稳偏仪

我们用的是北京海光的原子荧光AFS-230E，测定砷含量时一直存在一个问题，荧光强度不稳定，一段时间正常，一段时间偏低，偏低的时候也请工程师上门维修过，工程师调试一下测试正常，但是过段时间又不行了，他们也不知道是什么原因，不知道论坛里阿有同行碰到过这类问题，你们是怎么解决的？

保留时间的偏差及样品的测定结果偏差都是衡量仪器稳定性是否好的指标，你觉得对吗？

在一般的测量系统分析中,拟合优度R^2和偏倚%它们两个值为多少时系统是能接受的????还有在稳定性分析中,测量结果的标准偏差与测量过程变差相比较,相差多大或比值为多少时系统的稳定性可接受的?????望高人指点..

用PHS-3E计复合电极测定偏中性水样时PH值一直往上飘，从6.95一直跑到8.05，标准缓冲校正结果很稳啊，大家都怎么测中性水质PH值啊？

[font=楷体_GB2312][B][size=3][color=#DC143C]如题：激光粒度仪测试值稳定性如何确定？[/color][/size][/B][/font][color=#6495ED][size=3][font=楷体_GB2312]根据以前的测试结果，d（0.1）在0.9～1.3um时，各次测试偏差最大为10％d（0.5）在2～3um，d（0.9）在6～12um，各次测试偏差约6％[/font][/size][/color][color=#DC143C][font=楷体_GB2312][size=3]请问这样的数据能算稳定吗？[/size][/font][/color][color=#6495ED][size=3][font=楷体_GB2312]d（1.0）基本稳定，但数次测下来会有跳动：如样品A，有时为10um，有时为8.8um，或者同一次测试，开始是8.8um后来直接跳到10um并保持；样品B的最大值有时为61um,有时为71um；比较难理解。[/font][/size][/color]

氧化钴做质控样，其杂质含量Ni和Na的结果都偏低，其余杂质正常，仪器稳定性也不好，间隔10分钟前后结果可以相差8ppm，是什么原因？

稳健平均值，稳健标准偏差的定义？

卡尔费休水分测定仪基线总是偏移稳定不下来，气密性，电极，干燥剂，试剂能弄的全弄了，基线还是漂移，

跑曲线时如果是三次读数，第一次读数偏低，后两次读数接近，是仪器不稳吗？需要改清洗时间和稳定时间吗？热电6300这么贵，都不敢捯饬它。

安捷伦1260液相近两个月检测出来的任何品种结果全部偏低，拿以前测过的样品复测，结果偏低，但是送外检是和以前一样的，方法和外检都一样，只是仪器不一样，送了好几个样品和外检做比较结果也都是偏低，仪器稳定性正常，样品不同两个操作员操作结果相同，实在不知道哪里有问题，打电话咨询安捷伦，就说是样品的问题，可是样品是肯定没问题，操作方法也是很简单的只是称量，超声溶解，上机就可以了，实在不知道哪里有问题可能有些说不清楚，如果有老师知道解决方法或者问题可以微信T154106

Thermo-6000Duo作样时为何读数偏差大，不稳定。我设定的清洗时间是15秒，需要调节稳定时间吗，稳定时间怎样调，还是我进样速度太快了，还是因为什么原因。还有，一般做一个样时，第一便读的三个数偏差大，于是再测一遍继续读三个数反而很稳定，是什么原因呢？

【作者】：李秋荣【题名】：轮胎配方组分的剖析【期刊】《北京工业大学》碩士論文【年、卷、期、起止页码】: 2014【链接】：http://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10005-1016700627.htm求一篇碩士論文,最好是PDF檔

戴安的ICS-900开机的时候忘记开稳流器了，测试一小时后发现，关机后重新正常开机，测试标样数据偏小是什么原因？是什么坏了？

我们制程控制那边的马尔文测试的是生产上的样品，所以测试频率超高，几乎没有停过。故而镜片很容易脏，但是工程师又交待我们不要经常清洗镜片，一般一周一次。但是现在我们一天不清洗，测试结果就不准确了，因为镜片里面会有黑黑的石墨粉（我们做石墨的）。真是矛盾啊！[em0812]

我在作玻璃熔片试验,但稳定性一直不好,如何解决?请帮忙!!!

今天在做GC时，同一个标准品，连续进了六针，计算相对标准偏差为14%，请问这样是不是说明仪器不稳定，还有我在跑校准曲线时，发现线性关系也很差，基本不成线性，那有什么原因会造成仪器状态 不稳定呢

版友的问题：La为什么测出来偏低很多，而且不稳定。土壤样中平时就30ppb左右，经常测出来只有1，或者10

儀器使用的普通砝碼,在相關知名行業標准中無荷重偏差.請問該類砝碼的允許偏差應該如何确認?

岛津的GCMS2010Plus，做邻苯，走标线的时候，线性很好，再打其中某个点做qc的时候不是偏小就是偏大，相对偏差在20%以上。然后反复调谐反复走标线，qc是做好了，但质控还是达不到要求，响应值不稳定。仪器状态很不稳定啊，现在应该怎么维护，怎么来思考这类的问题？大侠们都来讨论下吧。

[font=SimSun][size=10.0pt][color=black]如何理解ISO/IEC17025中7.2.2.3 注抵御外部影响的稳健度或抵御来自样品或测试物基体干扰的交互灵敏度以及偏倚？实际中仅仅选择典型性样品去考虑？[/color][/size][/font]

本文为本人接触国内某知名太阳能生产企业设备项目后，原文翻译的试验方法希望能给相关同行以帮助对带有微小裂纹的多晶硅圆片的机械压力试验摘要：显微裂纹检测和机械扭曲试验主要用于原切割晶圆来进行太阳能电池生产。关于机械力与裂纹长度之间的关系已经有答案了。小于临界压力时由于反复压力试验裂纹长度并没有显示。实验结果表明在相同长度下边缘裂纹比内部裂纹更具有危险性。断裂力取决于裂纹几何形状和其位置。一旦施加的压力超过它的临界压力，就无法加工成为晶片了。通常会在观察到微裂的地方发生断裂。关键词： 微裂，压力，硅太阳能电池[IMG]http://www.okyiqi.com/uploadfile/081222142757.jpg[/IMG]图片为国外某款微小力试验机的图片，图片上夹具为专用多晶规圆片扭曲夹具1. 简介在硅光电生产过程中最大的问题就是硅片的断裂。由于原硅材料是生产太阳能电池的主要成本，所以一个最自然的一个方法就是减小它的厚度，但是这样做的话会潜在地导致晶片变脆弱，而且会使它的屈服力变低。未受损害的晶片很坚固而且有韧性，但裂纹的存在会降低它的这种机械强度。裂纹主要来源有：材料缺陷，来自于晶锭本身或是在晶片生产过程中的压力（1)，割锯晶片时的机械力或者在运输买卖过程中的机械力造成的缺陷。在太阳能电池生产过程中，对晶片进行加工时晶片会暴露在高温和机械力下，所以那些有裂纹，缺陷，以及有锯痕的晶片的机械强度会大大的降低。、（2）从经济方面考虑应当在发生断裂前尽早的检测出生产线上的脆弱的晶片。对此可以用多种裂纹检测系统（MCD）来进行检测。建立在光学检测系统上用来检测裂纹的红外线检测方法已经研制出来了。先检测出断裂的尺寸，然后在扭曲试验中对晶片施加机械力。以此来对原切割晶圆建立一种不同的机械力与裂纹之间的关系。2. 试验在这项研究中采用的是156*156mm, 厚度为200微米的多晶硅圆片。采用A，B两种商用MCD系统，让红外线穿过晶片，然后通过电荷藕荷摄像机来检测。晶片事先通过A和B 两种系统检测到有裂纹，然后把检测到有裂纹的晶片再次通过MCD系统A，并把晶片的图片保存下来。人工分析这些图片，在这次研究中使用了127种可以检测到有裂纹的硅片。一些有污垢的和存在不同类型的点缺陷的硅片也被采用到这次研究中。图1：上部是扭曲试验图像，下部是在扭曲试验中对晶片施加的主要的力分布。然后开始进行扭曲试验（图1），最大力为1.5N。在以前的实验中1.5N以下的断裂已经做过，所以误差实验对有裂纹的晶片断裂可以估计出来。通过这次实验，记录下最大的弯曲度，断裂力也记录下来。把断裂后的晶片拿来与MCD图像作对比以此来找出原来存大于晶片上的缺陷或者导致这种缺陷的情况。对于那些没有断裂的晶片再重复进行5次这样的实验，然后让晶片再通过MCD系统B然后比照前后图像以此来查看裂纹是否在压力实验中有所加大。然后通过对那些经过断裂压力未受损害的原切割晶片以及那些有断纹的晶片进行不同的力直至其断裂。在这次实验中发现所有的裂纹都是正常生产下造成的，通过实验晶片不会受到人为故意的损害。3. 实验结果&讨论3.1 原切割晶圆由于晶片通过MCD系统进行分析并在扭曲试验中检测，以不同方式进行试验发现了三种不同类型能影响晶片强度的裂纹。3.2 三种不同的裂纹在这次研究中发现的三种的裂纹1. 短裂纹2. 边缘裂纹3. 内部裂纹存在于一个小水晶体内部的短裂纹(小于1mm)通常是比较直，而且有特定的走向。横跨一个或多个水晶体长裂纹通常形状不规则，如图2。由于外部造成的裂纹例如在晶体表面进行冲击而形成的裂纹经常会有这种形状。对数据进行分析后，晶体边缘的裂纹，即边缘裂纹，和在晶体的整个内部表面上的裂纹，这种裂纹不与边缘接触，即内部裂纹，这两种类型的裂纹之间有很大的区别。在1.5N以内的压力试验中只有那些有可检测到有微小裂纹的晶体断裂。所有的断裂后的晶片被重组到一起后与通过微小裂纹检测时的图像进行对比。Figure 2: 箭头所指为来自晶片边缘的不规则的长裂纹（~30mm）。无一例外，裂痕会从检测到的裂纹那继续延伸。当裂纹是长裂纹时，断裂力通常很低，晶片会碎成2-4个小的晶片。对于有小裂纹的晶片来说，施加在的力后，晶片会破碎成几个大的或者很多小的碎片（如图3）。图3：左边：带有13.5mm的内部裂纹的晶片在压力为1.49N时断裂。 右边：带有24.8mm的边缘裂纹的晶片在压力为0.51N时断裂。 断裂延伸跟点阵纹理走向有关系，当断裂继续延伸时，裂纹一般会在比较弱的点阵方向（3）。裂纹通常垂直延伸。带有边缘裂纹的晶片在断裂时所受的力一般比内部裂纹晶片需力小。对于有锯形痕迹的晶片来说，当力达到1.5N时，不会断裂，但是有些情况下断裂会顺着锯痕延伸。4. 结论：通过实验发现一些还有裂纹的晶片仍然能够通过1.5N的弯曲试验。94%的有内部裂纹（小于10mm）的原切割圆晶片能通过压力试验。有边缘裂纹的晶片都不能通过此次试验，即使此边缘裂纹小于2mm。

我用PE-400测定铁锌过程，发现有时候仪器不稳定，结果和理论值有偏差，初步分析是仪器不稳定，除了清洗仪器外，还有别的控制方法么？如果清洗仪器，重新做一遍，要不少时间。

CEM微波消解仪Mars2,同一批样品6个样2个空白，消解时经常有一个样品温度偏高导致仪器报错自动降温，加的都是5ml硝酸，称样量50mg，不知道哪里出了问题？

摘要：显微裂纹检测和机械扭曲试验主要用于原切割晶圆来进行太阳能电池生产。关于机械力与裂纹长度之间的关系已经有答案了。小于临界压力时由于反复压力试验裂纹长度并没有显示。实验结果表明在相同长度下边缘裂纹比内部裂纹更具有危险性。断裂力取决于裂纹几何形状和其位置。一旦施加的压力超过它的临界压力，就无法加工成为晶片了。通常会在观察到微裂的地方发生断裂。关键词： 微裂，压力，硅太阳能电池1. 简介在硅光电生产过程中最大的问题就是硅片的断裂。由于原硅材料是生产太阳能电池的主要成本，所以一个最自然的一个方法就是减小它的厚度，但是这样做的话会潜在地导致晶片变脆弱，而且会使它的屈服力变低。未受损害的晶片很坚固而且有韧性，但裂纹的存在会降低它的这种机械强度。裂纹主要来源有：材料缺陷，来自于晶锭本身或是在晶片生产过程中的压力（1)，割锯晶片时的机械力或者在运输买卖过程中的机械力造成的缺陷。在太阳能电池生产过程中，对晶片进行加工时晶片会暴露在高温和机械力下，所以那些有裂纹，缺陷，以及有锯痕的晶片的机械强度会大大的降低。、（2）从经济方面考虑应当在发生断裂前尽早的检测出生产线上的脆弱的晶片。对此可以用多种裂纹检测系统（MCD）来进行检测。建立在光学检测系统上用来检测裂纹的红外线检测方法已经研制出来了。先检测出断裂的尺寸，然后在扭曲试验中对晶片施加机械力。以此来对原切割晶圆建立一种不同的机械力与裂纹之间的关系。2. 试验在这项研究中采用的是156*156mm, 厚度为200微米的多晶硅圆片。采用A，B两种商用MCD系统，让红外线穿过晶片，然后通过电荷藕荷摄像机来检测。晶片事先通过A和B 两种系统检测到有裂纹，然后把检测到有裂纹的晶片再次通过MCD系统A，并把晶片的图片保存下来。人工分析这些图片，在这次研究中使用了127种可以检测到有裂纹的硅片。一些有污垢的和存在不同类型的点缺陷的硅片也被采用到这次研究中。图1：上部是扭曲试验图像，下部是在扭曲试验中对晶片施加的主要的力分布。然后开始进行扭曲试验（图1），最大力为1.5N。在以前的实验中1.5N以下的断裂已经做过，所以误差实验对有裂纹的晶片断裂可以估计出来。通过这次实验，记录下最大的弯曲度，断裂力也记录下来。把断裂后的晶片拿来与MCD图像作对比以此来找出原来存大于晶片上的缺陷或者导致这种缺陷的情况。对于那些没有断裂的晶片再重复进行5次这样的实验，然后让晶片再通过MCD系统B然后比照前后图像以此来查看裂纹是否在压力实验中有所加大。然后通过对那些经过断裂压力未受损害的原切割晶片以及那些有断纹的晶片进行不同的力直至其断裂。在这次实验中发现所有的裂纹都是正常生产下造成的，通过实验晶片不会受到人为故意的损害。3. 实验结果&讨论3.1 原切割晶圆由于晶片通过MCD系统进行分析并在扭曲试验中检测，以不同方式进行试验发现了三种不同类型能影响晶片强度的裂纹。3.2 三种不同的裂纹在这次研究中发现的三种的裂纹1. 短裂纹2. 边缘裂纹3. 内部裂纹存在于一个小水晶体内部的短裂纹(小于1mm)通常是比较直，而且有特定的走向。横跨一个或多个水晶体长裂纹通常形状不规则，如图2。由于外部造成的裂纹例如在晶体表面进行冲击而形成的裂纹经常会有这种形状。对数据进行分析后，晶体边缘的裂纹，即边缘裂纹，和在晶体的整个内部表面上的裂纹，这种裂纹不与边缘接触，即内部裂纹，这两种类型的裂纹之间有很大的区别。在1.5N以内的压力试验中只有那些有可检测到有微小裂纹的晶体断裂。所有的断裂后的晶片被重组到一起后与通过微小裂纹检测时的图像进行对比。Figure 2: 箭头所指为来自晶片边缘的不规则的长裂纹（~30mm）。无一例外，裂痕会从检测到的裂纹那继续延伸。当裂纹是长裂纹时，断裂力通常很低，晶片会碎成2-4个小的晶片。对于有小裂纹的晶片来说，施加在的力后，晶片会破碎成几个大的或者很多小的碎片（如图3）。图3：左边：带有13.5mm的内部裂纹的晶片在压力为1.49N时断裂。 右边：带有24.8mm的边缘裂纹的晶片在压力为0.51N时断裂。 断裂延伸跟点阵纹理走向有关系，当断裂继续延伸时，裂纹一般会在比较弱的点阵方向（3）。裂纹通常垂直延伸。带有边缘裂纹的晶片在断裂时所受的力一般比内部裂纹晶片需力小。对于有锯形痕迹的晶片来说，当力达到1.5N时，不会断裂，但是有些情况下断裂会顺着锯痕延伸。4. 结论：通过实验发现一些还有裂纹的晶片仍然能够通过1.5N的弯曲试验。94%的有内部裂纹（小于10mm）的原切割圆晶片能通过压力试验。有边缘裂纹的晶片都不能通过此次试验，即使此边缘裂纹小于2mm。

我们现在使用的是马尔文激光粒度仪2000型号，同样两台仪器同样的参数设置测试d（0.5）偏差偏大，如何去评价这两台仪器的稳定性？求教！经过查询资料参考ISO13320对重复性的表示，相对D50 10um， CoV 3%算正常 现有如下几个问题：1.变异因子cov适用于不同激光粒度仪之间稳定性测量吗？2.评价不同仪器不同人员测量的再现性是否应包含有设备变差E.V和评价人变差A.V在内？3.评价数据应不小于多少组，此评价才会有效？

我们公司用的是ARL3460,主要做铝分析,自从去年7月换了铁通道之后,铁和硅含量就出现测量偏低的现象,最近又极其不稳定,报出结果忽高忽低,微量元素居然有0和负值。描迹、标准化后还是那样，做了暗电流和灯电流都可以。这是怎么回事？与真空泵油有关系吗？我们这台光谱仪用了3年没换真空泵油。

当别人问起：“ICP的精确度是多少？ICP的准确度是多少？ICP的测试偏差是多少？ICP的稳定性，可信性怎样？” 遇到类似关于仪器性能方面的这些问题，通常我们该怎么回答？

我们用的是ARL3460，做的是铝分析和生铁分析，有一台机器在换激发台后得好几天才能稳定下来，而且反反复复。工作时每做几个样就得用控样校正曲线，测量结果往往铁含量偏低。这是怎么回事啊？对了，以前这个机器更换过铁通道，之后就有这个问题。

最近局里发文，要求每人写“庆五一知荣辱树新风”征文一篇，单位老大发言两天内上交，这种文章实在不想写，单位忙实验家里还有事也没有空。各位老大，谁有现成的，给我交差，免得挨老大批。附件：单位详细要求局机关各处室，局属各事业单位： 为认真学习贯彻胡锦涛总书记关于社会主义荣辱观的重要论述，坚持用共同理想团结职工、动员职工、凝聚职工，更好地组织引导全局干部职工投身“十一五”，在建设社会 主义新农村的宏伟征程中建功立业，打造农林团队精神和行业特色文化。经局党总支、工会研究，拟在全局干部职工中开展“庆五一知荣辱树新风”征文演讲竞赛活动，现将有关事项请示如下：一、征文演讲主题：践行社会主义荣辱观，树立农林新风尚，为全面完成 2006年全市农林目标任务争先创优。二、组织领导：本次活动在局党组的统一领导下，由局党总支、办公室、工会共同负责组织发动和筹备工作，并设立评委会，具体负责征文、演讲的评审工作。三、活动办法：要求全局在职职工每人撰写创作一篇征文，由评委评选出优秀作品若干篇进行演讲比赛。（征文作品评审标准和演讲竞赛规则，由评委会制定另行通知。）四、时间安排：4月25日前，全局干部职工围绕主题完成征文作品撰写创作，交局工会。4月28日前，由评委会完成优秀作品评审，并做好演讲竞赛准备工作。4月30日（或5月10日）前在金农宾馆4楼会议室进行演讲比赛。五、奖项设置：本次活动设作品创作奖和演讲竞赛奖两项。作品创作奖由评委会对征集到的作品，评出优秀、鼓励二个档次。演讲竞赛奖设一等奖1名、二等奖2名、三等奖3名。演讲作品必须是获得优秀征文的作品，演讲者可以由参赛作品的部门推荐，采用现场打分形式进行。本次活动以精神奖励为主，并给予一定的物质奖励。六、活动要求：1、各部门必须高度重视，认真组织干部职工积极参与，每人应撰写创作征文演讲作品一篇。此项活动将列入部门 “争先创优”和年终考评的重要内容之一予以考核。2、征文演讲作品要求主题鲜明、见解新颖、结合实际、积极向上、文字简洁，体现与时俱进的时代精神；文体应是诗歌、散文、记叙文等，字数在1200字以内，不能是学术、技术专业文章。3、演讲竞赛时间为每人3分钟，统一使用普通话。特此通知。