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二次离子溅射中性粒子质谱仪

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二次离子溅射中性粒子质谱仪相关的方案

  • 应用分享 | 二次离子质谱中的基体效应
    在使用二次离子质谱(SIMS)技术对样品进行定量分析时,常遇到一系列棘手的问题:即便在浓度相同、测试条件一致的情况下,同一组分在不同的化学环境中二次离子产额可能跨越几个数量级;
  • 北京英格海德:薄膜的磁控溅射沉积研究
    Hiden的EQP等离子体质量、能量分析仪在薄膜的磁控溅射沉积研究中可以提供残余气体分析、随磁控源开关产生的气体分析、离子能量分布、中性粒子分析等多种分析手段。
  • 液体颗粒计数器检测二次锂离子电解液
    随着电动汽车行业的快速发展,二次锂离子电池作为其核心动力源,其性能与安全性的保障变得尤为重要。电解液作为电池中重要的组成部分,其纯净度对电池的性能和安全性有着直接的影响。因此,对于电解液中微小颗粒的精确检测成为了电池质量控制的关键环节。液体颗粒计数器作为一种先进的检测设备,能够快速、准确地检测出电解液中的颗粒数量及粒径分布,对于保障电池的质量和性能具有重要意义。
  • 阴极溶出伏安法检测二次盐水中碘离子
    对二次盐水中碘离子的测定方法进行了深一步的研究,详细地介绍了利用阴极溶出伏安和标准加入法测定二次盐水中的碘离子测定,并首次提出了利用在检测样品溶液中通高纯氮气消除了溶解氧对阴极溶出氧化还原电位的影响,并对标准加入法和标准曲线法在阴极溶出伏安法测定二次盐水中碘离子进行了比较。
  • 利用XPS和二次离子质谱仪(SIMS)进行材料表面表征
    文章介绍了利用XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)和SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)进行多层材料的结构和组成分析。实验方法有很多值得广大材料研究者借鉴之处。
  • KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
    上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.
  • 激光诱导击穿光谱(LIBS)对固态锂离子电池的深度剖析
    在当今社会,智能手机和平板电脑等电子设备正成为人类日常活动的重要组成部分。这些电子产品不断发展,使其结构更紧凑、重量更轻,这也就对电池的功率输出和寿命提出了越来越高的要求。为了应对这些技术挑战,锂离子电池技术也在不断进步,在保持紧凑和轻便特性的同时,还能够产生更高的能量输出和更强的循环性能。本文介绍了激光诱导击穿光谱(LIBS)对锂离子电池重要元件化学组成的关键元素进行深度分析的能力。这些组件包括正极、负极和固态电解质。典型的基于解决方案的元素分析技术,如电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)和电感耦合等离子体发射质谱(ICP-MS),不能揭示这些部件的结构信息。另一种流行的元素分析技术X射线荧光光谱(XRF)无法为锂离子电池电极的重要元素提供元素覆盖,例如Li、B、C、O、F、N。其它表面和深度分析技术,需要复杂的真空仪器,如二次离子质谱(SIMS)、辉光放电质谱(GD-MS)、俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),检测速度慢或者价格昂贵。LIBS提供锂离子电池组件在实验室或工厂的深度分析能力,具有很出色的分析速度。LIBS还具有从H - Pu到大含量范围(ppm - wt. %)的基本覆盖。
  • Scion TQ 三重四极杆质谱仪快速扫描时间和无交叉污染
    凭借在多反应监测 (MRM) 模式中的选择性、以及即使在多个目标化合物的保留时间窗口重叠时也能同时监测这些目标化合物的功能,三重四极杆质谱仪日益成为进行多残留分析的首选仪器。如果在一次运行中需要测定更多种目标化合物,三重四极方法可能具有上百甚至上千个 MRM,而每个 MRM 的扫描时间(即驻留时间)都较短。而扫描时间短可能会导致灵敏度降低。而多个 MRM 中的扫描时间过短可能导致的另一个潜在问题就是“交叉污染”。交叉污染是指:如果存在两个来自不同母体离子却具有相同 m/z 碎片离子的 MRM通道,并且扫描时间短,则碰撞室 (Q2) 没有足够的时间在发生第二次 MRM 碎裂前从第一次 MRM 中清除碎片离子,导致来自第一次 MRM 的产物离子可能出现在第二次 MRM 色谱图中(鬼峰)。特别是当某个 MRM 碎片较强,交叉污染效应尤为明显,因为它可能导致另一个 MRM 上呈现假阳性。本文描述了评估扫描时间对信号强度的影响以及 Scion TQ 三重四极杆质谱仪上无交叉污染效应的实验及结果。
  • 上海伯东德国普发Pfeiffer 涡轮分子泵成功应用于磁控溅射
    上海伯东代理德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700 成功应用于宁波某研究所磁控溅射(Megnetron Sputtering)系统.宁波某研究所磁控溅射(Megnetron Sputtering)系统用于光刻胶片上溅金属铬,铜,钛.其中材料生长腔工作真空度要求 E-7 hPa,能做到4英寸片,3靶位,可实现编程镀膜.材料生长腔对涡轮分子泵的要求较高,老师在考量了德国普发 Pfeiffer Hipace 700 涡轮分子泵和爱德华 Edwards STP603 分子泵后,因为对分子泵的压缩比要求较高,最终选择了德国普发 Pfeiffer 分子泵
  • 扫描电镜背散射图像较二次电子图像的优势
    在扫描电镜发展历史中,长期都是不断提升二次电子探头的能力,使得二次电子分辨率不断提升,不断稳定,背散射探头的功能始终被作为辅助功能,甚至做为选配探头,一直难以体现其实际能力。或许是能谱仪 EDS 的问世,背散射探头 BSD 才慢慢开始暂露头角。到了台式扫描电镜的流行,又让背散射探头 BSD 的能力发挥得淋漓尽致,当然这也仅限是优秀背散射探头的 BSD 探头。
  • 应用分享 | 原位冷冻TOF-SIMS对斑马鱼RPE组织的生物成像
    飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS),也叫静态二次离子质谱,是飞行时间和二次离子质谱结合的一种新的表面分析技术。因其免标记、高灵敏、多组分检测和高空间分辨成像等优势,为诸多生命科学问题的研究提供了重要的技术支持。
  • 离子溅射仪(喷金仪)抽不上真空的解决方案
    离子溅射仪(喷金仪)抽不上真空,真空不稳定,真空表向左向右打表,真空异常等故障的解决方案...............
  • 解决方案|ICP检测二次精制盐水中的钙、镁等元素
    本文利用GBC Quantima 电感耦合等离子体发射光谱仪配备仪器自带氩气加湿器探讨了二次精制盐水中Ca、Mg、Sr、Ba、Fe等元素测定的工作参数,并进行测试,该方法的准确度、精密度符合痕量分析的要求。
  • 北京英格海德:CrN/AlN多涂层的高温氧化
    实验报告的是通过二次离子质谱仪(SIMS)对CrN/AlN高温氧化物多涂层进行的深度剖析.涂层是通过一个封闭非平衡的磁电管沉积成的.氧化是在900度下进行2小时,在1100度下进行4小时.
  • 飞纳电镜操作过程自动化:背散射电子和二次电子混合像
    当电子束与样品相互作用时,会产生背散射电子(BSE)和二次电子(SE)。通过检发射信号可获得样品表面的成分衬度像(背散射电子)和表面形态像(二次电子)。背散射电子和二次电子是如何形成的,为什么它们携带特定的样品信息?此外,能否在一幅图像中同时获得成分和形态信息?
  • 原位冷冻TOF-SIMS对斑马鱼RPE组织的生物成像
    飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS),也叫静态二次离子质谱,是飞行时间和二次离子质谱结合的一种新的表面分析技术。因其免标记、高灵敏、多组分检测和高空间分辨成像等优势,为诸多生命科学问题的研究提供了重要的技术支持。近年来,TOF-SIMS在基础细胞生物学、组织生理病理学、生物医药与临床医学等领域的研究中被广泛应用。
  • 等离子清洗仪处理TEM透射电镜样品清洗和活化
    SEM/TEM电镜样品对于前处理有如下三点应用需求:1.等离子清洗;2.等离子活化;3.高真空存储。针对扫描电镜领域,导电差的样品易于在场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和聚焦离子束扫描电子显微镜(FIB-SEM)中形成“积碳”的问题;以及在透射电镜领域,有机污染物影响高分辨成像及STEM成像产生“白框”碳污染的问题,可以通过RF射频离子源在样品放入扫描电镜或透射电镜观察表征之前,对样品进行真空等离子清洗的工艺来减轻甚至消除积碳影响。离子清洗的工作原理为:RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部;只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内,与样品表面残留的有机污染物发生化学反应,生成CO2,CO,H2O并被真空泵组抽出;最终实现样品成像无积碳之目的,同时提高成像分辨率及衬度。离子活化原理与离子清洗原理类似,RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部。只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内,与样品表面发生作用,提高表面能使之亲水(表面氧原子与水形成氢键,使后者有序平铺)。但样品的表面能量高,处于不稳定状态,故亲水效果不会维持太久(~几十分钟)。高真空存储电镜样品及透射样品杆的原理为:真空泵组选用无油分子泵和无油隔膜泵,可以避免油污染的影响。并且由于采用分子泵+隔膜泵两级真空系统设计方案,系统能够实现高本底真空度,将样品表面残留气体及污染物抽走,避免样品前处理导致的二次污染问题。
  • 多功能磁性SERS纳米粒子的生物分子环境、定量和细胞内相互作用研究(英文原文)
    将氧化铁纳米粒子与银纳米粒子、金纳米粒子、银磁铁矿和金磁铁矿分别通过内吞作用引入到成纤维细胞中,形成多功能复合纳米粒子。含有无毒纳米粒子的细胞在外部磁场中是可置换的,可以在微流控通道中进行操作。在表面增强拉曼散射(SERS)映射、激光消融电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)微研磨和低温软x射线断层扫描(cryo soft- xrt)的基础上,得到了内体系统中复合纳米结构的分布。完整的玻璃化细胞冷冻软x光检查显示复合纳米粒子包裹体形成内聚体。纳米粒子提供了内质网环境中表面生物分子组成的SERS信号。SERS数据表明,纳米粒子在内质粒和溶酶体的恶劣环境中具有较高的稳定性和等离子体性质。该光谱指向银磁铁矿和金磁铁矿纳米结构表面的分子组成,与其他复合结构非常相似,但不同于研究细胞内纯银和金SERS纳米组成所得到的结构。由LA-ICP-MS数据可知,磁铁矿复合材料的吸附效率大约是纯金、银纳米颗粒的2 - 3倍。
  • PerkinElmer :电感耦合等离子体质谱仪—用冷等离子体方法测定血清中铁的含量
    文章介绍采用Elan DRC-e电感耦合等离子体质谱仪对血清样品进行简单稀释后直接测定其中的Fe含量,结果表明:DRC(动态反应池)技术的检测结果与国家标准样品所测结果无明显差异。
  • 纳米颗粒与磁控溅射综合系统在1纳米颗粒膜制备中的应用
    日前,由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成,可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。
  • 购买二次热解析仪要怎么挑才好
    二次热解析仪作为实验室常见的一种分析检测仪器,其工作原理其实就是通过样品的采集将有机化合物保留在高容量的吸附玻璃管内,并经过两次加热解析导入气相色谱仪进行检测。
  • 选用二次热解析仪是因为它的什么优势
    二次热解析仪是一款自带电子冷阱的,气路采用电动六通阀、八通阀和电磁阀相结合,可以编程自动完成吸附管的一次解析冷阱富集、二次解析、进样和反吹四个过程,冷阱温度、一次解析温度、二次解析温度和管路加热温度可以独立设置,并且在进样时输出同步信号,可以同时启动色谱和工作站。
  • 追寻希格斯玻色子(上帝粒子)—— 全球最大的真空系统依赖于普发真空提供的真空解决方案
    粒子加速器运行的一个重要因素是可靠且强大的真空系统。而像LHC这样非同寻常的机器对内置真空技术有着非常特殊的要求。极小误差可能导致整个加速器停止运行数小时。因此,整套真空系统必须是非常可靠的。此外,加速器中使用的所有设备必须能够承受高达1,000 Gy/a的辐射水平。而进行这些复杂测量的设备不能离开加速器的辐射区。因此,能在现场进行设备维护显得至关重要。为满足这些高要求,普发真空与CERN合作,对真空获得、真空测量和真空分析研发并实践了一套定制的真空解决方案。真空获得LHC分两种真空系统: 电子束真空和隔离真空。两种应用中都用到了普发真空的涡轮分子泵。这些泵经改进后都可以满足LHC的特殊要求。为了能在辐射环境中运行,泵体中都不能使用电子元件。要满足这些要求,普发真空研发了无传感器驱动概念,实现了泵的机械部件与电子部件的隔离。采用这一概念,电子部件可以放置在离真空泵1,000 m以外的地方,并定位在一个保护区域内。真空测量普发真空专门研发了特殊的测量设备,用来测量获得的真空。这些使用的设备是改进的皮拉尼和冷阴极真空计。它们用来长期监测加速器内的压力,并确保当压力增加时可以采取适当的行动。由于真空计同样暴露于高水平辐射中,它们被制造成无源传感器,没有集成的电子设备。所有电子设备都被安置在一个辐射安全区域内,并且经由长电缆连接至无源传感器。这些电缆通过精确的指令与CERN密切连接。这使冷阴极真空计可以测量达10-11 hPa的压力。通过一种特殊的点火过程,冷阴极真空计即使在压力非常低的情况下,也可以轻易打开。由于加速器的寿命约为30到40年,因此,只有采用寿命长的电子元件。氦检漏对LHC要求的超高真空压力,加速器使用的部件必须确保极低的漏率。因此,在安装部件之前,必须进行全方位的检漏。针对检漏,CERN采用了ASM系列检漏仪。使用这些设备,即使是细微到的10-13 Pa· m3/s 的泄漏也可以有效地被检测出来。真空分析除压力外,残余气体的组成也是加速器正常运行的一个重要因素。使用残余气体光谱仪,可以得出加速器内使用材料脱气相关的结论。为获得残余气体光谱,CERN采用了普发真空的质谱仪。对于超高真空中的残余气体测量,质谱仪分析仪本身具有较低的脱气率是非常重要的。除了真空退火离子源外,CERN使用的普发分析仪也拥有真空退火棒系统。使用这一方法,分析仪将产生一个极低的背景信号,尤其方便记录加速器内实际残余气体的比例。
  • 定量评价纳米颗粒的溶解动力学--利用单粒子质谱进行纳米银的研究
    通过准确获取应用于工程新型材料纳米颗粒的环境行为和颗粒大小、溶解率、颗粒团聚以及与样品基体的相互作用的准确数据来对这些新材料可能对环境健康造成危险的情况进行适当的描述。单粒子质谱技术的突破给自然生态系统对ppb级(ng/L)浓度纳米颗粒对环境影响的研究带来非常大的便利。本文使用syngistix™ 纳米应用模块颗粒测量/检测和自动数据处理,传输效率的测定(即颗粒的检测,在溶液百分比)是关键使用校准时确定ENP规模的基础上溶解标准。为了避免重合(即两个粒子在相同的脉冲被检测到),调整粒子浓度,使得在60s的检测时间内不多于1500个粒子被采集。溶解电势不同可能是区分粒子溶解过程和离子溶解过程的一个关键因素。这项研究在表明在各种各样交宽泛的条件下可以通过SP-ICP-MS定量计算Ag粒子的溶解率是可行的。而该方法在只有有限的方法可直接应用于水样的分析,特别是还要考虑ENP预期的溶解情况下显得尤为重要
  • Depth Profile Analysis of Solid State Li-Ion Battery Device by Laser Induced Breakdown Spectroscopy (LIBS)
    在当今社会,智能手机和平板电脑等电子设备正成为人类日常活动的重要组成部分。这些电子产品不断发展,使其结构更紧凑、重量更轻,这也就对电池的功率输出和寿命提出了越来越高的要求。为了应对这些技术挑战,锂离子电池技术也在不断进步,在保持紧凑和轻便特性的同时,还能够产生更高的能量输出和更强的循环性能。本文介绍了激光诱导击穿光谱(LIBS)对锂离子电池重要元件化学组成的关键元素进行深度分析的能力。这些组件包括正极、负极和固态电解质。典型的基于解决方案的元素分析技术,如电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)和电感耦合等离子体发射质谱(ICP-MS),不能揭示这些部件的结构信息。另一种流行的元素分析技术X射线荧光光谱(XRF)无法为锂离子电池电极的重要元素提供元素覆盖,例如Li、B、C、O、F、N。其它表面和深度分析技术,需要复杂的真空仪器,如二次离子质谱(SIMS)、辉光放电质谱(GD-MS)、俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),检测速度慢或者价格昂贵。LIBS提供锂离子电池组件在实验室或工厂的深度分析能力,具有很出色的分析速度。LIBS还具有从H - Pu到大含量范围(ppm - wt. %)的基本覆盖。
  • PerkinElmer:电感耦合等离子体质谱仪—用冷等离子体方法测定血清中钾的含量
    文章介绍采用Elan DRC-e电感耦合等离子体质谱仪对血清样品进行简单稀释后直接测定其中的K,结果表明:DRC(动态反应池)技术的检测结果与国家标准样品所测结果无明显差异。
  • PerkinElmer:电感耦合等离子体质谱仪—用冷等离子体方法测定血清中钙的含量
    文章介绍采用Elan DRC-e电感耦合等离子体质谱仪对血清样品进行简单稀释后直接测定其中的Ca含量,结果表明:DRC(动态反应池)技术的检测结果与国家标准样品所测结果无明显差异。
  • 使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪分析 NMP 中痕量的磷
    N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP),化学分子式为 C5H9NO,是一种化学性质稳定的水溶性有机溶剂,广泛应用于制药、石化、高分子科学,特别是半导体行业中。电子级 NMP 通常被半导体生产商用作晶片清洗剂和光刻胶剥离剂,以及用作和晶片表面直接接触的溶剂。这就要求 NMP 中金属(和非金属)污染物的含量尽可能地低。ICP-MS 是测定半导体工艺化学品中痕量金属杂质的首选技术。但对 ICP-MS 技术而言,测定 NMP 中的非金属杂质如硫、磷、硅和氯却是个挑战。这些元素较低的电离效率大大降低了分析信号的强度,与此同时,由 NMP基质中的 N、O 和 C 元素形成的多原子离子造成的高背景信号(计为背景等效浓度,BEC)使这一痕量检测更加雪上加霜。电感耦合等离子体串联质谱仪的高灵敏度和强大的消干扰能力使它特别适合于应对这一应用的挑战。本应用介绍了 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)在 MS/MS 模式下,测定 NMP 中的 S、P、Si 和 Cl。
  • 使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪分析 NMP 中痕量的硅
    N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP),化学分子式为 C5H9NO,是一种化学性质稳定的水溶性有机溶剂,广泛应用于制药、石化、高分子科学,特别是半导体行业中。电子级 NMP 通常被半导体生产商用作晶片清洗剂和光刻胶剥离剂,以及用作和晶片表面直接接触的溶剂。这就要求 NMP 中金属(和非金属)污染物的含量尽可能地低。ICP-MS 是测定半导体工艺化学品中痕量金属杂质的首选技术。但对 ICP-MS 技术而言,测定 NMP 中的非金属杂质如硫、磷、硅和氯却是个挑战。这些元素较低的电离效率大大降低了分析信号的强度,与此同时,由 NMP基质中的 N、O 和 C 元素形成的多原子离子造成的高背景信号(计为背景等效浓度,BEC)使这一痕量检测更加雪上加霜。电感耦合等离子体串联质谱仪的高灵敏度和强大的消干扰能力使它特别适合于应对这一应用的挑战。本应用介绍了 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)在 MS/MS 模式下,测定 NMP 中的 S、P、Si 和 Cl。
  • 使用 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪分析 NMP 中痕量的硫
    N-甲基-2-吡咯烷酮 (NMP),化学分子式为 C5H9NO,是一种化学性质稳定的水溶性有机溶剂,广泛应用于制药、石化、高分子科学,特别是半导体行业中。电子级 NMP 通常被半导体生产商用作晶片清洗剂和光刻胶剥离剂,以及用作和晶片表面直接接触的溶剂。这就要求 NMP 中金属(和非金属)污染物的含量尽可能地低。ICP-MS 是测定半导体工艺化学品中痕量金属杂质的首选技术。但对 ICP-MS 技术而言,测定 NMP 中的非金属杂质如硫、磷、硅和氯却是个挑战。这些元素较低的电离效率大大降低了分析信号的强度,与此同时,由 NMP基质中的 N、O 和 C 元素形成的多原子离子造成的高背景信号(计为背景等效浓度,BEC)使这一痕量检测更加雪上加霜。电感耦合等离子体串联质谱仪的高灵敏度和强大的消干扰能力使它特别适合于应对这一应用的挑战。本应用介绍了 Agilent 8800 电感耦合等离子体串联质谱仪 (ICP-MS/MS)在 MS/MS 模式下,测定 NMP 中的 S、P、Si 和 Cl。
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