超高速超导单光子探测器

超低暗计数(所属类别： ? 探测器/光子计数器 ? 单光子计数器 所属品牌：俄罗斯Scontel公司 产品简介超低暗计数()超导单光子探测器 超低暗计数超导单光子探测器 ----最低暗计数低于0.01cps，是量子密钥分发应用的最理想选择！ 俄罗斯SCONTEL公司作为世界领先的超导单光子探测器制造商，其开发出的超低暗计数超导纳米线单光子探测器彻底颠覆了常规超导单光子探测器的技术指标，最低暗计数低于0.01cps，是量子密钥分发单光子探测的理想选择。超低暗计数单光子探测器，超导单光子探测器， SSPD， 超导单光子计数器， 俄罗斯Scontel公司, Superconducting Nanotechnology，红外单光子计数器，高灵敏度单光子计数器；超导纳米线单光子探测器，SNSPD，超导纳米线，低温超导单光子探测器 超导纳米线单光子探测器应用： 超导纳米线单光子探测器技术优势：光量子计算 超低暗计数： 超低暗计数超导纳米线单光子探测器的冷却系统有两种类型: a.外接低温液氦杜瓦瓶 b.闭合循环冷藏室 相关产品 65%@500~1700nm）" 超高量子效率超导单光子探测器（65%@500~1700nm） 纠缠光子对发生器(纠缠光子源) 超导单光子探测器（SSPD） 400~1700nm 时间相关单光子计数器（TCSPC）

MP6514S型InGaAs单光子阵列探测器组件MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号，实时输出TTL电信号。产品特点●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm ●采用金属封装，器件质轻灵巧 ●像元独立、自由运行 ●像元可探测弱光子信号 ●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调 产品应用●透雾、霾、烟尘等测距●近红外激光告警●远距离激光测距●远距离空间激光通信技术参数探测器面阵规格主要性能指标(Tc=22+3℃)绝对最大额定值质量可靠性保证● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。封装及尺寸封装外形结构与尺寸(单位: mm )电学接口●电源输入: +5V●数据输出类型: TTL●控制命令接口: J63A-31●电源输入接口类型: J30J●数据输出接口类型: J63A-31●外触发接口: SSMA咨询电话：021-64149583、021-56461550、021-65061775公司邮箱：info@microphotons.com公司网址：http://www.ideal-photonics.com公司地址：上海市杨浦区黄兴路2077号蓝天大厦21F

这款混合像元探测器是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。这款混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

粒子探测器配件是全球领先的粒子追踪探测器和粒子追迹探测器，它基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像。粒子探测器配件数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像，非常适合粒子追踪和辐射监测，单光子计数等应用，能够识别3-5keV的辐射粒子或光子。不仅可以识别当个粒子，并且可以区分不同的粒子。单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。粒子探测器配件特点高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱。

这款单光子计数探测器是使用Medipix2技术和Timepix技术的单光子探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。这款单光子技术探测器，单光子探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积单光子探测器产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

这款Medipix2探测器是使用Medipix2技术的混合像元探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。这款Medipix2探测器，混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

这款Timepix探测器是使用Timepix技术的混合像元探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。这款Timepix探测器，混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积Timepix产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

扫描电镜探测器配件是全球领先的BSE探测器或背散射电子探测器，为扫描电子显微镜提供最佳的信噪比和超高的分辨率，是SEM探测器中的最新产品。扫描电镜探测器配件特点适合全球所有的商用扫描电镜，采用独立设计理念，具有标准的安装法兰接口，非常方便用户的安装和使用采用YAG:Ce单晶闪烁体采用闪烁晶体和光电倍增管，提供极佳的图像质量全球最佳的超低能量镀膜技术，灵敏度可到0.5Kev优异的信噪比无限的探测器寿命HV+LV+ESEM工作模式电动可回缩高精密导臂波纹管密封高真空系统完全用户订制化的SEM连接系统扫描电镜探测器配件性能YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/KevYAG:Ce闪烁探测器外径15mm ,内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选，它限制视场大小。独特的技术确保0.5keV的超高灵敏度,高达1pA电子束外部尺寸406x100x72mm适合真空环境使用0.01mm的重复精度适合所有SEM的法兰接口部分测量结果案例

这款BSE探测器,BSE detector 是欧洲进口的全球领先的背散射电子探测器，它采用全球最佳的闪烁体晶体探测器和光电倍增管,精密真空机械以及高精度电路，以卓越的性能满足背散射电子探测应用。BSE探测器特点采用YAG:Ce单晶闪烁体采用闪烁体和光电倍增管，提供极佳的图像质量全球最佳的超低能量镀膜技术，灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比无限的探测器寿命电动可回缩高精密导臂波纹管密封高真空系统完全用户订制化的SEM连接系统BSE探测器，背散射电子探测器性能YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm , 内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选，它限制视场大小。灵敏度高达1pA电子束

X射线探测器是一种位置灵敏性的探测器 （Position sensitive detector, PSD), 非常适合各种X射线衍射仪探测器的使用。X射线探测器具有专利技术的X射线衍射仪探测器使用坚固的blade anode技术，而不是基于传统微光子技术，它不需要维护，不受X射线束的影响。X射线探测器特点先前的PSD探测器基于fragile wire anode technology，这种技术的探测器噪音较大，而且很容易被较强的X射线损坏。为了克服这个问题，法国Inel公司投入大量人力研发了这种PSD新型X射线探测器，使用钢合金替代原有材料，使得X射线探测器非常坚固而且不易被损伤。PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。这款PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。

该产品是为数据通信（ 1T/bs PAM），电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。光谱响应1480-1620nm技术参数特性• 3dB带宽高达145GHz• 可探测200 GBaud光幅度调制信号• 可同时在C&L波段运行• 集成偏置网络• 低偏压操作• 0.8 mm射频接口 技术背景高速光电探测器模块是数据通信和电信领域下一代光通信链路发展的热点。由于这些研发在符号速率方面总是领先一步，因此在接收端需要具有超过最先进射频带宽的光电探测器模块。此外，光电探测器模块的高速性能使其适用于微波光子学。模块内部的光电探测器芯片基于成熟的InP技术，在HHI的晶圆加工线上制作，采用Telcordia和空间限定的工艺，同时封装在Fraunhofer HHI中。 应用• 数据通信• 电信• 测试测量• 微波光子学技术参数• 工作波长: 1480 nm - 1620 nm• 3 dB带宽: 高达145 GHz• 低暗电流: 100 nA @ 3 V• 偏置电压: +2 V• 0.8 mm射频接口（Female）• RF射频的阻抗匹配50Ω• 输出接口: FC/APC 保偏，单模光纤

X射线探测器是一种位置灵敏性探测器 （Position sensitive detector, PSD), 非常适合各种X射线衍射探测器的使用。X射线探测器具有专利技术的X射线衍射仪探测器使用坚固的blade anode技术，而不是基于传统微光子技术，它不需要维护，不受X射线束的影响。X射线探测器特点先前的PSD探测器基于fragile wire anode technology，这种技术的探测器噪音较大，而且很容易被较强的X射线损坏。为了克服这个问题，法国Inel公司投入大量人力研发了这种PSD新型X射线探测器，使用钢合金替代原有材料，使得X射线探测器非常坚固而且不易被损伤。PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。这款PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/psddector.html

液氮制冷红外探测器具有灵敏度高、空间分辨率好、动态范围大、抗干扰能力强以及能在恶劣气候下昼夜工作等特点。液氮制冷红外探测器经过制冷，设备可以缩短响应时间，提高探测灵敏度。液氮制冷红外探测器的信号带宽最高可以达到50MHz ，波长响应范围2～14μm，光敏面积典型值为1×1mm2，也可以按照需求进行定制，窗片材质可选ZnSe或CaF2，可以应对不同波长和使用环境的需求，如有特殊需求欢迎来电咨询。液氮制冷红外探测器各种杜瓦设计可供选择，提供楔形窗以消除干涉的影响。 液氮制冷红外探测器的优点：? 液氮制冷的制冷方式可以达到更低的温度，更稳定，极大地降低了热噪声；? 响应波长范围广，对2~14μm的中红外光谱波段光波敏感；? 高性价比，我们可以提供高速频率带宽定制服务。液氮制冷红外探测器工作原理：液氮制冷红外探测器参数指标：响应波长范围2～14μm峰值响应度典型值100~100000V/W光敏面积典型值1×1mm2（定制可选）信号带宽最高50MHz输出阻抗20~100ΩD*(cmHz1/2W-1)≥2.0E+10，最高≥1.0E+11窗片材质ZnSe或CaF2供电电压±5VDC（探测器模块）；220VAC（电源模块） 各种杜瓦设计可供选择，提供楔形窗以消除干涉的影响。

铟镓砷探测器(InGaAs)筱晓光子供应铟镓砷探测器(InGaAs)，有效探测直径可达3mm，具有低暗电流和高灵敏度的特点，封装形式包括：TO针脚形式和SMD贴片形式。其中，可见光增强模块可选。InGaAs detectors (high sensitivity up to 1700nm)Type No.Active areaDark currentSpectral responsivityWavebandChipPackageSizeArea5V650nm1550nm-mmmm2nAA/WA/WnmPC0.7-iLCC6.11.00.720.050.95900-1700PC0.7-iTO52S11.00.720.050.95900-1700PC0.7-ixLCC6.11.00.720.30.95600-1700PC0.7-ixTO52S11.00.720.30.95600-1700PC2.6-iTO5i2.02.6100.050.95900-1700PC7.1-iTO5i3.07.1250.050.95900-1700

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。当端接到示波器的 50 Ω 电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时，可以测量激光器的频率响应。 EOT 的 10 GHz 光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的 SMA 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。材质铟镓砷 InGaAs带宽(Hz)22 GHz技术参数特征占地面积小内部电压偏置直流至 22 GHz选项可以订购可选的壁挂式电源提供光纤耦合或自由空间选项探测器材质应用监控调Q激光器的输出监控锁模激光器的输出监测外部调制连续激光器的输出高频、外差应用时域和频率响应测量ET-3600 - 22 GHz InGaAs 光电探测器零件号（型号）120-10140-0001(ET-3600)120-10142-0001(ET-3600F)探测器材质铟镓砷铟镓砷上升时间/下降时间16 ps/16 ps16 ps/16 ps响应度一0.70 A/W 在 1300 nm0.70 A/W 在 1300 nm电源3 VDC3 VDC带宽22 GHz22 GHz有效面积直径 20 微米20 微米暗电流1 nA1 nA接受角（1/2角）15 °不适用噪声等效功率b26 pW/ √Hz在 1300 nm26 pW/ √Hz在 1300 nm最大线性连续波功率10 毫瓦10 毫瓦安装（螺纹孔）8-32 或 M48-32 或 M4输出连接器SMASMA光纤连接c不适用FC/UPC、SMF28e产品规格可能会发生变化。所有产品均符合 RoHS 标准。a 光电探测器有一个内部 50 Ω 终端。响应数据仅适用于二极管。检测器输出应根据所示图表的响应度的 1/2 确定。b 噪声等效功率 (NEP) 由开路输出确定。c 多模光纤可用。可能会限制带宽。注意：除非另有说明，否则所有规格均适用于 50 Ω 端接。SPECIFICATIONSPart No. (Model)型号120-10058-0001(ET-3500)120-10068-0001(ET-3500F)120-10071-0001(ET-4000)120-10081-0001(ET-4000F)120-10105-0001(ET-5000)120-10104-0001(ET-5000F)120-10140-0001(ET-3600)120-10142-0001(ET-3600F)Detector Material 材料InGaAsInGaAsGaAsGaAsInGaAsInGaAsInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time25 ps/25 ps25 ps/25 ps30 ps/30 ps30 ps/30 ps28 ps/28 ps28 ps/28 ps16 ps/16 ps16 ps/16 psResponsivitya 响应度0.90 A/Wat 1300 nm0.65 A/W at1300nm0.53 A/Wat 830 nm0.38 A/Wat 830 nm1.3 A/Wat 2000 nm0.95 A/Wat 2000 nm0.70 A/Wat 1300 nm0.70 A/Wat 1300 nmPower Supply 电源6 VDC6 VDC3 VDC3 VDC3 VDC3 VDC3 VDC3 VDCBandwidth 波段15 GHz15 GHz12.5 GHz12.5 GHz10 GHz10 GHz22 GHz22 GHzActive Area Diameter有效面积直径32μm32 μm60 μm60 μm40 μm40 μm20 μm20 μmDark Current 暗电流3 nA3 nA0.5 nA0.5 nA1 μA1 μA1 nA1 nAAcceptance Angle(1/2 angle) 接受角15?N/A15?N/A20?N/A15?N/ANoise EquivalentPowerb 噪声等效功率20 pW/√Hzat 1300 nm28 pW/√Hzat 1300 nm35 pW/√Hzat 830 nm45 pW/√Hzat 830 nm15 pW/√Hzat 2000 nm20 pW/√Hzat 2000 nm26 pW/√Hzat 1300 nm26 pW/√Hzat 1300 nmMaximum LinearRating CW 最大线性额定值10 mW10 mW10 mW10 mW3 mA3 mA10 mW10 mWMounting (Tapped Holes)安装（螺纹孔）8-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M4Output Connector输出连接器SMASMASMASMASMASMASMASMAFiber Optic Connectionc光纤连接N/AFC/UPC,SMF28eN/AFC/UPC,SMF28eN/AFC/UPCN/AFC/UPC,SMF28e产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。光电探测器具有内部50Ω终端。响应度数据仅适用于二极管。探测器输出应根据图中所示响应度的1/2确定。

太赫兹发生器/探测器筱晓光子供应太赫兹发生器/探测器，基于高效的光电晶体：DAST、OH1、DSTMS，太赫兹频谱优化波段范围：0.3-20THz。该系列太赫兹晶体具有如下特点：光电效率高、响应速度快、光学整流、非线性差频、1200-1600nm光谱优化，广泛应用于：太赫兹发生器、太赫兹探测器、光电调制器、光参量发生器。SpecificationsAperture2, 3, 4 or 5mm, others upon requestDamage Threshold150GW/cm2@150fs pulse lengthPhoton Conversion Efficiency2×10^-4/MW-peak-power

筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时，可以测量激光器的频率响应。 EOT 的放大光电探测器带有自己的墙上插入式电源 将同轴电缆插入光电探测器的 SMA 或 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。材质硅 Silicon带宽(Hz)30 kHz-１.2 GHz技术参数特征内置跨阻放大器占地面积小外墙插电电源带宽高达 10 GHz选项探测器材质活动区提供光纤耦合或自由空间选项应用监测高重复率、外部调制的连续激光器查看1 mW 的激光功率ET-2030A - 2 GHz 硅放大光电探测器零件号（型号）120-10013-0001(ET-2030A) a探测器材质硅上升时间/下降时间500 ps/500 ps转换增益830 nm 时为 450 V/W电源24 伏直流电带宽30 kHz 至 1.2 GHz有效面积直径400 微米接受角（1/2角）10 °噪声等效功率b60 pW/√Hz 在 830 nm最大线性额定值1.3V 峰值安装（螺纹孔）8-32 或 M4输出连接器BNCSPECIFICATIONSPart No.(Model)型号120-10013-0001(ET-2030A)a120-10036-0001(ET-3000A)a120-10060-0001(ET-3500A)a120-10064-0001(ET-3500AF)a120-10073-0001(ET-4000A)a120-10077-0001(ET-4000AF)a120-10115-0001(ET-5000A)a120-10116-0001(ET-5000AF)aDetector Material探测器材料SiliconInGaAsInGaAsInGaAsGaAsGaAsInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time上升/下降时间500 ps/500 ps400 ps/400 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 psConversion Gain转换增益450 V/Wat 830 nm900 V/Wat 1300 nm2250 V/Wat 1310 nm1620 V/Wat 1310 nm1340 V/Wat 850 nm970 V/Wat 850 nm3250 V/Wat 2000 nm2350 V/Wat 2000 nmPower Supply电源24 VDC24 VDC5 VDC5 VDC5 VDC5 VDC5 VDC5 VDCBandwidth带宽30 kHz to 1.2 GHz30 kHz to 1.5 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHzActive AreaDiameter有效面积直径400 μm100 μm32 μm32 μm60 μm60 μm40 μm40 μmAcceptance Angle (1/2 angle)接受角（1/2角）10?20?15?N/A15?N/A20?N/ANoise EquivalentPowerb噪声等效功率60 pW/√Hzat 830 nm30 pW/√Hzat 1300 nm25 pW/√Hzat 1310 nm30 pW/√Hzat 1310 nm35 pW/√Hzat 850 nm50 pW/√Hzat 850 nm20 pW/√Hzat 2000nm25 pW/√Hzat 2000 nmDC Monitor Output直流监视器输出1 mV/μA1 mV/μA1 mV/μA1 mV/μA1 mV/μA1 mV/μAMaximum Linear Rating最大线性额定值1.3 V peak1.3 V peak450 mVp-p450 mVp-p450 mVp-p450 mVp-p450 mVp-p450 mVp-pMounting (Tapped Holes)安装（螺纹孔)8-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M4Output Connector输出连接器BNCBNCSMASMASMASMASMASMAFiber OpticConnectionc 光纤连接N/AN/AN/AFC/UPCN/AFC/UPCN/AFC/UPC产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。交流耦合b噪声等效功率（NEP）通过短路输出确定。c多模光纤可用。可能会限制带宽。注：除非另有说明，否则所有规范均适用于50Ω终端。

光子能量与其频率成比例因而相反地对波长成比例。为了产生与光子通量（量子数单位面积每秒）成比例的信号，探测器的光谱功率响应（Amps/[W/cm2]必须相反的与光子频率成比例并因此与波长成比例。传统上量子通量单位为micro-moles(也叫micro-Einsteins)每秒每平方米。转换因子如下： 1mE/s/m2 = 1mmole/s/m2 = 6.02*1017 quanta/s/m2 PMA2132探测器的角响应经过余弦校正，适于散射辐射或者长光源测量。技术参数：光谱响应量子响应 (400-700nm) Figure 1角响应5% for angles 范围20,000 uEinsteins/second/m2显示分辨率0.1 uEinsteins/second/m2操作环境-40 to 120 °F (-40 to +50 °C) 室外温度系数电缆50ft (15m) or optional 1ft retractable直径1.6" (40.6 mm)高度1.8" (45.8 mm)重量7.1 oz. (200 grams)主要特点：PMA2132量子探测器可以对400-700nm光子通量进行测量。PMA2132具有防水外壳，可在室外或者潮湿环境操作。在400-700nm光子吸收数和植物的光合作用率有着成比例的对应关系。高灵敏度高动态范围卓越的长期稳定性余弦修正NIST 可溯源校准密封外壳应用：农业光生物学气象气候环境监测教学

波长敏感探测器(WS)筱晓光子供应波长敏感探测器(WS)，利用特定波长在硅基材料的辐射吸收深度来实现。硅晶体两个相互垂直的p-n结的结构特征，特别适合于单色光的波长检测。Wavelength sensitive diodes (particularly suitable for monochromatic light)Type No.Dark currentRise time Diode 1Rise time Diode 2ChipPackage5V0V 1kΩ0V 1kΩnAnsnsWS7.56(Discontinued)PCBA10100001000WS7.56TO510100001000WS7.56TO5i5100001000

超快光电探测器：UPD系列现在有42种特别的光电二极管型号！ ALPHALAS GmbH已发布超快光电二极管的新型号，该产品将产品范围扩展到更快的上升时间以及从紫外到红外的更宽波长范围。新增功能：在800至2600 nm波长范围内，超快光电探测器的HF性能大大提高（新闻稿，PDF）光电二极管的功能光电二极管的应用• 高速运行• 上升时间：从15 ps开始• 带宽：高达25 GHz• 光谱范围：170-2600 nm（紫外线到红外线）• 紧凑式设计• 电池或外接电源• 自由空间光束模型，或带有FC / PC插座或带有SM光纤的尾纤• 脉冲形式测量• 脉冲持续时间测量• 同步• 模式跳动监控• 外差测量介绍UPD系列超快光电二极管UPD系列超快光电探测器适合测量DC至25 GHz的光波形。各种型号的上升时间短至15 ps，并且覆盖170至2600 nm的光谱范围。所有光电二极管均封装在紧凑的实心铝制外壳中，并可用电池或外部电源偏置。硅类光电探测器的紫外线扩展版是覆盖170至1100 nm光谱范围的商业产品。另一类特别的对紫外线敏感的InGaAs光电探测器可用于探测350至1700 nm范围内的激光脉冲，因此具有较宽的光谱范围和较快的市售速度。阻抗匹配和微波技术可确保对脉冲形式进行测量，而不会产生振铃或伪影。客户可以自由使用50Ω端接电阻来实现高速操作，也可以自由使用高阻抗负载来获取大信号。这保证了针对各种应用的较大灵活性。结合我们的BBA系列宽带高增益放大器，高速光电检测器是昂贵的雪崩光电二极管的有利替代品。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究不可或缺的工具。新的光电探测器型号可用：上升时间更快和波长范围更广UPD-15-IR2-FC：超快InGaAs PIN光电探测器，上升时间 25 GHz，光谱范围800-1700 nm，光纤耦合输入，带FC / APC连接器UPD-35-IR2-P：UPD-35-IR2-D：超快速InGaAs PIN光电探测器，上升时间 10 GHz，光谱范围800-1700 nm，带有抛光或漫射窗口UPD-35-UVIR-P：UPD-35-UVIR-D：超快速InGaAs PIN光电探测器，上升时间 10 GHz，光谱范围350-1700 nm，带有抛光或漫射窗口UPD-50-SP：UPD-50-SD，UPD-50-UD，UPD-50-UP：超快速Si PIN光电探测器，上升时间50 ps，下降时间50 ps，带宽 7 GHz，光谱范围170-1100 nm或320-1100 nm，带有抛光或漫射窗口UPD-100-IR1-P：超快Ge光电探测器，上升时间UPD-3N-IR2-P：快速InGaAs光电探测器，红外范围扩展到2.1 µm，上升时间150 psUPD-5N-IR2-P：快速InGaAs光电探测器，扩展的红外范围高达2.6 µm，上升时间为200 ps超快光电二极管（UPD系列）光电探测器型号上升时间（ps）带宽（GHz）光谱范围（nm）量子效率@峰值敏感区域（直径µm/ mm2）等效噪音功率（W /√Hz）暗电流（nA）材料光学输入/窗口类型射频输出连接器UPD-15-IR2-FC 25800 - 170075%Fiber, 9 µm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-30-VSG-P 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished,glassSMAUPD-35-IR2-P 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished,glassSMAUPD-35-IR2-D 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-35-IR2-FR 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-35-IR2-FC 10800 - 170080%Fiber, 9 µm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-35-UVIR-P 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-35-UVIR-D 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-40-VSI-P 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished,glassSMAUPD-40-IR2-P 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished,glassSMAUPD-40-IR2-D 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-40-IR2-FR 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-40-IR2-FC 8.5800 - 170080%Fiber, 9 µm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-40-UVIR-P 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-40-UVIR-D 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-50-SP 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished,glassSMAUPD-50-SD 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse,quartzSMAUPD-50-UP 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2SMAUPD-50-UD 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-P 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished,glassSMAUPD-70-IR2-D 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-FR 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-70-IR2-FC 5.0800 - 170080%Fiber, 9 µm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-100-IR1-P 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished,glassSMAUPD-200-SP 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished,glassBNCUPD-200-SD 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse,quartzBNCUPD-200-UP 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2BNCUPD-200-UD 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-300-SP 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-50-SP 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished,glassSMAUPD-50-SD 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse,quartzSMAUPD-50-UP 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2SMAUPD-50-UD 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-P 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished,glassSMAUPD-70-IR2-D 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-FR 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-70-IR2-FC 5.0800 - 170080%Fiber, 9 µm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-100-IR1-P 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished,glassSMAUPD-200-SP 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished,glassBNCUPD-200-SD 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse,quartzBNCUPD-200-UP 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2BNCUPD-200-UD 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-300-SP 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-300-SD 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse,quartzBNCUPD-300-UP 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si4)Polished,MgF2BNCUPD-300-UD 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-500-SP 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-500-SD 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse,quartzBNCUPD-500-UP 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si4)Polished,MgF2BNCUPD-500-UD 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-3N-IR2-P6) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished,glassBNCUPD-5N-IR2-P6) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished,glassBNCUPD-2M-IR2-P 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished,glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC3) 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished,glassBNC注意：1）漫射窗降低了定位精度要求，并以降低的灵敏度为代价将损伤阈值提高了大约2倍。 三到五。仅推荐用于高峰值功率激光器。2）该模型的输出为负。 所有其他型号默认情况下都具有正输出，但如果需要，也可以订购负输出。3）带TEC冷却模块，非标准外壳。4）具有增强的蓝/紫外线敏感性的改性材料。5）与可选的滤光片支架不兼容。6）大大提高了性能。UPD系列光电探测器的电源相关产品• 低噪声电源，输入：230 V AC（欧洲标准）PS-UPD-12-EU：输出：12 V DC• 低噪声电源，输入：100-240 V AC（通用）PS-UPD-6-WW：输出：6 V DCPS-UPD-9-WW：输出：9 V DCPS-UPD-12-WW：输出：12 V DC• BAT-UPD-6V：偏置电池，6 V• 宽带放大器BBA系列（幅度增益：×10，×100或可变×1÷100）• BNC 50Ω终端负载• SMA（公头）到BNC（母头）适配器• SMA转SMA适配器• 衰减滤光片适配器

四象限探测器(QP)筱晓光子供应四象限探测器(QP)，由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。四象限探测器应用广泛，包括：激光光束的位置测量、其它需要精确调整的光学系统。Quadrant photodiodes (low dark current)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea10V850nm 10V 50Ωmmmm2nAnsQP1-6TO52? 1.1310.110QP5-6TO5? 2.5250.210QP5.8-6TO52.4x2.45.80.420QP10-6TO5? 3.57100.415QP20-6TO8S? 5.0520120QP50-6TO8S? 7.850240QP100-6LCC10S?11.2100450Quadrant photodiodes (fully depletable)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea10V905nm 10V 50Ωmmmm2nAnsQP100-7LCC1010x104x250.550Quadrant photodiodes (for 1064nm)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea150V1064nm 150V 50Ωmmmm2nAnsQP22-QTO8S? 5.34x5.71.55QP45-QTO8S6.7x6.74x10.9635QP154-QTO1032i? 14.04x38.5106

EOSPACE超高速光开关产品介绍：美国EOSPACE公司是波音公司的分支机构，是世界上专业生产高精度，高品质的铌酸锂光电产品的公司。其产品符合航天航空要求，并且具有强大的研发能力，可以按照客户的方案进行设计和定制。 美国EOSPACE生产的高速铌酸锂超高速光开光具有超高的开关速度（标准产品是10ns，超高速产品为产品特点：工作波长C+L波段，可定制其他波长提供多种定制方案提供超低差损类型，差损可定制超小尺寸产品参数：符合GR768标准参 数超低电压插入损耗可定制)工作波长C+L波段，其他波长可定制3dB带宽10GHzRF Vpi @1GHzS11 RF回波损耗45dB(0.13-12.5G)开关时间开关串音电极电容C外形尺寸88.4*8.9*8.9mm输入光纤PM or SM输出光纤PM or SM

热电堆红外探测器每个热电堆探测器的基座由所谓的热电偶形成。 由于两种不同金属（塞贝克效应）的热扩散电流，它会产生一个电压。应用:远距离温度测试“应用是由客户设备的设计来定义的。我们的产品组合提供准时和整体测量的产品。”（Micro-Hybrid有限公司研发部主管Steffen Biermann先生）工艺和产品温度是制造工艺的重要物理指标。 监测温度确保生产线的高质量水平。 远程温度测量非常适用于大距离，移动部件或适用于各种工业领域的高温应用。优点：响应时间短无反应测量，对测量对象无影响没有破坏连续实时监控温度临界时间我们在-20°C至190°C的外壳温度范围内提供不同测量要求的传感器类型。 我们的探测器适用于高温测量的大多数应用领域。应用产品准时的温度测量TS1 × 80B-A-D0.48-1-Kr-B1积分温度测量TS1 × 200B-A-D3.55-1-Kr-A1高温环境下的温度测量TS1 × 80B-A-D0.48-1-Kr-B1-190NDIR红外气体分析Micro-Hybrid提供NDIR气体分析的完整产品系列。 即使是恶劣的环境也不会阻碍我们的客户升级自己的应用。优点：快速，可重复，长期稳定地测定各种红外活性气体的浓度高精度和高分辨率的限制在低漂移下的使用寿命长，无化学反应高温能力（190°C）测量稳定性高，即使在恶劣的环境下NDIR气体分析方案确保和监测过程稳定性的气体浓度的测量，在涉及气体的所有工业过程中是至关重要的。 气体浓度的准确和可再现的检测是应用的重要组成部分，特别是在医疗和环境技术中。 此外，NDIR（非分散红外）气体分析可以在私人或工业领域进行宽带或高度选择性的有害物质检测，例如监测和检测爆炸性气体和污染物。它是测量这种气体浓度的光学分析工具。 关于与红外活性气体的光学相互作用，NDIR分析是一个快速而有效的过程。NDIR气体测量的应用领域：根据不同的功能原理和我们的元件组合，我们会结合适合您的测量任务对应气体传感器解决方案。 您可以从我们的产品查找器中订购单个产品样品或直接联系我们的NDIR气体分析专家。气体传感器CO2 气体传感器甲烷气体传感器耐190°C高温耐190°C高温红外光源JSIR 350-4JSIR 350-5JSIR 450高频率高辐射强度超高频率的手持设备"超高的辐射强度热电堆探测器TS 80TS 200高温应用高灵敏度手持设备热释电探测器电流模式电压模式极高的灵敏度极高的频率电压模式低频率特征：使用BiSb / Sb等优良材料获得良好的热电堆效应：高探测灵敏度*灵敏度高达295 V / W配合Micro-Hybrid相关产品使用，一致性好*高达7.2 x 108 cm Hz1 / 2 / W结构概况用于高温应用的热电堆探测器在高温环境下对机器和过程进行温度监测是一个挑战。 我们的高温热电堆探测器完全符合各种工业应用中的高温等特殊要求。特征：应用环境温度可高达190°C焊接滤波片（可选）高灵敏度耐高湿适合化学分析过程抵御侵蚀性气体如甲烷，二氧化硫等用于不同的温度范围和测量任务的热释电传感器可以在这里找到：信号作为测量对象温度的函数测量物体温度变化时的信号II通过改变环境温度来修改信号修改我们的热电堆传感器可以在我们广泛的可应用范围内进行调节：传感器芯片，红外滤波片等。 通过这种方式，可以在各种应用条件下始终获得优良的测量结果。产品选择TS1x200B-A-D3.55单通道热电堆探测器基于MEMS技术的用于NDIR气体分析的高敏感热电堆探测器。灵敏度[V / W]100D* [cmHz½/W]3.6x10^8光圈[mm²]:3.55 dia工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO39应用NDIR气体分析通道数1TS1x200B-B-D2.4单通道热电堆探测器基于MEMS技术的用于NDIR气体分析的高度敏感的热电堆探测器。灵敏度[V / W]100D* [cmHz½/W]3.6x10^8光圈[mm²]:2.4 dia工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO46应用NDIR气体分析通道数1TS1x80B-A-D0.48单通道热电堆探测器基于MEMS技术的拥有较小有效区域的热电堆探测器 推荐用于使用带通滤波器的温度测量。灵敏度[V / W]295D* [cmHz½/W]7.2x10^8光圈[mm²]:0.48 dia工作温度[°C]-20 … +85封装模式TO39应用温度测量通道数1TS1x80B-A-D0.75单通道热电堆探测器基于MEMS技术的具有较小有效区域的热电堆探测器 推荐用于带有带通滤波器(8-14µm)的温度测量。灵敏度[V / W]295D* [cmHz½/W]7.2x10^8光圈[mm²]:0.75 dia工作温度[°C]-20 … +85封装模式TO39应用温度测量通道数1TS1x80B-A-D0.75-… -180单通道热电堆探测器基于MEMS技术的具有较小有效区域的热电堆探测器 推荐用于在高温环境下使用带通滤波器（8-14 Lm）进行温度测量。灵敏度[V / W]295热电堆探测器D* [cmHz½/W]D* [cmHz½/W]7.2x10^8热电堆探测器光圈[mm²]:光圈[mm²]:0.75 dia热电堆探测器工作温度[°C]工作温度[°C]-20 … +180封装模式TO39热电堆探测器应用应用温度测量热电堆探测器通道数通道数1TS2x200B-A-S1.5双通道热电堆探测器用于NDIR气体分析的基于MEMS技术的带有窄带滤光片的高灵敏度热电堆双探测器。灵敏度[V / W]100D* [cmHz½/W]3.6x10^8光圈[mm²]:1.5 x 1.5工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO39应用NDIR气体分析通道数2TS4x200B-A-S1.5四通道热电堆探测器用于NDIR气体分析的基于MEMS技术的带有窄带滤波器的四通道热电堆探测器。灵敏度[V / W]100D* [cmHz½/W]3.6x10^8光圈[mm²]:1.5 x 1.5工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO39应用NDIR气体分析通道数4TS4xQ200B-A-S1.5四通道热电堆探测器基于薄膜技术的高灵敏度四通道热电堆检测器，带窄带过滤器，用于气体分析。通过“单芯片”解决方案对接电气和物理通道参数。灵敏度[V / W]80D* [cmHz½/W]2.95x10^8光圈[mm²]:1.5 x 1.5工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO39应用NDIR气体分析通道数4

感烟探测器拆装器，感温探测器拆装器，探测器折装工具，消防专用拆卸工具，感烟探测器功能试验器拆卸工具烟温探测器拆装器专门用来海湾消防烟温感二次拆装，特别适宜先装设备底座及大面积拆装、或探测器下方有障碍物——诸如，楼梯坡道、桌椅、床铺、吊灯上方等及特别高的场所，可规避高空作业安全，节省了登高设施使用费及大量的人工准备工时费。实为不可多得的划时代安装工具。此产品出现可颠覆现有施工安装程序，可在穿线完毕的同时先安装接线固定底座，最后在测量线路无故障后再使用拆装器安装设备，施工效率高，且测试线路绝缘时不用考虑已经安装部分设备而有所顾忌。 高压配电室、配电机柜上方、内燃机组上方、变压器上等特殊无法触及到的场合，以及高架仓库、高空超高位置安装的探测器，出现误报后无法更换，造成整个火灾报警系统运行不稳定。

InAs砷化铟光伏电探测器与硫PbS光电导探测器一样，在3μm左右的红外区域具有高灵敏度，而且噪声低、速度高、可靠性高。该系列是一个新的InAs光伏探测器系列，它比我们的传统产品提供更低的噪音。筱晓光子提供有各种类型可选择，包括非冷却型、热电冷却型和提供高性能的液氮冷却型。光谱响应3.35um材质砷化铟 InAs通用参数产品特点：低噪声高探测灵敏度高可靠性可采用多元素阵列（客户定制产品）产品应用： 气体分析 激光探测红外分光光度测量辐射温度计 可选配件（单独出售） 温度控制器C1103-04带有前置放大器的红外线探测器模块C12492-210用于InAs光伏探测器的滤波放大器（P10090系列：C4159-06，P7163：C4159-05）技术参数光电特性 P10090-01参数数值峰值波长λp3.35μm截止波长λc3.65μm光灵敏度S λ=λp1.0A/W并联电阻典型值：70Ω；最小值：40Ω峰值探测率D*(λp, 600, 1)典型值：4.5 × 109（cmHz1/2/W）最小值：3.0 × 109（cmHz1/2/W）NEP λ=λp1.5 × 10-11（W/Hz1/2）上升时间Tr (μs)VR=0VRL=50Ω0 to63%0.7 其它型号电气和光学特性（除非另有说明，否则为典型值） Type no.MeasurementconditionPeak sensitivity wavelength λp (μm) Cutoff wavelength λc (μm)Photo sensitivity Sλ=λp (A/W) Shunt resistance Rsh D*(λp, 600, 1) NEPλ=λp (W/Hz1/2)Rise time trVR=0 V RL=50 Ω0 to 63% (μs)Element temperature Td (°C)Min.(Ω)Typ.(Ω)Min.(cm Hz1/2/W)Typ.(cm Hz1/2/W)P10090-01253.353.651.040703.0 × 1094.5 × 1091.5 × 10-110.70P10090-11-103.303.551.22504001.0 × 10101.6 × 10105.3 × 10-120.45P10090-21-303.253.45100013002.0 × 10103.2 × 10102.8 × 10-120.30P7163-1963.003.11.31 × 1051 × 1063.5 × 1011 *36.0 × 1011 *31.5 × 10-130.10*3: D* (λp, 1200, 1)结构/绝对最大值 P10090-01参数数值结构窗体材料蓝宝石玻璃封装TO-5制冷无绝对最大值反向电压VR(V)0.5工作温度-40至+60℃存储温度-40至+80℃输入最大光功率0.6W 结构/绝对最大值更多系列 Type No.Dimensional outline/ Window material *1 Package Cooling Nitrogen hold time (h) Photosensitive area (mm)Absolute maximum ratingsThermoelectric cooler allowable current(A)Thermistor power dissipation(mW)Reverse voltage VR(V)Operating temperature Topr(°C)Storage temperature Tstg(°C)Maximum incident light level(W)P10090-01①/STO-5Non-cooled - ?1-- 0.5 -40 to +60 -40 to +80 0.6P10090-11 ②/S TO-8One-stageTE-cooled1.5 0.2P10090-21Two-stageTE-cooled1.0P7163③/SMetal dewerLN212 *2?1---55 to +60注：即使是暂时超过绝对最大额定值，也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值范围内使用产品。*1： S=蓝宝石玻璃*2： 装运时(At the time of shipment)

SiLi探测器是专业为X射线分析和探测而设计的一种电子制冷的硅锂探测器，不需要液氮制冷，因此可随时便携到现场使用，SiLi探测器非常适合各种X射线荧光分析仪，X射线光谱仪和X射线衍射仪等使用。 SiLi探测器产品特色： 不需要液氮冷却　　　　 高能量分辨率 超薄铍窗　　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启　 长期持续工作能力 轻质紧凑设计，方便携带 硅锂探测器组成 SiLi探测器 气体连线 SiLi探测器参数 能量范围：1-60KeV 探测单元面积：20mm2 (可根据用户要求提供60mm^2面积的探测单元面积） 能量分辨率：能量为5.9keV时的分辨率： ■ 16μs的成峰时间：138keV ■ 1μs的成峰时间：268keV ■ 记数率为105cps，成峰时间1μs：275keV 峰值/背景比：4000 制冷时间：3小时 工作模式：连续工作 环境温度：-5～38摄氏度 探测单元尺寸重量：80x135x150mm, 1.8kg 压缩器尺寸重量：140x160x300mm, 7.5kg 功耗：60W 电源要求：200V AC, 50Hz http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/sili.html

热释电红外探测器Micro-Hybrid热释电探测器是功能强大的热红外探测器，具有出色的长期稳定性。这些传感器检测燃烧材料（如木材，油或塑料）的典型光谱辐射。 NDIR气体分析代表了热释电传感器的另一个应用领域。 红外辐射会影响传感器的活动区域。 由于热释电效应，温度的有效变化在电极上产生电荷载流子。 与大多数竞争者的LiTaO3芯片不同，Micro-Hybrid的热释电探测器使用基于MEMS技术的敏感元件。 热释电元件由安装在通过DRIE背蚀工艺制造的改良Si基膜上的〜1μm厚的PZT薄膜组成。 前电极是光学透明的，允许红外辐射被有源区域吸收。 该区域具有从1 - 25μm的宽广吸收范围。优点：Ø基于MEMS的PZT膜Ø宽广的光谱灵敏度1 - 25μmØ高调制频率200HzØ低颤噪效应指的是膜质量轻Ø非常低的温度依赖性Ø低热漂移Ø不需要冷却应用：Ø红外火焰检测实时火灾和火焰检测 - 生命和健康安全应用针对健康和生命安全以及所有工业过程应用层面上的首要需求。 红外火焰探测器在所有工业建筑物，仓库等的火灾探测是不可或缺的安全要求。 对于安全的建筑防火，红外火焰探测器保证在危险情况下立即作出及时响应，防止火灾造成损害。优点：Ø室内火灾探测Ø即使在烟雾缭绕的房间和远距离也能快速而可靠的测量Ø检测不同的火焰特征，如热量，气体（CO2，CO）或闪烁频率红外火焰检测的应用领域红外火焰探测器的功能火焰引起烟雾，烟雾，蒸汽，热量和光辐射。 可检测产生的气体一氧化碳和二氧化碳以及火焰闪烁频率。Micro-Hybrid 热释电传感器具有长时间稳定性，可提供四种芯片尺寸和两种功能模式型号特征PS1x3C2高敏感度PS1x1C2广角大视野PS1x1C8广角大视野PS1x4V1电压模式ØNDIR气体测量Micro-Hybrid提供NDIR气体分析的完整产品系列。 即使是恶劣的环境也不会阻碍我们的客户升级自己的应用。优点：快速，可重复，长期稳定地测定各种红外活性气体的浓度高精度和高分辨率的限制在低漂移下的使用寿命长，无化学反应高温能力（190°C）测量稳定性高，即使在恶劣的环境下NDIR气体分析方案确保和监测过程稳定性的气体浓度的测量，在涉及气体的所有工业过程中是至关重要的。 气体浓度的准确和可再现的检测是应用的重要组成部分，特别是在医疗和环境技术中。 此外，NDIR（非分散红外）气体分析可以在私人或工业领域进行宽带或高度选择性的有害物质检测，例如监测和检测爆炸性气体和污染物。它是测量这种气体浓度的光学分析工具。 关于与红外活性气体的光学相互作用，NDIR分析是一个快速而有效的过程。NDIR气体测量的应用领域：根据不同的功能原理和我们的元件组合，我们会结合适合您的测量任务对应气体传感器解决方案。 您可以从我们的产品查找器中订购单个产品样品或直接联系我们的NDIR气体分析专家。气体传感器CO2 气体传感器甲烷气体传感器耐190°C高温耐190°C高温红外光源JSIR 350-4JSIR 350-5JSIR 450高频率高辐射强度超高频率的手持设备"超高的辐射强度热电堆探测器TS 80TS 200高温应用高灵敏度手持设备热释电探测器电流模式电压模式极高的灵敏度极高的频率电压模式低频率我们的热释电探测器有电流和电压模式（Pyropile® ）。 电流模式探测器仅提供双极性电源（±2.2 ...±8 VDC）。控制模式电压模式电流模式电流模式感应面积1.15 x 1.150.8 x 0.80.7 x 0.325灵敏度 (V/W)950175,000125,000探测率2.09 x 10^82.2 x 10^81.7 x 10^8佳频率0.2 ... 32 … 55 取决于配置3 … 25通道数1 - 41 - 24通过不同的传感器帽来修改视野帽光圈FOV滤波片位置H2863,7mm104,6°外置H2171,5mm34,7°外置M0013,7mm76,2°内置M0011,5mm21,5°内置Pyropile - 电压模式下的热释电传感器这种高性能热释电探测器可提供多达4个通道。活性材料被分成九个较小的像素，串联连接。 因此，Pyropile® 检测器在低噪音水平下可以产生接近10倍的信号输出。 参考芯片薄膜的质量小，该探测器的特点是极低的颤噪效应，低热漂移和热噪声。 如果测量速度相当的测量任务需要更高的灵敏度，则Pyropile® 代替热电堆探测器。特征高信噪比检测灵敏度高达2.1 x 10 8 cm x Hz 1/2 / W灵敏度高达950 V / W输出：电压信号

这款CdZnTe探测器是专业为伽玛射线探测而设计的一种电子制冷的碲锌镉探测器，不需要液氮制冷。 非常适合各种伽玛射线探测使用,是理想的伽玛射线探测器。CdZnTe探测器产品特色：不需要液氮冷却　CdZnTe探测器可更换数字脉冲处理高能分辨率高效率USB供电　　　　　更多伽玛线探测器,CdZnTe探测器碲锌镉探测器参数能量范围：20Kev-3MeV能量分辨率： 　　μSPEC60, μSPEC500 最大测量量：100kcps尺寸：25x25x70mm功耗：80g电源要求：USB供电，5.25V， 100mA

HPGe探测器配件是专业为X射线和伽玛射线探测而设计的一种电子制冷的高纯锗探测器，不需要液氮制冷，非常适合各种伽玛射线和X射线探测使用,是理想的伽玛射线探测器。 HPGe探测器配件特色不需要液氮冷却　　　　　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启长时间持续工作能力 轻质紧凑设计高纯锗探测器配件： 探测部分：低温恒温器，高纯锗晶体，温度传感器，热交换器 气体压缩器制冷系统 高压气管 能谱仪器件 仿真分析软件 高纯锗探测器配件参数能量范围：40-3000KeV HPGe探测器效率：30% 能量分辨率： 0.9keV@122KeV, 1.9Kev@1.33MeV 探测单元尺寸重量：Dia114x350mm, 2.9kg 压缩器尺寸重量：445x357x281mm, 31.8kg 功耗：570W 电源要求：220V AC, 50Hz

HPGe探测器是专业为X射线和伽玛射线探测而设计的一种电子制冷的高纯锗探测器，不需要液氮制冷，HPGe探测器非常适合各种伽玛射线和X射线探测使用,是理想的伽玛射线探测器。 HPGe探测器特色： 不需要液氮冷却　　　　　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启　 长时间持续工作能力 轻质紧凑设计 高纯锗探测器组成： 探测部分：低温恒温器，高纯锗晶体，温度传感器，热交换器 气体压缩器制冷系统 高压气管 能谱仪器件 仿真分析软件 高纯锗探测器参数： 能量范围：40-3000KeV HPGe探测器效率：30% 能量分辨率： 0.9keV@122KeV, 1.9Kev@1.33MeV 探测单元尺寸重量：Dia114x350mm, 2.9kg 压缩器尺寸重量：445x357x281mm, 31.8kg 功耗：570W 电源要求：220V AC, 50Hz http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/hpge.html