二次离子溅射中性粒子质谱仪

MAXIM 二次离子溅射中性粒子质谱仪可分析二次阴、阳离子动态和中性粒子，所具备的的30°接受角可形成样品粒子平面，应用于SIMS和SNMS的光学采样。 光栅控制，增强深度分析能力 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器质量数范围： 300amu，500amu，1000amu 检测器： 离子计数探测器、正负离子探测器、107 cps 质量过滤器： 3F四级杆 杆直径： 9mm 最高加热： 250℃ 离子源： 电子轰击，可用于SNMS和RGA的单根灯丝

PHI nanoTOF3+ 特征先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度 飞行时间二次离子质谱仪新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 独特的离子束技术 平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析 多功能选配附件TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。 实现高精度分析的一次离子设备先进的离子束技术实现更高质量分辨PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm 在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合强度高离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上指定 分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据标配自动化传样系统PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可以实现对大量样品的全自动连续测试。采用新开发的脉冲氲离子设备获得证书的自动荷电双束中和技术TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和，无需额外的人为操作。 *需要选配Ar离子设备 远程访问实现远程控制仪器PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室， 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断。*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。 从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成标配离子设备FIB(Focused lon Beam)功能在PHI nanoTOF3+中， 液态金属离子具设备备 FIB功能， 可以使用单个离子设备对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。 通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。 多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力可拆卸手套箱：可安装在样品导入室可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在 冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。 氩团簇离子源（Ar-GCIB）：有机材料深度剖析使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。Cs源和Ar/O2源：无机材料深度剖析可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额 ；O2源可增强正 离子产额

多功能SIMS工具：高分析效率和全自动化的基准检测灵敏度IMS 7f-Auto是我们获得成功的IMS xf二次离子质谱仪（SIMS）产品系列的新型号。该仪器旨在提高高精度元素和同位素分析的易用性和生产率，已针对玻璃、金属、陶瓷、硅基，III-V和II-VI族化合物器件、散装物料、薄膜等一系列颇具挑战性的应用进行改良，可充分满足行业对高效器件开发和过程控制的要求。用于解决多种分析问题的关键分析功能IMS 7f-Auto提供了具有高深度分辨率和高动态范围的深度剖析功能。高透射质谱仪与两种反应性高密度离子源（O2+和Cs+）相结合，从而提供高溅射速率和极低的检出限。独特的光学设计可实现直接离子显微镜和扫描探针成像。 提高自动化和作业效率IMS 7f-Auto配有重新设计的同轴一次离子枪筒，可以更轻松、更快速地进行一次离子束调谐，并优化一次离子束流稳定性。新的自动化程序减少了由操作员引起的偏差并提高了易用性。带有自动装载/卸载样品架的电动储存室通过分析链和远程操作提高分析效率。 在高分析效率下实现高再现性借助新型电动储存室和样品转移，IMS 7f-Auto能够分析链式或远程模式下的多个样品。测量可以完全无人值守和自动化，具有高通量和可再现性。可实现很高的可再现性（RSD0.5％）、很低的检出限、高测试效率和高生产率（工具可每天24小时使用，几乎无需操作员干预）。

仪器简介：1. 适合做多层薄膜的深度分析。2. 很好的、耐用的、普通目的的二次离子质谱仪。3. 方便使用。4. 样品可以手动转换，由于分析速度快所以每天可以分析一定数量的样品。5. 我们的系统可配置快速原子枪，使我们可以轻松处理绝缘的样品。6. 我们还可以做元素成像（就象化学地图）和混合模式扫描，自动测量正、负和中性粒子。7. 我们的系统是典型的超高真空工作台，很容易满足很多其它分析的使用。结构紧凑，但不损失性能。真正的高性价比。技术参数：质量数范围：300，510或1000amu分辨率：5%的谷，两个相连的等高峰。检测器：离子计数检测器，正、负离子检测检测限：1:10E7质量过滤器：三级过滤四极杆（9mm杆）主离子枪： A，氧离子或其它气体，能量到5KeV B，Ga离子枪，能量25KeV（选配）空间分辨率：A：100～150um B: 50nm取样深度：2个单分子层（静态） 不受限制（动态）主要特点：? 高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 ? SIMS 成像，分辨率在微米以下 ? 光栅控制，增强深度分析能力 ? 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 ? 差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至1000amu ? 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器 ? Penning规和互锁装置可提供过压保护 ? 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制

飞行时间二次离子质谱（TOF- SIMS）是一种表面敏感的技术，提供表面分子，元素及其同位素前几个原子层的组成图像。所有元素和同位素，包括氢气都可以用飞行时间二次离子质谱分析。在理论上，该仪器可以在一个无限大的质量范围内提供很高的质量分辨率（在实践中通常是大约 10000amu）。PHI TRIFT V nano飞行时间质谱仪（三次对焦飞行时间）是一种高传输、并行检测仪器，其目的是由主脉冲离子束轰击样品表面所产生的二次离子可以得到zui佳的收集状态，并可同时用于有机和无机表面特征分析。TRIFT分析仪的工作原理会把离子在光谱仪中不断的重新聚焦。使二次离子质谱允许更多重大的实验得以进行。主离子束zui先进的设计，允许经由计算机控制去同时达到高横向分辨率的成像和高质量的图谱分辨率。PHI TRIFT V nanoTOF是第五代SIMS仪器，该仪器具有独特的专利时间飞行（TOF）分析仪，它拥有市场上TOF-SIMS仪器中zui大的角度和能量接受标准，实现了高空间分辨率质量分辨率和使用具有优良离子传输能力的三重重点半球形静电分析器。PHI TRIFT V nanoTOF还具有很高的能力，可以图像具有非常复杂的几何形状的样本而没有阴影。

PHI nanoTOF3+特征先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度飞行时间二次离子质谱仪最新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 独特的离子束技术 平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析 多功能选配附件TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。 实现高精度分析的一次离子枪先进的离子束技术实现更高质量分辨PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm 在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合高强度离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上指定 分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据标配自动化传样系统PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：最大样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可以实现对大量样品的全自动连续测试。采用新开发的脉冲氲离子枪获得专利的自动荷电双束中和技术TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和，无需额外的人为操作。 *需要选配Ar离子枪 远程访问实现远程控制仪器PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室， 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断。*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。 从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成标配离子枪FIB(Focused lon Beam)功能在PHI nanoTOF3+中， 液态金属离子枪具备 FIB功能， 可以使用单个离子枪对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。 通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据（专利）在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。 多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力可拆卸手套箱：可安装在样品导入室可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在 冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。 氩团簇离子源（Ar-GCIB）：有机材料深度剖析使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。Cs源和Ar/O2源：无机材料深度剖析可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额 ；O2源可增强正 离子产额

仪器简介：EQS 是差式泵式二次离子质谱（SIMS-Secondary Ion Mass Spectrometer ‘Bolt-On’ probe），可分析来自固体样品的二次阴、阳离子和中性粒子。采用最新技术的SIMS 探针，便于连结到现有的UHV表面科学研究反应室。 技术参数：应用： 静态 /动态SIMS 一般目的的表面分析 整体的前端离子源，便于RGA和 SNMS 兼容的离子枪/ FAB 枪 成分/污染物分析 深度分析 泄漏检测 与Hiden SIMS 工作站兼容主要特点： 高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 SIMS 成像，分辨率在微米以下 光栅控制，增强深度分析能力 45°静电扇形分析器, 扫描能量增量 0.05 eV/ 0.25eV FWHM. 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至2500amu 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器 Penning规和互锁装置可提供过压保护 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制

应用于地球科学的大尺寸几何结构离子探针IMS 1300-HR3是一款大尺寸几何结构离子探针，可为广泛的地球科学应用提供无与伦比的分析性能：使用稳定同位素追踪地质过程，矿物定年，以及确定痕量元素的存在和分布。其高灵敏度和高横向分辨率也使其成为搜索和测量铀颗粒以用于核防护目的的必要工具。高空间分辨率和高质量分辨率下的高再现性的独特组合借助新型IMS 1300-HR3，CAMECA极大地提高了已占据市场领导地位的大尺寸几何结构SIMS的性能，现可在高空间分辨率和高质量分辨率下为地球科学界提供高重现性的独特组合。该工具可充分满足高精度和高生产率的小尺度原位同位素测量的需求，并拓展了广泛的研究方向——从稳定同位素、地质年代学和痕量元素到小颗粒等等。秉承了IMS 1280-HR和之前型号的主要优点：大尺寸几何结构设计可在高质量分辨率下提供高灵敏度应用于高精度同位素测量的多功能多接收器系统用于分析正负二次离子的双一次离子源卓越的离子成像能力（探针和显微镜模式）增强型磁场控制系统实现了高质量分辨率下的高再现性远程操作、全自动化、功能强大的应用专用软件IMS 1300-HR3的改进及优点：新型射频等离子体氧源显著增加了电子束密度和电流稳定性，极大地提高了空间分辨率、数据再现性和通量。具有自动化样品高度（Z）调节功能的新型电动储存室可显著提高分析精度、易用性和生产率。用于改善光学图像分辨率的紫外光显微镜，搭配专用软件实现简单的样品导览1012 Ω电阻法拉第杯：用于测量低计数率的低噪声电测系统

TOF-SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术，适用于许多工业和研究应用。该技术通过对一次离子束轰击样品表面产生的二次离子进行质量分析，并行探测所有元素和化合物，具有极高的传输率（可达到100%），只需要一次轰击就可以得到研究点的完整质量谱图，从而提供有关样品表面、薄层、界面的详细元素和分子信息，并能提供全面的三维分析。其用途广泛，包括半导体，聚合物，涂料，涂层，玻璃，纸张，金属，陶瓷，生物材料，药品和有机组织领域。全新 M6 — — 飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）先进科技M6 是 IONTOF 在 TOFSIMS 5 基础上开发的新一代高端飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）仪器，对一次离子源（LMIG）和质量分析器（TOF Analyser）进行了突破性的改进。此外，在硬件方面还增加了 MS/MS 功能选项，重新设计了加热和冷却系统；在软件方面新增了多元统计分析（MVSA）软件包。其设计保证了 SIMS 应用在所有领域的卓越性能。新的突破性离子束和质量分析器技术使 M6 成为二次离子质谱（SIMS）仪器中的耀眼光芒、工业和学术研究的理想工具。全新 M6 具有以下突出优势：1 新型 Nanoprobe 50 具有高横向分辨率 ( 50 nm)2 质量分辨率 30,0003 独特的延迟提取模式可同时实现高传输，高横向质量4 广域的动态范围和检测限5 用于阐明分子结构具有 CID 片段功能的 TOF MS/MS6 先进智能的 SurfaceLab 7 软件，包括完全集成的多元统计分析 (MVSA) 软件包7 新型灵活按钮式闭环样品加热和冷却系统，可长期无人值守运行

仪器简介：二次质谱仪（SIMS）是最前沿的表面分析技术。确立于40多年前，它揭示了极表面 和近表面的原子层的化学组成。这种信息远远超过了为鉴定有机组成部分的分子结 构所需的简单元素分析。 应用： 单分子层水平表面信息　　薄膜纵剖面分析 所有元素检测　　　　　　有机物质鉴定 表面污染鉴定 高灵敏度分析　　　　　　 快速化学组分成像等表面分析领域技术参数：■ There are three modes of detection： Static SIMS (surface analysis) High energy primary ions are used to dislodge secondary ions from the surface molecular layers. These ions are analysed by mass spectrometry, producing a spectrum to identify both organic and inorganic species. -------------------------------------------------------------------------------- Imaging SIMS (spatial analysis) Scanning the focused primary ion beam over the sample surface builds up an image showing the distribution of any species.This is ideal for analysing the uniformity of coatings or the composition of small features. -------------------------------------------------------------------------------- Dynamic SIMS (depth analysis) By concentrating the primary beam into a small area, the surface layers are progressively etched away. This produces an analysis of the subsurface region, monitoring the thickness and composition of thin films.主要特点：SIMS一个主要的特征是对表面（固定SIMS）的固定区域的原位分析。扫描聚焦探测 光束（影像SIMS）生成一个表面成分图仅需几秒钟（而不是几分钟）。延展的分析 通过深度刻蚀表面而显示表层下面变化的组成（动态SIMS）。所有这些能在只需少 量而不需任何样品准备的情形下操作成功，并且具有高灵敏度，同时可使分析时间 降至最短。 Millbrook MiniSIMS是在一个紧凑的半开式可移动仪器中开发的SIMS功能技术。 仅需一个标准的主电源以供操作，放置极为方便。完全的计算机控制使得操作简 便，并且自动获得数据。通过英特网的远距离控制使您使用SIMS更为方便。 MiniSIMS使得室内表面分析仪器，在很大范围的情形下成为一种操作简便经济实 用的方式，低成本的资金和维护费用以及高的样品产出，意味着每个样品的总费用 要比使用传统的SIMS仪器减少90%

PSM是一台差式泵质谱仪（In-Line Plasma Analysers for Neutrals, Radicals and Ion Analysis），分析等离子过程中的二次离子和中性粒子。 差式泵歧管，通过法兰与过程反应室连接 电子附着选件，具有可调谐的离子源，用于表观电势MS Penning规和互锁装置可提供过压保护 信号选通分辨率1μs，用于研究脉冲等离子体或能量、质量分布VS时间 标准分析中性粒子、自由基，+ve / -ve 离子分析可选 灵敏度高 / 极稳定的3级过滤四极杆 质量数范围： 0 ~ 2500amu 脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 能量分析选件，标准 ±100eV（1000eV可选 ） Mu-Metal, Radio-metal屏蔽可选， 高压操作可选 通过RS232、RS485或Ethernet LAN ，软件MASsoft 控制

质谱分析TOF-SIMS 中，根据分子结构反映的质谱，能更详细的对化学结构进行分析。影像分析影像的分辨率，测量时有种可供选择: 256 x 256 ,512x512, 1024x1024 ，每个像素点都存贮着质谱的信息。测量之后，任伺区域的质谱都可以在後数据处理时提取出来。深度剖析TOF-SIMS 中，经过反复测量和溅射，得到深层的结构。这段期间内，所有的质谱都会被保存，完成测量后，任意深度的质谱都可以在後数据处理时提取出来。三维剖析深度概况的数据源于在深度改变时样品结构的变化，在进行完深度分析後不仅可以拥有内部的信息，三维构筑的信息也可以得到。多功能样品处理样晶托提供了两种类型的标准样晶托，有直径25mm ，样晶在样晶托背面安装并固定( Back-mount) ，能放个样品的样品托，方便对准样晶高度。也有直接在样晶托正面安装样晶，可放置和样晶托一般大小的样晶 (100mm ，方便制样。加热冷却样品托用液氮冷却和用加热器加热样晶台，在-150t 200t 之间可控。样晶托上配有温度感应装置，当样晶在进样室开始，软件即马上显示实时温度回读。另外也可以选配比较高可达600t只做加热的样晶托。

仪器简介：全球最先进的动态TOF-SIMS系统，它使用直流主束的飞行时间分析仪，创建了成像质谱的新范式。直流一次离子束的使用允许快速成像和连续数据采集（即没有单独的蚀刻周期），同时提供高空间和质量分辨率。 独有的特点：离子束带来高分子量分析和高空间分辨率四种离子束可选择用气体团簇离子束SIMS，可以分析高达3000Da的分子量无“仅蚀刻”循环的深度剖面。快速、连续采集冷样品处理气敏和冷冻样品,可配置手套箱高级数据查看功能技术参数：腔室上最多可包括3种离子束。选择包括金，C60，气体团簇，和等离子体-每一个适合特定的样品类型或实验，如下所示。离子束能量束斑大小金25kV150nm最高的空间分辨率，导致明显的碎片。是硬质材料的理想选择。碳60 (C60)40kV300nm在任何材料上均匀溅射，碎裂度低，理想值可达1kDa。气体团簇（Ar/CO2/H2O）40kV, 70kV1um有机物的高溅射率，任何束流的最低碎片，是生物成像的理想选择。双等离子体发射源 (Ar/O2/N2/Cs)30kV300nm高亮度光源，是无机材料的理想选择。氧束提高正离子产率，Cs提高负离子产率。主要特点：深度剖面该 SIMS非常适合于样品的深度剖面分析。使用直流离子束进行分析的一个重要方面是，不需要将蚀刻离子束与分析离子束交错。为了能够在合理的时间尺度上生成3D图像，并去除受损的亚表面层，传统的TOF实验使用了交错成像和蚀刻循环，这些循环浪费了宝贵的样品。在使用C60+或（CO2）n/Arn+等连续分析离子束，分析和低损伤刻蚀是连续和并行的，因此没有数据丢失，所有材料都被采样，使我们 SIMS成为一个非常精确的深度剖面分析工具。温度和大气控制的多功能样品处理该 SIMS上的多功能样品处理系统可以分析多种样品类型。仪器配备液氮冷却装置，以便对挥发性样品进行分析——冷却装置适用于主样品阶段和样品插入锁。相反，样品台也可以加热到600 K。仪器配有手套箱，用于在干燥气体下制备和插入空气/水敏感样品，并防止冷却过程中结冰。由于小容量负载锁定和高泵送速度，样品插入很快。 半导体半导体分析的范围可以从浅结深度剖面到高分辨率3D成像。有五种不同的主离子束可供选择，可以针对不同的材料或实验类型进行定制。从 40kV C60 光束中进行选择，即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均匀的溅射率，是平面设备的理想选择。或 FLIG 5，超低能耗 O2/Cs 光束，具有无与伦比的电流密度，是浅结深度剖析的最佳选择。特征：IOG C60-40， FLIG 5， 深度剖析， 3D 成像 聚合物液态金属离子束会导致高水平的碎裂和对表面的损坏，然后必须通过GCIB将其去除。这会降低深度分辨率，并增加实验不必要的复杂性。GCIB是主光束，因此可确保低分段，不需要仅蚀刻循环，并保证高深度分辨率。GCIB SM 是市场上能量最高的 GCIB，能够以前所未有的速度和最小的损坏蚀刻聚合物等软质材料，从而实现比以往更大的 3D 分析量。特征：GCIB SM， 深度剖析， 3D 成像

半导体中的四极杆SIMS掺杂物深度剖析和薄层分析CAMECA SIMS 4550为光学器件中的硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列扩展功能。高深度分辨率和高通量随着器件尺寸不断缩小，当今半导体的注入物剖面和层厚度通常在1-10纳米的范围内。SIMS 4550通过提供碰撞能量可从5keV降至低于150eV的氧和铯高密度一次离子束进行优化，充分满足上述应用领域的需求。灵活性CAMECA的SIMS 4550是一款动态SIMS工具，可在溅射条件（碰撞角度、能量、物种）方面提供全面的灵活性。在样品溅射过程中，通过电荷补偿（电子枪、激光）专用选项可以轻松分析绝缘材料。SIMS 4550可测量层厚度、对准度、陡度、完整性、均匀性和化学计量。样品架可容纳多种样品：几毫米的薄片至直径100毫米的样品。高精度和自动化先进的四极杆分析仪的光路、峰噪比等都是降低痕量元素检出限的关键因素。凭借先进的特高真空设计以及低至E-10mbar（E-8Pa）范围内的主室压力，SIMS 4550可为氢、碳、氮和氧提供出色的灵敏度。超稳定的离子源和电子设备确保达到较高精度以及RSD小于0.2％的测量重复性。通过易于使用的软件、预定义方案、远程操作以及故障排除，充分考虑了人为因素对精度的影响。每次测量的所有仪器参数设置都存储在数据库中。因此重复测量只需点击几下鼠标即可完成。其他自动化功能

SIMS 工作站(SIMS Workstation－a complete SIMS Analysis Facility) ，综合UHV / SIMS 设备，进行高级的表面分析。可靠的、普遍适用的SIMS分析工作站。整合的离子源，便于RGA和SNMS 各类型样品的快速转向 阴、阳离子、中性粒子、自由基的质量、能量分析仪 整合的离子枪光栅控制和信号选通，进行深度分析 绝缘体研究中的电子流枪用于电荷中和 液氮冷井和真空室烘烤加热器 自动的SIMS 离子光学透镜调谐和质量数列表，使SIMS性能最佳 Hiden EQS SIMS 分析仪，运行于 MASsoft O/S 之下，检测限至ppb级 基本的激发源选择： 带差式泵的Hiden IG20 Ion，IFG200 FAB或高性能液态镓枪 快速样品传递，样品固定，负载锁定的操纵器 4 轴：X, Y, Z, θ UHV 操纵器，以最佳定位样品 加上ESM LabVIEW和SIMS 成像程序，进行SIMS元素成像 静态SIMS谱图库可用

仪器简介：IDP离子/分子分析质谱仪(Ion Desorption Probe)用于研究ESD，PSD 或 UHV-TPD研究中释放出的低能量核素。IDP是电子、光子激发脱附研究中，唯一进行离子、中性粒子、自由基的质量、能量分析的三级过滤四极质谱仪。 IDP 离子/分子分析质谱仪除具有高性能RGA所有功能外，还带脉冲离子计数和四级杆偏压，是杰出的研究级质谱仪。 主要特点：脉冲离子计数检测器，连续7个数量级的动态范围 直接观测阴阳离子、自由基、中性粒子的质量和产生 4 离子透镜，内置电子离子源和兼容的UHV罩 ±100 V离子能量分布，±1000eV可选 高灵敏度三级过滤四极杆，质量数范围至2500amu 信号选通分辨率0.1μs，用于能量、质量分布随时间变化或TOF研究中 升温脱附操作中，温度数值同步显示 通过RS232、USB或Ethernet连接计算机，MASsoft专业软件控制 技术规格：质量数范围： 1～300 amu（标准配置） 500、1000、2500amu（选配） 测量速度： 500 points/s 分辨率： 0.1% Valley、1% Valley 动态范围： 10-7 检测浓度： 5ppb～100% 离子能量： ±100eV（标准配置） ±1000eV（选配） 信号选通分辨率：0.1μs 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5%

仪器简介：EPIC离子/分子分析质谱仪(EPIC Systems with Pulse Ion Counting and Pole Bias Control)是带脉冲离子计数和四级杆偏压控制的三级过滤四极质谱仪，用于高精密科学分析，过程研究以及中性粒子、自由基、正负离子的UHV分析。 EPIC离子/分子分析质谱仪可增加能量过滤器、Bessel Box能量分析器或45°扇形能量分析器，升级至Hiden的Plasma/ SIMS系列EQP，EQS，PSM 和Maxim。 主要特点：6、9、12 mm 直径的四极杆可选 ±100 eV离子能量分布，1000 eV可选 离子源控制，以实现软离子化及表观电势质谱 脉冲离子计数器，连续7个数量级动态范围，Faraday 选项为5x1010 一级过滤处增加射频，增强抗污染物能力 信号选通分辨率0.1μs，用于能量、质量分布随时间变化或TOF研究中 程序升温脱附时，温度数值同步显示 标配UHV罩，液氮冷却罩可选 MASsoft专业软件控制 可升级至Plasma/ SIMS 配置 技术规格： 质量数范围： 1～300 amu（标准配置） 500、1000、2500 amu（选配） 测量速度： 500 points/s 分辨率： 0.1% Valley、1% Valley 动态范围： 107 最低检测分压： 5 X 10-15 mbar ，1X10-16 mbar 离子能量： ±100eV（标准配置） ±1000eV（选配） 信号选通分辨率：0.1μs 稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5% 3F Series Mass Spectrometers (0.68MB) Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)

PerkinElmer Elan9000等离子体质谱仪 介绍： 电子耦合等离子体质谱仪 Elan 9000 ICP-Mass Spectrometer世界上台商品化ICP-MS ELAN250以后的第六代产品主机内置40MHz自激式射频发生器， 功率稳定，适用于各种类型的无机样品和有机样品分析。PlasmaLokTM专利ICP-MS接口技术,完全消除接口处的二次电弧放电，保证等离子体稳定，延长采样锥寿命。AutoLensTM离子透镜偏压自动化选择技术，采用整体化离子透镜设计,可以在运行中根据不各同元表质荷比选择各自的离子透镜偏压，并与四极杆扫描电压同步变化,提高输送效率。全新设计的镀金陶瓷四极杆滤质器,稳定性好，敏度高，用户可根据需要调整分辨率。SimulScanTM同步扫描技术,采用ETP双层多阶电子倍增器，自动识别并分别选用模拟和脉冲技术同时测量未知样品中高浓度离子和低浓度离子。由于仪器有极高的稳定性,测量采用Peak Hopping即单点跳峰技术，大大缩短了出时间，提高分析速度。进样系统还可选配自动进样器( AS )、激光固体进样器(LS )、流动注射进样(FIAS)等。【谱质分析检测技术（上海）有限公司】谱质分析检测技术（上海）有限公司是位于国内二手分析仪器行业领头狮，二手分析仪器租赁，公司由原厂致力于产品研发的工程师、为客户提供技术支持与销售服务的市场人员和商业 人士组成。在国内二手分析仪器领域不断为用户提供着世界上主流仪器 与服务。 专注于生物、化学、 环境、农残、第三方检测、实验室等行业分析仪器。主要从事 品牌安捷伦、Waters、岛津、PE、Thermo赛默飞、热电等二手色谱、质谱和光谱等设备的翻新、销售和售后。 提供多种分析仪器，包括：液相色谱仪、气相色谱仪、单四级杆质谱仪、三重四级杆质谱仪、离子肼质谱仪、飞行时间质谱仪、液质联用仪、气质联用仪、原子吸收光谱仪、等离子体发射光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪、生命科学仪器、核磁共振波谱仪、色谱耗材配件、顶空进样器、气相色谱/质谱仪、液相色谱/质谱仪等分析仪器，以及Q/TOF、TSQ、LCT、ICP/MS、GC/MS等联用仪。 经营品牌有Agilent（安捷伦）、Waters（沃特世）、Thermo（赛默飞）、AB sciex、Perkin Elmer（珀金埃尔默）、Dionex（戴安）、SHIMADZU（岛津）等品牌仪器，力求达到您的不同需求。关于谱质的服务： 1.仪器经过工程师维修测试，具备可以与新机相的性能状态，使您的科学实验流畅运行！ 2.二手仪器价格让您不为实验室建设资费不足而烦恼，节省出的经费则可以投入重要的实验项目！ 3.原厂的售后技术服务标准为您解决后顾之忧，团队为您的仪器提供长期维修支持！ 4. 仪器库存，无论是液相色谱、气相色谱、液质联用、气质联用以及仪器的维修配件，均能现货供应！【谱质分析检测技术（上海）有限公司】联系人：李先生联系地址：上海市嘉定区金园四路501号东锦国际大厦14F

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适用于半导体应用的高性能低能量SIMSIMS Wf和SC Ultra经专门设计，可充分满足高级半导体对动态SIMS测量日益增长的需求该仪器可提供大范围的冲击能量（150 eV到13 keV），不影响质量分辨率和一次离子束密度，可确保在高通量条件下为具挑战性的应用提供卓越的分析性能：超浅能量和高能量注入物、超薄氮氧化物、高k金属栅极、硅锗掺杂层，Si:C:P结构、PV和LED器件及石墨烯等等。从标准到超浅深度剖析对半导体进行分析的首要条件是优化SIMS分析条件以进行超浅深度剖析，而无需舍弃标准深度剖析应用。CAMECA因此开发了独特的SIMS仪器设计，能够溅射具有大范围碰撞能量的样品：从用于厚结构的高能量（keV范围）到用于超薄结构的超低能量（≤150eV）。这种碰撞能量选择的灵活性适用于不同的控制良好的溅射条件（物种、入射角等）。CAMECAIMS Wf和SC Ultra可提供此类极限低碰撞能量（EXLIE）功能的SIMS仪器，且在高质量分辨率和高透过率方面毫不逊色。 高自动化水平随着SIMS技术的成熟，用户希望能够降低实现高再现性和高精度测量所需的专业知识要求。未来发展趋势显然是无人值守的自动分析。CAMECA IMS Wf和SC Ultra利用计算机自动化应对该挑战，确保完全控制所有分析参数（分析方案、仪器设置等）。气锁系统、样品台和分析室已进行了优化，最多可容纳300毫米的晶圆（IMS Wf型号），并可在一批次中装载大量样品——在IMS Wf型号中最多可装载100个样品，同时还提供气锁和分析室之间的完全电动化转移。 凭借高自动化水平，IMS Wf和SC Ultra可执行快速深度剖析，具有优化的样品通量和出色的测量稳定性，确保了SIMS工具生产率。

系统配置：■ AB SCIEX QTRAP 4000 离子阱质谱仪■ 可配备各个型号液相前端（岛津、安捷伦）■ 必需的管道及线路这台仪器状况良好，已经在SpectraLab Scientific进行了测试。 所有套件和组件均包含90天保修。仪器实物图：仪器简介：串联四极杆 — 线性离子阱技术的新型质谱系统：4000 QTRAP4000 QTRAP LC/MS/MS系统在同一台质谱上能提供超高灵敏度的定量分析和定性分析功能。串联四极杆的扫描方式和线性离子阱的扫描方式相结合，使其成为药物发现、ADME毒理研究、代谢组学、法医学、临床研究、环境和食品安全的超微量分析等诸多领域的利器。它是超低含量组分的快速、自动化定量、定性分析的最理想工具。此系统功能强大，包括：● 高灵敏度的全扫描MS、CID-MS/MS、MS 功能以及真正高选择性和高灵敏度的MRM扫描方式、母离子扫描方式、中性丢失扫描方式● 线性离子阱与串联四极杆的专利碰撞室减少了扫描的循环时间且没有低质量截止点，能够输出高品质的可供质谱库检索的MS/MS质谱图● MS 数据进行化合物的结构解析● Analyst 软件提供了最新的定量分析工具包，质谱库和碎片解析功能Spectralab在分析设备方面拥有专业知识。欢迎您与我们的专业团队进行联系，您的任何咨询我们都会及时进行回复。我们提供大量翻新的色谱和光谱等分析仪器（各种不同配置），拥有大量现货库存可供快速购买并且提供专业的技术支持。感谢您的浏览，我们期待着您的回音！

电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）应用领域各级疾控中心理化所/科,职业卫生技术服务机构理化分析；职业病监测理化分析；职业病诊断-职业医学检验疾控中心理化分析。电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）◇ 高效进样系统：分体式炬管，自准直装配，直观简单。◇ 稳定的ICP离子源：自激式全固态射频电源，采用频率匹配调谐，调谐速率高，可直接分析有机样品，无运动部件，稳定可靠；平衡驱动，无需屏蔽炬即可获得离子动能平衡。◇ 可靠的双锥接口设计：高效率传输待分析离子，保持分析物组份的代表性，专门离子接口设计大幅度提升灵敏度；提手是换锥接口，稳固可靠，操作便利。◇ 复合离子传输系统：前后两次离轴，良好消除中性粒子干扰；采用复合电场多极杆导引技术、复合透镜偏轴离子传输技术，在消除光子和中性粒子干扰之外大幅度的提升离子传输效率。◇ 高速动态碰撞反应池：分布式碰撞/反应气扩散方式，大大提高碰撞效率，提升灵敏度；采用离子动能歧视技术，结合喷碰撞和动态反应两种模式的优点；高效碰撞模式，可直接稀释到测试血液样品。◇ 四极杆质量分析器：纯钼四极杆，超高稳定性；抗温湿度变化的RF电源，确保在普通实验室条件下也有良好的稳定性。◇ 高灵敏电子倍增器：专有的数字/模拟双模式检测器，具有9~10个数量级的动态范围。电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）◇ 自主研发的国产ICP-MS替代进口产品，完全满足疾控客户水、食品、土壤、环境等检测需求，成为各级疾控中心理化采购热点；◇ 满足ICP-OES替代方法，检出限可到ppq，四级杆质量分析器，全数字频率调谐射频发生器。