等离子体刻蚀终点检测仪

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等离子体刻蚀终点检测仪相关的厂商

  • OPS Plasma专注于等离子表面处理,集设备开发与设备制造、工艺开发与方案解决为一体,为各行业提供高效、节能、环保的等离子表面处理方案,包括等离子清洗、等离子活化、等离子改性、等离子接枝与聚合、等离子刻蚀、等离子沉积等。 OPS Plasma的创始人在德Fraunhofer Institute期间积累了丰富的设计开发经验,研发团队拥有10年以上的等离子系统设计经验、5年以上的等离子设备制造经验,是国内最大的等离子应用技术方案解决专家,不仅能为客户提供优质的等离子处理设备,还能为客户提供整套的解决方案和工艺指导。 OPS Plasma的制造团队多年从事等离子设备制造,成功开发出多款设备。设备采用具有独立知识产权的电极系统和进气系统,保证电场和气场的均匀分布,并完美地解决了真空动密封、真空冷却等一系列问题。 OPS Plasma的等离子设备广泛地应用在光学电子、太阳能、半导体、生物医疗、纳米材料、及通用工业领域,销往各大知名院校、科研机构和企业。在全国范围内超过100台实验设备和工业设备的良好运行,充分证明了OPS Plasma等离子系统的优越品质。 OPS Plasma致力于用国际的品质、国内的价格和优质的服务为全球各行业客户提供等离子处理设备和解决方案,成为全球行业领先的等离子应用技术方案解决专家。
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  • 石家庄起点检测仪器有限公司是国内外著名品牌分析仪器,实验室设备及部分耗材的专业代理公司。 我们主要是赛默飞世尔、瑞士万通、英国百灵达、莱伯泰科、卡博莱特、岛津的国内一级代理商,北京同泰联、北京大龙、宁波新芝、江苏金怡、上海雷磁,上海美析,上海元析,南京科捷,上海一恒、北京普析、湘仪等国内品牌的代理经销商,并且负责仪器的安装,调试与维修。 我们拥有雄厚的经济基础,拥有充满活力的销售团队和完善的售后服务团队,我们会根据客户的需求,从技术上为客户提出仪器最佳配置方案,以诚信为本,质量第一的售后服务为宗旨,竭诚为您服务。 石家庄起点检测仪器有限公司本着“质量是企业生命的源泉、信誉是企业生存发展的基石”的原则,欢迎海内外朋友在互惠互利的基础上广泛合作,共创美好明天。 公司宗旨:质量是企业生命的源泉,信誉是企业生存发展的基石。
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  • 400-860-5168转3241
    载德半导体技术有限公司是专业的半导体及微电子领域仪器设备供应商,载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业。载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System); - 快速退火炉(RTP); - 回流焊炉,真空烧结炉(Reflow Solder System); - 探针台(Probe Station),低温探针台(Cryogenic Probe Station); - 贴片机(Die Bonder),划片机(Scriber),球焊机/锲焊机(Wire Bonder); - 原子层沉积系统(ALD),等离子增强原子层沉积设备(PEALD); - 磁控溅射镀膜机(Sputter),电子束蒸发镀膜机(E-beam Evaporator),热蒸发镀膜机(Thermal Evaporator),脉冲激光沉积系统(PLD) - 低压化学气相沉积系统(LPCVD),等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),快速热化学气相沉积系统(RTCVD); - 反应离子刻蚀机(RIE),ICP刻蚀机,等离子体刻蚀机; - 加热台、热板、烤胶台 (Hot Chuck / Hot Plate); - 扫描开尔文探针系统(Kelvin Probe),光反射膜厚仪(Reflectometer); 等等...
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等离子体刻蚀终点检测仪相关的仪器

  • 仪器简介:IMP离子蚀刻探针(Ion Milling Probe),自带差式泵,坚固的二次离子质谱仪,适于分析离子蚀刻过程中的二次离子和中性粒子. 独有的专业终点检测(End Point Detection)仪器,用于离子蚀刻控制以及过程质量最优化监测.技术参数:应用: • 终点检测(End Point Detection) • 靶的纯度鉴定 • 质量控制/ SPC. • 残余气体分析 • 泄漏监测 主要特点:特点: • 高灵敏度的 SIMS/MS,带脉冲离子计数检测器 • 三级过滤四极杆,标准配置质量数为300 amu • 差式泵歧管,经连接法兰,接到过程室 • 离子光学器件,带能量分析器和内置离子源 • Penning规和互锁装置,以提供过压保护 • 数据系统与过程控制工具整合 • 稳定性(24h以上,峰高变化小于 ±0.5%) • 通过 RS232、RS485或以太网, 软件MASsoft控制 • 程控DDE, 平行数字式I/O, RS232通讯
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  • 电容耦合等离子体刻蚀(CCP)设备1. 产品概述:CCP腔室适用于制造微纳结构的等离子刻蚀技术。在反应离子刻蚀过程中,等离子体中会包含大量的活性粒子,与表面原子产生化学反应,生成可挥发产物后,随真空抽气系统排出。鲁汶仪器的 Haasrode® Avior® A 在性价比和空间利用率上优点突出,可提供各种不同材料的刻蚀解决方案。单腔室电容耦合等离子体(CCP)机适用于光刻胶残胶去除(打底膜)、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆2. 系统特性单腔室电容耦合等离子体(CCP)机台适用于光刻胶残胶去除(打底膜)、介质刻蚀等工艺可用于6英寸及以下晶圆
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  • 微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz,真空腔体石英玻璃材料,腔体容积5升,中英文操作系统,触摸屏控制,频率2.45GHz有强的化学作用,适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗,活化,蚀刻和改性。
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等离子体刻蚀终点检测仪相关的资讯

  • 等离子体刻蚀机、PVD和扫描电镜等创新成果亮相2024清华大学工程博士论坛!
    仪器信息网讯 2024年5月18-19日,2024清华大学国家卓越工程师学院春季工程博士论坛在北京亦庄举办。论坛围绕“先进装备”“大健康”“未来建设”“工业软件”“集成电路”“新能源”“综合交通”“大数据AI”“智能制造”九大产业集群要素开展主题沙龙。本次论坛作为又一次盛大的学术交流活动,现场展出了诸多优秀创新成果,仪器设备相关成果也位于其中,如“应用于集成电路制造的12英寸电感耦合等离子体刻蚀机和硅通孔(TSV)铜籽晶层物理气相成绩(PVD)设备”、“单束高通量扫描电镜及其跨尺度材料观测分析”。成果一:等离子体刻蚀机和硅通孔(TSV)铜籽晶层物理气相成绩(PVD)设备一、主要工程技术难点和创新性1、等离子体刻蚀机:先进脉冲射频脉冲等离子体产生和控制技术,实现多种等离子体参数的调控 先进的抗等离子体刻蚀的涂层技术实现纳米级别的颗粒环境调控,复合径向和角向联合小区域精确控温技术实现优异的整片关键尺寸均匀性,高精度终点检测技术(如光学发射光谱和光学相干光谱)识别精细刻蚀工艺过程中信号强度变化 双重/四重图形曝光工艺能力实现小线宽的图形控制等技术。2、TSV铜籽晶层物理气相沉积设备:高离化率磁控管技术、带有偏压的低温ESC技术 实现高深宽比下高台阶覆盖率沉积 实现优异的颗粒控制 二、工程应用价值和成熟程度目前研发的等离子刻蚀机,通过实现优异的双重/多重图形曝光、高介电常数介质/金属栅等刻蚀工艺形貌控制,适用于鳍式晶体管、多层3D NAND 闪存高密度DRAM内存等先进结构生成,广泛应用于国际主流逻辑、存储等芯片制造生产。TSV铜籽晶层物理气相沉积设备,已经广泛应用于逻辑,存储和先进封装芯片领域,能够实现较高深宽比的硅通孔铜籽晶层沉积,该设备已在多家客户端实现量产应用,代表国产金属薄膜沉积设备的较高水平。成果二:“单束高通量扫描电镜及其跨尺度材料观测分析”创新性的设计单束扫描电镜的电子光学系统:1、采用浸没式的电磁复合透镜保证1nA的落点电流下实现1.8nm@1keV的分辨率。2、采用位于透镜中的背散射(BSE)和二次电子(SE)探测器提高信号电子收集效率和图像信噪比,实现最短10nS/像素的驻留时间,即实现100M像素/秒的成像速度。工程博士论坛每年春季学期和秋季学期各举办一次,旨在加强工程领域的学术交流,激发工程博士生的创新思维,提高工程博士生解决复杂工程技术问题、进行工程技术创新、组织工程技术研究开发工作等能力,促进跨界交叉融合创新,不断扩大工程博士生在工程界、学术界和社会上的影响,推进产教融合,高起点、高质量地培养造就工程技术领军人才。工程博士论坛自2019年创办至今,已先后在北京、南通、深圳、成都、海盐、武汉、上海成功举办9届,经过几年不断地建设和发展,论坛活动成效和影响力不断扩大,逐渐打造成彰显清华特色的学术品牌。工程博士论坛网站:http://qhgbforum.ihaogo.com/index.htmlfor
  • 出口增长63%!2020年等离子体刻蚀机海关进出口数据盘点
    自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来,研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程,也是当前中国市场最为紧迫的一项技术,关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行,也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开半导体设备,其中刻蚀设备是其中的重中之重。据了解,目前我国已经突破了刻蚀设备的技术难关,其中中微公司的5nm刻蚀设备已成功销往海外,更是进入台积电的生产线。如今最先进的芯片制造主要使用干法刻蚀技术即等离子体刻蚀技术,相对于湿法刻蚀,具有更好的各向异性,工艺重复性,且能降低晶圆污染几率,因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。伴随着国际半导体行业的产能危机,国内等离子体刻蚀机需求或将爆发。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况,可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况。2020年是特殊的一年,新冠肺炎疫情在全球爆发,各行各业都受到了一定的影响,包括半导体产业。为了解过去近两年中等离子体刻蚀机的进出口情况,仪器信息网特别对2019、2020年1-12月,等离子体刻蚀机(商品编码84862041)进出口数据进行了分析汇总,为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2019、2020年1-12月海关等离子体刻蚀机进出口数据统计统计年月进口量(台)进口金额(人民币:元)出口量(台)出口金额(人民币:元)2019年1-12月109712,685,798,98279353,896,8762020年1-12月127616,949,614,747122577,419,680从上表可以看到,2020年1-12月,我国共进口等离子体刻蚀机1276台,进口额约为170亿元,进口单价约为1328万元。而2019年同期,等离子体刻蚀机进口1097台,进口额约为127亿元,进口单价约为1156.4万元。与去年同期相比,2020年1-12月我国等离子体刻蚀机进口台数增加约16.3%,进口额增加约33.6%,进口单价提高约15%。从整体来看,2020年进口等离子体刻蚀机市场增长非常明显,同时进口单价也略有提高。而从出口情况来看,2020年1-12月,我国共出口等离子体刻蚀机122台,出口额约为5.8亿元,出口单价约为473万元。而2019年同期,等离子体刻蚀机出口79台,出口额约为3.54亿元,出口单价约为448万元。总体而言,我国等离子体刻蚀机出口量仍然很少,但2020年比上年同期出口金额明显增加约63%,出口数量增加约54%,出口单价也略有提高。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据图(单位:台)对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口量逐月数据分析发现,并对比2019年同期数据可以明显看出,2020年等离子体刻蚀机进口数量明显有所增加,且逐月变化较为明显,其中2020年1月受国内新冠肺炎疫情影响,等离子体刻蚀机进口数量较去年有所下降,而则2~4月份迎来“报复性”增长,等离子体刻蚀机进口台数比去年同期多大约一半,5~7月每月进口数量与去年有所增长,但增幅有所下降,8月进口数量较去年同期有所下降,可能受国外新冠疫情影响,而9月进口量的大爆发可能是为了弥补8月份进口量不足的部分。10-11月平稳增加,但12月进口量再次下降,这可能来自于特朗普政府将中芯国际列入“实体清单”和冬季疫情反扑的多重影响。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据图(单位:人民币/亿元)对2020年1-12月等离子体刻蚀机进口金额逐月数据分析发现,并对比2019年同期数据可以明显看出,除12月较去年进口金额有所下降以外,等离子体刻蚀机每月进口金额都较去年同期有所增加,其中,6、7、11月较去年增长幅度较小之外,但其他月份增幅明显。值得注意的是,9月进口额更是达到了去年同期的两倍以上,一个可能的原因是9月份台积电停止为华为代工芯片,华为大量订单转向国内代工厂生产,国内代工厂的扩大产能所导致。2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴数量(单位:台)2019、2020年1-12月等离子体刻蚀机主要海关进口贸易伙伴金额(单位:人民币/亿元)2020年1-12月等离子体刻蚀机海关进口贸易伙伴金额分布图根据海关数据,近两年我国主要从美国、日本、新加坡、韩国、中国台湾、马来西亚、英国以及德国等贸易伙伴进口等离子体刻蚀机。其中进口金额最高的前5个贸易伙伴分别是美国、日本、新加坡、韩国和中国台湾。从数据中可以看出,我国等离子体刻蚀机对美日依赖严重。2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地数量分布(单位:台)2020年1-12月等离子体刻蚀机进口企业注册地金额分布(单位:人民币/亿元)通过海关进口等离子体刻蚀机的企业注册地数据,可以大致了解到进口等离子体刻蚀机在国内的“落脚地”。可以看出 ,2020年,江苏、上海、湖北、陕西等省市进口等离子体刻蚀机数量较多,而这些地区也是我国经济较发达,半导体相关行业比较发达的省份和地区。就海关进出口数据来看,等离子体刻蚀机在国内的市场潜力非常巨大,2020年尽管新冠疫情爆发给各行各业造成一定影响,但我国等离子体刻蚀机市场增长依然明显,但由于进口等离子体刻蚀机美日产品占据主流,受到美国贸易战影响较大,国内产线等离子体刻蚀机的“去美化”迫在眉睫。另一方面,由于国内掌握等离子体刻蚀机所涉及的核心零部件、研发人才等仍然相对较少,虽然在介质刻蚀机上的研究已逐渐达到国际先进水平,但难度较大的深硅等离子体刻蚀机的发展距美、日还有一定差距。同时,由于半导体设备企业与晶圆代工厂的工艺深度绑定,也使得等离子体刻蚀机为代表的半导体设备仍依赖进口,受制于人。不过,近年来随着以中微半导体、北方华创等国内等离子体刻蚀机厂商的崛起,国产刻蚀机在一定程度上也能满足部分企业的要求。未来,伴随着中美半导体产业的争夺和全面“去美化”的浪潮,等离子体刻蚀机的国内市场占有率将有望进一步提升。
  • 前十月进口额远超去年全年:等离子体干法刻蚀机海关进口数据分析
    自美国提出终断该国企业与华为多年的芯片供应以来,研制中国自己的国产芯片提上了我国的发展日程,也是当前中国市场最为紧迫的一项技术,关于芯片技术发展的讨论不仅在专业领域盛行,也成为了普通民众议论的焦点所在。而芯片的制造离不开刻蚀设备,其中等离子体刻蚀机更是先进制程中必不可少的设备,是重中之重。2021年是“十四五”开局之年,中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展,明确了半导体产业在产业升级中的重要地位,同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈,却迟迟得不到缓解,各行各业都受到了一定的影响,受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机,全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关等离子体刻蚀机的进口情况,可以从一个侧面反映出中国等离子体刻蚀机市场的一些情况,进而了解到中国半导体产业的一些情况。为了解过去2021年中等离子体刻蚀机的进出口情况,仪器信息网特别对2021年1-10月,等离子体干法刻蚀机(商品编码84862041)进口数据进行了分析汇总,为大家了解中国目前等离子体刻蚀机市场做一个参考。2021年1-10月进口等离子体刻蚀机贸易伙伴变化(人民币/万元)贸易伙伴进口额(元)进口数量(台)均价(元/台)美国777014343651615058418日本621252727637416611035韩国328231684432710037666中国台湾18771365038921091421新加坡181269896211316041584马来西亚17790801177723104937英国544211135786977066德国203676120414967710中国1296367043240918荷兰632916423164582法国415082322075412波兰643071643072021年1-10月各贸易伙伴进口总额(人民币/元)2021年1-10月,中国进口等离子体干法刻蚀机总额约235亿元,总台数达1624台,其中美国进口金额最多约78亿元,台数达516台,占比高达33%,日本进口金额紧随其后约62亿元,374台,占比达26%。可以看出,目前等离子体刻蚀机主要来自于美国和日本,进口均价都超1500万元/台,此类等离子体刻蚀机以高端产品为主,主要用于生产。值得注意的是,波兰进口的一台等离子体刻蚀机仅6万多元,此设备可能是用于科研领域的低端产品或配件。从此前统计的【2020年等离子体刻蚀机海关进出口数据盘点】可以看出,2020年1-12月,我国共进口等离子体刻蚀机1276台,进口额约为170亿元,而今年仅前十个月就已超去年全年的进口额。这表明,今年我国晶圆代工厂的建设热度不减,这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-10月等离子体干法刻蚀机进口数据(人民币/万元)从进口额的时间变化趋势可以看出,等离子体刻蚀机进口额在4-6月出现了一个高峰,进口额连续大幅度增长,而在七月份却断崖式下跌,直到回归正常水平。这一变化可能和疫情有关,在夏季全球疫情由于气温上升得到缓解,海关进口更畅通,而春秋季节气温较低,全球疫情出现反复。另一个可能的原因是海运费用暴涨导致六月以后进口额降低。2021年1-10月等离子体刻蚀机各注册地进口数据变化(单位/万元)2021年1-10月等离子体干法刻蚀机注册地进口额分布那么这些等离子体刻蚀机主要销往何处?通过对进口数据的注册地进行分析发现,陕西省、上海市和湖北省的进口额最多,分别为54亿元、43亿元和41亿元。等离子体刻蚀机主要应用于集成电路生产中,这表明这些地区在新建或改造集成电路生产线上投入较大,对等离子体刻蚀机的需求也在激增。我国在1-10月从韩国进口等离子体刻蚀机总额约33亿元,其中注册地为陕西省的进口额约19亿元,占比约59%。这表明,陕西省等离子体刻蚀机的进口可能和三星等韩国企业在西安的半导体生产线有关。

等离子体刻蚀终点检测仪相关的方案

  • 等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀
    提供等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀。原子层蚀刻(ALE)是一种技术允许每次精确除去一个原子层,是使用常规刻蚀无法达到的控制水平。 牛津仪器的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足生产需求。
  • 上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍
    在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
  • 使用微型光谱仪进行等离子体监测
    在其他气体和纳米颗粒被引入到等离子体腔室时,可以使用Ocean HDX光谱仪测量氩等离子体的发射变化。在封闭反应室中的等离子体的光谱数据,将通过光谱仪,光纤和余弦校正器从腔室外的小窗口收集的发射光谱而得到。Ocean HDX光谱仪为UV-Vis配置,采用400μ m抗老化的光纤耦合余弦校正器进行采样。选择抗老化光纤是为了避免由等离子体的强UV光引起的光纤内涂层降解。选择余弦校正器从等离子腔室获取数据可解决等离子体强度的差异和测量窗口的不均匀结垢。准直透镜也可作为等离子体监测测量中余弦校正器的常用备选方案。

等离子体刻蚀终点检测仪相关的资料

等离子体刻蚀终点检测仪相关的试剂

等离子体刻蚀终点检测仪相关的论坛

  • 光刻工艺与刻蚀技术的研究

    光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样,可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上;(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求:a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵,国内一般科研单位需通过外协解决,延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求,近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模,用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后,用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上,此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来,使用湿法刻蚀微细加工的报道较多,适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用,使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层,即可在基片上得到所需构型的微通道;(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔,作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后,在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时,只有含氢氟酸的蚀刻剂可用,如HF/HNO3,HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上,因此,通道刻的越深,通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺,刻蚀气体分子在高频电场作用下,产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼,利用它和被刻蚀材料之间的化学反应,达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶),低温烘干后,放置好掩模,用紫外光照射后显影,在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来,也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

  • 食品检测机构采购仪器,电感耦合等离子体质谱仪与电感耦合等离子体发射光谱仪都需要购买吗

    单位要变成食品检测机构 需要采购一批食品检测仪器 上面提供了需要购买设备的参考配置表,其中电感耦合等离子体质谱仪和电感耦合等离子体发射光谱仪都列出来了 我们从来没用过这种机器 想问一下 这两种都需要购买吗 还是只需要购买其中一个就行 具体有什么区别 还有如果采购气质的话 需要采购什么样的气质 离子阱检测器还是四级杆 气质是不是一般只有单四级杆 我们有台三重四级杆的液质 不知道够不够用 如果买TOF的话 用的多不多会不会买来就闲置了

等离子体刻蚀终点检测仪相关的耗材

  • 激光诱导等离子体光谱仪配件
    激光诱导等离子体光谱仪配件是一款欧洲进口的高度安全的激光诱导等离子体光谱仪,采用高度模块化设计,专业为样品分析而研发,是实验室科研和现场检测的理想工具。广泛用于材料分析,元素检测,工业检测,安全检测,反恐和国防等领域。孚光精仪还有更多激光仪可供选择,欢迎前来咨询。激光诱导击穿光谱仪配件特点安全型模块化设计具有世界上最为安全的配置,这套仪器对操作人员的危害几乎为零。特别对于样品室使用防激光辐射的高档光学窗口玻璃,不仅可以让您观看样品的测量,同时又保证您的安全。具有高度的使用灵活性,您可以手持着它进行测量,也可以放置到样品室上测量。中国最大的进口精密光学器件和科学仪器供应商!激光诱导等离子体光谱仪配件特色* 高度模块化和多功能设计,适合实验室和现场多种应用;* 高效率的等离子体采集光学,可配备6通道或8通道光谱采集系统;* 具有多种激光器选项,50mJ@1064nm, 355nm, 266nm, 100mJ@1064nm,355nm,266nm, 还有更多激光器供选择 * 可配备样品室(具有I级激光安全标准)或不配备样品室直接测量(IV级激光安全) * 激光头和样品方室可以多向安装工作;* 具有其他清洗功能(与外界气源连接,可供氩,氮,氦,空气等气体);* 可安装高达8个光谱仪模块覆盖185-1000nm * 激光器电源小型化,非常方便拆卸,搬运;* 软件两年免费升级。孚光精仪是全球领先的进口科学仪器和实验室仪器领导品牌服务商,产品技术和性能保持全球领先,拥有包括光谱仪,激光诱导等离子体光谱仪在内的全球最为齐全的实验室和科学仪器品类,世界一流的生产工厂和极为苛刻严谨的质量控制体系,确保每个一产品是用户满意的完美产品。我们海外工厂拥有超过3000种仪器的大型现代化仓库,可在下单后12小时内从国外直接空运发货,我们位于天津保税区的进口公司众邦企业(天津)国际贸易公司为客户提供全球零延误的进口通关服务。更多关于激光诱导等离子体光谱仪参数,光谱仪价格等诸多信息,孚光精仪会在第一时间更新并呈现出来,了解更多内容请关注孚光精仪官方网站方便获取!
  • 等离子体主动热探头
    等离子体主动热探头是耐高温的等离子探头,用于高温等离子体过程中流入到目标表面的能量,也可作为离子流探头使用。由于等离子体主动热探头的灵敏度非常高,特别适合用于工业生产过程或研究中的有效质量控制。有一个特殊的版本,该版本有一个更多可选的可调参数,可以用来解决等离子体工艺的研发。等离子体主动热探头特点在生产高品质涂层或研究材料属性过程中,对等离子体工艺的表征,控制和监测是至关重要的。最重要的一个参数是通到基底的实际能量流入和总能量流入—主动热探头是测量这个决定性的量数的唯一工具。增殖的粒子影响基底的表面工艺和反应。这种能量与其他如热辐射能或化学能合成总流入能量。主动热探头连续定向测量流入的能量,保持层和表面性质很好的相关性。等离子体主动热探头产品概述适用于真空 耐温高达450°C 能量流入可多达(2±0,001)W/cm2 可衡量 可变长度和几何图形 包括系统控制和评估的软件包 提供安装服务和流程优化咨询
  • Eachwave 微结构加工服务 激光微加工 微结构激光刻蚀 其他光谱配件
    上海屹持光电技术有限公司专业提供各种微纳结构加工服务典型案例: FIB加工微纳结构 紫外光刻微纳结构单晶硅反应离子刻蚀图片 ICP 刻蚀微纳结构 纳米压印点线图微流控细胞打印 EBL 刻写微纳阵列 FIB 用于器件电极沉积 激光直写图案激光直写器件微纳结构加工主要设备1,电子束曝光系统;2,聚焦离子束/ 扫描电子显微镜双束系统;3,双面对准接触式紫外光刻机;4, 单面对准紫外光刻机;5,金属高密度等离子体刻蚀机;6,硅刻蚀高密度等离子体刻蚀机;7,反应等离子体刻蚀机;8,纳米压印机。
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