全自动兆声大基片清洗系统

兆声清洗技术LSC-5000 (AC) 全自动兆声大基片清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。LSC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。LSC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。LSC占地面积较小，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-5000 (AC) 全自动兆声大基片清洗系统应用：硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版LSC-5000 (AC)全自动兆声大基片清洗系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-5000 (AC)全自动兆声大基片清洗系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜

兆声湿法去胶技术LSC-5000 (AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(LSC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。LSC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。LSC和SWC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。LSC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。LSC是占地面积较小，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-5000 (AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统应用：光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜

LSC-5000 (AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统应用：光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-5000(AD)全自动兆声大基片湿法去胶系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜

兆声清洗技术LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统应用：湿法刻蚀硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带图案/不带图案的掩模版LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面手动上下载片安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面

兆声清洗技术SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统应用：湿法刻蚀带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统的特点：机械手全自动上下载片支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统选配项：多系统集成掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

兆声湿法去胶技术LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统应用：光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带图案/不带图案的掩模版LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统的特点：支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面手动上下载片安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统选配项：化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水（20ppm的O3）氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜机械手上下载片，带EFEM以及SMIF界面

兆声辅助湿法去胶技术SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统应用：湿法去胶带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统的特点：机械手全自动上下载片支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-5000 (AD) 全自动兆声湿法去胶系统选配项：多系统集成掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

美Nano-master 大基片清洗机 Large Substrate Cleaning :LSC-4000NANO-MASTER大基片清洗机（LSC）是一款独立式清洗机，使用计算机控制，最大可支持外径21”的基片。通过前方面板上的触摸屏和LabView用户界面，与SWC系统相比可以提供更强大的控制，并允许用户控制访问等级，比如操作者、工艺工程师和维护工程师。跟SWC一样，LSC集成了同样的专利技术的兆声技术和化学试剂分布。 LabView控制和更大工艺腔体的组合支持额外的选配项，诸如臭氧化去离子水、高压去离子水、带保护膜的分划板清洗、以及白骨化清洗。 单晶圆和Cassette-to-Cassette自动上下片可选。其中可以通过定制托盘一次放入多片小片实现批处理。特点：** 最大可支持21”外径，15”x15”方片和450mm的晶圆** 无损兆声清洗** 不同转速的PVA刷子** 带回吸阀的化学试剂分布** 双排放口用于酸和试剂的分开排放** 全自动计算机控制，菜单驱动** 基于LabVIEW的触摸屏友好用户界面** 手动上下片** 安全联锁和报警** 32”x28”的占地面积选配：** 带保护膜的分划板清洗** 双面刷子和兆声清洗** 化学试剂传输模块** 化学试剂瓶的泄漏检测传感器** 白骨化清洗** 臭氧化去离子水(20ppm O3)** 高压去离子水** 加热的去离子水** 氮离子发生器** 带去离子水电阻率监控的CO2注入** FM4910防火灾材料** 机械手上下片，带SMIF传送盒应用：** 硅晶圆及蓝宝石晶圆清洗** 晶圆框架上的切割芯片清洗** 显示面板清洗** ITO涂覆的显示屏** 带图案或不带图案的掩模板清洗** 掩模板光板清洗** 接触掩模版清洗

兆声清洗技术SWC-4000 (C) 兆清洗系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-4000 (C) 兆清洗系统应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-4000 (C) 兆清洗系统的特点：支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-4000 (C) 兆清洗系统选配项：机械手自动上下载片掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

EVG300系列兆声清洗系统：EVG301 一、 简介 EVG公司成立于1980年，公司总部和制造厂位于奥地利，在美国、日本和台湾设有分公司，并在其他各地设有销售代理及售后服务部，产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商，其丰富的产品系列包括：涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG300系列配备1MHz，30-60W的兆声波清洗头，能有效地去除亚微米(0.1um)颗粒。可与EVG键合机和对准机实现无缝衔接，以保证键合前硅片的洁净度，是实现SOI、Si-Si直接键合等工艺的必要手段。同时，EVG300系列也是高精度单片清洗工序的必备设备。二、应用范围EVG300系列是一款单晶片或掩膜板清洗系统，面向以研发和小批量生产为主的客户，广泛应用于光刻掩膜板清洗、硅片直接键合、SOI键合前处理和其它相关领域。 三、主要特点u 单片清洗，基片正面与背面间无交叉污染u 稀释的化学液体清洗，有效地节省了成本u 基片旋转甩干，最大转速可为3000转/分刷片清洗u 软件可编程控制刷头移动速度及基片旋转速度u 1MHz兆声清洗或兆声板式清洗（可选）u 单面刷洗（可选）u 其它选项- 带有IR检测的预对准台- 应对非SEMI标准的硅片夹具

设备介绍：本系列机型根据液晶面板特性研制而成，由化学洗剂清洗、DI水漂洗、慢拉脱水、热风干燥、自动搬运系统、循环过滤系统、全封闭罩、废热回收系统及上下料传送系统等组成。配以PLC及彩色人机见面控制，全自动运行。设备特点：1.一体化、模块化结构，占地小，容量大，清洗产能高；2.行业唯一单向超声输出，空化效率高，清洗洁净度高 3.独特的分离式自动搬运机械手，高效稳定、便于维护保养；4.配套均匀的气压鼓泡系统，有机结合超声波，满足市面任一种基板清洗特性 5.可选配热能回收系统，大幅度降低能耗 6.PLC+彩色人机界面控制，多层次密码权限，工艺参数随机可调，工作状态可视。设备应用：用于液晶板制程中切裂后的精密清洗干燥。

设备介绍：由化学洗剂清洗、漂洗、热风干燥、自动搬运系统、循环过滤系统、全封闭罩及上下料传送系统等组成。配以PLC及彩色人机见面控制，全自动运行。设备特点：1.容量大，清洗产能高 2.行业唯一单向超声输出，空化效率高，清洗洁净度高 3.龙门自动搬运机械手，高效稳定、便于维护保养 4.特制波段IR光干燥，洁净、节能 5.可选配热能回收系统，大幅度降低能能耗 6.PLC+彩色人机界面控制，多层次密码权限，工艺参数随机可调，工作状态可视。设备应用：主要用于车载玻璃等大型产品的精密清洗和干燥

兆声清洗技术SWC-4000 (W) 兆声晶圆清洗机概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-4000 (W) 兆声晶圆清洗机应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-4000 (W) 兆声晶圆清洗机的特点：支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积 SWC-4000 (W) 兆声晶圆清洗机选配项：掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

兆声清洗技术SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机的特点：台式系统无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干支持12”直径的圆片或9”x9”方片微处理机自动控制IR红外灯 SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机选配项：掩模版或晶圆片夹具PVA软毛刷清洗化学试剂清洗(CDU)氮气离子发生器

Plasma Cleaner等离子清洗/去胶机NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机概述：NANO-MASTER 等离子清洗和灰化系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机产品特点紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持5个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机Features：Stand Alone SystemAuto wafer Load/Unload with load lockStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 5 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

Plasma Cleaner等离子清洗/去胶机NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机概述：NANO-MASTER 等离子清洗和灰化系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机产品特点紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持8个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机Features：Stand Alone SystemAuto wafer Load/Unload with load lockStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 8 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

兆声清洗技术SWC-4000 (M) 兆声掩模板清洗机概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-4000 (M) 兆声掩模板清洗机应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-4000 (M) 兆声掩模板清洗机的特点：支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-4000 (M) 兆声掩模板清洗机选配项：掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

兆声清洗技术SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模板清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机应用：带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机的特点：台式系统无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干支持12”直径的圆片或9”x9”方片微处理机自动控制IR红外灯SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机选配项：掩模版或晶圆片夹具PVA软毛刷清洗化学试剂清洗(CDU)氮气离子发生器

设备介绍：采用最新环保工艺设计，零排放。设备由脱气超声清洗、真空超声清洗、蒸汽浴清洗、真空干燥等工艺组合而成一套全自动清洗机，整机PLC+人机界面控制，全自动化。多槽组合，效率高产品用途。设备特点：1.真空超声波清洗、干燥、对盲孔、薄板部品清洗品质佳；2.自动化清洗、清洗过程由PLC程序控制，智能、高效；；3.自动蒸馏再生系统、节能排放、循环经济4.气体浓度检测+自动灭火系统，安全性高；5.智能化、远程监控。设备应用：用于解决各类冲压、拉伸、五金加工零件的批量除油清洗

清洗标的：玻璃基板/光学玻璃主要材料:金属骨架+SUS304不锈钢壳体，槽体材质SUS316不锈钢基础工艺流程:超声→超声→兆声→鼓泡漂洗→热水漂洗→慢提拉（烘干）（可增减）设备类型：手动/半自动/全自动（定制）Footprint : 4000 (W) x 1150 (D) x1200(H) mm

磁控溅射技术NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000（A）带有14”立方形铝质腔体，3个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70或250l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

全自动超净酸蒸清洗系统本公司独立研发的全自动超净酸蒸清洗系统ATC（Auto TraceCleaner System）实验室容器酸蒸超净清洗系统能彻底、安全地清洗痕量分析所使用的各种TFM、PFA、玻璃和石英材质实验容器。包括：微波消解罐、试管、烧瓶等器皿。清洗完毕后，容器被冷却、干燥后储存备用。主要特点：1、适用于几乎所有痕量和超痕量分析用的反应容器清洗。2、适用试剂包括：氢氟酸，盐酸，硝酸，硫酸，和水。3、清洁无污染，只有超纯的100%酸蒸汽接触要清洗容器的表面，并且所有内部接触部件均采用高纯PFA/Teflon材料。4、双层盖密闭设计；进行酸蒸馏超净清洗时，有效防止实验室污染。5、酸蒸清洗时间任意可调，水蒸清洗时间任意可调，干燥时间任意可调，满足客户个性化使用需求。6、独立开发自动定量加液排液系统的应用，可实现定量加液，自动排液！不但保证了操作人身安全！而且使仪器更智能，一键完成所有操作。7、随时存取实验方法，方法名称可编辑。8、可设置酸水比例，并按设定比例自动配比。免除人员配比麻烦9、实行双加热系统，保证桶内温度稳定均匀，主加热模块与辅助加热模块分别测控温，设定与显示温度实时显示在主界面。10、热空气自动吹扫功能（选配），在排废酸，排废水，干燥过程中自动启动热空气吹扫干燥功能，能更快的实现排液干燥功能。

设备介绍：随着五金零部件质量要求日益提高，意味着需配合更为先进和复杂的清洗工艺，本系列机型可结合超声清洗、高压喷淋、真空或热风干燥等先进工艺，辅助以自动搬运系统、循环过滤系统、全封闭罩、及上下料传送系统等组成。配以PLC及彩色人机见面控制，全自动运行。设备特点：1.一体化、模块化结构，占地小，容量大，清洗产能高；2.行业唯一单向超声输出，空化效率高，清洗洁净度高；3.独特的分离式自动搬运机械手，高效稳定、便于维护保养 4.可选装油水分离系统磁性分离系统及自动补药等先进的功能系统 5.PLC+彩色人机界面控制，多层次密码权限，工艺参数随机可调，工作状态可视。设备应用：用于五金冲压件、汽车零部件、微电机部件等精密五金零件的清洗和干燥。

全自动超净酸蒸清洗系统 本公司独立研发的全自动超净酸蒸清洗系统ATC（Auto TraceCleaner System）实验室容器酸蒸超净清洗系统能彻底、安全地清洗痕量分析所使用的各种TFM、PFA、玻璃和石英材质实验容器。包括：微波消解罐、试管、烧瓶等器皿。清洗完毕后，容器被冷却、干燥后储存备用。基本参数：1适用于几乎所有痕量和超痕量分析用的反应容器清洗。2适用试剂包括：氢氟酸，盐酸，硝酸，硫酸，和水。3清洁无污染，只有超纯的酸蒸汽接触要清洗容器的表面，并且所有内部接触部件均采用高纯PFA/Teflon材料。5双层盖密闭设计；进行酸蒸馏超净清洗时，有效防止实验室污染。6酸蒸清洗时间任意可调，水蒸清洗时间任意可调，干燥时间任意可调，满足客户个性化使用需求。7独立开发自动定量加液排液系统的应用，可实现定量加液，自动排液！不但保证了操作人身安全！而且使仪器更智能，一键完成所有操作。8随时存取实验方法，方法名称可编辑。9可设置酸水比例，并按设定比例自动配比。免除人员配比麻烦10实行双加热系统，保证桶内温度稳定均匀，主加热模块与辅助加热模块分别测控温，设定与显示温度实时显示在主界面。11热空气自动吹扫功能（选配），在排废酸，排废水，干燥过程中自动启动热空气吹扫干燥功能，能更快的实现排液干燥功能。酸蒸逆流清洗架 采用高纯度耐高温防腐蚀聚四氟乙烯（PTFE）材料，最多可批处理48个反应容器 。 操作界面 独立开发的操作界面，可进行各基本参数设定，实时在线参数修改，加排液过程中状态条实时显示，运行状态一目了然。（酸蒸清洗时间，水蒸清洗时间，干燥时间，侧壁温度设定，主桶温度设定，酸水浓度配比，自动加酸时间，自动排酸时间，自动加水时间，自动排水时间，方法调取， 方法命名与保存。

语瓶全自动痕量清洗系统可满足有机、无机、微生物、生化实验室的全部清洗要求，用于实验室常规玻璃器皿的水相常规清洗、无机元素检测用消解罐、容量瓶等器皿的酸蒸汽清洗工作。语瓶全自动痕量清洗系统十大优势：无二次污染手工清洗手上的油污可能附在器皿上，增加洗刷的困难，洗瓶机清洗采取自定清洗、自动漂洗、自动烘干的方式，无二次污染。洁净度均一手工清洗后，器皿洁净度均一性较差（人工洗刷器皿存在洗刷盲点；不同实验人员清洗出来的相同容器洁净度不一样。），用洗瓶机清洗的器皿清洁程度均一，并且能够保证每批次均一性好，可以保存程序。健康、无污染洗瓶机清洗可避免有机溶剂等残留物和洗液对清洗者健康造成影响，也可避免其对环境造成污染；让清洗变得更轻松滴定管，移液管，容量瓶，蒸馏器等特殊形状的仪器手动清洗比较困难，洗瓶机可轻松清洗这些容器。环保、无二次传染避免因破碎浪费玻璃器皿和一次性器皿丢弃对环境的破坏。洗瓶机清洗可避免清洗人员直接接触被污染的玻璃器皿，避免有害病毒、细菌、传染性物质等对清洗人员健康造成威胁。洁净度高、残留低洗瓶机可为实验人员提供洁净度更高、残留量更低；时间快、成本低可让科研人员更加节约宝贵的时间，提高工作效率，为企业节省人工成本。热消毒-灭活洗瓶机具有93度热消毒功能，符合EN ISO15883标准。有据可查洗瓶机提供RS232接口，数据可以保存，让实验室清洗有据可查，有清洗程序可询，具有很好的可追溯性。清洗残留---验证在FDA制药企业中，玻璃器皿的清洗残留验证。IQ\OQ\PQ中PQ的性能验证，在有了清洗系统后可以得到很好地解决。“语瓶”清洗产品在应用过程中，获得了美国药典标准开发中心（USP），天津出入境检验检疫局、中科院、中石化、疾控、药检、质检等大型、代表性检测机构的认可，在瑞士SGS、深圳华测、德凯等国际知名第三方机构安装运行。“选择语瓶，就是选择一份放心”多年来“语瓶”洗瓶机一直为梅赛德斯奔驰、药明康德、恒瑞药业、齐鲁制药、联合利华、统一、味之素、陶氏化学、巴斯夫等国际知名企业提供清洗支持。

兆声湿法去胶技术SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统概述：最新技术的兆声和清洗技术的发展，对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平，可以帮助用户获得最干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统，用于最先进的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片，包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到最优化的清洗效果，兆声能量的密度必须保持在稍稍低于样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的专利技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面，通过分布能量的最大化支持最理想的清洗，同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以最大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术，系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了最低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，最先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外，NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了有机物的去除，而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用，某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以最低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成，具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记，降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外，带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统应用：光刻胶去除，剥离带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及极紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统的特点：支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂，毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-4000 (D)兆声湿法去胶系统选配项：机械手自动上下载片掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器

Ion Beam离子束清洗NIE-3500 (AC)全自动离子束清洗系统产品概述：该系统为全自动上下载片，并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统产品特点：低成本带预真空锁，自动上下载片离子束：高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径：4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵14"不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片（NIE-3500）基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30"x30"NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统产品应用：表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统Features：Low CostAuto Load/Unload with Load LockIon Beam: Up to 2KV/10mA Ion Current Density 100-360 μA/cm2 Ion Beam Size: 4”, 5”, 6”Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar, O2, CF4,Cl2) Base Pressure 5x10-7 Torr 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump14” SS or Al ChambersWater Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)Auto Load and Unload (NIE-3500)PC Controlled with LabVIEW SoftwareFootprint 30”x30”NIE-3500(AC)全自动离子束清洗系统Applications：Surface Cleaning Surface Treatment Ion Beam MillingIon Beam Etching with Reactive Gases: Grating Deep Trenches on SiO2, Si and metals

电子束蒸发技术NEE-4000（A）全自动电子束蒸发系统概述：NANO-MASTER NEE-4000电子束蒸发系统有两种不同的构造可供选择。第一种为垂直紧连的双腔架构，其中主腔体是14英寸的立方体，其内有样品台，底部二级腔体则用于安置电子束源。这种构造可在两个腔体之间装有门阀互锁，可实现主腔体放取片过程保持电子束源和坩埚的真空状态。若需实现自动上下片，通过在主腔体左边增加带真空阀门的进样室即可。这样，主腔体可以持续保持10-7托范围的低压，装片后几分钟内就可进行蒸镀。第二种构造为一个独立大腔体，基板上安装电子束蒸镀腔、磁控枪和热蒸镀。该构造可涂覆多种尺寸的晶圆，过程中使用行星运动的样品台。 NANO-MASTER公司可通过样片掩膜实现组合蒸镀，并可通过电脑控制单个电子束蒸镀的蒸镀速率。NEE-4000系统特点：电抛光14"立方体或21"x21"x22"不锈钢优化蒸镀腔体 680 l/sec 涡轮分子泵，串接机械泵或干泵 4x 15CC pocket电子枪 电子束源和基片遮板 6KW开关电源，杰出的消弧性能 自动Pocket索引以及可编程的扫描控制器 膜厚监测，可设置目标膜厚作为工艺终点条件 旋转样品台，提供高均匀性 带观察视窗的腔门，便于放片/取片 PC全自动控制，具有高度的可重复性 Labview软件的计算机全自动工艺控制控 多级密码保护的授权访问设计 EMO保护以及完全的安全联锁NEE-4000系统可选项:基片加热(最高可到800℃)或冷却 带旋转的倾斜沉积 行星运动式基片夹具 基片RF/DC偏压 基片清洗的离子源以及离子辅助蒸镀 附加物理沉积源（热蒸镀，磁控溅射） 用于反应蒸镀的MFC 不同的泵组选择 进样室和自动上下片/可支持单片和25片片夹NEE-4000系统应用:剥离 光学涂覆 铜铟镓硒(CIGS) 约瑟夫森连接 OLED

NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000（A）带有14”立方形铝质腔体，3个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70或250l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射

YGSX-800-3000Q全自动低压开关柜温升大电流发生器实现方法：因低压开关柜为多组出线方式，而实验规程要求每条出线回路必须同时通额定电流进行实验，我们针对于以上实验方式，提出采用多组电流源从低压开关柜出线侧加电流，将母排进线侧短接的方法实现温升实验的目的。原理如下：采用4组0-700A电流输出源从出线端加电流，每组电流输出源电流大小均可调，每组电流源输出相位相同（每组的A相角度完全一直，B相角度完全一直，C相角度完全一直）当电流施加到进线柜时等于每组电流的和。大电流发生器主要功能特点：1、内置高配置工控机，采用可编程控制器PLC作为中心处理器，对交流信号进行实时扫描,实现全面监测和闭环控制，并设计密码设置管理，只有获得相应操作权限的人员，才能进行某些功能的操作。可外接计算机控制2、进口PC机真彩大液晶触摸屏操作，采用支持现场总线技术的智能型传感器，实现数据传送的全数字化，显示操作单元选用了触摸式彩色液晶显示屏（或外接电脑），全中文菜单，界面清晰直观，操作简单方便。测试无需外接任何辅助设备，全自动控制，傻瓜式操作，快捷、简单、方便3、本仪器测试方法有全自动测试与手动测试两种方法，只需设置简单的试验电流与时间即可。带有自动稳流系统。4、只需设置好目标电流即可，无需人工监控，仅需设定测试、电流和步长，省去手动调压、人工记录、描绘曲线等烦琐劳动，减小劳动强度，提高工作效率也可工作结束后把数据读到电脑上查看即可。5、有超过限定值自动报警功能具有可靠的过热、过流、过压及短路自我保护功能。交流调压装置保护应采用微机自动保护控制和机械微动限位开关双重保护，确保恒流电流正常工作，提高产品的安全性、可靠性。6、人性化界面，软件界面友好，全中文操作界面，控制软件具备数据记录、并可将电流、温度波形存储，数据管理、报表、打印等多种实用功能；参数设定全部在软件中完成。更为直观地分析电流与温度关系值。使所有数据和测试分析结果一目了然。试验过程中，自动跟踪目标电流，自动稳定输出电流，自动调节三相电流；试验完成后，自动回到零位；7、自动调节交流恒流源满足GB 7251.1～ GB 7251.5标准中低压成套开关柜（含有多路输出的控制柜如GCK,MNS等）的温升试验，自动调节交流恒流源应能在温升试验中实现多台恒流电源并机运行（应提供用户使用多台恒流源并机运行的证实材料复印件，如GCK或MNS等的温升试验）8、带三相自动平衡系统，保证三相平衡输出，输出电流采样采用0.2级电流互感器并采用当前电力电子技术，抗干扰能力强，输出精度高，最高可达0.5级。9、配有精度调整菜单，用户可自行调整误差值。程控交流恒流电源可实现全智能校正，在设备可调范围内自动生成多段校正系数，确保恒流电源稳流精度。10、可根据用户要求定制测试模块，软件终身免费升级11、三相功率补偿12、根据试验室管理体系ISO17025关于人、机、物、料和环的要求，具有如下实验室管理功能：13、具备设备登录必须需输入用户名和密码，新加人员需要管理员建立和授权。(电脑软件功能)大电流发生器技术指标：YGSX-800-3000Q十二相全自动低压开关柜温升试验仪最大输出电流交流三相4000A 单相1000A 十二路输出电路方式特殊工艺自动调压方式交流输入相线3Φ4W +G电压380V±10%，50Hz±2%三相四线输入电流84A输出相线3Φ4W电压0-8V电流AC 0-800A连续可调, 无级调速方式 可十二相同时输出，也可三相输出，也可单相输出，也可分相输出 手动方式输出，自动方式输出二种方式。 容量96kVA稳流精度输出电流≤±0.5%输出精度≤±0.5%输出频率50HZ输出端子铜排、铜柱、端子（订制）保护电子电路快速侦测过压、过流、过温、缺相等自动跳脱保护及警示装置, 非测试状态电压为零，电流为零度源效应≤0.3%额定值时漂≤1%额定值温漂≤0.04%额定值／℃负载效应≤1%额定值（仅由于输出电流从零至额定值变化时引起的输出电压变化率）纹波电压≤1%额定值+10mV显示 及设定辅助电压表显示真彩色液晶和数显仪表 (显示精度：0.1V, 显示误差：≤0.2%±1个字)辅助电流表显示真彩色液晶和数显仪表 (6位数码显示, 显示精度0.1A, 显示误差：≤0.2%±1个字)调节设定电流PLC高速通道自动调节系统整机效率≥90%耐压绝缘阻抗AC 1800V 1分钟，20兆欧冷却装置自然冷却噪音﹤60dB（机器前方1mm）互感器精度0.2级防护等级IP20工作 环境工作方式长时间温升实验温度-10℃-50℃湿度0-90%（非凝结状态）海拔高度1500m以下外形结构一体尺寸见附件输出输出按每平方1.2个电流计算，温度巡检40路温度检测参考资料