高密度化学气相沉积系统

热塑性塑料波纹管排水管导管高密度管材抗压测试 环刚度试验机ZB-810型50KN伺服控制环刚度试验机主要适用于各类管材的环刚度指标测试，更换不同夹具，还可以做拉伸、弯曲等试验。环刚度试验机仪器特点：1. 采用高精度力量传感器，具有精度高，线性好等优点；2. 动力系统采用伺服电机+伺服驱动器＋台湾ABBA滚珠丝杆＋同步带传动，运行平稳，噪音低；3. 上下夹具同轴度好且整体机械结构刚度高；4.采集数据量处理能力强，可同时对多条测试曲线进行对比分析；5.安全设施专业化，具有过载自动保护停机、上下行程限位保护停机、漏电自动断电保护；6.位移、速度、力量三闭环控制系统，同步采集频率达120Hz以上，即使在材料屈服阶段也能保证数据真实可靠；7.可实现定速度、定位移、定荷重(可设定保持时间)、定荷重增率、定应力增率、定应变增率等控制模式加上多阶控制模式可满足不同的测试要求；8.软件操作界面可实现中英文及其它小语种任意切换，试验报告可通过Excel或Word文档格式输出。关于正瑞泰邦江苏正瑞泰邦电子科技有限公司坐落在历史文化名城扬州，由成立于2007年的江都市天璨试验机械厂经过十年发展而来。公司拥有专业的技术开发和售后服务团队，主要生产物理性能测试仪器及相关软件开发，产品涉及材料力学性能试验、材料燃烧测试、高低温环境试验、橡胶加工设备四大板块；销售网络遍布全国并远销韩国、日本、中东等地区。主要服务于石油化工企业、原材料检测单位、高校及第三方检测机构等。 多年来，我们一直坚持以“多元化、一站式”服务为中心，站在用户角度思考问题，急用户之所急，尽量为用户提供所需要的成套设备及工具。特别是在用户实验室建设初期，我们免费提供经验及方案供参考，得到了广大用户的好评。同时，我们拥有自主进出口权，可以为用户在海外实验室提供“门到门”（DTD）服务；真正做到生产、销售、送货上门、安装调试及售后一条龙服务。节约用户时间和精力是我们的售前服务初衷，快速、圆满的解决问题是我们的售后服务宗旨。

p　　阻变存储器、相变存储器、磁存储器、高灵敏度磁传感器和隔离耦合器件等是具有良好应用前景的新型存储和磁电子技术，在移动通信、个人电脑、数码相机、电子标签等领域具有广阔的市场价值。“十二五”期间，863计划新材料技术领域支持了 “高密度存储与磁电子材料关键技术”主题项目。近日，科技部高新司在北京组织专家对该主题项目进行了验收。/pp　　该项目开展了与CMOS工艺兼容的阻变与电极材料组合体系研究，研发的TaOx阻变存储器 芯片制造基于中芯国际集成电路制造有限公司8英寸0.13um标准逻辑生产工艺线，芯片级读取时间达到十纳秒级，写操作电压满足0.13um或0.11um技术代标准逻辑工艺IO承受电压 研发了低热导率的新型超晶格相变材料，研发了非对称环状微电极结构相变存储器单元，制备出了相变存储器阵列；开展了磁性隧道结等磁电子材料研究，制备了基于磁遂道结的磁传感器原型器件，完成了基于磁电子材料的具有非易失性锁存功能的双芯和三芯两种单通道数据隔离耦合接口芯片。该项目的实施突破了先进的高密度存储与磁电子材料器件的关键技术，培养了高水平信息存储与磁电子器件研发队伍，对于我国新型电子材料技术与信息产业的发展具有支撑作用。/pp　　“十三五”期间，为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展，科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》，并将“战略性先进电子材料”列为发展重点之一，重点围绕第三代半导体和微电子材料的研发，着力解决半导体及微电子产业面临的重大共性问题，在核心半导体材料的设计、生产工艺流程的优化以及关键技术的开发等方面形成突破，力争推动跨界技术整合，抢占先进电子材料技术的制高点。/pp/p

2023年3月28日，德州仪器 (TI)(纳斯达克股票代码：TXN)宣布推出业内先进的独立式有源电磁干扰 (EMI) 滤波器集成电路 (IC)，能够帮助工程师实施更小、更轻量的 EMI 滤波器，从而以更低的系统成本增强系统功能，同时满足 EMI 监管标准。随着电气系统变得愈发密集，以及互连程度的提高，缓解 EMI 成为工程师的一项关键系统设计考虑因素。得益于德州仪器研发实验室 Kilby Labs 针对新概念和突破性想法的创新开发，新的独立式有源 EMI 滤波器 IC 产品系列可以在单相和三相交流电源系统中检测和消除高达 30dB 的共模 EMI(频率范围为 100kHz 至 3MHz)。与纯无源滤波器解决方案相比，该功能使设计人员能够将扼流圈的尺寸减小 50%，并满足严苛的 EMI 要求。更多有关德州仪器新的电源滤波器 IC 产品组合的信息，请参阅TI.com/AEF。 　　德州仪器开关稳压器业务部总经理 Carsten Oppitz 表示："为了满足客户对更高性能和更低成本系统的需求，德州仪器持续推动电源创新，从而以具有成本效益的方式应对 EMI 设计挑战。我们相信，新的独立式有源 EMI 滤波器 IC 产品组合将进一步助力工程师解决他们所面临的设计挑战，并大幅提高汽车、企业、航空航天和工业应用中的性能和功率密度。" 　　显著缩减系统尺寸、重量和成本，并提高可靠性 　　如何实施紧凑和高效的 EMI 输入滤波器设计是设计高密度开关稳压器时的主要挑战之一。通过电容放大，这些新的有源 EMI 滤波器 IC使工程师能够将共模扼流圈的电感值降低多达 80%，这将有助于以具有成本效益的方式提高机械可靠性和功率密度。 　　新的有源 EMI 滤波器 IC 系列包括针对单相和三相商业应用的 TPSF12C1 和 TPSF12C3，以及面向汽车应用的 TPSF12C1-Q1 和 TPSF12C3-Q1。这些器件可有效降低电源 EMI 滤波器中产生的热量，从而延长滤波电容器的使用寿命并提高系统可靠性。 　　新的有源 EMI 滤波器 IC 包括传感、滤波、增益、注入阶段。该 IC 采用 SOT-23 14 引脚封装，并集成了补偿和保护电路，从而进一步降低实施的复杂性并减少外部组件的数量。 　　减轻共模发射以满足严格的EMI标准 　　国际无线电干扰特别委员会 (CISPR) 标准是限制电气和电子设备中 EMI 的全球基准。TPSF12C1、TPSF12C3、TPSF12C1-Q1 和 TPSF12C3-Q1 有助于检测、处理和降低各种交流/直流电源、车载充电器、服务器、UPS 和其他以共模噪声为主的类似系统中的 EMI。工程师将能够应对 EMI 设计挑战，并满足 CISPR 11、CISPR 32 和 CISPR 25 EMI 要求。 　　德州仪器的有源 EMI 滤波器 IC 满足 IEC 61000-4-5 浪涌抗扰度要求，从而大幅减少了对瞬态电压抑制 (TVS) 二极管等外部保护元件的需求。借助 PSpice® for TI 仿真模型和快速入门计算器等支持工具，设计人员可以轻松地为其系统选择和实施合适的元件。 　　德州仪器始终致力于通过持续的突破性成果进一步推动电源发展，例如，低 EMI 电源创新可帮助工程师缩减滤波器尺寸和成本，同时显著提高设计的性能、可靠性和功率密度。 　　封装及供货情况 　　车规级TPSF12C1-Q1 和 TPSF12C3-Q1 现已预量产，仅可从 TI.com.cn 购买，采用 4.2mm x 2mm SOT-23 14 引脚封装。2023 年 3 月底，商用级 TPSF12C1 和 TPSF12C3 的预量产产品将可通过 TI.com.cn 购买。TPSF12C1QEVM 和 TPSF12C3QEVM 评估模块可在 TI.com.cn 上订购。TI.com.cn 提供多种付款方式和配送选项。德州仪器预计各器件将于 2023 年第二季度实现量产，并计划在 2023 年晚些时候发布另外的独立式有源 EMI 滤波器 IC。

CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展，CVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些CVD技术。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。【市场分析】上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD）HDP-CVD 是一种利用电感耦合等离子体 （ICP） 源的化学气相沉积设备，是一种越来越受欢迎的等离子体沉积设备。HDP-CVD（也称为ICP-CVD）能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD 提供几乎独立的离子通量和能量控制，提高了沟槽或孔填充能力。但是，HDP-CVD 配置的另一个显著优势是，它可以转换为用于等离子体刻蚀的 ICP-RIE。 在预算或系统占用空间受限时，优势明显。听起来可能很奇怪。但是这两种类型的工艺确实可以在同一个系统中运行。虽然存在一些内部差异，例如额外的气体入口，但两种设备的核心结构几乎完全相同。在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用PECVD进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，PECVD工艺一步填充具有高的深宽比的间隔时会在间隔中部产生夹断和空洞。在探索如何同时满足高深宽比间隙的填充和控制成本的过程中诞生了HDP CVD工艺，它的突破创新之处在于，在同一个反应腔中同步地进行沉积和刻蚀工艺。微波等离子化学气相沉积（MPCVD）微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。该方法利用电磁波能量来激发反应气体。由于是无极放电，等离子体纯净，同时微波的放电区集中而不扩展，能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的最大动能低，不会腐蚀已生成的金刚石。通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，因而有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，这一点又是火焰法所难以达到的，因而微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有制备法中显得十分的突出。微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-MPCVD）在MPCVD中为了进一步提高等离子体密度，又出现了电子回旋共振MPCVD（Electron Cyclotron Resonance CVD，简称ECR-MPCVD）。由于微波CVD在制备金刚石膜中的独有优势，使得研究人员普遍使用该方法制备金刚石膜，通过大量的研究，不仅在MPCVD制备金刚石膜的机理上取得了显著的成果，而且用CVD法制备的金刚石膜也广泛的用于工具、热沉、光学、高温电子等领域的工业研究与应用。超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）是制备优质亚微米晶体薄膜、纳米结构材料、研制硅基高速高频器件和纳电子器件的关键的先进薄膜技术。超高真空化学气相沉积技术发展于20世纪80年代末，是指在低于10-6 Pa (10-8 Torr) 的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程，特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。石墨烯就是可以通过UHV/CVD生产的材料之一。与传统的气相外延不同，UHV/CVD技术采用低压和低温生长，能够有效地减少掺杂源的固态扩散，抑制外延薄膜的三维生长。UHV/CVD系统反应器的超高真空避免了Si衬底表面的氧化,并有效地减少了反应气体所产生的杂质掺入到生长的薄膜中。在超高真空条件下，反应气分子能够直接传输到衬底表面，不存在反应气体的扩散及分子间的复杂相互作用，沉积过程主要取决于气-固界面的反应。传统的气相外延中，气相前驱物通过边界层向衬底表面的扩散决定了外延薄膜的生长速率。超高真空使得气相前驱物分子直接冲击衬底表面，薄膜的生长主要由表面的化学反应控制。因此，在支撑座上的所有基片(衬底)表面的气相前驱物硅烷或锗烷分子流量都是相同的，这使得同时在多基片上实现外延生长成为可能。低压化学气相沉积（LPCVD）低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下的一种CVD反应。LPCVD压强下降到约133Pa以下，与此相应，分子的自由程与气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加，即使平行垂直放置片子片子的片距减小到5~10mm，质量传输限制同片子表面化学反应速率相比仍可不予考虑，这就为直立密排装片创造了条件，大大提高了每批装片量。以LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量。再者LPCVD并不需要载子气体，因此大大降低了颗粒污染源，被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中，用以作薄膜的沉积。LPCVD广泛用于二氧化硅（LTO TEOS）、氮化硅（低应力）（Si3N4）、多晶硅（LP-POLY）、磷硅玻璃（BSG）、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜。热化学气相沉积(TCVD)热化学气相沉积(TCVD)是指利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。广泛应用的TCVD技术如金属有机化学气相沉积、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于热化学气相沉积的范围。热化学气相沉积按其化学反应形式可分成几大类：（1）化学输运法：构成薄膜物质在源区与另一种固体或液体物质反应生成气体.然后输运到一定温度下的生长区，通过相反的热反应生成所需材料，正反应为输运过程的热反应，逆反应为晶体生长过程的热反应。（2）热解法：将含有构成薄膜元素的某种易挥发物质，输运到生长区，通过热分解反应生成所需物质，它的生长温度为1000-1050摄氏度。（3）合成反应法：几种气体物质在生长区内反应生成所生长物质的过程，上述三种方法中，化学输运法一般用于块状晶体生长，分解反应法通常用于薄膜材料生长，合成反应法则两种情况都用。热化学气相沉积应用于半导体材料，如Si，GaAs，InP等各种氧化物和其它材料。高温化学气相沉积（HTCVD）高温化学气相沉积是碳化硅晶体生长的重要方法。HTCVD生长碳化硅晶体是在密闭的反应器中，外部加热使反应室保持所需要的反应温度（2000℃~2300℃）。高温化学气相沉积是在衬底材料表面上产生的组合反应，是一种化学反应。它涉及热力学、气体输送及膜层生长等方面的问题，根据反应气体、排出气体分析和光谱分析，其过程一般分为以下几步：混合反应气体到达衬底材料表面；反应气体在高温分解并在衬底材料表面上产生化学反应生成固态晶体膜；固体生成物在衬底表面脱离移开，不断地通入反应气体，晶体膜层材料不断生长。中温化学气相沉积（MTCVD）MTCVD硬质涂层工艺技术，在20世纪80年代中期就已问世，但在当时并没有引起人们的重视，直到20世纪90年代中期，世界上主要硬质合金工具生产公司，利用HTCVD和MTCVD技术相结合，研究开发出新型的超级硬质合金涂层材料，有效地解决了在高速、高效切削、合金钢重切削、干切削等机械加工领域中，刀具使用寿命低的难高强度题才引起广泛的重视。目前，已在涂层硬质合金刀具行业投入生产应用，效果十分显著。MTCVD技术沉积工艺如下。沉积温度：700~ 900℃；沉积反应压力：2X103~2X104Pa；主要反应气体配比： CH3CN：TiCl4：H2=0.01：0.02：1；沉积时间：1一4h。金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。MOCVD适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体，非常适合于生长各种异质结构材料，还可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡，生长易于控制，可以生长纯度很高的材料，外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产。激光诱导化学气相沉积（LCVD）LCVD是利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。根据激光在化学气相沉积过程中所起的作用不同可以将LCVD分为光LCVD和热LCVD，它们的反应机理也不尽相同。光LCVD是利用反应气体分子或催化分子对特定波长的激光共振吸收，反应分子气体收到激光加热被诱导发生离解的化学反应，在合适的制备工艺参数如激光功率、反应室压力与气氛的比例、气体流量以及反应区温度等条件下形成薄膜。光LCVD原理与常规CVD主要不同在于激光参与了源分子的化学分解反应，反应区附近极陡的温度梯度可精确控制，能够制备组分可控、粒度可控的超微粒子。热LCVD主要利用基体吸收激光的能量后在表面形成一定的温度场，反应气体流经基体表面发生化学反应，从而在基体表面形成薄膜。热LCVD过程是一种急热急冷的成膜过程，基材发生固态相变时，快速加热会造成大量形核，激光辐照后，成膜区快速冷却，过冷度急剧增大，形核密度增大。同时，快速冷却使晶界的迁移率降低，反应时间缩短，可以形成细小的纳米晶粒。除以上提到的薄膜沉积方法外，还有常压化学气相沉积（APCVD）等分类技术。

化学气相沉积是使几种气体在高温下发生热化学反应而生成固体的方法，等离子体化学气相沉积是通过能量激励将工作物质激发到等离子体态从而引发化学反应生成固体方法。因为等离子体具有高能量密度、高活性离子浓度、故而可以引发在常规化学反应中不能或难以实现的物理变化和化学变化，且具有沉积温度低、能耗低、无污染等优点，因此等离子体化学气相沉积法得到了广泛的应用。微波等离子体也具有等离子体洁净、杂质浓度低的优点，因而微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）成为制备高质量金刚石的优先方法，也是目前有发展前景的高质量金刚石（单晶及多晶）沉积方法之一。MPCVD设备反应腔示意图金刚石具有优异的力学、电学、光学、热学、声学性能，在众多领域具有广泛的用途。而这些用途的实现在很大程度上依赖于高取向和单晶金刚石以及大面积透明金刚石膜。由于金刚石生长过程中普遍存在缺陷以及难以获取大面积范围内均匀温度场等参数，导致金刚石的取向发生改变，使高取向和单晶金刚石以及大面积透明金刚石膜的获得十分困难。因此，目前金刚石研究面临的大挑战和困难是如何制备优质单晶、多晶金刚石样品。 德国iplas公司基于 CYRANNUS 多天线耦合技术，解决了传统的单天线等离子技术的局限。CYRANNUS技术采用腔外多天线设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，减少杂质来源，提高晶体纯度（制备的金刚石单晶纯度可达VVS别以上）。MPCVD系统可合成饰钻石 同时稳定的微波发生器也易于控制，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石及薄膜提供了有力保证。 MPCVD系统可合成优质大尺寸金刚石薄膜 MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。相关产品链接 微波等离子化学气相沉积系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C184528.htm

项目编号：0773-2240SHHW0019项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目预算金额：663.0789000 万元（人民币）最高限价（如有）：663.0789000 万元（人民币）采购需求：项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目包件1：反应离子束刻蚀系统；数量及单位：1台；简要技术参数：3、等离子体源3.1、射频发生器：最大功率300瓦，13.56MHz，带自动匹配单元；★3.2、ICP源发生器：最大功率3000瓦，2.0MHz，带自动匹配单元；包件2：感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统；数量及单位：1台；简要技术参数：★1、SiO2的标准沉积速率：≥40 nm/min；高速沉积速率：≥500 nm/min2、SiO2薄膜沉积厚度：≥6um。其余详见本项目招标文件。合同履行期限：自合同签订之日起250天内；本项目( 不接受 )联合体投标。

p　　5月24日，中国科学院条件保障与财务局组织专家对中国科学院宁波材料技术与工程研究所承担的“面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”和“微细球状非晶粉末制备装置”两个院科研装备项目进行了技术验收和综合验收。/pp　　两个项目的技术验收会于5月24日上午举行，条件保障与财务局科技条件处高级工程师张红松首先介绍了现场测试的具体要求，并宣布了专家组名单。技术测试专家组由6位专家组成，中科院半导体所谢亮研究员和中科院沈阳金属所张海峰研究员分别担任两个项目技术验收专家组组长。项目的技术测试大纲经专家组审议通过后，专家组分别在设备现场按照测试大纲逐项进行测试，将测试结果与项目任务书比对后，专家组一致认为两套研制设备的技术指标均达到或优于实施方案的要求，同意提交综合验收专家组验收。/pp　　项目的总体验收于 5月24日下午举行，张红松介绍了总体验收要求并宣布了专家组名单。专家组由8位专家组成，包括1位装备研制项目专家、6位技术专家，1位财务专家，组长由中科院微电子所夏洋研究员担任。专家组分别听取了两个项目工作汇报、使用报告、测试报告和财务报告。/pp　　“面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”项目研制了一套中压等离子体化学气相沉积系统，实现了硅材料的超高速、低温外延生长 并且通过在线发射光谱和激光吸收光谱的实时检测分析系统，实现了对中压等离子体沉积过程的有效控制。利用该系统，项目组研究了气体组分、沉积压力、氢气浓度等工艺参数与沉积薄膜性能之间的影响规律，为碳化硅、石墨烯等薄膜材料的低温、快速生长提供了一个研究开发平台。/pp　　“微细球状非晶粉末制备装置”项目研制出了一套微细球状非晶粉末制备装置，研究了熔体温度、喷嘴直径、回转圆盘转速等工艺条件对粉末粒径、非晶度和氧含量的影响规律，开发了一套新型微细金属粉末制备的新技术，实现了平均粒径在10μm左右的高质量非晶粉末的制备。基于此装备，项目组开展了微细非晶合金粉末的吸波性能研究，为采用新型非晶软磁合金材料、设计和开发具有宽频带、强屏蔽效能的轻薄型磁屏蔽和吸波材料奠定了实验基础。/pp　　专家组现场查看了研制仪器设备的运行情况，审查了相关文件档案和项目经费使用情况，经讨论，专家组一致认为，两个项目均完成了实施方案中规定的研究内容，各项技术指标达到要求，项目文件档案齐全，经费使用基本合理，同意项目通过验收。/pp　　张红松对宁波材料所两个项目顺利通过验收表示祝贺，并在最后的总结中提出希望，希望项目组能够充分发挥研制装备的价值，进一步研究开发及成果转化，发挥好中科院科研装备研制项目的效能。/pcenterimg alt="" src="http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854310154.jpg" height="375" width="500"//centerp style="text-align: center "　　技术验收会现场/pcenterimg alt="" src="http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854432504.jpg" height="375" width="500"//centerp style="text-align: center "　　现场查看研制仪器设备的运行情况/pcenterimg alt="" src="http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854493166.jpg" height="375" width="500"//centerp style="text-align: center "　　现场查看研制仪器设备的运行情况/p

作为衡量物质物理性质的典型指标之一，密度的概念对大多数人来说并不陌生。每种物质都有一定的密度，且不同物质的密度不同。因此，我们可以利用密度来鉴别材料及其组成成分，判断材料质量等等，进而指导生产和控制质量。天平是密度测定时必不可少的仪器，用于确定样品在空气中和在液体里的质量，从而获得样品密度。哪些天平可以测定密度？奥豪斯提供密度测定组件，包括玻璃烧杯、固定支架、容器支架、温度计、适用于漂浮和非漂浮固体的挂篮、一瓶润湿剂以及下沉锤（选配）。将组件安装在天平上，可以测定固体和液体的密度。此组件适用于奥豪斯Explorer（EX）、Adventurer（AX）和Pioneer（PX）系列天平，可读性为1mg、0.1mg和0.01mg的型号。是否需要手动计算密度结果？-不需要奥豪斯天平内置“密度测定”称量模式，对于未知固体或液体密度的测定可提供不同的工作流程。测试过程中显示操作提示，指导用户分步完成操作。完成测试后，天平自动计算密度值，测试数据和最 终结果可打印，方便数据追溯。如何使用天平测定密度本操作指南以Adventurer天平为例，分别说明如何测定固体样品和液体样品的密度，同时讲解了天平设置和测试注意事项，以提高密度结果的准确性。奥豪斯微信公众号提供免费密度测定操作指南下载，或者直接拨打售后服务热线：4008-217-188，推荐适用的天平型号和指导安装密度测定组件，让您轻松使用我们的天平测定样品密度。奥豪斯集团成立于1907年，拥有遍布各地的营销、研发和生产基地。通过不断为各地用户提供优质的称量产品与完善的应用方案，奥豪斯产品已遍及环保、疾控、食药、教学科研、食品、新能源和制药工业等各种应用领域，赢得了广泛的认可与青睐。我们致力于提供符合各国安全、环境及质量体系的产品，涵盖电子天平、台秤、平台秤、案秤、摇床、台式离心机、加热磁力搅拌器、涡旋振荡器、干式金属浴、实验室升降台和电化学产品等。

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，H2，CH4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。如今，化学气相沉积被大量应用于半导体领域中。2021年是“十四五”开局之年，中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展，明确了半导体产业在产业升级中的重要地位，同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈，却迟迟得不到缓解，各行各业都受到了一定的影响，受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机，全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关化学气相沉积设备的进口情况，可以从一个侧面反映出中国化学气相沉积设备市场的一些情况，进而了解到中国半导体产业的一些情况。海关统计中，根据化学气相沉积设备的应用领域将其分为制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置 (84862021)和制造平板显示器用的化学气相沉积设备（CVD）（84863021）。 为了解2021年化学气相沉积设备的进出口情况，仪器信息网特别对2021年1-11月，化学气相沉积设备（商品编码84862021、84863021）进口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前化学气相沉积设备市场做一个参考。2021年1-11月化学气相沉积设备进口额变化（人民币/万元）2021年1-11月化学气相沉积设备进口数据商品名称进口额/元数量/台均价制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置25,588,916,599181914067574制造平板显示器用的化学气相沉积设备（CVD）6,182,288,9799664398844总计31,771,205,57819152021年1-11月，中国进口化学气相沉积设备总额约318亿元，总台数达1915台，其中绝大部分用于制造半导体器件和集成电路，此类设备多达1819台，总额达256亿元，占比高达81%。可以看出，目前影响CVD设备进口的主要取决于半导体器件与集成电路制造。从此前统计的【进口数量同比增长68%：2021上半年CVD设备海关进口数据盘点】可以看出，2020年1-12月，我国共进口化学气相沉积设备1150台，进口额约为186亿元，而今年仅前十一个月就已远超去年全年的进口额。这表明，今年我国晶圆代工厂的建设热度不减，这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-11月进口化学气相沉积设备贸易伙伴变化（人民币/万元）从进口CVD设备的贸易伙伴分布可以看出，主要进口的贸易伙伴为新加坡、中国台湾和韩国。新加坡处在马六甲海峡，扼太平洋及印度洋之间的航运要道，是全球海运的几大必经路线之一，战略地位十分重要——早在新加坡建国之前，“新加坡港”已发展成为国际著名的转口港。世界各国的将需要出口的货物运输到新加坡港，存放几天或几十天（其中20%的堆存时间仅为1天），然后再转运到进口国。由于新加坡的自由贸易港，通过新加坡的“转口贸易”可变成躲避贸易制裁的有效方式之一。从新加坡进口CVD可能是为了规避以美国为首的西方集团对我国日益收紧的高端装备进口限制。而从台湾进口的CVD主要用于制造平板显示器，从图中可以看出，中国台湾在平板显示器用CVD进口占比高达95%，而在集成电路或半导体器件制造中，仅占2%。用于半导体器件和集成电路制造的CVD中，主要来源为新加坡、韩国、美国和日本。 2021年1-11月化学气相沉积设备各注册地进口数据变化（单位/万元）那么这些化学气相沉积设备主要销往何处？通过对进口数据的注册地进行分析发现，陕西省、上海市、湖北省、江苏省和安徽省进口额最多，分列前五名。这些地区的化学气相沉积主要用于集成电路或半导体器件生产中，这表明这些地区在新建或改造集成电路生产线上投入较大，对半导体设备的需求也在激增。实际上，我国在1-11月从韩国进口的化学气相沉积设备主要的注册地就是陕西省，这可能和三星等韩国企业在西安的半导体生产线有关。而在平板显示器用CVD的注册地分布中可以看出，重庆市独占鳌头，这可能和京东方在重庆的生产线有关，京东方是我国面板产业的龙头企业，其对进口额影响较大。而福建省进口平板显示器用CVD仅次于重庆，这可能与位于厦门的天马微电子有关。重点商品化学气相沉积有哪些重点商品呢？对此，笔者查阅了海关总署，发现重点商品主要有4款，都属于84862021编号。商品1:K465i金属有机物化学气相淀积设备该商品由手套箱系统、反应腔、气体系统、电源及控制系统、真空系统、冷却水和气动系统、安全控制系统等组成。功能是在衬底表面生长一层或多层半导体薄膜。工作原理是通过控制通入反应腔气体的种类、流量和反应腔内的温度、压力，从而在衬底表面生长出不同工艺要求的半导体薄膜。进口后用于LED制造的外延片加工工序。该产品是由Veeco推出的TurboDisc.K465i，是一款用于生产高亮度LED（HB LED）的氮化镓（GaN） 金属有机化学气相沉淀（MOCVD）设备，2016年经过LED产业内的Veeco 用户试用后， K465i很快获得量产认可。商品2：|Oerlikon Solar|KAI MT 化学气相沉积装置该化学气相沉积装置主要用于太阳能电池组件导电层的镀膜。工作原理：该装置内部的传输机械手将玻璃基板传送到薄膜沉积模块中，在一定的温度、压强下，等离子体发生器在反应室内产生射频电压，将工艺气体电离成原子、分子、原子团形式的带电荷粒子混合状态，经过离子碰撞后使之发生化学反应，沉积成一层非晶硅或者微晶硅薄膜在玻璃基板表面。商品3：|CENTROTHERM|E2000-HT 410-4等离子化学气相沉积装置该产品是太阳能电池生产线用|在半导体表层沉积氮化硅膜。商品4：铂阳|无型号|PECVD化学气相沉积设备PECVD化学气相沉积设备：离解化学气体,在玻璃基板上产生化学反应,生长薄膜/ 250MW硅基薄膜太阳能自动化生产线。

如何沉积纳米粒子——纳米粒子单层膜沉积实用指南 纳米颗粒的二维致密单层膜沉积是多种技术和科学研究的基础。例如，纳米粒子单层膜可以作为传感器上的功能层，也可以用来生产用于纳米球光刻的胶体掩模。但是，怎样才能高效、可靠地得到具有三维自由度的纳米颗粒溶液，并将这些颗粒限制在横跨大基底的(二维)单层中呢?传统的纳米颗粒沉积技术纳米颗粒沉积技术种类繁多。一些相对简单和快速的方法包括溶剂蒸发、浸渍镀膜和旋涂镀膜。然而，这些技术可能会浪费大量的纳米颗粒，并且无法有效控制纳米颗粒的密度和配位结构。溶剂蒸发溶剂蒸发容易产生所谓的咖啡渍圈环效应，这种效应是由马朗戈尼流动引起的。这将导致不均匀沉积，中心的纳米粒子沉积稀疏，而边缘则形成多层纳米粒子沉积。 浸渍镀膜另一方面，如果只是用纳米粒子覆盖基底，浸渍镀膜将是一种很好的技术。然而，使用这种方法沉积纳米颗粒单分子层是非常具有挑战性的。同时，浸渍镀膜需要大量的纳米颗粒，这在处理昂贵纳米颗粒材料时将成为一个大的限制因素。 旋涂镀膜旋涂镀膜也是一种很有吸引力的方法，因为它易于规模化放大，而且在半导体工业中是一种众所周知的技术。然而，使用这种方法，薄膜的质量和多个工艺参数紧密相关，如：自旋加速度、速度、纳米颗粒的大小、基材的润湿性和所用溶剂。这使得对薄膜属性的精确控制变得非常困难。而且，一般旋涂镀膜需要大量的纳米颗粒溶液。 气液界面的单层镀膜在这里，气液界面沉积纳米颗粒单层提供了一种高度可控的沉积方法，可以将其沉积在几乎任何基底上。纳米颗粒被限制在气液界面，界面面积逐渐减小，使得纳米颗粒更加紧密地聚集在一起，从而可以实现控制沉积密度的目的，因为单位区域面积沉积的纳米颗粒的数量很容易计算，这样对纳米颗粒的需求量就会大大降低。 单层薄膜形成后，可以通过简单的上下提拉基底即可将界面上的薄膜转移到基底上。 在线网络研讨会报名如果您对如何制备纳米颗粒单分子膜感兴趣，想获取更多这方面的知识，请报名参加由伦敦大学学院的Alaric Taylor博士举办的题为“纳米颗粒单分子层薄膜沉积实用指南”的网络研讨会。报告人Alaric Taylor简介：Alaric Taylor博士是伦敦大学学院工程和物理科学研究委员会（EPSRC）研究员，他在纳米光子材料的制造，尤其是通过在气-液界面开发胶体单层自组装方面有很高的造诣。 报告内容：? 详细讲解纳米颗粒沉积的具体操作? 指出需要注意的事情? 讲述纳米颗粒沉积的技巧 报告时间：2018年9月13日下午3:00（北京时间）报名联系：如需参会，请填好下列表格中的信息发送至，邮箱：lauren.li@biolinscientific.com；姓名单位邮箱电话特别提醒：因为可能会涉及电脑、系统、耳机等调试问题，建议大家提前5-10分钟进入链接。

一、纳米颗粒膜制备日前，由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成，可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。集成了纳米颗粒源的MiniLab125磁控溅射系统 传统薄膜材料的研究专注于制备表面平整、质地致密、晶格缺陷少的薄膜，很多时候更是需要制备沿衬底外延生长的薄膜。然而随着研究的深入，不同的应用方向对薄膜的需求是截然不同。在表面催化、过滤等研究方向，需要超大比表面积的纳米薄膜。在这种情况下，纳米颗粒膜具有不可比拟的优势。而传统的磁控溅射在制备纯颗粒膜方面对于粒径尺寸，颗粒均匀性方面无法实现控制。气相沉积法、电弧放电法、水热合成法等在适用性、操作便捷性、与传统样品处理的兼容性等方面不友好。在此情况下，Moorfield Nanotechnology推出了与传统磁控溅射和真空设备兼容的纳米颗粒制备系统。不同条件制备的颗粒粒径分布（厂家测试数据）不同颗粒密度样品（厂家测试数据）纳米颗粒制备技术特点：▪ 纳米颗粒的大小1 nm-20 nm可调；▪ 多可达3重金属，可共沉积，可制备纯/合金颗粒；▪ 材料范围广泛，包括Au、Ag、Cu、Pt、Ir、Ni、Ti、Zr等▪ 拥有通过控制气氛制造复合纳米粒子的可能性（类似于反应溅射）▪ 的纳米颗粒层厚度控制，从亚单层到三维纳米孔▪ 纳米颗粒结构——结晶或非晶、形状可控纳米颗粒膜的应用方向：▪ 生命科学和纳米医学： 癌症治疗、药物传输、抗菌、抗病毒、生物膜▪ 石墨烯研究方向：电子器件、能源、复合材料、传感器▪ 光电研究：光伏研究、光子俘获、表面增强拉曼▪ 催化：燃料电池、光催化、电化学、水/空气净化▪ 传感器：生物传感器、光学传感器、电学传感器、电化学传感器 二、无机无铅光伏材料下一代太阳能电池的大部分研究都与铅-卤化物钙钛矿混合材料有关。然而，人们正不断努力寻找具有类似或更好特性的替代化合物，想要消除铅对环境的影响，而迄今为止，这种化合物一直难以获得。因此寻找具有适当带隙范围的无铅材料是很重要的，如果将它们结合起来，就可以利用太阳光谱的不同波长进行发电。这将是提高未来太阳能电池效率降低成本的关键。近期，牛津大学的光电与光伏器件研究组的Henry Snaith教授与Benjamin Putland博士研究了具有A2BB’X6双钙钛矿结构的新型无机无铅光伏材料。经过计算该材料具有2 eV的带隙，可用做光伏电池的层吸光材料与传统Si基光伏材料很好的结合，使光电转换效率达到30%。与有机钙钛矿材料相比，无机钙钛矿材料具有结构稳定使用寿命更长的优势。而这种新材料的制备存在一个问题，由于前驱体组分的不溶性和复杂的结晶过程容易导致非目标性的晶体生长，因此难以通过传统的水溶液法制备均匀的薄膜。Benjamin Putland博士采用真空蒸发使这些问题得以解决。使用Moorfield Nanotechnology的高质量金属\有机物热蒸发系统，通过真空蒸发三种不同的前驱体，研究人员成功沉积制备出了所需要的薄膜。真空蒸发具有较高的控制水平和可扩展性，使得材料的工业化制备成为可能。所制备的薄膜在150℃退火后，XRD图。所制备的薄膜在150℃退火后，表面SEM图 三、Moorfield 薄膜制备与加工系统简介Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司，成立二十多年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术，拥有雄厚的技术实力，推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。高精度薄膜制备与加工系统 – MiniLab旗舰系列和nanoPVD台式系列是英国Moorfield Nanotechnology公司经过多年技术积累与改进的结晶。产品的定位是配置灵活、模块化设计的PVD系统，可用于高质量的科学研究和中试生产。设备的功能和特点：▪ 蒸发设备：热蒸发（金属）、低温热蒸发(有机物)、电子束蒸发▪ 磁控溅射：直流&射频溅射、共溅射、反应溅射▪ 兼容性：可与手套箱集成、满足特殊样品制备▪ 其他功能设备：二维材料软刻蚀、样品热处理▪ 设备的控制：触屏编程式全自动控制

MoS2(二硫化钼)，由于其优异的带隙结构(直接带隙为1.8 eV)，高表面体积比和的场效应晶体管(FET，field effect transistor)性能，已成为具代表性的二维过渡金属硫族化合物（TMDC, transition-metal dichalcogenide）。使用纳米晶（Nano-Crystal，NC）修饰MoS2，即可以保持每个组成部分的立特性，同时又提供了复合材料产生的协同特性，大的扩展了MoS2材料的应用领域。控制纳米晶（NC）在 MoS2基底上的形貌，包括浓度，尺寸大小和表面体积比，对电子器件的整体性能影响是至关重要的。原子层沉积技术（ALD，Atomic layer deposition）是基于自限制的表面化学反应，对缺乏表面活化学反应基团的二维材料可实现选择性表面纳米晶修饰，其中NC大小可以通过循环次数来控制。美国斯坦福大学化学工程学院的Stacey F. Bent教授，通过使用台式三维原子层沉积系统-ALD发现了一种合成ZnO修饰MoS2基杂化纳米结构（纳米片或纳米线）的新方法。ZnO纳米晶的特性，包括浓度、大小和表面体积比，可以通过控制ZnO循环次数以及ALD磺化处理得到的MoS2衬底的性能来进行系统的合成和调控。通过材料化学成分（XPS以及 Raman），显微镜观察(TEM, SEM)和同步加速器X射线技术(GIWAXS) 分析ZnO与ALD沉积次数的相互关系，并结合量子化学计算的结果，作者阐明了ZnO在MoS2衬底上的生长机理及其与MoS2衬底性能的关系。MoS2纳米片的缺陷密度和晶粒尺寸可以由MoO3的硫化温度进行控制，ZnO纳米晶会选择性地在MoS2表面的缺陷位置处成核，且尺寸随着ALD循环次数的增加而增大。ALD循环次数越高，ZnO纳米晶的聚结作用越强，使得ZnO在MoS2衬底表面的覆盖和自身尺寸大幅增长。此外，复合结构的几何形貌可以通过改变MoS2衬底的取向进行调控，即采用MoS2的垂直纳米线（NWs，nanowires）作为ALD ZnO NCs的衬底，可以大幅改善复合结构的表面体积比。该类材料有望用于一些新拓展的领域，尤其是依赖过渡金属卤化物和NCs相互耦合结构的，如基于p−n异质结的传感器或光电器件。该工作发表在2020年的国际知名期刊ACS Nano (2020, 14, 1757−1769)上。图1. （a）ZnO@MoS2复合纳米结构示意图；（b）800°C-MoS2表面的HR-STEM图像；（c）两步合成二硫化钼的工艺，即在三个不同的退火温度下（600,800,和1000°C）下使用H2S硫化ALD 合成的MoO3；（d）600 °C-, 800 °C-, 和1000 °C-MoS2的Raman光谱图,（e）Zn 2p XPS谱图（循环次数为50次）,（f）相对原子比 Zn/(Zn + Mo),（g）TEM图像，（h）表面覆盖度，（i）MoS2表面ZnO颗粒的数密度及（g）GIWAXS（grazing incidence wide-angle X-ray scattering，掠入射小角X射线散射） 图样（不同沉积次数下）；（k）800 °C-MoS2 纳米线的SEM，TEM和HR-TEM图像；（l）DEZ（diethylzinc，二乙基锌）反应的量子化学计算结果,在MoS2的边缘位和基面上进行DFT分析,黄色和绿色原子分别表示S和Mo。 上述工作中作者团队采用的原子层沉积设备来自于美国ARRADIANCE公司的GEMStar系列台式三维原子层沉积系统-ALD(如图2所示)，其在小巧的机身（78 * 56 * 28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性小于99%，而且更适合对超高长径比的孔径3D结构等实现均匀薄膜覆盖，对高达1500：1长径比的微纳深孔内部也可实现均匀沉积。GEMStar系列ALD系统广泛应用于高深宽比结构沉积，半导体微纳结构制备，微纳粉末包覆等，服务于锂离子电池，超电容器，超电容器，LED等研究领域。图2. 美国ARRADIANCE公司生产的GEM-tar系列台式三维原子层沉积系统 参考文献：[1]. Il-Kwon, et al., Synthesis of a Hybrid Nanostructure of ZnO-Decorated MoS2 by Atomic Layer Deposition., ACS nano., 2020,14(2), 1757-1769.

详细信息 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-08-02 招标文件: 附件1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 2022年08月02日 16:09 公告信息： 采购项目名称 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/教学专用仪器 采购单位 北京大学 行政区域 北京市 公告时间 2022年08月02日 16:09 获取招标文件时间 2022年08月02日至2022年08月09日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 开标时间 2022年08月23日 14:00 开标地点 北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 预算金额 ￥915.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 项目联系电话 010-63509799-8046、8075 采购单位 北京大学 采购单位地址 北京市海淀区颐和园路5号 采购单位联系方式 吴老师 010-62758587 代理机构名称 华采招标集团有限公司 代理机构地址 010-63509799-8046、8075 代理机构联系方式 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 附件： 附件1 0580招标公告.docx 项目概况 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 招标项目的潜在投标人应在华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室）获取招标文件，并于2022年08月23日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：HCZB-2022-ZB0580 项目名称：Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 预算金额：915.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：915.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 设备名称 数量（台/套） 1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 一 详见招标文件第四章采购需求 合同履行期限：合同签订后30日内交货并安装完毕 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：(1)投标人必须为投标文件递交截止之日前未被列入“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）信用记录失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单的；(2)不同投标人的法人、单位负责人不是同一人也不存在直接控股、管理关系；(3)投标人必须向采购代理机构购买招标文件并登记备案，未向采购代理机构购买招标文件并登记备案的无资格参加本次投标；(4)本项目接受进口产品； 三、获取招标文件 时间：2022年08月02日 至 2022年08月09日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 方式：现场报名，招标文件售后不退 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 地点：北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、本项目需要落实的政府采购政策：节约能源、保护环境、扶持不发达地区和少数民族地区、促进中小微企业发展、支持监狱、戒毒企业发展、促进残疾人就业、支持脱贫等政府采购政策。 2、本项目招标公告在中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）上发布。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师 010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：华采招标集团有限公司 地 址：010-63509799-8046、8075 联系方式：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 3.项目联系方式 项目联系人：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 电 话： 010-63509799-8046、8075 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2022-08-23 14:00 预算金额：915.00万元 采购单位：北京大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：华采招标集团有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-08-02 招标文件: 附件1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 2022年08月02日 16:09 公告信息： 采购项目名称 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/教学专用仪器 采购单位 北京大学 行政区域 北京市 公告时间 2022年08月02日 16:09 获取招标文件时间 2022年08月02日至2022年08月09日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 开标时间 2022年08月23日 14:00 开标地点 北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 预算金额 ￥915.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 项目联系电话 010-63509799-8046、8075 采购单位 北京大学 采购单位地址 北京市海淀区颐和园路5号 采购单位联系方式 吴老师 010-62758587 代理机构名称 华采招标集团有限公司 代理机构地址 010-63509799-8046、8075 代理机构联系方式 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 附件： 附件1 0580招标公告.docx 项目概况 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 招标项目的潜在投标人应在华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室）获取招标文件，并于2022年08月23日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：HCZB-2022-ZB0580 项目名称：Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 预算金额：915.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：915.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 设备名称 数量（台/套） 1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 一 详见招标文件第四章采购需求 合同履行期限：合同签订后30日内交货并安装完毕 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：(1)投标人必须为投标文件递交截止之日前未被列入“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）信用记录失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单的；(2)不同投标人的法人、单位负责人不是同一人也不存在直接控股、管理关系；(3)投标人必须向采购代理机构购买招标文件并登记备案，未向采购代理机构购买招标文件并登记备案的无资格参加本次投标；(4)本项目接受进口产品； 三、获取招标文件 时间：2022年08月02日 至 2022年08月09日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 方式：现场报名，招标文件售后不退 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 地点：北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、本项目需要落实的政府采购政策：节约能源、保护环境、扶持不发达地区和少数民族地区、促进中小微企业发展、支持监狱、戒毒企业发展、促进残疾人就业、支持脱贫等政府采购政策。 2、本项目招标公告在中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）上发布。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师 010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：华采招标集团有限公司 地 址：010-63509799-8046、8075 联系方式：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 3.项目联系方式 项目联系人：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 电 话： 010-63509799-8046、8075

微塑料是指直径小于5毫米的塑料颗粒，它们主要来源于塑料制品的磨损、降解和破碎，对环境和生态系统产生了不容忽视的影响。微塑料广泛分布在河流、湖泊、海洋等水体中，对水环境会造成污染，也可被水生生物摄取，进而在食物链中传递，最终影响到人类健康。此外，微塑料还可能影响浮游动物的摄食、生长和繁殖，从而影响整个生态系统的功能。针对微塑料是否会影响生物扰动活动，国外的一组团队展开了研究。淡水沉积物中的微塑料影响主要生物扰动者在生态系统功能中的作用微塑料（粒径≤5mm）是塑料废物中的一部分，会通过沿海径流和河流进入到海洋。根据其密度差异，或漂浮在水中或进入沉积物中。沉积物-水界面是水中生物主要活动区，通过生物地球化学过程在生态系统功能中发挥着重要作用。这些生物地球化学过程主要由微生物活动驱动，而底栖无脊椎动物生物扰动作用明显，可凭借进食、排泄、推土、掘穴以及建造洞穴、土堆和坑等行为影响各界面间的养分动态及微生物过程。但目前尚不清楚微塑料的存在是否会影响生物扰动者在沉积物中的生理和活动。基于此，为填补研究空白，国外的一组研究团队在法国东南部Lone des Pê cheurs河床收集沉积物，过筛后，于-20℃储存以杀死微生物。然后测量了沉积物样品的颗粒物粒径分布、总有机碳（TOC）和总氮含量（TN）。将沉积物和微塑料在玻璃瓶中混合以形成4个微塑料浓度（0 颗粒物/kg沉积物干物质（对照）；700 颗粒物/kg沉积物干物质（低）；7000 颗粒物/kg沉积物干物质（中）；70000 颗粒物/kg沉积物干物质（高））。水丝蚓在淡水底栖生物栖息地的生物地球化学和生态学中具有关键作用，选择其作为生物扰动者进行研究。试验共8个处理（4个微塑料浓度×有无水丝蚓），5次重复。沉积物和微塑料混合一周后转移到2L玻璃培养瓶中，然后上覆10 cm合成淡水，将180个长度为1-3 cm的水丝蚓放入培养瓶中，进行77天培养试验。在试验最后4周，分析了水丝蚓的生物扰动活动（沉积物重建和生物灌溉）和地球化学过程（CO2、CH4（Picarro G2201-i同位素和气体浓度分析仪）和养分通量）。试验结束时（77天），确定每种处理下水丝蚓的存活率，并将其分成两部分，一部分用来评估其生理状态（能量储存和氧化应激），另一部分用来确定水丝蚓摄入的微塑料数量。旨在评估微塑料对水丝蚓及生态系统服务功能的影响。实验期间不同天数所分析参数示意图。【结果】其中一个培养瓶中CH4（A）、CO2（B）、N-NO3-（C）、N-NO2-（D）、N-NH4＋（E）和P-PO43-（F）浓度时间变化示例。水柱中测量的CO2（A）和N-NOx（N-NO3&minus + N-NO2&minus ）通量（B）。【结论】虽然没有死亡，但在暴露于中等微塑料浓度（7000 颗粒物/kg沉积物干物质）后，水丝蚓对氧化应激有显著反应。与此同时，通过沉积物重建能力和促进沉积物-水界面的水交换通量进行评估，发现水丝蚓生物扰动活动减少。因此，在微塑料存在的情况下，水丝蚓对有机质矿化和养分通量的贡献显著降低。该研究表明，环境中的微塑料浓度通过减少水丝蚓的生物扰动活动，对沉积物-水界面的生物地球化学过程产生影响。

地下水是水文循环的重要组成部分，广泛用于饮用水、工农业活动以及战略储备。然而，人类活动的加剧（如水利工程建设、地下水过度开采、农药和生活污水排放）以及天然劣质地下水在大型流域中的广泛分布，导致地下水环境恶化。因此，水资源的合理管理和水环境的有效保护至关重要，基于地下水流系统（GFS）理论，全面理解地下水流模式（即更新速率、流径及演化趋势）有助于准确评估水文通量和预测污染物分布。汉江平原是长江流经三峡后第一个接收沉积物的大型河湖盆地。复杂的沉积环境、地下水-地表水强烈相互作用以及人为改造自然环境的共同作用，形成了汉江平原独特的GFS格局。了解汉江平原地下水循环演化及其控制机制，对于促进GFS的实际应用和该地区地下水资源保护具有高度紧迫性和挑战性。基于此，在本研究中，来自中国地质大学（武汉）的研究团队在汉江平原腹地和过渡区进行了相关研究，旨在：（1）基于沉积物粒度特征、粘土孔隙水稳定同位素和古气候指标重建汉江平原第四纪含水层系统的沉积环境；（2）深入理解末次盛冰期（LGM）以来沉积环境驱动的GFS演化模式。作者于2015年和2017年在汉江平原腹地和过渡区钻了两个钻孔G01和G05，深度分别为200 m和185 m。从钻孔中收集沉积物样品，分析其粒度分布，地球化学和矿物成分。并从钻孔G01和G05中分别采集了19个和17个粘土样品，利用全自动真空冷凝抽提系统（LI-2100，北京理加联合科技有限公司）提取粘土孔隙水，并进一步分析其δ18O。江汉平原第四纪沉积相、河系和主要钻孔分布。【结果】G01（a）和G05（b）钻孔孔隙水δ18O、沉积物OSL年龄、粘土矿物和地球化学指标的垂向分布以及第四纪古气候演化阶段。古气候阶段G01和G05钻孔孔隙水δ18O值、 粘土矿物和沉积物地球化学指标。【结论】基于水文地质条件、粒度分布特征、沉积物年代学、古气候指标和现存地下水年龄等综合分析，阐明了江汉平原沉积环境驱动的GFS演化模式。该研究的主要发现总结如下：在江汉平原第四纪含水层沉积环境的演化历史中，沉积相主要为河流相、湖泊相和河湖相，由中深层含水层的粗粒相过渡到浅层含水层的细粒相。这意味着水动力条件逐渐减弱并趋于稳定。此外，湖泊相沉积层厚度向平原腹地方向增加。自LGM以来，江汉平原气候演化和沉积相之间具有一定的耦合关系。沉积环境从LGM期间深下切侵蚀环境转变为末次冰消期（LDP）快速冲填粗粒沉积物的河流相环境，然后转变为全新世暖期（HWP）具有细粒沉积物的稳定湖泊相环境。这些变化与长江水位的波动密切相关。基于江汉平原现存地下水年龄的分布，自LGM以来，GFS的演化模式可分为三个阶段。阶段I（22-13 ka B.P.），长江水位急剧下降造成的强水势差增加了地下水的驱动力，极大促进了该阶段区域GFS充分发展，其环流深度达到第四纪底部。随着阶段II地下水驱动力的快速削弱（13-9 ka B.P.），区域GFS再循环深度下降至深层含水层上部，而阶段I的区域GFS逐渐深埋于盆地中。作为阶段III（9 ka B.P.至今）稳定在低水位地下水驱动力，阶段I和阶段II的区域GFS保存在盆地深处，被认为是一个停滞系统（地下水年龄在10 -20 ka之间）。此外，区域GFS（地下水年龄为4-10 ka）和中间GFS（地下水年龄为1-6 ka）共同被认为是稳定体系。随着微地形的充分发育，垂直于河流方向的浅层地下水流形成了活跃的局部GFS（地下水年龄 100 a）。

详细信息 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 河南省-郑州市 状态：公告 更新时间： 2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 发布时间：2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 一、项目基本情况 1.采购项目编号：豫教招标采购-2022- 167 2.采购项目名称：哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 3.采购方式：公开招标 4.预算金额：2415万元 最高限价：2415万元 序号 包名称 包预算 （万元） 包最高限价 （万元） 1 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 2415 2415 5.采购需求 （1）项目概况：根据哈工大郑州研究院需要，需对液相外延炉等仪器设备进行采购，项目已具备采购条件，现对该批次仪器设备进行公开招标。 （2）采购内容包括：DLP金刚石金属复合材料增材制造设备1套、高功率光纤激光焊接系统1套、高功率激光柔性复合加工系统1套、超高精度纳米材料沉积系统1套、液相外延炉1套、化学气相沉积镀膜机1套、示波器及探头1套、PEM电解槽1套、总线运动控制系统1套、无人机1套、红外热成像仪1套、功率与阻抗分析仪1套、立式真空热压烧结炉1套、高速摄像机1套。 （3）资金情况：资金已落实。 （4）包段划分：不分包。 （5）交货期：合同签订后6个月内。 （6）交货地点：采购人指定地点。 （7）质量标准：符合国家或行业规定的合格标准，满足采购人提出的技术标准及要求。 （8）验收标准：满足采购人的验收标准及要求。 （9）质保服务要求：国产设备三年，进口设备一年(自验收合格之日起)。 6.合同履行期限：合同签订至质保期满。 7.本项目是否接受联合体投标：否 8.是否接受进口产品：是 二、申请人资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定： （1）投标人须具有法人或者其他组织的营业执照等证明文件； （2）投标人须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，企业财务状况良好，没有财务被接管、破产或其他关、停、并、转情况的，须提供2021年度经审计的财务报告或其基本开户银行出具的资信证明； （3）投标人须具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录，提供本年度任意一个月的企业完税凭证和企业社会保险缴纳证明材料； （4）投标人须具有履行合同所必需的设备和专业技术能力(自拟格式，自行承诺)； （5）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明(自拟格式，自行承诺)； （5）其他要求：对参与投标竞争的单位，需承诺近三年来投标人、法定代表人、项目负责人无行贿犯罪记录（由投标人出具承诺，格式自拟）； （7）根据财政部《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》（财库〔2016〕125号）和豫财购〔2016〕15号的规定，对列入“失信被执行人”、“重大税收违法失信主体”和“政府采购严重违法失信行为记录名单”的潜在供应商，将拒绝其参加本项目招标采购活动； （8）单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加本项目的投标【提供在“国家企业信用信息公示系统”中查询打印的相关材料并加盖公章（需包含公司基本信息、股东信息及股权变更信息）】 2.落实政府采购政策满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求： 若供应商所投设备为进口设备，须具备进出口经营资格并提供《对外贸易经营者备案登记证书》。 三、获取招标文件： 1.时间：2022年11月11日至2022年11月20日（北京时间）。每天上午00：00至 12：00，下午 12：00至 23：59（北京时间，法定节假日除外。） 2.方式：供应商报名时需要将法人授权委托书、授权人身份证、被授权人身份证、营业执照副本扫描并发送至项目负责人邮箱1830331803@qq.com，对报名合格的供应商在缴费完成后，通过邮箱发送招标文件电子版。 3.售价：300元人民币 开户名称：河南省教育招标服务有限公司 账 号：371903102310201 开户行：招商银行股份有限公司郑州分行农业路支行 联系电话：扶会计18736086547。 四、投标截止时间（投标文件递交截止时间）及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 五、开标时间及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 六、发布公告的媒介及公示期限 本公告在河南省教育厅网站、河南省教育招标网、哈工大郑州研究院官网、中国招标投标公共服务平台发布。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策： （1）执行《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库﹝2021﹞46号）； （2）执行《财政部、司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》（财库﹝2014﹞68号）； （3）执行《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库﹝2017﹞141号）； （4）执行《财政部、国家发展改革委关于印发〈节能产品政府采购实施意见〉的通知》（财库﹝2004﹞185号）、《财政部环保总局关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库﹝2006﹞90号）；和《财政部、发展改革委、生态环境部、市场监管总局关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）。 （5）与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或个人，不得参加投标。单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得参加同一标段投标或者未划分标段的同一招标项目投标。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1.采购人信息 名称：哈工大郑州研究院 地址：河南省郑州市郑东新区龙源东七街26号 联系人：薛老师 联系方式：18860369839 2.采购代理机构信息 名称：河南省教育招标服务有限公司 地址：郑州市花园路116号河南省农科院院内西南角原农信楼 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 3.项目联系方式 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：红外热成像仪,物理气相沉积,镀膜机,原子层沉积 开标时间：2022-12-01 09:00 预算金额：2415.00万元 采购单位：哈工大郑州研究院 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：河南省教育招标服务有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 河南省-郑州市 状态：公告 更新时间： 2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 发布时间：2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 一、项目基本情况 1.采购项目编号：豫教招标采购-2022- 167 2.采购项目名称：哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 3.采购方式：公开招标 4.预算金额：2415万元 最高限价：2415万元 序号 包名称 包预算 （万元） 包最高限价 （万元） 1 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 2415 2415 5.采购需求 （1）项目概况：根据哈工大郑州研究院需要，需对液相外延炉等仪器设备进行采购，项目已具备采购条件，现对该批次仪器设备进行公开招标。 （2）采购内容包括：DLP金刚石金属复合材料增材制造设备1套、高功率光纤激光焊接系统1套、高功率激光柔性复合加工系统1套、超高精度纳米材料沉积系统1套、液相外延炉1套、化学气相沉积镀膜机1套、示波器及探头1套、PEM电解槽1套、总线运动控制系统1套、无人机1套、红外热成像仪1套、功率与阻抗分析仪1套、立式真空热压烧结炉1套、高速摄像机1套。 （3）资金情况：资金已落实。 （4）包段划分：不分包。 （5）交货期：合同签订后6个月内。 （6）交货地点：采购人指定地点。 （7）质量标准：符合国家或行业规定的合格标准，满足采购人提出的技术标准及要求。 （8）验收标准：满足采购人的验收标准及要求。 （9）质保服务要求：国产设备三年，进口设备一年(自验收合格之日起)。 6.合同履行期限：合同签订至质保期满。 7.本项目是否接受联合体投标：否 8.是否接受进口产品：是 二、申请人资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定： （1）投标人须具有法人或者其他组织的营业执照等证明文件； （2）投标人须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，企业财务状况良好，没有财务被接管、破产或其他关、停、并、转情况的，须提供2021年度经审计的财务报告或其基本开户银行出具的资信证明； （3）投标人须具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录，提供本年度任意一个月的企业完税凭证和企业社会保险缴纳证明材料； （4）投标人须具有履行合同所必需的设备和专业技术能力(自拟格式，自行承诺)； （5）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明(自拟格式，自行承诺)； （5）其他要求：对参与投标竞争的单位，需承诺近三年来投标人、法定代表人、项目负责人无行贿犯罪记录（由投标人出具承诺，格式自拟）； （7）根据财政部《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》（财库〔2016〕125号）和豫财购〔2016〕15号的规定，对列入“失信被执行人”、“重大税收违法失信主体”和“政府采购严重违法失信行为记录名单”的潜在供应商，将拒绝其参加本项目招标采购活动； （8）单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加本项目的投标【提供在“国家企业信用信息公示系统”中查询打印的相关材料并加盖公章（需包含公司基本信息、股东信息及股权变更信息）】 2.落实政府采购政策满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求： 若供应商所投设备为进口设备，须具备进出口经营资格并提供《对外贸易经营者备案登记证书》。 三、获取招标文件： 1.时间：2022年11月11日至2022年11月20日（北京时间）。每天上午00：00至 12：00，下午 12：00至 23：59（北京时间，法定节假日除外。） 2.方式：供应商报名时需要将法人授权委托书、授权人身份证、被授权人身份证、营业执照副本扫描并发送至项目负责人邮箱1830331803@qq.com，对报名合格的供应商在缴费完成后，通过邮箱发送招标文件电子版。 3.售价：300元人民币 开户名称：河南省教育招标服务有限公司 账 号：371903102310201 开户行：招商银行股份有限公司郑州分行农业路支行 联系电话：扶会计18736086547。 四、投标截止时间（投标文件递交截止时间）及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 五、开标时间及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 六、发布公告的媒介及公示期限 本公告在河南省教育厅网站、河南省教育招标网、哈工大郑州研究院官网、中国招标投标公共服务平台发布。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策： （1）执行《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库﹝2021﹞46号）； （2）执行《财政部、司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》（财库﹝2014﹞68号）； （3）执行《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库﹝2017﹞141号）； （4）执行《财政部、国家发展改革委关于印发〈节能产品政府采购实施意见〉的通知》（财库﹝2004﹞185号）、《财政部环保总局关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库﹝2006﹞90号）；和《财政部、发展改革委、生态环境部、市场监管总局关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）。 （5）与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或个人，不得参加投标。单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得参加同一标段投标或者未划分标段的同一招标项目投标。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1.采购人信息 名称：哈工大郑州研究院 地址：河南省郑州市郑东新区龙源东七街26号 联系人：薛老师 联系方式：18860369839 2.采购代理机构信息 名称：河南省教育招标服务有限公司 地址：郑州市花园路116号河南省农科院院内西南角原农信楼 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 3.项目联系方式 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516

table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" width="600"tbodytrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="526" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "原子层沉积系统/p/td/trtrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="526" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "中科院物理研究所/p/td/trtrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="175"p style="line-height: 1.75em "郇庆/p/tdtd width="159"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="192"p style="line-height: 1.75em "qhuan_uci@yahoo.com/p/td/trtrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="526" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "□正在研发 √已有样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产/p/td/trtrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="526" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "√技术转让 √技术入股 □合作开发 √其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong成果简介： /strongbr/ /pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/1d453046-e68e-4e65-ab38-25f533935dee.jpg" title="ALD.jpg" width="350" height="261" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 350px height: 261px "//pp style="line-height: 1.75em " br//pp style="line-height: 1.75em " 原子层沉积（ALD）技术，由于采取自限性的生长模式，因此可以在原子尺度上调控沉积薄膜的厚度，从而形成具有优异的台阶覆盖性和平整性，并可用于制备高深宽比材料和对多孔纳米材料进行修饰。我们自行研制的ALD系统与市场上现有商业化产品相比，具有如下特点：1）复杂完善的管路气路，在自制控制器和软件的配合下，可高度自动化完成生长过程；2）全金属密封，适于各种类型反应；3）圆筒型反应腔体，最高烘烤温度达到350℃，前驱体及载气利用率高；4）特殊设计的样品台，适用于包括粉末样品在内的各类基底；5）可选配四极质谱和石英膜厚检测仪，对反应过程实时监控。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong应用前景： /strongbr/ ALD是一项简单和实用的技术，在微电子、太阳能电池、光子晶体以及催化等许多领域都有广泛的应用前景。我们目前研发的系统主要针对科研应用，国内每年需求量在数十台至上百台。/p/td/tr/tbody/tablepbr//p

近日，由北京理工大学牵头提案的《电动汽车用碳化硅（SiC）电机控制器评测规范》以及由广州南砂晶圆半导体技术有限公司牵头提案的《导电型4H碳化硅衬底及外延晶片基平面位错密度的测定 化学腐蚀法》两项团体标准提案，经CASA标准化委员会（CASAS）管理委员会投票，根据《CASAS管理和标准制修订细则》，两项联盟团体标准投票通过立项，分配编号分别为：CASA 012、CASA 013。据了解，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）是2015年9月9日，在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起筹建的“第三代半导体产业技术创新战略联盟”（以下简称“联盟”）在北京国际会议中心举行了成立大会。 科技部曹健林副部长、高新司赵玉海司长、科技部高技术研究发展中心秦勇主任，北京市科学技术委员会闫傲霜主任，中国科学与科技政策研究会李新男副理事长等领导出席了成立大会。南京大学郑有炓院士代表45家发起机构单位正式宣布第三代半导体产业技术创新战略联盟成立。科技部曹健林副部长、南京大学郑有炓院士、北京市科学技术委员会闫傲霜主任、北京半导体照明科技促进中心吴玲主任共同为联盟揭牌。以下为通知原文：联盟两项团体标准提案获管理委员会投票通过各有关单位：由北京理工大学牵头提案的《电动汽车用碳化硅（SiC）电机控制器评测规范》以及由广州南砂晶圆半导体技术有限公司牵头提案的《导电型4H碳化硅衬底及外延晶片基平面位错密度的测定 化学腐蚀法》两项团体标准提案，经CASA标准化委员会（CASAS）管理委员会投票，根据《CASAS管理和标准制修订细则》，两项联盟团体标准投票通过立项，分配编号分别为：CASA 012、CASA 013。 标准提案投票具体情况为： 1、电动汽车用碳化硅（SiC）电机控制器评测规范：应投25票，实投21票，赞成19票，反对1票，弃权1票。 2、导电型4H碳化硅衬底及外延晶片基平面位错密度的测定 化学腐蚀法：应投25票，实投21票，赞成19票，反对0票，弃权2票。立项通知请查看附件：附件1.关于《导电型4H碳化硅衬底及外延晶片基平面位错密度的测定 化学腐蚀法》联盟团体标准立项的通知附件2.关于《电动汽车用碳化硅（SiC）电机控制器评测规范》联盟团体标准立项的通知

什么是原子层沉积技术原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 20 世纪 60 年代，前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术（与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关）进行了研究。后来，芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术（1974年，由 Tuomo Suntola 教授申请专利）。在俄罗斯，它过去和现在都被称为分子层沉积，而在芬兰，它被称为原子层外延。后来更名为更通用的术语“原子层沉积”，而术语“原子层外延”现在保留用于（高温）外延 ALD。 Part 01.原子层沉积技术基本原理 一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤： 1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物 原子层沉积（ ALD ）原理图示 涂层的层数（厚度）可以简单地通过设置连续脉冲的数量来确定。蒸气不会在表面上凝结，因为多余的蒸气在前驱体脉冲之间使用氮气吹扫被排出。这意味着每次脉冲后的涂层会自我限制为一个单层，并且允许其以原子精度涂覆复杂的形状。如果是多孔材料，内部的涂层厚度将与其表面相同！因此，ALD 有着越来越广泛的应用。 Part 02. 原子层沉积技术案例展示 原子层沉积通常涉及 4 个步骤的循环，根据需要重复多次以达到所需的涂层厚度。在生长过程中，表面交替暴露于两种互补的化学前驱体。在这种情况下，将每种前驱体单独送入反应器中。 下文以包覆 Al2O3 为例，使用第一前驱体 Al(CH3)3（三甲基铝，TMA）和第二前驱体 H2O 或氧等离子体进行原子层沉积，详细过程如下：反应过程图示 在每个周期中，执行以下步骤： 01 第一前驱体 TMA 的流动，其吸附在表面上的 OH 基团上并与其反应。通过正确选择前驱体和参数，该反应是自限性的。 Al(CH3)3 + OH = O-Al-(CH3)2 + CH4 02使用 N2 吹扫去除剩余的 Al(CH3)3 和 CH4 03第二前驱体（水或氧气）的流动。H2O（热 ALD）或氧等离子体自由基（等离子体 ALD）的反应会氧化表面并去除表面配体。这种反应也是自限性的。 O-Al-(CH3)2 + H2O = O-Al-OH(2) + (O)2-Al-CH3 + CH4 04使用 N2 吹扫去除剩余的 H2O 和 CH4，继续步骤 1。 由于每个曝光步骤，表面位点饱和为一个单层。一旦表面饱和，由于前驱体化学和工艺条件，就不会发生进一步的反应。 为了防止前驱体在表面以外的任何地方发生反应，从而导致化学气相沉积（CVD），必须通过氮气吹扫将各个步骤分开。 Part 03. 原子层沉积技术的优点 由于原子层沉积技术，与表面形成共价键，有时甚至渗透（聚合物），因此具有出色的附着力，具有低缺陷密度，增强了安全性，易于操作且可扩展，无需超高真空等特点，具有以下优点： 厚度可控且均匀通过控制沉积循环次数，可以实现亚纳米级精度的薄膜厚度控制，具有优异的重复性。大面积厚度均匀，甚至超过米尺寸。 涂层表面光滑完美的 3D 共形性和 100% 阶梯覆盖：在平坦、内部多孔和颗粒周围样品上形成均匀光滑的涂层，涂层的粗糙度非常低，并且完全遵循基材的曲率。该涂层甚至可以生长在基材上的灰尘颗粒下方，从而防止出现针孔。 ALD 涂层的完美台阶覆盖性 适用多类型材料所有类型的物体都可以进行涂层：晶圆、3D 零件、薄膜卷、多孔材料，甚至是从纳米到米尺寸的粉末。且适用于敏感基材的温和沉积工艺，通常不需要等离子体。 可定制材料特性适用于氧化物、氮化物、金属、半导体等的标准且易于复制的配方，可以通过三明治、异质结构、纳米层压材料、混合氧化物、梯度层和掺杂的数字控制来定制材料特性。 宽工艺窗口，且可批量生产对温度或前驱体剂量变化不敏感，易于批量扩展，可以一次性堆叠和涂覆许多基材，并具有完美的涂层厚度均匀性。

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。

德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（IAF）发布公告称，该所研究人员在基于金刚石氮—空位（NV）中心的超灵敏激光阈值磁强计研究中取得重要进展，可通过受激发射实现64%的信号功率放大，并显示出创纪录的33%的超高对比度。该研究将为进一步开发用于室温和现有背景场下的高灵敏度磁场传感器铺平道路。相关成果发表在近日的《科学进展》杂志上。金刚石中的NV中心是由一个氮原子和一个碳空位组成的原子系统。在被绿色激光照射时，会激发出红光。由于这些原子级NV中心的光度取决于外部磁场的强度，因此它们可用于高空间分辨率的微磁场测量。研究人员成功制造出具有高密度NV中心的金刚石，进而研发高精细的NV激光腔，首次通过实验验证了激光阈值磁强计的理论原理。IAF研究人员扬杰斯克博士解释说：“由于其材料特性，具有高密度NV中心的金刚石在用作激光介质时可显著提高测量精度。”杰斯克团队通过CVD（化学气相沉积）工艺在金刚石生长中实现了高水平的氮掺杂，并使用电子束和热处理，在后处理中使NV密度增加了20—70倍。在表征过程中，他们优化了3个关键因素：高NV密度、通过高通量辐照实现取代氮的高转化率和高电荷稳定性，从而成功生产出具有高密度NV中心的高质量CVD金刚石。此前，NV中心已被用于量子磁传感，但信号一直是自发发射而不是受激发射或激光输出。现在，IAF的研究人员不仅通过受激发射实现了64%的信号功率增加，还创造了一项纪录：与磁场相关的发射显示出33%的对比度和毫瓦（mW）范围内的最大输出功率。

文 章 信 息原子通道中锂的超致密输运用于无枝晶锂金属电池第一作者：周诗远，陈玮鑫，施杰通讯作者：廖洪钢 教授通讯单位：厦门大学研 究 背 景作为商用锂离子电池的替代品，以锂金属作为负极的储能体系被认为是下一代高能量密度电池的有效解决方案。尽管锂金属电池（LMBs）有着广阔的前景，但由于锂枝晶生长所带来的严重安全问题仍然阻碍了其实际应用。与电子迁移相比，高活性的锂离子在负极侧的扩散速度较慢，且主要通过表面进行。锂离子在电极/电解质界面的不均匀、不可控聚集会导致明显的枝晶生长。锂离子在负极表面的扩散速度远快于体相扩散，因此，调节锂离子在负极表面的扩散通常被认为是诱导锂金属均匀沉积的主流方法，而其在负极体相中的扩散通常被忽略。文 章 简 介有鉴于此，厦门大学廖洪钢教授（通讯作者）、孙世刚院士团队，联合北京化工大学陈建峰院士团队，采用密度泛函理论计算、第一性原理分子动力学模拟，结合原位TEM等表征手段系统地揭示了超致密锂在原子通道中的沉积/剥离行为。通过在高温下用氨处理的方法预隧穿石墨层（层间距约为~7 &angst ），同时引入孔隙和亲锂位点，构建了用于超致密锂输运的层间和层内原子通道（体扩散锂导体，BDLC）。首先，DFT计算和AIMD模拟研究了超致密锂在原子通道层间和层内的扩散行为。由于BDLC的高亲和性和较低的迁移势垒，与表面扩散相比，通过原子通道的体相扩散可能成为锂输运的一个新的主导路径，具有较高的扩散动力学优势。用原位透射电镜观察了超致密锂在BDLC中的高度可逆、无枝晶的沉积/剥离过程，并通过对散射衬度和电子衍射的分析，进一步证明了超致密锂的存在形态。当与高于20 mg cm-2的高负载LiFePO4 正极匹配时，面容量最高可以达到3.9 mA h cm-2（1.1倍锂过量），并在370次循环中实现100%的容量保持率（1.3倍锂过量）。本文展示的体相扩散策略将提供一个新视角，为抑制锂枝晶的研究提供新的思路。图1 传统石墨嵌锂行为与原子通道锂输运的对比本 文 要 点要点一：碳层间/层内锂扩散的DFT计算和AIMD模拟采用AIMD模拟以研究不同锂层的扩散性质。当三层锂嵌入时，层间距需要增加到6.79 &angst ，层间距的增大会降低Li在石墨层间的扩散能垒。对于高密度Li的跨层扩散主要通过BDLC的孔隙进行，这由沿 z 轴的均方位移随时间变化的统计定量证明。计算和模拟结果证明了超致密Li可以在BDLC的原子通道中的实现近似表面的高效扩散和增强的动力学行为，这可能会导致其不同的沉积/剥离行为。图2 Li通过BDLC原子通道扩散的DFT计算和AIMD模拟要点二：构筑具有原子通道的BDLC基于热激发的NH3分子，引入了一种分子凿孔策略基于标准石墨层构建原子通道。与 GC 明确定义的石墨层相比，BDLC呈现出扭曲的层间结构和扩大的层间距，同时不会破坏石墨层的导电结构。BDLC的三个典型层间通道可以概括为（Ⅰ）凸起通道，（Ⅱ）单层石墨烯支撑通道和（Ⅲ）多层石墨烯支撑通道。基于分子凿孔策略，构建了与计算模型一致的原子通道。图3 BDLC和GC的结构表征要点三：原位TEM观测超致密Li的沉积和剥离行为采用了原位 TEM来研究Li在 BDLC 中的沉积/剥离行为，10 个循环过程中的可逆性，以及原位选区电子衍射分析Li在原子通道中的存在形态。BDLC上沉积的锂呈现出不规则的形状并经历连续的结构变化。这与典型的锂晶体不同，由于zuidi表面能规则，锂晶体通常具有择优的晶面取向。在 BDLC 的原位 SAED 研究中观察到倒易杆的出现。样品的形状效应，特别是对于超薄二维晶体，会导致电子衍射偏离布拉格条件（2dsinθ=nλ）。当锂金属出现在BDLC的原子通道中时，会使其足够薄并诱导具有一定宽度范围内的衍射束的强度分布。因此，SAED验证了 BDLC 原子通道中存在一定层数的超薄二维金属锂。进一步通过对质厚衬度的分析估算了锂和碳原子的含量比，相应地估计体相 Li/C原子比至少为 0.67，是传统 C6LiC6 结构（0.167）的4倍。进一步表明 BDLC 原子通道内的超致密锂。相比之下，对于具有标准石墨层的 GC 纳米片，在锂沉积过程中，GC的边缘会逐渐变得粗糙，但很少能观察到 GC 上明显的衬度变化。当剥离开始时，锂会在GC的表面爆炸式的快速增长，以锂枝晶或死锂的形式残留在GC 的表面。GC呈现出多个单独的Libcc（体心立方）衍射点的叠加，这是从不可逆生长的锂枝晶中所获得。图4 锂沉积/剥离过程的原位TEM表征要点四：BDLC的电化学性能研究在酯类电解液中研究了BDLC的电化学性能，BDLC||Li在1 mA cm-2，2 mAh cm-2的CE在150次循环后为98.5%，而GC||Li的CE下降到91%，Cu||Li的CE会在 60个循环左右下降至40.9%。在2，5和8 mA cm-2更高的电流密度下（1 mAh cm-2），BDLC||Li 在100次循环后CE分别保持在 99.6%、98.6和85.9%。在高LFP面积负载、有限Li过量、长循环和高倍率等苛刻条件下，Li@BDLC||LFP展现出了更为优异的全电池性能。非原位TEM研究进一步表明 BDLC的原子通道可以促进在不同倍率下均匀的锂沉积/剥离过程，减少表面上的局部不均匀成核，进而实现无枝晶的全电池循环。图5 BDLC和GC的电化学性能图6 Li@BDLC||LFP和Li@GC||LFP放电后的非原位 TEM研究结 论本文从不同于传统集流体表面改性的角度出发，在石墨内部构建了原子通道以实现超致密锂的体相输运，从而实现无枝晶LMBs。通过DFT计算和AIMD模拟，分析了原子通道中多层致密锂的动态扩散行为。采用原位 TEM进一步可视化了超致密锂通过BDLC原子通道的沉积/剥离过程。当与高负载LFP正极匹配时，它在有限Li 过量下和高倍率条件下显示出了理想的应用潜力。这项工作验证了区别于表面扩散，即通过原子通道进行体相扩散的可能性，为无枝晶LMBs的研究提供了一条新途径。DOI: 10.1039/D1EE02205A

近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心研究员金海军团队将脱合金与电沉积相结合，在完全互溶且热力学稳定不易分解的Cu-Au合金体系中构筑出类似调幅分解产生的纳米结构，形成仿调幅分解结构合金(spinodoid alloy)或人工调幅合金。这一新型纳米金属材料具有接近理论值的高强度，并表现出粗晶材料的塑性变形特征，为材料的强韧化和功能化设计提供了新思路。相关研究成果以Ultrastrong Spinodoid Alloys Enabled by Electrochemical Dealloying and Refilling为题，发表在《美国国家科学院院刊》(PNAS)上。科研团队利用脱合金腐蚀将固溶体Cu-Au中Cu(或Ag-Au中的Ag)选择性溶解，促使未溶解Au原子自组装形成纳米多孔Au，再用电化学沉积将Cu回填入纳米孔，形成全致密仿调幅分解结构Cu/Au合金。新材料保留了前驱体合金的粗大晶粒，其晶内由同为面心立方结构、晶体取向一致、且在纳米尺寸互相贯通Cu、Au两相构成；两相间呈三维空间连续、弯曲的半共格界面，相界上规则地排列着高密度的失配位错；两相特征结构尺寸可在纳米至亚微米区间变化。与多层膜等纳米材料在较高临界尺寸以下即发生软化不同，仿调幅分解结构Cu/Au合金的强度随尺寸减小而持续升高，直至接近其理论强度(失配位错弓出临界应力)。随着特征尺寸细化至50纳米以下，其塑性变形从传统复合材料向单相材料变形方式转变。在此临界尺寸以下，新材料在获得纳米材料高强度的同时，具备单相粗晶材料的变形行为特征，展现出综合力学和物理性能优化的广阔空间。本工作将理论计算与实验结合，通过分子动力学模拟，强调了界面曲率也是三维连续相界的重要结构特征，且对纳米材料力学行为产生重要影响。研究对Gyroid双相晶体进行的原子尺度模拟计算，揭示了零平均曲率半共格界面的结构，并从理论上澄清了该类光滑连通三维复杂界面与材料理论强度之间的关系，阐明了仿调幅结构双相纳米材料的强度上限。单相固溶体可通过调幅分解自发转变为晶体结构相同、成分在纳米尺度波动的双连续双相结构。而受制于热力学与动力学条件，该转变的适用合金体系极为有限，其成分调制幅度和界面形态结构难以控制与优化。本研究突破了传统调幅分解的固有限制，拓展了此类材料的合金体系、成分范围和性能空间，促进其研究和应用。此外，新材料的超高密度位错、近极小面三维连续相界、低能(半)共格界面、极低三叉晶界密度等独特结构也为探索纳米金属变形与稳定性中的一些基础科学问题、发展高性能结构功能一体化新材料提供了新机遇。研究工作得到国家自然科学基金、国家重点研发计划、沈阳材料科学国家研究中心基础前沿及共性关键技术创新项目的支持。南京理工大学科研人员参与研究。图1.仿调幅分解结构Cu/Au合金的制备及结构特征。(a)脱合金与电沉积结合形成仿调幅分解结构的示意图；(b)EBSD照片显示该材料粗大的晶粒尺寸，(c)TEM照片显示其双连续纳米双相结构，(d)HRTEM照片显示半共格界面和高密度失配位错。图2.仿调幅分解结构Cu/Au合金的分子动力学模拟。(a)典型Gyroid双相结构及其光滑连续半共格界面，(b)界面上大量失配位错组成的三维位错网络。图3.仿调幅分解结构Cu/Au合金屈服强度的特征结构尺寸效应，其强度随结构尺寸减小而持续上升，并逼近理论计算的理论强度。图4.仿调幅分解结构Cu/Au合金屈服强度的晶粒尺寸效应。(a)虽然该材料晶粒尺寸(d)比结构尺寸()高几个数量级，其强度仍表现出显著的晶粒尺寸(d)效应。(b-c)SEM照片显示晶界对剪切带有明显的阻碍作用，与强度的晶粒尺寸效应相一致。

DiaPac公司，一家位于休斯敦的碳化钨加工企业，他们已经开始转向使用康塔公司出品的Autotap堆密度分析仪来测量他们高密度粉末的堆积密度或振实密度。这些测量均是为了满足客户各种领域的材料耐磨应用，例如运用于油田钻井钻头、采矿工具和研磨设备的表面硬化等等。DiaPac的首席冶金专家指出振实密度的重要性是在于它从某方面反映了混合粉末的一些特质：“....颗粒大小分布及其堆积密度指标反映了金属复合材料在耐磨性和刚性之间的平衡。我们始终致力于在不牺牲材料刚性的前提下增强它的耐磨性，无论是耐磨性还是刚性，他们对颗粒的堆密度都是相当敏感的。”　　在谈到康塔堆密度分析仪给该部门所带来的好处时，他继续说到：“与我们的其他堆密度分析仪器相比，据我所知，康塔的仪器一直都是我们行业的标准，(有20多年了吧?)最初促使我选择使用康塔堆密度分析仪是由于Autotap在振实过程中粉末是旋转的，而我们的共混物通常有非常细的“粘连”成份(团聚体)，经常使粉末的堆密度值最大化。粘连的粉末具有很高的休止角，并且“攀”在量筒里形态也不是我们想要的，我们很清楚这会牺牲我们精确性。Autotap 在测定中让混合粉末旋转起来，避免了这些问题。”　　在实际运用方面，DiaPac技术人员还注意到了它在振实密度实验操作上的优势：“与先前其它仪器相比，他们很快就注意到在使用康塔的仪器时开机迅速，放置和移开量筒操作简单。” 并且“不必敲击量筒侧壁以保持粉末床层水平，也不必进行任何套管机构操作，我们也几乎不会再打碎任何这些昂贵的经过认证的量筒。”　　康塔公司Autotap堆密度分析仪遵循美国材料实验协会ASTM B527标准(金属粉末及其化合物振实密度标准测试方法)和其它国际准则，康塔堆密度分析仪有单样品管和双样品管两款仪器可供选择。　　企业介绍：　　DiaPac公司：专业提供各种超硬碳化物合金材料。这些材料与他们的丰富行业经验相结合给同领域的企业提供了多种耐磨的解决方案。DiaPac 在回收再利用方面也是行业的领军企业，他们从废旧的工具、矿泥、太空碎片中提取回收硬质碳化物合金，使得这些可再生材料得以加以利用，为客户的解决方案提供了有效的成本优势。DiaPac有限责任公司是一家通过ISO 9001:2008认证的公司。www.diapac.net/index.html　　美国康塔仪器公司：成立于1968年，是世界领先的粉末和多孔材料性能表征分析仪器的设计专业制造商，尤其是在多站样品分析仪器和数据分析处理方法的应用方面具有世界领先水平。我们为ISO 9001:2008的行业标准提供最权威的数据测支持，同时也致力于提供高品质的仪器维护服务。康塔有50多个销售和技术服务办事处和代理机构遍布全球各地。康塔还将参加2010年1月在代托纳比奇举行的先进陶瓷与复合材料会议暨博览会。

一、项目基本情况项目编号：OITC-G240261656-1项目名称：中国科学院2024年仪器设备部门批量集中采购项目预算金额：1045.000000 万元（人民币）最高限价（如有）：1045.000000 万元（人民币）采购需求：1、采购项目的名称、数量：包号货物名称数量（台/套）用户单位采购预算（人民币）最高限价（人民币）是否允许采购进口产品6八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备1套中国科学院微电子研究所780万元780万元是包号货物名称数量（台/套）用户单位是否允许采购进口产品7紧凑型多功能介质薄膜快速沉积设备1中国科学院半导体研究所是投标人须以包为单位对包中全部内容进行投标，不得拆分，评标、授标以包为单位。2、技术要求详见公告附件。合同履行期限：详见项目需求本项目( 不接受 )联合体投标。二、获取招标文件时间：2024年07月25日 至 2024年08月01日，每天上午9:00至11:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外）地点：www.oitccas.com；北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层方式：登录“东方招标”平台www.oitccas.com注册并购买。售价：￥600.0 元，本公告包含的招标文件售价总和三、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：中国科学院微电子研究所　　　　　地址：北京市朝阳区北土城西路3号　　　　　　　　联系方式：王老师 010-82995516　　　　　　2.采购代理机构信息名 称：东方国际招标有限责任公司　　　　　　　　　　　　地　址：北京市海淀区丹棱街1号互联网金融中心20层　　　　　　　　　　　　联系方式：迟兆洋、叶明、芮虎峥、荀笑尘 010-68290583/0589 hzrui@oitc.com.cn 、xcxun@oitc.com.cn　　　　　　　　　　　　3.项目联系方式项目联系人：迟兆洋、叶明、芮虎峥、荀笑尘电　话：　　010-68290583/0548

成果名称沉积物岩芯扫描分析仪的研制单位名称北京大学联系人马靖联系邮箱mj@labpku.com成果成熟度□研发阶段 &radic 原理样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产成果简介：作为岩矿成分测试发展的方向，分析工作从传统单元素化学分析向以大型分析仪器为主的多元素同时分析、从实验室内分析向野外现场分析转变已成趋势。其中X射线荧光分析方法作为典型应用，已列入了十一五国家科技发展规划中。传统思路下的荧光分析仪分析精度、速度已接近理论值，但仍与市场需求还存在差距，这制约了相关仪器分析方法的发展。与此不同，扫描型元素分析仪的应用可以有效地提高元素分析精度，提高样品分析速度，在地球科学基础研究和矿产勘探等领域发展前景广阔，市场空间巨大。2009年，北京大学城环学院周力平教授申请的&ldquo 沉积物岩芯扫描分析仪的研制&rdquo 得到第二期&ldquo 仪器创制与关键技术研发&rdquo 基金的支持。该仪器综合了微区X射线荧光分析技术(X-ray fluorescence)、数字X射线成像技术（digital x-ray micro radiography）和光学成像技术等多种分析手段，沿设定的样品轴向（沉积物岩芯轴向）可同时连续自动完成针对多种元素的高灵敏度检测、数字X射线成像（样品密度分布）以及高清晰光学图像采集等分析任务。该仪器的研制始于2007年，项目组通过与北京北达燕园微购分析测试中心有限公司合作，自筹经费开始试制&ldquo 岩芯沉积物X射线荧光分析扫描仪&rdquo ，已基本解决了线扫描相机、先进的SDD能谱探测器、专用的X射线光源和运动单元等技术问题。在第二期&ldquo 仪器创制与关键技术研发&rdquo 基金的有力支持下，该项目进一步完善了扫描仪的光路设计，通过采用X射线全反射狭缝技术将沿岩芯轴向的荧光理论分辨率提高至0.1mm，并设计了专用的岩芯能谱分析软件，提高仪器的检测水平。该项目目前已经顺利结题，项目研制的&ldquo 沉积物岩芯扫描分析仪&rdquo 样机实现了预定功能与指标，相关工作已进入成果转化阶段。此外，仪器研制中的关键成果也为进一步申请相关应用课题奠定了基础。应用前景：扫描型元素分析仪的应用可以有效地提高元素分析精度，提高样品分析速度，在地球科学基础研究和矿产勘探等领域发展前景广阔，市场空间巨大。

科学仪器是科技创新的重要基础和保障，也是创新研究成果的重要产出形式之一，标志着国家创新能力和科学技术可持续发展的水平。然而，目前我国大部分的科学仪器依赖进口，高端仪器和核心部件往往受制于人。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标》中明确要求要“加强高端科研仪器设备研发制造”。中国科学院作为国家战略科技力量，是我国开展科学仪器创新研制的主力之一，从“八五”期间开始设立“科学仪器设备升级改造和自主研制”专项。通过长期坚持高端科学仪器的自主创新研制，中国科学院取得了一系列重要成果，积累了一批关键核心技术，产出了一批具有知识产权的科学仪器设备。自2019年起，中国科学院系统梳理了具有自主知识产权的仪器设备和关键零部件，编制《中国科学院自主研制科学仪器产品名录》，并通过《中国科学院院刊》出版和传播，进一步加强中国科学院自主研制科学仪器的推广和应用。本文特汇总了2019至2022年度《中国科学院自主研制科学仪器产品名录》，供科技工作者、相关部门和企业等了解和参考。2019-2022年度中国科学院自主研制科学仪器产品名录中国科学院自主研制科学仪器2022序号产品名称数理与天文科学1量子钻石原子力显微镜2低温扫描隧道显微镜3低温扫描隧道显微镜-分子束外延联合系统4低温强磁场用扫描探针显微镜5金刚石量子计算教学机6钨灯丝扫描电子显微镜7脉冲式电子顺磁共振谱仪8氦质谱检漏仪9便携式伽玛射线成像仪10便携式核素识别仪1110拍瓦超强超短激光器121拍瓦超强超短激光器13中子斩波器14大型平行光管15核与辐射应急车载平台16激光雷达望远镜171米口径光学望远镜18大口径标准镜面1920英寸大面积微通道板型光电倍增管20超快位敏型微通道板型光电倍增管21靶斑仪22多波长飞秒全固态激光器23高重频钛宝石飞秒激光放大器24氟化钡闪烁晶体探测器25星载铷原子钟26芯片原子钟27显微共焦拉曼荧光光谱测量模块28有机玻璃内应力无损定量移动式检测装置29同步控制系统30太阳辐照度绝对辐射计化学与材料科学31分子束外延系统32深紫外激光光致发光光谱仪33深紫外激光光发射电子显微镜34场发射扫描电子显微镜35原子层沉积系统36磁控溅射台37电子束蒸发镀膜设备38系列高离化磁控溅射镀膜仪39碳化硅晶体生长炉40等离子体化学气相沉积镀膜设备41有机、无机薄膜沉积设备42台式电子顺磁共振波谱仪43X波段连续波/W波段脉冲电子顺磁共振波谱仪44全自动比表面及孔径分析仪45微型流化床反应动力学分析仪46多功能内耗仪47多相流非均相特性测量系统48光谱椭圆偏振仪49激光共聚焦法流体液膜厚度及物性测量仪50高能衍射仪51多维跨尺度材料热性能测量仪52微颗粒实时在线监测仪5380-400开尔文低温绝热量热仪54实验室中能X射线吸收谱仪55偏振光栅光刻机56台式数字光刻机57蒸发源及控制器58射频电源59分子泵60双级高速离心式空气压缩机信息与工程科学61X射线三维分层成像仪62红外焦平面探测器测试分析系统63投影光刻机64接触式曝光机系列65大视场三线阵立体航测相机66傅里叶变换红外光谱辐射分析仪67激光干涉仪68衍射光栅（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）69超高分辨率超声缺陷检测设备70高密度等离子体刻蚀机71高精度电光晶体定向仪72超高精度面形干涉测量设备73智能环形抛光机74纤维增强复合材料超快激光切割装备75万瓦级半导体激光器综合测试系统76单频激光噪声测试仪77相干光场波前测量仪78长焦可见光/红外共口径光学成像相机79显微红外成像光谱仪80机载双频激光雷达81激光跟踪仪82卫星移动通信终端综合测试仪83光矢量网络分析仪84数字延时脉冲发生器85系列深紫外准分子激光器86高温液态金属流速实时在线监测仪87集束型纳米薄膜生长系统88涡轮叶片表面温度测量仪89线阵列X射线探测器90中红外锑化物大功率激光器地球与环境科学91地面电磁探测系统92小型绝对重力仪93近钻头方位伽马成像地质导向系统94分布式光纤声传感系统95偶极横波远探测井仪96高精度光纤地震采集系统97岩石空心圆柱扭剪试验系统98天光背景测量仪99质子转移反应质谱仪100大气臭氧观测激光雷达101便携式多组份气体紫外分析仪102车载双光路污染气体分布及网格化排放遥测系统103大气成分差分光学吸收光谱在线监测系统104轨道对地高时空分辨率快速成像仪105大动态范围积分球辐射源106温室气体柱总量地基观测系统107宽波段可调谐光腔衰荡光谱仪108激光散射大气颗粒物偏振浊度计109高频单颗粒偏光粒径谱仪110深海激光拉曼光谱原位定量探测系统111声学多普勒流速剖面仪112基于大型浮标的自由伸缩式海洋剖面观测平台113三锚式浮标综合观测平台114深海海底理化环境长期观测系统115深海多参数剖面观测浮标116海底地震仪117船载挥发性有机物监测仪118系列拉曼光谱探针1196000米级可视化可控轻型柱状取样器120漫反射标准参照板生命与医学科学121人体肺部气体磁共振成像仪1221.5T无液氦超导磁共振成像系统123乳腺/灵长类正电子发射断层成像仪124小动物能谱显微CT125消毒防疫机器人126全自动数字PCR检测系统127自动化核酸快速提取仪128固态纳米孔制备仪129流式光片成像仪130全光谱荧光活体成像系统131高等级生物安全活体荧光成像系统132小动物活体荧光成像系统133多模态结构光超分辨显微镜134冷冻三维结构光照明显微镜135STED超分辨光学显微镜136激光扫描共聚焦显微镜137多脑区双光子显微成像系统138大视场高分辨光层析显微镜139光片显微镜140超广角共焦激光造影仪141数字眼底成像仪142共聚焦显微内窥镜143光电同步脑功能检测系统144超声内窥镜145伽玛射线成像仪146毒品快速检测仪147个人辐射报警仪148高精度高稳定性柔性电容式触觉传感器149微型高频超声换能器150硅神经微电极中国科学院自主研制科学仪器2021序号名称数理与天文科学1低温扫描隧道显微镜-分子束外延联合系统/变温扫描隧道显微镜系统2低温扫描隧道显微镜3高通量激光分子束外延-低温扫描隧道显微镜联合系统4无液氦（干式）超导磁体原子分辨扫描隧道显微镜、磁力显微镜5时间分辨超快透射电子显微镜系统6显微共焦拉曼荧光光谱测量模块7激光测距测控一体机8大功率中红外激光器9短波连续紫外激光器101 PW超强超短激光器1110 PW超强超短激光器12高重频钛宝石飞秒激光放大器13多波长飞秒全固态激光器14超窄线宽稳频激光系统15大功率红绿蓝单频激光器16大型平行光管17软X射线分幅相机18皮秒条纹相机19系列条纹相机20靶斑仪21系列氦质谱检漏仪22大口径高结构刚度碳化硅反射镜23高精度复杂曲面智能光学加工系统241.2 m望远镜激光测月系统251 m口径光学望远镜26400 mm口径光学望远镜27激光雷达望远镜28大口径标准镜面29高精度光学镜面30中子斩波器31超精密纳米压电位移台32VLBI数据采集系统33图像增强型镜头模块34单频激光噪声测试仪35量子态控制与读出系统36脉冲式电子顺磁共振谱仪37全光驱动高能电子束38被动型星载氢原子钟39星载铷原子钟40芯片原子钟41时间服务器42RNSS授时型接收机43授时信号模拟器44标准时间复现设备45网络精密时间服务器46NTSC高精度光纤时间频率传递设备47共视远程比对测量仪48宽带数字化脉冲星终端49皮秒高压脉冲源50太赫兹超导探测器芯片系列51超导纳米线单光子探测系统52硅探测器53CsI（Tl）闪烁晶体探头54翠鸟新型锁相放大器55旗形光学面形仪56便携式伽玛射线成像仪57伽玛射线成像仪58便携式核素识别仪59个人辐射报警仪60紫外日盲型光电倍增管61快响应光电倍增管/微通道板型光电倍增管62磁通门磁强计化学与材料科学63场发射枪扫描电子显微镜64基于可调谐深紫外激光光源的近常压光发射电子显微镜65深紫外激光光发射电子显微镜66二阶非线性光学测试仪67膜乳化器系列设备68冷喷涂设备69热丝法化学气相沉积设备70集束型纳米薄膜生长系统71磁控溅射台72原子层沉积系统73碳化硅晶体生长炉74高能衍射仪75分子束外延系统76等离子体化学气相沉积镀膜设备77蒸发镀膜设备78掠角入射沉积电子束蒸发设备79有机薄膜太阳能电池/OLED沉积设备80蒸发源及控制器81400-600 MHz高场磁共振波谱仪82深紫外/红外离子化质谱光谱仪83高灵敏在线光电离飞行时间质谱仪84皮秒单光子发光光谱仪85中性团簇红外光谱装置86交叉分子束-里德堡态氢原子飞行时间谱装置87紫外-可见区激光三联拉曼光谱仪88复杂环境气敏传感器测试系统89源表级多通道气体敏感测试平台90多相反应器内非均相流动特性测量系统91多相反应器内非均相混合特性测量系统92多功能内耗仪93多维跨尺度材料热性能测量仪94仪器分子泵95系列磁悬浮分子泵96中子分析用高温炉97微颗粒实时在线监测仪98激光共聚焦法流体液膜厚度及物性测量仪99分子吸附动力学原位测试系统100便携式离子阱颗粒质谱101单纵模纳秒脉冲光参量振荡器102程序升温脱附系统103流通池荧光检测器104离子阱毒品现场鉴别仪105便携式、台式爆炸物、毒品痕量检测仪信息与工程科学106激光闪光光谱仪（纳秒瞬态光谱仪）107系列化深紫外全固态激光器108大能量飞秒光纤激光器109超快激光精密加工设备110实时高速视觉系统111600 mm激光干涉仪（含拼接装置）112平面激光干涉仪113激光模拟单粒子效应测试系统114激光模拟剂量率测试系统115光刻机系列116高密度等离子体刻蚀机117深紫外准分子激光器系列产品118激光划片机119高速高精密激光调阻机120机载双频激光雷达121任意序列发生器122双光子3D打印系统123光栅系列（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）124高性能光学滤光片系列（荧光滤光片、诱导透射滤光片等）125绝对式光栅尺126镜面偏心间隔一体化检测系统127高通量智能音视频处理一体机128智能环形抛光机129系列真空泵130毫米波人体成像安全检查设备131LIBS元素成分非接触式快速分析仪132线阵列X射线探测器133双通道辐射剂量检测与连锁控制器134多维步态测试系统135微小部件高速高精度自动分拣装备136相干光场波前测量仪137高精度电光晶体定向仪138发动机内窥光纤火焰传感器139柔性力敏传感器140超高精度压力传感器141微型电场传感器142半导体泵浦激光放大器143光电放大器144超级基站145卫星移动通信终端综合测试仪146高温超导接收前端147空间环境模拟设备148交会灯 舱内灯149空间细胞生物反应器150氟油检漏平台151坚固-工业耐辐射摄像机152激光跟踪仪153工业全站仪154传输线脉冲发生器155功率器件闩锁测试系统156二维机械手157皮安电流测量仪158全隔离高精度多路脉冲同步触发系统159微波辐射粮食快速干燥机地球与环境科学160高精度磁强计161全天相机/全天域极光监测仪162全自动差分像运动大气视宁度监测仪163光学湍流与风廓线仪164二噁英大气采样仪165全天空气辉成像仪166全天空云图仪167大气成分差分光学吸收光谱在线监测系统168大气痕量气体成像差分吸收光谱仪169大气过氧自由基测量仪170便携式多组份气体紫外分析仪171亚硝酸在线分析仪172便携式挥发性有机物分析仪173便携式傅里叶红外多组分气体分析仪174机动车排放超细颗粒物数浓度监测仪175气态亚硝酸在线检测仪176全天域极光/气辉高光谱成像仪177农田氨挥发原位实时监测系统178质子转移反应质谱仪179大气臭氧观测激光雷达180地面电磁探测系统181探地雷达182高精度测温链183超声风速温度仪184天光背景测量仪185太阳辐射计186感应式磁场传感器187深海水声数据采集记录系统188深海声学应答释放器1896000m级可视化可控轻型柱状取样器190深海高光谱成像仪191深海多参数剖面观测浮标192实时通信潜标193漂流浮标194三锚式浮标综合观测平台195腐蚀传感器196基于大型浮标的自由伸缩式海洋剖面观测平台197单模多卡北斗通信模块198海岛近岸水文监测系统199海底地震仪200冻融循环测试系统201小型绝对重力仪202超低温电池203漫反射标准参照板204大动态范围积分球辐射源205污染物分布红外光谱成像遥测系统206水质监测水面机器人207水体藻类在线/原位监测仪208两虫检测自动识别系统209浮游动物原位探测超分辨三维成像系统210光纤信号采集器211光纤地震计212分布式光纤声传感系统213便携式土壤碳通量自动测量系统214数字化三维高清钻孔摄像系统215地下流体分层保真取样仪216地应力测井机器人217腔增强反照率光谱仪218智能厌氧制备系统219小型荧光检测模块220有机固废好氧快速发酵系统生命与医学科学221TIRF单分子显微镜222STED超分辨光学显微镜223STED超分辨光学显微镜224激光扫描共聚焦显微镜225三维结构光照明超分辨显微镜226高场磁共振射频线圈及其发射接收功能链路227光泵原子磁力计脑磁图2287T小动物磁共振成像229乳腺/灵长类诊断正电子发射断层成像系统230小动物能谱显微CT231小动物光学和光声断层多模融合分子影像设备232小动物在体自发荧光断层分子影像设备233小动物光学多模融合分子影像成像系统234四维在体光学投影断层成像系统235三维实时在体神经功能回路成像系统236高场磁共振射频线圈237超高通量基因测序仪238单细胞拉曼分选-测序耦合系统239高通量流式拉曼分选仪240单细胞扩增测序系统241芯片式高通量数字化核酸分析仪242自动化核酸快速提取仪243超微量DNA自动提取检测工作站244全自动干细胞诱导培养设备245基于自发光技术的新型抗菌药物活体筛选系统246克隆挑取仪247单细胞精准分选仪248单细胞微液滴分选系统249临床单细胞拉曼药敏性快检仪250非晶镍钛支持膜透射电镜载网251超薄切片自动收集器252平场复消色差显微物镜253微型高频超声换能器254三重四极杆质谱仪255双通道纳米颗粒示踪分析仪256生物分子界面分析仪257智能化蛋白层析系统258离子束生物工程装置259小氢新TM便携式氢氧仪260中国人群嗅觉识别测试棒261高真空低温光电关联荧光成像仪262认知障碍康复训练系统263人体多生理参数检测系统264血管内光/声多模态、多尺度成像系统265人体肺部气体磁共振成像系统266穿刺手术导航系统267轻量型锥束CT成像系统268健康管理系统（一体机、随诊包）269生物特征光谱识别仪270人与动物血液细胞非接触式识别仪271心血管功能测试仪272肺功能测试仪273动脉硬化检测仪274呼吸热量代谢测试仪275身体成分分析仪276单粒种子品质智能化无损通量检测分选仪器277消毒防疫机器人278黄曲霉毒素荧光检测器279触角电位测量系统280科研型-光镊微操作仪281五面投影虚拟仿真CAVE系统中国科学院自主研制科学仪器2020序号名称数理与天文科学1超高真空扫描探针显微镜系统2超高真空低温扫描隧道显微镜3高通量激光分子束外延-低温扫描隧道显微镜联合系统4扫描探针显微镜5干式无液氦超导磁体扫描隧道显微镜、磁力显微镜、原子力显微镜6超快透射电子显微镜系统7星载质谱仪8星载中能粒子探测器9星载高能质子（电子）探测器10热等离子体探测器11闪烁体中子探测器12线阵列X射线探测器13太赫兹超导探测器芯片系列14溴化镧闪烁晶体空间探测器15显微共焦拉曼荧光光谱测量模块16深紫外激光调制反射光谱仪17大型平行光管18400mm口径光学望远镜19激光雷达望远镜201m口径光学望远镜21大口径标准镜面22高精度光学镜面23氢原子钟24星载铷原子钟25芯片原子钟26时间服务器27激光抽运小型铯原子钟28网络精密时间服务器29高重复率距离门控产生器30超窄线宽稳频激光系统31高重频钛宝石飞秒激光放大器32多波长飞秒全固态激光器33中红外锑化物大功率激光器341PW超强超短激光系统3510PW超强超短激光器36中红外可调谐飞秒激光器37高光束质量高功率纳秒激光器38深紫外激光光致发光光谱仪39光学湍流与风廓线仪40天顶仪41高温超导接收前端42量子态控制与读出系统43脉冲式电子顺磁共振谱仪44全光驱动高能电子束45全光驱动的团簇聚变中子源46单频激光噪声测试仪47燃油喷嘴高压高温雾化特性平面激光测量系统48风力机外场气动/结构综合测试系统49磁通门磁强计50靶斑仪51超声波可视化与定量观测的动态激光光弹设备52氦质谱检漏仪53共视远程比对测量仪54授时信号模拟器55星载粒子辐射剂量仪56朗缪尔探针57RAMO-C个人辐射报警仪化学与材料科学58400-600MHz高场磁共振波谱仪59高灵敏在线光电离飞行时间质谱仪60皮秒单光子发光光谱仪61中性团簇红外光谱装置62交叉分子束-里德堡态氢原子飞行时间谱装置63紫外-可见区激光三联拉曼光谱仪64荧光相关光谱仪65暗场光谱显微镜66场发射枪扫描电子显微镜67深紫外激光光发射电子显微镜68双光子显微镜69多相反应器内非均相混合特性测量系统70多相反应器内非均相流动特性测量系统71高速高精密激光调阻机72大功率红绿蓝单频激光器73大功率中红外激光器74短波连续紫外激光器75TDTR薄膜导热测量仪76有机薄膜太阳能电池/OLED沉积设备77电子束蒸发系统78集束型纳米薄膜生长系统79磁控溅射台80等离子体化学气相沉积镀膜设备81蒸发镀膜设备82磁控溅射卷绕镀膜设备83高能脉冲磁控溅射镀膜机84分子束外延系统85蒸发源及控制器86真空泵、离子泵87系列磁悬浮分子泵88系列脂润滑分子泵89高能衍射仪90超高真空闸板阀91微型流化床反应动力学分析仪92微颗粒实时在线监测仪93单纵模纳秒脉冲光参量振荡器94程序升温脱附系统95流通池荧光检测器96离子阱毒品现场鉴别仪97便携式、台式爆炸物、毒品痕量检测仪98智能化蛋白层析系统99碳化硅晶体生长炉100分子吸附动力学原位测试系统101基于共振光散射的微阵列生物芯片检测系统102多功能内耗仪103源表级多通道气体敏感测试平台信息与工程科学104600mm激光干涉仪105高精度电光晶体定向仪106飞秒脉冲形状宽度测量仪107超级基站108原子层沉积系统109光刻机系列110高密度等离子体刻蚀机111多自由度精密工件台系列112连续波速调管113短相干激光干涉仪114动态干涉仪115短相干激光器116单频种子激光器117高功率固态飞秒激光器118高功率光纤飞秒激光器119半导体泵浦激光放大器120太赫兹量子级联激光器121系列化深紫外全固态激光器122超高精度压力传感器123固体目标微形变探测仪124高温金属液流速实时在线监测仪125绝对式光栅尺126激光跟踪仪127工业全站仪128激光划片机129激光模拟单粒子效应测试系统130微秒脉冲电源131复杂结构构件的超声无损评价系统132超声相控阵检测仪133基于SEM的nano-CT系统134二维真空机械手135LIBS元素成分非接触式快速分析仪136空间环境模拟设备137氟油检漏平台138多维力/力矩传感器139超导纳米线单光子探测系统140机载双频激光雷达141超导磁选机142三维X射线晶圆级封装计量系统143高低温空间环境模拟真空设备144伽玛射线成像仪145高密度激光改性系统146多维跨尺度材料热性能分析仪147皮秒条纹相机148可见与红外光轴平行度检测仪149小型电子束曝光系统150激光闪光光谱仪151自适应光纤耦合装置及扩束系统152高速并行超声信号系统153高压脉冲源154二阶非线性光学测试仪155任意序列发生器156光栅系列157大面积微通道板型光电倍增管158双光子3D打印系统159高通量智能音视频处理一体机160涡轮叶片表面温度测量仪161微型超声换能器162微型电场传感器地球与环境科学163分布式光纤声传感系统164光纤信号采集器165光纤地震计166海底地震仪167电离层光度计168红外云天仪169天空光谱辐照度仪170全天空云图仪171太阳光谱辐射观测设备172太阳辐射计173便携式多组份气体紫外分析仪174大气痕量气体成像差分吸收光谱仪175昼夜大气相干长度仪176大气成分差分光学吸收光谱在线监测系统177陆地-大气界面气体交换通量全自动观测系统178大气臭氧探空仪179二噁英大气采样仪180多粒径大流量空气颗粒物采样器181超声风速温度仪182海洋重力仪183水声试验用拖曳细长线列阵184实时通信潜标1856000m级可视化可控轻型柱状取样器186深海海底理化环境长期观测系统187深海激光拉曼光谱原位定量探测系统188深海多参数剖面观测浮标189深水多通道声学测量系统190深海原位水体采样装置191系列化拉曼光谱探针192水面艇用小型多普勒计程仪193水质监测水面机器人194基于ROV的小型钻机195基于ROV的小型抓斗196ROV温度梯度传感器197地应力测井机器人198原子绝对重力仪199正交偶极子声波测井换能器200地面电磁探测系统201感应式磁场传感器202探地雷达203定容管活塞式油气水多相流量计204超导重力仪205XRF岩石样品自动分析及大型化石表面元素分析仪206航天器表面电位监测器207集成电路激光精准注入分析仪208高精度磁强计209甚低频MEMS地震检波器210水体藻类在线/原位监测仪211生物耗氧量在线分析仪212地下流体分层保真取样仪213基于NB-IoT的集成式土壤墒情智能监测设备214有机-无机复合污染场地土壤多元异位集成洗脱修复设备215便携式土壤呼吸测量系统216便携式微波辐射计217气态亚硝酸在线检测仪218亚硝酸在线分析仪219扫描式岩石磁性测量仪生命与医学科学220超高通量基因测序仪221冷冻显微镜222多波长消色差全内反射显微镜223STED超分辨光学显微镜224三维结构光照明超分辨显微镜225激光扫描共聚焦显微镜226基于介质微球透镜的近场光学超分辨显微镜227TIRF单分子显微镜228小动物能谱显微CT229小动物移动眼动追踪仪230小动物光学和光声断层多模融合分子影像设备231小动物在体自发荧光断层分子影像设备232小动物光学多模融合分子影像成像系统233四维在体光学投影断层成像系统234乳腺/灵长类诊断正电子发射断层成像系统235人体多生理参数检测系统236轻量型锥束CT成像系统237人体肺部气体磁共振成像系统238糖尿病早期无创检测系统239多功能荧光分析仪240高时空分辨的电化学-荧光耦联细胞成像系统241多路激光耦合器242临床单细胞拉曼药敏性快检仪243单细胞拉曼分选-测序耦合系统244单细胞物理/化学特性高通量检测分析仪245单细胞分选仪246细胞三维培养系统247流式细胞仪248数字PCR仪249核磁共振微成像仪250超微量DNA自动提取检测工作站251全自动干细胞诱导培养设备252自适应光学视网膜成像仪253三维实时在体神经功能回路成像系统254毫米波人体成像安全检查设备255膜乳化器系列设备256三重四极杆质谱仪257生物分子界面分析仪258全自动、高分辨率、高通量植物真三维影像分析系统259生物结构真三维形态图像快速获取与定量分析仪260浮游动物原位探测超分辨三维成像系统261离子束生物工程装置262无需麻醉小动物活体发光快速检测系统263基于低频振荡的微点阵阵列/图案化制备仪器系统264黄曲霉毒素荧光检测器265消毒防疫机器人266触角电位测量系统267单粒种子品质智能化无损通量检测分选仪器268硅神经微电极269共聚焦显微内窥镜270微型高频超声换能器271平场复消色差显微物镜272科研型-光镊微操作仪273消色差全内反射荧光照明器274在线OD测量仪275两虫样品预处理仪中国科学院自主研制科学仪器2019序号名称数理与天文科学1GNSS无线电掩星探测仪2热等离子体探测器3深紫外激光光致发光光谱仪4深紫外激光光发射电子显微镜5等离子体分析仪6朗缪尔探针7靶斑仪8星载铷原子钟9星载高能质子（电子）探测器10超高真空低温扫描隧道显微镜11超窄线宽稳频激光系统12卫星高度计有源定标器13天顶仪14星载粒子辐射剂量仪15高重频钛宝石飞秒激光放大器16超导纳米线单光子探测系统17太赫兹超导探测器芯片系列18高温超导接收前端19单频激光噪声测试仪20时间服务器21扫描探针显微镜22量子态控制与读出系统23磁通门磁强计24高重复率距离门控产生器（RGG）25中红外锑化物大功率激光器26复现高超声速飞行条件激波风洞271PW超强超短激光系统2810PW超强超短激光器29中红外可调谐飞秒激光器30全光驱动高能电子束31全光驱动的团簇聚变中子源32高通量激光分子束外延-低温扫描隧道显微镜联合系统33超高真空扫描探针显微镜系统化学与材料科学34深紫外/红外离子化质谱光谱仪35脉冲式电子顺磁共振谱仪36膜乳化器系列设备37400-600MHz高场磁共振波谱仪38分子束外延系统39紫外-可见区激光三联拉曼光谱仪40高能脉冲磁控溅射（HiPIMS）镀膜机41质子转移反应质谱仪42双光子显微镜43在线飞行时间质谱仪44OLED有机薄膜太阳能电池沉积设备45元素分布成像快速检测装置46开放光路面源排放VOCs气体分析仪47傅里叶红外多组分气体分析仪48场发射枪扫描电子显微镜49离子阱颗粒质谱装置50荧光相关光谱仪51碳化硅晶体生长炉52多功能内耗仪53声表面波气相色谱仪54多元素重金属在线分析仪55TVP远心/光纤照相多相测量仪56便携式、台式爆炸物毒品痕量检测仪57高能衍射仪58蒸发源及控制器59燃气分析仪60焚烧烟气二噁英等速采样仪61源表级多通道气体敏感测试平台62ZJ系列准静态d33测量仪63磁控溅射卷绕镀膜设备信息与工程科学64机载双频激光雷达65系列化深紫外全固态激光器66超导磁选机67三维X射线晶圆级封装计量系统68原子层沉积系69多自由度精密工件台系列70高低温空间环境模拟真空设备71伽玛射线成像仪72光刻机系列73高密度激光改性系统74基于SEM的nano-CT系统75高密度等离子体刻蚀机76多维跨尺度材料热性能分析仪77连续波速调管78电子束蒸发系统79磁控溅射台80皮秒条纹相机81涡轮叶片表面温度测量仪82等离子体化学气相沉积镀膜设备83可见与红外光轴平行度检测仪84小型电子束曝光系统85高速数据采集板86激光闪光光谱仪（纳秒瞬态光谱仪）87自适应光纤耦合装置及扩束系统88定容管活塞式油气水多相流量计89高速多参数自动筛选机90高速并行超声信号系统91超声剪切波弹性成像仪器92高压脉冲源93二阶非线性光学测试仪94真空部件95平面激光干涉仪96KBBF-PCD器件97多通道颗粒浓度速度测量仪98任意序列发生器99光栅系列（平面刻划光栅、平面全息光栅、曲面全息光栅）100超声风速温度仪101多维力/力矩传感器102微型超声换能器103感应式磁场传感器104大面积微通道板型光电倍增管105激光功率能量计106双光子3D打印系统107高通量智能音视频处理一体机地球与环境科学108深海海底理化环境长期观测系统109水声试验用拖曳细长线列阵1106000m级可视化可控轻型柱状取样器111深海激光拉曼光谱原位定量探测系统112深海多参数剖面观测浮标113超导重力仪114原子绝对重力仪115地面电磁探测系统116昼夜大气相干长度仪117水质监测水面机器人118陆地-大气界面气体交换通量全自动观测系统119探地雷达120大气成分差分光学吸收光谱（DOAS）在线监测系统121太阳辐射计122基于ROV的小型钻机123海底地震仪124系列化拉曼光谱探针125全天空云图仪126水面艇用小型多普勒计程仪127红外云天仪128ROV温度梯度传感器129基于ROV的小型抓斗130深海原位水体采样装置131二噁英大气采样仪132大气臭氧探空仪133生物耗氧量在线分析仪生命与医学科学134小动物光学多模融合分子影像成像设备1353.0T人体磁共振成像系统136肺部气体磁共振成像系统137乳腺PET/灵长类PET138四维在体光学投影断层成像系统139基于介质微球透镜的近场光学超分辨显微镜140全自动干细胞诱导培养设备141自适应光学视网膜成像仪142STED超分辨光学显微镜143超微量DNA自动提取检测工作站144三维实时在体神经功能回路成像系统145小动物光学和光声断层多模融合分子影像设备146毫米波人体成像安全检查设备147单细胞拉曼分选及测序耦合系统148小动物在体自发荧光断层分子影像仪器设备149临床单细胞拉曼耐药性快检仪150TIRF单分子显微镜151激光扫描共聚焦显微镜152数字PCR仪153糖尿病早期无创检测系统154科研型-光镊微操作仪155流式细胞仪156智能化蛋白层析系统157黄曲霉毒素荧光检测器158人体多生理参数检测系统

除了采用红外沼气分析仪用于监测沼气成分以调节沼气工程工况外，泵也是沼气工程的重要设备之一，直接影响工程的正常运行。沼气工程常见的泵主要包括料液提升泵，进料泵，循环搅拌泵，沼渣、沼液提升泵，热水循环泵等。泵的选型应根据料液输送量、装置扬程、料液性质、管路布置以及操作运转条件等工艺要求进行。1)流量：选泵时，以最大流量为依据，兼顾正常流量，在没有最大流量时，通常可取正常流量的1.1倍作为最大流量。2)扬程：一般要用放大5%~10%余量后的扬程来选型。3)料液性质：包括料液介质的物理性质、化学性质和其他性质。物理性质有温度、密度、黏度、介质中固体颗粒直径和气体的含量，这涉及系统的扬程，有效气蚀余量计算和合适泵的类型。化学性质主要指液体介质的化学腐蚀性和毒性，是选用泵材料和选用哪一种轴封型式的重要依据。4)管路布置条件：指送液高度、送液距离、送液走向、吸入侧最低液面、排出侧最高液面等一些数据和管理规格及其长度、材料、管件规格、数量等，以便进行系统扬程计算和气蚀余量的校核。5)操作条件：包括内容很多，例如，液体的操作饱和蒸汽压力、吸入侧压力（绝对）、排出侧装置压力、海报高度、环境温度、操作是间歇的还是连续的、泵的位置是固定的还是可移动的等。螺杆泵我国现有沼气工程应用较多的螺杆泵有G系列单螺杆泵和立式螺杆泵。这两类螺杆泵均有输送高黏度流体、含有硬质悬浮颗粒介质或含有纤维介质的特点。泵的结构紧凑，体积小，维修简便，对介质适应性强，流量平稳，压力脉动小，自吸能力高。工作温度可达120℃。在沼气工程中，螺杆泵常作为进料泵使用，当进料总固体浓度为5%~12%时建议采用螺杆泵。污泥泥浆泵NL系列污水泥浆泵在农村主要用作河泥、粪便、浆饲料的吸送，可用于市政、食品等行业抽吸浓稠液、污浊液、糊状体、流砂及城市河道的流动污泥等。在沼气工程中，进料或提升料液的总固体浓度为4%~5%时建议采用泥浆泵。高效无堵塞排污泵高效无堵塞排污泵具有节能效果显著、防缠绕、无堵塞等特点，适合输送含有固体和长纤维的介质。介质温度不超过60℃，重度1.2~1.3kg/m3，pH在5~9范围内。在沼气工程中，当进料或提升料液的总固体浓度小于4%时，或沼液提升时，建议采用高效无堵塞排污泵。管道式高效无堵塞排污泵可用于低浓度沼气发酵罐的料液回流搅拌。自动搅匀排污泵自动搅匀排污泵是在普通排污泵的基础上采用自动搅拌装置，该装置随电机轴旋转，产生极强的搅拌力，将污水池内的沉积物搅拌成悬浮物，吸入泵内排出，提高泵的防堵、排污能力，一次性完成排水、清水、清淤，节约运行成本。介质温度不超过60℃，重度1.0~1.3kg/m3，pH在4~10范围内。在沼气工程中可用于池（罐）底清淤，含沉渣较多的料液的吸排。自吸式无堵塞排污泵自吸式无堵塞排污泵是一种集自吸和无堵塞排污于一体的泵型，既可以像一般自吸清水泵那样不需要安装底阀和灌引水，又可吸排含有大颗粒固体和长纤维杂质的液体，适用于市政排污工程、食品等行业混合悬浮物介质的输送，是一种理想的杂质泵。凸轮转子泵、高密度固体泵当沼气工程进料总固体浓度超过25%时，上述泵均无能为力。目前欧洲，对于高浓度沼气发酵原料的进料，有工程采用凸轮转子泵或高密度固体泵。凸轮转子泵是自吸、无阀、正排泵，流量与转速成正比，可输送各种黏稠或含有颗粒物的介质。完全对称设计，允许在任何情况下进行逆向运转，只需要改变转子的转向即可，可实现一台泵完成沼气发酵罐进料和排渣两项工作。高密度固体泵适合原料广，可正常输送2/3管径大小的杂物；输送物料浓度高，输送物料的总固体可达25%~40%；输送距离长，可达200m；可长时间无故障工作，24h连续工作，全封闭系统，对物料的适应能力强，低维护、低磨损。（来源：沼气圈）

基本信息 关键内容： 物理气相沉积,原子层沉积 开标时间： 2021-09-03 14:00 采购金额： 795.00万元 采购单位： 浙江大学宁波五位一体校区教育发展中心 采购联系人： 王鸯鸯 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 宁波中基国际招标有限公司 代理联系人： 徐承 代理联系方式： 立即查看 详细信息 宁波中基国际招标有限公司关于浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目的公开招标公告 浙江省-宁波市-鄞州区 状态：公告 更新时间： 2021-08-13 项目概况 浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目招标项目的潜在投标人应在政府采购云平台（www.zcygov.cn）获取（下载）招标文件，并于 2021年09月03日 14:00（北京时间）前递交（上传）投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：CBNB-20211438G 项目名称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目 预算金额（元）：7950000 最高限价（元）：3500000,2350000,2100000 采购需求： 标项一 标项名称: 等离子体增强化学气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 3500000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项二 标项名称: 物理气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 2350000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项三 标项名称: 全自动匀胶显影系统 数量: 1 预算金额（元）: 2100000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 合同履约期限：标项 1、2、3，自合同签订生效后开始至双方合同义务完全履行后截止。 本项目（否）接受联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；未被“信用中国”（www.creditchina.gov.cn)、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求：标项1、2、3：单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同投标人，不得参加同一标项的投标。为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的投标人，不得再参加本项目的投标。 三、获取招标文件 时间：2021年08月13日至2021年08月20日 ，每天上午00:00至12:00 ，下午12:00至23:59（北京时间，线上获取法定节假日均可，线下获取文件法定节假日除外） 地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 方式：1.本项目招标文件实行“政府采购云平台”在线获取，不提供招标文件纸质版。供应商获取招标文件前应先完成“政府采购云平台”的账号注册；2.潜在供应商登陆政采云平台，在线申请获取招标文件（进入“项目采购”应用，在获取招标文件菜单中选择项目，申请获取招标文件；仅需浏览招标文件的供应商可点击“游客，浏览招标文件”直接下载招标文件浏览）；3.招标公告附件内的招标文件仅供阅览使用，投标人只有在“政府采购云平台”完成获取招标文件申请并下载了招标文件后才视作依法获取招标文件（法律法规所指的供应商获取招标文件时间以供应商完成获取招标文件申请后下载招标文件的时间为准）。注：请投标人按上述要求获取招标文件，如未在“政采云”系统内完成相关流程，引起的投标无效责任自负。 售价（元）：0 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2021年09月03日 14:00（北京时间） 投标地点（网址）：（1）“电子加密投标文件”：政采云平台（www.zcygov.cn）在线提交；（2）“电子备份投标文件”：中基招标会议中心（宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦1楼）开标室 开标时间：2021年09月03日 14:00 开标地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.供应商认为采购文件使自己的权益受到损害的，可以自获取采购文件之日或者采购文件公告期限届满之日（公告期限届满后获取采购文件的，以公告期限届满之日为准）起7个工作日内，对采购文件需求的以书面形式向采购人提出质疑，对其他内容的以书面形式向采购人和采购代理机构提出质疑。质疑供应商对采购人、采购代理机构的答复不满意或者采购人、采购代理机构未在规定的时间内作出答复的，可以在答复期满后十五个工作日内向同级政府采购监督管理部门投诉。质疑函范本、投诉书范本请到浙江政府采购网下载专区下载。 2.其他事项：2.1.采购项目需要落实的政府采购政策：（1）对小微企业的产品给予价格优惠（监狱企业、残疾人福利性单位视同小微企业；残疾人福利性单位属于小型、微型企业的，不重复享受政策）；（2）优先采购节能环保产品（注：所采购的货物在政府采购节能产品、环境标志产品实施品目清单范围内，且具有国家确定的认证机构出具的、处于有效期之内的节能产品、环境标志产品认证证书）。2.2.本次政府采购活动有关信息在浙江政府采购网公布，视同送达所有潜在投标人。 2.3特别提醒事项：（1）供应商应于提交投标文件截止时间前将电子加密投标文件上传到政府采购云平台www.zcygov.cn，未上传电子加密投标文件，视为供应商放弃投标。（2）供应商在“政府采购云平台”完成“电子加密投标文件”的上传递交之外，还可以（邮寄形式或派人现场提交，以招标代理机构联系人签收时间为准）在投标截止时间前提交以介质（U盘）存储的数据电文形式的“备份投标文件”。（3）电子招投标有关事项说明：①本项目通过“浙江政府采购网（http://zfcg.czt.zj.gov.cn）”实行电子投标，供应商须安装客户端软件，并按照采购文件和电子交易平台的要求制作投标文件。客户端软件下载方式：供应商可通过“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端”进行下载。②供应商须申领CA，CA申领及相关操作可参考“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端-CA驱动和申领流程”。供应商在进行上述操作时，如遇技术问题可致电400-881-7190进行咨询。（4）疫情期间特别提醒事项：①采用邮寄方式提交电子备份投标文件，需按以下要求递交：供应商须在投标截止时间前将电子备份投标文件邮寄至规定地点，由招标代理工作人员进行签收。各供应商自行考虑邮寄在途时间，邮寄过程中无论何种因素导致电子备份投标文件未按时递交的后果，均由供应商自行负责。电子备份投标文件递交时间以招标代理实际收到电子备份投标文件的时间为准。迟到的电子备份投标文件将被拒收。请各供应商确保密封包装在邮寄过程密封包装完好，并在邮寄包裹上注明项目名称，因邮寄过程的密封破损造成不符合开标要求的，本招标代理及招标人概不负责。电子备份投标文件邮寄地址为：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼。收件人：王鸯鸯，联系方式：0574-88090157,13373888477②采用现场递交方式递交电子备份投标文件，在投标当天投标人员需持绿色“甬行码”、佩戴口罩且体温测量正常后方可进入开标现场（以开标当日测量体温为准）递交电子备份投标文件。若供应商因未按上述要求办理而导致无法准时进入开标现场的，由供应商自行负责。 七、对本次采购提出询问、质疑、投诉，请按以下方式联系 1.采购人信息 名 称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹） 地 址：宁波市鄞州区钱湖南路1号 传 真：/ 项目联系人（询问）：郑老师 项目联系方式（询问）：0574-88229887 质疑联系人：杨国义 质疑联系方式：0574-88130160 2.采购代理机构信息 名 称：宁波中基国际招标有限公司 地 址：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼 传 真：0574-87425386 项目联系人（询问）：王鸯鸯、徐承 项目联系方式（询问）：0574-88090157、87425387 质疑联系人：蒋海佳 质疑联系方式：0574-87423685 3.同级政府采购监督管理部门 名 称：宁波市政府采购管理办公室 地 址：宁波市海曙区中山西路19号 传 真：/ 联系人 ：徐老师 监督投诉电话：0574-89388441 若对项目采购电子交易系统操作有疑问，可登录政采云（https://www.zcygov.cn/），点击右侧咨询小采，获取采小蜜智能服务管家帮助，或拨打政采云服务热线400-881-7190获取热线服务帮助。 CA问题联系电话（人工）：汇信CA 400-888-4636；天谷CA 400-087-8198。 附件信息： 430.4K × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2021-09-03 14:00 预算金额：795.00万元 采购单位：浙江大学宁波五位一体校区教育发展中心 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：宁波中基国际招标有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 宁波中基国际招标有限公司关于浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目的公开招标公告 浙江省-宁波市-鄞州区 状态：公告 更新时间： 2021-08-13 项目概况 浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目招标项目的潜在投标人应在政府采购云平台（www.zcygov.cn）获取（下载）招标文件，并于 2021年09月03日 14:00（北京时间）前递交（上传）投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：CBNB-20211438G 项目名称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹）硅基异质集成芯片技术平台建设项目 预算金额（元）：7950000 最高限价（元）：3500000,2350000,2100000 采购需求： 标项一 标项名称: 等离子体增强化学气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 3500000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项二 标项名称: 物理气相沉积系统 数量: 1 预算金额（元）: 2350000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 标项三 标项名称: 全自动匀胶显影系统 数量: 1 预算金额（元）: 2100000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途：详见招标文件第二章 招标需求。 备注：不接受进口产品。 合同履约期限：标项 1、2、3，自合同签订生效后开始至双方合同义务完全履行后截止。 本项目（否）接受联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定；未被“信用中国”（www.creditchina.gov.cn)、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求：标项1、2、3：单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同投标人，不得参加同一标项的投标。为本项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的投标人，不得再参加本项目的投标。 三、获取招标文件 时间：2021年08月13日至2021年08月20日 ，每天上午00:00至12:00 ，下午12:00至23:59（北京时间，线上获取法定节假日均可，线下获取文件法定节假日除外） 地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 方式：1.本项目招标文件实行“政府采购云平台”在线获取，不提供招标文件纸质版。供应商获取招标文件前应先完成“政府采购云平台”的账号注册；2.潜在供应商登陆政采云平台，在线申请获取招标文件（进入“项目采购”应用，在获取招标文件菜单中选择项目，申请获取招标文件；仅需浏览招标文件的供应商可点击“游客，浏览招标文件”直接下载招标文件浏览）；3.招标公告附件内的招标文件仅供阅览使用，投标人只有在“政府采购云平台”完成获取招标文件申请并下载了招标文件后才视作依法获取招标文件（法律法规所指的供应商获取招标文件时间以供应商完成获取招标文件申请后下载招标文件的时间为准）。注：请投标人按上述要求获取招标文件，如未在“政采云”系统内完成相关流程，引起的投标无效责任自负。 售价（元）：0 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2021年09月03日 14:00（北京时间） 投标地点（网址）：（1）“电子加密投标文件”：政采云平台（www.zcygov.cn）在线提交；（2）“电子备份投标文件”：中基招标会议中心（宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦1楼）开标室 开标时间：2021年09月03日 14:00 开标地点（网址）：政府采购云平台（www.zcygov.cn） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1.供应商认为采购文件使自己的权益受到损害的，可以自获取采购文件之日或者采购文件公告期限届满之日（公告期限届满后获取采购文件的，以公告期限届满之日为准）起7个工作日内，对采购文件需求的以书面形式向采购人提出质疑，对其他内容的以书面形式向采购人和采购代理机构提出质疑。质疑供应商对采购人、采购代理机构的答复不满意或者采购人、采购代理机构未在规定的时间内作出答复的，可以在答复期满后十五个工作日内向同级政府采购监督管理部门投诉。质疑函范本、投诉书范本请到浙江政府采购网下载专区下载。 2.其他事项：2.1.采购项目需要落实的政府采购政策：（1）对小微企业的产品给予价格优惠（监狱企业、残疾人福利性单位视同小微企业；残疾人福利性单位属于小型、微型企业的，不重复享受政策）；（2）优先采购节能环保产品（注：所采购的货物在政府采购节能产品、环境标志产品实施品目清单范围内，且具有国家确定的认证机构出具的、处于有效期之内的节能产品、环境标志产品认证证书）。2.2.本次政府采购活动有关信息在浙江政府采购网公布，视同送达所有潜在投标人。 2.3特别提醒事项：（1）供应商应于提交投标文件截止时间前将电子加密投标文件上传到政府采购云平台www.zcygov.cn，未上传电子加密投标文件，视为供应商放弃投标。（2）供应商在“政府采购云平台”完成“电子加密投标文件”的上传递交之外，还可以（邮寄形式或派人现场提交，以招标代理机构联系人签收时间为准）在投标截止时间前提交以介质（U盘）存储的数据电文形式的“备份投标文件”。（3）电子招投标有关事项说明：①本项目通过“浙江政府采购网（http://zfcg.czt.zj.gov.cn）”实行电子投标，供应商须安装客户端软件，并按照采购文件和电子交易平台的要求制作投标文件。客户端软件下载方式：供应商可通过“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端”进行下载。②供应商须申领CA，CA申领及相关操作可参考“浙江政府采购网-下载专区-电子交易客户端-CA驱动和申领流程”。供应商在进行上述操作时，如遇技术问题可致电400-881-7190进行咨询。（4）疫情期间特别提醒事项：①采用邮寄方式提交电子备份投标文件，需按以下要求递交：供应商须在投标截止时间前将电子备份投标文件邮寄至规定地点，由招标代理工作人员进行签收。各供应商自行考虑邮寄在途时间，邮寄过程中无论何种因素导致电子备份投标文件未按时递交的后果，均由供应商自行负责。电子备份投标文件递交时间以招标代理实际收到电子备份投标文件的时间为准。迟到的电子备份投标文件将被拒收。请各供应商确保密封包装在邮寄过程密封包装完好，并在邮寄包裹上注明项目名称，因邮寄过程的密封破损造成不符合开标要求的，本招标代理及招标人概不负责。电子备份投标文件邮寄地址为：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼。收件人：王鸯鸯，联系方式：0574-88090157,13373888477②采用现场递交方式递交电子备份投标文件，在投标当天投标人员需持绿色“甬行码”、佩戴口罩且体温测量正常后方可进入开标现场（以开标当日测量体温为准）递交电子备份投标文件。若供应商因未按上述要求办理而导致无法准时进入开标现场的，由供应商自行负责。 七、对本次采购提出询问、质疑、投诉，请按以下方式联系 1.采购人信息 名 称：浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心（筹） 地 址：宁波市鄞州区钱湖南路1号 传 真：/ 项目联系人（询问）：郑老师 项目联系方式（询问）：0574-88229887 质疑联系人：杨国义 质疑联系方式：0574-88130160 2.采购代理机构信息 名 称：宁波中基国际招标有限公司 地 址：宁波市鄞州区天童南路666号中基大厦19楼 传 真：0574-87425386 项目联系人（询问）：王鸯鸯、徐承 项目联系方式（询问）：0574-88090157、87425387 质疑联系人：蒋海佳 质疑联系方式：0574-87423685 3.同级政府采购监督管理部门 名 称：宁波市政府采购管理办公室 地 址：宁波市海曙区中山西路19号 传 真：/ 联系人 ：徐老师 监督投诉电话：0574-89388441 若对项目采购电子交易系统操作有疑问，可登录政采云（https://www.zcygov.cn/），点击右侧咨询小采，获取采小蜜智能服务管家帮助，或拨打政采云服务热线400-881-7190获取热线服务帮助。 CA问题联系电话（人工）：汇信CA 400-888-4636；天谷CA 400-087-8198。 附件信息： 430.4K

近日，由北方华创自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备Orion Proxima正式进入客户端验证。这标志着北方华创在绝缘介质填充工艺技术上实现了新的突破，也为北方华创进军12英寸介质薄膜设备领域，打开百亿级市场迈出了坚实的一步。集成电路领域高速发展，对芯片制造工艺提出了更具挑战的要求，其中就包括如何用绝缘介质在各个薄膜层[1]之间进行均匀无孔的填充，以提供充分有效的隔离保护。为了满足以上需求，HDPCVD设备已经成为介质薄膜沉积工艺的重要设备。[1]包括浅槽隔离（Shallow-Trench-Isolation，STI），金属前绝缘层（Pre-Metal-Dielectric，PMD），金属层间绝缘层（Inter-Metal-Dielectric，IMD）等。据介绍，Orion Proxima作为北方华创推出的国产自研高密度等离子体化学气相沉积设备，主要应用于12英寸集成电路芯片的浅沟槽绝缘介质填充工艺。此款设备通过沉积-刻蚀-沉积的工艺方式可以有效完成对高深宽比沟槽间隔的绝缘介质填充，借助北方华创在刻蚀技术上的积累，发挥其高沉积速率、优异的填孔能力和低温下进行反应得到高致密的介质薄膜的优势，获得多家业内客户关注。北方华创表示，现阶段，Orion Proxima技术性能在迭代升级中已达业界先进水平：通过灵活可控的软件系统调度优化与自主研发特有传输平台的结合，助力客户实现产能的大幅提升，取得双赢；通过提供不同的硬件配置方案，满足了包括填孔能力、膜层质量、颗粒控制等工艺需求的同时，更实现了对逻辑、存储及其他特色工艺领域客户的全覆盖。Orion Proxima HDPCVD通过优化机台结构，缩小了整机占地面积，节省了客户空间运营成本；通过优化排气管路设计，提高了清洗效率；通过优化开盖方式，缩减了人力维护开支，提高了设备生产效率。