导体高温电阻率测试系统

石化产业是国民经济重要的支柱产业，产品覆盖面广，资金技术密集，产业关联度高，对稳定经济增长、改善人民生活、保障国防安全具有重要作用。但仍存在产能结构性过剩、自主创新能力不强、产业布局不合理、安全环保压力加大等问题。石油化工产业作为高污染性产业，面临结构性改革的矛盾，国家政策引导对于促进石化产业持续健康发展具有重要意义。得利特顺应发展研发生产了系列石油产品分析仪器。最近技术人员仍然继续着研发工作并且将原来的产品做了部分升级改造。A1150液体介质体积电阻率测定仪符合DL/T421标准，适用于测定绝缘油和抗燃油体积电阻率，可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。仪器特点采用双CPU微型计算机控制。控温、检测、打印、冷却等自动进行。采用**转换器，实现体积电阻率的高精度测量。具有制冷和加热功能。整机结构合理，安全方便。技术参数测量范围：0.5×108～1×1014Ωcm分辨率：0.001×107Ωcm重复性： ≤15% 再现性： ≤25%控温范围：0～100℃ 控温精度：±0.5℃电极杯参数：极杯类型：Y－18　　　　　　极杯材料：不锈钢显示方式：液晶显示打印机：热敏型、36个字符、汉字输出环境温度：5℃～40℃ 环境湿度：≤85%工作电源：AC220V±10% ，50Hz功 率：500W外形尺寸：500mm×280mm×330mm重　　量：17.5kgA1151油体积电阻率测定仪按DL421.91《绝缘油体积电阻率测定法》的电力行业标准为依据，根据有源电桥的原理研制成功的一种新型电阻率测定专用仪器。具有结构简单、线性度好、灵敏度高、测试结果稳定、操作安全等优点，其性能远高于通常的电压电流法。仪器由参数测量系统、油杯加热控温系统两部分组成，具有自动计时、液晶显示功能。可测量绝缘油体积电阻率。 技术参数测试电压：500VDC测试范围： 10 7～10 13Ωcm重复性： ＞10 12Ωcm ≯25% ，＜10 12Ωcm ≯15% 加热功率： 100W 控温范围： 10℃～100℃ 控温精度： ±0.5℃ 测量误差： ≤±10%测试电极杯： 3个环境温度：0～40℃相对湿度：≤85% 工作电源： AC220V±10%，50Hz

石油产品质量分析在其生产、储运和市场流通环节起着重要作用，石油产品分析仪器现已广泛应用于油田、炼油厂、陆海空交通运输、海关及油品质量监督部门。作为中国仪器仪表行业重要组成部分的油品分析仪器，在疫情席卷全球的情况下，仍然在各大行业中起到必不可少的作用。随着各项技术工艺的发展，仪器仪表产品也在不断的更新换代。各大分析仪器品牌如雨后春笋，在市场中同台竞技，用户可选择的产品也更多了。企业不断推出自己的品牌产品。在刚刚过去的半年里，又有不少企业研发出多项仪器仪表新品。 得利特为了跟上油品分析仪器发展大潮，不断积累经验，创新技术，研发升级自产油品分析仪，近日，又有一款升级产品投入市场，它就是油体积电阻率测定仪。下面得利特为大家讲一下它的升级点在哪里？A1151油体积电阻率测定仪按DL421.91《绝缘油体积电阻率测定法》的电力行业标准为依据，根据有源电桥的原理研制成功的一种新型电阻率测定专用仪器。技术参数测试电压：500VDC测试范围： 10 7～10 13Ωcm重 复 性：＞10 12Ωcm ≯25% ，＜10 12Ωcm ≯15% 加热功率： 100W 控温范围： 10℃～100℃ 控温精度： ±0.5℃ 测量误差： ≤±10%测试电极杯： 3个环境温度：0～40℃相对湿度：≤85% 工作电源： AC220V±10%，50Hz 升级点：1.采用双CPU微型计算机控制。2.控温、检测、打印、冷却等自动进行。3.采用**转换器，实现体积电阻率的高精度测量。4.具有制冷和加热功能。5.整机结构合理，安全方便。

油介损及体积电阻率测定仪油杯清洗方法、常见故障A1170技术指导产品介绍产品名称：油介损及体积电阻率测定仪产品型号：A1170概 述：油介损及体积电阻率测定仪用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率，包括变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。适应标准：GB/T5654油杯三种清洗方法测量前，应对油杯进行清洗，这一步骤非常重要。因为绝缘油对极微小的污染都有极为敏感的反应。因此必须严格按照下述方法要点进行。方法一：⑴ 完全拆卸油杯电极；⑵ 用中性擦皂或洗涤剂清洗。磨料颗粒和磨擦动作不应损伤电极表面；⑶ 用清水将电极清洗几次；⑷ 用无水酒精浸泡各零件；⑸ 电极清洗后，要用丝绸类织物将电极各部件的表面擦拭干净，并注意将零件放置在清洁的容器内，不要使其表面受灰尘及潮气的污染；⑹ 将各零部件放入100℃左右的烘箱内，将其烘干。有时由于油样很多，所以在测试中往往会一个接一个油样进行测试。此时电极的清洗可简化。具体做法如下：⑴ 将仪器关闭，将整个油杯都从加热器中拿出，同时将内电极从油杯中取出；⑵ 将油杯中的油倒入废油容器内，用新油样冲洗油杯几次；⑶ 装入新油样；⑷ 用新油样冲洗油杯内电极几次，然后将内电极装入油杯。这种以油洗油的方式可大大提高了测量速度，但如遇到特别脏的油样或长时间不用时，应使用方法一。方法二：⑴ 将电极杯拆开（参见油杯示意图）。⑵ 用化学纯的石油醚和苯彻底清洗油杯的所有部件。⑶ 用丙酮再次清洗油杯，然后用中性洗涤剂漂洗干净。⑷ 用5%的磷酸钠蒸馏水溶液煮沸5分钟，然后，用蒸馏水洗几次。⑸ 用蒸馏水将所有部件清洗几次。⑹ 将部件在温度为105～110℃的烘箱中，烘干60～90分钟。⑺ 各部件洗净后，待温度降至常温时将其组装好。方法三：超声波清洗方法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件。⑶ 在超声波清洗器中用肥皂水将所有部件振荡20分钟；取出部件，有自来水及蒸馏水清洗；在用蒸馏水振荡20分钟。方法四：溶剂清洗法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件，更换二次溶剂。⑶ 先用丙酮，再用自来水洗涤所有部件。接着用蒸馏水清洗。⑷ 将部件在温度为105～110℃的烘箱中，烘干60～90分钟。 当试验一组同类没有使用过的液体样品时，只要上次试验过的样品的性能优于待测油的规定值，可使用同一个电极杯而无需中间清洗。如果试验过的前一样品的性能值劣于待测油的规定值，则在做下一个试验之前必须清洗电极杯。常见故障1、屏幕显示“电极杯短路”答：首先查看内电极与外电极的定位槽是否对准，再检查“内电极”安装是否有松动。2、屏幕显示“请进行【空杯校准】”答：空杯电容值不在60±5pF的范围内的时候，需要空杯校准；①油杯的内外电极未放好或内电极未组装好，有放电现象；②油杯不干净，在内外电极之间有杂质需要进行清洗 。3、蜂鸣器响5声后仪器返回到开机界面。答：①检查空杯电容值是否在60±5pF范围之内，②检查油杯是否放 好，有无放电现象。4、在做直流电阻率时，电化60秒时间不变化。答：检查仪器的时钟是否在运转，调整时钟。5、被设电压参数个位显示不为零时，怎么办？答：用【减小】键使被设电压值变为最小，再用【增加】键调整即可。

如今市场需求总体继续扩大，但增速下降。一方面，随着城镇化和基础设施建设的不断深入，基本原材料的需求还将保持一定增速，但增速会有所降低，人们日常生活用品也不会有太大的提高；另一方面，人们的消费升级以及生活方式和消费模式的改变，将提高或改变市场需求，促进与经济发展相配套的石化化工产品升级换代。因此，预计“十四五”期间，传统石化化工产品，如成品油、大宗化工产品等，在很长的一段时间内消费保持低速增长态势，甚至有些个别产品还会有略微下降；而在与智能制造、电子通信、中高生活消费品和医药保健等有关的化工产品，主要是电子化学品、纺织化学品、化妆品原材料、快餐用品、快递服务用品、个人防护和具备特殊功能的化工新材料等，都将会有很大增幅。同时安全生产、绿色发展的要求日益提高。石化化工生产“易燃、易爆、有毒、有害”特点突出，尤其是近几年，化工行业事故频发，特大恶性事故连续不断，给人们生命财产造成重大损失，在社会各界造成极其恶劣的影响。随着我国城镇化的快速推进，原来远离城市的石化化工企业已逐渐被新崛起的城镇包围，带来了许多隐患。“十四五”期间，社会各界将更加紧盯各地石化化工企业，石化化工企业进入化工园区，远离城镇布局将成为必然要求，安全生产也将是企业必须加强的一门必修课。绿色发展已经在社会上形成共识，坚持绿色发展是行业必须要强化的理念，一方面要补足以往的环保欠账；另一方面还要针对不断提高环保标准买单，这对行业来说，是一个巨大的挑战。A1170自动油介损及体积电阻率测定仪符合GB/T5654标准，用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率，包括诸如变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。仪器特点1、采用中频感应加热，室温加热至控温（90℃）并恒温自动测量仅需 15分钟。2、同时测量油介损及体积电阻率或任选一项。3、采用大屏幕液晶显示器，只需按照中文菜单提示，输入指令，仪器即可自动工作。4、具有通讯功能，可配置电脑进行实时监测，动态观察油介损值随油温变化并描绘成图。5、自动显示测量结果，并进行数据打印保存。6、具有过压、过流、短路保护，并具有高压指示，还具有报警提示功能。技术参数体积电阻率测量电压：DC500V±10%体积电阻率范围：2.5×106～2×1013Ω.m精度: 高于±10%电阻测量范围:2M～2TΩ介损测量范围：0.00001～1介损值分辨率：0.00001电容测量范围：10.0pF～200.0pF电容值分辨率：0.01pF空杯电容：60±5pF 介损值测量精度：±（1%读值+0.02%）电容值测量精度：±（1%读值+1pF）工作电源：AC220V±10%，50Hz测控温范围：室温～119.9℃测控温稳定度:±0.5 相对湿度：≤85%介损测量电压：1.5kV、2.0kV、2.5kV（常规使用2.0kV）(正接法) 环境温度：-5℃～50℃外形尺寸：480mm×400mm×420mm重　　量：25.7kg

新品推荐——液体介质体积电阻率测定仪01产品介绍产品名称：液体介质体积电阻率测定仪型号：A1153执行标准：DL/T 421-2009《电力用油体积电阻率测定法》A1153液体介质体积电阻率测定仪适用于测定绝缘油和抗燃油体积电阻率。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。02仪器特点1采用双CPU微型计算机控制。反应速度快，抗干扰强。2进样，控温、检测、打印、冷却，清洗自动进行，操作简便。3采用三电极双控温结构，控温精度高，温度波动≤0.5℃，避免因温度波动影响结果。4电极采用特殊工艺加工，表面光滑度Ra≤0.012μm，确保电极间隙2mm，从而使结果更准确。5电极杯绝缘材料选用PTFE高分子材料，受热不变型，且不吸水，既能保证空杯电容又有利于清洗油杯。6同时具有制冷和加热功能，既可以做绝缘油也可做抗燃油。一机两用经济实惠。7具有开盖防触电保护功能，开盖自动切断高压。03技术参数•测量范围：0.5×106～1×1015Ωｍ •分 辨 率：0.001×107Ωｍ•重 复 性：＞1010 Ωｍ，≯２５％ ＜1010 Ωｍ，≯１５％ •再 现 性：≤25%•控温范围：10～100℃ •控温精度：±0.5℃•空杯电容：30pF±1pF •实验电压：DC 500V•显示方式：液晶显示•打 印 机：热敏型、36个字符、汉字输出 •工作电源：AC220V±10%，50Hz•功 率：500W•外形尺寸：500mm×380mm×350mm•重 量：17.5kgEND

绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前都要注意什么？绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前请仔细阅读以下内容，否则将造成仪器损坏或电击情况。1. ◇检查仪器后面板电压量程是否置于10V档，电流电阻量程是否置于104档。2. ◇接通电源调零，（注意此时主机不得与屏蔽箱线路连接）在“Rx”两端开路的情况下，调零使电流表的显示为0000。然后关机。3. ◇应在“Rx”两端开路时调零，一般一次调零后在测试过程中不需再调零。 4. ◇测体积电阻时测试按钮拨到Rv边，测表面电阻时测试按钮拨到Rs边，5. ◇将待测试样平铺在不保护电极正中央，然后用保护电极压住样品，再插入被保护电极（不保护电极、保护电极、被保护电极应同轴且确认电极之间无短路）。6. ◇电流电阻量程按钮从低档位逐渐拨，每拨一次停留1-2秒观察显示数字，当被测电阻大于仪器测量量程时，电阻表显示“1”，此时应继续将仪器拨到量程更高的位置。测量仪器有显示值时应停下，在1min的电化时间后测量电阻，当前的数字乘以档次即是被测电阻。7. ◇测试完毕先将量程拨至（104）档，然后将测量电压拨至10V档， 后将测试按钮拨到中央位置后关闭电源。然后进行下一次测试。8. ◇接好测试线，将测试线将主机与屏蔽箱连接好。量程置于104档，打开主机后面板电源开关按钮。从仪器后面板调电压按钮到所要求的测量电压。(比如：GBT 1692-2008 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定 标准中注明要求在500V电压进行测定，那么电压就要升到500V)9. ◇禁止将“RX”两端短路，以免微电流放大器受大电流冲击。10. ◇不得在测试过程中不要随意改动测量电压。11. ◇测量时从低次档逐渐拨往高次档。12. ◇接通电源后，手指不能触及高压线的金属部分。13. ◇严禁在试测过程随意改变电压量程及在通电过程中打开主机。14. ◇在测量高阻时，应采用屏蔽盒将被测物体屏蔽。15. ◇不得测试过程中不能触摸微电流测试端。16. ◇严禁电流电阻量程未在104档及电压在10V档，更换试样。技术指标1、电阻测量范围 0.01×104Ω～1×1018Ω2、电流测量范围为 2×10-4A～1×10-16A3、仪器尺寸 285ｍｍ× 245ｍｍ× 120 mm4、内置测试电压 100V、250V、500V、1000V5、基本准确度 1% (*注)6、内置测试电压 100V、250、500、1000V7、质量 约2.5KG8、供电形式 AC 220V，50HZ，功耗约5W9、双表头显示 3.1/2位LED显示安全注意事项1. 使用前务必详阅此说明书，并遵照指示步骤，依次操作。2. 请勿使用非原厂提供之附件，以免发生危险。3. 进行测试时，本仪器测量端高压输出端上有直流高压输出，严禁人体接触 ，以免触电。4. 为避免测试棒本身绝缘泄漏造成误差，接仪器测量端输入的测试棒应尽可 能悬空，不与外界物体相碰。5. 当被测物绝缘电阻值高，且测量出现指针不稳现象时，可将仪器测量线屏 蔽端夹子接 上。 例如： 对电 缆测缆 芯与 缆壳的 绝缘 时，除 将被 测物两 端分 别接于 输入 端与高压 端， 再将电 缆壳 ，芯之 间的 内层绝 缘物 接仪器 “G”，以消 除因 表面漏 电而 引起的测 量误 差。也 可用 加屏蔽 盒的 方法， 即将 被测物 置于 金属屏 蔽盒 内，接 上测 量线。

成果名称材料变温电阻特性测试仪(EL RT-800)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介：本仪器专门为材料电阻特性变温测试而设计，采用专用高精度电阻和温度测量仪以及四端测量法减小接触电阻对测量的影响从而提高测量精度，样品采用氮气保护可连续测量-100℃~500 ℃条件下样品电阻随温度的变化。采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，能极大方便用户的使用。主要技术参数:一、信号源模式：大电流模式；小电流模式；脉冲电流模式。二、电阻测量范围: 1&mu &Omega ~3M&Omega 。三、电阻测量精度: ± 0.1％FS。四、变温范围：液氮温度~900 ℃。五、温度测量精度：热电阻0.1%± 0.1℃；热电偶0.5%± 0.5℃。 六、供电电源：220 VAC。七、额定功率：500W。八、数据采集软件在Windows XP、Windows 7操作系统均兼容。应用前景：本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。知识产权及项目获奖情况：本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

p style="line-height: 1.75em "　 半导体材料是微电子器件和光伏器件的基础材料，其杂质和缺陷特性严重影响器件性能。随着微电子器件集成度和光伏器件转换效率的提高，对半导体原材料的要求越来越高。为了满足工业化生产的需求，相应地要求材料检测方法具有更高的灵敏度和更快的测量速度，同时避免对材料产生损伤。载流子是半导体材料的功能载体，其输运特性决定了各种光电器件的性能，包括载流子寿命、扩散系数和表面复合速率等。光载流子辐射技术是实现对载流子输运参数进行同时测量的一种全光无损检测方法，但该方法在载流子输运参数的测量表征中仍然存在一些局限，如理论模型的适用性、参数的测量精度和测量速度等。/pp style="line-height: 1.75em "　　在国家自然科学基金项目支持下，中国科学院光电技术研究所针对上述问题，以传统半导体硅材料为研究对象，建立非线性光载流子辐射模型，并在此基础上分别提出了多光斑光载流子辐射技术和稳态光载流子辐射成像技术，通过仿真计算和实验测量证实了上述技术的有效性。多光斑光载流子辐射技术可以完全消除测量系统仪器频率响应对测量结果的影响，提高载流子输运参数的测量精度，以电阻率为0.1-0.2Ω?cm的P型单晶硅为例，提出的多光斑光载流子辐射技术将载流子寿命、扩散系数和表面复合速率的测量不确定度从传统的± 15.9%、± 29.1%和 ± 50%降低到± 10.7%, ± 8.6%和± 35.4%。另外，稳态光载流子辐射成像技术由于简化了理论模型和测量装置，测量速率大大提高，具有较大的工业化应用潜力。/pp style="line-height: 1.75em text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/5c7ed4bf-665b-4d58-a7c4-268d1148946a.jpg" title="W020160405584462855531.png"//pp style="line-height: 1.75em text-align: center "实验测量结果比较/ppbr//p

成果名称磁电阻特性测试仪(EL MR系列)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介：本仪器专门为材料磁电阻特性测试而设计的，采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，极大地方便了用户的使用。MR-150型采用电磁铁产生强磁场，高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中各类样品的磁电阻特性测试。MR-4型采用亥姆霍兹线圈产生磁场，无剩磁。采用高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中AMR、GMR、TMR各类样品的磁电阻特性测试。MR-2型采用集成化主机和多通道USB接口数据采集卡采集数据，稳定性好适合科研教学中性能较好的磁电阻样品测试。MR-1型采用手动调节磁场和人工读数，适合与大中专院校本科生研究生的专业实验中使用。主要技术参数:一、系统控制主机：内含可1路可调恒流源（0.3mA~50mA）、2路4 1/2数字电压表和1块USB接口24bit数据采集卡；功耗50W。二、自动扫描电源：0~± 5A，扫描周期8~80s。三、亥姆霍兹线圈：0~± 160Gs。四、测量专用检波与放大电路技术参数：输入信号动态范围为± 30 dB；输出电平灵敏度为30mV / dB；,输出电流为8mA；转换速率为25 V /&mu s；相位测量范围为0~180° ；相位输出时转换速率为30MHz；响应时间为40 ns～500 ns；测量夹头间隔10mm。五、计算机为PC兼容机，Windows XP或Windows 7操作系统。 六、数据采集软件在Windows XP和Windows 7操作系统均兼容。应用前景：本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。目前该仪器已经应用在北京科技大学材料学院及哈尔滨工业大学深圳研究生院的研究生实验教学及课题组科研测量中，取得良好的成效。知识产权及项目获奖情况：本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

根据最近的一项估计，目前数据中心的耗能已高达全球电力的2％，这一数字在10年内有望攀升到8％。为逆转这种趋势，科学家们正考虑以全新的方式简化数据中心的微处理器。日本研究人员将这一想法发挥到了极致，创建了一种电阻为零的超导微处理器。基于AQFP的MANA微处理器。图片来源：IEEE频谱网站《IEEE固态电路》杂志报道，这种超导微处理器可为更高能效的计算能力提供潜在的解决方案，但新设计目前需要低于10开尔文（或—263℃）的超冷温度。研究人员创建的这种绝热超导微处理器，从原理上讲，在计算过程中不会从系统中获得或损失能量。这个新的微处理器原型称为MANA（单绝热集成体系结构），是世界上第一个绝热超导体微处理器。它由超导铌组成，并依赖于称为绝热量子通量参量电子（AQFP）的硬件组件。每个AQFP由几个快速作用的约瑟夫森结开关组成，这些结开关只需很少的能量即可支持超导体电子设备。MANA微处理器总共由2万多个约瑟夫森结（或1万多个AQFP）组成。研究人员解释说，用于构建微处理器的AQFP已经过优化，可以绝热运行，从而可在相对低的时钟频率（高达10GHz左右）下恢复从电源中汲取的能量。与传统超导电子产品数百吉赫兹的运行频率相比，这个数字要低得多。但这并不意味着MANA达到了10GHz的速度。实验显示，MANA的数据处理部分可在高达2.5GHz的时钟频率下运行，这使其与当今的计算技术相当。这种铌基微处理器的入门价格取决于低温和将系统冷却至超导温度的能源成本。不过，即使将冷却成本计算在内，与最先进的半导体电子设备（如7纳米鳍式场效应晶体管）相比，AQFP的能源效率仍然高出约80倍。由于MANA微处理器需要液氦水平的低温，因此它更适合于使用低温冷却系统的大规模计算基础架构，例如数据中心和超级计算机。

LK-99材料有一个边缘呈悬浮状态。图片来源：Hyun-Tak Kim et al. (2023)一个研究小组声称已经创造出第一种在室温和环境压力下完美导电的材料，但许多物理学家对此持高度怀疑态度。美国威廉与玛丽学院的Hyun-Tak Kim表示，他将支持任何试图复制其团队工作的人。超导体是一种可以使电流在没有任何阻力的情况下移动的材料，因此可以显著降低电子设备的能源成本。但一个多世纪以来，研究人员一直无法让它们在极端条件下工作，比如极低的温度和极高的压力。现在，Kim和同事声称已经制造出一种在室温和压力下具有超导性的材料。为了制造这种被称为LK-99的新材料，Kim和同事制造出混合了铅、氧、硫、磷的粉末状化合物，然后将其在高温下加热几个小时。这使得粉末发生化学反应，变成深灰色固体。研究人员随后测量了一毫米大小的LK-99样品在不同温度下的电阻，发现其电阻率从105℃的相当大的正值急剧下降到30℃的接近零。超导体会驱逐磁场是迈斯纳效应现象的一部分，为此，研究人员还测试了这种材料在一定温度下对磁场的反应。结果显示，在电阻接近于零的温度范围内，它确实表现出这种效应。由于迈斯纳效应，超导体放置在传统磁体上时会呈漂浮状态，研究人员也记录了这种悬浮的测试。在他们的视频中，他们将一块LK-99放在磁铁上方，磁铁表面明显升起。然而，这种扁平的硬币状的材料只有一个边缘完全悬浮，另一边似乎与磁铁保持接触。Kim说，这是由于样品还不完美，意味着只有部分样品具有超导性，并表现出迈斯纳效应。目前，两篇关于k -99的论文已在预印本服务arXiv上公布，但不进行同行评审，相关研究已在4月份发表于《韩国晶体生长与晶体技术杂志》。Kim只是其中一篇论文的合著者，另一篇论文则是由他在韩国量子能量研究中心的同事撰写，他们中的一些人也在2022年8月申请了LK-99的专利。这两篇论文都提出了类似的测量方法，但Kim说第二篇论文存在“许多缺陷”，并且未经他的许可就被上传到arXiv。在那篇论文中，这项工作被描述为开启了“人类的新时代”。社交媒体上的一些评论员称赞这一发现是一代人的突破，但超导专业研究人员在很大程度上持怀疑态度。英国牛津大学的Susannah Speller和Chris Grovenor说，当一种材料成为超导材料时，在许多测量中应该有明确的特征。Speller说，对于其中两个，即对磁场的响应和一个称为热容的量，数据中都没有给予证明。“因此，现在说我们已经在这些样品中获得了令人信服的超导性证据还为时过早。”Kim已经意识到这种怀疑，但他认为其他研究人员应该尝试复制他团队的工作来解决这个问题。一旦研究结果发表在同行评议的期刊上，他将支持任何想要自己创造和测试LK-99的人。与此同时，他和同事还将继续完善奇迹超导体样品，并向大规模生产迈进。

产品特点一、结构实用性；先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到达50℃时，排温风扇将自动启动，使炉体表面快速降温。二、使用安全性；1、炉门开启自动断电功能；使炉门打开后自动断电。2、超温保护功能；当温度超过允许设定值后，自动断电及报警。3、漏电保护功能；当炉体漏电时自动断电。以上功能确保了使用的安全性。三、控制智能化；1、电炉温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、模糊控制、自整定功能，并可编制各种升降温程序。2、国产智能控温系统可定值升温（不可编程），国产程序控温系统可编辑30段程序控温，进口程序控温系统可编辑40段程序控温。3、电炉内配置有485转换接口，可实现与计算机相互连接，通过专用的计算机控制系统来完成与单台或多达200台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。四、设计独立性；该设备为专利产品，具有多项独立自主的知识产权专利，外观美观、结构合理、使用方便。彩色触摸屏显示画面有仪表屏、光柱图、实时曲线、历史曲线、数据报表、报警报表等、全中文触摸式操作，功能全面并且使用方便。 电炉特殊保护功能电流限幅功能此功能延长了硅钼棒加热元件使用寿命对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护，保护用户在误操作时电炉使用安全。 电流缓启动功能对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护，即使中途取放物料，也可使测温系统随时响应温度变化。 炉膛材料采用专利新型陶瓷耐火材料炉温可达1750℃1、使用温度高达1750℃；可长时间使用在1700℃；2、无纤维-无环境污染和人体健康危害的危险 高纯度,不吸波；3、洁净度高。材料都经过高温烧结，不含有机粘接剂和有机挥发物；4、强度高，不易掉渣。耐磨，抗冲刷；5、适用于还原气氛和碱性气氛；创新点：1750℃炉温SX-G03173M台式高温箱式电阻炉1750℃炉温SX-G03173M台式高温箱式电阻炉

记者10月22日从在清华大学召开的高温超导滤波技术成果鉴定会上获悉，我国自主研制、拥有完全自主知识产权的高温超导滤波系统首批产品订货已完成生产并交付用户使用，在全国16个省市区的通信装备上投入长期实际应用。这是我国高温超导应用研究的重大突破，标志着我国高温超导在通信领域已进入规模商业应用和产业化阶段。鉴定会专家对项目成果给予高度评价，鉴定意见指出，项目总体技术达到国际先进水平，为采用高温超导技术提高通信装备的抗带外干扰性能和电磁兼容性奠定了坚实的技术基础，为我国通信现代化作出了重大贡献。　　据该项目负责人、清华大学物理系教授曹必松介绍，自1986年高温超导材料发现至今，26年来我国投入大量人力物力进行应用研究和技术攻关，其最终目的就是要实现高温超导材料的大规模商业应用。“这次高温超导滤波系统由最终用户采购，在全国16个省市区批量供货投入运行，与一般的研究或以试验为目的的应用完全不同，标志着经过长期不懈的研究，我国高温超导研究已经从实验室研究阶段发展到了面向最终用户的大规模商业应用。高温超导真正的实际应用已经成为现实。”　　据了解，在微波频段，高温超导材料的电阻比普通金属低2—3个数量级，用超导薄膜材料制备的滤波器带内损耗小、带边陡峭、带外抑制好，具有常规滤波器无法比拟的、近于理想的滤波性能。“但是高温超导材料必须在其转变温度Tc以下才能实现其超导零电阻特性，所以高温超导滤波系统的研发难度非常大。我们和综艺超导科技有限公司共同研发的超导滤波系统是由超导滤波器、在零下200摄氏度工作的低噪声放大器和小型制冷机等部件组成的，具有极低的噪声和极好的频率选择性，可应用于各种无线通信装备，同时大幅提高灵敏度和选择性、提高抗干扰能力和探测距离等。”曹必松说。　　2005年，在国家科研经费支持下，该项目组在北京建成了超导滤波系统移动通信应用示范基地，实现了小批量长期应用。为实现超导滤波系统在我国的规模化商业应用，在国家相关部门和各级领导支持下，清华大学和综艺超导科技有限公司的研究团队十余年如一日，艰苦奋斗，攻克了高性能超导滤波器和低温低噪声放大器设计制备技术、多通道超导滤波器性能一致性研制技术、满足装备苛刻使用要求的环境适应性技术和超导滤波系统集成技术等一系列技术难题，获得超导滤波技术授权发明专利10多项，于2009年12月完成了超导滤波系统产品样机的研制。　　2010年1月至11月，在国家主管部门的组织下，由7个专业测试单位对超导滤波系统产品进行了全面性能测试，包括电性能测试，满足通信装备高低温、冲击、振动、低气压、盐雾、霉菌、湿热等苛刻使用要求的环境适应性试验，通信装备加装超导滤波系统前后的性能对比试验和用户长期试用等。　　试验结果表明，超导滤波系统的全部性能都达到或超过了通信装备实际应用的技术要求。在通信装备上加装超导滤波系统前后的性能对比试验表明，超导滤波系统使重度干扰下原本无法工作的通信装备恢复了正常工作，使中度干扰下装备最大作用距离比原装备平均增加了56%。自2010年10月起，超导滤波系统在该型通信装备上投入长期运行，至今已连续无故障运行2年以上。　　2011年1月19日，超导滤波系统通过了国家主管部门组织的技术鉴定，获得了在我国通信装备实际应用的许可。同年8月，综艺超导公司获得了首批5种型号超导滤波系统产品的订货合同，在全国10多个省市区推广应用。其他型号超导滤波系统产品也将在未来几年内陆续投入市场。　　据介绍，综艺超导科技有限公司由江苏综艺股份有限公司等股东投资、在2006年成立的高新技术企业，公司设在北京中关村科技园区。目前，综艺超导已建成一流水平的超导滤波系统生产基地，并且已经顺利完成首批高温超导滤波系统批量生产和用户交付。　　曹必松说，高温超导滤波技术在移动通信、重大科学工程和国防领域具有广阔的应用前景。为进一步推广超导滤波技术的应用，还需要攻克适应于各种不同通信装备应用要求的高难度的超导滤波系统设计、制备技术、适应于各种应用环境的环境适应性技术等研究难题。　　与会专家认为，经过未来几年的努力，该技术将在更多无线通信领域获得大规模应用，并带动超导薄膜、制冷机、专用微波元器件等相关产业链的形成和发展，在我国形成一个全新的高温超导高技术产业，为我国通信技术的升级换代提供一种全新的、性能优异的解决方案。

1700℃电炉特殊保护功能 电流限幅功能 此功能延长了硅钼棒加热元件使用寿命，对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护，保护 用户在误操作时电炉使用安全。 电流缓启动功能 对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护，即使中途取放物料，也可使测温系统随时响应 温度变化。 产品特点 一、结构实用性； 1、炉膛材料采用优质的新型特种耐火纤维制品制成，节能40%以上，温场均匀； 加热元件采用表面温度1800℃的优质硅钼棒。 2、先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到达50℃时，排温 风扇将自动启动，使炉体表面快速降温。 二、使用安全性； 1、炉门开启自动断电功能；使炉门打开后自动断电。 2、超温保护功能；当温度超过允许设定值后，自动断电及报警。 3、漏电保护功能；当炉体漏电时自动断电。 以上功能确保了使用的安全性。 三、控制智能化； 1、电炉温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、模糊控制、自整定功能， 并可编制各种升降温程序。 2、国产智能控温系统可定值升温（不可编程），国产程序控温系统可编辑30段程序控 温，进口程序控温系统可编辑40段程序控温。 3、电炉内配置有485转换接口，可实现与计算机相互连接，通过专用的计算机控制系统来 完成与单台或多达200台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。 四、设计独立性； 该设备为专利产品，具有多项独立自主的知识产权专利，外观美观、结构合理、使用方便。 彩色触摸屏 显示画面有仪表屏、光柱图、实时曲线、历史曲线、数据报表、报警报表等、全中文触摸 式操作，功能全面并且使用方便。 创新点：1700℃炉温SX-G系列节能高温箱式电阻炉1700℃炉温SX-G系列节能高温箱式电阻炉

炉膛材料采用优质的新型特种耐火纤维制品制成，节能40%以上，升温速度快，温场均匀；加热元件采用表面温度1800℃的优质硅钼棒。一、结构实用性；先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到达50℃时，排温风扇将自动启动，使炉体表面快速降温。二、使用安全性；1、炉门开启自动断电功能；使炉门打开后自动断电。2、超温保护功能；当温度超过允许设定值后，自动断电及报警。3、漏电保护功能；当炉体漏电时自动断电。以上功能确保了使用的安全性。三、控制智能化；1、电炉温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、模糊控制、自整定功能，并可编制各种升降温程序。2、国产智能控温系统可定值升温（不可编程），国产程序控温系统可编辑30段程序控温，进口程序控温系统可编辑40段程序控温。3、电炉内配置有485转换接口，可实现与计算机相互连接，通过专用的计算机控制系统来完成与单台或多达200台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。四、设计独立性；该设备为专利产品，具有多项独立自主的知识产权专利，外观美观、结构合理、使用方便。五、彩色触摸屏显示画面有仪表屏、光柱图、实时曲线、历史曲线、数据报表、报警报表等、全中文触摸式操作，功能全面并且使用方便。 电炉特殊保护功能电流限幅功能此功能延长了硅钼棒加热元件使用寿命对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护，保护用户在误操作时电炉使用安全。 电流缓启动功能对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护，即使中途取放物料，也可使测温系统随时响应温度变化。创新点：1700℃炉温SX-G系列台式高温箱式电阻炉1700℃炉温SX-G系列台式高温箱式电阻炉

日本产业技术综合研究所的研究组与CHINO株式会社合作成功研发出能够在1000℃附近高温区准确测定温度的白金电阻温度计。　　以往，在半导体制造等需要对温度进行准确测定的场合，都是采用以白金(铂)丝为传感器的白金电阻温度计。然而，在1000 ℃附近的高温区，白金的电阻率并不稳定，而且白金丝自身也会产生热扭曲，所以很难实现高精度测量。　　为了开发在1000 ℃高温区也能具有稳定电阻率的温度传感器，课题组对市场上销售的白金电阻温度计进行分析研究后，对其传感器进行适当的热处理，再利用日本国家标准的水三相点装置和银凝固点装置反复进行热循环试验，分析不同温度下的电阻值变化情况。结果发现，经过热处理后，铂温度传感器在1000 ℃附近的电阻变化实现最小化，温度计性能更加稳定。此外，通过对铂丝的结构进行调整优化，使其热扭曲程度得到减轻。　　新开发的温度计在银凝固点的961.78℃，测量值变动范围为± 0.001度(以前为0.01度) 在水三相点的0.01℃，测量值变动也稳定在± 0.0005度以内，达到世界最高水平。

硅材料是半导体行业应用最广泛的半导体材料，是集成电路晶圆制造的主要原料。集成电路材料产业技术创新联盟联合分析检测与技术合作服务平台是材料联盟牵头，由多家半导体领域高校、企业及实验室等共建单位积极参与建设的专业化服务平台，目前共发布320多台仪器，涉及硅材料、光刻材料、电子气体、工艺化学品、封装材料、抛光材料、溅射靶材等多个不同领域。仪器信息网特将其中硅材料测试仪器进行整理，看知名半导体企业及实验室都购置了哪些硅材料测试仪器。（所统计仪器，部分仪器可能存在并列或包含关系，未进行区分）硅材料测试用仪器共55台（套），其中电子天平、电感耦合等离子质谱仪数量最多。硅材料测试用仪器数量统计仪器台（套）数量电子天平4电感耦合等离子体质谱仪4微控数显电加热板2数字式硅晶体少子寿命测试仪2磷检区熔炉2激光粒子计数器2等离子聚焦离子束2紫外/可见分光光度计1原子力显微镜1研磨机1硝酸提纯仪1显微红外分析仪1微机控制万能（拉力）试验机1微波消解仪1透视式电子显微镜1透射电子显微镜1少子寿命分析仪1扫描电镜系统1三维光学轮廓仪1能量色散型X射线荧光分析仪1纳米粒度仪1两探针电阻率测试仪1离子色谱仪1离子色谱1扩展电阻测试仪1聚焦离子束1精密研磨机1精密切割机1金相显微镜1激光散射粒径分布分析仪1傅立叶变换红外光谱仪1非金属膜厚仪1飞行时间二次离子质谱仪1多功能颗粒计数仪1电感耦合等离子体发射光谱仪1电感耦合等离子发射光谱仪1低温傅立叶变换红外光谱仪1低温傅里叶变换红外光谱仪1导电型号测试仪1超纯水系统1半导体参数测试仪1α-粒子计数器1CNC视像测量系统(三次元)13D立体显微镜1仪器所属单位中，55台（套）仪器分别来自于9家半导体企业及实验室。仪器所属企业统计单位名称台（套）数量江苏鑫华半导体材料科技有限公司23工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）16上海新安纳电子科技有限公司5南京国盛电子有限公司3洛阳中硅高科技有限公司3无锡华润上华科技有限公司2沁阳国顺硅源光电气体有限公司1纳瑞科技（北京）有限公司1江阴江化微电子材料股份有限公司1以下为硅材料测试用仪器的具体信息：硅材料测试仪器及型号仪器型号所属单位飞行时间二次离子质谱仪TOF.SIMS 5工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）非金属膜厚仪3100江阴江化微电子材料股份有限公司金相显微镜DM8000、DM3 XL等工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）透视式电子显微镜Tecnai F20无锡华润上华科技有限公司透射电子显微镜FEI Tecnai G 2 F20、OXFORD 能谱工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）超纯水系统Milli-Q Advantage A10江苏鑫华半导体材料科技有限公司能量色散型X射线荧光分析仪EDX-720工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）聚焦离子束FEI DB835无锡华润上华科技有限公司纳米粒度仪NiComp 380 ZLS上海新安纳电子科技有限公司紫外/可见分光光度计UV-MINI 1240工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）精密研磨机UNIPOL-802江苏鑫华半导体材料科技有限公司精密切割机SYJ-150江苏鑫华半导体材料科技有限公司等离子聚焦离子束FEI-235/FEI-835/FEI-200/FEI-800纳瑞科技（北京）有限公司等离子聚焦离子束双束FIB Helios G4 CX工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）离子色谱仪ICS-900上海新安纳电子科技有限公司离子色谱882 Compact IC plus江苏鑫华半导体材料科技有限公司磷检区熔炉WJ-FZ30A江苏鑫华半导体材料科技有限公司磷检区熔炉FZ 350/20江苏鑫华半导体材料科技有限公司硝酸提纯仪DST-4000江苏鑫华半导体材料科技有限公司研磨机metaserv250江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子发射光谱仪VARIAN 710-ES上海新安纳电子科技有限公司电感耦合等离子体质谱仪iCAP RQ沁阳国顺硅源光电气体有限公司电感耦合等离子体质谱仪7700S南京国盛电子有限公司电感耦合等离子体质谱仪8900江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子体质谱仪7700S江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子体发射光谱仪5100工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）电子天平XPE504江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平XPE105江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平ME-204E江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平JE1002江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光粒子计数器KC-24江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光粒子计数器HHPC-6+江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光散射粒径分布分析仪LA-960上海新安纳电子科技有限公司显微红外分析仪NicoletIS50+Continuum工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）数字式硅晶体少子寿命测试仪LT-100C洛阳中硅高科技有限公司数字式硅晶体少子寿命测试仪LT-100C江苏鑫华半导体材料科技有限公司扫描电镜系统冷场发射扫描电子显微镜 Regulus8230 热场发射扫描电子显微镜 MIRA3 XMH 离子溅射镀膜仪 Q150TS 能谱仪 Octane Elect Plus 电子背散射衍射仪相机 Hikari Plus X射线能谱仪 Octane Elect Su工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）扩展电阻测试仪SSM2000南京国盛电子有限公司微波消解仪MARS6江苏鑫华半导体材料科技有限公司微机控制万能（拉力）试验机CMT5105、6502工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）微控数显电加热板HP51江苏鑫华半导体材料科技有限公司微控数显电加热板EG20B江苏鑫华半导体材料科技有限公司少子寿命分析仪FAaST210南京国盛电子有限公司导电型号测试仪STY-3江苏鑫华半导体材料科技有限公司多功能颗粒计数仪AccuSizer 780 APS上海新安纳电子科技有限公司原子力显微镜Dimension Icon™ 工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）半导体参数测试仪B1500/B1500A/B15005A工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）傅立叶变换红外光谱仪Nicolet iS50洛阳中硅高科技有限公司低温傅里叶变换红外光谱仪CryoSAS江苏鑫华半导体材料科技有限公司低温傅立叶变换红外光谱仪CryoSAS洛阳中硅高科技有限公司两探针电阻率测试仪KDY-20江苏鑫华半导体材料科技有限公司三维光学轮廓仪VK-X250K工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）α-粒子计数器UltraLo-1800工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）CNC视像测量系统(三次元)O-INSPECT543工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）3D立体显微镜VHX-6000工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）推荐阅读：半导体行业湿电子化学品常用检测仪器及技术盘点

当前， 我国在半导体领域面临着被“卡脖子”的问题。为了尽快发展国内半导体产业，鼓励自主创新，及早摆脱对进口的依赖，国家陆续出台免税、补贴多项政策大力支持国内半导体产业发展。中国的半导体产业近年来保持着20%以上的高速增长率，据估计2021年国内市场将达到677亿美元。科学仪器在半导体研发中起到关键作用，半导体的纯度、杂质、性能检测都离不开科学仪器，因此越来越多的科学仪器厂商对于半导体领域愈发重视。伴随着政策的支持、资本的注入，国内半导体市场必将成为最具发展潜力的产业之一；随着半导体研发项目的增加及产量的提升，对于科学仪器的需求必将增大，这将直接拉动科学仪器企业半导体领域的仪器销量和业绩，成为备受瞩目的盈利增长点。仪器信息网综合科学仪器在硅材料、光掩模、光刻材料、电子气体、工艺化学品、抛光材料、靶材、封装材料等领域的应用整理了一份仪器清单，近200类仪器或将在伴随着未来半导体行业发展的“黄金十年”而大展拳脚。（以下仪器可能存在并列或包含关系，未进行区分）序号仪器1高频红外碳硫分析仪2高阻仪3高速老化试验箱4高温试验箱5高效液相色谱6高压离子色谱系统7高低温湿热交变试验箱8高低温冲击试验箱9高低温交变湿热试验箱10飞行时间二次离子质谱仪11颗粒仪12频谱分析仪13顶空-气相色谱-质谱联用仪14顶空-气相色谱15非金属膜厚仪16阿贝闪点仪17阳离子色谱仪18针/锥入度仪19金相显微镜20金属膜厚仪21酸开封机22透射电子显微镜23透光率/雾度测定仪24辉光放电质谱仪25超高温差热分析仪26超纯水机27超景深显微系统28超声扫描显微镜29表面缺陷检测系统30表面张力仪31色谱仪32自动研磨机33自动电位滴定仪34自动滴定仪35能量色散型X射线荧光分析仪36聚焦离子束扫描电子显微镜37聚焦离子束场发射扫描电子显微镜38聚焦离子束39耐压测试仪40网络分析仪41维氏硬度计42纳米粒度仪43红外光谱仪44紫外老化箱45紫外/可见分光光度计46精密研磨机47精密切割机48粘着力测试仪49粘度计50等离子聚焦离子束51空气粒子计数器52离子色谱仪53离子研磨仪54磷检区熔炉55磨损测试系统56硝酸提纯仪57研磨机58矢量网络分析仪59矢量信号发生器60直读光谱仪61盐雾试验箱62界面材料热阻及热传导系数测量系统63电热鼓风干燥箱64电感耦合等离子质谱仪65电感耦合等离子发射光谱仪66电感耦合等离子光谱仪67电导率仪68电子天平69电子分析天平70电化学工作站71电位滴定仪72热风回流焊73热重分析仪74热机械分析仪75热常数分析仪76热导气相色谱77热导检测器气相色谱仪78热导分析仪79激光粒度仪80激光粒子计数器81激光散射粒径分布分析仪82激光开封机83激光导热仪84漏电起痕测试仪85温度循环试验箱86混合气体试验箱87液相色谱质谱联用仪88液相色谱仪89液体颗粒计数仪90液体颗粒仪91液体粒子传感器92流变仪93水氧分析仪94水分析仪95水分仪96氧氮氢分析仪97氧弹燃烧离子色谱仪98氧化物膜厚仪99氧分仪100氦离子化气相色谱仪101氦气氟油加压检漏装置102氦检漏仪103氢火焰离子化气相色谱仪104氙灯老化机105气相色谱仪106气相色谱-质谱联用仪107气相色用仪108气体分析仪109显微红外分析仪110数字式硅晶体少子寿命测试仪111放电氦离子化气相色谱仪112摆锤冲击试验机113接触角测量仪114拉力剪切仪115扫描电镜-电子背散射衍射116扫描电镜117扩展电阻测试仪118手动磨抛机119感应偶合等离子质谱仪120恒温恒湿箱121总有机碳检测仪122快速高低温湿热交变试验箱123微量水分仪124微量氧分析仪125微波消解仪126微机控制万能（拉力）试验机127微控数显电加热板128微探针台129影像仪130库伦法卡尔费休水分仪131库仑法卡氏水分测定仪132库仑水分滴定仪133差示扫描量热仪134少子寿命分析仪135导电型号测试仪136密度仪137多参数测量仪138多功能颗粒计数仪139塑料摆锤冲击试验机140场发射扫描电镜141四探针阻抗仪142台阶仪143台式BSE扫描电子显微镜144可编程晶体管曲线图示仪145可焊性测试仪146原子力显微镜147单面抛光机148半导体参数测试仪149动态热机械分析仪150凝胶渗透色谱151冷热冲击试验箱152冷场扫描电镜153关键尺寸扫描电子显微镜154全自动色度测试仪155光学金相显微镜156光学膜厚仪157傅立叶变换近红外光谱仪158傅立叶变换红外光谱仪159低温试验箱160低温傅立叶变换红外光谱仪161二维X射线检测仪162两探针电阻率测试仪163三重四极杆ICPMS164三维立体成像X射线显微镜165三维光学轮廓仪166三坐标测量机167万能试验机168万能推拉力试验机169α-粒子计数器170X射线检测仪171X光电子能谱仪172TOC仪173纳米粒度仪174PH计175EMI扫描台176单面抛光机177CNC视像测量系统(三次元)1788寸化学机械研磨机台1793D立体显微镜18012寸晶圆缺陷检测机18112寸化学机械研磨机台182三参数测定仪可预见的是，以上仪器必将在未来的半导体领域大有可为，同时仪器厂商对于半导体板块的竞争和细分市场争夺也必将更加激烈。

2019年3月，Quantum Design中国子公司（以下简称QDC）顺利完成清华大学材料学院的塞贝克系数/电阻测量系统ZEM的安装验收工作，QDC工程师紧接着对用户进行了相关知识和设备操作的全面培训。这是清华大学所采购的六套塞贝克系数/电阻测量系统ZEM系列产品。 由日本ADVANCE RIKO公司生产的塞贝克系数/电阻测量系统ZEM可实现对金属或半导体材料的热电性能的评估，材料的塞贝克系数和电阻都可以用ZEM直接测量。该设备采用温度控制的红外金面加热炉和控制温差的微型加热器，因此能实现实验过程中的无污染控温。同时，设备全自动电脑控制，允许自动测量消除背底电动势，拥有欧姆接触自动检测功能。除ZEM标准配置外，还可根据用户不同需求定制高阻型，增加薄膜测量选件、低温选件等。 2018年7月，QDC与日本ADVANCE RIKO公司正式达成协议，作为其热电材料测试设备在中国的代理商继续合作，并将日本ADVANCE RIKO公司的相关设备在中国大陆、香港和澳门进行进一步推广。同时，QDC将在日本ADVANCE RIKO公司的协助下，在北京建立热电材料测试设备演示中心和技术服务中心，更好地为中国热电材料的发展提供产品展示、技术支持和售后服务。

前道量检测根据测试目的可以细分为量测和检测。量测主要是对芯片的薄膜厚度、关键尺寸、套准精度等制成尺寸和膜应力、掺杂浓度等材料性质进行测量，以确保其符合参数设计要求；而检测主要用于识别并定位产品表面存在的杂质颗粒沾污、机械划伤、晶圆图案缺陷等问题。广义上的半导体检测设备，分为前道量测（又称半导体量测设备）和后道测试（又称半导体测试设备）。前道量检测主要用于晶圆加工环节，目的是检查每一步制造工艺后晶圆产品的加工参数是否达到设计的要求或者存在影响良率的缺陷，属于物理性的检测。仪器信息网近期特对一年内半导体前道检测用光学显微镜、聚焦离子束、电子显微镜、四探针和椭偏仪的中标讯息整理分析，供广大仪器用户参考。（注：本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台，不完全统计分析仅供读者参考。）各月中标量占比2019年10月至2020年9月，根据统计数据，检测设备的总中标数量为142台。2019年10月至2020年1月，平均中标量约15台每月。2020年2月，由于疫情影响，半导体量测仪器市场低迷。从2020年3月起，随着国内疫情稳定以及企业复产复工和高校复学的逐步推进，光刻设备市场逐渐回暖，其中9月产品中标量高达21台。招标单位地区分布本次盘点，招标单位地区分布共涉及25个省份、自治区及直辖市。其中，广东省采购量最多，达33台，远超其他地区。在广东省的采购中，以光学显微镜和四探针设备为主，采购单位多数为高校。采购单位性质分布从光刻设备的招标采购单位来看，高校是采购的主力军，采购量占比高达63%，企业和科研院所的采购量分别占比17%和20%。值得注意的是，企业和科研院所采购检测设备的平均价格较高。这表明，前道检测设备主要用户集中于研发领域。各类检测设备占比从各类前道检测设备占比来看，根据搜集到的中标数据可知，四探针、椭偏仪、电子显微镜和光学显微镜占比分别为32%、25%、22%和18%。这里的光学显微镜包含了金相显微镜和体视显微镜。值得注意的是，企业采购以电子显微镜为主，而高校采购则以四探针为主，科研院所各类设备采购数量差距不大。本次设备中标盘点，涉及椭偏仪品牌有颐光科技、SEMILAB、J.A.Woollam、海瑞克、HORIBA等；四探针品牌有广州四探针、瑞柯、苏州晶格、海瑞克、品鸿科技、海尔帕、普西工业、Napson Corporation、三菱等。其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有：HORIBA UVISEL 研究 级经典型椭偏仪 这款仪器是HORIBA公司20多年技术积累和发展的结晶，是一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型。即使在透明的基底上也能对超薄膜进行精确的测量。采用PEM相位调制技术，与机械旋转部件技术相比，能提供更好的稳定性和信噪比。同时，这款仪器提供多种光谱范围选择，还针对紫外、可见和近红外提供优化的PMT和IGA探测器。 FT-330 系列四 探针测试 仪 FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪是按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准设计。本机配置232电脑接口及USB两种接口，采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确。FT-341 双电测 电四探针 方阻电阻率测试仪 这款仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。同时，仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。点击此处进入【电子显微镜】【聚焦离子束】【四探针测试仪】和【椭偏仪】等专场，获取更多产品信息。更多资讯请扫描下方二维码，关注【材料说】

p style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。/span/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体工艺检测的项目繁多，内容广泛，方法多种多样，可粗分为两类。第一类是半导体晶片在经历每步工艺加工前后或加工过程中进行的检测，也就是半导体器件和集成电路的半成品或成品的检测。第二类是对半导体单晶片以外的原材料、辅助材料、生产环境、工艺设备、工具、掩模版和其他工艺条件所进行的检测。第一类工艺检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "工艺检测的目的不只是搜集数据，更重要的是要把不断产生的大量检测数据及时整理分析，不断揭示生产过程中存在的问题，向工艺控制反馈，使之不致偏离正常的控制条件。因而对大量检测数据的科学管理，保证其能够得到准确和及时的处理，是半导体工艺检测中的一项重要关键。同时半导体检测也涉及大量的科学仪器，针对于此，对一些半导体检测的仪器进行介绍。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/537.html" target="_self"椭偏仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "目前，椭偏仪是测量透明、半透明薄膜厚度的主流方法，它采用偏振光源发射激光，当光在样本中发生反射时，会产生椭圆的偏振。椭偏仪通过测量反射得到的椭圆偏振，并结合已知的输入值精确计算出薄膜的厚度，是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术。在晶圆加工中的注入、刻蚀和平坦化等一些需要实时测试的加工步骤内，椭偏仪可以直接被集成到工艺设备上，以此确定工艺中膜厚的加工终点。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1677.html" target="_self"span style="text-indent: 2em "四探针测试仪/span/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能很高。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现良好接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻很高，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "薄膜应力测试仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单高效，适合常规Fab制程中进行快速QC，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "热波系统/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "热播系统主要用来测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片上同一点的两束激光在硅片表面反射率的变化量来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统内，一束激光通过氩气激光器产生加热的波使硅片表面温度升高，热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化，这一变化量正比于硅片中由杂质粒子注入而产生的晶体缺陷点的数目。由此，测量杂质粒子浓度的热波信号探测器可以将晶格缺陷的数目与掺杂浓度等注入条件联系起来，描述离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ECV设备/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "少子寿命测试仪/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。少子寿命测试仪可以直接获得长硅的质量参数。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/34.html" target="_self"拉曼光谱/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息并应用于分子结构研究的一种分析方法。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。半导体材料研究中，拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布，可测出半磁半导体的组分，外延层的质量，外延层混品的组分载流子浓度。span style="text-indent: 2em " /span/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/31.html" target="_self"红外光谱仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源，单色器，探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同，分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言，当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "红外光谱法操作简单，不破坏样品，使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况，直接反映了半导体的许多性质，如确定红外透过率和结晶缺陷，监控外延工艺气体组分分布，测载流子浓度，测半导体薄层厚度和衬底表面质量。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "二次粒子质谱/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能，将样品表面原子溅出，由质谱仪测定二次粒子质量，根据质谱峰位的质量数，可以确定二次离子所属的元素和化合物，从而可精确测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "利用二次离子质谱对掺杂元素的极高灵敏度的特点，对样品的注入条件进行分析，在生产中可以进行离子注入机台的校验，并确定新机台的可以投入生产。同时，二次离子质谱对于CVD沉积工艺的质量监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有不可替代的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助CVD工程师进行生长条件的调节，确定最佳沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解，保证芯片的有源区的洁净生长，对器件的电性质量及可靠性起到至关重要的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的深度分布，来保证器件的电学性能达到设计要求。可以帮助LTD进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线光电子能谱仪以X射线为激发源。辐射固体表面或气体分子，将原子内壳层电子激发电离成光电子，通过分析样品发射出来的具有特征能量的光电子，进而分析样品的表面元素种类、化学状态和电荷分布等信息，是一种无损表面分析技术。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "这种技术分析范围较宽，原则上可以分析除氢以外的所有元素，但分析深度较浅，大约在25~100 Å 范围，不过其绝对灵敏度高，测量精度可达10 nm左右，主要用于分析表面元素组成和化学状态，原子周围的电子密度，特别是原子价态及表面原子电子云和能级结构。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "X射线衍射/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有X射线衍射分析相同数量级，故由不同原子散射的X射线相互干涉，在某些特殊方向上产生强X射线衍射，衍射线在空间分布的方位和强度，与晶体结构密切相关，每种晶体所产生的衍射花样都反映出该晶体内部的原子分配规律。这就是X射线衍射的基本原理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "半导体制造中的大部分材料是多晶材料，比如互连线和接触孔。XRD能够将多晶材料的一系列特性量化。这其中最重要的特性包括多晶相(镍单硅化物，镍二硅化物)，平均晶粒大小，晶体织构，残余应力。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光光谱/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量E≤Eg（能隙）的特征荧光谱。CL谱是一种无损的分析方法，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体量子肼、量子线、量子点等纳米结构的发光性能的研究。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "a href="https://www.instrument.com.cn/zc/1016.html" target="_self"轮廓仪/a/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "而利用先进的3D轮廓仪可以实现对硅晶圆的粗糙度检测、晶圆IC的轮廓检测、晶圆IC减薄后的粗糙度检测。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em font-size: 16px "AOI （自动光学检测）/spanbr//h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "AOI的中文全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是新兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "运用高速高精度视觉处理技术自动检测PCB板上各种不同贴装错误及焊接缺陷。PCB板的范围可从细间距高密度板到低密度大尺寸板，并可提供在线检测方案，以提高生产效率，及焊接质量。通过使用AOI作为减少缺陷的工具，在装配工艺过程的早期查找和消除错误，以实现良好的过程控制。早期发现缺陷将避免将坏板送到随后的装配阶段，AOI将减少修理成本将避免报废不可修理的电路板。/ph3 style="text-align: justify text-indent: 2em "span style="text-indent: 2em "ATE测试机/span/h3p style="text-align: justify text-indent: 2em "广义上的IC测试设备我们都称为ATE（AutomaticTest Equipment），一般由大量的测试机能集合在一起，由电脑控制来测试半导体芯片的功能性，这里面包含了软件和硬件的结合。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要考虑的最多的，还是电子部分的参数比如，时间，相位，电压电流，等等基本的物理参数。就是电子学所说的，信号处理。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "此外，原子力显微镜、俄歇电子能谱、电感耦合等离子体质谱仪、X光荧光分析、气相色谱等都可以用于半导体检测。而随着半导体制程工艺的进步，工艺过程中微小的沾污、晶格缺陷等都可能导致电路的失效等，半导体的工艺检测也凸显的越来越重要。/p

作者：Coventor（泛林集团旗下公司）半导体工艺与整合团队成员Yu De Chen 介绍 由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸(CD)和线间隔，这会导致更高的金属线电阻和线间电容。图1对此进行了示意，模拟了不同后段制程金属的线电阻和线关键尺寸之间的关系。即使没有线边缘粗糙度(LER)，该图也显示电阻会随着线宽缩小呈指数级增长[2]。为缓解此问题，需要在更小的节点上对金属线关键尺寸进行优化并选择合适的金属材料。 除此之外，线边缘粗糙度也是影响电子表面散射和金属线电阻率的重要因素。图1(b)是典逻辑5nm后段制程M2线的扫描电镜照片，可以看到明显的边缘粗糙度。最近，我们使用虚拟工艺建模，通过改变粗糙度振幅(RMS)、相关长度、所用材料和金属线关键尺寸，研究了线边缘粗糙度对线电阻的影响。 图1：(a) 线电阻与线关键尺寸的关系；(b) 5nm M2的扫描电镜俯视图（图片来源：TechInsights） 实验设计与执行 在晶圆厂里，通过改变线关键尺寸和金属来进行线边缘粗糙度变化实验很困难，也需要花费很多时间和金钱。由于光刻和刻蚀工艺的变化和限制，在硅晶圆上控制线边缘粗糙度也很困难。因此，虚拟制造也许是一个更直接和有效的方法，因为它可以“虚拟地”生成具有特定线边缘粗糙度的金属线结构，进而计算出相应显粗糙度条件下金属的电阻率。图2(a)显示了使用虚拟半导体建模平台 (SEMulator3D®) 模拟金属线边缘粗糙度的版图设计。图2(b)和2(c)显示了最终的虚拟制造结构及其模拟线边缘粗糙度的俯视图和横截面图。通过设置具体的粗糙度振幅(RMS)和相关长度（噪声频率）值，可以在虚拟制造的光刻步骤中直接修改线边缘粗糙度。图2(d)显示了不同线边缘粗糙度条件的简单实验。图中不同RMS振幅和相关长度设置条件下，金属的线边缘展示出了不同的粗糙度。这些数据由SEMulator3D的虚拟实验仿真生成。为了系统地研究不同的关键尺寸和材料及线边缘粗糙度对金属线电阻的影响，使用了表1所示的实验条件进行结构建模，然后从相应结构中提取相应条件下的金属线电阻。需要说明的是，为了使实验更为简单，模拟这些结构时没有将内衬材料纳入考虑。图2：(a) 版图设计；(b) 生成的典型金属线俯视图；(c) 金属线的横截面图；(d) 不同RMS和相关长度下的线边缘粗糙度状态 表1: 实验设计分割条件 实验设计结果与分析 为了探究线边缘粗糙度对金属线电阻的影响，用表1所示条件完成了约1000次虚拟实验设计。从这些实验中，我们了解到： 1. 当相关长度较小且存在高频噪声时，电阻受到线边缘粗糙度的影响较大。2. 线关键尺寸较小时，电阻受线边缘粗糙度RMS振幅和相关长度的影响。3. 在所有线关键尺寸和线边缘粗糙度条件下，应选择特定的金属来获得最低的绝对电阻值。结论由于线边缘粗糙度对较小金属线关键尺寸下的电阻有较大影响，线边缘粗糙度控制在先进节点将变得越来越重要。在工艺建模分割实验中，我们通过改变金属线关键尺寸和金属线材料研究了线边缘粗糙度对金属线电阻的影响。在EUV（极紫外）光刻中，由于大多数EUV设备测试成本高且能量密度低，关键尺寸均匀性和线边缘粗糙度可能会比较麻烦。在这种情况下，可能需要对光刻显影进行改进，以尽量降低线边缘粗糙度。这些修改可以进行虚拟测试，以降低显影成本。新的EUV光刻胶方法（例如泛林集团的干膜光刻胶技术）也可能有助于在较低的EUV曝光量下降低线边缘粗糙度。在先进节点上，需要合适的金属线材料选择、关键尺寸优化和光刻胶显影改进来减小线边缘粗糙度，进而减少由于电子表面散射引起的线电阻升高。未来的节点上可能还需要额外的线边缘粗糙度改进工艺（光刻后）来减少线边缘粗糙度引起的电阻。

电阻标准是电学计量的基石之一。为了适应国际单位制量子化变革和量值传递扁平化趋势，推动我国构建电子信息产业先进测量体系，补充国家量子化标准，开展电学计量体系中电阻的轻量级量子化复现与溯源关键技术研究至关重要。与传统砷化镓基二维电子气（2DEG）相比，石墨烯中的2DEG在相同磁场下量子霍尔效应低指数朗道能级间隔更宽，以其制作的量子霍尔电阻可以在更小磁场、更高温度和更大电流下工作，易于计量装备小型化。此外，量子电阻标准的性能通常与石墨烯的材料质量、衬底种类和掺杂工艺相关。如何通过克服绝缘衬底表面石墨烯成核密度与生长调控的瓶颈，获得高质量石墨烯单晶，并以此为基础，优化器件结构和工艺，开发出工作稳定且具有高比对精度的量子电阻标准芯片至关重要。近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所报道了采用在绝缘衬底表面气相催化辅助生长石墨烯，成功制备高计量准确度的量子霍尔电阻标准芯片的研究工作。相关研究成果以“Gaseous Catalyst Assisted Growth of Graphene on Silicon Carbide for Quantum Hall Resistance Standard Device）”为题，发表于期刊《Advanced Materials Technologies》上。研究人员首先采用氢气退火处理得到具有表面台阶高度约为0.5nm的碳化硅衬底，然后以硅烷为气体催化剂，乙炔作为碳源，在1300°C条件下，生长出高质量单层石墨烯。该温度条件下衬底表面台阶依然可以保持在0.5nm以下。采用这种方法制备的石墨烯可以制成量子电阻标准器件，研究团队直接将该量子电阻标准器件集成于桌面式量子电阻标准器，在温度为4.5K、磁场大于4.5T时，量子电阻标准比对准确度达到 1.15×10-8，长期复现性达到3.6×10-9。该工作提出了适用于电学计量的石墨烯基工程化、实用化的轻量级量子电阻标准实现方案，通过基于其量值的传递方法，可以满足不同应用场景下的电阻量值准确溯源的需求，补充国家计量基准向各个行业计量系统的量传链路。中科院上海微系统与信息技术研究所是该研究工作第一完成单位，陈令修、王慧山和孔自强为共同第一作者，通讯作者为上海微系统所的王浩敏研究员和中国计量科学研究院的鲁云峰研究员。该研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金项目、中科院先导B类计划和上海市科委基金的资助。论文链接：https://doi.org/10.1002/admt.202201127

p　　span硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品都离不开硅片。/spanspan硅片行业是资金和技术密集型行业，垄断度极高，目前前四厂商市场占有率占比超过80%，分别是/spanspan日本信越、日本SUMCO、台湾环球晶圆、德国世创。/span/pp　　硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中。硅从原料转变为半导体硅片要经过复杂的过程：首先硅原料和碳源在高温下获得纯度约98%的冶金级硅，再经氯化、蒸馏和化学还原生成纯度高达99.999999999%的电子级多晶硅。半导体材料的电学特性对杂质浓度非常敏感，而硅自身的导电性不佳，常通过掺杂硼、磷、砷和锑来精确控制其电阻率。一般，将掺杂后的多晶硅加热至熔点，然后用确定晶向的单晶硅接触其表面，以直拉生长法生长出硅锭，硅锭经过金刚石切割、研磨、刻蚀、清洗、倒角、抛光等工艺，即加工成为半导体硅片。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片、SOI 硅片等。根据半导体尺寸分类，半导体硅片的尺寸(直径)主要有 50mm(2 英寸)、75mm(3 英寸)、100mm(4 英寸)、150mm(6 英寸)、200mm(8 英寸)、 300mm(12英寸)等规格。目前硅片生产以8英寸和12英寸为主，其中8英寸硅片主要应用于电子、通信、计算、工业、汽车等领域，而12英寸硅片多用于PC、平板、手机等领域。/pp　　在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。硅片检测要检查直径、厚度、弯曲、翘曲、缺陷、晶面、表面污染(有机物)、电阻率、晶面取向、氧碳含量、表面平整度和粗糙度、微量元素含量、反射率等。使用到的仪器有测厚仪、显微镜、XRD、气相色谱、X射线荧光光谱、二次离子质谱、电阻率测试仪等。/pp style="text-align: center "strong硅片测试国家标准/strong/ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none" align="center"tbodytr style=" height:18px" class="firstRow"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pstrongspan style="font-family:宋体"标准编号/span/strong/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pstrongspan style="font-family:宋体"标准名称/span/strong/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T11073-2007/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片径向电阻率变化的测量方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T13388-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片参考面结晶学取向/spanspanX/spanspan style="font-family:宋体"射线测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T14140-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片直径测量方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T19444-2004/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片氧沉淀特性的测定/spanspan-/spanspan style="font-family:宋体"间隙氧含量减少法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T19922-2005/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片局部平整度非接触式标准测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T24577-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T24578-2015/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片表面金属沾污的全反射/spanspanX/spanspan style="font-family:宋体"光荧光光谱测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T26067-2010/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片切口尺寸测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T26068-2018/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T29055-2019/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用多晶硅片/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T29505-2013/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30701-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"表面化学分析硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射/spanspanX/spanspan style="font-family:宋体"射线荧光光谱法/spanspan(TXRF)/spanspan style="font-family:宋体"测定/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30859-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30860-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30869-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T32280-2015/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片翘曲度测试自动非接触扫描法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T32281-2015/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T32814-2016/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅基/spanspanMEMS/spanspan style="font-family:宋体"制造技术基于/spanspanSOI/spanspan style="font-family:宋体"硅片的/spanspanMEMS/spanspan style="font-family:宋体"工艺规范/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T37051-2018/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6616-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6617-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片电阻率测定扩展电阻探针法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6618-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片厚度和总厚度变化测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6619-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片弯曲度测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6620-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片翘曲度非接触式测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6621-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片表面平整度测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T29507-2013 /span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法/span/p/td/tr/tbody/tablep　　据 Gartner 预计，2017-2022 年半导体增速最快的应用领域是工业电子和汽车电子；预计2020年半导体发货总量将超过一万亿，其中增长率最高的半导体细分领域包括智能手机、汽车电子以及人工智能等。/pp　　需要相关标准，请到a href="https://www.instrument.com.cn/download/L_5DBC98DCC983A70728BD082D1A47546E.htm" target="_self"仪器信息网资料中心/a查找。/p

近日，上海优睿谱半导体设备有限公司（以下简称“优睿谱半导体”）完成新一轮数千万元融资，本轮融资由君子兰资本领投，境成资本、琢石投资、南通海鸿金粟等跟投。本轮融资将用于晶圆边缘检测设备SICE200、晶圆电阻率量测设备SICV200、晶圆位错及微管检测设备SICD200、多种半导体材料膜厚测量设备Eos200DSR等多款设备的量产，新布局产品的研发以及团队的扩充。值得一提的是，优睿谱半导体成立于2021年，两年时间内其完成了5轮融资，披露融资金额超1.3亿元，并获评国家级高新技术企业和科技型中小企业01 半导体老兵创业，致力于打造高品质的半导体前道量测设备优睿谱半导体的创始人，是技术出身的余先育。余先育毕业于武汉科技大学材料学院，2006年4月获上海交通大学微电子学与固体电子学硕士学位；2006年至2009年担任美国应用材料（以色列PDC总部）全球技术支持工程师；2010至2021年担任睿励科学仪器（上海）有限公司市场总监。在半导体行业深耕15年，让他积累了丰富的技术与市场的经验。2021年9月，余先育创立上海优睿谱半导体设备有限公司，并担任董事长，总部位于上海浦东新区张江高科技园区，同时在浦东金桥设有研发中心，在无锡高新区设有技术中心。公司由长期从事于半导体行业的海归博士领衔和国内专业的IC前道制程量测设备技术团队共同发起成立。团队人员均为长年深耕在半导体前道量测设备行业，在国内具有深厚的产业背景、产业资源以及设备制造的产业链资源。据了解，公司集研发、设计、制造、销售与服务于一体，主要产品为半导体前道量测设备，如面向硅基晶圆的量测设备、面向碳化硅晶圆的量测设备、晶圆位错及微管检测设备、晶圆边缘及表面外观缺陷检测设备等。简而言之，优睿谱半导体致力于打造高品质的半导体前道量测设备。据了解，半导体量测设备主要用于半导体制造工艺中缺陷检测和参数测量，广泛用于硅片制造、芯片制造、先进封装领域，如关键尺寸测量设备、薄膜厚度测量设备、缺陷检测设备等。 02 推出4个系列半导体检测设备目前，公司推出了FTIR系列、SICD系列、SICV系列和SICE系列产品，覆盖谱外延膜厚度和元素浓度自动测量系统、基于光学方案的碳化硅晶圆缺陷检测全自动设备、对碳化硅晶圆和SI晶圆的电阻率的量测设备和为硅基以及化合物半导体衬底及外延晶圆边缘及外观表面缺陷检测而设计的光学检测全自动设备等半导体设备。在FTIR系列产品方面，共有Eos200、Eos200lite、Eos300+、Eos200DSR四款设备，它们采用先进的GEM/SECS以太网通信设计，适用于标准清洁环境操作，优势在于利用FTIR技术实现外延厚度的非接触测量，同时具备高运行产能；能够确定无图案或有图案的晶圆上的外延厚度，并可测量生长了多层的外延层；测量可追溯至内部黄金标准；友好的用户界面，方便快捷的程序设置。在SICD系列方面，有SICD200、SICD200s两款产品，其基于光学方案的碳化硅晶圆缺陷检测全自动设备，可对碳化硅晶圆的位错、微管进行检测。其中，SICD200可兼容6&8寸SiC衬底位错和微管缺陷检测；高分辨率实时对焦高速线扫描成像技术；采用深度学习算法（AI），有效提高位错检测准确度，同时实现位错分类；可对接碳化硅衬底厂家的MES系统，实现工厂自动化生产；设备提供的晶体内应力检测功能，可用于碳化硅的籽晶筛选。SICD200s产品优势在于采用超高频光学显微成像系统，结合实时高精度焦距补偿运动控制系统；实现对WAFER缺陷的高速高分辨检测，大幅缩短检测时间；通过高分辨率图像处理技术，实现缺陷高精度定位。SICV200主要是对碳化硅晶圆和SI晶圆的电阻率的量测设备。它能够根据客户的需求可灵活地定制半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案；自主开发CRT40电容表具备良好的稳定性和精度；变频分析支持 20kHz to1MHz；支持各种不同尺寸晶圆。 SICE200是一款专为硅基以及化合物半导体衬底及外延晶圆边缘及外观表面缺陷检测而设计的光学检测全自动设备。其兼容6&8寸SiC&Si衬底和外延晶圆边缘检测，也适用于其他化合物衬底及外延晶圆的边缘缺陷检测；可同时实现对晶圆360°检测和对晶圆倒角和直径精确测量；自主知识产权的光机系统可实现高分辨率、高检出率及高检测速率；还能够完成晶圆厚度、TTV/Warp/Bow等参数测量。 03 两年完成5轮融资，获评国家高新技术企业和科技型中小企业跟国外竞品相比，优睿谱半导体开发的Eos200/300及Selene200/300均为全自动测量设备，采用模块化设计理念，在核心部件、整机、软件等多个方面均进行了大幅创新设计，使得整机测量性能在达到国外竞品同等水平的情况下，还大幅降低了客户的使用及维护成本。得益于强劲的研发实力，优睿谱半导体频获资本认可，两年内获5轮融资，还先后获评国家高新技术企业和科技型中小企业。2022年7月，成立不到一年的优睿谱半导体拿到一轮战略融资，本轮融资由上海季华科技发展有限公司投资完成；2022年8月，拿到数千万元Pre-A轮融资，由弘卓资本领投，银珠资本、上海季华科技发展有限公司、南京信达诚惠企业管理合伙企业（有限合伙）、芜湖众余股权投资合伙企业（有限合伙）跟投完成；2023年7月，完成约亿元融资，由基石资本领投，泓湖投资、中南创投、星河控股、浑璞投资、景宁灵岸企业管理合作企业（有限合伙）、杭州盟合创业投资合伙企业（有限合伙）跟投；2023年12月，完成A轮融资，由曦晨资本、上海采邑投资完成。近日完成的数千万元B轮融资，将用于多款设备的量产、新布局产品的研发以及团队扩充。对于本轮融资，君子兰资本、境成资本等投资方看好优睿谱半导体的未来发展，并表示：“随着半导体制程技术、碳化硅等新材料的发展，半导体前道量检测设备的市场规模持续增长、重要性日益凸显，本土量检测设备厂商的市场前景广阔。优睿谱成立还不足3年就已推出多款设备，实现了供应链本土化，还快速打造了系列化设备及解决方案，积极扩展产品线，展现出显著的竞争优势和广阔的发展前景。”优睿谱总经理唐德明博士则表示：“在公司成立即将满三周年之际，优睿谱本轮融资意义重大，不仅意味着公司多款设备即将进入量产，还意味着公司获得越来越多投资者和合作伙伴的认可。公司和团队将一如既往，更加努力，以加快现有设备量产及新产品研发。”

导读：当今，化石能源短缺和环境污染问题凸显，能源的多元化和高效多利用成为解决能源与环境问题的一个重要途径。作为一种绿色能源技术和环保型制冷技术热电转换技术受到学术界和工业界的广泛关注。热电转换技术是利用材料的塞贝克效应与帕尔贴效应将热能和电能进行直接转换的技术，包括热电发电和热电制冷。这种技术具有系统体积小、可靠性高、不排放污染物、适用温度范围广等特点。近期，我司在西湖大学理化公共实验平台及上海交通大学材料学院连续成功交付使用了新一代塞贝克系数电阻测量系统-ZEM-3。该设备可实现金属或半导体材料的热电性能评估以及塞贝克系数和电阻的测量。其特的红外金面加热炉（高1000℃）和控制温差的微型加热器可实现温度的控制；整个测量过程由计算机全自动控制，能够在指定的温度下执行测量，允许自动测量消除背底电动势；并且ZEM-3还可实现欧姆接触自动检测功能（V-I曲线），不仅可以用创的适配器来测量薄膜，也可定制高阻型。Quantum Design中国子公司 工程师在为客户介绍设备 这两台设备于疫情期间运抵国内，为保证用户的科研使用需求，Quantum Design中国子公司调集技术力量，在满足学校防疫要求的前提下与用户紧密合作，于近日顺利完成了设备的安装培训工作，所有技术指标均符合要求，设备正式交付使用。西湖大学的设备已进入校设备共享平台，对校内外用户开放共享。目前，所有中国用户购买的ZEM系列产品，均由Quantum Design中国子公司的工程师团队负责安装及售后服务。同时，Quantum Design 中国子公司在日本Advance Riko公司的协助下，在北京建立部分热电设备示范实验室和用户服务中心，更好的为中国热电技术的发展提供设备支持和技术服务。 西湖大学理化公共实验平台网站截图 该设备为日本Advance Riko, Inc.生产。日本Advance Riko公司成立近60年来专业从事“热”相关技术和设备的研究开发，并一直走在相关领域的前端，为各地的科学研究及生产活动提供了诸如红外加热、热分析/热常数测量等系统。2018年初，Quantum Design 中国子公司引进日本Advance Riko公司的：小型热电转换效率测量系统Mini-PEM、热电转换效率测量系统PEM、塞贝克系数/电阻测量系统ZEM及大气环境下热电材料性能评估系统F-PEM等一系列先进热电材料测试设备。2018年7月，Quantum Design 中国子公司与日本Advance Riko达成协议，作为其热电材料测试设备在中国的代理商继续合作，携手将日本Advance Riko先进的热电相关设备介绍到中国。延伸阅读：为更好服务国内热电材料研究领域的客户，满足客户体验需求， Quantum Design中国子公司与日本Advance Riko公司携手推出厚度方向热电性能评价系统ZEM-d 免费样品测试活动。活动时间自即日至2020年9月30日止，如您有样品测试需求，欢迎通过留言、官方微信平台、电话010-85120280或邮箱info@qd-china.com联系我们，公司将有专人对接，与您协调具体的样品测试工作。

绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?1 为什么在测量同一物体时用不同的电阻量程有不同的读数？ 这是因为测量电阻时为防止过电压损坏仪器，如果出现过量程时仪器内保护电路开始工作，将测试电压降下来以保护机内放大器。在不同的电压下测量同一物体会有不同的结果。而且当测量电阻时若读数小于199，既只为三位数且di一位数为1 时，其准确度要下降。所以在测量电阻时当di一次读数从1 变为某一读数时，不应再往更高的量程扭开关以防对仪器造成过大的电流冲击。在实际使用时，即读数位数多的比读数位数少的准确度高。2为什么测量完毕时一定要将量程开关再拨到104档后才能关电源？ 这是因为在测量时被测物体及仪器输入端都有一定的电容，这个电容在测量时已被充电到测量电时的电压值，如果仪器不拨到104挡后关电源这个充电后的电容器会对仪器内的放大器放电而造成仪器损坏。当被测量物体电容越大，测试电压越高时，电容器所储藏的电能越大，更容易损坏仪器，特别是在电阻的高量程或电流的低量程时因仪器非常灵敏，仪器过载而损坏的可能性更大。所以一定要将量程开关再拨到104挡后才能关电源。3为什么测量时仪器的读数总是不稳？ 一般的材料其导电性不是严格像标准电阻样在一定的电压下有很稳定的电流，有很多材料特别是防静电材料其导电性不符合欧姆定律，所以在测量时其读数不稳。 这不是仪器的问题，而是被测量物体的性能决定的。有的标准规定以测量1分钟时间的读数为准。通常在测量高电阻或微电流时测量准确度因重复性不好，对测量读数只要求2位或3位。另外在测量大电阻时如果屏蔽不好也会因外界的电磁信号对仪器测量结果造成读数不稳。4为什么测量一些物体的电流时用不同的量程也会出现测出结果相差较大？ 这是因为一般物体输出的电流不是恒定流，而仪器有一定内阻，若在仪器上所选量程的内阻过大以至于在仪器上的电压降影响被测物体的输出电流时会造成测量误差。一般电流越小的量程内阻越高，所以在测量电流时应选用电流大的量程。在实际使用时即只要电流表有读数时，读数位数少的小的比读数位数多的准确度高。 5 为什么测量完毕要将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源？ 这是因为机内的电容器充有很高的电压（zui高电压达1200V以上），这些电容器的所带的电能保持较长的时间，如果将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源，则会将机内的高压电容器很快放电，不会在测量的高压端留有很危险的电压造成电击。如果仅拨电源线而不是将电压调至10V档，虽然断了电源，但机内高压电容器还有会因长时间保持很高的电压，将会对人员或其它物体造成电击或损坏。在仪器有问题时也不要随便打开机箱因机内高压造成电击，要将仪器找专业技术人员或寄回厂家修理。6为什么在测量电阻过程中不要改变对被测物的测试电压？ 在测量电阻过程中如果改变对被测物的测试电压，无论电压变高或变低时都将会产生大脉冲电流，这个大的电流很有可能使仪器过量程甚至更损坏仪器。另一方面如果电压突然变化也会通过被测量物体的（分布）电容放电或反向放电对测量仪器造成冲击而损坏仪器。有的物体的耐压较低，当您改变测量电压时有右能击穿而产生大电流损坏仪器。如果要改变测量电压，在确保被测量物体不会因电压过高击穿时，要先将量程开关拨到104档后关闭电源，再从仪器后面板调整到所要求的电压。有的材料是非线性的，即电压与电流是不符合欧姆定律，有改变电压时由于电流不是线性变化，所以测量的电阻也会变化。

FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述：四点探针法，全自动化运行测量系统，PC软件采集和数据处理；参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻；可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择；真空环境，可显示：方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.FT-3110系列全自动四探针测试仪二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量；选择性发射极扩散片；表面钝化片；交叉指样PN结扩散片；新型电极设计，如电镀铜电阻测量等；半导体材料分析，铁电材料，纳米材料，太阳能电池，LCD，OLED，触摸屏等. FT-3110系列全自动四探针测试仪三.技术参数： 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5～2×10^5Ω10^-6～2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5～2×10^5Ω/□10^-6～2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6～2×10^6Ω-cm10-7～2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA， 10mA，100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面：电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围：探针压力可调范围：软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻：≥1000MΩ；机械游移率：≤0.3%圆头铜镀金材质，探针间距1mm；2mm；3mm选配，其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸：2-12寸（6寸150mm，12寸300mm）；方形片：大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性：重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：100W 16.选购项目电脑和打印机创新点：仪器采用全自动操作，抽真空处理瑞柯全自动四探针测试仪

天眼查信息显示，深圳铭创智能装备有限公司（以下简称：铭创智能）近期完成B+轮融资，融资金额未披露，投资方为明德投资。这是继2023年4月完成B轮融资后，铭创智能完成的新一轮融资。自2019年12月成立至今，铭创智能已相继完成4轮融资，分别是2019年12月的天使轮、2021年7月的A轮、2023年4月的B轮以及今年7月的B+轮融资，投资方包括铭普光磁、中投德勤投资、深圳高新投、深圳小禾投资等机构。官网资料显示，铭创智能聚焦于面板、消费类电子、锂电、半导体等行业的精密微加工和自动化解决方案，主要研究TFT-LCD、OLED、蓝宝石、玻璃、陶瓷、硅、碳化硅等材料的加工工艺和智能装备解决方案，提供激光切割、激光雕刻、激光微加工解决方案和配套自动化产品。作为一家设备厂商，铭创智能业务涉及碳化硅领域，而近期在碳化硅设备细分领域投融资十分火热，多家碳化硅设备相关厂商相继完成新一轮融资，其中包括优睿谱和驿天诺。7月25日，优睿谱宣布其于近日完成新一轮数千万元融资，本轮融资由君子兰资本领投，境成资本、琢石投资、南通海鸿金粟等跟投。这是继2023年12月的A+轮融资后，优睿谱完成的又一轮融资。截至目前，成立于2021年9月的优睿谱已相继完成5轮融资。优睿谱表示，本轮融资将用于晶圆边缘检测设备SICE200、晶圆电阻率量测设备SICV200、晶圆位错及微管检测设备SICD200、多种半导体材料膜厚测量设备Eos200DSR等多款设备的量产，新布局产品的研发以及团队的扩充。与此同时，驿天诺宣布完成数千万元Pre-A轮融资，由武创华工基金领投，中国信科天使基金、泽森资本、光谷产投、白云边科投等跟投。 驿天诺专注于硅光&第三代半导体封测设备，是国内较早开发硅光和第三代半导体自动化封测装备的公司，其产品对标美国FormFactor等龙头厂商，实现了硅光和第三代半导体测试和封装装备的进口替代。相关厂商持续完成融资，有助于加速碳化硅相关设备国产替代进程。