模拟带宽高速光电探测器

DPe系列为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成，允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议：DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器，推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比，最优工作频率在低频（10HZ左右）区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线： 窗口透过率曲线： 光谱响应曲线： 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标：型号/参数DPe16DPe22工作区域面积（㎜2）1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸（㎜2）3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围（μm）2-162-22信号输出模式电压电压响应率（V/W）12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP（W/Hz1/2）13.82×10-103.82×10-10反馈电阻（GOhm）1010反馈电容（fF）200±50 200±50 工作电压（V）±2.2～±8±2.2～±8环境温度（℃）-10～+50-10～+50输出信号极性正（P）正（P）备注125℃，10Hz，带宽1Hz黑体T = 500K；E = 38 W / m2不含窗口材料

12GHz模拟带宽光接收机/光电探测器PD-12D是一款高速高增益InGaAs PIN光电探测器，适合用于光传输系统和其他光电转换。模拟带宽12GHz，支持数据接收速率达10.7Gb/s，光电增益1.0A/W，上升沿时间响应18ps，采用背照式PIN，响应带宽覆盖1200~1650nm波长。采用SMA口的RF输出，便于与射频测试设备连接。特性ü高带宽üSMA连接器输出üDC耦合输出参数指标参数单位最小值典型值最大值中心波长nm12001650光平均功率输入范围dBm-103上升沿时间ps1820光电响应A/W1.0回损dB-37输出阻抗Ω-3dB高频截止频率GHz12低频截止kHz0灵敏度dBm-34供电V DC内置电池尺寸mm90×60×15工作温度℃-40+85存储温度℃-40+85光纤接口FC/PC

放大式光电探测器&模拟数字转换器SPIDER是一种放大式硅基铟镓砷光电探测器，它具有可编程式增益控制功能，以及嵌入式24位数据采集系统。其包含的双色探测器不仅探测波长范围较大（320nm到1700nm），且可以实现光斑准直功能。其中，硅和铟镓砷光子二极管分别同时由两个互相独立的低噪放大器放大，具备8个可编程增益控制器和56kHz的带宽。特点：放大式探测器&模数转换器一体化设计使用单像素元件实现较宽的光谱覆盖高灵敏度（pW范围）高动态范围（109：1）提供即插即用软件和DLLs可选光纤耦合8种可编程增益选择双通道，24位ADC，高达120kSPS/通道两个BNC接口用于模拟信号输出三个GPIOs（用于与外部设备轻松同步）USB通信连接参数：光学参数感光面积光谱响应范围(µ m)响应峰值位置(µ m)峰值响应系数R (A/W)暗电流ID峰值探测率(cm*Hz1/2/W)Si(2.4x2.4mm)0.32到1.080.940.45130pA1.4 x 1013InGaAs(Ø 1mm)1.01到1.71.550.551nA3.5 x 1012跨阻放大器参数#可编程增益控制器选择8增益选择#1#2#3#4#5#6#7#8增益(dBΩ)64738393103113123133带宽(-3dB)(kHz)5655545352493929输出噪音*(nV/√Hz)2022263661121265680*测试于20kHz模拟数字信号转换器参数#预设采样率11(120,100,80,64,32,16,10,5,2.5,1,0.5 kSPS)采样率(kSPS)BW(kHz)SNR(dB)均方根噪音等级*(V)位宽有效位宽120(最大值)521131.4 E-52419.20.5(最小值)0.217136.81.8 E-62422.2*增益#=1，有关所有采样率的详细信息，请与我们联系。其他参数最小值典型值最大值功耗(W)3.5电源规格(V)101214输出串联阻抗(kΩ)1.5(BNC接口)输出模拟电压(V)0-10(BNC接口)重量(g)218外形尺寸(mm)101.5 x 81 x 28.5工作温度(摄氏度)10——40存储温度(摄氏度)-20——70*规格如有更改，恕不另行通知。

一、产品简介EOT成立于1987年，始终保持与客户合作，提供创新、高质量、可实现的激光组件。在性能、可靠性和交付方面表现出最佳价值。 EOT公司制造的快速探测器，为世界知名厂家提供种类多、质量稳定、高性价比的产品。二、产品参数型号ET-3500ET-3500FET-4000ET-4000FET-5000ET-500FET-3600ET-3600F探测器类型InGaAsInGaAsGaAsGaAsInGaAsInGaAsInGaAsInGaAs上升/下降时间＜25ps＜25ps＜30ps＜30ps28ps28ps16ps16ps响应度＞0.90A/W@1300nm＞0.65A/W@1300nm＞0.53A/W@830nm＞0.38A/W@830nm1.3A/W@2000nm0.95A/W@2000nm＞0.70A/W@1300nm带宽＞15GHz＞12.5GHz＞10GHz＞22GHz有效尺寸32um32um60um60um40um40um20um20um暗电流＜3nA＜3nA＜0.5nA＜0.5nA＜1uA＜1uA＜1nA＜1nA可接受角度15°NA15°NA20°NA15°NA最大线性额定值10mW10mW10mW10mW3mA3mW10mW10mW输出接口SMASMASMASMASMASMASMASMA光纤NAFC/UPCNAFC/UPCNAFC/UPCNAFC/UPC如有其它需求，请联系我们。

一、产品简介EOT成立于1987年，始终保持与客户合作，提供创新、高质量、可实现的激光组件。在性能、可靠性和交付方面表现出最佳价值。 EOT公司制造的快速探测器，为世界知名厂家提供种类多、质量稳定、高性价比的产品。二、产品参数型号ET-2030ET-2040ET-2060ET-2070ET-3000ET-3010探测器类型SiliconSiliconSiliconSiliconInGaAsInGaAs上升/下降时间＜300ps＜30ns＜320ps3ns＜175ps＜175ps响应度0.47A/W@830nm0.6A/W@830nm0.47A/W@830nm0.56A/W@830nm0.9A/W@1300nm带宽＞1.2GHz＞25MHz＞1.1GHz＞118MHz＞2GHz有效尺寸0.4mm4.57mm0.4mm2.55mm100um暗电流＜0.1nA＜10nA＜0.1nA＜10nA＜2nA＜3nA可接受角度10°60°NA50°20°NA最大线性额定值CW:3mAPulse:3mACW:2mAOptical:3mACW:3mAOptical:3mACW:2.5mAPulse:15mACW:5mACW:5mA输出接口BNCBNCBNCBNCBNCBNC

KT-PR 系列 前置运放模拟光电探测模块kongtum.com KT-集成了高速响应PIN探测器和低噪声放大器，光纤或自由空间耦合，SMA连接器输出，具有高增益、高灵敏度、增益平坦等特点，提供200KHz~2GHz多个频段范围，主要应用于模拟光信号接收及光纤传感系统等领域。产品特点：&bull 光谱范围：320-1000、850-1650nm&bull 3dB带宽: DC~2GHz 可选&bull 低噪声&bull 高增益&bull 光纤、空间耦合输入可选应用领域：&bull 弱光信号探测&bull 外差探测 产品型号：型号参数KT-PR-200KKT-PR-10MKT-PR-200MKT-PR-500MKT-PR-1GKT-PR-2G-3dB带宽DC-200KHzDC-10MHzDC-200MHzDC-500MHz100K-1GHz100K-2GHz上升时间1.5us30ns1.5ns0.6ns0.3ns0.15ns订货信息：KTPRXXXXXXX光探测模块-3dB 带宽：工作波长：输入类型：耦合类型：Photoreceiver200K---200KHzA---850~1650nmFC光纤耦合空---DC 耦合10M---10MHzB---320~1000nmFSFree spaceAC---AC 耦合200M---200MHz500M---500MHz1G---1GHz2G---2GHz性能参数：型号参数KT -PR-200K-AKT-PR-200K-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽200KHz200KHz上升时间30ns30ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益1×107V/W0.5×107V/W噪声等效功率NEP0.9pw/√Hz1.8pw/√Hz饱和光功率0.4µ W0.8µ W型号参数KT-PR-10M-AKT-PR-10M-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽10MHz10MHz上升时间30ns30ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益2×105V/W1×105V/W最小探测光功率-44dBm-41dBm噪声等效功率NEP1.5pw/√Hz5pw/√Hz饱和光功率3.5µ W7µ W型号参数KT-PR-200M-AKT-PR-200M-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽200MHz200MHz上升时间1.5ns1.5ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益1.4×104V/W0.7×104V/W最小探测光功率-39dBm-36dBm噪声等效功率NEP10pw/√Hz20pw/√Hz饱和光功率320µ W640µ W性能参数：型号参数KT-PR-500M-AKT-PR-500M-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽500MHz500MHz上升时间0.6ns0.6ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益5×103V/W2.5×103V/W噪声等效功率NEP18pw/√Hz36pw/√Hz饱和光功率800µ W1.6mW型号参数KT-PR-1G-AKT-PR-1G-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽AC端100K~1GHz100K~1GHzDC端DC-100KHzDC-100KHz上升时间0.35ns0.35ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益1.6×103V/W0.8×103V/W最小探测光功率-29dBm-26dBm噪声等效功率NEP25pw/√Hz50pw/√Hz饱和光功率1.2mW2.4mW型号参数KT-PR-2G-AKT -PR-2G-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-200um-3dB带宽AC端100K~2GHz100K~2GHzDC端DC-100KHzDC-100KHz上升时间0.18ns0.18ns响应度0.9A/W@1550nm0.5A/W@700nm增益0.8×103V/W0.4×103V/W最小探测光功率-25dBm-23dBm噪声等效功率NEP32pw/√Hz65pw/√Hz饱和光功率1.2mW2.4mW通用参数： 参数数值工作电压DC ±15V工作电流80mA输入接头FC / Free Space输出接头SMA(f)输出阻抗50Ω输出耦合方式DC (KG-PR-1G,KG-PR-2G: AC耦合)外形尺寸 （mm）76.0 × 72.6 × 44.0极限条件：参数符号单位最小值典型值最大值输入光功率PinmW10工作电压VopV±13.5±15±16.5工作温度Topº C-1060储存温度Tstº C-4085湿度RH%590特性曲线： 光谱响应曲线（A型） 光谱响应曲线（B型）原理框图： 封装尺寸：

高速光电探测器 Related Products 特性9种型号涵盖150纳米到2.6微米的波长范围上升时间快达1纳秒超薄机身能在狭窄空间进行测量容易使用、结构紧凑和多功能SM05（0.535英寸-40）和SM1（1.035英寸-40）螺纹是光纤耦合或安装中性密度滤光片的理想选择内部A23偏压电池（附带）Thorlabs提供9种型号的偏压光电探测器，涵盖了紫外到中红外（150纳米到2.6微米）的波长范围，与之前的光电探测器型号相比，它们具有更宽的带宽和更好的NEP（噪声等效功率）性能。其纤薄的外壳能让光学探测器嵌入到狭窄的装置中。每个型号都配备有快速的PIN光电二极管和以坚固铝制外壳包装好的外部偏压电池。通过宽带宽的直流耦合输出，这些探测器是用于监测快速脉冲激光和直流光源的理想选择。每个DET都有T型偏置电路，将高频交流信号和直流信号结合起来，作为单一的输出。侧面板的BNC上提供了直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻可以很容易地将该输出转换为正电压。至于高速信号，Thorlabs推荐使用一个50欧姆负载电阻。对于低带宽的应用，使用本公司的可变端接器可节省很多时间。 所有的连接和控制都已经移到远离光路的位置，这样就简化了我们的探测器在封闭空间内的集成。DET探测器外壳上的SM1、SM05和8-32（M4）螺纹使其可以安装在笼式共轴系统、透镜套管系统，或TR系列接杆上。关于如何将DET系列光电探测器嵌入到光学装置的更多细节请参看安装选项 标签。每个DET都配有安装好的12伏的直流偏压电池。由于电池是一种噪音极低的电源，所以将它作为电压源。当允许信号噪声由于线电压中的噪声产生小幅度增长或不能接受电池的有限寿命时，可以用DET1B电源适配器替换该电池。A23电池是目前DET系列光电探测器的更换电池，而本公司的旧型号中（即 DET1-SI和DET2-SI）则使用T505更换电池。请注意，由于不同制造商生产的电池的正极端子之间可能会存在细微差别，针对DET系列光电探测器，Thorlabs公司只推荐使用Energizer电池。磷化镓探测器&mdash 紫外波长Zoom型号#有效面积波长范围上升（下降）时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET25K4.8 mm2 (2.2 x 2.2 mm)150 - 550 nm1 ns (140 ns)1.6 x 10-1440 nA40 pF*典型值，RL = 50欧姆硅探测器－可见光波长Zoom型号#有效面积波长范围上升时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET10A0.8 mm2 (Ø 1.0 mm)200 - 1100 nm1 ns1.9 x 10-140.3 nA (2 nA Max)6 pFDET36A13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)350 - 1100 nm14 ns1.6 x 10-140.35 nA (6 nA Max)40 pFDET100A75.4 mm2(Ø 9.8 mm)400 - 1100 nm43 ns5.5 x 10-14600 nA Max300 pF *典型值，RL = 50欧姆锗探测器&mdash 近红外光波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRiseTimeNEP(W/Hz1/2)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET50B19.6 mm2 (Ø 5.0 mm)800 - 1800 nm440 ns4 x 10-1280 µ A4000 pF (Max)DET30B7.1 mm2(Ø 3.0 mm)800 - 1800 nm600 ns1.0 x 10-120.8 µ A (1.0 µ A Max)4000 pF (Max)*典型值，RL = 50欧姆铟镓砷探测器－近红外到红外波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRise TimeNEP(W/vHz)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET10C0.8 mm2(Ø 1.0 mm)700 - 1800 nm10 ns1.6 x 10-141 nA (25 nA Max)40 pFDET20C3.1 mm2(Ø 2.0 mm)800 - 1800 nm25 ns0.03 x 10-1255 nA (70 nA Max)100 pFDET10D0.8 mm2(Ø 1.0 mm)1200 - 2600 nm25 ns2 x 10-1215 µ A (75 µ A Max)175 pF*典型值，RL = 50欧姆DET交流电源适配器ZoomDET1B交流电源适配器可替代本公司的DET系列探测器所使用的电池。该适配器套件使DET探测器能与附带的外部交流LDS2电源配合使用。使用时，只需要简单地将电池盖卸下，取出电池，然后装上附带的DET1A，并插上电源即可。我们同时还可以单独出售适配器或电源，可供需要的用户选择购买。用于DET系列的电池ZoomA23电池是现有DET系列光电探测器的更换电池。T505更换电池则用于我们老式、已停产的探测器系列。SBP20更换电池用于SV2-FC、SIR5-FC和SUV7-FC光纤探测器包。 BNC接头Zoom当光电二极管加上反向偏压，例如工作在光导模式下，将会由于光子吸收产生光电流。通常，使用一个50欧姆的电阻来增加带宽。但是，常常需要更简单高效的方法测量信号，当对准光电二极管时可是使用较大的势差。可调接头使得用户可以在光束对准时增大电阻，然后降低电阻以获取最大的带宽。相对于固定接头来说，可调接头有绝对的优势。Thorlabs供应两款接头：VT1可调电阻接头和T4119型50欧姆固定电阻接头。 VT1可调接头提供7个离散电阻供用户设置，用户可以很容易的通过外部的旋转筒进行选择。VT1提供以下7个电阻值：50欧姆，100欧姆，500欧姆，1千欧姆，5千欧姆，10千欧姆和50千欧姆。 T4119是一个50欧姆的转接型接头，应用在DET系列探测器中，可以获得最大的带宽。

光电探测作为您光电实验和电子仪器的常用应用，是提取和保存你的实验结果是至关重要的设备。我们努力使光电探测变得更简单（即插即用），同时尽可能提供最低的噪声和最快速的响应。 New Focus™ 被Newport公司收购之后，如今拥有一系列高速光子接收器和探测器模块，以满足大多数测量需求。这些高速探测器在测试和测量各种快速光信号上有着广泛的应用。New Focus 产品线包括高达45 GHz的低噪声光子探测器，高增益，低噪声光子接收器，自由空间和光纤耦合，交流或直流耦合的探测器等等。818 - BB系列探测器是偏置的探测器和交流耦合的光子接收器，可应用于一般科研应用。特点:具创新意义，性能卓越选择广泛，产品线全面即插即用设计产品覆盖红外到紫外光波段非放大型光电接收器型号上升沿时间(psec)带宽 (-3 dB) (GHz)波长范围 (nm)1014945 GHz950-16501004940 GHz400-9001024 (Time Domain)1226 GHz950-16501481-S(-50)1522 GHz400-8701434, 14371425 GHz550-13301414, 14171425 GHz800-16301454 (Time Domain)1920 GHz550-13301444 (Time Domain)1920 GHz800-16301480-S2513 GHz400-870818-BB-35(F)2512.5 GHz818-BB-45(F)3012.5 GHz818-BB-50(F)3510 GHz818-BB-301752 GHz818-BB-203001.2 GHz818-BB-312251.5 GHz818-BB-213001.2 GHz放大型探测器/光电接收器型号上升沿时间(psec)带宽 (-3 dB) (GHz)波长范围 (nm)1014945 GHz950-16501554-A3410 kHz to 12 GHz550-13301544-A3410 kHz to 12 GHz800-16501580-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)400-8701554-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)500-16501544-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)800-16501577-A3410 kHz to 12 GHz500-16501567-A3410 kHz to 12 GHz800-1650818-BB-35A(F)4010.7 GHz818-BB-45A(F)4010.7 GHz1591NF95DC to 4.5 GHz450-8701592NF115DC to 3.5 GHz950-1630818-BB-30A4001.5 GHz818-BB-21A5001.2 GHz1647 (APD)25015 kHz to 1.1 GHz800-16501611FC-AC,1611FS-AC40030 kHz to 1 GHz900-17001601FC-AC,1601FS-AC40030 kHz to 1 GHz320-1000

Standa高速光纤输入光电探测器产品特点：●只使用GHz带宽部件●使用阻抗匹配的微带线连接二极管输出到输出连接器●使用微波级SMA电磁波发射器将信号耦合到示波器●每个探测器使用20GHz取样示波器测试，只有由于振荡造成峰峰失真4%才合格型号11HSP-V211HSP-IR6波长范围320-1100nm900-1650nm探测器材料SiInGaAs探测器直径0.4mm0.08mm带宽2GHz~6GHz上升下降时间150ps70ps脉冲后振荡（最大值百分比）20%光纤输入接口FC输出阻抗50Ohms最大安全输出2V电池电压20V电池寿命~5年探测器尺寸25x25x38mm

一,铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz WL-DPD200MADPD200MA是InGaAs的一款直流耦合高速差分 (“双平衡”)光接收器。它具有高跨阻增益、低噪声和大于200MHz的-3dB带宽。可以通过两个专用显示输出独立测量两个光接收器的功率。DPD200MA采用坚固的铝制外壳，配有两个光纤接收器和一个5050 Ω SMA输出。它采用11–15 V DC单电源供电。铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz WL-DPD200MA,铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz WL-DPD200MA技术参数特征高跨阻增益:7500 V/W (1550nm)带宽:200 MHz 直流耦合2个显示器输出(未校准)波长范围:1000nm至1700nm光纤耦合:光纤通道接收器输出: 50 Ω SMA插头 宽范围单电源:11至15 V典型应用干涉测量法光学相干断层成像激光雷达可单端使用机械性能光纤耦合: 适用于FC/PC和FC/APC连接器的FC插座射频和显示器输出:SMA电源电压输入:推挽式LEMO插头(包括二极管)小尺寸:80×60×20mm安装:底部4 x M2.5螺纹孔(螺钉长度4mm)电连接器 positive supply supply ground 电源连接器(前视图)。外壳接地。供电电缆有两种，一种是2线，一种是5线。这些电缆对应的配色方案是:参数条件最小值典型值最大值单位直流电输入电源电压(VS)电源电流111210015160VmA主射频输出-3dB带宽240265290MHz输出阻抗50Ω 输出电压范围 噪声频谱密度50 Ω 100MHz -131±4±2VVdBm/Hz100–1000MHz-128dBm/Hz 1GHz -150dBm/HzpW/√Hz噪声等效功率0 MHz–100MHz，1550nm7光学特性输入波长范围10001700nm跨阻增益波长1550nm15 000v/Wopic跨阻增益7 500v/Wopic共模抑制比2030dB最大输入功率(损坏阈值)15mW监控输出3dB带宽150kHz输出阻抗2kΩ 最大值输出电压8VSV责任1(请具体说明)1550nm0.40.520V/mWopt二,12GHz模拟带宽光接收器 高速高增益 InGaAs PIN 光电探测器PD-12D 是一款高速高增益InGaAs PIN 光电探测器，适合用于光传输系统和其他光电转换。模拟带宽12GHz，支持数据接收速率达10.7Gb/s，光电增益1.0A/W，上升沿时间响应18ps，采用背照式PIN，响应带宽覆盖1200~1650nm波长。采用SMA口的RF输出，便于与射频测试设备连接。12GHz模拟带宽光接收器 高速高增益 InGaAs PIN 光电探测器,12GHz模拟带宽光接收器 高速高增益 InGaAs PIN 光电探测器产品特点高带宽SMA 连接器输出DC 耦合输出通用参数参数单位zui小值典型值zui大值中心波长nm12001650光平均功率输入范围dBm-103上升沿时间ps1820光电响应A/W1.0回损dB-37输出阻抗Ω-3dB高频截止频率GHz12低频截止kHz0灵敏度dBm-34供电V DC内置电池尺寸mm90×60×15工作温度℃-40+85存储温度℃-40+85光纤接口FC/PC频谱响应和脉冲上升沿时间

DUMA公司的SpotOn Analog USB数字/模拟位敏探测器 -实时测量激光位移低至±0.1μm-模拟带宽高达60kHz-双模式运行：模拟和数字-内置高精度电源-外触发获得同步数据-f)USB多台仪器控制-TCP/IP通信协议和远程控制-ActiveX软件集成在客户的应用程序中主要参数：光电子探测器9mmx9mm双轴硅横向探测器（默认）4mmx4mm双轴硅横向探测器（可选）可测光斑尺寸50μmd8mm 类型(9mmx9mm)50μmd3mm 类型(4mmx4mm)位置分辨率±1μm@(9mmx9mm)±0.5μm@(4mmx4mm)精确度8±25μm@（氦氖激光器的光束直径0.8mm）波长范围350-1100nm分辨率高幅值：1μW-250μW,低幅值：10μW-2500μW功率精确度±5%电压±18V电流损耗200mA传输速率显示模式：（数字）40Hz（单头）时序模式：（数字）4kHz高达2000个储存模式（位置）8kHz高达4000个储存模式（功率）模拟模式：最大速度30kHz(9mmx9mm),PSD最大速度60kHz(4mmx4mm),PSD响应时间20μs(4mmx4mm),PSD60μs(9mmx9mm),PSD最小可探偏差（pulsed/CW）模拟模式：1mW(CW)/5mV(pulsed)环境温度0℃-50℃

仪器简介：雪崩光电探测器（APD） 产品特性： 高速响应达GHz 封装尺寸小：50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调：1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性： 两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益：阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应（230V可选） SMA输出技术参数：高速探测器Biased Detectors 产品特性： 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定，亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点：光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性： 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应，带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性： 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型：Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用： 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测

德国Alphalas公司创建于1997年，主要是激光器及激光设备供应商。主要产品有：分秒、皮秒和亚纳秒脉冲激光器，超快光电探测器等。 UPD系列超快光电探测器适合从DC到25GHz的光学波形测量。多种型号的上升时间低至15皮秒，光谱范围从170到2600纳米。所有光电探测器都是封装在坚固紧凑的铝制外壳中，使用电池或者外部电源偏置。硅光电探测器的紫外扩展版本是一个可覆盖170到1100纳米光谱范围的商用产品。紫外灵敏的InGaAs光电探测器的另一种类型可以探测350到1700纳米的激光脉冲，因此是商用上可选的很宽的波长范围和很高的探测速度。理想的阻抗匹配和先进的微波技术确保了无需振铃或人为操作就能测量脉冲波形。客户可以使用50Ω终端电阻完成超快速工作，或者使用高阻抗负载获得大信号。这个特点保证超大的灵活性，能用于多种应用。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究必不可少的工具。 光电探测器特点 应用超快工作速度上升沿时间: 15 ps带宽: 上限 25 GHz光谱范围: 170 - 2600 nm (UV to IR)紧凑式设计外部电源和电池自由光束/ FC-PC接口/尾纤式脉冲测量脉冲间隔测量精确的同步模拍频监控外差振荡测量超快光电探测器 (UPD Series) - Available ModelsUPD系列：可选型号 型号上升时间 (ps)带宽(GHz)光谱范围 (nm)峰值量子效率 感光面积直径μm / mm2)噪声等效功率 (W/√Hz)暗电流 (nA)材料光输入窗口类型RF输出接头类型UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.1InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?0.1GaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-P 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-D 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-35-IR2-FR 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-35-IR2-FC 35 10800 -170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.3InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-35-UVIR-P 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-35-UVIR-D 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?5000InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-1?0.5InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiPolished, glassSMAUPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiDiffuse, quartzSMAUPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Polished, MgF?SMAUPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsPolished, glassSMAUPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-1?0.8InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-100-IR1-P 2? 100 3.0400 - 200080%80 / 0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMAUPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiPolished, glassBNCUPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiDiffuse, quartzBNCUPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Polished, MgF?BNCUPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-3N-IR2-P 150 ?? 0.4 ??800 - 210075%300 / 0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNCUPD-5N-IR2-P 200 ?? 0.3 ??800 - 260070%300 / 0.077.0 ×10-132000InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000 / 3.144.0 ×10-1?5InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC 3? 75000 0.004900 - 170075%2000 / 3.141.0 ×10-1?0.3InGaAsPolished, glassBNC备注 1. 漫反射窗口降低定位精度并以降低灵敏度3到5倍来增大损伤阈值。仅推荐用于高峰值功率激光器。2. 该型号输出为负。所有其它型号默认都是正输出，可根据要求定制负输出。3. TEC冷却模式，非标准外壳。4. 改性材料增加蓝光/紫外灵敏度。5. 不兼容可选配的滤波片架。6. 可显著改善性能。

,名称型号货号 描述参数 铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 2 GHz 美国EOT [PDF] ET-3010E800406014 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 2 GHz 铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz 美国EOT [PDF] ET-3000E800406020 材料：铟镓砷 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 2 GHz 硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 118 MHz 美国EOT [PDF] ET-2070E800406150 材料：Silicon； 上升／下降时间：＜3ns／＜3ns； 响应度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ； 带宽：＞118MHz； 有效面积直径：2.55ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 118 MHz 硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 1.1 GHz 美国EOT [PDF] ET-2060E800406160 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ； 响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１．１ＧＨｚ； 有效面积直径：０．４ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 1.1 GHz 硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 ＞25MＨz 美国EOT [PDF] ET-2040E800406170 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ； 响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞２５ＭＨｚ； 有效面积直径：４.５７ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 25 MHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, 10 GHz 美国EOT [PDF] ET-5000FE800406030 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；FC/UPC带宽(Hz): ＞10 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT [PDF] ET-5000E800406040 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；不适用带宽(Hz): ＞10 GHz 砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, 12.5 GHz 美国EOT [PDF] ET-4000FE800406050 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e带宽(Hz): ＞12.5 GHz 砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, 12.5 GHz 美国EOT [PDF] ET-4000E800406200 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接c 不适用带宽(Hz): ＞12.5 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, 22 GHz 美国EOT [PDF] ET-3600FE800406060 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e带宽(Hz): 22 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, 22 GHz 美国EOT [PDF] ET-3600E800406070 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用带宽(Hz): 22 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, 15 GHz 美国EOT [PDF] ET-3500FE800406082 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC；SMF28e带宽(Hz): ＞15 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500AF 美国EOT(已停产下架) [PDF] [有备注]ET-3500AFE800406090 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1620 V/W ＠1310 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT [PDF] ET-4000AFE800406210 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：９７０V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000AF 砷化镓 (已停产下架) [PDF] ET-5000AFE800406100 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：２３５０ V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT [PDF] ET-4000AE800406220 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1340 V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz 美国EOT [PDF] ET-5000AE800406110 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：3250 V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT [PDF] ET-3500AE800406120 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜35ps／＜35ps； 带宽：20 kHz 至 10 GHz； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): ＞15 GHz 铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT [PDF] ET-3000AE800406130 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ； 转换增益：900 V/W ＠1300 nm 带宽：30 kHz to １.５GHz 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ带宽(Hz): 30 kHz-１.５GHz 硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT [PDF] ET-2030AE800406182 材料：Silicon硅 上升／下降时间：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ； 转换增益：450 V/W ＠830 nm 带宽：30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径：４００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ带宽(Hz): 30 kHz-１.2 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, 15 GHz 美国EOT [PDF] ET-3500E800406141 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用带宽(Hz): ＞15 GHz 硅 Silicon ET-2030 高速 硅光电探测器 ＞１.２ＧＨｚ 美国EOT [PDF] ET-2030E800406190 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ； 响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１.２ＧＨｚ； 有效面积直径：０.４ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 1.2 GHz

Alphalas超快光电探测器UPD系列超快光电探测器系列适用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和highest的响应速度。Alphalas超快光电探测器UPD阻抗匹配和微波技术结合，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行highest响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供max的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点：1.Alphalas超快光电探测器UPD可超高速运行2.上升时间：15 ps - 500ps3.带宽：highest达25 GHz4.光谱范围：170 - 2600纳米5.紧凑封装6.电池或外部电源7.自由空间光入射或FC/PC型8.接头或光纤尾纤应用：1.脉冲形式测量2.脉冲宽度测量3.精确的同步4.模式变化监控5.外差测量新的UPD型号：快速的上升时间及更宽的光谱范围1.UPD-15-IR2-FC: 超快InGaAs光电探测器，上升时间15ps，带宽25 GHz，光谱范围800 - 1700 nm, 光纤耦合输入， FC/APC口。2.UPD-35-IR2-P, UPD-35-IR2-D: 超快 InGaAs 光电探测器,上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 800 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。3.UPD-35-UVIR-P, UPD-35-UVIR-D: 超快 InGaAs PIN 光电探测器, 上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 350 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。4.UPD-50-SP, UPD-50-SD, UPD-50-UD, UPD-50-UP: 超快 Si 光电探测器, 上升时间 50 ps, 下降时间 50 ps, 带宽 7 GHz, 光谱范围 170 - 1100 nm or 320 - 1100 nm, 光面或漫反射的入射窗。5.UPD-100-IR1-P: 超快 Ge 光电探测器, 上升时间 100 ps, 脉宽 (FWHM) 300 ps, 光谱范围 400 - 2000 nm。6.UPD-3N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到 2.1 μm, 上升时间 150 ps。7.UPD-5N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到2.6 μm,上升时间 200 ps。其他UPD型号及详细参数，请联系德国Alphalas代理商武汉能带科技有限公司咨询。

高速自由空间光电探测器11HSP-FSx是高速光信号探测器系列，适用于测量脉宽在几个纳秒或更长光脉冲或脉冲形状监控。11HSP-FS1也可以用在CW激光器10Hz-300MHz之间的强度噪声测量，11HSP-FS2有更大的灵敏区域。光电探测器可以集成到系统中产生触发脉冲。建议外部偏置电压30-50V。典型应用：●脉冲形状测量●脉宽测量●精密同步●模式拍频监测●外差测量型号11HSP-FS111HSP-FS2波长范围，nm400-1100400-1100上升时间110光谱灵敏度（@850nm）0.62 A/W0.62 A/W脉宽FWHM，ns110NEP，（W/√Hz）2.9 10-144 10-14电容VR=5OV，pF2.220材质SiSi暗电流，nA110灵敏区域，mm217.5

总部在美国的EOT公司成立于1987年，专注于生产和开发高平均功率及高峰值功率法拉第旋转器.隔离器以及高速光电探头，为知名的光纤激光器厂商批量提供产品，并具有为特殊要求定制产品的开发生产能力。　　法拉第光旋转器／光隔离器广泛应用于各种对于返回光极敏感的光学系统中，如多级激光放大器，光参量振荡器，环形激光器，掺饵光纤放大器(用于隔离980nm泵浦光的反馈)，种子注入型激光器，非线性光学，光传输系统等。　　产品包括：法拉第旋转器和隔离器，高速光电探测器。带模拟输出和TTL输出的Silicon和InGaAs偏压探测器· 监测并可利用TTL信号作为外触发电平

高速光电探测器 The UPD series of ultrafast photo-detectors are best suited for mea-surement of optical waveforms from DC to 25 GHz. Various models feature rise times as short as 15 ps and cover the spectral range from 170 to 2600 nm. All photodetectors are enclosed in compact and solid aluminum hous-ings and can be biased with a battery or an external power supply. The UV-extended versions of the silicon type photodetectors are the only commercial products that cover the spectral range from 170 to 1100 nm. Another type of unique UV-sensitive InGaAs photodetectors can be used for detecting laser pulses in the range from 350 to 1700 nm, thus having the widest spectral range and the highest speed commercially available. Perfect impedance matching and state-of-the-art microwave technology assure pulse form measurements without any ringing or artefacts. The customer is free to use a 50 &Omega terminating resistor for highest speed operation, or a high impedance load for obtaining large signals. This guarantees maximum flexibility for diverse applications. In combination with our BBA series of wideband high-gain amplifiers, the high-speed photodetectors are an advantageous alternative to the expensive and cumbersome avalanche photodiodes. The UPD series high-speed photodetectors are indispensable tools for laser and photonics research. Features of the Photodiodes Applications of the PhotodiodesUltra High-Speed OperationRise Times: starting from 15 psBandwidths: up to 25 GHzSpectral Ranges: 170 - 2600 nm (UV to IR)Compact DesignBattery or External Power SupplyModels for Free-Space Beam,or with FC/PC Receptacleor Pigtailed with FiberPulse Form MeasurementsPulse Duration MeasurementsPrecise SynchronizationMode Beating MonitoringHeterodyne Measurements Notes: ¹ ⁾ The diffuse window reduces the positioning accuracy requirements and increases the damage threshold at the costof a reduced sensitivity by a factor of approx. three to five. Recommended for high peak power lasers only.² ⁾ This model has negative output. All other models have positive output by default but may be orderedwith negative output if required.³ ⁾ With TEC cooling module, non-standard housing.⁴ ⁾ Modified material with increased blue / UV sensitivity. DET10A 纳秒级光电探测器

MSM超快光电探测器UltraFastUltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，也提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。 两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz) 技术参数：可选：附件：UltraFast探测器测试图例 UltraFast 20: 20 GHz时域测量曲线所用光源：单光子激光器，5 ps脉冲序列，重复频率20 GHzUltraFast 20: 响应度-波长曲线UltraFast 20: 眼图比特率：20 Gb/s使用德国SHF Design GmbH公司的函数发生器 “SHF BPG 20 GIG”测量UltraFast 35：脉冲响应光源：A.L.S PiLas PlL081Q，波长810nm，脉宽12ps探测器偏置电压6 V，50 GHz示波器UltraFast探测器UltraFast 20/35 SM探测器标准结构UltraFast 20/35 FS自由空间探测器，带聚焦镜以避免过充

EOT高速光电探测器适用于脉宽测量和脉冲绘制等应用。ET系列探测器使用了PIN光电二极管和反向偏压装置。所有的探测器自带BNC或SMA输出接头，大部分EOT光电探测器备有FC光纤连接头，可以直接与光纤尾纤连接。探测器的频率响应度从2GHz到10GHz不等。应用：? 可测量脉宽或观察调Q激光器的脉冲波形 ? 监测锁模激光器的输出情况 ? 观察快调制半导体激光器和外调制连续激光器的脉冲 ? 便于寻找和对准连续或脉冲激光器的光束 ? 大面积光电探测器可用作光功率计

UPD超快光电探测器(Ultrafast_Photodetectors)品牌：ALPHLAS UPD产品简介： ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。 是唯一可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和最高的响应速度。完美的阻抗匹配和最先进的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个极好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。产品图片：特点： 超高速运行 上升时间：15 ps - 500ps 带宽：最高达25 GHz 光谱范围：170 - 2600纳米 紧凑封装 电池或外部电源 自由空间光入射或FC/PC型接头或光纤尾纤应用： 脉冲形式测量 脉冲宽度测量 精确的同步 模式变化监控 外差测量 UPD系列：Photodetector ModelRise Time(ps)Band-width(GHz)Spectral Range(nm)Quantum Efficiency@ PeakSensitiveArea (Dia. μm/mm2)Noise Equiv. Power (W/√Hz)DarkCurrent (nA)MaterialOptical Input / Window Type 1)RF Output Connec-tor UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-P 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-D 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-35-IR2-FR 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-35-IR2-FC 35 10800 - 170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-35-UVIR-P 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-35-UVIR-D 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished, glassSMA UPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse, quartzSMA UPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2SMA UPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished, glassSMA UPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-100-IR1-P 100 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMA UPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished, glassBNC UPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse, quartzBNC UPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-3N-IR2-P 1506) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNC UPD-5N-IR2-P 2006) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P-1TEC 3) 75000 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished, glassBNC MSM超快光电探测器UltraFast产品简介：UltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz)技术参数： UltraFast-20-xx UltraFast-35-xx 探测器类型MSM (Metal – Semiconductor – Metal)感应材料InGaAs带宽 (-3 dB)DC – 20 GHzDC – 35 GHz上升时间 (10% - 90%) 12 ps 11 ps脉宽 (FWHM) 20 ps 18 ps波长范围400 nm – 1.6 μm最大响应度*0.24 A/W @ 810 nm 0.19 A/W @ 1.3 μm 0.12 A/W @ 1.5 μm0.12 A/W @ 810 nm 0.1 A/W @ 1.3 μm 0.06 A/W @ 1.5 μm偏置电压2 V – 9 V偏置输入接口SMC male标准射频信号输出口K-Type female* 跟耦合结构有关，响应度值可能会降低。 上海尖丰光电技术有限公司AOE TECH CO.,LTD 地址：上海市闵行区元江路3599号328室 邮编： 201109电话：传真：E-mail： 网址:

产地：美国产品介绍: 设置与读数简单，易于操作。 所有机型均为出厂校准脉冲发生器，并能够在任何认证实验室校准到ANSI判据。抗饱和电路至少能够在最大量程100倍的环境中保持最大读数。不需要特制的探头。测量仪由1节9伏电池供电（需另购），随机配备一个具有填补功能的便携箱。 通用测量仪：配有无补偿卤素猝灭传感器，能够测量α射线、β射线、γ射线和x射线；选用带能量补偿的传感器，可以提高对γ射线和x射线的敏感度。 Radiography （放射线照相技术）08989-12机型：配有四种放大器(x1, x10, x100, and x1000)，量程宽。补偿传感器能够为能量水平较低的γ射线和x射线辐射提供较高的敏感度。选择背景能量水平在5每分种计数以下。 Large-Window（大窗口） 08989-20机型：特别配有一个大面积传感器(28.6毫米 直径, 无补偿)，以为低能量水平的α射线、β射线、γ射线辐射提供较高的敏感度。背景能量范围10至30每分种计数。产品参数:08989-00辐射探测器，能量补偿；0至50毫伦/小时，0至50,000每分种计数辐射源：炭14 (0.130毫居里)；铋210 (0.0255毫居里) 钴60敏感度：3900-21% 效率 2500-21% 效率 16每分种计数/毫伦/小时范围：0 至 50毫伦/小时 0 至 50,000每分种计数环境cpm：10至20探测器：配有云母包窗直径为9毫米的盖革—弥勒（GM）管1.5 至 2.0 毫克/平方厘米厚度云母窗准度：±10% (相对铯137)功能：发声/可视计数器电源：1节9伏电池规格：5-3/4宽 x 2-4/5英寸高 x 1-1/2厚08989-12放射线照相用辐射探测器，能量补偿；0至1000毫伦/小时，0至10毫希沃特/小时辐射源：铯137敏感度：415每分种计数/毫伦/小时范围：0至1000毫伦/小时，0至10毫希沃特/小时81910-10辐射探测器，大窗口；0至50,000每分种计数辐射源：炭14 (0.130毫居里)；铋210 (0.0255毫居里) 钴60敏感度：3900-21% 效率 2500-21% 效率 16每分种计数/毫伦/小时范围：0至50,000每分种计数建议购买81910-10机型，这款探测器采用独特的数字显示功能取代了模拟显示，读数更加方便。其他改进的优点还包括：测量范围更宽（从原来的0 至 50,000每分种计数扩展到0 至 300,000每分种计数）；并且能够以毫伦/小时和微希沃特/小时为单位显示数据；使用炭14辐射源，效率从0.7%上升至5.3%；同时特别配有可调节计数器和外部校准控制。08989-30辐射探测器，能量补偿；0至50毫伦/小时，0至500毫希沃特/小时辐射源：炭14 (0.130毫居里)；铋210 (0.0255毫居里) 钴60敏感度：3900-21% 效率 2500-21% 效率 16每分种计数/毫伦/小时范围：0至 50 毫伦/小时 0 至 500毫希沃特/小时

Koheron光电探测器PDX10R产品型号：PDX10R-D-SI产品介绍：Koheron PDX10R是一款用于自由空间光功率测量的对数光电探测器。除了两个模拟输出log（A）和log（B）外，它还提供具有可调偏移和两个增益设置（x1和x10）的对数比log（A/B）。PDX10R为光谱设置中的直接吸收测量提供了完全模拟的解决方案。性能特点：高性能技术参数：&bull 探测器-探测器类型：双硅PIN光电二极管-有效直径：800µ m-波长范围：320 nm至1000 nm-光输入功率：500 pW至4 mW-光电二极管峰值响应度（800nm）：0.55 A/W&bull 对数放大器-小信号带宽（3 dB，800 nm时输入功率5µ W）：600 kHz-对数斜率：300 mV/decade-截获光电流：100 pA-输出阻抗：1 kΩ&bull 电源电源电压：3.3 V至13 V静态电流：11 mAmax电流：40mA&bull 外形尺寸：49毫米x 40毫米x 16毫米&bull 工作温度：0°C至50°C&bull 重量：22克&bull 产地：法国

OPTOPLEX光电探测器PD-200产品型号：PD-200产品介绍这些高速光电二极管PD-200是密封的、高可靠性、低谐波失真的光电二极管模块，专为最小带宽为20 GHz的高光功率应用而设计。该设备非常适合具有光学预放大功能的接收器应用，可配备或不配备内部50Ω终端。光电二极管模块有V型连接器封装或带有CPW（共面波导）RF输出的微型表面安装封装。性能特点 高电流处理（高达20 mA） 低PDL（典型值为0.05 dB） 可使用的光谱波长范围为800-1650 nm 低组延迟 低谐波失真 V形连接器（SMA）或表面安装封装选项 Bellcore GR-468合格 一个设备适用于多个波长，可降低运营和库存成本技术参数产地：美国响应性（1480nm～1620nm）：min.0.5 A/W逻辑感测/耦合：正非反相/AC 50Ω 3 dB带宽：min.20 GHz上升时间/下降时间/FHM：14、16、22 ps25摄氏度、5伏时的暗电流：max.10 nA电气回波损耗，S220~10 GHz：max.-10 dB10~15 GHz：max.-6 dB15~20 GHz：max.-4 dB光回波损耗：min.27 dB偏置电压：2.8…3.8 VPDL@1550 nm：max.0.5 dB工作温度范围：0至+70℃储存温度范围：-40至+85℃光电二极管偏压Vbd：+4 V光输入功率损坏阈值：+16 dBm峰值铅焊接温度（10 s）：250 ℃产品应用光学放大系统RZ、NRZ、 FEC格式到20 Gb/s光纤上的高动态范围模拟RF链路快速多普勒频移激光雷达测量相干光波系统用于测试仪器的理想前端O/E转换器

总览该产品是为数据通信（ 1T/bs PAM），电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。145GHz光电探测器模块(单模光纤),145GHz光电探测器模块(单模光纤)技术参数特性&bull 3dB带宽高达145GHz&bull 可探测200 GBaud光幅度调制信号&bull 可同时在C&L波段运行&bull 集成偏置网络&bull 低偏压操作&bull 0.8 mm射频接口 技术背景高速光电探测器模块是数据通信和电信领域下一代光通信链路发展的热点。由于这些研发在符号速率方面总是领xian一步，因此在接收端需要具有先进射频带宽的光电探测器模块。此外，光电探测器模块的高速性能使其适用于微波光子学。模块内部的光电探测器芯片基于成熟的InP技术，在HHI的晶圆加工线上制作，采用Telcordia和空间限定的工艺，同时封装在Fraunhofer HHI中。 应用&bull 数据通信&bull 电信&bull 测试测量&bull 微波光子学技术参数&bull 工作波长: 1480 nm - 1620 nm&bull 3 dB带宽: 高达145 GHz&bull 低暗电流: 100 nA @ 3 V&bull 偏置电压: +2 V&bull 0.8 mm射频接口（Female）&bull RF射频的阻抗匹配50Ω&bull 输出接口: FC/APC 保偏，单模光纤

铟镓砷（InGaAs）放大型光电探测器PDA20A6B4G-NIRPDA20A6B4G-NIR光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。PDA20A6B4G-NIR光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。 工作原理PDA系类主要可以用来测试脉冲光信号或者连续光波信号。内部包括一个反向偏置的光电二极管与固定增益的跨组放大器相匹配。光信号由光电二极管与匹配的固定增益的跨组放大器转换为微弱的电压信号。后级放大将小信号电压放大输出。系统中包含了一个固定调偏的电路，保证在无光的情况下系统输出的偏置电压接近0V。PDA20A6B4G-NIR光电探测器经过调偏电路后，暗偏置电压（在无光的情况下输出的偏置电压）可以控制在±5mV以内。系统内部同样集成了功率驱动电路，用以驱动BNC转接线以及50Ω阻抗适配器，保证宽电压输出的线性度。当输出载荷为高阻态时，线性输出电压可以达到6V。当输出载荷为50欧姆阻抗匹配时，线性输出电压可以达到2.5V。 电气参数光谱灵敏度交流传输特性

InGaAs单元探测器产品简介高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号PD-100M-APD-200M-APD-300M-APD-400M-APD-500M-APD-600M-APD-800M-APD-1G-APD-1.2G-APD-1.5G-APD-2G-APD-2.5G-APD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K5K30K30K30K20K15K15K3KV/A饱和光功率1401401404208408401401401402102802801400uWNEP5557789999999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACACAC供电电压55555512121212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(maxA光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*2075*55*25mmInGaAs蝶形单元探测器产品简介蝶形封装单元探测器集成低噪声PIN探测器以及跨阻放大器，探测器采用单电源供电；在兼具原探测器模块性能基础上，其尺寸更小，重量更轻，功耗更低，特别符合目前设备系统集成小型化趋势需求。产品特点噪声低高增益高带宽小尺寸单电源供电应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号DPD-100M-ADPD-200M-ADPD-300M-ADPD-400M-ADPD-500M-ADPD-600M-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600MHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K4KV/A最大输入光功率130130130390780970pWNEP555778pW/Sqrt(Hz)输出阻抗505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDC供电电压5555512V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC射频输出MCX(Female)外形尺寸25*22*10mmInGaAs超低噪单元探测器产品简介超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出，在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一，很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。产品特点噪声超低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号UPD-100M-AUPD-200M-AUPD-300M-A UPD-400MAUPD-500M-A UPD-600M-A UPD-800M-AUPD-1G-AUPD-1.2G-AUPD-1.5G-AUPD-2G-AUPD-2.5G-AUPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K15K15K30K30K30K30K30K30K6KV/W饱和光功率140140140420280280140140140420140140700jwNEP2.22.22.22.73.13.13.33.33.33.33.33.33.3pW/Sqrt(Hz输出阻抗50505050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压555551212121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.3A光学输入FC/APC(自由空间光可选)FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2065*50*2580*90*25mmSi单元探测器产品简介Si单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号PD-100M-BPD-200M-BPD-300M-BPD-400M-BPD-500M-BPD-1G-BPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480uWNEP11111114182020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mmInGaAs雪崩单元探测器产品简介雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号APD-100M-AAPD-200M-AAPD-300M-AAPD-400M-AAPD-500M-AAPD-600M-AAPD-800M-AAPD-1G-AAPD-1.2G-AAPD-1.5G-AAPD-2G-AAPD-2.5G-AAPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz响应度999999999999V/W跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K200K150K150K30KV/W输出阻抗50505050505050505050505050饱和功率13131339787813131320262678uWNEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压55555512121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2080*90*25mmSi雪崩单元探测器产品简介Si雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的 影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探 测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号APD-100M-BAPD-200M-BAPD-300M-BAPD-400M-BAPD-500M-BAPD-1G-BAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050饱和功率13131313131330uWNEPO.180.180.180.180.180.20.2pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mm

InGaAs APD光电探测器800~1700nm光电探测器主要特性DC-250MHz带宽低噪声高增益22KV/A全金属外壳，屏蔽性能优良支持更大带宽定制800~1700nm光电探测器应用探测连续光或脉冲激光器之间的拍频信号探测超弱光信号探测快速激光脉冲水下光通信无损检测800~1700nm光电探测器性能指标要求（25℃）参数符号典型值单位波长范围λ800~1700nm带宽BWDC/AC-250MHz探测器直径φ75um响应率Re(Vr=0V,λ=1310nm)0.85mA/mWRe(Vr=0V,λ=1550nm)0.9mA/mW跨阻增益22KV/A输出阻抗50 Ω光输入接口FC/APC电输出接口SMA工作电压(单电源输入)9~12V工作电流＜100mA工作温度-40~+85℃存储温度-50~+100℃800~1700nm光电探测器响应曲线 800~1700nm光电探测器结构尺寸更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

InGaAs光电平衡探测器产品简介高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电 源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号MBD-100M-AMBD-200M-AMBD-300M-AMBD-400M-AMBD-500M-AMBD-800M-AMBD-1G-AMBD-1.5G-AMBD-2G-AMBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K30K30K15K15KV/A最大输入光功率140140140420840140140140280280pwNEP5557799999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACDC供电电压555551212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸62*47*2575*55*25mmInGaAs蝶形平衡探测器产品简介蝶形封装光电平衡探测器集成了两个匹配的超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器，采用单电源供电。可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。该探测器在兼具原模块性能同时尺寸小、重量轻、功耗低特别适合于模 块以及系统集成。产品特点噪声低高增益高带宽小尺寸单电源供电应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号DBD-100M-ADBD-200M-ADBD-300M-ADBD-400M-ADBD-500M-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500MHz探测器响应度0.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5KV/A共模抑制比3030303030dB最大输入光功率130130130390780pwNEP55577pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDC供电电压55555V供电电流0.2(max)0.2(max)0.2(max)0.2(max)0.2(max)A光学输入S MFC/APC(PM可选)射频输出MCX(Female)外形尺寸25*22*10mmInGaAs超低噪平衡探测器产品简介UBD系系列超低噪平衡探测模块是原MBD系系列基础上升级产品，相比较原MBD系列在其他参数相同条件下其本底噪声显著降低，在相同带宽以及增益条件下，其本底噪声约为MBD系列模块三分之一，因此灵敏度更高，信噪比更高。产品特点超低噪声高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号UBD-100M-AUBD-200M-AUBD-300M-AUBD-400M-AUBD-500M-AUBD-800M-AUBD-1G-AUBD-1.2G-AUBD-1.5G-AUBD-2G-AUBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.2G300M400M500MHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K10K30K30K30K30K30K30KV/W最大输入光功率140140140210420140140140140140140uWNEP2.52.52.52.93.13.13.13.13.13.13.1pW/Sqrt(Hz)共模抑制比3030303030303030303030dB输出阻抗5050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACAC供电电压55555121212121212供电电流0.5(max0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)光学输入FC/APC(自由空间可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mmSi平衡探测器产品简介Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号MBD-100M-BMBD-200M-BMBD-300M-BMBD-400M-BMBD-500M-BMBD-1G-BMBD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480uWNEP11111114182020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max0.3(max0.3(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸62*47*25mmInGaAs雪崩平衡探测器产品简介雪崩光电平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离 电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量测试结果产品参数产品型号BAP D-100M-ABAP D-200M-ABAP D-300M-ABAP D-400M-ABAP D-500M-ABAP D-600M-ABAP D-800M-ABAP D-1G-ABAP D-1.2G-ABAP D-1.5G-ABAP D-2G-ABAP D-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G1.5G2.5GHz探测器响应度99999999999A/W@1550nm跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K300K200K150K150KV/W饱和光功率131313397878131313202020输出阻抗505050505050505050505050NEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACACAC供电电压555555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5{max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mmSi雪崩平衡探测器产品简介Si雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪 声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源 的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAP D-100M-BBAP D-200M-BBAP D-300M-BBAP D-400M-BBAP D-500M-BBAP D-1G-BBAP D-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度25252525252525A/W@850mm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050NEP0.180.180180.180.180.180.2pW/V(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max]0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm

OSI optoelectronics-光电探测器-FCI-H125G-InGaAs-75产品型号：FCI-H125G-InGaAs-75产品介绍：FCI-H125/250G InGaAs XX系列是一款紧凑型集成高速InGaAs光电探测器，具有宽动态范围跨阻放大器。将检测器与TIA组合在密封的4引脚TO-46封装中，为高速信号放大提供了理想的条件。高速和良好的灵敏度使这些设备成为LAN、MAN、WAN和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。TO封装标准配备透镜帽以提高耦合效率，或者配备宽带双面AR涂层平窗。FCI-H125/250G InGaAs XX系列还提供FC、SC、ST和SMA插座。性能特点：InGaAs光电探测器/低噪声跨阻放大器高带宽/宽动态范围单路+3.3至+5V电源光谱范围1100nm至1650nm差动输出参数：产地：美国是否进口：是有效区域直径:75 微米电源电压:+3 至 +5.5 V电源电流:26毫安工作波长:1100 - 1650 nm响应度 -17dBm （差分）:2500 伏/瓦瞬阻 -17dBm （差分）:2800 Ω输出障碍:50 Ω传输阻抗线性范围：30µ W p-p天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。