靶头等离子射频磁控溅射仪

Hiden的EQP等离子体质量、能量分析仪在薄膜的磁控溅射沉积研究中可以提供残余气体分析、随磁控源开关产生的气体分析、离子能量分布、中性粒子分析等多种分析手段。

采用磁控溅射手段，通过磁控阴极+专用直流电源方式对样品喷金处理，有较低的离子轰击损伤和温升效应；另外，包括原位等离子清洗源选配模块，能够实现样品表面有机污染物清洗和活化；此外，还有操作简单，触控面板界面，一键式操作等特点。

上海伯东代理德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700 成功应用于宁波某研究所磁控溅射（Megnetron Sputtering）系统.宁波某研究所磁控溅射（Megnetron Sputtering）系统用于光刻胶片上溅金属铬,铜,钛.其中材料生长腔工作真空度要求 E-7 hPa,能做到4英寸片,3靶位,可实现编程镀膜.材料生长腔对涡轮分子泵的要求较高,老师在考量了德国普发 Pfeiffer Hipace 700 涡轮分子泵和爱德华 Edwards STP603 分子泵后,因为对分子泵的压缩比要求较高,最终选择了德国普发 Pfeiffer 分子泵

日前，由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成，可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。

上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.

全固态电致变色器件的实用化研究一直是该领域的研究热点。电致变色器件全固态化的关键是采用合适的快离子导体（有时亦称固体电解质）作为器件的离子传导层。目前，用于电致变色器件的快离子导体仍以固态聚合物电解质为主，然而，聚合物电解质存在易老化、机械强度差、工业化生产难度较大等缺点。无机快离子导体是最有希望用于全固态电致变色器件的离子导体材料。本实验室前期研究结果表明，在合适的工艺参数下制备的 ZrNx薄膜具有高的透过率、良好的热稳定性、耐磨性和化学稳定性，适合于作为电致变色器件的离子导体层。 到目前为止，制备离子导体薄膜最常用的方法有溶胶－凝胶法、真空蒸发法、化学气相沉积法和溅射沉积法等，其中磁控溅射以沉积速率高、基片温升低、膜层均匀性及附着力好、工艺参数易控制等优点而日益成为制备离子导体薄膜的理想工艺方法。 因此本文以纯锆靶及纯铬靶为靶材，采用反应磁控溅射工艺在 WO3/ITO/Glass基片上沉积 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜，通过紫外－可见分光光度计、循环伏安法、交流阻抗法、X 射线衍射仪、热场发射扫描电镜以及扫描隧道显微镜等测试分析方法，研究了制备工艺参数以及 Cr 掺杂对 ZrNx薄膜离子导电性能和结构的影响 。研究结果表明：采用射频反应磁控溅射工艺制备的 ZrNx薄膜和 ZrNx:Cr 薄膜均为非晶态结构，溅射功率和氮气分量等工艺参数对薄膜的离子导电性能有较大影响，选择合适的氮分量和溅射功率有助于提高 ZrNx薄膜的离子导电性能，在本实验的条件下，原位沉积 ZrNx薄膜的可见光透过率大于 75％,ZrNx/WO3/ITO/Glass器件的光学调节范围最大可达 57％以上，在离子传导过程中表现出良好的离子导电性能。 掺杂后的 ZrNx:Cr 薄膜，晶态趋势大于未掺杂的 ZrNx薄膜，结构的变化导致ZrNx:Cr 薄 膜 的 离 子 传 导 性 能 有 所 下 降 ， 电 化 学 窗 口 变 小 ， 从 而 使ZrNx/WO3/ITO/Glass 器件的光学调节范围缩小。

SEM/TEM电镜样品对于前处理有如下三点应用需求：1.等离子清洗；2.等离子活化；3.高真空存储。针对扫描电镜领域，导电差的样品易于在场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）和聚焦离子束扫描电子显微镜（FIB-SEM）中形成“积碳”的问题；以及在透射电镜领域，有机污染物影响高分辨成像及STEM成像产生“白框”碳污染的问题，可以通过RF射频离子源在样品放入扫描电镜或透射电镜观察表征之前，对样品进行真空等离子清洗的工艺来减轻甚至消除积碳影响。离子清洗的工作原理为：RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部；只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内，与样品表面残留的有机污染物发生化学反应，生成CO2，CO，H2O并被真空泵组抽出；最终实现样品成像无积碳之目的，同时提高成像分辨率及衬度。离子活化原理与离子清洗原理类似，RF射频离子源通入氧气后产生的等离子体被电磁场束缚于离子源内部。只有部分电中性的活性氧原子由于气压差的作用源源不断地被“挤压”进入到样品腔室内，与样品表面发生作用，提高表面能使之亲水（表面氧原子与水形成氢键，使后者有序平铺）。但样品的表面能量高，处于不稳定状态，故亲水效果不会维持太久（~几十分钟）。高真空存储电镜样品及透射样品杆的原理为：真空泵组选用无油分子泵和无油隔膜泵，可以避免油污染的影响。并且由于采用分子泵+隔膜泵两级真空系统设计方案，系统能够实现高本底真空度，将样品表面残留气体及污染物抽走，避免样品前处理导致的二次污染问题。

射频芯片 RF chip 主要为手机等移动终端设备提供无线电磁波信号的发送和接收, 是进行蜂窝网络连接, Wi-Fi, 蓝牙, GPS 等无线通信功能所必需的核心模块. 全球射频市场处在一个高速发展的时代, 芯片和系统制造商需要相应的测试系统, 以确保射频芯片性能和合规性. 近日, 国内某射频功率放大器制造企业通过上海伯东推荐, 购入美国 ThermoStream ATS-710 高低温冲击测试机, 给射频芯片提供 -80 至 +225 °C 快速精准的外部温度环境, 满足测试芯片性能的要求.

射频消融疗法，属于靶向治疗方案，常见适应症有甲状腺结节及甲状腺癌、乳腺结节及乳腺癌、肝癌、肺结节及肺癌等。该疗法是早期肝细胞癌(HCC)常用的局部消融治疗手段。在影像(CT、彩超)的引导下，经皮穿刺将消融电极准确刺入肿瘤部位，利用射频电波，能量将肿瘤组织加热到95°C，使肿瘤组织产生局部高温，完全坏死，从而达到治疗肿瘤的目的。

上海伯东美国 KRI 射频离子源成功应用于 LED-DBR 离子辅助镀膜市场. 随着对镀膜品质要求的不断提升, 使用霍尔离子源辅助镀膜已经无法满足高端镀膜应用市场, 国内某知名 LED 制造商经过我司推荐采用射频离子源 RFICP 325 安装在 DBR 生产设备 1650 mm 蒸镀机中. 成功实现高端光学镜头镀膜并通过脱膜测试!

离子溅射仪（喷金仪）抽不上真空，真空不稳定，真空表向左向右打表，真空异常等故障的解决方案...............

本文利用基于快速、分段式电荷耦合检测器(SCD) 的全谱直读ICP-OES是由PerkinElmer 生产的 Optima ™ 7300 DV 电感耦合等离子体发射光谱仪，能够满足土壤样品中极低含量钡等微量金属元素的测量要求。Optima ™ 7300 DV 采用专利的最先进的中阶梯光栅二维分光系统和两块专利的面向化学分析的SCD检测器，能同时对所有波长进行测定。其灵活的波长选择方式让仪器操作人员在实验计划改变时可以轻松的进行新元素或新波长的添加。同时配置了一个40MHz 高能量自激式固态射频发生器，射频发生器输出的功率范围为750-1500 瓦，功率调节的最小步长为1 瓦，可以产生稳定的等离子体。ICP 具有双向观测功能，用户可根据需要选择。仪器使用切割气，能够消除尾焰区低温等离子体的影响，使化学基体的影响降到了最低。仪器使用的进样系统，耐酸腐蚀，具有强的处理固体溶解量能力。

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镀层充当一个导电通道，使充电电子可以从材料中转移走。溅射喷金的样品制备技术可用于提高图像的质量和分辨率。由于其优良的高导电性，在扫描电镜成像时，溅射材料可以增加信噪比，从而获得更好的成像质量。

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