溅射台

该系统可以作为以下功能装置：1，研发级R&D镀膜设备，性能优异2，具备所有研发级别的镀膜要求3，高效的沉积速率，镀膜时间快4， 实验室中培训的最佳工具主要的特点和先进的功能：1， 台式，小型，快速2，全自动化程序控制3，单靶或多靶联合溅射镀膜，多路气体管路4，共聚焦设计，靶枪尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，衬底可做到200mm，旋转1-20RPM，以及Load-lock配置5，配置干泵+分子泵，可达高真空，适用高品质薄膜沉积。6， 可做直流溅射，射频溅射，100W射频偏压（用于衬底表面清洗）性能价格比高！！

DISCOVERY 635/785 多耙直流/射频磁控溅射台 丹顿真空的Discovery系列在世界许多著名的研究机构得到广泛的应用，是业内公认的灵活、可靠的磁控溅射系统。从15年前开发以来，该系统已经销售超过100台，在国内销售12台。Discovery系列适合于研发及小批量生产。系统采用独特的共焦溅射结构，能够使用较小的磁控溅射靶枪在较大的面积的工件上得到较好的均匀性（例如：采用传统的垂直溅射方式，为了在6英寸工件上得到±5%的均匀性，需要使用8英寸直径靶枪，而采用共焦溅射方式，则可以采用3英寸磁控溅射靶枪，即可达到同样的均匀性指标）。因此在同样的要求下，采用的靶枪及电源相对较小，所以能够降低设备成本及运行成本，同时，丹顿真空也提供传统的垂直溅射方式系统。Discovery 系列都可以安装多个磁控溅射靶枪，可以实现多种溅射模式，包括直流/射频/脉冲溅射，共溅射，射频偏压溅射；可以实现三级加热，最高加热温度可以达到900 °C；可以配置进样室（单片或多片），最大可以处理的工件直径可以达到 250mm ；系统真空室规格从18英寸（457mm）到 35英寸（890mm）可选；高真空采用分子泵或低温泵获得；可以采用PLC触摸屏控制系统或计算机控制系统。 系统主要配置：※ 多耙直流/射频磁控溅射※ 旋转工作台（可以升级为射频偏压工件台）※ 上溅射或下溅射可选※ 不锈钢真空室，带观察窗

一、公司背景介绍： （1）郑州科探仪器设备是高质量定制物理气相沉积（PVD）系统的设计者和制造商，客户服务和售后服务出色。拥有7年以上真空和薄膜沉积技术经验。其研发团队在学界科学家和工程师的支持下，高度积极地开发新设计以满足客户的特殊要求。 （2）郑科探的工程团队设计和制造的组件符合高质量标准。KT-Z1650PVD真空镀膜机已通过分销商销往许多大学和研究中心，并得到了很好的参考和反馈。 二、仪器描述：小型溅射仪郑州科探KT-Z1650PVD，能够在非导电或导电不良的样品上涂布金（Au），钯（Pd），铂（Pt）和金/钯（Au/Pd）的薄膜。在较短时间内即可形成具有细粒度的均匀薄膜，使样品适用于扫描电子显微镜（SEM）分析。仪器结构紧凑，全自动控制，设计符合人体工程学，所得结果一致，可重复性高。 三、产品特点： 彩色触摸屏：数据输入简单快速。 通过触摸屏中直观检测数据和曲线；历史页面可显示历史涂层信息。 可控镀膜速率，可得到更精细的晶粒结构。 可手动或自动，根据时间或根据厚度进行溅射。 样品台更换简单：标准旋转样品台或选用行星式旋转样品台。 标准样品台高度可调、可倾斜、可旋转；行星式旋转样品台为多孔样品带来好的喷金效果。四、小型溅射仪郑州科探KT-Z1650PVD厂家供应技术参数：控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

仪器简介： JS-600小型离子溅射仪采用二极（DC）直流溅射原理设计，操作简单方便，适用于扫描电子显微镜（SEM）样品制备,非导体材料实验电极的制作。 用户可以根据自己的需要自行选择不同的真空条件，溅射电流。大尺寸的真空腔体设计，满足大样品的溅射需求。标配一片金靶，纯度为99.999%，为获得高质量的金膜提供了良好的基础。技术参数：1.靶（上部电极）：材料：金，直径：50mm，厚度：0.1mm　纯度：99.999%2、真空样品室：直径：160mm，高：110mm3.样品台（下部电极）：溅射面积：直径：50mm4．工作真空： 2×10-1—10-1 mbar5.离子电流表：0-50mA6.计时器：根据溅射习惯设定单次溅射时间。7.溅射电压：-1600DVC8.飞越真空泵（VRD-4）：1.1L/S9.工作室工作媒介气体：空气或氩气等多种气体10．针阀： 配有进气口，微量充气调节，可连接φ4*2.5mm软管。主要特点： 1.轻便、溅射面积大 2.靶材可按用户要求加工制作备注：JS-600小型离子溅射仪可适用的靶材：金、铂、银

GVC-2000P磁控离子溅射仪采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配。一.GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）主要特点1、一键操作，具备工作完成提示音；2、镀膜颗粒小，无热损伤；3、靶材更换非常简单；4、特殊密封结构，玻璃不易损坏；5、内置操作向导，无需培训即可熟练操作；二、GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）技术参数外形尺寸420（L）×330（D）×335（H）溅射靶头平面磁控靶可用靶材Au、Pt、Ag、Cu等靶材尺寸φ57×0.12mm真空室高硅硼玻璃 ~φ200×130mm工作介质空气或氩气样品台φ125mm样品台转速4-20rpm可调真空泵旋片泵（可选配干泵）抽速1.1L/s真空测量皮拉尼式真空规管工作真空4-20Pa极限真空≤1Pa工作电流0-100mA连续可调显示屏7英寸 800×480 彩色触摸屏工作时间1-999s连续可调进气自动放气自动金颗粒尺寸（硅片喷金）电池隔膜10万倍（喷铂）三、GVC-2000P磁控离子溅射仪技术方案1、采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；2、采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配：（1）膜厚监控组件：可预设期望镀膜厚度，在工作过程中精确控制镀膜厚度；（2）样品台加热组件：可通过加热提高膜层的致密性以及与基地的结合力。3、7英寸触摸式液晶显示屏，分辨率为800×480，全数字显示。3.1）可设定：（1）溅射电流；（2）溅射时间；（3）靶材种类；（4）工作真空度；（5）工作气体；（6）屏幕亮度等参数；3.2）可显示：（1）溅射电流；（2）溅射剩余时间；（3）工作真空度；（4）靶材累计使用时间；（5）设备累计使用时间等参数。4、溅射电流：2-100mA连续可调，最小步长为1mA；5、溅射时长：1-999s连续可调，最小步长为1s 6.溅射真空：4-20Pa连续可调，最小步长为0.1Pa 7、溅射靶材：标配为高纯铂靶（纯度4N9），规格为φ57×0.12mm；也可使用金、银、铜、金钯合金等金属作为溅射靶材；8、真空室：采用高透光性的高硅硼玻璃，尺寸约为φ200×130mm；9、样品台：可自转的不锈钢样品台，直径为φ125mm，转速4-20rpm可调；10、靶材参数：系统提供金、铂、银、铜对于空气和氩气的工作参数，可直接使用。同时提供4种自定义靶材，用户可根据自己需求设定工作参数；11、预溅射：具有全自动控制的预溅射挡板，确保工作过程稳定可靠；12、一键操作：系统可自动完成抽气、充气、参数调整、预溅射、溅射镀膜等工作过程；溅射完成后，关闭真空泵，系统自动充气使真空室内外压力平衡；13、具备溅射电流和真空度双重互锁，安全可靠，任一条件触发，系统即可停止工作，防止因为误操作导致设备损坏；14、系统采用皮拉尼真空规作为真空测量元件；15、极限真空优于1Pa，真空泵抽速为1.1L/s；16、具备实时曲线显示溅射电流和真空度功能非常方便用户了解系统工作状态；17、采用独特的靶材更换结构，无需任何工具，即可实现快速更换靶材；18、仪器供电：AC220±10%V，额定功率500W、

108自动真空溅射仪是目前较为先进的对样品进行预处理的仪器。主要适用于扫描电子显微（SEM）和X射线微观分析等表征工作前的镀金等贵金属处理。同时，彻底排除了真空度对成膜质量的影响，溅射电流，可“暂停”的时间控制和进气量的调节控制保证了溅射的质量。1、108自动溅射仪提供了完全自动或手动操作两种工作模式，其中包括自动放气和进放氩气控制。2、在自动模式中，可以通过数显工作时间或MTM-20膜厚监控仪（可选件）来实现镀膜的可重复性。3、为了获得高质量的镀膜，镀膜仪会根据一定的成膜速率和真空室内的气压来调控工作电流值。4、采用直流磁控管低压“超冷”溅射，使得镀膜时对试样的热影响最小。5、电子阀结合针阀设计使得放气、充气操作简单快捷。6、可以快速更换溅射靶材 技术参数表腔体尺寸120mm OD x 120mm height (4.75x 4.75")靶材标配Au 选配Au:Pd, Pt, Pt:Pd规格57mm dia x 0.1mm thick样品台12孔SEM钉型样品台支架高度60mm可调真空度大气压 - 0.001mb工作电压200-240 VAC, 50Hz工作功率300W

GVC-1000 全自动离子溅射仪主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC系列为您提供优质的样品制备，轻松助您取得更好地材料研究样品， 获得高质量的显微镜观测效果。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)性能参数1、离子溅射仪工作原理：磁控溅射2、可选靶材：金，铂，金钯合金，铅，银，铜，铬，锑等3、真空室：φ128×100高硅硼玻璃4、全自动操作，简单易用，非常适用钨灯丝、台式扫描电镜等（1）溅射电流自动调整——设定溅射电流后，系统自动调节真空度，从而达到设定的溅射电流，调整时间＜5s，波动范围＜±5%；（2）无需按“实验”键调整溅射电流、无需操作“进气阀”。（3）溅射时间自动记忆——同类样品一次设定即可；（4）参数改变自动调整——溅射过程中可以随时调整溅射电流和溅射时长，系统自动计算叠加，无需终止溅射过程；（5）工作完成自动放气；（6）样品台高度调节1秒完成；（7）溅射过程可以利用曲线显示，清晰直观。（8）极限真空：小于1Pa5、软硬件互锁，防误操作，安全可靠（1）真空度高于100Pa，启动真空保护，无法溅射；（2）溅射电流高于50mA，停止溅射过程；（3）真空泵工作时，系统无法进行放气操作；6、镀层均匀，导电性良好。

SD-900M 型离子溅射仪外观亮丽做工精致。可用于不耐高温的样品，对不耐温的样品起到保护作用。不至于产生形变等（如：薄膜类样品，树脂类等等） 磁控溅射是物理气相沉积的一种。 一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点， 磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。 经工程师测试3分钟内的工作温度约为60度。可升级为手套箱专用手套箱版图需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。SEM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料原理： 在磁控溅射中，由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力，它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动，其运动路径变长，因而增加了与工作气体分子碰撞的次数，使等离子体密度增大，从而磁控溅射速率得到很大的提高，而且可以在较低的溅射电压和气压下工作，降低薄膜污染的倾向；另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时，经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时，已变成低能电子，从而不会使基片过热。参数：主机规格：300mm×360mm×380mm（W×D×H）靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）靶材：Au（标配）也可根据实际情况配备银靶、铂靶等样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）样品台：可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台靶材尺寸：Ф50mm 真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar离子电流表： 最大电流：100mA定时器：数码 最长时间：0-999S微型真空气阀：可连接φ3mm软管可通入气体： 多种最高电压： -1600 DCV机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8）输入电压：220V(可做110V),50HZ溅射速录：40nm/min特点：1、经济、可靠、外观精美。2、成膜速率高。3、基片温度低。4、膜的粘附性好。5、可实现大面积镀膜。6、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。7、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。8、真空保护可避免真空过低造成设备短路。

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

产品详情DENTON 磁控溅射及电子束蒸发薄膜沉积平台： DENTON 真空使创新成为可能，并已超过50年。全球成千上万的薄膜沉积工具安装,包括一个大型的、在全球范围内安装的精密光学沉积系统——工程师和研究人员依靠DENTON 的薄膜创新驱动更高的吞吐量,更好的收益和低拥有成本(首席运营官),受益于综合服务和支持,和一个专门的研发项目,提供可行的技术。探索者提供了薄膜工业中最广泛的配置和沉积模式:电子束蒸发、电阻蒸发、溅射、离子镀和离子辅助沉积。DENTON 薄膜沉积平台• R & D• 批量生产• 在线生产• 蒸发• 溅射• PE-CVD DENTON 的区别你们的过程就是我们的过程。我们与您合作设计一个系统，以解决您的确切薄膜涂装工艺的需要。当我们给你运送工具时，它已经准备好生产了。• 我们的系统规模可以满足您的生产需求• 我们永远相信客户• 全球支持网络 在DENTON，我们关心你的成功• 工厂验收测试• 个性化培训• 远程、实时支持• CE / UL / CSA兼容系统 能溅射电、磁、复合材料。柔性阴极，调整到冲击角也可用。 强大的控制系统可在半手动模式或全自动模式与一个推动自动化，以减少系统停机时间。 Processpro升级提供:1.所有登顿真空产品的一致性控制。2.标准软件使其易于支持和避免昂贵的定制费用。3.源代码为您的程序，以便您可以自定义您的程序。4.网络功能使资源管理器网络上支持实时、远程支持和升级的节点。 灵活的室大小可容纳多达10英寸的衬底。 多个泵配置多种扩散、低温和涡轮泵配置可用于满足您的预算和工艺。后方或底部安装的泵提供方便的访问服务，根据您的工作场所的需要。典型的应用PE-CVD• 材料研究• 小批处理系统• 3 d对象• 覆盖各种材料 溅射• 材料研究• 产品质量控制和质量保证• 半导体失效分析• CD掌握• 纳米技术• 化合物半导体• oled 蒸发• 材料研究• 离子辅助沉积(IAD)• 医疗设备• 电信• CD掌握• 发射• 保护涂层选项：

2 0 8HR 高分辨离子溅射仪是场发射扫描电子显微镜（FESEM）样品表面导电处理的理想设备。FESEM制样要求导电镀层在保持连续均匀的条件下，镀层粒子的粒径尽量的小，进而不会影响样品表面精细微观结构的观察。为了得到高质量的镀层， 208HR提供了所需的溅射沉积条件。其中，208HR的真空系统配备了前级机械旋片式真空泵或者无油隔膜泵，二级真空为涡轮分子泵作来提高样品室的真空度，从而使溅射镀层的粒度均匀细小，满足FESEM的制样要求。此外，自动智能的控制系统，使得操作更加简单容易，并且有很好的重复性。常用的溅射镀膜材料：Pt/Pd: 多用途的高质量的非导电样品的溅射镀膜材料Cr: 半导体材料和高分辨背散射电子成像的理想材料Ir:高性能、粒径均一的镀膜材料主要特点：1、配合不同的靶材可溅射多种材质的薄膜2、高精度的膜厚控制（选配MTM-20 膜厚监控仪）3、多角度的旋转样品台支架，使得成膜更加均匀4、多孔样品台支架行星式旋转样品台5、高度可变的真空腔，使得成膜速率在1.0nm/sec到0.002nm/sec之间可调。6、0.2 - 0.005 mbar大范围的工作气压7、紧凑、现代、桌式设计节省了空间8、操作简单安全，抽气、溅射、放气智能一体化程序设计 Specifications 溅射磁头Sputter head低电压平面磁控管Low voltage planar magnetron快速方便靶材装卸Quick target change环绕暗场保护Wrap-around dark-space shield遮板调试靶材Shutter for target conditioning靶材Targets标配：Cr, Pt/Pdor IR (Iridium coater)选配： Au, Au/Pd, Cu, Ni, Pd, Pt, Ta, Ti and W 溅射配套系统Sputter supply微程序处理器Microprocessor based安全联锁装置Safety interlock不受真空度影响的恒电流控制系统Constantcurrentcontrol independent of vacuum数显可选电流Digitally selectable current (20, 40, 60 or 80mA) 样品台Sample stage行星式0-90°手动旋转样品台Non-repetitive rotary, planetary motion with manual tilt 0-90°转速可调Variable speed rotation4样品台支架Crystal head 4 sample holders仪表Analog metering真空度：大气压-0.001mbVacuum Atm - .001mb工作电流：0-100mACurrent 0-100mA 控制模式Control method自动抽放气Automatic operation of gas purge and leak functions全自动溅射操作Automatic process sequencing可暂停数显时间设置 Digital timer(0-300 sec) with pause自动放气 Automatic venting真空系统Pumping System涡轮分子泵和旋片式机械真空泵Turbo drag / rotary pump combination抽气速率Pumping speed300 l/min at 0.1mb抽气时间Pumpdown Time1 min to 1 x 10-3mb极限真空Ultimate pressure1 x 10-5mb

EMS 离子溅射仪EMS 150/300是一款多功能紧凑型镀膜系统, 对于SEM, FESEM,TEM样品制备及其它镀膜应用非常理想, 直径为165mm/300mm的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品, 尤其在配套电镜应用中提高成像质量提供6个版本的仪器EMS150R S Plus 机械泵抽真空喷金仪/离子溅射镀膜仪，适于给样品镀制不氧化金属膜（即贵金属膜），如金、银、铂和钯。（真空喷镀非氧化型金属, Au, Pt, Pd等）EMS150R E Plus 机械泵抽真空喷碳仪/蒸发镀碳仪，使用碳丝或碳绳为SEM样品镀膜。（真空喷镀碳膜, 特别适用于EDS,EBSD）EMS150R ES Plus真空镀膜仪，集150R S Plus 和150R E Plus两者的功能于一体，结构紧凑，节省空间。这个双重用途、结构紧凑、机械泵抽真空的镀膜系统标配有溅射插入头和碳丝蒸发插入头 – 可提供无与伦比的多用途镀膜。 此外，辉光放电选项也是可用的（仅150R S Plus和150R ES Plus版本），它可实现样品表面改性（如疏水表面改为亲水表面）。 EMS150T S Plus高真空离子溅射仪（分子泵超高真空, 多靶材, Cr, W, Cu, Pt等） EMS150T E Plus高真空碳蒸镀仪（分子泵超高真空适用于TEM/Cs-TEM使用） EMS150T ES Plus高真空镀膜仪（ 集150T S和150T E功能于一体, 结构紧凑） EMS300R T超大样品室多溅射头镀膜仪（ 300mm超大样品室，3个溅射头保证大面积均匀镀膜效果）产品特点：快速简便：快速、易更换的镀膜插入头，能在同一个紧凑设计中实现金属溅射、碳蒸镀和辉光放电三者之间的快速转换。 采用全自动触摸屏控制,可快速输入数据。与镀膜处理方法及镀膜材料相适配的镀膜参数方案可通过触摸按键实现预设并储存。自动放气控制功能确保了溅射期间最佳的真空状态，可提供良好的一致性和可重复性。 易使用：智能识别系统可自动探测安装了何种类型的镀膜插入头，以便立即运行相应的镀膜方案。可存储多个用户自定义的镀膜方案 – 这对于需更改镀膜参数实现不同应用的多用户实验室非常理想。多种样品台组件适用于各种尺寸和类型的样品；所有样品台都带有快速、易更换及落入式设计的特点。 功能强大、可重复镀膜及高可靠性：可预编程的镀膜参数及方案能确保一致且可重复的结果。需要沉积厚膜时，本系统提供长达60分钟且无需破真空的溅射时间。设计先进的碳蒸镀插入头操作简单,具有对蒸发电流参数的完全控制，确保了SEM应用中一致的和可重复的碳沉积。可选的膜厚监控附件用于可重复的膜厚控制。 适配性强且用途广：溅射、碳蒸镀、辉光放电插入头及多种可选件，使Q150R对于多用户实验室应用非常理想。可溅射一系列不氧化金属，如金、银、铂和钯。碳丝蒸镀插入头处理样品速度非常快。也可选用碳棒蒸发。还可应用于金属薄膜研究及电极的应用。新款改进● 触摸屏更换成便于操作的电容触摸屏 ● 固件更新，新版操作界面类似安卓系统，便于客户上手 ● 新的彩色LED可视状态指示灯 ● USB接口可以用于固件更新，并可将镀膜方案文件备份/复制到USB存储设备 ● 可以通过USB端口以.csv格式导出过程日志文件，以便统计分析技术参数仪器尺寸585mm W x 470mm D x 410mm H (打开镀膜头时总高 650mm)重量28.4kg包装尺寸725mm W x 660mm D x 680mm H (36.8kg)工作腔硼硅酸盐玻璃，152mm ? (内) x 127mm H安全钟罩PET材质显示145mm 320 x 240 彩色图形TFT (Thin Film Transistor)显示用户界面直观全图形界面，触摸屏控制溅射头标配 57mm ?、0.1mm厚金靶（Q150R S，Q150R ES）样品台50mm ?旋转样品台，带6个15mm、10mm、6.5mm或1/8”钉形样品座孔，旋转速度8-20 rpm真空机械泵Edwards RV3 50L/s双程机械泵真空测量标配Pirani规极限真空2 x 10-2mbar工作真空3 x 10-2 mbar与5 x 10-1mbar之间操作过程溅射0-80mA，最大溅射时间60 min碳蒸镀电流脉冲：碳绳，1-60 A；1.4mm ?碳棒，1-90 A辉光放电0-80mA，DC+及DC-模式其它工作气体Ar气，99.999%，N2为排放气体（选件）电源90-250V ~ 50/60 Hz 1400 VA认证CE

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

台式高精度薄膜制备与加工系统Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立25年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。Moorfield公司近十年来与曼彻斯特大学诺奖技术团队紧密合作，推出的台式高精度薄膜制备与加工系列产品由于其体积小巧、性能、易于操作更是受到很多科研单位的赞誉。Moorfield Nanotechnology推出的台式设备体积小巧，但性能已经可以和大型设备相媲美。这些设备已经进入了欧洲的实验室，诸如曼彻斯特大学、剑桥大学、帝国理工学院、诺森比亚大学、巴斯大学、埃克塞特大学、伦敦玛丽女王大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学、西班牙光子科学研究所、英国物理实验室等著名单位都是Moorfield Nanotechnology的用户和长期合作者。诸多的用户与合作者让产品的性能和设计理念得到了高速发展，并迈入全球化的进程。如今Quantum Design中国子公司与Moorfield Nanotechnology正式合作，作为中国的代理和战略合作伙伴，将为中国用户提供高性能的设备与优质的服务。除了台式设备之外我们还提供多种大型设备和定制服务。全系列产品即将上线，敬请期待……台式高性能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备系列—nanoCVD超快速高质量石墨烯生长设备，整个过程30分钟内搞定！CVD被公认为是石墨烯具有应用前景的制备手段。NanoCVD系列台式设备是专为制备高质量的石墨烯与碳纳米管而开发的高性能台式CVD系统。与曼彻斯特大学诺奖团队的长期合作使得该系列产品在制备石墨烯等碳基纳米材料方面具有雄厚的技术积累。该系列产品操作简便，生长条件控制，生长迅速、制备出的样品具有高质量、高可重复性，可清楚的观测到分数量子霍尔效应。尤其适合于需要快速得到高质量石墨烯或碳纳米管用于高端学术研究的团队。点击查阅详细信息台式高性能多功能PVD薄膜制备系列—nanoPVD可媲美大型PVD的台式高性能PVD系统 ，爆款热销中！基于多年大型薄膜制备系统的设计与研发所积累的丰富经验，Moorfield Nanotechnology推出了台式高性能多功能PVD薄膜制备系列产品。该系列产品是为高水平学术研究研发的小型物理气相沉积设备。该系列产品包含磁控溅射、金属/机物热蒸发系统。这些设备虽然体积小巧但是性能，能够快速实现高质量纳米薄膜、异质结的制备，通常在大型设备中才有的共溅射功能也可以在该系列产品上实现。便捷的操作、智能的控制、高效的制备效率让您的学术研究进入快车道。点击查阅详细信息台式超二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH用于超刻蚀二维材料与样品表面处理的等离子体刻蚀系统，诺奖团队都在用！石墨烯等二维材料的微纳加工与刻蚀需要很高的精度，而目前成熟的传统半导体刻蚀系统在面对单层材料的高精度刻蚀需求时显得力不从心。为了解决目前维纳加工中常用的蚀系统功率较大、难以精细控制的问题，Moorfield Nanotechnology 推出了台式超二维材料等离子软刻蚀系统 - nanoETCH。该系统对输出功率的分辨率可到达毫瓦量，对二维材料可实现超的逐层刻蚀，也可实现对二维材料进行层内缺陷制造，此外还可对石墨基材等进行表面处理。点击查阅详细信息台式气氛\压力控制高温退火系统—ANNEAL从高真空到各种气氛都能控制的高端热处理系统Moorfield Nanotechnology专门为制备高质量的样品而推出的台式气氛\压力控制高温退火系统，该系统可以满足从高真空到各种气氛的退火需求。对气压和温度都能进行控制，该系统不仅仅是普通的退火系统更是二维材料、基片等进行可控热处理的重要保障。该系统颠覆了传统箱式、管式炉的粗放退火方式，开创了退火的新篇章。点击查阅详细信息多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEM是一台喷金仪，但不仅仅是喷金仪！多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEM是Moorfield Nanotechnology为SEM、TEM样品的表面导电处理以及普通样品的高质量电生长而设计的金属溅射系统。系统配备SEM样品托、TEM样品网、普通薄膜样品等多种专用样品台。虽然该系统主要为溅射金属而设计，但是该设备的性能已经达到了高质量薄膜样品的制备标准。通过选择不同的配置可以兼顾样品的表面导电处理、电制备与学术研究型薄膜样品的制备。因此nanoEM是一台不可多得的多功能高磁控溅射喷金仪。

磁控溅射技术GSC-1000磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。GSC-1000带有10"派热克钟罩腔体，2个2"的磁控管，DC直流电源用于溅射金属，并带有膜厚监测仪(选配)。产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能选配项：Thickness Monitor 膜厚监测应 用：SEM应用溅射金属，最大到6"的晶圆片

iTops PVD AlN 溅射系统1、采用托盘形式，可兼容 2/4/6 英寸 waferWith tray，2 inch / 4 inch /6 inch wafer compatible 2、工艺温度在 0~700℃之间 Processing temperature can be set between 0 ℃ to 700 ℃ 3、占地面积小，结构简单，操作灵活，维修方便 Better footprint, simple structure, flexible operation and easy maintain 4、设备稳定，运营成本低 Reliable performance, lower CoO/CoC 技术参数 1、晶圆尺寸 2/4/6 英寸兼容 2、适用材料 氮化铝 3、适用工艺 氮化铝缓冲层溅射 4、适用领域 化合物半导体

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

全自动知识产品没有热损伤，效率更高，颗粒度更细，更适合高分辨电镜镀金仪应用领域1、高分辨扫描电镜样品制备（实际放大倍数≥100K）2、电极制备-可制备各种金属电极、ITO电极高真空磁控离子溅射仪(镀金仪)配置与技术参数名称&型号高真空磁控离子溅射仪GVC-2000T真空系统涡轮分子泵（进口 ）：德国莱宝90i （单磁悬浮分子泵，抽速为90L/s）旋片式真空泵：浙江飞越VRD-4 （抽速为 1 .1L/s）真空测量全量程复合真空规（进口）：1.0E5Pa-1E-4Pa系统极限真空≤5E-3Pa溅射电源磁控溅射电源,最大功率150W可用靶材所有金属靶材，ITO靶材溅射电压300-600V,根据选择靶材、控制参数不同而变化溅射电流0-200mA连续可调,步长5mA溅射时间0-9999s, 连续可调步长1s操作界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏,分辨率800×480操作方式一键操作抽气节拍＜15分钟控制方式只需设定溅射电流和时间即可，全自动控制具备预溅射挡板（预溅射时间可设定),全自动控制保护功能软硬件互锁、防止误操作，具备电流、真空保护等样品台直径φ125mm，可自转，可自动手动控制，转速4-40rpm可调真空室高硅硼玻璃，规格尺寸约φ200×130mm电源供电220V 50Hz 最大功率800W尺寸&重量重量 424（长) ×345（深) ×420mm（高）、 25 kg （净重)冷却方式内部风冷选配样品台选择、膜厚控制、温度监测等镀膜样品示例： 靶材-银 靶材-钨 靶材-铬 靶材-镍 靶材-钒 靶材-锡 靶材-铜 靶材-钽 靶材-贴 靶材-钛 靶材-铅 靶材-钼 靶材-铝 靶材-铂 靶材-金 靶材-锆 靶材-铒 靶材-ITO

iTops PVD ITO 溅射系统1、极高的加热能力、精确的温度控制、优异的真空能力 High operating temperture, accurate temperature control, excellent vacuum capability 2、高晶体质量的氮化铝薄膜及优异的薄膜厚度均匀性 High crystalline AlN film with excellent thickness uniformity 3、占地面积小，结构简单，操作灵活，维修方便 Better footprint, simple structure, flexible operation and easy maintain 4、设备稳定，稼动率高，运营成本低 Reliable performance, higher uptime and lower CoO/CoC 技术参数 1、晶圆尺寸 2/4/6 英寸兼容 2、适用材料 氮化铝 3、适用工艺 氮化铝缓冲层溅射 4、适用领域 化合物半导体

产品优势： 可制备各种金属、 单质、 无机非金属薄膜 不破真空情况下， 可实现多层复合膜制备 一键操作， 全自动控制， 智能化程度高 一致性、 重复性好 内置多重靶材工作参数， 无需摸索镀膜工艺 体积小， 结构紧凑， 非常节约空间 产品参数：外形尺寸（主机）424(L)×345(D)×420(H)输入电源220V/50Hz 1000W溅射靶头 1直流磁控溅射可用靶材金属靶材溅射靶头 2射频磁控溅射可用靶材无机非金属靶材真空系统涡轮分子泵+旋片式真空泵抽速90L/s + 1.1L/s真空测量复合式真空规量程范围1E-3 ~ 1E5Pa真空室φ 200×130mm 高硼硅玻璃抽气节拍10 分钟（≤5E-3Pa）样品台尺寸φ 90mm样品台切换自动控制溅射靶材尺寸φ 57mm（厚度 0.1-2mm）工作真空0.1-2Pa操作界面7 英寸 TFT 触摸式液晶屏操作语言中文（可选其它语言）冷水机小型台式制冷机冷水机功率180W预溅射挡板标配全自动控制预溅射挡板 膜厚仪（选配）可实时显示镀膜厚度，并通过设定来控制镀膜过程，测量精度 0.01nm，设定精度 0.1nm，单次设定范围 1-999nm温控组件（选配）样品台加热模块 300℃/500℃旋转组件（选配）倾斜旋转、行星旋转等小车（选配）将主机、射频电源、冷水机等组装在一起，整体性好安装环境220V/10A 三孔插座一个、纯度 4N 及以上的高纯氩气（出口压力 0.12MPa）

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

SD-160型离子溅射仪是采用二级（DC）直流溅射原理设计而成的离子溅射镀膜设备。二极（DC）直流溅射是一种最简单、可靠、经济的镀膜技术，是许多厂商提供的离子溅射仪的基础。除了具有通常的基本结构外，它的特点是：配置有样品溅室，真空显示表、溅射电流指示表、溅射电流调整控制器、微型真空阀、定时器。工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。特殊设计的钟罩边缘橡胶密封圈，可保证长期使用不会出现影响样品溅射室真空度的玻璃钟罩“崩边”现象；陶瓷密封高压头比通常采用的橡胶密封更经久耐用。根据电场中气体电离特性，采用大容量样品溅射真空室和相应面积溅射靶，使溅射镀层更均匀洁净。此外SD-160应用高稳定性、高灵敏 度电磁阀，采用双气路自动控制系统，更 易实现对样品的保护以及对样品成膜品质 的保证。特别适用于电镜实验室的SEM样品制备和新材料研究的电极制作。 配有高位定性的飞跃真空泵"The SD-160 type ion sputtering apparatus is designed by means of the two stage (DC) DC sputtering principle. DC (DC) sputtering is the simplest, reliable and economical coating technology, and is the foundation of many manufacturers.In addition to its usual basic structure, SD-160 is characterized by the configuration of a sample splash, a vacuum display table, a sputtering current indicator, a sputtering current adjustment controller, a miniature vacuum valve, and a timer. It is easy to control the vacuum chamber pressure, ionization current and choose the required ionization gas when working in conjunction with the internal automatic control circuit, so as to achieve the best coating effect. Specially designed bell ring rubber seal ring,It is guaranteed that the long term use of glass clocks, which will not affect the vacuum of the sample sputter room, is "disintegrating" the ceramic sealing high pressure head is more durable than the usual rubber seal. According to the ionization characteristics of the gas in the electric field, the large volume sample sputtering chamber and the corresponding area sputtering target are used to make the sputtering coating more uniform and clean.In addition, SD-160 uses high stability, high sensitivity solenoid valve and dual gas automatic control system. It is easier to protect the sample and guarantee the quality of film forming. It is especially suitable for SEM sample preparation in electron microscope laboratory and electrode preparation for new material research.High qualitative jump vacuum pump"溅射气体溅射靶材溅射电流溅射速率样品仓尺寸样品台尺寸工作电压根据实验目的可添加氩气，氮气等多种气体。标配靶材为金靶，厚度为50mm*0.1mm。也可根据实际情况配备银靶、铂靶等。最大电流50mA,最大工作电流30mA优于4nm/min直径160mm，高120mm样品台尺寸可安装直径50mm和直径70mm的样品台，也可根据自身要求定制样品台220V(可做110V),50HZ 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

磁控溅射仪 SSG-50M　　为了使电子显微镜中的样品能够成像，它们需要有导电性，通过在样品上形成导电层的镀膜，用来抑制电荷，减少热损伤，并提高在SEM中定位检查所需的二次电子信号。测试原理：　　在封闭腔室中，放置阳极靶材，充入气体，保持一定的真空度，在阳极和阴极之间加载高压，会发生辉光放电现象。电离的气体离子会轰击、侵蚀阳极靶材。靶材原子会因此向四周扩散，在磁力的束缚下在一定范围内沉积，最终在样品表面形成一个均匀的镀层。这个镀层可以抑制荷电，减小热损伤，提高二次电子产率，从而改善扫描电镜观察效果。平时使用时，最常见靶材的是金靶。正是这个原因，离子溅射仪也俗称“喷金仪”。然而，为了获得更细小的晶粒尺寸、更薄的连续镀层，有时候也会使用其他靶材（比如铬、铂金、铜）。产品概览 产品特点样品腔尺寸：圆柱形，直径150mm x高度120mm；样品腔真空度：极限真空度：＜0.1Pa，工作真空度：0-10Pa，恒压控制；样品台：可以装载样品8-15个，高度可调范围为40mm；靶材：Au 靶为标配，Pt，Cu（选件）规格：直径57mm x 0.1mm厚；溅射电流：微处理器控制，安全互锁，可调，最大电流200mA，程序化数字控制；溅射头：低电压平面磁控管，靶材更换快速，环绕暗区护罩；真空计：皮拉尼真空计，测量范围：0.01Pa-常压；真空泵：双级直连式高速真空泵，抽速：66L/min，真空度：10-2Pa；厚度监控：使用高分辨厚度监控仪，精确测定所镀膜的厚度；（选配）操作方式：触摸屏控制，手动和自动模式可选，操作简便；机箱设计：长宽高40*35*50cm，坚固防腐蚀的箱体，带有电源、电压、电流、真空度等显示。

超高真空系统：1、极限真空：单台分子泵极限真空-6Pa2、可PLC自动控制——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈超高真空系统溅射离子泵与钛升华泵串联

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

仪器简介：ETD-2000型离子溅射仪，采用真空自动控制和真空保护电路，使操作和应用更加安全可靠。为扩大应用领域，可同时手动调整溅射仪的电离电流或手动调整其真空微调针阀，改变电离室的压强，获得最佳的喷镀效果。独特的真空橡胶压边密封结构，保证长期使用不会使钟罩边缘出现毛边而影响真空室中的真空度，陶瓷密封高压插头经久耐用。技术参数：技术规格:1.仪器整体尺寸：长：300mm 宽：360mm 高：400mm2.靶（上部电极）：材料：金，直径：50mm，厚度：0.10mm(大约)3.真空室：直径：160mm，高：120mm4.样品台（下部电极）：溅射面积：直径：50mm，可以根据需要上下调节。5.最高真空度：&le 10-2Torr6.最长定时时间：900S7.最高电压：0-1600V（标配）/0-3000V（选配）8.机械泵：2升/每秒，AC220V可选配:冷台小型冷水机三靶溅射头(在进行特殊涂层的应用时，不需要打开真空即可进行三层沉积溅镀)。主要特点：本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,是配合中小型扫描电子显微镜制样必备的仪器。主要特点轻便、溅射面积大靶材可按用户要求加工制作

Cressington 108 Auto/ Manual SPUTTER COATER英国Cressington Scientific Instruments Ltd享誉业内电镜，电子探针以及电极薄膜制备配套高性能真空镀膜仪方案的先驱者，自上世纪六十年代，伴随着商业扫描电镜的普及和电极镀膜制备的需求，Cressington的配套镀膜设备也一并研发和配套使用，并始终获得科研工作者一致好评。经过半个多世纪的发展，英国Cressington依然专注于紧凑型镀膜产品的设计研发和保持业内很佳性能及很高市场占有率，现阶段已有超过万名客户群，也是配套高真空扫描电镜，电子探针及电极薄膜制备的优选镀膜仪品牌。其创新的冷态溅射镀膜技术不但可以获得高质量膜层，也解决了长久以来困扰用户的热损伤和热变形问题，而其另一创新溅射电流回路设计也保证了真正均匀一致的镀膜, 包括108, 108A, 108Auto, 108C, 208HR, 208C全系列, 且2023年Cressington推出全系列新款，其在功能性上，耐用性上，以及配置上都有所升级和优化，具体联系我司项目负责人。为了保障中国用户权益，英国Cressington公司从2011年经过认真考核后设立了官方中国区授权总代理商(只此一家)：溢鑫科创，以保障旗下所有产品在中国的前期市场开拓和后期服务支持。

●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，特别适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。是替代钟罩式磁控溅射的理想选择。●主体结构：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式机构。●极限真空度：≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。 ●真空配置：高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。●真空测量：两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。●工件架系统：行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。●磁控溅射系统：配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。●电源：2套直流电源；1套全固态射频电源；一套200W直流偏压电源。●充气系统：配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。●电气控制系统：采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。●特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配，该设备为公司与电子科技大学联合研发。

ULVAC 研究开发用溅射设备 QAM系列低真空工艺环境本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能 够在更低压力下进行溅射成膜。多组分共溅射/多层膜溅射本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成 膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。良好的膜厚分布本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。LTS的采用本设备通过采用ULVAC的LTS ※ 1专利技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。 注）※ 1：LTS：Long Throw Sputter对磁性材料薄膜的对应本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。操作界面前置本设备通过将操作界面集中配置在设备前方，使得操作者能够仅在设备正面完 成设备的开启、关闭以及成膜等操作。先进的功能、直观的的操作以及安全性的实现Repeatability能够确保再现性本设备能够将成膜和加热的相关参数作为Recipe保存，从而通过自动运行来实现高再现性的实验。Safety能够在Interlock设置下安全操作本设备能够通过设置Interlock来防止误操作，从而实现对设备的保护和对人身安全的确保。同时，本设备能够一并管理设备状态，还能够 任意设定靶材寿命等参数在某数值下报警。Intuitive operation直观的操作界面本设备中排气和工艺的操作按钮以动作流程为基准而配置，从而能够直观地进行操作工艺。Analysis能够进行工艺数据分析本设备能够每隔１秒将工艺进行时的压力、加热、成膜时间的当前值作为履历并按时间序列(Time Series)记录。收集的数据以文本格式保在外部存储器中，并且能够利用计算机对保存的数据进行分析和记录。 高拓展性本设备能够通过模块的增设，来对应更多的用途。低真空工艺环境本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能够在更低压力下进行溅射成膜。多组分共溅射/多层膜溅射本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。良好的膜厚分布本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。采用LTS技术本设备通过采用ULVAC的LTS※1专利技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。注）※1：LTS：Long Throw SputterUHV对应本设备通过使用可加热式的各配置，使得成膜腔室的压力能够到达1×10-6Pa※2以下。注）※2：本设备采用O-Ring Seal结构，与传统设备的金属Seal结构相比更加容易进行维护保养。对磁性材料薄膜的对应本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。 诸单元型 号QAM-4D 成膜腔室处理方式Load-Lock式阴极型式Long Throw Magnetron Sputtering●Helicon-Sputtering※1 ※可选阴极数2英寸阴极（磁性材料、非磁性材料共用）zui多搭载8台搭载电源DC500W 1台● DC500W、RF300W※2 zui多搭载8台 ※可选到达压力（UHV对应）1×10-4Pa 以下 （●1×10-6Pa 以下能够对应※3 ※可选）对应衬底尺寸Max.φ4英寸×1枚膜厚分布±5％以内（Al成膜式、衬底回转并用）衬底加热装置● 红外线灯式加热器 zui大500 ℃ ※可选● 高温型加热器 zui大800℃ ※可选排气系统1）分子泵2）油旋片泵● 干式泵 ※可选zui大气体输入量Max.50sccm（Ar）●Max.10sccm（O2） ※可选● Max.10sccm（N2） ※可选靶材尺寸φ2英寸腔体加热方式● 110℃烘烤 (包含腔体水冷却） ※可选 真空预抽室到达压力（分子泵对应）40Pa以下（●1×10-3Pa 以下 ※可选）搬送方式真空机械手式排气系统油旋片泵（● 分子泵与成膜室共用）※可选操作控制系统排气触屏式（PLC控制器） 远程手动※4 全自动※5成膜 厂务系统电力3φ AC200V 50 / 60Hz冷却水20～28℃、电阻率5KΩ以上、 供给压力0.2 ～ 0.3MPa压缩空气0.5 ～ 0.7MPa接地A类、D类