超高真空多腔体束蒸镀系统

超高真空光学显微镜/光谱仪测试系统Ultra-high Vacuum (UHV) Optical / SpectroscopicMicroscope System将光学显微镜或光谱仪模组对接于超高真空系统，可以作为超高真空互联系统的检测节点之一，用于材料和器件在不同制备环节之间对外延的薄膜或者转移沉积的二维材料等样品的质量进行快速无损检测。产品特性和核心技术模块化设计，光学部分相对独立。&bull 包含光学显微镜、激光离焦量传感器、自动调焦和共聚焦耦合光路等等在内的全部光学部分全部集成于一个光学模组之中，作为整体置于超高真空腔体之外，透过视窗玻璃聚焦于真空腔内的样品表面。&bull 不污染真空内环境。&bull 超高真空系统烘烤时可以整体取走，并在烘烤完毕之后方便地定位安装。&bull 可根据用户需求，灵活配置激光器、单色仪、探测器和物镜等光学组件。视窗玻璃厚度像差的补偿校正。&bull 拉曼光谱的高收集效率和分辨率。性能参数：注：上述表格中的激光波长、物镜和单色仪等部件可以根据客户需求调整。测试案例：超高真空长工作距离（120 mm）显微测试

超高真空多腔体镀膜系统——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品的质量；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈出厂检测事项：1、真空漏率检测：标准检测漏率：1.3*10-8PaL/S 2、水冷水压检测：标准检测压力：8公斤24小时无泄漏检测。内外表面处理：拉丝抛光处理、喷砂电解处理、酸洗处理、电解抛光处理和镜面抛光处理等。实验室真空系统,真空腔体,真空探针台超高真空多腔体镀膜系统

产品详情法国Plassys超高真空多腔体电子束镀膜机MEB550SL3详细介绍超高真空多腔体电子束蒸镀系统磁控溅射、电子束蒸镀、超高真空、镀膜、约瑟夫森结、超导、量子器件、量子比特、多腔体、Qubit、UHV、铌基超导、氮化铌、钛氮化铌、NbTiN、NbN、sputtering systemEvaporation system、Nb-based superconductor、超导铝结、Josephson junction品牌：PLASSYS 型号：MEB 550SL3 产地：欧洲 法国 应用：约瑟夫森结（Al, Nb, NbN, NbTiN） 超高真空多腔体电子束蒸发镀膜仪电子束蒸镀仪是纳米器件制备中必不可少的仪器，用于蒸镀各种高纯金属薄膜，如Ti, Au, Ni, Cr, Al, Al2O3等。电子束蒸发沉积法可在同一蒸发沉积装置中安装多个坩埚，使得可以蒸发和沉积多种不同的高质量金属薄膜。开展量子计算机实验研究，如基于金刚石NV色心，离子阱，超导量子结，量子点电子自旋的研究，均需要蒸镀各种高质量金属薄膜来制备量子器件，特别是在利用超导量子结来实现量子计算的实验研究中，Josephson结的制备最为关键：需要在非常干净的蒸镀腔里进行，而且需要在不同的角度上蒸镀两次，两次之间需要注入氧气进行金属氧化。所以样品台必须具有三维的旋转功能，同时，蒸镀腔内还需要有可以注射氧气及其他气体来实现清洁和氧化过程。 推荐配置：可以用于沉积Ti, Ni, Au, Cr, Al, Al2O3等金属及氧化物薄膜，目前全球主要超导量子实验室均使用该设备制备超导Al结（量子比特和约瑟夫森结）和量子器件，可以制备大面积、高度稳定性和可重复性超导结。更详细信息或资料，请咨询我们！ 预处理腔：衬底旋转、倾斜（3D）；干泵+ 分子泵 真空度10-8 T 蒸发镀膜腔：电子枪6-15KW； 样品台： 。可加载4英寸衬底； 。衬底可加热到800℃ 。衬底旋转、倾斜， 。倾斜精度和重复性优于0.1°（可升级） 真空泵系统： 。干泵 + 低温泵； 。真空度10-10T或10-11T 膜厚控制仪： 。频率分辨率10-4Hz或更高； 。速率分辨率10-3nm/s； 。厚度分辨率10-2nm 残余气体分析仪 反应蒸镀：氧气气路+MFC 氧化腔体： 。静态/动态氧化 。臭氧发生器/原子氧发生源/辉光放电； 。卤素灯加热至最高200℃ 。残余气体分析仪分子泵 + 干泵；真空度10-8 T 全自动软件包，支持半自动和手动模式，支持远程网络操作和维护。典型用户：耶鲁大学、日本NTT、中科院物理所、中科大、南大、南方科技大学

双腔室超高真空双倾角蒸镀系统 QBT-E技术参数QBT-E 技术参数 Technical Specifications (Ebeam SiO2/Si等制备)UHV超高真空腔体2腔室，Loadlock和蒸发，Loadlock极限真空 Ultimate Pressure1E-8Torr，可加热RT-900oC蒸发腔极限真空 Ultimate Pressure3E-9Torr高分辨率镀膜速率显示及控制 Depostion Rate±0.015?，Ф100mm 镀膜均一性3%基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制，加热RT-600oC传输全自动样品传输人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果展示

克普斯镀膜机真空腔体:——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品的质量；我公司克普斯采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。常见真空腔体技术性能:材质:不锈钢、铝合金等腔体适用温度范围:-190°C~+1500°C(水冷)空封方式:氟胶O型圈或金属无氧铜圈出厂检测事项:1、真空漏率检测1.3*10-10mbar*//s2、水冷水压检测:8公斤24小时无泄漏检测.内外表面处理:拉丝抛光处理、喷砂电解处理、酸洗处理、电解抛光处理和镜面抛光处理等.不锈钢真空腔体加工,铝合金真空腔体的品质获得并通过|S0 -9001质量标准体系认证,所有产品均经过真空氦质谱检漏仪出厂,产品被用与航空航天、科研、核电、镀膜、真空炉业、能源、医药、冶金、化工等诸多行业,如有需要欢迎咨询！克普斯真空为高校、科研院所设计加工高真空、超高真空的真空腔体，可以根据客户的技术要求(PPT)开发设计，也可以按图(草图、CAD图、照片)设计加工。可以加工的真空腔体形状:方腔、圆柱型、D型及其它要求的形状 可以加工的真空腔体材质:不锈钢材质 (304、304L、316316L)、碳钢材质、铝材质、有机玻璃材质等。真空产品设计能力、完善的真空机械加工体系以及快速的服务啦应支持，承接各种规格型号的真空室开发设计、按图定制等。我们为高真空或超高真空应用设计及制造的各种真空腔体，包括为高校和科研院所设计真空试验腔体、真空环境模拟腔体、真空放电测试腔体、真空激光焊接腔体、CVD反应腔体、真空镀膜室等。另外，客戶订制的真空室都可通过我们的工程设计，与您现有的真空系统融合，成为一套功能完整的系统。也可以通过我们的工程设计，预留标准接口及装配位置，方便您日后增配或更换真空部件，实现系统的升级或功能的转换。我们能定制的真空室结构与材质配置多种结构型态:方腔、圆柱型、D型及其它要求的形状:多种材质:不锈钢材质 (304、304L、316,、316L)、碳钢材质、铝材质、有机玻璃材质。所有材质是经过特别选择的，可达到低磁渗透性的要求。我们的开发设计人员均具有10年以上真空行业工作经验，独立开发设计上百套涵盖真空室的相关产品 我们使用业界*的CNC加工中心以及其它配套的加工机械，并业已形成完善的真空机械加工体系。我们的质量保证及售后服务能力我们的产品严格遵照相关标准，并执行原材料检验、加工在线检测、半成品检测及成品出厂检测，对于非标定制的产品与客户联合检测验收 需要特别指出的是对于真空室，所有接缝处、焊接处及法兰连接处都要通过严格的观察检验及氨质谱检漏仪检漏测试，并对整个系统进行漏率测试，系统漏率优于 8.0x10-8 Pa.L/S.实验室真空系统,真空腔体,真空探针台,克普斯镀膜机真空腔体

长期供应 真空炉腔体系统 非标定制高真空腔体——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品的质量；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈

1、通过PLC维持真空系统内部真空2、维持可维持-3Pa真空度——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈出厂检测事项：1、真空漏率检测：标准检测漏率：1.3*10-8PaL/S 2、水冷水压检测：标准检测压力：8公斤24小时无泄漏检测。内外表面处理：拉丝抛光处理、喷砂电解处理、酸洗处理、电解抛光处理和镜面抛光处理等。实验室真空系统,真空腔体,真空探针台

等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件，不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化，在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能；本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa，可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小，节省空间，能够置于试验台上使用，一机多用，性价比突出，非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围：扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作，以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数：供电电压AC220V，60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm真空腔体材质：304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵：浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵：莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm

真空腔体来自普发真空的定制化、面向解决方案的真空室真空系统的核心部件是完全符合应用的真空腔体。普发真空的真空腔体满足最严格的质量和工程要求，以实现客户定制化规格的完美真空解决方案。它们的使用范围包含了中真空到超高真空，也可根据压力设备指令 (2014/68/EU) 作为压力容器用于设计、建造和测试，以实现超压级别高于 0.5 bar。我们制造的所有真空腔体均经过检漏测试，可根据技术要求进行改造，可装配必要的配件。普发真空是为流程所有阶段提供一站式服务的供应商。辅助您找到最适合您应用、设计、制造、质量保证、安装和现场服务的解决方案。标准真空室我们的 TrinosLine 标准真空腔体范围包括完全定制室的替换品，具备成本优势和快速传递的特点。该选项允许多种标准的基本机身与自选端口相结合以满足您的要求。对于最多样的应用，预置标准真空腔体可以替换单个定制室。有四种默认的基本机身：立方体式、圆柱式、水平式或垂直式和模块式。端口的数量和位置可进行定制，从而与您的具体应用相协调。得益于标准化常备的基本机身和预置的建设，同单个定制室相比，交货时间和成本要小得多。产品优势行之有效的可靠设计定制化出口快速交货时间下列设计可供选择：高真空室立方式高真空室水平式高真空室垂直式高真空室垂直式中真空室垂直式模块室组件定制化真空腔体我们多年的经验确保了我们几乎熟悉所有的具体应用，我们也能为您提供系统规格，设计和工程方面的详细建议。我们的工作范围满足您的需求：我们迈向成品的第一步包括产生想法概要以及一整套图。定制真空腔体根据我们客户的要求进行了精确改造。我们的专家具备所有细分市场下广大范围应用相关的丰富经验。资深物理学家、设计工程师、项目经理和生产专家之间协调无间的合作，为您的应用打造出量身定做的真空腔体。我们的客户包括许多著名的大型研究设施和大学，我们为其提供 UHV 真空腔体，低温恒温器和加速器组件，客户还包括业内著名的客户，其开发生产领域由我们配备真空腔体。应您的要求，我们也提供下列服务：消磁退火，烧毁，最终真空残余气体分析和常温室内的尺寸检查物料在标准室中我们使用不锈钢 1.4301/304 作管道，室壁和 ISO 法兰，使用不锈钢 1.4307/304L 作 CF 法兰。所有可能的奥氏体不锈钢和铝合金可用作其它腔室物料。在 950°C 以上的真空退火后，对于很低的脱气率和高强度，优质不锈钢 1.4429 ESU/316LN ESR 可用。我们可应要求为物料提供 3.1 认证。表面处理我们的标准内部和外部处理是玻璃珠喷砂。表面也可进行砂纸磨光、打磨和电抛光、化学染色和钝化以及真空退火处理。选项您的真空室可以用很多方式进行扩展。我们提供大量的配件、附件和内置部件以及附加服务选择。水冷，C 型轮廓，轴枕冷却或双层墙加热框架内置部件，例如安装支架、装配桌等附件，例如阀门、组件等清洁房间条件下的装配FEM 计算压力容器的设计和制造理想泵科技真空测量技术产品测试除强制泄漏测试和功能测量控制外，还进行深入的测试。综合氦气泄漏测试压力测试3D 测量残余气体分析电子绝缘测试渗透性测试染料渗透检查焊缝 X 光检查认证依照 DIN EN ISO 9001 的质量管理系统依照 DIN EN ISO 3834-2 的压力容器焊接制造者依照 AD 2000-Merkblatt（须知）的压力容器制造者依照 EN 287-1、EN 287-2 进行测试的 HP0 焊接者依照 EN 1418 进行测试的操作者多项焊接程序要求

真空测试腔主要用于气体敏感材料或其他对环境敏感性材料中的电信号测试。测试腔体内部装有不锈钢加热承载台，台面为50x50mm，台面可升温到高温350℃。该腔体设计有进气口和抽真空接口和2-4芯信号真空电极，做多可选用6芯电极。使用时将需检测的器件固定在加热台上，需自行将引入腔体的信号线连接到测试器件的引脚处，外部信号线连接测试仪器来测试电子信号。温控器加热温度35-350℃温控误差±1℃热电偶类型PT100高精度传感器温控表宇电温控器程序控温1段（可选30段程序控温表）加热功率≤300W加热电源AC220v尺寸230x230x125MM重量6kg 目前公司已研发生产产品十多个系列几十款产品，产品囊括实验电炉、CVD供气系统、等离子清洗机、小型离子溅射仪、小型蒸镀仪等，主要适用于科研院校及工矿企业在新材料、新能源等领域物理特性及化学特性的研究，广销于各大院校，及材料研究所。

一、作用原理：（1）真空加热腔体郑州科探仪器KT-Z85X主要用于气体敏感材料或其他对环境敏感性材料中的电信号测试。测试腔体内部装有不锈钢加热承载台，台面为50x50mm，台面可升温到350℃。（2）该腔体设计有进气口和抽真空接口和2-4芯信号真空电极，做多可选用6芯电极。使用时将需检测的器件固定在加热台上，需自行将引入腔体的信号线连接到测试器件的引脚处，外部信号线连接测试仪器来测试电子信号。二、服务宗旨： 免费上门安装：否 保修期：1年 是否可延长保修期：否 保内维修承诺：免费维修 报修承诺：24小时提供解决方案 免费仪器保养：无 免费培训：电话或者视频沟通 现场技术咨询：无 三、企业概括：公司与国内高校，科研院所有多层次的合作关系，建有开放实验室，相关领域的教授、工程师、博士参与公司产品的研究和开发。我们秉承公司的发展理念，依靠严谨的技术研发能力，科学合理的生产工艺，精益求精的制造要求，全心全意做好产品质量和服务工作，科探仪器时刻怀着一颗真诚的心期待与您的合作。四、真空加热腔体郑州科探仪器KT-Z85X技术资料：温控器加热温度35-350℃温控误差±1℃热电偶类型PT100高精度传感器温控表宇电温控器程序控温无（可选30段程序控温表）加热功率≤300W加热电源AC220v尺寸230x230x125MM重量6kg真空腔体腔体材质304不锈钢内腔体尺寸φ85x45mm加热台尺寸φ50mm加热温度350℃信号输出头BNC母头 可选快插接头信号检测线X2根 或 X4根 0.3平方铜线抽气口KF16进气口6MM卡套使用正压≤O.1MPa使用负压机械泵可获得真空≤5Pa 分子泵可获得真空≤10 -3 Pa观察窗内径φ45观察窗材质高透光石英玻璃可选配扩展气体注射硅胶口 SMA905 光纤接口

全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统 QBT-J 约瑟夫森结超高压系统 全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统专专业制备约瑟夫森结制备，可精确生长所需的金属层和氧化绝缘层，确保高性能制备及高成品率；此镀膜仪有进样室、氩离子清洗室、电子束蒸 发室以及氧化室，共计四个高真空腔室，腔室间使用传样杆进行高真空传样，传递模组须采用抓取式设计；设备所有工艺均支持4英寸及以内的晶圆或不规则样品。设备整个工艺过程，可以完全按照用户设置的参数自动化运行，工艺流程包括并不限于：抽真空，监测气压，离子清洗，样品位置调节、传样，加热，电子束蒸发特 定厚度设置，自动调整气压等。技术参数QBT-J 技术参数 Technical Specifications (双倾角约瑟夫森结制备）超高真空腔体 UHV Chamber4个UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 极限真空Ultimate Pressure1E-9Torr基板加热 Wafer HeatingRT-900℃离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性3%电子束蒸发 Ebeam EvaporationUHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply氧化 OxidationFlow and Static Mode Oxidation基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

真空测试腔主要用于气体敏感材料或其他对环境敏感性材料中的电信号测试。测试腔体内部装有不锈钢加热承载台，台面为50x50mm，台面可升温到高温350℃。该腔体设计有进气口和抽真空接口和2-4芯信号真空电极，做多可选用6芯电极。使用时将需检测的器件固定在加热台上，需自行将引入腔体的信号线连接到测试器件的引脚处，外部信号线连接测试仪器来测试电子信号。温控器加热温度35-350℃温控误差±1℃热电偶类型PT100高精度传感器温控表宇电温控器程序控温1段（可选30段程序控温表）加热功率≤300W加热电源AC220v尺寸230x230x125MM重量6kg 目前公司已研发生产产品十多个系列几十款产品，产品囊括实验电炉、CVD供气系统、等离子清洗机、小型离子溅射仪、小型蒸镀仪等，主要适用于科研院校及工矿企业在新材料、新能源等领域物理特性及化学特性的研究，广销于各大院校，及材料研究所。

产品简介：本公司可根据客户要求订制各类真空腔体，您只需要给我们提出功能和要求即可根据您的要求提供合适的腔体，如再购买其它部件如磁控靶、样品台、以及靶电源，就可DIY出磁控镀膜设备。 腔体种类筒形真空腔体球形真空腔体方形真空腔体U形真空腔体异形真空腔体

QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统产品详情：上下双腔,集表面处理与蒸发镀膜为一体,高效可靠的Indium蒸镀助手。技术参数QBT-I 技术参数 Technical Specifications (Indium Bump等制备)高真空腔体 HV Chamber2个HV腔室，Loadlock离子束刻蚀及蒸镀，极限真空Ultimate Pressure3E-8Torr排气速率Pumping Spead从ATM到8E-7Torr15min (loadlock)极限蒸发速率 High Depostion Rate5-12nm/s (Indium), Ф100基板镀膜均一性3%, 大容量坩埚精准的样品冷却控制 Wafer Cooling-10-40℃ (精度±0.1）离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ф100基板刻蚀均一性3%人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果

焊接工艺真空腔体，材质是采用45号钢材，加工完成后再进行焊接，工艺采用航空航天焊接技术，对于真空要求较高的部件，技术突破采用内焊工艺，来保证腔体-8pa真空度长期保压效果，支持不同规格的定制。

环境敏感性材料真空测试腔体主要用于气体敏感材料或其他对环境敏感性材料中的电信号测试。测试腔体内部装有不锈钢加热承载台，台面为50x50mm，台面最高可升温到最高350℃。该腔体设计有进气口和抽真空接口和2-4芯信号真空电极，做多可选用6芯电极。使用时将需检测的器件固定在加热台上，需自行将引入腔体的信号线连接到测试器件的引脚处，外部信号线连接测试仪器来测试电子信号。环境敏感性材料真空测试腔体 技术资料温控器加热温度35-350℃温控误差±1℃热电偶类型PT100高精度传感器温控表宇电温控器程序控温1段（可选30段程序控温表）加热功率≤300W加热电源AC220v尺寸230x230x125MM重量6kg真空腔体腔体材质304不锈钢内腔体尺寸φ85x45mm加热台尺寸φ50mm最高加热温度350℃信号输出头BNC母头 可选快插接头信号检测线X2根 或 X4根 0.3平方铜线抽气口KF16进气口6MM卡套使用正压≤O.1MPa使用负压机械泵可获得真空≤10Pa 分子泵可获得真空≤10 -3 Pa观察窗内径φ45观察窗材质高透光石英玻璃可选配扩展气体注射硅胶口 SMA905 光纤接口液氮冷却扩展口 升级30段控温郑州科探仪器设备有限公司是集开发、制造、经营为一体的材料设备创新型企业，如今公司的产品已经遍布国内大多数实验室 及科学院校，科探仪器已经成为老师 同学和信任的品牌。 公司以科技创新为主，服务社会为宗旨，积极设计开发新型材料制备设备，奉献于教育和科学，经过长期的研发和不断地技术积累，拥有热工，制造，控制相关技术10余项，为化学，物理，材料，电子，高分子工程，新材料制备和研发领域的科学研究提供了精良设备。公司通过和院校老师 同学强强联合，形成了有效的信息，技术交流平台，为科探仪器了解市场需求提供了强有力的支持！ 目前公司已研发生产产品十多个系列几十款产品，产品囊括实验电炉 CVD供气系统 等离子清洗机 小型离子溅射仪 小型蒸镀仪 石英管真空封口 半导体等。 主要适用于科研院校及工矿企业在新材料、新能源等领域物理特性及化学特性的研究，广销于各大院校，及材料研究所。 公司与国内高校，科研院所有多层次的合作关系，建有开放实验室，相关领域的教授、工程师、博士参与公司产品的研究和开发。我们秉承公司的发展理念，依靠严谨的技术研发能力，科学合理的生产工艺，精益求精的制造要求，全心全意做好产品质量和服务工作，科探仪器时刻怀着一颗真诚的心期待与您的合作。

仪器简介：此系统可以配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式，沉积源模式有:磁控溅射源Sputter source电子束蒸发E-beam SourcesK-cell蒸发热蒸发Thermal sources氧化物源Oxide sources此系统高度灵活，软件操作方便，专业为研究机构沉积超纯度薄膜，真正的高真空沉积系统。The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options. 感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备，为广大专业研究人员提供服务！！上海光源同步实验部配置的是磁控溅射（直流和射频均有）和电子束蒸发的组合功能，膜厚均匀性(镀膜500纳米左右厚度)均达到3%，这种组合系统极大地扩展了沉积功能，性能价格比超高，是研究人员的有力工具！！使用此系统的主要用户还有：中国计量院，吉林大学，中国科技大学，中北大学等技术参数：顶部法兰: 12”Radial ports：4 x NW100CF沉积接口: 5 x NW100CF, 4 x NW35CF分子泵: 300ls , 500 ls options样品操作: Quick-open top-lid.极限真空: 5x 10E-10 (24小时烘烤)机柜: Low footprint frame on transport casters样品台操控: Rotation, heating, bias样品操作: Load-Lock （可选）Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4” ，大到8”，12”等膜厚监控: QCM, Ellipsometry烘烤: Internal or jacket全自动软件操作，方便简单：Automation Touch screen pump down and process automation系统尺寸:Width: 1.5mHeight: 1.6mLength (standard): 1.3mLength: (with Loadlock): 2.0m主要特点：Top-loading chamber (500mm直径)超高真空匹配接口多种沉积源模式接口Analysis, load-lock and viewing ports多种样品夹具， 样品台可旋转，加热/冷却，DC/RF偏压 多种沉积源模式:包括 high-rate e-beam, low-rate (high accuracy) e-beam, DC and RF sputtering, thermal, K-cell,oxide sources.

主要技术参数指标（该性能指标可在环境温度为+5~+35℃测定）：1.结构： 1.1 工作室尺寸：有效工作尺寸：高1180mm宽1150mm深1100mm ；（可定制！） 1.2 外形尺寸：见示意图； 1.3 保温层厚度：90mm； 1.4 支撑脚；100mm 1.5 加热器位置：腔体四周； 1.6 抽气口位置：侧面，由电磁阀控制； 1.7 放气口位置：配置充气电磁阀； 1.8 开门方式：单开门； 1.9 控制箱位置：右侧； 1.10硅橡胶耐高温密封圈； 1.11 配置水冷循环系统； 1.12 配置鼓风循环系统；2.主要性能： 2.1 工作温度范围：室温+15℃~150℃； 2.2 仪表精度：±1℃； 2.3 温度均匀度：±5℃（空箱，120℃，稳定2小时后）； 2.4 升温时间：≤120分钟（空箱，25℃~120℃）；降温时间：≤240分钟（空箱，150℃~85℃）； 2.5 控温方式：PID调节； 2.6 真空度：30分钟内至10Pa 2.7 24小时平均漏气量：≤100Pa/h； 2.8 箱外表面温度：≤室温+20℃；3.电气容量： 3.1 电源：AC380V 3相4线 50Hz 3.2 加热功率：15KW； 3.3 鼓风功率：370W 3.4 电流：25A 3.5 空气开关容量：30A4.保安装置： 4.1 空气开关（防止过流和短路） 4.2 过流保护（防止电流过高） 4.3 超温保护（防止工作室温度过高，保护产品），超温报警5.其他可满足的功能要求 5.1设备运行控制系统为PLC程序控制，可进行大于9个步次的程序设定。触摸屏采用三菱品牌。 5.2温度控制：温度控制采用PID控制SSR开关。温度传感器采用K型双保护壳热电偶。当工作室温度超过设定值5℃时，停止加热并报警。 5.3安全功能： 加热均具有超温保护功能，真空报警，氮气压力报警，压缩空气压力报警，冷却水流量报警，风扇过载报警，急停按纽，漏电保护。 5.4设备总重量小于2500Kg. 5.5真空泵及管道由厂家提供。 5.6程序可以控制间隔设定的时间充入定量氮气，设好程序后自动运行。 5.7真空度、温度自由调整，可在某一固定温度和某段真空度范围条件下自动保持。 5.8设备控制系统为PLC程序控制，温度均匀、真空度可靠。自动计时，当温度升温到设定值时设备开始计时，计时达到设定值时，设备停止加热，处于真空保持状态，流程具有密码保护功能。PLC能够自动采集存储烘干过程中温度、真空度数据并记录保存。 5.9真空泵由数显真空计自动控制。 5.10真空箱的箱门密封圈保证耐油耐热不易脱落且更换方便。 5.11箱体内上下左右全部要具有加热管，4组加热管使用单独的热电偶及PID控制单元进行控制。箱体内部有风扇，使箱体内部温度均匀并在风扇循环分部位有热电偶检测控制常压气氛下的温度。 5.12提供设备操作、维护、维修等说明书，常见故障分析说明。

双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P 磁控溅射技术原理 在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向阳极，而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，避免高能电子对极板的强烈轰击，消除了二级溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤，体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在，电子的复杂运动增加了电离率，实现了高速溅射。磁控溅射技术特点 成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜技术参数 QBT-P 技术参数 Technical Specifications （超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备）超高真空腔体 UHV Chamber2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure3E-9Torr排气速率Pumping Spead从ATM到1E-7Torr20min (loadlock)基板加热 Wafer HeatingRT-900oC离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性3%磁控溅射SputteringDC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO工艺展示

自从1993年起SURFACE公司就从事脉冲激光沉积镀膜系统（以下简称PLD）的研发和制造工作，在这期间SURFACE公司不但向市场提供了标准的PLD系统，而且也提供专门为客户订制的PLD系统。经过了这么多年的发展，SURFACE公司开发出许多能够满足客户需求的产品和技术。以下就是由SURFACE公司独家提供的这些产品和技术的简要介绍： 一． 基本资料 1.、SURFACE基底运载系统 对机械手来说，热均匀和热隔离的有效性是十分重要的。这其中，精确的热电偶是关键的质量因素。 （图上的文字） SURFACE常规电阻1英寸基底运载器 嵌入式Omicron原子力基底夹 热电偶直接嵌入基底运载系统，30mm的基底中间区域 基底和银酱一起安装在激光切边运载器上。运载系统可转换并直接嵌入热电偶（请见另一页）这保证绝大多数的温度测量。 2、靶切换系统 超高真空技术需要反应釜通过一个负载锁的腔体进行相互作用。从一开始，SURFACE就意识到这一点，并设计了一个靶转盘来实现这一需求。 多层盖板避免了强热的基底转移到靶材。所有靶材是受保护，以防止交叉污染。盖板能够非常容易地被更换，无需工具。靶材将通过磁场操纵或位于中央转移腔的内部转移操纵手被转移。该耦合和靶材的精确检索是自动完成的。靶转盘和切换动力保证了均质烧蚀过程。 3、模块化的系统概念 SURFACE公司多年来一直从事于研发超高真空材料科学系统。在大多数情况下，一个系统的工作负载起始于一个单一的过程控制，往往过了一段时间以后，客户的需求会增多。为了通过附加的过程控制提升整套设备的功能，SURFACE公司认识到需要用完整的模块化概念来解决这个问题。 从向市场提供单一的腔体加上负载锁，一直到提供更多的扩展，而不需要冒任何将来转换而产生的风险。 可以方便客户的细节： 1、 转换过程有照相机支持 从开始我们的束工具生产，我们就决心让使用设备变得更加简便。最早我们使用了一个独立的监视器，连接一台独立的BW照相机。为了实现自动化，增加了第二个TTL监视器来观测实时的彩色照片和相关的其他过程数据。尤其是当我们的激光加热系统应用以后，另外一台显示器对显示实际得图表和数据非常有用。毫无疑问，所有的照片都能够被实时地存储在过程控制系统的硬盘驱动器上。 2、 整套系统的紧凑安装 实验室里的空间是昂贵的，所以任何空间都必须被非常有效地使用。SURFACE公司从一开始就设计将激光放置在控制箱的顶部，并可将其他的激光气舱加入这一过程。 将气舱整合到这个配置里面将使安装变得非常容易和迅速。 这种节约成本的设计克服了PLD安装之前昂贵的本地安装&mdash &mdash 所有项目都被包括在SURFACE的交货中。 气舱通过一个大的方便的管子与客户端的排气设备相连接。 3、 SURFACE公司的交货与交钥匙工程 这方面包括从SURFACE公司将系统直接运来（这些设备的生产基地都是在西欧及周边地区）。运输到客户的卸载地点是关键。但SURFACE公司帮助，甚至客户实验室的建设。客户只需要提供当地的交通和吊车来将货物运送到设备使用地。所有的运输路线在采购决定之前都会被考察到。 4、 SURFACE公司支持S3处理软件。 S3处理软件提供一个全新的立体支持：一键式操作，客户可以直接与SURFACE的技术支持团队进行沟通。软件使用中的问题和操作中的问题经常会发生，通过完全的远程操控，技术支持人员可以为客户提供设备使用各个阶段的帮助。这将防止一些不必要的困难的发生，并为客户提供快捷的响应。这个支持工具在SURFACE系统中是免费的，客户只需提供正确的网络链接。

本仪器是一款小型蒸发镀膜仪，蒸发温度从200℃到1700℃，采用钨丝篮作为蒸发源，蒸发源外套高纯氧化铝坩埚。样品台距离蒸发源距离可调。仪器拥有高精度的温度控制系统，采用循环加热方式，能够稳定蒸发金属及部分有机物。采用高纯石英腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-1Pa的真空度，可满足大多数蒸发镀膜实验所需的真空环境。本仪器适用于蒸发涂覆大多数金属和部分有机材料薄膜，结构紧凑体积小巧，是一款性价比较高的实验室镀膜设备。 小型蒸发镀膜仪适用范围：小型蒸发镀膜仪主要用于蒸发涂覆大多数金属和部分有机材料薄膜。 小型蒸发镀膜仪技术参数:小型蒸发镀膜仪样品台尺寸φ80mm至蒸发源间距20mm~50mm可调蒸发系统蒸发源钨丝篮最高温度1700℃热电偶S型热电偶真空腔体腔体尺寸φ180mm×100mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖拆卸式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16

一、设备介绍NE-Q05是一款石英真空等离子处理系统，广泛应用于科研院校，企业研发单位和小批量生产打样。小型石英等离子清洗机结构主要包括控制单元、石英真空腔体、真空泵三部分。等离子清洗机的工作流程为：腔体抽真空—充入工艺气体—电离工艺气体并清洗—去除工件。清洗首先在真空腔体内单种或者多种清洗所需气体，一般为Ar、O2、N2等，外加射频功率在平行电极之间形成交变电场，电子通过电场加速对工艺气体进行冲击使气体发生电离形成离子，作用在被清洗表面，电离产生的粒子与电子数量达到一定规模，便形成了等离子体。等离子体高速撞击材料表面，与被清洗表面污染物发生理化反应，实现材料的清洗，并利用气流将污染物排出腔体。通过等离子清洗可以有效清除被清洗表面污染物、改善表面状态、增加材料的粘附性能、提高材料表面的浸润性能。 NE-Q05 系统功能特点： &bull 真空腔体材质采用石英玻璃，不易与材料表面发生反应，污染清洗样品&bull 等离子发生器采用13.56MHz射频发生器，自动阻抗匹配调谐&bull 触摸屏用户界面+PLC控制，可储存多条工艺程序，全自动运行&bull 配备两路气路通道，气体流量可调，无需再搭配气体混合仪&bull 整体外观处理工艺、机架门板烤漆、耐用、防刮&bull 铝合金自动门：氧化处理、喷砂&bull 电路设计电流过载保护，模块式电路、维修方便快捷&bull 手动、自动、真空保压均可操作，不倒翁橡胶脚杯，自动平衡机器、减震二、设备参数序号项目型号规格参数1等离子体发生器功率0-200W可调频率13.56MHz 固态射频电源2真空反应腔室腔体材质石英耐热玻璃腔体容积5L载物托盘玻璃托盘，平行放置腔体直径（圆形）Φ150×270（D）mm3气路控制气体流量控制器浮子针阀流量控制器， 0-1000ML气路数量最小2路气体，支持氧气，氩气，氮气，氢气，四氟化碳等4真空测量真空计SMC 真空计5抽气系统真空泵飞越 8m3/H极限真空度0.1PA6控制系统触摸屏4.3寸PLC松下PLC模块软件程序自主专利设计等离子控制系统7场务条件电源供应220V气管接口直径8mm气体纯度99.99%气体压力0.3-0.6Mpa排气口KF258整机参数整机功率1000W外形尺寸600mm(L)×450mm(W) ×500 mm(H)重量40kg

详细介绍：设备规格:全自动操作模式，机械手臂自动上片取片；多腔体生产模式，单个腔体适应于2英寸-12英寸晶圆或者最大支持300mmx300mm样品；退火温度范围300℃-1250℃；升温速率≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。工艺应用:快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；高温退火；高温扩散。金属合金；热氧化处理；应用领域：化合物半导体（砷化镓、氮化物、碳化硅等）；多晶硅；太阳能电池片；MEMS；功率器件；IC晶圆；LED晶圆。

超高真空系统：1、极限真空：单台分子泵极限真空-6Pa2、可PLC自动控制——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈超高真空系统溅射离子泵与钛升华泵串联

技术参数：真空腔主要技术参数： 腔体漏率小于2× 10-10atm cc/sec 小于0.5%端口对准误差 玻璃球抛光 7步清洗过程 可选配置 MU金属内层作为磁屏蔽罩 不锈钢内层，用于沉积系统 电镀抛光 水冷 低温保持器隔热罩主要特点：Johnsen Ultravac公司的超高真空腔有很多种配置，可以提供适合用户各种特殊要求和性能的腔体。 Johnsen Ultravac公司生产的超高真空腔体性能优异。在腔体的制造过程中，JUV的工程师们特别重视消除任何可能的漏气现象，腔体的真空度都能好于10-11Torr。每一个端口都经过精心的校准，确保它们能够准确的装载各种配件。在进行切削加工时，特别注意避免腔体遭到各种材料的污染；在完成切削后，所有的部分会被仔细清洗，并在超净间中进行焊接；后，在完成端口位置的再一次确认后，超高真空腔体才会进行后的清理与包装

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 产品描述厦门韫茂科技公司的双腔体等离子体原子层沉积系统（QBT-T），设备采用双腔体设计，腔体之间可实现独立控制，双倍产出。腔体分别为PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于双腔体双功能的独特设计，使设备可以在平片上实现等离子体ALD的生长工艺以及粉末ALD包覆工艺，设备配有独立控制的300℃完整加热反应腔室系统，保证工艺温度均匀。该系统具有专利粉末样品桶、晶圆载盘、全自动温度控制、ALD前驱体源钢瓶、自动温度控制阀、工业级安全控制，以及现场RGA、QCM、臭氧发生器、手套箱、极片架等设计选项。是先进能源材料、催化剂材料、新型纳米材料,半导体领域研究与应用的最佳研发工具之一。主要技术参数QBT-T 技术参数 Technical Specifications （TiN, ZnO, Al2O3, TiO2等制备）腔体双腔体设计（1个硅片PEALD腔室，1个粉末ALD腔室），每个腔体独立控制，双倍产出等离子体 Plasma最大3kW RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ150mm (可定制）高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-300±1℃前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体, Max 3 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 （可根据用户要求选配） 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

仪器简介：全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；电子束蒸发系统：1.膜电子束蒸发系统E -Beam Evaporation System2.高真空电子束蒸发系统High Vacuum E -Beam Evaporation System3.超高真空电子束蒸发系统Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System4.离子辅助蒸发系统Ion Beam Assisted Evaporation System5.离子电镀系统Ion Plating System6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System7.在线电子束蒸发系统In-line E -Beam Evaporation System技术参数：1.电子束源&电源 单个或者可自由切换换电子束源： --蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4, 6) --坩埚容量：7 ~ 40 cc (最大可达200 cc) --标准：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket) --最大：200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积 --偏转角度：180o, 270o --输出功率：6, 10, 15, 20 kW --支持两个或者三个电子束源在一个系统上 --可连续或者同时沉积两种或三种材料 --高速率沉积 2.薄膜沉积控制： IC-5 ( or XTC, XTM) 和计算机控制 --沉积过程参数可控 --石英晶体振荡传感器 --光学检测系统用于光学多层薄膜沉积：测量波长范围350-2000 nm，分辨率1 nm --薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制 --薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制 --支持大面积沉积 --支持在线电子束蒸发沉积 --基底尺寸：20~100英寸 --薄膜均匀性 ±1.0 to 5.0 % 3.真空腔体： --圆柱形腔体 --直径：φ500 ~ 1,500 mm --高度：800 ~ 1500 mm --方形腔体 --根据客户的需求定制 4.真空泵和测量装置： --低真空：干泵和convectron真空规 --高真空：涡轮分子泵，低温泵和离子规 --超高真空：双级涡轮分子泵，离子泵和离子规 5.控制系统PLC和 触摸屏计算机： --硬件: PLC, 触摸屏计算机 --包括模拟和数字输入/输出卡 --显示器: LCD --自动和手动程序控制 --程序控制：加载，编辑和保存 --程序激活控制： --泵抽真空，蒸发沉积，加热， 旋转等 --膜厚度检测和控制多层薄膜沉积 --系统状态，数据加载等 --问题解答和联动状态扩展功能：1、质量流量控制器：反应和等离子体辅助惰性气体控制 2、离子源和控制器：等离子体辅助沉积 3、射频电源：基底预先处理 4、温度控制器：基底加热 5、热蒸发器：1 or 2 boat 6、蒸镀源cell：1 or 2 for doping 7、冷却器：系统冷却

技术部 黄经理：工程部 陈经理：设备型号：HM-Plasma5L腔体材质：不锈钢。供电电源：AC 220 V。工作电流：1.2 A(不含真空泵)。射频电源功率：0-300 W可调。射频频率：40 kHz。频率偏移量：小于0.2 kHz。特性阻抗：50欧姆，自动匹配。真空度：1-30 Pa。气体路数：双路气体输入（可自动控制气体流量配比）。气体流量：10-100 ml/min(可调)。过程控制：PLC人机界面自动与手动方式，遥控、外接电脑控制方式可选。清洗时间：1-6000 s可调。刻蚀速率：1-10 nm/min。功率大小10%-100%可调。内腔尺寸直径150×270 mm (容积~5 L )。外形尺寸：510×450×420 mm。重量：45 kg。真空泵：2XZ-4。真空室温度：小于65°C。冷却方式：强制风冷。样品托盘：石英+不锈钢双托盘。全套消音设备确保整机运行无噪声。自动检测压力值与程序运行阶段，启动与终止表面活化过程。