一, 850nm TO46保偏光纤耦合VCSEL激光二极管(带TEC)VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。850nm TO46保偏光纤耦合VCSEL激光二极管(带TEC),850nm TO46保偏光纤耦合VCSEL激光二极管(带TEC)通用参数产品特点:电学和光学特性对温度的依赖性较低垂直腔面发射激光器内部TEC和热敏电阻,ESD保护窄线宽2nm可调谐产品应用:CPT原子钟光学相干实验 技术参数 测试条件:温度为25℃波长850nm±10nm保证输出功率≥0.3mW阈值电流1.2mA工作电流6mA工作电压2.1v测试输出功率1.2mW偏振消光比(PER)>16dB光纤类型PMF保偏光纤光纤长度>80cm接头类型FC/APC封装类型TO46同轴封装 引脚定义安全信息避免眼睛暴露于直接或散射的辐射中。必须采取ESD预防措施。使用恒流电源。避免浪涌电流。激光二极管必须根据规格要求使用。激光二极管必须具有良好的冷却效果。存储温度:-20°C至+80°C二, 1310 nm单模VCSEL 垂直腔面发射激光器(带TEC)1310 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)封装在带有单模光纤尾纤的紧凑同轴外壳中。VCSEL-1310-SM设计用于光纤传感、激光发射器和光通信应用。它需要非常低的驱动电流,并且可以通过内置TEC实现温度稳定。1310 nm单模VCSEL 垂直腔面发射激光器(带TEC),1310 nm单模VCSEL 垂直腔面发射激光器(带TEC)通用参数产品特点:电学和光学特性对温度的依赖性较低从OC-3到OC-48的数据速率功耗低产品应用:长途(2公里)接入网城域网千兆以太网技术参数:波长1310nm +/-10nm波长调谐范围4 nm阈值电流2 mA typ.线宽0.1 nm正向电压3 V串联电阻100 Ω typ.输出功率0.5 mW typ.SMSR35 dB typ.上升下降时间100 ps typ.监控电流0.1 mA typ.调制带宽3 GHz typ 绝对最大值参数参数单位最小典型最大存储温度℃-4025125芯片温度℃+102540工作电流mA03.05.0正向电压V0.83.04.8TEC 电流mA-150-+300焊接温度*℃100130260功耗mw--5(*TEC 温度必须低于150°C)光谱图L-I 曲线(T@25°C)温度/波长调谐曲线通过TEC电流封装类型:单位 (mm)引脚定义1Thermoelectric Cooler (-)5Thermoelectric Cooler (+)2Thermistor6Thermistor3N/C7PD Monitor Cathode (+)4VCSEL Cathode (–) / PD Monitor Anode (-)8VCSEL Anode (+) 三, 850nm 单模光纤耦合 VCSEL 激光二极管 用于 4.25Gbps 高速通信PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直发射 MOVPE 生长的 GaAsP/AlGaAs 单模二极管激光器。 波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和热敏电阻。我们的 850 nm 单模 VCSEL 专为高速、高性能通信应用而设计。850nm 单模光纤耦合 VCSEL 激光二极管 用于 4.25Gbps 高速通信,850nm 单模光纤耦合 VCSEL 激光二极管 用于 4.25Gbps 高速通信通用参数产品特点:电学和光学特性对温度的依赖性较低垂直腔面发射激光器内部TEC和热敏电阻,ESD保护窄线宽2nm可调谐 产品应用:长途电话接入网局域网以太网光电参数 条件:TO P = 20°C, IO P = 10.0 mA除非另有说明(TO P=芯片背面温度,由TEC控制) 参数符号最小典型最大单位备注工作波长λR850nm阈值电流ITH1mA输出功率Popt0.51mW阈值电压UTH1.8V工作电流IOP3mAPopt = 0.5mW工作电压UOP3VPopt = 0.5 mW光电转换率ηWP12%Popt = 0.5 mW斜率效能ηS0.3W/A上升和下降时间Tr /Tf90/120Psec微分串联电阻RS100200ΩPopt = 0.5 mW3dB 调制带宽ν3dB0.102.5GHzPopt = 0.5 mWDue to ESD protection diode相对噪声强度RIN-130-120dB/HzPopt = 0.3 mW @ 1 GHz波长电流调谐系数0.6nm/mA波长温度调谐系数0.06nm/K热敏电阻(VCSEL chip)Rthermal35K/mW边模抑制比(SMSR)35dBI = 2 mA光束发散角θ1025°Popt = 0.5mW, full width 1/e2光谱宽度100MHzPopt = 0.5 mW Tec 特性单位最小典型最大备注Tec 电流mA-150(Heating)+300(Cooling)Proper Heart Sink RequiredNTC 热敏电阻KΩ9.510.010.5T=25℃@10 KΩNTC 热敏电阻KΩ10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)} 光谱图L-I 曲线(T@25°C)温度/波长调谐曲线@TEC电流四, 1550nm 单模 VCSEL激光二极管 (用于4.25Gbps高速通信)PL-VCSEL-1550-0-A81-CPSA 1550nm VCSEL是一种垂直发射MOVPE生长的GaAsP/AlGaAs单模二极管激光器。波长调谐可以通过激光电流和温度调谐来实现。内置TEC和PD。我们的1550 nm单模VCSEL设计用于高速、高性能通信应用。1550nm 单模 VCSEL激光二极管 (用于4.25Gbps高速通信),1550nm 单模 VCSEL激光二极管 (用于4.25Gbps高速通信)通用参数产品特点:电学和光学特性对温度的依赖性较低从OC-3到OC-48的数据速率垂直腔面发射激光器内部TEC和热敏电阻,ESD保护窄线宽2 nm可调性产品应用:长途接入网局域网千兆以太网技术参数:条件:TO P = 20°C, IO P = 10.0 mA除非另有说明(TO P=芯片背面温度,由TEC控制)参数符号最小典型最大单位备注波长λR1530-1570nm阈值电流ITH2mA输出功率Popt0.30.50.7mW阈值电压UTH1.8V工作电流IOP15mAPopt = 0.5mW工作电压UOP3VPopt = 0.5 mW电光转换效率ηWP12%Popt = 0.5 mW斜率效率ηS0.3W/A上升/下降时间Tr /Tf90/120Psec差分串联电阻RS100200ΩPopt = 0.5 mW3dB调制带宽ν3dB0.10GHzPopt = 0.5 mWDue to ESD protection diode相对强度噪声RIN-130-120dB/HzPopt = 0.3 mW @ 1 GHz波长调谐电流系数0.6nm/mA波长调谐温度系数0.06nm/K热敏电阻(VCSEL 芯片)Rthermal35K/mWSMSR35dBI = 2 mA光束发散角θ1025°Popt = 0.5mW, full width 1/e2线宽100MHzPopt = 0.5 mW Tec 特性单位最小典型最大备注Tec 电流mA-150(Heating)+300(Cooling)Proper Heart Sink RequiredNTC 热敏电阻KΩ9.510.010.5T=25℃@10 KΩNTC 热敏电阻KΩ10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)} 绝对最大值参数参数单位最小典型最大存储温度 ℃-4025125芯片温度℃+102540工作电流mA03.015.0正向电压V0.81.21.8TEC 电流mA-150-+300焊接温度*℃100130260功耗mw--5(*TEC 温度必须低于150°C)光谱图L-I 曲线(T@25°C)
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