高性能光电二极管传感器

InGaAs光电二极管 Fermionics公司于1991年在加利福尼亚成立，它是一家生产InGaAs光电二极管的独立生产商，产品主要是用于光学通信、测试仪器、传感和医学设备应用。高速InGaAs光电二极管（FD50~FD300）描述：1.探测速度非常快、电容低、暗电流低；2.适用于高比特率接收机、高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、红外仪器和探测应用；3.所有的器件使用平面钝化技术制造；4.光灵敏表面镀有宽带增透膜；5.光灵敏区域直径：50、80、100、150和300微米；6.存储温度：-40~100℃；工作温度：-40~85℃。大面积InGaAs光电二极管（FD500~FD5000W）描述：1.大面积光电二极管用于红外仪器和探测、中速通信系统；2.在波长范围800到1700纳米响应良好；3.分流电阻对低光信号灵敏度高；4.所有器件使用平面钝化技术制造；5.光灵敏表面镀有宽带增透膜；6.光灵敏区域直径：500、1000、1500、2000、3000和5000微米。杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：网址： /邮箱：

光电二极管 Related Products Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。磷化镓光电二极管－紫外波长Zoom超短波长范围（150至550纳米）快速上升时间安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)時間a噪音等效功率(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71150 - 5504.8 mm2(2.5 mm x 2.5 mm)-1 ns (140 ns)@ 5 V1.0 x 10-14@ 440 nm10 nA (最大)@ 5 V-a) 典型值 RL＝50欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。硅光电二极管－可见光波长ZoomFDS02特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FDS010特性：紫外级融石英窗口，提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性：TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性：安装在绝缘的陶瓷衬底上，在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 11000.25 mmTO-46FC/PC Connector47 ps (246 ps) @ -5 V9.3 x 10-1535 pAd @ 5 V0.94 pF@ 5 VFDS010200 - 11000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN@ 20 V5.0 x 10-14@ 900 nm2.5 nA10 pF@ 0 VFDS100350 - 110013 mm2(3.6 mm x 3.6 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 20 V1.2 x 10-14@ 900 nm20 nA20 pF@ 1VFDS1010400 - 1100100 mm2(9.7 mm x 9.7 mm)Ceramic Wafer45 ns (45 ns)@ 5 V5.5 x 10-13@ 900 nm0.6 µ A@ 5V375 pF @ 5Va) 典型値. RL = 50 欧姆b) 详细引脚配置请参看专门规格表d) 最大500 pA铟镓砷光电二极管&mdash 近红外到红外波长ZoomFGA04特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面积大。FGA20特性：波长范围长FGA21特性：本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c800 - 18000.008 mm2(Ø 0.1 mm)TO-46 w/ FC/PC Connector100 ps (100 ps)@ 5 V1.5 x 10-15@ 1550 nm0.5 nA@ 5 V1.0 pF @ 5 VFGA10700 - 18000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 5 V2.5 x 10-14@ 900 nm100 nA @ 5 V (max)80 pF @ 0 VFGA201200 - 26000.79 mm2(Ø 1 mm)TO-18/PIN23 ns (23 ns)@ 1 V2.0 x 10-1275 µ A @ 1 V (max)200 pF @ 1 VFGA21800 - 18003.14 mm2(Ø 2 mm)TO-5/PIN66 ns (66 ns)@ 0 V3.0 x 10-14@ 2300 nm200 nA @ 1 V500 pF @ 0 Va)典型値.RL=5欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表。c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦（连续光）然而，封装内部的电线（非导线）在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化，将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时，该区域中探测器具有高的响应率，请考虑使用 光纤衰减器。t锗光电二极管－近红外波长ZoomFDG03具有大有效面积，为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底，其上具有最大的有效面积。请注意，FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上，因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流（典型值）结电容aFDG03800 - 18007.1 mm2(Ø 3 mm)TO-5/PIN500 ns (500 ns)@ 3 V1.0 x 10-12@ 1550 nm4.0 µ A@ 1 V4 nF @ 1 VFDG05800 - 180019.6 mm2(Ø 5 mm)Ceramic Substrate220 ns@ 3 V4.0 x 10-12@ 1550 nm40 µ A @ 3 V3 nF @ 5 VFDG1010800 - 1800100 mm2(10 mm x 10 mm)Ceramic Substrate3.5 µ s@ 1 V4.0 x 10-12@ 1550 nm50 µ A (max.)@ 0.5 V30 nF @ 0.5 Va) 典型值。 RL=50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表 双波段探测器Zoom 双探测器芯片设计－硅在铟镓砷上－具备宽探测范围4引脚的TO-5型封装大有效面积型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2400 - 11001000 - 1700Ø 2.54 mmØ 1.5 mmTO-5/PIN4 µ s (典型値)(两层)1.9 x 10-142.1 x 10-13-450 pF300 pFa) 典型値 RL =50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表

一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用：激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用&bull 激光雷达&bull 测距&bull 小信号荧光&bull 光子计数&bull 条形码扫描表1。电光特性测试条件：外壳温度=22&ring C，除非另有规定，请参见下页的注释。。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm² 光管特性（C30921）光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees（-2）内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数，Vr，恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/&ring C探测器温度（见注2）-TC0&ring C-DTC-20&ring CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时（不适用于-2）7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/Ö HzpA/Ö Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/Ö Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr，光子探测概率为5%（830nm）（见图7和注4） 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率（830nm）（注5）2152%1.在特定直流反向工作电压下，Vop或Vr，随每个装置提供，光斑直径为0.25 mm（C30902EH，SH）或0.10 mm（C30921EH，SH）。在180至250V的电压下运行，设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度（开尔文）可为使用以下方程式计算：[𝐾 ] = 𝛽 ,项次(𝑅 /𝑟 ∞)式中，R是测量的热敏电阻电阻，单位为Ω ,𝛽 = 3200，R0=5100Ω，T0=298.15 K和r∞ =&minus 𝛽 R e &cong 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=（2q（Ids+（IdbM² +PORM）F）BW）&half ，其中q是电子电荷，Ids是暗表面电流，Idb是暗体电流，F是过量噪声系数，M是增益，PO是器件上的光功率，BW是噪声带宽。对于这些装置，F=0.98（2-1/M）+0.02 M（参考文献：PP Webb，RJ McIntyre，JJ Conradi，“RCA审查”，第35卷第234页，（1974年））。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。（参见盖革模式操作部分）。3.主脉冲后1µ s至60秒发生脉冲后。ParameterSymbolMinMaxUnits储存温度TS-60100°C工作温度Top-4070°CSoldering for 5 seconds (leads only)焊接5秒钟（仅限引线）260°C室温反向电流平均值，连续运行200µ A峰值（1s持续时间，非重复）1mA室温正向电流平均值，连续运行IF550mAmA峰值（1s持续时间，非重复）60mW

我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管，涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性，广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块，以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装，多种包装配备齐全，而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。

OPTO DIODE 光电二极管SXUV5Opto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界性能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 圆形活动区域&bull TO-5封装&bull 稳定性后，EUV曝光&bull 响应度为1nm的无窗口封装活动面积2.5直径5 mm2分流电阻，Rsh @±10 mV 20 mohm反向击穿电压，VR IR = 1µ A 5 20伏电容，C VR = 0 V 500 1500 pF响应时间，tr RL = 50 Ω， VR = 0 V 1 2使用环境温度-10℃~ 40℃氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度1260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

OPTO DIODE 光电二极管AXUV20AOpto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界性能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 圆形活动区域&bull 理想的电子检测&bull 保护盖板活动面积Φ5.5 mm 23mm2分流电阻Vf =±10mv 100mohm反向击穿电压，VR IR = 1µ A 5 10伏电容，C VR = 10v 500 1500pf上升时间VR = 0 V, RL = 50 Ω 2使用环境温度1 -10℃~ 40℃氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

OPTO DIODE 光电二极管AXUV100GOpto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 理想的电子检测&bull 检测面积大&bull 保护盖板活动面积10mm × 10mm × 100mm2分流电阻，Rsh VB =±10 mV 20 m -欧姆反向击穿电压，VR IR = 1µ A 5 10伏电容，cvr = 0 V 5 15 nF上升时间VR = 0 V, RL = 50 Ω 10使用环境温度1 -10℃~ 40℃氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

OPTO DIODE光电二极管SXUV100Opto Diode Corporation 总部位于加利福尼亚州卡马里奥，在提供传感器、光电二极管、探测器和 LED 方面拥有悠久的历史。光电二极管产品提供标准和定制设计，30 多年来一直为光子行业提供支持，并以高性能、质量和可靠性赢得了声誉。随着 2011 年收购 International Radiation Detectors (IRD) 和 2014 年合并 Cal Sensors (CSI)，Opto Diode 现在提供从极紫外到中红外 (mid-IR) 区域的业界能探测器。电磁频谱。我们的产品提供高能粒子、电子、X 射线和紫外线检测，以及区分痕量气体或检测中红外光谱中的热量、火花或火焰的灵敏度。特性&bull 单一活动区域&bull 检测至1nm&bull 暴露于EUV/UV条件后反应稳定&bull 保护盖板2活动面积10mm × 10mm × 100mm2分流电阻，Rsh @±10 mV 10 mohm反向击穿电压，VR IR =µ A 10伏电容，cvr = 0 V 5 15 nF响应时间，tr RL = 50 Ω， VR = 8 V 6µ sec环境温度-10°~ 40°C氮气或真空-20℃~ 80℃焊锡温度1260°C天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

光电二极管简介：GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。 特点：低噪音近红外雪崩二极管覆盖波段900-1700nm有效面积20-350um最大带宽2Ghz自由空间和光纤输入 一、 Ge探测器二、 Ge 雪崩探测器 三、 高速InGaAs光电二极管 四、 InGaAs探测器 五、 扩展InGaAs光电二极管 六、 InGaAs雪崩光电二极管 七、 热电冷却的InGaAs光电二极管 八、InGaAs象限光电二极管 九、双波长探测器

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

光电二极管模块 新势力光电供应光电二极管模块，简化光电二极管的使用。该系列光电二极管模块配套用于雪崩二极管、四象限探测器、位敏探测器，特别适合于系统集成和科学研究。不带电路板（集成放大电路）雪崩二极管(APD)TypeTransimpedance/OhmBandwidth/MHzChipPackageSeries 8 (for 800nm)AD230-8TO527502000AD230-8TO5227502000AD500-8TO527501000AD500-8TO5227501300Series 9 (for 900nm)AD500-9-8015TO52275050016AA0.13-9Ceramic10k500AD230-9TO52750600AD500-9TO52750500Series 10 (for 1064nm)AD800-10TO8S10k65带电路板（集成放大电路和温度补偿功能）雪崩二极管(APD)和雪崩二极管阵列(APD Array)ChipTypeAD1100-8USB-module APD-eval-kit25AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit64AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit带电路板（集成放大电路）位敏探测器(PSD)、四象限探测器(QP)、波长敏感探测器(WS)ChipTypePackageQP45-QQuadrant PDHVSDQP50-6Quadrant PDSD2QP50-6Quadrant PDSD2-DIAGQP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2QP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2-DIAGQP154-QQuadrant PDHVSDDL16-7PSDPCBA3DL100-7PSDPCBA3DL400-7PSDPCBAWS7.56Wavelength sensitive PDPCBA2X100-7 with ScintillatorGamma pulse counterShielded module高压电源模块Max.Voltage/VRipple/mVDescriptionFeature-5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+2007.5High performance HV sourceUltra low ripple+20010Compact HV sourceSmall footprint+6010PIN-photodiode HV sourceVery small footprint相关商品 雪崩二极管(APD) 位敏探测器(PSD) 四象限探测器(QP) 波长敏感探测器(WS)

可集成到Instrument Systems测量系统中的光电二极管，用于快速测量辐射功率PD 100 光电二极管是一款紧凑型检测器，可以轻松集成到带有Instrument Systems积分球的测量系统中，用于测量光通量或辐射功率，特别适合生产线上的快速测量需求。将Instrument Systems的三开口积分球连接上 CAS 系列光谱仪，即可同时对待测物（DUT）进行光谱测量。通过对比待测设备的光谱与光电二极管的校准曲线，PD 100 能提供更准确的辐射功率或光通量测量值。适用于 450 nm 至 1650 nm 的光谱范围PD 100 光电二极管有两种型号，一种配备硅（Si）探测器，另一种配备铟镓砷（InGaAs）探测器。硅探测器型号的测量范围为450至1100 nm，适用于具有硫酸钡涂层的积分球 (如 ISP 75B 和 ISP 100B).配备InGaAs探测器的型号则专为900至1650 nm的光谱范围测量设计，通常安装在有PTFE涂层的积分球上。在测量波长超过1100 nm的待测物时，PTFE积分球的表现更出色，因为其反射率的波动较小，且一致性更高。PD 100 – 产品特长测量范围广，400-1100 nm（硅）或900-1700 nm（InGaAs）脉冲DUT的测量上升/衰减时间短可结合Instrument Systems的先进三开口积分球可追溯的校准，用于绝对测量和使用.dll或SpecWin Pro（从4.0开始）的LIV测量 高度精确且可追溯的测量结果如同所有Instrument Systems的测量仪器，PD 100光电二极管的灵敏度已校准并可以追溯到PTB或NIST。校准曲线存储在光电二极管内，使用SpecWin Pro软件或PD.dll与光源的光谱对比，可以推算出精确的绝对辐射功率（或光通量）。这个过程实现了高度精确且可追溯的测量结果。PD 100光电二极管在获得ISO 17025认证的Instrument Systems测试实验室中进行校准，并且可以追溯到国家标准（例如PTB或NIST）。每个光电二极管都附带有关光谱灵敏度的个体测试报告。快速测量VCSEL或LED德国IS PD 100 光电二极管 是光谱辐射计（CAS系列）和积分球（ISP系列）测量系统的理想补充检测器。其快速响应时间能够精确测量脉冲光源，例如用于测量VCSEL的LIV曲线。如果使用具有高采样率的快速数字万用表（例如Keithley 7510，1 ms/sec），还可以可视化光学波形。技术数据型号PD100-SB-0001 orPD100-SB-0002PD100-IP-0001 orPD100-IP-0002 *探测器材料Silicon (Si)IndiumGalliumArsenide (InGaAs)光谱范围400 - 1100 nm900 - 1700 nm最高灵敏度的波长960 nm1550 nm上升/下降时间40 µ s (typ.)5 µ s (typ.)典型放大倍数 (ISP 100上)240 V/W (@940nm) or28 V/W (@940nm)2700 V/W (@1380nm) or12.5 V/W (@1380nm)* PD100-IP-0002 without calibration

广谱InGaAs光电二极管特点：u 有效直径 （0.3 mm - 3 mm）u 截止波长 （1.9μm, 2.05μm, 2.2μm and 2.6μm）u 高分流电阻u 多个镜头可选 （双凸面，平凸面，球面）u 光学滤光片 (中性密度和带通滤光片)u 封装 (TO-46, TO-18 or TO-5)应用：u 气敏监测u 烃类传感器u 火焰/火花检测u FTIRu 光谱u SWIR光电检测

主要应用：-5G及其以上传输系统不断增长的高速及大容量需求对光电二极管提出了更高的要求. 铟镓砷 (InGaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管和硅(Si)光电二极管，锗(Ge)光电二极管....-光电二极管（光敏二极管），有机光电二极管,光电三极管（光敏三极管），光敏器件......-光谱响应测试-DIV测试，电容测试-光电二极管（ Photodiode）灵敏度角度特性测试.

iBeam 智能高性能单模二极管激光器375 至 1064 nm 的单模 TEM 00激光器FINE and SKILL消除噪音和斑点CW 或模拟、数字和混合调制操作模拟和数字调制高达 250 MHz真正的一箱解决方案，无需控制箱 iBeam smart 是寻找高性能、超可靠的 OEM 单模二极管激光系统的最佳选择。输出功率的记录值，加上出色的功率和光束指向稳定性，正在为紧凑型二极管激光器设定标准。其灵活的、基于 µ 处理器的电子设备将使系统集成变得轻而易举。FINE、SKILL 和 AUTOPULSE 等功能能够解决您的应用程序的常见问题。应用：Confocal microscopyDisc masteringFlow cytometryLaser scanning cytometryMicrolithographyMetrologyEllipsometryReprographics / CtP printing

InGaAs PIN 光电二极管G12181-020K长波长类型（截止波长：1.9 μm）特点- 截止波长：1.9 μm- 低成本- 受光面：φ2 mm- 低噪声- 高灵敏度- 高可靠性- 高速响应

DT-670系列硅二极管温度传感器在更宽的温度范围内可提更高的精度。DT-670系列传感器符合标准电压-温度响应曲线，因此该系列可互换，且对于许多应用不需要单独标定。SD封装中的DT-670传感器有四个误差等级，其中三个适用于1.4 K至500 K温度范围内的通用低温应用，另一个可为30 K至室温的应用提供卓越的精度。DT-670传感器也有第七个公差带，B和E，只能作为裸芯片使用。对于需要更高精度的应用，DT-670-SD二极管可在整个1.4 K至500 K温度范围内进行标定。DT-670-SD√ 1.4 K-500 K温度范围内具有超高精度√ 30 K-500 K温度范围内极小误差√ 坚固可靠的SD封装设计，可承受重复热循环并尽可能地减少传感器自发热√ 符合标准曲线DT-670温度响应曲线√ 多种封装选项DT-670E-BR√ 温度范围1.4 K-500 K√ 裸装传感器是尺寸极小、热响应时间超快的二极管传感器√ 无磁传感器DT-621-HR√ 温度范围：1.4K-325K*√ 无磁封装√ 用于表面安装的裸露平面基板* 标定的低到1.4K，未标定的(曲线DT-670)低到20KDT-670E-BR极小尺寸+超快热响应DT-670E-BR裸片传感器提供了硅二极管产品中更小的物理尺寸和更快的热响应时间。这对尺寸和热响应时间至关重要的应用来说是一个重要的优势，包括用于蜂窝通信的焦平面阵列和高温超导滤波器。 DT-621-HR微型硅二极管DT-621传感器组件在其有效范围内显示出精确、单调的温度响应。传感器芯片与环氧圆顶直接接触，导致20 K温度下测试电压升，并阻止全量程曲线DT-670一致性。所以对于低于20 K的使用，需要标定。二极管测温二极管测温是基于在恒定电流（通常为10 µ A）下偏置的p-n结中正向电压降的温度依赖性。由于电压信号相对较大，在0.1V和6V之间，因此二极管易于使用，仪器操作也很简单。 Lake Shore SD封装：业界极坚固、多功能的封装SD封装直接将传感器与蓝宝石底座安装、气密密封和焊接Kovar导线，是业内极其坚固耐用、用途广泛的低温温度传感器，具有极佳的样品与芯片连接性能。该设计使导线上的热量可以绕过芯片，因此可以在 500 K 温度下工作数千小时（取决于型号），并且与大多数超高真空应用兼容。它可以铟焊到样品上，而不会改变传感器的标定。如果需要，也可提供不带Kovar引线的 SD 封装。DT-670温度传感器温度特性 典型的DT-670电压特性 典型的DT-670灵敏度特性DT-670误差带曲线

超大探测面积InGaAs光电二极管特点：u 有效直径 （0.5 mm - 5 mm）u 截止波长 （1.7 μm）u 高分流电阻和高灵敏度u 多个镜头可选 （双凸面，平凸面，球面）u 光学滤光片 (中性密度和带通滤光片)u 封装 (TO-46, TO-18, TO-5 or TO-8)应用：u 近红外传感/辐射测量u LED/LD 表征u 医疗诊断u 光谱学u 拉曼光谱u 天文/光度测量

积分球光电二极管功率探头S140C光学测量仪测量不受光束形状和入射角影响积分球作为漫射体，功率损耗极小?5 mm，?7 mm或?12 mm输入孔径包含可拆卸的S120-FC光纤转接件(FC/PC和FC/APC)提供用于接头光纤和裸纤的光纤转接件这些积分球光电二极管功率探头测量功率时不受光束均匀性、发散角、光束形状或入射角的影响，所以非常适合测量光纤光源与离轴自由空间光源。我们的积分球光电二极管功率探头的波长范围从可见光到近红外。波长范围从350 nm到2500 nm的探头使用基于Zenith® PTFE的?1英寸或?2英寸单球体，黑色外壳能将入射孔径周围的反射光降到最少。这些探头使用硅光电二极管探测350到1100 nm波段，或者使用铟镓砷光电二极管探测800到1700 nm、900-1650 nm或1200-2500 nm波段。S180C积分球用于2.9到5.5 μm波段，使用两个相连的镀金?20 mm球体，入射端口位于位置1的球，MCT(碲镉汞)探测端口位于第二个球。与单球设计相比，双球配置减小了内部球体表面积，同时有效防止直接照射探测器，所以能够改善器件灵敏度。这种设计无需挡片或其它阻挡机制就能有效挡住光电二极管，所以测量结果受入射角、发散角和光束形状的影响更小。下面的积分球具有?5 mm、?7 mm或?12 mm大孔径、SM1(1.035"-40)外螺纹前端连接、强化的电磁干扰屏蔽和超温报警传感器。这些探头的有效探测面积大，使用附带的S120-FC光纤转接件可以连接FC/PC或FC/APC接头光纤。这个SM1外螺纹转接件可以用1号螺丝刀拆除，从而使组件更靠近窗口。可追溯至NIST的数据存储在探头的接头中。每个探头发货时带有可追溯NIST或PTB校准数据。包含的数据与用于测试单个探头的光电二极管校准证书匹配。可追溯的NIST或PTB数据存储在探头接头中。Thorlabs为这些光电二极管功率探头提供重新校准服务，请在下方订购(型号CAL-PD，用于硅探头；型号CAL-IRPD，用于InGaAs探头；型号CAL-MIRPD，用于延伸的InGaAs或MCT探头)。

总览Agiltron制造先进的硒化铅（PbSe）探测器，用于室温操作以及增强灵敏度的热电冷却操作。这些设备可以用于集成的光滤波器、预放大器或多路复用放大器。硒化铅PbSe光电二极管 2-5um,硒化铅PbSe光电二极管 2-5um通用参数产品特点：新型自动化学加工（ACP）以较低的成本产生更高的产量在极duan条件下，可靠性高保质期长密封包装各种尺寸都可供选择 PbSe探测器的典型室温电特性。光敏面大小（mm)电阻(MΩ )时间常数(µ sec)D*BB(500K, 1KHz, 1)(cm&bull Hz&half &bull W–1)D*(cm&bull Hz&half &bull W–1)响应度(PK, 1KHz)(V/W)1.0X1.00.2 - 5.053X1082X1097500 机械特性：探测器通常在0.020英寸-0.030英寸厚度的石英衬底上制造。可以与光学冷凝器元件、热电（TE）冷却器和处理电子设备集成，所有这些都装在一个微型包装中。老化特性所有的库存探测器至少要经历四周的老化期。PbSe探测器的光谱响应PbSe的典型室温响应在2 - 5μm的光谱区域工作，时间常数小于5 μsec。TE冷却可在1到5微米区域增加D*。标准PbSe探测器的典型光谱响应如下图所示订购型号信息：环境探测器PBAD-探测器材料类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器环境探测器1=Lead Selenide (PbSe)3=High Performance Lead Selenide (HP-PbSe)00=Flat Plate 01=Packaged0=special 1=TO-185=TO-57=TO-378=TO-89=TO-390=Special 1=1x1mm 2=2x2mm 3=3x3mm 4=4x4mm 5=5x5mm6=6x6mm0=Special 1=Spectral Filter 2=Quartz 3=Sapphire 4=Germanium 5=Silicon0=No1=Yes00=No Themistor TH=Thermistor TC=Thermistor Calibrated 制冷型探测器PBCD-探测器材料T.E.制冷类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器TE制冷型光电探测器1=Lead00=Special0=special0=Special0=Special0=No00=No ThemistorSelenide(PbSe)01=1 stage5=TO-51=1x1mm1=Spectral Filter1=YesTH=Thermistor3=High02=2 stage7=TO-372=2x2mm2=QuartzTC=ThermistorPerformance03=3 stage8=TO-83=3x3mm3=SapphireCalibratedLead Selenide9=TO-394=4x4mm4=Germanium(HP-PbSe)5=5x5mm5=Silicon6=6x6mm

光电二极管能量计探头，OPHIR原装进口高灵敏光电二极管探头；zui快测量频率20KHZ，zui低测量能量10PJ 提供激光分光镜片、真空适配器、光纤适配器等附件；产品参数：产品型号产品特点探头口径波长范围能量范围zui大频率PD10-CNJ级硅光电探头Φ10MM0.19-1.1um2nJ-20uJ20KHZPD10-PJ-CPJ级硅光电探头Φ10MM0.2-1.1um10pJ-200nJ20KHZPD10-IR-PJ-CPJ级鍺光电探头Φ5MM0.7-1.8um30pJ-20nJ10KHZ

圆形光电二极管探头 品牌：以色列OPHIR 型号：PD300R-UV P / N：7Z02438 PD300R-UV是一种宽光谱范围的圆形几何光电二极管激光测量传感器。 它有一个10毫米的光圈和一个可拆卸的滤镜。 没有滤光片，其光谱范围为200至1100nm，功率测量范围为20pW至3mW。 滤光片的光谱范围为220nm至1100nm，功率范围为2μW至300mW。 传感器配有1.5米电缆，用于连接仪表或PC接口。 孔径?10mm波长范围200-1100nm功率范围20pW-300mW外形尺寸?35 W x 24 D (mm)*大能量15μJ*大平均功率密度10W/cm2响应时间0.2 s*大功率300mW 由于是进口产品，期间会有汇率的变动，详细价格请联系客服！

带干涉滤光片，适合单色光（254nm）探测的硅光电二极管S12742-254的窗口使用干涉滤光片，只对单色光灵敏。其光谱响应宽度极窄，只有10nm（FWHM），可以屏蔽杂散光，精确地进行光度计测。其典型峰值波长为254nm，也可以接受客户定制，改变其峰值波长，比如340nm、560nm、650nm等。产品特性-带干涉滤光片的硅光电二极管-单色光（254nm）探测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围252 to 256 nm光敏度 (典型值)0.018 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)254 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Photosensitivity: λ=254 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

总览Photop&trade 系列，将光电二极管和运算放大器集合在同一封装中。Photops&trade 通用检测器的光谱范围为350nm至1100nm或200nm至1100nm。它们采用集成封装，确保在各种工作条件下的低噪声输出。这些运算放大器是OSI光电工程师为兼容我们的光电二极管而专门选择的。其中许多具体参数包括低噪声、低漂移和拥有由外部反馈元件决定的增益和带宽能力。从直流电平到几兆赫的操作是可能的，既可以在低速、低漂移的应用中采用无偏置配置，也可以在更快的响应时间中采用偏置配置。 上述设备的任何改装都是可能的。改装可以是简单地增加一个带通光学滤波器，在同一封装内集成额外的芯片(混合)元件，利用不同的运算放大器，替换光电探测器，修改封装设计和/或安装在PCB上。包含多型号UDT-020D UDT-555D UDT-455 UV OSI -020 UV UDT-055 UV UDT-455UV OSI-020UV OSI-515 UDT-555UV/LN光电二极管放大器混合器 200-1100nm,光电二极管放大器混合器 200-1100nm型号参数应用 通用光检测激光功率监控医学分析激光通信条形码读取器工业控制传感器污染监测制导系统色度计特征检测器/放大器组合可调增益/带宽低噪声宽带宽DIP封装有效面积大.光电二极管参数TA = 23°C时的典型电光参数型号有效面积响应度(A/W)电容(pF)暗电流(nA)分流电阻(MΩ )噪音等效功率(W/√Hz)反向电压温度范围(°C)封装形式面积(mm2) 尺寸(mm) 254nm 970nm 0V -10V -10V-10mV0V254nm-10V970nmV工作储存最小值典型值最小值典型值典型值典型值典型值 最大值典型值典型值典型值 最大值350-1100nm光谱范围UDT-455 5.1 2.54 f --- 0.60 0.65 85 15 0.25 3 --- 1.4 e -14 30**0 ~+ 70-30 ~+ 100 30 / TO-5OSI-515#UDT-020D164.57 f330600.5101.9 e -1431 / TO-8UDT-555D10011.3 f15003002253.9 e -1432/ Special200-1100nm光谱范围UDT-455 UV5.12.54 f 0.10 0.14 ---300 ---1009.2 e -14 --- 5**30 / TO-5OSI -020 UV164.57 f1000501.3 e -1331 / TO-8UDT-055 UV507.98 f2500202.1 e -1332/ SpecialUDT-555 UV 100 11.3 f 4500 10 2.9 e -13 32/ SpecialUDT-555UV /LN** TA = 23°C时，运算放大器的电光参数型号电源电压静态电源电流(mA)输入补偿电压 温度系数输入补偿电压输入偏置电流增益带宽乘积转换速度开环增益，DC输入噪声电压输入噪声电流 100 Hz 1k Hz 1 k Hz ± 15 VmVµ V / °CpAMHzV / µ sV /mVnV/ √HzfA/√Hz 最小值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值 最小值 典型值 最小值 典型值 最小值 典型值 典型值 典型值 典型值UDT-455 --- ±15 ±18 2.8 5.0 0.5 3 4 30 ±80 ±400 3.0 5.4 5 9 50 200 20 15 10UDT-455UVUDT-020DOSI-020UV---±15±181.820.030.120.3510.520---5.1---20100020005.85.10.8OSI-515*---±15±186.57.21310---±15±40232612514036.3---1210UDT-555UV/LN---±15±182.53.50.10.5±2±5±0.8±2---21250117781580.5UDT-055UV --- ±15 ±22 2.7 4.0 0.4 1 3 10 ±40 ±200 3.5 5.7 7.5 11 75 220 20 15 10UDT-555DUDT-555UV 机械图纸请参考第61至73页。* * LN–系列设备应在0V偏压下使用。*非冷凝温度和储存范围，非冷凝环境。# OSI-515取代UDT-455HS UDT-455，UDT-555D, 555UV, 055UVOSI-515:引脚1和5不兼容(无需调偏)。UDT-020D，OSI-020UVUDT-555UV/LN输出电压与光强度成正比，由下列公式得出:频率响应(光电二极管/放大器组合)光电二极管/放大器组合的频率响应由光电探测器、前置放大器以及反馈电阻(RF)和反馈电容(CF)的特性决定。对于已知增益(RF)，检波器/前置放大器组合的3dB频率响应如下所示:然而，所需的频率响应受到运算放大器增益带宽乘积(GBP)的限制。为了获得稳定的输出，必须选择RF和CF值，使检波器/前置放大器组合的3dB频率响应小于运算放大器的最大频率，即f3dB≤fmax。最后，下面给出了一个计算频率响应的例子。对于增益为108，工作频率为100 Hz，增益带宽乘积(GBP)为5 MHz的运算放大器:对于CF = 15.9 pF，CJ = 15 pF和CA = 7 pF，fmax约为14.5 kHz。因此，由于f3dB≤fmax，电路稳定。 有关具体应用的进一步阅读，请参考目录中的APPLICATION NOTES INDEX。注:阴影框代表Photop&trade 组件及其连接件。 光电二极管维护和操作说明避免直射光线由于硅光电二极管的光谱响应包括可见光区域，因此必须避免光电二极管暴露于高环境光水平下，尤其是钨源或日光。在OSI光电公司的运输过程中，您的光电二极管包装在不透明的填充容器中，以避免环境光照射和因跌落或震动造成的损坏。 避免剧烈的物理冲击如果跌落或剧烈震动，光电二极管可能会损坏。焊线较为脆弱，当检测器掉落或受到剧烈的物理撞击时，可能会与光电二极管的焊盘分离。 用光学级布/纸巾清洁窗户OSI光电二极管上的大多数窗口材料是硅或石英。应使用异丙醇和软垫(光学级)清洁它们。 观察储存温度和湿度水平光电二极管暴露在高或极低的存储温度下会影响硅光电二极管的后续性能。存储温度指南在本目录的光电二极管性能规格中有相关介绍。请保持非冷凝环境，以保证光电二极管最佳性能和寿命。 遵守防静电措施光电二极管，尤其是集成电路器件(如Photops)被认为是静电敏感的。光电二极管采用防静电包装运输。在拆封和使用这些产品时，应遵守防静电注意事项。 不要将光电二极管暴露在刺激性的化学环境中如果暴露在氯乙烯、稀释剂、丙酮或三氯乙烯中，光电二极管封装和/或操作可能会受到影响。 小心安装本目录中的大多数光电二极管都配有电线或引脚，用于安装在电路板或插座上。遵守以下规定的焊接温度和条件:烙铁: 焊接30 W或更低 , 烙铁尖端的温度为300℃或更低。浸焊:镀浴温度:260±5℃ ,浸泡时间:5秒以内。 ,焊接时间:3秒以内。汽相焊接:请勿使用回流焊:请勿使用 请特别注意塑料包装中的光电二极管。透明塑料包装比黑色塑料包装对环境压力更敏感。在高湿度下存放器件可能会在焊接时出现问题。由于焊接过程中的快速加热会对焊线产生应力，并可能导致焊线与焊盘分离，因此建议将塑料封装中的器件在85℃下烘烤24小时。光电二极管上的引线不应形成。如果您的应用需要修改引线间距，请在形成产品引线之前联系OSI光电子应用程序部门。产品保修可能无效。1.参数定义:A =芯片顶部到玻璃顶部的距离。a =光电二极管正极。B =玻璃顶部到外壳底部的距离。c =光电二极管负极(注:负极通常用于金属包装产品，除非另有说明)。W =窗口直径。视场(见下文定义)。 2.尺寸单位为英寸(1英寸= 25.4mm)。3.除非另有规定，引脚直径为0.018±0.002"。4.公差(除非另有说明)常规: 0.XX ±0.01" 0.XXX ±0.005"芯片中心: ±0.010"尺寸“A”: ±0.015" 5.Windows操作系统所有“UV”增强产品都配有石英玻璃窗口，0.027±0.002"厚度。所有“XUV”产品都配有可移动窗户。所有“DLS”PSD产品都配有抗反射涂层玻璃窗。所有“FIL”光导和光伏产品都是环氧树脂填充的，而不是玻璃窗。 机械规格单位都是英寸。插脚引线是仰视图。

光电二极管(PIN) 新势力光电供应光电二极管(PIN)，用于将光信号转换为电信号，形成光电效应/光电池。PIN 光电二极管应用广泛，包括： 安检设备、激光测距、运动控制、分析仪器、生物医疗、光通信、军事、航空航天。UV/blue sensitive photodiodesType No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea5V410nm 5V 50&Omega mmmm2nAnsPS1-2TO521.0x1.010.0150PS1-2LCC6.11.0x1.010.0150PC5-2TO5Ø 2.5250.3150PS7-2TO52.66x2.6670.4200PC10-2TO5Ø 3.57101300PS13-2TO53.5x3.5131300PS33-2TO85.7x5.7332600PC50-2BNCØ 7.985051000PS100-2BNC10x10100102000PS100-2CERpin10x10100102000Band pass filter modules: PC10-2 TO5i with center wavelength 254nm or 300nm or 350nmBlue/green sensitive photodiodesType No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea5V410nm 5V 50&Omega mmmm2nAnsPC1-6bTO52S3Ø 1.1310.0510PC5-6bTO5Ø 2.5250.120PS7-6bTO52.7x2.770.1525PC10-6bTO5Ø 3.57100.245PS13-6bTO53.5x3.5130.2550PS33-6bTO85.7x5.7330.6140PS100-6bCERpin10x101001200PS100-6bLCC10S10x101001200Band pass filter modules: PR20-6b TO5i with center wavelength 488nm or 550nm or 633nm or 680nmHigh speed photodiodes (for fast rise times at low reverse voltages)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea20V850nm 20V 50&Omega mmmm2nAnsPS0.25-5LCC6.10.5x0.50.250.10.4PS0.25-5TO52S30.5x0.50.250.10.4PC0.55-5TO52S1Ø 0.840.550.21PC0.55-5LCC6.1Ø 0.840.550.21PS1-5LCC6.11.0x1.010.21.5PS1-5TO52S31.0x1.010.21.5PS7-5TO52.7x2.770.52PS11.9-5TO53.45x3.4511.913PC20-5TO8Ø 5.052023.5PS33-5TO85.7x5.73323.5PS100-5CERpinS10x1010025PS100-5LCC10S10x1010025High speed photodiodes for low voltages (for low operating voltages between 3 and 5 V, making them ideal for VIS and NIR applications in conjunction with CMOS components)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea20V850nm 20V 50&Omega mmmm2nAnsPS0.25-5tLCC6.10.5x0.50.2510.4PC0.55-5tLCC6.1Ø 0.840.5551PC0.55-5tT1 3/4Ø 0.840.5551PC0.55-5tT1 3/4 blackØ 0.840.5551PS1-5tLCC6.11.0x1.0111IR photodiodes with min. dark current (for low-capacitance light detection as well as for &alpha , &beta , &upsih and X-radiation detection)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea10V850nm 10V 50&Omega mmmm2nAnsPC1-6TO52S1Ø 1.1310.0510PC1-6TO52S3Ø 1.1310.0510PC5-6TO5Ø 2.5250.113PS7-6TO52.66× 2.6670.115PC10-6TO5Ø 3.57100.220PS13-6TO53.5× 3.5130.220PC20-6TO8Ø 5.05200.325PC50-6TO8SØ 7.98500.530PS100-6BNC10× 101000.850PS100-6CERpinS10× 101000.850PS100-6LCC10S10× 101000.850IR photodiodes with fully depletable (very low capacitance levels)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea10V905nm 10V 50&Omega mmmm2nAnsPC5-7TO8iØ 2.5250.0545PC10-7TO8iØ 3.57100.150PC20-7TO8SiØ 5.05200.250PS100-7LCC1010× 101001.550QP100-7LCC1010× 104× 250.550Photodiodes for 1064nm (specifically for laser rangefinders, laser-based targeting systems or any applications using YAG lasers or similar NIR radiation sources)Type No.Active areaDark currentRise timeChipPackageSizeArea150V1064nm 150V 50&Omega mmmm2nAnsQP22-QTO8SØ 5.34× 5.71.55QP45-QTO8S6.7× 6.74× 10.9635QP154-QTO1032iØ 14.04× 38.5106PIN SeriesOptimized forSpecial featuresApplicationSeries-2200-500 nmUV / Blue enhancedAnalytical instruments, readout for scintillatorsSeries-6b400-650 nmBlue / Green enhancedPhotometric illuminometerSeries-5b360-550 nmHigh-speed Epitaxy, blue / green enhancedOptical fiber communication, high speed photometrySeries-5t400-850 nmHigh-speed Epitaxy, low voltage (3.5V)Series-5450-950 nmHigh-speed EpitaxySeries-6700-950 nmGeneral purpose, low dark current, fast responsePrecision photometry, analytical instrumentsSeries-7700-1100 nmLow capacity, full depletableHigh energy physicsSeries-Q900-1100 nmEnhanced NIR sensitivity, low voltage, full depletableYAG laser detectionSeries-i600-1700 nmInGaAs photodiodes, high IR sensitivity, low dark currentEye-sate laser detectionSeries-XIonizing radiationWith or without scintillator, ultraMedical, security, material相关商品 光电管放大器 雪崩二极管(APD) Semrock滤光片 紫外LED

一, 带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4BWL-IPD4B是一款高度集成的矩形波串积分器，最多可直接连接4个光电二极管。触发脉冲后，所有4个输入同时积分，时间可调，介于6µ s和1秒之间（boxcar积分器）。测量采用集成20位模数转换器进行数字化，具有超低噪声和卓越的动态范围。集成结果通过USB链路传输到计算机（或者：3.3V UART、SPI、I2C）。在触发模式下，IPD4B光电二极管可以连续采集4个信号测量值，并以高达1.2 kHz的触发速率通过USB链路传输。这允许在具有1kHz重复率的系统中进行逐步测量。内部触发还允许矩形波串积分测量，控制时间为500 µ s至1s，例如用于监控。除了4个模拟输入，还同时捕获和报告一个外部数字输入。这允许“标记”某些测量或同步多个积分器。通用串行总线接口为虚拟串行端口(VCP)，以便直接轻松地集成到实验室控制软件(如LabView)中。通信使用基于文本的协议。带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4B,带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4B技术参数特征最多可同时集成4个输入高达1.2kHz的转换速率控制时间6µ s到1秒，内置定时器无间隙连续集成，控制时间为500 s至1 s触发测量包括信号和背景采集20位分辨率超低噪声:低于散粒噪声，适用于许多应用极限动态范围:高达1: 250000高精度、低漂移可调全格感测范围50 pC至350 pC易于使用的接口(USB、UART)外部触发上升沿或下降沿，TTL或LVDS辅助ADC、DAC和GPIO引脚小尺寸:60 x 40 x 22 mm3价格实惠应用高达1kHz的激光脉冲监测和信号测量系统2或4段光电二极管逐级脉冲噪声测量连续无隙信号监控可与硅探测器、InGaAs探测器、GaAs探测器使用 结构 本数据表中提供的信息是准确可靠的。但是，Wieserlabs GmbH对其可能导致的任何侵犯第三方Zhuan利或其他权利的行为不承担任何责任。价格和规格如有变更，恕不另行通知。商标和注册商标属于各自所有者的财产。 照片IPD4B的照片。可以安装不同的光电二极管；图片中的只是例子。 水平分接板:这种变体允许通过分接板轻松连接多达4个光电二极管。请注意，如果直接连接二极管，噪声性能最佳；电缆越长，噪音越大。垂直安装: . 索雷博SM1安装 :基本连接，快速启动需要USB为设备供电、配置和传输测量结果。提供的4引脚导线允许连接外部触发器和监控集成门。4线电缆具有以下引脚(照片中从下到上):1–门控监视器输出(3.3V)(照片中为黑色)2–接地3–触发输入(3.3V)(照片中为白色)4–接地另请参见关于电气接口的章节。电气规格 参数条件最小值典型值最大值单位电源电压456V电源电流正常工作(kHz)90150mATTL/COMS触发输入逻辑电平3.35V监控器输出逻辑电平3.3VSPI和GPIO逻辑高电平3.3V模拟输入满量程容量默认范围(范围设置7)350pC 最小范围(范围设置1)50pC内在触发延迟无附加延迟设置(默认)100360ns增加触发延迟通过延迟设置，分辨率为1 s0100s通道间串扰范围7，连接4个光电二极管，通过一个通道上的5µ s的 LED脉冲进行刺激，信号高度500 000计数，积分时间25µ s，导线延迟2 µ s，所有其他通道上无信号7 1410 20计数ppm先前脉冲记忆效应参数同上，硅光电二极管3×3mm，刺激信号500 000计数，随后是3个暗结果，用于测量记忆效应(结果小于信号噪声)15计数 噪声性能所有测量均采用USB供电操作，内部触发模式，无光电二极管连接。满量程（即满量程的10-6）的噪声值（ppm）。 触发速率选通时间50µ s选通时间500µ s 单位范围7范围1范围7范围11000Hz13.015.0ppm FS500Hz4.67.018.020.5ppm FS200Hz3.46.03.49.6ppm FS125Hz3.56.03.69.5ppm FS83Hz3.55.83.79.3ppm FS20Hz10.211.23.79.2ppm FS 机械规格 基板尺寸54 x 40mm2带水平接线板的设备重量(约) 48g仅基板重量TBDg 推荐的光电二极管WL-IPD4B可与任何硅、InGaAs或类似光电二极管配合使用。唯一的要求是，它需要在光伏模式下产生光电流，所有常规光电二极管也是如此。因此，它不适用于CdTe探测器或PMT管。 以下是IPD4B优选的标准和经验证的光电二极管列表。 类型制造商有效面积大小mm波长范围nm备注(PD=光电二极管)S2386-44KHamamatsu3.6 x 3.6320 – 1100通用硅光电二极管S1336-5BQHamamatsu2.4 x 2.4190 – 1100紫外延展S1336-44BQHamamatsu3.6 x 3.6190 – 1100紫外延展S1336-8BKHamamatsu5.8 x 5.8320 – 1100大面积S1336-8BQHamamatsu5.8 x 5.8190 – 1100大面积和紫外延展G10899-02KHamamatsu2.0500 – 1700InGaAs 光电二极管(也有1mm和3mm)G12183-010KHamamatsu1.0900 – 2600特殊的InGaAs光电二极管，高达2.6 µ m ($$$)

总览InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm,铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ3mm技术参数产品特性截止波长： 2.6μm低成本感光面积： φ3 mm低噪声高灵敏度高可靠性高速响应产品应用光功率计气体分析湿度计近红外光度法详细参数感光面积φ3mm像元个数1封装Metal封装类型TO-5制冷方式Non-cooled光谱响应范围0.9 to 2.6 μm峰值灵敏度波长(典型值)2.3 μm灵敏度 (典型值)1.3 A/W暗电流 (最大值)100000 nA截至频率（典型值）0.8MHz结电容(典型值)4000 pF噪声等效功率 (典型值)3×10-12 W/Hz1/2测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz.光谱响应外形尺寸（单位：mm）

标准光电二极管功率探头S120VC 光学仪器通用光功率测量集成观察卡便于探头对准探头孔径为?9.5 mm光纤转接件可单独购买(见下表)包含探头、保护盖、红外观察卡和螺纹转接件S12xC标准光电二极管功率探头非常适合从紫外到近红外的低功率相干和非相干光源。每个探头集成观察卡便于对准，增强电磁干扰屏蔽，提供过热报警功能，具有?9.5 mm大孔径。探头兼容?1/2英寸接杆和SM1(1.035"-40)透镜套管，非常适合自由空间和光纤耦合光源。通过带内螺纹的30 mm笼式系统安装座，这些探头可安装至30 mm笼式系统中。每个探头发货时带有可追溯NIST或PTB校准数据。包含的数据与用于测试单个探头的光电二极管校准证书匹配。Thorlabs为这些光电二极管功率探头提供重新校准服务，请在下方订购(型号CAL-UVPD，用于紫外延伸部分的硅探头；型号CAL-PD，用于硅探头；型号CAL-IRPD，用于锗探头)。

一, 铟镓砷 (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm马克科技的4346系列是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合光通信设备。该模型也 可选用定制包装铟镓砷 (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm,铟镓砷 (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm光电参数 (Ta = 25º C)项目符号条件MIN典型值MAX单位暗电流IDVR=0V--0.13--nA灵敏度范围λVR=0V600--1750nm峰值波长λVR=0V--1600--nm串扰CTVR=0V, λ=1600nm--25%响应度Rλ=1330nmλ=1600nm--0.900.550.95----A/W上升时间@1330nmTRVR=2V RL=50Ω--8--ns并联电阻RSHVR=10mV,-10mV--1.43--MΩ静电容CVR=0V 1MHz--107--pF通用参数硅和InGaAs象限光电二极管(“Quads” or quadrant photodiodes)“四象限”或象限光电二极管（QPD）是具有四个平面扩散光电二极管元件的分段光电二极管位置感测检测器（PSD，AKA位置感测二极管），这些元件是单片的或在同一硅或InGaAs芯片上。Marktech光电四元光电二极管具有低暗电流、高分辨率或精度、高精度、低噪声高响应（高S/N比）、宽光谱范围、良好的频率带宽、优异的动态范围、Min. 的元件间距、低工作电压、高分流电阻和大有源区。两段、双元件或双单元光电二极管是另一种类型的位置感测装置，通常结合到对准或定位系统中。虽然象限光电二极管可以感测沿着两个维度或X和Y轴的位置，但双元件光电二极管沿着一个维度或轴对齐或定位。Marktech的四元件光电二极管阵列或四元探测器在激光对准和纳米定位应用中提供了优秀的性能。象限光电二极管（QPD）或象限位置敏感探测器通常具有低至10nm的分辨率，使用的光束的光功率为10至100微瓦（MÉ KYNEN）。Quads可用于激光对准的自动准直器、光学跟踪器、扫描探针显微镜、载物台定位器、表面轮廓仪、掩模对准器、光束定中心系统、空间太阳传感器、椭圆仪、光学镊子、倾斜传感器、高精度位移传感器和其他超精密定位应用。QPD的快速响应和宽的操作带宽使这些定位设备在原子力显微镜（AFM）行业中占据主导地位（Chien等人）。卫星通信系统也可以受益于象限光电二极管。例如，象限光电二极管是用于卫星间激光干涉测量的象限光电接收器（QPR）前端设备的关键部件。硅和InGaAs光电二极管阵列双单元和象限光电二极管都是光电二极管阵列（PDA），分别具有两个（1X2）和四个（2X2）元件。Bi和quad PD适用于在小波束位移或位置范围内的对准或位置感测。对于更大范围的激光或光束位置感测，需要更长的多元件光电二极管阵列。Marktech Optoelectronics还生产多元件线性（一维，1D）和面积（二维，2D）光电二极管阵列，具有许多分段，用于色散光谱、折射测量、距离或测距（三角位置传感）、干涉测量和粒子分析仪。大多数光电二极管阵列应用都需要定制设计的阵列和OEM集成，这是Marktech的行业优秀能力之一。Marktech的探测器专家设计并制造了具有2、4、16、20、32、64和更多元件的光电二极管阵列。我们的InGaAs象限光电二极管和光电二极管阵列的波长灵敏度范围为600nm–2600nm。我们的硅象限光电二极管和光电二极管阵列的波长灵敏度范围为250nm至1100nm。这些芯片可以单独封装在各种密封TO封装中，也可以集成到定制封装中（PLCC、COB、ATLAS密封SMD、陶瓷载体等），以适应您的特定应用和引脚设计规格。特点高 速 反 应 - 1.0GHzTO-5金属罐封装有效面积3.0mm/高灵敏度光谱范围: 600nm - 1750nm应用高速光通信工业控制光开关雷达医疗jue对Max. 额定值 (Ta=25º C)项目符号数值单位有效面积Ф3.0mm运行温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C二, 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径1.5mm)灵敏度波长范围的800nm~2600nm MTPD260K8-150是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合于光通信设备 。客户可定制不同的封装形式。高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径1.5mm),高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径1.5mm)通用参数特点响应速度快TO-39密封圆顶透镜封装1.5mm Ф的有效面积/高灵敏度光谱范围 800nm - 2600nm应用高速光通信工业控制分析气体/水激光测距医疗绝对最大额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф1.5mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=100uA----1V灵敏度范围λVR=0V800--2600nm暗电流IDVR=0V--150--nA暗电流IDVR=1V--350--uA响应度Rλ=2400nm--1.24--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--1.25--kOhm量子效率QEλ=1840nm--72--%电容CVR =0V--1500--pF电容CVR =1V--100--pF封装尺寸单位: mm, 误差: ±0.2光谱响应曲线量子效率曲线三, 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39 光敏面3mm灵敏度波长范围为800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列， 非常适合于光通信设备。客户可以定制封装形式。高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39 光敏面3mm,高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39 光敏面3mm通用参数特点响应速度快TO-39封装 有效面积3.0mmФ/高灵敏度 光谱范围800nm-2600nm应用高速光通信工业控制分析气体/水激光测距医疗jue对Max. 额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф3.0mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=10uA----1V灵敏度范围λVR=0V800--2600nm暗电流IDVR=0V--80--nA暗电流IDVR=1V--770--uA响应度Rλ=2400nm--1.24--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--0.5--kOhm量子效率QEλ=1840nm--72--%电容CVR =0V--3100--pF电容CVR =1V--500--pF封装尺寸单位: mm, 误差: ±0.2光谱响应曲线四, 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径3.0mm)MTPD260K8-300是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列， 非常适合于光通信设备。该模具的定制包装也可选用。高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径3.0mm),高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径3.0mm)通用参数特点响应速度快TO-39密封圆顶透镜封装3.0mm Ф的有效面积/高灵敏度光谱范围 800nm - 2600nm应用高速光通信工业控制分析气体/水激光测距医疗绝对最大额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф3.0mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=100uA----1V灵敏度范围λVR=0V800--2600nm暗电流IDVR=0V--850--nA暗电流IDVR=1V--830--uA响应度Rλ=2400nm--1.24--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--0.34--kOhm量子效率QEλ=1840nm--72--%静电容CVR =0V--3000--pF静电容CVR =1V--450--pF封装尺寸单位: mm, 误差: ±0.2光谱响应曲线五, 高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nmMarktech的1346系列是高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合于光通信设备。 客户可以定制其他封装形式,波长灵敏度范围: 600nm ~ 1750nm 高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm,高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm通用参数绝对最大额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф3.0mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C产品特点：高速响应TO-39封装有效面积3.0mm /高灵敏度光谱范围600nm—1750nm应用:高速光通讯管线区域网路光开关以太网光纤通道光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=10uA----5V灵敏度范围λVR=0V600--1750nm暗电流IDVR=1V--265--uA电容CVR=1V *2----2090pF响应度Rλ=1.6um--0.50--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--0.360--kOhm量子效能QEλ=1.6um--0.40--%弱电流ILλ=1.6um *1--35.4--µ A上升下降时间Tr,Tf--102--ns带宽BW--4.3--MHz提示:*1: Ee=1mW/cm2 *2: f=100kHz/1kHz光谱响应图

产品特征-带有干涉滤光片的Si光电二极管-单色光（275 nm）检测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围271 to 279 nm光敏度 (典型值)0.01 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)275 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=275 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应范围外形尺寸图（单位：mm）