靠近。但这需要产业链整体的提高，包括我们的设备、设计、器件制作工艺，及最后的封装等各个方面，这样才能够跟得上世界的发展。目前半导体研究热点主要是在设计及工艺制备这两方面。工艺制备方面又跟设备很相关，所以说这些都是紧密相连的。’ /p p 　　牛津仪器的刻蚀、沉积、生长等相关设备及工艺解决方案在中国半导体领域的市场占有率较高，且拥有广泛的科研及生产企业用户群。设备厂商在前沿热点把控上，在时刻保持对用户最新需求的关注基础上，职业敏锐性往往赋予他们自己的优势。那么，牛津仪器又对哪些半导体领域的热点保持关注呢?牛津仪器等离子技术部亚洲区销售和服务副总裁Ian Wright表示：“牛津仪器接下来的关注重点，不光是那些具有研发创新能力但处于初期发展阶段的企业，我们更感兴趣的是那些已经成熟的解决方案，这需要更多更稳定的设备把之前好的工艺过程重复出来。对于我们关注的产业领域，主要有两个，第一是光电子领域，比如一些手机的3D面部识别功能，这个功能其实是运用到了我们VCSEL工艺，这个工艺还可以用在无人驾驶汽车的智能测距(测距机理即安装的各种光电传感器，通过各种光电传感器件的协同合作来实现自动驾驶功能)。第二个领域是5G信号网络，该领域会用到一些比较先进的光电子、功率器件，比如，之前的功率器件是基于硅，第二代是基于砷化镓，第三代是氮化镓和碳化硅工艺，牛津仪器是从第一代到三代全覆盖的，当然我们正在着手研究更先进的第四代、第五代半导体，如氧化镓、金刚石等。” /p p 　　 strong 用户与设备商协同发展，用户怎么看?牛津仪器怎么看? /strong /p p 　　在半导体领域，工艺设备对科研或企业生产是至关重要的。张峰认为：“工艺设备是一个基础，如果没有工艺设备，我们设计的东西就没办法实现，但是我们国家在这方面实际上是跟世界有一些差距的，80%-90%工艺设备需要进口。所以，工艺设备方面，我们希望与像牛津仪器这样的国外优秀厂商合作，学习他们的先进技术及经验，使我们国家逐渐掌握工艺设备的研发及生产能力。另外，从科研用户角度讲，我们也有很好的合作。我们会及时向牛津仪器反馈一些最新的需求，比如我们做氮化镓，碳化硅的时候，需要让刻蚀设备刻蚀的更精密一些(如今天会上牛津仪器介绍的原子层刻蚀技术)，还有就是在原子层刻蚀与传统等离子体刻蚀结合的需求等。当然，牛津仪器也在不断努力配合我们的需求。”关于如何实现用户与设备供应商更好的合作，张峰表示：“客户可以首先提出一些需求、提供一些样品，让设备厂商提供一些解决方案，及刻蚀的结果 另外，希望设备厂商针对客户提出的新需求，如定制化的需求等，能够积极的满足。” /p p 　　刘剑补充道：“从科研用户来讲，与生产用户不同的是，我们往往会提出一些特殊的需求。我们主要希望设备企业的工艺设备能够稳定，并能获得我们所需的实验结果。牛津仪器会和用户一起来开发新的工艺，接受客户提出的部分特殊需求，去单独开发一套工艺，然后结合设备一起提供给客户，这对客户研究过程中一些特殊情况是有很大帮助的。” /p p 　　Ian Wright对两位老师的看法表示赞同，并表示：“总结来看，用户对我们提出的需求主要有三个方面：第一是希望我们能够把牛津仪器一些成熟的解决方案尽快的提供给他们 第二就是他们提出一些特殊需求，我们如果没有一个对应方案的话，能够配合他们一起去解决 第三，售后服务保障，作为一个合格的生产先进器件厂商，并不是说你有了一台先进的工艺设备放在那里就可以没有后顾之忧，接下来的售后服务能力也对你之后的企业发展有很重要的影响。比如设备一旦出现故障，多长时间可以解决 需要一个备件，又需要多长时间可以提供，也是客户衡量设备供应商的一个标准。在此，我敢肯定的是，牛津仪器有能力也愿意在刚才提到的三方面需求全方位与客户合作，解决客户从售前到售后的后顾之忧。” /p p 　　“牛津仪器走进中国市场已经20余年，但等离子技术部门的大部分精力放在了高校院所科研用户上。为满足更广泛用户的需求，我们决定将工作重心逐渐向技术非常成熟的生产企业用户转移，增强深入合作，通过我们的设备及工艺再加上科研用户的技术来孵化出更多更新的成果。” Ian Wright继续说道。 /p p 　　牛津仪器等离子技术部中国区经理陈伟表示：“中国从过去的能源依赖，发展到现在成为芯片依赖社会形态，包括在各个国家国际环境的变化，都逐渐把矛盾转移到芯片研究上来。许多人认为这是一个危机，但我认为这对我们国家、对我们设备供应商都是一个机遇。现在中国在大力推广自己的芯片产业，这个过程，就需要像牛津仪器这样能够提供优秀设备、解决方案的公司来一起合作，把最新的芯片用最短时间开发出来，这样中国就不必再受制于人。”关于中国市场，他表示：“中国始终是牛津仪器十分重视的市场所在，公司也愿意投入更多的财力、物力到中国市场上来，接下来，牛津仪器将加强与用户的合作。如我们现在正在和一些客户讨论，以共建实验室的方法，来让客户在这方面有更快的突破，帮助一些有潜力客户实现量产。另外，如Ian Wright所说我们更加重视科研客户的同时，对于生产企业客户，我们也会不断加大服务力度，比如，近两年我们相关的售后服务团队就增加了一倍。” /p p style=" text-align: center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201805/insimg/418b86a0-2820-4b0c-98ac-4ca3401df3ef.gif" title=" 第05.gif" / /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 0, 0) " (右一：牛津仪器等离子技术部亚洲区销售和服务副总裁Ian Wright /span /p p style=" text-align: center " span style=" color: rgb(0, 0, 0) " 右二：牛津仪器等离子技术部中国区经理陈伟) /span /p

CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展，CVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些CVD技术。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。【市场分析】上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD）HDP-CVD 是一种利用电感耦合等离子体 （ICP） 源的化学气相沉积设备，是一种越来越受欢迎的等离子体沉积设备。HDP-CVD（也称为ICP-CVD）能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD 提供几乎独立的离子通量和能量控制，提高了沟槽或孔填充能力。但是，HDP-CVD 配置的另一个显著优势是，它可以转换为用于等离子体刻蚀的 ICP-RIE。 在预算或系统占用空间受限时，优势明显。听起来可能很奇怪。但是这两种类型的工艺确实可以在同一个系统中运行。虽然存在一些内部差异，例如额外的气体入口，但两种设备的核心结构几乎完全相同。在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用PECVD进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，PECVD工艺一步填充具有高的深宽比的间隔时会在间隔中部产生夹断和空洞。在探索如何同时满足高深宽比间隙的填充和控制成本的过程中诞生了HDP CVD工艺，它的突破创新之处在于，在同一个反应腔中同步地进行沉积和刻蚀工艺。微波等离子化学气相沉积（MPCVD）微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。该方法利用电磁波能量来激发反应气体。由于是无极放电，等离子体纯净，同时微波的放电区集中而不扩展，能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的最大动能低，不会腐蚀已生成的金刚石。通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，因而有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，这一点又是火焰法所难以达到的，因而微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有制备法中显得十分的突出。微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-MPCVD）在MPCVD中为了进一步提高等离子体密度，又出现了电子回旋共振MPCVD（Electron Cyclotron Resonance CVD，简称ECR-MPCVD）。由于微波CVD在制备金刚石膜中的独有优势，使得研究人员普遍使用该方法制备金刚石膜，通过大量的研究，不仅在MPCVD制备金刚石膜的机理上取得了显著的成果，而且用CVD法制备的金刚石膜也广泛的用于工具、热沉、光学、高温电子等领域的工业研究与应用。超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）是制备优质亚微米晶体薄膜、纳米结构材料、研制硅基高速高频器件和纳电子器件的关键的先进薄膜技术。超高真空化学气相沉积技术发展于20世纪80年代末，是指在低于10-6 Pa (10-8 Torr) 的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程，特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。石墨烯就是可以通过UHV/CVD生产的材料之一。与传统的气相外延不同，UHV/CVD技术采用低压和低温生长，能够有效地减少掺杂源的固态扩散，抑制外延薄膜的三维生长。UHV/CVD系统反应器的超高真空避免了Si衬底表面的氧化,并有效地减少了反应气体所产生的杂质掺入到生长的薄膜中。在超高真空条件下，反应气分子能够直接传输到衬底表面，不存在反应气体的扩散及分子间的复杂相互作用，沉积过程主要取决于气-固界面的反应。传统的气相外延中，气相前驱物通过边界层向衬底表面的扩散决定了外延薄膜的生长速率。超高真空使得气相前驱物分子直接冲击衬底表面，薄膜的生长主要由表面的化学反应控制。因此，在支撑座上的所有基片(衬底)表面的气相前驱物硅烷或锗烷分子流量都是相同的，这使得同时在多基片上实现外延生长成为可能。低压化学气相沉积（LPCVD）低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下的一种CVD反应。LPCVD压强下降到约133Pa以下，与此相应，分子的自由程与气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加，即使平行垂直放置片子片子的片距减小到5~10mm，质量传输限制同片子表面化学反应速率相比仍可不予考虑，这就为直立密排装片创造了条件，大大提高了每批装片量。以LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量。再者LPCVD并不需要载子气体，因此大大降低了颗粒污染源，被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中，用以作薄膜的沉积。LPCVD广泛用于二氧化硅（LTO TEOS）、氮化硅（低应力）（Si3N4）、多晶硅（LP-POLY）、磷硅玻璃（BSG）、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜。热化学气相沉积(TCVD)热化学气相沉积(TCVD)是指利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。广泛应用的TCVD技术如金属有机化学气相沉积、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于热化学气相沉积的范围。热化学气相沉积按其化学反应形式可分成几大类：（1）化学输运法：构成薄膜物质在源区与另一种固体或液体物质反应生成气体.然后输运到一定温度下的生长区，通过相反的热反应生成所需材料，正反应为输运过程的热反应，逆反应为晶体生长过程的热反应。（2）热解法：将含有构成薄膜元素的某种易挥发物质，输运到生长区，通过热分解反应生成所需物质，它的生长温度为1000-1050摄氏度。（3）合成反应法：几种气体物质在生长区内反应生成所生长物质的过程，上述三种方法中，化学输运法一般用于块状晶体生长，分解反应法通常用于薄膜材料生长，合成反应法则两种情况都用。热化学气相沉积应用于半导体材料，如Si，GaAs，InP等各种氧化物和其它材料。高温化学气相沉积（HTCVD）高温化学气相沉积是碳化硅晶体生长的重要方法。HTCVD生长碳化硅晶体是在密闭的反应器中，外部加热使反应室保持所需要的反应温度（2000℃~2300℃）。高温化学气相沉积是在衬底材料表面上产生的组合反应，是一种化学反应。它涉及热力学、气体输送及膜层生长等方面的问题，根据反应气体、排出气体分析和光谱分析，其过程一般分为以下几步：混合反应气体到达衬底材料表面；反应气体在高温分解并在衬底材料表面上产生化学反应生成固态晶体膜；固体生成物在衬底表面脱离移开，不断地通入反应气体，晶体膜层材料不断生长。中温化学气相沉积（MTCVD）MTCVD硬质涂层工艺技术，在20世纪80年代中期就已问世，但在当时并没有引起人们的重视，直到20世纪90年代中期，世界上主要硬质合金工具生产公司，利用HTCVD和MTCVD技术相结合，研究开发出新型的超级硬质合金涂层材料，有效地解决了在高速、高效切削、合金钢重切削、干切削等机械加工领域中，刀具使用寿命低的难高强度题才引起广泛的重视。目前，已在涂层硬质合金刀具行业投入生产应用，效果十分显著。MTCVD技术沉积工艺如下。沉积温度：700~ 900℃；沉积反应压力：2X103~2X104Pa；主要反应气体配比： CH3CN：TiCl4：H2=0.01：0.02：1；沉积时间：1一4h。金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。MOCVD适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体，非常适合于生长各种异质结构材料，还可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡，生长易于控制，可以生长纯度很高的材料，外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产。激光诱导化学气相沉积（LCVD）LCVD是利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。根据激光在化学气相沉积过程中所起的作用不同可以将LCVD分为光LCVD和热LCVD，它们的反应机理也不尽相同。光LCVD是利用反应气体分子或催化分子对特定波长的激光共振吸收，反应分子气体收到激光加热被诱导发生离解的化学反应，在合适的制备工艺参数如激光功率、反应室压力与气氛的比例、气体流量以及反应区温度等条件下形成薄膜。光LCVD原理与常规CVD主要不同在于激光参与了源分子的化学分解反应，反应区附近极陡的温度梯度可精确控制，能够制备组分可控、粒度可控的超微粒子。热LCVD主要利用基体吸收激光的能量后在表面形成一定的温度场，反应气体流经基体表面发生化学反应，从而在基体表面形成薄膜。热LCVD过程是一种急热急冷的成膜过程，基材发生固态相变时，快速加热会造成大量形核，激光辐照后，成膜区快速冷却，过冷度急剧增大，形核密度增大。同时，快速冷却使晶界的迁移率降低，反应时间缩短，可以形成细小的纳米晶粒。除以上提到的薄膜沉积方法外，还有常压化学气相沉积（APCVD）等分类技术。