激光分子束外延镀膜系统

随着半导体市场,，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，作为化合物半导体研发中相关材料制备的关键仪器，MBE、MOCVD等薄膜沉积与外延设备的市场也在逐年增长和扩大中，不论是海外品牌还是国产品牌，近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度，这些仪器设备大多养在“深闺”，大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对化合物半导体薄膜沉积与外延设备的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全，不完全统计分析仅供读者参考）。共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布北京市共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布本次统计，共涉及化合物半导体薄膜沉积与外延设备的总数量为184台，涉及23省（直辖市/自治区），73家单位。其中，北京市共享设备数量最多达64台，占比35%，涉及14所高校院所，北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多，产品也主要用于科研领域。共享仪器平台主要来自科研用户上传并服务于科研用户，也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看，其主要分布于高校集中的海淀区，该地区共有60台共享设备。化合物半导体材料制备设备主要有MBE和MOCVD。从统计中可以看出，MBE在科研领域中的占比较大，高达73%，MOCVD占比为21%。MBE由于其外延生长时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高，目前还无法大规模用于工业化生产中，又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势，主要用于进行生长机制的研究，图中比例仅代表科研领域中的分布情况。虽然MBE成膜质量好，但生产效率低，因此在工业领域中，MOCVD占据主流。不过近年来，众多厂商和科研人员一直在致力于MBE技术的产业化，信息显示，北京意莎普科技发展中心有限公司近年来在推进MBE分子束外延片研发及产业化建设项目。还有知情人士称，深圳地区有人做相关产业化，一次性买入几十台MBE，做2寸的晶圆，做出来多少，就有人收多少。相关仪器设备所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出，这些仪器设备主要用于物理学和材料科学研究，占比分别为36%和32%。需要注意的是，以上统计存在交叉分布的情况，即该仪器同时属于多类学科领域，实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。化合物半导体薄膜沉积与外延设备TOP5品牌MOCVD设备中Aixtron占比那么这些仪器主要有哪些品牌呢？整体来看，化合物半导体薄膜沉积与外延设备中，沈阳科仪、Aixtron和Omicron占比最高，其中沈阳科仪MBE和MOCVD产品均有涉及，Aixtron则聚焦MOCVD设备，Omicron聚焦MBE产品。MBE产品的品牌占比可参考【这类仪器本土品牌在崛起——全国共享MBE盘点】。进一步统计分析了MOCVD的品牌构成，发现MOCVD主要以德国Aixtron的产品为主，占比高达49%。需要注意的是德国Aixtron集团在英国有子品牌Thomas Swan，本次统计未归入Aixtron中。Aixtron是一家总部位于德国的欧洲技术公司，专门为半导体行业的客户制造金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备。2016年10月，中国福建大芯片投资基金LP希望收购Aixtron，但德国经济部撤回了对该收购的批准。Axitron与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片，在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上，产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构)，不但均匀性较好，也减少了边缘效应。不过就现阶段而言，大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统，使得Aixtron的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。设备品牌所属国家分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢？统计结果表明，此类产品以德国品牌居多，占比达32%，其次为国产品牌，可以看出中国产品正在崛起。本次统计主要涉及牛津、Aixtron、Thomas Swan、沈阳科仪、Emcore、中科宏微、Veeco、Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten GmbH、DCA、VG、Unisoku、SVTA、国成仪器、RIBER、Neocera、大连齐维科、上海实路、KurJ.Lesker、青岛精诚华旗、湖南顶立、EPGRESS等品牌。

一、项目基本情况项目编号：GZGK22D205A0645Z项目名称：季华实验室分子束外延系统采购项目采购方式：公开招标预算金额：6,500,000.00元采购需求：合同包1(分子束外延系统):合同包预算金额：6,500,000.00元品目号品目名称采购标的数量（单位）技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他仪器仪表分子束外延系统1(台)详见采购文件6,500,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限：见“标的提供时间”要求。二、申请人的资格要求：1.投标供应商应具备《政府采购法》第二十二条规定的条件，提供下列材料：1）具有独立承担民事责任的能力：在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织或自然人，投标时提交有效的营业执照（或事业法人登记证或身份证等相关证明）副本复印件。分支机构投标的，须提供总公司和分公司营业执照副本复印件，总公司出具给分支机构的授权书。2）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录：提供投标截止日前6个月内任意1个月依法缴纳税收和社会保障资金的相关材料。如依法免税或不需要缴纳社会保障资金的，提供相应证明材料。3）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度：供应商必须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度（提供2021年度财务状况报告或基本开户行出具的资信证明）。4）履行合同所必需的设备和专业技术能力：按投标文件格式填报设备及专业技术能力情况。5）参加采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录：参照投标函相关承诺格式内容。 重大违法记录，是指供应商因违法经营受到刑事处罚或者责令停产停业、吊销许可证或者执照、较大数额罚款等行政处罚。（根据财库〔2022〕3号文，“较大数额罚款”认定为200万元以上的罚款，法律、行政法规以及国务院有关部门明确规定相关领域“较大数额罚款”标准高于200万元的，从其规定。）2.落实政府采购政策需满足的资格要求：合同包1(分子束外延系统)落实政府采购政策需满足的资格要求如下:本采购包不属于专门面向中小企业采购的项目。3.本项目的特定资格要求：合同包1(分子束外延系统)特定资格要求如下:(1)供应商未被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)“失信被执行人或重大税收违法失信主体或政府采购严重违法失信行为记录名单”；不处于中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)“政府采购严重违法失信行为信息记录”中的禁止参加政府采购活动期间。（以采购代理机构于投标截止时间当天在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）及中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）查询结果为准，如相关失信记录已失效，供应商需提供相关证明资料）。(2)单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加本采购项目（采购包）投标。 为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参与本项目投标。 投标函相关承诺要求内容。(3)已获取本项目采购文件。三、获取招标文件时间： 2022年10月14日 至 2022年10月21日 ，每天上午 00:00:00 至 12:00:00 ，下午 12:00:00 至 23:59:59 （北京时间,法定节假日除外）地点：广东省政府采购网https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/方式：在线获取售价： 免费获取四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点2022年11月04日 09时00分00秒 （北京时间）递交文件地点：佛山市禅城区季华五路公交大厦6楼开标室（6）开标地点：佛山市禅城区季华五路公交大厦6楼开标室（6）五、公告期限自本公告发布之日起5个工作日。六、其他补充事宜1.本项目采用电子系统进行招投标，请在投标前详细阅读供应商操作手册，手册获取网址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/transaction/download.html。投标供应商在使用过程中遇到涉及系统使用的问题，可通过020-88696588 进行咨询或通过广东政府采购智慧云平台运维服务说明中提供的其他服务方式获取帮助。2.供应商参加本项目投标，需要提前办理CA和电子签章，办理方式和注意事项详见供应商操作手册与CA办理指南，指南获取地址：https://gdgpo.czt.gd.gov.cn/help/problem/。3.如需缴纳保证金，供应商可通过"广东政府采购智慧云平台金融服务中心"(http://gdgpo.czt.gd.gov.cn/zcdservice/zcd/guangdong/)，申请办理投标（响应）担保函、保险（保证）保函。/七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：季华实验室地 址：广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号联系方式：李工 0757-635053532.采购代理机构信息名 称：广州市国科招标代理有限公司地 址：广州市先烈中路100号科学院大院9号楼东座2楼（中国广州分析测试中心对面）联系方式：0757-83277829、020-876888473.项目联系方式项目联系人：黄小姐、李小姐电 话：0757-83277829、020-87688847广州市国科招标代理有限公司2022年10月14日

随着半导体市场，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，分子束外延作为一种新发展起来的外延制膜方法而逐渐崭露头角。分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件，这种文件记载了发明创造的内容，并且在一定时期内产生这样一种法律状态，即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国，专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体，囊括了全球90%以上的最新技术情报，相比一般技术刊物所提供的信息早5～6年，而且70%～80%发明创造只通过专利文献公开，并不见诸于其他科技文献，相对于其他文献形式，专利更具有新颖、实用的特征。可见，专利文献是世界上最大的技术信息源，另据实证统计分析，专利文献包含了世界科技技术信息的90%～95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上，对企业组织而言，专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此，通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析，可以从其中得到大量有用信息。基于此，仪器信息网特统计分析了国内分子束外延的专利信息，以期为从业者提供参考。（本文搜集信息源自网络，不完全统计分析仅供读者参考，时间以专利申请日为准）本次统计，以“分子束外延”为关键词进行检索，共涉及专利总数量为593条，其中发明专利540条、实用新型专利52条和外观专利1条。从统计结果可以看出，从1992年开始，分子束外延专利数量整体呈增长趋势，但在2004-2006年之间出现了一个小高峰。这表明分子束外延的研发投入整体在不断增加，相关企业和科研院所数量也在不断增加，从事相关研究的人数也在逐年增加。1992-2003是国内分子束外延技术的起步阶段，2004年进入了发展阶段。从申请人专利量排行可以看出，在专利申请人申请量排名中，中国科学院半导体研究所的表现最为突出共申请专利60件，中国科学院上海微系统与信息技术研究46件专利与中国科学院上海技术物理研究所24件专利，分列第二与第三位。整体来看，相关专利几乎都集中于科研院所，特别是中科院系统内，在专利申请量TOP20中的企业只有新磊半导体科技（苏州）有限公司和苏州焜原光电有限公司。具体来看，科研院所的分子束外延专利主要集中于材料生长、加工工艺等方面；而两家企业的专利主要围绕分子束外延设备方面。据了解，苏州焜原光电有限公司成立于2017年5月，位于苏州吴江汾湖高新区，地处江浙沪两省一市交汇的黄金腹地，由陈意桥博士携美国及国内团队创立，主要从事III-V族化合物半导体材料和器件的研发和生产。该公司技术团队拥有器件及材料结构设计、外延材料生长、器件研制、MBE设备设计及定制化升级改造等多方面人才。可以看出，目前分子束外延的研发主要集中于科研院所，相关设备主要用于科研领域。从发明人专利量排行可以看出，在专利申请人申请量排名中，中国科学院上海技术物理研究所的顾溢研究员的表现最为突出，共申请专相关利22件，其次为冯巍、张永刚等人。顾溢是中科院上海技物所研究员，主要研究领域为III-V族半导体光电材料与器件，包括半导体材料分子束外延、失配材料生长与应变控制、短波红外半导体探测材料及其光电特性等，在大失配异变和赝配In(GaAl)As晶格工程和大尺寸高均匀材料外延及其器件研制方面取得系列成果。通过对专利申请区域进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度，进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出，国内分子束外延相关专利申请主要集中于北京市、上海市、江苏省等，这些地区都是半导体相关研究发达的地区，而分子束外延主要用于科研。从专利技术分类来看，大部分的专利都集中于电学领域（57.77%）。这主要是因为其被广泛应用于半导体器件或其部件的制造或处理（h01l21/02）。具体来讲，主要是其被用于半导体材料得生长等方面。

近年来自动驾驶技术频频引发舆论关注，更是成为了资本市场的新宠，无数资本巨头、科技企业切入自动驾驶赛道，并开发各种配套解决方案。9月22日,华为发布《智能世界2030》报告,其中对未来十年的智能世界进行了系统性描绘和产业趋势的展望。在智能出行方面，华为预测，到2030年，全球电动汽车占所销售汽车总量的比例将达50%，中国自动驾驶新车渗透率达20%，整车算力将超过5000 TOPS，C-V2X渗透率达 60%。华为认为，当前汽车电动化、智能化的大潮已经不可阻挡。在智能化方面,随着自动驾驶汽车由L2、L3向L4、L5迈进，华为指出公交车、出租汽车、低速物流、垂直行业运输(物流车、矿车)等领域有望率先实现自动驾驶商业化。比如在低速开放道路上,自动驾驶汽车在物流配送、清洁消杀、巡逻等领域已经取得了积极的成果。在高速以及港口或物流园区等半封闭道路上，由于行驶环境相对单一，路线较为固定,降低了对自动驾驶系统所要处理的行驶环境的复杂度,加之卡车司机还存在成本高、易超负荷运载、超工时工作的风险,对自动驾驶也有较大的需求。而多家专注于无人干线物流的自动驾驶技术提供商也已纷纷表明今年将量产L3自动驾驶卡车,助力重卡行业降本增效。自动驾驶发展热潮下，各类传感器迎来新的增长点自动驾驶的安全性，是其能否实现大规模应用的核心影响因素。为此，主机厂和自动驾驶方案提供商不断试验在汽车上融合多种传感器，光学相机、激光雷达和毫米波雷达是目前搭配使用最广泛的三种传感器。此外，红外传感器也在汽车自动驾驶领域的方案里频频出现，得到了广泛关注。苹果公司在今年 3 月公布的一项汽车夜视系统专利中，就应用了近红外波传感器和长红外波传感器；此外，滴滴自动驾驶联合沃尔沃推出的新一代 L4 级自动驾驶测试车 " 滴滴双子星 " 中，也配备了 1 个红外摄像头。业界有观点认为，2022-2023 年将是 L2 级及以上自动驾驶汽车大规模采用红外热像仪的时间节点。红外在驾驶辅助及自动驾驶中的应用可能兴起，将带来红外传感器新的增长点。探测器用半导体材料需求将助推MBE市场爆发激光雷达、红外传感器等探测器的制造都离不开相关的半导体材料。据了解，由于器件的生产需要MBE做外延，虽然MBE不适合量产，但在生长探测器材料的时候需要生长本征材料，一般MBE生长出来的本征材料会比MOCVD的要好，比如GaAs，InGaAs，InP的本征材料，究其原因是MOCVD用的是有机源，在分解生长的时候不可避免的带入杂质，影响本征材料的Hall参数。随着自动驾驶汽车市场爆发，对探测器，特别是红外传感器的需求强烈。目前MBE数量比MOCVD少得多得多，相关市场将爆发。值得注意的是，LPE生长出的本征材料特性比MBE的还要好，但由于人才缺口等因素，相关技术并未在国内铺开。目前高品质的激光探测器一般都出自日本。

2024年3月20日至22日，备受瞩目的SEMICON China 2024在上海新国际博览中心隆重举行。作为全球规模最大、规格最高、最具影响力的展会，有1100家企业参展，覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料、光伏、显示等产业链，是半导体行业的开年盛会。展会期间，仪器信息网有幸采访到了费勉仪器科技（南京）有限公司MBE应用专家高汉超。在采访中，高老师详细介绍了公司所带来的分子束外延设备的具体型号，同时，还深入阐述了这些设备的创新点。此外，高老师还分享了公司产品相比国外产品在价格好和服务售后方面所具有的优势。不仅如此，高老师还提及了公司过往的销售成绩，并且阐述了未来的规划，包括拓展产品线和实现更大量产型机台的销售。最后，高老师也就国产替代发表了看法，并对分子束外延设备的市场趋势进行了分析和预测。以下是现场采访视频：仪器信息网：本次是贵公司第几次参加Semicon China，参会感受如何？高老师：我们公司是第三次参加半导体展会，然后从这次参会的看，目前国产的设备厂商越来越多，从原材料到设备部件到整机，然后我们也看出来这几年的国产厂商在持续发力，我们这是非常好的现象，然后我们也希望国产的半导体厂商越来越多的进入半导体的供应链，然后实现国产替代。 仪器信息网：本次参会，贵公司带来了哪些分子束外延设备和产品？有哪些创新？高老师：我们这次带来总共有 MBE600、800、800plus和1000这一些型号，然后目前我们展板上就有1000，这些型号我们能覆盖从2寸到8寸的这种化物半导体的晶圆，然后覆盖材料从二代半导体的镓、砷、铟、磷到三代半导体的氮化镓以及超宽基带的半导体这种氧化镓的材料外延生产的分子外延设备。这些分子测设备我们的主要创新点其实主要包括两个方面，第一个我们采用直接蒙特卡洛这种模拟的方法，然后在通过模拟原子和分子在生长腔内的行为，然后我们能够实现结构的优化，我们可以通过这种优化能够实现分子束外延具有非常好的一个布局，能够实现这种良好的均匀性。然后另一个创新点就是采用这种重载式的机械臂，能够实现非常好的定位精度，定位精度大概在±0.05毫米，能够保证分子束外延这种持续高效稳定的运行。 仪器信息网：相比于其他分子束外延厂商有哪些优势和特点？贵公司如何保持自己的差异化优势？高老师：首先我们对比国外的这些产品，我们公司的产品的各项参数性能与国外类似的产品在指标性能上基本能够保持一致，但是价格我们比国外的产品应该是更有优势，而且我们公司立足在国内具有完善的研发服务，还有售后的这种团队，我们能够第一时间响应客户的要求，然后能够为客户提供这种多样的外延服务，就是多样的这种以客户为中心进行服务，能够满足客户的各种需求。 仪器信息网：您认为当前半导体行业对分子束外延设备的最大需求是什么？高老师：MBE需求 我认为主要体现在两个方面，第一个就是在面向应用的就是生产型的设备，主要是面向应用，主要是用于微电子和光电子。由于份数具有比较好的真空，它生产的材料纯度也高，而且它的可控性好，它特别适合制造就是长周期的一些结构，包括砷化镓、磷化铟基的这种激光器、探测器等等以及一些微电子材料。例如砷化镓的一些HTTP的这种结构，这种材料都要求这种界面的可控性要求就比较高。而且随着现在这种微电子和光电子技术发展，可能对材料可控性要求越来越高，然后我相信未来MBE会进入更多的这种研究生产领域。 仪器信息网：贵公司在过去一年中，在中国市场取得了怎样的成绩？在2024年又有哪些战略或市场规划？高老师：我们在2023年总共销售应该有9个产品，就是9套系统，然后目前在国内的分子束外延市场，我们几乎处于领先的一个位置2024年我们希望拓展我们的产品线，能够覆盖更多的材料，生产值及这种研发，然后我们希望能够实现这种更大的量产型机台的这种销售。 仪器信息网：近年来，国产替代受到广泛关注，请您谈谈在分子束外延设备领域的国产替代看法，以及贵公司在国产替代方面的布局。高老师：由于近年来大家众所周知的原因，有很多设备是不能进口到国内的，然后我们分子束有些客户也遇到相同的问题，而且随着这几年的发展，大家对国产设备的接受度越来越高，而且我们公司的产品迭代的也越来越快，性能相比于前几代的产品越来越好，得到了客户的广泛认可。我们现在基本能够实现零部件和一些运动部件的平替，后续我们希望整个产品线从研发生产一直到生产的所有的机台型号设备产品的一个平替。 仪器信息网：根据您的观察和分析，您认为未来分子束外延设备市场将呈现哪些趋势？高老师：我觉得主要有两个趋势，一方面是基础研究，目前国家对这个基础研究投入越来越高，而且MBE是作为一个非常灵活的基础研究的工具，它适合生长各类的材料和薄膜，这块是一个很明显的增量市场，还有一个趋势，可能大家希望在量产型设备向更大尺寸更高稳定性这块发展，我们公司也在规划未来会做一些量产型的这种大设备，以满足市场的需求。

table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" width="600"tbodytrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "低温扫描探针显微镜-分子束外延联合系统/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "中科院物理研究所/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="177"p style="line-height: 1.75em "郇庆/p/tdtd width="161"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="187"p style="line-height: 1.75em "qhuan_uci@yahoo.com/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "√正在研发 □已有样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产/p/td/trtrtd width="123"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="525" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "√技术转让 √技术入股 □合作开发 √其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong成果简介： /strongbr/ /pp style="text-align: center line-height: 1.75em "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/d3e8deb8-9a73-4570-b633-d2de2a65bcdd.jpg" title="LT-STM-MBE.jpg" width="350" height="347" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 350px height: 347px "//pp style="line-height: 1.75em " br//pp style="line-height: 1.75em " 该系统是针对SPM的专业研究应用所研发的。采用自制杜瓦型低温恒温器，可获得最低5K的低温，制冷剂利用效率高。特殊设计的扫描探头结构紧凑、体积小巧，具有极好的机械和温度稳定性。兼容目前主流商业化样品架，可原位更换针尖、样品和沉积分子/原子。集成了基于tuning fork技术的AFM，可在STM和AFM两种模式下工作。系统同时集成了专业的MBE腔体和独立的样品处理腔，具有液氮的冷屏和多达7个蒸发源安装位置，可以通过RHEED和LEED等手段监控生长。尚在研发中，主要技术指标待测。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong应用前景： /strongbr/ 纳米表征和研究的重要工具，国内每年需求量在数十台。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong知识产权及项目获奖情况： /strongbr/ 发明专利：201510345910.8/p/td/tr/tbody/tablepbr//p

p style="text-align: justify " 中美贸易战以来，半导体产业受到了空前的关注。半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表。第二代半导体材料砷化镓（GaAs）也已经广泛应用。而以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等宽禁带为代表的第三代半导体材料相较前两代产品，性能优势显著并受到业内的广泛好评。面对第一代和第二代半导体落后于世界先进水平的局面，我国在第三代半导体上的研究有望实现“弯道超车”。因此，我国对第三代半导体的研究空前重视。/pp style="text-align: justify " 而分子束外延是第三代半导体中的关键技术，主要用来沉淀GaAs异质外延层并可达到原子分辨率的一种主要方法。也被用来在硅片衬底上沉积硅并能严格控制外延层厚度和掺杂的均匀性。/pp style="text-align: justify " 近日，中国科学院物理研究所耗资908.1774000万成功采购一套分子束外延系统（MBE）。/pp style="text-align: justify " 以下为中标公告。/pp style="text-align: justify "一、项目编号：OITC-G200331103（招标文件编号：OITC-G200331103）/pp style="text-align: justify "二、项目名称：中国科学院物理研究所分子束外延系统（MBE）采购项目/pp style="text-align: justify "三、中标（成交）信息/pp style="text-align: justify "供应商名称：磊备半导体科技（上海）有限公司/pp style="text-align: justify "供应商地址：上海市宝山区毛家路31号12幢G006室/pp style="text-align: justify "中标（成交）金额：908.1774000（万元）/pp style="text-align: justify "四、主要标的信息/ptable style="border-collapse:collapse "tbodytr class="firstRow"td style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="35" valign="top" 序号br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="112" valign="top" 供应商信息br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="96" valign="top" 货物名称br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="54" valign="top" 货物品牌br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="84" valign="top" 货物型号br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="66" valign="top" 货物数量br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="74" valign="top" 货物单价（欧元）br//td/trtrtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="35" valign="top" 1br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="112" valign="top" 磊备半导体科技（上海）有限公司/tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="96" valign="top" 分子束外延系统/tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="54" valign="top" RIBERbr//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="84" valign="top" Compact 21/tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="66" valign="top"1br//tdtd style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) word-break: break-all text-align: justify " width="74" valign="top" 1105000/td/tr/tbody/tablep style="text-align: justify "五、评审专家（单一来源采购人员）名单：/pp style="text-align: justify "奚文龙、高子萍、蒋秀高、李毅民、苏少奎/pp style="text-align: justify "六、代理服务收费标准及金额：/pp style="text-align: justify "本项目代理费收费标准：[2002]1980号文件/pp style="text-align: justify "本项目代理费总金额：9.1654万元（人民币）/pp style="text-align: justify "七、公告期限/pp style="text-align: justify "本公告发布之日起1个工作日。/pp style="text-align: justify "八、其它补充事宜/pp style="text-align: justify "中标金额：欧元1105000/pp style="text-align: justify "1欧元=8.2188人民币/p

硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。硅(Si)材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓(GaAs)外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨胀系数失配等问题，因而在与CMOS兼容的无偏角Si衬底上研制高性能硅基外延激光器需要解决一系列关键的科学与技术难点。 　　近期，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室杨涛与杨晓光研究团队，在硅基外延量子点激光器及其掺杂调控方面取得重要进展。该团队采用分子束外延技术，在缓冲层总厚度2700nm条件下，将硅基GaAs材料缺陷密度降低至106cm-2量级。科研人员采用叠层InAs/GaAs量子点结构作为有源区，并首次提出和将“p型调制掺杂+直接Si掺杂”的分域双掺杂调控技术应用于有源区，研制出可高温工作的低功耗片上光源。室温下，该器件连续输出功率超过70mW，阈值电流比同结构仅p型掺杂激光器降低30%。该器件最高连续工作温度超过115°C，为目前公开报道中与CMOS兼容的无偏角硅基直接外延激光器的最高值。上述成果为实现超低功耗、高温度稳定的高密度硅基光电子集成芯片提供了关键方案和核心光源。 　　6月1日，相关研究成果以Significantly enhanced performance of InAs/GaAs quantum dot lasers on Si(001) via spatially separated co-doping为题，发表在《光学快报》(Optics Express)上。国际半导体行业杂志Semiconductor Today以专栏形式报道并推荐了这一成果。研究工作得到国家重点研发计划和国家自然科学基金等的支持。图1.硅基外延量子点激光器结构示意及器件前腔面的扫描电子显微图像。图2.采用双掺杂调控的器件与参比器件在不同工作温度下的连续输出P-I曲线，插图为双掺杂调控激光器在115℃、175mA连续电流下的光谱。

超导技术被誉为21世纪最具有经济战略意义的新兴技术之一，超导体所具备的“零电阻”和“完全抗磁”这两大神奇特性，为人们带来了巨大想象空间。例如利用超导体电阻为零的特性来进行电力输送，可以大大减少线路损耗，实现超远距离的大容量电力输送；利用它完全的磁抗性可以制造磁悬浮列车、电磁弹射装置等。“超导最近在媒体出现的频率比较高。比如时下热门的量子计算，涉及到超导量子比特；被称为‘人造太阳’的全超导托卡马克核聚变实验装置，也应用了超导磁体。”中国高温超导研究奠基人之一、国家最高科学技术奖得主赵忠贤院士介绍道，超导距离实际生活最近的应用，则是医院常见的核磁共振成像中的超导磁体。超导薄膜技术是超导技术发展的重要方向之一。日前，由赵忠贤院士倡导建立并担任顾问的研究团队，面对国外禁运，通过技术集成创新，成功研制出基于国产部件的“三光束脉冲激光共沉积镀膜系统”，并制备出大尺寸双面钇钡铜氧（YBCO）超导单晶薄膜，为我国制备高品质、应用型超导薄膜产品技术带来新突破。关键设备买不来，怎么办？在东莞松山湖科学城松山湖材料实验室“实用超导薄膜研究团队”的一间实验室内，一组银白色装置占据了房间一角，三台激光器宛如手术台上的三支机械臂，将一个带有观测窗的球形操作台围在中间，绿色和紫色的光束不时闪烁。这个装置就是该团队近期研发成功的“三光束脉冲激光共沉积镀膜系统”。该设备基于国产部件实现技术集成创新，包括采用国产小型固态脉冲激光器实现多光束共沉积、激光器与光路系统模块化整体位移、自主研发控制软件实现操作智能化等。利用这台设备，该团队还成功制备出2英寸双面YBCO超导单晶薄膜，将脉冲激光沉积技术制备高品质应用型薄膜产品，推向了一个新的高度。该团队负责人金魁研究员表示，大尺寸双面钇钡铜氧（YBCO）单晶薄膜，是设计高温超导薄膜器件的良好载体，而高温超导薄膜器件则是开发未来通信技术和超高性能雷达探测器的重要部件，具有十分重要的应用前景。然而，能够制备该类薄膜的先进设备，此前被德日美等少数国家掌握，一直以来对我国封锁核心技术，并且大尺寸薄膜制备设备近期也已对我国禁运，导致我国高品质应用型“薄膜”和“镀膜设备”核心技术受制于人。金魁坦言，按照最初构想，是希望直接从国外购买一套先进的大尺寸镀膜设备，之后按团队的需求改造，然而却未能如愿。“买小尺寸薄膜制备设备回来，做出的样品主要是用于基础研究，找规律、写论文，国外公司同意卖给我们；但要买能投入实用的大尺寸薄膜制备设备，他们就拒绝了。”金魁表示，另一方面，国外的设备只能实现单面薄膜的制备，无法满足团队需求。关键设备买不来，怎么办？在赵忠贤院士的鼓励和指导下，团队最终下定决心走上了自研之路。令他们感到高兴的是，团队产出成果的进度超过了预期。在国外禁运的情况下，团队仅用一年多时间就取得了成功。“积小胜为大胜”“我们用激光去打真空腔里面的靶材，由于瞬时高温，靶材表面的成分会变成等离子体向外喷射，之后接触高温衬底，外延沉积完成镀膜，过程就像是烙饼一样。”该设备主要的设计和搭建者冯中沛博士是团队里的一名年轻人，设备成功运转，让他格外兴奋。过去一年多，冯中沛和同事们几乎每天都围着这台设备转。在工作室紧邻该装置的墙边有一面白板，上面写满了与装置搭建相关的事项。一年时间里，大到整个装置的设计装配，小到一根螺丝钉的定制，整个团队“挂图作战”，环环推进，最终才获得了成功。“这台设备的功能可以扩展，也可以为超导以外的材料进行镀膜。就像买了一口锅，一开始只用来炒菜，后面还可以用来蒸煮。”冯中沛介绍道。令整个团队感慨的是，直到他们研制出成本更低、性能更优的设备时，从日本采购的小尺寸镀膜设备甚至因为疫情，还没有厂家工程师前来拆箱。“这件事虽然谈不上伟大，但是它给了我们很大信心。遇到‘卡脖子’难题，逼着自己进行自主研制和创新，最终把一条新的技术路线走通了。”赵忠贤表示，假如全国几十万、上百万的科研团队，能有十分之一像这样专注去做一件事，我们跟国外的科技竞争就能握有更大的主动权。“积小胜为大胜，变成大胜就有了长板，有了竞争优势，国外还怎么卡我们脖子？”他说道。除了团队自身的努力和经验积累，赵忠贤还特别提到，松山湖科学城给予的宽松科研环境与合理的评价体系，为这一成果取得提供了重要土壤。在他看来，松山湖材料实验室一方面注重研究实效，不以论文论英雄，让科研人员集中精力搞攻关；另一方面，充分信任科学家，原本购置设备的钱可以灵活用于自主研发，“允许用打酱油的钱去买醋”，赋予科学家自主权。推动超导技术成果转化能否制备出大尺寸、高质量的超导薄膜，关系诸多关键产业的发展前景。以超导薄膜为基础的数字电路，相比半导体材料做的数字电路速度更快、损耗更小、容量更大；用超导薄膜制成的超导量子干涉器，可以探测比人脑磁场弱几千倍的磁场，用收集来的磁信号进行分析，能够确定矿源、预报地震等。而超导薄膜制成的天线、谐振器、滤波器等微波通讯器件，具有常规材料（如金、银等）无法比拟的高灵敏度。此外超导薄膜在大型粒子加速器中也有着广泛的应用。粗略估计，国内外计划建设的各类加速器项目，对超导薄膜谐振腔的需求量将超过10000个。面对这一趋势，与超导基础研究打了大半辈子交道的学界泰斗，开始将工作重心放在推动超导技术成果转化与实际应用上来。2017年底，广东启动首批四家省实验室建设，赵忠贤接受邀请，出任松山湖材料实验室学术委员会主任一职，从北京来到了东莞松山湖。在他倡议和亲自指导推动下，“实用超导薄膜研究团队”在松山湖材料实验室迅速建立起来。除赵忠贤院士作为团队顾问之外，担任团队负责人的金魁研究员，也是一位高水平超导研究专家，他在高温超导体机理研究、超导薄膜制备、新超导体探索等方面都有诸多重要成果，先后在《自然》杂志等主流刊物发表重要论文80余篇。此外，多位具备国家重点实验室工作背景的超导薄膜和低温技术专家也先后加入，组成了国内一流的班底阵容。“我们选定的题目是‘实用超导薄膜及相关技术研究’，这个不像‘量子’或者‘智能’之类的名字时髦，但并不意味着研究的内容不重要。”赵忠贤说，希望以应用为目标来做一个中长期项目，解决超导应用过程中一系列关键核心技术难题，推动实现跨越性的进步，带来应用上的质变。谈及今后的打算，年届八旬的赵忠贤心心念念的，仍然是超导。“一是找到超导应用存在的短板，想办法推动一些项目、组织一批队伍来把超导领域的这些问题全部扫光；二是在超导应用的某些方面，希望看到我们比别人强，有自己的‘绝活’。”

加拿大OCI公司推出新型多功能分子束外延生长装置IMBE300 我司全权代理的加拿大OCI公司近期首次推出世界上最新型多功能分子束外延生长装置IMBE300。该装置在一台装置上同时可集成如下6大技术使之尤为引人瞩目。1. 带有7个蒸发源的MBE2. 低能电子衍射仪3. 俄歇电子能谱仪4. X射线光电子能谱仪5. 反射高能电子衍射仪6. 热脱附质谱仪 该装置实现了如下的设计制造目标:在一个超高真空腔体上完成外延生长过程集成监控，2-D结晶状态跟踪以及原位成分/电子能带分析。具体说来有如下特点。1. 在薄膜生长后无需传送到另外的超高真空室进行分析。2. 在蒸发和表面分析之间只需很短的切换时间。3. 具有传送臂和试样存储机构的样品室。4. 试样传送机构和其他系统兼容，SPM和SEM。敬请国内材料工作者来电咨询合作。参见下面图片说明。

p　　strong仪器信息网讯/strong 材料对于推动生产力发展和社会进步起着举足轻重的作用。关键材料的研发周期更是直接决定了相关领域的发展进程。材料基因组技术的出现为快速构建精确的材料相图，缩短材料的研发周期带来了希望。/pp　　中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心技术部电子学仪器部郇庆/刘利团队一直致力于科研仪器装备的自主研发 超导国家重点实验室金魁/袁洁团队专注于基于高通量组合薄膜技术的新超导体探索和物理研究。两团队经多年合作成功研制并搭建了一台高通量连续组分外延薄膜制备及原位局域电子态表征系统。作为目前国际上最先进的第四代高通量实验设备，审稿人和项目验收专家组均给予了高度评价，认为该设备实现了研究应用和核心技术上的创新突破，解决了现有技术的诸多缺陷和不足，将成为材料基因研究的重要工具，并有望在推动多个领域的前沿研究中发挥重要作用。/pp style="text-align: center "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202002/uepic/042ce1da-8ab9-46b9-8bb1-eb602327463f.jpg" title="组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片.jpg" alt="组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片.jpg"//pp style="text-align: center "组合激光分子束外延-扫描隧道显微镜联合系统：(a)三维设计图；(b) 实物照片/pp　　该系统采用的关键技术为研发团队首次提出，核心部件均自主研发，具备多项独特优点：/pp　　1)采用专利的旋转掩膜板设计，避免累积误差和往复运动的问题，大大提高了系统运行精度和稳定性 /pp　　2)特殊设计的STM扫描头能够实现大范围XY移动( 10 mm)和高精度定位(定位精度优于 1 μm) 3)完备的传递设计可实现样品、针尖、靶材的高效传递，并易于未来功能扩展。/pp　　该仪器研发历时4年多，设计版本多达50多个，并完成了全面的性能测试。他们利用自研系统制备了高质量的梯度厚度FeSe样品，得到可靠的超导转变温度随厚度的演变关系。在HOPG样品、金单晶样品、BSCCO样品以及原位生长FeSe样品表面均获得了高清原子分辨图像，并测量了BSCCO样品局域超导能隙扫描隧道谱。目前，该系统已用于研究高温超导机理问题和新型超导材料探索。/pp　　组合薄膜制备技术作为材料基因组核心技术之一经历了三个发展阶段，即共磁控溅射技术、阵列掩膜板技术和组合激光分子束外延技术。目前，组合薄膜生长往往采用往复平行位移掩膜板的方式，这样不可避免造成累积误差，直接影响到薄膜制备过程中组分控制的精度。此外线性掩膜板反复变向及加减速操作也会加速机械部分磨损，降低系统稳定性。另一方面，目前对组合薄膜高通量快速表征技术也存在不足，很多传统方法无法直接用于组合薄膜表征。以扫描隧道显微镜(STM)为例，其对样品表面清洁度具有很高的要求，通常需要原位解理或制备样品 此外，有限的样品移动范围和不具备精确定位功能限制了STM在组合薄膜表征上的应用：大多数商业化STM样品移动范围一般仅为数毫米且不具备定位功能。对于连续组分薄膜性质的研究来说，实际的测量位置与样品组分是一一对应的，失去了位置坐标就失去了组分的信息。因此，发展更加精确的高通量薄膜制备和原位表征手段十分必要，并对包括超导材料在内的多个前沿研究领域具有重要意义。/pp　　/ppbr//p

近日，由上海微系统所信息功能材料国家重点实验室曹俊诚研究员负责的太赫兹（THz）课题组自主成功研制了激射频率为3.2 THz的量子级联激光器（QCL）。该器件的整个研制过程，包括有源区材料生长、器件流片工艺以及光电特性测试等均在微系统所完成，为发展相关THz应用系统奠定了基础。THzQCL具有体积小、轻便、易集成、能量转换效率高，并且可在连续波模式下工作等优点。它是一种具有复杂结构的半导体量子器件。课题组采用V90气态源分子束外延设备生长了基于GaAs/AlGaAs材料体系的THzQCL有源区；采用单面金属波导工艺制备并封装了THzQCL器件；采用远红外傅里叶变换光谱仪测试了器件的发射谱，激射频率为3.2 THz。

详细信息 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 河南省-郑州市 状态：公告 更新时间： 2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 发布时间：2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 一、项目基本情况 1.采购项目编号：豫教招标采购-2022- 167 2.采购项目名称：哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 3.采购方式：公开招标 4.预算金额：2415万元 最高限价：2415万元 序号 包名称 包预算 （万元） 包最高限价 （万元） 1 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 2415 2415 5.采购需求 （1）项目概况：根据哈工大郑州研究院需要，需对液相外延炉等仪器设备进行采购，项目已具备采购条件，现对该批次仪器设备进行公开招标。 （2）采购内容包括：DLP金刚石金属复合材料增材制造设备1套、高功率光纤激光焊接系统1套、高功率激光柔性复合加工系统1套、超高精度纳米材料沉积系统1套、液相外延炉1套、化学气相沉积镀膜机1套、示波器及探头1套、PEM电解槽1套、总线运动控制系统1套、无人机1套、红外热成像仪1套、功率与阻抗分析仪1套、立式真空热压烧结炉1套、高速摄像机1套。 （3）资金情况：资金已落实。 （4）包段划分：不分包。 （5）交货期：合同签订后6个月内。 （6）交货地点：采购人指定地点。 （7）质量标准：符合国家或行业规定的合格标准，满足采购人提出的技术标准及要求。 （8）验收标准：满足采购人的验收标准及要求。 （9）质保服务要求：国产设备三年，进口设备一年(自验收合格之日起)。 6.合同履行期限：合同签订至质保期满。 7.本项目是否接受联合体投标：否 8.是否接受进口产品：是 二、申请人资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定： （1）投标人须具有法人或者其他组织的营业执照等证明文件； （2）投标人须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，企业财务状况良好，没有财务被接管、破产或其他关、停、并、转情况的，须提供2021年度经审计的财务报告或其基本开户银行出具的资信证明； （3）投标人须具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录，提供本年度任意一个月的企业完税凭证和企业社会保险缴纳证明材料； （4）投标人须具有履行合同所必需的设备和专业技术能力(自拟格式，自行承诺)； （5）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明(自拟格式，自行承诺)； （5）其他要求：对参与投标竞争的单位，需承诺近三年来投标人、法定代表人、项目负责人无行贿犯罪记录（由投标人出具承诺，格式自拟）； （7）根据财政部《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》（财库〔2016〕125号）和豫财购〔2016〕15号的规定，对列入“失信被执行人”、“重大税收违法失信主体”和“政府采购严重违法失信行为记录名单”的潜在供应商，将拒绝其参加本项目招标采购活动； （8）单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加本项目的投标【提供在“国家企业信用信息公示系统”中查询打印的相关材料并加盖公章（需包含公司基本信息、股东信息及股权变更信息）】 2.落实政府采购政策满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求： 若供应商所投设备为进口设备，须具备进出口经营资格并提供《对外贸易经营者备案登记证书》。 三、获取招标文件： 1.时间：2022年11月11日至2022年11月20日（北京时间）。每天上午00：00至 12：00，下午 12：00至 23：59（北京时间，法定节假日除外。） 2.方式：供应商报名时需要将法人授权委托书、授权人身份证、被授权人身份证、营业执照副本扫描并发送至项目负责人邮箱1830331803@qq.com，对报名合格的供应商在缴费完成后，通过邮箱发送招标文件电子版。 3.售价：300元人民币 开户名称：河南省教育招标服务有限公司 账 号：371903102310201 开户行：招商银行股份有限公司郑州分行农业路支行 联系电话：扶会计18736086547。 四、投标截止时间（投标文件递交截止时间）及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 五、开标时间及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 六、发布公告的媒介及公示期限 本公告在河南省教育厅网站、河南省教育招标网、哈工大郑州研究院官网、中国招标投标公共服务平台发布。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策： （1）执行《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库﹝2021﹞46号）； （2）执行《财政部、司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》（财库﹝2014﹞68号）； （3）执行《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库﹝2017﹞141号）； （4）执行《财政部、国家发展改革委关于印发〈节能产品政府采购实施意见〉的通知》（财库﹝2004﹞185号）、《财政部环保总局关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库﹝2006﹞90号）；和《财政部、发展改革委、生态环境部、市场监管总局关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）。 （5）与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或个人，不得参加投标。单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得参加同一标段投标或者未划分标段的同一招标项目投标。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1.采购人信息 名称：哈工大郑州研究院 地址：河南省郑州市郑东新区龙源东七街26号 联系人：薛老师 联系方式：18860369839 2.采购代理机构信息 名称：河南省教育招标服务有限公司 地址：郑州市花园路116号河南省农科院院内西南角原农信楼 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 3.项目联系方式 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：红外热成像仪,物理气相沉积,镀膜机,原子层沉积 开标时间：2022-12-01 09:00 预算金额：2415.00万元 采购单位：哈工大郑州研究院 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：河南省教育招标服务有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 河南省-郑州市 状态：公告 更新时间： 2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 发布时间：2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 一、项目基本情况 1.采购项目编号：豫教招标采购-2022- 167 2.采购项目名称：哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 3.采购方式：公开招标 4.预算金额：2415万元 最高限价：2415万元 序号 包名称 包预算 （万元） 包最高限价 （万元） 1 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 2415 2415 5.采购需求 （1）项目概况：根据哈工大郑州研究院需要，需对液相外延炉等仪器设备进行采购，项目已具备采购条件，现对该批次仪器设备进行公开招标。 （2）采购内容包括：DLP金刚石金属复合材料增材制造设备1套、高功率光纤激光焊接系统1套、高功率激光柔性复合加工系统1套、超高精度纳米材料沉积系统1套、液相外延炉1套、化学气相沉积镀膜机1套、示波器及探头1套、PEM电解槽1套、总线运动控制系统1套、无人机1套、红外热成像仪1套、功率与阻抗分析仪1套、立式真空热压烧结炉1套、高速摄像机1套。 （3）资金情况：资金已落实。 （4）包段划分：不分包。 （5）交货期：合同签订后6个月内。 （6）交货地点：采购人指定地点。 （7）质量标准：符合国家或行业规定的合格标准，满足采购人提出的技术标准及要求。 （8）验收标准：满足采购人的验收标准及要求。 （9）质保服务要求：国产设备三年，进口设备一年(自验收合格之日起)。 6.合同履行期限：合同签订至质保期满。 7.本项目是否接受联合体投标：否 8.是否接受进口产品：是 二、申请人资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定： （1）投标人须具有法人或者其他组织的营业执照等证明文件； （2）投标人须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，企业财务状况良好，没有财务被接管、破产或其他关、停、并、转情况的，须提供2021年度经审计的财务报告或其基本开户银行出具的资信证明； （3）投标人须具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录，提供本年度任意一个月的企业完税凭证和企业社会保险缴纳证明材料； （4）投标人须具有履行合同所必需的设备和专业技术能力(自拟格式，自行承诺)； （5）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明(自拟格式，自行承诺)； （5）其他要求：对参与投标竞争的单位，需承诺近三年来投标人、法定代表人、项目负责人无行贿犯罪记录（由投标人出具承诺，格式自拟）； （7）根据财政部《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》（财库〔2016〕125号）和豫财购〔2016〕15号的规定，对列入“失信被执行人”、“重大税收违法失信主体”和“政府采购严重违法失信行为记录名单”的潜在供应商，将拒绝其参加本项目招标采购活动； （8）单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加本项目的投标【提供在“国家企业信用信息公示系统”中查询打印的相关材料并加盖公章（需包含公司基本信息、股东信息及股权变更信息）】 2.落实政府采购政策满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求： 若供应商所投设备为进口设备，须具备进出口经营资格并提供《对外贸易经营者备案登记证书》。 三、获取招标文件： 1.时间：2022年11月11日至2022年11月20日（北京时间）。每天上午00：00至 12：00，下午 12：00至 23：59（北京时间，法定节假日除外。） 2.方式：供应商报名时需要将法人授权委托书、授权人身份证、被授权人身份证、营业执照副本扫描并发送至项目负责人邮箱1830331803@qq.com，对报名合格的供应商在缴费完成后，通过邮箱发送招标文件电子版。 3.售价：300元人民币 开户名称：河南省教育招标服务有限公司 账 号：371903102310201 开户行：招商银行股份有限公司郑州分行农业路支行 联系电话：扶会计18736086547。 四、投标截止时间（投标文件递交截止时间）及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 五、开标时间及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 六、发布公告的媒介及公示期限 本公告在河南省教育厅网站、河南省教育招标网、哈工大郑州研究院官网、中国招标投标公共服务平台发布。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策： （1）执行《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库﹝2021﹞46号）； （2）执行《财政部、司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》（财库﹝2014﹞68号）； （3）执行《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库﹝2017﹞141号）； （4）执行《财政部、国家发展改革委关于印发〈节能产品政府采购实施意见〉的通知》（财库﹝2004﹞185号）、《财政部环保总局关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库﹝2006﹞90号）；和《财政部、发展改革委、生态环境部、市场监管总局关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）。 （5）与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或个人，不得参加投标。单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得参加同一标段投标或者未划分标段的同一招标项目投标。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1.采购人信息 名称：哈工大郑州研究院 地址：河南省郑州市郑东新区龙源东七街26号 联系人：薛老师 联系方式：18860369839 2.采购代理机构信息 名称：河南省教育招标服务有限公司 地址：郑州市花园路116号河南省农科院院内西南角原农信楼 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 3.项目联系方式 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516

分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。外延是一种制备单晶薄膜的新技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。随着半导体市场,，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，作为化合物半导体研发中，材料制备的关键仪器—MBE的市场也在逐年增长和扩大中，不论是海外品牌还是国产品牌，近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度，MBE大多养在“深闺”，大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对MBE的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全，不完全统计分析仅供读者参考）。全国各省（直辖市/自治区等）共享MBE分布图北京市共享MBE分布图本次统计，共涉及MBE的总数量为133台，涉及23省（直辖市/自治区），58家单位。其中，北京市共享MBE数量最多达46台，占比35%，涉及8所高校院所，北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多，产品也主要用于科研领域。MBE由于其外延生长时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高，目前还无法大规模用于工业化生产中，又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势，主要用于进行生长机制的研究，也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看，其主要分布于高校集中的海淀区，该地区共有44台共享MBE设备。学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出，MBE主要用于物理学和材料科学研究，占比分别为39%和34%。需要注意的是，以上统计存在交叉分布的情况，即该仪器同时属于多类学科领域，实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。MBE品牌地区分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢？统计结果表明，共享MBE主要还是以国产居多，占比29%，其次为德国和美国品牌。这一结果不同于此前盘点的其他仪器以进口品牌为主的特点，而是呈现出国产品牌占比居首的特点，可以看出中国产品正在崛起。TOP6品牌笔者进一步统计了占比TOP6的品牌，居首位的是德国品牌Omicron，不过国产品牌沈阳科仪紧随其后。Scienta Omicron成立于2015年，由表面科学领域的两家最知名的公司合并而成：VG Scienta和Omicron NanoTechnology。两家公司都于20世纪80年代初开始运营。Scienta Omicron提供超高真空下的电子能谱、扫描探针显微镜和薄膜沉积等仪器设备，专注于在下一代电子产品、量子技术、太阳能、智能传感器和先进材料等领域争夺新的独特材料和解决方案，推动表面科学研究走向未来。沈阳科仪创建于1958年，总部位于辽宁省沈阳市浑南区，占地面积110亩，建筑面积3.5万平方米。多年来，沈阳科仪专注于高真空、超高真空、超洁净真空技术的研究和发展，是我国集成电路装备和真空仪器设备的研制、生产基地，先后组建“国家分子束外延技术试验基地”、“国家真空仪器装置工程技术研究中心”和“真空技术装备国家工程实验室”等科研平台。共享仪器的类型分布从共享的MBE仪器类型科仪看出，以传统MBE为主，但LMBE（激光分子束外延系统）的占比也不容忽视。激光分子束外延系统（LMBE），集PLD（激光脉冲沉积）的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，除保持了PLD方法制备的膜系宽，还可以生长通常的半导体超晶格材料，特别适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜，如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体等，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。本次统计中，还有部分属于联用系统和零部件，其中联用系统中大部分MBE和STM联用，扫描隧道显微镜 STM 是一种利用量子理论中的隧道效应探测物质表面结构的仪器, STM 技术的最大优势在于可获得原子级的分辨率。分子束外延MBE与扫描隧道显微镜STM联用可以成功分析MBE生长晶体表面结构, 这种联用现已广泛应用于各大院校和研究院应用表面物理实验中。统计中的STM和MBE的联用系统主要为日本Unisoku品牌。本次统计主要涉及Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten、DCA、VG、Unisoku、SVT、国成仪器、Riber、Veeco、苏州新锐博纳米、Neocera、大连齐维、北京矿亿拓元科技有限公司、上海实路真空、北京珀菲特、费勉仪器、KurJ.Lesker等品牌。

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。

详细信息 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 广东省-深圳市-南山区 状态：公告 更新时间： 2022-11-21 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 深圳市南科大资产经营管理有限公司（以下简称“采购代理机构”）受采购人委托，就物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）进行公开招标，欢迎符合资格条件的投标人前来投标。物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）的潜在投标人应登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载获取本项目的招标文件，并于2022年12月05日14时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：AOMC-2022-096-C（SZDL2022002186） 2.项目名称：物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次） 3.预算金额：人民币5,500,000.00元 4.最高限价：人民币5,500,000.00元 5.所属行业：工业 6.采购需求： 标的名称 数量 单位 简要技术需求（服务需求） 脉冲激光沉积系统 1 套 详见招标文件 7.本项目不接受联合体投标。 二、申请人的资格要求 （1）具有独立法人资格或具有独立承担民事责任的能力的其他组织（提供营业执照或事业单位法人证书等法人证明扫描件，原件备查）。 （2）本项目不接受联合体投标，不接受投标人选用进口产品参与投标。 （3）参与本项目投标前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （4）参与本项目政府采购活动时不存在被有关部门禁止参与政府采购活动且在有效期内的情况（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （5）具备《中华人民共和国政府采购法》第二十二条第一款的条件（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （6）未被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 注：“信用中国”、“中国政府采购网”、“深圳信用网”以及“深圳市政府采购监管网”为供应商信用信息的查询渠道，相关信息以开标当日的查询结果为准。 （7）本项目的特定资格要求：无。 三、获取招标文件 时间：2022年11月22日00时01分 至2022年11月28日23时59分（北京时间）。 地点：登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。 方式：在线下载。 售价：免费。 凡已注册的深圳市网上政府采购供应商，按照授予的操作权限，可登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。投标人如确定参加投标，首先要在深圳政府采购智慧平台网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）网上报名投标，方法为在网上办事子系统后点击“【招标公告】→【我要报名】”；如果网上报名后上传了投标文件，又不参加投标，应再到【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】功能点中进行“【撤回本次投标】”操作；如果是未注册为深圳政府采购的供应商，请访问深圳公共资源交易中心（http://www.szzfcg.cn/）,先办理注册手续（注册咨询：83938966），后办理密钥（电子密钥咨询：83948165 4008301330 ），并前往深圳公共资源交易中心（深圳交易集团有限公司政府采购业务分公司）绑定深圳政府采购智慧平台用户（地址：深圳市福田区景田东路70号雅枫国际酒店北侧二楼市政府采购业务窗口服务大厅），再进行投标报名。在网上报名后，点击“【我的项目】→【项目流程】→【采购文件下载】”进行招标文件的下载。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 1.投标截止时间：所有投标文件应于2022年12月05日14时00分（北京时间）之前上传到深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）。具体操作为登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，用“【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】”功能点上传投标文件。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件将被拒绝。 2.开标时间和地点：定于2022年12月05日14时00分（北京时间），在深圳政府采购智慧平台公开开标。供应商可以登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。 3.在线解密：投标人须在开标当日14:00-14:30（北京时间）期间进行解密，逾期未解密的作无效处理。解密方法：登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，使用本单位制作电子投标文件同一个电子密钥，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.本项目实行网上投标，采用电子投标文件。 2.采购文件澄清/修改事项：2022年11月30日17时00分（北京时间）前，供应商如果认为采购文件存在不明确、不清晰和前后不一致等问题，可登录深圳公共资源交易中心网（http://zfcg.szggzy.com:8081/）→“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【提问】”功能点中填写需澄清内容。2022年12月02日17时00分（北京时间）前将采购文件澄清/修改情况在“【我的项目】→【项目流程】→【答疑澄清文件下载】”中公布，望投标人予以关注。 （重要提示：“提出采购文件澄清要求”不等同于“对采购文件质疑”，供应商提出的澄清要求内容如出现“质疑”字眼，将予以退回。供应商如认为采购文件存在限制性、倾向性、其权益受到损害，应在采购文件公布之日起七个工作日内以线下方式向我公司递交提出书面质疑函。根据《深圳经济特区政府采购条例》第四十二条“供应商投诉的事项应当是经过质疑的事项”的规定，未经正式质疑的，将影响供应商行使向财政部门提起投诉的权利。） 3.本招标公告及本项目招标文件所涉及的时间一律为北京时间。投标人有义务在招标活动期间浏览深圳公共资源交易网（www.szggzy.com），在深圳公共资源交易网上公布的与本次招标项目有关的信息视为已送达各投标人。 4.本项目不需要投标保证金。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：南方科技大学 地 址：深圳市南山区西丽学苑大道1088号 联系方式：张老师 13910520071 2.采购代理机构信息 名 称：深圳市南科大资产经营管理有限公司 地 址：深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A7栋11楼 联系方式：王老师 0755-88012180 3.项目联系方式 项目联系人：赵老师 电 话：0755-88012181 深圳市南科大资产经营管理有限公司 2022年11月21日 [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.pdf SZDL2022002186-A物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告.pdf [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.szczf 附录.中小企业及残疾人福利性单位相关文件.zip [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：激光脉冲沉积 开标时间：2022-12-05 14:00 预算金额：550.00万元 采购单位：南方科技大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：深圳市南科大资产经营管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 广东省-深圳市-南山区 状态：公告 更新时间： 2022-11-21 [公开招标]物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告（重新采购第1次） 深圳市南科大资产经营管理有限公司（以下简称“采购代理机构”）受采购人委托，就物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）进行公开招标，欢迎符合资格条件的投标人前来投标。物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次）的潜在投标人应登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载获取本项目的招标文件，并于2022年12月05日14时00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：AOMC-2022-096-C（SZDL2022002186） 2.项目名称：物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次） 3.预算金额：人民币5,500,000.00元 4.最高限价：人民币5,500,000.00元 5.所属行业：工业 6.采购需求： 标的名称 数量 单位 简要技术需求（服务需求） 脉冲激光沉积系统 1 套 详见招标文件 7.本项目不接受联合体投标。 二、申请人的资格要求 （1）具有独立法人资格或具有独立承担民事责任的能力的其他组织（提供营业执照或事业单位法人证书等法人证明扫描件，原件备查）。 （2）本项目不接受联合体投标，不接受投标人选用进口产品参与投标。 （3）参与本项目投标前三年内，在经营活动中没有重大违法记录（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （4）参与本项目政府采购活动时不存在被有关部门禁止参与政府采购活动且在有效期内的情况（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （5）具备《中华人民共和国政府采购法》第二十二条第一款的条件（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 （6）未被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单（由供应商在《政府采购投标及履约承诺函》中作出声明）。 注：“信用中国”、“中国政府采购网”、“深圳信用网”以及“深圳市政府采购监管网”为供应商信用信息的查询渠道，相关信息以开标当日的查询结果为准。 （7）本项目的特定资格要求：无。 三、获取招标文件 时间：2022年11月22日00时01分 至2022年11月28日23时59分（北京时间）。 地点：登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。 方式：在线下载。 售价：免费。 凡已注册的深圳市网上政府采购供应商，按照授予的操作权限，可登录深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）下载本项目的招标文件。投标人如确定参加投标，首先要在深圳政府采购智慧平台网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）网上报名投标，方法为在网上办事子系统后点击“【招标公告】→【我要报名】”；如果网上报名后上传了投标文件，又不参加投标，应再到【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】功能点中进行“【撤回本次投标】”操作；如果是未注册为深圳政府采购的供应商，请访问深圳公共资源交易中心（http://www.szzfcg.cn/）,先办理注册手续（注册咨询：83938966），后办理密钥（电子密钥咨询：83948165 4008301330 ），并前往深圳公共资源交易中心（深圳交易集团有限公司政府采购业务分公司）绑定深圳政府采购智慧平台用户（地址：深圳市福田区景田东路70号雅枫国际酒店北侧二楼市政府采购业务窗口服务大厅），再进行投标报名。在网上报名后，点击“【我的项目】→【项目流程】→【采购文件下载】”进行招标文件的下载。 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 1.投标截止时间：所有投标文件应于2022年12月05日14时00分（北京时间）之前上传到深圳政府采购智慧平台（http://zfcg.szggzy.com:8081/）。具体操作为登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，用“【我的项目】→【项目流程】→【递交投标(应答)文件】”功能点上传投标文件。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件将被拒绝。 2.开标时间和地点：定于2022年12月05日14时00分（北京时间），在深圳政府采购智慧平台公开开标。供应商可以登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。 3.在线解密：投标人须在开标当日14:00-14:30（北京时间）期间进行解密，逾期未解密的作无效处理。解密方法：登录“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，使用本单位制作电子投标文件同一个电子密钥，在“【我的项目】→【项目流程】→【开标及解密】”进行在线解密、查询开标情况。） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.本项目实行网上投标，采用电子投标文件。 2.采购文件澄清/修改事项：2022年11月30日17时00分（北京时间）前，供应商如果认为采购文件存在不明确、不清晰和前后不一致等问题，可登录深圳公共资源交易中心网（http://zfcg.szggzy.com:8081/）→“深圳政府采购智慧平台用户网上办事子系统（http://zfcg.szggzy.com:8081/TPBidder/memberLogin）”，在“【我的项目】→【项目流程】→【提问】”功能点中填写需澄清内容。2022年12月02日17时00分（北京时间）前将采购文件澄清/修改情况在“【我的项目】→【项目流程】→【答疑澄清文件下载】”中公布，望投标人予以关注。 （重要提示：“提出采购文件澄清要求”不等同于“对采购文件质疑”，供应商提出的澄清要求内容如出现“质疑”字眼，将予以退回。供应商如认为采购文件存在限制性、倾向性、其权益受到损害，应在采购文件公布之日起七个工作日内以线下方式向我公司递交提出书面质疑函。根据《深圳经济特区政府采购条例》第四十二条“供应商投诉的事项应当是经过质疑的事项”的规定，未经正式质疑的，将影响供应商行使向财政部门提起投诉的权利。） 3.本招标公告及本项目招标文件所涉及的时间一律为北京时间。投标人有义务在招标活动期间浏览深圳公共资源交易网（www.szggzy.com），在深圳公共资源交易网上公布的与本次招标项目有关的信息视为已送达各投标人。 4.本项目不需要投标保证金。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：南方科技大学 地 址：深圳市南山区西丽学苑大道1088号 联系方式：张老师 13910520071 2.采购代理机构信息 名 称：深圳市南科大资产经营管理有限公司 地 址：深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A7栋11楼 联系方式：王老师 0755-88012180 3.项目联系方式 项目联系人：赵老师 电 话：0755-88012181 深圳市南科大资产经营管理有限公司 2022年11月21日 [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.pdf SZDL2022002186-A物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目采购公告.pdf [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.szczf 附录.中小企业及残疾人福利性单位相关文件.zip [SZDL2022002186-A]物理物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目.docx

半导体量子点（QD）以其显著的量子限制效应和可调的能级结构，成为构筑新一代信息器件的重要材料，在高性能光电子、单电子存储和单光子器件等方面具有重要应用价值。半导体量子点材料的制备和以其为基础的新型信息器件是信息科技前沿研究的热点。近期，在中国科学院半导体研究所王占国院士的指导下，刘峰奇研究员团队等在量子点异质外延的研究方面取得重要进展。研究团队以二维材料为外延衬底，基于分子束外延技术，发展出范德华外延（van der Waals epitaxy）制备量子点材料（如图1）的新方案。图1 InSb量子点在MoS2表面的范德华外延生长层状结构的二维材料表面没有悬挂键，表面能低。因此在远离热平衡的超高真空条件下，具备闪锌矿、纤锌矿等稳定结构的材料在其表面生长时，在总自由能最小的驱动下，原子沉积在二维材料上，将倾向于裸露出更多衬底，同时将自身的原子更多地包裹进体内，以降低表面自由能，从而实现量子点的生长。反射式高能电子衍射（RHEED）的原位生长监测显示，量子点的范德华外延生长为非共格外延模式，区别于S-K生长模式，衬底和量子点材料的晶格常数没有适配关系，从而大大提高了衬底和量子点材料组合的自由度，呈现出普适特性；同时，二维材料的面内对称性对量子点材料的晶格取向具有诱导作用。二维材料各异的表面性质则为量子点的形貌调控提供了新的自由度（如图2）。图2 量子点范德华外延生长方法的普适基于该方案，研究团队成功在4种二维材料（hBN、FL mica、MoS₂ 、graphene）上制备了5种不同的量子点，包括4种III-V族的化合物半导体InAs、GaAs、InSb、GaSb和1种IV-VI族的化合物半导体SnTe，衬底和量子点组合共计20种。量子点种类受限于分子束外延（MBE）源材料种类，而非衬底，证实了外延方案的普适特性。研究团队在晶圆级尺度上完成了量子点的范德华外延制备，呈现出较好的尺寸均匀性和分布均匀性，且在较小的衬底温度范围内可以实现量子点密度4个数量级的变化。此外，研究团队通过制备光电探测器，拓宽了器件的响应光谱范围，证实了在范德华外延制备的0D/2D混维异质结中界面载流子的有效输运。该外延方案天然构筑的量子点/二维材料体系为研究混维异质结构提供了一个新平台，将有助于拓宽低维量子系统的潜在应用。该成果以“Epitaxial growth of quantum dots on van der Waals surfaces”为题发表于Nature Synthesis期刊。半导体所博士生辛凯耀、博士李利安和北京大学博士后周子琦为论文共同第一作者，半导体所刘峰奇研究员、翟慎强研究员、魏钟鸣研究员和中国人民大学刘灿副教授为该论文的共同通讯作者，论文合作者包括北京大学刘开辉教授、半导体所张锦川研究员、刘俊岐研究员、邓惠雄研究员等。该项工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划以及中国科学院青年促进会等项目的资助。论文链接：https://doi.org/10.103 8 /s44160-024-00562-0

近日，光驰半导体技术（上海）有限公司（以下简称 “光驰半导体”）成功摘得宝山高新技术产业园区的BSPO-1801单元07-17标准地33357.6平方米（合计50亩）工业用地，并与上海市宝山区规划和自然资源局签订土地使用权出让合同，光驰半导体原子层镀膜与刻蚀镀膜项目在园区实质落地。图片来源：上海宝山据上海宝山消息，光驰半导体项目未来将以半导体前沿ALD（原子层镀膜）技术与刻蚀技术为依据，以持续技术创新和市场开拓为导向，在半导体制造与器件领域实现技术的应用与扩大销售。项目计划2022年8月开工，预计2023年10月竣工。光驰半导体是光驰科技（上海）有限公司的全资子公司，据该公司官网信息，光驰科技（上海）有限公司是株式会社光驰（OPTORUN CO.,LTD）投资成立，以高精度镀膜机的设计与制造为基础的外资独资型企业，生产用于光通信设备、导光系统中制备各种光学部件的增透膜；各类型滤光片的高精度镀膜设备；工艺的研究和开发；相关设备的维修及售后服务。

2021年9月23日，由仪器信息网主办的“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会成功举办，会议进行了了4个精彩报告，吸引领域内近400位听众报名参会。采用一定方法，使处于某种状态的一种或几种物质的基团以物理和化学方法附着于衬底材料表面形成一种新的物质，这层新物质就是薄膜。薄膜的制备主要技术包括薄膜沉积和外延技术。薄膜沉积和外延技术是半导体制造工艺中的非常重要的技术。基于此，仪器信息网于2021年9月23日举办了本次“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及技术人员参与本次网络研讨会，就薄膜沉积与外延技术与应用等话题共同探讨，为广大从事薄膜沉积与外延技术研发等方面的专家学者和技术人员提供了一个交流的空间。本次会议，邀请到云南大学杨鹏教授、牛津仪器科技（上海）有限公司高级应用科学家刘志文博士、中国科学院半导体研究所王晓东研究员和中国科学院微电子研究所杨妍研究员做报告，受到牛津仪器科技（上海）有限公司的大力支持，会议过程中，听众积极参与，直播间氛围热烈。会议的4个报告，经征求报告嘉宾意见，3个报告将设置视频回放（“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会），便于广大网友温故知新，详情见下表：2021年9月23日上午报告题目报告嘉宾链接几种二维及少层材料的生长与物性表征杨鹏云南大学 教授回放链接如何用原子力显微镜评价高质量薄膜刘志文牛津仪器科技（上海）有限公司 高级应用科学家回放链接离子束溅射镀膜技术及其应用王晓东中国科学院半导体研究所 研究员不回放硅光芯片工艺流程及对薄膜工艺的需求杨妍中国科学院微电子研究所 研究员回放链接

上海屹持光电技术有限公司与德国Batop Gmbh正式达成代理协议 上海屹持光电技术有限公司于近期正式与BATOP GmbH达成代理协议, 屹持光电将负责BATOP全线产品在中国地区的销售、技术支持及安装培训等服务。鉴于屹持光电在太赫兹时域光谱系统TDS方面的丰富经验，我们将荣幸后续为BATOP太赫兹TDS用户提供全面服务。上海屹持光电技术有限公司是一家专业从事太赫兹、超快激光、传统激光等领域相关产品的研发、引进、销售、方案设计、组装集成、技术服务的现代高科技企业。我们的团队成员都具有专业光电背景和长期从业经验，我们利用自身的专业优势将最前沿的科研设备及服务提供给用户。从单个产品到整体解决方案，从商务服务到技术支持，均获得了广大用户的肯定和信赖。 BATOP GmbH成立于2003年，是一家隶属于德国耶拿大学的私人创新型公司。BATOP从事的专业领域包括：低温分子束外延技术，介质溅射镀膜，晶圆加工和芯片安装技术。在过去几年里， BATOP 已成为一个用于被动锁模激光器的可饱和吸收体的全球性的供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SAM™ )，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到3μm的常用激光波长范围。另一个产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线，还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。 太赫兹光电导天线的激发波长为800nm到1550nm之间。BATOP借助强大的研发能力来不断提高自己的产品， 我们始终和客户在一起，最好的满足他们的需求。 上海屹持光电技术有限公司地址：上海市闵行区元江路3599号福克斯创新园3号楼302电话：021-62209657 021-54843093 传真：021-54843093邮箱：sales@eachwave.com 网站：www.eachwave.com

近日，睿创研究院及睿创光子团队在中红外带间级联激光器（Interband cascade laser，ICL）的研究取得重要进展，相关团队实现了高性能、室温连续工作、多个激射波长的带间级联激光器系列，结合分子束外延技术，在InAs衬底上生长带间级联激光器材料，制备的窄脊器件室温激射波长接近4.6μm和5.2μm。目前大部分带间级联激光器生长在GaSb衬底上，而睿创团队报道的带间级联激光器生长在InAs衬底上，波导包层由InAs/AlSb超晶格和高掺杂的InAs层构成。相比于常见的GaSb基带间级联激光器，InAs基带间激光器在较长波长处（例如长于4.5μm）具有更低的阈值电流密度。（a）4.6μm波长、2mm腔长、10μm脊宽的器件在20℃-64℃之间连续激射光谱；（b）同一器件在20℃-64℃之间的连续电流-电压-功率曲线对于4.6μm波长的带间级联激光器，宽脊器件室温脉冲阈值电流密度为292A/cm²；2mm腔长和10μm脊宽的窄脊器件的连续工作温度可达64℃，室温输出功率为20mW；在相近波长处为目前报道的最高连续工作温度。对于5.2μm波长的带间级联激光器，宽脊器件室温脉冲阈值电流密度为306A/cm²；2mm腔长和10μm脊宽的窄脊器件最高连续工作温度为41℃，室温输出功率为10mW；其中阈值电流密度在类似波长为报道的最低水平。相关论文“High-temperature continuous-wave operation of InAs-based interband cascade laser”和“InAs-based interband cascade laser operating at 5.17 μm in continuous wave above room temperature”分别发表于Applied Physics Letters 和IEEE Photonics Technology Letters。（a）5.2μm波长、2mm腔长、10μm脊宽的器件在15℃-41℃之间连续激射光谱；（b）同一器件在15℃-41℃之间的连续电流-电压-功率曲线带间级联激光器是基于能带工程和量子力学产生激射，技术含量很高并且研制难点众多，是国家纳米和量子器件核心技术的重要体现，目前和量子级联激光器（Quantum cascade laser，QCL）并列为重要的中红外激光光源，在环境监测、工业控制、医疗诊断和自由空间通信等领域具有重要的应用价值和科学意义。带间级联激光器的原始概念由美国俄克拉荷马大学的杨瑞青教授（Rui Q. Yang）于1994年首次提出，目前基本上都采用近晶格匹配的InAs/GaSb/AlSb三五族材料体系来构造，有源区大多为InAs/GaInSb二类量子阱，其能力可覆盖从中红外到远红外的波长范围。带间级联激光器结合了传统半导体二级管激光器和量子级联激光器的优势，与同样能覆盖中红外波段的量子级联激光器相比，具有更低的阈值功耗密度和阈值电流密度，这种极低功耗的优势在一些需要便携和电池供电设备的应用中显得非常重要。目前全球带间级联激光器市场仍由国外企业占据主导地位，国内仍处于产业发展的初始阶段。本文报道的这两项工作标志着睿创光子在带间级联激光器的外延设计和器件制备等多个方面同时达到了较高的技术水平，成为掌握高性能带间级联激光器技术的企业。该工作也为后续单模可调谐的DFB带间级联激光器的研发和量产打下了坚实的基础。睿创光子（无锡）技术有限公司是烟台睿创微纳技术股份有限公司的控股子公司，聚焦III-V族光电子器件、硅基光电子器件等光子芯片技术研发与产业化。

采用一定方法,使处于某种状态的一种或几种物质(原材料)的基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表面形成一层新的物质，这层新物质就是薄膜。薄膜制备的方法众多，其中薄膜沉积与外延技术已成为其中的主流，特别是在半导体产业中，占据着重要的地位。薄膜沉积是半导体器件制造过程中的一个重要环节可以在晶圆上生长出 各种导电薄膜层和绝缘薄膜层为后续工艺打下基础。根据工作原理不同，薄膜沉积工艺可分为物理气相沉积 （PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）三大类，所需的设备是薄膜沉积设备。根据Maximize Market Research数据，全球薄膜沉积设备整体规模稳定增长，2020年市场 规模为172亿美元，受益于Foundry厂、存储、AMOLED以及太阳能电站等需求的增加，预计到2025年将达到340亿美元。分类型来看，CVD设备应用最广，占比57%；其次是PVD，占比为25%；ALD及其他镀膜设备占比18%。而外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层。新淀积的这层称为外延层。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廊，而这些因素是与硅片衬底无关的。这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。针对于此，仪器信息网拟于2021年9月23日举办“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及技术人员参与本次网络研讨会，就薄膜沉积与外延技术与应用等话题共同探讨，为广大从事薄膜沉积与外延技术研发等方面的专家学者和技术人员提供一个交流的空间。会议由牛津仪器赞助。牛津仪器是一家世界领先的高科技系统设备供应商。设计制造的设备可以在原子和分子层面，制造、分析和操控物质，并广泛应用于研究和工业领域为客户提供完美的解决方案。会议报名链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/cvd2021/会议日程：

科学仪器是科技创新的重要基础和保障，也是创新研究成果的重要产出形式之一，标志着国家创新能力和科学技术可持续发展的水平。然而，目前我国大部分的科学仪器依赖进口，高端仪器和核心部件往往受制于人。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标》中明确要求要“加强高端科研仪器设备研发制造”。中国科学院作为国家战略科技力量，是我国开展科学仪器创新研制的主力之一，从“八五”期间开始设立“科学仪器设备升级改造和自主研制”专项。通过长期坚持高端科学仪器的自主创新研制，中国科学院取得了一系列重要成果，积累了一批关键核心技术，产出了一批具有知识产权的科学仪器设备。自2019年起，中国科学院系统梳理了具有自主知识产权的仪器设备和关键零部件，编制《中国科学院自主研制科学仪器产品名录》，并通过《中国科学院院刊》出版和传播，进一步加强中国科学院自主研制科学仪器的推广和应用。本文特汇总了2019至2022年度《中国科学院自主研制科学仪器产品名录》，供科技工作者、相关部门和企业等了解和参考。2019-2022年度中国科学院自主研制科学仪器产品名录中国科学院自主研制科学仪器2022序号产品名称数理与天文科学1量子钻石原子力显微镜2低温扫描隧道显微镜3低温扫描隧道显微镜-分子束外延联合系统4低温强磁场用扫描探针显微镜5金刚石量子计算教学机6钨灯丝扫描电子显微镜7脉冲式电子顺磁共振谱仪8氦质谱检漏仪9便携式伽玛射线成像仪10便携式核素识别仪1110拍瓦超强超短激光器121拍瓦超强超短激光器13中子斩波器14大型平行光管15核与辐射应急车载平台16激光雷达望远镜171米口径光学望远镜18大口径标准镜面1920英寸大面积微通道板型光电倍增管20超快位敏型微通道板型光电倍增管21靶斑仪22多波长飞秒全固态激光器23高重频钛宝石飞秒激光放大器24氟化钡闪烁晶体探测器25星载铷原子钟26芯片原子钟27显微共焦拉曼荧光光谱测量模块28有机玻璃内应力无损定量移动式检测装置29同步控制系统30太阳辐照度绝对辐射计化学与材料科学31分子束外延系统32深紫外激光光致发光光谱仪33深紫外激光光发射电子显微镜34场发射扫描电子显微镜35原子层沉积系统36磁控溅射台37电子束蒸发镀膜设备38系列高离化磁控溅射镀膜仪39碳化硅晶体生长炉40等离子体化学气相沉积镀膜设备41有机、无机薄膜沉积设备42台式电子顺磁共振波谱仪43X波段连续波/W波段脉冲电子顺磁共振波谱仪44全自动比表面及孔径分析仪45微型流化床反应动力学分析仪46多功能内耗仪47多相流非均相特性测量系统48光谱椭圆偏振仪49激光共聚焦法流体液膜厚度及物性测量仪50高能衍射仪51多维跨尺度材料热性能测量仪52微颗粒实时在线监测仪5380-400开尔文低温绝热量热仪54实验室中能X射线吸收谱仪55偏振光栅光刻机56台式数字光刻机57蒸发源及控制器58射频电源59分子泵60双级高速离心式空气压缩机信息与工程科学61X射线三维分层成像仪62红外焦平面探测器测试分析系统63投影光刻机64接触式曝光机系列65大视场三线阵立体航测相机66傅里叶变换红外光谱辐射分析仪67激光干涉仪68衍射光栅（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）69超高分辨率超声缺陷检测设备70高密度等离子体刻蚀机71高精度电光晶体定向仪72超高精度面形干涉测量设备73智能环形抛光机74纤维增强复合材料超快激光切割装备75万瓦级半导体激光器综合测试系统76单频激光噪声测试仪77相干光场波前测量仪78长焦可见光/红外共口径光学成像相机79显微红外成像光谱仪80机载双频激光雷达81激光跟踪仪82卫星移动通信终端综合测试仪83光矢量网络分析仪84数字延时脉冲发生器85系列深紫外准分子激光器86高温液态金属流速实时在线监测仪87集束型纳米薄膜生长系统88涡轮叶片表面温度测量仪89线阵列X射线探测器90中红外锑化物大功率激光器地球与环境科学91地面电磁探测系统92小型绝对重力仪93近钻头方位伽马成像地质导向系统94分布式光纤声传感系统95偶极横波远探测井仪96高精度光纤地震采集系统97岩石空心圆柱扭剪试验系统98天光背景测量仪99质子转移反应质谱仪100大气臭氧观测激光雷达101便携式多组份气体紫外分析仪102车载双光路污染气体分布及网格化排放遥测系统103大气成分差分光学吸收光谱在线监测系统104轨道对地高时空分辨率快速成像仪105大动态范围积分球辐射源106温室气体柱总量地基观测系统107宽波段可调谐光腔衰荡光谱仪108激光散射大气颗粒物偏振浊度计109高频单颗粒偏光粒径谱仪110深海激光拉曼光谱原位定量探测系统111声学多普勒流速剖面仪112基于大型浮标的自由伸缩式海洋剖面观测平台113三锚式浮标综合观测平台114深海海底理化环境长期观测系统115深海多参数剖面观测浮标116海底地震仪117船载挥发性有机物监测仪118系列拉曼光谱探针1196000米级可视化可控轻型柱状取样器120漫反射标准参照板生命与医学科学121人体肺部气体磁共振成像仪1221.5T无液氦超导磁共振成像系统123乳腺/灵长类正电子发射断层成像仪124小动物能谱显微CT125消毒防疫机器人126全自动数字PCR检测系统127自动化核酸快速提取仪128固态纳米孔制备仪129流式光片成像仪130全光谱荧光活体成像系统131高等级生物安全活体荧光成像系统132小动物活体荧光成像系统133多模态结构光超分辨显微镜134冷冻三维结构光照明显微镜135STED超分辨光学显微镜136激光扫描共聚焦显微镜137多脑区双光子显微成像系统138大视场高分辨光层析显微镜139光片显微镜140超广角共焦激光造影仪141数字眼底成像仪142共聚焦显微内窥镜143光电同步脑功能检测系统144超声内窥镜145伽玛射线成像仪146毒品快速检测仪147个人辐射报警仪148高精度高稳定性柔性电容式触觉传感器149微型高频超声换能器150硅神经微电极中国科学院自主研制科学仪器2021序号名称数理与天文科学1低温扫描隧道显微镜-分子束外延联合系统/变温扫描隧道显微镜系统2低温扫描隧道显微镜3高通量激光分子束外延-低温扫描隧道显微镜联合系统4无液氦（干式）超导磁体原子分辨扫描隧道显微镜、磁力显微镜5时间分辨超快透射电子显微镜系统6显微共焦拉曼荧光光谱测量模块7激光测距测控一体机8大功率中红外激光器9短波连续紫外激光器101 PW超强超短激光器1110 PW超强超短激光器12高重频钛宝石飞秒激光放大器13多波长飞秒全固态激光器14超窄线宽稳频激光系统15大功率红绿蓝单频激光器16大型平行光管17软X射线分幅相机18皮秒条纹相机19系列条纹相机20靶斑仪21系列氦质谱检漏仪22大口径高结构刚度碳化硅反射镜23高精度复杂曲面智能光学加工系统241.2 m望远镜激光测月系统251 m口径光学望远镜26400 mm口径光学望远镜27激光雷达望远镜28大口径标准镜面29高精度光学镜面30中子斩波器31超精密纳米压电位移台32VLBI数据采集系统33图像增强型镜头模块34单频激光噪声测试仪35量子态控制与读出系统36脉冲式电子顺磁共振谱仪37全光驱动高能电子束38被动型星载氢原子钟39星载铷原子钟40芯片原子钟41时间服务器42RNSS授时型接收机43授时信号模拟器44标准时间复现设备45网络精密时间服务器46NTSC高精度光纤时间频率传递设备47共视远程比对测量仪48宽带数字化脉冲星终端49皮秒高压脉冲源50太赫兹超导探测器芯片系列51超导纳米线单光子探测系统52硅探测器53CsI（Tl）闪烁晶体探头54翠鸟新型锁相放大器55旗形光学面形仪56便携式伽玛射线成像仪57伽玛射线成像仪58便携式核素识别仪59个人辐射报警仪60紫外日盲型光电倍增管61快响应光电倍增管/微通道板型光电倍增管62磁通门磁强计化学与材料科学63场发射枪扫描电子显微镜64基于可调谐深紫外激光光源的近常压光发射电子显微镜65深紫外激光光发射电子显微镜66二阶非线性光学测试仪67膜乳化器系列设备68冷喷涂设备69热丝法化学气相沉积设备70集束型纳米薄膜生长系统71磁控溅射台72原子层沉积系统73碳化硅晶体生长炉74高能衍射仪75分子束外延系统76等离子体化学气相沉积镀膜设备77蒸发镀膜设备78掠角入射沉积电子束蒸发设备79有机薄膜太阳能电池/OLED沉积设备80蒸发源及控制器81400-600 MHz高场磁共振波谱仪82深紫外/红外离子化质谱光谱仪83高灵敏在线光电离飞行时间质谱仪84皮秒单光子发光光谱仪85中性团簇红外光谱装置86交叉分子束-里德堡态氢原子飞行时间谱装置87紫外-可见区激光三联拉曼光谱仪88复杂环境气敏传感器测试系统89源表级多通道气体敏感测试平台90多相反应器内非均相流动特性测量系统91多相反应器内非均相混合特性测量系统92多功能内耗仪93多维跨尺度材料热性能测量仪94仪器分子泵95系列磁悬浮分子泵96中子分析用高温炉97微颗粒实时在线监测仪98激光共聚焦法流体液膜厚度及物性测量仪99分子吸附动力学原位测试系统100便携式离子阱颗粒质谱101单纵模纳秒脉冲光参量振荡器102程序升温脱附系统103流通池荧光检测器104离子阱毒品现场鉴别仪105便携式、台式爆炸物、毒品痕量检测仪信息与工程科学106激光闪光光谱仪（纳秒瞬态光谱仪）107系列化深紫外全固态激光器108大能量飞秒光纤激光器109超快激光精密加工设备110实时高速视觉系统111600 mm激光干涉仪（含拼接装置）112平面激光干涉仪113激光模拟单粒子效应测试系统114激光模拟剂量率测试系统115光刻机系列116高密度等离子体刻蚀机117深紫外准分子激光器系列产品118激光划片机119高速高精密激光调阻机120机载双频激光雷达121任意序列发生器122双光子3D打印系统123光栅系列（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）124高性能光学滤光片系列（荧光滤光片、诱导透射滤光片等）125绝对式光栅尺126镜面偏心间隔一体化检测系统127高通量智能音视频处理一体机128智能环形抛光机129系列真空泵130毫米波人体成像安全检查设备131LIBS元素成分非接触式快速分析仪132线阵列X射线探测器133双通道辐射剂量检测与连锁控制器134多维步态测试系统135微小部件高速高精度自动分拣装备136相干光场波前测量仪137高精度电光晶体定向仪138发动机内窥光纤火焰传感器139柔性力敏传感器140超高精度压力传感器141微型电场传感器142半导体泵浦激光放大器143光电放大器144超级基站145卫星移动通信终端综合测试仪146高温超导接收前端147空间环境模拟设备148交会灯 舱内灯149空间细胞生物反应器150氟油检漏平台151坚固-工业耐辐射摄像机152激光跟踪仪153工业全站仪154传输线脉冲发生器155功率器件闩锁测试系统156二维机械手157皮安电流测量仪158全隔离高精度多路脉冲同步触发系统159微波辐射粮食快速干燥机地球与环境科学160高精度磁强计161全天相机/全天域极光监测仪162全自动差分像运动大气视宁度监测仪163光学湍流与风廓线仪164二噁英大气采样仪165全天空气辉成像仪166全天空云图仪167大气成分差分光学吸收光谱在线监测系统168大气痕量气体成像差分吸收光谱仪169大气过氧自由基测量仪170便携式多组份气体紫外分析仪171亚硝酸在线分析仪172便携式挥发性有机物分析仪173便携式傅里叶红外多组分气体分析仪174机动车排放超细颗粒物数浓度监测仪175气态亚硝酸在线检测仪176全天域极光/气辉高光谱成像仪177农田氨挥发原位实时监测系统178质子转移反应质谱仪179大气臭氧观测激光雷达180地面电磁探测系统181探地雷达182高精度测温链183超声风速温度仪184天光背景测量仪185太阳辐射计186感应式磁场传感器187深海水声数据采集记录系统188深海声学应答释放器1896000m级可视化可控轻型柱状取样器190深海高光谱成像仪191深海多参数剖面观测浮标192实时通信潜标193漂流浮标194三锚式浮标综合观测平台195腐蚀传感器196基于大型浮标的自由伸缩式海洋剖面观测平台197单模多卡北斗通信模块198海岛近岸水文监测系统199海底地震仪200冻融循环测试系统201小型绝对重力仪202超低温电池203漫反射标准参照板204大动态范围积分球辐射源205污染物分布红外光谱成像遥测系统206水质监测水面机器人207水体藻类在线/原位监测仪208两虫检测自动识别系统209浮游动物原位探测超分辨三维成像系统210光纤信号采集器211光纤地震计212分布式光纤声传感系统213便携式土壤碳通量自动测量系统214数字化三维高清钻孔摄像系统215地下流体分层保真取样仪216地应力测井机器人217腔增强反照率光谱仪218智能厌氧制备系统219小型荧光检测模块220有机固废好氧快速发酵系统生命与医学科学221TIRF单分子显微镜222STED超分辨光学显微镜223STED超分辨光学显微镜224激光扫描共聚焦显微镜225三维结构光照明超分辨显微镜226高场磁共振射频线圈及其发射接收功能链路227光泵原子磁力计脑磁图2287T小动物磁共振成像229乳腺/灵长类诊断正电子发射断层成像系统230小动物能谱显微CT231小动物光学和光声断层多模融合分子影像设备232小动物在体自发荧光断层分子影像设备233小动物光学多模融合分子影像成像系统234四维在体光学投影断层成像系统235三维实时在体神经功能回路成像系统236高场磁共振射频线圈237超高通量基因测序仪238单细胞拉曼分选-测序耦合系统239高通量流式拉曼分选仪240单细胞扩增测序系统241芯片式高通量数字化核酸分析仪242自动化核酸快速提取仪243超微量DNA自动提取检测工作站244全自动干细胞诱导培养设备245基于自发光技术的新型抗菌药物活体筛选系统246克隆挑取仪247单细胞精准分选仪248单细胞微液滴分选系统249临床单细胞拉曼药敏性快检仪250非晶镍钛支持膜透射电镜载网251超薄切片自动收集器252平场复消色差显微物镜253微型高频超声换能器254三重四极杆质谱仪255双通道纳米颗粒示踪分析仪256生物分子界面分析仪257智能化蛋白层析系统258离子束生物工程装置259小氢新TM便携式氢氧仪260中国人群嗅觉识别测试棒261高真空低温光电关联荧光成像仪262认知障碍康复训练系统263人体多生理参数检测系统264血管内光/声多模态、多尺度成像系统265人体肺部气体磁共振成像系统266穿刺手术导航系统267轻量型锥束CT成像系统268健康管理系统（一体机、随诊包）269生物特征光谱识别仪270人与动物血液细胞非接触式识别仪271心血管功能测试仪272肺功能测试仪273动脉硬化检测仪274呼吸热量代谢测试仪275身体成分分析仪276单粒种子品质智能化无损通量检测分选仪器277消毒防疫机器人278黄曲霉毒素荧光检测器279触角电位测量系统280科研型-光镊微操作仪281五面投影虚拟仿真CAVE系统中国科学院自主研制科学仪器2020序号名称数理与天文科学1超高真空扫描探针显微镜系统2超高真空低温扫描隧道显微镜3高通量激光分子束外延-低温扫描隧道显微镜联合系统4扫描探针显微镜5干式无液氦超导磁体扫描隧道显微镜、磁力显微镜、原子力显微镜6超快透射电子显微镜系统7星载质谱仪8星载中能粒子探测器9星载高能质子（电子）探测器10热等离子体探测器11闪烁体中子探测器12线阵列X射线探测器13太赫兹超导探测器芯片系列14溴化镧闪烁晶体空间探测器15显微共焦拉曼荧光光谱测量模块16深紫外激光调制反射光谱仪17大型平行光管18400mm口径光学望远镜19激光雷达望远镜201m口径光学望远镜21大口径标准镜面22高精度光学镜面23氢原子钟24星载铷原子钟25芯片原子钟26时间服务器27激光抽运小型铯原子钟28网络精密时间服务器29高重复率距离门控产生器30超窄线宽稳频激光系统31高重频钛宝石飞秒激光放大器32多波长飞秒全固态激光器33中红外锑化物大功率激光器341PW超强超短激光系统3510PW超强超短激光器36中红外可调谐飞秒激光器37高光束质量高功率纳秒激光器38深紫外激光光致发光光谱仪39光学湍流与风廓线仪40天顶仪41高温超导接收前端42量子态控制与读出系统43脉冲式电子顺磁共振谱仪44全光驱动高能电子束45全光驱动的团簇聚变中子源46单频激光噪声测试仪47燃油喷嘴高压高温雾化特性平面激光测量系统48风力机外场气动/结构综合测试系统49磁通门磁强计50靶斑仪51超声波可视化与定量观测的动态激光光弹设备52氦质谱检漏仪53共视远程比对测量仪54授时信号模拟器55星载粒子辐射剂量仪56朗缪尔探针57RAMO-C个人辐射报警仪化学与材料科学58400-600MHz高场磁共振波谱仪59高灵敏在线光电离飞行时间质谱仪60皮秒单光子发光光谱仪61中性团簇红外光谱装置62交叉分子束-里德堡态氢原子飞行时间谱装置63紫外-可见区激光三联拉曼光谱仪64荧光相关光谱仪65暗场光谱显微镜66场发射枪扫描电子显微镜67深紫外激光光发射电子显微镜68双光子显微镜69多相反应器内非均相混合特性测量系统70多相反应器内非均相流动特性测量系统71高速高精密激光调阻机72大功率红绿蓝单频激光器73大功率中红外激光器74短波连续紫外激光器75TDTR薄膜导热测量仪76有机薄膜太阳能电池/OLED沉积设备77电子束蒸发系统78集束型纳米薄膜生长系统79磁控溅射台80等离子体化学气相沉积镀膜设备81蒸发镀膜设备82磁控溅射卷绕镀膜设备83高能脉冲磁控溅射镀膜机84分子束外延系统85蒸发源及控制器86真空泵、离子泵87系列磁悬浮分子泵88系列脂润滑分子泵89高能衍射仪90超高真空闸板阀91微型流化床反应动力学分析仪92微颗粒实时在线监测仪93单纵模纳秒脉冲光参量振荡器94程序升温脱附系统95流通池荧光检测器96离子阱毒品现场鉴别仪97便携式、台式爆炸物、毒品痕量检测仪98智能化蛋白层析系统99碳化硅晶体生长炉100分子吸附动力学原位测试系统101基于共振光散射的微阵列生物芯片检测系统102多功能内耗仪103源表级多通道气体敏感测试平台信息与工程科学104600mm激光干涉仪105高精度电光晶体定向仪106飞秒脉冲形状宽度测量仪107超级基站108原子层沉积系统109光刻机系列110高密度等离子体刻蚀机111多自由度精密工件台系列112连续波速调管113短相干激光干涉仪114动态干涉仪115短相干激光器116单频种子激光器117高功率固态飞秒激光器118高功率光纤飞秒激光器119半导体泵浦激光放大器120太赫兹量子级联激光器121系列化深紫外全固态激光器122超高精度压力传感器123固体目标微形变探测仪124高温金属液流速实时在线监测仪125绝对式光栅尺126激光跟踪仪127工业全站仪128激光划片机129激光模拟单粒子效应测试系统130微秒脉冲电源131复杂结构构件的超声无损评价系统132超声相控阵检测仪133基于SEM的nano-CT系统134二维真空机械手135LIBS元素成分非接触式快速分析仪136空间环境模拟设备137氟油检漏平台138多维力/力矩传感器139超导纳米线单光子探测系统140机载双频激光雷达141超导磁选机142三维X射线晶圆级封装计量系统143高低温空间环境模拟真空设备144伽玛射线成像仪145高密度激光改性系统146多维跨尺度材料热性能分析仪147皮秒条纹相机148可见与红外光轴平行度检测仪149小型电子束曝光系统150激光闪光光谱仪151自适应光纤耦合装置及扩束系统152高速并行超声信号系统153高压脉冲源154二阶非线性光学测试仪155任意序列发生器156光栅系列157大面积微通道板型光电倍增管158双光子3D打印系统159高通量智能音视频处理一体机160涡轮叶片表面温度测量仪161微型超声换能器162微型电场传感器地球与环境科学163分布式光纤声传感系统164光纤信号采集器165光纤地震计166海底地震仪167电离层光度计168红外云天仪169天空光谱辐照度仪170全天空云图仪171太阳光谱辐射观测设备172太阳辐射计173便携式多组份气体紫外分析仪174大气痕量气体成像差分吸收光谱仪175昼夜大气相干长度仪176大气成分差分光学吸收光谱在线监测系统177陆地-大气界面气体交换通量全自动观测系统178大气臭氧探空仪179二噁英大气采样仪180多粒径大流量空气颗粒物采样器181超声风速温度仪182海洋重力仪183水声试验用拖曳细长线列阵184实时通信潜标1856000m级可视化可控轻型柱状取样器186深海海底理化环境长期观测系统187深海激光拉曼光谱原位定量探测系统188深海多参数剖面观测浮标189深水多通道声学测量系统190深海原位水体采样装置191系列化拉曼光谱探针192水面艇用小型多普勒计程仪193水质监测水面机器人194基于ROV的小型钻机195基于ROV的小型抓斗196ROV温度梯度传感器197地应力测井机器人198原子绝对重力仪199正交偶极子声波测井换能器200地面电磁探测系统201感应式磁场传感器202探地雷达203定容管活塞式油气水多相流量计204超导重力仪205XRF岩石样品自动分析及大型化石表面元素分析仪206航天器表面电位监测器207集成电路激光精准注入分析仪208高精度磁强计209甚低频MEMS地震检波器210水体藻类在线/原位监测仪211生物耗氧量在线分析仪212地下流体分层保真取样仪213基于NB-IoT的集成式土壤墒情智能监测设备214有机-无机复合污染场地土壤多元异位集成洗脱修复设备215便携式土壤呼吸测量系统216便携式微波辐射计217气态亚硝酸在线检测仪218亚硝酸在线分析仪219扫描式岩石磁性测量仪生命与医学科学220超高通量基因测序仪221冷冻显微镜222多波长消色差全内反射显微镜223STED超分辨光学显微镜224三维结构光照明超分辨显微镜225激光扫描共聚焦显微镜226基于介质微球透镜的近场光学超分辨显微镜227TIRF单分子显微镜228小动物能谱显微CT229小动物移动眼动追踪仪230小动物光学和光声断层多模融合分子影像设备231小动物在体自发荧光断层分子影像设备232小动物光学多模融合分子影像成像系统233四维在体光学投影断层成像系统234乳腺/灵长类诊断正电子发射断层成像系统235人体多生理参数检测系统236轻量型锥束CT成像系统237人体肺部气体磁共振成像系统238糖尿病早期无创检测系统239多功能荧光分析仪240高时空分辨的电化学-荧光耦联细胞成像系统241多路激光耦合器242临床单细胞拉曼药敏性快检仪243单细胞拉曼分选-测序耦合系统244单细胞物理/化学特性高通量检测分析仪245单细胞分选仪246细胞三维培养系统247流式细胞仪248数字PCR仪249核磁共振微成像仪250超微量DNA自动提取检测工作站251全自动干细胞诱导培养设备252自适应光学视网膜成像仪253三维实时在体神经功能回路成像系统254毫米波人体成像安全检查设备255膜乳化器系列设备256三重四极杆质谱仪257生物分子界面分析仪258全自动、高分辨率、高通量植物真三维影像分析系统259生物结构真三维形态图像快速获取与定量分析仪260浮游动物原位探测超分辨三维成像系统261离子束生物工程装置262无需麻醉小动物活体发光快速检测系统263基于低频振荡的微点阵阵列/图案化制备仪器系统264黄曲霉毒素荧光检测器265消毒防疫机器人266触角电位测量系统267单粒种子品质智能化无损通量检测分选仪器268硅神经微电极269共聚焦显微内窥镜270微型高频超声换能器271平场复消色差显微物镜272科研型-光镊微操作仪273消色差全内反射荧光照明器274在线OD测量仪275两虫样品预处理仪中国科学院自主研制科学仪器2019序号名称数理与天文科学1GNSS无线电掩星探测仪2热等离子体探测器3深紫外激光光致发光光谱仪4深紫外激光光发射电子显微镜5等离子体分析仪6朗缪尔探针7靶斑仪8星载铷原子钟9星载高能质子（电子）探测器10超高真空低温扫描隧道显微镜11超窄线宽稳频激光系统12卫星高度计有源定标器13天顶仪14星载粒子辐射剂量仪15高重频钛宝石飞秒激光放大器16超导纳米线单光子探测系统17太赫兹超导探测器芯片系列18高温超导接收前端19单频激光噪声测试仪20时间服务器21扫描探针显微镜22量子态控制与读出系统23磁通门磁强计24高重复率距离门控产生器（RGG）25中红外锑化物大功率激光器26复现高超声速飞行条件激波风洞271PW超强超短激光系统2810PW超强超短激光器29中红外可调谐飞秒激光器30全光驱动高能电子束31全光驱动的团簇聚变中子源32高通量激光分子束外延-低温扫描隧道显微镜联合系统33超高真空扫描探针显微镜系统化学与材料科学34深紫外/红外离子化质谱光谱仪35脉冲式电子顺磁共振谱仪36膜乳化器系列设备37400-600MHz高场磁共振波谱仪38分子束外延系统39紫外-可见区激光三联拉曼光谱仪40高能脉冲磁控溅射（HiPIMS）镀膜机41质子转移反应质谱仪42双光子显微镜43在线飞行时间质谱仪44OLED有机薄膜太阳能电池沉积设备45元素分布成像快速检测装置46开放光路面源排放VOCs气体分析仪47傅里叶红外多组分气体分析仪48场发射枪扫描电子显微镜49离子阱颗粒质谱装置50荧光相关光谱仪51碳化硅晶体生长炉52多功能内耗仪53声表面波气相色谱仪54多元素重金属在线分析仪55TVP远心/光纤照相多相测量仪56便携式、台式爆炸物毒品痕量检测仪57高能衍射仪58蒸发源及控制器59燃气分析仪60焚烧烟气二噁英等速采样仪61源表级多通道气体敏感测试平台62ZJ系列准静态d33测量仪63磁控溅射卷绕镀膜设备信息与工程科学64机载双频激光雷达65系列化深紫外全固态激光器66超导磁选机67三维X射线晶圆级封装计量系统68原子层沉积系69多自由度精密工件台系列70高低温空间环境模拟真空设备71伽玛射线成像仪72光刻机系列73高密度激光改性系统74基于SEM的nano-CT系统75高密度等离子体刻蚀机76多维跨尺度材料热性能分析仪77连续波速调管78电子束蒸发系统79磁控溅射台80皮秒条纹相机81涡轮叶片表面温度测量仪82等离子体化学气相沉积镀膜设备83可见与红外光轴平行度检测仪84小型电子束曝光系统85高速数据采集板86激光闪光光谱仪（纳秒瞬态光谱仪）87自适应光纤耦合装置及扩束系统88定容管活塞式油气水多相流量计89高速多参数自动筛选机90高速并行超声信号系统91超声剪切波弹性成像仪器92高压脉冲源93二阶非线性光学测试仪94真空部件95平面激光干涉仪96KBBF-PCD器件97多通道颗粒浓度速度测量仪98任意序列发生器99光栅系列（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）100超声风速温度仪101多维力/力矩传感器102微型超声换能器103感应式磁场传感器104大面积微通道板型光电倍增管105激光功率能量计106双光子3D打印系统107高通量智能音视频处理一体机地球与环境科学108深海海底理化环境长期观测系统109水声试验用拖曳细长线列阵1106000m级可视化可控轻型柱状取样器111深海激光拉曼光谱原位定量探测系统112深海多参数剖面观测浮标113超导重力仪114原子绝对重力仪115地面电磁探测系统116昼夜大气相干长度仪117水质监测水面机器人118陆地-大气界面气体交换通量全自动观测系统119探地雷达120大气成分差分光学吸收光谱（DOAS）在线监测系统121太阳辐射计122基于ROV的小型钻机123海底地震仪124系列化拉曼光谱探针125全天空云图仪126水面艇用小型多普勒计程仪127红外云天仪128ROV温度梯度传感器129基于ROV的小型抓斗130深海原位水体采样装置131二噁英大气采样仪132大气臭氧探空仪133生物耗氧量在线分析仪生命与医学科学134小动物光学多模融合分子影像成像设备1353.0T人体磁共振成像系统136肺部气体磁共振成像系统137乳腺PET/灵长类PET138四维在体光学投影断层成像系统139基于介质微球透镜的近场光学超分辨显微镜140全自动干细胞诱导培养设备141自适应光学视网膜成像仪142STED超分辨光学显微镜143超微量DNA自动提取检测工作站144三维实时在体神经功能回路成像系统145小动物光学和光声断层多模融合分子影像设备146毫米波人体成像安全检查设备147单细胞拉曼分选及测序耦合系统148小动物在体自发荧光断层分子影像仪器设备149临床单细胞拉曼耐药性快检仪150TIRF单分子显微镜151激光扫描共聚焦显微镜152数字PCR仪153糖尿病早期无创检测系统154科研型-光镊微操作仪155流式细胞仪156智能化蛋白层析系统157黄曲霉毒素荧光检测器158人体多生理参数检测系统

近日，光驰半导体技术（上海）有限公司投资建设的原子层镀膜与刻蚀设备项目顺利完成竣工验收。宝山高新区消息显示，原子层镀膜与刻蚀设备项目位于宝山高新区07-17地块，总投资5.48亿元，占地面积50亩，总建筑面积6.44万㎡，其中一期建筑面积约3.8万㎡，涵盖标准厂房、研发办公楼等。项目主要致力新型电子元器件及设备制造，利用全球泛半导体产业链的调整与相关前沿研发的投入与技术整合，实现电子专用设备制造产业化、规模化。光驰半导体技术（上海）有限公司，作为光驰科技（上海）有限公司全资子公司。光驰科技自2000年入驻宝山高新区南部园区。2022年，光驰科技将传统光学与半导体技术融合，于北部园区投资设立光驰半导体，进一步提升制造空间与产能，开辟光学元器件向半导体集成光学转变的新市场。项目预计达产后年产能将达到高精度原子层镀膜机120台和5台刻蚀机。2023年4月10日，光驰半导体技术（上海）有限公司半导体原子层镀膜与刻蚀镀膜项目一期正式封顶。

氩离子抛光技术是对样品表面或者截面进行抛光，得到表面光滑无损伤的样品，能够观察到样品内部真实结构。Gatan公司生产的精密刻蚀镀膜系统——PECS II 685（图1），是集抛光和镀膜于一体的氩离子抛光设备，它采用两个宽束氩离子束对样品表面进行抛光。685可以做普通的抛光方法无法解决的问题：a.氩气的工作氛围，可以有效保护容易氧化或者对水蒸气特别敏感的材料；b.样品台采用液氮制冷方式，可以有效的保护热敏感的样品，避免离子束热损伤；c.685自带的精确到纳米级别的镀膜功能，可以有效解决容易氧化且导电性特别不好材料的SEM/EDS/EBSD等的分析。下面我们通过两个案例来说明为什么氩离子抛光技术在镀膜领域的应用是无可替代的。图1 精密刻蚀镀膜系统PECS II 685 例1：光伏作为我国战略性新型产业，其发展牵动着我国的方方面面。光伏玻璃为目前光伏产业链上电池组件封装环节使用的必须辅助材料之一，整个光伏玻璃的发展与光伏产业的发展密切相关。所谓光伏玻璃是指在超白压延玻璃上镀一层减少反射的材料即减反膜，作用是减少或者消除透镜、棱镜、平面镜等光学表面的反射光，增加这些原件的透光量。因此对减反膜的研究显得尤为重要。图2是观察某公司生产的光伏玻璃上减反膜的厚度。图2（a）显示普通制样无法准确观察到减反膜厚度，而利用精密刻蚀镀膜系统PECS II 685制备的样品不仅可以准确测量膜的厚度还可以观察到其真实形貌：这是一种厚度约180 nm的具有多孔结构的膜，见图2(b)。 图2 普通制样及氩离子抛光制样观察减反膜（a普通制样；b PECS II 685制样）例2：以聚碳酸酯为基底，在上面包覆TiO2/SiO2交替膜共8层，每层膜厚度只有50 nm左右，普通制样根本无法观察到膜结构，更无法观察8层交替膜。我们同样使用PECS II 685进行制样，由于样品不导电且容易被氩离子束打伤，故同时利用PECS II 685的冷台、刻蚀、镀膜功能，在同一真空环境下对样品进行抛光和镀膜，利用蔡司的Sigma 300场发射扫描电镜清晰观察到8层TiO2/SiO2交替膜，见图3。 图3 PECS II 685制备TiO2/SiO2交替膜

详细信息 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 四川省-成都市-武侯区 状态：公告 更新时间： 2022-09-24 招标文件: 附件1 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 2022年09月23日 17:54 公告信息： 采购项目名称 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/其他专用仪器仪表 采购单位 中国科学院光电技术研究所 行政区域 成都市 公告时间 2022年09月23日 17:54 获取招标文件时间 2022年09月23日至2022年10月08日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:30 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 开标时间 2022年10月17日 14:00 开标地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 预算金额 ￥800.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 万女士 项目联系电话 028-86623861转8038 采购单位 中国科学院光电技术研究所 采购单位地址 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 采购单位联系方式 戴老师，028-85100314 代理机构名称 五矿国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 代理机构联系方式 万女士，028-86623861转8038 附件： 附件1 采购需求包2.docx 项目概况 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 招标项目的潜在投标人应在四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室获取招标文件，并于2022年10月17日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：0716-224SCC911581 项目名称：中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 预算金额：800.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：785.0000000 万元（人民币） 采购需求： 序号 设备名称 数量 买方名称 交货地点 交货期 1 分子束外延生长设备 1套 中国科学院光电技术研究所 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 合同签订后12个月内 合同履行期限：合同签订后12个月内 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：1）如果投标人按照合同提供的货物不是投标人自己制造的，投标人应得到：A、货物制造商或货物制造商在中国地区合法授权机构同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），或；B、中国区总代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对中国区总代理的授权书复印件，或；C、项目所在区域代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对项目所在区域代理的授权书复印件，或货物制造商对中国区总代理的授权书复印件及中国区总代理对项目所在区域代理的授权书复印件。2）国内的投标人需提供工商行政管理局认定的企业营业执照副本（复印件）。3）投标人应具备同类分子束外延生长设备在中国境内≥5台的销售业绩，并提供销售合同及验收报告，具备同类分子束外延生长设备在全球≥10台的销售业绩，并提供真实有效的客户清单，如后续验证业绩虚假，取消中标资格。4）投标人应当提供开标日前3个月内由其开立基本账户的银行开具的银行资信证明原件或复印件。5）其它资格证明文件：A.投标人自己具有能接收外币的银行账户，并提供承诺书，同时在承诺书中提供账户账号等信息。B.提供承诺书（详见附件2），承诺投标人、投标产品制造商与招标人不存在影响招标公正性的利害关系；投标人未参与项目前期咨询及招标文件编制工作；投标人与其他投标人单位负责人不为同一人、也不存在控股、管理关系。 三、获取招标文件 时间：2022年09月23日 至 2022年10月08日，每天上午9:00至12:00，下午13:30至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 方式：邮件报名（请将报名资料以扫描件的形式发送至电子邮箱：swtendering@126.com，并在邮件中注明联系方式）。获取招标文件时，投标人为法人或者其他组织的，只需提供单位介绍信、经办人身份证明、标书款付款凭证；投标人为自然人的，只需提供本人身份证明、标书款付款凭证。本项目标书款不收取现金，投标人须将标书款转账至我分公司账户，账户信息如下：公司名称：五矿国际招标有限责任公司四川分公司 账户：中国工商银行北京首都体育馆支行 账号：9558 8502 0000 0601 208。 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 本项目采购产品为进口机电产品，采用国际招标的方式进行采购，公告内容以机电产品招标投标电子交易平台上的内容为准。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院光电技术研究所 地址：中国四川省成都双流西航港光电大道1号 联系方式：戴老师，028-85100314 2.采购代理机构信息 名 称：五矿国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 联系方式：万女士，028-86623861转8038 3.项目联系方式 项目联系人：万女士 电 话： 028-86623861转8038 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：激光脉冲沉积 开标时间：2022-10-17 14:00 预算金额：800.00万元 采购单位：中国科学院光电技术研究所 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：五矿国际招标有限责任公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 四川省-成都市-武侯区 状态：公告 更新时间： 2022-09-24 招标文件: 附件1 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2）公开招标公告 2022年09月23日 17:54 公告信息： 采购项目名称 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/其他专用仪器仪表 采购单位 中国科学院光电技术研究所 行政区域 成都市 公告时间 2022年09月23日 17:54 获取招标文件时间 2022年09月23日至2022年10月08日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:30 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 开标时间 2022年10月17日 14:00 开标地点 四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 预算金额 ￥800.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 万女士 项目联系电话 028-86623861转8038 采购单位 中国科学院光电技术研究所 采购单位地址 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 采购单位联系方式 戴老师，028-85100314 代理机构名称 五矿国际招标有限责任公司 代理机构地址 北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 代理机构联系方式 万女士，028-86623861转8038 附件： 附件1 采购需求包2.docx 项目概况 中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 招标项目的潜在投标人应在四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室获取招标文件，并于2022年10月17日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：0716-224SCC911581 项目名称：中国科学院光电技术研究所2022年度国家重点实验室专项采购项目（第一批）（包2） 预算金额：800.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：785.0000000 万元（人民币） 采购需求： 序号 设备名称 数量 买方名称 交货地点 交货期 1 分子束外延生长设备 1套 中国科学院光电技术研究所 中国四川省成都双流西航港光电大道1号 合同签订后12个月内 合同履行期限：合同签订后12个月内 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：1）如果投标人按照合同提供的货物不是投标人自己制造的，投标人应得到：A、货物制造商或货物制造商在中国地区合法授权机构同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），或；B、中国区总代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对中国区总代理的授权书复印件，或；C、项目所在区域代理同意其在本次投标中提供该货物的正式授权书原件（格式见《招标文件》第一册格式Ⅳ-9-4），同时还须提供货物制造商对项目所在区域代理的授权书复印件，或货物制造商对中国区总代理的授权书复印件及中国区总代理对项目所在区域代理的授权书复印件。2）国内的投标人需提供工商行政管理局认定的企业营业执照副本（复印件）。3）投标人应具备同类分子束外延生长设备在中国境内≥5台的销售业绩，并提供销售合同及验收报告，具备同类分子束外延生长设备在全球≥10台的销售业绩，并提供真实有效的客户清单，如后续验证业绩虚假，取消中标资格。4）投标人应当提供开标日前3个月内由其开立基本账户的银行开具的银行资信证明原件或复印件。5）其它资格证明文件：A.投标人自己具有能接收外币的银行账户，并提供承诺书，同时在承诺书中提供账户账号等信息。B.提供承诺书（详见附件2），承诺投标人、投标产品制造商与招标人不存在影响招标公正性的利害关系；投标人未参与项目前期咨询及招标文件编制工作；投标人与其他投标人单位负责人不为同一人、也不存在控股、管理关系。 三、获取招标文件 时间：2022年09月23日 至 2022年10月08日，每天上午9:00至12:00，下午13:30至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 方式：邮件报名（请将报名资料以扫描件的形式发送至电子邮箱：swtendering@126.com，并在邮件中注明联系方式）。获取招标文件时，投标人为法人或者其他组织的，只需提供单位介绍信、经办人身份证明、标书款付款凭证；投标人为自然人的，只需提供本人身份证明、标书款付款凭证。本项目标书款不收取现金，投标人须将标书款转账至我分公司账户，账户信息如下：公司名称：五矿国际招标有限责任公司四川分公司 账户：中国工商银行北京首都体育馆支行 账号：9558 8502 0000 0601 208。 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年10月17日 14点00分（北京时间） 地点：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 本项目采购产品为进口机电产品，采用国际招标的方式进行采购，公告内容以机电产品招标投标电子交易平台上的内容为准。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中国科学院光电技术研究所 地址：中国四川省成都双流西航港光电大道1号 联系方式：戴老师，028-85100314 2.采购代理机构信息 名 称：五矿国际招标有限责任公司 地 址：北京市海淀区三里河路5号五矿大厦D座二层，四川分公司地址：四川省成都市武侯区武侯大道顺江段77号汇点广场（武侯吾悦广场）3号楼13楼1319-1328室 联系方式：万女士，028-86623861转8038 3.项目联系方式 项目联系人：万女士 电 话： 028-86623861转8038

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗以及化合物半导体，如砷化镓等 也可以通过掺杂硼、磷、锢和锑制成其它化合物半导体。其中硅是最常用的一种半导体材料。　　半导体广泛应用于集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域。半导体领域的科技竞争对于世界各国而言都具有重要的战略意义。仪器信息网特对半导体领域国家重点实验室仪器配置情况进行盘点。　　半导体领域国家重点实验室有哪些?半导体领域国家重点实验室半导体国家重点实验室依托单位实验室主任半导体照明联合创新国家重点实验室半导体照明产业技术创新战略联盟李晋闽半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所王开友高功率半导体激光国家级重点实验室长春理工大学马晓辉电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学李言荣专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学严晓浪集成光电子学国家重点实验室清华大学、吉林大学、中国科学院半导体研究所罗毅硅材料国家重点实验室浙江大学钱国栋　　半导体照明联合创新国家重点实验室　　为培育战略性新兴产业，整合业内技术、人才、信息等资源，实现投入少、回报高、见效快的技术创新模式，提升我国半导体照明产业自主创新能力和速度，在科技部、财政部等六部门联合发布的《关于推动产业技术创新战略联盟构建的指导意见》指导下，根据科技部要求试点联盟积极探索整合资源，构建产业技术创新平台的精神，在基础司和政策法规司的共同推动下，于2012年1月正式批复依托半导体照明产业技术创新战略联盟建设半导体照明联合创新国家重点实验室。　　这是我国第一个依托联盟建立的国家重点实验室，是一个体制机制完全创新的公共研发平台，始终坚持以产业价值为核心价值的理念，以产业技术创新需求为基础，以完善技术创新链为目标，企业以项目资金投入，科研机构、大学和其他社会组织以研发人员和设备的使用权投入，充分利用和整合现有资源，探索形成多种形式的政产学研用协同创新模式，推动建立基础研究、应用研究、成果转化和产业化、先进技术标准研制紧密结合、协调发展机制探索持续性投入机制，逐步形成可持续发展的开放的、国际化的非营利研究实体，成为半导体照明的技术创新中心、人才培养中心、标准研制中心和产业化辐射中心。2013年1月实验室在荷兰设立其海外研发实体机构—“半导体照明联合创新国家重点实验室代尔夫特研究中心”，成为中国首个在海外建立分中心的国家重点实验室。半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置清单半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置五分类血液分析仪制备液相全自动生化分析仪激光共聚焦显微镜液相色谱/三重串联四极杆质谱联用系统分析液相圆二色谱仪LED照明灯具全部光通量在线加速测试设备部分光通量加速寿命在线测试评估系统高温试验箱LFC(LightFluxColor)光度色度测试系统半导体分立器件测试仪微波式打胶机化学清洗工作台感应耦合等离子刻蚀机ICP电子束蒸发台(金属)电子束蒸发台(ITO)电镀台快速合金炉石墨烯生长系统台阶仪激光晶圆划片设备裂片机激光剥离机键合机水平减薄机单面研磨机数控点胶机喷射式点胶机光学镀膜系统超声波金丝球压焊机LED全光功率测试系统LED自动分选机热特性测试设备半导体参数测试仪低温强磁场物性测试系统(EMMS)LED光电综合测试系统LED抗静电测试仪激光纳米粒度及Zeta电位测试仪LED照明产品光电热综合测试高频小信号测试系统紫外LED光谱功率测试系统手动共晶焊贴片机荧光光谱仪(PI)高速自动固晶机自动扩膜机全自动晶圆植球机倒装机高精度快速光谱辐射计近紫外-可见-红外光谱测试系统热电性能分析仪氢化物气相外延荧光光谱仪(PL)X射线衍射仪(XRD)扫描电子显微镜(SEM)手动共晶焊贴片机(UDB-141)激光晶圆划片设备电子束蒸发台(金属)等离子体增强化学气相沉积PECVD光刻机MOCVD数据定时脉冲发生器频谱分析仪光源光色电综合测试系统超声波扫描显微镜漏电流测试仪智能数字式灯头扭矩仪逻辑分析仪　　半导体超晶格国家重点实验室　　半导体超晶格国家重点实验室于1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建，1990年开始对外开放，1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为王开友研究员。实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。　　实验室以研究和探索半导体体系中的新现象和新效应为主要目标，通过对固体半导体中的电子、自旋和光子的调控，探索其在电子/自旋量子信息技术、光电子及光子器件中的潜在应用，从最基础的层面上提升我国电子、光电子、光子信息技术的创新能力，提升我国在半导体研究领域的国际竞争力。实验室先后有5位成长为中国科学院院士、12位成长为国家杰出青年基金获得者。为我国半导体科学技术的跨跃式发展做出重要贡献。　　实验室现有人员中包括研究员26人、高级工程师1人和管理人员1人，其中4位中国科学院院士、9位国家杰出青年基金获得者、3位优秀青年科学基金获得者、1位北京杰出青年基金获得者。　　自成立以来，实验室承担了近百个科技部、基金委和科学院的重大和重点项目，取得了可喜的科研成果，获得国家自然科学奖二等奖5项 黄昆先生获得2001年度国家最高科学技术奖。2004年半导体超晶格国家重点实验室被授予国家重点实验室计划先进集体称号。实验室具有良好的科研氛围、科研设备和环境条件，拥有雄厚的科研积累和奋发向上的科研团队，并多次获得国家自然基金委员会的创新研究群体科学基金。　　实验室每年可接收40名硕士、博士研究生和博士后。现有研究生和博士后100余人。　　*半导体超晶格国家重点实验室仪器配置情况未公布　　高功率半导体激光国家级重点实验室　　高功率半导体激光国家重点实验室成立于1997年，由原国防科工委和原兵器工业总公司投资建设，经过二十年的发展建设，实验室已经成为我国光电子领域的重要研究基地和人才培养基地之一。现有科研、办公面积3800平方米，超净实验室面积为1500平方米 生产开发平台面积为600平方米，其中超净实验室面积为200平方米。　　现有博士学位授权一级学科2个、硕士学位授权一级学科2个、国防特色学科1个、博士后科研流动站1个。实验室有研究人员36人，其中双聘院士1人、教授9人、副教授10人，博士生导师10人，科技部重点研发计划总体专家1人，国家奖评审专家1人，国防科学技术奖评审专家1人，吉林省长白山学者1人。实验室现有MBE、MOCVD等先进的半导体材料外延生长设备，SEM、XRD、PL等完善的材料分析检测手段，电子束蒸发、磁控溅射、芯片解理、贴片、激光焊接、平行封焊、综合测试等工艺设备，设备资产1.2亿元，为光电子领域的相关研究提供了一流的条件支撑。　　在半导体激光研究方向上，高功率半导体激光国家重点实验室代表着国家水平，研制的半导体激光器单管输出功率大于10瓦、光纤耦合模块大于100瓦、以及高频调制、脉冲输出等半导体激光器组件，技术处于国内领先水平 在基础研究领域，深入开展了GaSb材料的外延生长理论及技术研究，研究成果达到国际先进水平 在半导体激光应用基础技术研究领域，坚持以满足武器装备应用为目标，研制的驾束制导半导体激光发射器成功用于我军现役主战坦克武器系统，实现了驾束制导领域跨越式发展 研制的激光敏感器组件已经用于空军某型号末敏子弹药中，并将在多个武器平台上推广应用。近年来，实验室在国内外重要学术刊物上发表论文600余篇，出版专著7部，获国家、省部级奖励40余项，申请发明专利50余项，鉴定成果40余项，对我国的国防武器装备发展作出了重要贡献。高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置清单高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置感应耦合等离子体刻蚀扫描电子显微镜光刻机磁控溅射镀膜机等离子体增强化学气相沉积系统X射线双晶衍射仪光刻机快速图谱仪电化学C-V分布测试仪,PN4300,英国伯乐光荧光谱仪特种光纤熔接机丹顿电子束镀膜机SVT超高真空解理机光谱分析仪莱宝电子束镀膜机半导体激光器芯片贴片机金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）磁控溅射台　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室是以教育部新型传感器重点实验室、信息产业部电子信息材料重点实验室和功率半导体技术重点实验室为基础于2006年7月建立的。　　目前，实验室紧密围绕国家IT领域的战略目标，立足于电子信息材料与器件的发展前沿，坚持需求与发展并举、理论与实践并重，致力于新型电子薄膜材料与集成电子器件的研究和开发，促进材料—器件—微电子技术的交叉和集成。　　实验室现有研究人员80人，管理人员6人，技术人员3人 客座研究人员18人。在固定研究人员中已形成以陈星弼院士为带头人的一支以45岁左右为核心、35岁左右为主力的骨干研究队伍。队伍中包括了中国科学院院士1人，中国工程院院士1人，国家自然基金委创新团队2个，国防科技创新团队1人，教育部创新团队2人，博导58人。实验室拥有1个国家重点学科、5个博士点以及5个硕士点，已具备每年250名左右硕士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培养规模。　　实验室覆盖了微电子学与固体电子学、电子材料与元器件、材料科学与工程、材料物理化学、材料学5个博士点学科，拥有电子科学与技术、材料科学与工程2个博士后流动站，其中微电子学与固体电子学为国家重点学科。实验室面积近4000m2，拥有仪器设备500余套，价值8000余万人民币。已初步建成具有国际水平的“材料与器件制造工艺平台”、“微细加工平台”、“电磁性能测试与微结构表征平台”和“集成电路设计平台”，具备承担国家重大基础研究项目的能力。　　近5年，实验室科研工作硕果累累。目前，实验室共承担包括国家自然基金、973、863等各类项目在内的民口纵向项目和校企合作项目等科技项目共约200余项，总经费达2亿元，其中，2009年的科研经费超过7000万元。科研成果获国家级奖励7项，省部级奖24项，市级奖5项，申请发明专利150余项，获得包括美国发明专利在内的专利授权40余项，发表学术论文1000余篇，出版学术专著和教材7部。取得了包括“新耐压层与全兼容功率器件”等一系列标志性成果。实验室坚持面向社会，服务社会，致力于科研成果的推广和应用，“半导体陶瓷电容器”、“功率铁氧体及宽频双性复合材料”、“集成电路系列产品”等科研成果的成功转化，企业取得4亿多元的直接经济效益及良好的社会效益。　　*电子薄膜与集成器件国家重点实验室仪器配置情况未公布　　专用集成电路与系统国家重点实验室　　专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学)于1989年经国家计委批准建设，1995年9月正式通过国家验收。实验室依托复旦大学国家重点一级学科“电子科学与技术”，以及“微电子学与固体电子学”与“电路与系统”两个国家重点二级学科。　　实验室面向集成电路国际主流的学术前沿问题和国家集成电路产业发展的重大需求，聚焦高能效系统芯片及其核心IP设计，开展数字、射频与数模混合信号集成电路设计创新研究，同时进行新器件新工艺和纳米尺度集成电路设计方法学的研究。形成国际领先并满足国家战略需求的标志性创新成果，使实验室成为我国在集成电路设计方向上科学研究、技术创新与高层次人才培养具有国际重要影响力的基地，为我国集成电路产业尤其是集成电路设计产业的跨越式发展做出重大贡献。　　瞄准国际集成电路发展前沿，面向国家重大需求，面向国民经济主战场，紧紧围绕主要研究方向，实验室承担了大量国家863计划、973计划、国家科技重大专项、国家自然科学基金、国防预研项目、省部级项目以及各类国际合作项目，在国际重要刊物和国际会议上发表大量高质量学术论文，获得多项授权发明专利，荣获多项国家级二等奖、省部级一等奖、二等奖等奖项。　　实验室现有固定人员68人，其中，教授(研究员)43人，包括中国工程院院士1人，国家千人计划入选者5人，国家青年千人2人，国家杰出基金获得者4人，长江学者特聘教授2人、IEEEFellow1人。在实验室现有固定人员中，有多名国家和部委聘任的科技专家，包括1名国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项专家，2名国家“极大规模集成电路装备和成套工艺”科技重大专项专家，4名科技术“863”计划专家库专家。按照“创新团队+优秀研究小组”的建设思路，打造了实验室年轻化、团队化、国际化的研究队伍。　　实验室拥有器件与工艺子平台环境和集成电路设计环境。器件与工艺子平台现有千级净化面积约600平方米，百级净化面积100平方米，配备了价值近1亿元的设备，具有开展先进纳米CMOS器件和工艺的研发能力。集成电路设计环境已可提供Cadence、MentorGraphics、Synopsys、Altera、Xilinx等著名国际公司软件环境，提供相应的标准化仿真模型，支持教学、科研、产品设计与制造。实验室平台本着“集中、共享、升级、开放”的原则为实验室的科学研究服务。　　实验室积极开展多渠道学术交流，承办ICSICT、ASICON等多个重要国际会议，参加学术会议并做特邀报告，积极开展国际科技合作和交流。依托“重点实验室高级访问学者基金”和设立开放课题，吸引国内外高水平研究人员来实验室开展合作研究，加强了实验室研究的前瞻性和国际化程度。专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置清单专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置热阻蒸发镀膜设备化学气相沉积系统全自动探针台存储器参数测试系统半导体存储器参数测试仪扫描探针显微镜手动探针台电学测试系统台阶分析仪芯片测试系统柔性四件组装加工手套箱大面积柔性三维光刻柔性电子制造设备亚微米级贴片设备无线和微波频段测试系统激光键合设备台式扫描式电子显微镜柔性四件电化学加工测试平台高性能频谱分析仪高性能频谱分析仪等离子刻蚀系统实验室电路板快速系统（激光机）射频探针台原位纳米力学测试系统超低温手动探针台智能型傅立叶红外光谱分析仪显微喇曼/荧光光谱仪数字电视芯片测试系统气相沉积系统薄膜沉积系统化学气相沉积系统超高真空激光分子束系统原子层淀积系统矢量网络分析仪微波退火设备准分子气体激光器高精密电学测试探针台纳米热分析系统信号源分析仪频谱分析仪X射线衍射仪矢量网络分析仪矢量信号源实时示波器椭圆偏振光谱仪硬件加速仿真验证仪频谱分析仪矢量信号发生器矢量信号分析仪铜互连超薄籽晶层集成溅射和测试系统半导体晶片探针台互连铜导线成分分析仪化学气相沉积系统低介电常数介质电容（K值）测试设备微细加工ICP刻蚀机快速热退火系统探针测试台半导体参数分析仪白光干涉仪桌上型化学机械抛光设备纳米压印设备原子层淀积系统高精度探针台探针测试台纳米器件溅射仪存储薄膜溅射仪原子层化学气相沉淀系等离子反应离子刻蚀机物理气相淀积系统等离子体增强介质薄膜化学机械抛光系统铜电镀系统　　集成光电子学国家重点实验室　　集成光电子学国家重点实验室成立于1987年，1991年正式对外开放。现由吉林大学和中国科学院半导体研究所两个实验区联合组成。在1994年、2004年国家重点实验室建立十周年以及二十周年总结表彰大会上，被评为“国家重点实验室先进集体“，并获“金牛奖”。在2002年、2007年、2012年信息领域国家重点实验室评估中，连续三次被评为“优秀实验室”，2017年被评为“良好实验室”。　　研究方向包括有机光电器件、宽禁带半导体材料与器件、超快光电子、纳米光电子、能源光电技术五个研究方向。实验室重点研究基于半导体光电子材料、有机光电子材料、微纳光电子材料的各种新型光电子器件以及光子集成器件和芯片，研究上述器件及芯片在光纤通信系统与网络、信息处理与显示中的应用技术。研究内容为：半导体光电子材料(包括低维量子结构材料)、有机光电子材料、微纳光电子材料 新型光电子器件物理(包括器件结构设计与模拟) 基于上述材料的光电子集成器件的制作工艺及其功能芯片集成技术 光电子器件及芯片在光通信、光互连、光显示、光电传感方面应用技术研究。　　*集成光电子学国家重点实验室仪器配置情况未公布　　浙江大学硅材料国家重点实验室　　1985年，在浙江大学半导体材料研究所的基础上，由原国家计委批准建设硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)，88年正式对外开放。是国内最早建立的国家重点实验室之一。以重点实验室为依托的浙江大学材料物理与化学学科(原半导体材料学科)一直是全国重点学科，1978年获批国内首批硕士点(半导体材料)，1985年获批国内第一个半导体材料工学博士点。　　从上世纪50年代开始，浙江大学在硅烷法制备多晶硅提纯技术、掺氮直拉硅单晶生长技术基础研究等取得系列重大成果，在国际上占有独特的地位 同时，实验室一直坚持“产、学、研”紧密结合，培育出浙江金瑞泓科技股份有限公司等国内硅材料的龙头企业，取得显著经济效益。自上世纪90年代以来，实验室研究方向不断拓宽。目前，实验室以硅为核心的半导体材料为重点，包括半导体硅材料、半导体薄膜材料、复合半导体材料以及微纳结构与材料物理等研究方向。　　2013年至2017年期间，实验室共获得国家自然科学二等奖2项，国家技术发明二等奖2项，浙江省科学技术(发明)一等奖5项，技术发明一等奖1项。江西、湖北省科学技术进步(技术发明)一等奖各1项(合作)，教育部自然科学二等奖1项，浙江省科学技术进步二等奖2项。发表SCI检索论文1996篇，获得授权国家发明专利492项，国际专利5项。已成为国家在本领域的科学研究、人才培养和国际交流的主要基地之一。　　浙江大学硅材料国家重点实验室仪器配置清单　　硅材料国家重点实验室仪器配置扫描探针显微镜周期式脉冲电场激活烧结系统振动样品磁强计针尖增强半导体材料光谱测试系统低维硅材料的原位扫描隧道显微分析系统热常数分析仪超高温井式冷壁气密罐式炉系统角分辨X射线光电子能谱仪原子力显微镜热台偏光显微系统近场光学显微镜光度式椭圆偏振光谱仪高真空热压烧结炉等离子体增强化学气相沉积法磁控溅射镀膜系统深能级瞬态谱仪傅里叶红外光谱仪微波光电导衰减寿命测试仪变温高磁场测试系统同步热分析仪铸造炉扫描电子显微镜高分辨透射电子显微镜　　　除了上述国家重点实验室，还有新型功率半导体国家实验室以及光伏技术国家重点实验室等企业国家重点实验室。　　此外，还有中科院半导体材料科学重点实验室、宽带隙半导体技术国家重点学科实验室、光电材料与技术国家重点实验室、发光材料与器件国家重点实验室、发光学及应用国家重点实验室等半导体领域相关的实验室等。中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置清单中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置1.量子点、量子级联工艺线分子束外延生长系统（MBE）掩膜对准曝光机表面轮廓测量系统双腔室PECVD/电子束蒸发镀膜真空蒸发台等离子体去胶机精密研磨抛光系统快速热处理设备高分辨光学显微镜清洁处理湿法腐蚀金丝球焊机高精度粘片机傅立叶变换远红外光谱仪拉曼光谱仪原子力显微镜数字源表（吉时利2601）电化学CV测试系统2.PIC工艺线仪器设备MOCVDICPPECVD光刻机蒸发台磁控溅射反应离子刻蚀设备台式扫描电子显微镜Maping微区荧光光谱仪X射线双晶衍射高分辨XRD测试系统解理烧结机镀铟管芯测试设备激光加工机PIC测试:探针座+探针变温测试频谱仪矢量网络分析测试自相关仪脉冲宽度测试FROG激光线宽测试Rin测试远场测试PIV测试传输损耗测量光纤光谱仪3.GaN基微电子器件工艺线MOCVD设备变温霍尔测试系统非接触方块电阻测试系统台阶仪表面平整度测试系统光学显微镜高分辨XRD测试系统光电效率测试系统高温恒温箱快速退火炉磁控溅射PECVDICP光刻系统4.材料生长与制备工艺线磁控溅射离子束溅射CVD系统旋涂机、热板、快速退火碳化硅外延设备原子层沉积分子束外延低压液氮灌装石墨烯外延炉分子束外延设备CBE快速热退火炉退火炉MOCVDHVPE快速退火炉真空烘烤MBEMP-CVD阻蒸电子束蒸发联合镀膜机箱式退火炉低维材料生长、器件制备平台分子束外延设备MBE5.材料测试与表征原子力显微镜傅里叶红外光谱量子效率测试电池I-V测试霍尔测试仪探针台四探针测试仪光栅光谱仪变温测试台半导体参数测试仪3000V、500A深能级缺陷测量系统霍尔测试深紫外光致发光光谱阴极荧光光谱近紫外－可见－近红外光致发光光谱变温霍尔半导体发光器件测试紫外可见分光光度计荧光光谱仪太阳能电池I-V测试系统电化学工作站四探针测试台偏振调制光谱测试系统(陈涌海)微区RDS测试系统光电流测试系统红外光栅光谱仪（0.8-5μm）激光参数测试系统傅立叶变换红外光谱仪傅立叶变换中红外光谱仪宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置清单宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置晶片生长系统MOCVD非接触迁移率测量系统霍尔效应测试系统非接触式方块电阻测试仪微波等离子化学气相沉积系统半导体器件分析仪光谱椭偏仪镜像显微镜.金属镀膜系统高分辨X射线衍射仪拉曼光谱仪脉冲激光沉淀系统电子束蒸发台磁控溅射镀膜机高速电子束蒸发台LED显微镜台阶仪快速热退火炉等离子去胶机高温快速退火炉反应离子刻蚀等离子增强原子层沉淀系统等离子增强化学气相淀积感应耦合等离子体刻蚀机研磨抛光机高低温烘胶机光刻机接触式紫外光刻机电子束直写光刻机探针台半导体参数测试仪微波测试探针台DRTS测试仪扫描式电子显微镜微波大功率晶体管老化系统微波功率测试系统分子束外延设备　　综合来看，光刻机、化学气相沉积设备、电镜（尤其是扫描电镜和原子力显微镜）、X射线衍射、磁控溅射仪、半导体参数测试仪、能谱仪、探针测试台、刻蚀设备、光谱测试设备、蒸发镀膜设备、椭偏仪、分子束外延设备等仪器配置频率较高。　　信息统计来源于各国家重点实验室官网，部分实验室罗列仪器设备较全，部分实验室仅罗列了最主要或特色的仪器设备，因此结果仅供参考。另外其中有些仪器类型可能存在并列或包含关系，并未进行详细区分。

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（以下简称“苏州纳米所”）近日在中国政府采购网上发布2022年仪器采购意向，总采购预算高达8253万元，拟采购仪器品类包括HF/XeF2气相刻蚀设备、MBE-原位生长动力学研究设备、常压金属有机物化学气相沉积设备、超高真空管道、磁控溅射设备、低温强磁场综合物性测试设备、电子束蒸发台、多源有机蒸发镀膜设备、镜面反射吸收红外-程序升温脱附设备（原位红外吸收光谱）、镜面反射吸收红外-程序升温脱附设备（原位红外吸收光谱）-真空腔体、临时键合解键合机、脉冲激光沉积设备、湿氧氧化炉、原位Mask器件级图案化分子束外延设备、原位扫描电子显微镜、原位扫描电子显微镜-真空腔体、真空解离与钝化设备、准原位光谱系统。预计采购时间在2022年6月、10月和12月。其中12月采购仪器最多，拟采购15台（套）仪器；而6月和10月将分别采购2台（套）仪器和1台（套）仪器。从仪器采购需求上看，多数拟采购仪器应用于半导体研究领域。苏州纳米所由中国科学院与江苏省人民政府、苏州市人民政府和苏州工业园区于2006年共同创建，定位于纳米技术的应用基础研究和产业化，前瞻布局了电子信息、纳米材料、生物医学等重点研究领域，建设了纳米真空互联实验站、纳米加工平台、测试分析平台、生化平台4个集科研攻关与公共服务于一体的公共技术平台；密切围绕重点攻关领域，产出了一批原创性科技成果，自主研发了一系列仪器设备，形成了具有自身特点的科研体系。中科院苏州纳米所2022年仪器采购意向序号采购项目名称采购品目采购需求概况（点击查看）预算金额(万元)预计采购日期1临时键合解键合机A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情4502022年6月2湿氧氧化炉A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情4502022年6月3电子束蒸发台A02100499-其他分析仪器详见项目详情1902022年10月4常压金属有机物化学气相沉积设备A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情13742022年12月5磁控溅射设备A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情7322022年12月6真空解离与钝化A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情555.362022年12月7原位Mask器件级图案化分子束外延设备A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情8972022年12月8低温强磁场综合物性测试设备A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情4402022年12月9HF/XeF2气相刻蚀设备A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情2002022年12月10脉冲激光沉积设备A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情312.392022年12月11原位扫描电子显微镜A02100399-其他光学仪器详见项目详情2802022年12月12原位扫描电子显微镜-真空腔体A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情1802022年12月13镜面反射吸收红外-程序升温脱附设备（原位红外吸收光谱）A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情2502022年12月14镜面反射吸收红外-程序升温脱附设备（原位红外吸收光谱）-真空腔体A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情235.942022年12月15多源有机蒸发镀膜设备A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情3152022年12月16准原位光谱系统A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情3412022年12月17MBE-原位生长动力学研究设备A032199-其他电工、电子专用生产设备详见项目详情6002022年12月18超高真空管道A02052401-真空获得设备详见项目详情4502022年12月

近日，科学仪器行业迎来了前所未有的利好消息。 2022年9月13日，国务院常务会议决定对部分领域设备更新改造贷款阶段性财政贴息和加大社会服务业信贷支持，政策面向高校、职业院校、医院、中小微企业等九大领域的设备购置和更新改造。贷款总体规模预估为1.7万亿元。 2022年9月28日，财政部、发改委、人民银行、审计署、银保监会五部门联合下发《关于加快部分领域设备更新改造贷款财政贴息工作的通知》（财金〔2022〕99号），对2022年12月31日前新增的10个领域设备更新改造贷款贴息2.5个百分点，期限2年，额度2000亿元以上。因此今年第四季度内更新改造设备的贷款主体实际贷款成本不高于0.7% （加上此前中央财政贴息2.5个百分点）。这两大重磅政策提供极低利息的贷款给消费端提前进行设备购置和更新改造，推动我国仪器市场迎来新一波仪器采购大潮。 仪器信息网注意到，近日，山东大学连续发布多则2022年10-12月政府采购意向，欲采购7亿元仪器设备，涉及原子力显微镜、气质联用仪、分子束外延(MBE)、椭偏仪等。山东大学2022年10-12月仪器设备采购意向汇总表序号采购项目名称采购需求概况预算金额（万元）预计采购日期1机架式服务器详情链接71611月2山东大学研究生管理信息系统详情链接45012月3冷冻电镜高性能计算集群详情链接150011月4环境扫描电子显微镜详情链接40011月5冷冻超薄切片机详情链接36011月6高压冷冻仪详情链接26011月7存储设备详情链接19611月8超高速多工艺激光振镜加工实验平台详情链接98511月9高温摩擦磨损试验机详情链接17011月10X射线残余应力分析仪详情链接30010月11中心校区公共教室多媒体更换购置详情链接45511月12千佛山校区公共教室多媒体更换购置详情链接30611月13教学通用设备购置项目详情链接29711月14公共区域LED大屏幕更换项目详情链接21011月15公共教室时钟、打铃器安装项目详情链接19811月16山东大学网络安全等级保护及网络安全服务详情链接15011月17200KV冷冻透射电镜详情链接375011月18高介电材料低温沉积系统详情链接13012月19超临界流体色谱质谱联用系统详情链接33011月20激光扫描共聚焦显微镜详情链接19512月21超临界分子包埋系统详情链接19011月22超临界微球制备仪详情链接16511月23表面共振显微镜详情链接40011月24在线颗粒分析系统详情链接18011月25在线拉曼光谱详情链接18011月26单细胞荧光扫描显微镜详情链接12012月27原子力显微镜详情链接39011月28生物分子包埋系统详情链接16511月29基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱仪详情链接42011月30傅里叶变换离子回旋共振质谱仪详情链接256511月31小型在线反应结晶系统详情链接18011月32微流场测试系统详情链接19012月33中试结晶系统详情链接14411月34科研级消除光散射型荧光光谱仪详情链接23011月35显微高速摄像系统详情链接19012月36中试型模拟移动床连续色谱详情链接48011月37中试刮板式薄膜蒸发浓缩系统详情链接10811月38发酵罐详情链接70011月39平行发酵罐详情链接117011月40微型生物反应器详情链接64011月41全自动多肽平行合成系统详情链接18011月42电感耦合等离子体发射光谱仪详情链接11011月43电喷雾化学电离飞行时间质谱仪详情链接55011月44全自动生长曲线仪详情链接12011月45高通量分子相互作用分析仪详情链接39011月46高分辨液质联用系统详情链接105011月47串联飞行时间质谱成像系统详情链接95011月48高分辨气质联用仪详情链接56011月49全自动生长曲线分析仪详情链接10511月50落地高速离心机详情链接11011月51超高效液相色谱质谱联用仪详情链接33011月52活体成像系统详情链接48011月53超高速离心机详情链接11511月54在线取样分析系统详情链接12011月55气质联用仪详情链接19011月56原子力显微镜详情链接35011月57FRET显微镜测定分析系统详情链接15511月58400M核磁共振波谱仪详情链接39011月59活体细胞/组织非损伤微测系统详情链接24111月60生物反应器详情链接19011月61全自动在线取样器详情链接17011月62大功率X-射线衍射仪详情链接28011月63分子束外延(MBE)详情链接18011月64山东大学多维态势感知系统详情链接38511月65X射线光电子能谱测试系统详情链接75011月66晶体电光特性测试系统详情链接28011月67紫外-中红外稳态和瞬态荧光光谱仪详情链接42011月68单点金刚石抛光车床详情链接19511月69高分辨多模态近场纳米光学原子力成像系统详情链接33012月70导热仪详情链接15011月71红外晶体消光比测试平台详情链接15012月72高温压力传感器测试校准系统详情链接18512月73LEIPS低能反光电子能谱仪详情链接50012月74高精度激光耦合柔性单晶光纤连续生长系统详情链接23011月75磁学测量系统详情链接75011月76动态热机械分析仪详情链接12011月77受激发射光诱导损耗成像系统详情链接49011月78人体生理实验系统详情链接15011月79集成光学测量系统详情链接18511月80原位3D折射率成像及激光纳米加工系统详情链接63012月81多波长激光系统详情链接12012月82波导芯片耦合测试系统详情链接25012月83泵浦探测中红外超快光谱系统详情链接96012月84高通量X射线原位成像散射仪详情链接113012月85团簇刻蚀二次离子质谱仪详情链接90012月86低维半导体芯片抗辐照损伤测试器详情链接99012月87高精度超导量子干涉仪详情链接120012月88脉冲激光沉积系统(含准分子激光器)详情链接65010月89分子束外延系统详情链接50010月90磁控溅射镀膜系统详情链接10010月91椭偏仪详情链接25010月92超高真空腔体系统详情链接47011月93电子能量分析器详情链接43011月94极低温强磁场超快近场自旋探测系统详情链接240011月95超高质量大面积磁性隧道结溅射仪详情链接430011月96原位分子束外延输运测量系统详情链接65011月97原位扫描探针系统详情链接75011月98液氦循环回收系统详情链接15011月99NV色心超分辨量子磁学与偏振光学显微系统详情链接65012月100离子镀膜设备详情链接55011月101脉冲电弧涂层设备详情链接28011月102水下工程型机器人及探测平台详情链接35012月103通用模块化智能机器人平台详情链接19012月104数控机床空间精度测量平台详情链接19012月105伺服振动加载检测仪详情链接20012月106声学测试系统详情链接23012月107微观三维流场测量系统详情链接18011月108超声扫描显微镜详情链接18011月109成形增材复合制造设备详情链接48012月110微纳尺度3D打印设备详情链接27012月111动力电池动态性能测试与表征系统详情链接26011月112立/卧式加工中心详情链接30011月113万能高速精密加工机床详情链接23011月114高精度复合式三坐标测量机详情链接82011月115微纳米金属成型设备详情链接10011月116电子束光刻机详情链接50011月117大型重载装备传动系统全寿命监测设备详情链接36011月118离子束刻蚀系统详情链接50011月119薄膜沉积与检测系统详情链接60011月120800M核磁共振谱仪详情链接230011月121600兆超导核磁共振波谱仪（超低温探头）详情链接130011月122高分辨离子淌度质谱仪详情链接120012月123大口径超光滑平行光管详情链接18511月124N型高纯锗探测器详情链接19211月125ICCD光栅光谱仪详情链接16511月126场发射电子探针显微分析仪详情链接77011月127光谱波长测量装置详情链接12011月128BGO反康探测器详情链接16811月129傅立叶变换显微红外光谱仪详情链接31012月130稳态瞬态荧光光谱仪详情链接48611月131近红外圆偏振手性光谱联用仪详情链接50011月132全功能扫描光电化学显微镜详情链接26511月133多模态脑成像系统详情链接11011月134全自动低温存储系统详情链接280011月135光片显微成像系统详情链接58011月136细胞原位分子互作动态分析系统详情链接43011月137自动化细胞培养和药物筛选工作站详情链接40011月138液相色谱串联质谱检测系统详情链接30011月139高性能数据存储系统详情链接26011月140单细胞测序建库仪详情链接19011月141自动活细胞成像系统详情链接18011月142全自动染色体滴片仪详情链接15011月143微流控细胞包裹制备仪详情链接12011月144显微操作系统、倒置显微镜详情链接16011月145全自动高效集成NGS文库制备系统详情链接18211月146衬底倒角机详情链接35012月1478英寸grinding研磨机详情链接45012月1488英寸非接触晶片平整度测试仪详情链接38012月149p型碳化硅外延生长反应炉详情链接90010月150超快变温磁光电测量设备详情链接80012月151高温霍尔效应测试系统详情链接23011月152纳秒瞬态吸收光谱系统详情链接17010月153等离子体增强原子层沉积设备详情链接65011月154电子束蒸发镀膜系统详情链接23012月155高精度复杂形状和曲面综合测量系统详情链接46011月156超精密光学模压成型机详情链接42011月157混合动力总成实验台架详情链接19512月158五轴飞秒激光加工设备详情链接52011月159五轴 3D 光学轮廓仪详情链接28011月160数控机床空间精度测量系统详情链接15011月161智能精密微细材料成形与在线监测系统详情链接25211月162模块化数据中心详情链接19011月163多光谱激光成像仪详情链接17011月164全光谱流式细胞仪详情链接26011月165分选流式细胞仪详情链接24011月

一、产品介绍 凌创（LC）系列智能型冷却水循环机可广泛应用于各类精密仪器设备冷却，循环水质结净，换热效率高，循环冷却水恒流或恒压模式可选，自动调节冷却水流量或压力，精确在线显示循环冷却水流量及压力；采用自主研发的智能控制系统，循环冷却水温度、流量或压力控制精度高；可与需冷却设备之间通讯，通讯协议RS485、RS232、Can通讯可选，本地或远程调节循环冷却水温度、流量、压力等参数。二、主要特点智能化控温、控流、控压；采用PID控温，控温精度达±0.1℃；外形美观、操作方便；可远程设置温度、流量、压力等参数；可远程启停设备；可扩展电导率在线检测，实时检测循环水质状态；三、应用领域分析仪器领域：原子吸收光谱仪（AAS）、电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP)、电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）、扫描仪、透射电镜（TEM）、氧氮氢分析仪 实验仪器领域：疲劳试验机、高频熔样机、凯氏定氮仪、索氏提取器、脂肪提取仪、旋转蒸发仪、不锈钢（玻璃）反应釜、发酵罐、回流提取装置、蒸馏冷凝器、电泳仪、手套箱 激光设备领域：激光打标机、激光切割机、激光雕刻机、激光打印机、激光投影仪、激光器 真空设备领域：真空镀膜机（包括真空离子蒸发/磁控溅射/MBE分子束外延/PLD激光溅射沉积）、真空炉、等离子刻蚀机、真空泵（分子泵/扩散泵/旋片泵/罗茨泵/干泵） 机床设备领域：CNC机床电主轴/液压站/润滑站/切削加工液/减速箱、CNC机床伺服电机/直线电机/力矩电机 注塑设备领域：小型注塑机、小型挤出机 包装机械领域：PCB钻孔机、铣边/槽机、贴片机、充磁机创新点：1、冷却水自动恒流、恒压模式可选:流量、压力可以精确自动调节，流量控制精度± 0.2L/min，压力控制精度± 5Kpa；2、冷却水电导率检测：通过检测冷却水电导率大小自动判断循环水质情况，及时提醒用户更换循环水，提高被冷却仪器的使用寿命和散热效率，使得被冷却设备运行更加安全、稳定；3、多种通讯协议可选：RS485、RS232、以太网、CAN通讯可选，本地+远程控制冷却水温度、流量、压力及产品故障报警信息；凌工智能型冷却水循环机(LC2500)