因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列 美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性 无栅极 高电流低能量 发散光束 45可快速更换阳极模块 可选 Cathode / Neutralize 中和器美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用 辅助镀膜 IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性、激活 SM沉积 (DD)离子蚀刻 LIBE光学镀膜Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD) Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗3. 表面处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜霍尔离子源 eH 系列在售型号:型号eH400eH1000eH2000eH3000eH Linear中和器F or HCF or HCF or HCF or HCF阳极电压50-300 V50-300 V50-300 V50-250 V50-300 V离子束流5A10A10A20A根据实际应用散射角度4545454545气体流量2-25 sccm2-50 sccm2-75 sccm5-100 sccm根据实际应用本体高度3.0“4.0“4.0“6.0“根据实际应用直径3.7“5.7“5.7“9.7“根据实际应用水冷可选可选是可选根据实际应用F = Filament HC = Hollow Cathode xO2 = Optimized for O2 current 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 霍尔离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究!
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