手持二次回路电阻测试仪

成果名称磁电阻特性测试仪(EL MR系列)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介：本仪器专门为材料磁电阻特性测试而设计的，采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，极大地方便了用户的使用。MR-150型采用电磁铁产生强磁场，高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中各类样品的磁电阻特性测试。MR-4型采用亥姆霍兹线圈产生磁场，无剩磁。采用高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中AMR、GMR、TMR各类样品的磁电阻特性测试。MR-2型采用集成化主机和多通道USB接口数据采集卡采集数据，稳定性好适合科研教学中性能较好的磁电阻样品测试。MR-1型采用手动调节磁场和人工读数，适合与大中专院校本科生研究生的专业实验中使用。主要技术参数:一、系统控制主机：内含可1路可调恒流源（0.3mA~50mA）、2路4 1/2数字电压表和1块USB接口24bit数据采集卡；功耗50W。二、自动扫描电源：0~± 5A，扫描周期8~80s。三、亥姆霍兹线圈：0~± 160Gs。四、测量专用检波与放大电路技术参数：输入信号动态范围为± 30 dB；输出电平灵敏度为30mV / dB；,输出电流为8mA；转换速率为25 V /&mu s；相位测量范围为0~180° ；相位输出时转换速率为30MHz；响应时间为40 ns～500 ns；测量夹头间隔10mm。五、计算机为PC兼容机，Windows XP或Windows 7操作系统。 六、数据采集软件在Windows XP和Windows 7操作系统均兼容。应用前景：本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。目前该仪器已经应用在北京科技大学材料学院及哈尔滨工业大学深圳研究生院的研究生实验教学及课题组科研测量中，取得良好的成效。知识产权及项目获奖情况：本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

成果名称材料变温电阻特性测试仪(EL RT-800)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介：本仪器专门为材料电阻特性变温测试而设计，采用专用高精度电阻和温度测量仪以及四端测量法减小接触电阻对测量的影响从而提高测量精度，样品采用氮气保护可连续测量-100℃~500 ℃条件下样品电阻随温度的变化。采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，能极大方便用户的使用。主要技术参数:一、信号源模式：大电流模式；小电流模式；脉冲电流模式。二、电阻测量范围: 1&mu &Omega ~3M&Omega 。三、电阻测量精度: ± 0.1％FS。四、变温范围：液氮温度~900 ℃。五、温度测量精度：热电阻0.1%± 0.1℃；热电偶0.5%± 0.5℃。 六、供电电源：220 VAC。七、额定功率：500W。八、数据采集软件在Windows XP、Windows 7操作系统均兼容。应用前景：本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。知识产权及项目获奖情况：本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前都要注意什么？绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前请仔细阅读以下内容，否则将造成仪器损坏或电击情况。1. ◇检查仪器后面板电压量程是否置于10V档，电流电阻量程是否置于104档。2. ◇接通电源调零，（注意此时主机不得与屏蔽箱线路连接）在“Rx”两端开路的情况下，调零使电流表的显示为0000。然后关机。3. ◇应在“Rx”两端开路时调零，一般一次调零后在测试过程中不需再调零。 4. ◇测体积电阻时测试按钮拨到Rv边，测表面电阻时测试按钮拨到Rs边，5. ◇将待测试样平铺在不保护电极正中央，然后用保护电极压住样品，再插入被保护电极（不保护电极、保护电极、被保护电极应同轴且确认电极之间无短路）。6. ◇电流电阻量程按钮从低档位逐渐拨，每拨一次停留1-2秒观察显示数字，当被测电阻大于仪器测量量程时，电阻表显示“1”，此时应继续将仪器拨到量程更高的位置。测量仪器有显示值时应停下，在1min的电化时间后测量电阻，当前的数字乘以档次即是被测电阻。7. ◇测试完毕先将量程拨至（104）档，然后将测量电压拨至10V档， 后将测试按钮拨到中央位置后关闭电源。然后进行下一次测试。8. ◇接好测试线，将测试线将主机与屏蔽箱连接好。量程置于104档，打开主机后面板电源开关按钮。从仪器后面板调电压按钮到所要求的测量电压。(比如：GBT 1692-2008 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定 标准中注明要求在500V电压进行测定，那么电压就要升到500V)9. ◇禁止将“RX”两端短路，以免微电流放大器受大电流冲击。10. ◇不得在测试过程中不要随意改动测量电压。11. ◇测量时从低次档逐渐拨往高次档。12. ◇接通电源后，手指不能触及高压线的金属部分。13. ◇严禁在试测过程随意改变电压量程及在通电过程中打开主机。14. ◇在测量高阻时，应采用屏蔽盒将被测物体屏蔽。15. ◇不得测试过程中不能触摸微电流测试端。16. ◇严禁电流电阻量程未在104档及电压在10V档，更换试样。技术指标1、电阻测量范围 0.01×104Ω～1×1018Ω2、电流测量范围为 2×10-4A～1×10-16A3、仪器尺寸 285ｍｍ× 245ｍｍ× 120 mm4、内置测试电压 100V、250V、500V、1000V5、基本准确度 1% (*注)6、内置测试电压 100V、250、500、1000V7、质量 约2.5KG8、供电形式 AC 220V，50HZ，功耗约5W9、双表头显示 3.1/2位LED显示安全注意事项1. 使用前务必详阅此说明书，并遵照指示步骤，依次操作。2. 请勿使用非原厂提供之附件，以免发生危险。3. 进行测试时，本仪器测量端高压输出端上有直流高压输出，严禁人体接触 ，以免触电。4. 为避免测试棒本身绝缘泄漏造成误差，接仪器测量端输入的测试棒应尽可 能悬空，不与外界物体相碰。5. 当被测物绝缘电阻值高，且测量出现指针不稳现象时，可将仪器测量线屏 蔽端夹子接 上。 例如： 对电 缆测缆 芯与 缆壳的 绝缘 时，除 将被 测物两 端分 别接于 输入 端与高压 端， 再将电 缆壳 ，芯之 间的 内层绝 缘物 接仪器 “G”，以消 除因 表面漏 电而 引起的测 量误 差。也 可用 加屏蔽 盒的 方法， 即将 被测物 置于 金属屏 蔽盒 内，接 上测 量线。

绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?1 为什么在测量同一物体时用不同的电阻量程有不同的读数？ 这是因为测量电阻时为防止过电压损坏仪器，如果出现过量程时仪器内保护电路开始工作，将测试电压降下来以保护机内放大器。在不同的电压下测量同一物体会有不同的结果。而且当测量电阻时若读数小于199，既只为三位数且di一位数为1 时，其准确度要下降。所以在测量电阻时当di一次读数从1 变为某一读数时，不应再往更高的量程扭开关以防对仪器造成过大的电流冲击。在实际使用时，即读数位数多的比读数位数少的准确度高。2为什么测量完毕时一定要将量程开关再拨到104档后才能关电源？ 这是因为在测量时被测物体及仪器输入端都有一定的电容，这个电容在测量时已被充电到测量电时的电压值，如果仪器不拨到104挡后关电源这个充电后的电容器会对仪器内的放大器放电而造成仪器损坏。当被测量物体电容越大，测试电压越高时，电容器所储藏的电能越大，更容易损坏仪器，特别是在电阻的高量程或电流的低量程时因仪器非常灵敏，仪器过载而损坏的可能性更大。所以一定要将量程开关再拨到104挡后才能关电源。3为什么测量时仪器的读数总是不稳？ 一般的材料其导电性不是严格像标准电阻样在一定的电压下有很稳定的电流，有很多材料特别是防静电材料其导电性不符合欧姆定律，所以在测量时其读数不稳。 这不是仪器的问题，而是被测量物体的性能决定的。有的标准规定以测量1分钟时间的读数为准。通常在测量高电阻或微电流时测量准确度因重复性不好，对测量读数只要求2位或3位。另外在测量大电阻时如果屏蔽不好也会因外界的电磁信号对仪器测量结果造成读数不稳。4为什么测量一些物体的电流时用不同的量程也会出现测出结果相差较大？ 这是因为一般物体输出的电流不是恒定流，而仪器有一定内阻，若在仪器上所选量程的内阻过大以至于在仪器上的电压降影响被测物体的输出电流时会造成测量误差。一般电流越小的量程内阻越高，所以在测量电流时应选用电流大的量程。在实际使用时即只要电流表有读数时，读数位数少的小的比读数位数多的准确度高。 5 为什么测量完毕要将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源？ 这是因为机内的电容器充有很高的电压（zui高电压达1200V以上），这些电容器的所带的电能保持较长的时间，如果将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源，则会将机内的高压电容器很快放电，不会在测量的高压端留有很危险的电压造成电击。如果仅拨电源线而不是将电压调至10V档，虽然断了电源，但机内高压电容器还有会因长时间保持很高的电压，将会对人员或其它物体造成电击或损坏。在仪器有问题时也不要随便打开机箱因机内高压造成电击，要将仪器找专业技术人员或寄回厂家修理。6为什么在测量电阻过程中不要改变对被测物的测试电压？ 在测量电阻过程中如果改变对被测物的测试电压，无论电压变高或变低时都将会产生大脉冲电流，这个大的电流很有可能使仪器过量程甚至更损坏仪器。另一方面如果电压突然变化也会通过被测量物体的（分布）电容放电或反向放电对测量仪器造成冲击而损坏仪器。有的物体的耐压较低，当您改变测量电压时有右能击穿而产生大电流损坏仪器。如果要改变测量电压，在确保被测量物体不会因电压过高击穿时，要先将量程开关拨到104档后关闭电源，再从仪器后面板调整到所要求的电压。有的材料是非线性的，即电压与电流是不符合欧姆定律，有改变电压时由于电流不是线性变化，所以测量的电阻也会变化。

2008年12月19日，中国分析测试协会(以下简称“协会”)第六届二次理事会在北京铁道大厦隆重召开，来自全国各地近70位理事参加了本次会议。中国分析测试协会第六届二次理事会会议现场　　协会秘书长张渝英女士主持了上午时段的会议，并首先向各位理事通报了会议整体情况及会议日程。协会秘书长张渝英女士主持会议 协会理事长张泽院士作工作报告　　协会理事长张泽院士代表协会第六届理事会作了工作报告，报告内容分为两个主要部分：2008年工作总结、2009年工作思路与重点。张理事长在报告中谈到：2008年，是我国很不平凡的一年，在为国家重大需求做贡献方面，协会做了大量功不可没的工作——“5.12汶川大地震”发生后，协会及时成立抗震救灾专项行动工作组，为灾区提供技术措施及仪器设备应急服务、组织制定了生物多胺检测国家标准、奔赴灾区第一线提供技术支撑、组织动员各会员单位捐款捐物；积极为奥运做技术支持，相关会员单位承担了《奥运食品中违禁药物检测急需标准物质的研制》工作、承接奥运场馆质量监控监督任务、培训兴奋剂检测人员等；在确保民生食品安全方面也做了诸多工作，如应对“三鹿奶粉事件”，组织有关单位紧急攻关，制定出三聚氰胺快速检测方法并成为国标。　　2008年，协会在科技部的领导下，在加强自身建设方面做了以下几方面的工作：　　将协会办事机构由原先的五个调整为七个，增加了学术交流部及技术与标准部；　　成立了“全国仪器分析测试标准化技术委员会”(以下简称“标准化技术委员会”)，标准化技术委员会由国家标准化管理委员会(以下简称“国家标准委”)批准筹建，设有仪器、试剂、分析方法和数据规范四个工作组，协会副理事长张玉奎院士任主任委员，主要工作内容为：仪器分析测试及其控制、科研用试剂、检测与分析方法、实验室信息管理与数据系统等方面的标准化工作；　　成立了“全国分析检测人员能力培训委员会”(以下简称“培训委员会”)，由科技部条财司和国家认监委领导，设两个办公室：第一办公室设在中国分析测试协会，负责理化性能分析检测培训的组织，第二办公室设在国家认监委认证认可技术研究所，负责产品专用性能的检测培训的组织工作；　　为加强分析测试学术交流，促进分析测试科学技术向纵深发展，规范活动形式，制订了“中国分析测试协会分支机构管理暂行办法”。　　展望2009年，协会将重点进行如下工作：办好“BCEIA2009(第十三届北京分析测试学术报告会及展览会)”；开展分析方法和标准的整理、比对和推荐工作；加速建立分析检测人员培训管理办法；深入开展咨询和中介服务工作；完善协会运行机制；充分发挥理事会、会员单位作用，做好各项工作。　　协会副理事长王顺昌先生简要介绍了“分支机构管理暂行办法”，该办法在本次会议中被审议通过。协会副理事长王顺昌先生介绍“分支机构管理暂行办法”　　协会组织部姜国栋先生介绍了“2008年中国分析测试协会优秀青年工作者”的产生过程及入会单位的筛选条件。协会组织部姜国栋先生作工作说明　　协会咨询部张经华先生作完“2008CAIA奖（中国分析测试协会科学技术奖）”评选说明后，协会副理事长丁辉先生宣读了获奖名单，中国科学院上海应用物理研究所、南京大学、北京师范大学化学学院等24家获奖单位代表上台领奖。协会咨询部张经华先生作“2008CAIA奖”评选说明协会副理事长丁辉先生宣读“2008CAIA奖”获奖名单“2008CAIA奖”三等奖获奖代表与协会领导合影“2008CAIA奖”二等奖获奖代表与协会领导合影“2008CAIA奖”一等奖获奖代表与协会领导合影　　会议的讨论环节，各理事踊跃发言，纷纷为协会的工作建言献策。众多理事对标准化技术委员会、培训委员会的具体工作内容及“CAIA奖”的评选标准、评选办法尤为关注，并特别提到希望协会能够及时将会员单位的工作进展和成果反映给有关政府部门。理事长张泽院士对各理事的意见建议表示欢迎，并提到今后“CAIA奖”评奖过程将更加公开透明，争取让更多分析测试相关单位参与进来，并充分考虑分析测试技术本身的进展，同时声明将改善协会办事机构与各理事单位的联系沟通渠道。　　下午的会议由理事长张泽院士主持，会议先行通过理事名单调整决定及9家企事业单位的入会申请。外资在华企业首次批准成为协会会员。中国分析测试协会第六届二次理事会会议现场　　鉴于大家对标准化工作十分关注，常务理事、国家标准委副主任方向先生特向理事们介绍了与分析测试相关的标准化工作进展。方向先生提到：我国刚成为ISO常任理事国，标准化工作得到前所未有的重视，近期标准化工作的三件大事是——出台技术标准发展战略、完善标准体系、完善《标准化法》；标准化技术委员会定位在建立仪器分析测试方法，而这将是国家标准委的支持重点；分析测试仪器相关标准严重缺失，相关标准的建立不仅是基础工作，还能很好的规范市场。协会常务理事、国家标准化管理委员会副主任方向先生发言　　协会技术与标准部李红梅女士则向大家介绍了标准化技术委员会的筹办进展、基本工作方式、基本模式及与各理事单位的关系。李红梅女士呼吁：标准的制定需要很多技术功底扎实的专家来支持，需要充分依赖中国分析测试协会，结合协会会员和理事单位的优势力量进行，希望各会员单位多参与和关注技术委员会的工作。协会技术与标准部李红梅女士发言　　最后，协会会展部马锡冠先生向大家通报了“BCEIA2009”相关情况。“BCEIA2009”准备工作正紧张有序地进行，相对往届BCEIA而言，“BCEIA2009”有两个重大变化：一是举办地点改在国家会议中心，硬件条件大为改善，可同期同地举办多场会议；二是将提高学术报告的整体水平。目前，展位预订率已超过90%。协会会展部马锡冠先生通报“BCEIA2009”相关情况　　　　附录：　　中国分析测试协会成立于1986年，是国家民政部批准登记的专业性社会团体，业务主管单位是中华人民共和国科学技术部。协会主要开展：承担分析测试方面的技术咨询和服务、举办“北京分析测试学术报告会及展览会(BCEIA)”、主办和出版分析测试科技期刊、设立“中国分析测试协会科学技术奖(‘CAIA奖’)”和技术开发基金、接受政府有关部门委托任务等方面的工作。　　相关链接：　　中国分析测试协会　　BCEIA2009　　“2008中国分析测试协会科学技术奖(‘CAIA奖’)”获奖名单　　　关于征集全国仪器分析测试标准化技术委员会委员的函

摘要：针对一起110kV隔离开关触头的腐蚀故障，采用手持式X射线荧光光谱仪分析故障隔离开关触头镀层的化学成分，发现厂家使用银氧化锡(Ag-SnO2)镀层代替镀银层。分析认为在工业含硫大气环境中，Ag-SnO2镀层中的银被SO2、H2S等硫化物腐蚀，铜基体在潮湿环境下腐蚀生成Cu2(OH)2CO3，从而导致隔离开关触头导电回路的接触电阻升高，引发过热故障。针对此次故障，提出了解决措施和建议。关键词：手持式X射线荧光光谱仪；隔离开关触头；电刷镀银；银氧化锡；腐蚀中图分类号：TQ153.16 文献标志码：A 文章编号：1004 – 227X (2019) 23 – 1 – 04高压隔离开关是电力系统中使用最多、应用最广的一次设备。由于高压隔离开关多在户外运行，长期受风吹、雨淋、雷电、潮气、盐雾、凝露、冰雪、沙尘、污秽，以及SO2、H2S、NO2、氯化物等大气污染物的影响，因此各部件会发生不同程度的腐蚀[1-2]。高压隔离开关触头是关键部件，承担着转接、隔离、接通、分断等任务，其工作状态的好坏直接影响整个电力系统的运行[3]。高压隔离开关触头的基体为纯铜，但纯铜易被腐蚀，会造成表面接触电阻升高，引发过热故障，影响开关设备和电网的安全稳定运行[4-6]。为了减小接触电阻，DL/T 486–2010《高压交流隔离开关和接地开关》、DL/T 1424–2015《电网金属技术监督规程》和《国家电网有限公司十八项电网重大反事故措施(2018年修订版)及编制说明》[7]中明确规定：隔离开关触头表面必须镀银，且镀银层厚度不小于20 μm，以获得较低的接触电阻，从而保证良好的导电性。然而，在实际运行中，很多厂家生产的高压隔离开关产品会出现触头腐蚀、变色发黑、发热等故障，一般是由触头镀锡代替银或镀银层厚度不足造成，这些缺陷都可以通过国家电网公司开展的金属专项技术监督检测隔离开关触头镀银层厚度而发现[8]。近期，四川电网在金属技术监督中发现一起高压隔离开关触头腐蚀案例，镀银层厚度检测结果合格，但在采用手持式X射线荧光光谱仪分析镀层化学成分时发现，厂家竟然使用银氧化锡(Ag-SnO2)镀层代替镀银层，该造假手段通过颜色判断和镀层测厚无法发现，非常隐蔽，很容易因未进行镀层成分分析而误判合格，严重威胁电网的安全运行，希望引起各运维单位注意。 1 高压隔离开关触头的腐蚀故障某110 kV变电站于1991年投运，当地大气污秽等级为E级，大气类型为工业污染。周边潮湿多雨，化工、煤炭、玻璃等重工业污染企业密集，空气中SO2、H2S等硫化物浓度较高，大气的腐蚀性较强。2013年更换隔离开关触头，防腐措施为铜镀银。2017年站内巡检发现某110 kV隔离开关触头腐蚀严重，动、静触头接触面大部分呈绿色，少部分呈黑色(见图1)。红外测温发现该隔离开关触头存在过热故障，若继续运行，可能会造成隔离开关烧毁，甚至大面积停电等恶性事故，运维单位国网泸州供电公司紧急安排停运该隔离开关，并与国网四川电科院联合开展故障分析。图1 某110 kV隔离开关触头的腐蚀情况2 手持式X射线荧光光谱仪的检测原理X射线荧光光谱分析是用于高压隔离开关触头表面金属成分检测的一种非常有效的分析方法，具有快速、分析元素多、分析浓度范围宽、精度高、可同时进行多元素分析、无损检测等优点，被广泛应用于元素分析和化学分析领域[9]。其原理[9-12]为：由激发源产生高能量X射线照射被测样品，样品表面元素内层电子被击出后，轨道形成空穴，外层高能电子自发向内层空穴跃迁，同时辐射出特征二次X射线。每种元素都有各自固定的能量或波长特征谱线，具体与元素的原子序数有关。检测器测量这些二次X射线的能量及数量或波长，仪器软件将收集到的信号转换成样品中各种元素的种类和含量。X射线荧光光谱仪通常可分为波长色散型和能量色散型两大类，各自原理如图2 [11]所示。波长色散型光谱仪一般采用X射线管作为激发源，由检测器转动的2θ角可以求出X射线的波长λ，从而确定元素成分，属于台式仪器。能量色散型光谱仪是利用荧光X射线具有不同能量的特点，将其分开并进行检测，从而确定元素成分和含量，可以同时测定样品中几乎所有的元素，激发源使用的X射线管功率较低，且使用半导体探测器，避开了复杂的分光晶体结构，因此仪器工作稳定，体积小，便携性高，价格也较低，能够在数秒内准确、无损地获得检测结果，被广泛应用于金属材料中元素的精确定量分析[12-13]。 图2 波长色散型(a)和能量色散型(b)X射线荧光光谱仪的检测原理目前市售手持式X射线荧光光谱分析仪基本都是能量色散型X射线光谱仪。图3是目前四川电网基层供电公司使用的美国Thermo Fisher Scientific Niton XL2 800手持式X射线荧光光谱仪，它不受分析样品的大小、形状、位置限制，无需拆卸隔离开关，可以携带至变电站现场，能够分析Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Cd, Sn, Sb, Hf, Ta, W, Re, Au, Pb, Bi等25种元素。图3 手持式X射线荧光光谱仪3 现场检测结果3. 1 镀层化学成分分析使用XL2 800手持式X射线荧光光谱仪对110 kV隔离开关触头不同颜色区域的镀层和铜基体进行分析，结果见表1。银白色区域中Ag、Cu和Sn的质量分数分别为91.48%、1.83%和5.71%。Cu是隔离开关触头的基体成分，查阅文献[14]可知，该银锡比例是第二相SnO2颗粒弥散分布于银基质层中的Ag–SnO2金属基复合材料，不符合DL/T 486-2010、DL/T 1424–2015和《国家电网有限公司十八项电网重大反事故措施(2018年修订版)及编制说明》中隔离开关触头应镀银的要求。黑色区域的Ag含量低至75.33%，Cu含量和Sn含量则较高，这是因为Ag-SnO2镀层中的Ag与空气中的SO2、H2S等含硫化合物反应生成黑色的腐蚀产物β-Ag2S和Ag2SO3。随着腐蚀反应的进行，Ag-SnO2镀层表面逐渐由银白色转变为深灰色及黑色。绿色区域的Cu质量分数已升至82.31%，Sn的质量分数则与灰色区域相近，而Ag已检测不到，表明Ag-SnO2镀层中银的腐蚀产物发黑并脱落后，镀层中分散的SnO2无法保护铜基体，使得铜在潮湿环境下与空气中的O2、CO2和H2O反应生成绿色的碱式碳酸铜Cu2(OH)2CO3(俗称铜绿)。将绿色区域打磨后分析铜基体发现其中含99.72% Cu和0.15% Sn，说明该隔离开关触头的基体材质为纯铜，检出的少量锡来源于残余的镀层。表1 110 kV隔离开关触头镀层上不同颜色区域及铜基体的元素成分分析结果3. 2 镀层厚度检测使用XL2 800手持式X射线荧光光谱仪检测110 kV隔离开关触头的镀银层厚度，结果显示银白色、黑色和绿色区域的镀银层厚度分别为23.953、16.885和0.000 μm。这说明随腐蚀反应的进行，镀层逐渐被消耗，直至完全损失。DL/T 486–2010、DL/T 1424–2015和《国家电网有限公司十八项电网重大反事故措施(2018年修订版)及编制说明》中明确规定隔离开关触头的镀银层厚度不应小于20 μm。为节约成本，厂家最常用的造假手段就是用镀锡代替或减少镀银量，这两种手段都可直接通过镀层测厚发现。但本次的造假是采用Ag-SnO2层代替Ag层，也是呈银白色，并且镀层厚度大于20 μm，仅通过颜色判断和测厚均无法发现，隐蔽性较强。Ag-SnO2镀层触头因为电导率较纯银低，主要用于继电器、低压开关等低压电器。若用于高压隔离开关，在大电流下很容易发热，存在严重安全隐患。4 结语和建议针对一起110 kV隔离开关触头腐蚀故障，使用手持式X射线荧光光谱仪分析触头的镀层成分，发现厂家使用Ag-SnO2镀层代替Ag镀层，Ag-SnO2镀层中的银被空气中的硫化物腐蚀后，铜基体被腐蚀，导致导电回路接触电阻升高，引发过热故障，是造成该故障的主要原因。为保证此类故障不再发生，应采取以下措施：(1)高度重视在役高压隔离开关触头表面镀银层的腐蚀发黑、发绿现象，发黑说明镀银层已被腐蚀，发绿说明镀银层已被腐蚀完，腐蚀延伸到铜基体，会导致隔离开关触头的接触电阻升高，易引发隔离开关过热、烧毁、全站失压等安全事故，应尽快安排停电，及时更换失效的高压隔离开关触头。(2)联系生产厂家，将同批次产品全部更换为合格产品，以消除安全隐患。(3)加强对新建输变电工程高压隔离开关触头镀银层的检测，镀层成分和厚度均合格后方可入网。参考文献：[1] 曹胜利, 苑金海, 赵昌. 户外高压隔离开关腐蚀与防护分析[J]. 电气制造, 2007 (6): 46-48.[2] 钟振蛟. 户外隔离开关导电回路过热的原因及对策[J]. 高压电器, 2005, 41 (4): 307-312.[3] 闫斌, 邓大勇, 何喜梅, 等. 高压导电触头电镀工艺与失效分析[J]. 青海电力, 2008, 27 (3): 6-9.[4] 梁方建, 张道乾. GW5-110型隔离开关触头发热缺陷分析及检修处理[J]. 高压电器, 2008, 44 (1): 88-90.[5] 刘海龙, 龚杰, 万亦农, 等. 某110 kV变电站隔离开关普遍发热原因分析及防范措施[J]. 电工技术, 2016 (8): 99-101.[6] 赵庆, 茅大钧. 户外高压隔离开关触头发热机理分析及预防过热故障措施探讨[J]. 电气应用, 2016, 35 (3): 72-76.[7] 国家电网有限公司. 国家电网有限公司十八项电网重大反事故措施(2018年修订版)及编制说明[M]. 北京: 中国电力出版社, 2018.[8] 刘纯, 谢亿, 胡加瑞, 等. 电网金属技术监督现状与发展趋势[J]. 湖南电力, 2016, 36 (3): 39-42.[9] 徐雪霞, 冯砚厅, 柯浩, 等. 高压隔离开关触头镀银层质量检测分析[J]. 河北电力技术, 2013, 32 (3): 3-5, 11.[10] 胡波, 武晓梅, 余韬, 等. X射线荧光光谱仪的发展及应用[J]. 核电子学与探测技术, 2015, 35 (7): 695-702, 706.[11] 赵晨. X射线荧光光谱仪原理与应用探讨[J]. 电子质量, 2007 (2): 4-7.[12] 金鑫, 金涌川, 李学斌, 等. 电气设备金属元素检测分析[J]. 电气应用, 2018, 37 (18): 80-85.[13] 何翠强. 手持式X射线荧光光谱仪在金属材料分析中的应用研究[J]. 冶金与材料, 2018, 38 (4): 134-135.[13] 谢明, 王松, 付作鑫, 等. AgSnO2电接触材料研究概述[J]. 电工材料, 2013 (2): 36-39.

Quantum量子科学仪器贸易（北京）有限公司和Nanotemper公司在11月中下旬到12月份在华东地区成功举办MST微量热泳动仪的样机巡回路演活动，并给感兴趣的客户和单位提供了很多免费测试服务，收到客户的良好评价。举办方：Quantum量子科学仪器贸易（北京）有限公司和Nanotemper公司时间：2013 年11月-2013年12月 地点：中国*上海参加单位：上海生化细胞研究所，上海植物生理学研究所，蛋白质研究中心，睿智化学和惠生医药微量热泳动（MST）是指分子在微观的温度梯度场中的定向运动。生物分子结构/构象变化会引起其水化层、分子量、电荷的变化，而这种变化会导致分子在温度梯度场中运动速度的改变，这种速度的改变可以用来分析分子间的相互作用以及各种化学计量学参数。MST 可以直接在接近天然的环境、任意生物溶液中溶液中测量分子间相互作用，而不需要一个固定的表面，每次实验只需要4-6ul的样品量，使用低费用的毛细吸管来完成实验，能够在短短十分钟之内测量16个样品的数据，这些特点使得其成为一种新的、方便、快速、高通量的分子间相互作用的分析仪器。而且，该技术其灵敏，甚至可以检测到像蛋白质磷酸化或离子结合到蛋白质和DNA/RNA的微小的变化。更多关于MST产品信息，请参见QUANTUM量子科学仪器公司中文网站及英文网站: http://www.qd-china.com/products2.aspx?id=163 关于Quantum Design InternationalQuantum Design International是的科研设备制造商和仪器分销商，于1982年创建于美国加州圣迭戈。公司生产的 SQUID 磁学测量系统 (MPMS) 和材料综合物理性质测量系统 (PPMS) 已经成为公认的测量平台，广泛的分布于上几乎所有材料、物理、化学、纳米等研究领域的实验室。同时美国 Quantum Design 公司还利用自己遍布的专业营销和售后队伍打造一个代理分销网络，与其他的设备制造商合作，为其提供遍布全球的专业产品销售和售后服务网络。2007年，Quantum Design International并购了欧洲大的仪器分销商LOT公司，现已成为著名的科学仪器领域的跨国公司。目前公司拥有分布于英国、美国、法国、德国、巴西、印度，日本和中国等地区的数十个分公司和办事处，业务遍及全球一百多个和地区。 中国地区是Quantum Design International公司活跃的市场，公司在北京、上海和广州设有分公司或办事处。几十年来，公司与中国的科研和教育领域的合作有成效，为中国的科研进步提供了可靠的先进设备以及高效优质的售后服务。

油介损及体积电阻率测定仪油杯清洗方法、常见故障A1170技术指导产品介绍产品名称：油介损及体积电阻率测定仪产品型号：A1170概 述：油介损及体积电阻率测定仪用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率，包括变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。适应标准：GB/T5654油杯三种清洗方法测量前，应对油杯进行清洗，这一步骤非常重要。因为绝缘油对极微小的污染都有极为敏感的反应。因此必须严格按照下述方法要点进行。方法一：⑴ 完全拆卸油杯电极；⑵ 用中性擦皂或洗涤剂清洗。磨料颗粒和磨擦动作不应损伤电极表面；⑶ 用清水将电极清洗几次；⑷ 用无水酒精浸泡各零件；⑸ 电极清洗后，要用丝绸类织物将电极各部件的表面擦拭干净，并注意将零件放置在清洁的容器内，不要使其表面受灰尘及潮气的污染；⑹ 将各零部件放入100℃左右的烘箱内，将其烘干。有时由于油样很多，所以在测试中往往会一个接一个油样进行测试。此时电极的清洗可简化。具体做法如下：⑴ 将仪器关闭，将整个油杯都从加热器中拿出，同时将内电极从油杯中取出；⑵ 将油杯中的油倒入废油容器内，用新油样冲洗油杯几次；⑶ 装入新油样；⑷ 用新油样冲洗油杯内电极几次，然后将内电极装入油杯。这种以油洗油的方式可大大提高了测量速度，但如遇到特别脏的油样或长时间不用时，应使用方法一。方法二：⑴ 将电极杯拆开（参见油杯示意图）。⑵ 用化学纯的石油醚和苯彻底清洗油杯的所有部件。⑶ 用丙酮再次清洗油杯，然后用中性洗涤剂漂洗干净。⑷ 用5%的磷酸钠蒸馏水溶液煮沸5分钟，然后，用蒸馏水洗几次。⑸ 用蒸馏水将所有部件清洗几次。⑹ 将部件在温度为105～110℃的烘箱中，烘干60～90分钟。⑺ 各部件洗净后，待温度降至常温时将其组装好。方法三：超声波清洗方法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件。⑶ 在超声波清洗器中用肥皂水将所有部件振荡20分钟；取出部件，有自来水及蒸馏水清洗；在用蒸馏水振荡20分钟。方法四：溶剂清洗法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件，更换二次溶剂。⑶ 先用丙酮，再用自来水洗涤所有部件。接着用蒸馏水清洗。⑷ 将部件在温度为105～110℃的烘箱中，烘干60～90分钟。 当试验一组同类没有使用过的液体样品时，只要上次试验过的样品的性能优于待测油的规定值，可使用同一个电极杯而无需中间清洗。如果试验过的前一样品的性能值劣于待测油的规定值，则在做下一个试验之前必须清洗电极杯。常见故障1、屏幕显示“电极杯短路”答：首先查看内电极与外电极的定位槽是否对准，再检查“内电极”安装是否有松动。2、屏幕显示“请进行【空杯校准】”答：空杯电容值不在60±5pF的范围内的时候，需要空杯校准；①油杯的内外电极未放好或内电极未组装好，有放电现象；②油杯不干净，在内外电极之间有杂质需要进行清洗 。3、蜂鸣器响5声后仪器返回到开机界面。答：①检查空杯电容值是否在60±5pF范围之内，②检查油杯是否放 好，有无放电现象。4、在做直流电阻率时，电化60秒时间不变化。答：检查仪器的时钟是否在运转，调整时钟。5、被设电压参数个位显示不为零时，怎么办？答：用【减小】键使被设电压值变为最小，再用【增加】键调整即可。

R&S LCX系列的LCR表能够用于传统的阻抗测量以及针对特定元件类型的专门测量，并提供研发所需的高精度以及生产测试和质量保证所需的高速度。用于高精度阻抗测量的R&S LCX LCR测量仪。 　　罗德与施瓦茨推出的新款高性能通用阻抗测试仪系列能够覆盖广泛的应用领域。R&S LCX支持的频率范围为4Hz至10 MHz，不仅适用于大多数传统家用电源的50或60 Hz频率以及飞机电源的400 Hz频率，还适用于从低频震动传感器到工作在几兆赫的高功率通信电路的所有设备。 　　对于选择合适的电容、电感、电阻和模拟滤波器来匹配设备应用的工程师来说，R&S LCX提供了市场领先的高精度阻抗测量。与此同时，LCX还支持以生产使用精度进行更高速度的质量控制和监控测量。测试方案包含生产环境所需的所有基本软件和硬件，包括远程控制和结果记录，仪器的机架安装，以及用于全系列测试的夹具。 　　R&S LCX使用的自动平衡电桥技术通过测量被测设备的交流电压和电流(包括相移)来支持传统的阻抗测量。然后用该数据来计算任何给定工作点的复阻抗。作为一种通用LCR测量仪，R&S LCX涵盖了许多应用，如测量电解电容和直流连接电容的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。 　　此外，除了全方位的阻抗测量之外，用户还可以测试变压器及测量直流电阻。为了研究元件的阻抗值在不同频率和电平下的变化，选配装置R&S LCX-K106能支持以频率、电压或电流作为扫描参数，进行动态阻抗测量。 　　R&S LCX系列推出两个型号：R&S LCX100的频率范围为4 Hz至300 kHz，R&S LCX200的基本配置频率范围为4 Hz至500 kHz，可选配覆盖高达 10 MHz 所有频率的选件。两种型号均配备出色的测量速度、精度和多种测量功能。包括：配备大型电容式触摸屏和虚拟键盘，支持所有主要测量工作的点击测试操作。 　　用户也可以使用旋钮设置电压、电流和频率值。不常用的功能则可以使用菜单操作。设置、结果和统计数据可以显示在屏幕上，还能导出以便进行自动后处理。用户最多可选择四个测量值并绘制成时间曲线，将最大值和最小值显示在屏幕上，一目了然地进行通过/失败分析。 　　罗德与施瓦茨的子公司Zurich Instruments AG生产的MFIA阻抗分析仪作为R&S LCX的完美补充，能够支持更多材料的阻抗研究。通过MFIA，研究人员可以表征半导体或进行材料研究，范围包括绝缘体、压电材料、陶瓷和复合材料，组织阻抗分析、细胞生长、食品研究、微流体和可穿戴传感器。

为什么我们会感觉到饥饿？为什么进食之后会出现饱腹感？我们能感知到大脑与肠道的紧密联系，以往的研究认为这种感知与触觉、视觉、声音、气味和味觉通过受神经支配的上皮传感器细胞传递到大脑不同，肠道刺激的感知被认为涉及消化系统和中枢神经系统之间信号传递的肠道-大脑连接（gut-brain connection）是以激素转运为基础的，这种基于激素的信号传递大约需要10分钟。在肠道中，有一层上皮细胞将腔与下面的组织分开。分散在该层内的是称为肠内分泌细胞的可电兴奋细胞，它们感知摄入的营养物质和微生物代谢物。与味觉或嗅觉受体细胞一样，肠内分泌细胞在存在刺激时会激发动作电位。然而，与其他感觉上皮细胞不同，肠内分泌细胞和脑神经之间没有突触联系的描述。人们认为这些细胞仅通过激素（如胆囊收缩素）的缓慢内分泌作用间接作用于神经。尽管它在饱腹感中起作用，但胆囊收缩素的循环浓度仅在摄入食物后几分钟达到峰值，并且通常在用餐结束后。这种差异表明大脑通过更快的神经元信号感知肠道感觉线索。来自美国杜克大学医学院的科学家们，利用Milo，揭示迷走神经（vagus nerve）可直接连接着肠道与中枢神经系统。相关研究结果发表在Science期刊上，标题为“A gut-brain neural circuit for nutrient sensory transduction”。Milo单细胞Western Blot 验证肠分泌细胞存在神经突触相关蛋白本文使用与小肠类器官或纯化的肠内分泌细胞共培养的结节神经元，在体外重现了神经回路。并结合单细胞定量实时聚合酶链反应和单细胞Western Blot（Milo）共同对突触蛋白进行检测和评估。利用Milo在蛋白水平进行了进一步的验证：单细胞蛋白质印记结果显示83%肠内分泌细胞含有synapsin-1（分析的198 CckGFP细胞中的164个），与其他肠上皮细胞相比，纯化的CCK-肠内分泌细胞表达突触粘附基因Efnb2、Lrrtm2、Lrrc4 和 Nrxn2，表明这些上皮传感器具有形成突触的机制。为了确定与肠内分泌细胞接触的突触的神经元的来源，本文使用了一种改良后的狂犬病毒(DG-rabies-GFP，能感染神经元，但缺少跨突触传播所需的G糖蛋白)，发现在肠道类器官中，狂犬病比其他上皮细胞更喜欢感染肠内分泌细胞。并且肠内分泌细胞与迷走神经元突触，通过使用谷氨酸作为神经递质，在几毫秒内转导肠腔信号。这些突触连接的肠内分泌细胞（神经足细胞）形成的神经上皮回路通过一个突触将肠腔与脑干连接起来，为大脑打开一条物理管道，以突触的时间精度和空间分辨率感知肠道刺激。也正是这些突触信号神经足细胞告诉大脑肠道中发生的事情，对我们吃的食物做出一定的反馈。

p　　span硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品都离不开硅片。/spanspan硅片行业是资金和技术密集型行业，垄断度极高，目前前四厂商市场占有率占比超过80%，分别是/spanspan日本信越、日本SUMCO、台湾环球晶圆、德国世创。/span/pp　　硅元素是地壳中储量最丰富的元素之一，以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中。硅从原料转变为半导体硅片要经过复杂的过程：首先硅原料和碳源在高温下获得纯度约98%的冶金级硅，再经氯化、蒸馏和化学还原生成纯度高达99.999999999%的电子级多晶硅。半导体材料的电学特性对杂质浓度非常敏感，而硅自身的导电性不佳，常通过掺杂硼、磷、砷和锑来精确控制其电阻率。一般，将掺杂后的多晶硅加热至熔点，然后用确定晶向的单晶硅接触其表面，以直拉生长法生长出硅锭，硅锭经过金刚石切割、研磨、刻蚀、清洗、倒角、抛光等工艺，即加工成为半导体硅片。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片、SOI 硅片等。根据半导体尺寸分类，半导体硅片的尺寸(直径)主要有 50mm(2 英寸)、75mm(3 英寸)、100mm(4 英寸)、150mm(6 英寸)、200mm(8 英寸)、 300mm(12英寸)等规格。目前硅片生产以8英寸和12英寸为主，其中8英寸硅片主要应用于电子、通信、计算、工业、汽车等领域，而12英寸硅片多用于PC、平板、手机等领域。/pp　　在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。硅片检测要检查直径、厚度、弯曲、翘曲、缺陷、晶面、表面污染(有机物)、电阻率、晶面取向、氧碳含量、表面平整度和粗糙度、微量元素含量、反射率等。使用到的仪器有测厚仪、显微镜、XRD、气相色谱、X射线荧光光谱、二次离子质谱、电阻率测试仪等。/pp style="text-align: center "strong硅片测试国家标准/strong/ptable border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse border:none" align="center"tbodytr style=" height:18px" class="firstRow"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pstrongspan style="font-family:宋体"标准编号/span/strong/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pstrongspan style="font-family:宋体"标准名称/span/strong/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T11073-2007/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片径向电阻率变化的测量方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T13388-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片参考面结晶学取向/spanspanX/spanspan style="font-family:宋体"射线测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T14140-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片直径测量方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T19444-2004/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片氧沉淀特性的测定/spanspan-/spanspan style="font-family:宋体"间隙氧含量减少法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T19922-2005/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片局部平整度非接触式标准测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T24577-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T24578-2015/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片表面金属沾污的全反射/spanspanX/spanspan style="font-family:宋体"光荧光光谱测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T26067-2010/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片切口尺寸测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T26068-2018/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T29055-2019/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用多晶硅片/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T29505-2013/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30701-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"表面化学分析硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射/spanspanX/spanspan style="font-family:宋体"射线荧光光谱法/spanspan(TXRF)/spanspan style="font-family:宋体"测定/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30859-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30860-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T30869-2014/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T32280-2015/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片翘曲度测试自动非接触扫描法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T32281-2015/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T32814-2016/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅基/spanspanMEMS/spanspan style="font-family:宋体"制造技术基于/spanspanSOI/spanspan style="font-family:宋体"硅片的/spanspanMEMS/spanspan style="font-family:宋体"工艺规范/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T37051-2018/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6616-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6617-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片电阻率测定扩展电阻探针法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6618-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片厚度和总厚度变化测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6619-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片弯曲度测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6620-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片翘曲度非接触式测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T6621-2009/span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片表面平整度测试方法/span/p/td/trtr style=" height:18px"td width="112" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspanGB/T29507-2013 /span/p/tdtd width="456" nowrap="" valign="middle" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="18" align="center"pspan style="font-family:宋体"硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法/span/p/td/tr/tbody/tablep　　据 Gartner 预计，2017-2022 年半导体增速最快的应用领域是工业电子和汽车电子；预计2020年半导体发货总量将超过一万亿，其中增长率最高的半导体细分领域包括智能手机、汽车电子以及人工智能等。/pp　　需要相关标准，请到a href="https://www.instrument.com.cn/download/L_5DBC98DCC983A70728BD082D1A47546E.htm" target="_self"仪器信息网资料中心/a查找。/p

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1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

美国福禄克公司近日推出了由HART部门研发的全新1594A/1595A超级精密电阻测温仪，该仪器集准确度、价值和创新性于一身，可用于标准铂电阻(SPRT)、铂电阻(PRT)以及热敏电阻的检定和校准。　　Fluke1594A/1595A超级精密电阻测温仪具有足够的准确度，满足基标准实验室所需。其准确度高达0.06ppm(0.000015°C)，而其价格却经济实惠，完全可以满足二级实验室的预算需求。计量校准人员使用该超级精密电阻测温仪进行的所有测量都符合预期要求，方便随时验证，完全值得信赖。其领先于市场的特性包括：电阻比率自校准适用于所有测量，值得信赖；校准内部参考电阻，快速而简便；低测量噪声；快速的测量速度。

p　　据证监会网站7月11日披露，最新审核结果显示，浙江皇马科技股份有限公司(下称皇马科技)、浙江春风动力股份有限公司(下称春风动力)、辰欣药业股份有限公司(下称辰欣药业)、起步股份有限公司(下称起步股份)以及中广天择传媒股份有限公司(下称中广天择)共五家公司首发获通过，而力合科技(湖南)股份有限公司(下称力合科技)首发未通过。/pp　　资料显示，首发被否的力合科技已经是第二次冲击IPO了，此前一次是在2017年1月，当时由于取消审核而暂时搁置。/pp　　力合科技是一家环境监测仪器制造商，根据招股书显示，公司拟在上交所公开发行不超过2000万股，募集资金2.06亿元，其中5000万元补充流动资金，其余用于环境监测体系建设项目、运营服务及第三方监测、研发中心建设项目。/pp　　发审委之所以未通过力合科技的上市申请，从其提出询问的问题，主要集中在涉嫌行贿等违法行为。/pp　　问询内容显示，报告期内力合科技存在因涉嫌单位行贿被司法机关立案和部分高管、员工涉及到多起商业贿赂案件的情形，发审委要求公司作出详细披露。此外，发行人有关销售、投标、资金费用管理等方面的内部控制制度是否健全且被有效执行也是发审委审核的重点。财务问题方面，力合科技需要进一步说明报告期各期期末公司应收账款余额较高、是否存在通过第三方公司回款进行冲抵的方式调节应收账款账龄的情形。/pp　　可以发现，发审委对于申报企业违法违规、内部企业管理以及应收账款的合理性方面要求尤为严格。力合科技也是今年以来发审委第51家审核未通过的企业。/p

2008年5月23日中国分析测试协会组织“中国分析测试协会抗震救灾专项行动工作组”，召开了第二次抗震救灾专题会议。会议由秘书长张渝英研究员主持，有关方面专家、企业负责人共20多人参加了会议。会议现场　　张渝英同志首先传达了科技部领导对协会紧急组织抗震救灾工作的指示精神：协会的行动方案反映了灾区的迫切需要，将纳入科技部的统一救灾方案实施。科技部领导的肯定，坚定了大家积极投入紧急行动支援灾区的信心。　　同时，会上检查了21日会议部署的工作，并进一步明确了目标和要求 根据22日灾区新提出的生物腐败引起的水源污染问题，紧急启动生物多胺、致病源菌、粪大肠杆菌的快速检测方法研究工作。　　水源检测及应对处理方案等资料编制组，已收集到12家生产检测水源仪器厂家的相关信息，并得到他们全力支援抗震救灾的承诺 整理出水源净化技术实用手册，尽量做到简明易懂，操作性强。同时，选出100多家有水质检测认证的质检单位的信息，他们大都在四川、重庆、陕西、甘肃以及北京、上海等城市。目前正落实单位和人员的有关信息。会议要求下周一该组将上述资料完善、整理成册，随时准备送往灾区。　　生物多胺、致病源菌、粪大肠杆菌的检测关系到灾区几百万同胞的生命安全，会议指定国家生物医学分析中心、北京理化分析测试中心和牛牛基因公司联合，紧急启动生物多胺、致病源菌、粪大肠杆菌的快速检测技术方法攻关工作，争取尽快把有关解决方案发送灾区。(今天发稿时已获信息，有关解决方案已于24日发送灾区有关单位。)与会者在会议上讨论并作记录　　参加会议的全体同志，以及相关单位的科技人员，怀着与灾区人民共患难的心情，以高度的责任感，争分夺秒，不分昼夜地投入战斗，为抗震救灾做着自己的贡献。　　中国分析测试协会　　2008.5.26.

经过严格的评选流程，山纺仪器A102点对点测试仪以其市场占有率高、用户好评多、外观精美、质量可靠被评为&ldquo 山纺精品仪器&rdquo 。再次感谢广大用户对该仪器的厚爱，期待更多的厂家在选用本公司的A102点对点测试仪及其使用过程中，能够不断给我们提出宝贵意见，您的每一个不满意，都是我们前进的动力和方向。一、主要用途用于检测防静电服点对点电阻率。二、试验方法本原理是对试样加入测试电压100  V 共15  s，流经试样的微弱电流用标准电阻取样放大后，从高阻计上读出。数字直接显示出电阻值,精度高、显示迅速、稳定性好、读数方便。三、主要技术参数1、量程范围： 105    &Omega ～1015  &Omega ；2、高阻计示值误差：± 1％，3、输出电压：100V DC四、适用标准 国家标准GB12014- 2009《防静电服》

仪器信息网讯 2012年12月4日，中国分析测试协会(以下简称“协会”)第七届理事会第二次全体会议在北京中苑宾馆召开，来自全国各地的理事约100人出席了本次会议。中国分析测试协会第七届理事会第二次全体会议现场　　会议流程包括：协会理事会换届选举工作、新一届理事会领导成员以及办事机构等情况介绍 2012年协会工作总结，2013年工作重点展望 2012年申请入会单位审议 2012年协会科学技术奖(CAIA奖)颁奖 协会新网站发布。会议由副理事长兼秘书长张渝英主持。中国分析测试协会副理事长兼秘书长张渝英主持会议　　首先，协会主管部门科技部人事司处长杨素荣介绍了科技部主管的社团情况及社团近期的重点工作。科技部人事司处长杨素荣中国分析测试协会理事长张泽　　随后，协会理事长张泽作2012年工作报告，报告内容包括2012年完成的主要工作、2013年工作重点。　　2012年完成的主要工作：　　(1)积极筹备第十五届北京分析测试学术报告会暨展览会(BCEIA 2013)。BCEIA 2013定于2013年10月23日至26日在北京展览馆举办，已有90%以上展台被预定。同期举办学术报告会，主题确定为“分析科学创造未来”，大会主席为中科院院士江桂斌，副主席为张泽和张玉奎，学术报告会分为大会报告、分会报告会、专题报告会、应用技术报告会等。　　(2)分析测试标准化工作取得较大进展。6项标准获国标委批准立项，是历年来标准立项最多一次 2项国标送审稿通过审查 《高纯试剂试验方法通则》报批稿获得“2012年全国化学标准化技术委员会化学试剂标准化成果”一等奖。　　(3)举办和参加各种会议，促进学术和工作交流。　　(4)采取多种方式，做好咨询服务。完成2012年“CAIA奖”评审工作，本年度“CAIA奖”共评出25项奖项，其中，一等奖6项、二等奖7项、三等奖8项 组织开展仪器评议工作 为企业创新产品进行技术鉴定 开展国产科学仪器应用于示范实验室工作等。　　(5)开展全国分析测试技术人员技术能力的培训考核工作。发布技术考核大纲3项，出版技术培训教材4本，累计完成1239人次的辅导考核与发证工作，共涉及21项技术和32向标准。　　(6) 以网络建设为依托，推动各项工作。　　(7)积极申请和承担国家项目，提高服务水平和能力。完成2009年国家质检总局公益性项目《重点分析仪器性能测试技术标准研制》验收结题 与钢铁研究总院合作完成科技条件工作项目《科学仪器设备创新能力调研》 完成2013年国家质检总局公益项目《重点分析仪器性能测试技术标准研制(Ⅱ)》申报工作 配合北京理化测试中心进行申报北京是财政项目《国产科学仪器应用培训体系建设与示范》，协会承担其中《国产仪器与分析测试行业发展需求分析》任务。　　(8)为实施重大科学仪器开发专项提供参考依据。为支撑“国家重大科学仪器设备开发专项”顺利实施，为有关决策提供可靠依据，科技部下达了由中国分析测试协会和钢铁研究总院共同承担的《科学仪器设备创新能力调研》项目，“凝练国家重点支持的科学仪器设备目录”是该项目的重要课题。　　展望2013年，协会将重点进行如下工作：努力办好BCEIA 2013 进一步推进全国仪器分析测试标准化技术委员会工作，联合会员单位开展技术交流和标准宣贯工作 根据国家科技创新、社会公共安全等方面对分析测试的需求，举办形式多样的交流会，促进会员单位的合作与发展 组织符合条件的会员单位加入全国分析测试人员培训考核工作，扩大培训力量和覆盖面等。中国工程院院士、中国检验检疫科学研究院庞国芳　　会议期间还邀请了中国工程院院士、中国检验检疫科学研究院庞国芳做题为《追踪近20年SCI论文见证世界农药残留检测技术进步》的报告。报告中，庞国芳通过对15个SCI杂志、近20年(1991~2010) 的3505篇食用农产品中农药残留检测技术论文进行统计，对比分析了各国论文总量、样品制备技术、检测技术、质谱检测技术、SCI论文影响力等发展情况。　　接着，协会组织部尹碧桃向参会理事介绍了2012年申请入会单位的情况。协会咨询部张经华介绍了CAIA奖的历史及2012年评选情况。副理事长丁辉宣读了2012年“CAIA奖”获奖名单，协会负责人张泽、张玉奎、张渝英、吴波尔、庄乾坤、李红梅为获奖者颁奖。中国分析测试协会副理事长丁辉中国分析测试协会咨询部张经华中国分析测试协会组织部尹碧桃2012年“CAIA奖”颁奖中国分析测试协会新网站启动仪式与会代表合影留念　　2012年“中国分析测试协会科学技术奖(CAIA奖)”获奖名单

仪器信息网讯“科学仪器优秀新品”评选活动2021年度上半年入围奖评审已经结束，经专业编辑团初审、网络评审团初评，现已确定2021年度上半年的入围奖名单。为了将在中国科学仪器市场上推出的创新性比较突出的国内外科学仪器产品全面、公正、客观地展现给广大国内用户，同时，鼓励各科学仪器厂商积极创新、推出满足中国用户需求的科学仪器新品，仪器信息网自2006年发起“科学仪器优秀新品”评选活动。截至2020年度，“科学仪器优秀新品”评选活动已经成功举办了15届。每年评选出的年度“优秀新品奖”受到越来越多的仪器用户、国内外仪器厂商以及相关媒体的关注和重视。经过10余年的打造，该奖项已经成为国内外科学仪器行业最权威的奖项之一，获奖名单被多个政府部门采信。“科学仪器优秀新品” 评选活动2021年度上半年申报并批准的新品共计163台，入围70台。入围名单中，物性测试仪器11台， 电子测量仪器1台。物性测试及电子测量仪器入围名单如下（排名不分先后）：物性测试仪器公司名称产品名称产品型号详情链接日立分析仪器（上海）有限公司差示扫描热量计DSC600&DSC200详情大昌华嘉科学仪器泡沫分析仪Turbiscan TMIX详情大昌华嘉科学仪器全自动压汞仪BELPORE系列详情美国AMI仪器公司（中国）稳态同位素化学吸附仪AMI300SSITKA详情杨氏环境科技（东莞）有限公司大型高低温试验室YSTH-016-A详情轶诺仪器（上海）有限公司高端洛氏硬度计HAWK 652RS-IMP详情赛默飞世尔科技材料与矿物在线分析锂离子电池测厚仪LInspector详情上海沃埃得贸易有限公司弹痕分析系统Alias-005详情上海沃埃得贸易有限公司手持便携应力分析仪LTS-640V详情丹东百特仪器有限公司纳米粒度及电位分析仪BeNano 90 Zeta详情东莞市晟鼎精密仪器有限公司动态接触角测量仪SDC200S详情电子测量仪器公司名称产品名称产品型号详情链接国仪量子（合肥）技术有限公司数字延时脉冲发生器ASG8000详情入围产品创新点如下：1、日立DSC600&DSC200差示扫描热量计创新点：新登场的DSC系列提供一流的灵敏度和的基线重复精度，即使在包含痕量级热活性物质的复合材料中，也具有令人难以置信的信噪比，能够捕捉到最微小的热事件。2、大昌华嘉Turbiscan TMIX 泡沫分析仪创新点：Turbiscan TMIX科学地通过软件对泡沫气泡过程精确控制，从起泡到衰变，全过程实时全分析，测量速度间隔仅20秒，高度分辨率40um，充分高度保证测量条件完全可重复。3、大昌华嘉BELPORE系列全自动压汞仪创新点：BELPORE系列全自动压汞仪全自动垂直进汞，持续高真空；高分辨率检测多达20000个数据点；无需连接气体和液氮，可以实现安全运行和全部功能；设计紧凑，空间要求低；膨胀计的垂直布置确保了操作的安全性；通过清洁装置有效地重复使用水银；All devices are CE-certified and ISO；所有设备均通过CE认证和ISO9001认证。4、AMI300SSITKA稳态同位素化学吸附仪创新点：稳态同位素瞬变动力学分析是这台机器的创新之处，该分析为一种稳态时在同位素标记与未标记反应物间快速切换并及时记录反应物和产物的瞬变行为以得到反应的本征动力学信息的非均相催化反应动力学研究技术。这种技术在商用化学吸附仪中首次融合。5、杨氏仪器YSTH-016-A大型高低温试验室创新点：采用独特的平衡调温调湿方式，可获得安全、可靠的温湿度环境。具有稳定、平衡的加热加湿性能，可进行高精度、高温度的温湿度控制。装备高精度智能化的温度调节器，温湿度采用彩色液晶触摸显示屏，可进行各种复杂的程序设定，程序设定采用对话方式，操作简单、迅速制冷回路自动选择，自控装置具有随温度的设定值自动选择运转制冷回路的性能，实现高温度状态下的直接启动制冷，直接降温。6、轶诺HAWK 652RS-IMP凸鼻子洛氏硬度计创新点：凸鼻子175mm，喉深175mm第二Z轴测试台&载物台附件，电动滚珠轴承力传感器，闭环，力反馈系统在压头处测量试验力全高度线性滑动，无迟滞机械系统测试纵高650mm 425 x 370 大工作台和带t型槽的硬质平台200mm可移动测试台，可允许插入特殊试台 用于试样照明的LED灯内置高性能系统控制器，mSSD硬盘Win10系统，IMPRESSIONS™ 控制软件 15”工业触摸屏LAN，W-LAN，USB连接，预安装远程支持软件 ABS外壳，保护主体不受损坏可选配BIOS布氏压痕光学扫描仪，用于自动布氏测量。7、Thermo Scientific LInspector锂离子电池测厚仪创新点：测量光斑尺寸小，采样速率高，可实现无与伦比的条纹分辨率和涂层边缘缺陷分析；更快的扫描速度可覆盖更大的范围，从而降低未被检出的缺陷的发生；精确测量和自动模头控制，确保产品符合严苛的产品规范；精确的涂布宽度尺寸分析，可避免电极材料的过度浪费；基于云的数据和已识别缺陷存档，可实现产品缺陷全面追溯；基于云的数字化 IPM 和仪器性能管理，实现了对仪器健康状况和运行状态进行全天候自动化的智能监控，同时，可对数据进行安全存档，确保合规性数据的完整性和安全性；自动通知服务通过仪器健康状态诊断可实现快速服务响应，提高故障的首次修复率，从而减少停机时间，并提高生产率。8、Alias-005弹痕分析系统创新点：可以构建视觉效果丰富的3D项目符号和弹匣图像，然后提供强大的工具来使用地形敏感的彩色化以及可调整的光源和轴方向来分析它们。ALIAS图像数据由世界上最先进的瑞士制造，特定于应用的干涉仪捕获，然后使用完全现代化的64位计算和应用程序体系结构进行处理，该体系结构使用专利软件算法快速定义3D数据。ALIAS的3D，微米和纳米级分析提供了前所未有的准确性。简化的三步信息管理/可视化/确认过程可加快在成年犯案案件中定罪的时间。9、LTS-640V1mk手持便携应力分析仪创新点：重量仅为650克，方便携带；高分辨率、高灵敏度，应力灵敏度小于1MPa，允许苛刻环境监测； 分析速度快、稳定性优良； 无盲点、多点位确定应力。10、丹东百特BeNano90Zeta纳米粒度及Zeta电位分析仪创新点：BeNano 系列纳米粒度电位仪是丹东百特仪器有限公司全新开发的测量纳米颗粒粒度和Zeta电位的光学检测系统。该系统中集成了动态光散射DLS、电泳光散射ELS和静态光散射技术SLS，可以准确的检测颗粒的粒径及粒径分布，Zeta电位，高分子和蛋白体系的分子量信息等等参数，可广泛的应用于化学、化工、生物、制药、食品、材料等等领域的基础研究和质量分析质量控制用途。11、晟鼎精密SDC200S动态接触角测量仪创新点：自主研发的分析软件，衬时跟踪设备状态。可对设备测量参数进行设置，同时对设备的状态进行实时跟踪；3D形貌法和局部轮廓测试法，由于材料表面自由能难以保持趋于稳定的状态，导致液滴的3D形态与二维形态产生较大出入，用3D形貌法和局部轮廓测试法可以消除样品表面能不规则造成的影响，从而得出较准确的效果；测量功能升级，全自动实时跟踪测量数据，实时动态谱图，多种表面自由能测量，连续动态润湿性测量。12、国仪量子ASG8000数字延时脉冲发生器创新点：国仪量子全新上市新品，高达8通道，最高精确到50ps，存储高达4GB。需要特别指出的是，本次入围评选仅限于2021年上半年申报的仪器范围。有些厂商虽然在网上进行了申报，但在规定时间内没有能够提供详细、具体的仪器创新点说明，有说服力的证明材料以及详细的仪器样本，因此这次没有列入入围名单。另外，非独家代理的代理商提供的优秀国外新品也不能入选。由于本次参与申报的厂家较多，产品涉及门类也较多，对组织认定工作提出了很高的要求，因此不排除有些专业性很强的仪器未被纳入评审范围。该入围名单将在仪器信息网进行为期10天的公示。所有入围新品的详细资料均可在新品栏目进行查阅，如果您发现入围仪器填写的资料与实际情况不符，或非2021年上市的仪器新品，请您于2021年8月26日前向“科学仪器优秀新品”评审委员会举报和反映情况，一经核实，将取消其入围资格。“科学仪器优秀新品”评选活动建立了长期、稳定、高水平的四级评审体系：“专业编辑团”、“网络评审团”、“技术评审委员会”、“技术评审委员会主席团”。专业编辑之外的评审专家分别来自高校、研究所和企业，从事仪器研制、制造和应用相关工作，其中具有研究员、教授等高级职称的专家所占比例超过了90%。 “专业编辑团”承担新品初审的工作 “网络评审团”分别承担“季度入围奖”、年度“提名奖”评审工作 “技术评审委员会”承担年度“优秀新品奖”评审工作 “技术评审委员会主席团”承担各个阶段评审工作的监督、检查工作，对“季度入围奖”名录、年度“提名奖”名录、年度“优秀新品奖”名录拥有最终裁决权。各位新品评审专家按照严格的评审程序，对申报的新品进行网上、网下的评议(逐一进行打分、是否推荐并给出评审意见)。更多内容请点击详情查看。“科学仪器优秀新品”评审委员会联系方式：电话：010-51654077-8027 刘女士传真：010-82051730电子信箱：xinpin@instrument.com.cn

8月22日，澳大利亚悉尼大学日前宣布，该校研究人员开发出一种简单的手持呼吸测试仪器，能够通过检测呼出气体中的酮类物质含量来监测糖尿病，未来有望替代传统的指尖采血检测方法。　　当人体内胰岛素水平低时，无法将葡萄糖转化为能量，转而开始分解脂肪，而酮类物质就是脂肪分解后的副产品之一。如果酮类物质上升到不安全的水平，患有1型糖尿病的人就会出现糖尿病酮症酸中毒的风险，重者危及生命。　　据介绍，目前的样机有3个部件：一个空气取样包、一个传感器头和一个信号处理单元。研究人员说，他们正在致力于把这3个部件压缩到一起，开发出类似于酒精呼吸测试仪的便携设备。这意味着糖尿病患者能够随时随地进行检测。　　此外，小规模研究显示，这种利用传感技术的新设备比传统的指尖采血敏感度提高了两倍。　　领导这个研究团队的纳米光子学专家仪晓可副教授说，对糖尿病患者来说，监测和控制血糖水平是每天的一项关键任务。新设备除了具备测试速度快、测试准确度高等优点，还不含针头且过程无痛，也不会给患者带来其他风险。　　研究人员表示，接下来几个月将展开临床试验，让糖尿病患者试用这种设备。

前文回顾：发明人库尔特的传奇人生——颗粒表征电阻法（上）一、经典库尔特原理在经典电阻法测量中，壁上带有一个小孔的玻璃管被放置在含有低浓度颗粒的弱电解质悬浮液中，该小孔使得管内外的液体相通，并通过一个在孔内另一个在孔外的两个电极建立一个电场。通常是在一片红宝石圆片上打上直径精确控制的小孔，然后将此圆片通过粘结或烧结贴在小孔管壁上有孔的位置。由于悬浮液中的电解质，在两电极加了一定电压后（或通了一定电流后）， 小孔内会有一定的电流流过（或两端有一定的电压），并在那小孔附近产生一个所谓的“感应区”。含颗粒的液体从小孔管外被真空或其他方法抽取而穿过小孔进入小孔管。当颗粒通过感应区时，颗粒的浸入体积取代了等同体积的电解液从而使感应区的电阻发生短暂的变化。这种电阻变化导致产生相应的电流脉冲或电压脉冲。图1 颗粒通过小孔时由于电阻变化而产生脉冲在测量血球细胞等生物颗粒时所用的电解质为生理盐水（0.9%氯化钠溶液），这也是人体内液体的渗透压浓度，红细胞可以在这个渗透压浓度中正常生存，浓度过低会发生红细胞的破裂，浓度过高会发生细胞的皱缩改变。在测量工业颗粒时，通常也用同样的电解质溶液，对粒度在小孔管测量下限附近的颗粒，用 4%的氯化钠溶液以增加测量灵敏度。当颗粒必须悬浮在有机溶剂内时，也可以加入适用于该有机溶液的电解质后，再用此有机 溶液内进行测量。通过测量电脉冲的数量及其振幅，可以获取有关颗粒数量和每个颗粒体积的信息。测量过程中检测到的脉冲数是测量到的颗粒数，脉冲的振幅与颗粒的体积成正比，从而可以获得颗粒粒度及其分布。由于每秒钟可测量多达 1 万个颗粒，整个测量通常在数分钟内可以完成。在使用已知粒度的标准物质进行校准后，颗粒体积测量的准确度通常在 1-2%以内。通过小孔的液体体积可以通过精确的计量装置来测量，这样就能从测量体积内的颗粒计数得到很准确的颗粒数量浓度。 为了能单独测量每个颗粒，悬浮液浓度必须能保证当含颗粒液体通过小孔时，颗粒是一个一个通过小孔，否则就会将两个颗粒计为一个，体积测量也会发生错误。由于浓度太高出现的重合效应会带来两种后果：1）两个颗粒被计为一个大颗粒；2）两个本来处于单个颗粒探测阈值之下而测不到的颗粒被计为一个大颗粒。颗粒通过小孔时可有不同的途径，可以径直地通过小孔，但也可能通过非轴向的途径通过。非轴向通过时不但速度会较慢，所受的电流密度也较大，结果会产生表观较大体积的后果，也有可能将一个颗粒计成两个[1]。现代商业仪器通过脉冲图形分析可以矫正由于非轴向流动对颗粒粒度测量或计数的影响。图2 颗粒的轴向流动与非轴向流动以及产生的脉冲经典库尔特原理的粒度测量下限由区分通过小孔的颗粒产生的信号与各种背景噪声的能力所决定。测量上限由在样品烧杯中均匀悬浮颗粒的能力决定。每个小孔可用于测量直径等于 2%至 80%小孔直径范围内的颗粒，即 40:1 的动态范围。实用中的小孔直径通常为 15 µm 至 2000 µm，所测颗粒粒度的范围为 0.3 µm 至 1600 µm。如果要测量的样品粒度分布范围比任何单个小孔所能测量的范围更宽，则可以使用两个或两个以上不同小孔直径的小孔管，将样品根据小孔的直径用湿法筛分或其他分离方法分级，以免大颗粒堵住小孔，然后将用不同小孔管分别测试得到的分布重叠起来，以提供完整的颗粒分布。譬如一个粒径分布为从 0.6 µm 至 240 µm 的样品，便可以用 30 µm、140 µm、400 µm 三根小孔管来进行测量。 库尔特原理的优点在于颗粒的体积与计数是每个颗粒单独测量的，所以有极高的分辨率，可以测量极稀或极少个数颗粒的样品。由于体积是直接测量而不是如激光衍射等技术的结果是通过某个模型计算出来的，所以不受模型与实际颗粒差别的影响，结果一般也不会因颗粒形状而产生偏差。该方法的最大局限是只能测量能悬浮在水相或非水相电解质溶液中的颗粒。使用当代微电子技术，测量中的每个脉冲过程都可以打上时间标记后详细记录下来用于回放或进行详细的脉冲图形分析。如果在测量过程中，颗粒有变化（如凝聚或溶解过程，细胞的生长或死亡过程等），则可以根据不同时间的脉冲对颗粒粒度进行动态跟踪。 对于球状或长短比很接近的非球状颗粒，脉冲类似于正弦波，波峰的两侧是对称的。对很长的棒状颗粒，如果是径直地通过小孔，则有可能当大部分进入感应区后，此颗粒还有部分在感应区外，这样产生的脉冲就是平台型的，从平台的宽度可以估计出棒的长度。对所有颗粒的脉冲图形进行分析，可以分辨出样品中的不同形状的颗粒。 大部分生物与工业颗粒是非导电与非多孔性的。对于含贯通孔或盲孔的颗粒，由于孔隙中填满了电解质溶液，在颗粒通过小孔时，这些体积并没有被非导电的颗粒物质所替代而对电脉冲有所贡献，所以电感应区法测量这些颗粒时，所测到的是颗粒的固体体积，其等效球直径将小于颗粒的包络等效球直径。对于孔隙率极高的如海绵状颗粒，测出的等效球直径可以比如用激光粒度仪测出的包络等效球小好几倍。 只要所加电场的电压不是太高，通常为 10 V 至 15 V，导电颗粒譬如金属颗粒也可以用电阻法进行测量，还可以添加 0.5%的溴棕三甲铵溶液阻止表面层的形成。当在一定电流获得结果后，可以使用一半的电流和两倍的增益重复进行分析，应该得到同样的结果。否则应使用更小的电流重复该过程，直到进一步降低电流时结果不变。 在各种制造过程中，例如在制造和使用化学机械抛光浆料、食品乳液、药品、油漆和印刷碳粉时，往往在产品的大量小颗粒中混有少量的聚合物或杂质大颗粒，这些大颗粒会严重影响产品质量，需要进行对其进行粒度与数量的表征。使用库尔特原理时，如果选择检测阈值远超过小颗粒粒度的小孔管（小孔直径比小颗粒大 50 倍以上），则可以含大量小颗粒的悬浮液作为基础液体，选择适当的仪器设置与直径在大颗粒平均直径的 1.2 倍至 50 倍左右的小孔，来检测那些平均直径比小颗粒至少大 5 倍的大颗粒 [2]。 二、库尔特原理的新发展 可调电阻脉冲感应法可调电阻脉冲感应法（TRPS）是在 21 世纪初发明的，用库尔特原理测量纳米颗粒的粒度与计数。在这一方法中，一个封闭的容器中间有一片弹性热塑性聚氨酯膜，膜上面有个小孔，小孔的大小（从 300 nm 至 15 m）可根据撑着膜的装置的拉伸而变来达到测量不同粒度的样品。与经典的电阻法仪器一样，在小孔两边各有一个电极，测量由于颗粒通过小孔而产生的电流（电压） 变化。它的主要应用是测量生物纳米颗粒如病毒，这类仪器不用真空抽取液体，而是用压力将携带颗粒的液体压过小孔。压力与电压都可调节以适用于不同的样 品。由于弹性膜的特性，此小孔很难做到均匀的圆形，大小也很难控制，每次测得的在一定压力、一定小孔直径下电脉冲高度与粒度的关系，需要通过测量标准颗粒来进行标定而确定。图3 可调电阻脉冲感应法示意图当小孔上有足够的压力差时，对流是主要的液体传输机制。 由于流体流速与施加的压力下降成正比，颗粒浓度可以从脉冲频率与施加压力之间线性关系的斜率求出。但是需要用已知浓度的标准颗粒在不同压力下进行标定以得到比例系数[3]。 这个技术在给定小孔直径的检测范围下限为能导致相对电流变化 0.05%的颗粒直径。检测范围的上限为小孔孔径的一半，这样能保持较低程度的小孔阻塞。典型的圆锥形小孔的动态范围 为 5:1 至 15:1，可测量的粒径范围通常从 40 nm 至 10 µm。 此技术也可在测量颗粒度的同时测量颗粒的 zeta 电位，但是测量的准确度与精确度都还有待提高，如何排除布朗运动对电泳迁移率测量的影响也是一个难题[4]。微型化的库尔特计数仪随着库尔特原理在生物领域与纳米材料领域不断扩展的应用，出现了好几类小型化（手提式）、微型化的库尔特计数仪。这些装置主要用于生物颗粒的检测与计数，粒度不是这些应用主要关心的参数，小孔的直径都在数百微米以内。与上述使用宏观压力的方法不同的是很多这些设计使用的是微流控技术，整个装置的核心部分就是一个微芯片，携带颗粒的液体在微通道中流动，小孔是微通道中的关卡。除了需要考虑液体微流对测量带来的影响，以及可以小至 10 nm 的微纳米级电极的生产及埋入，其余的测量原理和计算与经典的库尔特计数器并无两致。这些微芯片可以使用平版印刷、玻璃蚀刻、 防蚀层清除、面板覆盖等步骤用玻璃片制作[5]， 也可以使用三维打印的方式制作[6]。一些这类微流控电阻法装置已商业化。图4 微流计数仪示意图利用库尔特原理高精度快速的进行 DNA 测序近年来库尔特原理还被用于进行高精度、快速、检测误差极小的 DNA 或肽链测序。这个技术利用不同类型的纳米孔，如石墨烯形成的纳米孔或生物蛋白质分子的纳米孔，例如耻垢分枝杆菌孔蛋白 A（MspA）。当线性化的 DNA-肽复合物缓慢通过纳米孔时，由于不同碱基对所加电场中电流电压的响应不同，通过精确地测量电流的变化就可对肽链测序。由于此过程不影响肽链的完整性，如果将实验设计成由于电极极性的变化而肽链可以来 回反复地通过同一小孔，就可以反复地读取肽链中的碱基，在单氨基酸变异鉴定中的检测误差率可小于 10-6[7,8]。图5 纳米孔 DNA 测序库尔特原理的标准化 早在 2000 年，国际标准化组织就已成文了电感应区法测量颗粒分布的国际标准（ISO 13319），并得到了广泛引用。在 2007 年与 2021 年国际标准化组织又前后两次对此标准进行了修订。中国国家标委会也在 2013 年对此标准进行了采标，成为中国国家标准（GB/T 29025-2012）。参考文献【1】Berge, L.I., Jossang, T., Feder, J., Off-axis Response for Particles Passing through Long Apertures in Coulter-type Counters, Meas Sci Technol, 1990, 1(6), 471-474. 【2】Xu, R., Yang, Y., Method of Characterizing Particles, US Patent 8,395,398, 2013. 【3】Pei, Y., Vogel, R., Minelli, C., Tunable Resistive Pulse Sensing (TRPS), In Characterization of Nanoparticles, Measurement Processes for Nanoparticles, Eds. Hodoroaba, V., Unger, W.E.S., Shard, A.G., Elsevier, Amsterdam, 2020, Chpt.3.1.4, pp117-136.【4】Blundell, E.L.C.J, Vogel, R., Platt, M., Particle-by-Particle Charge Analysis of DNA-Modified Nanoparticles Using Tunable Resistive Pulse Sensing, Langmuir, 2016, 32(4), 1082–1090. 【5】Zhang, W., Hu, Y., Choi, G., Liang, S., Liu, M., Guan, W., Microfluidic Multiple Cross-Correlated Coulter Counter for Improved Particle Size Analysis, Sensor Actuat B: Chem, 2019, 296, 126615. 【6】Pollard, M., Hunsicker, E., Platt, M., A Tunable Three-Dimensional Printed Microfluidic Resistive Pulse Sensor for the Characterization of Algae and Microplastics, ACS Sens, 2020, 5(8), 2578–2586. 【7】Derrington, I.M., Butler, T.Z., Collins, M.D., Manrao, E., Pavlenok, M., Niederweis, M., Gundlach, J.H., Nanopore DNA sequencing with MspA, P Natl Acad Sci, 107(37), 16060-16065, 2010. 【8】Brinkerhoff, H., Kang, A.S.W., Liu, J., Aksimentiev, A., Dekker, C., Multiple Rereads of Single Proteins at Single– Amino Acid Resolution Using Nanopores, Science, 374(6574), 1509-1513, 2021. 作者简介许人良，国际标委会颗粒表征专家。1980年代前往美国就学，受教于20世纪物理化学大师彼得德拜的关门弟子、光散射巨擘朱鹏年和国际荧光物理化学权威魏尼克的门下，获博士及MBA学位。曾在多家跨国企业内任研发与管理等职位，包括美国贝克曼库尔特仪器公司颗粒部全球技术总监，英国马尔文仪器公司亚太区技术总监，美国麦克仪器公司中国区总经理，资深首席科学家。也曾任中国数所大学的兼职教授。 国际标准化组织资深专家与召集人，执笔与主持过多个颗粒表征国际标准 美国标准测试材料学会与化学学会的获奖者 中国颗粒学会高级理事，颗粒测试专业委员会常务理事 中国3个全国专业标准化技术委员会的委员 与中国颗粒学会共同主持设立了《麦克仪器-中国颗粒学报最佳论文奖》浸淫颗粒表征近半个世纪，除去70多篇专业学术论文、SCI援引近5000、数个美国专利之外，著有400页业内经典英文专著《Particle Characterization： Light Scattering Methods》，以及即将由化学工业出版社出版的《颗粒表征的光学技术及其应用》。点击图片查看更多表征技术

一、项目基本情况项目编号：Hhhx2401-Zjly001项目名称：自治区计量测试研究院2024年第一批专业设备采购项目（三）采购方式：公开招标预算金额（元）：9891150最高限价（元）：1259550,2281400,1400000,2518200,1839500,592500采购需求：标项一 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目（三）-标项1 数量:1 预算金额（元）:1259550 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：本标项采购内容包括呼吸机检测仪（带模拟肺和标准气阻）、高频电刀分析仪校准装置、输液泵/注射泵检测仪、医用离心机检测仪，具体要求详见采购文件。 备注：标项二 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目（三）-标项2 数量:1 预算金额（元）:2281400 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：本标项采购内容包括动态气体配气仪、便携式气体、粉尘、烟尘采样仪综合校准装置、气相色谱仪、液化天然气(LNG)加气机检定装置，示波记录仪具体要求详见采购文件。 备注：标项三 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目（三）-标项3 数量:1 预算金额（元）:1400000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：本标项采购内容包括智能温度自动检定系统，具体要求详见采购文件。 备注：标项四 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目（三）-标项4 数量:1 预算金额（元）:2518200 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：本标项采购内容包括三等金属线纹尺、触针式表面粗糙度仪校准装置（模拟正玄多波刻度样板）、电动螺纹清理机、法兰接口器具检定夹紧台、铠装热电偶、热电阻、减压阀、在线振动管密度计检定装置管道进出口温度计、标准铂电阻温度计、温压装置改造、精密数字压力表、电动螺纹清理机、邵氏硬度计检定装置、加载称重标准测力仪、平板制动力标准测力仪、轮胎压力表检定装置、便携手持式氧气吸入器检测仪、仿组织超声体模、固定式可燃、有毒气体检测报警器、带流量计不锈钢减压阀、带流量计普通减压阀、电导率仪检定装置、电导率仪、pH(酸度)计检定仪、声级计，电缆故障测试仪、绝缘油色谱分析仪、油介损电阻率测量仪、全自动水溶性酸测试仪、全自动酸值测定仪、闭口闪点测试仪、油微水测试仪、全自动张力测定仪、油颗粒计数器、油泥与沉淀物检测仪、绝缘油介电强度测试仪（绝缘油耐压测试仪）、直流电阻测试仪、智能过程校验仪，具体要求详见采购文件。 备注：标项五 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目（三）-标项5 数量:1 预算金额（元）:1839500 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：本标项采购内容包括水平雾滴分布扫描仪、实时频谱分析仪、多点三维风速测试系统（10点）、激光粒度分析仪、水压试验台具体要求详见采购文件。 备注：标项六 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目（三）-标项6 数量:1 预算金额（元）:592500 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：本标项采购内容包括二氧化碳浓度监测设备、烟气湿度仪、力值传感器及仪表（带峰值保持功能）、载荷单元、标准电流互感器（含升流器）、互感器校验仪、电流互感器负荷箱、超声波燃气表、超声流量计、深度学习人工智能工作站具体要求详见采购文件。 备注：合同履约期限：标项 1、2、3、4、5、6，详见招标文件。本项目（否）接受联合体投标。二、获取招标文件时间：2024年03月07日至2024年03月14日，每天上午10:00至14:00，下午15:00至19:00（北京时间，法定节假日除外）地点：新疆政府采购网（政采云平台）方式：供应商登录政采云平台https://www.zcygov.cn/在线申请获取采购文件（进入“项目采购”应用，在获取采购文件菜单中选择项目，申请获取采购文件）售价（元）：0三、对本次采购提出询问，请按以下方式联系1.采购人信息名 称：新疆维吾尔自治区计量测试研究院地 址：乌鲁木齐市河北东路188号联系方式：0991-31915122.采购代理机构信息名 称：新疆华恒惠欣工程项目管理有限责任公司地 址：乌鲁木齐市经济技术开发区上海路浦东街三号联系方式：181309122923.项目联系方式项目联系人：陆原电 话：18130912292

喷涂涂层回路控制新技术Coating AI，实现人工智能涂装，大数据提升涂装质量水平喷涂涂层回路控制新技术，利用人工智能实现自动化涂层过程，提升涂装质量水平和喷涂效率。了解喷涂涂层回路控制技术Coating AI在这个视频里你可以看到，在涂装生产线上使用Coating AI喷涂涂层回路控制新技术实现人工智能涂装，通过大数据优势提升涂装质量水平。使用Coating AI人工智能涂装系统的好处：解决劳动力短缺问题：Coating AI人工智能涂装系统提供了一个专家顾问工具，可以用来定义最佳喷涂参数，节省成本：通过人工智能学习，显著降低粉末消耗，废品率和劳动强度提高喷涂质量Coating AI 可以实现稳定的喷涂质量，即使是不同人不同时间操作也能保证最后的喷涂质量重点解决的问题：喷涂过程非常复杂，控制影响喷涂过程的不同参数非常困难，需要经验丰富的工人，世界范围内缺乏有经验的喷涂工人，这可能带来的后果是喷涂过量，或者使用太多的粉末，导致次品或者废品，以此同时客户追求更高的涂层质量。Coating AI人工智能涂装技术可以解决问题，喷涂涂层回路控制技术Coating AI可以自己学习和理解喷涂过程，能够找到正确的最佳的喷涂参数，使企业能够实时优化喷涂工艺，操作简单，任何人都能够很容易地使用Coating AI调整喷涂生产线。人们可以通过任何的方法轻松访问CoatingAI，CoatingAI可以集成到生产线上，在云端运行，用户可以通过任何设备访问云端数据。操作流程：工人按照之前的操作在工件上喷涂，使用涂魔师涂层测厚仪进行涂层厚度测量，将测量结果传输到co-pilot上，然后使用该测量值优化生产线，co-pilot可以优化生产线质量，获得相同的涂层厚度，提高生产效率，喷涂效率或生产线速度。参数定义CoatingAI 人工智能涂装喷涂回路自动控制系统能够定义实现高质量涂层结果的最佳机器参数，完全独立于生产线操作员的经验闭环回路控制CoatingAI 是第一个为涂层生产线带来闭环回路控制的解决方案。与涂魔师非接触测厚的关系CoatingAI与涂魔师是合作关系，CoatingAI从涂魔师丰富的涂层测厚数据进行训练学习。点击了解更多关于涂魔师非接触无损测厚仪产品信息如果您对CoatingAI人工智能喷涂涂层回路控制技术感兴趣，欢迎联系翁开尔。

近日，广西壮族自治区特种设备检验研究院进行2022年技术机构设备更新，连发两条招标公告，总预算达2580万元，采购X射线机、工业内窥镜、超声波探伤仪、电子天平、气体泄漏检测仪、测厚仪、气相色谱仪、电感耦合等离子体质谱仪、微波消解仪、氦质谱检漏仪等共364台/套仪器设备。其中，招标公告一分为4个标项，预算金额分别为364.67万元、524.66万元、482.16万元、529万元，采购仪器数量分别为74台/套、22台/套、17台/套、46台/套；招标公告二分为2个标项，预算金额分别为334.2万元、345.02万元，采购仪器数量分别为106台/套、99台/套。详情如下：招标公告一（一）项目名称：2022年技术机构设备更新采购（二）项目编号：GXZC2022-G1-001073-GXGL（三）预算总金额：1900.49万元（四）采购需求：标项一预算金额：364.67万元数量：74台/套需求：多功能电梯能效检测仪4台、扶梯多功能测量尺5把、电梯导轨垂直度检测仪2台、电梯安全回路检测仪1台、轿厢意外移动检测仪1台、检验报告制作输出系统1套、一体化电梯限速器测试仪1台、全站仪1台、激光测距仪3台、无损检测仿真软件超声模块（CIVA-UT）1套、相控阵工装（HSPA20-Ae(Bolt)）1套、安全阀定压校验台1台、全自动闭口闪点测定仪1台、电子分析天平1台、便携式电导率仪2台、便携式光学溶氧分析仪1台、电热恒温鼓风干燥箱1台、密封制样粉碎机1台、湿煤破碎机1台、行星球磨机1台、智能型便携式金相仪1台、气体泄漏检测仪2台、手持式可燃气体泄漏检测仪5台、超声波测厚仪2台、汽车自动操作力计1套、机动车方向盘转向力转向角检测仪1台、便携式制动性能测试仪1台、三向加速度测试仪器1台、综合气象仪5台、制动下滑测试仪3台、数字风速仪4台、无线会议话筒1套、高拍仪2台、图像扫描仪2台、不锈钢相控阵超声检测套装1套、充电式多功能磁探仪3台、超声波探伤仪2台、超声波测厚仪3台、手持式X射线合金分析仪1台、无线动态应力应变测试分析系统1台。标项二预算金额：524.66万元数量：22台/套需求：高温红外烟气分析仪1台、烟气预处理器1台、颗粒物测量系统1台、废气盐酸雾硫酸雾氟化物采样装置1台、沥青烟采样管1台、环境空气颗粒物综合采样器（恒温型）4台、高负压环境空气颗粒物采样器4台、污染源真空箱气袋采样器1台、双路VOCs采样器（配烟气预处理器）1台、超声波蒸汽流量计1台、高精度电能分析仪1台、气相色谱质谱联用仪1台、气相色谱仪(FID)1台、气相色谱仪(FID+ECD)含自动进样器1台、顶空自动进样器（16位）1台、热脱附仪（50位）1台。标项三预算金额：482.16万元数量：17台/套需求：全自动固相萃取系统1台、全自动高通量真空平行浓缩仪1台、微波消解/萃取仪1台、电感耦合等离子体质谱仪ICPMS 1台、汞分析仪液体分析附件1套、灰熔点测试仪1台、便携式总有机碳分析仪1台、烘干恒重自动称量系统1套、便携式甲醛检测仪2台、BOD5检测仪1台、BOD快速检测仪1台、紫外分光光度计1台、工业分析仪（水灰+挥发分）1台、库伦测硫仪1台、全自动卡氏水分滴定仪1台、通用切割研磨机1台。 标项四预算金额：529万元数量：46台/套需求：真空度测试仪2台、超声波测厚仪5台、数字式超声波探伤仪1台、磁粉探伤机1台、工业内窥镜1台、静电电阻测量仪2台、液面计校验装置1台、紧急泄放装置校验装置1套、装车软管试验台1套、真空减压阀校验装置1套、抽真空机组（含真空规管和真空计）1套、液位计检查装置1套、天然气瓶喷漆烘干设备1套、气瓶翻转顶升装置（喷漆上下料）1套、氧含量分析仪2台、氦质谱检漏仪（配套标定用标准漏孔）1套、静态蒸发率测试仪1套、气瓶报废设备1台、防静电装置1台、气密性试验台1套、低温移动罐车抽真空设备1套、电动单梁起重机1套、工业阀门试验台1套、工业阀门试验台1套、工业阀门试验台1套、工业阀门试验台1套、蝶阀阀门试验台1套、内外置式安全阀定压校验台1套、安全阀定压校验台1套、安全阀定压校验台1套、安全阀定压校验台1套、紧急切断阀校验装置1套、安全阀在线校验仪1台、安全阀动态研磨机1台、阀门研磨机1台、光纤激光打标机1台、电动叉车（托盘堆垛车）1台、电动搬运车2台。（五）获取招标文件：时间：2022年5月16日至2022年5月23日 ，每天上午8:30至12:00 ，下午15:00至18:00。地点（网址）：“政采云”平台（https://www.zcygov.cn） 。方式：供应商登录政采云平台https://www.zcygov.cn/在线申请获取采购文件（进入“项目采购”应用，在获取采购文件菜单中选择项目，申请获取采购文件） 。（六）联系方式：1. 采购人名称：广西壮族自治区特种设备检验研究院地址：广西南宁市邕宁区仁信路25号项目联系人：黄工项目联系方式：0771-53152992. 采购代理机构名称：广西国力招标有限公司地址：广西南宁市白沙大道53号松宇时代13楼 项目联系人：覃阳项目联系方式：0771-4915199 招标公告二（一）项目名称：2022年技术机构设备更新采购（二）项目编号：GXZC2022-G1-001090-KWZB （三）预算总金额：679.22万元（四）采购需求：标项一预算金额：334.2万元数量：106台/套需求：便携式金相仪1台、充电式抛磨机1台、X射线机2台、手持北斗智能终端1台、多功能数据记录仪2台、参比电极2台、PE管焊缝切边器3台、LED工业观片灯3台、呼吸阀定压校验台1台、多功能电梯能效检测仪12台、超声波探伤仪3台、检验终端（平板电脑）46台、激光测距仪8台、通风柜1台、打标机1台、电磁超声高温腐蚀检测仪1台、防水型充电式旋转磁探仪1台、现场金相打磨抛光机1台、工业内窥镜2台、电梯限速器测试仪2台、X射线荧光分析仪1台、铁素体测试仪1台、钳形接地电阻测试仪5台、呼吸阀定压校验台1台、透涂层测厚仪1台、平衡系数测试仪1台、工具箱1套、电子称1台。 标项二预算金额：345.02万元数量：99台/套需求：电梯曳引性能检测仪2台、IPL瞬时电位记录仪1台、牺牲阳极阴保护电源卫星断流器2台、小管径管环焊缝检测探头套装1套 、中管径管环焊缝及长输管道焊缝检测探头套装1套、声发射腐蚀探头15台、涂层测厚仪(穿透 20mm)2台 、3吨内燃平衡重式叉车2台、电子天平1台、测烟望远镜1台、烟尘浓度测试仪1套、烟气分析仪1台、粉碎机1台、无线动态应力应变测试分析系统1套、起重机1台、呼吸阀综合检测设备1台、便携式烟度计1台、液化石油气气瓶充装模拟机1台、恒磁小一体旋转磁探仪7台、不锈钢检测工装1台、小型射线机1台、接地电阻测试仪3台、电子天平1台、钳形接地电阻测试仪4台、便携式液压测试仪1台、恒磁小一体磁轭探伤仪5 台、呼吸阀综合检测设备1套、汽车自动操作力计4台、机动车方向盘转向力转向角检测仪4台、便携式制动性能测试仪4 台、照度计6台、无线叉车下滑量和门架倾角检测仪1台、电磁测厚仪2台、便携式超声成像检测仪1台、气体泄漏检测仪1台、电梯轿厢意外移动检测仪1台、扶梯同步率测试仪1 台、厂车电池间隙测试仪1台、钳型电流表3 台、脉冲反射法超声检测仪1台、土壤电阻率测试仪1台、手持型GPS定位仪1台、埋地管道泄漏检测仪1台、方向盘转向力-转向角检测仪1台、便携式踏板力手刹力计1台、激光经纬仪1台、机电类检验工具箱2套、力矩扳手1台。（五）获取招标文件 :时间：2022年5月17日至2022年5月24日 ，每天上午00:00至12:00 ，下午12:00至23:59。地点（网址）：“政采云”平台（http：//www.zcygov.cn） 。方式：网上下载。本项目不发放纸质文件，供应商应自行在“政采云”平台（http：//www.zcygov.cn）下载招标文件（操作路径：登录“政采云”平台-项目采购-获取采购文件-找到本项目-点击“申请获取采购文件”），电子投标文件制作需要基于“政采云”平台获取的招标文件编制 。（六）联系方式1. 采购人名称：广西壮族自治区特种设备检验研究院 地址：广西南宁市邕宁区仁信路25号 项目联系人：王工 项目联系方式：0771-5312880 2. 采购代理机构名称：广西科文招标有限公司地址：广西南宁市民族大道141号中鼎万象东方D区5楼项目联系人：李婷项目联系方式：0771-2023873

史上曾经有 400 多种颗粒表征技术，其中有一种以发明者命名的颗粒计数与粒度测试技术至今尚在广泛使用，并且是全球血细胞计数的标准技术，那就是被冠以科学名称电阻法（或电感应区法）的库尔特原理。此项技术自20 世纪 50 年代初发明以来[i]，被广泛应用于医学以及各个工业领域，包括超过 98%的自动细胞计数器[ii,iii]。除了测量各类血细胞外，此原理还可用于表征（计数和粒度测量）合适粒度范围内的任何可悬浮在电解质溶液中的颗粒材料[iv]。在过去 70 多年中，该方法已被用来表征数千种不同的医学与工业颗粒材料，2022 年的谷歌学者搜索发现有近 16 万篇有关库尔特计数器的各类文献。 在电阻法测量中，壁上带有一个小孔的玻璃管被放置在含有低浓度颗粒的弱电解质悬浮液中，该小孔使得管内外的液体相通，并通过一个在孔内另一个在孔外的两个电极建立一个电场。 由于悬浮液中的电解质，在两电极加了一定电压后（或通了一定电流后），小孔内会有一定的电流流过（或两端有一定的电压），并在那小孔附近产生一个所谓的“感应区”。含颗粒的液体从小孔管外被真空或其他方法抽取而穿过小孔进入小孔管。当颗粒通过感应区时，颗粒的浸入体积取代了等同体积的电解液从而使感应区的电阻发生短暂的变化。这种电阻变化导致产生相应的电流脉冲或电压脉冲。通过测量电脉冲的数量及其振幅，可以获取有关颗粒数量和每个颗粒体积的信息。 1 库尔特原理示意图 本文将分为两篇。第一篇介绍库尔特先生，第二篇介绍经典库尔特原理及其最新发展。库尔特先生&库尔特原理库尔特先生是与中美两国有密切关系的一位传奇性人物。2 华莱士• 库尔特（Wallace H. Coulter，1913-1998）他出生于阿肯色州，在乔治亚理工学院学习电子工程。1930 年代，他是美国通用电气公司在中国的销售代理，住在上海和平饭店。 正当他处于热恋之中，与一位白俄罗斯美女在和平饭店品着美酒咖啡，欣赏爵士音乐，漫步月光下的外滩时，太平洋战争爆发，日军侵入了上海的公共租界。他不得不离开恋人，随着日军的不断南侵，从华南经东南亚回到美国。中美 1979 年建交后，他成为最初一批前往中国访问的美商。他与随行人员回到和平饭店那间包房，抚摸着外滩的岸墙，勾起了深深的回忆。他期望在中国政府的帮助下，寻找那在战乱中失联的情人。30多年的动荡岁月，又是一位外籍女子，那是一个达不成的愿望。他钟情一生，终身未婚，也无子女，可是中国情结却挥之不去。 3 库尔特在 1990 年代与中国代表团，右一为作者。早在 1970 年代，库尔特公司就由其英国分公司在华销售血细胞计数仪。中美建交之后的 1980 年代，库尔特公司在蔡光天开办的改革开放早期最大的英语培训学校——上海前进业余进修学校的帮助下，成为最早一批在中国开展业务的美国企业。他办公室内，桌上地下放满了与中国有关的书籍物品，每次有来自中国的访客或员工，他都会亲切地与他们会面，亲自解释库尔特原理。1940 年代，美国在日本投了原子弹后，受辐射区人们需要进行大量的血液检验，但当时的医学界缺乏快速准确的血细胞检验方法。库尔特在自家车库内埋头研究了数年。最初的设计是在一张纸上打一个粗糙的洞，然后将纸浸在液体中。经过无数次的试验与设计改动，并据说他曾经割破自己的手指滴血，来验证他的发明。库尔特最终在 1953 年发明了被世人普遍认可的库尔特原理，并为之成立了库尔特电子公司（Coulter Electronics），量产血液计数仪，给全球血液检验带来了革命性的飞跃。库尔特公司在佛罗里达州全盛时有四五千员工。 库尔特并直接促成了颗粒表征业内另外两家公司的成立与发展。他的一个员工伯格 （Rebert H. Berg, 1921-1999）考虑到工业界颗粒大小的分布一般较宽，线性电子线路无法满足， 发明了对数安排的电子线路，可以测量粒径跨越几个数量级的样品。伯格后来在 1958 年成立了规模较小的颗粒数据实验室（Particle Data Laboratories），在工业界推广库尔特计数仪。而当库尔特母校乔治亚理工学院的奥尔教授（Clyde Orr,1921-2010）与他的博士生亨德里克斯（Warren P. Hendrix,1932-2005）在 1962 年下海生产全球首款商用表面吸附仪时，已在商业上小有成就的库尔特出资促成了麦克仪器公司（Micromeritics Instrument Company）的成立。而麦克仪器公司又在 1997 年收购了由于伯格陷入尼日利亚骗局而濒临破产的公司的库尔特计数仪产品。 4 收藏在美国历史国家博物馆中最早的库尔特计数仪：型号 A当库尔特自知来日不多时， 他想起了老朋友贝克曼（Arnold O. Beckman，1900-2004）。尽管贝克曼早已退休，可是贝克曼仪器公司的文化传承很使库尔特满意，他拒绝了数家更大公司的高价，在贝克曼仪器公司保证保留他姓的条件下，在 1997 年促成了贝克曼库尔特公司的诞生。 他将出售公司获得的款项，建立了有近 5 亿美金的华莱士·H·库尔特基金，专用于通过医学与工程研究而发展医疗保健。库尔特并被美国科学历史研究所列入了名人堂。参考文献【i】 Coulter, W.H., Means for Counting Particles Suspended in a Fluid, US Patent 2,656,508, 1953. 【ii】Graham, M.D., The Coulter Principle: Foundation of an Industry, J Assoc Lab Auto, 2003, 8(6), 72-81. 【iii】 Graham M.D., The Coulter Principle: Imaginary Origins, Cytometry A, 2013, 83(12), 1057-61. 【iv】 Lines, R.W., The Electrical Sensing Zone Method, in Liquid and Surface-Borne Particle Measurement Handbook, Eds. Knapp, J.Z., Barber, T.A., Lieberman, A., Marcel Dekker, New York, 1996, Chpt.4, pp113-154. 作者简介许人良，国际标委会颗粒表征专家。1980年代前往美国就学，受教于20世纪物理化学大师彼得德拜的关门弟子、光散射巨擘朱鹏年和国际荧光物理化学权威魏尼克的门下，获博士及MBA学位。曾在多家跨国企业内任研发与管理等职位，包括美国贝克曼库尔特仪器公司颗粒部全球技术总监，英国马尔文仪器公司亚太区技术总监，美国麦克仪器公司中国区总经理，资深首席科学家。也曾任中国数所大学的兼职教授。 国际标准化组织资深专家与召集人，执笔与主持过多个颗粒表征国际标准 美国标准测试材料学会与化学学会的获奖者 中国颗粒学会高级理事，颗粒测试专业委员会常务理事 中国3个全国专业标准化技术委员会的委员 与中国颗粒学会共同主持设立了《麦克仪器-中国颗粒学报最佳论文奖》浸淫颗粒表征近半个世纪，除去70多篇专业学术论文、SCI援引近5000、数个美国专利之外，著有400页业内经典英文专著《Particle Characterization： Light Scattering Methods》，以及即将由化学工业出版社出版的《颗粒表征的光学技术及其应用》。点击图片查看更多表征技术

FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述：四点探针法，全自动化运行测量系统，PC软件采集和数据处理；参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻；可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择；真空环境，可显示：方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.FT-3110系列全自动四探针测试仪二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量；选择性发射极扩散片；表面钝化片；交叉指样PN结扩散片；新型电极设计，如电镀铜电阻测量等；半导体材料分析，铁电材料，纳米材料，太阳能电池，LCD，OLED，触摸屏等. FT-3110系列全自动四探针测试仪三.技术参数： 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5～2×10^5Ω10^-6～2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5～2×10^5Ω/□10^-6～2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6～2×10^6Ω-cm10-7～2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA， 10mA，100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面：电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围：探针压力可调范围：软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻：≥1000MΩ；机械游移率：≤0.3%圆头铜镀金材质，探针间距1mm；2mm；3mm选配，其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸：2-12寸（6寸150mm，12寸300mm）；方形片：大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性：重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗：100W 16.选购项目电脑和打印机创新点：仪器采用全自动操作，抽真空处理瑞柯全自动四探针测试仪

我们很高兴在此隆重宣布：恒奇公司所代理的梅特勒-托利多全新便携式双通道多参数测试仪系列产品于2009年3月正式上市。　　全新便携式双通道多参数测试仪系列产品包含三款仪表，可用于测量pH、电导率、溶解氧　　和离子浓度。　　全新的便携式双通道多参数测试仪系列产品可广泛应用于制药、生物技术、食品饮料、化　　妆品、环境、教育、化工、石化、电力等各行各业，其全新的设计概念和更便捷的操作将　　大大增加梅特勒-托利多pH产品在便携式仪表市场的竞争力。　　我们坚信，全新便携式双通道多参数测试仪系列产品的上市必将为我们赢得更多的用户!　　让我们共同努力开创崭新的局面!　　仪器说明：　　SevenGo Duo (SG23)　　• 单通道或双通道快速、简单的测量　　• 可同时测量和显示pH/mV和电导率/TDS/电阻率/盐度　　• 坚固耐用的IP67防尘防水仪表，适合苛刻环境中使用　　• 高分辨率的显示和超大字体，保证操作无比轻松　　• 自动、手动终点模式，确保测量的重复性　　• 99组数据存储　　• ISM智能电极管理，保证使用最新的校准数据　　• 丰富的附件，包括双电极夹、橡胶护套、户外便携箱SevenGo Duo pro(SG78/SG68)　　• 可同时测量和显示pH/mV/离子和电导率/TDS/电阻率/盐度或pH/mV/离子和溶解氧　　• 直观友好的操作界面，包括中文在内的10种菜单语言　　• 背光功能，可在光线不足的环境下使用　　• 现代化的仪器安全性保证，包括普通与专家模式、校准提醒、密码保护、限值监测　　• 支持GLP格式，可存储500组数据　　• 红外线无线通讯，连接电脑或打印机　　• 自动、手动、定时3种终点模式，适合不同样品测量，确保测量的重复性　　• 更丰富的ISM智能电极管理，可直接读取电极的序列号、ID、最近5次校准数据

5月12日，国务院关税税则委员会发布关于第二批对美加征关税商品第二次排除清单的公告。根据《国务院关税税则委员会关于试行开展对美加征关税商品排除工作的公告》（税委会公告〔2019〕2号），经国务院批准，国务院关税税则委员会公布第二批对美加征关税商品第二次排除清单，对第二批对美加征关税商品，第二次排除其中部分商品，自2020年5月19日至2021年5月18日，不再加征我为反制美301措施所加征的关税。对已加征的关税税款予以退还，相关进口企业应自排除清单公布之日起6个月内按规定向海关申请办理。第二批对美加征关税的其余商品，暂不予排除。未列入第一批、第二批对美加征关税商品排除清单的商品，企业可根据《国务院关税税则委员会关于开展对美加征关税商品市场化采购排除工作的公告》（税委会公告〔2020〕2号），申请市场化采购排除。第二批对美加征关税商品第二次排除清单序号EX①税则号列②商品名称125070010高岭土225120010硅藻土325199091化学纯氧化镁425262020已破碎或已研粉的天然滑石525309020稀土金属矿626161000银矿砂及其精矿7ex26169000黄金矿砂8ex28046190其他含硅量＞99.9999999%的多晶硅（太阳能级多晶硅、多晶硅废碎料除外）928100020硼酸1028181090其他人造刚玉1128401100无水四硼酸钠1228401900其他四硼酸钠13ex28439000贵金属汞齐14ex28439000其他贵金属化合物（不论是否已有化学定义），氯化钯、铂化合物除外15ex28444090其他放射性元素、同位素及其化合物（子目2844.10、2844.20、2844.30以外的放射性元素,同位素）,含这些元素、同位素及其化合物的合金、分散体（包括金属陶瓷）、陶瓷产品及混合物。以下除外：铀-233及其化合物（包括呈金属、合金、化合物或浓缩物形态的各种材料）；氚、氚化物和氚的混合物，以及含有上述任何一种物质的产品[氚-氢原子比 1‰的，不包括含氚（任何形态）量 1.48× 103GBq的产品]；氦-3（3He）、含有氦-3的混合物（不包括氦-3的含量 1克的产品）；发射α粒子，其α半衰期为10天或更长但小于200年的放射性核素（1.单质；2.含有α总活度为37GBq/kg或更大的任何这类放射性核素的化合物；3.含有α总活度为37GBq/kg或更大的任何这类放射性核素的混合物；4.含有任何上述物质的产品，不包括所含α活度小于3.7GBq的产品）1628459000税目2844以外的其他同位素及其化合物1728500012氮化硼1829032990其他无环烃的不饱和氯化衍生物1929033990其他无环烃的氟化、溴化或碘化衍生物2029051990其他饱和一元醇21ex290539901,3-丙二醇2229054400山梨醇序号EX①税则号列②商品名称23ex29159000其他饱和无环一元羧酸及其酸酐[（酰卤、过氧）化物,过氧酸及其卤化、硝化、磺化、亚硝化衍生物]，茅草枯、抑草蓬、四氟丙酸和氟乙酸钠除外2429182900其他含酚基但不含其他含氧基羧酸及其酸酐等衍生物25ex29269090己二腈26ex29319000硫酸三乙基锡,二丁基氧化锡等（包括氧化二丁基锡,乙酸三乙基锡,三乙基乙酸锡）2729333100吡啶及其盐28ex29336990西玛津、莠去津、扑灭津、草达津等（包括特丁津、氰草津、环丙津、甘扑津、甘草津）2929371210重组人胰岛素及其盐3038030000妥尔油31ex38089400医用消毒剂3238112100含有石油或从沥青矿物提取的油类的润滑油添加剂3338180019经掺杂用于电子工业的,已切成圆片等形状，直径＞15.24cm的单晶硅片3438180090其他经掺杂用于电子工业的化学元素,已切成圆片等形状；经掺杂用于电子工业的化合物355603129025g＜每平米≤70g其他化纤长丝无纺织物365603131070g＜每平米≤150g浸渍化纤长丝无纺织物375603139070g＜每平米≤150g其他化纤长丝无纺织物38ex59119000半导体晶圆制造用自粘式圆形抛光垫3968042110粘聚合成或天然金刚石制的砂轮4068042190粘聚合成或天然金刚石制的其他石磨、石碾及类似品4168151000非电器用石墨或其他碳精制品4269091100实验室、化学或其他技术用陶瓷器4369091200莫氏硬度为9或以上的实验室、化学或其他技术用品4470071110航空航天器及船舶用钢化安全玻璃4573181510抗拉强度在800兆帕及以上的螺钉及螺栓，不论是否带有螺母或垫圈4674101100无衬背的精炼铜箔4774101210无衬背的白铜或德银铜箔4874102110印刷电路用覆铜板4975052200镍合金丝5075062000镍合金板、片、带、箔5175071200镍合金管序号EX①税则号列②商品名称5276082010外径不超过10厘米的铝合金管5381089040钛管5485013100输出功率不超过750瓦的直流电动机、发电机5585015200输出功率超过750瓦，但不超过75千瓦的多相交流电动机5685044014功率小于1千瓦，精度低于万分之一的直流稳压电源5785044091具有变流功能的半导体模块（静止式变流器）5885052000电磁联轴节、离合器及制动器5985073000镍镉蓄电池6085112010机车、航空器及船舶用点火磁电机、永磁直流发电机、磁飞轮6185113010机车、航空器及船舶用分电器及点火线圈62ex85143000电弧重熔炉、电弧熔炉和电弧融化铸造炉（容量1000-20000立方厘米,使用自耗电极,工作温度1700℃以上）6385168000加热电阻器6485177060光通信设备的激光收发模块6585258011特种用途的电视摄像机6685258021特种用途的数字照相机6785261010导航用雷达设备68ex85261090飞机机载雷达（包括气象雷达,地形雷达和空中交通管制应答系统）6985291010雷达及无线电导航设备用天线或天线反射器及其零件7085299050雷达设备及无线电导航设备用的其他零件7185371011用于电压不超过1000伏线路的可编程序控制器72ex85371090数字控制器（专用于编号84798999.59电动式振动试验系统）7385392120火车、航空器及船舶用卤钨灯7485392190其他卤钨灯7585394900紫外线灯管或红外线灯泡7685407910调速管77ex85437099飞行数据记录器、报告器7885439021输出信号频率小于1500兆赫兹的通用信号发生器用零件79ex85489000非电磁干扰滤波器注：①ex表示排除商品在该税则号列范围内，以具体商品描述为准。②为《中华人民共和国进出口税则（2020）》的税则号列。延伸阅读：中国公布第一批对美加征关税商品第二次排除清单

据路透社5月20日报道，美国当局于当地时间20日对纽约大学三名研究人员提起刑事指控，指控他们收受中国医疗研究公司及机构的贿赂，泄露纽约大学核磁共振造影(MRI)技术研究的细节。　　曼哈顿地区法院提出刑事申诉，指控44岁的朱宇东(音)、31岁的杨兴(音)和31岁的李烨(音)涉嫌犯有商业贿赂罪。　　联邦检察官和联邦调查局(FBI)称，上述三人共同收受来自中国联影医疗科技(United Imaging Healthcare)及中国一家研究机构的贿赂。　　曼哈顿地区法官Preet Bharara在声明中称：“正如指控所言，这是一起引狼入室案件”。他指出，盗窃研究成果“是严重犯罪，我们对此无法容忍”。　　检方称，三名被告受贿后提供了纽约大学核磁共振造影研究方面的秘密信息。 除了被控收受贿赂，朱宇东还面临涉嫌伪造美国国立卫生研究所(NIH)一项授权的指控。检方称，这项授权价值400万美元。　　检方称，朱宇东和杨兴已于19日在纽约的家中被捕，李烨据信已在5月10日回到中国。记者无法立即找到李烨就此发表评论。　　刑事申诉书中没有明确提到纽约大学，只是称上述三人在纽约一所大学的研究医疗中心工作。但纽约大学发言人证实，上述三人在该校朗格尼医学中心(Langone Medical Center)工作。

产品特点一、结构实用性；先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到达50℃时，排温风扇将自动启动，使炉体表面快速降温。二、使用安全性；1、炉门开启自动断电功能；使炉门打开后自动断电。2、超温保护功能；当温度超过允许设定值后，自动断电及报警。3、漏电保护功能；当炉体漏电时自动断电。以上功能确保了使用的安全性。三、控制智能化；1、电炉温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、模糊控制、自整定功能，并可编制各种升降温程序。2、国产智能控温系统可定值升温（不可编程），国产程序控温系统可编辑30段程序控温，进口程序控温系统可编辑40段程序控温。3、电炉内配置有485转换接口，可实现与计算机相互连接，通过专用的计算机控制系统来完成与单台或多达200台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。四、设计独立性；该设备为专利产品，具有多项独立自主的知识产权专利，外观美观、结构合理、使用方便。彩色触摸屏显示画面有仪表屏、光柱图、实时曲线、历史曲线、数据报表、报警报表等、全中文触摸式操作，功能全面并且使用方便。 电炉特殊保护功能电流限幅功能此功能延长了硅钼棒加热元件使用寿命对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护，保护用户在误操作时电炉使用安全。 电流缓启动功能对用户供电设备免受大电流冲击提供安全保护，即使中途取放物料，也可使测温系统随时响应温度变化。 炉膛材料采用专利新型陶瓷耐火材料炉温可达1750℃1、使用温度高达1750℃；可长时间使用在1700℃；2、无纤维-无环境污染和人体健康危害的危险 高纯度,不吸波；3、洁净度高。材料都经过高温烧结，不含有机粘接剂和有机挥发物；4、强度高，不易掉渣。耐磨，抗冲刷；5、适用于还原气氛和碱性气氛；创新点：1750℃炉温SX-G03173M台式高温箱式电阻炉1750℃炉温SX-G03173M台式高温箱式电阻炉