中红外大面积功率探测器

200,000 cps 典型分辨率MnKa 125eV 可探测Be SDD晶体真空封装提高氧的探测性能 单一脉冲处理器 自动收缩

正比计数器proportional counter　　用气体作为工作物质，输出脉冲幅度与初始电离有正比关系的粒子探测器，可以用来计数单个粒子，并根据输出信号的脉冲高度来确定入射辐射的能量。这种探测器的结构大多采用圆柱形，中心是阳极细丝，圆柱筒外壳是阴极，工作气体一般是隋性气体和少量负电性气体的混合物。入射粒子与筒内气体原子碰撞使原子电离，产生电子和正离子。在电场作用下，电子向中心阳极丝运动，正离子以比电子慢得多的速度向阴极漂移。电子在阳极丝附近受强电场作用加速获得能量可使原子再电离。从阳极丝引出的输出脉冲幅度较大，且与初始电离成正比。正比计数器具有较好的能量分辨率和能量线性响应，探测效率高，寿命长，广泛应用于核物理和粒子物理实验。　　1-50keV的X射线经常用正比计数器进行探测。要求是具有较薄的入射窗口，以获得较低的低能端探测下限，较大的观测面积，以及良好的气密性。常用的是铍窗正比计数器。当代X射线探测器多采用正比计数器阵列和装有多根阳极丝和阴极丝的多丝正比室，以获得更大的有效观测面积。　　近年来制作的气体闪烁正比计数器，能量分辨率比一般气态正比计数器约高一倍。为了观测较弱的X射线源，需要高灵敏度的探测器，为此制作了大面积窗口正比计数器，如小型天文卫星-A携带的窗口面积为840厘米的铍窗正比计数器，采用的是正比计数器组合的方法。此外，确定X射线源的位置需要有高分辨率的探测器；而为了制造这种探测器，就相应地需要制作对测定位置灵敏度高的正比计数器。

D*=（A*f）^0.5/NEP,其中A是探测器光敏元面积，f是电子学带宽，NEP是噪声等效功率。相信大家都知道，光谱成像在探测器光敏元上不可能只占一个像元，而是有一定面积的，请问此时计算D*，A 是用一个像元的面积还是光谱所占的面积？

雷达式微波探测器是一种将微波收、发设备合置的探测器，工作原理基于多普勒效应。微波的波长很短，在1mm～1000mm之间，因此很容易被物体反射。微波信号遇到移动物体反射后会产生多普勒效应，即经 反射后的微波信号与发射波信号的频率会产生微小的偏移。此时可认为报警产生。 　　雷达式微波探测器采用多普勒雷达的原理，将微波发射天线与接收天线装在一起。使用体效应管作微波固态振荡源，通过与波导的组合，形成一个小型的发射微波信号的发射源。探头中的肖基特检波管与同一波导组成单管波导混频器作为接收机与发射源耦合回来的信号混频，从而得到一个频率差，再送到低频放大器处理后控制报警的输出。微波段的电磁波由于波长较短，穿透力强，玻璃、木板、砖墙等非金属材料都可穿透。所以在安装时不要面对室外，以免室外有人通过引起误报。金属物体对微波反射较强，在探测器防范区域内不要有大面积（或体积较大）物体存在，如铁柜等。否则在其后阴影部分会形成探测盲区，造成防范漏洞。多个微波探测器安装在一起时，发射频率应该有所差异，防止交叉干扰产生误报。另外，如日光灯、水银灯等气体放电光源产生的100Hz调制信号由于在闪烁灯内的电离气体容易成为微波的运动反射体而引起误报。使用微波入侵探测器灵敏度不要过高，调节到2/3时较为合适。过高误报会增多。与超声波一样家庭也可以使用。 雷达式微波探测器对警戒区域内活动目标的探测范围是一个立体防范空间，范围比较大，可以覆盖60°至90°的水平辐射角，控制面积可达几十到几百平方米。雷达式微波探测器的发射能图与所采用的天线结构有关，采用全向天线（如1/4波长的单极天线）可产生近乎圆球形或椭圆形的发射范围，这种能场适合保护大面积的房间或仓库等处。而采用定向天线（如喇叭天线）可以产生宽泪滴形或又窄又长的泪滴形能图，适合保护狭长的地点，如走廊或通道等。

主动红外探测器由红外发射机、红外接收机和报警控制器组成。分别置于收、发端的光学系统一般采用的是光学透镜，起到将红外光束聚焦成较细的平行光束的作用，以使红外光的能量能够集中传送。红外光在人眼看不见的光谱范围，有人经过这条无形的封锁线，必然全部或部分遮挡红外光束。接收端输出的电信号的强度会因此产生变化，从而启动报警控制器发出报警信号。主动式红外探测器遇到小动物、树叶、沙尘、雨、雪、雾遮挡则不应报警，人或相当体积的物品遮挡将发生报警。由于光束较窄，收发端安装要牢固可靠，不应受地面震动影响，而发生位移引起误报，光学系统要保持清洁，注意维护保养。因此主动式探测器所探测的是点到点，而不是一个面的范围。其特点是探测可靠性非常高。但若对一个空间进行布防，则需有多个主动式探测器，价格昂贵。主动式探测器常用于博物馆中单体贵重文物展品的布防以及工厂仓库的门窗封锁、购物中心的通道封锁、停车场的出口封锁、家居的阳台封锁等等。

高速响应的中波红外探测器在自由空间光通信和频率梳光谱学等新兴领域的需求逐渐增加。中长波XB?n势垒型红外光探测器对暗电流等散粒噪声具有抑制作用。近期，由中国科学院半导体研究所、昆明物理研究所、中国科学院大学和陆装驻重庆军代局驻昆明地区第一军代室组成的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非制冷势垒型InAsSb基高速中波红外探测器”为主题的文章。该文章第一作者为贾春阳，通讯作者为赵俊总工程师和张逸韵研究员。本工作制备了不同直径的nBn和pBn结构的中波InAsSb/AlAsSb红外接地-信号-接地（GSG）探测器。对制备的探测器进行了变温暗电流特性，结电容特性和室温射频响应特性的表征。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]材料生长、器件制备和测试[/b][/back][/size][/align]通过固态源分子束外延装置在2英寸的n型Te-GaSb衬底上外延生长nBn和pBn器件。势垒型器件的生长过程如下所示：先在衬底上生长GaSb缓冲层来平整表面以及减少应力和位错，接着生长重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb接触层，然后生长2.5 μm厚的非故意掺杂（101? cm?3）InAsSb体材料吸收层。之后生长了150 nm厚的AlAsSb/AlSb数字合金电子势垒层，通过插入超薄的AlSb层实现了吸收区和势垒层的价带偏移的显著减少，有助于空穴向接触电极的传输，同时有效阻止电子以减小暗电流。最后分别生长300 nm厚的重掺杂（101? cm?3）n型InAsSb和p型GaSb接触层用于形成nBn和pBn器件结构。其中，Si和Be分别被用作n型和p型掺杂源。生长后，通过原子力显微镜（D3100，Veeco，USA）和高分辨X射线衍射仪（Bede D1，United Kingdom）对晶片进行表征以确保获得高质量的材料质量。通过激光划片将2英寸的外延片划裂为1×1 cm2的样片。样片经过标准工艺处理，包括台面定义、钝化和金属蒸镀工艺，制成直径从10 μm到100 μm的圆形台面单管探测器。台面定义工艺包括通过电感耦合等离子体（ICP）和柠檬酸基混合溶液进行的干法刻蚀和湿法腐蚀工艺，以去除器件侧壁上的离子诱导损伤和表面态。器件的金属电极需要与射频探针进行耦合来测试器件的射频响应特性，因此包括三个电极分别为Ground（接地）、Signal（信号）和Ground，其中两个Ground电极相连，与下接触层形成欧姆接触，Signal电极与上接触层形成欧姆接触，如图1（c）和（f）所示。通过低温探针台和半导体参数分析仪（Keithley 4200，America）测试器件77 K-300 K范围的电学特性。器件的光学响应特性在之前的工作中介绍过，在300 K下光电探测器截止波长约为4.8 μm，与InAsSb吸收层的带隙一致。在300 K和反向偏置为450 mV时，饱和量子效率在55%-60%。通过探针台和频率响应范围10 MHz-67 GHz的矢量网络分析仪（Keysight PNA-XN5247B，America）对器件进行射频响应特性测试。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结果与讨论[/b][/back][/size][/align][b]材料质量表征[/b]图1（a）和（d）的X射线衍射谱结果显示，从左到右的谱线峰分别对应于InAsSb吸收层和GaSb缓冲层/衬底。其中，nBn和pBn外延片的InAsSb吸收区的峰值分别出现在60.69度和60.67度，GaSb衬底的峰值则出现在60.72度。因此，InAsSb吸收层与GaSb 衬底的晶格失配分别为-108 acsec和-180 acsec，符合预期，表明nBn和pBn器件的InAsSb吸收区和GaSb衬底几乎是晶格匹配的生长条件。因此，nBn和pBn外延片都具有良好的材料质量。原子力显微镜扫描的结果在图1的（b）和（e）中，显示出生长后的nBn和pBn外延片具有良好的表面形貌。在一个5×5 μm2的区域内，nBn和pBn外延片的均方根粗糙度分别为1.7 ?和2.1 ?。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/92230b98-4dac-4ee0-aeaa-282dcd342995.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图1 （a）和（a）分别为nBn和pBn外延片的X射线衍射谱；（b）和（e）分别为nBn和pBn外延片的原子力显微扫描图；（c）和（f）分别为制备的圆形GSG探测器的光学照片和扫描电子照片[/color][/align][b]器件的变温暗电流特性[/b]图2（a）显示了器件直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片的温度依赖暗电流密度-电压曲线，通过在连接到Keithley 4200半导体参数分析仪的低温探针台上进行测量。图2（b）显示了件直径90 μm的nBn和pBn探测器在77 K-300 K下的微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线，温度下降的梯度（STEP）为25 K。图2（c）显示了在400 mV反向偏压下，nBn和pBn探测器表现出的从77 K到300 K的R?A与温度倒数（1000/T）之间的关系，温度变化的梯度（STEP）为25 K。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a8f8001f-cd03-42f4-a32f-8b1acc94131d.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图2 从77K到300K温度下直径90 μm的nBn和pBn探测器单管芯片（a）暗电流密度-电压曲线；（b）微分电阻和器件面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线；（c）R?A随温度倒数变化曲线[/color][/align][b]器件暗电流的尺寸效应[/b]由于势垒型红外探测器对于体内暗电流可以起到较好的抑制作用，因此研究人员关注与台面周长和面积有关的表面泄露暗电流，进一步抑制表面漏电流可以进一步提高探测器的工作性能。图3（a）显示了从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温工作的暗电流密度和电压关系，尺寸变化的梯度（STEP）为10 μm。图3（b）显示从20 μm-100 μm的nBn和pBn探测器的微分电阻和台面面积的乘积R?A随反向偏压的变化曲线。图3（d）中pBn器件的相对平缓的拟合曲线说明了具有较高的侧壁电阻率，根据斜率的倒数计算出约为1.7×10? Ωcm。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/e7fba8aa-eabe-40a4-a863-6ebcdd264744.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图3 从20 μm到100 μm直径的nBn和pBn器件于室温下的（a）暗电流密度和电压变化曲线和（b）R?A随反向偏压的变化曲线；（c）在400 mV反偏时，pBn和nBn器件R?A随台面直径的变化；（d）（R?A）?1与周长对面积（P/A）变化曲线[/color][/align][b]器件的结电容[/b]图4（a）显示了使用Keithley 4200 CV模块在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线，器件直径从20 μm到100 μm按照10 μm梯度（STEP）变化。对于势垒层完全耗尽的pBn探测器，预期器件电容将由AlAsSb/AlSb势垒层电容和InAsSb吸收区耗尽层电容的串联组合给出，其中包括势垒层和上接触层侧的InAsSb耗尽区。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/c09b63df-6442-42f2-b548-df4f539db6eb.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图4 （a）在室温下不同直径的nBn和pBn探测器的结电容随反向偏压的变化曲线；（b）反偏400 mV下结电容与台面直径的变化曲线。[/color][/align][b]器件的射频响应特性[/b]通过Keysight PNA-X N5247B矢量网络分析仪、探针台和飞秒激光光源，在室温和0-3 V反向偏压下，对不同尺寸的nBn和pBn探测器在10 MHz至67 GHz之间进行了射频响应特性测试。根据图5推算出在3V反向偏压下的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的圆形nBn和pBn红外探测器的3 dB截止频率（f3dB）。势垒型探测器内部载流子输运过程类似光电导探测器，表面载流子寿命对响应速度会产生影响。[align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/95acbbf7-8557-4619-b4cd-5829d636aced.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图5 在300 K下施加-3V偏压的40 μm、50 μm、70 μm、80 μm、90 μm、100 μm直径的nBn和pBn探测器的归一化频率响应图[/color][/align][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/541829b0-a336-4b7e-a75b-0a15f8dfd06a.jpg[/img][/align][align=center][color=#0070c0]图6 不同尺寸的nBn和pBn探测器（a）3 dB截止频率随反向偏压变化曲线；（b）在3 V反向偏压下的3 dB截止频率随台面直径变化曲线[/color][/align]图6（a）展示了对不同尺寸的nBn和pBn探测器，在0-3 V反向偏压范围内的3 dB截止频率的结果。随着反向偏压的增大，不同尺寸的器件的3 dB带宽也随之增大。因此，在图6（a）中观察到在低反向偏压下nBn和pBn器件的响应较慢，nBn探测器的截止频率落在60 MHz-320 MHz之间而pBn探测器的截止频率落在70 MHz-750 MHz之间；随着施加偏压的增加，截止频率增加，nBn和pBn器件最高可以达到反向偏压3V下的2.02 GHz和2.62 GHz。pBn器件的响应速度相较于nBn器件提升了约29.7%。[align=center][size=18px][back=#ffff00][b]结论[/b][/back][/size][/align]通过分子束外延法在锑化镓衬底上生长了两种势垒型结构nBn和pBn的InAsSb/AlAsSb/AlSb基中波红外光探测器，经过台面定义、工艺钝化工艺和金属蒸镀工艺制备了可用于射频响应特性测试的GSG探测器。XRD和AFM的结果表示两种结构的外延片都具有较好的晶体质量。探测器的暗电流测试结果表明，在室温和反向偏压400 mV工作时，直径90 μm的pBn器件相较于nBn器件表现出更低的暗电流密度0.145 A/cm2，说明了该器件在室温非制冷环境下表现出低噪声。不同台面直径的探测器的暗电流测试表明，pBn器件的表面电阻率约为1.7×10? Ωcm，对照的nBn器件的表面电阻率为3.1×103 Ωcm，而pBn和nBn的R?A体积项的贡献分别为16.60 Ωcm2和5.27 Ωcm2。探测器的电容测试结果表明，可零偏压工作的pBn探测器具有完全耗尽的势垒层和部分耗尽的吸收区，nBn的吸收区也存在部分耗尽。探测器的射频响应特性表明，直径90 μm的pBn器件的响应速度在室温和3 V反向偏压下可达2.62 GHz，对照的nBn器件的响应速度仅为2.02 GHz，相比提升了约29.7%。初步实现了在中红外波段下可快速探测的室温非制冷势垒型光探测器，对室温中波高速红外探测器及光通讯模块提供技术路线参考。[b]论文链接：[/b][url]http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/article/abstract/2023157[/url][来源：MEMS][align=right][/align]

象山港大面积赤潮,赤潮仍将持续　　8月12日，象山港海洋环境监测站发现，浙江船厂邻近海域一带，暴发了面积约170平方公里，水体呈红色的赤潮。　海水浑浊不堪，整片海水呈褐色　 8月14日，赤潮面积扩大至整个象山港海域，面积高达390平方公里，水体颜色呈深褐色。 讨论造成大面积赤潮原因及危害.

大家好，哪位大侠能说一下近红外光电探测器的应用有哪里？红外的光电探测器有InGaAs（铟镓砷）, Ge（锗）, PbS（硫化铅）, PbSe（硒化铅），MCT等。铟镓砷象640*512 ，320*256，主要会用到什么上面？请大侠们指导一下，先谢谢喽tangtang：论坛规定不给留联系方式，可站短联系。

小弟想要一个能检测波长为3.3um的热释电红外探测器，但在网上查了很久，发现都是些检测波长在5-14um的探测器。哪位大侠知道哪种型号的探测器能满足我的需求啊？劳烦告诉我型号啊，感激不尽哦！

被动红外探测器：采用被动红外方式，已达到安保报警功能的探测器。被动式红外探测器主要由光学系统、热传感器（或称为红外传感器）及报警控制器等部分组成。探测器本身不发射任何能量而只被动接收、探测来自环境的红外辐射。一旦有人体红外线辐射进来，经光学系统聚焦就使热释电器件产生突变电信号，而发出警报。 被动红外探测器越来越多的被应用于安防领域，能够探测到当前区域内有没有移动的人等目标。 与其他红外探测器不同的时，被动红外探测器采取被动的方式，即自身不附加红外辐射光源，本身也不发射任何能量。目标在探测渔区内移动，会引起某一个立体防范空间内的热辐射的变化，而红外热辐射能量的变化能够灵敏的被被动红外探测器感应到，从而发出报警。 被动红外探测器一般由光学系统、红外传感器、报警控制器等构成。被动红外探测器安装好后，某一区域内的热辐射量量对于探测器来说基本上是不变的。尽管背景物体(如墙、家具等)也会散发出红外辐射能量，但由于能量很小不会触发报警。可当有人等移动目标进入该区域后，红外热辐射值会产生显著的变化。红外传感器的探测波长范围是8~14m，包括人体的红外辐射波长。探测器接收到这些信号后，将信号处理并送往报警控制器，最终触发报警，达到安防的目的。

一般实验室需要配置多大面积？

最近要做有关物质了，想问问各位，多大面积的峰可以不算杂质？这个有标准么？？急急....

大家好，哪位大侠能说一下近红外光电探测器的应用有哪里？近红外的光电探测器有InGaAs（铟镓砷）, Ge（锗）, PbS（硫化铅）, PbSe（硒化铅）等。铟镓砷象640*512 ，320*256，主要会用到什么上面？请大侠们指导一下，先谢谢喽联系电话：13649264285邮箱：zhangwenjuan@fy-ic.com

欲买用于NDIR红外分析的探测器,推荐几款性价比好的 热释电探测器, 热电偶和热电堆也行, 碲镉汞探测器也行 发一份详细资料到信箱augustcool214@sina.com.cn,谢谢 最好有报价(大概)

大家好！我是新人，昨天通过同学推荐才知道这个网站的，我非常喜爱这个网站，希望它能在大家的努力下变得更加出色^_^. 我现在跟随导师做一个项目，是通过FTIR测量MEMS器件的沟槽深度。在选购红外探测器时，有两样选择，一个是MCT，一个是DTGS。两种探测器的光谱相应范围基本上都符合要求(当然DTGS的要稍大一些)，但MCT的灵敏度和响应速度要更快一些，不过需要氮冷。从实验经费考虑，导师比较倾向于选购DTGS。但是我查阅国外相关实验的资料时，发现他们用的基本上都是MCT，所以很犯难。如果大家有这方面的相关经验和资料的话，请不吝赐教，谢谢！ 另外，不知道有没有人有AMS公司的IR3000的资料，我这里搜集到的只有比较简单的一些数据，如果可以告知一二的话，小弟不胜感激。 希望能和大家成为好朋友！^_^

处女贴，请各位多多指导。是这样，我在做一个项目，就是用红外探测器获取红外信息，然后通过串口传入电子控制单元，在电子控制单元进行红外图形处理，识别出人体。应用场景是用在汽车上，来探测哪个位置有人，来进行分区调节温度。电子控制单元现在已经调试好了，接口也都通了，但在红外探测器选型上没经验。所以请教：1.该红外探测器仅仅是可以获取人体附近的红外线就可以。不需要成品。因为成本核算的原因。2.探测器要有一定的捕获角度3.批量采购的话，成本要在百元以下。因为是要量产的。多谢！

[color=#000000]近日，大连化物所催化基础国家重点实验室热电材料与器件研究组（525组）姜鹏研究员、陆晓伟副研究员、包信和院士团队开发了柔性、可穿戴长波红外光热电探测器，并将其用于电子皮肤非接触温度感知。[/color][color=#000000]仿生触觉是智能机器人感知外部环境刺激的基础。在传统触觉系统中，触觉传感器需要与外部环境物理接触进而获取温度信息，无法在接触前对外部刺激作出预判。因此，发展具有非接触温度感知能力的先进触觉传感技术，将有助于为机器人交互感知领域带来全新的体验。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202404/uepic/d9f98d30-33d3-4a5f-ae64-7284b6ef766d.jpg[/img][/align][color=#000000]光热电探测器是基于光热、热电两个能量转换过程，可在无需制冷、无需偏置电压、无接触的条件下实现对长波红外辐射（8至14μm）的灵敏探测。本工作中，研究团队在前期光热电探测器工作（[/color][url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202204355][i][b]Adv. [/b][/i][/url][url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202204355][i][b]M [/b][/i][/url][url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202204355][i][b][color=#0070c0]ater. [/color][color=#0070c0][/color][/b][/i][/url][color=#000000]，2022；[/color][url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201902044][i][b]Adv. Mater [/b][/i][/url][color=#0070c0][i][b].[/b][/i][/color][color=#000000]，2019；[/color][url=https://www.nature.com/articles/s41467-018-07860-0][i][b]Nat. Commun. [/b][/i][/url][color=#000000]，2019）的基础上，在具有长波红外吸收能力的柔性聚酰亚胺（PI）衬底上构建了Te/CuTe热电异质结，制备出高灵敏度、柔性、可穿戴长波红外光热电探测器。Te/CuTe热电异质结一方面可以提升复合薄膜的热电功率因子，起到降低器件噪音的作用；另一方面可以通过降低其光学反射损耗，并将其光学反射极小值与PI吸收峰对齐，增强光热电耦合，提升器件灵敏度。[/color][color=#000000]在非接触式温度感知测试中，当目标温度从零下50°C上升至110°C，所制备的柔性光热电探测器灵敏度均优于商业刚性热电堆，温度分辨能力可达0.05°C。以此为基础，研究团队利用该红外探测器在接近辐射源过程中响应电压的斜率变化，开发了动态温度预警系统，使得软体机械手可对热源进行预先判定。该工作为在仿生触觉系统中引入红外探测技术提供了可行的解决方案，在机器人交互感知、虚拟现实等领域具有重要的应用前景。[/color][color=#000000]相关研究成果以“[b]Touchless thermosensation enabled by flexible photothermoelectric detector for temperature prewarning function of electronic skin ”[/b]为题，发表在[b]《先进材料》[/b][i]（Advanced Materials）[/i]上。上述工作得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、辽宁省自然科学基金、大连化物所创新基金等项目的资助。（文/图 郭晓晗、陆晓伟）[/color][color=#000000]文章链接：[/color][url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202313911][b]https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202313911[/b][/url][来源： 中国科学院大连化物所][align=right][/align]

安置一台GCMS要多大面积的实验室好啊，包括附属设备。谢谢大家。

[size=4] photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。 1873年，英国W.史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度（单位为电子伏）。因此，本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得 λc＝1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半导体材料研制成功,并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变，例如x＝0.2的HG0.8Cd0.2Te材料，可以制成响应波长为 8～14微米大气窗口的红外探测器。它与工作在同样波段的Ge：Hg探测器相比有如下优点：①工作温度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K。②本征吸收系数大,样品尺寸小。③易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。 通常，凡禁带宽度或杂质离化能合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等 在近红外波段有：PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等 在长于8微米波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等；CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。 可见光波段的光电导探测器 CdS、CdSe、CdTe 的响应波段都在可见光或近红外区域，通常称为光敏电阻。它们具有很宽的禁带宽度（远大于1电子伏）,可以在室温下工作，因此器件结构比较简单，一般采用半密封式的胶木外壳，前面加一透光窗口，后面引出两根管脚作为电极。高温、高湿环境应用的光电导探测器可采用金属全密封型结构，玻璃窗口与可伐金属外壳熔封。 器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种CdS光敏电阻,当偏压为70伏时，暗电流为10-6～10-8安，光照灵敏度为3～10安/流明。CdSe光敏电阻的灵敏度一般比 CdS高。光敏电阻另一个重要参数是时间常数 τ，它表示器件对光照反应速度的大小。光照突然去除以后，光电流下降到最大值的 1/e（约为37％）所需的时间为时间常数 τ。也有按光电流下降到最大值的10％计算τ的 各种光敏电阻的时间常数差别很大。CdS的时间常数比较大（毫秒量级）。 红外波段的光电导探测器 PbS、Hg1-xCdxTe 的常用响应波段在 1～3微米、3～5微米、8～14微米三个大气透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发足以使导带中有大量的自由载流子，这就大大降低了对辐射的灵敏度。响应波长越长的光，电导体这种情况越显著，其中1～3微米波段的探测器可以在室温工作（灵敏度略有下降）。3～5微米波段的探测器分三种情况：①在室温下工作，但灵敏度大大下降，探测度一般只有1～7×108厘米瓦-1赫；②热电致冷温度下工作(约-60℃),探测度约为109厘米瓦-1赫 ③77K或更低温度下工作,探测度可达1010厘米瓦-1赫以上。8～14微米波段的探测器必须在低温下工作，因此光电导体要保持在真空杜瓦瓶中，冷却方式有灌注液氮和用微型制冷器两种。 红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多,PbS探测器的时间常数一般为50～500微秒,HgCdTe探测器的时间常数在10-6～10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号,例如10-14 瓦；输出的电信号也非常小,因此要有专门的前置放大器。[/size]

谁知道 X-Max----超大面积SDD电制冷能谱是个啥子东西？我们目前用的是液氮冷却的普通EDS，看一些资料都说SDD如何的好，但它也应该有自己的不足，请专家指点一二，看看新型的SDD能谱仪到底好在哪里呢？记得几年前曾经就SDD探头有过激烈的争论，不知到现在这个技术又有什么新的进展了。

找本中文版的红外探测器一书【序号】：1【作者】：[color=#444444]Antoni Rogalski 著[/color]【题名】：[color=#444444]《红外探测器》原书第二版中文版[/color]【年、卷、期、起止页码】：[color=#333333]840[/color]页【全文链接】：[color=#333333][url]https://www.yqdaw.com/daw17057p11.html[/url][/color]

我公司正在研发个人辐射剂量仪和荧光光谱仪产品，需采购一批不同面积的sipin探测器样品做测试，不知道大家有什么好的推荐。我公司倾向于使用国产产品，如果有相关产品，希望大家帮忙推荐一下。这个店里的国产探测器，联系过卖家，卖家说量太小。不知道大家对这家产品有什么了解。

[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/04/201004010843_209330_1611705_3.gif[/img]广西、云南和贵州等省区，去冬今春以来，遭遇了百年未遇的旱灾，百姓生活用水、农业生产、牲畜饮水受到严重威胁，并且旱情至今没有任何缓解的迹象。当政府、社会团体和广大百姓在积极投入抗灾之时，笔者想向所有民众问询一个问题，那就是这场旱灾是否与这几个省区近年来生态林大规模被砍伐，然后大面积种上速生桉，是否有无联系？这几个省区近年来为了发展经济，相继引进了金光和斯道拉恩索纸业巨头，而这两家公司为了保证纸业生产所需的原材料，大力在广西、云南、贵州等西南省区发展和种植速生桉，这些地区原有的生态林遭到大规模的破坏。金光集团和斯道拉恩索两家公司在全球破坏生态林的行为，已经遭到众多国际组织的谴责，可谓臭名昭著。这两家企业为了自身的发展，就把目光瞄准了只顾经济发展，不惜牺牲环境的中国。在当地政府的默认和保护下，这两家企业在中国南方大面积推广和种植速生桉。大面积种植速生桉，一般对环境会产生如下危害：[b]1、速生桉是“抽水机”[/b]速生桉对土壤的水分需求极大，大面积种植会导致地下水位下降，保持水的能力很差，土地表面板结，还出现土地沙化现象。据报道，广州市花都区赤坭镇10年前种植了大量速生桉。10年过去，树间流淌的小溪流接二连三地干涸了，山脚下的水井越取越深；一些村子里以往甘甜的泉水还变得苦涩了。[b]2、速生桉是“抽肥机” [/b]速生桉对土壤的肥料和养分需求极大，凡种植了速生桉的地方，土地肥力下降乃至枯竭，原始植被因为得不到足够的肥料和养分而受到严重破坏，引发土地退化，水土保持情况恶化，土地贫瘠，以后再引进种植其他植物根本无法存活。土壤强度侵蚀比例逐年升高，山体滑坡和洪涝灾害增多。[b]3、速生桉是“霸王树”[/b]速生桉对当地乡土的原产、原生物种具有极大的抑制性。它生长了，其他物种就会慢慢地萎缩，最后造成速生桉种植地都是地表光秃秃的，地上没有草、灌木，也没有小乔木及各种中草药材等。速生桉林中动物十分稀少甚至绝迹，生物多样性水平极低，生物食物链断裂，生态十分脆弱，缺少天敌对虫害进行控制，很易感染虫灾，容易导致小气候变化等严重的生态危机。[b]4、速生桉施用的化工产品毒性强、毒效长[/b]种植速生桉时施用某些毒性、毒效长的化工产品，该产品一旦施加在土地里，将很难清除干净，对水质污染极大。另外，速生桉发出的气味对人体有刺激和毒害作用。虽然目前对速生按是否危害生态环境还众说纷纭，未有定论，但可以肯定的是大规模发展速生桉的确存在潜在危险。正如第4条所讲，“虽然目前对速生按是否危害生态环境还众说纷纭，未有定论，但可以肯定的是大规模发展速生桉的确存在潜在危险。”官方对于西南省区的旱灾至今没有说明形成的原因，但这些地区生态林遭到严重破坏和大规模种植速生桉是不争的事实。速生桉对于植被和水源的破坏，已经是获得了一致的共识，在诸如日本、澳大利亚和越南、柬埔寨这样的小国，都禁止大规模、大面积种植速生桉，避免由此而引起的环境灾难和生态灾难。笔者对于这次旱灾诱发的原因，仅仅也是基于生态林被破坏和大规模种植速生桉的一种猜测。一个地方追求经济的发展是没有错，但是在追求经济发展的同时，一定要评估这些产业是否产生严重的后果，不要为了眼前的二两猪肉钱，放弃了长远的子孙利益。任何事物都必须遵循自然规律这一法则，一旦违背这一规则，必将受到自然界的严惩。————————————————————————————————————————————————————————————————————————进入2010年，西南地区的人们陷入与干旱的鏖战中。持续高温少雨天气，导致云南、贵州、四川、广西、重庆的旱情持续加重。云南大部分地区干旱等级升至百年以上一遇。近日，记者深入云南旱灾最严重的地方之一文山州，今年以来，文山平均降雨量只有4.6毫米。砚山县是文山州旱情最重的四个县之一。在那里，河水枯竭、水井见底、土地龟裂，灾情触目惊心。[b]水成最珍贵的礼物 [/b]位于群山顶峰、海拔1800米的文山州砚山县阿猛镇水塘村大榔树组，是云南最干旱的村落之一。山山相连，峰峰相接是砚山县阿猛镇的地理概貌。阿猛镇地处广西和云南两地三县交界处的边缘地带，是一个苗族、壮族、白族等少数民族聚集的乡镇。和众多山脚下的村落不同，大榔树组居民简陋的黑瓦土房都修建在山顶，稀稀落落散布着。87户居民中，50户为苗族，37户为白族。因距离阿猛镇40公里，且不通公路，当地政府的“爱心水”一度无法送到这里。断水20多天后，村领导徒步半天来到镇里汇报灾情，方才引起重视。3月18日是水塘村村支书李少中的母亲50岁生日，李少中的大姐夫用牛车拉了100公斤水给岳母祝寿。因送水有功，大姐夫被安排坐在上席。李少中为表示对大姐夫的感激之情，特意敬了一杯酒。“现在谁家办红白喜事，水是最珍贵的礼物。”大榔树组小组长李振勇这样说。[b]一周洗一次碗筷节水 [/b]60岁的彭文仙，看到几个陌生人来到自家门前，有些激动。“感谢你们呀，不是你们我们都要渴死了。”老人误把记者当做送水的乡镇干部。在她背后，是3个10岁左右的男孩。见到陌生人，孩子们有些局促地躲在老人身后，黑乎乎的脸和乱糟糟的头发，表明他们已经很久没有洗脸和洗头了。“洗澡？”听到记者询问，老人不好意思地笑起来。村支书李少中说，为了节约用水，村民几乎一周洗一次脸，洗一次衣服，洗一次碗筷。记者在一个村子里看到一位大妈在洗衣服，晾衣绳上挂了二三十件衣服。“我们家快一个月没洗衣服了，衣服都是穿脏了就在太阳下面晒晒，然后再穿，再脏再晒，一般穿了三遍我们才洗一次，这样就攒了这么一大堆。”[b]3个月没吃到新鲜蔬菜 [/b]干旱让蔬菜成了奢侈品。村民李大友开始从山上采野菜“饿羊菜”吃，这是羊饿急了才肯吃的植物，需要用水泡六七天才能除掉菜里的涩味。除了“饿羊菜”，李大友家的一日三餐就是盐水伴着干菜下饭。“3个月没有新鲜蔬菜了，很多村民都到山里去找一点野菜。”村干部说，因为天旱，找到一点野菜先留给孩子和老人，壮劳力吃腌肉凑合。文山州翁达村村民林光德也说，家里不怎么吃青菜，只有每星期一次的集市上可以买点。但是很贵，以前两三毛钱一斤，现在都要一块多。这里的人一星期能吃上一次青菜就很了不起了。平时都是吃咸菜、腐乳来下饭，差不多忘记青菜的味道了。[b]村支书哭劝村民外出打工 [/b]“连吃的水都没有，哪来的水种庄稼。”几个月来，水塘村村支书李少中最主要的工作就是帮助村民找水源，但在多次努力失败后，他失去了耐心，开始一家一户上门，劝村民外出打工，要不投靠亲戚渡过难关。“出去吧，难道在这里等着渴死吗？”李少中和村干部这样劝村民。在大榔树组，目前除了几个村干部坚守外，其他村民都外出寻找生路去了。其中外出打工的有50多人，占到村里人口的六分之一。“我对他们说，你们出去吧。家里剩下老人和孩子，我们帮着照看。”李少中说。不少村民有些犹豫，他甚至哭着劝他们离开。

紫外消毒的范围是多少！多大面积安装一根紫外灯是合适的。

同样是Si(Li)晶体的探测器仪器，如何选择？主要是看晶体的面积，晶体面积越大，探测效率越高，灵敏度越高，性能越好，价格越贵。目前国际市场的上晶体面积从5mm2 8mm2,10mm2.,15mm2 30mm2……都有一般认为15mm2以上的晶体为高灵敏度晶体。同时需要注意分辨率指标，一般来说晶体面积越小，分辨率越好。晶体面积越大，分辨率数会越大。当分辨率满足170eV内时，应选择较大的晶体，已获得较好的灵敏度和分析效率。当然晶体面积与价格成正比。SDD 晶体与Si(Li) 晶体在技术上有何不同？SDD晶体技术是一种新的技术，出现在市场上约6-7年时间。国内市场常见到的有晶体面积　5mm2 8mm2,10mm2 由于该晶体的厚度仅有0.3mm., 因此对高能端的元素探测器效率较低。而对低能端的元素具有较好的探测器效率。因此，该种晶体的探测器适用于11-29号Ka线范围和其它La线元素的分析。目前这种技术仍在完善中。一般常用于扫描电镜能谱仪上使用。在荧光能谱仪上不适合多元素同时分析的工作Si(Li) 晶体具有较长时间的生产历史，（20世纪60年开始面试）具有稳定的性能，分析元素范围可达 4号Be -- 92号 U 晶体厚度达3mm以上。可满足高能端元素的分析要求。适合多元素同时分析要求 Si(Li)晶体 丨 SDD 晶体晶体面积 10mm2,15mm2,30mm2 50mm2 丨 5mm2 8mm2,10mm2,30mm2晶体厚度 3mm 丨 0.3mmMn Ka 分辨率129-155eV 丨 149eV --165eVKa 分析元素范围0.3mm 丨 0.3mmMn Ka 分辨率260eV 149eV --165eVKa 分析元素范围 10 KeV 丨 10KeV历史 2001 丨2002国际市场价格2000USD-4000USD 丨12000USD-20000USD由于该探测器分辨率较差，因此不能分析相邻的元素，如Ni,Cu, Zn 不能同时分析

想自己搭一个简单的近红外分光光度装置，我该选用什么探测器比较好呢？

[color=#000000]陕西知芯外延半导体有限公司（简称：知芯外延）于2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器、硅光集成产业、超高速通讯器件等各个方向产品的升级。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c45ee993-8944-4fb1-a1b4-793fe9fb49f5.jpg[/img][/align][color=#000000]知芯外延主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c5db2606-b780-4d94-bda7-1f42d7adfd8e.jpg[/img][/align][color=#000000]基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。项目促进光电子产业创新链发展的同时，也为产业链的发展提供了核心技术支撑，助力西安走上“追光”路。[/color][来源：MEMS][align=right][/align]