沾污仪

p style="text-indent: 2em text-align: justify "半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。硅片是从硅棒上切割下来的晶片表明的多层晶格处于被破坏的状态，布满了不饱和的悬挂键，悬挂键的活性非常高，十分容易吸附外界的杂质粒子，导致硅片表面被污染且性能变差。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质会导致各种缺陷。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "随着大规模集成电路的发展，集成度不断提高，线宽不断减小，抛光片表面的颗粒和金属杂质沾污对器件的质量和成品率影响越来越严重。对于线宽为span0.35/spanμspanm/span的span64/span兆spanDRAM/span器件，影响电路的临界颗粒尺寸为span0.06/spanμspanm/span，抛光片的表明金属杂质沾污全部小于span5/span× span10sup16/supat/cmsup2/sup/span，抛光片表面大于span0.2/spanμspanm/span的颗粒数应小于span20/span个span//span片。因此对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的质量要求越来越严，对硅片沾污的检测便显得尤为关键。/pp style="text-indent: 2em text-align: justify "以下为硅片沾污检测技术与仪器概览：/ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none" align="center"tbodytr class="firstRow"td width="56" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p沾污种类/p/tdtd width="113" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p杂质成分/p/tdtd width="156" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p沾污危害/p/tdtd width="118" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p检测技术或仪器/p/tdtd width="110" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p主要厂商/p/td/trtrtd width="56" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p颗粒沾污/p/tdtd width="113" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p聚合物、光致抗蚀剂等/p/tdtd width="156" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p图形缺陷、离子注入不良、spanMOS/span晶体管特性不稳定/p/tdtd width="118" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p硅片颗粒检测设备/p/tdtd width="110" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspanKLA/span等/p/td/trtrtd width="56" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p有机沾污/p/tdtd width="113" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、蜡、光刻胶等/p/tdtd width="156" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p栅极氧化膜耐压不良、spanCVD/span膜厚产生偏差热、氧化膜产生偏差/p/tdtd width="118" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"p热解吸质谱，a href="https://www.instrument.com.cn/zc/70.html" target="_self"spanX/span射线光电子能谱/a，a href="https://www.instrument.com.cn/zc/519.html" target="_self"俄歇电子能谱/a/p/tdtd width="110" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p岛津、span style="color:#444444"ThermoFisher/spanspan style="color:#444444"、恒久等/span/p/td/trtrtd width="56" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p金属沾污/p/tdtd width="113" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p电化学沉积、氢氧化物析出物、膜夹杂物/p/tdtd width="156" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p栅极氧化膜耐压劣化、spanPN/span结逆方向漏电流增大、绝缘膜耐压不良、少数载流子寿命缩短/p/tdtd width="118" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " align="center"pa href="https://www.instrument.com.cn/zc/293.html" target="_self"电感耦合等离子体质谱仪/a/p/tdtd width="110" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p安捷伦、赛默飞等/p/td/tr/tbody/tablep style="text-indent: 2em text-align: justify "span style="text-indent: 28px "国家也出台了多个相关国家标准。/spanbr//ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none"tbodytr class="firstRow"td width="184" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p标准号/p/tdtd width="369" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p标准名称/p/td/trtrtd width="184" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspanGB/T 24578-2015/span/p/tdtd width="369" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p《硅片表面金属沾污的全反射spanX/span光荧光光谱测试方法》/p/td/trtrtd width="184" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspanGB/T 24580-2009/span/p/tdtd width="369" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p《重掺spann/span型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》/p/td/trtrtd width="184" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"pspanGB/T 30701-2014/span/p/tdtd width="369" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " align="center"p《表面化学分析 硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射spanX/span射线荧光光谱法span(TXRF)/span测定》/p/td/tr/tbody/tablepspan /span/ppbr//p

9月6日，准东煤燃烧与沾污特性实验室揭幕仪式在昌吉举行，该实验室成为新疆首家专业研究煤的燃烧与沾污特性实验室。　　该实验室由特变电工下属的新疆天池能源有限责任公司与上海发电设备成套设计研究院共同建设。实验室燃烧平台建于新疆天池能源有限责任公司位于五彩湾的南露天矿区，该实验室将力争三年内成为国家重点实验室,共同深入探讨煤的燃烧与沾污特性，研发推广100%燃烧准东煤技术。　　该实验室建立填补了新疆作为煤炭大省无煤炭燃烧实验室的空白，实验室的建立将更好地服务与准东煤炭资源转换，为今后电厂安全、经济、高效、长期的燃烧准东煤奠定了良好的技术基础。　　目前准东煤燃烧课题已被自治区人民政府列为2012年自治区重点技术创新支持项目，国家科技部已将研制“1000MW等级超超临界准东煤锅炉研制课题”列为十二五期间863科技攻关项目内容，天池能源公司作为课题参与单位已完成课题入库工作。

随着实验室仪器设备升级，高效液相色谱(hplc)和超高效液相色谱(uhplc)、液相色谱质谱连用(lc-ms)、离子色谱(ic)、电感耦合等离子体发射光谱(icp-aes)以及电感耦合等离子质谱(icp-ms)等精密分析仪器已广泛应用于各行业分析检测实验室中。　　 在国家相关政策与资金的大力支持下，分析检测与检验行业得到了快速的发展。一大批先进的精密分析仪器迅速装配到各行业各级分析实验室中，逐渐成为分析检测领域的主力军。　　然而只依赖精密仪器并不能解决问题，还需完善与仪器相配套的标准方法、试剂、技术人员和操作规范等重要因素，才能真正提高各类实验室的分析检测技术能力。　　因此，全面完善方法和试剂的标准是一项非常重要的工作。　　先进分析仪器的应用对实验用高纯水的质量提出了更高的要求，针对精密分析仪器实验用水的规定和技术指标尚无标准可依。　　水作为实验室中最常用的工具，往往容易被忽视其重要性。　　蒸馏水、去离子水等在几十年前已普遍适用于各类实验室，如今仪器分析用一级水、二级水和三级水已成为实验室常见的分级用水方式。然而由于人们过于频繁的使用水，往往容易忽视其重要性。　　关注度不足以及实验用水意识的淡薄，导致在国内出现非常奇特的现象：许多实验室使用瓶装饮用水(如娃哈哈，屈臣氏和乐百氏等饮用水)作为实验用水，应用于高效液相色谱和质谱等仪器分析实验中。　　瓶装饮用水并不是化学试剂，无可靠性和溯源性，使用此类水将存在潜在的严重影响和极大的风险。产生此类状况的一个重要原因是实验用水标准的滞后和匮乏。　　现有标准已不能满足先进仪器分析实验的需求以及现代实验室质量控制和管理的趋势，需要新制定符合实际情况，与国外先进标准相符的仪器分析用高纯水标准。　　因此新版纯水标准gb/t 33087-2016《仪器分析用高纯水规格及试验方法》在2017年5月正式发布。　　本标准项目立足于国内实验室发展的实际情况和趋势，深入分析和参考国内外先进标准规范，制订满足精密仪器分析用高纯水标准。　　本标准所指高纯水主要是在仪器分析过程中所用的空白水。　　为发展迅速的实验室分析技术提供可靠有效的用水标准依据。　　为实验室高纯水质量控制与管理提供技术支持和指导。　　而目前2008年发布的实验室用水国家标准gb/t6682，是国内目前应用最为广泛的标准，该标准修改采用iso3696《分析实验室用水规格和试验方法》。新版纯水标准gb/t 6682-2008《分析实验室用水规格和试验方法》gb/t 33087-2016《仪器分析用高纯水规格及试验方法》则是gb/t6682《分析实验室用水规格和试验方法》的延续和发展。　　1.两个标准对于水的定义不同 2.对于水的污染物参数要求不同 3.取样与储存要求不同　　容器要求　　gb/t 6682-2008　　各级用水均使用密闭的、专用聚乙烯容器。三级水也可使用密闭、专用的玻璃容器。　　新容器在使用前需要用盐酸溶液(质量分数为20%)浸泡2d~3d，再用待测水反复冲洗，并注满待测水浸泡6h以上。　　gb/t 33087-2016　　用于测定钠离子、氯离子及硅时，器具材质应为含氟塑料或低溶出的聚乙烯塑料。用于总有机碳测定时，应使用带有磨口塞得低溶出玻璃器具，用于细菌总数测定时应使用预先灭菌处理的具塞玻璃器具。　　取样　　gb/t6682-2008　　至少应取3l代表性水样。取样前用待测水反复清洗容器，取样时要避免沾污。水样应注满容器。　　gb/t 33087-2016　　取样环境应符合gb/t30301-2013中第7章的规定。(测定洁净室和洁净台的悬浮粒子数，0.5μm粒径的粒子数宜在3.5×105个/m3以下。)　　取样应使用干净、密闭、专用的器具，取样前应运行水系统10min-30min，并用水样反复清洗器具，水样应注满容器，取样完成后应及时密闭容器并放入洁净的塑料密封袋保存　　储存　　gb/t 6682-2008　　各级用水在贮存期间，其沾污的主要来源是容器可溶成分的溶解、空气中二氧化碳和其他杂质。因此，一级水可不贮存，使用前制备。二级水、三级水可适量制备，分别贮存在预先经同级水清洗过的相应容器中。　　各级用水在运输过程中应避免沾污。　　gb/t 33087-2016　　制取样品后，应尽量缩短存放时间。如需储存，应冷藏避光，使用前平衡至室温。　　4.检验方法不同