晶硅太阳能电池片测试台

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PFA花篮花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。英特格6英寸晶圆盒晶圆运输盒（ entegris PFA carrier）6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。晶圆容量：25片型号:A194-60MB

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激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机，它具有较小的尺寸，安装操作非常简单，比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜，可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片，太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位，并监控激光功率等参数，为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离，晶圆背向接触烧结（Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆，通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面，被称作发射极，当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前，边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米）。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割，并配备了一流的机械视图功能，可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。

几十年来一直用于PAFC和PEFC，具有高耐久性。其机械强度高、导电性和透气性适合用作燃料电池气体扩散层(GDL)应用程序。东丽纸- TGP-H PAN碳纤维制成的“TORAYCA”具有高强度和高模量。东丽碳纸中的纤维是通过碳元素而牢固地连接着。主要特点：1、高强度2、良好的透气性和较低的电阻率3、方便处理4、最小的电化学腐蚀配置参数：属性单位TGP-H-030TGP-H-060TGP-H-090TGP-H-120厚度mm0.110.190.280.37体积密度g/cm30.400.440.440.45孔隙度%80787878表面粗糙度μm8888透气性mlmm/(cm2hrmmAq)2500190017001500电阻率贯通面mΩcm80808080面内mΩcm-5.85.64.7热导率贯通面（室温）W/(mk)-1.71.71.7面内（室温）W/(mk)-212121面内（100℃）W/(mk)-232323热膨胀系数面内（25–100℃）×10-6/℃-0.8-0.8-0.8-0.8抗弯曲度MPa40404040弯曲模量GPa8101010抗拉强度N/cm-507090处理方式特氟龙处理尺寸400mm×400mm防湿性5%,10%,20%,30%,40%和50%的防湿

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太阳能模拟器氙灯介绍：太阳能模拟器氙灯是可以进行太阳光辐射模拟的氙灯，其克服了太阳光辐射受时间和气候影响。贺利氏可以提供多种类型的脉冲氙灯，具有高稳定性，高输出，长寿命等特点，同时可以应用于多种领域，满足不同客户的需求。

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产品介绍：该光源符合ASTM(美国材料试验协会)实验室光源标准， “A”级光谱输出。所有产品在出厂前都进行了可溯源于NIST标准的校准.一年的保修期.终生免费电话技术服务.可延长保修期16S是一款即用型光电池测试光源。16S-300-002具备全光谱“A”级光谱输出（AM1.5）。16S-002配有垂直光束适配器可以将光束改变方向垂直向下照射。典型光斑尺寸2.25英寸，1太阳输出强度。用户可定制光斑大小。通过调节电源上的旋钮，输出光强可调节范围为80%-100%。通过Solar Light公司提供的衰减工具包，可对光强进行10%-100%调节。16S精确再现了全波段太阳光谱。符合最新的ASTM光源标准，许多需要G151和G155标准的ASTM标准可由16S-002达到。16S-002可依照ASTM标准E948-95 以及 G173对太阳能电池进行测试。技术参数：16S 150/300 Air mass 1.5 能量输出图(圆形光斑输出)输出光斑大小/形状输出面积300watt系统强度150watt系统强度50px圆形（水平或垂直输出)3.142平方厘米N/A4000w/m275px圆形（水平或垂直输出)7.068平方厘米4000w/m22000w/m2150px圆形(水平或垂直输出)28.27平方厘米1000w/m2500w/m2注意：垂直输出作为50px 和 75px型号的一个选项，不包括在标准50px和75px型号配置里。PMA2144日设强度计在超过4000 w/m2时会饱和，需要使用衰减滤光片。主要特点：150/300 watt 氙弧灯200 瓦 XPS200 电源 / 400 瓦 XPS400 电源AM1.5滤光器（NIST 可溯源，ASTM试验室光源标准）内置点火器 – 用于氙弧灯点火高性能光学器件（用于准直和均匀性控制）

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材料：PFA或四氟品牌：南京滨正红型号：NJ-ZH尺寸：2、3、4、5、6寸等用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花篮、太阳能硅片花篮_太阳能硅片承载器、光伏电池片花篮、光伏硅片花篮，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片. 目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮聚四氟花篮

少子寿命测试仪性能参数？ 测量原理 QSSPC（准稳态光电导） 少子寿命测量范围 100 ns-10 ms 测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析 电阻率测量范围 3&ndash 600 (undoped) Ohms/sq. 注入范围：1013-1016cm-3 感测器范围 直径40-mm 测量样品规格 标准直径: 40&ndash 210 mm （或更小尺寸） 硅片厚度范围 10&ndash 2000 &mu m 外界环境温度 20° C&ndash 25° C 功率要求 测试仪: 40 W 电脑控制器：200W 光源：60W 通用电源电压 100&ndash 240 VAC 50/60 Hz -------------------------------------------------------------------------------- 少子寿命测试仪成功使用用户？ 江苏，上海，北京，浙江，西安，四川，河北，河南等地的硅料生产企业及半导体光伏拉晶企业等等。 一、采购项目名称：硅片少子寿命测试系统、溶剂净化系统等 二、采购代理机构 ：杭州求是招标代理有限公司 三、确定成交日期：2010年11月16日 四、本项目公告日期： 2010年11月4日、11月5日 五、项目成交单位： 硅片少子寿命测试系统(z9264)：上海瞬渺光电技术有限公司 -------------------------------------------------------------------------------- 相关资料下载 少子寿命测试仪一款功能强大的少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。少子测试量程从1&mu s到6000&mu s，硅料电阻率下限达0.1&Omega .cm(可扩展至0.01&Omega .cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。 　　半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中,空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 　　多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。 　少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。 少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响.分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC) 少子寿命是描述半导体 材料特征方程的基本参数之一,对器件特性的精确描述起着重要作用,特别是对以PN结为基本结构的器件,额外载流子的产生与复合在PN结的状态转换过程中起着决定性的作用,因而少子寿命是决定PN结型器件工作特性的关键材料参数之一。 　　太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命.少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结,受PN结电场分离后对外产生光电流,同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压,所以大部分生产商都在生产前检验原始材料的一些关键性参数,光伏工业生产中最常见的测试就是少子寿命的测试,通过对原始材料的寿命测量预测成品太阳电池的效率。 　　少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法（ASTM国际标准-1535）的测试原理，提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试，主要是通过904nm波长的激光激发出硅片,硅棒或硅锭体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而判断该硅片,硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。该设备主要应用于硅棒，硅片的出厂、进厂检查，生产工艺过程的沾污检测等。特别是在太阳能领域，少子寿命将直接关系到成品电池的效率，是必备的检测手段。 　　少子寿命测量仪可测量半导体的少子寿命。少子寿命值反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度，即反映了光生载流子的利用程度。少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性参数，它对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有重要的影响，可以说硅电池的转化效率和少子寿命成正向相关对应关系。 　　少子寿命测量仪采用微波光电导衰减法（SEMI国际标准-1535）的测试原理，即通过激光激发出硅体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而计算出少子寿命值，为半导体提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试。该仪器测量少子寿命的精度达到ns级，分辨率达1％，测试结果准确性好、重复性高，完全能满足太阳能级硅电池的少子寿命测试。目前该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法 主要特点: 　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm 　　全自动操作及数据处理 　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理 　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭 　　可以选择测试样品上任意位置 　　能提供专利的表面化学钝化处理方法 　　对各道工序的样品均可进行质量监控： 　　硅棒、切片的出厂、进厂检查 　　扩散后的硅片 　　表面镀膜后的硅片以及成品电池常见问题： WT-2000与WCT-120测少子寿命的差异？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）而WT2000是微波光电导。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？ WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导） 准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？ QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。

论坛主题：硅太阳电池研发及生产的量测与检验方案 时间地点： SNEC 2011-2-22,下午2点--5点，上海会议室编号: E3-M21 主持人：Ronald A. Sinton Sinton Instruments公司创办人及总经理 特定题目包括: -针对SEMI最新制订载子合复寿命量测标准的内含意义及讨论。 -利用载子合复寿命及电阻率量测针对硅锭，硅块进行合格检验及优化分析。 -如何对原生硅片进行生产前合格检验。 -如何优化掺杂扩散制程。 -如何评估并优化选择性射极技术。 -如何利用Suns-Voc进行浆料与烧结技术优化 -硅太阳电池片与组件的电流-电压曲线量测。 -如何针对新的生产设备进行合格检验。 Ron Sinton于1992年创办Sinton Instruments，具备30年在硅太阳电池片宝贵检验，包括在1987证实28%高效率的聚光型硅太阳电池，1989年达到一个太阳23%电池转换效率并以Sunpower 公司研发部经理身份移转这些技术成量产制程。自从1992年，Sinton Instruments公司已经成为一个提供创先性量测及检验技术，并用于单晶，多晶硅太阳电池生产优化的领导供应商 座位有限，请发送您的姓名，职位，公司名称和邮件地址到saleschina@rayscience.com mike@rayscience.com或 margaret@sintoninstruments.com （英文），我们会发送邀请函给您。 Seminar: Test and measurement solutions for silicon solar cell R&D and manufacture Time and Location: SNEC 2011-2-22 pm 2--5, Shanghai Room: E3-M21 Ronald A. Sinton: Founder and President, Sinton Instruments. Specific topics include： -A discussion of the implications of the new SEMI standards for carrier recombination measurements lifetime in silicon. -The optimization and qualification of ingots and bricks using carrier recombination and resistivity measurements. -Qualifying bare wafers prior to processing. -Optimizing dopant diffusion processes. -Evaluating and optimizing selective emitter technology. -Paste-firing optimization using Suns-Voc. -Cell and module test. -Qualifying new production equipment. Ron Sinton founded Sinton Instruments in 1992. He has 30 years of experience in silicon solar cells, including the demonstration of 28% silicon concentrator solar cells in 1987, 23% one-sun cells in 1989, and the transfer of these processes to SunPower Corp. as Manager of R&D. Since 1992, his company has been a leading supplier for innovative test instruments and measurement strategies for use in the optimization and production of both multi-crystalline and mono-crystalline silicon solar cells. Seating is limited. For an invitation please send your name, position, company name and email to saleschina@rayscience.com mike@rayscience.com (Chinese) or margaret@sintoninstruments.com (English) ,so that we can send you a personal invitation.

MBR ELECTRONIC uss 9500超声低温焊锡系统（适用大面积焊接）-软钎焊，无需助焊剂 名称：MBR ELECTRONIC uss 9500超声低温焊锡系统（适用大面积焊接）品牌：MBR型号：USS-9210，USS-9510,USS-1908产地：瑞士产品描述：超声波焊锡工艺，无需助焊剂，可在常压下实现较难焊接材料及特殊母材（如玻璃、陶瓷、铝、钢、钛、硅、金属氧化物、超导体）的焊接。无需助焊剂，不会对母材表面产生腐蚀作用。高能量超声波振动在液态焊料中产生气穴现象清除待焊接母材表面的氧化膜。高压迫使液态焊料进入母材的微孔细缝中，密封住这些微孔细缝，使母材表面更加易于焊接。超声波振动挤出液态焊料中的气泡，实现表面无气孔的完美焊接。超声波焊锡工艺焊接效果好、品质高。在大多数运用中优于粘合剂粘结： - 无气泡 - 热耦合极快 - 耐热达250℃超声低温焊锡系统（适用大面积焊接）特点：√ 可焊接玻璃、陶瓷、铝、金属氧化物等√ 无需助焊剂√ 耐腐蚀大面积超声低温焊锡系统应用领域：用于实验室生产、研发。- 表面处理技术- 薄膜母材(气相沉淀- 传感器- 平板玻璃生产- 光学玻璃- 太阳能电池生产/维修- 半导体- LCD接触- 磁铁/烧结材料- 超导体（如铌）- 厚膜陶瓷母材- 玻璃纤维应用实例：1—将钛棒焊接到蓝宝石基板上2—太阳能电池接触：硅Si单晶片，薄膜太阳能电池、染料敏化太阳能电池3—铌线圈缠绕至微晶玻璃棒4—光学玻璃镀锡5—焊接120μm的玻璃光纤至0.5mm青铜孔中6—铜线电接触至玻璃基板的铝片上7—接触陶瓷碳混合超导体，焊接点直径0.8mm

太阳能电池硅片清洗花篮PFA四氟清洗花篮 ITO、FTO导电玻璃、硅片PFA清洗架、F4硅片花篮 品牌：瑞尼克型号：RNKHL加工定制：是 用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片.目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮。

贺利氏（Heraeus）太阳能模拟氙灯氙灯广泛应用于各个领域，迄今最多地运用在激光的光学汲取。每次脉冲的高光学功率要求使用最佳材质和设计以获得氙灯的较长寿命。按照客户要求，我们可以生产从30W到20KW得的各种特殊规格的氙灯及各种标准灯的替换产品。贺利氏拥有全世界唯一一条全自动氙灯生产线，制造出质量最好的氙灯，其寿命为全世界最长。联系方式联系人：许丹婷 地址：上海市桂林路406号5号楼2楼 [200233]电话：+86 21 33575347 传真：+86 21 33575333Email：info.hns@heraeus.com 公司网址：http://www.heraeus-noblelight.cn

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超快非晶硅激光刻膜机配件是特别为太阳能产业光伏工业而设计的整套晶圆激光加工系统。可用于光伏电池激光加工,去除氮化硅膜氮化硅膜蚀刻,晶圆边缘隔离，有可以当作激光刻膜机,激光划片机使用。 提供如下四合一服务：SiNx/SiO2去除,去除二氧化硅,去除氮化硅 边缘隔离晶圆 背接触激光烧结和激光刻槽 激光打标 其中紫外飞秒激光用于SiNx/SiO2的选择性烧蚀或切除(氮化硅膜蚀刻),配备的紫外飞秒激光可以非常精密地剥蚀SiNx(去除氮化硅膜),同时在Si层的直接或热效应降低到最低，从而增加载流子寿命（少子寿命）,避免微裂纹。而配备的1064nm的纳秒激光工作非常稳定而快速，将用于晶片的快速激光边缘隔离，激光打标和激光烧结。 非晶硅激光刻膜机配备自动处理和扫描系统，支持5’’和6’’直径的硅晶片加工。同时配备机械视觉系统以随时调节激光束扫描,保持高度重复性和可靠性。配1级激光安装防护装置和灰尘消除系统，营造无尘加工环境，以保证飞秒激光的精密烧蚀和热效应影响的最小化。 非晶硅激光刻膜机配件特色 配备的激光器处理能力高达800个晶片/小时或350000px/s 加工量为425个晶片/小时,优化后可用于2.5MW/a产品的生产线 适用5' ’和6' ' 硅晶片 紫外飞秒激光和红外纳秒激光光源 机械视图系统可调节激光扫描场 精密激光光束定位 激光划线激光剥蚀激光熔化 为用户提供了无银敷金属技术生产太阳能电池 成功地装配到生产能力高达2.5MWp/a的生产线上。 使用飞秒激光对晶圆wafer的发射端进行介电层（SiNx)的选择性移除。SiNx厚度为50-90nm,覆盖发射端，必须精确移除而不伤害发射层。一种应用是消蚀SiNx层的同时，也产生bus bars和fingers开口，下一步,这些开口将被镍覆盖，这样就形成了高质量的前接触。它使用振镜扫描器控制激光束切割发射端，独具的机械视图功能能够探测晶圆位置。

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

多功能翘曲度测量仪配件是孚光精仪公司进口的全球领先的翘曲度检测仪器，一套翘曲度测试仪器可以测量：热沉,晶圆(wafer),太阳能电池和硅片翘曲度,应力以及表面形貌。多功能翘曲度测量仪配件是特别为半导体晶圆（wafer)和太阳能电池（solar cell)的翘曲度（warp) 和弯曲度(bow)以及表面形貌(topography)的测量而设计，可以测量晶圆翘曲度（wafer warpage) 和晶圆表面形貌, 晶圆应力,硅片张力,太阳能电池量子效率，既适合科研单位使用，也适合工业客户大产品、高效率的晶圆翘曲度和表面形貌的检测的需要。我们还根据不同晶圆类型提供如下两种硅片翘曲度测量仪：1. 非反射型：适合晶圆表面覆盖晶圆保护膜/胶带（wafer tape)，图案化晶圆 /图样化晶圆（patterned wafer)，粗糙的晶圆的应用；2. 高反射型： 适合晶圆表面光滑 / 镜反射的应用。多功能翘曲度测量仪配件特点：× 适合不同尺寸的晶圆检测，从0.5’‘到12' ' 的直径；* 标准检测能力为： 每小时可检测2000个晶圆或更多太阳能电池；× 同时测量多个晶圆或太阳能电池；× 测量镀膜后的晶圆或solar cell * 分析太阳能电池或晶圆应力和张力；* 对晶圆表面进行图像分析；* 测量图案化晶圆或非图案化的晶圆；* 具有太阳能电池的量子效率测量选项供选择多功能翘曲度测量仪配件参数：× 翘曲度测量范围：1-20微米；* 重复精度： 百分之0.5 （1 sigma) * 给出结果：曲率半径,晶圆弯曲高度，翘曲度，测量日期和时间；* RMS粗糙度mapping: 0.5-20A （可选项）；* 光源：根据用户的应用而配备不同光源；* 探测器：高分辨率探测器阵列并配备亚像素软件；

透明度：97%,外观（形状）：薄，覆盖率：95%，石墨烯层数：1，厚度（原理上）：0.345毫微米，场效应管电子AI203迁移率：2,000cm2/Vs,场效应管SIO2/SI的电子迁移率：4,000cm2/Vs,表面电阻：170欧姆平方米，晶粒尺寸：约10μm，石英片厚度：500μm，平整度：弓：20μm，弯：30μm，粗糙度：6埃（在圆滑边），圆滑：双面，应用：太阳能电池、触摸显示器。光电探测器、聚光设备。