射频等离子磁控溅射镀膜仪

Hiden的EQP等离子体质量、能量分析仪在薄膜的磁控溅射沉积研究中可以提供残余气体分析、随磁控源开关产生的气体分析、离子能量分布、中性粒子分析等多种分析手段。

采用磁控溅射手段，通过磁控阴极+专用直流电源方式对样品喷金处理，有较低的离子轰击损伤和温升效应；另外，包括原位等离子清洗源选配模块，能够实现样品表面有机污染物清洗和活化；此外，还有操作简单，触控面板界面，一键式操作等特点。

上海伯东代理德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700 成功应用于宁波某研究所磁控溅射（Megnetron Sputtering）系统.宁波某研究所磁控溅射（Megnetron Sputtering）系统用于光刻胶片上溅金属铬,铜,钛.其中材料生长腔工作真空度要求 E-7 hPa,能做到4英寸片,3靶位,可实现编程镀膜.材料生长腔对涡轮分子泵的要求较高,老师在考量了德国普发 Pfeiffer Hipace 700 涡轮分子泵和爱德华 Edwards STP603 分子泵后,因为对分子泵的压缩比要求较高,最终选择了德国普发 Pfeiffer 分子泵

上海伯东美国 KRI 射频离子源成功应用于 LED-DBR 离子辅助镀膜市场. 随着对镀膜品质要求的不断提升, 使用霍尔离子源辅助镀膜已经无法满足高端镀膜应用市场, 国内某知名 LED 制造商经过我司推荐采用射频离子源 RFICP 325 安装在 DBR 生产设备 1650 mm 蒸镀机中. 成功实现高端光学镜头镀膜并通过脱膜测试!

日前，由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成，可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。

上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.

1.无油隔膜泵+分子泵产生无油高真空背景环境，能够在超净间内使用； 2.磁控溅射镀膜，采用高品质恒功率DC磁控溅射电源，保证恒定镀膜沉积速率； 3.能够利用该产品进行常规金属的磁控溅射镀膜应用；

全固态电致变色器件的实用化研究一直是该领域的研究热点。电致变色器件全固态化的关键是采用合适的快离子导体（有时亦称固体电解质）作为器件的离子传导层。目前，用于电致变色器件的快离子导体仍以固态聚合物电解质为主，然而，聚合物电解质存在易老化、机械强度差、工业化生产难度较大等缺点。无机快离子导体是最有希望用于全固态电致变色器件的离子导体材料。本实验室前期研究结果表明，在合适的工艺参数下制备的 ZrNx薄膜具有高的透过率、良好的热稳定性、耐磨性和化学稳定性，适合于作为电致变色器件的离子导体层。 到目前为止，制备离子导体薄膜最常用的方法有溶胶－凝胶法、真空蒸发法、化学气相沉积法和溅射沉积法等，其中磁控溅射以沉积速率高、基片温升低、膜层均匀性及附着力好、工艺参数易控制等优点而日益成为制备离子导体薄膜的理想工艺方法。 因此本文以纯锆靶及纯铬靶为靶材，采用反应磁控溅射工艺在 WO3/ITO/Glass基片上沉积 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜，通过紫外－可见分光光度计、循环伏安法、交流阻抗法、X 射线衍射仪、热场发射扫描电镜以及扫描隧道显微镜等测试分析方法，研究了制备工艺参数以及 Cr 掺杂对 ZrNx薄膜离子导电性能和结构的影响 。研究结果表明：采用射频反应磁控溅射工艺制备的 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜均为非晶态结构，溅射功率和氮气分量等工艺参数对薄膜的离子导电性能有较大影响，选择合适的氮分量和溅射功率有助于提高 ZrNx薄膜的离子导电性能，在本实验的条件下，原位沉积 ZrNx薄膜的可见光透过率大于 75％,ZrNx/WO3/ITO/Glass器件的光学调节范围最大可达 57％以上，在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能。 掺杂后的 ZrNx:Cr 薄膜，晶态趋势大于未掺杂的 ZrNx薄膜，结构的变化导致ZrNx:Cr 薄 膜 的 离 子 传 导 性 能 有 所 下 降 ， 电 化 学 窗 口 变 小 ， 从 而 使ZrNx/WO3/ITO/Glass 器件的光学调节范围缩小。

SEM/TEM电镜样品对于前处理有如下三点应用需求：1.等离子清洗；2.等离子活化；3.高真空存储。针对扫描电镜领域，导电差的样品易于在场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）和聚焦离子束扫描电子显微镜（FIB-SEM）中形成“积碳”的问题；以及在透射电镜领域，有机污染物影响高分辨成像及STEM成像产生“白框”碳污染的问题，可以通过RF射频离子源在样品放入扫描电镜或透射电镜观察表征之前，对样品进行真空等离子清洗的工艺来减轻甚至消除积碳影响。离子清洗的工作原理为：RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部；只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内，与样品表面残留的有机污染物发生化学反应，生成CO2，CO，H2O并被真空泵组抽出；最终实现样品成像无积碳之目的，同时提高成像分辨率及衬度。离子活化原理与离子清洗原理类似，RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部。只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内，与样品表面发生作用，提高表面能使之亲水（表面氧原子与水形成氢键，使后者有序平铺）。但样品的表面能量高，处于不稳定状态，故亲水效果不会维持太久（~几十分钟）。高真空存储电镜样品及透射样品杆的原理为：真空泵组选用无油分子泵和无油隔膜泵，可以避免油污染的影响。并且由于采用分子泵+隔膜泵两级真空系统设计方案，系统能够实现高本底真空度，将样品表面残留气体及污染物抽走，避免样品前处理导致的二次污染问题。

上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护, 安装于各类真空设备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, load lock, 溅射系统, 分子束外延, 脉冲激光沉积等, 实现 IBAD 辅助镀膜的工艺.

本文使用岛津UV-3600i Plus和可变角测定装置测试光学镀膜玻璃在不同入射角度下的透射率和反射率，仪器操作简单，测试数据可靠，可为评价镀膜玻璃光学性能提供重要参考。

射频芯片 RF chip 主要为手机等移动终端设备提供无线电磁波信号的发送和接收, 是进行蜂窝网络连接, Wi-Fi, 蓝牙, GPS 等无线通信功能所必需的核心模块. 全球射频市场处在一个高速发展的时代, 芯片和系统制造商需要相应的测试系统, 以确保射频芯片性能和合规性. 近日, 国内某射频功率放大器制造企业通过上海伯东推荐, 购入美国 ThermoStream ATS-710 高低温冲击测试机, 给射频芯片提供 -80 至 +225 °C 快速精准的外部温度环境, 满足测试芯片性能的要求.

基于THERMES标准规范体系要求，我们设计开发了基于Spectrum™ 3或Frontier FT-IR光谱仪的红外镜面反射采样附件，组成完整的辐射率检测方案。*这套方案遵从国际标准，提供了最新水平的镀膜玻璃产品辐射率测量工具。此附件的一个独特之处为：它可以在大块钢化玻璃板上进行测量。并且可以用此配件测量相对较小的样品（小至5 mm）。采样附件的可用波长范围为配有KBr或CsI分束器的FT-IR配置的波长范围，用于测量入射角为6° 的镜面样品的直接反射比。

光学镀膜和镀膜技术经过多年发展，在设计、生产和表征工艺方面已非常成熟。现在，光学镀膜已非常普及，从研究和空间光学到消费品和工业的应用中都能找到它的身影。光学镀膜应用广泛，包括眼镜、建筑和汽车玻璃、照明和灯光系统、显示器、滤光片、专业反射镜、光纤和通信，以及医用光学。光学镀膜的性能取决于镀膜的规格和基底材料。设计和制造高质量多层光学镀膜不仅需要精确测量最终生产组件，还需要精确测量薄膜层中材料的光学常数。这些测量结果能够用于（有时）非常复杂的多层镀膜的详细设计。在生产结束时和生产过程中的测量结果也可以用于光学镀膜的逆向工程，提供有关设计制造工艺的反馈[1]。逆向工程的主要目的是检测单层参数中的系统误差和随机误差，有助于改善层控制，优化光学镀膜沉积。

射频消融疗法，属于靶向治疗方案，常见适应症有甲状腺结节及甲状腺癌、乳腺结节及乳腺癌、肝癌、肺结节及肺癌等。该疗法是早期肝细胞癌(HCC)常用的局部消融治疗手段。在影像(CT、彩超)的引导下，经皮穿刺将消融电极准确刺入肿瘤部位，利用射频电波，能量将肿瘤组织加热到95°C，使肿瘤组织产生局部高温，完全坏死，从而达到治疗肿瘤的目的。

舞台灯光虽然呈现是五颜六色的, 但光源一般都是白色. 通过在光源前加上特定的光学滤光片, 对光进行“加工”, 反射和透过特定的波段, 来达到不同的色彩变化. 加上颜色滤光片, 让不同颜色的镜片不停切换, 产生不同颜色. 而在光学元件或独立基板上, 镀上或涂布一层或多层介电质膜或金属膜或这两类膜的组合, 即光学薄膜, 可以改变光波之传递特性, 包括光的透射、反射、吸收、散射、偏振及相位改变. 上海伯东美国进口KRI离子源辅助国产镀膜设备镀制舞台灯光滤光片, 透亮且温漂小, 满足客户降低生产成本、提高产品质量的需求, 为国内镀膜厂家进行工艺升级提供新方向！

本文介绍了根据THERMES项目的研究结果，针对Spectrum™ 3或Frontier FT-IR光谱仪研发出一套红外镜面反射附件装置。这就为根据国际标准对镀膜玻璃产品的辐射率进行最高水平的测量提供了一个完整的解决方案。此外，对于一般难以进行对准的相对较小的样品（小到5 mm），也可使用该附件进行测量。

离子存储层（对电极层）是全固态电致变色器件的关键膜层，其作用是存储和提供电致变色所需的离子，维持电荷平衡，因此要求它具有较大的离子存储能力，较好的离子存储稳定性及循环寿命，并且同电致变色材料同步致色时光学性能变化较小，其性能的好坏直接影响到整个器件的循环耐用性和光学对比度。在以a-WO3薄膜为电致变色层的灵巧窗中，弱阴极致色的V2O5薄膜是最具有实用价值的候选锂离子存储材料之一，它具有半导体特性和层状结构，有利于离子传输，在聚合物电解质中化学性能稳定，具有较大的电荷储存密度，光学性质不明显依赖于注入的离子和电子浓度。但是目前要使其真正进入实际应用还需进一步提高薄膜的离子存储能力，优化制备工艺参数和对薄膜进行合理掺杂是两种有效提高薄膜性能的方法。实验采用射频磁控反应溅射技术在ITO玻璃基片上沉积固态V2O5和V2O5:Ni薄膜，文中介绍了薄膜的离子存储及溅射掺杂机理，并通过X射线衍射、X射线光电子能谱、紫外-可见光分度计和标准三电极法分别研究薄膜的结构、组成、光学及电化学性能，主要讨论氧分量、溅射功率、溅射温度等工艺参数以及Ni掺杂参数对薄膜的结构和性能的影响。研究表明：室温下用射频磁控反应溅射技术制备的V2O5和V2O5:Ni薄膜为非晶态，少量Ni掺杂不会改变薄膜的非晶态结构，在Li离子注入/退出过程中表现出良好的离子存储特性；较低的氧分量和溅射温度有助于提高薄膜的半导体特性及离子存储特性，在一定范围内提高溅射功率，可有效提高薄膜的离子存储能力及伏安循环特性；而V2O5薄膜掺杂Ni之后，非晶态的趋势稍强于纯V2O5薄膜，结构的微弱变化导致了V2O5:Ni薄膜具有更好的离子存储特性；掺杂工艺对薄膜的电化学性能影响较为复杂，主要与相对掺杂量和掺杂方式有关，当相对掺杂量处于有效掺杂范围和最佳值附近时，掺杂越均匀，薄膜的综合性能越好，同时掺杂次数也存在一个最佳值。

光学镀膜是指在光学零件表面上镀上一层或多层金属 (或介质) 薄膜的工艺过程. 在光学零件表面镀膜的目的是为了达到减少或增加光的反射, 分束, 分色, 滤光, 偏振等要求. 镜片镀膜是其中的一种应用, 通过对镜片的镀膜, 可以实现镜片的防水, 防油, 防静电, 防紫外线, 防蓝光等功能. 其中减反射镀膜是镜片镀膜的基础. 反射率降低了自然透光率就会提升, 镜片也就变得更加通透.

离子溅射仪（喷金仪）抽不上真空，真空不稳定，真空表向左向右打表，真空异常等故障的解决方案...............

Elastin?specific MRI of extracellular matrix?remodelling following hepatic radiofrequency?ablation in a VX2 liver tumor modelScientific Reports (2021) 11:6814 (2021影响因子: 4.996)肝肿瘤模型中肝脏射频消融后细胞外基质重塑的弹性蛋白特异性MRI 研究

• 测试元素： 氢(H) – 铀 (U)，~76个元素• 含量范围：0.X ppm级 至 %含量• 测试深度：表面（纳米）至几百个微米• 测试精度：含量 – RSD 优于2%深度 – RSD 优于5%• 涂镀层种类：- PVD / CVD / ECD- 电镀（锌、铜、镍、铬、钛、锡等各类金属涂镀层）- 磷化、钝化等各类化学层- 薄膜电池 / 柔性电池（CIGS, LIB ̷.)，- 非晶硅、碲化镉、铜锌锡硫化物等- 类金刚石涂层- 热处理（渗碳、渗氮、共渗等̷)- 真空蒸镀、磁控溅射镀膜• 适合样品：- 导体材料表面各类涂镀层（导体或非导体）- 非导体材料表面各类涂镀层（导体或非导体）- 薄膜/柔性材料表面各类涂镀层• 测试样品形态：- 固态：平面、曲面- 薄膜̷̷

镀层充当一个导电通道，使充电电子可以从材料中转移走。溅射喷金的样品制备技术可用于提高图像的质量和分辨率。由于其优良的高导电性，在扫描电镜成像时，溅射材料可以增加信噪比，从而获得更好的成像质量。

1064nm 窄带滤光片是在各类玻璃材质表面通过特殊的镀膜工艺而形成的光学元件, 可以从入射光中选取任意所需求的波长, 半峰值一般在 5nm~50nm之间, 具有波长定位准确、透过高、截止深、温漂小、耐用性好、光洁度好的特点, 是激光设备应用中常见的滤光片解决方案. 上海伯东美国原装进口 KRi 大尺寸射频离子源 RFICP 380辅助沉积镀制1064nm窄带滤光片, 沉积过程稳定, 加以合理的膜系设计, 可以很好地镀制出透过率高、截止宽度宽、温度漂移小、膜层致密度高、使用寿命长的产品.

本文利用基于快速、分段式电荷耦合检测器(SCD) 的全谱直读ICP-OES是由PerkinElmer 生产的 Optima ™ 7300 DV 电感耦合等离子体发射光谱仪，能够满足土壤样品中极低含量锑等微量金属元素的测量要求。Optima ™ 7300 DV 采用专利的最先进的中阶梯光栅二维分光系统和两块专利的面向化学分析的SCD检测器，能同时对所有波长进行测定。其灵活的波长选择方式让仪器操作人员在实验计划改变时可以轻松的进行新元素或新波长的添加。同时配置了一个40MHz 高能量自激式固态射频发生器，射频发生器输出的功率范围为750-1500 瓦，功率调节的最小步长为1 瓦，可以产生稳定的等离子体。ICP 具有双向观测功能，用户可根据需要选择。仪器使用切割气，能够消除尾焰区低温等离子体的影响，使化学基体的影响降到了最低。仪器使用的进样系统，耐酸腐蚀，具有强的处理固体溶解量能力。

本文利用基于快速、分段式电荷耦合检测器(SCD) 的全谱直读ICP-OES是由PerkinElmer 生产的 Optima ™ 7300 DV 电感耦合等离子体发射光谱仪，能够满足土壤样品中极低Pb等含量微量金属元素的测量要求。Optima ™ 7300 DV 采用专利的最先进的中阶梯光栅二维分光系统和两块专利的面向化学分析的SCD检测器，能同时对所有波长进行测定。其灵活的波长选择方式让仪器操作人员在实验计划改变时可以轻松的进行新元素或新波长的添加。同时配置了一个40MHz 高能量自激式固态射频发生器，射频发生器输出的功率范围为750-1500 瓦，功率调节的最小步长为1 瓦，可以产生稳定的等离子体。ICP 具有双向观测功能，用户可根据需要选择。仪器使用切割气，能够消除尾焰区低温等离子体的影响，使化学基体的影响降到了最低。仪器使用的进样系统，耐酸腐蚀，具有强的处理固体溶解量能力。

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