微波能化学气相沉积系统

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学

微波材料学工作站--微波能化学气相沉积系统主要用途：主要为应用在半导体, 大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，石墨烯、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域 产品特点：★操作便捷：气路连接方式采用了KF快速连接法兰结构，使取放物料过程简化，只需一支卡箍便可完成气路连接，方便操作，取消了复杂的法兰安装过程，减少了安装造成的损坏★多功能：3种加热方式可选可变：纯微波、传统电加热、混合加热；适应包括金属与合金在内非易燃的任何样品的热处理★独家开发的微波场专用传感器，精准控温★安全：独家采用防止泄漏的四级联锁的保护屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔体设计，多重防泄漏保护*标配装有专业微波抑制器*内置微波泄漏传感器★节能：使用寿命长：磁控管微波加热，避免和解决了传统的加热丝、硅碳棒、硅钼棒等加热元件容易损坏的问题，也避免了因加热元件损坏而造成的时间、实验进度、维修费用等各种损失★采用无级可调、高稳定度长寿命、连续波微波源，确保设备能够连续稳定长时间运行★嵌入式微机一体化温度控制系统；实现稳定性控温★无须烘炉过程：炉腔整体自身发热，加热均匀★微波能量即开即有,无热惯性,易于控制温度★炉体配有自动冷却风扇★保护管采用耐高温合金管，气管采用卡套或VCR接口，安装简便★配有万向轮调节底脚，方便移动和固定 选配功能：1.多温区独立加热模块：型号后面加Ｄ　　　◆多个不同温区独立加热、独立控制，（标配 2 个温区）◆两个以上温区可额外选配◆通常用于高温下气相或挥发分参与的材料合成◆加热区、恒温区长度均可调。2.可根据用户需求定制立式或其他尺寸 技术参数：型号/modelWBQXCJ-4可加热材料非易燃易爆的任何材料微波频率2.45GHZ±50MHz加热方式纯微波加热、传统电加热、混合加热最大功率/ KW(连续、可调)4样品腔尺寸/mm标配Φ45mm；长度 1200mm。可根据用户需求定制样品腔(材质)石英管刚玉管控温范围/℃室温-1200℃室温-1500℃温度测试元件微波场专用传感器温度分辨率/℃0.1控温精度/℃ 1200℃以下±1；1200℃以上±2℃温度偏差/℃温度稳定波动度/℃冷却方式标配风冷（可选配水冷）恒温区长度/mm标配100 可根据用户需求定制升温速率(标配)0～200℃/min任意设定，可编程、分段加热温度控制方式10段可设工艺参数，7寸触摸屏操作，带数据存储功能；提供手动、自动、恒温控制模式，曲线实时显示控制气体控制气体：H2、CH4、Ar、N 2 、其它气体可选流量控制标配 2 套质量流量控制器：七星华创（真空保护阀门后置，匹配真空模式）；精度：0.8%最大耐压1MPa；控制响应时间：10ms真空系统真空泵RVP2008；压力范围：10 -3 Torr~760 Torr最大抽速：8.5 m 3/h真空计数显真空计：1atm-10 -1 Pa标配质量流量自动控制系统配备控制计算机及控制软件，可以内置实时显示和保存生长参数气路其他配置气柜、气路及阀门等端口不锈钢 KF50 法兰接口电源电压（V）220微波泄漏量/mW/㎝2≤0.4外型尺寸（长′宽′高）/mm1500×750×1550

微波材料学工作站--微波等离子化学气相沉积系统主要用途：★该系统既可用作传统的化学气相沉积设备，又可用作微波能化学气相沉积设备，同时又是微波等离子化学气相沉积设备★主要为应用在半导体, 大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，石墨烯、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域★该款具有高电离、高电子温度和电子密度、适用压强范围宽、无内部电极污染等优异性能，微波等离子体在材料表面处理、金刚石薄膜制备、化学气相沉积、刻蚀以及甲烷转化制氢、长余辉发光材料、陶瓷烧结、碳纳米管修饰［3］、纳米粉体合成、处理水污染等领域 产品特点：★垂直反应器的设计可使等离子高密度；对称的微波发生器装置，使产生的等离子环境更均匀★谐振腔内没有内部电极，可以避免电极放电所产生的污染，而且，它的运行气压范围比较宽，所产生等离子体密度高、区域大，稳定性高，且不与真空器接触，从而避免了器壁对薄膜的污染★操作便捷：气路连接方式采用了KF快速连接法兰结构，使取放物料过程简化，只需一支卡箍便可完成气路连接，方便操作，取消了复杂的法兰安装过程，减少了安装造成的损坏★多功能：4种加热方式可选可变：微波等离子、纯微波、传统电加热、混合加热；适应包括金属与合金在内非易燃的任何样品的热处理★双温区结构：上部等离子区或加热区下部样品台加热区★独家开发的微波场专用传感器，精准控温★安全：独家采用防止泄漏的联锁保护屏蔽措施安全可靠的微波屏蔽腔体设计，多重防泄漏保护*标配装有专业微波抑制器*内置微波泄漏传感器★节能：使用寿命长：磁控管微波加热，避免和解决了传统的加热丝、硅碳棒、硅钼棒等加热元件容易损坏的问题，也避免了因加热元件损坏而造成的时间、实验进度、维修费用等各种损失★采用无级可调、高稳定度长寿命、连续波微波源，确保设备能够连续稳定长时间运行★嵌入式微机一体化温度控制系统；实现稳定性控温★无须烘炉过程：炉腔整体自身发热，加热均匀★微波能量即开即有,无热惯性,易于控制温度★配有万向轮调节底脚，方便移动和固定 技术参数：型号/modelWBDQC-4可加热材料非易燃易爆的任何材料微波频率2.45GHZ±50MHz加热方式等离子加热、纯微波加热、传统电加热、混合加热最大功率/ KW(连续、可调)4样品腔长度标配100mm可根据用户需求订制加热样品腔(材质)石英管（微波等离子工作模式）石英管&刚玉管（其它加热方式）控温范围/℃1100℃石英样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm、Φ100 mm 可选；1500℃刚玉样品腔直径：Φ45mm、Φ60mm 可选；温度测试元件微波场专用传感器温度分辨率/℃0.1样品台最高温度范围室温-1200℃、更高温度可选配控温精度/℃ 1200℃以下±1；1200℃以上±2℃温度偏差/℃温度稳定波动度/℃冷却方式风冷恒温区长度/mm标配100mm可根据用户需求订制升温速率(标配)0～200℃/min（微波等离子工作模式除外）任意设定，可编程、分段加热温度控制方式10段可设工艺参数，7寸触摸屏操作，带数据存储功能；提供手动、自动、恒温控制模式，曲线实时显示控制气体控制气体：H2、CH4、Ar、N 2 、其它气体可选流量控制标配 2 套质量流量控制器：七星华创（真空保护阀门后置，匹配真空模式）；精度：0.8%最大耐压1MPa；控制响应时间：10ms真空系统真空泵RVP2008；压力范围：10 -3 Torr~760 Torr最大抽速：8.5m 3 /h真空计数显真空计：1atm-10 -1 Pa标配质量流量自动控制系统配备控制计算机及控制软件，可以内置实时显示和保存生长参数气路其他配置气柜、气路及阀门等端口不锈钢 KF50 法兰接口电源电压（V）220微波泄漏量/ mW/㎝2≤0.4外型尺寸（长′宽′高）/mm1100×750×1900 选配功能：质量流量控制系统；美国Alicat质量流量&控制器

MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的 作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的 相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas 公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转 化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积 质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制 备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1.CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）,更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团，因此为高速 生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节 和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技 术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体团集中在腔体中，远离石英管，所以对石英管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

法国Plassys微波等离子体化学气相沉积系统 SSDR 150 SSDR150 微波等离子体化学气相沉积系统专门用于合成 CVD 金刚石薄膜，能够制备高纯单晶(需高纯气源）、厚单晶、大单晶、多晶薄膜、光学级窗口。SSDR150 不断优化的微波及等离子体设计，是一款可靠的、稳定的、长时间运行的金刚石薄膜生长系统，能够完美地适用于高校科研和企业生产。 SSDR150 系统特点。 铝合金腔体+内置石英管反应室，支持长时间高功率下工作。工艺气压可达 350 mbar 或更高，可以高速率生长单晶。微波源为 2.45GHz、最大功率 6 kW，高耦合效率。标准配置 4 条气路，最多可增加至 7 条气路（掺杂气路）。2 英寸水冷样品台，高度电动可调、精度优于 10μm (可选)。双色红外高温计测试样品表面温度，范围 475-1475 °C。爱德华兹分子泵+ 干泵，最佳真空度≤ 3×10-7 mbar。高水平金刚石生长工艺培训及演示（内容根据应用而定）。全自动控制、半自动和手动可用，图形化操作界面（GUI）。多级用户设置和管理、远程诊断和维护、数据导出接口。多用途：高纯度单晶、厚单晶、大单晶、掺杂、光学窗口。设备维护少、安全、可靠、稳定、性价比高 应用领域。切削刀具、耐磨涂层、热沉材料、SAW。光学窗口、激光晶体、电化学电极、CNT。生物传感器、微机电系统、光电探测器。商用宝石、低压高温退火处理、量子计算 SSDR150 性能表现多晶金刚石:• 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• 生长速率: 高达 10 μm/h, 取决于生长工艺 单晶金刚石: • 液氮温度下 PL 检测 无明显氮• EPR 测试氮浓度 : [Ns0] 1 ppb• 1332 cm-1 FWHM 金刚石拉曼谱线: 1.6 cm-1• 4000 – 10000 cm-1无红外波段吸收• 生长速率: 高达 20 μm/h, 取决于生长工艺条件

德国iplas微波等离子化学气相沉积 Cyrannus 1-6" 2.45GHz系统MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas公司的独 家 专 利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1. CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）,更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团， 因此为高速生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体 管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

德 Iplas 微波等离子化学气相沉积详细细介绍德国 IPLAS 微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD), 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是世界公认的制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司专利的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，最大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。 化学机理概要：碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。 适用合成材料：大尺寸宝石级单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC） 多种等离子发生器选择： 频率：2.45GHz, 915MHz: 功率：1-2kW, 1-3kW, 3-6kW,1-6kW，5-30kW 等离子团直径：70mm, 145mm, 250mm, 400mm 工作其他范围：0-1000mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约6米×3米x2米（设计待定）电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

德国iplas微波等离子化学气相沉积 iplas Mpcvd 915MHz 系统MPCVD 法是在微波能量的作用下，将沉积气体激发成等离子体状态，在由微波产生的电磁场的作用下，腔体内的电子相互碰撞并产生剧烈的振荡，促进了谐振腔内其它的原子、基团及分子之间的相互碰撞，从而有效地提高反应气体的离化程度，达到辉光发电，产生更高密度的等离子体。德国 iplas公司的独家专利多天线耦合微波等离子技术（CYRANNUS），可在反应腔中实现极高的 SP3 键转化率，使得腔体中充满过饱和原子氢和含碳基团，从而有效地提高了沉积速率并且使得金刚石的沉积质量得到改善，这正是获取优质金刚石的技术基础。德国 iplas 推出的微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD），其真空室的形式为金属腔-石英管一体式，压力操作范围从 10mbar 到室压范围，可制备大尺寸、优质金刚石（工艺参数得当可制备出首饰级钻石）和高均匀性的金刚石厚膜。1. CYRANNUS 技术采用多天线激发技术，开创性解决了高气压下等离子体团不稳定、闪烁的问题。可以在更高的功率（100kw）更高的气压（室压）下仍然保持稳定的等离子体团， 因此为高速生长优质金刚石膜提供了可能。2. CYRANNUS 多天线耦合技术配合 Iplas 专利的 E-H 调节器，可对前向和反射微波功率进行调节和测量。反射功率可以控制在 5%以下。3. CYRANNUS 多天线耦合技术的高能量密度保证了极高的 SP3 键的转换率，相较于传统等离子技术 CVD 系统，可以获得更高品质的金刚石。4. CYRANNUS 多天线耦合技术将激发的等离子体 管的加热效应有限，风冷+水冷的冷却措施可以防止反应壁过热的问题。

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定

1. 产品概述Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统。2. 设备用途/原理Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统，填孔能力以及高沉积速率，温度场和 ICP 电磁场设计保证了低温高致密的膜质表现，优化机台结构，缩小占地面积，友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料氧化硅。适用工艺浅沟槽隔离、金属间介质层、钝化层。适用域 新兴应用、集成电路。等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。按产生等离子体的方法，分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。

NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用，可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统，增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。通过不同的样品台偏压，样品台温度和等离子源的组合，NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。特点：** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空** 等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制，菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配：** ICP源用于高密度等离子，升级为ICPECVD** 远程微波等离子源，升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转，用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用：** 封装，绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜

PECVD沉积技术NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：独立型立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

德国IPLAS MPCVD CYRANNUS 专利技术，微波等离子化学气相沉积第四代半导体，热沉器件，光学窗口Iplas公司与1997 年在德国科隆由Hildegard Sung-Spitzl博士及其丈夫Ralf Spitzl博士建立。两位创世人在基础物理和应用物理领域具有渊博的知识，并在等离子技术领域具有深厚的研究开发经验。Ralf Spitzl 博士至今已有逾三十多年的等离子物理研究经历，Ralf Spitzl 博士于 1996 年发明了CYRANNUS等离子源，并与 1998 年取得了CYRANNUS的第一个专利。2003 年 Iplas 制造了16" CYRANNUS I 等离子源，是世界上最大的可在大气压下运行的商用等离子源，同年因其CYRANNUS 技术的卓越性能，iplas 和美国阿贡国家实验室共同获得 R&D100 奖项。今天 Iplas已经拥有等离子技术领域的 20 余项国际专利。金刚石在Ir/YSZ/Si上的异质外延德国Audiaec公司采用的是德国IPLAS设备，目前德国Audiaec与DF公司合并了。Augsburg Diamond Technology GmbH利用化学气相沉积技术在外源衬底(异质外延)上合成单晶金刚石。同外延的普遍概念是需要适当尺寸的单晶金刚石作为种子，与此相反，我们的新方法采用多层体系Ir/YSZ/Si作为可扩展的衬底。 这一创新有助于首次在直径达100毫米的圆盘上合成单晶金刚石。IR/ YSZ /SI直径为100mm的异质外延金刚石合成衬底:铱/钇稳定氧化锆/硅，用于第四代半导体， 是第四代半导体的终极材料。钻石晶片：独立式单晶钻石圆盘，直径92毫米，重量155克拉产品具有独特尺寸的单晶钻石我们的钻石已经成功地集成在各种高科技产品中，如超精密加工的刀具，手术刀，固体钻石球体，ATR棱镜....为实现您的特定产品，我们可以提供不同形状，大小和晶体取向的单晶钻石。4p Geo A, 4p Geo B, 2p类型1,2p类型2，种子晶体，特殊形状，光学规格:尺寸a、b、c的标准公差:+0,25 / - 0,00mm(根据要求:+0,05 / - 0,00mm) 2p石头:poli创新科技培育钻石是在一台高新技术仪器中，模拟自然环境下天然钻石生成所需的环境而生成的钻石。培育钻石是由优秀的科学家、专业的工程师及娴熟的技术人员所创造，是人类科技智慧的结晶。专家预言本世纪最重要的发明将是会长大的钻石，是半导体的终极材料。培育钻石会取代硅在半导体的角色，研发第四代半导体，使人类科技进入另一世界，培育钻石作为一种新贵资源也将成为人们追逐的热点。

PECVD沉积技术NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式系统自动上下载片，带预真空锁不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达6”(150mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

PECVD沉积技术NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：台式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

PECVD沉积技术NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：紧凑型独立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：紧凑型独立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护

1. 产品概述EPEE系列 等离子化学气相沉积系统，单片和多片式架构。2. 设备用途/原理EPEE系列 等离子化学气相沉积系统。先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求。高效传输系统，智能软件调度算法。高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制。支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺。支持在线膜厚和清洗终点实时监测。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容，适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳。适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层。适用域 科研、化合物半导体、新兴应用、集成电路。

等离子辅助MOCVD技术NMC-3000 MOCVD系统概述： NANO-MASTER针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5 x 10-7Torr极限真空)、PC全自动控制，完全的安全互锁。 目前，这项技术延伸到5个4"晶圆的立柜式独立批处理系统，该系统可以集成到集群配置中以满足高产量的要求。NMC-3000 PAMOCVD系统应用：III-V族半导体层蓝光及绿光LED激光二极管在紫外-红外光电中的InN纳米棒在3D和2D材料中的MoS2，BN和石墨烯沉积NMC-3000 PAMOCVD系统特点：台式系统5个带独立冷却槽的起泡器加热的气体管路950 °C样品台，2”晶圆片3个气体环RF等离子源，带淋浴头气体分布工艺完成后N2自动冲洗极限真空5x10-7Torr260 l/s的涡轮分子泵串接无油干泵通过LabView软件实现PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问控制完整的安全联锁NMC-3000 PAMOCVD系统 选配：独立式系统ICP或者微波等离子源14”立方的电抛光不锈钢腔体8”或者12”的基片夹具700°C旋转基片夹具用于6”样品台，950°C用于4”样品台增加鼓泡器和MFC自动上下片集群配置可兼容

快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)生产商：韩国Ecopia RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。 性能和特点：- 温度范围：室温 ~ 1500°C - 升温速度：200°C/s - 气体混合能力(带有质量流量计) - 真空度：~10-6Torr

EPEE系列 等离子化学气相沉积系统1、先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求 Advanced single-chip and multi-chip design, meet the needs of mass production and R&D 2、高效传输系统，智能软件调度算法 Efficient transport system, intelligent software scheduling 3、高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制 Efficient remote plasma cleaning system, superior particle control 4、支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺 Supporting SiH4 base ,TEOS base deposition and Carbon process 5、支持在线膜厚和清洗终点实时监测 Supporting on-line film thickness and dry-clean endpoint detection技术参数1、晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容2、适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳3、适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层4、适用领域 科研、化合物半导体、新兴应用、集成电路

1. 产品概述PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液体驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。3. 设备特点 大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)。优异的均匀性和应力控制。卓越的工艺稳定性和可重复性。坚固的系统，低的运行/维护成本。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-220NL设计时尚、紧凑，只需小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。

1. 产品概述PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液体驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。3. 设备特点 大加工范围：ø 360 mm (ø 3" x 9, ø 4" x 6, ø 6" x 3)，优异的均匀性和应力控制，卓越的工艺稳定性和可重复性，坚固的系统，低的运行/维护成本，用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。

1. 产品概述：金属有机源气相沉积系统（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）是一种先进的薄膜材料制备技术，通过金属有机前体和反应气体在基底表面上的热解和反应，形成所需的薄膜材料。该系统主要由真空室反应系统、气体（载气与气相有机源）输运控制系统、有机源蒸发输运控制系统、电源控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。MOCVD系统具有高质量、稳定性、重复性及多功能性等优点，是当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段。它广泛应用于半导体、光电子、光伏和显示等领域，用于制备各种功能性薄膜材料，如氮化物、磷化物和氧化物等。2 设备用途/原理：半导体材料制备：MOCVD系统可用于制备三五族或二六族化合物半导体薄膜，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等，这些材料广泛应用于集成电路、光电器件和微电子元件中。光电器件生产：利用MOCVD技术可以生产发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、太阳能电池等光电器件。特别是蓝光和白光LED的核心结构，如GaN和InGaN薄层序列，就是通过MOCVD工艺实现的。微电子元件制造：MOCVD技术还可用于制造异质结双极性晶体管（HBT）、假晶式高电子迁移率晶体管（PHEMT）等微电子元件。研究与开发：研究机构和大学也使用MOCVD设备进行科学研究和开发新的薄膜材料，以推动相关领域的技术进步。3. 设备特点1 高精度控制：MOCVD系统具有高度的自动化和精确的控制能力，可以精确控制反应条件（如温度、压力和气体流量），以优化薄膜的成分、结构和性质。 2 高效生产：该系统能够实现大规模、高效率的薄膜材料生产，满足工业化生产的需求。 3 多功能性：MOCVD技术不仅限于制备单一类型的薄膜材料，还可以实现多种材料的交替生长，为制备复杂结构的器件提供了可能。 4 安全保护：系统配备有尾气处理及安全保护报警系统，确保在有毒气体环境下操作的安全性。4 设备参数真空室结构:卧室真空室尺寸:Ф400mm×300mm（L）限真空度:10 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约4.5米x3.5米x3米（设计待定）电控描述:屏幕操作

我们提供了一套完整的MOCVD，主要产品包括台式研发型、中试型和生产型。其反应器的设计可以根据工艺的需要很容易提升到满足大直径晶片生产的需要。我们也能为客户设计以满足客户特殊工艺和应用的需要。系统部件包括：反应器、气体传输系统、电气控制系统和尾气处理系统。应用方向：氧化物、氮化物、碳化物、硫族（元素）化物、半导体等提供适用不同材料研究需要的反应器：透明导体氧化物（TCO）应用于LCD、太阳能电池、透明加热器、电极、LED、OLED等方面包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系统MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2，SiO2，PbMgO, CMO，Ta2O5等MOCVD系统储存器 (DRAM & NVRAM)介电/钝化材料应用于栅极、介电层、铁电、高频设备、钝化、保护层等，包括：BST，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD系统波导, 光电, WDMs. MOEMS 等材料，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系统其他材料如：超导、氮化物、氧化物、磁性材料、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系统金属及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...半导体: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...高介电材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...铁电材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…超导材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …压电材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性钛酸铅...金属:Pt, Cu,...巨磁阻材料...热涂层, 阻挡层, 机械涂层, 光学材料...我们提供了从桌面型反应器（针对研究和提高的需要）到自动化生产系统。出于材料变化种类的适应性和经济价格的考虑，对任何研究人员来说桌面型反应器是最合适的选择，而且也极容易升级为量产型。科研型MOCVD设备，包含液体直接注入ALD工艺，同一腔室完成沉积和退火。-更低的设备及使用成本、更少的前驱体源使用、更小的腔体尺寸、跟高的薄膜沉积品质！-非常适合高校及研究所科研使用！仪器参数：1/ 1~4英寸MOCVD系统；2/ 专为满足科研单位需求而设计；3/ MOCVD系统可在不同基底上，以MOCVD方式，在固体、液体有机金属基源上沉积氧化物、氮化物、金属、III-V 和 II-VI膜层；4/ MOCVD配有前驱体直接处理单元，可在大范围内使用MO源，用于外延材料的研发和制备；5/ MOCVD腔室中的红外灯加热系统可实现在线退火工艺；性能及特点：1， 温度范围: 室温至1200°C ；2， 带质量流量控制器的气体混合性能；3， 真空范围: ~ 10-3 Torr，可选配高真空；4， 选配手套箱；5， 已被客户广泛接受6， 坚固耐用7， 可靠性高8， 良好的可重复性9， 经济适用

泽攸科技 等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD），符合CE认证标准的三温区CVD系统，生长样品腔的管径60-120mm，它是由高温管式炉、多路高精度流量控制与供气系统、机械泵、真空密封及测量系统、尾气处理系统组成，极限真空度可达 10^-5 torr 。主要特点：1，优势在于各种薄膜材料、低维纳米材料等的制备（尤其适用于过渡金属二维半导体材料的生长与原位掺杂，以及多元二维材料的生长）2，可选配远程等离子射频发生系统，可用于各种薄膜材料、低维纳米材料等的等离子体辅助生长、刻蚀加工与材料表面修饰（尤其适用于石墨烯、氮化硼等二维材料的无催化生长，缺陷调控，以及器件制作工艺中的残胶去除）3，生长工艺设计先进，能满足任意衬底无催化生长4，应用案例（点击跳转） 设备主要技术参数温控参数单位温度1200℃功率6.5kw温控精度±1℃真空系统真空泵1 x 10-3 (7.5 x 10-4)mbar (Torr)真空泵(开气镇)1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2)mbar (Torr)真空泵(使用PEPE 油)1 x 10-2(7.5 x 10-3)mbar (Torr)腔体内真空度优于2.0*10-2Torr流量控制参数泄露率＜4×10-9atm-cc/secHe分辨率全量程的0.1%响应时间气特性2s响应时间电特性500ms尾气吸收参数材质壳体铝合金、不锈钢吸气腔聚四氟乙烯等离子体系统参数功率输出5 – 300，5 – 500W信号频率13.56 ±0.005%MHz反射功率200W功率稳定度±0.1%谐波分量≤-50dbc供电电压187V – 253V —- 频率50/60HZ以上就是东莞市卓聚科技有限公司提供的等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）的介绍，了解更多直接咨询：原文： 随着微电子、纳米科技和人工智能等领域的进一步发展，精密定位不仅在实验室用途广泛，工业界的应用也越来越多。该团队在以往研究基础上，发展出一系列具有自主知识产权的超精密定位产品，填补了国产空白。一个火柴盒大小、外壳包覆金属的小方块，通过电压控制能够实现纳米级别的精密位移，可以用于对精密度要求超.高的科学实验、精密制造和半导体工业等领域。日前，在松山湖材料实验室高.端科研设备产业化团队的实验室内，团队负责人许智展示了该团队拥有核心技术的压电驱动纳米位移台。安徽泽攸科技有限公司为您提供压电旋转纳米位移台RF-5950A的参数、价格、型号、原理等信息，压电旋转纳米位移台RF-5950A产地为安徽、品牌为泽攸科技，型号为旋转纳米位移台，价格为面议，更多相关信息可来电咨询，公司客服电话7*24小时为您服务

一、化学气相沉积MOCVD 产品介绍：1.应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等2. 从研发到大规模生产3. 衬底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch4. 通过载波交换实现：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch5. Ga2O3薄膜生长速率：3um/h6. Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm二 、化学气相沉积MOCVD产品原理及性能：1.MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料2. 加热系统：采用钨丝加热，三温区控制，最高温度至1400℃3. 反应腔室内托盘与喷淋头间距可调（范围覆盖5 mm至25 mm）4. 工艺过程中，具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能5.搭载温度监测系统，可实时扫描晶圆温度mapping图三、企业简介：深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。 致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

Orion HDCVD 高密度气相化学沉积系统采用高密度的化学气相沉积技术，在惰性气体进入口安装感应线圈，周围布置陶瓷管。射频创建等离子体,通过气体环在衬底表面附近引入挥发性气体。当惰性气体与挥发性物质结合时，会发生化学反应，然后在衬底表面沉积一层薄膜.该技术不需要将衬底加热到典型的PECVD温度，并且该方法非常适合沉积在有机物、柔性衬底和其它具有温度限制的表面上。 射频可通过Chuck改变薄膜性能。 该系统可以升级传送Loadlock，或添加到集群平台Cluster。