射频等离子磁控溅射镀膜仪

一、项目基本情况项目编号：0664-2260SUMEC787D项目名称：东南大学微纳系统国际创新中心磁控溅射镀膜仪采购预算金额：260.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：260.0000000 万元（人民币）采购需求：东南大学微纳系统国际创新中心采购磁控溅射镀膜仪 一套本项目接受进口产品。合同履行期限：合同签约后12个月到货安装调试合格。本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：本项目若符合扶持福利企业、促进残疾人就业、支持中小微企业、支持监狱和戒毒企业等政策， 将落实相关政策。3.本项目的特定资格要求：（1）供应商必须是所投产品的制造商或代理商，若投标人不是投标产品制造商的，投标人必须具有下列授权文件之一（本条只适用于进口产品）：a.供应商必须提供制造商出具的授权函正本； b.制造商的国内全资子公司出具的授权函正本； c.制造商对授权的区域代理商出具的授权函复印件及该区域代理商出具的授权函正本； d.投标人取得的产品代理证书复印件(正本备查)。4.拒绝下述供应商参加本次采购活动：（1）供应商单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动。（2）凡为采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加本项目的采购活动。（3）供应商被“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、“中国政府采购网"(www.ccgp.gov.cn)列入失信被执行人、税收违法黑名单、政府采购严重违法失信行为记录名单。三、获取招标文件时间：2023年01月05日 至 2023年01月11日，每天上午9:00至11:00，下午14:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：线上方式：在线获取售价：￥600.0 元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2023年01月29日 09点30分（北京时间）开标时间：2023年01月29日 09点30分（北京时间）地点：南京市长江路198号苏美达大厦辅楼303会议室,五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜申请人的资格要求：1、满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定：（1）具有独立承担民事责任的能力（提供法人或者其他组织的营业执照，自然人的身份证明）；（2）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供参加本次政府采购活动前半年内（至少一个月）的会计报表或者上一年度的财务审计报告，成立不足一年的提供开标前六个月内的银行资信证明原件。）；（3）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力（根据项目需求提供履行合同所必需的设备和专业技术能力的证明材料）； （4）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录（提供参加本次政府采购活动前半年内（至少一个月）依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料）；（5）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（提供参加本次政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明）（格式见后附件）。（6）法律、行政法规规定的其他条件。2、凭以下材料获取：（1）获取采购文件材料：1、营业执照【复印件加盖公章，扫描件】2、介绍信或者法定代表人授权书【原件加盖公章，扫描件，开具日期不得早于公告日期】3、委托代理人身份证【复印件加盖公章，扫描件】4、采购文件获取登记表word版【详见招标公告附件】（2）凡有意参加本次采购活动的供应商必须提供第（1）条规定证件登记并获取，不按规定获取的视为获取失败。3、我司提供了在线获取采购文件服务，操作流程如下：（1）、用微信关注我司公众号“苏美达达天下”。（2）、进入公众号-“在线服务”-“在线购标”。（3）、输入本项目的项目编号，举例：0664-2260SUMEC787D，点击查询。添加您所要获取的采购文件到购物车，输入投标单位名称、领购人信息以及发票信息，提交订单并确认微信支付，支付完成后将报名材料扫描件和登记表word版一并发至采购代理机构联系人：焦立阳，邮箱：jiaoly_work@163.com 即可，我们将会把采购文件电子版发送到领购人的邮箱。注意事项：（1）确保领购人邮箱真实准确无误，电子版采购文件将发送到此邮箱。（2）目前标书费发票支持开标现场领取或者顺丰到付。（3）“苏美达达天下”付款平台填写的投标单位名称必须与开票信息一致。如不一致投标人自行承担后果。请认真填写领购人信息及发票信息。（4）非采购代理机构或平台公司原因，发票一经开具不予退换。4、疫情防控期间注意事项（本项目采取在线流程）：在线流程：因疫情原因，本项目进行线上开标，请供应商尽量提前准备投标文件，以便及时送达代理机构指定的地点。供应商按照不见面开标通知（附件1）的要求参加开标会议。如因投标文件未及时送至代理机构造成的后果由供应商自负。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名称：东南大学地址：南京市玄武区四牌楼2号联系方式：技术咨询：微纳系统国际创新中心：贺老师 电话：025-83792632 分机号8806； 实验室与设备管理处：刘加彬 电话：025-83792693。2.采购代理机构信息名称：苏美达国际技术贸易有限公司地址：南京市长江路198号苏美达大厦联系方式：项目联系人：杨 扬、焦立阳 电话：025-84532455、025-845324523.项目联系方式项目联系人：杨 扬、焦立阳电话：025-84532455、025-84532452

项目编号：N5101012023000011项目名称：红外光谱仪、磁控溅射镀膜机、X-射线衍射仪采购项目采购方式：公开招标预算金额：2,400,000.00元采购需求：详见采购需求附件合同履行期限：采购包1：自合同签订生效后起10日内采购包2：自合同签订生效后起10日内采购包3：自合同签订生效后起10日内本项目是否接受联合体投标：采购包1：不接受联合体投标采购包2：不接受联合体投标采购包3：不接受联合体投标8a69c98f85909e000185957d38207018.docx

p style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 28px "薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，传统的薄膜沉积工艺主要有物理气相沉积（/spanspan style="text-indent: 28px "PVD/spanspan style="text-indent: 28px "）、化学气相沉积（/spanspan style="text-indent: 28px "CVD/spanspan style="text-indent: 28px "）等气相沉积工艺。物理气相沉积/spanspan style="text-indent: 28px "(Physical Vapour Deposition/spanspan style="text-indent: 28px "，/spanspan style="text-indent: 28px "PVD)/spanspan style="text-indent: 28px "技术是在真空条件下，采用物理方法，将材料源/spanspan style="text-indent: 28px "——/spanspan style="text-indent: 28px "固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。/span/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "仪器信息网近期特对一年内的spanPVD/span设备的中标讯息整理分析，供广大仪器用户参考。span style="color: rgb(127, 127, 127) font-size: 14px "（注：本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台，不完全统计分析仅供读者参考。）/span/pp style="text-align: center text-indent: 0em "span style="text-align: center "img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 240px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/a2ad4457-7ade-41a5-b0c8-6b0bfc0f3001.jpg" title="1.png" alt="1.png" width="400" height="240" border="0" vspace="0"/ /span/pp style="text-align: center "strongspan style="font-family:' 微软雅黑' ,sans-serif color:#444444"各月中标量占比/span/strong/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "span2019/span年span10/span月至span2020/span年span9/span月，根据统计数据，spanPVD/span设备的总中标为span218/span台，涉及金额上亿元。span2019/span年span10/span月至span12/span月，平均中标量约span25/span台每月。span2020/span上半年，由于疫情影响，span1/span月至span4/span月中标市场持续低迷，平均中标量约span5/span台每月，其中二月份无成交量。随着国内疫情稳定以及企业复产复工和高校复学的逐步推进，spanPVD/span设备中标市场活力回升，从二月份到七月份中标量不断增长，其中span7/span月spanPVD/span中标量达span27/span台。第三季度的spanPVD/span设备采购基本恢复正常，平均中标量约span24/span台每月。/pp style="text-align:center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 252px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/98f0aae5-cd0b-4c37-a638-6e07e56be8b6.jpg" title="2.png" alt="2.png" width="400" height="252" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "strongspan style="font-family:' 微软雅黑' ,sans-serif color:#444444"采购单位性质分布/span/strong/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "从spanPVD/span设备的招标采购单位来看，高校是采购的主力军，采购量占比高达span68%/span，而企业和科研院所的采购量分别占比span12%/span和span19%/span。值得注意的是，企业和科研院所采购设备的单价较高，集中于高端设备，高校采购低端设备比例略高。企业方面的采购单位主要为电子产业，高校方面的采购单位以大学为主。/pp style="text-align:center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 265px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/16cf7cf8-1078-4811-92cb-06cb57740068.jpg" title="3.png" alt="3.png" width="400" height="265" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "strongspan style="font-family:' 微软雅黑' ,sans-serif color:#444444"招标单位地区分布/span/strong/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "本次盘点，招标单位地区分布共涉及span25/span个省份、自治区及直辖市。广东、北京、浙江、江苏和湖北为spanPVD/span设备采购排名前span5/span的地区，其中广东的采购量最大，达span32/span台。在这些地区中，上海、浙江和江苏的spanPVD/span设备采购以高校为主力，北京以科研院所和高校采购为主力，只有湖北以企业采购为主。这主要是因为湖北武汉聚集了国内一批半导体企业，如武汉天马微电子有限公司和湖北长江新型显示产业创新中心有限公司，致力于打造“中国光谷”。/pp style="text-align:center"img style="max-width: 100% max-height: 100% width: 400px height: 233px " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/35dfbb36-d83c-4bcf-894d-3a587cdd8da8.jpg" title="4.png" alt="4.png" width="400" height="233" border="0" vspace="0"//pp style="text-align: center "strongspan style="font-family:' 微软雅黑' ,sans-serif color:#444444"不同类型spanPVD/span设备占比/span/strong/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "spanPVD/span设备种类繁多，包含了磁控溅射、蒸发镀膜、真空镀膜等类型。根据搜集到的中标数据可知，磁控溅射占据了中标spanPVD/span设备的主流、高达span72%/span的spanPVD/span设备采购为磁控溅射。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪span 70 /span年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "本次spanPVD/span设备中标盘点，涉及品牌有泰科诺、spanKurt J. Lesker/span、创世威纳、spanMoorfield/span、spanLeica/span、合肥科晶、spanVEECO Instruments Inc./span、spanTeer Coatings Ltd./span、spanQUORUM/span、span style="font-size:15px"Syskey/spanspan style="font-size:15px"、spanApplied Materials ,lnc./span、spanULVACInc/span、株式会社昭和真空/span等。/pp style="text-indent: 29px text-align: justify "span style="font-size:15px"其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有：/span/pp style="text-align: center text-indent: 0em "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/08db5967-4529-4f60-88a7-518f97a384c8.jpg" title="5.jpg" alt="5.jpg"//pp style="text-align: center text-indent: 0em "strongspana href="https://www.instrument.com.cn/netshow/sh102205/C242800.htm"span style="font-size:15px"span三靶射频磁控溅射镀膜仪/span/span/a/span/strong/pp style="text-indent: 29px text-align: justify "span style="font-size:15px"这是一款小型台式span3/span靶等离子溅射仪span(/span射频磁控型span)/span，配有三个span1/span英寸的磁控等离子溅射头和射频（spanRF/span）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。这款span1/span英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度。/span/pp style="text-align: center text-indent: 0em "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/c7c1521d-c5b9-4668-b178-66ac2ce7cd98.jpg" title="6.jpg" alt="6.jpg"//pp style="text-align: center text-indent: 0em "strongspana href="https://www.instrument.com.cn/netshow/sh101374/C191053.htm"span style="font-size:15px"span双靶磁控溅射仪/span/span/a/span/strong/pp style="text-indent: 29px text-align: justify "span style="font-size:15px" /spanspan style="font-size: 15px "双靶磁控溅射仪是沈阳科晶自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。/spanspan style="font-size: 15px "VTC-600-2HD/spanspan style="font-size: 15px "双靶磁控溅射仪配备有两个靶枪，一个弱磁靶用于非导电材料的溅射镀膜，一个强磁靶用于铁磁性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，且具有体积小便于操作的优点，且可使用的材料范围广，是一款实验室制备各类材料薄膜的理想设备。/span/pp style="text-indent: 0em text-align: center "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/2ed2b9b6-bb58-4779-ab5e-aa97cdaaaa2b.jpg" title="7.jpg" alt="7.jpg"//pp style="text-align: center text-indent: 0em "strongspana href="https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104149/C283599.htm"span style="font-size:15px"span科特莱思科热阻蒸发镀膜系统/span/span/a/span/strong/pp style="text-indent: 29px text-align: justify "span style="font-size:15px"这款仪器由预真空进样室（可选）前开门蒸发腔体、冷凝泵和干泵、多个热阻蒸发源或spanOLED/span低温蒸发源、span6”/span基片、基片旋转、基片偏压（可选）、离子源清洗基片（可选）、基片加热span1000/span度span(/span可选span)/span等部分构成。晶振沉积速率及膜厚控制可选择系统手动或自动控制等方式，能够沉积金属、半导体和绝缘材料，还可沉积多层膜及合金薄膜。/spanspan style="font-size: 15px " /span/pp style="text-indent: 29px text-align: justify "span style="font-size:15px"点击此处进入/spanspana href="https://www.instrument.com.cn/list/sort/241.shtml"span style="font-size:15px"span【span半导体行业专用仪器span】/span/span/span/span/a/spanspan style="font-size:15px"专场，获取更多产品信息。/span/pp style="text-indent: 29px text-align: center "span style="font-size:15px"更多资讯请扫描下方二维码，关注【材料说】/span/pp style="text-indent: 28px text-align: center "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202012/uepic/2a630f7c-a2f9-4376-bd8c-911592840aa9.jpg" title="材料说.jpg" alt="材料说.jpg"//p

据广州南沙发布消息，6月28日，广州市南沙区在明珠湾大桥桥面举办重大项目集中签约动工竣工（投产）暨明珠湾大桥通车活动。76个项目于当天集中签约、动工竣工（投产），涵盖新能源汽车、芯片等先进制造产业。在当天的签约仪式上，10个重点项目分两批进行现场签约，总投资额160亿元，达产产值796亿元，其中包括湾区半导体高端设备智造基地。据介绍，湾区半导体高端设备智造基地是先导集团拟在南沙投资建现代化的半导体设备产业园，项目建成后拥有生产各类镀膜沉积设备、磁控溅射设备、离子蚀刻设备及交钥匙工程的综合生产能力。先导集团目前已掌握核心专利和工艺技术，项目产品将拥有100%自主产权，满足半导体产业链国产化替代的需求。广州南沙发布消息指出，目前，南沙正积极促进第三代半导体与新能源汽车产业的融合创新，成立第三代半导体创新中心，形成以晶科电子、芯粤能、爱思威为代表，以联晶智能、芯聚能为龙头的从晶圆生产到芯片设计、封装及应用的第三代半导体全产业链，为将来三千亿级新能源汽车产业集群发展提供“芯”能量。

自从2020年Quantum Design中国子公司将英国Moorfield nanotechnology公司生产的台式高精度薄膜制备与加工系统引进国内市场以来受到了国内科研工作者的广泛关注。Moorfield Nanotechnology推出的台式设备体积小巧但性能可以和大型设备相媲美，并且自动化程度高、操作简单、性能可靠、配置灵活。设备所具有的这些优点正是现代实验所需要的。Moorfield Nanotechnology长期收集用户的需求并对产品线进行不断的优化丰富，以满足各种个性化的实验需求。近年来，越来越多的前沿研究中需要用到多种薄膜制备手段，而传统的设备往往只有一种薄膜制备功能，制备一个样品就需要先后在不同的设备中进行操作，并且容易对样品的性质造成破坏。针对这样的需求，Moorfield Nanotechnology公司全新推出了台式高精度溅射与热蒸发系统——nanoPVD ST15A。该系统可以集成金属/绝缘体溅射、金属热蒸发、有机物蒸发功能，在同一台设备中可以实现多种制备手段的组合，将薄膜制备带入了新的高度。系统通过7英寸触摸屏控制，自动化程度高，各种制备方式可以自由切换，甚至可以同时进行。用户可以通过灵活的制备手段在在同一台设备中制备不同的薄膜或者是复合薄膜。nanoPVD ST15A外观图设备技术特点☛ 台式设备配置灵活☛ 磁控溅射、热蒸发、有机物蒸发☛ 三种制备手段可灵活组合☛ 可制备金属、有机物、电介质薄膜☛ 多达3个流量计控制过程气体☛ 高精度自动气压控制选件☛ 全自动触屏操作系统☛ 基片大至4英寸☛ 可选基片加热☛ 本底真空5 × 10-7 mbar☛ 可选共溅射（蒸发）功能☛ 可选晶振膜厚标定功能☛ 定义保存多个制备程序☛ 全面的安全性设计☛ 超净间兼容☛ 稳定的性能左：nanoPVD ST15A 双蒸发源与磁控溅射组合，右：系统的样品台与挡板背景介绍Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立25年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。Moorfield公司近十年来与曼彻斯特大学诺奖技术团队紧密合作，推出的台式高精度薄膜制备与加工系列产品由于其体积小巧、性能优异、易于操作更是受到很多科研单位的赞誉。这些设备已经进入了欧洲多所科研院所的实验室，诸如曼彻斯特大学、剑桥大学、帝国理工学院、诺森比亚大学、巴斯大学、埃克塞特大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工业大学、西班牙光子科学研究所、英国国家物理实验室等单位都是Moorfield Nanotechnology的用户和长期合作者。诸多的用户与合作者让产品的性能和设计理念得到了高速发展，并迈入全球化的进程。Quantum Design中国子公司与Moorfield Nanotechnology正式合作，作为中国的代理和战略合作伙伴，为中国用户提供高性能的设备与优质的服务。除了台式设备之外我们还提供多种大型设备和定制服务。目前国内已有包括清华大学、西湖大学、大连理工大学、广东工业大学、中科院等多个单位采购了不同型号的Moorfield高性能薄膜制备与加工设备。产品链接1、台式高性能多功能PVD薄膜制备系列—nanoPVD

一、项目基本情况项目编号：0705-2240 02012003项目名称：上海期智研究院磁控溅射仪采购预算金额：300.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：300.0000000 万元（人民币）采购需求：包件号项目数量简要技术规格备注1磁控溅射仪1套配置304L不锈钢超高真空不锈钢反应腔体，预留RHEED、RGA等接口，后续可按需升级。沉积腔室可升级集成9个2英寸超高真空溅射靶枪。预算：人民币300万元。 合同履行期限：交货期：收到预付款后8到10个月内。本项目( 不接受 )联合体投标。二、申请人的资格要求：1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；2.落实政府采购政策需满足的资格要求：（1） 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织；（2） 投标人应为投标产品的制造商或其合法代理商，代理商投标应提供投标产品的制造商针对本项目的唯一授权；（3） 投标人须在投标截止期之前在国家商务部认可的机电产品招标投标电子交易平台（以下简称机电产品交易平台，网址为：http://www.chinabidding.com）上完成有效注册；（4） 本项目不允许联合体投标；（5） 本项目不允许分包和转包（代理商中标后提供由其投标文件中承诺的投标产品制造商生产的产品不视为转包）。 3.本项目的特定资格要求：（1） 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织；（2） 投标人应为投标产品的制造商或其合法代理商，代理商投标应提供投标产品的制造商针对本项目的唯一授权；（3） 投标人须在投标截止期之前在国家商务部认可的机电产品招标投标电子交易平台（以下简称机电产品交易平台，网址为：http://www.chinabidding.com）上完成有效注册；（4） 本项目不允许联合体投标；（5） 本项目不允许分包和转包（代理商中标后提供由其投标文件中承诺的投标产品制造商生产的产品不视为转包）。三、获取招标文件时间：2022年08月02日 至 2022年08月09日，每天上午8:30至11:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：上海国际招标有限公司电子采购平台方式：电子发售售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点提交投标文件截止时间：2022年08月31日 09点30分（北京时间）开标时间：2022年08月31日 09点30分（北京时间）地点：上海国际招标有限公司电子采购平台五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜供应商首次注册应按要求提供《供应商注册专用授权函和承诺书》（可从供应商注册页面下载）和营业执照等扫描件，供应商应当提前准备，尽早办理，以免影响领购招标文件。已注册的潜在投标人可从网站采购公告栏的相应公告或者网站上方“SITC电子采购平台”中进入在线领购招标文件流程。若公告要求提供其他领购资料的，潜在投标人应当上传相关资料的原件扫描件，否则招标代理有权拒绝向其出售招标文件。无需提供领购资料的项目，潜在投标人提交领购申请并支付费用到账后即可下载电子招标文件。项目经理会将纸质招标文件快递给潜在投标人，电子发票将发至投标人登记的邮箱。七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：上海期智研究院     地址：上海市徐汇区云锦路701号40-41层        联系方式：徐瑞；021-54652653      2.采购代理机构信息名 称：上海国际招标有限公司            地 址：中国上海延安西路358号美丽园大厦14楼            联系方式：胡羡聪、刘洲烨；86-21-32173682            3.项目联系方式项目联系人：胡羡聪、刘洲烨电 话：  86-21-32173682

详细信息 南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目公开招标公告 天津市-南开区 状态：公告 更新时间： 2022-12-05 南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目公开招标公告 2022年12月05日 16:24 公告信息： 采购项目名称 南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/教学专用仪器 采购单位 南开大学 行政区域 天津市 公告时间 2022年12月05日 16:24 获取招标文件时间 2022年12月06日至2022年12月12日每日上午:9:00 至 11:30 下午:13:30 至 16:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 天津市河北区狮子林大街200号6层 开标时间 2022年12月26日 10:00 开标地点 天津市河北区狮子林大街200号泰鸿大厦6层第一会议室 预算金额 ￥600.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 王先生 项目联系电话 022-59009035 采购单位 南开大学 采购单位地址 天津市南开区卫津路94号南开大学八里台校区招投标管理办公室 采购单位联系方式 于老师 022-23501661 代理机构名称 天津津建工程造价咨询有限公司 代理机构地址 天津市河北区狮子林大街200号泰鸿大厦6层 代理机构联系方式 王先生 022-59009035 项目概况 南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在天津市河北区狮子林大街200号6层获取招标文件，并于2022年12月26日 10点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：NK2022S024WD（1700-2243JJBH1249） 项目名称：南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目 预算金额：600.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：600.0000000 万元（人民币） 采购需求： 多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统（1套）的供货、安装及售后服务。本项目允许进口产品投标。 合同履行期限：收到信用证后12个月内完成交货 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 促进中小企业发展 促进中小企业发展明细：投标人为小型或微型企业的，且所投产品的制造厂家为小、微企业的，投标总价给予10%的扣除，用扣除后的价格参与价格评审。 支持监狱企业发展 支持监狱企业发展明细：投标人为监狱企业的，投标总价给予10%的扣除，用扣除后的价格参与价格评审。 强制、优先采购节能产品 强制、优先采购节能产品明细：供应商须书面承诺：在本项目中所使用的主要和辅助材料均须为中国境内生产的全新原装正品，并在项目实施过程中优先选用节能环保产品。如属于政府采购强制节能产品范围，则使用当期 节能产品政府采购清单 中的产品。 优先采购环境标记产品 优先采购环境标记产品明细：供应商须书面承诺：在本项目中所使用的主要和辅助材料均须为中国境内生产的全新原装正品，并在项目实施过程中优先选用节能环保产品。 促进残疾人就业 促进残疾人就业明细：根据财政部、民政部、中国残疾人联合会发布的《关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》规定，本项目对残疾人福利性单位产品的价格给予10%的扣除。注：小微企业以投标人填写的《中小企业声明函》为判定标准，残疾人福利性单位以投标人填写的《残疾人福利性单位声明函》为判定标准，监狱企业须投标人提供由省级以上监狱管理局、戒毒管理局（含新疆生产建设兵团）出具的属于监狱企业的证明文件，否则不予认定。以上政策不重复享受。 3.本项目的特定资格要求：1）须为在中华人民共和国境内注册，具备独立法人资格的企业，且符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条的规定，并提供其有效的“企业法人营业执照（副本）”复印件加盖公章，及满足资格要求的证明文件；2）供应商若为法人投标，须提供法定代表人身份证明书（需由法定代表人签字或盖章）和法定代表人身份证原件；供应商若为被授权人投标，须提供法人代表授权书（需由法定代表人签字或盖章）和被授权人身份证原件。3）供应商应具有履行合同提供本次采购仪器设备的供应能力、专业技术及服务能力，若为进口产品代理商参与本次投标，还应提供仪器设备制造商针对本项目出具的授权书。4）开标时由招标代理机构查询投标人在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）无不良记录信息。对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的投标人，拒绝参与本次招标活动。 三、获取招标文件 时间：2022年12月06日 至 2022年12月12日，每天上午9:00至11:30，下午13:30至16:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：天津市河北区狮子林大街200号6层 方式：鉴于目前疫情防控形势，为了有效减少人员聚集和交叉感染，保证报名工作的顺利进行，提供以下两种方式： 1、现场领取：营业执照副本及“供应商资质要求”中要求的相关证件复印件加盖公章，以现金形式支付（选择采取此种方式，建议提前联系项目负责人）； 2、网上领取（建议采用此种方式），具体要求如下：（1）请将报名资料以扫描件形式发送至tjbh2016@126.com，邮件主题为：1700-2243JJBH1249报名信息，并电话联系项目负责人确认。（2）标书款以电汇或银行转账方式（为方便后期开具发票建议使用对公账户），汇至我公司的银行账号，并请在汇款备注中标明：“1700-2243JJBH1249标书款”（电汇信息及相关表格会以邮件方式发送）（3）标书款汇款后，请将汇款单截图、项目编号、投标人联系人、联系电话及投标人邮箱以邮件形式发送至上述邮箱。 （4）采用网上领取方式进行报名的，报名日期以标书款到账日期为准。注：已在南开大学招投标管理办公室新版网站登记注册的供应商，按以上要求报名。尚未登记注册的，须在南开大学招投标管理办公室新版网站右侧“供应商注册”入口进行注册。已在旧版网站注册的供应商须在新版网站重新注册，通过审核后方可购买招标文件，注册网址：http：//zbb.nankai.edu.cn，注册方法详见新版网站常用下载《供应商注册指南》。 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年12月26日 10点00分（北京时间） 开标时间：2022年12月26日 10点00分（北京时间） 地点：天津市河北区狮子林大街200号泰鸿大厦6层第一会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：南开大学 地址：天津市南开区卫津路94号南开大学八里台校区招投标管理办公室 联系方式：于老师 022-23501661 2.采购代理机构信息 名 称：天津津建工程造价咨询有限公司 地 址：天津市河北区狮子林大街200号泰鸿大厦6层 联系方式：王先生 022-59009035 3.项目联系方式 项目联系人：王先生 电 话： 022-59009035 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：镀膜机 开标时间：2022-12-26 10:00 预算金额：600.00万元 采购单位：南开大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：天津津建工程造价咨询有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目公开招标公告 天津市-南开区 状态：公告 更新时间： 2022-12-05 南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目公开招标公告 2022年12月05日 16:24 公告信息： 采购项目名称 南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/教学专用仪器 采购单位 南开大学 行政区域 天津市 公告时间 2022年12月05日 16:24 获取招标文件时间 2022年12月06日至2022年12月12日每日上午:9:00 至 11:30 下午:13:30 至 16:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 天津市河北区狮子林大街200号6层 开标时间 2022年12月26日 10:00 开标地点 天津市河北区狮子林大街200号泰鸿大厦6层第一会议室 预算金额 ￥600.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 王先生 项目联系电话 022-59009035 采购单位 南开大学 采购单位地址 天津市南开区卫津路94号南开大学八里台校区招投标管理办公室 采购单位联系方式 于老师 022-23501661 代理机构名称 天津津建工程造价咨询有限公司 代理机构地址 天津市河北区狮子林大街200号泰鸿大厦6层 代理机构联系方式 王先生 022-59009035 项目概况 南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目 招标项目的潜在投标人应在天津市河北区狮子林大街200号6层获取招标文件，并于2022年12月26日 10点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：NK2022S024WD（1700-2243JJBH1249） 项目名称：南开大学物理科学学院多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统采购项目 预算金额：600.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：600.0000000 万元（人民币） 采购需求： 多腔体超高真空磁控溅射镀膜系统（1套）的供货、安装及售后服务。本项目允许进口产品投标。 合同履行期限：收到信用证后12个月内完成交货 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 促进中小企业发展 促进中小企业发展明细：投标人为小型或微型企业的，且所投产品的制造厂家为小、微企业的，投标总价给予10%的扣除，用扣除后的价格参与价格评审。 支持监狱企业发展 支持监狱企业发展明细：投标人为监狱企业的，投标总价给予10%的扣除，用扣除后的价格参与价格评审。 强制、优先采购节能产品 强制、优先采购节能产品明细：供应商须书面承诺：在本项目中所使用的主要和辅助材料均须为中国境内生产的全新原装正品，并在项目实施过程中优先选用节能环保产品。如属于政府采购强制节能产品范围，则使用当期 节能产品政府采购清单 中的产品。 优先采购环境标记产品 优先采购环境标记产品明细：供应商须书面承诺：在本项目中所使用的主要和辅助材料均须为中国境内生产的全新原装正品，并在项目实施过程中优先选用节能环保产品。 促进残疾人就业 促进残疾人就业明细：根据财政部、民政部、中国残疾人联合会发布的《关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》规定，本项目对残疾人福利性单位产品的价格给予10%的扣除。注：小微企业以投标人填写的《中小企业声明函》为判定标准，残疾人福利性单位以投标人填写的《残疾人福利性单位声明函》为判定标准，监狱企业须投标人提供由省级以上监狱管理局、戒毒管理局（含新疆生产建设兵团）出具的属于监狱企业的证明文件，否则不予认定。以上政策不重复享受。 3.本项目的特定资格要求：1）须为在中华人民共和国境内注册，具备独立法人资格的企业，且符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条的规定，并提供其有效的“企业法人营业执照（副本）”复印件加盖公章，及满足资格要求的证明文件；2）供应商若为法人投标，须提供法定代表人身份证明书（需由法定代表人签字或盖章）和法定代表人身份证原件；供应商若为被授权人投标，须提供法人代表授权书（需由法定代表人签字或盖章）和被授权人身份证原件。3）供应商应具有履行合同提供本次采购仪器设备的供应能力、专业技术及服务能力，若为进口产品代理商参与本次投标，还应提供仪器设备制造商针对本项目出具的授权书。4）开标时由招标代理机构查询投标人在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）无不良记录信息。对列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的投标人，拒绝参与本次招标活动。 三、获取招标文件 时间：2022年12月06日 至 2022年12月12日，每天上午9:00至11:30，下午13:30至16:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：天津市河北区狮子林大街200号6层 方式：鉴于目前疫情防控形势，为了有效减少人员聚集和交叉感染，保证报名工作的顺利进行，提供以下两种方式： 1、现场领取：营业执照副本及“供应商资质要求”中要求的相关证件复印件加盖公章，以现金形式支付（选择采取此种方式，建议提前联系项目负责人）； 2、网上领取（建议采用此种方式），具体要求如下：（1）请将报名资料以扫描件形式发送至tjbh2016@126.com，邮件主题为：1700-2243JJBH1249报名信息，并电话联系项目负责人确认。（2）标书款以电汇或银行转账方式（为方便后期开具发票建议使用对公账户），汇至我公司的银行账号，并请在汇款备注中标明：“1700-2243JJBH1249标书款”（电汇信息及相关表格会以邮件方式发送）（3）标书款汇款后，请将汇款单截图、项目编号、投标人联系人、联系电话及投标人邮箱以邮件形式发送至上述邮箱。 （4）采用网上领取方式进行报名的，报名日期以标书款到账日期为准。注：已在南开大学招投标管理办公室新版网站登记注册的供应商，按以上要求报名。尚未登记注册的，须在南开大学招投标管理办公室新版网站右侧“供应商注册”入口进行注册。已在旧版网站注册的供应商须在新版网站重新注册，通过审核后方可购买招标文件，注册网址：http：//zbb.nankai.edu.cn，注册方法详见新版网站常用下载《供应商注册指南》。 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年12月26日 10点00分（北京时间） 开标时间：2022年12月26日 10点00分（北京时间） 地点：天津市河北区狮子林大街200号泰鸿大厦6层第一会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：南开大学 地址：天津市南开区卫津路94号南开大学八里台校区招投标管理办公室 联系方式：于老师 022-23501661 2.采购代理机构信息 名 称：天津津建工程造价咨询有限公司 地 址：天津市河北区狮子林大街200号泰鸿大厦6层 联系方式：王先生 022-59009035 3.项目联系方式 项目联系人：王先生 电 话： 022-59009035

中国科学院微电子所射频电源(RFGenerator)课题组(www.rf-power.net)从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功500W-10KW电子管射频电源，获得“六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。　　从2010年开始在极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)项目资金支持下，研发晶体管射频电源(13.56MHz)，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源，获得第七届国际发明展览会银奖。　　经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全,目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。　　目前射频电源组分为三个部门：产品研发部，产品生产部，产品推广与售后服务部。　　产品研发部：有专业研发人员7人，其中硕士及以上比例100%，具有教授级职称2人，具有博士学历3人，从清华大学，中科院电工所，中国科学技术大学引进资深射频技术与自动控制专家3人，目前已建立起一支由高级研发顾问领导的国际化研发人才团队。　　产品生产部：有专业技术工程师17人，具有500平方专业射频电源生产与测试车间(可以进行ESD，EMC等测试)，年生产能力达3000台套，库房常年备有库存，可保证给客户随时发货。　　产品推广与售后服务部：有专业推广销售人员4人，专业售后服务人员2人，其中硕士及以上比例100%。　　射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，射频感应加热，医疗领域的消毒与理疗美容，常压等离子消毒清洗等领域。　　中国科学院微电子研究所射频电源组网址：www.rf-power.net

x射线多层膜在静态和超快x射线衍射中的应用x射线光学组件类型根据x射线和物质作用的不同原理和机制，目前主流的x射线光学组件可以大致分为四类：以滤片、窗片、针孔光阑为代表的吸收型组件；基于反射，全反射原理的各种镜片以及毛细管、波导等反射型器件，还有基于折射原理的各种复折射镜。而本文的主题多层膜镜片，其底层原理和晶体、光栅、波带片一样，都是基于衍射原理。吸收型反射型折射型衍射型滤片窗口针孔/光阑镜片：kb、wolter、超环面镜… … 毛细管：玻璃毛细管、金属镀层毛细管复折射镜：抛物面crl、菲涅尔crl、马赛克crl、… … 晶体光栅多层膜波带片多层膜的原理和工艺一般来说，反射型镜片存在“掠射角小、反射率低”的问题。而多层膜镜片则是通过构建多个反射界面和周期，并使反射界面等周期重复排列，相邻界面上的反射线有相同的相位差，就会发生干涉，如果相位差刚好为2pi的整数倍，则会干涉相长，得到强反射线。从布拉格公式可以看出：多层膜就是通过对d值的控制，来实现波长选择的人工晶体。而在工艺实现方面，目前制备x射线多层膜镜的主要工艺有：磁控溅射、电子束蒸镀、离子束蒸镀。一般使用较多的是磁控溅射或离子束镀膜工艺，即在基板上交替沉积金属和非金属层，通过选择材料，控制镀膜的厚度及周期的选定，实现对硬x射线到真空紫外波段的光的调制。上图为来自德国incoatec的四靶材磁控溅射镀膜系统。可实现多种膜系组合的高精度镀膜。[la/b4c]40 多层膜b-kα（183ev）用多层膜，d：10nm单层膜厚：1-10nm0.x nm的镀膜精度tem: 完美的镀层界面frank hertlein, a.e.m. 2008上图为40层la-b4c多层膜的剖面透射电镜图像和选区电子衍射，弥散的衍射环说明膜层是非晶结构。同时可以明显看到：周期为10nm的膜层界面非常清晰和规则。这套镀膜系统可获得0.x nm的镀膜精度。多层膜的特点示例—单色和塑形多层膜最显著的特点和优势在于可以通过基底的面型控制和镀层的膜厚控制，将x光的塑形和单色统一起来。当然，这是以精度极高的镀膜工艺为前提。下图的数据展示了进行梯度渐变镀膜时，从镜片一端到另一端镀膜的周期设计数值 vs. 实际工艺水平。可以看到：长度为150mm的基底上，单层镀膜膜厚需要控制在3.8-5.7nm，公差需要在1%以内。相当于在1500公里的长度上，厚度起伏要控制mm水平。这是非常惊人的原子层级的工艺水平。frank hertlein, a.e.m. 2008通过面型控制来实线x射线的塑形；通过极高精度的膜厚控制实现2d值渐变—继而实现单色；0.x nm尺度的镀膜误差——需要具备原子层级的工艺水平！多层膜的特点示例—带宽和反射率除了可以通过曲面基底和梯度镀膜实现对x光的塑形和单色，还可通过对膜层材料、膜厚、镀膜层数等参数的设计和控制，来实现带宽和反射率的灵活调整。如窄带宽的高分辨多层膜，以及宽带宽的高积分反射率多层膜。要实现高分辨：首先要选择对比度较低的镀膜材料，如be、c、b4c、或al2o3；其次减小膜的厚度，多层膜的厚度降为10~20å；最后增加镀膜层数，几百甚至上千。from c. morawe, esrf多层膜的特点示例—和现有器件的高度兼容左侧: [ru/c]100, d = 4 nm r 80% for 10 e 22 kev中间: si111 δorientation0.01°右侧: [w/si]100, d = 3 nm r 80% for 22 e 45 kevdcmm at sls, switzerland, m. stampanoni精密、灵活的膜层设计和镀膜控制镀膜材料的组合搭配；d/2d值的设计和控制；带宽和反射率的灵活调整。和现有器件的高度兼容多层膜主流应用方向目前，多层膜的主流应用方向和场景主要有：粉末、x射线荧光、单晶衍射以及同步辐射的单色、衍射、散射装置搭建。粉末衍射x射线荧光单晶衍射同步辐射基于dac的原位高压静态x射线衍射典型的静高压研究中，常利用金刚石对顶砧来获得一些极端条件。在极端的高压、高温下，利用x射线来诊断新的物相及其演化过程是重要的研究手段。x-ray probe利用金刚石对顶砧可以获得极端条件(数百gpa, 几千°c) 利用x射线探针来诊断和发现新物相；由于对x光源、探测器以及实验技术等方面的苛刻要求，尤其是需要将微束的x光，精准的穿过样品而不打到封垫上。长期以来，基于dac的x射线高压衍射实验只能在同步辐射实现。但同步辐射有限的机时根本无法满足庞大的用户需求。不能在实验室进行基于dac的x射线高压衍射实验和样品筛选，一直是广大高压科研群高压衍射实验室体的一大痛点。以多层膜镀膜工艺为技术核心，将多层膜镜片与微焦点x光源耦合，我们可以为科研用户提供单能微焦斑x射线源，使得在实验室实现高压衍射成为可能。下图是利用mo靶（左）和ag靶（右）单能微焦斑x射线源获得的dac加载下的lab6样品的衍射图。曝光时间300s，探测器为ip板，样品和ip板距离为200mm。可以看到：300s曝光获得的衍射数据质量是可接受的。特别地，对于银靶，由于其能量更高，可以压缩倒易空间，在固定的2thelta角范围内，可以获得更多的衍射信息，这对于很多基于dac的静高压应用来说非常有吸引力。dac加载下的lab6样品的衍射数据：多层膜耦合mo靶（左）和ag靶（右）曝光时间300s，探测器为ip板，样品和ip板距离为200mmbernd hasse, proc. of spie vol. 7448, 2009 (doi: 10.1117/12.824855)基于激光驱动超快x射线衍射在利用激光驱动的x射线脉冲进行超快时间分辨研究中，泵浦探针是常用的技术手段。脉宽为几十飞秒的入射激光经分束后，一路用于激发超快x射线脉冲，也就是探针光；另一路经倍频晶体倍频作为泵浦光。通过延时台的调节，控制泵浦激光和x射线探针到达样品的时间间隔，可实现亚皮秒量级时间分辨的测量。而在基于激光驱动的超快x射线衍射实验中，如何提升样品端的光通量？如何获得低发散角的单色光束？如何抑制飞秒脉冲的时间展宽？如何同时兼顾以上的实验要求？都是需要考虑的问题。很多时候还需要兼顾多个技术指标，所以我们非常有必要对各类光学组件和x射线飞秒脉冲源的耦合效果和特点有一个比较清晰的认知。四种光学组件和激光驱动x射线源的耦合效果对比首先我们先对弯晶、多层膜镜、多毛细管和单毛细管四种组件的聚焦效果有个直观的了解。以下是将四种光学组件和激光驱动飞秒x射线源耦合，然后进行了对比。四种光学组件在聚焦和离焦位置的光斑：激光参数：800nm/1khz/5mj/45fs源尺寸：10um 打靶产额：4*109 photons/s/sr这是四种组件的理论放大倍率和实测聚焦光斑的对比。可以看到：弯晶和多层膜的工艺控制精度很高，实测光斑和理论值比较接近。而毛细管的大光斑并不是工艺精度的误差，而是反射型器件的色差导致的，不同能量的光都会对聚焦光斑有贡献，导致光斑较大。而各种组件的工艺误差，导致的强度不均匀分布，则是在离焦位置处的光斑中得到较为明显的体现。ge(444)双曲弯晶多层膜镜片单毛细管多毛细管放大倍率1270.7收集立体角 (sr)+---++反射率--+++-有效立体角 (sr)---+++1维会聚角 (deg)+---++耦合输出通量(ph/s)---+++聚焦尺寸 (μm)2332155105光谱纯度好好差差时间展宽 (fs)++++--激光参数：800nm/1khz/5mj/45fs打靶产额：4*109 photons/s/sr等级: ++ + - --利用针孔+sdd，在单光子条件下，测量有无光学组件时的强度和能谱，可以推演出相应的技术参数。这里我们直接给出了核心参数的总结对比。其中，大多数用户最为关注，同时也是对于实验最为重要的，主要是有效立体角、输出光通量、光谱纯度和时间展宽。可以看到：典型的有效收集立体角在-4、-5sr的水平，而在样品上的输出光通量在5-6次方每秒这样的水平。但是需要指出的是：毛细管并不具备单色的能力，虽然有效立体角大，但输出的是复色光。对于时间展宽的比较，很难通过实验手段获得测量精度在几十到百飞秒水平的结果，所以主要通过理论分析和计算来获得。对于同为衍射型组件的ge(444)双曲弯晶和多层膜镜片，光程差引入项主要是x光在组件内的贯穿深度。对于ge(444)，8kev对应的布拉格角约为70度，x光的衰减长度约为28um，对应的时间展宽约90fs。对于多层膜镜片，因为它属于掠入射型的衍射组件，x光的衰减长度在um量级，对应的时间展宽甚至可以到10fs水平，因此这里的数据相对比较保守的。而对于毛细管这种反射型器件，光程差引入项主要是毛细管的长度差。对于单毛细管，光程差在10fs水平，对于多毛细管，位于中心区域和边缘的子毛细管长度是有较大的差异的，光程差可达ps水平。小结1. 弯晶：单色性好、时间展宽较小、有效立体角小、输出通量低；2. 多层膜：单色性好、时间展宽较小、有效立体角大、kα输出通量高；3. 单毛细管：复色、时间展宽很小、有效立体角大、复色光通量高；4. 多毛细管：复色、时间展宽较大、有效立体角最大、复色光通量最高。每一种光学组件都有其适用的场景，对于非单色的超快应用，如超快荧光、吸收谱，毛细管可能更为合适，而对于追求单色的超快应用，如超快衍射，多层膜是比较好的选择，兼顾了单色性、时间展宽和有效立体角（输出通量）三个核心指标！如果您有任何问题，欢迎联系我们进行交流和探讨。北京众星联恒科技有限公司致力于为广大科研用户提供专业的x射线产品及解决方案服务！

为满足半导体设备客户的需求，中科院射频电源组(www.rf-power.net)经过2个月的设计研发，于2013年3月正式推出固态RFG-2000高端型射频电源(3U风冷系列)，此型号适用于大腔室刻蚀等半导体设备。此型号带有RS232/RS485/USB通讯协议，模拟口通讯，脉冲调制，相位同步与移相等功能。固态RFG-2000高端型射频电源(3U风冷系列)　　中国科学院微电子所射频电源(RF Generator)课题组从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功500W-10KW电子管射频电源，获得“ 六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。　　从2010年开始在极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)项目资金支持下，研发晶体管射频电源(13.56MHz)，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源，获得第七届国际发明展览会银奖。　　经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全, 目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。　　年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。　　目前射频电源组，实行组长负责制，下设三个部门：产品研发部，产品生产部，产品推广与售后服务部。　　产品研发部：实行部长负责制，有专业研发人员7人，其中硕士及以上比例100%，具有教授级职称2人，具有博士学历3人，从清华大学，中科院电工所，中国科学技术大学引进资深射频技术与自动控制专家3人，目前已建立起一支由高级研发顾问领导的国际化研发人才团队。　　产品生产部：实行部长负责制，有专业技术工程师17人，具有500平方专业射频电源生产与测试车间(可以进行ESD，EMC等测试)，年生产能力达3000台套，库房常年备有库存，可保证给客户随时发货。　　产品推广与售后服务部：实行部长负责制，有专业推广销售人员4人，专业售后服务人员2人，其中硕士及以上比例100%。　　射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，射频感应加热，医疗领域的消毒与理疗美容，常压等离子体消毒清洗等领域。　　中国科学院微电子研究所射频电源组网址：www.rf-power.net

近年来我国各级医院都在努力通过改造医院软硬件条件，不断更新医疗诊断设备以提高提高医疗服务收入，因此对质量好、多功能的大中型器械医疗设备的需求也在持续增长。根据驰昂咨询(Sinotes)最新统计数据显示，2012年我国医用射频与核磁仪器市场规模达119.8亿元人民币，同比增长21.1%。　　 图1. 2007至2012年我国医用射频与核磁仪器市场规模与增长　　射频与核磁仪器主要包括X射线设备、CT设备、MRI设备等。X射线设备由于市场普及度较高，在射频与核磁仪器市场上占有较大比重，而CT及MRI设备则是增长较快的射频与核磁仪器类别。　　 图2. 2012年我国医用射频与核磁仪器市场份额

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。

p style="text-indent: 2em text-align: justify line-height: 1.5em "近日，《质谱学报》出版了由复旦大学杨芃原教授组织，全国多家质谱研制相关课题组参与撰写的“质谱仪器研制专辑”，专辑主要包含四极杆的离子光学和串联振荡技术 四极杆的导向装置、四极杆质量分辨自动调节技术、三重四极杆仪器开发平台以及三重四极杆质谱分析软件等硬软件技术 双线形离子阱间离子传输技术和静电轨道离子阱离子切向引入技术 小型飞行时间质谱和离子束诊断飞行时间质谱 复合离子源技术和激光后电离技术 以及集成了质谱技术的超宽波段光解离光谱系统和调控纳微尺度分子组装装置的研制等内容。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em "　　仪器信息网授权对本专辑内容进行转载，以下为系列分享第二期，题为“strong用于低质荷比离子传输的射频四极杆导向装置的研制”/strong的文章，作者贺飞耀，通讯作者为四川大学段忆翔教授。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em "　　段忆翔教授，博士生导师，现任四川大学分析仪器研究中心主任，是四川大学分析仪器研究中心的创始人。科技部重大科学仪器设备开发专项项目负责人。自2010年8月回国至今，开发研制了系列激光诱导击穿光谱仪，基于等离子体的便携式光谱仪，质子转移反应质谱仪，离子迁移谱仪等多种分析测试仪器，已申请专利共计80余项，发表SCI论文200余篇。作为项目负责人承担多个国家、省部各种项目。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em "　　其课题组主要的研究方向有： 新型质谱离子源与质谱技术、激光光谱分析技术、新型生物传感器及光纤传感技术、创新型分析仪器的研发等。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em "　　离子传输系统是质谱仪的重要组成部分，主要作用是将离子高效率地传输到质量分析器。文章介绍课题组研制了一种用于质子转移反应飞行时间质谱（PTR-TOF-MS）系统的射频四极杆离子导向装置，四极杆长80mm，杆半径2.6mm，内切圆半径2.25mm，该装置可针对性地实现低质荷比挥发性有机化合物（VOC）离子的聚焦传输。利用SIMION8.1离子光学模拟平台对装置的运行环境进行仿真，然后在自行搭建的测试平台上对装置的工作条件，如气压、频率和电压幅值进行测试。结果表明，仿真和测试结果具有较好的一致性，装置的工作气压范围较宽，在0.2-0.3Pa时的传输效率最高；当频率为3-4MHz，电压幅值（Vp-p）为500V左右时，对丙酮、甲苯等低质荷比VOCs（ m/z 100）的传输效率接近76%，且离子束直径≤0.7mm。该装置结构简单、成本低、传输效率高，具有潜在的实用价值，有望应用于PTR-TOF MS系统。/pp style="text-align: justify line-height: 1.5em text-indent: 2em "以下为全文：/pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/55294ba3-ee3b-4a51-81b4-b3374bbcc574.jpg" title="2-1.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/356e51c7-46c5-4f46-8b8a-736f2d0b82f9.jpg" title="2-2.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/e67497d5-d30a-4397-bd61-d9d94f224799.jpg" title="2-3.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/9ab83c14-288b-4340-af4f-8777b1bfc213.jpg" title="2-4.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/81272aa9-5927-41fa-859d-e931819754da.jpg" title="2-5.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/2bb18278-c628-4143-a84c-4b8d6e5caf15.jpg" title="2-6.png"//pp style="text-align: center"img style="" src="https://img1.17img.cn/17img/images/202003/uepic/78d1ba65-cb14-452c-90a7-bcf34602c317.jpg" title="2-7.png"//pp style="text-align: right "span style="font-size: 18px "strong来源：《质谱学报》/strong/spanbr//p

科学仪器是科技创新的重要基础和保障，也是创新研究成果的重要产出形式之一，标志着国家创新能力和科学技术可持续发展的水平。然而，目前我国大部分的科学仪器依赖进口，高端仪器和核心部件往往受制于人。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标》中明确要求要“加强高端科研仪器设备研发制造”。中国科学院作为国家战略科技力量，是我国开展科学仪器创新研制的主力之一，从“八五”期间开始设立“科学仪器设备升级改造和自主研制”专项。通过长期坚持高端科学仪器的自主创新研制，中国科学院取得了一系列重要成果，积累了一批关键核心技术，产出了一批具有知识产权的科学仪器设备。自2019年起，中国科学院系统梳理了具有自主知识产权的仪器设备和关键零部件，编制《中国科学院自主研制科学仪器产品名录》，并通过《中国科学院院刊》出版和传播，进一步加强中国科学院自主研制科学仪器的推广和应用。本文特汇总了2019至2022年度《中国科学院自主研制科学仪器产品名录》，供科技工作者、相关部门和企业等了解和参考。2019-2022年度中国科学院自主研制科学仪器产品名录中国科学院自主研制科学仪器2022序号产品名称数理与天文科学1量子钻石原子力显微镜2低温扫描隧道显微镜3低温扫描隧道显微镜-分子束外延联合系统4低温强磁场用扫描探针显微镜5金刚石量子计算教学机6钨灯丝扫描电子显微镜7脉冲式电子顺磁共振谱仪8氦质谱检漏仪9便携式伽玛射线成像仪10便携式核素识别仪1110拍瓦超强超短激光器121拍瓦超强超短激光器13中子斩波器14大型平行光管15核与辐射应急车载平台16激光雷达望远镜171米口径光学望远镜18大口径标准镜面1920英寸大面积微通道板型光电倍增管20超快位敏型微通道板型光电倍增管21靶斑仪22多波长飞秒全固态激光器23高重频钛宝石飞秒激光放大器24氟化钡闪烁晶体探测器25星载铷原子钟26芯片原子钟27显微共焦拉曼荧光光谱测量模块28有机玻璃内应力无损定量移动式检测装置29同步控制系统30太阳辐照度绝对辐射计化学与材料科学31分子束外延系统32深紫外激光光致发光光谱仪33深紫外激光光发射电子显微镜34场发射扫描电子显微镜35原子层沉积系统36磁控溅射台37电子束蒸发镀膜设备38系列高离化磁控溅射镀膜仪39碳化硅晶体生长炉40等离子体化学气相沉积镀膜设备41有机、无机薄膜沉积设备42台式电子顺磁共振波谱仪43X波段连续波/W波段脉冲电子顺磁共振波谱仪44全自动比表面及孔径分析仪45微型流化床反应动力学分析仪46多功能内耗仪47多相流非均相特性测量系统48光谱椭圆偏振仪49激光共聚焦法流体液膜厚度及物性测量仪50高能衍射仪51多维跨尺度材料热性能测量仪52微颗粒实时在线监测仪5380-400开尔文低温绝热量热仪54实验室中能X射线吸收谱仪55偏振光栅光刻机56台式数字光刻机57蒸发源及控制器58射频电源59分子泵60双级高速离心式空气压缩机信息与工程科学61X射线三维分层成像仪62红外焦平面探测器测试分析系统63投影光刻机64接触式曝光机系列65大视场三线阵立体航测相机66傅里叶变换红外光谱辐射分析仪67激光干涉仪68衍射光栅（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）69超高分辨率超声缺陷检测设备70高密度等离子体刻蚀机71高精度电光晶体定向仪72超高精度面形干涉测量设备73智能环形抛光机74纤维增强复合材料超快激光切割装备75万瓦级半导体激光器综合测试系统76单频激光噪声测试仪77相干光场波前测量仪78长焦可见光/红外共口径光学成像相机79显微红外成像光谱仪80机载双频激光雷达81激光跟踪仪82卫星移动通信终端综合测试仪83光矢量网络分析仪84数字延时脉冲发生器85系列深紫外准分子激光器86高温液态金属流速实时在线监测仪87集束型纳米薄膜生长系统88涡轮叶片表面温度测量仪89线阵列X射线探测器90中红外锑化物大功率激光器地球与环境科学91地面电磁探测系统92小型绝对重力仪93近钻头方位伽马成像地质导向系统94分布式光纤声传感系统95偶极横波远探测井仪96高精度光纤地震采集系统97岩石空心圆柱扭剪试验系统98天光背景测量仪99质子转移反应质谱仪100大气臭氧观测激光雷达101便携式多组份气体紫外分析仪102车载双光路污染气体分布及网格化排放遥测系统103大气成分差分光学吸收光谱在线监测系统104轨道对地高时空分辨率快速成像仪105大动态范围积分球辐射源106温室气体柱总量地基观测系统107宽波段可调谐光腔衰荡光谱仪108激光散射大气颗粒物偏振浊度计109高频单颗粒偏光粒径谱仪110深海激光拉曼光谱原位定量探测系统111声学多普勒流速剖面仪112基于大型浮标的自由伸缩式海洋剖面观测平台113三锚式浮标综合观测平台114深海海底理化环境长期观测系统115深海多参数剖面观测浮标116海底地震仪117船载挥发性有机物监测仪118系列拉曼光谱探针1196000米级可视化可控轻型柱状取样器120漫反射标准参照板生命与医学科学121人体肺部气体磁共振成像仪1221.5T无液氦超导磁共振成像系统123乳腺/灵长类正电子发射断层成像仪124小动物能谱显微CT125消毒防疫机器人126全自动数字PCR检测系统127自动化核酸快速提取仪128固态纳米孔制备仪129流式光片成像仪130全光谱荧光活体成像系统131高等级生物安全活体荧光成像系统132小动物活体荧光成像系统133多模态结构光超分辨显微镜134冷冻三维结构光照明显微镜135STED超分辨光学显微镜136激光扫描共聚焦显微镜137多脑区双光子显微成像系统138大视场高分辨光层析显微镜139光片显微镜140超广角共焦激光造影仪141数字眼底成像仪142共聚焦显微内窥镜143光电同步脑功能检测系统144超声内窥镜145伽玛射线成像仪146毒品快速检测仪147个人辐射报警仪148高精度高稳定性柔性电容式触觉传感器149微型高频超声换能器150硅神经微电极中国科学院自主研制科学仪器2021序号名称数理与天文科学1低温扫描隧道显微镜-分子束外延联合系统/变温扫描隧道显微镜系统2低温扫描隧道显微镜3高通量激光分子束外延-低温扫描隧道显微镜联合系统4无液氦（干式）超导磁体原子分辨扫描隧道显微镜、磁力显微镜5时间分辨超快透射电子显微镜系统6显微共焦拉曼荧光光谱测量模块7激光测距测控一体机8大功率中红外激光器9短波连续紫外激光器101 PW超强超短激光器1110 PW超强超短激光器12高重频钛宝石飞秒激光放大器13多波长飞秒全固态激光器14超窄线宽稳频激光系统15大功率红绿蓝单频激光器16大型平行光管17软X射线分幅相机18皮秒条纹相机19系列条纹相机20靶斑仪21系列氦质谱检漏仪22大口径高结构刚度碳化硅反射镜23高精度复杂曲面智能光学加工系统241.2 m望远镜激光测月系统251 m口径光学望远镜26400 mm口径光学望远镜27激光雷达望远镜28大口径标准镜面29高精度光学镜面30中子斩波器31超精密纳米压电位移台32VLBI数据采集系统33图像增强型镜头模块34单频激光噪声测试仪35量子态控制与读出系统36脉冲式电子顺磁共振谱仪37全光驱动高能电子束38被动型星载氢原子钟39星载铷原子钟40芯片原子钟41时间服务器42RNSS授时型接收机43授时信号模拟器44标准时间复现设备45网络精密时间服务器46NTSC高精度光纤时间频率传递设备47共视远程比对测量仪48宽带数字化脉冲星终端49皮秒高压脉冲源50太赫兹超导探测器芯片系列51超导纳米线单光子探测系统52硅探测器53CsI（Tl）闪烁晶体探头54翠鸟新型锁相放大器55旗形光学面形仪56便携式伽玛射线成像仪57伽玛射线成像仪58便携式核素识别仪59个人辐射报警仪60紫外日盲型光电倍增管61快响应光电倍增管/微通道板型光电倍增管62磁通门磁强计化学与材料科学63场发射枪扫描电子显微镜64基于可调谐深紫外激光光源的近常压光发射电子显微镜65深紫外激光光发射电子显微镜66二阶非线性光学测试仪67膜乳化器系列设备68冷喷涂设备69热丝法化学气相沉积设备70集束型纳米薄膜生长系统71磁控溅射台72原子层沉积系统73碳化硅晶体生长炉74高能衍射仪75分子束外延系统76等离子体化学气相沉积镀膜设备77蒸发镀膜设备78掠角入射沉积电子束蒸发设备79有机薄膜太阳能电池/OLED沉积设备80蒸发源及控制器81400-600 MHz高场磁共振波谱仪82深紫外/红外离子化质谱光谱仪83高灵敏在线光电离飞行时间质谱仪84皮秒单光子发光光谱仪85中性团簇红外光谱装置86交叉分子束-里德堡态氢原子飞行时间谱装置87紫外-可见区激光三联拉曼光谱仪88复杂环境气敏传感器测试系统89源表级多通道气体敏感测试平台90多相反应器内非均相流动特性测量系统91多相反应器内非均相混合特性测量系统92多功能内耗仪93多维跨尺度材料热性能测量仪94仪器分子泵95系列磁悬浮分子泵96中子分析用高温炉97微颗粒实时在线监测仪98激光共聚焦法流体液膜厚度及物性测量仪99分子吸附动力学原位测试系统100便携式离子阱颗粒质谱101单纵模纳秒脉冲光参量振荡器102程序升温脱附系统103流通池荧光检测器104离子阱毒品现场鉴别仪105便携式、台式爆炸物、毒品痕量检测仪信息与工程科学106激光闪光光谱仪（纳秒瞬态光谱仪）107系列化深紫外全固态激光器108大能量飞秒光纤激光器109超快激光精密加工设备110实时高速视觉系统111600 mm激光干涉仪（含拼接装置）112平面激光干涉仪113激光模拟单粒子效应测试系统114激光模拟剂量率测试系统115光刻机系列116高密度等离子体刻蚀机117深紫外准分子激光器系列产品118激光划片机119高速高精密激光调阻机120机载双频激光雷达121任意序列发生器122双光子3D打印系统123光栅系列（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）124高性能光学滤光片系列（荧光滤光片、诱导透射滤光片等）125绝对式光栅尺126镜面偏心间隔一体化检测系统127高通量智能音视频处理一体机128智能环形抛光机129系列真空泵130毫米波人体成像安全检查设备131LIBS元素成分非接触式快速分析仪132线阵列X射线探测器133双通道辐射剂量检测与连锁控制器134多维步态测试系统135微小部件高速高精度自动分拣装备136相干光场波前测量仪137高精度电光晶体定向仪138发动机内窥光纤火焰传感器139柔性力敏传感器140超高精度压力传感器141微型电场传感器142半导体泵浦激光放大器143光电放大器144超级基站145卫星移动通信终端综合测试仪146高温超导接收前端147空间环境模拟设备148交会灯 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性快检仪243单细胞拉曼分选-测序耦合系统244单细胞物理/化学特性高通量检测分析仪245单细胞分选仪246细胞三维培养系统247流式细胞仪248数字PCR仪249核磁共振微成像仪250超微量DNA自动提取检测工作站251全自动干细胞诱导培养设备252自适应光学视网膜成像仪253三维实时在体神经功能回路成像系统254毫米波人体成像安全检查设备255膜乳化器系列设备256三重四极杆质谱仪257生物分子界面分析仪258全自动、高分辨率、高通量植物真三维影像分析系统259生物结构真三维形态图像快速获取与定量分析仪260浮游动物原位探测超分辨三维成像系统261离子束生物工程装置262无需麻醉小动物活体发光快速检测系统263基于低频振荡的微点阵阵列/图案化制备仪器系统264黄曲霉毒素荧光检测器265消毒防疫机器人266触角电位测量系统267单粒种子品质智能化无损通量检测分选仪器268硅神经微电极269共聚焦显微内窥镜270微型高频超声换能器271平场复消色差显微物镜272科研型-光镊微操作仪273消色差全内反射荧光照明器274在线OD测量仪275两虫样品预处理仪中国科学院自主研制科学仪器2019序号名称数理与天文科学1GNSS无线电掩星探测仪2热等离子体探测器3深紫外激光光致发光光谱仪4深紫外激光光发射电子显微镜5等离子体分析仪6朗缪尔探针7靶斑仪8星载铷原子钟9星载高能质子（电子）探测器10超高真空低温扫描隧道显微镜11超窄线宽稳频激光系统12卫星高度计有源定标器13天顶仪14星载粒子辐射剂量仪15高重频钛宝石飞秒激光放大器16超导纳米线单光子探测系统17太赫兹超导探测器芯片系列18高温超导接收前端19单频激光噪声测试仪20时间服务器21扫描探针显微镜22量子态控制与读出系统23磁通门磁强计24高重复率距离门控产生器（RGG）25中红外锑化物大功率激光器26复现高超声速飞行条件激波风洞271PW超强超短激光系统2810PW超强超短激光器29中红外可调谐飞秒激光器30全光驱动高能电子束31全光驱动的团簇聚变中子源32高通量激光分子束外延-低温扫描隧道显微镜联合系统33超高真空扫描探针显微镜系统化学与材料科学34深紫外/红外离子化质谱光谱仪35脉冲式电子顺磁共振谱仪36膜乳化器系列设备37400-600MHz高场磁共振波谱仪38分子束外延系统39紫外-可见区激光三联拉曼光谱仪40高能脉冲磁控溅射（HiPIMS）镀膜机41质子转移反应质谱仪42双光子显微镜43在线飞行时间质谱仪44OLED有机薄膜太阳能电池沉积设备45元素分布成像快速检测装置46开放光路面源排放VOCs气体分析仪47傅里叶红外多组分气体分析仪48场发射枪扫描电子显微镜49离子阱颗粒质谱装置50荧光相关光谱仪51碳化硅晶体生长炉52多功能内耗仪53声表面波气相色谱仪54多元素重金属在线分析仪55TVP远心/光纤照相多相测量仪56便携式、台式爆炸物毒品痕量检测仪57高能衍射仪58蒸发源及控制器59燃气分析仪60焚烧烟气二噁英等速采样仪61源表级多通道气体敏感测试平台62ZJ系列准静态d33测量仪63磁控溅射卷绕镀膜设备信息与工程科学64机载双频激光雷达65系列化深紫外全固态激光器66超导磁选机67三维X射线晶圆级封装计量系统68原子层沉积系69多自由度精密工件台系列70高低温空间环境模拟真空设备71伽玛射线成像仪72光刻机系列73高密度激光改性系统74基于SEM的nano-CT系统75高密度等离子体刻蚀机76多维跨尺度材料热性能分析仪77连续波速调管78电子束蒸发系统79磁控溅射台80皮秒条纹相机81涡轮叶片表面温度测量仪82等离子体化学气相沉积镀膜设备83可见与红外光轴平行度检测仪84小型电子束曝光系统85高速数据采集板86激光闪光光谱仪（纳秒瞬态光谱仪）87自适应光纤耦合装置及扩束系统88定容管活塞式油气水多相流量计89高速多参数自动筛选机90高速并行超声信号系统91超声剪切波弹性成像仪器92高压脉冲源93二阶非线性光学测试仪94真空部件95平面激光干涉仪96KBBF-PCD器件97多通道颗粒浓度速度测量仪98任意序列发生器99光栅系列（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）100超声风速温度仪101多维力/力矩传感器102微型超声换能器103感应式磁场传感器104大面积微通道板型光电倍增管105激光功率能量计106双光子3D打印系统107高通量智能音视频处理一体机地球与环境科学108深海海底理化环境长期观测系统109水声试验用拖曳细长线列阵1106000m级可视化可控轻型柱状取样器111深海激光拉曼光谱原位定量探测系统112深海多参数剖面观测浮标113超导重力仪114原子绝对重力仪115地面电磁探测系统116昼夜大气相干长度仪117水质监测水面机器人118陆地-大气界面气体交换通量全自动观测系统119探地雷达120大气成分差分光学吸收光谱（DOAS）在线监测系统121太阳辐射计122基于ROV的小型钻机123海底地震仪124系列化拉曼光谱探针125全天空云图仪126水面艇用小型多普勒计程仪127红外云天仪128ROV温度梯度传感器129基于ROV的小型抓斗130深海原位水体采样装置131二噁英大气采样仪132大气臭氧探空仪133生物耗氧量在线分析仪生命与医学科学134小动物光学多模融合分子影像成像设备1353.0T人体磁共振成像系统136肺部气体磁共振成像系统137乳腺PET/灵长类PET138四维在体光学投影断层成像系统139基于介质微球透镜的近场光学超分辨显微镜140全自动干细胞诱导培养设备141自适应光学视网膜成像仪142STED超分辨光学显微镜143超微量DNA自动提取检测工作站144三维实时在体神经功能回路成像系统145小动物光学和光声断层多模融合分子影像设备146毫米波人体成像安全检查设备147单细胞拉曼分选及测序耦合系统148小动物在体自发荧光断层分子影像仪器设备149临床单细胞拉曼耐药性快检仪150TIRF单分子显微镜151激光扫描共聚焦显微镜152数字PCR仪153糖尿病早期无创检测系统154科研型-光镊微操作仪155流式细胞仪156智能化蛋白层析系统157黄曲霉毒素荧光检测器158人体多生理参数检测系统

近日，国家药品监督管理局经审查，批准了上海微创电生理医疗科技股份有限公司生产的“一次性使用压力监测磁定位射频消融导管”创新产品注册申请。该产品由射频消融导管、连接尾线和尾线连接盒组成。其中导管主体包含高扭矩管身和可弯曲的头部，头部装有铂铱电极，1个头端电极和3个环形电极。该产品在医疗机构中与上海微创电生理医疗科技股份有限公司生产的三维心脏电生理标测系统和心脏射频消融仪配合使用，用于药物难治性、复发性、症状性阵发性房颤的治疗。该产品采用了基于应变片原理压力传感技术、磁场定位技术、头端多孔盐水灌注技术与三维电生理标测系统，可为房颤患者的治疗提供整体解决方案，是国产首个具有压力感知功能的心脏射频消融导管。与传统心脏类射频消融导管相比，该产品可以实时测量导管头端和心壁之间触点压力值，更好的辅助术者完成手术，有效防止术中导管与组织贴靠力过大造成蒸汽爆裂或过小引起消融不完全，可缩短医生学习曲线，达到更优的远期治疗成功率。该产品获批上市有利于该技术的临床应用推广和降低临床治疗费用，使更多房颤患者受益。药品监督管理部门将加强该产品上市后监管，保护患者用械安全。

尊敬的用户： 您好！感谢您一直以来对HORIBA的支持和关注。 射频辉光放光谱仪（GD-OES）是一款适用于材料表面分析和镀层界面元素分析的工具，它正被广泛应用于半导体、陶瓷/玻璃、镀膜钢铁、薄膜和粉末等样品的测试。 为了帮助HORIBA各系列GD-OES的用户提高仪器操作水平以及理论水平，以充分发挥仪器的性能，我公司将举办为期三天的GD-OES应用技术培训班。欢迎有培训需要的用户积报名。 主 办：HORIBA Scientific（Jobin Yvon光谱技术）培训时间：2013年11月20 日-22日培训地点：HORIBA Scientific上海应用中心 （上海市天山西路1068号联强国际广场A栋1层D单元，近2号线淞虹路地铁站）培训对象：HORIBA射频辉光放电光谱仪用户主 讲：Celia Olivero（法国应用实验室经理）、余卫华、武艳红（应用工程师）培训安排： 培训费用：1、1600元/人（保修期内可提供2人/次免费培训），请于11月12日前将费用转至HORIBA公司账户并予以确认。2、培训期间，我们将为您免费提供午餐，住宿、差旅等费用需贵单位自理。报名联系：联 系 人：Ms. Shen （沈小姐） 电 话：021-62896060-161 邮 箱：yilei.shen@horiba.com报名截止：2013年11月12日账户信息：公司名称：堀场（中国）贸易有限公司开户行：三菱东京日联银行（中国）有限公司上海分行账号：404029-00000308854（人民币） 关注我们：邮箱：info-sci.cn@horiba.com新浪官方微博：HORIBA Scientific微信二维码：

一、项目基本情况1、项目编号：豫财招标采购-2023-12202、项目名称：河南省科学院中原量子谷仪器共享中心四期建设项目3、采购方式：公开招标4、预算金额：29,311,200.00元最高限价：29311200元序号包号包名称包预算（元）包最高限价（元）1豫政采(2)20231986-1包1：X射线光电子能谱仪644000064400002豫政采(2)20231986-2包2：X射线粉末射仪（落地式）、电子顺磁共振波谱仪、磁控溅射镀膜系统、热蒸发镀膜仪、电化学工作站953120095312003豫政采(2)20231986-3包3：有机元素分析仪、傅里叶变换红外光谱仪、瞬态稳态荧光光谱仪、原子力显微镜616400061640004豫政采(2)20231986-4包4：电感耦合等离子体发射光谱仪、拉曼光谱仪、高级流变仪拓展系统、形状测量激光显微系统、圆二色谱仪717600071760005、采购需求（包括但不限于标的的名称、数量、简要技术需求或服务要求等）5.1项目地点：郑州（采购方指定地点）5.2招标范围：河南省科学院中原量子谷仪器共享中心四期建设项目：包含X射线光电子能谱仪、X射线粉末射仪（落地式）、电子顺磁共振波谱仪、磁控溅射镀膜系统、热蒸发镀膜仪、电化学工作站、有机元素分析仪、傅里叶变换红外光谱仪、瞬态/稳态荧光光谱仪、原子力显微镜、电感耦合等离子体发射光谱仪、拉曼光谱仪、高级流变仪拓展系统、形状测量激光显微系统、圆二色谱仪等仪器配套设施的采购、安装、调试、验收及质保服务等工作。5.3标包划分：本招标项目共划分两个标包。5.4计划供货安装周期：包1：签订合同后240日历天内完成供货、安装；包2：签订合同后180日历天内完成供货、安装；包3：签订合同后180日历天内完成供货、安装；包4：签订合同后180日历天内完成供货、安装。5.5质量要求：合格，满足采购人要求。6、合同履行期限：详见招标文件要求。7、本项目是否接受联合体投标：否8、是否接受进口产品：是9、是否专门面向中小企业：否二、获取招标文件1.时间：2023年11月21日 至 2023年11月27日，每天上午00:00至12:00，下午12:00至23:59（北京时间，法定节假日除外。）2.地点：登录河南省公共资源交易中心（http://www.hnggzy.net）；3.方式：凭CA密钥市场主体登录并在规定时间内按网上提示下载招标文件及资料；投标人需要完成信息登记及CA数字证书办理，才能通过省公共资源交易平台参与交易活动，具体办理事宜请查询河南省公共资源交易中心网站-公共服务-办事指南-新交易平台使用手册（培训手册））。4.售价：0元三、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系1. 采购人信息名称：河南省科学院地址：郑州市郑东新区龙子湖湖心岛崇德街与明理路交叉口西南角联系人：何老师联系方式：0371-657200102.采购代理机构信息（如有）名称：河南豫信招标有限责任公司地址：郑州市郑东新区商务外环路3号中华大厦16、19层联系人：周圆芳 刘梦柯 李玉龙 张娜联系方式：0371-69092276/613119023.项目联系方式项目联系人：周圆芳 刘梦柯 李玉龙 张娜联系方式：0371-69092276/61311902

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗以及化合物半导体，如砷化镓等 也可以通过掺杂硼、磷、锢和锑制成其它化合物半导体。其中硅是最常用的一种半导体材料。　　半导体广泛应用于集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域。半导体领域的科技竞争对于世界各国而言都具有重要的战略意义。仪器信息网特对半导体领域国家重点实验室仪器配置情况进行盘点。　　半导体领域国家重点实验室有哪些?半导体领域国家重点实验室半导体国家重点实验室依托单位实验室主任半导体照明联合创新国家重点实验室半导体照明产业技术创新战略联盟李晋闽半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所王开友高功率半导体激光国家级重点实验室长春理工大学马晓辉电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学李言荣专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学严晓浪集成光电子学国家重点实验室清华大学、吉林大学、中国科学院半导体研究所罗毅硅材料国家重点实验室浙江大学钱国栋　　半导体照明联合创新国家重点实验室　　为培育战略性新兴产业，整合业内技术、人才、信息等资源，实现投入少、回报高、见效快的技术创新模式，提升我国半导体照明产业自主创新能力和速度，在科技部、财政部等六部门联合发布的《关于推动产业技术创新战略联盟构建的指导意见》指导下，根据科技部要求试点联盟积极探索整合资源，构建产业技术创新平台的精神，在基础司和政策法规司的共同推动下，于2012年1月正式批复依托半导体照明产业技术创新战略联盟建设半导体照明联合创新国家重点实验室。　　这是我国第一个依托联盟建立的国家重点实验室，是一个体制机制完全创新的公共研发平台，始终坚持以产业价值为核心价值的理念，以产业技术创新需求为基础，以完善技术创新链为目标，企业以项目资金投入，科研机构、大学和其他社会组织以研发人员和设备的使用权投入，充分利用和整合现有资源，探索形成多种形式的政产学研用协同创新模式，推动建立基础研究、应用研究、成果转化和产业化、先进技术标准研制紧密结合、协调发展机制探索持续性投入机制，逐步形成可持续发展的开放的、国际化的非营利研究实体，成为半导体照明的技术创新中心、人才培养中心、标准研制中心和产业化辐射中心。2013年1月实验室在荷兰设立其海外研发实体机构—“半导体照明联合创新国家重点实验室代尔夫特研究中心”，成为中国首个在海外建立分中心的国家重点实验室。半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置清单半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置五分类血液分析仪制备液相全自动生化分析仪激光共聚焦显微镜液相色谱/三重串联四极杆质谱联用系统分析液相圆二色谱仪LED照明灯具全部光通量在线加速测试设备部分光通量加速寿命在线测试评估系统高温试验箱LFC(LightFluxColor)光度色度测试系统半导体分立器件测试仪微波式打胶机化学清洗工作台感应耦合等离子刻蚀机ICP电子束蒸发台(金属)电子束蒸发台(ITO)电镀台快速合金炉石墨烯生长系统台阶仪激光晶圆划片设备裂片机激光剥离机键合机水平减薄机单面研磨机数控点胶机喷射式点胶机光学镀膜系统超声波金丝球压焊机LED全光功率测试系统LED自动分选机热特性测试设备半导体参数测试仪低温强磁场物性测试系统(EMMS)LED光电综合测试系统LED抗静电测试仪激光纳米粒度及Zeta电位测试仪LED照明产品光电热综合测试高频小信号测试系统紫外LED光谱功率测试系统手动共晶焊贴片机荧光光谱仪(PI)高速自动固晶机自动扩膜机全自动晶圆植球机倒装机高精度快速光谱辐射计近紫外-可见-红外光谱测试系统热电性能分析仪氢化物气相外延荧光光谱仪(PL)X射线衍射仪(XRD)扫描电子显微镜(SEM)手动共晶焊贴片机(UDB-141)激光晶圆划片设备电子束蒸发台(金属)等离子体增强化学气相沉积PECVD光刻机MOCVD数据定时脉冲发生器频谱分析仪光源光色电综合测试系统超声波扫描显微镜漏电流测试仪智能数字式灯头扭矩仪逻辑分析仪　　半导体超晶格国家重点实验室　　半导体超晶格国家重点实验室于1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建，1990年开始对外开放，1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为王开友研究员。实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。　　实验室以研究和探索半导体体系中的新现象和新效应为主要目标，通过对固体半导体中的电子、自旋和光子的调控，探索其在电子/自旋量子信息技术、光电子及光子器件中的潜在应用，从最基础的层面上提升我国电子、光电子、光子信息技术的创新能力，提升我国在半导体研究领域的国际竞争力。实验室先后有5位成长为中国科学院院士、12位成长为国家杰出青年基金获得者。为我国半导体科学技术的跨跃式发展做出重要贡献。　　实验室现有人员中包括研究员26人、高级工程师1人和管理人员1人，其中4位中国科学院院士、9位国家杰出青年基金获得者、3位优秀青年科学基金获得者、1位北京杰出青年基金获得者。　　自成立以来，实验室承担了近百个科技部、基金委和科学院的重大和重点项目，取得了可喜的科研成果，获得国家自然科学奖二等奖5项 黄昆先生获得2001年度国家最高科学技术奖。2004年半导体超晶格国家重点实验室被授予国家重点实验室计划先进集体称号。实验室具有良好的科研氛围、科研设备和环境条件，拥有雄厚的科研积累和奋发向上的科研团队，并多次获得国家自然基金委员会的创新研究群体科学基金。　　实验室每年可接收40名硕士、博士研究生和博士后。现有研究生和博士后100余人。　　*半导体超晶格国家重点实验室仪器配置情况未公布　　高功率半导体激光国家级重点实验室　　高功率半导体激光国家重点实验室成立于1997年，由原国防科工委和原兵器工业总公司投资建设，经过二十年的发展建设，实验室已经成为我国光电子领域的重要研究基地和人才培养基地之一。现有科研、办公面积3800平方米，超净实验室面积为1500平方米 生产开发平台面积为600平方米，其中超净实验室面积为200平方米。　　现有博士学位授权一级学科2个、硕士学位授权一级学科2个、国防特色学科1个、博士后科研流动站1个。实验室有研究人员36人，其中双聘院士1人、教授9人、副教授10人，博士生导师10人，科技部重点研发计划总体专家1人，国家奖评审专家1人，国防科学技术奖评审专家1人，吉林省长白山学者1人。实验室现有MBE、MOCVD等先进的半导体材料外延生长设备，SEM、XRD、PL等完善的材料分析检测手段，电子束蒸发、磁控溅射、芯片解理、贴片、激光焊接、平行封焊、综合测试等工艺设备，设备资产1.2亿元，为光电子领域的相关研究提供了一流的条件支撑。　　在半导体激光研究方向上，高功率半导体激光国家重点实验室代表着国家水平，研制的半导体激光器单管输出功率大于10瓦、光纤耦合模块大于100瓦、以及高频调制、脉冲输出等半导体激光器组件，技术处于国内领先水平 在基础研究领域，深入开展了GaSb材料的外延生长理论及技术研究，研究成果达到国际先进水平 在半导体激光应用基础技术研究领域，坚持以满足武器装备应用为目标，研制的驾束制导半导体激光发射器成功用于我军现役主战坦克武器系统，实现了驾束制导领域跨越式发展 研制的激光敏感器组件已经用于空军某型号末敏子弹药中，并将在多个武器平台上推广应用。近年来，实验室在国内外重要学术刊物上发表论文600余篇，出版专著7部，获国家、省部级奖励40余项，申请发明专利50余项，鉴定成果40余项，对我国的国防武器装备发展作出了重要贡献。高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置清单高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置感应耦合等离子体刻蚀扫描电子显微镜光刻机磁控溅射镀膜机等离子体增强化学气相沉积系统X射线双晶衍射仪光刻机快速图谱仪电化学C-V分布测试仪,PN4300,英国伯乐光荧光谱仪特种光纤熔接机丹顿电子束镀膜机SVT超高真空解理机光谱分析仪莱宝电子束镀膜机半导体激光器芯片贴片机金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）磁控溅射台　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室是以教育部新型传感器重点实验室、信息产业部电子信息材料重点实验室和功率半导体技术重点实验室为基础于2006年7月建立的。　　目前，实验室紧密围绕国家IT领域的战略目标，立足于电子信息材料与器件的发展前沿，坚持需求与发展并举、理论与实践并重，致力于新型电子薄膜材料与集成电子器件的研究和开发，促进材料—器件—微电子技术的交叉和集成。　　实验室现有研究人员80人，管理人员6人，技术人员3人 客座研究人员18人。在固定研究人员中已形成以陈星弼院士为带头人的一支以45岁左右为核心、35岁左右为主力的骨干研究队伍。队伍中包括了中国科学院院士1人，中国工程院院士1人，国家自然基金委创新团队2个，国防科技创新团队1人，教育部创新团队2人，博导58人。实验室拥有1个国家重点学科、5个博士点以及5个硕士点，已具备每年250名左右硕士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培养规模。　　实验室覆盖了微电子学与固体电子学、电子材料与元器件、材料科学与工程、材料物理化学、材料学5个博士点学科，拥有电子科学与技术、材料科学与工程2个博士后流动站，其中微电子学与固体电子学为国家重点学科。实验室面积近4000m2，拥有仪器设备500余套，价值8000余万人民币。已初步建成具有国际水平的“材料与器件制造工艺平台”、“微细加工平台”、“电磁性能测试与微结构表征平台”和“集成电路设计平台”，具备承担国家重大基础研究项目的能力。　　近5年，实验室科研工作硕果累累。目前，实验室共承担包括国家自然基金、973、863等各类项目在内的民口纵向项目和校企合作项目等科技项目共约200余项，总经费达2亿元，其中，2009年的科研经费超过7000万元。科研成果获国家级奖励7项，省部级奖24项，市级奖5项，申请发明专利150余项，获得包括美国发明专利在内的专利授权40余项，发表学术论文1000余篇，出版学术专著和教材7部。取得了包括“新耐压层与全兼容功率器件”等一系列标志性成果。实验室坚持面向社会，服务社会，致力于科研成果的推广和应用，“半导体陶瓷电容器”、“功率铁氧体及宽频双性复合材料”、“集成电路系列产品”等科研成果的成功转化，企业取得4亿多元的直接经济效益及良好的社会效益。　　*电子薄膜与集成器件国家重点实验室仪器配置情况未公布　　专用集成电路与系统国家重点实验室　　专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学)于1989年经国家计委批准建设，1995年9月正式通过国家验收。实验室依托复旦大学国家重点一级学科“电子科学与技术”，以及“微电子学与固体电子学”与“电路与系统”两个国家重点二级学科。　　实验室面向集成电路国际主流的学术前沿问题和国家集成电路产业发展的重大需求，聚焦高能效系统芯片及其核心IP设计，开展数字、射频与数模混合信号集成电路设计创新研究，同时进行新器件新工艺和纳米尺度集成电路设计方法学的研究。形成国际领先并满足国家战略需求的标志性创新成果，使实验室成为我国在集成电路设计方向上科学研究、技术创新与高层次人才培养具有国际重要影响力的基地，为我国集成电路产业尤其是集成电路设计产业的跨越式发展做出重大贡献。　　瞄准国际集成电路发展前沿，面向国家重大需求，面向国民经济主战场，紧紧围绕主要研究方向，实验室承担了大量国家863计划、973计划、国家科技重大专项、国家自然科学基金、国防预研项目、省部级项目以及各类国际合作项目，在国际重要刊物和国际会议上发表大量高质量学术论文，获得多项授权发明专利，荣获多项国家级二等奖、省部级一等奖、二等奖等奖项。　　实验室现有固定人员68人，其中，教授(研究员)43人，包括中国工程院院士1人，国家千人计划入选者5人，国家青年千人2人，国家杰出基金获得者4人，长江学者特聘教授2人、IEEEFellow1人。在实验室现有固定人员中，有多名国家和部委聘任的科技专家，包括1名国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项专家，2名国家“极大规模集成电路装备和成套工艺”科技重大专项专家，4名科技术“863”计划专家库专家。按照“创新团队+优秀研究小组”的建设思路，打造了实验室年轻化、团队化、国际化的研究队伍。　　实验室拥有器件与工艺子平台环境和集成电路设计环境。器件与工艺子平台现有千级净化面积约600平方米，百级净化面积100平方米，配备了价值近1亿元的设备，具有开展先进纳米CMOS器件和工艺的研发能力。集成电路设计环境已可提供Cadence、MentorGraphics、Synopsys、Altera、Xilinx等著名国际公司软件环境，提供相应的标准化仿真模型，支持教学、科研、产品设计与制造。实验室平台本着“集中、共享、升级、开放”的原则为实验室的科学研究服务。　　实验室积极开展多渠道学术交流，承办ICSICT、ASICON等多个重要国际会议，参加学术会议并做特邀报告，积极开展国际科技合作和交流。依托“重点实验室高级访问学者基金”和设立开放课题，吸引国内外高水平研究人员来实验室开展合作研究，加强了实验室研究的前瞻性和国际化程度。专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置清单专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置热阻蒸发镀膜设备化学气相沉积系统全自动探针台存储器参数测试系统半导体存储器参数测试仪扫描探针显微镜手动探针台电学测试系统台阶分析仪芯片测试系统柔性四件组装加工手套箱大面积柔性三维光刻柔性电子制造设备亚微米级贴片设备无线和微波频段测试系统激光键合设备台式扫描式电子显微镜柔性四件电化学加工测试平台高性能频谱分析仪高性能频谱分析仪等离子刻蚀系统实验室电路板快速系统（激光机）射频探针台原位纳米力学测试系统超低温手动探针台智能型傅立叶红外光谱分析仪显微喇曼/荧光光谱仪数字电视芯片测试系统气相沉积系统薄膜沉积系统化学气相沉积系统超高真空激光分子束系统原子层淀积系统矢量网络分析仪微波退火设备准分子气体激光器高精密电学测试探针台纳米热分析系统信号源分析仪频谱分析仪X射线衍射仪矢量网络分析仪矢量信号源实时示波器椭圆偏振光谱仪硬件加速仿真验证仪频谱分析仪矢量信号发生器矢量信号分析仪铜互连超薄籽晶层集成溅射和测试系统半导体晶片探针台互连铜导线成分分析仪化学气相沉积系统低介电常数介质电容（K值）测试设备微细加工ICP刻蚀机快速热退火系统探针测试台半导体参数分析仪白光干涉仪桌上型化学机械抛光设备纳米压印设备原子层淀积系统高精度探针台探针测试台纳米器件溅射仪存储薄膜溅射仪原子层化学气相沉淀系等离子反应离子刻蚀机物理气相淀积系统等离子体增强介质薄膜化学机械抛光系统铜电镀系统　　集成光电子学国家重点实验室　　集成光电子学国家重点实验室成立于1987年，1991年正式对外开放。现由吉林大学和中国科学院半导体研究所两个实验区联合组成。在1994年、2004年国家重点实验室建立十周年以及二十周年总结表彰大会上，被评为“国家重点实验室先进集体“，并获“金牛奖”。在2002年、2007年、2012年信息领域国家重点实验室评估中，连续三次被评为“优秀实验室”，2017年被评为“良好实验室”。　　研究方向包括有机光电器件、宽禁带半导体材料与器件、超快光电子、纳米光电子、能源光电技术五个研究方向。实验室重点研究基于半导体光电子材料、有机光电子材料、微纳光电子材料的各种新型光电子器件以及光子集成器件和芯片，研究上述器件及芯片在光纤通信系统与网络、信息处理与显示中的应用技术。研究内容为：半导体光电子材料(包括低维量子结构材料)、有机光电子材料、微纳光电子材料 新型光电子器件物理(包括器件结构设计与模拟) 基于上述材料的光电子集成器件的制作工艺及其功能芯片集成技术 光电子器件及芯片在光通信、光互连、光显示、光电传感方面应用技术研究。　　*集成光电子学国家重点实验室仪器配置情况未公布　　浙江大学硅材料国家重点实验室　　1985年，在浙江大学半导体材料研究所的基础上，由原国家计委批准建设硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)，88年正式对外开放。是国内最早建立的国家重点实验室之一。以重点实验室为依托的浙江大学材料物理与化学学科(原半导体材料学科)一直是全国重点学科，1978年获批国内首批硕士点(半导体材料)，1985年获批国内第一个半导体材料工学博士点。　　从上世纪50年代开始，浙江大学在硅烷法制备多晶硅提纯技术、掺氮直拉硅单晶生长技术基础研究等取得系列重大成果，在国际上占有独特的地位 同时，实验室一直坚持“产、学、研”紧密结合，培育出浙江金瑞泓科技股份有限公司等国内硅材料的龙头企业，取得显著经济效益。自上世纪90年代以来，实验室研究方向不断拓宽。目前，实验室以硅为核心的半导体材料为重点，包括半导体硅材料、半导体薄膜材料、复合半导体材料以及微纳结构与材料物理等研究方向。　　2013年至2017年期间，实验室共获得国家自然科学二等奖2项，国家技术发明二等奖2项，浙江省科学技术(发明)一等奖5项，技术发明一等奖1项。江西、湖北省科学技术进步(技术发明)一等奖各1项(合作)，教育部自然科学二等奖1项，浙江省科学技术进步二等奖2项。发表SCI检索论文1996篇，获得授权国家发明专利492项，国际专利5项。已成为国家在本领域的科学研究、人才培养和国际交流的主要基地之一。　　浙江大学硅材料国家重点实验室仪器配置清单　　硅材料国家重点实验室仪器配置扫描探针显微镜周期式脉冲电场激活烧结系统振动样品磁强计针尖增强半导体材料光谱测试系统低维硅材料的原位扫描隧道显微分析系统热常数分析仪超高温井式冷壁气密罐式炉系统角分辨X射线光电子能谱仪原子力显微镜热台偏光显微系统近场光学显微镜光度式椭圆偏振光谱仪高真空热压烧结炉等离子体增强化学气相沉积法磁控溅射镀膜系统深能级瞬态谱仪傅里叶红外光谱仪微波光电导衰减寿命测试仪变温高磁场测试系统同步热分析仪铸造炉扫描电子显微镜高分辨透射电子显微镜　　　除了上述国家重点实验室，还有新型功率半导体国家实验室以及光伏技术国家重点实验室等企业国家重点实验室。　　此外，还有中科院半导体材料科学重点实验室、宽带隙半导体技术国家重点学科实验室、光电材料与技术国家重点实验室、发光材料与器件国家重点实验室、发光学及应用国家重点实验室等半导体领域相关的实验室等。中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置清单中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置1.量子点、量子级联工艺线分子束外延生长系统（MBE）掩膜对准曝光机表面轮廓测量系统双腔室PECVD/电子束蒸发镀膜真空蒸发台等离子体去胶机精密研磨抛光系统快速热处理设备高分辨光学显微镜清洁处理湿法腐蚀金丝球焊机高精度粘片机傅立叶变换远红外光谱仪拉曼光谱仪原子力显微镜数字源表（吉时利2601）电化学CV测试系统2.PIC工艺线仪器设备MOCVDICPPECVD光刻机蒸发台磁控溅射反应离子刻蚀设备台式扫描电子显微镜Maping微区荧光光谱仪X射线双晶衍射高分辨XRD测试系统解理烧结机镀铟管芯测试设备激光加工机PIC测试:探针座+探针变温测试频谱仪矢量网络分析测试自相关仪脉冲宽度测试FROG激光线宽测试Rin测试远场测试PIV测试传输损耗测量光纤光谱仪3.GaN基微电子器件工艺线MOCVD设备变温霍尔测试系统非接触方块电阻测试系统台阶仪表面平整度测试系统光学显微镜高分辨XRD测试系统光电效率测试系统高温恒温箱快速退火炉磁控溅射PECVDICP光刻系统4.材料生长与制备工艺线磁控溅射离子束溅射CVD系统旋涂机、热板、快速退火碳化硅外延设备原子层沉积分子束外延低压液氮灌装石墨烯外延炉分子束外延设备CBE快速热退火炉退火炉MOCVDHVPE快速退火炉真空烘烤MBEMP-CVD阻蒸电子束蒸发联合镀膜机箱式退火炉低维材料生长、器件制备平台分子束外延设备MBE5.材料测试与表征原子力显微镜傅里叶红外光谱量子效率测试电池I-V测试霍尔测试仪探针台四探针测试仪光栅光谱仪变温测试台半导体参数测试仪3000V、500A深能级缺陷测量系统霍尔测试深紫外光致发光光谱阴极荧光光谱近紫外－可见－近红外光致发光光谱变温霍尔半导体发光器件测试紫外可见分光光度计荧光光谱仪太阳能电池I-V测试系统电化学工作站四探针测试台偏振调制光谱测试系统(陈涌海)微区RDS测试系统光电流测试系统红外光栅光谱仪（0.8-5μm）激光参数测试系统傅立叶变换红外光谱仪傅立叶变换中红外光谱仪宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置清单宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置晶片生长系统MOCVD非接触迁移率测量系统霍尔效应测试系统非接触式方块电阻测试仪微波等离子化学气相沉积系统半导体器件分析仪光谱椭偏仪镜像显微镜.金属镀膜系统高分辨X射线衍射仪拉曼光谱仪脉冲激光沉淀系统电子束蒸发台磁控溅射镀膜机高速电子束蒸发台LED显微镜台阶仪快速热退火炉等离子去胶机高温快速退火炉反应离子刻蚀等离子增强原子层沉淀系统等离子增强化学气相淀积感应耦合等离子体刻蚀机研磨抛光机高低温烘胶机光刻机接触式紫外光刻机电子束直写光刻机探针台半导体参数测试仪微波测试探针台DRTS测试仪扫描式电子显微镜微波大功率晶体管老化系统微波功率测试系统分子束外延设备　　综合来看，光刻机、化学气相沉积设备、电镜（尤其是扫描电镜和原子力显微镜）、X射线衍射、磁控溅射仪、半导体参数测试仪、能谱仪、探针测试台、刻蚀设备、光谱测试设备、蒸发镀膜设备、椭偏仪、分子束外延设备等仪器配置频率较高。　　信息统计来源于各国家重点实验室官网，部分实验室罗列仪器设备较全，部分实验室仅罗列了最主要或特色的仪器设备，因此结果仅供参考。另外其中有些仪器类型可能存在并列或包含关系，并未进行详细区分。

CIF扫描电镜等离子清洗机CIF 扫描电镜（SEM）等离子清洗机采用远程、原位双等离子清洗源设计，并可自动切换，一机多用。远程等离子体清洗快速高效低轰击损伤，同时可实现常规等离子清洗。主要用于SEM或FIB等电镜腔体内碳氢化合物的清洗。产品特点u 双等离子清洗源u 一机多用u 高效低损伤技术参数产品型号CIF-SEM法兰接口KF40工作气压0.3-3Pa等离子电源13.56MHz射频电源，射频功率5-100W可调，自动匹配器气体控制标配双路50毫升/分气体质量流量控制器（MFC），精确测量自动控制气体流量，不会受环境温度和压力变化影响气源选择根据需求氧气、氩气、氮气、氢气等多种清洗气源选择真空控制美国MKS公司925-12010皮拉尼真空计， 测量范围1E-5Torr真空保证真空计和电磁阀安全互锁操控方式7寸全彩触摸屏控制，中英文互动操作界面电源/功率220V，50/60Hz，300W可选配件可选氧气、氮气、氢气发生器， 氢气纯度﹥99.999％，输出流量0-300ml/min 质量保证二年质保，终身维护创新点：CIF 扫描电镜（SEM）等离子清洗机采用双等离子清洗源设计，自动切换，一机多用，清洗快速高效、低等离子体轰击损伤，核心部件采用国际一流品牌，保证设备优异的质量和稳定性。CIF扫描电镜等离子清洗机

一、项目编号：项目名称：电感耦合等离子体质谱仪采购项目预算金额：98.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：98.0000000 万元（人民币）采购需求：1. 标的名称：包组1：电感耦合等离子体质谱仪采购项目2. 标的数量：包组1：1套3. 简要技术需求或服务要求：（1） 项目编号: CLF22SH01QY17（2） 最高限价: 人民币 ¥ 980,000.00元（3） 交货期限: 采购合同签订之日起至1个月内。（4） 本项目只允许采购本国产品；（5） 简要技术要求： a） 电感耦合等离子体质谱仪具备可搭配LC、自动进样器、全自动石墨消解系统、全自动微波消解系统等连用技术。 b） 可广泛应用于水质、土壤、大气颗粒物、固废、食品、动植物、食品接触材料、化妆品、半导体、高纯材料、矿产、石油化工、工业品、纺织等领域，且符合相关国家标准分析方法的要求。具体详见采购需求。 合同履行期限：自合同签订之日起至2023年10月前本项目( 不接受 )联合体投标。二、项目编号：0705-224002028052项目名称：复旦大学电感耦合等离子体发射光谱仪采购国际招标预算金额：99.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：97.0000000 万元（人民币）采购需求：1、招标条件项目概况：电感耦合等离子体发射光谱仪采购资金到位或资金来源落实情况：本次招标所需的资金来源已经落实项目已具备招标条件的说明：已具备招标条件2、招标内容：招标项目编号：0705-224002028052招标项目名称：电感耦合等离子体发射光谱仪采购项目实施地点：中国上海市招标产品列表(主要设备)：序号产品名称数量简要技术规格备注1电感耦合等离子体发射光谱仪1套自激式射频发生器，频率大于40MHz预算金额：人民币99万元 最高限价：人民币97万元 合同履行期限：签订合同后4个月内合同履行期限：签订合同后4个月内本项目( 不接受 )联合体投标。

当光线照射到两种介质的分界面上时，一部分光线改变了传播方向返回原来的媒介中继续传播，这种现象称为光的反射。在自然界中，光的反射存在着镜面反射、漫反射和逆反射三种现象。光的反射示意图镜面反射是在光线入射到一个非常光滑或有光泽的表面上时发生的。光线在物体表面反射的角度和入射的角度，度数相同但方向相反。如果物体的表面和光源成精确的直角，那么反射光线会完整地反射回光源方向。光的漫反射是一种最常见的反射形式。漫反射发生在光线入射到任何粗糙表面上， 由于各点的法线方向不一致，造成反射光线无规则地向不同的方向反射。只有很少一部分光线可以被反射回光源方向，所以漫反射材料只能给人眼提供很少的可视性。逆反射（背面反射）是指反射光线从靠近入射光线的反方向，向光源返回的反射。当入射光线在较大范围内变化时，仍能保持这一特性。当石英片上镀膜后，石英片的逆反射会对镜面反射的结果有明显的影响。本文采用日立的UH4150紫外可见近红外分光光度计、5°绝对反射附件和60mm积分球测试分析逆反射的影响。 下面是2种不同工艺需求的测试数据图：左图为同一批次的2个镀膜样品，变量为基底是否进行了涂黑处理。通过数据可以明显的发现：涂黑处理后的反射率明显降低，在1370nm附近的反射率约为0.3%，这是因为涂黑处理使得基底的背面反射（逆反射）尽可能地消除。 右图为另一种工艺的产品，直接对样品进行测试，不需要额外的处理，可以得到1300 ~ 1600 nm范围内反射率低于0.2%的效果，符合产品的预期。一般遇到测试反射率低于0.5%的指标需求时，建议使用标准片测试。×总结根据测试的目的需求，基底是否处理对实际的测试结果有很大影响。样品的反射率测试，需要考虑背面反射的影响。日立的紫外可见近红外分光光度计UH4150结合镜面反射附件，可以准确的表征低反射率的样品性能。——the end——公司介绍：日立科学仪器（北京）有限公司是世界500强日立集团旗下日立高新技术有限公司在北京设立的全资子公司。本公司秉承日立集团的使命、价值观和愿景，始终追寻“简化客户的高科技工艺”的企业理念,通过与客户的协同创新，积极为教育、科研、工业等领域的客户需求提供专业和优质的解决方案。 我们的主要产品包括：各类电子显微镜、原子力显微镜等表面科学仪器和前处理设备，以及各类色谱、光谱、电化学等分析仪器。为了更好地服务于中国广大的日立客户，公司目前在北京、上海、广州、西安、成都、武汉、沈阳等十几个主要城市设立有分公司、办事处或联络处等分支机构，直接为客户提供快速便捷的、专业优质的各类相关技术咨询、应用支持和售后技术服务，从而协助我们的客户实现其目标，共创美好未来。

一、项目编号：0705-224002028052项目名称：复旦大学电感耦合等离子体发射光谱仪采购国际招标预算金额：99.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：97.0000000 万元（人民币）采购需求：1、招标条件项目概况：电感耦合等离子体发射光谱仪采购资金到位或资金来源落实情况：本次招标所需的资金来源已经落实项目已具备招标条件的说明：已具备招标条件2、招标内容：招标项目编号：0705-224002028052招标项目名称：电感耦合等离子体发射光谱仪采购项目实施地点：中国上海市招标产品列表(主要设备)：序号产品名称数量简要技术规格备注1电感耦合等离子体发射光谱仪1套自激式射频发生器，频率大于40MHz预算金额：人民币99万元 最高限价：人民币97万元 合同履行期限：签订合同后4个月内合同履行期限：签订合同后4个月内本项目( 不接受 )联合体投标。二、项目编号：0705-224002028053项目名称：复旦大学激光粒度分析仪采购国际招标预算金额：60.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：58.0000000 万元（人民币）采购需求：1、招标条件项目概况：激光粒度分析仪采购资金到位或资金来源落实情况：本次招标所需的资金来源已经落实项目已具备招标条件的说明：已具备招标条件2、招标内容：招标项目编号：0705-224002028053招标项目名称：激光粒度分析仪采购项目实施地点：中国上海市招标产品列表(主要设备)：序号产品名称数量简要技术规格备注1激光粒度分析仪1套测量速度：扫描速度≥10KHz预算金额：人民币60万元 最高限价：人民币58万元 合同履行期限：签订合同后3个月内合同履行期限：签订合同后3个月内本项目( 不接受 )联合体投标。

项目编号：0705-224002028082项目名称：复旦大学电感耦合等离子体发射光谱仪采购国际招标预算金额：99.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：97.0000000 万元（人民币）采购需求：1、招标条件项目概况：电感耦合等离子体发射光谱仪采购资金到位或资金来源落实情况：本次招标所需的资金来源已经落实项目已具备招标条件的说明：已具备招标条件2、招标内容：招标项目编号：0705-224002028082招标项目名称：电感耦合等离子体发射光谱仪采购项目实施地点：中国上海市招标产品列表(主要设备)：序号产品名称数量简要技术规格备注1电感耦合等离子体发射光谱仪1套自激式射频发生器，进样系统可耐高盐样品预算金额：人民币99万元 最高限价：人民币97万元 合同履行期限：签订合同后4个月内合同履行期限：签订合同后4个月内本项目( 不接受 )联合体投标。

项目编号：0705-224002028082项目名称：复旦大学电感耦合等离子体发射光谱仪采购国际招标预算金额：99.0000000 万元（人民币）最高限价（如有）：97.0000000 万元（人民币）采购需求：1、招标条件项目概况：电感耦合等离子体发射光谱仪采购资金到位或资金来源落实情况：本次招标所需的资金来源已经落实项目已具备招标条件的说明：已具备招标条件2、招标内容：招标项目编号：0705-224002028082招标项目名称：电感耦合等离子体发射光谱仪采购项目实施地点：中国上海市招标产品列表(主要设备)：序号产品名称数量简要技术规格备注1电感耦合等离子体发射光谱仪1套自激式射频发生器，进样系统可耐高盐样品预算金额：人民币99万元 最高限价：人民币97万元 合同履行期限：签订合同后4个月内合同履行期限：签订合同后4个月内本项目( 不接受 )联合体投标。

2013年5月20日，“中国移动杯”暨第七届北京发明创新大赛颁奖仪式在北京中国农业展览馆举行，微电子所受邀参加的成果“固态射频电源系统”获大赛组委会颁发的发明创新奖“金奖”。　　此次大赛的颁奖仪式是在5月19日开幕的全国科技活动周暨北京科技周举办期间进行的。大赛以“弘扬北京精神科技改变生活”为主题，面向国内外征集科技发明项目。通过历时五个多月的参赛报名、网上公示和专家评审，经初赛、复赛和决赛三个阶段，大赛组委会最终在参赛的1272个项目中评选出特等奖1 项，金奖29项，银奖70项，铜奖100项，微电子所“固态射频电源系统” 和“45-22nm集成式光学临界尺度(OCD)在线检测设备”两项成果分获大赛组委会颁发的发明创新奖“金奖”和“铜奖”。　　中国科学院微电子研究所射频电源课题组(www.rf-power.net)从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功，获得“六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。　　从2010年开始受到极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)资金支持，研发晶体管射频电源，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源(13.56MHz)，获得第七届国际发明展览会银奖与第七届北京发明创新大赛金奖。　　经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全,年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。　　目前射频电源组分为三个部门：产品研发部，产品生产部，产品推广与售后服务部。　　产品研发部：有专业研发人员7人，其中硕士及以上比例100%，具有教授级职称2人，具有博士学历3人，从清华大学，中科院电工所，中国科学技术大学引进资深射频技术与自动控制专家3人，目前已建立起一支由高级研发顾问领导的国际化研发人才团队。　　产品生产部：有专业技术工程师17人，具有500平方专业射频电源生产与测试车间(可以进行ESD，EMC等测试)，年生产能力达3000台套。　　产品推广与售后服务部：有专业推广销售人员4人，专业售后服务人员2人，其中硕士及以上比例100%。　　目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。　　射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，感应加热，医疗领域的消毒与理疗，等离子清洗等领域。　　产品现已售往北京、上海、杭州、苏州、香港、南京、西安、成都、深圳等地的几十所高校、科研单位及半导体设备厂等高技术公司，得到用户的一致好评。　　中科院射频电源组网址：www.rf-power.net

氩离子抛光技术是对样品表面或者截面进行抛光，得到表面光滑无损伤的样品，能够观察到样品内部真实结构。Gatan公司生产的精密刻蚀镀膜系统——PECS II 685（图1），是集抛光和镀膜于一体的氩离子抛光设备，它采用两个宽束氩离子束对样品表面进行抛光。685可以做普通的抛光方法无法解决的问题：a.氩气的工作氛围，可以有效保护容易氧化或者对水蒸气特别敏感的材料；b.样品台采用液氮制冷方式，可以有效的保护热敏感的样品，避免离子束热损伤；c.685自带的精确到纳米级别的镀膜功能，可以有效解决容易氧化且导电性特别不好材料的SEM/EDS/EBSD等的分析。下面我们通过两个案例来说明为什么氩离子抛光技术在镀膜领域的应用是无可替代的。图1 精密刻蚀镀膜系统PECS II 685 例1：光伏作为我国战略性新型产业，其发展牵动着我国的方方面面。光伏玻璃为目前光伏产业链上电池组件封装环节使用的必须辅助材料之一，整个光伏玻璃的发展与光伏产业的发展密切相关。所谓光伏玻璃是指在超白压延玻璃上镀一层减少反射的材料即减反膜，作用是减少或者消除透镜、棱镜、平面镜等光学表面的反射光，增加这些原件的透光量。因此对减反膜的研究显得尤为重要。图2是观察某公司生产的光伏玻璃上减反膜的厚度。图2（a）显示普通制样无法准确观察到减反膜厚度，而利用精密刻蚀镀膜系统PECS II 685制备的样品不仅可以准确测量膜的厚度还可以观察到其真实形貌：这是一种厚度约180 nm的具有多孔结构的膜，见图2(b)。 图2 普通制样及氩离子抛光制样观察减反膜（a普通制样；b PECS II 685制样）例2：以聚碳酸酯为基底，在上面包覆TiO2/SiO2交替膜共8层，每层膜厚度只有50 nm左右，普通制样根本无法观察到膜结构，更无法观察8层交替膜。我们同样使用PECS II 685进行制样，由于样品不导电且容易被氩离子束打伤，故同时利用PECS II 685的冷台、刻蚀、镀膜功能，在同一真空环境下对样品进行抛光和镀膜，利用蔡司的Sigma 300场发射扫描电镜清晰观察到8层TiO2/SiO2交替膜，见图3。 图3 PECS II 685制备TiO2/SiO2交替膜

滨松公司将于2016年10月1日开始销售LED照射单元GC系列产品，作为线性紫外（UV）LED照射单元LIGHTNINGCURE LC-L5G的新成员，该产品具备可连接、薄型、低功耗的特点，适用于国内外生产电视机、平板电脑终端、智能手机等厂家工序中的UV固化工序。 该产品将于9月28日在日本东京举办的材料和技术综合展“N+（N PLUS）”、10月5日在日本大阪举行的“关西机械高性能薄膜展”上亮相。 所谓UV固化，是指通过照射UV光，对UV粘合剂、UV镀膜剂、UV油墨等进行固化的技术，其最佳波长根据用途有所不同。UV粘合和UV镀膜时使用波长为365nm或405nm的UV光源，UV印刷时使用385nm或395nm的UV光源。 为进一步满足电视机、平板电脑终端、智能手机等面板的UV粘合、以及对电路板等进行表面保护的UV镀膜等用途，考虑到UV固化应用市场的不断增长，滨松公司在该产品线上增加投放了新的GC系列。将GC系列链接在一起的状态通过连接照射单元，应对各种产品类型 现产品在连接时可按照射窗的长边方向，用兼顾电源与控制信号输入的导线和固定板即可实现连接。通过改变单元的连接数量，即可方便地调整UV光的照射宽度，适用于电视机、平板电脑终端、智能手机，电路板等各种不同尺寸的产品加工要求。在更换产品种类时也无需替换设备等，减少了设备投资费用。 提高光量的均一性 以往的产品也可以将照射单元排列起来扩大UV的照射宽度，但光源不容易照射到单元的正下方，会出现局部UV光量不足的问题。但新的GC系列则实现了单元的直接相连，且所采用的生产技术可以使LED的UV照射窗镜头在位置上高度对准，这样在单元相互连接时实现了在全部UV照射区域里光量的高度均匀性。以此减少UV固化的不均匀性，提高产品质量。更小体积，节省空间 通过对整体设计进行改良，改变了单元内部的吸气排气结构以及风扇电机的型号，实现了GC系列产品的薄型化。单元厚度从原来的55mm缩小为24mm，单元体积则仅是原有产品的四分之一，大大减少了生产现场的空间。 低功耗，节能化 GC系列产品可以根据用途在所需最小范围内进行UV照射，消耗功率从原来的180W减小到40W，实现了大幅度的节能减耗，更加环保友好。在今后，为了满足市场对光强输出的更高要求，滨松公司计划在明年春天推出更大功率UV-LED单元来扩充产品线。 GC系列：GC-77参数一览项目内容 / 值単位照射面积177 × 5mm峰值波长365385395405nm紫外照射强度22W/cm2输入电压（DC）48V消耗功率（Max.）4540W外形尺寸（W × H × D）77 × 140 × 24mm1 在照射距离2mm处的照射面积 2 照射距离2 mm处、照射面积内的最大紫外照射强度线性UV-LED照射单元LIGHTNINGCURE LC-L5G 「GC-77」 LIGHTNINGCURE是滨松光子学公司的注册商标其他UV-LED照射单元系列一览GP系列 该系列的应用为，向印刷品直接喷射UV油墨，用低强度的UV照射使其达到半硬化状态，防止油墨的渗出以提高印刷质量，用于油墨喷射打印机预烘干。同样是窄薄型和低功耗。GJ系列 用于油墨喷射打印机的正式烘干，小型大功率照射单元。 GL系列 在加大GJ系列宽度的同时，实现了光输出的高度均匀性，针对屏幕印刷、凸版印刷、凹版印刷、间歇印刷、一部分的胶印、塑料容器的直接印刷等用途，提供了UV印刷所需要的大功率照射单元。

新到货安捷伦ICP-OES 5110电感耦合等离子体原子发射光谱仪，时间为18年底仪器，准新机，基本没用，有兴趣的欢迎来谱标科技实验室看机试机。Agilent 5110同步垂直双向观测(SVDV) ICP-OES将速度与分析性能完美结合： 卓越的分析速度●独特的智能光谱组合(DSC)技术可实现同步水平和垂直信号测量,在zui低气体消耗条件下，实现zui快速的ICP-OES分析测量●高级阀系统(AVS)可降低每次分析成本并使分析效率提高一倍以上●一次读数完成高精度的同步双向全谱测量.无等待延时●VistaChipll 检测器全密封设计.无需气体吹扫，无需预热,即开即用，节省气体消耗 强大的性能●垂直炬管设计.适用于各种复杂样品类型一 无论高基质样品或挥发性有机溶剂均可轻松应对●通过分析过程中精准气泡注入控制，AVS能够有效缩短样品提升、稳定时间和清洗延时,从而实现高精度的分析●专利的冷锥接口(CCI)技术,zui大限度减少干扰.提升仪器性能●gao效稳定的RF射频发生器系统,采用固态电源的专利技术设计.确保仪器的高精度运行及优异的长期稳定性 卓越的简便易用性●InelliQuant模式使样品中的所有元素一目了然，大大简化了方法开发过程并实现了快速样品筛选●直观的ICP Expert 软件和专利的DSC技术.保证方法开发更为简洁流畅●完全集成式切换阀与即插即用式炬管极大程度减少了培训需求.确保实现快速启动●智能诊断功能简化了故障排除流程. 从而大大延长仪器正常运行时间 灵活的配置Agilent 5110提供三种配置:●同步垂直双向观测(SVDV)一zui高速的分析测量，zui低的气体消耗●垂直双向观测(VDV)一更高的样品测量通量，更高的分析效率.并可现场升级为SVDV zui高配置模式●垂直观测(RV)一高性能的垂直观测设计，适用于高产率，复杂基质样品的实验室需求 应用：5110 ICP-OES分析碳酸锂中14种杂质元素(K、 Na、Al、 Ca、Cd、Cu、Fe、Mg、Mn、 Ni、Pb、S、Zn和Si)，可在1 min内完成对所有元素的准确测量。具有良好的准确度和稳定性，可有效应用于大规模碳酸锂纯度鉴定工作中。

北京航空航天大学位于中国首都北京市 ，隶属于中华人民共和国工业和信息化部 ，其为中国第一所航空航天高等学府，具有航空、航天和信息领域的发展比较优势。 是国家重点建设的高校、全国第一批16所重点高校之一、211工程、985工程建设高校、国家“双一流”建设高校。近日，北京航空航天大学围绕大科学装置发布多批政府采购意向，仪器信息网特对其进行梳理，统计出66项仪器设备采购意向，预算总额达2.30亿元，涉及计算机学院空间站数字孪生实验体验与监测系统、低排放燃烧基础研究实验平台光学测量系统、3D测量激光显微镜、原子层沉积系统等，预计采购时间为2024年6~9月。北京航空航天大学2024年6~9月仪器设备采购意向汇总表序号采购项目需求概况预算金额/万元采购时间1集成电路科学与工程学院原子层沉积系统原子层沉积系统最大支持8寸，配备不大于6个源，带清洗程序。3302024年8月2计算机学院虚拟现实与增强现实科教协同平台一、采购设备名称：生理演化仿真系统 二、采购设备数量：1 三、设备主要性能： 用于科研与教学的生理演化仿真系统，该系统包括可编程机械臂，6自由度力反馈演示设备和生化作用机制仿真软件系统。 1、6自由度可编程机械臂，包括工作半径:500 mm / 19.7 ins；有效载荷:3 kg / 6.6lbs；基座尺寸:Ø 128 mm；重量:11.2 kg / 24.7 lbs； 2、6自由度力反馈演示装置，可支持模拟虚拟环境中精细手掌、手指运动的精确力触觉手感与反馈力；6自由度力反馈、最大力度为35N、最大旋转扭矩为3Nm； 3、生化作用机制仿真软件，功能包括基础模块预测蛋白质、大分子团等在动物或人体内吸收过程，考察基于经典房室模型的处置过程；群体模拟与虚拟生物等效性试验；基于生理的动物及人体处置模型；预测血浆与组织中的PK变化；种属内/种属间的PK推导。1022024年8月3电子信息工程学院新航行技术演示验证平台新航行技术演示验证平台可用于机载航电与地面管制空管系统空地协同的新一代航行系统技术的演示验证，主要由新航行技术演示验证平台展示系统、新航行技术应用环、飞行校验模拟机舱、空事演示系统构成，通过三维地理信息系统，演示大屏幕内容调度及高分显示系统，演示验证平台全流程仿真系统为空天地一体通信网、新航行应用服务支撑系统，新型协同测试平台提供三维仿真验证环境。2202024年8月4材料科学与工程学院多气氛高温腐蚀平台①最高温度:1800℃；②温度精度：±1℃；③反应区尺寸:φ80mm；④腐蚀介质:水汽、氧气、CMAS、熔盐等；⑤可一种气氛或多种气氛同时进行。1702024年8月5材料科学与工程学院热力化耦合力学测试平台①样品最高加热温度：1400℃； ②最大载荷：30KN； ③施加载荷：拉伸、压缩、蠕变、持久； ④外加化学环境：高温燃气、CMAS粉尘环境、盐雾等环境； ⑤温度控制精度：±30℃； ⑥燃气最高温度：1800℃、燃气冲击速度：300m/s。2002024年8月6国际前沿交叉科学研究院3D测量激光显微镜3D测量激光显微镜设备，配备激光光源，单次测量时最大测量点数不低于3600X3600像素，最大测量点数量大于3000万像素。1302024年9月7计算机学院空间站数字孪生实验体验与监测系统采购需求 一、采购设备名称：空间站数字孪生实验体验与监测系统 二、采购设备数量：1套。 三、设备主要性能：空间站数字孪生实验体验与监测系统主要部件及其主要性能如下： 1、中国空间站半实物模拟装置1套：包括核心舱大柱段内舱壁及相关设备和通道、舱门；内壁电子监控显示；外壁一侧加装出舱扶手、机械臂模拟设备。硬件性能：处理器：16核24线程，单核睿频5.4GHZ；内存：32G，双通道 DDR5；硬盘：512G SSD + 1T HDD；显卡：RTX 3070。 2、中国空间站舱内操作VR训练分系统1套：根据中国空间站实际构型和舱内布局，以1：1比例还原各舱段主要工作生活设施和空间科学实验装置，用户在舱段间飞行、工作生活设施操作、空间科学实验操作、对地观测等交互式操作中通过VR装置获得中国空间站在轨任务体验，设置交互式操作的视觉提示点和各舱导航地图，并配置语音解说。配备VR头显1套：单眼分辨率不低于1800*1920，FOV大于100度，刷新率90Hz。 3、微重力环境下舱外结构展开实验分系统1套：模拟太空失重环境和航天结构在轨展开的过程，使用虚拟光电传感设备对展开过程中的运动学参数进行测量和动力学分析，支持学生交互操作和实践学习。 4、空间站MR孪生监测子系统1套。对半实物装置进行多路视频图像的实时采集，构建核心舱大柱段内舱壁、平台设备、再生生保设备、锻炼区设备、航天员控制操作区设备、实验载荷安装区设备、空间试验工作区设备及后端通道舱门的数字孪生模型，实现虚实融合的数字孪生全景空间站。1102024年8月8低排放燃烧基础研究实验平台光学测量系统采购标的：低排放燃烧基础研究实验平台光学测量系统； 采购数量：1套； 主要功能需求：光学测量系统用于燃烧室中多种物理场的可视化和定量测量，该系统包括非定常反应流同步测试分系统、超高频燃烧/流动激光照明分系统、多相多燃料喷射雾化测试分系统。非定常反应流同步测试分系统主要包括高频OH PLIF部分和高频PIV部分，可在10kHz的采样频率下实现燃烧组分浓度场和流场的同步测量，通过具有时间分辨率的光学图像来支持燃烧室中的非定常燃烧现象的研究。超高频燃烧/流动激光照明分系统可在最高100kHz的采样频率下进行燃烧组分浓度场或流场的超高频光学激发或照明，实现高温高压条件下强瞬变过程的超高时间分辨率测量。多相多燃料喷射雾化测试分系统用于测量液体燃料喷雾的液态速度信息和瞬态粒径分布，可研究各种燃料在不同相态下的雾化特征，评估燃油雾化装置的性能。 服务与质量要求：具备24小时内对用户服务请求作出反应及72小时内提供必要技术服务的能力；系统安装验收后的6个月内，对用户进行不少于2次关于操作、维护、软硬件故障排除的免费培训。16802024年9月9医学科学与工程学院骨科植入物电磁式动态力学试验系统位移量程：30mm；动态峰值载荷：6000N；加载频率：0-100Hz；位移精度：0.1μm。1102024年9月10医学科学与工程学院血管移植物顺应性测试系统可测量血管移植物顺应性，样品管直径范围：2-25mm；样管长度范围：96-340mm。1902024年9月11医学科学与工程学院骨形态测量分析系统XY轴行程范围: 120 mm * 110 mm；XY轴分辨率: 22 mm；XY轴有效重复性: 700 nm等。2352024年9月12医学科学与工程学院拉扭复合全电子动静态测试系统双轴作动器轴向/扭向动态加载能力：±20kN /±130Nm；轴向单向加载试验速度范围：0.0001 -1700mm/s；扭转单向加载试验速度范围：0.0001 -1000°/s等。3462024年9月13医学科学与工程学院硬组织切磨系统包括切片机、磨片机和光固化包埋机。3172024年9月14医学科学与工程学院双光子扫描显微镜激光器光源系统：红外超快脉冲激光器，波长范围680-1300nm连续可调；具有光轴自动校正功能； 成像光路波长校正范围：400nm-1600nm。5252024年9月15医学科学与工程学院多功能关节磨损试验系统轴向加载：±3400N，位移/旋转±45mm；具备髋膝关节二合一功能等。1702024年9月16医学科学与工程学院光学相干断层扫描成像设备成像深度：眼前节最大成像深度≥16mm，眼后节最大成像深度≥12mm等；扫描速度≥20 万次/秒。3002024年9月17材料科学与工程学院飞秒激光设备采购能够钻孔/开槽/烧蚀微加工金属和陶瓷微观表面，XYZ 行程范围 450mm×450mm×150mm，XY 定位精度±1um，Z 轴精度：±2um，中心波长 1030nm，功率 20W，重复频率 1Hz~600kHz，脉冲宽度 290fs~10ps可调，单脉冲能量 200uJ二次谐波发生器，输出波长 515nm，三次谐波发生器，输出波长 343nm。7002024年6月18生物与医学工程学院磁控溅射镀膜系统加工尺寸：4英寸直径；本底真空5*10-7mbar；射源装置， 三套。1902024年9月19生物与医学工程学院激光直写光刻机曝光波长：385 nm； 数字掩模板分辨率：1920 × 1080，单像素尺寸不超过7.6 µ m； 至少支持两个光刻镜头。1052024年6月20生物与医学工程学院超速离心机预采购超速离心机一台。主要技术需求：1、最高转速:100,000(转/分钟)，最大离心力:802,400 ×g，转速控制精度: ± 2 rpm；2、主机具备离心专家软件，可以在离心机本机上模拟整个实验过程；3、主机采用液晶显示屏，触摸式操作。4、最大抗不平衡度：≥±8.9mm液面差。5、面板上可实时显示真空度的数值。1502024年9月21低压化学气相沉积系统预采购低压化学气相沉积系统一台，加工尺寸：4英寸；150毫米的均匀温度区； 2个碳源，氢气 (H2)，氩气 (Ar)，氮气(N2)。3552024年9月22生物与医学工程学院离子束刻蚀机光束电压：最高1200V； -灯丝电子源中和器； -自对准“光束”离子光学组件； 两个格栅离子光学组件，带16CM直径图案； 束流：1000eV时600mA。3002024年9月23生物与医学工程学院超灵敏纳米流式分析仪预采购超灵敏纳米流式分析仪一台。主要技术需求：1、配有2个激光光源，分别为488nm和405nm激光光源；2、配有3个散射光检测器（前向角，侧向角和中间角度散射光检测器）和四个荧光检测通道；3、散射光灵敏度:≤70nm，可检测颗粒范围为70nm-100um，散射光分辨率:10nm 4、进样体积:50-400ul；5、允许样品浓度上限:109个/ml 样本检测速度＞100000 事件/秒；6、可进行绝对计数,无需使用beads作为参照；7、鞘液槽可重复利用，无需购买/配置鞘液；8、开启、清洗和关机全自动；9、所有通道都可以检测峰值信号（高度）和积分信号（面积）。2382024年9月24生物与医学工程学院64通道信号采集分析系统预采购神经电生理多通道在体采集系统，通道数：64记录通道；采样率：40kHz。2302024年9月25生物与医学工程学院台式扫描电镜预采购台式扫描电镜一台，分辨率小于等于6nm，放大倍数80-350000倍，附带能谱仪。1202024年9月26医学科学与工程学院台式小动物超声成像系统预采购超声成像系统一套，探头频率：≥7.5MHz，显示精度≤90um等。1502024年9月27医学科学与工程学院大小鼠饲养设施采购大鼠和小鼠饲养设施独立通风笼具。笼具由4个部分组成：送风系统、排气系统、笼架、鼠盒。风机采用低噪音风机，进风箱、排风箱处提供初、高效两级过滤，高效过滤效率≥99.99%，气量、换气次数、气流速度、空气洁净度、噪声符合行业标准。笼盒包含不锈钢网盖、PPSU上盖、PPSU底盒、PPSU水瓶和全包不锈钢水嘴。2512024年9月28医学科学与工程学院剪切波弹性成像超声机预采购剪切波弹性成像超声机一台，支持实时二维剪切波成像、彩色脉搏波测量等。2702024年9月29医学科学与工程学院表面肌电仪预采购高精度表面肌电仪4台，单台不少于16个肌电通道、传感器延迟时间小于500微秒。1202024年9月30医学科学与工程学院超精密单点金刚石车床预采购超精密单点金刚石车床一台，加工元件表面粗糙度最高可达3nm，口径最大可达到200mm。1502024年9月31医学科学与工程学院眼前节光学相干断层扫描仪预采购眼前节光学相干断层扫描仪一台，波长1310nm，扫描速度大于5万次每秒。1202024年9月32集成电路科学与工程学院12英寸晶圆传输模块部件拟采购用于12英寸晶圆传输模块的关键真空设备零部件一批，设备零部件包含半导体前端模块，真空泵组，定制真空传输腔体，真空密封件，真空计，阀门、晶圆台、校准机构、机械臂、晶圆定位传感器、流量计、客制化软件控制系统以及辅助支撑部件等。6702024年9月33生物与医学工程学院生物摩擦磨损试验机预采购生物摩擦磨损试验机1台，用于高精度测试植介入医疗器械部件之间及与宿主组织之间的摩擦磨损性能。1392024年9月34生物与医学工程学院可降解血管支架微粒脱落测试系统预采购可降解血管支架微粒脱落测试系统1套，用于测试评价心脏及血管支架的疲劳耐久性能以及实时在线监测整个疲劳测试过程中每个支架不溶性微粒脱落的数量和大小情况。2452024年9月35生物与医学工程学院x射线成像系统预采购x射线成像系统1套，用于科学研究中的动物心血管介入及骨科手术的X线成像。4002024年9月36集成电路科学与工程学院多元复杂薄膜处理模块部件拟采购用于多元复杂薄膜处理模块的关键设备零部件一批，设备零部件包含真空泵组，定制真空腔体，真空密封件，真空计，真空阀门、电磁铁模块、真空快速加热装置、多维靶台、多维样品台、电子束蒸发源、膜厚仪、客制化软件控制系统以及辅助部件等。6402024年6月37材料科学与工程学院高温光谱发射率测试系统1.样品加热系统 加热温度范围50-1000℃。在温度范围50-1000℃，可在大气条件下工作。在温度范围1000-1500℃，惰性氛围条件下工作。温度控制稳定性优于0.5℃/10min。 2.参考黑体辐射源 黑体发射率＞0.99，黑体覆盖温度范围50-1500℃，温度控制稳定性优于±0.3℃@10min，温度分辨力为0.1℃。黑体辐射源整体溯源至黑体辐射源国家计量标准，并提供校准证书。 3. 红外信号采集 光谱范围覆盖3-14μm。对于传递标准样品，标准不确定度≤0.05，测试重复性≤0.5%。 4.运动控制 通过程序自动控制精密电动平移台实现样品与黑体位置的切换。位移定位精度优于0.1mm；中心负载能力120kg。 5.环境辐射屏蔽仓 测试系统整体内置于环境辐射屏蔽仓内，内避面具有高红外吸收涂层，涂层红外发射率不低于0.9。6502024年8月38材料科学与工程学院高温撞击设备和无接触容器采购高温撞击设备具备利用气悬浮激光加热熔化后的高温液滴，通过喷嘴分离实现自由落体运动的功能；自由落体运动的高温液滴，以不同的温度和速度与基板相撞的功能；自由落体运动的高温液滴与基板相撞的瞬间实现高速相机观察分析的能力。无接触容器具备实现不同保护气氛下的无容器样品制备功能，并配有样品加热系统、气体悬浮系统、观察与控制系统及温度测试系统。2002024年7月39集成电路科学与工程学院干式强磁场综合测试系统可以同时提供极低温（2K）、强磁场（±9T）复合环境，用于表征极低温、强磁场复合极端条件下凝聚态物质的变温电导率、电输运、一级微分电导、霍尔效应等电磁学物性的测试。 主要性能指标如下： 采用二级GM制冷机 变温范围：1.5K-300K 温度稳定性：优于±25mK 磁场强度：±9T 样品管内径：50mm 样品环境：静态交换氦气。2522024年8月40集成电路科学与工程学院二次离子质谱仪（D-SIMS）二次离子质谱仪（D-SIMS）：研究材料表面的原子排列和界面结构、表征薄膜、材料表面的清洁程度。纵向分辨率: 2-10nm 离子源: Cs离子及O离子，束斑及能量: 30um及以上，质量比分辨率: 4000，杂质检测限: ppm-ppb级别。6602024年8月41集成电路科学与工程学院反应离子束刻蚀设备反应离子束刻蚀设备，配置离子源，能够实现8寸及以下的小碎片的刻蚀，配置反应气体不少于4种，终点检测可实现1平方厘米以下的开口面积的有效检测，可实现固定样品角度和夹角的刻蚀。7502024年8月42集成电路科学与工程学院太赫兹矢量网络分析系统主要用于放大器、滤波器、混频器、倍频器等芯片幅度、相位、群延时等电性能特性的测试。3552024年8月43集成电路科学与工程学院氧化物沉积PVD系统、金属沉积PVD系统、磁性材料沉积PVD系统1. 氧化物沉积PVD系统： 该设备用于磁存储芯片加工制程中的氧化物PVD溅射工艺，可以实现氧化镁、氧化铝和氧化钌等氧化物的高质量沉积，主要性能指标： 沉积室极限真空1×10-8mbar； 可装载不少于6种靶材； 加热温度不低于800摄氏度； 均匀性优于3%； 配备脉冲和射频电源并且可以实现输入和输出的自动切换。 配备独立进样室并可实现自动传输； 软件可实现镀膜流程的全自动控制。 2. 金属沉积PVD系统： 该设备用于芯片加工制程中的PVD溅射工艺，提供用于芯片的金属化的工艺设备，可溅射Cu、AL、Ti等金属，主要性能指标： 沉积室极限真空1×10-8mbar； 可装载不少于6种靶材； 加热温度不低于800摄氏度； 均匀性优于3%； 配备独立进样室并可实现自动传输； 软件可实现镀膜流程的全自动控制。 3. 磁性材料沉积PVD系统： 该设备用于磁存储芯片加工制程中的磁性材料PVD溅射工艺，设备选用强磁溅射组件，可以实现Fe、Ni、Co及其合金的磁性材料单靶或共溅射，主要性能指标： 沉积室极限真空1×10-8mbar； 可装载不少于6种靶材； 加热温度不低于800摄氏度； 均匀性优于3%； 配备直流和射频电源并且可以实现输入和输出的自动切换。 配备独立进样室并可实现自动传输； 软件可实现镀膜流程的全自动控制。9122024年9月44集成电路科学与工程学院电子透射显微设备电子束透射显微设备，配置热场发射电子枪，加速电压不低于200kV，放大倍数不低于1000000倍。5502024年8月45集成电路科学与工程学院超精准全开放强磁场低温光学研究平台超精准全开放强磁场低温光学研究平台， 样品温区：1.7-350K 温度稳定：±0.2%（T＜20K）和±0.02%（T＞20K） 磁体降温时间：≤24小时 不更换样品降温至4K：≤2.5小时 最大磁场强度：±7T 磁场均匀度：±0.3%（30mm球形区） 加磁场速度：0-7T，＜30分钟 光学窗口：1个顶部窗口，净通光孔径41.5mm；7个侧面窗口，净通光孔径24.5mm 样品空间：直径89mm，高84mm。4452024年8月46集成电路科学与工程学院量子钻石原子力显微镜变温组件量子钻石原子力显微镜变温组件，具备低温超高分辨磁畴表征功能。 1.磁场强度：6T/1T/1T三轴磁体系统，分别对应Z、X、Y轴（Z方向可达6T，其他任意方向可达1T） 2.Z方向磁场均匀度：±0.1%@10mmDSV 3.X方向磁场均匀度：±1.0%@10mmDSV 4.Y方向磁场均匀度：±1.0%@10mmDSV。3322024年8月47集成电路科学与工程学院光刻机采购本次拟采购，支持正面曝光，I-LINE,可实现6寸及以下的破片和整片的曝光，极限分辨率0.8微米的光刻机1台。1902024年9月48集成电路科学与工程学院百GHz超快信号产生与探测系统设备可用于新型器件的研究，如新型MRAM器件、新型光电器件、新型生物芯片器件等。1802024年9月49集成电路科学与工程学院3D轮廓白光干涉扫描仪提供芯片形貌和薄膜质量的测量，如粗糙度、光学膜厚，轮廓形貌。垂直扫描范围：30 μm、100μm、5mm、10mm；垂直扫描分辨率：0.01nm；分辨率：752×480像素（可选1k×1k ）；侧向分辨率：0.11-8.8 μm；RMS重复精度：1nm；视场范围：8mm×10mm-0.084mm×0.063mm；校正精度：＜＜0.1%；反射要求：1% -100% 。1682024年9月50集成电路科学与工程学院高频低温磁场二维磁场探针台测试系统高频低温磁场二维磁场探针台测试系统，在高频、低温以及二维磁场环境下探索材料的电学、磁学等特性。配置直流/微波探针、±0.65T水平磁场电磁体、水冷及垂直0.5T磁线圈。样品温度范围8K-420K，温度稳定性±20mK，真空度小于1.2E-3Pa。2362024年9月51集成电路科学与工程学院激光隐形切割设备激光隐形切割设备，激光器最大功率：≥4W，切割速度：≥200 mm/s，可切割8英寸向下兼容晶圆尺寸。4002024年9月52集成电路科学与工程学院低频低温磁场二维磁场探针台测试系统低频低温磁场二维磁场探针台可以提供低温、面内及垂直磁场的环境，探索材料的电学、磁学特性，同时具有开放的电学磁学接口，配备水平方向±0.65T电磁体、垂直方向0.5T磁线圈、电流源与纳伏表各一套及锁相放大器两套，温度范围8-420K，温度稳定性±20mK，真空度小于1.2E-3Pa。4902024年9月53国际前沿交叉科学研究院多通道光电测试系统模块主机显微镜、电路控制、电源、原表 双SMU，可测量三端器件。开关矩阵通道数为96×96。V/I 范围：0.1 fA 至 10 A，100 nV 至 201 V。 双通道。V/I 范围：0.1 fA 至 10 A，100 nV 至 200 V。最小 V/I 脉冲源：100 µ s，0.1% 稳定。最大速度：21k 个读数/秒到缓冲。1182024年8月54国际前沿交叉科学研究院材料验证用电路制造系统电路打印、高精度宽幅3D加工系统、高精度双光子3D微纳加工系统、曲面异型电流体喷印加工系统、3D无掩模加工系统、超声喷涂机 双光子光固化为主 三维最小横向特征尺度：160 nm (一般)；200 nm (定义) 二维横向分辨率：400 nm (一般)；500 nm (定义) 最佳纵向分辨率：1,000 nm (一般)；1,500 nm (定义) 层厚 ：variable, 0.1 – 5.0 µ m 普通样品的最大高度：8 mm 最大加工体积：100 × 100 × 8 mm³ 。9882024年8月55国际前沿交叉科学研究院多腔体传输等离子表面处理-ALD-磁控溅射-parylene镀膜-联动系统等离子表面处理： 射频电源0~1000W 13.56MHz 中频电源0-2000W40KHz 内部尺寸：600X600X600mm(宽x高X深) 有效尺寸：472X451mm(宽X深) 可定制(氨气、氧气、氮气、氢气、四氟化碳) ALD： 衬底尺寸：100-200 mm Dia （8 inch）（可定制） 工艺温度：RT~500°C （可定制） 前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制），包含固、液态前驱体源瓶 加热系统：RT~150℃ 反应物路数：支持2路反应物气路（可定制） 等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制） 射频功率：0~1000W 本底真空度：5 * 10-3 Torr 传输样品：8英寸 对接模块：最大对接ALD工艺腔体4个 极限真空：5*10-4 Pa 热蒸镀： 极限真空度：2x10-5Pa；工作真空5x10-4Pa；配备无机蒸发源两套，功率3Kw；有机蒸发源6套，调温范围：室温~500摄氏度；配备进口膜厚测试仪（SQM200，双探头1套）等。 磁控溅射： 1. 样品尺寸：5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸。2. 基板加热温度： 室温-350℃可调，控温精度1℃。3.配备四台溅射靶枪，其中一个靶枪支持强磁性材料。4. 300W射频电源，2kW 直流脉冲电源，带有等离子清洗功能。5. 蒸发均匀性：2英寸范围内 ±3% ；6英寸范围内±5% parylene镀膜： 腔体尺寸：Φ300 xH400mm 裂解室温度：＜1200°C 真空：1-1000Mtorr 冷 阱 ： 最低冷凝温度低于-90℃。3242024年8月56电子信息工程学院射频信号源、固态功率放大器用于交付系统电磁环境效应测试系统采购项目，通过我校开发、设计组装成系统电磁环境效应测试系统，用于完成GJB1389B-2022规定的部分试验项，试验方法依据GJB8848-2016规定的试验方法。该系统根据实际试验场地的布局完成集成、安装和调试，包括硬件部署和软件部署两部分。在完成集成正常工作工作条件下，完成系统电磁环境效应测试试验项自动测试、分析、生成报告，设备、标准、数据管理，以及系统内功放最大输出、驻波比保护等功能。 系统主要用于完成系统电磁环境效应测试的：系统安全裕度试验、 外部射频电磁环境敏感性试验、电源线瞬变电压试验、电磁环境试验、天线间隔离度试验、搭接性能试验、 人体静电放电试验、 发射控制试验、 分系统和设备电磁干扰试验。5802024年8月57集成电路科学与工程学院IC设计设备运保系统针对近存、存算、大算力芯片技术用的高性能、超高算力芯片设计及网络安全、随时备份使用的安全维护设备系统。1962024年8月58集成电路科学与工程学院氧化退火管式炉硅片的氧化，材料高温退火。1602024年8月59集成电路科学与工程学院中束流离子注入机中束流离子注入机，剂量设置范围：1E11～1E16 ions/cm2，注入元素B、BF2、P、H、He、N、O、C、Ar、Si、Mg、Al等元素。15502024年8月60集成电路科学与工程学院ATE芯片测试系统及ATE虚拟仿真科研平台面向大算力的芯粒集成编译器研发、高可靠空天近存芯片设计及测试用虚拟仿真教学、科研平台。5402024年8月61集成电路科学与工程学院芯片/PCB微缺陷无损检测用3D X-ray检测系统面向近存、存算、大算力芯片技术研究，通过使用高分辨率3D X射线照射，快速对IC封装结构的微缺陷、PCB和载板的工艺缺陷、所有IC类产品的开/断/短路以及异常连接的无损检测，辅助IC设计人员快速做出故障分析。3862024年8月62计算机学院虚拟现实与增强现实科教协同平台是虚现实与增强现实科教协同平台中6个子平台之—“BH末来战争实验室子平台”的重要组成部分，主要实 “战术想定交互式设计推演”应用功能。1982024年8月63国际前沿交叉科学研究院电导率塞贝克测试系统温度范围：室温-1000℃。1202024年8月64国际前沿交叉科学研究院导热仪导热仪的测温度范围: 室温-1200°C。1302024年8月65国际前沿交叉科学研究院热电转换效率测试系统采购热电转换效率测试系统，要求上下表面能提供500℃的温度梯度。1302024年8月66计算机学院三维立体视听影像和6自由度交互软硬件需采购三维立体视听影像和6自由度交互软硬件 1、激光投影机22台。空间内投影显示尺寸：4米*4米*2.5米（长、宽、高）；显示模式：支持DLP技术；光源类型：激光光源；ANSI亮度：1500lm；动态对比度：25000:1；ANSI对比度：500； 2、图形融合服务器1套。主频3.7GHz、10核、20线程；GA102-200、GDDR6X 10GB*2；支持边缘融合多路光学矩阵，空间画面的整体输出需满足超8K的高清分辨率。四周墙面及地面，每面不低于3840*2160； 3、空间定位系统服务器1套。CM246；GA106-300、GDDR6 12GB；支持空间视觉补偿，空间内投射在不同平面（墙与墙、墙与地面）之间的画面，全三维立体效果无畸变； 4、多路RGB-D传感器1套。拼接多路视觉数据，基于头顶视角实时采集及计算，定位人眼位置及识别肢体动作，空间采集尺寸：4米*4米*2米（长、宽、高）；采集模式：3D深度相机组；采集分辨率：840*480；采集光源：红外光源；动态感知响应速度33ms； 5、定制工业场景和演示示范不少于20个。1162024年8月

Pickering Interfaces与Menlo Microsystems的合作将新的开关技术引入PXI射频多路复用开关，以显著地提高性能。2023年6月26日，于英国Clacton-on-sea。Pickering Interfaces公司作为生产用于电子测试及验证领域的信号开关与仿真解决方案的主要厂商，于今日发布了一款采用新的开关技术的PXI/PXIe射频多路复用开关模块新产品。新款基于MEMS的射频多路复用开关是无线通讯和半导体测试的理想选择，与传统 EMR(电磁继电器)开关相比，操作寿命大大延长(高达300倍)、切换速度更快(高达60倍)、带宽更高，射频功率处理能力更强。插入损耗也与EMR相当，并且远低于固态开关。 　　新产品家族基于Menlo Microsystems的Ideal Switch®构建。这是首款性能特性能够支持要求严苛的射频测试环境，比如半导体、消费者无线设备和各种S波段的应用(包括移动服务、卫星通讯和雷达)的商用MEMS组件。“Pickering多年来一直在密切关注MEMS(微机电系统)技术，”Pickering Interfaces的开关产品经理Steve Edwards说。“Menlo Micro凭借Ideal Switch成为第一家提供满足射频测试所需规格的量产MEMS开关的公司。” 　　Menlo Microsystems的创始人兼全球营销高级副总裁Chris Giovanniello指出：“我们与Pickering Interfaces的合作伙伴关系建立在专注于下一代射频产品和应用的五年合作之上。“现在，我们的 Ideal Switch 已被Pickering用来构建首批射频多路复用开关，我们期待进一步推进我们的创新技术的发展。” 　　40-878 (PXI)和42-878 (PXIe)是50Ω 4：1 射频多路复用开关。为了适应不同规模的测试应用，40/42-878系列提供单组、双组或四组多种规格选择，都仅占用一个PXI或 PXIe机箱插槽。用户可以灵活地选择机箱，最大程度地减少所需插槽的数量。40-878也可以在Pickering的所有LXI/USB模块化开关机箱中安装使用。因此，受PXI、LAN或USB控制的不同的开关解决方案具有相同水平的高性能。该模块提供SMB或MCX连接器，用户可以选择最适合其应用的接口。另外，Pickering还提供类型齐全的线缆解决方案。 　　Pickering的开关产品经理Steve Edwards对新产品作了说明：“40/42-878系列提供大于30亿次的操作寿命，远超基于EMR的解决方案(通常为1千万次操作)，最大程度地减少由于继电器损坏或需要维护造成的系统停机。仅50us的切换速度使得这些开关可以在EMR的一次切换时间内进行多次切换，因此最大程度地减短了测试周期时间，以及提高了系统吞吐量。快速切换的优点使得这款产品适用于类型广泛的各类应用。” 　　“另外，40/42-878提供4GHz的带宽(现有的EMR产品带宽为3GHz)，可以支持新的更高频率的测试要求，因此有助于延长测试系统的使用寿命。提高了带宽的同时也提高了射频承载功率，超过了EMR解决方案的10W功率。”Edwards说：“最后，与固态解决方案不同，40/42-878中使用的MEMS开关具有低插入损耗，在4GHz时通常小于1.4db —— 与EMR解决方案相当，但具有基于MEMS设计的所有优势。” 　　40/42-878系列随附驱动程序，可在所有主流的软件编程环境中使用。在操作系统方面，支持所有微软当前的Windows版本和主流的Linux版本，以及其他实时硬件在环(HiL)工具。另外，Pickering为所有模块提高三年质保。