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模拟带宽高速光电探测器

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模拟带宽高速光电探测器相关的耗材

  • 145GHz InP磷化铟 超快光电探测器模块 1480-1620nm 搜索产品 型号 货号
    该产品是为数据通信( 1T/bs PAM),电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。光谱响应1480-1620nm技术参数特性• 3dB带宽高达145GHz• 可探测200 GBaud光幅度调制信号• 可同时在C&L波段运行• 集成偏置网络• 低偏压操作• 0.8 mm射频接口 技术背景高速光电探测器模块是数据通信和电信领域下一代光通信链路发展的热点。由于这些研发在符号速率方面总是领先一步,因此在接收端需要具有超过最先进射频带宽的光电探测器模块。此外,光电探测器模块的高速性能使其适用于微波光子学。模块内部的光电探测器芯片基于成熟的InP技术,在HHI的晶圆加工线上制作,采用Telcordia和空间限定的工艺,同时封装在Fraunhofer HHI中。 应用• 数据通信• 电信• 测试测量• 微波光子学技术参数• 工作波长: 1480 nm - 1620 nm• 3 dB带宽: 高达145 GHz• 低暗电流: 100 nA @ 3 V• 偏置电压: +2 V• 0.8 mm射频接口(Female)• RF射频的阻抗匹配50Ω• 输出接口: FC/APC 保偏,单模光纤
  • 硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT
    筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的 PIN 光电二极管和允许测量1 mW 输入功率的固定增益跨阻放大器。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 EOT 的放大光电探测器带有自己的墙上插入式电源 将同轴电缆插入光电探测器的 SMA 或 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。材质硅 Silicon带宽(Hz)30 kHz-1.2 GHz技术参数特征内置跨阻放大器占地面积小外墙插电电源带宽高达 10 GHz选项探测器材质活动区提供光纤耦合或自由空间选项应用监测高重复率、外部调制的连续激光器查看1 mW 的激光功率ET-2030A - 2 GHz 硅放大光电探测器零件号(型号)120-10013-0001(ET-2030A) a探测器材质硅上升时间/下降时间500 ps/500 ps转换增益830 nm 时为 450 V/W电源24 伏直流电带宽30 kHz 至 1.2 GHz有效面积直径400 微米接受角(1/2角)10 °噪声等效功率b60 pW/√Hz 在 830 nm最大线性额定值1.3V 峰值安装(螺纹孔)8-32 或 M4输出连接器BNCSPECIFICATIONSPart No.(Model)型号120-10013-0001(ET-2030A)a120-10036-0001(ET-3000A)a120-10060-0001(ET-3500A)a120-10064-0001(ET-3500AF)a120-10073-0001(ET-4000A)a120-10077-0001(ET-4000AF)a120-10115-0001(ET-5000A)a120-10116-0001(ET-5000AF)aDetector Material探测器材料SiliconInGaAsInGaAsInGaAsGaAsGaAsInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time上升/下降时间500 ps/500 ps400 ps/400 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 ps35 ps/35 psConversion Gain转换增益450 V/Wat 830 nm900 V/Wat 1300 nm2250 V/Wat 1310 nm1620 V/Wat 1310 nm1340 V/Wat 850 nm970 V/Wat 850 nm3250 V/Wat 2000 nm2350 V/Wat 2000 nmPower Supply电源24 VDC24 VDC5 VDC5 VDC5 VDC5 VDC5 VDC5 VDCBandwidth带宽30 kHz to 1.2 GHz30 kHz to 1.5 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHz20 kHz to 10 GHzActive AreaDiameter有效面积直径400 μm100 μm32 μm32 μm60 μm60 μm40 μm40 μmAcceptance Angle (1/2 angle)接受角(1/2角)10?20?15?N/A15?N/A20?N/ANoise EquivalentPowerb噪声等效功率60 pW/√Hzat 830 nm30 pW/√Hzat 1300 nm25 pW/√Hzat 1310 nm30 pW/√Hzat 1310 nm35 pW/√Hzat 850 nm50 pW/√Hzat 850 nm20 pW/√Hzat 2000nm25 pW/√Hzat 2000 nmDC Monitor Output直流监视器输出1 mV/μA1 mV/μA1 mV/μA1 mV/μA1 mV/μA1 mV/μAMaximum Linear Rating最大线性额定值1.3 V peak1.3 V peak450 mVp-p450 mVp-p450 mVp-p450 mVp-p450 mVp-p450 mVp-pMounting (Tapped Holes)安装(螺纹孔)8-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M4Output Connector输出连接器BNCBNCSMASMASMASMASMASMAFiber OpticConnectionc 光纤连接N/AN/AN/AFC/UPCN/AFC/UPCN/AFC/UPC产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。交流耦合b噪声等效功率(NEP)通过短路输出确定。c多模光纤可用。可能会限制带宽。注:除非另有说明,否则所有规范均适用于50Ω终端。
  • 硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 100MHz
    高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪 声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。 具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等 特点,可以有效的减少信号的共模噪声,提高系统的信噪比。产品型号 BPD-Si-100M-B BPD-Si-200M-B BPD-Si-350M-B BPD-Si-500M-B BPD-Si-1G-B光谱响应400-1100nm材质硅 Silicon带宽(Hz)100 MHz技术参数产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测技术参数产品型号BPD-Si-100M-BBPD-Si-200M-BBPD-Si-350M-BBPD-Si-500M-BBPD-Si-1G-B单位探测器型号Si波长400~1100400~1100400~1100400~1100400~1100nm带宽100M200M350M500M1GHz探测器响应度0.55@850nm0.55@850nm0.55@850nm0.55@850nm0.55@850nmA/W跨阻增益30K30K30K30K30KV/A饱和输入光功率250250250250250μWNEP1212121313pW/Sqrt(Hz)共模抑制比2525252525dB输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACACAC供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间可选)FC/APC(自由空间可选)FC/APC(自由空间可选)FC/APC(自由空间可选)FC/APC(自由空间可选)射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸62*47*2562*47*2562*47*2562*47*2562*47*25mm下载
  • 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT
    筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 EOT 的 10 GHz 光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的 SMA 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 即可运行。材质铟镓砷 InGaAs带宽(Hz)22 GHz技术参数特征占地面积小内部电压偏置直流至 22 GHz选项可以订购可选的壁挂式电源提供光纤耦合或自由空间选项探测器材质应用监控调Q激光器的输出监控锁模激光器的输出监测外部调制连续激光器的输出高频、外差应用时域和频率响应测量ET-3600 - 22 GHz InGaAs 光电探测器零件号(型号)120-10140-0001(ET-3600)120-10142-0001(ET-3600F)探测器材质铟镓砷铟镓砷上升时间/下降时间16 ps/16 ps16 ps/16 ps响应度一0.70 A/W 在 1300 nm0.70 A/W 在 1300 nm电源3 VDC3 VDC带宽22 GHz22 GHz有效面积直径 20 微米20 微米暗电流1 nA1 nA接受角(1/2角)15 °不适用噪声等效功率b26 pW/ √Hz在 1300 nm26 pW/ √Hz在 1300 nm最大线性连续波功率10 毫瓦10 毫瓦安装(螺纹孔)8-32 或 M48-32 或 M4输出连接器SMASMA光纤连接c不适用FC/UPC、SMF28e产品规格可能会发生变化。所有产品均符合 RoHS 标准。a 光电探测器有一个内部 50 Ω 终端。响应数据仅适用于二极管。检测器输出应根据所示图表的响应度的 1/2 确定。b 噪声等效功率 (NEP) 由开路输出确定。c 多模光纤可用。可能会限制带宽。注意:除非另有说明,否则所有规格均适用于 50 Ω 端接。SPECIFICATIONSPart No. (Model)型号120-10058-0001(ET-3500)120-10068-0001(ET-3500F)120-10071-0001(ET-4000)120-10081-0001(ET-4000F)120-10105-0001(ET-5000)120-10104-0001(ET-5000F)120-10140-0001(ET-3600)120-10142-0001(ET-3600F)Detector Material 材料InGaAsInGaAsGaAsGaAsInGaAsInGaAsInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time25 ps/25 ps25 ps/25 ps30 ps/30 ps30 ps/30 ps28 ps/28 ps28 ps/28 ps16 ps/16 ps16 ps/16 psResponsivitya 响应度0.90 A/Wat 1300 nm0.65 A/W at1300nm0.53 A/Wat 830 nm0.38 A/Wat 830 nm1.3 A/Wat 2000 nm0.95 A/Wat 2000 nm0.70 A/Wat 1300 nm0.70 A/Wat 1300 nmPower Supply 电源6 VDC6 VDC3 VDC3 VDC3 VDC3 VDC3 VDC3 VDCBandwidth 波段15 GHz15 GHz12.5 GHz12.5 GHz10 GHz10 GHz22 GHz22 GHzActive Area Diameter有效面积直径32μm32 μm60 μm60 μm40 μm40 μm20 μm20 μmDark Current 暗电流3 nA3 nA0.5 nA0.5 nA1 μA1 μA1 nA1 nAAcceptance Angle(1/2 angle) 接受角15?N/A15?N/A20?N/A15?N/ANoise EquivalentPowerb 噪声等效功率20 pW/√Hzat 1300 nm28 pW/√Hzat 1300 nm35 pW/√Hzat 830 nm45 pW/√Hzat 830 nm15 pW/√Hzat 2000 nm20 pW/√Hzat 2000 nm26 pW/√Hzat 1300 nm26 pW/√Hzat 1300 nmMaximum LinearRating CW 最大线性额定值10 mW10 mW10 mW10 mW3 mA3 mA10 mW10 mWMounting (Tapped Holes)安装(螺纹孔)8-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M4Output Connector输出连接器SMASMASMASMASMASMASMASMAFiber Optic Connectionc光纤连接N/AFC/UPC,SMF28eN/AFC/UPC,SMF28eN/AFC/UPCN/AFC/UPC,SMF28e产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。光电探测器具有内部50Ω终端。响应度数据仅适用于二极管。探测器输出应根据图中所示响应度的1/2确定。
  • 激光传感器组件 红外探测器
    液氮制冷红外探测器具有灵敏度高、空间分辨率好、动态范围大、抗干扰能力强以及能在恶劣气候下昼夜工作等特点。液氮制冷红外探测器经过制冷,设备可以缩短响应时间,提高探测灵敏度。液氮制冷红外探测器的信号带宽最高可以达到50MHz ,波长响应范围2~14μm,光敏面积典型值为1×1mm2,也可以按照需求进行定制,窗片材质可选ZnSe或CaF2,可以应对不同波长和使用环境的需求,如有特殊需求欢迎来电咨询。液氮制冷红外探测器各种杜瓦设计可供选择,提供楔形窗以消除干涉的影响。 液氮制冷红外探测器的优点:? 液氮制冷的制冷方式可以达到更低的温度,更稳定,极大地降低了热噪声;? 响应波长范围广,对2~14μm的中红外光谱波段光波敏感;? 高性价比,我们可以提供高速频率带宽定制服务。液氮制冷红外探测器工作原理:液氮制冷红外探测器参数指标:响应波长范围2~14μm峰值响应度典型值100~100000V/W光敏面积典型值1×1mm2(定制可选)信号带宽最高50MHz输出阻抗20~100ΩD*(cmHz1/2W-1)≥2.0E+10,最高≥1.0E+11窗片材质ZnSe或CaF2供电电压±5VDC(探测器模块);220VAC(电源模块) 各种杜瓦设计可供选择,提供楔形窗以消除干涉的影响。
  • 碲镉汞(MCT)中红外光电探测器,带放大,带TEC
    碲镉汞(MCT)中红外光电探测器,带放大,带TECMCT-12-4TE放大探测器是一种热电冷却光电导HgCdTe(碲镉汞,MCT)探测器。这种材料对2.0到12 μm的中红外光谱波段光波敏感。半导体制冷片(TEC)采用一个热敏电阻反馈电路对探测器元件的温度控制在-30 °C,从而将热变化对输出信号的影响最小化。为了获得最佳效果,我们推荐将输出电缆(不附带)与一个50欧姆的终端连接。由于探测器是AC偶合的,因此它需要一个脉冲或斩波输入信号。 交流耦合探测器不会看到未斩波的直流信号,因为它们对只对强度变化而不是强度的绝对值敏感。产品特点● 可探测的中红外光波波段为2.0 - 12 μm● 低通滤波器带宽高达160 kHz● 高频截止频率:10MHZ● 内置半导体制冷片提高灵敏度● 1 mm x 1 mm的热电冷却探测元件● SM1(1.035英寸-40)内螺纹● 附带符合当地区域使用的电源适配器产品应用● 中红外气体分析● 中红外激光探测技术参数响应光谱调制线性度测试(采用MCT-12-4TE 中红外MCT探测器测试)封装及尺寸安装举例咨询电话:021-64149583、021-56461550、021-65061775公司邮箱:info@microphotons.com公司网址:http://www.ideal-photonics.com公司地址:上海市杨浦区黄兴路2077号蓝天大厦21F
  • Golay Cell 探测器
    Golay Cell 探测器 1. Golay Cell GC-1P HDPE窗口镜的Golay Detector Golay Cell是最有效的THZ探测器。在室温下,它在非常宽的带宽下都有优良的灵敏度和平坦的光谱响应。 Golay探测器出厂就是经过单独校准过的。它包含一个探测头和电源,同时也可以提供滤波片的选项。各种HRFZ-Si和TPX材料做成的THZ光学元件如低通滤波片,聚乙烯偏振片,窗口镜,透镜以及分光片可以满足不同的THZ应用。我们也提供软硬件组件来把Golay Cell产生的模拟信号转变成数字信号。该组件包含一个特殊的软件和一个电路单元,并可通过USB线和个人电脑相连。可用于检测,处理和分析光声信号。应用: 监测和控制中红外和THZ波. 技术参数:入口直径, mm: 11.0 输入口窗口直径, mm: 6.0 输入口窗口镜材料: High-Density Polyethylene (HDPE) 工作波长范围, μm: 15 ~ 8000 最高探测功率, W, up: 1 x 10-5 最佳调制频率, Hz: 15 ± 5 噪声等价功率 @ 20Hz:典型值, W/Hz1/2最小值, W/Hz1/21.4 x 10-10 0.8 x 10-10 光响应 @ 20Hz:典型值, V/W最小值, V/W 1 x 105 1.5 x 105 响应速度:典型值, ms最小值, ms 30 25 入口探测灵敏度 (D*) : 典型值, cm x Hz1/2/W最大值, cm 7.0 x 109 11.0 x 109 工作环境气压, mm Hg 760 ~ 10-3 工作和保存的温度, °C 5 ~ 40 湿度 % 45 ~ 80 避免震动的频率范围 1 ~ 100 Hz 供电电压 VAC 100/115 ± 10%, 220/230 ± 10% 线性频率, Hz 50 ~ 60 外形尺寸, L x W x H, mm3 126 x 45 x 87 重量, kg 0.8 2.Golay Cell GC-1T TPX窗口镜的Golay Detector 由于聚乙烯窗口镜换成了TPX材料,GC-1T探测器的工作波段更宽,更达到可见甚至是紫外波段。该型号可看作钻石窗口的最佳替代品。TPX材料在THZ波段的透过率比钻石材料更高,而且价格更低,只比GC-1P略贵一点。 Golay探测器出厂就是经过单独校准过的。它包含一个探测头和电源,同时也可以提供滤波片的选项。 各种HRFZ-Si和TPX材料做成的THZ光学元件如低通滤波片,聚乙烯偏振片,窗口镜,透镜以及分光片可以满足不同的THZ应用。 我们也提供软硬件组件来把Golay Cell产生的模拟信号转变成数字信号。该组件包含一个特殊的软件和一个电路单元,并可通过USB线和个人电脑相连。可用于检测,处理和分析光声信号。应用: 监测和控制紫外-近红外和THZ波. 技术参数:入口直径, mm: 11.0 输入口窗口直径, mm: 6.0 输入口窗口镜材料: Polymethylpentene (TPX) 工作波长范围, μm: 0.3 ~ 6.5 & 13 ~ 8000 最高探测功率, W, up: 1 x 10-5 最佳调制频率, Hz: 15 ± 5 噪声等价功率 @ 20Hz:典型值, W/Hz1/2最小值, W/Hz1/21.4 x 10-10 0.8 x 10-10 光响应 @ 20Hz:典型值, V/W最小值, V/W 1 x 105 1.5 x 105 响应速度:典型值, ms最小值, ms 30 25 入口探测灵敏度 (D*): 典型值, cm x Hz1/2/W最大值, cm 7.0 x 109 11.0 x 109 工作环境气压, mm Hg 760 ~ 10-3 工作和保存的温度, °C 5 ~ 40 湿度 % 无特殊要求避免震动的频率范围 1 ~ 100 Hz 供电电压 VAC 100/115 ± 10%, 220/230 ± 10% 线性频率, Hz 50 ~ 60 外形尺寸, L x W x H, mm3 126 x 45 x 87 重量 kg0.8 3. Golay Cell GC-1D 钻石窗口镜的Golay Detector Golay探测器出厂就是经过单独校准过的。它包含一个探测头和电源,同时也可以提供滤波片的选项。 由于聚乙烯窗口镜换成了钻石材料,GC-1D探测器的工作波长范围更宽,可达到可见光波段。如果除了可见光和THZ波段,也要求MIR波段的时候,就需要采用这种窗口镜。当然,GC-1D型号的探测器的价格会比GC-1T略贵。 各种HRFZ-Si和TPX材料做成的THZ光学元件如低通滤波片,聚乙烯偏振片,窗口镜,透镜以及分光片可以满足不同的THZ应用。 我们也提供软硬件组件来把Golay Cell产生的模拟信号转变成数字信号。该组件包含一个特殊的软件和一个电路单元,并可通过USB线和个人电脑相连。可用于检测,处理和分析光声信号。应用: 监测和控制可见光-THZ波. 技术参数:入口直径, mm: 11.0 输入口窗口直径, mm: 6.0输入口窗口镜材料: Diamond工作波长范围, μm: 0.4 ~ 8000最高探测功率, W, up: 1 x 10-5 最佳调制频率, Hz: 15 ± 5 噪声等价功率 @ 20Hz:典型值, W/Hz1/2最小值, W/Hz1/21.4 x 10-10 0.8 x 10-10光响应 @ 20Hz:典型值, V/W最小值, V/W 1 x 105 1.5 x 105 响应速度:典型值, ms最小值, ms 30 25 入口探测灵敏度 (D*): 典型值, cm x Hz1/2/W最大值, cm 7.0 x 109 11.0 x 109 供电电压 VAC100/115 ± 10%, 220/230 ± 10%线性频率, Hz50 ~ 60 外形尺寸, L x W x H, mm3126 x 45 x 87 重量 kg0.8
  • Discovery光电探测器
    美国Discovery Semiconductors公司全线产品 量青光电专业代理 Discovery Semiconductors, Inc.是一家制造超快 InGaAs 光电探测器,射频过光纤接收器,平衡光接收器,和一些定制产品的行业领导者。产品应用范围从模拟射频连接到超快数字通信。1993年,并凭借使用在40和Discovery的仪器和系统包含span color:#333333 font-size:16px "="" style="margin: 0px padding: 0px "Lab Buddy和光学相干接收机系统。
  • 硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 >118 MHz 美国EOT
    筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 EOT 的 10 GHz 光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 是操作所需的全部内容。材质硅 Silicon带宽(Hz)118 MHz技术参数特征:占地面积小内部电压偏置直流至 2 GHz选项可提供外墙插入式电源提供光纤耦合或自由空间选项探测器材质应用监控调Q激光器的输出监控锁模激光器的输出规格型号120-10011-0001 (ET-2030)120-10028-0001 (ET-2040)120-10133-0001 (ET-2060)120-10134-0001 (ET-2070)120-10034-0001 (ET-3000)120-10050-0001 (ET-3010)探测器材料SiliconSiliconSiliconSiliconInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time上升/下降时间300 ps/300 ps30 ns/30 ns320 ps/320 ps3 ns/3 ns175 ps/175 ps175 ps/175 ps响应度0.47 A/W at 830 nm0.6 A/W at 830 nm0.47 A/W at 830 nm0.56 A/W at 830 nm0.9 A/W at 1300 nm0.9 A/W at 1300 nm电源9 VDC24 VDC9 VDC24 VDC6 VDC6 VDC带宽1.2 GHz25 MHz1.1 GHz118 MHz2 GHz2 GHzActive Area Diameter有效面积直径0.4 mm4.57 mm0.4 mm2.55 mm100 μm100 μmDark Current 暗电流0.1 nA10 nA0.1 nA10 nA2.0 nA3.0 nAAcceptance Angle(1/2 angle)接受角(1/2角)10?60?N/Aa50?20?N/AaNoise EquivalentPower噪声等效功率0.01 pW/√ Hz0.09 pW/√ Hz0.01 pW/√ Hz0.10 pW/√ Hz0.03 pW/√ Hz0.03 pW/√ HzMaximum LinearRating最大线性额定值CW current: 3 mA Pulse current: 3 mACW current: 2 mA Optical input: 3 mWCW current: 3 mA Optical input: 3 mACW current: 2.5 mA Pulse current: 15 mACW current: 5 mACW current: 5 mAMounting(Tapped Holes)安装(螺纹孔)8-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M4Output Connector输出连接器BNCBNCBNCBNCBNCBNC产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。a包括FC插座
  • 硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT
    筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 EOT 的 10 GHz 光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 是操作所需的全部内容。材质硅 Silicon带宽(Hz)1.1 GHz技术参数特征:占地面积小内部电压偏置直流至 2 GHz选项可提供外墙插入式电源提供光纤耦合或自由空间选项探测器材质应用监控调Q激光器的输出监控锁模激光器的输出规格型号120-10011-0001 (ET-2030)120-10028-0001 (ET-2040)120-10133-0001 (ET-2060)120-10134-0001 (ET-2070)120-10034-0001 (ET-3000)120-10050-0001 (ET-3010)探测器材料SiliconSiliconSiliconSiliconInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time上升/下降时间300 ps/300 ps30 ns/30 ns320 ps/320 ps3 ns/3 ns175 ps/175 ps175 ps/175 ps响应度0.47 A/W at 830 nm0.6 A/W at 830 nm0.47 A/W at 830 nm0.56 A/W at 830 nm0.9 A/W at 1300 nm0.9 A/W at 1300 nm电源9 VDC24 VDC9 VDC24 VDC6 VDC6 VDC带宽1.2 GHz25 MHz1.1 GHz118 MHz2 GHz2 GHzActive Area Diameter有效面积直径0.4 mm4.57 mm0.4 mm2.55 mm100 μm100 μmDark Current 暗电流0.1 nA10 nA0.1 nA10 nA2.0 nA3.0 nAAcceptance Angle(1/2 angle)接受角(1/2角)10?60?N/Aa50?20?N/AaNoise EquivalentPower噪声等效功率0.01 pW/√ Hz0.09 pW/√ Hz0.01 pW/√ Hz0.10 pW/√ Hz0.03 pW/√ Hz0.03 pW/√ HzMaximum LinearRating最大线性额定值CW current: 3 mA Pulse current: 3 mACW current: 2 mA Optical input: 3 mWCW current: 3 mA Optical input: 3 mACW current: 2.5 mA Pulse current: 15 mACW current: 5 mACW current: 5 mAMounting(Tapped Holes)安装(螺纹孔)8-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M4Output Connector输出连接器BNCBNCBNCBNCBNCBNC产品规格可能会更改。所有产品均符合RoHS标准。a包括FC插座
  • 铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 >2 GHz 美国EOT
    筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 EOT 的 10 GHz 光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 是操作所需的全部内容。材质铟镓砷 InGaAs带宽(Hz)2 GHz技术参数特征:占地面积小内部电压偏置直流至 2 GHz选项可提供外墙插入式电源提供光纤耦合或自由空间选项探测器材质应用监控调Q激光器的输出监控锁模激光器的输出规格型号120-10011-0001 (ET-2030)120-10028-0001 (ET-2040)120-10133-0001 (ET-2060)120-10134-0001 (ET-2070)120-10034-0001 (ET-3000)120-10050-0001 (ET-3010)探测器材料SiliconSiliconSiliconSiliconInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time上升/下降时间300 ps/300 ps30 ns/30 ns320 ps/320 ps3 ns/3 ns175 ps/175 ps175 ps/175 ps响应度0.47 A/W at 830 nm0.6 A/W at 830 nm0.47 A/W at 830 nm0.56 A/W at 830 nm0.9 A/W at 1300 nm0.9 A/W at 1300 nm电源9 VDC24 VDC9 VDC24 VDC6 VDC6 VDC带宽1.2 GHz25 MHz1.1 GHz118 MHz2 GHz2 GHzActive Area Diameter有效面积直径0.4 mm4.57 mm0.4 mm2.55 mm100 μm100 μmDark Current 暗电流0.1 nA10 nA0.1 nA10 nA2.0 nA3.0 nAAcceptance Angle(1/2 angle)接受角(1/2角)10?60?N/Aa50?20?N/AaNoise EquivalentPower噪声等效功率0.01 pW/√ Hz0.09 pW/√ Hz0.01 pW/√ Hz0.10 pW/√ Hz0.03 pW/√ Hz0.03 pW/√ HzMaximum LinearRating最大线性额定值CW current: 3 mA Pulse current: 3 mACW current: 2 mA Optical input: 3 mWCW current: 3 mA Optical input: 3 mACW current: 2.5 mA Pulse current: 15 mACW current: 5 mACW current: 5 mAMounting(Tapped Holes)安装(螺纹孔)8-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M4Output Connector输出连接器BNCBNCBNCBNCBNCBNC
  • 硅(Si)放大型光电探测器 320 -1100nm (DC - 200kHz)
    PDAM20A6B4G-InGaAS光电探测器是一种额定带宽,固定增益的光电探测器,用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入,输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔,可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈,这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用,可以方便适配外部光学部件,如滤光片,衰减片,镜头,FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源,该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。光谱响应320-1100nm带宽(Hz)200 kHz通用参数产品特点:低噪声,小于±lmV过冲小,过冲电压小于2.5%增益稳定:增益误差小于1%暗偏置电压输出噪声:小于ImV (rms)应用领域:• 显示面板检测• LED照明频闪分析• 玩具灯闪烁频率及功率测量• 气体分析参数PN#PDAM005B-SiPDAM36A5B6G-SIPDAM20A6B4G-InGaAs电器特性输入电压±9VDC, 60mA±9VDG 100mA±9VDC. 100mA探头Silicon PINSilicon PINInGaAs PIN感光面2.65mm * 2.65mm3.6mm * 3.6mmDiameters@2 mm波长400 nm - 1100 nm320 nm - 1100 nm800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可选扩展) 2600nm)峰值响应0.62A/W @850nm0.6 A/W @960nm0.9 A/W@1550nm43.6mV/uW @850nm1 mV/nW @960nm9mV/uW@1550nm饱和光功率113pW@ 850nm (Hi-Z)6uW @960nm (Hi-Z)660 uW@1550nm (Hi-Z)带宽DC • -5MHzDC - 200kHzDC - 5MHzNEP7.2 pW/4HZ1/22.2 pW/HZ1/264.5 pW/HZ1/2输出噪声(RMS)700 uV1 mV ?typ1.3 mV .typ暗电流偏置(MAX)±5 mV±1 mV±5 mV上升沿/下降沿(10%—90%)65 ns1.7 us68ns输出电压Hi-Z0- SV (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)5000 • 2.5V (50ohm)0 • 25V (50ohm)0 • 25V (50ohm)增益倍数Hi-Z67.5 kV/A1.68 MV/A10 kV/A50Q33.8 kV/A0.84 MV/A5kV/A增益精度(typ)±1%±1%±1%其他参数拨动开关拨动开关拨动开关输出接口BNCBNCBNC尺寸53*50*50mm53*50*50mm53*50*50mm重量150g150g150g操作温度10-50deg10-50deg10-50deg存储温度?25°C - 70°C-25°C - 70°C-25°C - 70°C 光谱灵敏度
  • 混合像元探测器
    这款混合像元探测器是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器,它能够实现零背景噪音成像,非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。这款混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN),仅仅2平方分米的尺寸,具有一流的读取电路,提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像,而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子,直接转换成可探测的电信号被进一步处理,这种技术不仅实现零噪音成像,而且实现超高亮度和锐度的图像。致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏,这种结构的探测器在分辨率,灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制,它提供256x256个像素阵列,单个像素可达55x55微米,可当个像素成像,具有如下工作模式:单光子计数模式:当个像素每秒记录高达100000光子数(100000cps).整个探测器的计数能力高达65亿cps,而且能量阈值可以设定。能量模式(TOT):每个像素测量单个光子能量,非常适合全谱X射线成像和辐射监测,不仅可以对辐射粒子的轨迹成像,还可以测量粒子能量,非常适合辐射监测,因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的,这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。到达时间模式(TOA)单个像素计算入射时间,非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积产品应用天文学,粒子物理,医学成像,光谱成像,粒子追踪,电子显微镜,无损检测,质谱学,X射线成像,X射线衍射,X射线荧光光谱
  • 超快光电探测器
    超快光电探测器:UPD系列现在有42种特别的光电二极管型号! ALPHALAS GmbH已发布超快光电二极管的新型号,该产品将产品范围扩展到更快的上升时间以及从紫外到红外的更宽波长范围。新增功能:在800至2600 nm波长范围内,超快光电探测器的HF性能大大提高(新闻稿,PDF)光电二极管的功能光电二极管的应用• 高速运行• 上升时间:从15 ps开始• 带宽:高达25 GHz• 光谱范围:170-2600 nm(紫外线到红外线)• 紧凑式设计• 电池或外接电源• 自由空间光束模型,或带有FC / PC插座或带有SM光纤的尾纤• 脉冲形式测量• 脉冲持续时间测量• 同步• 模式跳动监控• 外差测量介绍UPD系列超快光电二极管UPD系列超快光电探测器适合测量DC至25 GHz的光波形。各种型号的上升时间短至15 ps,并且覆盖170至2600 nm的光谱范围。所有光电二极管均封装在紧凑的实心铝制外壳中,并可用电池或外部电源偏置。硅类光电探测器的紫外线扩展版是覆盖170至1100 nm光谱范围的商业产品。另一类特别的对紫外线敏感的InGaAs光电探测器可用于探测350至1700 nm范围内的激光脉冲,因此具有较宽的光谱范围和较快的市售速度。阻抗匹配和微波技术可确保对脉冲形式进行测量,而不会产生振铃或伪影。客户可以自由使用50Ω端接电阻来实现高速操作,也可以自由使用高阻抗负载来获取大信号。这保证了针对各种应用的较大灵活性。结合我们的BBA系列宽带高增益放大器,高速光电检测器是昂贵的雪崩光电二极管的有利替代品。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究不可或缺的工具。新的光电探测器型号可用:上升时间更快和波长范围更广UPD-15-IR2-FC:超快InGaAs PIN光电探测器,上升时间 25 GHz,光谱范围800-1700 nm,光纤耦合输入,带FC / APC连接器UPD-35-IR2-P:UPD-35-IR2-D:超快速InGaAs PIN光电探测器,上升时间 10 GHz,光谱范围800-1700 nm,带有抛光或漫射窗口UPD-35-UVIR-P:UPD-35-UVIR-D:超快速InGaAs PIN光电探测器,上升时间 10 GHz,光谱范围350-1700 nm,带有抛光或漫射窗口UPD-50-SP:UPD-50-SD,UPD-50-UD,UPD-50-UP:超快速Si PIN光电探测器,上升时间50 ps,下降时间50 ps,带宽 7 GHz,光谱范围170-1100 nm或320-1100 nm,带有抛光或漫射窗口UPD-100-IR1-P:超快Ge光电探测器,上升时间UPD-3N-IR2-P:快速InGaAs光电探测器,红外范围扩展到2.1 µm,上升时间150 psUPD-5N-IR2-P:快速InGaAs光电探测器,扩展的红外范围高达2.6 µm,上升时间为200 ps超快光电二极管(UPD系列)光电探测器型号上升时间(ps)带宽(GHz)光谱范围(nm)量子效率@峰值敏感区域(直径µm/ mm2)等效噪音功率(W /√Hz)暗电流(nA)材料光学输入/窗口类型射频输出连接器UPD-15-IR2-FC 25800 - 170075%Fiber, 9 µm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-30-VSG-P 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished,glassSMAUPD-35-IR2-P 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished,glassSMAUPD-35-IR2-D 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-35-IR2-FR 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-35-IR2-FC 10800 - 170080%Fiber, 9 µm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-35-UVIR-P 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-35-UVIR-D 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-40-VSI-P 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished,glassSMAUPD-40-IR2-P 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished,glassSMAUPD-40-IR2-D 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-40-IR2-FR 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-40-IR2-FC 8.5800 - 170080%Fiber, 9 µm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-40-UVIR-P 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-40-UVIR-D 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-50-SP 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished,glassSMAUPD-50-SD 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse,quartzSMAUPD-50-UP 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2SMAUPD-50-UD 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-P 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished,glassSMAUPD-70-IR2-D 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-FR 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-70-IR2-FC 5.0800 - 170080%Fiber, 9 µm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-100-IR1-P 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished,glassSMAUPD-200-SP 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished,glassBNCUPD-200-SD 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse,quartzBNCUPD-200-UP 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2BNCUPD-200-UD 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-300-SP 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-50-SP 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished,glassSMAUPD-50-SD 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse,quartzSMAUPD-50-UP 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2SMAUPD-50-UD 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-P 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished,glassSMAUPD-70-IR2-D 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-FR 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-70-IR2-FC 5.0800 - 170080%Fiber, 9 µm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-100-IR1-P 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished,glassSMAUPD-200-SP 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished,glassBNCUPD-200-SD 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse,quartzBNCUPD-200-UP 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2BNCUPD-200-UD 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-300-SP 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-300-SD 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse,quartzBNCUPD-300-UP 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si4)Polished,MgF2BNCUPD-300-UD 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-500-SP 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-500-SD 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse,quartzBNCUPD-500-UP 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si4)Polished,MgF2BNCUPD-500-UD 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-3N-IR2-P6) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished,glassBNCUPD-5N-IR2-P6) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished,glassBNCUPD-2M-IR2-P 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished,glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC3) 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished,glassBNC注意:1)漫射窗降低了定位精度要求,并以降低的灵敏度为代价将损伤阈值提高了大约2倍。 三到五。仅推荐用于高峰值功率激光器。2)该模型的输出为负。 所有其他型号默认情况下都具有正输出,但如果需要,也可以订购负输出。3)带TEC冷却模块,非标准外壳。4)具有增强的蓝/紫外线敏感性的改性材料。5)与可选的滤光片支架不兼容。6)大大提高了性能。UPD系列光电探测器的电源相关产品• 低噪声电源,输入:230 V AC(欧洲标准)PS-UPD-12-EU:输出:12 V DC• 低噪声电源,输入:100-240 V AC(通用)PS-UPD-6-WW:输出:6 V DCPS-UPD-9-WW:输出:9 V DCPS-UPD-12-WW:输出:12 V DC• BAT-UPD-6V:偏置电池,6 V• 宽带放大器BBA系列(幅度增益:×10,×100或可变×1÷100)• BNC 50Ω终端负载• SMA(公头)到BNC(母头)适配器• SMA转SMA适配器• 衰减滤光片适配器
  • 40MHz InGaAs 三通道光电探测器 800-1700nm
    总览40MHz 三通道光电探测器 Low Noise Photodetector40MHz InGaAs 三通道光电探测器 800-1700nm,40MHz InGaAs 三通道光电探测器 800-1700nm产品特点低噪声;高带宽;高增益;结构紧凑;产品应用分布式光纤传感 (ψ-OTDR/ C-OTDR , DAS/DVS , BOTDA/ BOTDR )激光测风雷达光学相干层析光谱测量/ ns 级光脉冲探测其他科研应用通用参数产品型号PD-40M-3-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽40MHz探测器响应度0.95@1550nmA/W跨阻增益20KV/A饱和输入光功率210uWNEP5pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50Ω输出耦合方式DC供电电压5V供电电流0.5(max)A光学输入FC/APC射频输出SMA外形尺寸80*80*25mm备注三路光口输入,三路射频电压输出使用说明1.该模块供电电压为 5V,供电电流Max. 值为 0.7A.2.Input为光输入接口;RF为射频输出接口.3.接入输入端前请确保端面清洁防止脏污对测量结果造成影响.测试结果外形尺寸(单位:mm)公司简介筱晓(上海)光子技术有限公司是一家被上海市评为高新技术企业和拥有上海市专精特新企业称号的专业光学服务公司,业务涵盖设备代理以及项目合作研发,公司位于大虹桥商务板块,拥有接近2000m² 的办公区域,建有500平先进的AOL(Advanced Optical Labs)光学实验室,为国内外客户提供专业技术支持服务。公司主要经营光学元件、激光光学测试设备、以及光学系统集成业务。依托专业、强大的技术支持,以及良好的商务支持团队,筱晓的业务范围正在逐年增长。目前业务覆盖国内外各著名高校、顶级科研机构及相关领域等诸多企事业单位。筱晓拥有一支核心的管理团队以及专业的研发实验室,奠定了我们在设备的拓展应用及自主研发领域坚实的基础。主要经营激光器/光源半导体激光器(DFB激光器、SLD激光器、量子级联激光器、FP激光器、VCSEL激光器)气体激光器(HENE激光器、氩离子激光器、氦镉激光器)光纤激光器(连续激光器、超短脉冲激光器)光学元件光纤光栅滤波器、光纤放大器、光学晶体、光纤隔离器/环形器、脉冲驱动板、光纤耦合器、气体吸收池、光纤准直器、光接收组件、激光控制驱动器等各种无源器件激光分析设备高精度光谱分析仪、自相关仪、偏振分析仪,激光波长计、红外相机、光束质量分析仪、红外观察镜等光纤处理设备光纤拉锥机、裸光纤研磨机 。
  • 硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 >25MHz 美国EOT
    筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品EOT 的10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。 当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω 电阻时,可以测量激光器的频率响应。 EOT 的 10 GHz 光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的 BNC 输出连接器并在示波器或频谱分析仪上端接 50 Ω 是操作所需的全部内容。材质硅 Silicon带宽(Hz)25 MHz技术参数特征:占地面积小内部电压偏置直流至 2 GHz选项可提供外墙插入式电源提供光纤耦合或自由空间选项探测器材质应用监控调Q激光器的输出监控锁模激光器的输出规格型号120-10011-0001 (ET-2030)120-10028-0001 (ET-2040)120-10133-0001 (ET-2060)120-10134-0001 (ET-2070)120-10034-0001 (ET-3000)120-10050-0001 (ET-3010)探测器材料SiliconSiliconSiliconSiliconInGaAsInGaAsRise Time/Fall Time上升/下降时间300 ps/300 ps30 ns/30 ns320 ps/320 ps3 ns/3 ns175 ps/175 ps175 ps/175 ps响应度0.47 A/W at 830 nm0.6 A/W at 830 nm0.47 A/W at 830 nm0.56 A/W at 830 nm0.9 A/W at 1300 nm0.9 A/W at 1300 nm电源9 VDC24 VDC9 VDC24 VDC6 VDC6 VDC带宽1.2 GHz25 MHz1.1 GHz118 MHz2 GHz2 GHzActive Area Diameter有效面积直径0.4 mm4.57 mm0.4 mm2.55 mm100 μm100 μmDark Current 暗电流0.1 nA10 nA0.1 nA10 nA2.0 nA3.0 nAAcceptance Angle(1/2 angle)接受角(1/2角)10?60?N/Aa50?20?N/AaNoise EquivalentPower噪声等效功率0.01 pW/√ Hz0.09 pW/√ Hz0.01 pW/√ Hz0.10 pW/√ Hz0.03 pW/√ Hz0.03 pW/√ HzMaximum LinearRating最大线性额定值CW current: 3 mA Pulse current: 3 mACW current: 2 mA Optical input: 3 mWCW current: 3 mA Optical input: 3 mACW current: 2.5 mA Pulse current: 15 mACW current: 5 mACW current: 5 mAMounting(Tapped Holes)安装(螺纹孔)8-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M48-32 or M4Output Connector输出连接器BNCBNCBNCBNCBNCBNC
  • 热释电红外探测器
    热释电红外探测器Micro-Hybrid热释电探测器是功能强大的热红外探测器,具有出色的长期稳定性。这些传感器检测燃烧材料(如木材,油或塑料)的典型光谱辐射。 NDIR气体分析代表了热释电传感器的另一个应用领域。 红外辐射会影响传感器的活动区域。 由于热释电效应,温度的有效变化在电极上产生电荷载流子。 与大多数竞争者的LiTaO3芯片不同,Micro-Hybrid的热释电探测器使用基于MEMS技术的敏感元件。 热释电元件由安装在通过DRIE背蚀工艺制造的改良Si基膜上的〜1μm厚的PZT薄膜组成。 前电极是光学透明的,允许红外辐射被有源区域吸收。 该区域具有从1 - 25μm的宽广吸收范围。优点:Ø基于MEMS的PZT膜Ø宽广的光谱灵敏度1 - 25μmØ高调制频率200HzØ低颤噪效应指的是膜质量轻Ø非常低的温度依赖性Ø低热漂移Ø不需要冷却应用:Ø红外火焰检测实时火灾和火焰检测 - 生命和健康安全应用针对健康和生命安全以及所有工业过程应用层面上的首要需求。 红外火焰探测器在所有工业建筑物,仓库等的火灾探测是不可或缺的安全要求。 对于安全的建筑防火,红外火焰探测器保证在危险情况下立即作出及时响应,防止火灾造成损害。优点:Ø室内火灾探测Ø即使在烟雾缭绕的房间和远距离也能快速而可靠的测量Ø检测不同的火焰特征,如热量,气体(CO2,CO)或闪烁频率红外火焰检测的应用领域红外火焰探测器的功能火焰引起烟雾,烟雾,蒸汽,热量和光辐射。 可检测产生的气体一氧化碳和二氧化碳以及火焰闪烁频率。Micro-Hybrid 热释电传感器具有长时间稳定性,可提供四种芯片尺寸和两种功能模式型号特征PS1x3C2高敏感度PS1x1C2广角大视野PS1x1C8广角大视野PS1x4V1电压模式ØNDIR气体测量Micro-Hybrid提供NDIR气体分析的完整产品系列。 即使是恶劣的环境也不会阻碍我们的客户升级自己的应用。优点:快速,可重复,长期稳定地测定各种红外活性气体的浓度高精度和高分辨率的限制在低漂移下的使用寿命长,无化学反应高温能力(190°C)测量稳定性高,即使在恶劣的环境下NDIR气体分析方案确保和监测过程稳定性的气体浓度的测量,在涉及气体的所有工业过程中是至关重要的。 气体浓度的准确和可再现的检测是应用的重要组成部分,特别是在医疗和环境技术中。 此外,NDIR(非分散红外)气体分析可以在私人或工业领域进行宽带或高度选择性的有害物质检测,例如监测和检测爆炸性气体和污染物。它是测量这种气体浓度的光学分析工具。 关于与红外活性气体的光学相互作用,NDIR分析是一个快速而有效的过程。NDIR气体测量的应用领域:根据不同的功能原理和我们的元件组合,我们会结合适合您的测量任务对应气体传感器解决方案。 您可以从我们的产品查找器中订购单个产品样品或直接联系我们的NDIR气体分析专家。气体传感器CO2 气体传感器甲烷气体传感器耐190°C高温耐190°C高温红外光源JSIR 350-4JSIR 350-5JSIR 450高频率高辐射强度超高频率的手持设备"超高的辐射强度热电堆探测器TS 80TS 200高温应用高灵敏度手持设备热释电探测器电流模式电压模式极高的灵敏度极高的频率电压模式低频率我们的热释电探测器有电流和电压模式(Pyropile® )。 电流模式探测器仅提供双极性电源(±2.2 ...±8 VDC)。控制模式电压模式电流模式电流模式感应面积1.15 x 1.150.8 x 0.80.7 x 0.325灵敏度 (V/W)950175,000125,000探测率2.09 x 10^82.2 x 10^81.7 x 10^8佳频率0.2 ... 32 … 55 取决于配置3 … 25通道数1 - 41 - 24通过不同的传感器帽来修改视野帽光圈FOV滤波片位置H2863,7mm104,6°外置H2171,5mm34,7°外置M0013,7mm76,2°内置M0011,5mm21,5°内置Pyropile - 电压模式下的热释电传感器这种高性能热释电探测器可提供多达4个通道。活性材料被分成九个较小的像素,串联连接。 因此,Pyropile® 检测器在低噪音水平下可以产生接近10倍的信号输出。 参考芯片薄膜的质量小,该探测器的特点是极低的颤噪效应,低热漂移和热噪声。 如果测量速度相当的测量任务需要更高的灵敏度,则Pyropile® 代替热电堆探测器。特征高信噪比检测灵敏度高达2.1 x 10 8 cm x Hz 1/2 / W灵敏度高达950 V / W输出:电压信号
  • Timepix 探测器
    这款单光子计数探测器是使用Medipix2技术和Timepix技术的单光子探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器,它能够实现零背景噪音成像,非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。这款单光子技术探测器,单光子探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN),仅仅2平方分米的尺寸,具有一流的读取电路,提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像,而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子,直接转换成可探测的电信号被进一步处理,这种技术不仅实现零噪音成像,而且实现超高亮度和锐度的图像。致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏,这种结构的探测器在分辨率,灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制,它提供256x256个像素阵列,单个像素可达55x55微米,可当个像素成像,具有如下工作模式:单光子计数模式:当个像素每秒记录高达100000光子数(100000cps).整个探测器的计数能力高达65亿cps,而且能量阈值可以设定。能量模式(TOT):每个像素测量单个光子能量,非常适合全谱X射线成像和辐射监测,不仅可以对辐射粒子的轨迹成像,还可以测量粒子能量,非常适合辐射监测,因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的,这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。到达时间模式(TOA)单个像素计算入射时间,非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积单光子探测器产品应用天文学,粒子物理,医学成像,光谱成像,粒子追踪,电子显微镜,无损检测,质谱学,X射线成像,X射线衍射,X射线荧光光谱
  • TYDEX Golay探测器
    Golay探测器Golay探测器Golay Cell是zui高效的检测设备之一。它在室温下具有出色的灵敏度,在很宽的波长范围内具有平坦的光学响应。Golay探测器由内部制造并单独校准,现货供应。交付包括探测器头和电源单元。滤光片的底座可以作为选件提供。各种太赫兹光学元件,如低通滤光片,聚乙烯偏振片以及来自HRFZ-Si和TPX的窗口,透镜和分束器,可作为THz应用的有用补充。为了将Golay单元的模拟信号转换成数字信号,我们可以提供硬件-软件复合体。它用于检测,处理和分析光声检测器信号。该综合体包括一个专门的软件和一个电子单元,通过USB接口连接Golay探测器和个人计算机。TYDEX生产3种Golay探测器:1.带HDPE窗口的Golay探测器GC-1P2.带TPX窗口的Golay探测器GC-1T3.带钻石窗口的Golay探测器GC-1D1.带HDPE窗口的Golay探测器GC-1P应用:监测和控制MIR和THz辐射。技术规格:入口锥体直径,mm:11.0入口直径,mm:6.0入口窗材料:High-Density Polyethylene (HDPE)zui佳工作波长范围,μm:15 ÷ 8000推荐的检测功率,W,zui高可达:1 x 10-5zui佳调制频率,Hz:15 ± 5噪声等效功率@ 20Hz:典型的,W / Hz1 / 2zui小值,W / Hz1 / 21.4 x 10-100.8 x 10-10光学响应度@ 20Hz:典型的,V / Wzui大,V / W1 x 1051.5 x 105反应速度:典型的,MSzui低,毫秒3025在入口锥孔处的探测率(D *):典型的,cm x Hz1 / 2 / Wzui大,厘米7.0 x 10911.0 x 109环境操作压力范围,毫米汞柱760 ÷ 10-3操作和存储温度范围,°C5 ÷ 40湿度,%45 ÷ 80振动avoid vibrations at 1÷ 100 Hz额定电压,VAC100/115 ± 10%,220/230 ± 10%线频率,Hz50 ÷ 60外形尺寸,长x宽x高,毫米3126 x 45 x 87重量,千克0.82.带TPX窗口的Golay Cell GC-1T由于聚乙烯窗口交换到TPX,GC-1T探测器具有更宽的工作波长范围,可扩展到可见光/紫外线。它们可以被认为是金刚石窗片模型的良好替代品,因为TPX在THz中的透射率高于金刚石,并且肯定比后者便宜。所以GC-1T型号只比GC-1P探测器稍贵。应用:监测和控制UV-NIR和THz辐射。技术规格:入口锥体直径,mm:11.0入口直径,mm:入口直径,mm:入口窗材料:Polymethylpentene (TPX)工作波长范围,μm:0.3 ÷ 6.5 & 13 ÷ 8000推荐的检测功率,W,zui高可达:1 x 10-5zui佳调制频率,Hz:15噪声等效功率@ 20Hz:典型的,W / Hz1 / 2zui小值,W / Hz1 / 21.4 x 10-100.8 x 10-10光学响应度@ 20Hz:典型的,V / Wzui大,V / W1 x 1051.5 x 105nse率:典型的,MSzui低,MS反应速度:典型的,MSzui低,毫秒在入口锥孔处的探测率(D *):典型的,cm x Hz1 / 2 / Wzui大,厘米7.0 x 10911.0 x 109环境操作压力范围,毫米汞柱760 ÷ 10-3操作和存储温度范围,°C5 ÷ 40湿度,%no special requirements振动avoid vibrations at 1 ÷ 100 Hz额定电压,VAC100/115 ± 10%,220/230 ± 10%线频率,Hz50 ÷ 60外形尺寸,长x宽x高,毫米3126 x 45 x 87重量,千克0.83.带金刚石窗口的Golay Cell GC-1D由于聚乙烯窗片替代金刚石窗片,GC-1D检测器具有更宽的工作波长范围,可扩展到可见光。当有人不仅需要太赫兹和可见光范围还需要MIR时,通常使用聚乙烯窗片。GC-1D型号比GC-1T型号探测器贵一点。应用:监测和控制VIS-THz辐射。技术规格:入口锥体直径,mm:11.0入口直径,mm:6.0入口窗材料:Diamond工作波长范围,μm:0.4 ÷ 8000推荐的检测功率,W,zui高可达:1 x 10-5zui佳调制频率,Hz:15 ± 5噪声等效功率@ 20Hz:典型的,W / Hz1 / 2zui小值,W / Hz1 / 21.4 x 10-100.8 x 10-10光学响应度@ 20Hz:典型的,V / Wzui大,V / W1 x 1051.5 x 105反应速度:典型的,MSzui低,毫秒3025在入口锥孔处的探测率(D *):典型的,cm x Hz1 / 2 / Wzui大,厘米7.0 x 10911.0 x 109环境操作压力范围,毫米汞柱760 ÷ 10-3操作和存储温度范围,°C5 ÷ 40湿度,%no special requirements振动avoid vibrations at 1 ÷ 100 Hz额定电压,VAC100/115 ± 10%,220/230 ± 10%线频率,Hz50 ÷ 60外形尺寸,长x宽x高,毫米3126 x 45 x 87重量,千克0.8
  • 激光甲烷探测器
    激光甲烷探测器是德国进口的高精度甲烷浓度探测仪器,它采用全球领先的调谐二极管激光吸收光谱技术(TDLAS),能够在60米远的距离高精度探测甲 烷浓度,瓦斯浓度和甲醇浓度,探测灵敏度高达1ppm,探测速度高达0.1秒。激光甲烷探测器特点可探测60米外的甲烷瓦斯甲醇浓度,超级安全,非常适合危险区域作业超级紧凑,超轻设计,装入口袋即可携带操作方便,手持式操作,如同使用大哥大超级易用,一键即可获得结果是最快最安全的高精度瓦斯浓度探测器激光甲烷探测器参数尺寸:70x179x42毫米重量:600克探测气体:甲烷,瓦斯,CH4技术原理:可调谐二极管激光吸收光谱技术TDLAS探测距离:高达60米测量范围:1-50000ppm.m测量精度:+/-10%@100ppm.m测量速度: 约0.1秒报警声响:72-76dB电池:可充电NIMH电池充电时间:4小时电池续航:充满后工作6小时工作环境温度:-17到50摄氏度工作环境湿度:30-90%RH
  • 铟镓砷(InGaAs)放大型光电探测器 800-1700nm (5MHz)
    PDAM20A6B4G-InGaAS光电探测器是一种额定带宽,固定增益的光电探测器,用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入,输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔,可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈,这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用,可以方便适配外部光学部件,如滤光片,衰减片,镜头,FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源,该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。光谱响应800-1700nm材质铟镓砷 InGaAs带宽(Hz)5 MHz通用参数产品特点:低噪声,小于±lmV过冲小,过冲电压小于2.5%增益稳定:增益误差小于1%暗偏置电压输出噪声:小于ImV (rms)应用领域:• 显示面板检测• LED照明频闪分析• 玩具灯闪烁频率及功率测量• 气体分析参数PN#PDA M 005B- SiPDA M 36A5B6G- SIPDA M 20A6B4G- InGaAs电器特性输入电压±9VDC, 60mA±9VDG 100mA±9VDC. 100mA探头Silicon PINSilicon PINInGaAs PIN感光面2.65mm * 2.65mm3.6mm * 3.6mmDiameters@2 mm波长400 nm - 1100 nm320 nm - 1100 nm800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可选扩展) 2600nm)峰值响应0.62A/W @850nm0.6 A/W @960nm0.9 A/W@1550nm43.6mV/uW @850nm1 mV/nW @960nm9mV/uW@1550nm饱和光功率113pW@ 850nm (Hi-Z)6uW @960nm (Hi-Z)660 uW@1550nm (Hi-Z)芾宽DC • -5MHzDC - 200kHzDC - 5MHzNEP7.2 pW/4HZ1/22.2 pW/HZ1/264.5 pW/HZ1/2输出噪声(RMS)700 uV1 mV ?typ1.3 mV .typ暗电流偏置(MAX)±5 mV±1 mV±5 mV上升沿/下降沿(10%—90%)65 ns1.7 us68ns输出电压Hi-Z0- SV (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)5000 • 2.5V (50ohm)0 • 25V (50ohm)0 • 25V (50ohm)增益倍数Hi-Z67.5 kV/A1.68 MV/A10 kV/A50Q33.8 kV/A0.84 MV/A5kV/A增益精度(typ)±1%±1%±1%其他参数拨动开关拨动开关拨动开关输出接口BNCBNCBNC尺寸53*50*50mm53*50*50mm53*50*50mm重量150g150g150g操作温度10-50deg10-50deg10-50deg存储温度?25°C - 70°C-25°C - 70°C-25°C - 70°C
  • 保偏分光探测器
    保偏分光探测器特征:高消光比低插入损耗高可靠性分光比可选(1%,2%,5%,10%等)小尺寸应用:EDFA产品的监控WDM通道监控光通讯网络监控光路保护监控仪器仪表及设备光路探测光电特性(T = 25℃):参数规格:参数:数值工作波长(nm)1550, 1064带宽(nm)±40点击率 (%)1%5%Tap Ratio (mA/W)840插入损耗(dB)≤0.35≤0.6消光比(dB)≥20回波损耗(dB)≥45光纤类型熊猫型工作温度 (℃)0 ~ +70储存温度(℃)-40 ~ +85功率负荷 (mW)300封装尺寸(mm)Ф5.5 × L26封装尺寸:订单信息:PMTPM波长耦合尾纤光纤类型长度连接器1064131015501%=1/995%=5/9510%=10/90S=Specify250=250um bare fiber900=900um loose tube5=PandaFiber0.8=0.8mS=Specify00=noneFC,SC,LC,MU, ST/UPC,APC
  • Medipix2探测器
    这款Medipix2探测器是使用Medipix2技术的混合像元探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器,它能够实现零背景噪音成像,非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。这款Medipix2探测器,混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN),仅仅2平方分米的尺寸,具有一流的读取电路,提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像,而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子,直接转换成可探测的电信号被进一步处理,这种技术不仅实现零噪音成像,而且实现超高亮度和锐度的图像。致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏,这种结构的探测器在分辨率,灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制,它提供256x256个像素阵列,单个像素可达55x55微米,可当个像素成像,具有如下工作模式:单光子计数模式:当个像素每秒记录高达100000光子数(100000cps).整个探测器的计数能力高达65亿cps,而且能量阈值可以设定。能量模式(TOT):每个像素测量单个光子能量,非常适合全谱X射线成像和辐射监测,不仅可以对辐射粒子的轨迹成像,还可以测量粒子能量,非常适合辐射监测,因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的,这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。到达时间模式(TOA)单个像素计算入射时间,非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积产品应用天文学,粒子物理,医学成像,光谱成像,粒子追踪,电子显微镜,无损检测,质谱学,X射线成像,X射线衍射,X射线荧光光谱
  • Timepix 探测器 pixel text
    这款Timepix探测器是使用Timepix技术的混合像元探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器,它能够实现零背景噪音成像,非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。这款Timepix探测器,混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN),仅仅2平方分米的尺寸,具有一流的读取电路,提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像,而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子,直接转换成可探测的电信号被进一步处理,这种技术不仅实现零噪音成像,而且实现超高亮度和锐度的图像。致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏,这种结构的探测器在分辨率,灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制,它提供256x256个像素阵列,单个像素可达55x55微米,可当个像素成像,具有如下工作模式:单光子计数模式:当个像素每秒记录高达100000光子数(100000cps).整个探测器的计数能力高达65亿cps,而且能量阈值可以设定。能量模式(TOT):每个像素测量单个光子能量,非常适合全谱X射线成像和辐射监测,不仅可以对辐射粒子的轨迹成像,还可以测量粒子能量,非常适合辐射监测,因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的,这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。到达时间模式(TOA)单个像素计算入射时间,非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积Timepix产品应用天文学,粒子物理,医学成像,光谱成像,粒子追踪,电子显微镜,无损检测,质谱学,X射线成像,X射线衍射,X射线荧光光谱
  • 2.0–12.0µm DC–100MHz碲镉汞可编程实验室红外检测模块(带光浸式光伏探测器)
    LabM-I-10.6是一款实验室红外检测模块。它是基于MCT异质结构的光浸没光伏探测器,集成了跨阻、可编程前置放大器。3 °楔形硒化锌增透涂层窗户防止不必要的干扰效果。为了正确的操作,可编程智能VIGO热电冷却器控制器PTCC-01(单独出售)和智能管理软件(免费软件)是必需的。LabM-I-10.6模块配有PTCC-01和Smart Manager,是各种MWIR应用中原理样机和研发阶段的优秀解决方案。该集合为系统设计人员的不同需求提供了灵活的方法。光谱响应2.0-12um带宽(Hz)100 MHz技术参数产品特点非常高的性能和可靠性对红外辐射偏振敏感与光学配件兼容多功能性和灵活性产品应用气体检测、监测和分析CO2激光(10.6µm)测量激光功率监控激光束轮廓和定位激光校准半导体制造血糖监测牙科Ta=20℃,默认模块设置参数典型值光学参数起始波长λcut-on(10%),μm≤2峰值波长λpeak(μm)9.5±0.5最佳波长λopt(μm)10.6截止波长λcut-off(10%),μm≥12探测效率 D*(λpeak), cmHz1/2/W≥7.2×108探测效率 D*(λopt), cmHz1/2/W≥6×108输出噪声密度Vn (10MHz), nV/Hz1/2≤400电学参数电压响应度 Rv(λpeak), V/W≥2.4×103电压响应度 Rv(λopt), V/W≥2×103低截止频率flo, HzDC高截止频率fhi, Hz≥100M(可调)输出阻抗Rout,Ω50输出电压范围Vout,V±1(RL = 50Ω*))输出偏置电压Voff, mVmax±20其它参数有源元件材料外延HgCdTe异质结构感光区域A,mm×mm1×1窗口楔形硒化锌AR涂层(wZnSeAR)接收角~36°环境工作温度Ta,℃10~30环境工作温度Ta,℃10~30信号输出端口SMA电源和TEC控制端口LEMO (female) ECG.0B.309.CLN安装孔M4备注:*) RL – 负载电阻探测器光谱响应特性曲线窗口镜的光谱传输特性曲线工作原理图封装及尺寸单位(mm)电源和TEC控制插座(LEMO (female) ECG.0B.309.CLN)功能标签引脚号风扇和可编程前置放大器内部逻辑辅助电源FAN+1热敏电阻输出(2)TH22TEC电源输入(-)TEC-3电源输入(-)–Vsup4接地GND5电源输入(+)+Vsup6TEC电源输入(+)TEC+7热敏电阻输出(1)TH18Biderictional数据销DATA91、附件:SMA-BNC, LEMO-DB9电缆2、专用配件:● PTCC-01-BAS TEC 控制器 + USB: TypeA-MicroB电缆+ AC 适配器● PTCC-01-ADV TEC 控制器 + USB: TypeA-MicroB电缆+ AC 适配器● PTCC-01-OEM TEC 控制器 + USB: TypeA-MicroB,KK2-POWER电缆● OTA光螺纹适配器● DRB-2底座安装系统3、用户可配置的参数:● 输出偏置电压● 增益(40分贝范围内)● 带宽(1.5 MHz/15 MHz/200 MHz)● 耦合AC/DC● 检测器参数(温度,反向偏置等)
  • 闪光探测器
    仪器简介: 人眼的光谱响应随着光强的变化而改变。人眼有两种特殊的光谱响应,根据进入人眼的光亮度对其进行定义。第一种光谱响应发生在通常白天照明环境下(photopic),即光强高于0.1Lux。第二种光谱响应发生在低光条件下(scotopic),即光强介于0.0001-0.001Lux之间。光强小于0.0001Lux的光强很难被人眼发觉。人眼从明视响应到暗视响应的偏移叫做PurkinjeShift。对用于固化工业的闪光灯而言,该探测器是理想的测试工具。 闪光灯的峰值强度远高于连续光源。PMA2135探测器捕获峰值强度并每五秒钟在PMA2100上显示。除了峰值强度,PMA2135积分并保存一个单脉冲剂量。辐射峰值强度以mW/cm2或W/cm2显示。全刻度由客户在订货时指定。剂量全刻度为mJ/cm2或J/cm2。光电探测器有0.474平方英寸的有效面积。聚四氟乙烯半球明视探测器具有极好的余弦响应,这就可以实现对点或长光源的精确测量。技术参数:光谱响应遵循CIE 明视光谱发光效率曲线(400-700nm) Figure 1 (适光效率和探测器响应)角响应5% for angles 范围由用户指定 - W/cm2 or mW/cm2 J/cm2 or mJ/cm2显示分辨率Range/104 mW/cm2 or W/cm2 Range/104 mJ/cm2 or J/cm2操作环境15 to 140 °F (-10 to +60 °C) no precipitation电缆3ft.直径1.6" (40.6 mm)高度1.8" (45.8 mm)重量10 oz. (284 grams)主要特点:捕获峰值辐照度以及有效能量辐射单位显示卓越的长期稳定性余弦修正NIST 可溯源校准
  • Golay Cell THZ太赫兹高莱盒探测器 (带金刚石窗片 GC-1D 0.4~8000 μm )
    Golay Cell是最有效的THZ探测器。在室温下,Golay Cell 高莱探测器在非常宽的带宽下都有优良的灵敏度和平坦的光谱响应。由于聚乙烯窗口镜换成了钻石材料,GC-1D探测器的工作波长范围更宽,可达到可见光波段。如果除了可见光和THZ波段,也要求MIR波段的时候,就需要采用这种窗口镜。当然,GC-1D型号的探测器的价格会比GC-1T略贵。 各种HRFZ-Si和TPX材料做成的THZ光学元件如低通滤波片,聚乙烯偏振片,窗口镜,透镜以及分光片可以满足不同的THZ应用。 我们也提供软硬件组件来把Golay Cell产生的模拟信号转变成数字信号。该组件包含一个特殊的软件和一个电路单元,并可通过USB线和个人电脑相连。可用于检测,处理和分析光声信号。技术参数产品应用:■监测和控制中红外和THZ波.a) 入射锥和入射窗 b) 连接GC-PS/ 1的插座 1) 连接高莱盒 Golay Cell的插座 2)连接Golay Cell信号输出的插座 3)连接电源线插座 4)保险丝 5)开启/关闭开关 6)电压选择开关230/115VGolay cell原理介绍:调制后的入射光束通过入射锥1和入射窗2,达到半透明膜3室中间。膜吸收的能量加热腔室中的气体,气体扩张压力引起相应的调制振荡频率。振荡频率通过4到达作为镜像膜5(腔室的壁),同时作为光学麦克风的反射镜。 发光二极管9,作为光学麦克风,发射投影的图像。经过镜像膜冷凝器6和光纤光栅7的上半部分,其光栅的位于透镜8的聚焦平面上。经过镜像膜5反射,反射光重新通过光纤光栅7的下半部分,然后经过反射镜10和振动板11,最后重新聚焦到光电二极管12上。这是由于气体压力变化引起膜振动,从而由9发射的光周期性地通过光栅的下半部分,最终聚焦到光电二极管。前置放大器由一个运算放大器和一个双FET构成,其作用是振荡光电流转换成交流电信号,光电二极管的负载电阻器被连接到放大器的负反馈电路。通过一条连接电缆被提供到一个外部的记录和/或显示装置的输入信号的电压。Golay Cell使用方法简介:由于高莱盒太赫兹探测器(Golay Cell)是设计用来处理正弦调制信号,所以需要光学斩波器调制入射光的信号。光学斩波器需要提前准备好并打开(请查看光学斩波器操作说明)。其中经典单束实验过程如下:光源发出单束光,经过光学斩波器叶片调制,调制光束达到高莱盒太赫兹探测器(Golay Cell)的入射锥后,通过入射窗口中,然后被检测到。根据实验任务,在实验过程中调制频率可以是恒定或者变化的。在后者情况下,将斩波器与记录显示设备连接后,可以记录探测器调制频率实时响应信号。详细参数:入口直径, mm:11.0输入口窗口直径, mm:6.0输入口窗口镜材料:Diamond 金刚石工作波长范围, μm:0.4 ~ 8000最高探测功率, W, up:1 x 10-5最佳调制频率, Hz:15 ± 5噪声等价功率 @ 20Hz:典型值, W/Hz1/2最小值, W/Hz1/21.4 x 10-100.8 x 10-10光响应 @ 20Hz:典型值, V/W最小值, V/W1 x 1051.5 x 105响应速度:典型值, ms最小值, ms3025入口探测灵敏度 (D*):典型值, cm x Hz1/2/W最大值, cm7.0 x 10911.0 x 109供电电压 VAC100/115 ± 10%,220/230 ± 10%线性频率, Hz50 ~ 60外形尺寸, L x W x H, mm3126 x 45 x 87重量 kg0.8规格型号: 参数 型号Golay Cell(GC-1P)Golay Cell(GC-1T)Golay Cell(GC-1D)入口窗片材料高密度聚乙烯 (HDPE)聚 4-甲基戊烯 (TPX)金刚石工作波长15~8000 μm0.3~6.5 μm & 13~8000μm0.4~8000 μm入射锥直径11.0 mm入射窗直径6.0 mm额定探测功率10uW,更大功率需要使用衰减器调制频率15 ± 5Hz光学响应典型值:1×105 V/W响应速度典型值:30ms等效噪声功率典型值NEP=1.4×10 -10W/Hz 1/2操作温度5-40℃尺寸L×W×H=126×45×87mm3应用中红外和THz紫外-近红外和THz可见光到THz
  • 砷化铟 InAs光伏探测器 3.35μm
    InAs砷化铟光伏电探测器与硫PbS光电导探测器一样,在3μm左右的红外区域具有高灵敏度,而且噪声低、速度高、可靠性高。该系列是一个新的InAs光伏探测器系列,它比我们的传统产品提供更低的噪音。筱晓光子提供有各种类型可选择,包括非冷却型、热电冷却型和提供高性能的液氮冷却型。光谱响应3.35um材质砷化铟 InAs通用参数产品特点:低噪声高探测灵敏度高可靠性可采用多元素阵列(客户定制产品)产品应用: 气体分析 激光探测红外分光光度测量辐射温度计 可选配件(单独出售) 温度控制器C1103-04带有前置放大器的红外线探测器模块C12492-210用于InAs光伏探测器的滤波放大器(P10090系列:C4159-06,P7163:C4159-05)技术参数光电特性 P10090-01参数数值峰值波长λp3.35μm截止波长λc3.65μm光灵敏度S λ=λp1.0A/W并联电阻典型值:70Ω;最小值:40Ω峰值探测率D*(λp, 600, 1)典型值:4.5 × 109(cmHz1/2/W)最小值:3.0 × 109(cmHz1/2/W)NEP λ=λp1.5 × 10-11(W/Hz1/2)上升时间Tr (μs)VR=0VRL=50Ω0 to63%0.7 其它型号电气和光学特性(除非另有说明,否则为典型值) Type no.MeasurementconditionPeak sensitivity wavelength λp (μm) Cutoff wavelength λc (μm)Photo sensitivity Sλ=λp (A/W) Shunt resistance Rsh D*(λp, 600, 1) NEPλ=λp (W/Hz1/2)Rise time trVR=0 V RL=50 Ω0 to 63% (μs)Element temperature Td (°C)Min.(Ω)Typ.(Ω)Min.(cm Hz1/2/W)Typ.(cm Hz1/2/W)P10090-01253.353.651.040703.0 × 1094.5 × 1091.5 × 10-110.70P10090-11-103.303.551.22504001.0 × 10101.6 × 10105.3 × 10-120.45P10090-21-303.253.45100013002.0 × 10103.2 × 10102.8 × 10-120.30P7163-1963.003.11.31 × 1051 × 1063.5 × 1011 *36.0 × 1011 *31.5 × 10-130.10*3: D* (λp, 1200, 1)结构/绝对最大值 P10090-01参数数值结构窗体材料蓝宝石玻璃封装TO-5制冷无绝对最大值反向电压VR(V)0.5工作温度-40至+60℃存储温度-40至+80℃输入最大光功率0.6W 结构/绝对最大值更多系列 Type No.Dimensional outline/ Window material *1 Package Cooling Nitrogen hold time (h) Photosensitive area (mm)Absolute maximum ratingsThermoelectric cooler allowable current(A)Thermistor power dissipation(mW)Reverse voltage VR(V)Operating temperature Topr(°C)Storage temperature Tstg(°C)Maximum incident light level(W)P10090-01①/STO-5Non-cooled - ?1-- 0.5 -40 to +60 -40 to +80 0.6P10090-11 ②/S TO-8One-stageTE-cooled1.5 0.2P10090-21Two-stageTE-cooled1.0P7163③/SMetal dewerLN212 *2?1---55 to +60注:即使是暂时超过绝对最大额定值,也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值范围内使用产品。*1: S=蓝宝石玻璃*2: 装运时(At the time of shipment)
  • 铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm
    用参数产品特点:蝶形封装高带宽 DC~400MHz高增益 60KV/A;低噪声应用领域: 分布式光纤传感 ,包含ψ-OTDR,C-OTDR,DAS等激光测风雷达光学相干层析其他应用参数表型号XBD-200M-60K-A参数范围单位波长1100~1700nm带宽200MHz探测器响应度0.95@1550nmAw探测器类型lnGaAs跨阻增益*160Kv/A饱和输入光功率60uwNEP5pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50共模抑制比25dB输出耦合方式*2AC/DC供电电压5v供电电流0.2(max)A外形尺寸蝶形封装光学输入FC/APC射频输出MCX*1:表中给出的是常规放大倍数,其它放大倍数可以根据客户需求进行定制;*2:耦合方式可以根据客户需求来确定;
  • 硅漂移探测器
    这款硅漂移探测器(SDD,Silicon Drift Detector)专业为XRF光谱仪和SEM扫描电镜EDS能谱仪探测器应用而设计,提供窗口材料的选择,从铍(8μm)到薄型聚合物(用于轻型X射线透射),并提供10mm2至60mm2的传感器有源区域。 此外,所有或我们的SEM SDD版本都是无振动的。硅漂移探测器在与创新的基于以太网的数字脉冲处理器相结合时得到优化。 具体配置给每个客户,SDD硅漂移探测器在广泛的输入计数率下提供卓越和稳定的性能,以产生快速X射线图。硅漂移探测器规格SDD探测器典型特征传感器区域窗口选项分辨率eV(Mn K / C)10mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤123-13330mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤126-13360mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤126-133100mm2光元件(AP3.3)或8μmBe≤128-133
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